JP2022518221A - 破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素 - Google Patents

Abstract

光回折構成要素（６０）は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制することに役立つ。光回折構成要素（６０）は、少なくとも３つの回折構造レベル（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3，Ｎ4）を有する。回折構造レベル（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3，Ｎ4）は、少なくとも２つの回折構造グループに割り当て可能である。回折構造グループのうちの第１のもの（３５）は、第１の目標波長λ1を抑制するのに役立つ。回折構造グループのうちの第２のものは、第２の目標波長λ2を抑制するのに役立つ。２つの目標波長λ1およびλ2に対して、（λ1－λ2）2／（λ1＋λ2）2＜２０％が当てはまる。回折構造レベル（Ｎ1～Ｎ4）のトポグラフィーは、２つのバイナリ回折構造グループの重ね合わせとして記述することができる。バイナリ回折構造グループの各々の隣接する表面セクション間の境界領域（Ｎ3／Ｎ1，Ｎ2／Ｎ4，Ｎ4／Ｎ3，Ｎ1／Ｎ2）は、直線状コースを有し、せいぜい直線状コースのセクションに沿って互いに重ね合わされる。光回折構成要素の１つの変形では、回折構造の配列は、第１の目標波長が周期的格子構造プロファイルによって回折される赤外線波長範囲の第１の目標波長λ1のまわりの波長範囲が、互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分を有するようなものである。回折構造レベルは、ニュートラル回折構造レベル、正回折構造レベル、および負回折構造レベルを有する。その結果は、特に迷光抑制に向けて使用の可能性が広がる光回折構成要素である。【選択図】図１６

Description

本特許出願は、ドイツ特許出願ＤＥ １０ ２０１８ ２２０ ６２９．５およびＤＥ １０ ２０１９ ２１０ ４５０．９の優先権を主張し、それらの内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

本発明は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素に関する。さらに、本発明は、そのような光回折構成要素を含む投影露光装置のＥＵＶコレクタ、そのようなＥＵＶコレクタを含む照明系、そのような照明系を含む光学系、そのような光学系を含む投影露光装置、およびそのような投影露光装置の助けにより構造化構成要素を生成するための方法、およびこのようにして生成された構造化構成要素に関する。

光学格子の形態の光回折構成要素を含むＥＵＶコレクタが、ＷＯ ２０１７／２０７４０１およびＷＯ ２０１４／１１４４０５から知られている。ＥＵＶ投影露光装置のＩＲ波長を抑制するための光学格子の実施形態が、刊行物"Multilayer EUV optics with integrated IR-suppression gratings", T. Feigl et al., 2016 EUVL Workshop, Berkeley, June 13-16, 2016から知られている。ＥＰ １ ５４０ ４２３は、ＥＵＶリソグラフィシステムにおいて使用帯域の外の放射線を抑制するための格子ベーススペクトルフィルタを記載している。米国特許出願公開第２０１４／０１３１５８６号は、マスク検査システムのための位相格子を記載している。ＤＥ １０ ２００９ ０４４ ４６２は、ＥＵＶ照明系内の赤外線を回折するための格子構造を含む光学フィルタ要素を記載している。技術論文"Multilevel blazed gratings in resonance domain: an alternative to the classical fabrication approach" by M. Oliva et al., OPTICS EXPRESS, Vol. 19, No. 15, 2011, pages 1473 to 1475、および技術論文"Highly efficient three-level blazed grating in the resonance domain" by M. Oliva et al., OPTICS LETTERS Vol. 35, No. 16, 2010, pages 2774 to 2776は、ブレーズド格子の様々な変形を記載している。技術論文"Diffractive elements designed to suppress unwanted zeroth order due to surface depth error" by V. Kettunen et al., Journal of Modern Optics 51, 14, 2111-2123, 2004は、プロファイル深さエラーによる不要な０次の回折を抑制するための回折要素を開示している。

ＤＥ １９５ １６ ７４１は、回折光学的に効果的な構造配列を開示している。ＤＥ １００ ５４ ５０３は、光回折バイナリ格子構造を開示している。ＷＯ ２００７／０３１ ９９２は、空間的に変化するデューティサイクルを有する回折格子を開示している。

光学格子は、使用光の波長から外れている波長の迷光を抑制するために使用することができる。次いで、迷光を光学格子によって光トラップ（ビームダンプ）の方に回折することができ、その一方で、使用光は異なる経路を取って進む。

本発明の目的は、特に迷光抑制のために使用の可能性を広げるように、冒頭部で述べたタイプの光回折構成要素を開発することである。

この目的は、本発明による第１の態様によれば、光回折構成要素によって達成され、光回折構成要素が、
－ ３つの回折構造レベルを有する回折構造を含む周期的格子構造プロファイルを含み、
－ ３つの回折構造レベルが、参照平面を基準にして異なる構造深さを事前画定し、
－ 回折構造の配列は、第１の目標波長が格子構造プロファイルによって回折される赤外線波長範囲の第１の目標波長λ₁のまわりの波長範囲が、第１の目標波長λ₁の少なくとも０次および／または±１次の回折で、互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分を有するようなものであり、
－ 回折構造レベルが、周期走行方向（ｐｅｒｉｏｄ ｒｕｎｎｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）に沿って規則的に繰り返される格子構造プロファイルの格子周期のトポグラフィー（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ：全体的な様相）を事前画定し、
－ 回折構造レベルが、
－－ ゼロの参照高さに対応するニュートラル回折構造レベル（ｎｅｕｔｒａｌ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌｅｖｅｌ：中立回折構造レベル）と、
－－ ニュートラル回折構造レベルを基準にしてλ₁／４±２０％の光路長だけ高く配列された正回折構造レベル（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌｅｖｅｌ）と、
－－ ニュートラル回折構造レベルを基準にしてλ₁／４±２０％の光路長だけ低く配列された負回折構造レベル（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌｅｖｅｌ）と
を含む。

目標波長λ₁のまわりで抑制されるべき範囲は、抑制されるべき複数の波長、例えば、ＥＵＶプラズマ源のプレパルスおよび主パルスの異なる波長を含むように選ぶことができる。

第１の態様による光回折構成要素の場合、第１に正回折構造レベルおよび第２に負回折構造レベルが、ニュートラル回折構造レベルを基準にしてλ₁／４の光路長差を中心として最大２０％の許容誤差範囲で具現化される。経路長差λ₁／４と比較したこの許容誤差は、±２０％未満とすることもでき、例えば、±１０％、±５％、±３％、±２％、またはさらに±１％とすることができる。

第１の態様による光回折構成要素の場合、格子構造プロファイルの格子周期は、回折構造レベルの４つの周期セクションに細分することができる。４つの周期セクションのうちの２つは、ニュートラル回折構造レベルを有するニュートラル回折構造セクションとして具現化することができる。４つの周期セクションのうちの１つは、正回折構造レベルを有する正回折構造セクションとして具現化することができる。４つの周期セクションのうちの１つは、負回折構造レベルを有する負回折構造セクションとして具現化することができる。光回折構成要素のこの実施形態の場合、２つのニュートラル回折構造レベルは、格子周期内において、正回折構造レベルによってまたは負回折構造レベルによって互いに分離されるように配列することができる。２つのニュートラル回折構造レベルを互いに分離することにより、回折構造レベルのシーケンスが可能になり、周期走行方向において、各場合に相互に同等の構造高さ差を有する等しい数の下降縁部または側壁（ｓｉｄｅｗａｌｌ）（構造深さが増加する、縁部が「谷向き（ｖａｌｌｅｙｗａｒｄｓ）」）および上昇縁部または側壁（構造深さが再び減少する、縁部が「頂上向き（ｐｅａｋｗａｒｄｓ）」）が存在する。次いで、第１に下降縁部および第２に上昇縁部は、あり得る位相エラーに関する限り、それぞれ互いに補償し、その結果、望ましくない縁部構造化および／または望ましくない縁部位置から生じる可能性がある位相エラー全体が、減じられるかまたは完全に避けられる。

代替として、２つのニュートラル回折構造レベルはまた、格子周期内において、２倍の長さのニュートラル回折構造レベルとして直接連続的に配列されてもよい。

格子構造プロファイルの格子周期を細分することができる４つの周期セクションは、周期走行方向に沿って等しい長さを有することができ、長さの違いが±２０％未満である場合、等しい長さが存在する。そのような光回折構成要素は、目標波長に対して特に良好な破壊的に干渉する抑制効果を生じさせる。４つの周期セクションの長さは、２０％未満だけ、例えば、１５％未満だけ、１０％未満だけ、５％未満だけ、２％未満だけ、またはさらに１％未満だけ互いにずれることも可能である。４つの周期セクションの長さは、正確に等しくすることもできる。

格子構造プロファイルの格子周期を細分することができる４つの周期セクションは、以下のシーケンス、すなわち、正回折構造レベル、ニュートラル回折構造レベル、負回折構造レベル、ニュートラル回折構造レベルを有することができる。周期セクションのそのようなシーケンスは特に適切であることが見いだされた。対応するシーケンスは、上述で示されたシーケンスを周期的に交替することによって達成可能であり、それにより、以下のシーケンス、例えば、ニュートラル回折構造レベル、正回折構造レベル、ニュートラル回折構造レベル、負回折構造レベルがもたらされる。

４つの周期セクションの以下のシーケンス、すなわち、負回折構造レベル、ニュートラル回折構造レベル、正回折構造レベル、ニュートラル回折構造レベルも可能である。巡回的交換（ｃｙｃｌｉｃ ｉｎｔｅｒｃｈａｎｇｅ）は、この変形の場合にも可能である。

以下のもの、すなわち、ニュートラル回折構造レベル、ニュートラル回折構造レベル、正回折構造レベル、負回折構造レベルを、４つの周期セクションのシーケンスのさらなる変形として使用することができる。それゆえに、ここで、２つのニュートラル回折構造レベルは、特に２倍の長さの共通ニュートラル回折構造レベルとして互いに直ぐ隣に存在する。巡回的交換は、例えば、この変形の場合でも可能である。

第１の態様による光回折構成要素の場合、回折構造の配列は、格子構造プロファイルによって回折される赤外線波長範囲の目標波長を含む目標波長範囲が、第１の目標波長の少なくとも０次および／または±１次の回折で互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分を有すようにすることができ、目標波長範囲が、第１の目標波長λ₁に加えて、それと異なる第２の目標波長λ₂をさらに含み、回折構造の配列は、格子構造プロファイルによって回折される赤外線波長範囲の第２の目標波長のまわりの波長範囲が、さらに、第１の目標波長の少なくとも０次および／または±１次の回折で互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分を有するようなものであり、目標波長範囲が、第１の目標波長に加えて、それと異なる目標波長をさらに含み、回折構造の配列が、格子構造プロファイルによって回折される赤外線波長範囲の第２の目標波長のまわりの波長範囲が、第２の目標波長の少なくとも０次および／または±１次の回折で互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分を有するようなものであり、２つの目標波長λ₁およびλ₂に対して、（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²＜２０％が当てはまる。そのような光回折構成要素の利点は、既に上述で説明されたものに対応する。

２つの目標波長間の差を特徴づける上限値について、（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²＜１０％、＜５％、＜２％、＜１％、＜０．５％、＜０．２％、＜０．１％またはさらに＜０．０５％が当てはまり得る。上限値は、例えば、０．０３７％とすることができる。上限値は、著しくさらに小さくする、例えば、０．０００２％とすることもできる。光回折構成要素の少なくとも２つの回折構造グループによって抑制される２つの目標波長は、正確に等しくすることができる。２つの目標波長間の差を特徴づけるずれ（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²は、０．０００１％を超える場合があり、０．００１％を超える場合があり、０．０１％を超える場合があり、０．１％を超える場合があり、０．２％を超える場合があり、０．５％を超える場合があり、０．７％を超える場合があり、さらに一層大きい場合がある。

目標波長は、ＩＲ波長範囲内、例えば、１０．６μｍのＣＯ₂レーザの典型的な発光波長の範囲内とすることができる。代替としてまたは追加として、ＮＩＲ波長範囲、可視波長範囲、ＵＶ波長範囲、またはさもなければＤＵＶ波長範囲の波長が、抑制されるべき目標波長となることができる。２つの目標波長の一方は１０．２μｍとすることができ、２つの目標波長の他方は１０．６μｍとすることができる。目標波長は、ＥＵＶプラズマ源のプレパルスおよび主パルスの波長に適合することができる。

２つの異なる目標波長を抑制するための少なくとも２つの回折構造グループの設計は、抑制設計帯域幅と呼ぶこともできる事前定義可能な波長帯域幅内の波長の抑制をもたらす。この抑制設計帯域幅内にある、すなわち、光回折構成要素で効果的に抑制することができる波長は、目標波長に対応することができる、および／または目標波長間にあり得る、および／または目標波長間の波長範囲の外にあり得る。１０．２μｍの波長を抑制するために、例として、第１の回折構造グループが設計されている第１の目標波長は、１０．２５μｍとすることができ、第２の回折構造グループが設計されている第２の目標波長は、１０．５５μｍとすることができる。目標波長の選択は、オプションとして複数の異なる波長または波長帯域幅を抑制するために光回折構成要素になされる要件に応じて発生する。この場合、目標波長に加えて破壊的干渉のさらなる最小の位置も、考慮に入れることができ、またはどの波長が抑制されないように故意に意図されているかを考慮に入れることが可能である。

光回折構成要素に関連して既に上述で論じられたことは、ここで、目標波長λ₁およびλ₂の選択に当てはまり得る。

前記目的は、本発明による第２の態様によれば、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素によって達成され、光回折構成要素が、
－ 参照平面を基準にして異なる構造深さを事前画定する少なくとも３つの回折構造レベルを含み、
－ ３つの回折構造レベルが、少なくとも２つの回折構造グループに割り当て可能であり、
－ 回折構造グループのうちの第１のものが、０次の回折で第１の目標波長λ₁を抑制するように具現化され、
－ 回折構造グループのうちの第２のものが、０次の回折で第２の目標波長λ₂を抑制するように具現化され、
－ ２つの目標波長λ₁およびλ₂に対して、当てはまり、
－ 回折構造レベルのトポグラフィーが、２つのバイナリ回折構造グループの重ね合わせとして記述することができ、
－ バイナリ回折構造グループの各々が、
－－ 第１の構造深さを有する第１の表面セクションと、
－－ 第２の構造深さを有し、走行方向に沿って第１の表面セクションと交互になる第２の表面セクションと、を有し、
－ バイナリ回折構造グループの各々の隣接する表面セクション間の境界領域が直線状コース（ｌｉｎｅａｒ ｃｏｕｒｓｅ）を有し、
－－ ２つのバイナリ回折構造グループのうちの第１のものの第１の境界領域、および
－－ ２つのバイナリ回折構造グループのうちの第２のものの第２の境界領域が、
－－ せいぜいそれらの直線状コースのセクションに沿って互いに重ね合わされる。

互いにあまり離れてないそれぞれの目標波長を抑制するのに役立つ少なくとも２つの回折構造グループに順番に割り当て可能である少なくとも３つの回折構造レベルを含む光回折構成要素の使用は、驚いたことに、個々の回折構造グループの抑制効果を明確に越える目標波長の抑制の改善をもたらす。先行技術からの光回折構成要素と比較して、これは、光回折構成要素の使用の可能性の柔軟性を向上させるために使用することができる設計の自由度をもたらす。異なる回折構造グループは、光回折構成要素の同じ光学的に使用される区域を占めることができ、すなわち、前記光学的に使用される区域で相互に分離したセクションに配列される必要がない。光回折構成要素は、特に、２つの回折構造グループが同じ目標波長または迷光波長を抑制するように設計されるように設計することができる。代替としてまたは追加として、光回折構成要素は、回折構造グループの適切な設計により複数の目標波長を抑制するように設計することができる。複数の回折構造グループを含むそのような光回折構成要素の場合、回折効果が、正確に１つの回折構造グループを含む光回折構成要素と比較して改善されることが見いだされた。したがって、複数の回折構造グループを含む光回折構成要素の使用により、同じ抑制効果が、先行技術と比較して緩和された製造許容誤差で達成され得る。

回折構造グループは、正確に１つの目標波長を抑制するように配列され作られた少なくとも２つの回折構造レベルの配列である。回折構造グループの１つの例は光学格子である。少なくとも３つの回折構造レベルの少なくとも２つの回折構造グループへの割り当ては、少なくとも１つの回折構造レベルが複数の回折構造グループに割り当てられるように規則的に行われる。

最初に論じられた第１の態様による光回折構成要素は、このタイプの少なくとも１つまたはさもなければ少なくとも２つの回折構造グループをさらに含むこともできる。

２つの目標波長間の最大差に関する利点は、既に上述で説明されたものに対応する。第１の態様による光回折構成要素に関連して既に上述で論じられたことが、ここで、目標波長λ₁およびλ₂の選択に対して主張することができる。

第２の目標波長λ₂についても、後者が、光回折構成要素の回折構造の適切な設計によって破壊的干渉により減衰または抑制されることが当てはまる。

光回折構成要素は、正確に３つの回折構造レベルを含むことができ、正確に２つの回折構造グループを含むことができる。代替として、光回折構成要素は、４つ以上の回折構造レベル、例えば、４つ、５つ、６つ、またはさらにより多くの回折構造レベルをさらに含むことができ、対応して、３つ以上の回折構造グループをさらに含むことができる。

バイナリ構造は、正構造（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）（「頂上」）および負構造（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）（「谷」）を含む構造であり、正構造の全面積は、事前定義された許容誤差内で負構造の全面積に対応する。第１に正構造の全面積と第２に負構造の全面積との間の差は、２０％未満である場合があり、１０％未満である場合があり、５％未満である場合があり、２％未満である場合があり、さらに１％未満である場合がある。全面積はまた、正確に等しい場合がある。

第１および第２バイナリ構造の境界領域がせいぜい境界領域の直線状コースのセクションに沿って互いに重ね合わされるという事実は、比較的簡単に作られたリソグラフィマスク構造の助けによって光回折構成要素を生成する可能性をもたらす。これにより、第１に回折構造レベルの面積およびさらにその構造深さに対する狭い許容誤差に従った光回折構成要素の精密な生成の可能性がもたらされる。特に、境界領域の望ましい大きさおよび望ましい精密さの側壁の険しさ（急峻さ）（ｓｉｄｅｗａｌｌ ｓｔｅｅｐｎｅｓｓ）を有する回折構造グループを生成することが可能である。

光回折構成要素は、上昇境界領域、すなわち、上昇レベル側壁には、同じ構造深さ、すなわち、同じ構造高さ差をもつ下降境界領域が割り当てられるように作ることができる。

第２の態様による光回折構成要素は、追加として、前出の特許請求項による光回折構成要素を参照して既に上述で論じられた機能を有することができる。

光回折構成要素の場合、２つのバイナリ回折構造グループのうちの第１のものの第１の境界領域と、２つのバイナリ回折構造グループのうちの第２のものの第２の境界領域は、互いに完全に別個に延びることができる。境界領域のそのような完全に分離されたコースは、特に、光回折構成要素のリソグラフィ生成のさらなる単純化をもたらす。

回折構造グループのうちの第１のものは、格子表面に配列された第１の回折格子として具現化することができる。前記第１の回折格子は、第１の格子周期と、これらの第１の構造をそれぞれ囲む格子表面の表面セクションに対して垂直な、第１の回折正構造と第１の回折負構造との間の光路差として測定された第１の構造深さとを有することができる。回折構造グループのうちの第２のものは、格子表面に配列された第２の回折格子として具現化することができる。そのような第２の回折格子は、第２の格子周期と、これらの第２の構造をそれぞれ囲む格子表面の表面セクションに対して垂直な、第２の回折正構造と第２の回折負構造との間の光路差として測定された第２の構造深さとを有することができる。そのような実施形態に関して、互いに基本的に無関係である格子周期と、互いに基本的に無関係である構造深さ（構造深さは、少なくとも回折格子のうちの１つの場合に格子周期と比較して小さい）とを有する少なくとも２つの回折格子を含む光格子の使用は、先行技術の光学格子と比較して、光学格子の使用の可能性の柔軟性を向上させるために使用することができる設計の自由度をもたらす。２つの回折格子は、同じ格子表面を占めることができる、すなわち、そのとき、格子表面の別個のセクションに配列されない。それゆえに、そのとき、２つの回折格子は、格子表面上で互いに重ね合わされるように存在する。光学格子は、２つの回折格子が同一の迷光波長を抑制するように設計されることによって迷光抑制が改善されるように設計することができる。代替としてまたは追加として、光学格子は、複数の迷光波長を抑制できるように設計することができる。その上、驚いたことに、複数の回折格子を含むそのような光学格子の使用により、回折効果、特に、０次の回折の破壊的干渉の結果としての抑制効果が、正確に１つの回折格子を含む光学格子と比較して改善されることが見いだされた。それにより、同じ抑制効果が、複数の回折格子を含む光学格子の使用により緩和された製造許容誤差で達成され得る。

光学格子は、反射型回折格子として具現化することができるが、代替として、透過型回折格子として、例えば、位相格子として具現化することもできる。

格子表面は、平面として、またはさもなければ曲線状、例えば、凸状もしくは凹状として具現化することができる。格子表面は、例えば、ビームコレクタまたはミラー上に他の光学的機能をさらに有する光学構成要素の光学面の一部とすることができる。第１の回折格子および／または第２の回折格子は、正構造の表面積が負構造の表面積と等しいバイナリ格子として具現化することができる。最も簡単な場合には、構造深さは、それぞれの回折正構造と、関連する回折負構造との間の高さ差とすることができる。

光学格子は、追加として、高反射層と、オプションとして、特に、光学格子および／または高反射層を保護するための補助層とを有することができる。高反射層は、多層として具現化することができる。高反射層は、特に、５ｎｍと３０ｎｍとの間の波長範囲のＥＵＶ光に対して具現化することができる。

光回折構成要素は、対応して配列された回折構造レベルを有する多レベル回折格子として具現化することができる。

この場合、構造深さは、目標波長の６分の１とすることができる。多レベル格子がそれに応じて作られる場合、構造深さは、目標波長の４分の１とすることもできる。

異なる回折構造レベルの数ｍに応じて、目標波長λ_Nに応じた構造深さは、ｂ＝λ_N／（２ｍ）とすることができる。

格子周期は、ミリメートル範囲内とすることができ、例えば、１ｍｍまたは２ｍｍとすることができる。

回折構造レベルは、平面として具現化することができる。

異なる回折格子の格子周期は、互いに整数比とすることができる。格子周期は、互いに対して、定義された位相オフセットを有することができる。

格子周期の比は、１：２とすることができる。３つの回折格子の使用では、格子周期の比は、１：２：４またはさもなければ１：２：２とすることができる。

第１の回折負構造の表面積に対する第１の回折正構造の表面積の表面積比は、０．９と１．１との間の範囲とすることができる。第２の回折負構造の表面積に対する第２の回折正構造の表面積の表面積比は、０．９と１．１との間の範囲とすることができる。対応して、精密なバイナリ回折構造グループが生じる。

第１の格子周期と第１の構造深さとの間の比は、１０よりも大きくすることができる。第２の格子周期と第２の構造深さとの間の比は、１０よりも大きくすることができる。

それに対応して、抑制されるべき異なる目標波長が生じる。それにより、２つの目標波長λ₁およびλ₂に加えて、さらなるより大きく外れた目標波長も抑制することができる。例として、赤外線波長範囲の異なる目標波長および紫外線波長範囲のさらなる目標波長を同時に抑制することが可能である。

第２の格子周期に対する第１の格子周期の周期比は、０．９と１．１の範囲内とすることができる。

そのような周期比を有する光回折構成要素は、適切に製造することができる。第１および第２の回折格子の格子周期は、正確に等しくすることができるが、さらに異なってもよい。

そのような光回折構成要素の利点により、特にＥＵＶ波長の良好な反射状態とともに、第２の回折格子の場合に含むより高い波長の良好な迷光抑制が可能になる。

第２の回折格子の構造深さに対する第１の回折格子の構造深さの構造深さ比は、０．９と１．１との間の範囲内とすることができる。第１および第２回折格子の構造深さは、互いに異なってもよいが、等しくすることもできる。１．１と２０との間の範囲の２つの回折格子間の著しく大きい構造深さ比、例えば、１０の領域の構造深さ比も可能である。

格子表面に配列された２つの回折格子を含む光回折構成要素の場合、第１の格子周期は、第１の回折格子の第１の周期走行方向に沿って延びることができ、第２の格子周期は、第２の回折格子の第２の周期走行方向に沿って延びることができ、２つの周期走行方向は、互いに平行に延びることができない。第１および第２の回折格子の周期走行方向が互いに平行に延びないそのような光回折構成要素は、価値があることが立証された。周期走行方向間の最小角度は９０°とすることができ、その結果、２つの周期走行方向は互いに垂直である。例えば６０°、５５°、４５°または３０°の領域のより小さい最小角度も可能である。

代替として、少なくとも２つの回折構造グループの２つの周期走行方向が、互いに平行に延びる光回折構成要素の一実施形態も可能である。

格子表面に配列された２つの回折格子を含む光回折構成要素は、格子表面に配列された少なくとも１つのさらなる回折格子を含むことができる。前記さらなる回折格子は、さらなる回折正構造と、さらなる回折負構造とを含むことができ、さらなる回折負構造の表面積に対するさらなる回折正構造の表面積の表面積比は、０．９と１．１との間の範囲にある。前記さらなる回折格子は、さらなる格子周期と、これらのさらなる構造をそれぞれ囲む格子表面の表面セクションに対して垂直な、さらなる回折正構造とさらなる回折負構造との間の光路差として測定されるさらなる構造深さとを有する。少なくとも１つのさらなる回折格子を含むそのような光回折構成要素は、設計の利用可能な自由度の対応するさらなる増加をもたらす。少なくとも３つの回折格子の周期走行方向のうちの少なくとも２つは、相互に異なる方向を有することができる。代替として、少なくとも３つの回折格子のすべての周期走行方向が、互いに平行に延びることも可能である。

第１の回折格子、第２の回折格子、およびさらなる回折格子がすべて格子表面に配列された光回折構成要素の場合、さらなる格子周期とさらなる構造深さとの間の比は、１０よりも大きくすることができる。さらなる格子周期に対する第１の格子周期の周期比は、０．９と１．１の範囲内とすることができる。第１の格子周期は、第１の回折格子の第１の周期走行方向に沿って延びることができ、さらなる格子周期は、さらなる回折格子のさらなる周期走行方向に沿って延びることができ、２つの周期走行方向は、互いに平行に延びない。

そのような光回折構成要素の利点は、既に上述で説明されたものに対応する。第１の回折格子およびさらなる回折格子の格子周期は、同一とすることができるが、さらに異なってもよい。０．９と１．１との間の範囲の対応する周期比またはさもなければ同一の格子周期が、第２の回折格子と少なくとも１つのさらなる回折格子との間に存在することもできる。

さらなる回折格子に対する第１の回折格子の構造深さ比は、０．９と１．１との間の範囲内とすることができ、第１およびさらなる回折格子の構造深さは、互いに異なってもよいが、等しくすることもできる。０．９と１．１との間の範囲の対応する構造深さ比またはさもなければ同一の構造深さが、第２の回折格子と少なくとも１つのさらなる回折格子との間に存在することもできる。１．１と２０との間の範囲の、例えば、１０の領域の、さらなる回折格子の構造深さと第１および／または第２の回折格子の構造深さとの間の著しく大きい構造深さ比も可能である。

第１の回折格子の周期走行方向とさらなる回折格子の周期走行方向との間の最小角度は、２０°と２５°との間の範囲内とすることができる。例えば、１０°と８０°との間の範囲の他の最小角度も可能である。対応する走行方向角度はまた、第２の回折格子の周期走行方向と、少なくとも１つのさらなる回折格子の周期走行方向との間に存在することができる。

様々な回折構造グループの回折正構造および回折負構造の表面積は、格子表面全体に同一の寄与をすることができる。そのような同一の表面積寄与は、特に、光回折構成要素の異なる回折構造グループのバイナリ格子をもたらす。これにより、光回折構成要素の適切な設計の場合に０次の回折の領域で高い迷光抑制が保証される。

２つの態様の光回折構成要素の上述で論じられた特徴は、互いに組み合わせることもできる。

上述で論じられた２つの態様のうちの少なくとも１つのタイプの光回折構成要素は、少なくとも１つのマスク構造が使用されるマスクエッチング方法によって生成することができる。マスク領域および／またはマスク間隙（ｍａｓｋ ｇａｐｓ）の位置が異なる複数のマスク構造を使用することもできる。次いで、これらの異なるマスクを連続して使用することにより、または少なくとも２つの連続するエッチングステップで全く同一のマスク構造を変位させることによって、基板をエッチングすることができる。３つ以上の異なるマスク構造が、さらに、光回折構成要素を生成するためのそのようなマスクエッチング方法で使用されてもよい。

投影露光装置、特に、ＥＵＶ投影露光装置で使用することができ、上述の特性を有する光回折構成要素を有するコレクタまたはコレクタミラーの利点は、光回折構成要素を参照して既に上述で説明されたものに対応する。これらの利点は、プラズマがレーザ誘導放電によって生成されるＥＵＶ光源と共同で使用する場合に特に明らかである。コレクタまたはコレクタミラーは、特に、５ｎｍと３０ｎｍとの間の波長範囲のためのＥＵＶコレクタ／コレクタミラー、および／またはＤＵＶ（遠紫外線）コレクタ／コレクタミラー、すなわち、特に、１５０ｎｍと２５０ｎｍとの間の波長範囲のためのコレクタミラーとすることができる。

これは、特に、コレクタミラーがＥＵＶ放射線を焦点領域の方に導くように具現化されたＥＵＶコレクタミラーに当てはまり、光回折構成要素は、少なくとも１つの目標波長の放射線を焦点領域から離れたところに導くように具現化される。少なくとも１つの目標波長の放射線は迷光とも呼ばれる。

照明系は、そのようなコレクタ、特に、ＥＵＶコレクタと、結像（ｉｍａｇｅｄ）されるべき物体を配列することができる物体視野（ｏｂｊｅｃｔ ｆｉｅｌｄ）を照明するための照明光学ユニットとを含むことができる。ＤＵＶまたはＥＵＶ使用光は、照明光として使用することができる。そのような照明系の利点は、本発明によるコレクタを参照して既に上述で説明されたものに対応する。使用光は、光回折構成要素によって的確に抑制されない、すなわち、抑制されるべき迷光の波長と異なる波長を有する。

照明系は、迷光除去場所の領域に、例えば、この目的のために設けられたビームダンプ領域に迷光の均質分布をもたらすために、上述のように具現化された光回折構成要素を用いて作ることができる。代替としてまたは追加として、特に、照明系の照明ビーム経路の特定のセクション、例えば、瞳面の領域における使用光の事前定義された分布関数を保証することが可能である。

光学系は、そのような照明系と、物体視野を像視野（ｉｍａｇｅ ｆｉｅｌｄ）に結像するための投影光学ユニットとを含むことができ、基板は像視野に配列可能であり、結像されるべき物体のセクションは、基板上に結像され得る。投影露光装置は、そのような光学系と、光源、特に、ＥＵＶ光源とを含むことができる。構造化構成要素を生成するために、レチクルおよびウェハを用意することができる。レチクルの構造は、そのような投影露光装置の助けによってウェハの感光層上に投影することができる。このようにして、ウェハのミクロ構造および／またはナノ構造を生成することが可能である。そのような光学系、そのような投影露光装置、そのような生成方法、およびそのようなミクロ構造化および／またはナノ構造化構成要素の利点は、本発明によるコレクタを参照して既に上述で説明されたものに対応する。

ＥＵＶ光源が使用される限りでは、それは、ＥＵＶ波長を発生するプラズマを生成するためのポンプ光源を含むことができる。ポンプ光源は、プレパルス光波長を有するプレパルスを生成するために、および主パルス光源を有する主パルスを生成するために具現化することができる。プレパルス光波長は、主パルス光波長と異なってもよい。投影露光装置のＥＵＶ光源のポンプ光源の場合の第１にプレパルス光の波長と第２に主パルスの波長との間の対応する差は、目標波長λ₁およびλ₂に関連して既に上述で説明された上限値および／または下限値を有することができる。

特に、半導体構成要素、例えば、メモリチップは、投影露光装置を使用して生成することができる。

特に、構造化構成要素の生成中、波長範囲の光は、第１の波長λ₁を有する光がコレクタの焦点領域から離れたところに回折されるようにコレクタ上に当てられる（ｉｍｐｉｎｇｅｄ）ことができる。第１の波長λ₁は、その波長範囲内にあってもよく、赤外線波長範囲にあってもよい。そのような波長範囲は、少なくとも１次の回折で互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を含む放射線成分を含むことができる。そのような少なくとも１次の回折は、第１の波長λ₁の０次の回折、第１の波長λ₁のプラス１次の回折、または第１の波長λ₁のマイナス１次の回折とすることができる。波長範囲は、さらに、第２の波長λ₂を含むことができ、方法は、そのような第２の波長λ₂を有する光をコレクタの焦点領域から離れたところに回折させることをさらに含むことができる。第２の波長λ₂は、第１の波長λ₁と異なっていてもよく、赤外線波長範囲にあってもよい。波長範囲は、第２の波長λ₂の０次の回折、第２の波長λ₂のプラス１次の回折、および第２の波長λ₂のマイナス１次の回折であり得る、少なくとも１次の回折で互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの追加の異なる位相を含む放射線成分を含むことができる。

本発明の例示的な実施形態が、図面を参照して以下でより詳細に説明される。

ＥＵＶマイクロリソグラフィのための投影露光装置を概略的に示す図である。 プラズマ源領域から投影露光装置の照明光学ユニットの視野ファセットミラーまでＥＵＶ使用光を導くためのＥＵＶコレクタの環境における投影露光装置の光源の詳細を示す図であり、ＥＵＶコレクタは子午線断面で示されている。 図３と比較してより抽象的な図を使って、ＥＵＶコレクタの反射／回折の場合の第１にＥＵＶ使用光および第２に波長の異なる迷光成分のガイダンスを示す図である。 互いに垂直な周期走行方向および同一の格子周期を有する回折構造グループとして２つの回折格子を含む光学格子の格子表面のセクションの平面図であり、図４において正方形である回折構造の３つの回折構造レベルを事前定義する構造深さが、異なるタイプのハッチングによって示され、光学格子は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素の１つの実施形態を構成する。 計算された理想的な場合、さらなる計算されたより現実的な場合、および本発明によらない参照格子に対して、図４による光学格子の波長依存反射率Ｒを図式で示す図であり、光学格子の２つの回折格子は、２つの異なる波長を抑制するように具現化されている。 図４による光学格子の場合の関係を図５と同様の図式で示す図であり、２つの回折格子は同一の構造深さを有し、その結果、光学格子は正確に１つの波長を抑制するように具現化されている。 回折構造グループが、互いに対して４５°の角度を想定した周期走行方向を有するような２つの回折格子を含む光学格子のさらなる実施形態を図４と同様の説明図で示す図であり、光学格子は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素の１つの実施形態を構成する。 ３つの回折格子を回折構造グループとして含み、それらのうちの２つは互いに垂直な周期走行方向を有し、それらのうちの第３の回折格子はその垂直な周期走行方向に対して対角線周期走行方向を有する光学格子のさらなる実施形態を図４および図７と同様の説明図で示す図であり、光学格子は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素の１つの実施形態を構成する。 図８による光学格子の場合の反射関係を図５および図６と同様の図式で示す図であり、すべての３つの回折格子は、全く同一の波長を抑制するように具現化される。 図８からのタイプの光学格子の場合の反射関係を、図９と同様の図式で示す図であり、３つの回折格子が異なる構造深さを有し、その結果、光学格子は異なる波長を抑制するように具現化されている。 ゼロと異なる角度を対で想定するそれぞれの周期走行方向を有する回折構造グループとして３つの回折格子を含む光学格子のさらなる実施形態を図８と同様の説明図で示す図であり、光学格子は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素の１つの実施形態を構成する。 図１１による実施形態のものに対応する周期走行方向を有する回折構造グループとして３つの回折格子を含む光学格子のさらなる実施形態を図１１と同様の説明図で示す図であり、図１２および図１３による実施形態の回折構造は、それぞれの周期走行方向において、互いに対してオフセットして、および図１１による実施形態に関連して配置されており、光学格子は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態を構成する。 図１１による実施形態のものに対応する周期走行方向を有する回折構造グループとして３つの回折格子を含む光学格子のさらなる実施形態を図１１と同様の説明図で示す図であり、図１２および図１３による実施形態の回折構造は、それぞれの周期走行方向において、互いに対してオフセットして、および図１１による実施形態に関連して配置されており、光学格子は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態を構成する。 第１の格子周期および第１の構造深さを有するバイナリ格子として具現化された、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態に属する第１の回折構造グループを側面図で示す図である。 光回折構成要素の一部としてのさらなる回折構造グループを図１４と同様の説明図で示す図であり、さらなる回折構造グループは、今度は、格子周期および構造深さを有するバイナリ格子として具現化され、この回折構造グループの製造中のあり得るオーバレイエラーが、追加として破線で示されている。 図１４および図１５による２つの回折構造グループの重ね合わせとして生じる光回折構成要素を示す図である。 ２つの回折構造グループと、重ね合わせの結果としてそれらから生じるさらなる光回折構成要素を図１４～図１６と同様の説明図で示す図である。 ２つの回折構造グループと、重ね合わせの結果としてそれらから生じるさらなる光回折構成要素を図１４～図１６と同様の説明図で示す図である。 ２つの回折構造グループと、重ね合わせの結果としてそれらから生じるさらなる光回折構成要素を図１４～図１６と同様の説明図で示す図である。 ２つの回折構造グループと、重ね合わせの結果としてそれらから生じるさらなる光回折構成要素を図１４～図１６と同様の説明図で示す図である。 ２つの回折構造グループと、重ね合わせの結果としてそれらから生じるさらなる光回折構成要素を図１４～図１６と同様の説明図で示す図である。 ２つの回折構造グループと、重ね合わせの結果としてそれらから生じるさらなる光回折構成要素を図１４～図１６と同様の説明図で示す図である。 図１６、図１９、または図２２からのもののタイプの光回折構成要素の反射率を図式で示す図であり、それぞれの第１の回折構造グループの構造高さは、目標波長を抑制するための値に固定され、反射率が、他方の回折構造グループの構造高さの関数としてプロットされている。 ２つの回折構造グループの構造深さの間の差の関数としてプロットされており、第１の回折構造グループの構造深さに正規化されている、再度、第１の回折構造グループの固定された構造物深さを有する光回折構成要素の反射率を再度図式で示す図である。 破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態の一部として、格子周期および構造深さを有するバイナリ格子として具現化された回折構造グループを図１４と同様の説明図で示す図であり、前記さらなる実施形態は、３つの回折構造グループの重ね合わせの結果として生じる。 光回折構成要素のこの変形の実施形態ための、再度、バイナリ格子として具現化されたさらなる回折構造グループを示す図である。 光回折構成要素のこの変形の実施形態ための、再度、バイナリ格子として具現化されたさらなる回折構造グループを示す図である。 図２５～図２７による３つの回折構造グループの重ね合わせとして形成された光回折構成要素を示す図である。 再度各場合に格子周期および構造深さを有するバイナリ格子として具現化された３つの回折構造グループと、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態であって、重ね合わせの結果としてそれらから生じる、前記さらなる実施形態とを図２５～図２８と同様の説明図で示す図である。 再度各場合に格子周期および構造深さを有するバイナリ格子として具現化された３つの回折構造グループと、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態であって、重ね合わせの結果としてそれらから生じる、前記さらなる実施形態とを図２５～図２８と同様の説明図で示す図である。 再度各場合に格子周期および構造深さを有するバイナリ格子として具現化された３つの回折構造グループと、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態であって、重ね合わせの結果としてそれらから生じる、前記さらなる実施形態とを図２５～図２８と同様の説明図で示す図である。 再度各場合に格子周期および構造深さを有するバイナリ格子として具現化された３つの回折構造グループと、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態であって、重ね合わせの結果としてそれらから生じる、前記さらなる実施形態とを図２５～図２８と同様の説明図で示す図である。 図８、図１１～図１３、図２８、または図３２のうちのいずれかによるもののタイプの光回折構成要素の場合の波長依存反射関係を図９および図１０と同様の図式で示す図であり、回折構造グループは、異なる構造深さを有し、その結果、光学格子は、異なる波長を抑制するために具現化されるが、但し、異なる波長は、図１０による変形と比較して互いに接近している。 回折構造グループとして３つの回折格子を含む光学格子の格子表面のセクションを図４と同様の説明図で示す図であり、格子のうちの２つは平行な周期走行方向を有し、第３の格子はそれらに対して垂直な周期走行方向を有し、同じ周期走行方向を有する回折構造グループは、図１６、図１９、または図２２による実施形態の方法で重ね合わされ、図３４では長方形である回折構造の構造深さは、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態として、異なるタイプのハッチングによって示される。 ３レベル格子として具現化され、正確に１つの目標波長を抑制するために具現化された、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態を、再度、概略の側面図で示す図である。 再度、２つの回折構造グループに割り当て可能である３つの回折構造レベルで作られた、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態を図３５と同様の説明図で示す図であり、少なくとも１つの目標波長の抑制の効率の計算を理論的に説明するために描かれた変数が示されている。 対応する複数の回折構造グループに割り当て可能である４つの回折構造レベルで具現化された、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態を図３５および図３６と同様の説明図で示す図である。 再度、４つの回折構造レベルで具現化された、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素の２つのさらなる実施形態を図３７と同様の説明図で示す図である。 再度、４つの回折構造レベルで具現化された、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素の２つのさらなる実施形態を図３７と同様の説明図で示す図である。 例えば、図４、図７、図１６、図１９、図２２、図３５、および図３６による実施形態のタイプの２つの回折構造グループを含む光回折構成要素の波長依存反射率を図式で示す図であり、２つの回折構造グループは、２つのＤＵＶ波長を抑制するための構造深さで具現化されている。 異なる構造深さを有する４つの回折構造グループが割り当て可能である合計で５つの回折構造レベルを含む光回折構成要素の波長依存反射率を図４０と同様の説明図で示す図であり、１０μｍを超えるＩＲ範囲の２つの目標波長と、図４０による目標波長に匹敵するＤＵＶ範囲の２つの目標波長とが抑制される。 ０．１μｍと０．４μｍとの間のＤＵＶ範囲において図４１からの拡大された詳細を示す図である。 回折構造グループの異なる側壁の険しさ許容誤差を有する様々な光回折構成要素について１０．０μｍと１１．０μｍとの間の波長依存反射率を、再度、図式で示す図である。 光回折構成要素のバイナリ構造の隣接する表面セクション間の境界領域を事前画定するために光回折構成要素の生成で使用することができる２つのリソグラフィマスク構造と一緒に、図１６による光回折構成要素を示す図であり、前記バイナリ構造は、互いに重ね合わされる。 再度、回折構造グループの表面セクション間の境界領域を事前画定するために光回折構成要素の生成で使用することができる２つのリソグラフィマスク構造と一緒に、図１９による光回折構成要素を図４４と同様の説明図で示す図である。 目標波長が破壊的干渉によって抑制されるように配列された３つの回折構造レベルを有する回折構造を含む周期的格子構造プロファイルを含む、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態を示す図である。 図４６による光回折構成要素を示す図であり、３つの回折構造レベルは、０次の回折の目標波長の完全な破壊的干渉をもたらす互いに対する高さまたはレベル差を有する。 図４６による光回折構成要素の変形を図４７と同様の説明図で示す図であり、第１に正回折構造レベルおよび第２に負回折構造レベルが、ニュートラル回折構造レベルと比べて若干大きすぎる高さ差を伴って具現化されており、そのような高さ誤差の場合に生じる回折補償効果を説明する。 図４６による実施形態と比較して異なるシーケンスで３つの回折構造レベルを含む光回折構成要素のさらなる実施形態を図４６と同様の説明図で示す図である。 光回折構成要素のさらなる実施形態を示す図であり、実質的に１つの格子周期が示されており、光回折構成要素の周期的格子構造プロファイルは、４つの回折構造レベルを有する回折構造を含む。 １つの格子周期内に５つの回折構造レベルを含む光回折構成要素のさらなる実施形態を図５０と同様の説明図で示す図である。 ２つの回折構造グループに割り当て可能である３つの回折構造レベルをもつ図１９、図３６、図４５、および図４６の方法で作られた、光学格子の形態の光回折構成要素の波長依存反射率Ｒを図５と同様の図式で示す図であり、各場合に回折構造レベル間の構造深さ差がλ／４であり、λは各場合に抑制されるべき目標波長である。 図１９、図３６、図４５、および図４６からのタイプの光回折構成要素を、再度、回折構造グループの表面セクションまたは回折構造レベルの間の境界領域を事前画定するために光回折構成要素の生成で使用することができる２つのリソグラフィマスク構造のさらなる実施形態と一緒に、図４４および図４５と同様の説明図で示す図である。 図１９、図３６、図４５、および図４６からのタイプの光回折構成要素を、再度、回折構造グループの表面セクションまたは回折構造レベルの間の境界領域を事前画定するために光回折構成要素の生成で使用することができる２つのリソグラフィマスク構造のさらなる実施形態と一緒に、図４４および図４５と同様の説明図で示す図である。 図１９、図３６、図４５、および図４６からのタイプの光回折構成要素のさらなる実施形態を、再度、回折構造グループの表面セクションまたは回折構造レベルの間の境界領域を事前画定するために光回折構成要素の生成で使用することができる２つのリソグラフィマスク構造のさらなる実施形態と一緒に、図４４および図４５と同様の説明図で示す図である。 図１９、図３６、図４５、および図４６からのタイプの光回折構成要素のさらなる実施形態を、再度、回折構造グループの表面セクションまたは回折構造レベルの間の境界領域を事前画定するために光回折構成要素の生成で使用することができる２つのリソグラフィマスク構造のさらなる実施形態と一緒に、図４４および図４５と同様の説明図で示す図である。

マイクロリソグラフィ用の投影露光装置１は、以下でさらにより詳細に説明される照明光または結像光３のための光源２を含む。光源２は、ＥＵＶ光源であり、例えば、５ｎｍと３０ｎｍとの間、特に、５ｎｍと１５ｎｍとの間の波長範囲の光を生成する。照明光または結像光３は、以下ではＥＵＶ使用光とも呼ばれる。

特に、光源２は、１３．５ｎｍの波長をもつ光源または６．９ｎｍの波長をもつ光源とすることができる。他のＥＵＶ波長、またはさもなければ１５０ｎｍと２５０ｎｍとの間のＤＵＶ範囲の波長、例えば、１９３ｎｍの波長も可能である。照明光３のビーム経路は、図１に極めて概略的に示されている。

照明光学ユニット６は、光源２から物体面５の物体視野４に照明光３を導くように機能する。前記照明光学ユニットは、図１に極めて概略的に示された視野ファセットミラーＦＦと、照明光３のビーム経路の下流に配設され、同様に、極めて非常に概略的に示された瞳ファセットミラーＰＦとを含む。かすめ入射（ｇｒａｚｉｎｇ ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ）のための視野形成ミラー６ｂ（ＧＩミラー、かすめ入射ミラー）が、照明光３のビーム経路において、照明光学ユニットの瞳面６ａに配列された瞳ファセットミラーＰＦと、物体視野４との間に配列される。そのようなＧＩミラー６ｂは必須ではない。

瞳ファセットミラーＰＦの瞳ファセット（これ以上詳細には図示せず）は、視野ファセットミラーＦＦの視野ファセット（同様に、図示せず）を互いに重ね合わされるように物体視野４に伝達する、特に、結像する伝達光学ユニット（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｕｎｉｔ）の一部である。先行技術から知られている一実施形態が、一方では視野ファセットミラーＦＦに使用されてもよく、他方では瞳ファセットミラーＰＦに使用されてもよい。例として、そのような照明光学ユニットは、ＤＥ １０ ２００９ ０４５ ０９６ Ａ１から知られている。

投影光学ユニットまたは結像光学ユニット７を使用して、物体視野４は、所定の縮尺で像面９の像視野８に結像される。この目的に使用することができる投影光学ユニットは、例えば、ＤＥ １０ ２０１２ ２０２ ６７５ Ａ１から知られている。

投影露光装置１と、投影光学ユニット７の様々な実施形態との説明を容易にするために、デカルトｘｙｚ座標系が、図面に示され、その座標系から、図に示された構成要素のそれぞれの位置関係は明らかとなる。図１において、ｘ方向は、図面の平面に対して垂直にその中に延びる。ｙ方向は図１において左の方に延び、ｚ方向は図１において上方に延びる。物体面５は、ｘｙ面と平行に延びる。

物体視野４および像視野８は長方形である。代替として、物体視野４および像視野８は、曲がったまたは湾曲した実施形態、すなわち、特に、部分的なリング形状を有することも可能である。物体視野４および像視野８は、１よりも大きいｘ／ｙアスペクト比を有する。それゆえに、物体視野４は、ｘ方向にはより長い物体視野寸法およびｙ方向にはより短い物体視野寸法を有する。これらの物体視野寸法は、視野座標ｘおよびｙに沿って延びる。

先行技術から知られている例示的な実施形態のうちの１つを投影光学ユニット７に使用することができる。この場合結像されるものは、レチクルとも呼ばれる反射マスク１０の一部分であり、物体視野４と一致する。レチクル１０は、レチクルホルダ１０ａで搬送される。レチクルホルダ１０ａは、レチクル変位ドライブ１０ｂによって変位される。

投影光学ユニット７を介した結像は、基板ホルダ１２によって搬送されるウェハの形態の基板１１の表面上で実施される。基板ホルダ１２は、ウェハまたは基板変位ドライブ１２ａによって変位される。

図１は、レチクル１０と投影光学ユニット７との間に、前記投影光学ユニットに入る照明光３の光線ビーム１３、および投影光学ユニット７と基板１１との間に、投影光学ユニット７から出て来る照明光３の光線ビーム１４を概略的に示す。投影光学ユニット７の像視野側開口数（ＮＡ）は、図１では縮尺通りに再現されていない。

投影露光装置１は、スキャナタイプのものである。レチクル１０と基板１１の両方は、投影露光装置１の操作中ｙ方向に走査される。レチクル１０と基板１１のｙ方向のステップ状変位が基板１１の個々の露光の間に実施されるステッパタイプの投影露光装置１も可能である。これらの変位は、変位ドライブ１０ｂおよび１２ａの適切な作動によって互いに同期して達成される。

図２は、光源２の詳細を示す。

光源２は、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）源である。プラズマを生成するために、スズ液滴１５が、スズ液滴発生器１６によって連続液滴シーケンスとして発生される。スズ液滴１５の軌道は、ＥＵＶ使用光３の主光線方向１７に対して横方向に延びる。ここで、スズ液滴１５は、スズ液滴発生器１６とスズ捕捉デバイス１８との間を自由に落下し、前記液滴は、プラズマ源領域１９を通過する。ＥＵＶ使用光３は、プラズマ源領域１９によって放出される。スズ液滴１５がプラズマ源領域１９に到着すると、そこにポンプ光源２１からのポンプ光２０が当たる。ポンプ光源２１は、例えば、ＣＯ₂レーザの形態の赤外線レーザ源とすることができる。いくつかの他のＩＲレーザ源、特に、固体レーザ、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザも可能である。ポンプ光源２１は、光プレパルスを生成するための光源ユニットと、主光パルスを生成するための光源ユニットとを含むことができる。一方では光プレパルスおよび他方では主光パルスは、異なる光波長を有することができる。

ポンプ光２０は、制御された方法で傾斜可能なミラーとすることができるミラー２２を介して、および集束レンズ要素２３を介してプラズマ源領域１９に移送される。ＥＵＶ使用光３を放出するプラズマは、ポンプ光が当たることによって、プラズマ源領域１９に到着するスズ液滴１５から生成される。ＥＵＶ使用光３のビーム経路は、図２において、ＥＵＶ使用光が、以下でＥＵＶコレクタ２４とも呼ばれるコレクタミラー２４によって反射される範囲内で、プラズマ源領域１９と視野ファセットミラーＦＦとの間で示される。ＥＵＶコレクタ２４は、集束レンズ要素２３を介してプラズマ源領域１９の方に集束されるポンプ光２０のための中央通路開口２５を含む。コレクタ２４は、楕円体ミラーとして具現化され、一方の楕円体焦点に配列されたプラズマ源領域１９によって放出されたＥＵＶ使用光３を、コレクタ２４の他方の楕円体焦点に配列されたＥＵＶ使用光３の中間焦点２６に移送する。

視野ファセットミラーＦＦは、ＥＵＶ使用光３の遠視野の領域において、ＥＵＶ使用光３のビーム経路中の中間焦点２６の下流に配設される。

ＥＵＶコレクタ２４と、スズ液滴発生器１６、スズ捕捉デバイス１８、および集束レンズ要素２３とすることができる光源２のさらなる構成要素とは、真空ハウジング２７に配列される。真空ハウジング２７は、中間焦点２６の領域に通路開口２８を有する。ポンプ光２０の真空ハウジング２７への入射口の領域において、真空ハウジング２７は、光プレパルスおよび主光パルスのためのポンプ光入射窓２９を含む。

図３は、第１にＥＵＶ使用光、すなわち、照明光３、および第２に迷光３０、特に、より長い波長の放射線、例えば、光プレパルスおよび／または主光パルスの波長を有するＩＲ放射線のガイダンスを、光源２のプラズマ源領域１９と、中間焦点２６が配列されている中間焦点面２６ａとの間で、極めて抽象的に示す。同時に、図３は、プラズマ源領域１９へのポンプ光２０の横方向ガイダンスの変形、すなわち、ＥＵＶコレクタ２４の通路開口２５のタイプの通路開口を必要としないガイダンスを示す。使用光３と迷光３０の両方は、プラズマ源領域１９から発する。使用光３と迷光３０の両方は、ＥＵＶコレクタ２４の当たり表面（ｉｍｐｉｎｇｅｍｅｎｔ ｓｕｒｆａｃｅ：作用表面、当たる表面）３３全体のうちの表面セクション３１、３２に入射する。表面セクション３１、３２は、ＥＵＶコレクタ２４の格子表面のセクション（図面では同様に３３で示される）であり、迷光放射線３０を回折的にダンプするための光学格子が、前記格子表面に配列される。光学格子の実施形態が以下で説明される。格子表面は、迷光３０が当たる表面セクション３１、３２の場所に限定して配列することができ、または代替として当たり表面３３のより大きいセクションをさらに覆い、さらなる変形では当たり表面３３全体を覆うことができる。

図４は、光学格子３４の１つの実施形態による格子表面３３のセクションを示す。光学格子３４は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素を構成する。

光学格子３４の格子表面は、平面として具現化することができ、またはさもなければ湾曲として、例えば、図２および図３によるコレクタミラー２４の場合の当たり表面３３のような凹面もしくはさもなければ凸面として具現化することができる。

光学格子３４は、回折構造グループとして、格子表面３３に配列された２つの回折格子３５、３６を有する。回折格子３５は、以下、第１の回折格子とも呼ばれる。回折格子３６は、以下、第２の回折格子とも呼ばれる。

回折格子３５の場合、回折正構造３７および回折負構造３８が、図４において各場合に交互に水平に延びる。この第１の回折格子３５の周期走行方向３９は垂直に延びる。したがって、回折構造３７、３８のこの水平コースについて、周期走行方向３９は、図４において垂直に延びる。

図４において、第２の回折格子３６は、垂直に延びる回折正構造４０と、それとそれぞれ交互になる回折負構造４１とを有する。第２の回折格子３６の周期走行方向４２は、再度、図４において、回折構造４０、４１に対して垂直に、すなわち、水平に延びる。

光学格子３４の２つの回折格子３５、３６の回折構造３７、３８、および４０、４１は、構造深さが異なる４つの回折構造タイプまたは回折構造レベルによって実現され、図４では、異なるタイプのハッチングによって、およびそれぞれの回折構造に付けられた数字１、２、３、４によって示される。回折構造タイプ「１」は、構造深さ０を有する。回折構造タイプ「２」は、構造深さ「ｄｖ」を有する。したがって、それぞれの回折構造タイプ「２」によって占められる格子表面のその表面セクションは、図４の図面の平面に対して垂直に構造深さｄｖだけ、回折構造タイプ「１」よりも深い場所にある。

それぞれの構造深さは、参照平面を基準にして深さ値を割り当てることができ、通例、選ばれる参照平面は、材料が取り除かれていないもの（構造深さ＝０）である。

回折構造タイプ「１」～「４」のそれぞれの区域は、各場合に正方形である。格子表面を完全に覆うことになる回折構造タイプの他の境界形状も可能である。

回折構造タイプ「３」は、再度、回折構造タイプ「１」を基準にして、図４の図面の平面に対して垂直に測定された構造深さｄｈを有する。回折構造タイプ「４」は、対応して測定された構造深さｄｖ＋ｄｈを有する。

光学格子３４の場合、４つの回折構造タイプ「１」～「４」は、それぞれ、２×２アレイに配列され、回折構造タイプ「１」は左上に配列され、回折構造タイプ「２」は右上に配列され、回折構造タイプ「３」は左下に配列され、回折構造タイプ「４」は右下に配列される。各場合の４つの回折構造タイプのそのようなグループのこれらの２×２アレイは、図４による実施形態では３×３アレイの形態の上部構造（ｓｕｐｅｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に順番に配列されている。一般に、格子表面３３の光学格子３４は、当然、４つの回折構造タイプ「１」～「４」のさらなる対応する２×２アレイを取り付けることによって、所望の方法で水平および垂直に拡張することができる。

したがって、回折正構造３７と、それと比較して構造深さｄｈだけ深い位置に置かれた回折負構造３８とは、第１の回折格子３５の周期走行方向３９において互いに続く。第２の回折格子３６の場合、回折正構造４０のうちの１つは、それぞれ、周期走行方向４２において、構造深さｄｖだけ深い位置に置かれた回折負構造４１が続く。したがって、互いに重ね合わされ、それぞれの構造深さｄｈおよびｄｖを有する２つの回折格子３５、３６が、光学格子３４において実現される。

図４による実施形態の場合、構造深さは、それぞれの回折正構造と、関連する回折負構造との間の高さ差である。より一般的に、構造深さは、回折正構造と、関連する回折負構造との間の光路差として理解することができる。

回折正構造３７、４０および回折負構造３８、４１に関して、区域全体にわたって、光学格子３４に、およびオプションとして補助層にも高反射コーティングを施すことが可能である。

高反射コーティングの下に配列される補助層は、光学格子３４の寿命を向上させる層とすることができる。代替としてまたは追加として、補助層は、高反射コーティングを損傷から保護するために高反射コーティングに付けることもできる。

高反射コーティングは、多層、例えば、特にＥＵＶ波長を有する放射線を非常に効果的に反射することで知られているものなどとすることができる。

光学格子３４の回折格子３５、３６は、各場合に、バイナリ格子として具現化される。ここで、回折正構造の表面積は、回折負構造の表面積と等しい。

回折格子３５の格子周期は、０．５ｍｍと５ｍｍとの間の範囲、例えば、２ｍｍとすることができる。回折格子３６の格子周期は、０．５ｍｍと５ｍｍとの間の範囲、例えば、２ｍｍとすることができる。そのような格子周期は、図４の第２の回折格子３６ではＰで示されている。それぞれの回折構造３７、３８、４０、４１の構造側壁は、それぞれの回折構造の広がり範囲（ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）に対して垂直に、すなわち、それぞれの周期走行方向３９～４２で測定された、１μｍと１０μｍとの間の範囲、例えば、５μｍの領域の程度を有することができる。そのような側壁範囲または側壁広がり範囲は、図４の第２の回折格子３６では大幅に誇張されたサイズのＦで示されている。

図５は、設計パラメータｄｖ＝２．６５μｍおよびｄｈ＝２．５５μｍでの光学格子３４の波長依存反射率の計算の結果を図式で示す。光学格子３４の反射率が４３でプロットされ、前記反射率は、追加として側壁広がり範囲Ｆが０であると仮定されている計算の結果として、すなわち、光学格子３４が回折構造間に理想的に急峻な側壁を有する場合の結果としてもたらされている。目標波長と呼ばれる対応する迷光波長の抑制設計波長１０．２μｍおよび１０．６μｍの場合、その結果によると、反射率曲線４３の理想的な場合の光学格子３４の反射率抑制は１０^-8よりも良好である。これらの２つの波長は、ポンプ光源２１のプレパルスおよび主パルスの波長に対応する。

２つの目標波長１０．２μｍ（λ₁）および１０．６μｍ（λ₂）では、
（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²＝３．７７×１０^-4
が当てはまる。

したがって、この正規化された目標波長比では、
（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²＜１０％
が当てはまる。

この正規化された目標波長比は、２０％未満である場合もある。

まず第１に構造深さｄｖおよびｄｈの生成の正確さならびにさらに側壁の険しさに関する限り、特定の許容誤差を考慮に入れた反射率曲線Ｒ（λ）が図５の４４でプロットされている。目標波長１０．２μｍおよび１０．６μｍの場合、その結果によれば、反射率抑制は１０^-6よりも良好である。

参照反射率曲線４５も比較のために図５に入られており、前記参照反射率曲線は、厳密に１つの回折格子、すなわち、例えば、水平回折構造を有する回折格子３５または垂直回折構造を有する回折格子３６のいずれかを含む光学参照格子の抑制結果を表す。ここで、構造深さ生成および側壁の険しさに対して反射率曲線４４の場合と同じ許容誤差が考慮に入れられている。同じ許容誤差にもかかわらず、参照反射率曲線４５が、１０^-4の領域の著しく低い最適反射率抑制を示していることは明らかである。その上、参照反射率曲線４５が計算された参照格子は１つの回折格子のみを含むので、厳密に１つの波長のみ、すなわち、１０．６μｍが、ここでは同様に抑制されている。

２つの回折格子３５、３６は、格子周期（２ｍｍ）と構造深さ（２．６μｍの領域の）との間の比が、１０よりも著しく大きく、実際には５００よりも大きく、１０００の領域にある。

２つの回折格子３５、３６のバイナリ格子としての実施形態により、回折負構造３８、４１の表面積に対する回折正構造３７、４０の表面積の比は１である。光学格子３４の実施形態に応じて、前記表面積比はまた、１から外れてもよく、０．９と１．１との間の範囲にあってもよい。

２つの回折格子３５、３６は同じ格子周期ｐを有し、したがって、２つの格子周期の周期比は１である。光学格子３４の実施形態に応じて、周期比は、０．９と１．１との間の範囲とすることができる。２つの格子周期の間の差は著しく大きくすることもでき、その結果、例えば、１：２または１：５の周期比が生じる。

光学格子３４は、回折構造タイプ１～４に対応する少なくとも３つの回折構造レベルを含む破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長λ₁、λ₂を抑制するための光回折構成要素を構成する。前記回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄は、参照平面を基準にして異なる構造深さｄｉを事前画定する。回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄は、２つの回折格子、すなわち、２つの回折構造グループ３５、３６に割り当てることができ、それらは、その結果として、２つの目標波長λ₁、λ₂のうちの１つをそれぞれ抑制するのに役立つ。前記回折構造グループのうちの第１のもの、すなわち、回折格子３５は、０次の回折の第１の目標波長λ₁を抑制するのに役立ち、回折構造グループのうちの第２のもの、すなわち、回折格子３６は、０次の回折の第２の目標波長λ₂を抑制するのに役立つ。

回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄のトポグラフィーは、２つのバイナリ回折構造グループ３５および３６の重ね合わせとして記述することができる。これらの２つのバイナリ回折構造グループの各々は、第１の構造深さを有する第１の表面セクションと、第２の構造深さを有し、それぞれの回折構造グループ３５、３６の走行方向に沿って第１の表面セクションと交互になる第２の表面セクションとを有する。バイナリ回折構造グループの各々のこれらの隣接する表面セクション間の境界領域は、直線状コースを有する。光学格子３４の実施形態に応じて、前記直線状コースは、図４のチェッカー盤に似ている回折構造タイプ配列の行および列に対応する。２つのバイナリ回折構造グループ３５のうちの第１のものの第１の境界領域、すなわち、図４の行ラインと、２つのバイナリ回折構造グループ３６のうちの第２のものの第２の境界領域、すなわち、図４の列ラインとは、せいぜいそれらの直線状コースのセクションに沿って、すなわち、図４による説明図の行ラインと列ラインとの間の交点の領域で、互いに重ね合わされる。

回折格子３５は、これらの第１の構造をそれぞれ囲む格子表面３３の表面セクションに対して垂直な、第１の回折正構造３７と第１の回折負構造３８との間の光路差として測定された第１の構造深さを有する第１の格子周期を有する。第２の回折格子３６は、第２の格子周期および第２の構造深さを有し、第２の構造深さは、今度は、これらの第２の構造をそれぞれ囲む格子表面３３の表面セクションに対して垂直な、第２の回折正構造４０と第２の回折負構造４１との間の光路差として具現化される。これらの格子３５、３６の２つの格子周期が延びる２つの周期走行方向は、互いに垂直である、すなわち、互いに平行に延びない。

光学格子３４によって、ＥＵＶコレクタ２４のコレクタミラーは、ＥＵＶ放射３を焦点領域２６の方に導くように具現化され、格子３４は、光回折構成要素が、少なくとも１つの目標波長の放射線３０、すなわち、迷光を、焦点領域２６から離れたところに導くような光回折構成要素として具現化される。

図６は、光学格子３４の変形での反射率関係を図５と同様の説明図で示し、構造深さｄｖ、ｄｈは、大きさが等しく、２．６５μｍの絶対値を有する。次いで、両方の回折格子３５、３６は、１０．６μｍの迷光波長の抑制に寄与する。したがって、再度、より良好な抑制関係が、理想的な反射率曲線４３の場合に、および設計許容誤差を伴って計算された反射率曲線４４の場合に生じる。

図７は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素として図４による光学格子３４の代わりに使用することができる光学格子の変形を図４と同様の説明図で示す。図４を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図７による光学格子４６は、準備として、第１の回折格子３５の周期走行方向３９が垂直に延びるのではなく、むしろ水平に対して４５°の角度で延びるという点で図４からのものと異なる。したがって、回折構造タイプ「１」～「４」は、菱形の区域で生じる。

図８は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素として上述した光学格子の代替としてまたはそれに加えて使用することができる光学格子４７のさらなる実施形態を示す。図１～図７を参照して、特に、図４～図７を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

光学格子４７は、回折構造グループとして合計で３つの回折格子を有し、これらの３つの回折格子のうちの２つは、図４による実施形態の回折格子３５および３６に対応する。図８において、回折格子３５の格子周期はｐｈで示され、回折格子３６の格子期間はｐｖで示される。

光学格子４７の第３の回折格子４８は、最初の２つの回折格子３５、３６の回折構造３７、３８、および４０、４１に対して対角線状に延びる回折正構造４９および回折負構造５０を有する。回折正構造４９と比較して、回折負構造５０は、図８にｄｄで示された構造深さを有する。

光学格子４７の格子表面の図示のセクション全体にわたる全高さプロファイルは、回折格子３５の水平に延びる回折構造３７、３８および回折格子３６の垂直に延びる回折構造４０、４１の境界によって事前画定される２×４アレイの形態の基本セクションの並置として理解することができる。この２×４アレイの回折構造タイプまたは回折構造レベルは、図８の左上に配列された２×４アレイの「０００」、「００１」、「０１０」、「０１１」、「１００」、「１０１」、「１１０」、および「１１１」によって示される。

以下の表は、これらの回折構造タイプの構造深さおよびさらにその表面積比率を格子周期ｐｈ、ｐｖの単位で示す。

すべての回折構造タイプ「０００」～「１１１」は、光学格子４７の全表面積の同じ表面積比率（ｐｈ＋ｐｖ）／４を有する。これにより、光学格子４７のすべての３つの回折格子３５、３６、および４８が、バイナリ格子を構成し、その回折正構造３７、４０、４９は、各場合に、その回折負構造３８、４１、５０に対して１の表面積比を有することが保証される。

第３の回折格子４８の周期走行方向５１は、回折格子３５の周期走行方向３９に対して約２３°の角度で格子周期ｐｄに沿って延びる。この周期走行方向５１は、第３の回折格子４８の回折構造４９、５０間の境界が、互いに交差する第１に回折構造３７、３８および第２に４０、４１によって形成される互いに水平に隣接して置かれている２つの構造ゾーンの対角線に沿って延びるように、第３の回折格子４８の回折構造４９、５０の配列のオフセットと一緒に選ばれる。図８の両矢印５２で示されているように、第３の回折格子４８の周期走行方向５１に沿った回折構造４９、５０のこの配列のオフセット変形が可能である。

第３の回折格子４８の格子周期ｐｄは、格子周期ｐｈ、ｐｖの大きさの程度であり、光学格子４７の場合には約１．７ｍｍである。

図９は、構造深さｄｈ、ｄｖ、およびｄｄが、各々、大きさにおいて等しく、説明される例では値２．６５μｍを有する場合の波長依存反射率Ｒに関するデータを図５および図６と同様の説明図で示す。

回折格子３５、３６、および４８の好ましくは急峻な側壁（側壁広がり範囲０）の理想的な場合の反射率が、図９に５３で示される。１０．６μｍの目標波長の反射率抑制は、桁違いで、１０^-10よりも良好である。

５４は、波長依存反射率の計算結果を示しており、ここで、再度、現実的な許容誤差が、回折構造３７、３８、４０、４１、４９、５０の構造深さおよび側壁広がり範囲に対して仮定されている。３つの回折格子３５、３６、４８を含む光学格子４７の結果は、理想的な場合よりも低いが、依然として１０^-10よりも明確に良好な反射率抑制である。

参照値として、図９はまた、最初に、２つの回折格子３５、３６を含む光学格子３４について、および厳密に１つの回折格子を含む従来の光学格子について、図６による反射率曲線４４および４５を示している。

図１０は、以下の深さの
ｄｈ＝２．５５μｍ、ｄｖ＝２．６５μｍ、およびｄｄ＝０．２６μｍ
を有する光学格子４７の一実施形態の反射率関係を、再度、波長依存図で示す。

このように、対角線状に延びる回折構造４９、５０の構造深さｄｄは、光学格子４７の回折格子３５、３６の回折構造３７、３８、４０、４１の構造深さの約１０分の１と小さい。

再度、側壁広がり範囲０のそのような光学格子４７の理想的な設計の反射率が、図１０に５５で示されている。約１０．２μｍ（λ₁）および約１０．５９μｍ（λ₂）の２つの抑制波長と、さらに１．０５μｍの領域のさらなる波長において、光学格子の反射率抑制は、各場合に、１０^-8以上良好な領域にある。

光学格子４７によって目標波長として抑制される２つのＩＲ波長λ₁、λ₂について、図４による光学格子３４に関連して上述で与えられた説明が、目標波長の正規化された差に同様に当てはまる。

第１に構造深さおよび第２に側壁広がり範囲に対して事前画定された許容誤差を有する反射率曲線が、同様に、図１０の５６で計算されている。

光学格子４７の場合、このように、さらなる格子周期ｐｄおよびさらなる構造深さｄｄを有する回折格子４８が存在し、前記構造深さは、これらの２つの構造４９、５０をそれぞれ囲む格子表面３３の表面セクションに対して垂直な、回折正構造４９と回折負構造５０との間の光路差として測定される。回折格子４８の格子周期ｐｄと回折格子４８の構造深さｄｄとの間の比ｐｄ／ｄｄは１０を超える。代替としてまたは追加として、周期比ｐｈ／ｐｄは、０．９と１．１との間の範囲とすることができる。代替としてまたは追加として、第１の格子周期ｐｈは、第１の回折格子３５の第１の周期走行方向３９に沿って延びることができ、さらなる格子周期ｐｄは、さらなる回折格子４８のさらなる周期走行方向５１に沿って延びることができ、２つの周期走行方向３９、５１は、互いに平行して延びる。

様々な回折構造グループ３５、４６、４８の回折正構造３７、４０、４９および回折負構造３８、４１、５０の表面区域は、格子表面３３全体に等しく寄与する。

再度３つの回折格子３５、３６、４８を含む光学格子５７のさらなる実施形態が、図１１を参照して以下で説明される。図１～図１０を参照して、特に、図８を参照して、既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

光学格子５７は、主として、上下に（ｏｎｅ ａｂｏｖｅ ａｎｏｔｈｅｒ）位置する３つの回折格子３５、３６、および４８の３つの周期走行方向３９、４２、および５１の方位に関して、光学格子４７と異なる。第１の回折格子３５の周期走行方向３９は、図１１の垂直線に対して約２３°の角度で延びる。第２の回折格子３６の周期走行方向４２は、水平に延びる。

第３の回折格子４８の周期走行方向５１もまた、垂直線に対して約２３°の角度で延び、第１に第１の回折格子３５および第２に第３の回折格子４８の２つの周期走行方向３９および５１は、互いに対して約４６°の角度を想定する。

図１１は、再度回折構造タイプ「０００」～「１１１」をもつ光学格子４７の２×４アレイに対応する光学格子５７の菱形の基本セクションを強調表示している。光学格子５７のこれらの回折構造タイプ「０００」～「１１１」の場合の構造深さおよびさらに表面積比率の割り当ては、図８に関して表１において上述で示されたものとまったく同じである。

光学格子５７の場合、周期走行方向５１に沿った第３の回折格子４８の構造境界のオフセットは、第１の回折格子３５の回折構造３７、３８間、第２の回折格子３６の回折構造４０、４１間、および第３の回折格子４８の回折構造４９、５０間の構造境界が、各場合に、図１１に示された基本セクションの中心の点Ｐで交差するようなものである。

光学格子５７の場合、格子周期ｐｈは約３．２５ｍｍであり、格子周期ｐｖは２ｍｍであり、格子周期ｐｄは格子周期ｐｈと正確に同じ大きさである。

図１２および図１３は、周期走行方向５１に沿った回折構造４９、５０間の構造境界の配列のオフセットのサイズが単に光学格子５７と異なる光学格子５８、５９のさらなる実施形態を示す。図１２による光学格子５８の場合、前記オフセットは、様々な回折格子３５、３６、４８の構造境界がそれぞれの基本セクション内の点で交差しないようなものである。図１３による光学格子５９の場合、オフセットは、３つの回折格子３５、３６、４８の構造境界が、図１１による実施形態と比較してそれぞれの基本セクション内の異なる位置で交差し、したがって、その結果として、回折構造タイプ「０００」～「１１１」の異なる分布がもたらされるようなものである。

図１２および図１３の強調表示された単位セル内に示された回折構造タイプ「０００」～「１１１」の構造深さおよび表面積比率の割り当ては、再度、図８に関して表１に示されたようなものである。

破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素としての光学格子６０のさらなる実施形態が、図１４～図１６を参照して以下で説明される。図１～図１３を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号で表され、改めて詳細に論じられない。

光学格子６０は、図１４（回折格子６１）および図１５（回折格子６２）に個別に示された２つの回折格子６１、６２の重ね合わせとして具現化される。回折格子６１、６２は、それぞれの目標波長を抑制するための回折構造グループを構成する。

回折格子６１は、構造深さｄ₁および格子周期ｐ₁を有する。回折格子６２は、構造深さｄ₂および格子周期ｐ₂を有する。２つの回折格子６１、６２は、各場合に、バイナリ格子として具現化される。

２つの回折格子６１、６２の重ね合わせから生じる光学格子６０は、構造深さ０（回折構造レベルＮ₁）、構造深さｄ₂（回折構造レベルＮ₂）、構造深さｄ₁（回折構造レベルＮ₃）、および構造深さｄ₁＋ｄ₂（回折構造レベルＮ₄）を有する合計で３つの回折構造レベルまたは回折構造タイプを有する。

格子周期ｐ₁およびｐ₂は、光学格子６０の場合には同一である。構造深さｄ₁、ｄ₂は、光学格子６０の場合には異なる。回折格子６１および６２の共通の周期走行方向ｘに関して、これらの２つの回折格子６１および６２は、互いに対して共通周期の１／４だけ、すなわち、互いに対してｐ₁／４＝ｐ₂／４だけ位相シフトされる。

周期走行方向ｘに沿ったオーバレイエラー（ｏｖｅｒｌａｙ ｅｒｒｏｒ：重ね誤差）６３が、図１５および図１６に破線で示されている。そのようなオーバレイエラー６３は、周期走行方向に沿った２つの回折格子６１、６２の重ね合わせの位相エラーとして理解することができ、周期走行方向ピクセルｘに沿った様々な回折構造レベルＮ₁、Ｎ₂、Ｎ₃、Ｎ₄の広がり範囲の変化をもたらす。

光学格子６０の代替実施形態において、２つの構造深さｄ₁およびｄ₂が同一である場合には、２つの回折構造レベルＮ₂、Ｎ₃は共通の構造レベルに退化し、その結果、同一の構造深さを有する２つの回折格子から構成されるそのような光学格子は、正確に３つの回折構造レベルを有する。

光学格子６０の場合、回折構造グループの表面セクションは、６１_Pおよび６１_Nによって示される。光学格子６０の２つのバイナリ回折構造グループ６１、６２のうちの第１の６１の境界領域、すなわち、回折構造グループ６１のレベルＮ_i間の側壁、および２つのバイナリ回折構造グループ６１、６２のうちの第２の６２の境界領域、すなわち、図１５のレベル側壁Ｎ_i／Ｎ_jは、互いに完全に別個に延びる。

破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素としての光学格子６０のさらなる実施形態が、図１７～図１９を参照して以下で説明される。図１～図１６を参照して、特に図１４～図１６を参照して、既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図１９は、再度、回折格子６５（図１７）および６６（図１８）の形態の２つの回折構造グループの重ね合わせとして生じた光学格子６４を示す。光学格子６４は、光回折構成要素の一例である。

回折格子６５、６６の場合、
ｐ₁＝ｐ₂、およびｄ₁＝ｄ₂
が当てはまる。

周期走行方向ｘに沿った互いに対する２つの回折格子６５、６６の位相オフセットは、ｐ₁／４＝ｐ₂／４である。

第１に、回折格子６５、６６の回折正構造６７、６８と、第２に、関連する回折負構造６９、７０との間の広がり範囲比は、互いに対して正確に反転しており、その結果、回折正構造６７は、回折格子６６の回折負構造７０と同じ周期走行方向ｘに沿った広がり範囲を有し、回折格子６５の回折負構造６９は、回折格子６６の回折正構造６８と同じ周期走行方向ｘに沿った広がり範囲を有する。したがって、第１に回折正構造６７、６８の広がり範囲および第２に回折負構造６９、７０の広がり範囲は、それぞれの回折格子６５、６６において同一ではなく、したがって、この意味で、２つの回折格子６５、６６はバイナリ格子ではない。広がり範囲比は、１：１から非常に大きく外れることがあり、回折格子６５、６６の場合には約１：３である。１０：１と１：１０との間の範囲で、それぞれの回折格子６５、６６の第１に回折正構造６７、６８と第２に回折負構造６９、７０との間の異なる広がり範囲比も可能である。

オーバレイエラー６３が、再度、図１８および図１９に示されている。光学格子６０の場合と異なり、光学格子６４の場合のオーバレイエラー６３は、周期走行方向ｘに沿った３つの回折構造レベルＮ₁（構造深さ０）、Ｎ₂（構造深さｄ₁＝ｄ₂）、およびＮ₃（構造深さｄ₁＋ｄ₂）の間の表面積比の変化をもたらさない。

したがって、光学格子６４は、参照平面に対して異なる構造深さｄｉを事前画定した３つの回折構造レベル（Ｎ₁～Ｎ₃）を有する回折構造を含む周期的格子構造プロファイルを含む光回折構成要素を構成する。

光学格子６４の場合、回折構造の配列は、第１の目標波長が格子構造プロファイルによって回折される赤外線波長範囲の第１の目標波長λ₁のまわりの波長範囲が、第１の目標波長λ₁の少なくとも０次および／または±１次の回折で互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分を有するようなものである。

回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃は、周期走行方向ｘに沿って規則的に繰り返される格子構造プロファイルの格子周期のトポグラフィーを事前画定する。回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃は、０の参照高さを有するニュートラル回折構造レベルＮ₂と、ニュートラル回折構造レベルＮ₂に対してλ₁／４の光路長だけ高く配列された正回折構造レベルＮ₁であり、±２０％の許容誤差が前記光路長に対して可能である、正回折構造レベルＮ₁と、ニュートラル回折構造レベルＮ₂に対してλ₁／４±２０％の光路長だけ低く配列された負回折構造レベルＮ₃とを含む。

光学格子６４の格子構造プロファイルの格子周期は、回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の４つの周期セクションに細分され、４つの周期セクションのうちの２つ、すなわち、回折構造レベルＮ₂を有する２つのセクションは、ニュートラル回折構造セクションとして具現化され、４つの周期セクションのうちの１つ、すなわち、回折構造レベルＮ₁を有する周期セクションは、正回折構造セクションとして具現化され、４つの周期セクションのうちの１つ、すなわち、回折構造レベルＮ₃を有する周期セクションは、負回折構造セクションとして具現化される。

これらの４つの周期セクション（シーケンス、例えば、Ｎ₂、Ｎ₁、Ｎ₂、Ｎ₃）は、各場合に、周期走行方向ｘに沿って同じ長さを有し、再度、±２０％の許容誤差範囲が、ここでも可能である。

破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素としての光学格子６０のさらなる実施形態が、図２０～図２２を参照して以下で説明される。図１～図１９を参照して、特に、図１４～図１９を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図２２は、２つの回折格子７２（図２０）および７３（図２１）の重ね合わせとして生じる光学格子７１を示す。

回折格子７２は、構造深さｄ₁および格子周期ｐ₁を有する。回折格子７３は、構造深さｄ₂および格子周期ｐ₂＝２ｐ₁を有する。ｄ₁≠ｄ₂（ｄ₁とｄ₂が等しくない）が当てはまる。

両方の回折格子７２、７３は、周期走行方向ｘに沿って回折正構造および回折負構造の同一の広がり範囲を有するバイナリ格子として具現化される。

光学格子７１は、４つの回折構造レベル、すなわち、Ｎ₁（構造深さ０）、Ｎ₂（構造深さｄ₂）、Ｎ₃（構造深さｄ₁）、およびＮ₄（構造深さｄ₁＋ｄ₂）を有する。

図２１および図２２は、再度、周期走行方向ｘに沿った２つの回折格子７２、７３の位相オフセットによるオーバレイエラー６３を破線で示す。２つの回折格子７２、７３の寸法比のために、オーバレイエラー６３は、回折構造レベルＮおよびＮ₂の相対的広がり範囲に関する限り、実際、各場合に光学格子７１の周期ｐ₂にわたって見たとき、回折構造レベルＮ₁とＮ₂の広がり範囲の比がオーバレイエラー６３のサイズとは関係なく変化しないように際立つ。

２つの回折格子７２、７３の寸法比のために、レベル変化が生じ、それは、回折格子７３によって、それぞれ、回折格子７２の１つの回折構造タイプ、この場合にはその回折正構造に対してもたらされる。周期走行方向ｘに沿った２つの回折格子７２、７３間の位相関係は、回折格子７２、７３の側壁Ｆが周期走行方向ｘに沿った同じ場所で重ね合わされないようなものである。

図２３は、図１４～図２２を参照して上述された光学格子６０、６４、または７１のもののタイプの光学格子に対して、それぞれの第１の回折格子が破壊的干渉によって１０．６μｍの目標波長を抑制するように設計された構造深さｄ₁を有する光学格子の反射率Ｒの、この光学格子が構築されるそれぞれの第２の回折格子の構造深さｄ₂への依存性を示す。目標波長の最大抑制（１０^-8未満の反射率）は、２．６５μｍの構造深さｄ₂、すなわち、目標波長の約１／４で生じる。

構造深さおよび／または側壁の険しさの許容誤差が、関連する反射率曲線７４では考慮されている。

第２の構造深さｄ₂が２．６５μｍの固定された第１の構造深さｄ₁に近くなるほど、目標波長の抑制がよくなる。構造深さｄ₁を有する第１の回折格子によって達成される抑制効果の改善は、０と、構造深さｄ₁の約２倍との間の構造深さｄ₂の範囲で、すなわち、図２３の約０．２μｍと５μｍとの間の範囲で既に明白である。２つの構造深さｄ₁およびｄ₂の設計では、２つの構造深さが互いに特定の近さであることから開始して、構造深さｄ₁およびｄ₂を有する２つの回折格子の抑制効果が相互に強化されることが明らかになる。抑制効果が相互に強化されるための２つの目標波長λ₁（第１の回折格子の）とλ₂（第２の回折格子の）との間の分離の条件として、以下の関係が見いだされた。
｜λ₂－λ₁｜／λ₁＜０．５

２つの目標波長が互いに過度に大きく異ならないと仮定すると、この条件は、第１の波長λ₁または第２の波長λ₂に関連するかどうかに関係なく、および絶対値なしで以下のように書くことができる。
（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²＜０．１

この条件が、２つの回折格子、すなわち、光回折構成要素の２つの回折構造グループによって抑制されるように意図された２つの目標波長λ₁、λ₂に対して満たされる限り、抑制は、２つの目標波長λ₁、λ₂の場合に相互に強化される。

これが、第１の構造深さに正規化された構造深さ差（ｄ₂－ｄ₁）／（ｄ₁）への反射率の依存性として、－１．０と１．０との間の値の範囲で、図２４にプロットされている。この規格化された構造深さ差の－０．５の値と０．５の値との間で、対応する反射率曲線７５は、より大きい構造深さ差の漸近反射率値より既に明確に下にある。

破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素としての光学格子６０のさらなる実施形態が、図２５～図２８を参照して以下で説明される。図１～図２４を参照して、特に、図１４～図２２を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図２８は、３つの回折格子７７（図２５）、７８（図２６）、および７９（図２７）の重ね合わせとして生じる光学格子７６を示す。これらの３つの回折格子７７～７９の構造深さｄ₁、ｄ₂、ｄ₃について、
ｄ₁＞ｄ₂＞ｄ₃
が当てはまる。

３つの回折格子７７～７９は、各場合に、バイナリ格子として具現化される。

３つの回折格子７７～７９の格子周期ｐ₁、ｐ₂、およびｐ₃の比について、
ｐ₁：ｐ₂：ｐ₃＝１：２：４
が当てはまる。

その結果は、原理的に３つの異なる目標波長を破壊的干渉によって抑制することができ、３つの回折格子７７～７９をもつ３つの回折構造グループを含む光回折構成要素となる。この周期比のために、光学格子７６は、オーバレイエラーに、すなわち、周期走行方向ｘに沿った３つの回折格子７７～７９の回折構造のあり得る位相オフセットに関して敏感ではない。

光学格子７６は、以下の８つ回折構造レベル、すなわち、Ｎ₁（構造深さ０）、Ｎ₂（構造深さｄ₃）、Ｎ₃（構造深さｄ₂）、Ｎ₄（構造深さｄ₁）、Ｎ₅（構造深さｄ₂＋ｄ₃）、Ｎ₆（構造深さｄ₃＋ｄ₁）、Ｎ₇（構造深さｄ₁＋ｄ₂）、およびＮ₈（構造深さｄ₁＋ｄ₂＋ｄ₃）を有する。これらの回折構造レベルは、３つの回折格子７７～７９の３つの回折構造グループに割り当てることができる。

破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素としての光学格子６０のさらなる実施形態が、図２９～図３２を参照して以下で説明される。図１～図２８を参照して、特に、図２５～図２８を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図３２は、３つのバイナリ回折格子８１（図２９）、８２（図３０）、および８３（図３１）の重ね合わせから生じる光学格子８０を示す。３つの回折格子８１～８３の構造深さｄ₁、ｄ₂、ｄ₃について、
ｄ₁＞ｄ₂＞ｄ₃
が当てはまる。回折格子８１～８３の格子周期ｐ₁、ｐ₂、およびｐ₃について、
ｐ₁：ｐ₂：ｐ₃＝２：２：１
が当てはまる。

周期走行方向ｘに沿った３つの回折格子８１～８３の回折構造間の位相関係のオーバレイエラーは、図１４～図２２および図２５～図２８による実施形態に関して上述で説明されたことに則して、回折格子８１と回折格子８２が同じ格子周期を有するので回折格子８１と回折格子８２との間の比に関してのみ関与する。

光学格子８０はまた、対応して、８つの異なる回折構造レベルを有し、それらの回折構造レベルは、３つの回折格子８１～８３の３つの回折構造グループに割り当てることができる。

図３３は、例えば、３つの異なる目標波長を抑制するための３つの回折構造グループを含む図２８および図３２による実施形態のタイプの光学格子の抑制効果を図５および図１０と同様の説明図で示す。

反射率曲線８４は、周期走行方向ｘに沿った０の側壁広がり範囲Ｆ、すなわち、関連する回折格子の回折構造の理想的に急峻なコースを仮定して、構造深さｄ₁＝２．６５μｍ、ｄ₂＝２．５５μｍ、およびｄ₃＝２．６０μｍでの波長依存抑制、すなわち、目標波長１０．２μｍ、１０．４０μｍ、および１０．６μｍを抑制するように具現化されたものを示す。１０^-11よりも良好な抑制が、３つの目標波長に対して生じている。

次には構造深さおよび／または側壁の険しさ許容誤差を考慮に入れた反射率曲線が、図３３の８５でプロットされている。反射率曲線８５の場合、１０^-9よりも良好な抑制が、端の目標波長１０．２μｍおよび１０．６μｍで生じており、１０^-10の領域の抑制が、中央目標波長１０．４０μｍで生じている。

正確に２つの回折格子を含む光学格子および正確に１つの回折格子を含む光学格子の反射率曲線４４および４５（図５も参照）が、図３３に参照として示されている。

図３４は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素としての光学格子８６のさらなる実施形態を示す。図１～図３３を参照して、特に、図４～図８を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

光学格子８６は、合計で３つの回折格子８７、８８、８９の重ね合わせとして生じる。これらの回折格子のうちの２つ、すなわち、回折格子８７および８８は、図３４において水平に延びる周期走行方向ｘを有する。第３の回折格子８９は、図３４において垂直に延びる周期走行方向ｙを有する。図４および図７のものと同様に、光学格子８６の場合、回折構造タイプ、すなわち、異なる回折構造レベルが、異なるハッチングによって強調表示されている。３つの回折格子８７～８９が３の異なる構造深さｄ₁、ｄ₂、およびｄ₃を有する場合、結果は、再度、８つの異なるタイプのハッチングに対応する８つの異なる回折構造レベルとなる。回折格子８７～８９の３つの構造深さｄ₁、ｄ₂、およびｄ₃のうちの２つ、またはさもなければすべての３つの構造深さが同一である場合、その結果、対応して、異なる回折構造レベルの数は少なくなる。

光学格子８６による実施形態の場合、それぞれの目標波長の抑制は、オーバレイエラーと無関係である。

回折構造レベルの数に関する限り、図２８による光学格子７６および図３２による光学格子８０の実施形態に関する上述の説明が参照される。

図３５に示されるような３つの回折構造レベルを含む光回折構成要素９１の例に基づいて、そのような回折構成要素の基本特性が、さらに、以下で説明される。図１～図３４を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。回折構造レベルは、図３５においてＮ₁、Ｎ₂、およびＮ₃によって示される。

抑制されるべき目標波長は、λ_Nの波長を有する。

回折構造レベルＮ₁は、０の構造深さを有する。回折構造レベルＮ₂は、λ_N／６の構造深さｄを有する。最も深い回折構造レベルＮ₃は、２ｄ（＝λ_N／３）の構造深さを有する。

構造深さｄ₁、ｄ₂、…ｄ_nを有する合計でｎ個の回折格子の重ね合わせは、合計でｎ個の目標波長λ₁、λ₂、…λ_Nを抑制するのに適する。この場合、可能な回折構造レベルの数は２ⁿである。それゆえに、上述で説明されたように、３つの構造深さｄ₁、ｄ₂、ｄ₃が与えられると、８つの回折構造レベルＮ₁～Ｎ₈が生じる。好ましくは、様々な回折構造レベルＮ_iは、すべての回折構造レベルＮ_iが、回折構成要素９１の全表面積について同一の表面積比率を占めるように配列される。

光回折構成要素９１は、変形として、この場合３つのレベル有する、いわゆる、ｍレベル格子を構成する。そのようなｍレベル格子は、各々同一の表面積を占めるｍ個の異なる回折構造レベルから構成され、各場合に互いに対してｄ＝λ_N／（２ｍ）の構造高さ差を有する。目標波長λ_Nの良好な抑制は、再度、より低い波長感度を伴って生じる。

図３５による３レベル格子には、格子周期ｐが割り当てられ、それにより、３つの回折構造レベルＮ₁、Ｎ₂、Ｎ₃のシーケンスが、全く同じに繰り返される。

図３６は、破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素９２のさらなる実施形態を示す。この説明図は、最も深い回折構造レベルＮ_nのまわりの領域の回折構造レベルＮ_i、すなわち、回折構造レベルＮ_n-2、Ｎ_n-1、Ｎ_n、Ｎ_n+1、Ｎ_n+2を示す。

０次の回折の反射光の強度は、回折遠視野（ｄｉｆｆｒａｃｔｅｄ ｆａｒ ｆｉｅｌｄ）のフラウンホーファー近似から、Ｎレベル周期的位相格子のための簡易化された方法で、以下のように書くことができる。

この場合、Ｉ（０）は、０次の回折の強度、すなわち、回折遠視野の場の振幅の絶対値の２乗である。

Ｎは、位相格子のレベルの数である。Ｌ_nは、それぞれの格子レベルに割り当てられた位相項である。周期走行方向ｘに沿ったそれぞれの回折構造レベルＮ_iの広がり範囲に対応するこの位相項Ｌ_nが、図３６に示される。ｈ_nは、それぞれの回折構造レベルの構造深さの尺度である（図３６参照）。λは回折光の波長である。

破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素９３のさらなる実施形態が、図３７を参照して以下で説明される。図１～図３６を参照して、特に、図３６を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図３７は、ここではｈ₀として示された様々な格子レベルの同一の構造深さ、およびこの場合にはＲで示された周期走行方向に沿った回折構造レベルＮ₁、Ｎ₂、Ｎ₃、およびＮ₄の同一の長さを有する階段状格子のさらなる実施形態を示す。周期走行方向Ｒは、同心回折構造の半径とすることもでき、この回折構造の中心は、コレクタミラー２４の中心と一致することができる。

したがって、回折構成要素９３は、合計で４つの回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄を有し、その構造深さは、各場合に、ｈ₀だけ異なる。ここで、ｈ₀＝λ_N／４が当てはまり、ここで、λ_Nは、抑制されるべき目標波長である。

周期走行方向Ｒにおける回折構成要素の１つの完全な周期ｐは、最初に４つの降下する回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄と、次いで２つの続いて再上昇する回折構造レベルＮ₅、Ｎ₆とを含み、回折構造レベルＮ₅の構造深さは、回折構造レベルＮ₃の構造深さに対応し、回折構造レベルＮ₆の構造深さは、回折構造レベルＮ₂の構造深さに対応する。

破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素９４、９５のさらなる実施形態が、図３８および図３９を参照して以下で説明される。図１～図３７を参照して、特に、図３６および図３７を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図３８による回折構成要素９４は、１つの格子周期ｐ内で周期走行方向Ｒに沿って互いに続いて、構造深さ０を有する回折構造レベルＮ₁、構造深さｈ₁を有するＮ₂、構造深さｈ₁＋ｈ₂を有するＮ₃、および構造深さｈ₂を有するＮ₄を有する。ｈ₁＜ｈ₂が当てはまる。

図３９による回折構成要素９５の場合、１つの周期ｐ内で周期走行方向Ｒに沿って、以下が互いに続く。構造深さ０を有する回折構造レベルＮ₁、構造深さｈ₁を有する回折構造レベルＮ₂、構造深さｈ₂を有する回折構造レベルＮ₃、および構造深さｈ₁＋ｈ₂を有する回折構造レベルＮ₄。ここでも、ｈ₁＜ｈ₂が当てはまる。

続いて図３６に関連して上述された式から、０次の回折の強度は、

として規定することができる。

この場合、λ₁およびλ₂は、それぞれ、回折構成要素９４および９５を使って破壊的干渉によって抑制されるように意図された２つの目標波長である。ｈ₁＝λ₁／４およびｈ₂＝λ₂／４が当てはまる。

λ＝λ₁、およびさらにλ＝λ₂では、Ｉ（０）＝０が当てはまる。したがって、これらの２つの波長は最適に抑制される。

図３５～図３９の実施形態の格子のタイプのそのような多レベル格子は、破壊的干渉によって目標波長の個数ｎ個の抑制に向けて一般化することができる。ｎ個の波長が抑制されるには、以下の高さ、すなわち、ｈ₁、ｈ₂、．．．ｈ_n、０、ｈ₁＋ｈ₂、ｈ₁＋ｈ₃、…、ｈ₁＋ｈ_nを有する２ｎ個の異なる回折構造レベルＮ_i個が必要とされ、ここで、その上、異なる構造深さｈ₁～ｈ_nは、以下の関係を満たす。
ｈ₁＜ｈ_i＜ｈ_i+1＜２ｈ₁

上述の光回折構成要素を用いて、赤外線波長範囲で抑制される目標波長の代替としてまたはそれに加えて、例えば、他の波長範囲、例えばＤＵＶ波長の範囲の波長も抑制することができる。

図４０は、例えば、図１６、図１９、および図２２による光学格子６０、６４、または７１のタイプの２つの構造深さｄ₁およびｄ₂をもつ光回折構成要素の変形の波長依存反射率Ｒを図式で示す。この場合、構造深さは以下の通りであり、ｄ₁＝４５ｎｍおよびｄ₂＝５２ｎｍである。この結果は、図４０に実線として示された反射率曲線９６である。加えて、構造深さｄ₁（反射率曲線９７）およびｄ₂（反射率曲線９８）で設計された正確に１つの回折格子を含む対応する光学格子の反射率曲線９７および９８が破線で示されている。

反射率曲線９６は、２つの目標波長λ₁≒１８０ｎｍ（λ₁が１８０ｎｍにほとんど等しい）およびλ₂≒２１０ｎｍ（λ₂が２１０ｎｍにほとんど等しい）に対する抑制を示す。

これらの２つの目標波長λ₁、λ₂の差の大きさについて、
（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²＝０．００６
が当てはまる。

ここで、これらの２つのＤＵＶ波長の抑制は１０^-5よりも良好である。

図４１は、この場合、異なる構造深さｄ₁～ｄ₄を有する合計で４つの回折格子の重ね合わせとして作られた、図１４～図２２、または図２５～図３２のもののタイプの光回折構成要素の一実施形態の反射率Ｒを示す。ここで、ｄ₁＝４５ｎｍ、ｄ₂＝２ｎｍ、ｄ₃＝２．５５μｍ、およびｄ₄＝２．６５μｍが当てはまる。

図４１に示される波長依存反射率曲線９７は、構造深さｄ₃およびｄ₄に対応し、λ₃＝１０．２μｍおよびλ₄＝１０．６μｍで１０^-6よりも良好な抑制をもつ２つの反射率最小値を示す。

加えて、２つの構造深さｄ₁およびｄ₂に対応して、反射率曲線９７による格子はまた、図４２のＤＵＶ範囲に拡大された詳細で示されるように、２つのＤＵＶ波長１８０ｎｍにほぼ等しいλ₁および２１０ｎｍにほぼ等しいλ₂を１０^-6よりも良好な抑制で抑制している。

図４３は、複数の回折構造グループから構成された光回折構成要素の使用により、構造深さおよび／または側壁の険しさ許容誤差に関する要件が、回折構造グループの数が増加するにつれてどのように緩和されるかを図式で示す。この説明図は、再度、１０．０μｍと１１．０μｍとの間の範囲の波長の関数として反射率を示す。この場合、１０．６μｍの領域の目標波長は、１０^-4よりも良好な抑制で抑制されるように意図されている。

正確に１つの回折構造グループを含む、すなわち、正確に１つの回折格子を含む光回折構成要素の反射率曲線が、図４３に９８で示されており、値２．６５μｍが構造深さｄに関して想定されており、構造深さｄは、０．５％の許容誤差帯域幅内で変動することが許容される。

９９は、２つの回折格子を回折構造グループとして含み、各場合に、２．６５μｍの同一の構造深さｄ₁＝ｄ₂を有し、１０倍の許容誤差帯域幅の５％が許容される光回折構成要素の反射率曲線を示す。目標波長の領域において、反射率曲線９９の場合、許容誤差帯域幅が１０倍高いにもかかわらず、反射率曲線９８の場合よりも良好な抑制が生じる。

図４３において、１００は、構造深さが異なり（ｄ₁＝２．６５μｍ、ｄ₂＝２．５５μｍ）、各場合に、３．５％の許容誤差帯域幅が許容される２つの回折格子を回折構造グループとして含む光回折構成要素の反射率曲線を示す。反射率曲線９９のものに対応する抑制は、目標波長１０．６μｍで生じる。

図４３において、１０１は、２．６５μｍの同一の構造深さｄ₁＝ｄ₂＝ｄ₃およびその構造深さに対する１２％の許容誤差帯域幅を有する３つの回折格子の形態の３つの回折構造グループを含む光回折構成要素の反射率曲線を示す。

目標波長の領域における３つの回折格子の相互に強化する抑制効果のために、その結果として、この非常に高い許容誤差帯域幅は、「１０^-4よりも良好な抑制」という要件に対応する非常に良好な抑制をもたらす。

図４４は、特に図１４～図１６を参照して既に上述で説明されたような回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄を含む光学格子６０を再び示す。図４４は、追加として、光学格子６０のリソグラフィ生成中に使用することができる２つのリソグラフィマスク構造１０５、１０６を示す。

図４４において光学格子６０に最も接近するように示されたリソグラフィマスク構造１０５は、エッチング媒体を通さないマスク領域１０７と、エッチング媒体を通すことができる介在マスク間隙１０８とを有する。マスク構造１０５の周期性は、図１５による回折格子６２の周期性に対応する。マスク構造１０５は、第１に、回折構造レベルＮ₄とＮ₃との間のレベル側壁Ｎ₄／Ｎ₃、および、第２に、回折構造レベルＮ₁とＮ₂との間のレベル側壁Ｎ₁／Ｎ₂を画定する。

これに対して周期走行方向ｘに沿ってオフセットして配列されるのは、マスク領域１０９およびマスク間隙１１０を有する第２のリソグラフィマスク構造１０６である。この第２のリソグラフィマスク構造１０６の周期性は、図１４による回折格子６１の周期性に対応する。第２のリソグラフィマスク構造１０６は、回折構造レベルＮ₃とＮ₁との間のレベル側壁Ｎ₃／Ｎ₁、および、第２に、回折構造レベルＮ₂とＮ₄との間のＮ₂／Ｎ₄の位置を画定する。

光学格子６０の回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄のトポグラフィーは、２つのバイナリ構造、すなわち、リソグラフィマスク構造１０５、１０６の助けによって生成可能である回折構造グループ６１、６２の重ね合わせとして記述することができる（図１４および図１５も参照）。これらのバイナリ構造６１、６２の各々は、第１の構造深さを有する第１の表面セクション、すなわち、構造グループ６１、６２の正構造６１_P、６２_Pと、第２の構造深さを有する第２の表面セクション、すなわち、周期走行方向ｘに沿って第１の表面セクション６１_P、６２_Pと交互になる負の構造６１_N、６２_Nとを有する。バイナリ構造６１、６２の各々のこれらの隣接する表面セクションの第１に６１_P／６１_Nおよび第２に６２_P／６２_Nの間の境界領域、すなわち、上述で説明されたレベル側壁Ｎ_i／Ｎ_jは、周期走行方向に垂直で、図１４～図１６および図４４の平面に対して垂直な直線状コースを有する。第１のバイナリ構造６１のこれらの境界領域Ｎ₃／Ｎ₁、Ｎ₂／Ｎ₄および第２のバイナリ構造６２の境界領域Ｎ₄／Ｎ₃、Ｎ₁／Ｎ₂は互いに完全に別個に延びる、すなわち、周期走行方向ｘに対して垂直なそれらのコースにおいて互いに重ね合わされない。

光学格子６０のさらなる特徴は、周期走行方向ｘに沿って見たとき、各々の上昇レベル側壁、すなわち、第１にＮ₃／Ｎ₁および第２にＮ₄／Ｎ₃には、それぞれ、同じ構造深さの下降レベル側壁が割り当てられることである。この場合、上昇レベル側壁Ｎ₃／Ｎ₁には、下降レベル側壁Ｎ₂／Ｎ₄が割り当てられる。上昇レベル側壁Ｎ₄／Ｎ₃には、下降レベル側壁Ｎ₁／Ｎ₂が割り当てられる。この場合の第１に割り当てられたレベル側壁Ｎ₃／Ｎ₁およびＮ₂／Ｎ₄は、構造深さｄ₁を有する。互いに同様に割り当てられたレベル側壁Ｎ₄／Ｎ₃およびＮ₁／Ｎ₂は、構造深さｄ₂を有する。

光学格子６０の生成中に、最初に、２つのマスク構造１０５、１０６のうちの１つ、例えば、マスク構造１０５が使用され、マスク間隙１０８の領域において、対応する源（ｓｏｕｒｃｅ）で行われる、エッチング領域を使用した第１のエッチングステップにおいて、事前定義された第１のエッチング深さｄ₂を伴ったマスク間隙１０８の幅を有する負構造が、基板に生成される。その後、マスク構造１０５は取り除かれ、マスク構造１０６が使用され、さらなるエッチングステップにおいて、基板は、図４４の下部の説明図に対応する回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄が生じるまで深さｄ₁でさらにエッチングされる。したがって、光学格子６０のマスク生成は、最初に、基板をリソグラフィでエッチングするために第１のマスク構造を使用することと、次いで、マスク領域およびマスク間隙の位置に関して異なる第２のマスク構造を使用することとを含む。マスク領域／マスク間隙の位置のこの相違は、第１のマスク構造をさらなるマスク構造と交換することによって、および／または走行方向ｘに沿ってマスク構造を変位させることによって達成することができる。

生成方法は、３つ以上のエッチングステップを含むこともでき、３つ以上の異なるマスク構造および／または３つ以上のエッチングステップを使用することも可能である。

図４５は、光学格子６４のリソグラフィ生成中の関係を示す（図１７～図１９も参照）。図１～図４４を参照して、特に、図１４～図１９および図４４を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図４５において、２つのリソグラフィマスク構造１１１、１１２は、光学格子６４に対して示されており、前記マスク構造は、再度、周期的に連続するマスク領域およびマスク間隙を有する。この場合、リソグラフィマスク構造１１１は、マスク領域１１３およびマスク間隙１１４を有し、リソグラフィマスク構造１１２は、マスク領域１１５およびマスク間隙１１６を有する。

光学格子６４のリソグラフィ生成中に、リソグラフィマスク構造１１１は、第１にレベル側壁Ｎ₃／Ｎ₂および第２にＮ₂／Ｎ₃を画定し、さらなるリソグラフィマスク構造１１２は、第１にレベル側壁Ｎ₂／Ｎ₁および第２にＮ₁／Ｎ₂を画定する。ここでも、光学格子６４は、２つのバイナリ構造６５、６６の重ね合わせとして生じ（図１７および図１８参照）、周期走行方向ｘに対して垂直なおよび図１７～図１９および図４５の図面の平面に対して垂直なそれらの境界領域、すなわち、レベル側壁Ｎ_i／Ｎ_jは、完全に別個に延び、すなわち、互いに重ね合わされない。

ここでも、周期走行方向ｘに沿って見たとき、各上昇レベル側壁、すなわち、側壁Ｎ₂／Ｎ₁、Ｎ₃／Ｎ₂には、再度、同じ構造深さの下降レベル側壁が割り当てられる、すなわち、上昇レベル側壁Ｎ₂／Ｎ₁には、下降レベル側壁Ｎ₁／Ｎ₂が割り当てられ、上昇レベル側壁Ｎ₃／Ｎ₂には、下降レベル側壁Ｎ₂／Ｎ₃が割り当てられることが再び当てはまる、

特に、図２０～図２２、図２５～図２８、および図２９～図３２を参照して上述された光学格子７１、７６、および８０は、さらに、バイナリ構造の対応する重ね合わせとして記述することができ、表面セクション間のそれらの境界領域、すなわち、それらのレベル側壁Ｎ_i／Ｎ_jは、光学格子６０および６４を参照して既に上述で説明されたように、互いに重ね合わされない。光学格子７６および８０の場合、これらは、それらの境界領域、すなわち、レベル側壁Ｎ_i、Ｎ_jが互いに重ね合わされない３つのバイナリ構造の重ね合わせとして記述することができる。これらの格子７１、７６、８０についても、周期走行方向ｘに沿って見たとき、各上昇レベル側壁には、同じ構造深さの下降レベル側壁が割り当てられることが当てはまる。

互いに平行でない回折構造グループの周期走行方向を有する上述の光回折構成要素の場合、これは、レベル側壁、すなわち、回折構造の異なる表面セクション間の境界領域の交差をもたらす。この場合も、前記境界領域は、点でのみ、すなわち、せいぜいレベル側壁の直線状コースのセクションに沿って、すなわち、レベル側壁が交差する場所で互いに重ね合わされる。

破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長を抑制するための、再度光学格子の形態の光回折構成要素１１７のさらなる実施形態が、図４６を参照して以下で説明される。図１～図４５を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号で表され、改めて詳細に論じられない。

光学格子１１７は、３つの回折構造レベルＮ₁、Ｎ₂、Ｎ₃を有する回折構造を含む、周期走行方向ｘに沿って周期的である格子構造プロファイルとして具現化される。

中央回折構造レベルＮ₂は、０の参照高さ（ｄ＝０）を事前画定し、それゆえに、ニュートラル回折構造レベルとも呼ばれる。さらなる回折構造レベルＮ₁は、参照高さを基準にして測定されたｄ＝＋λ／４の構造深さを有し、それゆえに、正回折構造レベルとも呼ばれる。第３の回折構造レベルＮ₃は、参照高さを基準にして測定されたｄ＝－λ／４の構造深さを有し、それゆえに、負回折構造レベルとも呼ばれる。

したがって、３つの回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃は、参照平面ｄ＝０を基準にして異なる構造深さを事前画定する。

光学格子１１７の格子構造プロファイルの格子周期ｐは、回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の合計４つの周期セクションに細分される。これらの４つの周期セクションのうちの２つは、ニュートラル回折構造レベルＮ₂として具現化され、４つの周期セクションのうちの１つは、正回折構造レベルＮ₁として具現化され、４つの周期セクションのうちの第４のものは、負回折構造レベルＮ₃として具現化される。図４６において選ばれた単位セルに沿ったシーケンスは（前記単位セルは破線によって境界を示されている）、周期走行方向ｘにおいて、Ｎ₂、Ｎ₁、Ｎ₂、Ｎ₃である。

周期走行方向ｘに沿って、１つの格子周期ｐ内の４つの周期セクションは、同じ構造長さｘ_Nを有する。

代替として、周期セクションの長さ、すなわち、それぞれの回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃のｘ－広がり範囲が、互いに対で異なることも可能である。次いで、下記のものが、回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の周期セクションの長さｘ_Niへの制約として満たされなければならない。
ｘ_N1＋ｘ_N3＝２ｘ_N2
したがって、ニュートラル回折構造レベルから外れたレベルの広がり範囲の合計は、良好な近似で、ニュートラル回折構造レベルの広がり範囲の２倍に等しくなければならない。

回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の記載された配列、すなわち、周期走行方向ｘに沿った構造深さおよび長さは、格子構造プロファイルによって回折される赤外線波長範囲の第１の目標波長λ₁が、第１の目標波長λ₁の０次の回折で互いに破壊的に干渉する３つの異なる位相を有する放射線成分を有するようなものである。それにより、とりわけ図１～図４５による他の光回折構成要素に関連して上述で説明されたように、抑制効果が生じる。理論的考察によって明らかにされたように、この抑制効果は、単一のバイナリ格子（図示せず）の抑制と比較して２乗され、その結果、光学格子１１７は、例えば、正回折構造レベルＮ₁が負回折構造レベルＮ₃の代わりに順番に配列されたバイナリ格子が１０^-2の抑制を有する場合、１０^-4の抑制効果を有する。

目標波長は、再度、１０μｍと１１μｍとの間の範囲とすることができる。

構造深さエラーの回折効率への影響が、図４７および図４８を参照して以下で説明される。ここで、抑制されるべき波長λを有する光が、図４７および図４８において垂直入射で上方から光学格子１１７に入射することが仮定される。「垂直入射」というこの仮定は、単に以下の考察のモデル仮定として役立つ。実際には、光の入射角は、通常は、垂直入射から外れる。したがって、次いで、ここで説明される光回折構成要素の構造深さは、それぞれの入射角に適応される。この設計適応を実行する方法は、当業者には既知である。実際、光の入射角は、抑制されるべき波長とともに変化し、それにより、光回折構成要素の構造深さもＥＵＶコレクタにわたって変化する。回転対称設計を有するＥＵＶコレクタ２４の場合、回折構造グループの構造深さは、ＥＵＶコレクタ２４の中心からＥＵＶコレクタ２４の縁部に向かって連続的に変化することがある。

反射光の波の同一位相Ｐ₀の領域は、図４７および図４８に書き込まれた丸点で示される。回折構造レベルの第１にＮ₁および第２にＮ₃が、ニュートラル回折構造レベルＮ₂を基準にして、各場合に、λ／４光路長だけオフセットされているので、図４７に示された光学格子１１７の格子周期の合計４つの周期セクションについて、各場合に、反射光の２つの領域が生じ、その位相Ｐ₀が、２つのさらなる領域に対して正確に半波長だけ、すなわち、λ／２だけオフセットされるように反射され、それにより、図４７の完全なλ／４構造深さの場合、入射光の完全な抑制がもたらされる、すなわち、反射光の破壊的干渉がもたらされることは明らかである。

図４７は、正回折構造レベルＮ₁が、λ／４よりも大きい構造深さを有し、負回折構造レベルＮ₃が、正回折構造レベルＮ₁の構造深さと同じ絶対値を有する、すなわち、対応して同様に絶対項でλ／４よりも大きい構造深さを有する場合を示す。したがって、高さエラーが、図４７による格子の場合には存在する。

第１に正回折構造レベルＮ₁によっておよび第２に負回折構造レベルＮ₃によって反射された光の同一位相Ｐ_0,dの領域が、図４８に白丸で示されている。

それぞれ、レベルＮ₁およびＮ₃によって反射されたこれらの２つの位相Ｐ_0,dの反射光のビーム方向の位置を、図４７による完全な抑制状態の場合の対応する位相位置Ｐ₀と比較することによって示されるように、図４８による状況の場合、これらの２つの位相Ｐ_0,dは、正しい位相位置のまわりに、それぞれ、同じ距離だけ上方および下方にシフトされて存在し、その結果、２つのシフトされた位相Ｐ_0,dの平均値は、図４７による完全な位相位置の位置に再度配置された状態になる。この平均化は、３つの回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃を有する格子の場合には、回折構造レベルＮ₁およびＮ₂ならびに対応する高さエラーに対応する２つの回折構造レベルしか有していないバイナリ格子と比較して、抑制の改善をもたらす。

図４９は、再度３つの回折構造レベルＮ₁、Ｎ₂、およびＮ₃を有する、再度、回折構造を含む光学格子１１８の形態の、少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる変形を示す。図１～図４８を参照して、特に、図４６～図４８を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

図４９は、再度、破線を使用して、１つの周期ｐにわたって周期走行方向ｘに沿って延びる単位セルを示す。この単位セルにおいて周期走行方向ｘで最初に存在するニュートラル回折構造レベルＮ₂は、他の２つの回折構造レベルと比較して２倍の長さ２ｘ_Nを有する。したがって、図示の単位セル内の周期走行方向の回折構造レベルのシーケンスは、２倍の長さ２ｘ_Nのニュートラル回折構造レベルＮ₂、単一の長さｘ_Nを有する正回折構造レベルＮ₁、単一の長さｘ_Nを有する負回折構造レベルである。光学格子１１８の場合、それゆえに、単位セル内で、正回折構造レベルＮ₁は、それに直接続いて負回折構造レベルＮ₃があり、その結果、介在レベル側壁は、λ／２の構造深さを有する。

図５０は、少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態を示し、前記光回折構成要素は、再度、４つの回折構造レベルＮ₁～Ｎ₄を有する回折構造を含む光学格子１２０として作られる。図１～図４９を参照して、特に、図４６～図４９を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。周期走行方向に沿って、光学格子１２０は、回折構造レベルの以下のシーケンス、すなわち、構造深さ＋λ／４を有する正回折構造レベルＮ₁、ニュートラル回折構造レベルＮ₂、構造深さ－λ／４を有する負回折構造レベルＮ₃、構造深さ－λ／２を有する２倍の負回折構造レベルＮ₄、負回折構造レベルＮ₃、およびニュートラル回折構造レベルＮ₂を有する。このようにして、光学格子１２０の単位セルは、回折構造レベルシーケンスＮ₁、Ｎ₂、Ｎ₃、Ｎ₄、Ｎ₃、Ｎ₂、または対応する巡回的交換を含む。

図５１は、少なくとも１つの目標波長を抑制するための光回折構成要素のさらなる実施形態を示し、前記光回折構成要素は、再度、５つの回折構造レベルＮ₁～Ｎ₅を有する回折構造を含む光学格子１２１として作られる。図１～図５０を参照して、特に、図４６～図５０を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。周期走行方向に沿って、光学格子１２１は、回折構造レベルの以下のシーケンス、すなわち、構造深さ＋λ／４を有する正回折構造レベルＮ₁、ニュートラル回折構造レベルＮ₂、構造深さ－λ／４を有する負回折構造レベルＮ₃、構造深さ－λ／２を有する２倍の負回折構造レベルＮ₄、構造深さ－３λ／４を有する３倍の負回折構造レベルＮ₅、構造深さ－λ／２を有する２倍の負回折構造レベルＮ₄、構造深さ－λ／４を有する負回折構造レベルＮ₃、およびニュートラル回折構造レベルＮ₂を有する。このようにして、光学格子１２０の単位セルは、回折構造レベルシーケンスＮ₁、Ｎ₂、Ｎ₃、Ｎ₄、Ｎ₅、Ｎ₄、Ｎ₃、Ｎ₂、または対応する巡回的交換を含む。

光学格子１２０の場合の追加の回折構造レベルＮ₄および光学格子１２１の場合のＮ₄、Ｎ₅は、回折効果の追加の強化、すなわち、目標波長λの破壊的干渉のさらなる強化をもたらす。

図５２は、各場合にλ／４（ｄ≒２．６μｍ（ｄが２．６μｍにほとんど等しい））構造深さｄと周期走行方向ｘでの回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の同一の構造長さｘ_N（ｘ_N1＝ｘ_N2＝ｘ_N3）とを有する回折構造レベルＮ₁、Ｎ₂、およびＮ₃のシーケンスを有する図４６からのタイプの光学格子の反射率曲線１２５を示す。その結果は、波長λ＝１０．４μｍのまわりで１・１０^-6の広い反射率最小値を有する反射率曲線１２５である。１０．２μｍと１０．６μｍとの間で、反射率は２・１０^-6未満である。１０．１μｍと１０．７μｍとの間で、反射率は３・１０^-6未満である。１０．０μｍと１０．８μｍとの間で、反射率は５・１０^-6未満である。これは、図示の波長範囲の妨害波長の非常に良好な抑制をもたらす。

図５３は、図４４および図４５のやり方で、周期ｐ＝４ｘ_Nをもつ光学格子６４のリソグラフィ生成中の関係を示す（図１７～図１９も参照）。

図１～図５２を参照して、特に、図１４～図１９、図４４、および図４５を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

光学格子６４について、図５３は、光学格子６４のリソグラフィ生成中に使用され、再度、周期的に連続するマスク領域およびマスク間隙を有するリソグラフィマスク構造１２６、１２７のさらなる実施形態を示す。この場合、リソグラフィマスク構造１２６は、連続するマスク領域１２８および１２９と、介在マスク間隙１３０および１３１とを有し、マスク構造１２７は、連続するマスク領域１３２および１３３と、介在マスク間隙１３４および１３５とを有する。

光学格子６４のリソグラフィ生成中に、マスク構造１２６のマスク領域１２８は、第１にレベル側壁Ｎ₃／Ｎ₂および第２にＮ₁／Ｎ₂を画定する。マスク構造１２６のさらなるマスク領域１２９は、周期走行方向ｘに続く光学格子６４の回折構造レベルの次のシーケンスのレベル側壁Ｎ₂／Ｎ₁およびＮ₂／Ｎ₃を画定する。さらなるリソグラフィマスク構造１２７は、マスク領域１３２を用いて、周期走行方向ｘで先行する回折構造レベルＮ_iの周期のレベル側壁Ｎ₂／Ｎ₁およびＮ₂／Ｎ₃を画定し、マスク構造１２７のマスク領域１３３は、回折構造レベルＮ_iの次の周期のレベル側壁Ｎ₃／Ｎ₂およびＮ₁／Ｎ₂を画定する。光学格子６４は、対応して、周期走行方向ｘに対して垂直な（図５３の図面の平面に対して垂直な）境界領域が、完全に別個に延びる、すなわち、互いに重ね合わされない２つのバイナリ構造の重ね合わせとして生じる。

第１にマスク構造１２８、１２９および第２に１３２、１３３は、各場合に、同じｘ－広がり範囲、すなわち各場合に２ｘ_Nを有する。第１にマスク間隙１３１および第２に１３４は、各場合に、同じｘ－広がり範囲、すなわち各場合にｘ_Nを有する。マスク構造１３０および１３５は、同様に、各場合に同じｘ－広がり範囲、すなわち、各場合に３ｘ_Nを有する。

したがって、マスク構造１２６、１２７は、光学格子６４のそれぞれ連続する周期ｐで交互に異なるレベル側壁を事前画定する。周期長ｐだけシフトすることによって、ほとんどのマスク構造１２６および１２７は、互いに転換され得る。

図５４は、光学格子６４のリソグラフィ生成中の２つのマスク構造１３６、１３７の代替実施形態を示す。図１～図５３を参照して、特に、図１４～図１９、図４４、および図５３を参照して既に上述で説明されたものに対応する構成要素および機能は、同じ参照符号を有し、改めて詳細に論じられない。

マスク構造１３６は、マスク領域１３８、１３９と、介在マスク間隙１４０、１４１とを有する。マスク構造１３７は、マスク領域１４２、１４３と、介在マスク間隙１４４および１４５とを有する。第１にマスク領域１３８および第２に１４３のｘ－広がり範囲は、３ｘ_Nであり、したがって、ｘ_Nである第１にマスク領域１３９および第２に１４２のｘ－広がり範囲の大きさの３倍である。マスク間隙１４０、１４１、１４４、および１４５は、各場合に、２ｘ_Nの広がり範囲を有する。

光学格子６４のリソグラフィ生成中に、リソグラフィマスク構造１３６は、マスク領域１３８を用いて、格子６４の回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の第１の周期ｐのレベル側壁Ｎ₃／Ｎ₂およびＮ₂／Ｎ₃を画定し、マスク領域１３９は、回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の第２の周期ｐの第１にレベル側壁Ｎ₂／Ｎ₁および第２にＮ₁／Ｎ₂を画定する。さらなるリソグラフィマスク構造１３７は、マスク領域１４２を用いて、第１の周期のレベル側壁Ｎ₂／Ｎ₁およびＮ₁／Ｎ₂を画定し、マスク領域１４３を用いて、回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の次の周期ｐのレベル側壁Ｎ₃／Ｎ₂およびＮ₂／Ｎ₃を画定する。

ここでも、図５３による実施形態の場合と同様に、マスク構造１３６および１３７は、回折構造レベルＮ₁～Ｎ₃の連続する周期の交互に異なるレベル側壁を事前画定することが当てはまる。マスク構造１３６および１３７はまた、周期長ｐ＝４ｘ_Nだけシフトさせることによって互いに転換させることができる。

２つのマスク構造１４７、１４８による光学格子１４６のさらなる実施形態の生成中の関係が、図５５を参照して説明される。各々が光学格子６４の２つの格子周期を示す図５３および図５４とは対照的に、１つの格子周期ｐが図５５では示されている。この格子周期ｐ内で、光学格子１４６は、走行方向ｘにおいて回折構造レベルＮ_iの以下のシーケンス、すなわち、Ｎ₁、Ｎ₂、Ｎ₁、Ｎ₂、Ｎ₃、およびＮ₂を有する。格子周期ｐは、６ｘ_Nの広がり範囲を有する。すべての回折レベルＮ₁は、各場合に、ｘ_Nの広がり範囲を有する。

マスク構造１４７は、周期ｐごとに、マスク領域１４９、１５０と、介在マスク間隙１５１、１５２とを有し、マスク構造１４８は、周期ｐごとに、正確に１つの割り当てられたマスク領域１５３と、１つのマスク間隙１５４とを有する。マスク領域１４９およびマスク領域１５０は、２ｘ_Nの広がり範囲を有する。マスク間隙１５１、１５２は、ｘ_Nの広がり範囲を有する。マスク領域１５３は、３ｘ_Nの広がり範囲を有する。マスク間隙１５４は、同様に、３ｘ_Nの広がり範囲を有する。

周期走行方向ｘに沿った周期ｐにわたるレベル側壁のシーケンス内で、それぞれのマスク構造のマスク領域によるそれぞれのレベル側壁の事前確定に関する限り、以下の割り当てが当てはまる。

２つのマスク構造１５６、１５７による光学格子１５５のさらなる実施形態の生成中の関係が、図５６を参照して説明される。各々が光学格子６４の２つの格子周期を示す図５３および図５４とは対照的に、１つの格子周期ｐが図５６では示されている。この格子周期ｐ内で、光学格子１５５は、回折構造レベルＮ_iの以下のシーケンス、すなわち、Ｎ₂、Ｎ₁、Ｎ₂、Ｎ₃、Ｎ₂、およびＮ₃を有する。したがって、６ｘ_Nの広がり範囲を有する周期ｐが、格子１５５の場合にも存在する。回折構造レベルＮ_iは、各場合に、周期走行方向ｘに沿ってｘ_Nの広がり範囲を有する。

光学格子１５５の生成のために、再度、２つのリソグラフィマスク構造１５６および１５７が、図５６に示される。この場合、マスク構造１５６は、マスク領域１５８および１５９と、介在マスク間隙１６０、１６１とを有し、マスク構造１５７は、周期ごとに、正確に１つのマスク領域１６２と１つのマスク間隙１６３とを有する。マスク領域１５８および１５９は、各場合に、広がり範囲ｘ_Nを有する。マスク間隙１６０、１６１は、各場合に、同様に、２ｘ_Nの広がり範囲を有する。第１にマスク領域１６２および第２にマスク間隙１６３は、各場合に、３ｘ_Nの広がり範囲を有する。

光学格子１５５のリソグラフィ生成中のレベル側壁へのマスク領域の割り当てには、以下が当てはまる。

上述で説明された光学格子の構造化は、例えば、ＥＵＶコレクタ２４によって反射された赤外線波長を有する迷光放射線が０次で破壊的に干渉し、それにより、迷光強度が０次で抑制されるという効果を有することができる。この場合、上述の光回折構成要素は、一般に、反射性構成要素として使用される。

ＥＵＶコレクタ２４の本体は、アルミニウムから製造することができる。この本体の代替材料は、銅、成分の銅および／またはアルミニウムを含む合金、あるいは銅と酸化アルミニウムまたはシリコンとの、粉末冶金によって生成される合金である。

ミクロ構造化またはナノ構造化構成要素を生成するために、投影露光装置１は以下のように使用される。最初に、反射マスク１０またはレチクルと、基板またはウェハ１１とが用意される。続いて、レチクル１０の構造が、投影露光装置１の助けによってウェハ１１の感光層上に投影される。次いで、ウェハ１１のミクロ構造またはナノ構造、したがって、ミクロ構造化構成要素が、感光層を現像することによって生成される。

Claims (22)

1. 光回折構成要素（６４；１１７；１１８；１１９；１２０；１２１）であって、
   － ３つの回折構造レベル（Ｎ₁～Ｎ₃；Ｎ₁～Ｎ₄；Ｎ₁～Ｎ₅）を有する回折構造を含む周期的格子構造プロファイルを含み、
   － 前記３つの回折構造レベルが、参照平面を基準にして異なる構造深さを事前画定し、
   － 前記回折構造の配列は、第１の目標波長が前記周期的格子構造プロファイルによって回折される赤外線波長範囲の第１の目標波長λ₁のまわりの波長範囲が、前記第１の目標波長λ₁の少なくとも０次および／または±１次の回折で、互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分を有するようなものであり、
   － 前記回折構造レベル（Ｎ₁～Ｎ₃；Ｎ₁～Ｎ₄；Ｎ₁～Ｎ₅）が、周期走行方向（ｘ）に沿って規則的に繰り返される前記周期的格子構造プロファイルの格子周期（ｐ）のトポグラフィーを事前画定し、
   － 前記回折構造レベル（Ｎ₁～Ｎ₃；Ｎ₁～Ｎ₄；Ｎ₁～Ｎ₅）が、
   －－ ゼロの参照高さに対応するニュートラル回折構造レベル（Ｎ₂）と、
   －－ 前記ニュートラル回折構造レベル（Ｎ₂）を基準にしてλ₁／４±２０％の光路長だけ高く配列された正回折構造レベル（Ｎ₁）と、
   －－ 前記ニュートラル回折構造レベル（Ｎ₂）を基準にしてλ₁／４±２０％の光路長だけ低く配列された負回折構造レベル（Ｎ₃；Ｎ₃，Ｎ₄；Ｎ₃，Ｎ₄，Ｎ₅）と
   を含む、光回折構成要素。
2. 前記周期的格子構造プロファイルの格子周期が、前記回折構造レベルの４つの周期セクションに細分され、前記４つの周期セクションのうちの２つが、前記ニュートラル回折構造レベル（Ｎ₂）を有するニュートラル回折構造セクションとして具現化され、前記４つの格子周期セクションのうちの１つが、前記正回折構造レベルを有する正回折構造セクション（Ｎ₁）として具現化され、前記４つの周期セクションのうちの１つが、前記負回折構造レベルを有する負回折構造セクション（Ｎ₃）として具現化されることを特徴とする請求項１に記載の光回折構成要素。
3. 前記４つの周期セクションが、前記周期走行方向（ｘ）に沿って同じ長さ（ｘ_N）±２０％を有する
   ことを特徴とする請求項２に記載の光回折構成要素。
4. 前記４つの周期セクションの以下のシーケンス、すなわち、正回折構造レベル（Ｎ₁）、ニュートラル回折構造レベル（Ｎ₂）、負回折構造レベル（Ｎ₃）、ニュートラル回折構造レベル（Ｎ₂）を特徴とする請求項２または３に記載の光回折構成要素。
5. 前記回折構造の前記配列は、前記周期的格子構造プロファイルによって回折される前記赤外線波長範囲の前記第１の目標波長λ₁を含む目標波長範囲が、前記第１の目標波長λ₁の少なくとも前記０次および／または±１次の回折で、互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分を有するようなものであり、前記目標波長範囲が、前記第１の目標波長λ₁に加えて、それと異なる第２の目標波長λ₂をさらに含み、前記回折構造の前記配列は、前記周期的格子構造プロファイルによって回折される前記赤外線波長範囲の前記第２の目標波長λ₂のまわりの波長範囲が、前記第２の目標波長λ₂の少なくとも前記０次および／または±１次の回折で、互いに破壊的に干渉する少なくとも３つの異なる位相を有する放射線成分をさらに有するようなものであり、前記２つの目標波長λ₁およびλ₂に対して、（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²＜２０％が当てはまることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の光回折構成要素。
6. 破壊的干渉によって少なくとも１つの目標波長（λ_N）を抑制するための光回折構成要素（３４；４６；４７；５７；５８；５９；６０；６４；７１；７６；８０；８６；９１；９２；９３；９４；９５；１１７；１１８；１１９；１２０；１２１）であって、
   － 参照平面を基準にして異なる構造深さ（ｄ_i）を事前画定する少なくとも３つの回折構造レベル（Ｎ_i）を含み、
   － 前記３つの回折構造レベル（Ｎ_i）が、少なくとも２つの回折構造グループ（３５，３６；６１，６２；６５，６６；７２，７３；７７，７８，７９；８１，８２，８３；８７，８８，８９；Ｎ₁，Ｎ₂；Ｎ₂，Ｎ₃；Ｎ₃，Ｎ₁；Ｎ_n，Ｎ_n+1）に割り当て可能であり、
   － 前記回折構造グループのうちの第１のもの（３５；６１；６５；７２；７７；８１；８７；Ｎ_n，Ｎ_n+1）が、０次の回折で第１の目標波長λ₁を抑制するために具現化され、
   － 前記回折構造グループのうちの第２のもの（３６；６２；６６；７３；７８；８２；８８；Ｎ_n+1，Ｎ_n+2）が、前記０次の回折で第２の目標波長λ₁を抑制するために具現化され、
   － 前記２つの目標波長λ₁およびλ₂に対して、（λ₁－λ₂）²／（λ₁＋λ₂）²＜２０％が当てはまり、
   － 前記回折構造レベル（Ｎ_i）のトポグラフィーが、２つのバイナリ回折構造グループ（３５，３６；６１，６２；６５，６６；７２，７３；７７，７８，７９；８１，８２，８３；８７，８８，８９）の重ね合わせとして記述され得るものであり、
   － 前記バイナリ回折構造グループの各々が、
   －－ 第１の構造深さを有する第１の表面セクション（６１_P；６２_P）と、
   －－ 第２の構造深さを有し、走行方向（ｘ）に沿って前記第１の表面セクション（６１_P、６１_N）と交互になる第２の表面セクション（６１_N；６２_N）と、
   を有し、
   － 前記バイナリ回折構造グループ（３５，３６；６１，６２；６５，６６；７２，７３；７７，７８，７９；８１，８２，８３；８７，８８，８９；Ｎ₁，Ｎ₂；Ｎ₂，Ｎ₃；Ｎ₃，Ｎ₁；Ｎ_n，Ｎ_n+1）の各々の隣接する表面セクション（６１_P，６１_N；６２_P，６２_N）間の境界領域（Ｎ₃／Ｎ₁，Ｎ₂／Ｎ₄，Ｎ₄／Ｎ₃，Ｎ₁／Ｎ₂）が、直線状コースを有し、
   －－ 前記２つのバイナリ回折構造グループ（３５，３６；６１，６２；６５，６６；７２，７３；７７，７８，７９；８１，８２，８３；８７，８８，８９；Ｎ₁，Ｎ₂；Ｎ₂，Ｎ₃；Ｎ₃，Ｎ₁；Ｎ_n，Ｎ_n+1）のうちの前記第１のものの第１の境界領域（Ｎ₃／Ｎ₁，Ｎ₂／Ｎ₄）、および
   －－ 前記２つのバイナリ回折構造グループ（３５，３６；６１，６２；６５，６６；７２，７３；７７，７８，７９；８１，８２，８３；８７，８８，８９；Ｎ₁，Ｎ₂；Ｎ₂，Ｎ₃；Ｎ₃，Ｎ₁；Ｎ_n，Ｎ_n+1）のうちの前記第２のものの第２の境界領域（Ｎ₄／Ｎ₃，Ｎ₁／Ｎ₂）が、
   －－ せいぜいそれらの直線状コースのセクションに沿って互いに重ね合わされる、光回折構成要素。
7. 前記２つのバイナリ回折構造グループ（６１，６２；６５，６６；７２，７３；７７，７８，７９；８１，８２，８３；８７，８８，８９；Ｎ₁，Ｎ₂；Ｎ₂，Ｎ₃；Ｎ₃，Ｎ₁；Ｎ_n，Ｎ_n+1）のうちの前記第１のものの前記第１の境界領域（Ｎ₃／Ｎ₁，Ｎ₂／Ｎ₄）および前記２つのバイナリ回折構造グループ（６１，６２；６５，６６；７２，７３；７７，７８，７９；８１，８２，８３；８７，８８，８９；Ｎ₁，Ｎ₂；Ｎ₂，Ｎ₃；Ｎ₃，Ｎ₁；Ｎ_n，Ｎ_n+1）のうちの前記第２のものの前記第２の境界領域（Ｎ₄／Ｎ₃，Ｎ₁／Ｎ₂）が、互いに完全に別個に延びることを特徴とする請求項１に記載の光回折構成要素。
8. 前記回折構造グループのうちの第１のもの（３５；６１；６５；７２；７７；８１；８７）が、第１の回折格子として具現化され、前記第１の回折格子が、格子表面（３３）に配列され、
   －－ 第１の格子周期（ｐｈ；ｐ₁）を有し、
   －－ 第１の回折正構造（３７）と第１の回折負構造（３８）との間の、これらの第１の構造（３７，３８）をそれぞれ囲む前記格子表面（３３）の表面セクションに対して垂直な光路差として測定される第１の構造深さ（ｄｈ；ｄ₁）を有し、
   － 前記回折構造グループのうちの第２のもの（３６；６２；６６；７３；７８；８２；８８）が、第２の回折格子として具現化され、前記第２の回折格子が、前記格子表面（３３）に配列され、
   －－ 第２の格子周期（ｐｖ；ｐ₂）を有し、
   －－ 第２の回折正構造（４０）と第２の回折負構造（４１）との間の、これらの第２の構造（４０，４１）をそれぞれ囲む前記格子表面（３３）の表面セクションに対して垂直な光路差として測定される第２の構造深さ（ｄｖ；ｄ₂）を有することを特徴とする請求項１または２に記載の光回折構成要素。
9. － 前記第１の格子周期（ｐｈ）が、前記第１の回折格子（３５）の第１の周期走行方向（３９）に沿って延び、
   － 前記第２の格子周期（ｐｖ）が、前記第２の回折格子（３６）の第２の周期走行方向（４２）に沿って延び、
   － 前記２つの周期走行方向（３９，４２）が、互いに平行に延びないことを特徴とする請求項３に記載の光回折構成要素。
10. 前記格子表面（３３）に配列された少なくとも１つのさらなる回折格子（４８）であり、
    － さらなる回折正構造（４９）およびさらなる回折負構造（５０）を有し、前記さらなる回折負構造（５０）の表面積に対する前記さらなる回折正構造（４９）の表面積の表面積比が０．９と１．１との間の範囲にあり、
    － さらなる格子周期（ｐｄ）を有し、
    － 前記さらなる回折正構造（４９）と前記さらなる回折負構造（５０）との間の、これらのさらなる構造（４９，５０）をそれぞれ囲む前記格子表面（３３）の表面セクションに対して垂直な光路差として測定されるさらなる構造深さ（ｄｄ）を有する、
    少なくとも１つのさらなる回折格子（４８）を特徴とする請求項３または４に記載の光回折構成要素。
11. － １０よりも大きい、前記さらなる格子周期（ｐｄ）と前記さらなる構造深さ（ｄｄ）との間の比（ｐｄ／ｄｄ）、および／または
    － ０．９と１．１との間の範囲の、前記さらなる格子周期（ｐｄ）に対する前記第１の格子周期（ｐｈ）の周期比（ｐｈ／ｐｄ）、および／または
    －－ 前記第１の格子周期（ｐｈ）が、前記第１の回折格子（３５）の第１の周期走行方向（３９）に沿って延び、
    －－ 前記さらなる格子周期（ｐｄ）が、前記さらなる回折格子（４８）のさらなる周期走行方向（５１）に沿って延び、
    －－ 前記２つの周期走行方向（３９，５１）が、互いに平行に延びないことを特徴とする請求項５に記載の光回折構成要素。
12. 前記様々な回折構造グループ（３５，３６，４８）の前記回折正構造（３７，４０，４９）および前記回折負構造（３８，４１，５０）の前記表面区域が、前記格子表面（３３）全体に等しく寄与することを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の光回折構成要素。
13. 請求項１～１２のいずれかに記載の光回折構成要素（３４；４６；４７；５７；５８；５９；６０；６４；７１；７６；８０；８６；９１；９２；９３；９４；９５；１１７；１１８；１１９；１２０；１２１）を含む、投影露光装置で使用するためのコレクタ（２４）。
14. 請求項１～１２のいずれかに記載の光回折構成要素（３４；４６；４７；５７；５８；５９；６０；６４；７１；７６；８０；８６；９１；９２；９３；９４；９５；１１７；１１８；１１９；１２０；１２１）を含む、ＥＵＶ投影露光装置で使用するためのＥＵＶコレクタとして具現化される、請求項１３に記載のコレクタ。
15. 前記コレクタミラーが、放射線（３）を焦点領域（２６）の方に導くように具現化され、前記光回折構成要素が、前記少なくとも１つの目標波長の前記放射線（３０）を前記焦点領域（２６）から離れたところに導くように具現化されることを特徴とする請求項１３または１４に記載のコレクタ。
16. 請求項１３～１５のいずれかに記載のコレクタ（２４）を含み、結像されるべき物体（１０）を配列することができる物体視野（４）を照明するための照明光学ユニット（６）を含む照明系。
17. 請求項１６に記載の照明系を含み、基板（１１）が配列され得るものであり、結像されるべき物体（１０）のセクションが結像され得る像視野（８）に前記物体視野（４）を結像するための投影光学ユニット（７）を含む光学系。
18. 請求項１７に記載の光学系を含み、光源（２）を含む投影露光装置（１）。
19. 前記光源（２）が、ＥＵＶ光源として具現化され、ＥＵＶ波長を発生するプラズマを生成するためにポンプ光源を含み、前記ポンプ光源が、プレパルス光波長を有するプレパルスを生成するために、および主パルス光波長を有する主パルスを生成するために具現化され、前記プレパルス光波長が前記主パルス光波長と異なることを特徴とする請求項１８に記載の投影露光装置（１）。
20. 構造化構成要素を生成するための方法であって、以下の方法ステップ、すなわち、
    － レチクル（１０）およびウェハ（１１）を用意するステップと、
    － 請求項１８または１９に記載の前記投影露光装置の助けによって、前記レチクル（１０）の構造を前記ウェハ（１１）の感光層上に投影するステップと、
    － 前記ウェハ（１１）にミクロ構造および／またはナノ構造を生成するステップと
    を含む、方法。
21. 請求項２０に記載の方法に従って生成される構造化構成要素。
22. 請求項１～１２のいずれかに記載の光回折構成要素を生成するための方法であって、以下のステップ、すなわち、
    － 基板を用意するステップと、
    － エッチング媒体のために前記基板と源との間に配列される、エッチング媒体を通さないマスク領域（１１３，１１５；１２８，１２９，１３２，１３３；１３８，１３９，１４２，１４３；１４９，１５０，１５３；１５８，１５９，１６２）を有し、介在マスク間隙（１１４，１１６；１３０，１３１，１３４，１３５；１４０，１４１，１４４，１４５；１５１，１５２，１５４；１６０，１６１，１６３）を有する少なくとも１つのマスク構造（１０５，１０６；１１１，１１２；１２６，１２７；１３６，１３７；１４７，１４８；１５６，１５７）を用意するステップと、
    － 前記エッチング媒体によって前記基板の第１のエッチングを行うステップと、
    － 前記マスク構造（１１１；１２６；１３６；１４７；１５６）をさらなるマスク構造（１１２；１２７；１３７；１４８；１５７）と交換する、および／または前記走行方向（ｘ）に沿って前記マスク構造（１０５；１２６）を変位させるステップと、
    － 前記エッチング媒体によって前記基板の第２のエッチングを行うステップと
    を含む、方法。

Images