KR20210107649A - 기판 상의 전자 부품들을 신터링하기 위한 신터링 프레스 - Google Patents

기판 상의 전자 부품들을 신터링하기 위한 신터링 프레스 Download PDF

Info

Publication number
KR20210107649A
KR20210107649A KR1020217017827A KR20217017827A KR20210107649A KR 20210107649 A KR20210107649 A KR 20210107649A KR 1020217017827 A KR1020217017827 A KR 1020217017827A KR 20217017827 A KR20217017827 A KR 20217017827A KR 20210107649 A KR20210107649 A KR 20210107649A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
heating
pressurizer
sintering
press
Prior art date
Application number
KR1020217017827A
Other languages
English (en)
Inventor
니콜라 스키발록키
Original Assignee
에이엠엑스 - 오토매트릭스 에스.알.엘.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이엠엑스 - 오토매트릭스 에스.알.엘. filed Critical 에이엠엑스 - 오토매트릭스 에스.알.엘.
Publication of KR20210107649A publication Critical patent/KR20210107649A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30—PRESSES
    • B30B—PRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/34—Heating or cooling presses or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30—PRESSES
    • B30B—PRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/06—Platens or press rams
    • B30B15/062—Press plates
    • B30B15/064—Press plates with heating or cooling means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30—PRESSES
    • B30B—PRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/06—Platens or press rams
    • B30B15/065—Press rams
    • B30B15/067—Press rams with means for equalizing the pressure exerted by a plurality of press rams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H01L2224/7531—Shape of other parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/755—Cooling means
    • H01L2224/75501—Cooling means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/75901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/75981—Apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/75981—Apparatus chuck
    • H01L2224/75982—Shape
    • H01L2224/75984—Shape of other portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83095—Temperature settings
    • H01L2224/83096—Transient conditions
    • H01L2224/83097—Heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Press Drives And Press Lines (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

기판 상의 전자 부품(electronic component)들을 신터링하기 위한 신터링 프레스(sintering press)가 제공되는바, 상기 신터링 프레스는: 상기 신터링될 전자 부품들에 신터링 압력을 가하기 위한 복수의 제어가능한 가압기 부재(presser member)를 포함하는, 프레스 유닛(pressing unit); 및 개별의 기판을 위한 지지 평면을 각각 형성하는 복수의 반응 요소;를 포함한다. 상기 가열 몸체와 접촉하게 배치된 열 확산 플레이트(heat diffusion plate)(80)가 제공되는바, 상기 열 확산 플레이트는 상기 요소 플레이트 상에서 반응 요소들 사이에서 펼쳐진 형태를 가지며, 상기 열 확산 플레이트는 상기 요소 플레이트(예를 들어, 스틸)의 열 전도율보다 높은 열 전도율을 가진 재료(예를 들어, 구리)로 만들어진다. 또한 상기 반응 요소(40)를 슬라이딩가능하게 지지하기에 적합한 요소 플레이트(element plate)(70)와, 상기 요소 플레이트(70)를 신터링 온도로 가열하기 위하여 요소 플레이트(70) 주위에 배치되는 가열 몸체(76) 내에 내장되는 가열 요소들을 포함하는 가열 회로(72)가 제공된다. 상기 확산 플레이트는 적어도 두 개의 단부 열 수집기(end heat collector) 및 중앙 그리드(central grid)를 포함하고, 상기 열 수집기들은 서로에 대해 반대로 배치되고 고정되며, 상기 열 수집기들 각각은 가열 몸체와 요소 플레이트에 걸쳐 배치되고, 상기 중앙 그리드는 상기 반응 요소의 제1 단부들을 둘러싸는 요소 플레이트 상에서 접촉하며 펼쳐진 형태로 배치된다. 상기 프레스 유닛은 가압기 로드(112)들을 슬라이딩가능하게 지지하는 가압기 가열 플레이트(110)를 더 포함할 수 있고, 상기 가압기 가열 플레이트(110)는, 상기 가압기 로드(112)들을 슬라이딩가능하게 지지하기에 적합한 내측 플레이트(114)와, 상기 내측 플레이트 주위에 배치된 가압기 가열 몸체를 포함하고, 상기 가압기 가열 몸체에는 상기 내측 플레이트 그리고 이에 따라 상기 가압기 부재들을 가열하기에 적합한 가열 수단(118)이 제공된다. 상기 프레스 유닛은 상기 가압기 가열 몸체(116)와 접촉하게 배치된 제2 확산 플레이트(120)를 더 포함할 수 있고, 상기 제2 확산 플레이트는 상기 내측 플레이트 상에서 상기 가압기 로드들 사이에서 펼쳐진 형태로 배치되며, 상기 제2 확산 플레이트(120)는 상기 내측 플레이트(114)(예를 들어, 스틸)의 열 전도율보다 높은 열 전도율을 가진 재료(예를 들어, 구리)로 만들어진다. 상기 반응 요소(40)들 모두 및/또는 가압기 로드(112)들 모두의 균일한 가열을 보장하기 위하여, 상기 열 확산 플레이트(80) 및/또는 제2 확산 플레이트(120)에 보상 구멍들(88, 124)이 만들어질 수 있다. 상기 신터링 프레스(1)는 복수의 로드 셀(load cell)(50)을 포함할 수 있는바, 상기 로드 셀들 각각은 반응 요소(40)에 작동가능하게 연결되며, 상기 로드 셀은 적어도 하나의 가압기 로드(112)에 의해 가해지는 힘을 반응 요소(40)에 의하여 검출하고, 상기 로드 셀은 냉각 회로(54)에 작동가능하게 연결된 셀 홀더 플레이트(cell holder plate)(52) 내에 수용된다. 각각의 반응 요소(40)는 가열부(heating portion) 및 냉각부(cooling portion)를 구비하고, 상기 가열부(40a)는 상기 요소 플레이트(70)를 관통하고 또한 요소 플레이트(70)의 열을 기판(12)으로 전도에 의하여 전달하기에 적합하며, 상기 냉각부(40b)는 상기 요소 플레이트로부터 가열부로 전달되는 열을 분산시키는 형상을 갖는다. 상기 냉각부(40b)는 상기 반응 요소(40)의 축에 대해 동축으로 연장되는 분산 디스크(dissipating disk)(44)들의 축방향 연속부를 포함할 수 있다. 상기 냉각부(40b)에는 로드 셀(50)을 대면하는 적외선 스크린(46)이 구비될 수 있다.

Description

기판 상의 전자 부품들을 신터링하기 위한 신터링 프레스
본 발명은 기판 상의 전자 부품들을 신터링하기 위한 신터링 프레스에 관한 것이다.
공지된 바와 같이, 일부 전자제품 적용예에서는 집적된 전자 부품, 예를 들어 다이오드, IGBT, 써미스터(thermistor), MOSFET 등이 신터링 페이스트의 삽입(interposition)에 의하여 기판에 고정된다. 각각의 전자 부품이 올바르게 신터링되도록 하기 위해서는, 전자 부품이 예를 들어 200℃ 초과의 신터링 온도에 있는 기판 상에서 가압되어야 한다.
통상적으로 신터링 프레스는 하나 이상의 기판이 놓여지는 프레스 평면(pressing plane)을 형성하는 베이스를 포함한다. 상기 프레스에는 각각의 기판을 위한 프레스 유닛이 구비되고, 프레스 유닛에는 신터링될 전자 부품에 미리 정해진 압력을 가하기 위하여 예를 들어 유압 회로에 의해 제어되는 하나 이상의 가압기 부재가 제공된다.
프레스의 일부 실시예에서는, 상기 베이스에 하나 이상의 로드 셀이 더 제공되는데, 상기 로드 셀은 프레스의 올바른 작동을 모니터링 하기 위하여 각 기판에 대하여 가압기 부재들에 의해서 전자 부품들에 가해지는 힘의 합계를 검출하기에 적합한 것이다. 상기 로드 셀들은 신터링 온도보다 훨씬 낮은 온도에서 작동해야 하는 전자 부품이다.
따라서 전술된 유형의 신터링 프레스에 있어서의 문제점들 중 한가지는, 예를 들어 로드 셀인, 훨씬 낮은 온도에서 유지되어야 하는 프레스의 다른 구성요소를 과열시키지 않고서 어떻게 기판을 신터링에 적합한 온도로 가열할 것인지이며, 이 때 프레스의 기계적 성능을 전혀 저해하지 않아야 한다.
본 발명은 전술된 문제점을 해결할 수 있는 프레스를 제공함을 목적으로 한다.
상기 목적은 청구항 1 에 기재된 프레스에 의해 달성된다. 종속항들에는 본 발명의 바람직한 실시예들이 기재되어 있다.
아래에서는 하기 첨부 도면들을 참조로 하는 예시적이고 비제한적으로 제공되는 바람직한 실시예들에 관한 설명으로부터 본 발명에 따른 신터링 프레스의 특징들 및 장점들이 명확히 이해될 것이다.
도 1 에는 본 발명에 따른 프레스의 축방향 단면도이 도시되어 있다.
도 2 에는 열 확산 플레이트가 구비되어 있는, 상기 프레스의 요소 홀더 플레이트(element holder plate)의 상부로부터 본 평면도가 도시되어 있다.
도 3 에는 요소 홀더 플레이트의 상부로부터 본 사시도가 도시되어 있다.
도 4 에는 요소 홀더 플레이트와 관련된 단일의 열 확산 플레이트의 사시도가 도시되어 있다.
도 5 에는 열 확산 플레이트가 구비된, 가압기 홀더 플레이트(presser holder plate)의 상부로부터 본 평면도가 도시되어 있다.
도 6 에는 가압기 홀더 플레이트의 상부로부터 본 사시도가 도시되어 있다.
상기 도면들에서, 본 발명에 따른 신터링 프레스는 집합적으로 '1'로 표시된다.
프레스는 기판(12) 상의 전자 부품(10)을 신터링하기에 적합한 것이다.
일 실시예에서, 프레스(1)는 복수의 기판(12) 상의 전자 부품들의 동시적인 신터링을 수행하도록 설계된다.
기판(12)은 신터링 페이스트(sintering paste)의 층에 놓여진 (예를 들어, IGBT, 다이오드, 써미스터, MOSFET 인) 신터링될 전자 부품(10)들을 유지시킨다. 전자 부품(10)은 예를 들어 260℃인 미리 정해진 온도에서 예를 들어 30 MPa 인 미리 정해진 표면 압력으로 180 내지 300 초 동안 처리되어야 한다.
전자 부품(10)들은 전자 부품들이 종류별로 다른 두께를 갖는다는 점을 감안하여, 그들의 투사 표면에 정비례하는 힘으로 가압되어야 한다.
신터링 프레스(1)는 수직으로 연장되고 상부에서 프레스 유닛(14)을 지지하는 뼈대(framework)(8)와, 적어도 하나, 바람직하게는 복수개의 기판(12)을 위한 저부의 지지 베이스(60)를 포함한다.
상기 프레스 유닛과 상기 베이스 중의 하나 또는 둘 다는 프레스 축(X)을 따라서 서로에 대해 움직일 수 있어서, 신터링될 전자 부품(10)들을 실질적으로 프레스 유닛(14)과 접촉시킬 수 있으며, 그 이후에 프레스가 수행된다.
일 실시예에서, 프레스 유닛(14)은 각각의 기판에 대해서, 전자 부품들에 대해 필요한 신터링 압력을 가하기에 적합한 하나 이상의 가압기 부재를 포함한다.
일 실시예에서, 프레스 유닛(14)은 평행하고 독립적인 가압기 로드(28)들이 구비된, 다중-로드 실린더(20)를 포함한다. 각각의 가압기 로드(28)는 신터링될 개별의 전자 부품(10)에 대해 무게중심이 맞고 동축을 이루며, 신터링될 각각의 전자 부품의 면적을 알고 있는 때에 개별의 전자 부품(10)에 가해지는 힘에 비례하는 추력 섹션(thrust section)을 갖는다. "무게중심이 맞는다"는 것은, 각각의 가압기 로드(28)가 개별의 전자 부품(10)의 무게중심과 일치하는 로드 축(rod axis)을 갖는다는 것을 의미한다.
일 실시예에서, 가압기 로드(28)들은 가압된 제어 유체에 의해 구동된다. 예를 들어, 가압기 로드(28)들은 내부에 제어 유체가 도입되어 있는 압축 챔버(30)와 소통되고, 상기 압축 챔버에는 제어 유체에 의해 가해지는 압력을 가압기 로드들레 전달하기 위하여 적합한 제어 요소가 수용된다. 예를 들어, 이 제어 요소는 멤브레인(32)의 형태를 갖는다. 압축 챔버(30)가 신터링 압력으로 가압된 때에, 멤브레인(32)이 변형되어 가압기 로드(28)들의 후방 단부(28')들을 가압하며, 이로써 신터링이 각각의 가압기 로드(28)에 전달된다.
일 실시예에서, 상기 프레스 유닛은 가압기 부재(112)들을 슬라이딩가능하게 지지하는 가압기 가열 플레이트(110)를 더 포함하며, 상기 가압기 부재(112)들 각각은 신터링될 개별의 전자 부품(10)에 작용하는 개별의 가압기 로드(28)에 의해 작동될 수 있다.
일 실시예에서, 가압기 가열 플레이트(110)는, 가압기 부재(112)들을 슬라이딩가능하게 지지하기에 적합한 내측 플레이트(114)와, 상기 내측 플레이트(114) 주위에 배치되고 또한 내측 플레이트(114) 그리고 이에 따라 가압기 부재(112)들을 가열하기 위한 가열 수단(118)(예를 들어 저항기들)이 구비된 가압기 가열 몸체(116)를 포함한다.
당연히, 다른 가압기 로드 작동 시스템이 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 프레스(1)는 복수의 반응 요소(40)를 포함하며, 상기 반응 요소들 각각은 제1 요소 단부(40')와 제2 요소 단부(40") 사이에서 프레스의 축(X)에 대해 평행하게 요소 축을 따라 연장된다. 제1 요소 단부(40')는 개별의 기판(12)을 위한 지지 평면을 형성한다.
일 실시예에서는, 로드 셀(50)이 제2 요소 단부(40")에 작동가능하게 연결된다. 로드 셀(50)은, 기판(12) 상에 위치한 신터링될 전자 부품(10)들에 대한 프레스 유닛(14)의 하나 이상의 가압기 로드(28)들에 의해 가해지는 힘을, 반응 요소(40)를 이용하여 검출하기에 적합한 것이다.
특정 필요에 따라서는 단지 개별의 기판(12)에 압력이 가해지는지를 검출하기 위하여 로드 셀(50)이 이용될 수도 있다는 점에 유의해야 할 것인바, 예를 들어 작동의 ON/OFF 모드를 검출하거나, 또는 예를 들어 가해지는 압력의 값을 검출하여 피드백 압력 제어에 활용하기 위하여 이용될 수 있다.
일 실시예에서는, 로드 셀(50)이, 냉각 회로(54)에 작동가능하게 연결된 셀 홀더 플레이트(52) 내에 수용된다.
반응 요소(40)들은 요소 플레이트(70)에 의하여 슬라이딩가능하게 지지된다. 반응 요소(40)들은 요소 플레이트(70)에 배열되어 배치된다. 각각의 반응 요소(40)의 제1 요소 단부(40')는 요소 플레이트(70)로부터 돌출된다.
"슬라이딩가능하게 지지된다"는 것은, 반응 요소(40)가 반드시 요소 플레이트(70)에서 슬라이딩을 해야 한다는 것을 의미하는 것이 아니고, 반응 요소(40)가 요소 플레이트(70)에 구속되지 않고서 요소 플레이트(70)에 만들어진 개별의 안내 안착부에 삽입됨을 의미한다. 실제에서는 아래에서 설명되는 바와 같이, 요소 플레이트(70)가 요소 플레이트(70)로부터 반응 요소(40)로의 열전달을 보장하고 반응 요소(40)를 프레스 축(X)에 대해 평행한 올바른 위치에 유지해야 하지만, 이와 동시에 개별 로드 셀(50)에 의해 검출되는 힘에 영향을 주지 말아야 한다.
바람직한 실시예에서는 반응 요소(40)의 제2 요소 단부(40")가 항상 로드 셀(50)과 접촉한다는 점에 유의해야 할 것인바, 이로써 프레스 단계 동안에 반응 요소(40)는 실질적으로 없거나 또는 무시가능한 정도의 축방향 변위를 겪는다. 이 경우, 반응 요소(40)는 가압기 부재에 의해 가해지는 힘의 정반대(real contrast)를 제공하며, 이것은 신터링될 전자 부품(10)들에 의하여 완전히 흡수된다.
요소 플레이트(70)가 가열됨에 있어서는, 열 전도에 의하되, 반응 요소들이 예를 들어 240℃ 내지 290℃ 사이인 신터링에 필요한 온도로 되도록 가열되어야 한다.
일 실시예에서는 각각의 반응 요소(40)가 요소 플레이트(70)를 통과하는 가열부(40a)를 구비하는데, 상기 가열부는 요소 플레이트(70)로부터 개별의 기판(12)으로의 열 전도에 의한 전달에 적합한 것이다.
일 실시예에서, 반응 요소(40)는 제2 요소 단부(40")로 끝나는 냉각부(40b)를 더 구비하는바, 이것은 요소 플레이트(70)로부터 가열부(40a)로 전달되는 열을 분산시키는 형상을 갖는다.
예를 들어, 가열부(40a) 및 냉각부(40b)는 연속적으로 배치된다.
일 실시예에서, 가열부(40a)는 요소 플레이트(70)의 두께보다 약간 더 크거나 실질적으로 동일한 축방향 길이를 갖는다. 예를 들어, 가열부(40a)는, 요소 플레이트(70)로부터 축방향으로 돌출되는 상기 반응 요소의 제1 요소 단부(40')로 끝난다.
요소 플레이트(70)를 가열하기 위하여, 상기 프레스는 요소 플레이트(70) 주위에 배치된 가열 몸체(76) 내에 내장된 가열 요소들을 구비한 가열 회로(72)를 포함한다.
예를 들어, 가열 회로(72)는 저항 써모미터(resistance thermometer)들에 의해 제어되는 전기 저항기들을 포함한다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 프레스(1)는 가열 몸체(76)와 접촉하게 놓여진 열 확산 플레이트(80)를 더 포함하는데, 상기 열 확산 플레이트(80)는 요소 플레이트(70) 상에서 반응 요소(40)들 사이에서 펼쳐진 형태를 갖는다.
열 확산 플레이트(80)는 요소 플레이트(70)의 열 전도율보다 높은 열 전도율을 가진 재료로 만들어진다.
실제에서 요소 플레이트(70)를 위하여 사용되는 재료는, 기계적 성능, 특히 열 전도율보다는 강도가 우수한 스틸을 예로 들 수 있다.
예를 들어, 요소 플레이트(70)는 스틸로 만들어지는 한편, 열 확산 플레이트(80)는 구리로 만들어진다.
구리는 요소 플레이트(70)의 재료인 스틸의 60 과 비교되는 390 인 열 전도 계수 λ(W·m-1·K-1)를 갖는다.
일 실시예에서, 열 확산 플레이트(80)는 적어도 두 개의 단부 열 수집기(82)를 포함하는데, 이들은 서로 반대측에서 고정되며, 그 각각은 가열 몸체(76)와 요소 플레이트(70)에 걸쳐 배치된다.
일 실시예에서, 열 확산 플레이트(80)는 중앙 그리드(84)를 더 포함하고, 이것은 예를 들어 상기 두 개의 단부 열 수집기(82)에 직접 연결되며, 또한 반응 요소(40)들의 제1 요소 단부(40')를 둘러싸는 플레이트 요소(70) 상에서 접촉하며 펼쳐진 형태를 갖는다.
일 실시예에서, 열 확산 플레이트(80)는 예를 들어 열 확산 플레이트(80) 내의 슬롯 구멍(86)들에 결합되는 볼트들에 의해서 유격을 가지고 탈착가능한 방식, 즉 슬라이딩가능한 방식으로 가열 몸체(76) 및 플레이트 요소(70)에 고정되는데, 이것은 상기 요소 플레이트와 가열 몸체의 상이한 열 팽창을 허용하기 위한 것이다.
일 실시예에서, 상기 열 확산 플레이트(80)는 반응 요소(40)들 모두의 균일한 가열을 보장하는 형상 및/또는 위치를 가진 보상 구멍(88)들을 갖는다.
일 실시예에서, 플레이트 요소(70)는 가열 몸체(76)로부터 분리가능하다. 이로써, 요소 플레이트가 신터링될 기판(12)들의 갯수 및 형상에 따라서 교체될 수 있다.
일 실시예에서, 플레이트 요소(70)와 셀 홀더 플레이트(52)는 예를 들어 공기인 상기 반응 요소의 열을 분산시키기에 적합한 분리 유체에 의하여, 서로로부터 축방향으로 분리된다.
예를 들어, 냉각부(40b)는 상기 플레이트 요소(70)와 셀 홀더 플레이트(52) 사이의 거리와 실질적으로 동일한 길이를 갖는다.
일 실시예에서, 가열부(40a)는 프리즘 형상을 갖는다. 예를 들어, 가열부(40a)는 상기 기판의 지지 평면의 직경보다 큰 축방향 길이를 갖는다.
일 실시예에서, 냉각부(40b)는 요소 축에 동축으로 연장된 분산 디스크(44)의 축방향 연장부를 포함한다.
일 실시예에서, 반응 요소(40)의 제2 요소 단부(40")에는 로드 셀(50)을 대면하는 적외선 스크린(46)이 구비된다.
일 실시예에서, 냉각 회로(54)는 셀 홀더 플레이트를 약 25℃의 온도로 유지하기에 적합하다.
예를 들어, 냉각 시스템은 냉각기에 의해 조절되는 냉각제의 순환에 기초하여 작동한다.
그러므로, 반응 요소(40)가 가열가능한 요소 플레이트(70) 및 냉각가능한 셀 홀더 플레이트와 조합됨으로써,
- 요소 플레이트로부터 반응 요소의 가열부로의 전도에 의한 열 전달을 통해 상기 신터링되는 기판을 가열할 수 있고;
- 상측 가압기 부재들에 의해 가해지는 신터링 압력에 반작용(counteract)할 수 있으며;
- 상기 반작용 힘을 로드 셀에 전달할 수 있고;
- 상기 로드 셀에 대한 열 전달을 감소시킬 수 있다.
따라서 상기 냉각 회로는 상기 로드 셀을 과도한 에너지 지출없이 예를 들어 60℃인 허용가능한 작동 온도로 유지할 수 있다.
일 실시예에서는 제2 확산 플레이트(120)가 가압기 가열 몸체(116)와 접촉하게 배치되고, 또한 가압기 부재(112)들 사이에서 상기 내측 플레이트(114)에 걸쳐 연장된다. 다시 말하면, 제2 확산 플레이트(120)는 복수의 개구(122)를 포함하고, 상기 개구들을 통해서 가압기 부재(112)들의 상측 단부들이 돌출되어 가압기 로드(28)들에 맞닿을 수 있게 된다.
또한 제2 확산 플레이트(120)는 예를 들어 스틸로 만들어진 내측 플레이트(114)보다 높은 열 전도율을 가진 재료로 만들어진다.
또한 상기 제2 확산 플레이트(120)는 예를 들어 구리로 만들어진다.
일 실시예에서, 제2 확산 플레이트(120)는 예를 들어 열 확산 플레이트(120) 내의 슬롯 구멍들에 결합되는 볼트들에 의해서 유격을 가지고 탈착가능한 방식, 즉 슬라이딩가능한 방식으로 가압기 가열 몸체(116) 및 내측 플레이트(112)에 고정되는데, 이것은 상기 내측 플레이트와 가압기 가열 몸체의 상이한 열 팽창을 허용하기 위한 것이다.
일 실시예에서, 상기 제2 확산 플레이트(120)에도 보상 구멍(124)들이 만들어지는바, 이들은 가압기 부재(112)들 모두의 균일한 가열을 보장하는 위치 및/또는 형상을 갖는다.
본 발명에 따른 신터링 프레스의 실시예들과 관련하여, 통상의 기술자는 하기 청구범위의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 필요에 따라서 구성요소들의 변형, 적합화, 및 다른 구성요소와의 교체를 할 수 있다. 가능한 실시예와 관련하여 설명된 특징들 각각은 설명된 다른 실시예와 독립적으로 구현될 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판 상의 전자 부품(electronic component)들을 신터링하기 위한 신터링 프레스(sintering press)로서,
    상기 신터링될 전자 부품들에 신터링 압력을 가하기 위한 복수의 제어가능한 가압기 부재(presser member)를 포함하는, 프레스 유닛(pressing unit);
    복수의 반응 요소(reaction element)로서, 상기 반응 요소 각각은 제1 요소 단부와 제2 요소 단부 사이에서 전체적으로 상기 프레스의 프레스 축(pressing axis)에 대해 평행한 요소 축(element axis)을 따라서 연장되고, 상기 제1 요소 단부는 개별의 기판을 위한 지지 평면을 형성하는, 복수의 반응 요소;
    상기 반응 요소를 슬라이딩가능하게 지지하기에 적합한 요소 플레이트(element plate)로서, 상기 반응 요소는, 상기 요소 플레이트에 행렬을 이루어 배치되고 또한 상기 요소 플레이트로부터 돌출되는 제1 단부를 구비하는, 요소 플레이트;
    상기 요소 플레이트를 신터링 온도로 가열하기 위하여, 상기 요소 플레이트 주위에 배치되는 가열 몸체(heating body) 내에 내장된 가열 요소들을 포함하는, 가열 회로; 및
    상기 가열 몸체와 접촉하게 배치된 열 확산 플레이트(heat diffusion plate)로서, 상기 열 확산 플레이트는 상기 요소 플레이트 상에서 반응 요소들 사이에서 펼쳐진 형태를 가지며, 상기 열 확산 플레이트는 상기 요소 플레이트의 열 전도율보다 높은 열 전도율을 가진 재료로 만들어지는, 열 확산 플레이트;를 포함하는, 신터링 프레스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 확산 플레이트는 적어도 두 개의 단부 열 수집기(end heat collector) 및 중앙 그리드(central grid)를 포함하고,
    상기 열 수집기들은 서로에 대해 반대로 배치되고 고정되며, 상기 열 수집기들 각각은 가열 몸체와 요소 플레이트에 걸쳐 배치되고,
    상기 중앙 그리드는 상기 반응 요소의 제1 단부들을 둘러싸는 요소 플레이트 상에서 접촉하며 펼쳐진 형태로 배치되는, 신터링 프레스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 프레스 유닛은 가압기 부재들을 슬라이딩가능하게 지지하는 가압기 가열 플레이트를 더 포함하고, 상기 가압기 부재들 각각은 신터링될 개별의 전자 부품에 작용하는 대응되는 가압기 로드(presser rod)에 의해 작동될 수 있으며,
    상기 가압기 가열 플레이트는, 상기 가압기 부재들을 슬라이딩가능하게 지지하기에 적합한 내측 플레이트와, 상기 내측 플레이트 주위에 배치된 가압기 가열 몸체를 포함하고, 상기 가압기 가열 몸체에는 상기 내측 플레이트 그리고 이에 따라 상기 가압기 부재들을 가열하기에 적합한 가열 수단이 제공되는, 신터링 프레스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 프레스 유닛은 상기 가압기 가열 몸체와 접촉하게 배치된 제2 확산 플레이트를 포함하고, 상기 제2 확산 플레이트는 상기 내측 플레이트 상에서 상기 가압기 부재들 사이에서 펼쳐진 형태로 배치되며, 상기 제2 확산 플레이트는 상기 내측 플레이트의 열 전도율보다 높은 열 전도율을 가진 재료로 만들어지는, 신터링 프레스.
  5. 앞선 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 확산 플레이트(들)은 구리로 만들어지는, 신터링 프레스.
  6. 앞선 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 확산 플레이트(들)은 개별의 가열 몸체들 및 개별의 플레이트들에 대해서 유격(play)을 가지고 분리가능한 방식으로 고정되는, 신터링 프레스.
  7. 앞선 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 확산 플레이트 내에는, 상기 반응 요소들 모두 및/또는 가압기 부재들 모두의 균일한 가열을 보장하는 위치 및/또는 형상을 갖는 공기 유동 구멍(air flow hole)들이 만들어져 있는, 신터링 프레스.
  8. 앞선 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요소 플레이트는 상기 가열 몸체로부터 분리가능한, 신터링 프레스.
  9. 앞선 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 신터링 프레스는 복수의 로드 셀(load cell)을 포함하고, 상기 로드 셀들 각각은 제2 요소 단부에 작동가능하게 연결되며, 상기 로드 셀은 적어도 하나의 가압기 부재에 의해 가해지는 힘을 반응 요소에 의하여 검출하고, 상기 로드 셀은 냉각 회로에 작동가능하게 연결된 셀 홀더 플레이트(cell holder plate) 내에 수용되는, 신터링 프레스.
  10. 앞선 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 반응 요소는 가열부(heating portion) 및 냉각부(cooling portion)를 구비하고, 상기 가열부는 상기 요소 플레이트를 관통하고 또한 요소 플레이트의 열을 기판으로 전도에 의하여 전달하기에 적합하며, 상기 냉각부는, 제2 단부로 끝나고, 또한 상기 요소 플레이트로부터 가열부로 전달되는 열을 분산시키는 형상을 가진, 신터링 프레스.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 냉각부는 상기 요소 축에 대해 동축으로 연장되는 분산 디스크(dissipating disk)들의 축방향 연속부를 포함하는, 신터링 프레스.
  12. 앞선 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반응 요소의 제2 단부에는 상기 로드 셀을 대면하는 적외선 스크린(infrared screen)이 구비된, 신터링 프레스.
KR1020217017827A 2018-12-20 2019-12-17 기판 상의 전자 부품들을 신터링하기 위한 신터링 프레스 KR20210107649A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT102018000020275 2018-12-20
IT102018000020275A IT201800020275A1 (it) 2018-12-20 2018-12-20 Pressa di sinterizzazione per sinterizzare componenti elettronici su un substrato
PCT/IB2019/060922 WO2020128832A1 (en) 2018-12-20 2019-12-17 Sintering press for sintering electronic components on a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210107649A true KR20210107649A (ko) 2021-09-01

Family

ID=66166285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217017827A KR20210107649A (ko) 2018-12-20 2019-12-17 기판 상의 전자 부품들을 신터링하기 위한 신터링 프레스

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11820095B2 (ko)
EP (1) EP3900024A1 (ko)
JP (1) JP7444479B2 (ko)
KR (1) KR20210107649A (ko)
CN (1) CN113169093A (ko)
IT (1) IT201800020275A1 (ko)
MA (1) MA54532A (ko)
WO (1) WO2020128832A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT17830U1 (de) * 2021-10-18 2023-04-15 Iag Ind Automatisierungsgesellschaft M B H Presswerkzeug zum Verpressen von Compoundmischungen
US20230280218A1 (en) * 2022-03-01 2023-09-07 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Force measurement device and method for bonding or encapsulation process and apparatus incorporating the device
WO2024042155A1 (de) * 2022-08-25 2024-02-29 Pink Gmbh Thermosysteme Sintervorrichtung und verfahren
CN115394689B (zh) * 2022-09-05 2023-09-01 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 一种功率半导体器件热压烧结装置
DE102022130928B3 (de) 2022-11-22 2024-04-18 Semikron Danfoss GmbH Verfahren zum Drucksintern, Unterwerkzeug für eine Sinterpresse und Sinterpresse mit einem solchen Unterwerkzeug

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3619896A (en) * 1969-02-27 1971-11-16 Nasa Thermal compression bonding of interconnectors
US4087037A (en) * 1976-07-09 1978-05-02 Mcdonnell Douglas Corporation Method of and tools for producing superplastically formed and diffusion bonded structures
US4607779A (en) * 1983-08-11 1986-08-26 National Semiconductor Corporation Non-impact thermocompression gang bonding method
JP2695352B2 (ja) * 1992-07-27 1997-12-24 株式会社日立製作所 多層セラミック基板の製造装置
JP3737331B2 (ja) * 1999-03-31 2006-01-18 Ｓｐｓシンテックス株式会社 粉体の自動充填方法及び装置
TW569062B (en) * 2001-12-25 2004-01-01 Toshiba Corp Thermal bonding device and method
JP4206320B2 (ja) * 2003-09-19 2009-01-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
DE102004008450B4 (de) * 2004-02-16 2008-12-11 Prettl, Rolf Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Verbundbauteiles
KR100622524B1 (ko) * 2005-03-08 2006-09-13 진인태 열간금속판재 소성유동 고상접합장치 및 접합방법
US7748595B2 (en) * 2005-03-08 2010-07-06 In Tai Jin Apparatus and method for hot bonding metal plates
JP5054933B2 (ja) * 2006-05-23 2012-10-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010034423A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Fujitsu Ltd 加圧加熱装置及び方法
US8652260B2 (en) * 2008-08-08 2014-02-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for holding semiconductor wafers
TWI564106B (zh) * 2011-03-28 2017-01-01 山田尖端科技股份有限公司 接合裝置以及接合方法
JP5892682B2 (ja) * 2011-04-27 2016-03-23 アピックヤマダ株式会社 接合方法
JP5659427B2 (ja) * 2011-06-28 2015-01-28 アピックヤマダ株式会社 平行昇降機構および半導体製造装置
JP5189194B2 (ja) * 2011-09-05 2013-04-24 ミカドテクノス株式会社 真空加熱接合装置及び真空加熱接合方法
JP2013081971A (ja) 2011-10-06 2013-05-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 加圧加熱装置、及び、電子部品の製造方法
JP5906392B2 (ja) * 2012-12-28 2016-04-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 圧着装置
JP5592554B1 (ja) * 2013-12-18 2014-09-17 武延 本郷 冷間圧接装置、コイル製造装置、コイルおよびその製造方法
JP2017026505A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN105033440A (zh) * 2015-08-10 2015-11-11 苏州听毅华自动化设备有限公司 一种工件压接成型装置
CN106003783B (zh) * 2016-07-04 2018-01-02 安徽东海机床制造有限公司 一种大吨位回转移动液压机
IT201700000191A1 (it) * 2017-01-02 2018-07-02 Amx Automatrix S R L Pressa e metodo di sinterizzazione di componenti elettronici su un substrato
WO2018146181A1 (en) * 2017-02-08 2018-08-16 Gkn Sinter Metals Engineering Gmbh Tool set having deflection compensation
IT202000023641A1 (it) * 2020-10-07 2022-04-07 St Microelectronics Srl Elemento di bloccaggio dei piedini di connessione di piastrine semiconduttrici, in particolare per moduli di potenza per applicazioni automobilistiche, e metodo di assemblaggio
CN113305411A (zh) * 2021-04-25 2021-08-27 樊雄佳 一种用于新材料焊接的真空扩散焊

Also Published As

Publication number Publication date
US20220001637A1 (en) 2022-01-06
EP3900024A1 (en) 2021-10-27
MA54532A (fr) 2022-03-30
US11820095B2 (en) 2023-11-21
WO2020128832A1 (en) 2020-06-25
JP2022510801A (ja) 2022-01-28
JP7444479B2 (ja) 2024-03-06
CN113169093A (zh) 2021-07-23
IT201800020275A1 (it) 2020-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210107649A (ko) 기판 상의 전자 부품들을 신터링하기 위한 신터링 프레스
JP7152181B2 (ja) 温度均一性を提供するための熱循環装置および方法
US10124342B2 (en) Floating thermal contact enabled PCR
KR102438150B1 (ko) 회오리바람 냉각판으로 집적 회로 장치에 시험 공구 세공을 적합하게 하기 위한 시스템 및 방법
KR100993079B1 (ko) 접합장치
US11061067B2 (en) Apparatus and method for a high temperature test and a low temperature test and configured to maintain an electronic component under test near a test temperature
JP5943085B2 (ja) ガスクロマトグラフ装置
JP2004507886A (ja) 温度制御された自動試験用熱プラットフォーム
US20220404299A1 (en) High sample throughput differential scanning calorimeter
WO2018113435A1 (zh) 样本承载系统
KR102372074B1 (ko) 압력 경감 밸브로 집적 회로 디바이스에 디바이스 테스터를 적응시키기 위한 시스템 및 방법
US20170028494A1 (en) Apparatus and method for soldering joining partners, said apparatus comprising a vacuum chamber and plate elements
KR20210105354A (ko) 기판 상의 전자부품들을 신터링하기 위한 신터링 프레스
CN110749783B (zh) 高低温测试设备及其测试方法
JP6667879B1 (ja) 電子部品の実装装置
KR102527371B1 (ko) 태양 전지 접합
KR20180135465A (ko) 가압 장치 및 가압 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal