JP4238186B2 - ミラー及びミラーを備えたリソグラフィック装置 - Google Patents

Description

本発明は、鏡映表面を有するミラーに関する。本発明は、さらに、
−投影放射ビームを供給するための放射システムと、
−投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−鏡映表面を個々に有する１つ又は複数のミラーと
を備えたリソグラフィック投影装置に関する。また、本発明は、このようなリソグラフィック装置を使用したデバイス製造方法及びこのような方法又は装置を使用して製造されたデバイスに関する。

リソグラフィック装置では、基板上に画像化することができるフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって制限されている。デバイス密度がより高く、したがって動作速度がより速い集積回路を製造するためには、より小さいフィーチャを画像化することができることが望ましい。現在使用されているほとんどのリソグラフィック投影装置には、水銀灯又はエキシマ・レーザによって生成される紫外光が使用されているが、より短い波長放射、たとえば約１３ｎｍの波長放射の使用が提案されている。このような放射は、極紫外線（ＥＵＶ）又は軟ｘ線と呼ばれ、可能な放射源には、たとえばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源或いは電子ストレイジ・リングからのシンクロトロン放射がある。

極紫外線源、特にプラズマ源の中には、広範囲の周波数に渡って放射線を放出するものがあり、これらの放射線には、赤外線（ＩＲ）、可視光（ＶＩＳ）、紫外線（ＵＶ）及び遠紫外線なども含まれている。望ましくないこれらの周波数が伝搬し、照明及び投影システムにおける加熱の問題をもたらし、また、ブロックされていない場合、レジストの不要な露光の原因になっている。照明及び投影システムの多層膜反射鏡が、所望の波長、たとえば１３ｎｍの波長の反射に対して最適化されている場合であっても、それらは光学的にフラットであり、ＩＲ、可視光及びＵＶ波長に対して極めて高い反射率を有している。したがって、比較的狭い周波数帯域の投影ビームを放射源から選択する必要がある。放射源が比較的狭い輝線を有している場合であっても、その輝線からの、とりわけより長い波長の放射を阻止しなければならない。この機能を実行するためのフィルタとして薄膜の使用が提案されているが、このような膜は極めて華奢であり、また、非常に熱くなる、たとえば２００〜３００℃又はそれ以上になるため、高い熱応力及びクラックの原因になり、また、リソグラフィック投影装置に必要な高出力レベルにおける昇華及び酸化の原因になっている。また、通常、所望する放射の少なくとも５０％が膜フィルタによって吸収される。

リソグラフィック投影装置の放射システムに回折格子スペクトル・フィルタを使用したリソグラフィック投影装置がＥＰ１１９７８０３号に記述されている。この回折格子スペクトル・フィルタは、投影ビームを形成するべく所望する波長の放射を通過させ、かつ、望ましくない波長の放射を偏向させるべく設計されている。回折格子スペクトル・フィルタは、所望する波長に対して１に近い複素屈折率を有する材料で実質的に形成されており、シリコン突起を備えている。シリコン突起は、積層鋸歯プロファイル又は積層方形波プロファイル（それぞれＥＰ１１９７８０３号の図３及び４）を有しており、鏡映表面を有するミラーの上に存在している。

回折をもたらす回折格子周期を持たせるべくエッチングが施されたミラー基板上の回折格子構造、及び回折格子構造上に付着された多層被覆がＵＳ２００３／００５８５２９ Ａ１号に開示されている。また、一連のランプからなるブレーズド格子がＵＳ６４６９８２７ Ｂ１号に開示されている。一実施例では、ブレーズド格子は、ブレーズド格子上への反射型多層膜、たとえばＳｉ層とＭｏ層が交番する層の付着に先立って基板上に構築されている。

欠点は、ＳｉによるＩＲ放射の阻止が極めて劣悪であることであり、したがって本発明の目的は、リソグラフィック投影装置に使用することができる光フィルタとして使用することができる、広帯域源からＥＵＶ放射を選択し、かつ／又は望ましくない周波数を阻止し、また、たとえばＩＲ放射をより効率的に阻止するための改良型ミラーを提供することである。

本発明によれば、冒頭の段落に記載した、鏡映表面が第１の材料からなる１つ又は複数の第１の突起と、第２の材料からなる１つ又は複数の第２の突起を備えたミラーが提供される。第１及び第２の材料は同じではない。このようなミラーを、たとえば垂直入射ミラーとして、或いはグレージング入射ミラーとして使用することにより、所望の波長を反射し、かつ、望ましくない波長を阻止することができる。これは、たとえば積層突起プロファイルが存在し、突起を介して伝搬する放射の可能光路長差を補償する必要がある場合に有利である。したがって、本発明は、また、第１及び第２の突起を備えた鏡映表面を有するミラーを備えた実施例からなっている。この第１の突起及び第２の突起は、鏡映表面上で変化しない光路長差が所望する放射に対して生成されるように配列されている。これは、鏡映表面上の光路長差がゼロであるか、或いは波長の整数倍でのみ変化することを意味している。積層突起プロファイルはブレーズド格子を形成することができ、かつ／又は所望の波長に対して最適化することができる。また、突起の材料には、所望の波長に対して透明な材料或いは実質的に透明な材料を使用することができる。

したがって、特定の実施例では、本発明は、また、第１の材料からなる１つ又は複数の第１の突起と、第２の材料からなる１つ又は複数の第２の突起を備えた鏡映表面を有するミラーからなっている。第１及び第２の突起の材料は同じではなく、また、第１及び第２の材料は、所望する放射に対して実質的に透明である。突起は、回折格子を形成するべく配列されている。たとえば材料（屈折率）、高さ及び／又は形状、第１の突起と第２の突起の距離（周期）、及びミラーに入射する投影ビームの特定の角度を選択することにより、所望の放射を反射し、かつ、所望する１つ又は複数の波長の伝搬放射の光路長差が鏡映表面上で変化しないよう、異なる材料によって光路長差を修正するミラーを得ることができる。他の実施例では、この回折格子はブレーズド格子である。

特定の実施例では、鏡映表面が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第１の材料からなる１つ又は複数の第１の突起と、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第２の材料からなる１つ又は複数の第２の突起を備えたミラーが提供される。第１及び第２の材料は同じではない。このようなミラーは、一条の放射線から所望のＥＵＶ波長を選択し、かつ、ＵＶ、可視光或いはＩＲのような望ましくない波長の放射線を偏向させ、或いは吸収する場合に有利である。

一実施例では、これらの（第１及び第２の）材料は、たとえば約１３．５ｎｍのＥＵＶ放射に対して実質的に透明である。これらの材料は、様々な方法で配列することができ、たとえば鋸歯プロファイルのように異なる材料を互いに積み重ねて配列することができ、或いはブロック・プロファイルのように材料を互いに隣り合わせて配列することができる。上で言及したように、特定の角度の下で、異なる材料によって誘発される移相の合計が、透過させるべき放射に対してすべての位置において同じ（又は実質的に同じ）になるよう、高さが異なる材料を選択することができる。したがって、本発明は、また、第１及び第２の突起を備えた鏡映表面を有するミラーを備えた実施例からなっている。この第１の突起及び第２の突起は、鏡映表面上で変化しない光路長差がＥＵＶ放射に対して生成されるように配列されている。

一実施例では、材料は、Ｓｉ、Ｂｅ及びＺｒのうちの少なくとも１つから選択されている。他の実施例では、第１の突起の材料又は第２の突起の材料は、Ｓｉ、Ｂｅ及びＺｒのうちの少なくとも１つから選択されている。本発明のさらに他の実施例では、第１及び第２の突起の材料は、たとえばＭｏとＳｉのように比較的大きい屈折率差を有している。

一実施例では、本発明によるミラーは、さらに、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第１の材料からなる１つ又は複数の第１の突起と、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第２の材料からなる１つ又は複数の第２の突起を備えた少なくとも１つの鏡映表面を有するミラーとして記述することができる。第１及び第２の材料は同じではなく、第１の突起及び第２の突起は異なる材料からなっている。突起は、ａ）第１及び第２の突起が相俟って特定の周期の１つの突起を形成するように第１及び第２の突起が配列される鋸歯プロファイルか、或いはｂ）互いに隣り合わせに配列された第１及び第２の突起が相俟って特定の周期の２つの異なる突起を形成する方形波プロファイルのいずれかを有している。有利なことには、特定の角度の投影ビームの下で、異なる材料によって誘発される移相の合計が、透過させるべき放射に対してすべての位置において同じ（又は実質的に同じ）である。したがって、第１の突起及び第２の突起は、鏡映表面上で変化しない光路長差がＥＵＶ放射に対して生成されるように配列されている。

一実施例では、本発明によるミラーは、さらに、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第１の材料からなる１つ又は複数の第１の突起と、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第２の材料からなる１つ又は複数の第２の突起を備えた少なくとも１つの鏡映表面を有するミラーとして記述することができる。第１及び第２の材料は同じではない。第１及び第２の突起は一定の周期を有しており、この周期内において、たとえば特定の角度の投影ビームの下で、異なる材料によって誘発される移相の合計が、透過させるべき放射に対してすべての位置において同じ（又は実質的に同じ）になるよう、材料の構成、たとえば勾配が異なっている。したがって、第１の突起及び第２の突起は、鏡映表面上で変化しない光路長差がＥＵＶ放射に対して生成されるように配列されている。

一実施例では、本発明は、放射ビームがミラーに放射されると、放射ビームの所望の波長を通過させ、かつ、望ましくない波長を他の方向に偏向させ、かつ／又は吸収するように突起が配列されたミラーを対象としている。他の実施例では、本発明は、放射ビームがミラーに入射すると、放射ビームの所望の波長を所定の方向に通過させ、かつ、望ましくない波長を他の方向に偏向させ、かつ／又は吸収するように突起が配列されたミラーを対象としている。

本発明の他の態様では、冒頭の段落に記載した、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第１の材料からなる１つ又は複数の第１の突起と、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第２の材料からなる１つ又は複数の第２の突起を備えた少なくとも１つの鏡映表面を特徴とするリソグラフィック投影装置が提供される。第１及び第２の材料は同じではない。このようなミラーを備えたリソグラフィック装置の利点は、このミラーを使用することにより、望ましくない波長を有するより多くの放射或いは望ましくない波長を有するより広いスペクトルの放射を阻止することができることである。

一実施例では、本発明は、１つ又は複数のミラーが、放射システムの近傍、たとえば放射源の後段に配置された放射コレクタの表面上或いはグレージング入射ミラー上若しくは多層膜反射鏡上に配置されたリソグラフィック装置からなっている。

また、本発明は、１つ又は複数のこのようなミラーを使用した方法からなっている。他の実施例では、本発明は、入射角が０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの第１の突起及び１つの第２の突起のみを通過するように、１つ又は複数のミラーが提供される方法からなっている。他の実施例では、鏡映表面上で変化しない光路長差がＥＵＶ放射に対して生成されるように、第１の突起及び第２の突起が配列されている。これは、投影ビーム中の所望の放射の可能光路長差がゼロであるか、或いは波長の整数倍であることを意味している。さらに他の実施例では、入射角が６０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの第１の突起及び１つの第２の突起のみを通過するように突起が配列されている。特性角度は、グレージング入射（ＧＩ）ミラーの場合、たとえば約７５°と８５°の間である。

本発明の次の態様によれば、冒頭の段落に記載した、鏡映表面が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された材料からなる１つ又は複数の突起を備えたことを特徴とするミラーが提供される。

本発明の他の態様によれば、冒頭の段落に記載した、少なくとも１つのミラーが本発明によるミラー、すなわちＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された材料からなる１つ又は複数の突起を備えた鏡映表面を有するミラーからなることを特徴とするリソグラフィック投影装置が提供される。また、材料の組合せを選択することができ、ＥＵＶ放射に対して透過性の他の材料を選択することも可能である。

このようなミラー又はこのような装置の利点は、たとえば特定の角度でＥＵＶ放射がミラーで反射すると、所望のＥＵＶ放射のみがこの角度で反射し、かつ、望ましくない放射、たとえばＩＲ放射が上で言及した材料によって吸収又は実質的に吸収され、かつ／又は他の方向へ偏向又は屈折することである。

本発明の一実施例では、ミラーは、一定のパターンで配列された突起を備えた鏡映表面を有している。この鏡映表面は、たとえば、突起が（ブレーズド）格子、たとえば一次元回折格子（たとえば積層配列線すなわち鋸歯プロファイル）或いは二次元回折格子（たとえば正則配列立方体）を形成するべく配列された鏡映表面であっても良い。したがって、本発明は、また、突起が（ブレーズド）格子プロファイルを形成するべく配列された鏡映表面を有するミラーからなっている。

他の実施例では、本発明は、ミラーがグレージング入射ミラーであるミラー（鏡映表面を有している）、或いはミラーがたとえばＥＰ １１９７８０３号に記載されているような多層膜反射鏡であるミラーからなっている。

本発明の一実施例では、入射角が０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの突起のみを通過するように突起が配列されており、それにより所望する放射の損失が最小になり、一方、望ましくない波長の放射は、突起によってこの放射が吸収、屈折或いは偏向されるため、実質的に阻止される。特性角度は、グレージング入射（ＧＩ）ミラーの場合、たとえば約７５°と８５°の間である。入射角は、鏡映表面の法線に対して測定される。さらに他の実施例では、入射角が６０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの突起のみを通過するように突起が配列されている。

他の実施例では、入射角が０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの突起のみを通過するように突起が配列されており、一定の長さ及び周期を有する突起が、突起の長さ≪突起の周期になるように配列されている（突起の長さは、突起の周期より実質的に短くなっている）。たとえば、突起の長さ：周期の比率は、たとえば１：５（周期は突起の長さの５倍）に等しいか若しくはそれより小さく、或いは１：１０に等しいか若しくはそれより小さく、さらには１：２０に等しいか若しくはそれより小さい。この方法によれば、突起の頂部表面における所望する放射の可能回折損失が最小化され、また、投影ビームは正確に１つの突起のみを通過させることができる。

他の実施例では、本発明は、１つ又は複数のミラーが、放射システムの近傍、たとえば放射源の後段に配置された放射コレクタの表面上或いはグレージング入射ミラー上若しくは多層膜反射鏡上に配置されたリソグラフィック装置からなっている。

本発明の他の態様によれば、
−少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
−放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面をパターン化するためのパターン化手段を使用するステップと、
−鏡映表面を個々に有する１つ又は複数のミラーを提供するステップと
を含み、本発明によるミラー、すなわちＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された材料からなる１つ又は複数の突起を備えた鏡映表面を有するミラーからなるミラーの少なくとも１つに投影ビーム（ＰＢ）を提供するステップを特徴とするデバイス製造方法が提供される。

この方法の利点は、たとえば特定の角度で放射がミラーで反射すると、所望の放射のみがこの角度で反射し、かつ、望ましくない放射、たとえばＩＲ放射が上で言及した材料によって吸収され、かつ／又は他の方向へ反射又は屈折することである。この利点により、たとえば放射線感応材料層上における投影ビームの空間解像度に関してより良好な結果が得られる。他の利点は、ＥＰ １１９７８０３号の場合がそうであるように、突起を構築している材料が、１（ＥＵＶ放射の場合Ｓｉ）に近いＥＵＶ放射（たとえば約１３ｎｍ）の屈折率の実数部を有する材料に限定されないことである。ＥＰ １１９７８０３号の場合、突起が目に見えないこと、つまり真空から突起中（この逆についても同様）への屈折率の変化が存在しないことが必要であり、したがって突起の屈折率は１に近い屈折率でなければならない。

本発明の他の態様によれば、本発明による方法に従って製造されたデバイス、或いは本発明による装置を使用して製造されたデバイスが提供される。

本発明においては、鏡映表面に存在している「突起」は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料からなる鏡映表面から展開した構造として定義されている。鏡映表面が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第１の材料からなる１つ又は複数の第１の突起と、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第２の材料からなる１つ又は複数の第２の突起を備えている場合、鏡映表面に存在している「突起」は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択される材料からなる鏡映表面から展開した構造として定義される。これらの突起は、たとえばリソグラフィック技法を使用して構築することができる。このような技法を使用することにより、上部表面が極めて良好な表面粗さに研磨され、フォトレジスト・パターンによって画定されたランドを使用して溝がエッチングされる。この方法によれば、たとえば積層ブロック或いは積層鋸歯などの特定のプロファイルが得られる。プロファイルは、ダイヤモンド工具を使用して（第１の）材料層に罫線を引く（線を罫書く）ことによっても提供することができる。

突起は、１つの材料で構成することができるが、たとえばＳｉＣ、Ｂ_４Ｃ等、材料を組み合わせて構成することも可能である。したがって「第１及び第２の材料は同じではない」という表現には、たとえば積層方形波プロファイル（２つの突起が１つの周期を形成している）の場合、互いに隣り合う２つの突起が異なる材料で構成されている、という意味が含まれており、たとえば高さが異なるＭｏ突起とＳｉ突起で構成されていることを意味している。また、たとえば互いに重なり合った２つの突起が相俟って１つの周期を形成している積層鋸歯プロファイルの場合、この表現には、一方（第１）の突起がたとえばＭｏからなり、もう一方（第２）の突起がＳｉからなっている、という意味が含まれている。この表現には、さらに、第１及び第２の突起が異なる組成からなっている（従って異なる移相及び光路長を誘発している）、という意味が含まれており、たとえば第１の突起がＳｉからなり、第２の突起がＳｉＣからなっていることを意味している。また、この表現には、当分野の技術者には理解されるように、突起が異なり、かつ、異なる組成から構成されるよう、いずれもたとえばＳｉ層及びＭｏ層からなり、かつ、層の高さが異なる第１及び第２の突起が含まれている。

突起には、突起が（反射）表面に積層配列された鋸歯プロファイルを有する積層鋸歯プロファイルを持たせることができる。このプロファイルは、特定の本数の平行線を備えた（ブレーズド）一次元格子を形成するべく配列することができる（積層鋸歯突起）。また、突起には、突起が（反射）表面に積層配列された正方形又は長方形の構造を有する積層方形波プロファイルを持たせることができる。このプロファイルは、特定の本数の平行線を備えた一次元回折格子を形成するべく配列することができる（積層方形波突起）。

また、突起は、周期的に２方向に配列することもできる。たとえば、周期的に構造化された鋸歯プロファイルを突起に持たせ、一方の方向に鋸歯プロファイルを有し、かつ、市松模様のように周期的に配列された立方体又は長方形の突起にすることができる。このプロファイルは、周期的に配列された特定の数の構造を備えた（ブレーズド）二次元格子を形成するべく配列することができる（周期鋸歯突起）。２方向に周期的に配列されたプロファイルの他の実施例は、周期的に構造化された方形波プロファイルを備えた構造であり、たとえば、市松模様のように周期的に配列された立方体又は長方形の突起にすることができる。このプロファイルは、周期的に配列された特定の数の立方体又は長方形を備えた（ブレーズド）二次元格子を形成するべく配列することができる（周期方形波突起）。このような二次元プロファイルを使用する場合、突起は、当分野の技術者に知られているように（たとえばＵＳ ６４６９８２７号或いはＥ．Ｈｅｃｈｔ著「Ｏｐｔｉｃｓ」（第２版、４３０頁、段落１０．２．７））、ある種のブロック構造の鋸歯突起（自立型周期鋸歯突起）或いはブロック突起（立方体又は長方形の自立型周期方形波突起）に配列される。

一実施例では、第１及び第２の突起が、（反射）表面に積層配列された鋸歯プロファイルを有する積層鋸歯プロファイルを突起に持たせることができる。突起の周期は約１００ｎｍないし１０μｍ（第１及び第２の突起の周期が相俟って鋸歯プロファイルを形成している）であり、突起の高さは約５〜５００ｎｍ（第１の突起）である。他の実施例では、突起の高さは約１０〜１００ｎｍである。このプロファイルは、特定の本数の平行線を備えた（ブレーズド）一次元格子を形成するべく配列することができる（積層鋸歯突起）。ブレーズ角（すなわち第２の突起の高さ）は、特定の入射角、たとえば垂直入射における光路長が表面上で一定になるように（或いは波長の整数倍の量でのみ変化するように）選択することができる。

また、さらに他の実施例では、突起が、（反射）表面に積層配列された正方形又は長方形の構造を有する積層方形波プロファイルを突起に持たせることができる。突起の周期は約１００ｎｍないし１０μｍ（第１及び第２の突起の周期が相俟って方形波プロファイルを形成している）であり、突起の高さは約５〜５００ｎｍ（第１の突起）である。他の実施例では、突起の高さは約１０〜１００ｎｍである。第２の突起の高さは、特定の入射角、たとえば垂直入射における光路長が表面上で一定になるように（或いは波長の整数倍の量でのみ変化するように）選択することができる。方形波プロファイルは、特定の本数の平行線を備えた一次元回折格子を形成するべく配列することができる（積層方形波突起）。

このコンテキストにおける「透過性の」或いは「実質的に透過性の」という表現は、突起を介した透過率が少なくとも７０％であり、好ましくは少なくとも８０％、少なくとも９０％若しくは少なくとも９５％であり、より好ましくは９８％であることを意味している。また、このコンテキストにおける「吸収されない」或いは「実質的に吸収されない」という表現は、放射の吸収率が３０％未満であり、好ましくは２０％未満、１０％未満若しくは５％未満であり、より好ましくは２％未満であることを意味している。

「望ましくない放射」或いは「望ましくない波長」という表現は、使用を意図した波長より長い（或いは短い）波長を放射が有していることを意味している。たとえば、波長が約１３．５ｎｍのＥＵＶ放射が望ましい場合、波長が約１０ｎｍより短い放射或いは約２０ｎｍより長い放射は、望ましくない放射である。他の実施例では、波長が約１３．５ｎｍのＥＵＶ放射が望ましい場合、波長が約１３ｎｍより短い放射或いは約１４ｎｍより長い放射は、望ましくない放射であり、したがって１３ｎｍと１４ｎｍの間の波長が望ましい波長である。本発明によるミラーを備えたリソグラフィック装置の場合、スペクトル分離が良好であるほど、良好な結果及び製品を得ることができる。本発明においては、「不要な波長を反射する」或いは「望ましくない波長を反射する」という表現若しくはそれと等価の表現は、不要な（すなわち望ましくない）波長を有する放射が反射されることを意味している。

本発明においては、「第１」及び「第２」の突起という突起の表現は、異なる材料の異なる突起を単に表したものに過ぎない。これらの用語は、特定の順序を意味したものではない。

「１つの突起を通過する」或いは「正確に１つの突起を通過する」という表現は、投影ビームの実質的にすべての放射、とりわけ所望の波長を有する放射が１つの突起を通過する状況を意味しているが、ビームの若干の発散のため、１つの突起（ただ１つの突起）を通過しない若干の放射が必ず存在している。放射が１つの第１の突起及び１つの第２の突起を通過する実施例の場合にも同じことが言える。

また、「〜のうちの少なくとも１つから選択された」という表現は、「〜からなるグループから選択された」という表現として理解されたい。また、このようなグループの材料の組合せが包含されているものとして理解されたい。

また、「０°と９０°の間の入射角」という表現が、入射角が０°より大きく、かつ、９０°より小さいことを意味していることは、当分野の技術者には理解されよう。

本明細書においては、本発明による装置の、とりわけＩＣの製造における使用が参照されているが、本発明による装置は、他の多くの可能アプリケーションを有していることを明確に理解されたい。たとえば、本発明による装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用することができる。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「レチクル」、「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「マスク」、「基板」及び「目標部分」という用語に置換されているものと見なすべきであることは、当分野の技術者には理解されよう。

本明細書においては、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（たとえば、波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの放射、或いは、適用可能な場合、さらに短い波長の放射）、とりわけ波長が２０ｎｍ未満の放射（ＥＵＶ放射）、より好ましくは約１３．５ｎｍの放射を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含するべく使用されている。

以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図中の対応する参照記号は、対応する部品を表している。

本明細書に使用されている「パターン化手段」という用語は、入射する放射ビームの断面を、基板の目標部分に生成すべきパターンに対応するパターンにパターン化するべく使用することができる手段を意味するものとして広義に解釈されたい。また、このコンテキストにおいては、「光バルブ」という用語を使用することが可能である。一般的には、前記パターンは、目標部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路又は他のデバイス（以下を参照されたい）中の特定の機能層に対応している。このようなパターン化手段の実施例には、
−マスク：マスクの概念についてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。このようなマスクを放射ビーム中に配置することにより、マスクに衝突する放射をマスク上のパターンに従って選択的に透過させ（透過型マスクの場合）、或いは選択的に反射させている（反射型マスクの場合）。マスクの場合、支持構造は、通常、入射する放射ビーム中の所望の位置に確実にマスクを保持することができ、かつ、必要に応じてマスクをビームに対して確実に移動させることができるマスク・テーブルである。
−プログラム可能ミラー・アレイ：粘弾性制御層及び反射型表面を有するマトリックス処理可能表面は、このようなデバイスの実施例の１つである。このような装置の基礎をなしている基本原理は、（たとえば）反射型表面の処理領域が入射光を回折光として反射し、一方、未処理領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス処理可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、或いは圧電駆動手段を使用することによって、１つの軸の周りに個々に傾斜させることができる。この場合も、微小ミラーは、入射する放射ビームを反射する方向が、処理済みミラーと未処理ミラーとでそれぞれ異なるようにマトリックス処理することが可能であり、この方法により、マトリックス処理可能ミラーの処理パターンに従って反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス処理は、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、パターン化手段は、１つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えている。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、たとえば、いずれも参照により本明細書に組み込まれている米国特許ＵＳ５，２９６，８９１号及びＵＳ５，５２３，１９３号、並びにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７号及びＷＯ９８／３３０９６号を参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、たとえば、必要に応じて固定又は移動させることができるフレーム又はテーブルとして具体化されている。
−プログラム可能ＬＣＤアレイ：参照により本明細書に組み込まれている米国特許ＵＳ５，２２９，８７２号に、このような構造の実施例の１つが記載されている。この場合の支持構造も、プログラム可能ミラー・アレイの場合と同様、たとえば、必要に応じて固定又は移動させることができるフレーム又はテーブルとして具体化されている。

分かり易くするために、本明細書の以下の特定の部分、とりわけ実施例の部分にはマスク及びマスク・テーブルが包含されているが、このような実施例の中で考察されている一般原理は、上で説明したパターン化手段のより広義のコンテキストの中で理解されたい。

リソグラフィック投影装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。このような場合、パターン化手段が、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成し、このパターンが、放射線感応材料（レジスト）の層で被覆された基板（シリコン・ウェハ）上の目標部分（たとえば１つ又は複数のダイからなる）に画像化されうる。通常、１枚のウェハには、投影システムを介して１つずつ順次照射される目標部分に隣接する回路網全体が含まれている。現在、マスク・テーブル上のマスクによるパターン化を使用した装置には２種類の装置がある。第１の種類のリソグラフィック投影装置では、マスク・パターン全体を１回の照射で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される。このような装置は、一般にウェハ・ステッパ又はステップ・アンド・リピート装置と呼ばれている。一般にステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれている代替装置では、マスク・パターンを投影ビームの下で所与の基準方向（「走査」方向）に連続的に走査し、かつ、基板テーブルを基準方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される。通常、投影システムは、倍率係数Ｍ（通常＜１）を有しているため、基板テーブルを走査する速度Ｖは、マスク・テーブルを走査する速度を係数Ｍ倍した速度になる。上で説明したリソグラフィック・デバイスに関する詳細な情報については、たとえば、参照により本明細書に組み込まれているＵＳ６，０４６，７９２号を参照されたい。

リソグラフィック投影装置を使用した製造プロセスでは、パターン（たとえばマスクのパターン）が、少なくとも一部が放射線感応材料（レジスト）の層で被覆された基板上に画像化される。この画像化ステップに先立って、プライミング、レジスト・コーティング及びソフト・ベークなどの様々な処理手順が基板に加えられる。放射線への露光後、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク及び画像化されたフィーチャの測定／検査などの他の処理手順が基板に加えられる。この一連の処理手順は、たとえばＩＣなどのデバイスの個々の層をパターン化するための基本として使用されている。次に、パターン化されたこのような層に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨等、様々な処理が施される。これらの処理はすべて個々の層の仕上げを意図したものである。複数の層を必要とする場合、すべての処理手順又はそれらの変形手順を新しい層の各々に対して繰り返さなければならないが、最終的にはデバイスのアレイが基板（ウェハ）上に出現する。これらのデバイスは、次に、ダイシング又はソーイングなどの技法を使用して互いに分割され、分割された個々のデバイスは、キャリアに実装し、或いはピンに接続することができる。このようなプロセスに関する詳細な情報については、たとえば、参照により本明細書に組み込まれている著書「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」（Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ著、第３版、ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．、１９９７年、ＩＳＢＮ ０−０７−０６７２５０−４）を参照されたい。

分かり易くするために、以下、投影システムを「レンズ」と呼ぶが、この用語には、たとえば、屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。また、放射システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための任意の設計タイプに従って動作するコンポーネントが含まれており、以下、このようなコンポーネントについても、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。また、リソグラフィック装置は、複数の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」デバイスの場合、追加テーブルが並列に使用されているか、或いは１つ又は複数の他のテーブルが露光のために使用されている間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップが実行されている。たとえば、いずれも参照により本明細書に組み込まれているＵＳ５，９６９，４４１号及びＷＯ９８／４０７９１号に、二重ステージ・リソグラフィック装置が記載されている。

「実施例１」
この実施例では、図１及び２を参照して、リソグラフィック装置についてその概要を説明し、また、図３及び４を参照して、本発明によるミラーの概要を説明する。

図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィック投影装置１を略図で示したものである。この装置は、
−投影放射ビームＰＢ（たとえば１５７ｎｍ放射）を供給するための放射システムＬＡ（放射源を備えている）、ビーム拡大器Ｅｘ及び照明システムＩＬと、
−マスクＭＡ（たとえばレチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備えた、アイテムＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の対物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
−基板Ｗ（たとえばレジスト被覆シリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダを備えた、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された第２の対物テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
−マスクＭＡの照射部分を基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば１つ又は複数のダイからなっている）に結像させるための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（たとえば屈折レンズ光学系、カタディオプトリック光学系又は反射光学系）とを備えている。

図に示すように、この装置は反射型（すなわち反射型マスクを有する）装置であるが、一般的にはたとえば透過型（透過型マスクを備えた）装置であっても良い。別法としては、この装置は、たとえば上で参照したプログラム可能ミラー・アレイ・タイプなど、他の種類のパターン化手段を使用することもできる。

放射源ＬＡ（たとえばＥＵＶエキシマ源若しくはプラズマ放電源）は放射ビームを生成している。この放射ビームは、照明システム（イルミネータ）ＩＬに直接供給され、或いは、たとえばビーム拡大器Ｅｘなどの調整手段を介して供給される。イルミネータＩＬは、ビーム内の強度分布の外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）を設定するための調整手段ＡＭを備えている。また、イルミネータＩＬは、通常、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなど、他の様々なコンポーネントを備えている。この方法により、マスクＭＡに衝突するビームＰＢの断面に、所望する一様な強度分布を持たせることができる。

図１に関して、放射源ＬＡをリソグラフィック投影装置のハウジング内に配置しかつ、リソグラフィック投影装置から離して配置することにより、放射源ＬＡが生成する放射ビームをリソグラフィック投影装置に供給する（たとえば適切な誘導ミラーを使用することによって）ことができることに留意されたい。この後者のシナリオは、放射源ＬＡがレーザである場合にしばしば見られるシナリオである。本発明及び特許請求の範囲には、これらのシナリオの両方が包含されている。

次に、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡによってビームＰＢが遮断される。マスクＭＡを通過したビームＰＢは、ビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させるレンズＰＬを通過する。第２の位置決め手段ＰＷ（及び干渉測定手段ＩＦ）を使用することにより、たとえば異なる目標部分ＣをビームＰＢの光路中に配置するべく、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭを使用して、たとえばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後、或いは走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、対物テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、図１には明確に示されていないが、長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されているが、ウェハ・ステッパ（ステップ・アンド・スキャン装置ではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータに接続するだけで良く、或いは固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。

図に示す装置は、２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは、基本的に静止状態に維持され、マスク画像全体が目標部分Ｃに１回の照射（すなわち単一「フラッシュ」で）投影される。次に、基板テーブルＷＴがｘ及び／又はｙ方向にシフトされ、異なる目標部分ＣがビームＰＢによって照射される。
２．走査モードでは、所与の目標部分Ｃが単一「フラッシュ」に露光されない点を除き、ステップ・モードと基本的に同じシナリオが適用される。走査モードでは、マスク・テーブルＭＴを所与の方向（いわゆる「走査方向」、たとえばｙ方向）に速度νで移動させることができるため、投影ビームＰＢでマスク画像を走査し、かつ、基板テーブルＷＴを同時に同じ方向若しくは逆方向に、速度Ｖ＝Ｍνで移動させることができる。ＭはレンズＰＬの倍率である（通常、Ｍ＝１／４若しくはＭ＝１／５）。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分Ｃを露光することができる。

放射源を備えた放射源ＬＡ、照明システムＩＬ及び投影システムＰＬは、排気又は投影ビームの放射に対して透明なガスが充填されたそれぞれのコンパートメント（「ボックス」）に収納されている。投影ビームは、異なるコンパートメント間をコンパートメント壁の開口を通して通過している。図２は、投影ビームＰＢを放射源ＬＡから照明システムＩＬに引き渡すための構造の実施例を、より詳細に示したものである。

図２は、放射システム３（すなわち「放射源−コレクタ・モジュール」）、照明システムＩＬ及び投影システムＰＬを備えた、図１に示すリソグラフィック投影装置１の一実施例を示したものである。放射システム３は、放射源ＬＡを備えている。放射源ＬＡには放電プラズマ源を使用することができる。放射源ＬＡは、Ｘｅガス又はＬｉ蒸気などのガス又は蒸気を使用することができ、これらのガス又は蒸気中で放射源の電極間を放電させ、電磁スペクトルのＥＵＶレンジで放射を放出させることにより、極めて熱いプラズマを生成することができる。この極めて熱いプラズマは、部分的にイオン化した電気放電のプラズマを光軸上に崩壊させることによって生成される。放射を有効に生成するためには、分圧が０．１ｍｂａｒのＸｅ、Ｌｉ蒸気又は適切な他の任意のガス若しくは蒸気が必要である。

キセノンを使用する場合、１３．５ｎｍ近辺のＥＵＶレンジでプラズマが放射される。放射源ＬＡによって放出された放射は、放射源チャンバ７から汚染物質バリア９へ供給される。汚染物質バリア９は、たとえば欧州特許出願第ＥＰ−Ａ−１ ０５７０７９号に詳細に記載されているようなチャネル構造からなっている。

放射システム３（すなわち「放射源−コレクタ・モジュール」）は、グレージング入射コレクタを使用して形成することができる放射コレクタ１０を備えている。放射コレクタ１０を通過した放射は、回折格子スペクトル・フィルタすなわちミラー１１で反射し、一定の開口のバーチャル・ソース・ポイント１２に集束する。投影ビームＰＢは、照明システムＩＬ内で、レチクルすなわちマスク・テーブルＭＴ上に置かれたレチクルすなわちマスク上に垂直入射反射器１３、１４を介して反射する。パターン化されたビーム１７が形成され、投影光学系システムＰＬ内で、反射エレメント１８、１９を介してウェハ・ステージすなわち基板テーブルＷＴ上に結像する。通常、照明システムＩＬ及び投影システムＰＬには、図に示す数より多いエレメントが存在している。

図２に示すミラーのうちの１つ又は複数のミラー、たとえば図２に示す、位置１１に位置しているスペクトル・フィルタすなわちミラー、放射コレクタ１０或いは垂直入射反射器１３、１４には、以下で説明するように、本発明によるミラーを使用することができ、また、たとえば、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、Ｕ及びＭｏのうちの少なくとも１つから選択された材料からなる鏡映表面に突起を備えた一次元プロファイルのような積層突起プロファイルを持たせることができる。

図３は、本発明によるミラーの一実施例を示したもので、ある種の積層鋸歯プロファイルが示されている。突起は、周期ｐ、長さ３８０、高さｈ及び角度ｂａを有している。図４は、積層方形波プロファイルを有する突起プロファイルを備えた他の実施例を示したもので、突起は、周期ｐ、長さ３８０及び高さｈを有している。参照符号Ｌは「ランド」を表し、Ｇは「溝」を表している。突起は、ミラー３００の鏡映表面に配列されている。

このようなミラー又はこのようなミラーを備えた装置の利点は、たとえば特定の角度でＥＵＶ放射がミラー３００で反射すると、所望のＥＵＶ放射のみがこの角度で反射し、かつ、望ましくない放射、たとえばＩＲ放射が上で言及した材料によって吸収され、かつ／又は他の方向へ偏向又は屈折することである。図４に示す実施例は、一例として示したものである。入射角αを有する投影ビームＰＢは、突起ＬＰ１（積層突起１）の表面を照射している。光の一部が反射し（図示せず）、また、光の一部若しくはすべての光が突起に入射することになる。突起はＥＵＶ放射に対して透過性であるため、このＥＵＶ放射は、吸収されることなく、或いは実質的に吸収されることなく伝搬し、一方、ＵＶ又はＩＲのような望ましくない波長の放射は、実質的に吸収される。投影ビームは、積層突起ＬＰ２で示す次の突起（第２の突起）に向かってさらに伝搬する。この突起ＬＰ２の（左側の）表面に到達すると、この場合も放射の一部が反射し（図示せず）、また、放射の一部が突起ＬＰ２を透過して伝搬する。また、この突起ＬＰ２は、ＥＵＶ放射と他の波長を有する放射を弁別することができる。投影ビームＰＢが位置３０５でミラー３００（たとえば多層膜反射鏡）の表面に到達すると、角度βで投影ビームＰＢが反射する（ミラー３００の表面で鏡面反射する場合、βはαであっても良い）。反射した投影ビームＰＢは、突起ＬＰ２及びＬＰ３を透過してさらに伝搬する。この方法によれば、本発明によるミラーで反射した後の投影ビームＰＢのＥＵＶ／非ＥＵＶ放射比率を、本発明によるミラーに入射する前の比率より大きくすることができる。図４に示す投影ビームＰＢの伝搬は、図４に示すような積層方形波プロファイルを形成している積層突起に代わって、積層鋸歯プロファイルが使用されている図３にも適用することができる。

投影ビームＰＢの屈折については、図３及び４（及び後述する図５及び９）には示されていないことに留意されたい。上で言及した比率は、ブレーズド格子すなわち最適化回折格子を使用することによってさらに改善することができる（実施例３を参照されたい）。上で言及した突起を備えたミラーは、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵがＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であり、かつ、ＥＵＶ放射以外の波長を有する放射に対しては実質的に透過性ではないため、たとえばＵＶ波長で最適化すなわちブレーズ化されている場合であっても、望ましくない波長（たとえばＩＲ）を阻止し、かつ、ＥＵＶ放射を透過させることができる。さらに、Ｓｉを含むこれらのすべての材料は、１３．５ｎｍ放射に対する１００ｎｍより長い吸収長を有している。また、突起は、たとえばＢ_４Ｃ或いはＳｉＣのように材料を組み合わせて構成することもできる。

この実施例のミラー３００上の突起は、主として、ＥＵＶ放射に対して透過性の光フィルタとして存在しており、また、可能回折格子すなわち回折構造は、投影ビームＰＢのＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、ＥＵＶ放射が突起に入射し、かつ、突起から出ていく際に、屈折率の差により、投影ビームＰＢのＥＵＶ放射に若干の回折損失が存在する。この回折損失は、他の実施例、たとえば実施例３、４及び７によって解決される。

「実施例２」
第２の実施例では、突起は、図５に示すように、入射角が０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの突起のみを通過するように配列され、或いは投影ビームＰＢの実質的にすべての部分が１つの突起のみを通過するように配列されている。

プロファイル（回折型プロファイルであっても、たとえば約１３．５ｎｍ若しくは他のＥＵＶ波長で最適化されたプロファイルであっても良い）は、放射ビームＰＢに含まれている所望の放射がプロファイルの１つの周期ｐのみを通過し、たとえば位置３０５でミラーすなわちミラー表面３００で反射するように構築されている。ミラー３００に対する投影ビームＰＢの入射角は、参照符号αで示され、突起の側面に対する投影ビームＰＢの入射角は、α’_１で示されている。入射角α’_１は、投影ビームＰＢの反射を最小にするべく小さい角度に維持されている。また、突起表面における望ましくない放射（波長がたとえばＥＵＶより長い放射、たとえばＵＶ、ＶＩＳ及びＩＲ）の反射が、所望する放射の方向とは別の方向に導かれるよう、ブレーズド格子の場合と同様、プロファイルの突起の上面に角度を付けることができる。突起の長さ３８０及び高さｈ、突起を配列している周期ｐ、及び入射角αは、投影ビームＰＢが１つの突起のみを通過するように選択することができる。

ミラー上のプロファイルは、ダイヤモンド工具を使用して罫線を引く（線を罫書く）ことによって生成される。また、正弦波構造のイオン・エッチングを施すことによってプロファイルを生成することも可能である。また、リソグラフィック技法を使用し、かつ、リソグラフィックに続いてイオン・エッチングを施すことにより、グレージング入射ミラー上にブロック・プロファイルを生成することも有力なオプションである。図５に示すプロファイルは、一実施例として示したものであり、ＥＵＶ放射が実質的に吸収されないこと（すなわち実質的に透過性であること）、及びＥＵＶ放射の回折が小さいこと（たとえば約３０％未満の回折であること）を条件として他のプロファイルも可能である。

図５は、積層方形波プロファイルの実施例を示したものであるが、この実施例は、また、積層鋸歯プロファイルを使用した構成、或いは周期的に構造化された鋸歯プロファイル若しくは周期的に構造化された方形波プロファイルを使用した構成を備えている。

積層鋸歯プロファイルを使用する場合、突起の長さ３８０及び高さｈ、突起を配列している周期ｐ、角度ｂａ及び入射角αは、投影ビームＰＢが１つの突起のみを通過するように選択することができる。

周期的に構造化されたプロファイルに対しても同様であるが、このような実施例の場合、二次元構造が形成されるため、周期ｐは２つの周期から構成されることになる。

また、この実施例は、突起の長さ３８０が周期ｐの１／２未満であるプロファイルを使用して構成することもできる（積層配列方形波プロファイルを示す図５は、これを示したものであるが、鋸歯プロファイル及び二次元プロファイルについても同様である）。

この実施例のミラー上の突起は、主として、ＥＵＶ放射に対して透過性の光フィルタとして存在している。

「実施例３」
第３の実施例では、図６及び７を参照して説明するように、突起のプロファイルが、所望の放射、たとえば１３．５ｎｍ若しくは他のＥＵＶ波長で最適化すなわちブレーズ化することができる回折格子を形成している。別法としては、他の波長、たとえばＵＶ、ＶＩＳ或いはＩＲ波長で回折格子を最適化すなわちブレーズ化することも可能である。

図６では、ブレーズド格子は、鋸歯プロファイルすなわち格子定数ｐが鋸歯の周期の長さ３８０に等しいミラー３００を有している。α及びβは、それぞれ放射ビームＰＢが表面の突起表面に到達する角度、及び突起表面で反射する角度である。これらの角度は、ミラーの表面に対して直角をなしている法線ｎに対して画定されている。ブレーズ角は、０番目の回折次数が望ましくない放射に対して最小になるように選択することができる。また、ブレーズ角は、所望する放射の回折効率が最大化されるように選択することができる。このような構造により、理論的には１００％の回折効率が可能である（たとえば、参照により本明細書に組み込まれているＥＰ １１９７８０３号を参照されたい）。突起の高さｈ及び長さ３８０が、１３．５ｎｍの透過効率を決定している。格子定数ｐは、図２の開口１２を通して透過する波長レンジを決定している（実施例１を参照されたい）。

ブレーズド格子の代替として、図７に示すタイプの積層回折格子を使用することができる。図７に示すように、積層回折格子は、格子定数ｐが方形波の１周期ｐに等しく、かつ、突起の長さ３８０の２倍に等しい方形波表面プロファイルを有している。このような回折格子は、たとえばリソグラフィック技法を使用して構築することができる。このような技法を使用することにより、上部表面が極めて良好な表面粗さに研磨され、フォトレジスト・パターンによって画定されたランドＬを使用して溝がエッチングされる。

望ましくない、より長い波長（所望するＥＵＶ放射の波長より長い波長）の放射を抽出するために、図７に示すような位相格子からなる回折格子構造がたとえばミラー３００に適用されている。回折格子は、回折格子の「ランド」Ｌで反射した光線と「溝」Ｇの部分で反射した光線の間の光路差（ＯＰＤ）が、所望する波長の整数倍の波長、つまり、
ＯＰＤ＝ｍ．λ_ｅｕｖ （１）
になるように配列されている。上式でｍは整数であり、λ_ｅｕｖは、所望する放射の波長、たとえば１３．５ｎｍである。他の放射（望ましくない放射）のＯＰＤに対しては、通常、式（１）は同時には成立しない。たとえばいくつかの波長に対しては、ＯＰＤは、望ましくない放射レンジにおける波長の整数倍＋１／２波長である（当分野で知られているように）。つまり、
ＯＰＤ＝（ｍ＋１／２）．λ_ｕｄ （２）
で与えられる。上式でｍは整数であり、λ_ｕｄは、望ましくない放射の波長である。

回折格子が所望の放射に対して透過性であるため、式（１）を満足することにより、意図したようにミラー３００で反射した所望の放射を回折格子が妨害することはなく、事実上、所望するすべての放射、或いは所望する実質的にすべての放射が０次数ビーム中に回折する（図４又は５を参照されたい）。一方、望ましくない放射は、回折式によって決定されるように回折し、式（２）を正確に満足する波長に対する回折効率が最大になり、すべてのエネルギーが０次数ビームから回折する（同じく、たとえばＥＰ １１９７８０３号を参照されたい）。この方法により、望ましくない放射が所望する放射から空間的に分離され、適切なヒート・シンク或いはビーム・ダンプにより吸収させることが可能である。

好ましい他の実施例では、回折格子構造を有するプロファイルが選択されると、突起のプロファイルによって、望ましくない放射を偏向させるべく最適化された鋸歯プロファイルを有する回折格子が形成される。他の実施例では、回折格子構造を有するプロファイルが選択されると、突起のプロファイルによって、ＥＵＶ波長、たとえば１３．５ｎｍで最適化された方形波プロファイルを有する回折格子が形成される。

「実施例４」
前述の実施例では、リソグラフィック装置についてその概要を説明し、かつ、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された材料からなる１つ又は複数の突起を備えたミラーについて説明した。実施例４では、図８及び９を参照して説明するように、複数の異なる材料からなる少なくとも２つの異なる突起を備えたミラーについて説明する。実施例４では、ミラー３００は、異なる突起（すなわち第１の突起及び第２の突起）を備えた鏡映表面を備えている。

この実施例では、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第１の材料ｍ１からなる１つ又は複数の第１の突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂ（突起ＬＰ１ａ）、及びＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第２の材料ｍ２からなる１つ又は複数の第２の突起（突起ＬＰ１ｂ）を備えたミラー３００が存在している。第１及び第２の材料は同じではない。つまり、第１の突起ＬＰ１ａ及び第２の突起ＬＰ１ｂは、異なる材料すなわち異なる材料組成、たとえばＳｉとＭｏ、ＭｏとＺｒ、ＣとＳｉ、ＢｅとＺｒ等からなっている。他の実施例では、ｍ１は、Ｂｅ若しくはＺｒであり、ｍ２は、Ｓｉ_３Ｎ_４若しくはＳｉＯ_２である。また、必要に応じて、ｍ１及びｍ２以外の他の材料及び／又は第１及び第２の突起以外の他の突起をミラー３００に適用することができる。

図８は、この実施例の構成を詳細に示したもので、ミラー３００上の積層鋸歯プロファイルが示されている。この積層鋸歯プロファイルは、図３及び６に示す鋸歯プロファイルとは異なり、２種類の材料構造からなっている。この構造は、第１の材料ｍ１からなる高さｈ１、ブレーズ角ｂａ２の第１の突起ＬＰ１ａ及び第２の材料ｍ２からなる高さｈ２、角度ｂａ３の第２の突起ＬＰ１ｂからなっている。これらの突起（複数の材料からなる）が相俟って、ブレーズ角ｂａの１つの突起すなわち構造を形成している。これらの突起により、周期ｐの規則的な構造が形成される。図８に示すミラー３００上の突起は、ＥＵＶ波長でブレーズさせることができる回折格子を形成することができるが、他の実施例では、他の波長、たとえばＵＶ、ＶＩＳ或いはＩＲ波長でブレーズさせることも可能である。

ブレーズ角ｂａは、望ましくない放射が所望する放射の方向から偏向されるように選択することができる。これについては、前述の実施例３（図６）を参照されたい。このブレーズ角ｂａは、この実施例では互いに重なり合っている突起ＬＰ１ａ（第１の突起）の材料ｍ１の角度ｂａ２、突起ＬＰ１ｂ（第２の突起）の材料ｍ２の角度ｂａ３、及び突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂの高さｈ１及びｈ２によって決まる。

ブレーズド・プロファイルの代替として、図９に示すタイプの積層プロファイルを使用することも可能である。この積層プロファイルは、図９に示すように、図８に示す積層鋸歯プロファイルの１周期ｐに等しい格子定数ｐを有する方形波表面プロファイルを有している。突起は、高さが異なる突起、すなわち材料ｍ１からなる高さｈ１の突起ＬＰ１ａと材料ｍ２からなる高さｈ２の突起ＬＰ１ｂが交互に隣り合って配置されている。突起の長さは、図９では、材料ｍ１からなる突起ＬＰ１ａ（第１の突起）に対しては参照符号３８０ａで、また、材料ｍ２からなる突起ＬＰ１ｂ（第２の突起）に対しては参照符号３８０ｂで示されている。図９では、長さ３８０ａ及び３８０ｂは同じ長さであり、両方の長さを加えた長さが周期ｐになっている。

材料をその屈折率、高さｈ１及びｈ２、また、適用可能である場合、長さ３８０ａ及び３８０ｂ若しくは角度ｂａ、ｂａ２及びｂａ３、第１及び第２の突起の距離（周期ｐ）、及びミラーに入射する投影ビームの特定の入射角に基づいて選択することにより、所望の放射を特定の角度で反射し、かつ、光路長差が鏡映表面上で変化しないよう、異なる材料によって光路長差を修正し、一方では望ましくない波長の光を吸収及び／又は他の角度で偏向するミラーを得ることができる。

図９は、このミラーを実施例によって示したもので、投影ビームＰＢの光線ｒ１が材料ｍ１からなる第１の突起ＬＰ１ａに入射し、この第１の突起ＬＰ１ａを実質的に透過して、ミラーすなわちミラー表面３００の位置３０５で反射する。反射した光線ｒ１は、第１の突起ＬＰ１ａから去っていく。投影ビームＰＢに含まれている光線ｒ２は、材料ｍ２からなる第２の突起ＬＰ１ｂに入射し、ミラーすなわちミラー表面３００の位置３０６で反射する。この第２の突起ＬＰ１ｂが存在しない場合、光路長（第１及び第２の突起と真空を介した）は、光線毎に異なる。第２の材料ｍ２からなる第２の突起ＬＰ１ｂは、この光路長の差を補償するためのものである。第２の材料ｍ２は、第１の材料とは異なる屈折率を有している。上で言及したように、突起の寸法及び入射角を適切に選択することにより、投影ビームＰＢ（中の様々な光線）の光路差が材料ｍ２からなる第２の突起ＬＰ１ｂによって補償され、それにより鏡映表面上で変化しない光路長差が提供される。これは、光路長差がゼロであるか、或いは波長の整数倍であることを意味している。光路長（差）の決定に際しては、突起上の真空も考慮しなければならない。この方法によれば、光線ｒ１及びｒ２に対して、突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂに入射する前の波面ＷＦ_ｂから始まって、突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂを出た後の波面ＷＦ_ａまで、光路長すなわち経路長と屈折率の積が同じであるか、或いは光線ｒ１の光路長と光線ｒ２の光路長の差が波長（たとえば１３．５ｎｍ放射）の整数倍になる。したがってこの実施例の場合、鏡映表面上で変化しない光路長差がＥＵＶ放射に対して生成される。

ＥＵＶ放射に対して１に近い屈折率を有するＳｉの場合、このような第２の補償突起は必須のものではないが、他の材料の中から１つを適用する場合、第２の突起ＬＰ１ｂが存在することは、とりわけ有利である。しかしながらＳｉを使用することにより、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵの第２の突起ＬＰ１ｂが存在することによって補償されることになる、投影ビームＰＢ中の異なる光線（図９に示すｒ１及びｒ２のような光線）間の光路長差が小さくなる。

また、この実施例は、鏡映表面を有するミラー（たとえばリソグラフィック装置における）を備えており、実施例２と同様、入射角が０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が、（材料ｍ１からなる）１つの第１の突起ＬＰ１ａ及び（材料ｍ２からなる）１つの第２の突起ＬＰ１ｂの１周期ｐ中のみを通過するように突起が配列されている。これは、突起の長さ３８０ａ及び３８０ｂが周期ｐより短いことを意味している（突起の長さｌが１周期（溝Ｇ及びランドＬが実施例２における１周期を形成している）の１／２より短い実施例２又は実施例７に類似している）。

また、この実施例は、突起のプロファイルが、所望の放射、たとえば１３．５ｎｍで、或いは他の波長でブレーズ化（鋸歯）若しくは最適化（方形波）された回折格子を形成しているミラーを備えている。ミラー上のこれらのタイプのプロファイルには、一次元特性若しくは二次元特性を持たせることができる。これらの突起はＥＵＶ放射に対して透明であるため、所望する波長がミラー３００で反射し、かつ、望ましくない放射波長が吸収、屈折及び／又は偏向される。

この実施例は、一般的には、第１の材料ｍ１からなる１つ又は複数の突起ＬＰ１ａ（第１の突起）、及び第２の材料ｍ２からなる１つ又は複数の突起ＬＰ１ｂ（第２の突起）を備え、第１及び第２の材料が同じではない少なくとも１つの鏡映表面３００を有するミラーを示している。このようなミラー３００は、使用する材料が所望の波長に対して透明であるか、或いは所望の波長に対して透明になるように最適化されている場合、光フィルタとして使用することができる。望ましくない他の波長は材料によって吸収され、また、特定の波長に対する回折格子を選択する（回折格子若しくはブレーズド格子）ことにより、望ましくない波長を（部分的に）偏向させることも可能である。

図８を参照すると、一実施例では、本発明によるミラー３００は、また、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第１の材料ｍ１からなる１つ又は複数の第１の突起ＬＰ１ａと、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第２の材料ｍ２からなる１つ又は複数の第２の突起ＬＰ１ｂを備えた少なくとも１つの鏡映表面を有するミラー３００として記述することができる。これらの突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂの第１及び第２の材料（それぞれｍ１及びｍ２）は同じではなく、突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂは、異なる材料（ｍ１及びｍ２）からなっている。第１の突起ＬＰ１ａ及び第２の突起ＬＰ１ｂは鋸歯プロファイルを有しており、第１の突起ＬＰ１ａ及び第２の突起ＬＰ１ｂが相俟って特定の周期ｐの１つの突起を形成するように配列されている。したがって、たとえば勾配などの材料差が周期ｐ（ミラー３００の表面に沿った）内に存在している。図８は、この材料差を示したもので、突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂによって形成された突起の左側の側面（高さｈ２）は、相対的により多くの材料ｍ２からなっており、一方、右側の側面（高さｈ１）は、相対的により多くの材料ｍ１からなっている。

図９を参照すると、一実施例では、本発明によるミラー３００は、また、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第１の材料ｍ１からなる１つ又は複数の第１の突起ＬＰ１ａと、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された第２の材料ｍ２からなる１つ又は複数の第２の突起ＬＰ１ｂを備えた少なくとも１つの鏡映表面を有するミラー３００として記述することができる。これらの突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂの第１及び第２の材料（それぞれｍ１及びｍ２）は同じではなく、突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂは、異なる材料（ｍ１及びｍ２）からなっている。突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂは方形波プロファイルを有しており、第１及び第２の突起（ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂ）は互いに隣り合わせに配列され、相俟って特定の周期ｐ（３８０ａ及び３８０ｂ）の２つの異なる突起（ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂ）を形成している。したがって、たとえば勾配などの材料差が周期ｐ（ミラー３００の表面に沿った）内に存在している。図９は、この材料差を示したもので、突起ＬＰ１ａ（高さｈ１、幅３８０ａ）は材料ｍ１から、また、突起ＬＰ１ｂ（高さｈ２、幅３８０ｂ）は材料ｍ２からなっており、それによりミラー３００に沿った周期の一方の側が相対的により多くの材料ｍ１からなり、かつ、もう一方の側がより多くの材料ｍ２からなる周期ｐに沿った勾配を形成している。

したがって、図８（この図には示されていない）及び９の両方を参照すると、特定の角度の投影ビームＰＢの下では、異なる材料によって誘発される移相の合計は、透過させるべき放射に対してすべての位置で同じ（若しくは実質的に同じ）である。したがって、第１の突起及び第２の突起（ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂ）は、鏡映表面上で変化しない光路長差がＥＵＶ放射に対して生成されるように配列されている。

また、この実施例は、この実施例の中で説明したミラーを備えたリソグラフィック装置（たとえば実施例１参照）からなっている。

上記の構造は、ダイヤモンド工具を使用して材料ｍ１の層を罫引きし、材料ｍ２を付着させ、かつ、ダイヤモンド工具を使用してもう一度罫引きし、それによりブレーズド構造を提供することによって実現される。形状が正方形の構造の場合は、リソグラフィック・プロセスを使用することができる。

次の実施例５〜１１は、いくつかの他の実施例について説明したものであり、或いは前述の実施例の中で説明したミラーに包含されている特定の特徴について説明したものである。

「実施例５」
この実施例では、本発明によるミラー３００（たとえば上で言及した実施例の１つに記載されているミラー）は、ミラー３００と熱接触している冷却エレメントを備えている（たとえばＥＰ １１９７８０３号の図２を参照されたい）。使用中の前述の実施例のうちのいずれかのミラーを冷却するための冷却チャネルが、ミラーの背面に設けられているか或いはミラーのボディに組み込まれている。適切な冷却液が冷却チャネルを通って流れ、それによりミラーが所望の温度に維持される。

「実施例６」
この実施例では、本発明によるミラー３００は、実施例４による異なる材料からなる突起を有する多層膜反射鏡である。

「実施例７」
この実施例では、本発明によるミラー３００は、実施例２で説明したミラー（とりわけ図５）からなっているが、突起（図４の参照符号ＬＰ１、ＬＰ２等及び図５の参照符号３０１）の長さ３８０≪突起の周期ｐ、になっている。この方法によれば、突起の頂部表面における所望する放射の可能回折損失が最小化される。たとえば長さ３８０：ｐの比率は、１：５に等しいか或いはそれより小さく、また、たとえば突起の長さ３８０は１５０ｎｍであり、周期ｐは１２５０ｎｍである。他の実施例では、投影ビームＰＢは、正確に１つの突起のみを通過している。図５に示す突起３０１の材料は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵから選択することができる。たとえばＢ、Ｃ、Ｍｏ、Ｎｂ或いはＳｉを選択することができるが、Ｓｉ_３Ｎ_４を選択することも可能である。また、たとえばＢ_４Ｃ或いはＳｉＣなど、材料の組合せを選択することも可能である。

「実施例８」
この実施例では、本発明によるミラー３００は、グレージング入射反射鏡である。鏡映表面に対する入射角は、約７５°から８５°である（たとえば図６のαを参照されたい）。この実施例では、突起は、単一突起としてであれ、或いは第１及び第２の突起としてであれ、放射コレクタ１０の上に存在している（図２を参照されたい）。一般的には、本発明による光フィルタの場合、バーチャル・ソース・ポイント１２（図２の実施例１を参照されたい）の場合と同様、ミラーにはビームが集束する前段に突起を持たせることが有利である。

「実施例９」
この実施例では、突起は、単一突起としてであれ、或いは第１及び第２の突起としてであれ、図２に示すミラー１１の上に存在している。

「実施例１０」
この実施例では、突起は、単一突起としてであれ、或いは第１及び第２の突起としてであれ、垂直入射ミラー１３若しくは１４の上に存在している。

「実施例１１」
この実施例では、たとえばリソグラフィック装置の投影ビームに使用される放射は、たとえば８ｎｍから２０ｎｍの範囲の波長、とりわけ９ｎｍから１６ｎｍの範囲のたとえば１３．５ｎｍの波長を有する極紫外線放射からなっている。

「実施例１２」
図８を参照すると、この実施例は、突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂが約１００ｎｍから１０μｍの周期ｐを有し（第１及び第２の突起の周期が相俟って鋸歯プロファイルを形成している）、突起の高さｈ１が約１０〜５００ｎｍ（第１の突起ＬＰ１ａ）、たとえば約１０〜１００ｎｍであるミラー３００を示している。ブレーズ角（したがって第２の突起の高さ）は、特定の入射角、たとえば垂直入射における光路長が表面上で一定になるように（或いは波長の整数倍の量でのみ変化するように）選択することができる。つまり、たとえばｈ２^＊ｎ２＋（ｈ１−ｈ２）^＊１＝ｈ１^＊ｎ１を満足するように選択することができる。たとえば屈折率ｎ１すなわち材料ｍ１を０．９６（Ｚｒ）、屈折率ｎ２すなわち材料ｍ２を０．９２（Ｍｏ）、高さｈ１を１００と仮定すると、高さｈ２は５０ｎｍになる。高さ、周期及び材料は、適用する入射角に応じて選択することができる。

「実施例１３」
図９を参照すると、積層方形波プロファイルを突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂに持たせることができる。突起は、ミラー３００上に積層配列された正方形若しくは長方形の構造を有している。突起ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂは、約１００ｎｍから１０μｍの周期ｐを有している（第１の突起ＬＰ１ａ及び第２の突起ＬＰ１ｂの周期が相俟って方形波プロファイルを形成している）。突起の高さ（ｈ１）は、約１０〜５００ｎｍ（第１の突起ＬＰ１ａ）である。他の実施例では、突起の高さｈ１は、約１０〜１００ｎｍである。第２の突起ＬＰ１ｂの高さｈ２は、特定の入射角、たとえば垂直入射における光路長が表面上で一定になるように（或いは波長の整数倍の量でのみ変化するように）選択することができる。高さｈ２は、たとえば５０ｎｍにすることができる。

「実施例１４」
この実施例では、Ｓｉ、Ｂｅ及びＺｒのうちの少なくとも１つから材料が選択されている（第１の突起と第２の突起では材料が異なっている）。

「実施例１５」
この実施例では、第１の突起ＬＰ１ａの材料若しくは第２の突起ＬＰ１ｂの材料は、Ｓｉ、Ｂｅ及びＺｒのうちの少なくとも１つから選択された材料からなっている。

「実施例１６」
本発明によるこの実施例では、第１及び第２の突起（ＬＰ１ａ及びＬＰ１ｂ）の材料（ｍ１及びｍ２）は、たとえばＭｏとＳｉのように比較的大きい屈折率差を有している。たとえば材料ｍ１からなる突起ＬＰ１ａがＭｏであり、材料ｍ２からなる突起ＬＰ１ｂがＳｉである。或いは材料ｍ１からなる突起ＬＰ１ａがＳｉであり、材料ｍ２からなる突起ＬＰ１ｂがＭｏである。

以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。実施例についての以上の説明及び図は、本発明を制限することを意図したものではない。たとえば、本発明は、第１の実施例で説明したリソグラフィック装置に限定されない。

本発明一実施例によるリソグラフィック投影装置の略図である。 図１に示すリソグラフィック投影装置のＥＵＶ照明システム及び投影光学系の略側面図である。 ミラーとその上の積層鋸歯プロファイルの形態の鏡映表面突起を示す略図である。 ミラーとその上の積層方形波プロファイルの形態の鏡映表面突起を示す略図である。 ＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの突起のみを通過するように突起が配列された、図４に示すミラーと同様のミラーを示す略図である。 積層鋸歯プロファイルを有する、ＥＵＶ放射に対する回折格子（ブレーズド格子）を形成するべく突起が配列された、図３に示すミラーと同じミラーを示す略図である。 積層方形波プロファイルを有する、ＥＵＶ放射に対する回折格子を形成するべく突起が配列された、図４に示すミラーと同じミラーを示す略図である。 ミラーとその上の互いに重なり合った２つの材料の積層鋸歯プロファイルの形態の鏡映表面突起を示す略図である。 ミラーとその上の互いに隣り合った２つの材料の積層方形波プロファイルの形態の鏡映表面突起を示す略図である。

符号の説明

１ リソグラフィック投影装置
３ 放射システム
７ 放射源チャンバ
９ 汚染物質バリア
１０ 放射コレクタ
１１、３００ ミラー（回折格子スペクトル・フィルタ、ミラー表面、鏡映表面）
１２ バーチャル・ソース・ポイント
１３、１４ 垂直入射反射鏡（垂直入射ミラー）
１７ パターン化されたビーム
１８、１９ 反射エレメント
３０１ ＬＰ１、ＬＰ１ａ、ＬＰ１ｂ、ＬＰ３ 突起（積層突起）
３８０、３８０ａ、３８０ｂ 突起の長さ（幅）
α、α’_１ 投影ビームの入射角
ＡＭ 調整手段
β 投影ビームが反射する角度
ｂａ、ｂａ２、ｂａ３ 突起の角度（ブレーズ角）
Ｃ 目標部分
ＣＯ コンデンサ
Ｅｘ ビーム拡大器
Ｇ 溝
ｈ、ｈ１、ｈ２ 突起（構造）の高さ
ＩＦ 干渉測定手段
ＩＮ インテグレータ
ＩＬ 照明システム
Ｌ ランド
ＬＡ 放射システム
ｍ１ 第１の材料
ｍ２ 第１の材料
Ｍ１、Ｍ２ マスク位置合せマーク
ＭＡ マスク
ＭＴ 第１の対物テーブル（マスク・テーブル）
Ｏ 光軸
ｐ 突起の周期（格子定数）
Ｐ１、Ｐ２ 基板位置合せマーク
ＰＢ 投影放射ビーム
ＰＬ 投影システム（レンズ）
ＰＭ 第１の位置決め手段
ＰＷ 第２の位置決め手段
ｒ１、ｒ２ 光線
Ｗ 基板
ＷＦａ、ＷＦｂ 波面
ＷＴ 第２の対物テーブル（基板テーブル）

Claims (19)

1. 鏡映表面を備え、
   前記鏡映表面は、
   第１の材料からなる複数の第１の突起と、
   第２の材料からなる複数の第２の突起とを備え、
   前記第１及び第２の材料は、ＥＵＶ放射に対して透過性であり、且つ、ＥＵＶ放射以外の波長を有する放射に対しては透過性ではなく、
   前記第１の突起及び第２の突起を通過するＥＵＶ放射の光路長差がゼロであるか又はＥＵＶ放射の波長の整数倍となるように、前記第１の材料と前記第２の材料とは互いに異なる材料が選択されている、ミラー。
2. 前記第１の材料は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択され、
   前記第２の材料は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された、請求項１に記載のミラー。
3. 前記ミラーがグレージング入射ミラー若しくは多層膜反射鏡である、請求項１又は２に記載のミラー。
4. 前記第１及び第２の突起が、放射ビームが前記ミラーに入射すると、前記放射ビームのＥＵＶ放射の波長が所定の方向に通過し、かつ、ＥＵＶ放射以外の波長が他の方向に偏向し、かつ／又は吸収されるように配列された、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のミラー。
5. 前記第１及び第２の突起がブレーズド格子を形成するべく配列された、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のミラー。
6. 投影放射ビームを供給するための放射システムと、
   前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
   基板を保持するための基板テーブルと、
   パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
   鏡映表面を個々に有する１つ又は複数のミラーと
   を備え、
   前記ミラーの少なくとも１つが、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のミラーからなることを特徴とするリソグラフィック投影装置。
7. 第１及び第２の突起を備えた鏡映表面を有するミラーを備えており、
   前記第１の突起及び第２の突起が、これらを通過するＥＵＶ放射の光路長差がゼロであるか又はＥＵＶ放射の波長の整数倍となるように、配列された、請求項６に記載のリソグラフィック装置。
8. １つ又は複数のミラーが前記放射システムに配置された、請求項６又は請求項７に記載のリソグラフィック装置。
9. 少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
   放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
   投影ビームの断面をパターン化するためのパターン化手段を使用するステップと、
   パターン化された放射ビームを前記放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
   鏡映表面を有する１つ又は複数のミラーを提供するステップとを含み、
   請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の少なくとも１つのミラーに前記投影ビーム（ＰＢ）を提供することを特徴とするデバイス製造方法。
10. 第１及び第２の突起を備えた鏡映表面を有するミラーを備えており、
    前記第１の突起及び第２の突起が、これらを通過するＥＵＶ放射の光路長差がゼロであるか又はＥＵＶ放射の波長の整数倍となるように、配列された、請求項９に記載の方法。
11. 鏡映表面を備え、
    前記鏡映表面は、
    Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された材料であって、ＥＵＶ放射に対して透過性であり、且つ、ＥＵＶ放射以外の波長を有する放射に対しては透過性ではない材料からなる複数の突起を備え、
    前記複数の突起は、複数の第１の突起と、当該第１の突起とは異なる材料からなる複数の第２の突起と、を備え、
    前記複数の突起が、入射角が０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの第１の突起及び１つの第２の突起のみを通過するように配列され、
    前記第１の突起及び第２の突起を通過するＥＵＶ放射の光路長差がゼロであるか又はＥＵＶ放射の波長の整数倍となるように、前記第１の突起と前記第２の突起とは互いに異なる材料からなることを特徴とする鏡映表面を有するミラー。
12. 前記複数の突起が、入射角が６０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの第１の突起及び１つの第２の突起のみを通過するように配列された、請求項１１に記載のミラー。
13. 一定の長さ及び周期を有する前記複数の突起が、突起の長さ≪突起の周期、になるように配列された、請求項１１又は請求項１２に記載のミラー。
14. 請求項１１から請求項１３までのいずれか一項に記載のミラーを備えたリソグラフィック装置。
15. 少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
    放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
    投影ビームの断面をパターン化するためのパターン化手段を使用するステップと、
    パターン化された放射ビームを前記放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
    鏡映表面を有する１つ又は複数のミラーを提供するステップとを含み、
    請求項１１から請求項１３までのいずれか一項に記載の少なくとも１つのミラーに前記投影ビーム（ＰＢ）を提供することを特徴とするデバイス製造方法。
16. 入射角が０°と９０°の間のＥＵＶ放射からなる投影ビームの一部のＥＵＶ放射が１つの第１の突起及び１つの第２の突起のみを通過するように前記複数の突起が配列された、請求項１５に記載の方法。
17. 前記投影ビームの入射角が６０°と９０°の間である、請求項１６に記載の方法。
18. 請求項９又は請求項１０に記載の方法に従って製造されたデバイス、若しくは請求項６、請求項７又は請求項８に記載の装置を使用して製造されたデバイス。
19. 請求項１５から請求項１７までのいずれか一項に記載の方法に従って製造されたデバイス、若しくは請求項１４に記載の装置を使用して製造されたデバイス。

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