KR20210086311A - 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 제어 노드의 충전 특성이 개선된 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치를 제공하는 것으로, 일 예에 따른 게이트 구동 회로는 제 1 내지 제 m 스테이지 회로를 포함하며, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 제 1 내지 제 3 제어 노드, 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압을 제어하는 노드 제어 회로, 및 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압에 따라 스캔 신호와 센스 신호 및 캐리 신호 각각을 출력하는 출력 버퍼 회로를 포함하며, 노드 제어 회로는 전단 스테이지 회로부터 공급되는 제 1 전단 캐리 신호에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압을 제 1 제어 노드에 충전하는 노드 셋업 회로를 포함할 수 있다.
Description
본 명세서는 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치에 관한 것이다.
발광 표시 장치는 자발광 소자를 이용하여 영상을 표시하기 때문에 고속의 응답 속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 시야각에 문제가 없어 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.
발광 표시 장치는 발광 소자와 발광 소자를 구동하는 픽셀 회로를 갖는 픽셀들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 픽셀 회로는 발광 소자에 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 박막 트랜지스터, 스캔 신호에 따라 구동 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압을 제어(또는 프로그래밍)하는 적어도 하나의 스위칭 박막 트랜지스터를 포함한다. 픽셀 회로의 스위칭 박막 트랜지스터는 표시 패널의 기판에 직접 형성된 게이트 구동 회로의 출력 신호에 의해 스위칭될 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동 회로는 제어 노드의 전압에 따라 픽셀 회로의 스위칭 박막 트랜지스터를 스위칭시키기 위한 신호를 출력할 수 있다.
최근, 발광 표시 장치에서 동영상 응답 시간을 단축하기 위해서 블랙 영상을 삽입하는 기술이 제안되고 있다. 블랙 영상 삽입 기술은 이웃한 프레임들 사이에 블랙 영상을 표시하여 이전 프레임의 영상이 다음 프레임의 영상에 미치는 영향을 제거함으로써 동영상 응답 시간을 단축할 수 있다.
그리고, 발광 표시 장치에 표시되는 영상의 품질을 높이기 위해 외부 보상 기술이 사용되고 있다. 외부 보상 기술은 픽셀의 구동 특성(또는 전기적 특성)에 따른 픽셀 전압 또는 전류를 센싱하고, 센싱된 결과를 바탕으로 입력 영상의 데이터를 변조함으로써 픽셀들 간 구동 특성 편차를 보상할 수 있다.
그러나, 종래의 발광 표시 장치에서, 게이트 구동 회로는 박막 트랜지스터의 문턱 전압 변화에 따른 제어 노드의 충전 특성이 저하되고, 이로 인하여 게이트 구동 회로에서 비정상적인 신호가 출력되거나 제어 노드에 연결된 박막 트랜지스터의 누설 전류에 따른 게이트 구동 전압의 전압 강하(IR Drop)로 인하여 오동작할 수 있다.
블랙 영상 삽입 기술 및/또는 외부 보상 기술이 적용된 발광 표시 장치는 블랙 영상을 수평 라인(또는 수평 픽셀 라인) 단위로 순차적으로 표시하는데, 게이트 구동 회로에서 발생되는 제어 노드의 충전 특성 저하 또는 제어 노드에 연결된 박막 트랜지스터의 누설 전류에 따라 1 프레임 내에서 블랙 영상을 표시하거나 픽셀의 구동 특성을 센싱하기 위한 시간이 부족함에 따라 화질 불량이 발생되고, 이러한 화질 불량으로 인하여 신뢰성이 저하될 수 있다.
위에서 설명한 배경기술의 내용은 본 명세서의 발명자가 본 명세서의 예를 도출하기 위해 보유하고 있었거나, 본 명세서의 예를 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 명세서의 출원 이전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.
본 명세서는 제어 노드의 충전 특성이 개선된 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
또한, 본 명세서는 제어 노드에 연결된 박막 트랜지스터의 누설 전류에 의한 게이트 구동 전압의 전압 강하가 최소화된 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 명세서의 예에 따른 해결하고자 하는 과제들은 위에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재 내용으로부터 본 명세서의 기술 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로는 제 1 내지 제 m 스테이지 회로를 포함하며, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 제 1 내지 제 3 제어 노드, 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압을 제어하는 노드 제어 회로, 및 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압에 따라 스캔 신호와 센스 신호 및 캐리 신호 각각을 출력하는 출력 버퍼 회로를 포함하며, 노드 제어 회로는 전단 스테이지 회로부터 공급되는 제 1 전단 캐리 신호에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압을 제 1 제어 노드에 충전하는 노드 셋업 회로를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 픽셀, 복수의 픽셀에 연결된 제 1 게이트 라인과 제 2 게이트 라인을 갖는 복수의 게이트 라인 그룹, 및 복수의 픽셀에 연결되고 복수의 게이트 라인 그룹과 교차하는 복수의 데이터 라인과 복수의 레퍼런스 라인을 포함하는 발광 표시 패널; 복수의 게이트 라인 그룹에 연결된 게이트 구동 회로를 포함하는 게이트 구동 회로부; 복수의 데이터 라인과 복수의 레퍼런스 라인에 연결된 데이터 구동 회로부; 및 게이트 구동 회로부와 데이터 구동 회로부 각각의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 포함하며, 게이트 구동 회로는 제 1 내지 제 m 스테이지 회로를 포함하며, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 제 1 내지 제 3 제어 노드, 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압을 제어하는 노드 제어 회로, 및 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압에 따라 스캔 신호와 센스 신호 및 캐리 신호 각각을 출력하는 출력 버퍼 회로를 포함하며, 노드 제어 회로는 전단 스테이지 회로부터 공급되는 제 1 전단 캐리 신호에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압을 제 1 제어 노드에 충전하는 노드 셋업 회로를 포함할 수 있다.
위에서 언급된 과제의 해결 수단 이외의 본 명세서의 다양한 예에 따른 구체적인 사항들은 아래의 기재 내용 및 도면들에 포함되어 있다.
본 명세서의 일 예는 제어 노드의 충전 특성이 개선된 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 명세서의 일 예는 제어 노드에 연결된 박막 트랜지스터의 누설 전류에 의한 게이트 구동 전압의 전압 강하가 최소화된 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
위에서 언급된 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과의 내용은 청구범위의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구범위의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.
도 1은 본 명세서의 일 예에 따른 발광 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 나타내는 등가 회로도이다.
도 3은 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로의 출력 신호를 나타내는 파형도이다.
도 4는 제 1 수평 라인에 배치된 픽셀들을 구동하기 위한 스캔 신호와 센스 신호 및 데이터 전압을 나타내는 타이밍도이다.
도 5는 제 n 수평 라인에 배치된 픽셀들을 구동하기 위한 스캔 신호와 센스 신호 및 데이터 전압을 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 도 1에 도시된 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 게이트 제어 신호 라인에 인가되는 신호, 제 1 및 제 2 스테이지 회로 각각의 제어 노드의 전압과 출력 신호를 나타내는 파형도이다.
도 8은 도 6에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로를 나타내는 블록도이다.
도 9는 도 8에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로를 나타내는 회로도이다.
도 10은 도 9에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로 각각의 입출력 파형을 나타내는 도면이다.
도 11a 내지 도 11i는 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로 각각의 동작 과정을 나타내는 도면들이다.
도 12a 및 도 12b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로의 각 스테이지 회로에 구현된 제 1 제어 노드의 충전 경로를 나타낸 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로의 출력 특성을 나타낸 파형도이다.
도 14a 및 도 14b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로 각각의 제 1 제어 노드의 충전 전압 파형을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 나타내는 등가 회로도이다.
도 3은 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로의 출력 신호를 나타내는 파형도이다.
도 4는 제 1 수평 라인에 배치된 픽셀들을 구동하기 위한 스캔 신호와 센스 신호 및 데이터 전압을 나타내는 타이밍도이다.
도 5는 제 n 수평 라인에 배치된 픽셀들을 구동하기 위한 스캔 신호와 센스 신호 및 데이터 전압을 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 도 1에 도시된 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 게이트 제어 신호 라인에 인가되는 신호, 제 1 및 제 2 스테이지 회로 각각의 제어 노드의 전압과 출력 신호를 나타내는 파형도이다.
도 8은 도 6에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로를 나타내는 블록도이다.
도 9는 도 8에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로를 나타내는 회로도이다.
도 10은 도 9에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로 각각의 입출력 파형을 나타내는 도면이다.
도 11a 내지 도 11i는 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로 각각의 동작 과정을 나타내는 도면들이다.
도 12a 및 도 12b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로의 각 스테이지 회로에 구현된 제 1 제어 노드의 충전 경로를 나타낸 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로의 출력 특성을 나타낸 파형도이다.
도 14a 및 도 14b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로 각각의 제 1 제어 노드의 충전 전압 파형을 나타내는 도면이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 다양한 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 명세서의 일 예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서의 기술 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 기술 사상의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서의 기술 사상은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 명세서의 다양한 예들 각각의 기술적 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
본 명세서에서 발광 표시 패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로와 게이트 구동 회로는 n 타입 MOSFET 구조의 박막 트랜지스터로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않고 p 타입 MOSFET 구조의 박막 트랜지스터로 구현될 수도 있다. 박막 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터에서, 캐리어(carrier)는 소스로부터 드레인으로 흐를 수 있다. n 타입 박막 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압은 드레인 전압보다 낮은 전압을 갖는다. n 타입 박막 트랜지스터에서는 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 타입 박막 트랜지스터의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압은 드레인 전압보다 높은 전압을 갖는다. p 타입 박막 트랜지스터에서는 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET 구조의 박막 트랜지스터에서 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 예에 대한 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제 1 소스/드레인 전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제 2 소스/드레인 전극으로 설명한다.
이하에서는 본 명세서에 따른 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 그리고, 첨부된 도면에 도시된 구성요소들의 스케일은 설명의 편의를 위해 실제와 다른 스케일을 가지므로, 도면에 도시된 스케일에 한정되지 않는다.
도 1은 본 명세서의 일 예에 따른 발광 표시 장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 나타내는 등가 회로도이며, 도 3은 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로의 출력 신호를 나타내는 파형도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 발광 표시 패널(100), 타이밍 제어부(300), 게이트 구동 회로부(500), 및 데이터 구동 회로부(700)를 포함할 수 있다.
발광 표시 패널(100)은 기판 상에 정의된 표시 영역(AA)(또는 활성 영역), 및 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(IA) (또는 비활성 영역)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)은 복수의 게이트 라인 그룹(GLG), 복수의 데이터 라인(DL), 복수의 레퍼런스 라인(RL), 및 복수의 픽셀(P)을 포함할 수 있다.
복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 각각은 제 1 방향(X)을 따라 길게 연장되고 제 1 방향(X)과 교차하는 제 2 방향(Y)을 따라 서로 이격되도록 기판 상에 배열될 수 있다. 일 예에 따른 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 각각은 제 1 게이트 라인(스캔 신호 라인)(GLa) 및 제 2 게이트 라인(센스 신호 라인)(GLb)을 포함할 수 있다.
복수의 데이터 라인(DL) 각각은 제 2 방향(Y)을 따라 길게 연장되고 제 1 방향(X)을 따라 서로 이격되도록 기판 상에 배열될 수 있다.
복수의 레퍼런스 라인(RL) 각각은 복수의 데이터 라인(DL) 각각과 나란하도록 기판 상에 배열될 수 있다. 예를 들어, 레퍼런스 라인들(RL)은 센싱 라인으로 표현될 수도 있다.
복수의 픽셀(P) 각각은 복수의 게이트 라인 그룹(GLG)과 복수의 데이터 라인(DL)에 의해 정의되는 픽셀 영역에 배치될 수 있다.
일 예에 따른 복수의 픽셀(P) 각각은 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 또는 청색 픽셀일 수 있다. 이 경우, 인접한 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 및 청색 픽셀은 하나의 단위 픽셀을 구현할 수 있다.
다른 예에 따른 복수의 픽셀(P) 각각은 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 청색 픽셀, 또는 백색 픽셀일 수 있다. 이 경우, 인접한 적색 픽셀, 녹색 픽셀, 청색 픽셀, 및 백색 픽셀은 하나의 컬러 영상을 표시하기 위한 하나의 단위 픽셀을 구현할 수 있다.
표시 영역(AA)은 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 각각의 길이 방향에 따라 복수의 수평 라인 또는 복수의 수평 픽셀 라인을 포함할 수 있다. 각 수평 라인 또는 수평 픽셀 라인에 배치된 픽셀들(P)은 동일한 게이트 라인 그룹(GLG)에 공통적으로 연결될 수 있다.
복수의 픽셀(P) 각각은 발광 소자(ELD), 및 발광 소자(ELD)의 발광을 제어하는 픽셀 회로(PC)를 포함할 수 있다.
픽셀 회로(PC)는 인접한 게이트 라인 그룹(GLG)을 통해 공급되는 신호에 응답하여 인접한 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 데이터 전압(Vdata)과 인접한 레퍼런스 라인(RL)을 통해 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)을 기반으로 하는 데이터 전류를 출력할 수 있다.
일 예에 따른 픽셀 회로(PC)는 제 1 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw1), 제 2 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw2), 구동 박막 트랜지스터(Tdr), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 이하의 설명에서, 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 "TFT"라 칭하기로 한다.
제 1 스위칭 TFT(Tsw1)와 제 2 스위칭 TFT(Tsw2) 및 구동 TFT(Tdr) 중 적어도 하나는 a-Si TFT, poly-Si TFT, Oxide TFT, 또는 Organic TFT일 수 있다. 예를 들어, 픽셀 회로(PC)에서, 제 1 스위칭 TFT(Tsw1), 제 2 스위칭 TFT(Tsw2), 및 구동 TFT(Tdr) 중 일부는 응답 특성이 우수한 LTPS(low-temperature poly-Si)으로 이루어진 반도체층(또는 활성층)을 포함하는 TFT일 수 있고, 제 1 스위칭 TFT(Tsw1), 제 2 스위칭 TFT(Tsw2), 및 구동 TFT(Tdr) 중 일부를 제외한 나머지는 오프 전류(off current) 특성이 우수한 옥사이드(oxide)로 이루어진 반도체층(또는 활성층)을 포함하는 TFT일 수 있다.
제 1 스위칭 TFT(Tsw1)는 게이트 라인 그룹(GLG)의 제 1 게이트 라인(GLa)에 접속된 게이트 전극, 인접한 데이터 라인(DL)에 접속된 제 1 소스/드레인 전극, 및 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)에 접속된 제 2 소스/드레인 전극을 포함한다. 이러한 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)는 제 1 게이트 라인(GLa)을 통해 공급되는 스캔 신호(SC[1] 내지 SC[n])에 따라 인접한 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ns)에 공급한다.
제 2 스위칭 TFT(Tsw2)는 게이트 라인 그룹(GLG)의 제 2 게이트 라인(GLb)에 접속된 게이트 전극, 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)에 접속된 제 1 소스/드레인 전극, 및 인접한 레퍼런스 라인(RL)에 접속된 제 2 소스/드레인 전극을 포함한다. 이러한 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)는 제 2 게이트 라인(GLb)을 통해 공급되는 센스 신호(SE[1] 내지 SE[m])에 따라 인접한 레퍼런스 라인(RL)을 통해 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)을 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(n2)에 공급한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 사이에 형성될 수 있다. 일 예에 따른 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)에 연결된 제 1 커패시터 전극, 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)에 연결된 제 2 커패시터 전극, 및 제 1 커패시터 전극과 제 2 커패시터 전극의 중첩 영역에 형성된 유전체층을 포함할 수 있다. 이러한 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 사이의 차 전압을 충전한 후, 충전된 전압에 따라 구동 TFT(Tdr)를 스위칭시킨다.
구동 TFT(Tdr)는 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)의 제 2 소드/드레인 전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 커패시터 전극에 공통적으로 접속된 게이트 전극(또는 게이트 노드(Ng)), 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)의 제 1 소드/드레인 전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 제 2 커패시터 전극 및 발광 소자(ELD)에 공통적으로 연결된 제 1 소스/드레인 전극(또는 소스 노드(Ns)), 및 픽셀 구동 전원(EVDD)에 연결된 제 2 소스/드레인 전극(또는 드레인 노드)을 포함할 수 있다. 이러한 구동 TFT(Tdr)는 스토리지 커패시터(Cst)의 전압에 의해 턴-온됨으로써 픽셀 구동 전원(EVDD)으로부터 발광 소자(ELD)로 흐르는 전류 량을 제어할 수 있다.
발광 소자(ELD)는 픽셀 회로(PC)로부터 공급되는 데이터 전류에 의해 발광하여 데이터 전류에 대응되는 휘도의 광을 방출한다.
일 예에 따른 발광 소자(ELD)는 픽셀 회로(PC)와 전기적으로 연결된 픽셀 전극(또는 애노드 전극)(PE), 자발광 소자, 및 자발광 소자 상에 배치되고 픽셀 공통 전원(EVSS)에 연결된 공통 전극(또는 캐소드 전극)(CE)을 포함할 수 있다.
픽셀 전극(PE)은 픽셀(P)에 정의된 발광 영역(또는 개구부)에 배치되고 픽셀 회로(PC)을 덮는 절연층(또는 평탄화층)에 배치된 컨택홀을 통해 픽셀 회로(PC)의 소스 노드(Ns)와 전기적으로 연결될 수 있다. 픽셀 전극(PE)은 발광 소자(ELD)의 상부 발광 구조 또는 하부 발광 구조에 따라 투명 전도성 금속 재질 또는 반사 금속 재질로 이루어질 수 있다.
자발광 소자는 픽셀 전극(PE) 상에 형성되어 픽셀 전극(PE)과 직접적으로 접촉된다. 이러한 발광 소자(ELD)는 픽셀 회로(PC)로부터 공급되는 데이터 전류에 의해 발광하여 데이터 전류에 대응되는 휘도의 광을 방출한다.
일 예에 따른 자발광 소자는 픽셀(P)별로 구분되지 않도록 복수의 픽셀(P) 각각에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 자발광 소자는 픽셀 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 흐르는 전류에 반응하여 백색 광을 방출할 수 있다. 일 예에 따른 자발광 소자는 유기 발광 소자 또는 무기 발광 소자를 포함하거나, 유기 발광 소자(또는 무기 발광 소자)와 양자점 발광 소자의 적층 또는 혼합 구조를 포함할 수 있다.
일 예에 따른 유기 발광 소자는 백색 광을 방출하기 위한 2 이상의 발광 물질층(또는 발광부)을 포함한다. 예를 들어, 유기 발광 소자는 제 1 광과 제 2 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하기 위한 제 1 발광 물질층과 제 2 발광 물질층을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 발광 물질층은 청색 발광 물질, 녹색 발광 물질, 적색 발광 물질, 황색 발광 물질, 및 황록색 발광 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제 2 발광 물질층은 청색 발광 물질, 녹색 발광 물질, 적색 발광 물질, 황색 발광 물질, 및 황록색 발광 물질 중 제 1 발광 물질층으로부터 방출되는 제 1 광과 혼합되어 백색 광을 만들 수 있는 제 2 광을 방출하기 위한 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 예에 따른 유기 발광 소자는 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 적어도 하나 이상의 기능층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 기능층은 발광 물질층의 상부 및/또는 하부 각각에 배치될 수 있다.
일 예에 따른 무기 발광 소자는 반도체 발광 다이오드, 마이크로 발광 다이오드, 또는 양자점 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(ELD)가 무기 발광 소자일 때, 발광 소자(ELD)는 1 내지 100 마이크로미터의 스케일을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
공통 전극(CE)은 표시 영역(AA) 상에 배치되고 자발광 소자와 직접적으로 접촉되거나 전기적으로 직접 접촉될 수 있다. 공통 전극(CE)은 발광 소자(ELD)의 상부 발광 구조 또는 하부 발광 구조에 따라 투명 전도성 금속 재질 또는 반사 금속 재질로 이루어질 수 있다.
복수의 픽셀(P) 각각에 연결되는 게이트 라인(GLa, GLb)의 개수는 픽셀(P)의 구조 또는 구동 방식에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)와 제 2 스위치 TFT(Tsw2)가 서로 다르게 구동되는 2 스캔 구조일 때, 각 픽셀(P)은 2개의 게이트 라인(GLa, GLb)에 연결된다. 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)와 제 2 스위치 TFT(Tsw2)가 서로 동일하게 구동되는 1 스캔 구조일 때, 각 픽셀(P)은 1개의 게이트 라인 그룹(GLG)에 연결된다. 본 명세서에서는, 설명의 편의를 위해 2 스캔 구조를 예로 들어 설명하지만, 본 명세서의 기술적 사상은 2 스캔 구조에 한정되지 않는다.
타이밍 제어부(300)는 디스플레이 구동 시스템(또는 호스트 제어부)로부터 제공되는 타이밍 동기 신호(TSS)의 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호를 기반으로, 발광 표시 패널(100)을 표시 모드와 센싱 모드로 제어할 수 있도록 구현될 수 있다.
발광 표시 패널(100)의 표시 모드는 일정한 시간 차를 갖는 입력 영상과 블랙 영상을 복수의 수평 라인에 순차적으로 표시하기 위한 구동일 수 있다. 일 예에 따른 표시 모드는 입력 영상을 표시하는 영상 표시 구간(또는 발광 표시 구간)(IDP), 및 블랙 영상을 표시하는 블랙 표시 구간(또는 임펄스 비발광 구간)(BDP)을 포함할 수 있다.
발광 표시 패널(100)의 센싱 모드(또는 실시간 센싱 모드)는 1 프레임 내에서 영상 표시 구간(IDP) 이후, 복수의 수평 라인 중 어느 하나의 수평 라인에 배치된 픽셀들(P)의 구동 특성을 센싱하고, 센싱 값에 기초하여 해당 픽셀들(P)의 구동 특성 변화를 보상하기 위한 픽셀별 보상 값을 갱신하기 위한 실시간 센싱 구동일 수 있다. 일 예에 따른 센싱 모드는 각 프레임의 수직 블랭크 구간(VBP) 내에서 불규칙적인 순서에 따라 복수의 수평 라인 중 어느 하나의 수평 라인에 배치된 픽셀들(P)의 구동 특성을 센싱할 수 있다. 표시 모드에 따라 발광하고 있는 픽셀들(P)은 센싱 모드에서 비발광되기 때문에 센싱 모드에서 순차적으로 수평 라인들을 센싱할 때, 센싱되는 수평 라인이 비발광으로 인한 라인 딤(line dim) 현상이 발생될 수 있다. 반면에, 센싱 모드에서 불규칙 또는 랜덤한 순서로 수평 라인들을 센싱할 때에는 시각적 분산 효과로 인하여 라인 딤 현상이 최소화되거나 방지될 수 있다.
일 예에 따르면, 타이밍 제어부(300)는 발광 표시 패널(100)에 영상을 표시하기 위한 각 프레임(Fn, Fn+1)을 영상 표시 구간(IDP)과 블랙 표시 구간(BDP) 및 실시간 센싱 구간(RSP)으로 설정할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 제어부(300)는 한 프레임 기간(Fn, Fn+1) 중 수직 액티브 구간(VAP)을 표시 모드를 위한 표시 구간(IDP, BDP)으로 설정하고, 수직 블랭크 구간(VBP)을 센싱 모드를 위한 센싱 구간(또는 실시간 센싱 구간)(RSP)으로 설정할 수 있다.
타이밍 제어부(300)는 한 프레임(Fn, Fn+1) 내에서 블랙 표시 구간(BDP)의 시작 시점을 제어함으로써 영상 표시 구간(IDP)의 듀티(또는 발광 듀티)를 가변할 수 있다. 일 예에 따른 타이밍 제어부(300)는 프레임(Fn, Fn+1) 단위로 입력 영상을 비교 분석하여 영상의 모션 벡터를 추출하고, 영상의 모션 벡터에 따라 블랙 표시 구간(BDP)의 시작 시점을 가변할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 제어부(300)는 영상의 모션 벡터가 기준 값보다 클수록 한 프레임(Fn, Fn+1) 내에서 블랙 표시 구간(BDP)의 시작 시점을 앞당겨 영상 표시 구간(IDP)의 듀티를 감소시킴으로써 픽셀(P)의 최대 순간 휘도를 증가시키고, 이를 통해 동영상 응답시간을 단축시키면서 모션 블러링(motion blurring)을 최소화할 수 있다. 반대로, 타이밍 제어부(300)는 영상의 모션 벡터가 기준 값보다 작을수록 한 프레임(Fn, Fn+1) 내에서 블랙 표시 구간(BDP)의 시작 시점을 늦추어 영상 표시 구간(IDP)의 듀티를 증가시킴으로써 픽셀(P)의 휘도를 증가시킬 수 있다.
타이밍 제어부(300)는 디스플레이 구동 시스템(또는 호스트 제어부)로부터 제공되는 타이밍 동기 신호(TSS)를 기반으로, 발광 표시 패널(100)을 영상 표시 구간(IDP), 블랙 표시 구간(BDP) 및 센싱 구간(RSP)으로 구동시키기 위한 게이트 제어 신호(GCS) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 생성해 출력할 수 있다.
데이터 제어 신호(DCS)는 데이터 구동 회로부(700)의 구동 타이밍을 제어하기 위한, 소스 스타트 펄스와 소스 샘플링 클럭 및 소스 출력 인에이블 등을 포함할 수 있다.
게이트 제어 신호(GCS)는 게이트 구동 회로부(500)의 구동 타이밍을 제어하기 위한, 게이트 스타트 신호, 제 1 리셋 신호, 제 2 리셋 신호, 게이트 구동 클럭, 및 라인 센싱 준비 신호 등을 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(300)는 영상 표시 구간(IDP), 블랙 표시 구간(BDP) 및 센싱 구간(RSP) 각각에서 각기 다른 게이트 구동 클럭을 생성할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 제어부(300)는 영상 표시 구간(IDP)에서 영상 표시용 게이트 구동 클럭, 블랙 표시 구간(BDP)에서 블랙 표시용 게이트 구동 클럭, 및 센싱 구간(RSP)에서 센싱용 게이트 구동 클럭을 생성할 수 있다. 영상 표시용 게이트 구동 클럭과 블랙 표시용 게이트 구동 클럭 및 센싱용 게이트 구동 클럭 각각은 서로 상이할 수 있다.
타이밍 제어부(300)는 표시 모드의 영상 표시 구간(IDP)마다 디스플레이 구동 시스템(또는 호스트 제어부)로부터 제공되는 입력 데이터(Idata)를 발광 표시 패널(100)의 구동에 알맞도록 픽셀 영상 데이터(PID)로 정렬해 데이터 구동 회로부(700)에 제공할 수 있다.
타이밍 제어부(300)는 표시 모드의 블랙 표시 구간(BDP)마다 픽셀 블랙 데이터(PBD)를 생성해 데이터 구동 회로부(700)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 제어부(300)는 미리 설정된 발광 소자(ELD)의 비발광 계조 값 또는 블랙 계조 값을 픽셀 블랙 데이터(PBD)로 생성할 수 있다.
타이밍 제어부(300)는 센싱 모드의 센싱 구간(RSP)마다 픽셀 센싱 데이터(PSD)를 생성해 데이터 구동 회로부(700)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 타이밍 제어부(300)는 센싱 구간(RSP)에서 센싱하고자 하는 수평 라인에 배치된 픽셀들(P)의 구동 TFT(Tdr)를 턴-온시킬 수 있는 계조 값을 픽셀 센싱 데이터(PSD)로 생성할 수 있다. 이때, 단위 픽셀을 구성하는 픽셀들에 해당하는 픽셀 센싱 데이터(PSD)는 동일한 계조 값을 가지거나, 픽셀별로 각기 다른 계조 값을 가질 수 있다.
게이트 구동 회로부(500)는 발광 표시 패널(100)의 비표시 영역(IA)에 배치되고 복수의 게이트 라인 그룹(GLG)과 전기적으로 연결될 수 있다. 게이트 구동 회로부(500)는 타이밍 제어부(300)로부터 제공되는 게이트 제어 신호(GCS)에 기초하여 복수의 게이트 라인 그룹(GLG)을 순차적으로 구동할 수 있다.
게이트 구동 회로부(500)는 타이밍 제어부(300)로부터 제공되는 게이트 제어 신호(GCS)에 기초하여, 영상 표시 구간(IDP), 블랙 표시 구간(BDP) 및 센싱 구간(RSP) 각각에 대응되는 스캔 신호(SC)와 센스 신호(SE) 각각을 생성하여 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 각 프레임 기간의 수직 액티브 구간(VAP)에서 스캔 신호(SC[1] 내지 SC[m])와 센스 신호(SE[1] 내지 SE[m])를 복수의 게이트 라인 그룹(GLG)에 순차적으로 공급하며, 각 프레임 기간의 수직 블랭크 구간(VBP)에서 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 중 어느 하나의 게이트 라인 그룹에 스캔 신호(SC[i], SC[n] )와 센스 신호(SE[i], SE[n])를 출력할 수 있다.
일 예에 따르면, 게이트 구동 회로부(500)는 표시 모드에서, 영상 표시 구간(IDP)에 해당하는 제 1 스캔 펄스(SCP1)와 블랙 표시 구간(BDP)에 해당하는 제 2 스캔 펄스(SCP2)를 갖는 스캔 신호(SC[1] 내지 SC[m])를 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 각각의 제 1 게이트 라인(GLa)에 순차적으로 공급하고, 제 1 스캔 펄스(SCP1)와 동기되는 제 1 센스 펄스(SEP1)를 갖는 센스 신호(SE[1] 내지 SE[m])를 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 각각의 제 2 게이트 라인(GLb)에 순차적으로 공급할 수 있다.
선택적으로, 게이트 구동 회로부(500)는 복수의 게이트 라인 그룹(GLG)을 복수의 수평 그룹을 그룹화하고, 표시 모드의 블랙 표시 구간(BDP)에서 수평 그룹 단위로 스캔 신호(SC[i])의 제 2 스캔 펄스(SCP2)를 동시에 공급할 수도 있다. 예를 들어, 표시 영역(AA)이 제 1 영역과 제 2 영역으로 가상 분할될 때, 게이트 구동 회로부(500)는 표시 모드에서, 제 1 영역에 배치된 복수의 제 1 게이트 라인(GLa)에 제 1 스캔 펄스(SCP1)를 순차적으로 공급하는 도중에 제 2 영역에 배치된 복수의 제 1 게이트 라인(GLa)에 제 2 스캔 펄스(SCP2)를 동시에 공급할 수 있다.
일 예에 따르면, 게이트 구동 회로부(500)는 각 프레임(Fn, Fn+1)의 센싱 모드마다 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 중 센싱하고자 하는 어느 하나의 특정 수평 라인에 배치된 게이트 라인 그룹(GLG)의 제 1 게이트 라인(GLa)에 제 3 스캔 펄스(SCP3)(또는 센싱용 스캔 펄스)와 제 4 스캔 펄스(SCP4)(또는 리셋용 스캔 펄스)를 갖는 스캔 신호(SC[i], SC[n])를 공급하고, 제 3 스캔 펄스(SCP3)와 제 4 스캔 펄스(SCP4) 모두와 중첩되는 제 2 센스 펄스(SEP2)(또는 센싱용 센스 펄스)를 갖는 센스 신호(SE[i], SE[n])를 특정 수평 라인에 배치된 게이트 라인 그룹(GLG)의 제 2 게이트 라인(GLb)에 공급할 수 있다.
일 예로서, 제 N 프레임(Fn)의 센싱 모드에서, 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 중 제 i 게이트 라인 그룹에 연결된 픽셀들(P)에 대해 센싱 구동이 수행될 때, 게이트 구동 회로부(500)는 제 3 스캔 펄스(SCP3)와 제 4 스캔 펄스(SCP4)를 갖는 스캔 신호(SC[i])를 제 i 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인(GLa)에 공급함과 동시에 제 3 스캔 펄스(SCP3)와 제 4 스캔 펄스(SCP4) 모두와 중첩되는 제 2 센스 펄스(SEP2)를 갖는 센스 신호(SE[i])를 제 i 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인(GLb)에 공급할 수 있다.
다른 예로서, 제 N+1 프레임(Fn+1)의 센싱 모드에서, 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 중 제 n 게이트 라인 그룹에 연결된 픽셀들(P)에 대해 센싱 구동(또는 센싱 구간(RSP))이 수행될 때, 게이트 구동 회로부(500)는 제 3 스캔 펄스(SCP3)와 제 4 스캔 펄스(SCP4)를 갖는 스캔 신호(SC[n])를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인(GLa)에 공급함과 동시에 제 3 스캔 펄스(SCP3)와 제 4 스캔 펄스(SCP4) 모두와 중첩되는 제 2 센스 펄스(SEP2)를 갖는 센스 신호(SE[n])를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인(GLb)에 공급할 수 있다.
게이트 구동 회로부(500)는 TFT의 제조 공정에 따라 표시 패널(100)의 비표시 영역(IA)에 직접 형성되거나 내장되어 복수의 게이트 라인 그룹(GLG)과 개별적으로 연결될 수 있다.
일 예로서, 게이트 구동 회로부(500)는 기판의 좌측 비표시 영역(IA)에 구현되고 싱글 피딩(single feeding) 방식에 따라 복수의 게이트 라인 그룹(GLG)을 정해진 순서에 따라 구동할 수 있다.
다른 예로서, 게이트 구동 회로부(500)는 기판의 좌측 및 우측 비표시 영역(IA)에 각각 구현되고 더블 피딩(double feeding) 방식 또는 싱글 피딩 방식에 따라 복수의 게이트 라인 그룹(GLG)을 정해진 순서에 따라 구동할 수 있다. 예를 들어, 싱글 피딩 방식에 있어서, 기판의 좌측 비표시 영역(IA)에 구현된 게이트 구동 회로부(500)는 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 중 홀수번째 게이트 라인 그룹을 순차적으로 구동할 수 있고, 기판의 우측 비표시 영역(IA)에 구현된 게이트 구동 회로부(500)는 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 중 짝수번째 게이트 라인 그룹을 순차적으로 구동할 수 있다. 더블 피딩 방식에 있어서, 기판의 좌측 비표시 영역(IA)에 구현된 게이트 구동 회로부(500)와 기판의 우측 비표시 영역(IA)에 구현된 게이트 구동 회로부(500) 각각은 복수의 게이트 라인 그룹(GLG) 각각을 동시에 순차적으로 구동할 수 있다.
데이터 구동 회로부(700)는 발광 표시 패널(100)에 마련된 복수의 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다. 일 예에 따른 데이터 구동 회로부(700)는 타이밍 제어부(300)로부터 제공되는 데이터(PID, PBD, PSD)와 데이터 제어 신호(DCS) 및 전원 공급부로부터 제공되는 복수의 기준 감마 전압을 이용하여 데이터(PID, PBD, PSD)를 아날로그 형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환하고, 변환된 데이터 전압을 해당 데이터 라인(DL)에 공급할 수 있다.
데이터 구동 회로부(700)는 표시 모드의 영상 표시 구간(IDP)에서, 타이밍 제어부(300)로부터 제공되는 데이터 제어 신호(DCS)를 기반으로 픽셀 영상 데이터(PID)를 영상 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당하는 데이터 라인(DL)에 공급하고, 이와 동시에 레퍼런스 전압(Vref)을 생성해 레퍼런스 라인(RL)에 공급할 수 있다. 영상 데이터 전압(Vdata)은 표시 모드의 영상 표시 구간(IDP)에 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)에 공급되는 스캔 신호(SC[1] 내지 SC[m])의 제 1 스캔 펄스(SCP1)와 동기될 수 있다. 그리고, 레퍼런스 전압(Vref)은 표시 모드의 영상 표시 구간(IDP)에 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)에 공급되는 센스 신호(SE[1] 내지 SE[m])의 표시용 센스 펄스(SEP)와 동기될 수 있다.
데이터 구동 회로부(700)는 표시 모드의 블랙 표시 구간(BDP)에서, 타이밍 제어부(300)로부터 제공되는 데이터 제어 신호(DCS)를 기반으로 픽셀 블랙 데이터(PBD)를 블랙 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당하는 데이터 라인(DL)에 공급할 수 있다. 블랙 데이터 전압(Vdata)은 표시 모드의 블랙 표시 구간(BDP)에 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)에 공급되는 스캔 신호(SC[i])의 표시용 제 2 스캔 펄스(SCP2)와 동기될 수 있다.
데이터 구동 회로부(700)는 센싱 모드의 센싱 구간(RSP)에서, 타이밍 제어부(300)로부터 제공되는 데이터 제어 신호(DCS)를 기반으로 픽셀 센싱 데이터(PSD)를 센싱 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당하는 데이터 라인(DL)에 공급하고, 이와 동시에 레퍼런스 전압(Vref)을 생성해 레퍼런스 라인(RL)에 공급할 수 있다. 센싱 데이터 전압(Vdata)은 센싱 모드의 센싱 구간(RSP)에 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)에 공급되는 스캔 신호(SC[i], SC[n])의 제 3 스캔 펄스(SCP3)와 동기될 수 있다. 그리고, 레퍼런스 전압(Vref)은 센싱 모드의 센싱 구간(RSP)에 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)에 공급되는 센스 신호(SE[i], SE[n])의 제 2 센스 펄스(SEP2)와 동기될 수 있다.
데이터 구동 회로부(700)는 센싱 모드의 센싱 구간(RSP)에서, 복수의 레퍼런스 라인(RL)을 통해서 픽셀(P)의 구동 특성 값, 예를 들어 구동 TFT의 특성값을 센싱하고, 센싱값에 대응되는 센싱 로우 데이터를 생성해 타이밍 제어부(300)에 제공할 수 있다. 그리고, 데이터 구동 회로부(700)는 센싱 모드의 센싱 구간(RSP)에 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)에 공급되는 스캔 신호(SC[i], SC[n])의 제 4 스캔 펄스(SCP4)와 동기되는 복원 데이터 전압(Vata)을 생성하여 데이터 라인(DL)에 공급함으로써 센싱 구간(RSP)에 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)에 연결된 픽셀들(P)의 표시 상태(또는 구동 상태)를 센싱 구간(RSP) 이전의 상태와 동일하게 복원(또는 회복)시킨다. 예를 들어, 센싱 구간(RSP) 이전에 영상 표시 구간(IDP)이 수행되었을 때, 복원 데이터 전압(Vdata)은 영상 데이터 전압(Vdata)일 수 있다. 센싱 구간(RSP) 이전에 블랙 표시 구간(BDP)이 수행되었을 때, 복원 데이터 전압(Vdata)은 블랙 데이터 전압(Vdata)일 수 있다.
한편, 일 예에 따른 타이밍 제어부(300)는 센싱 모드에 따라 데이터 구동 회로부(700)로부터 제공되는 픽셀(P)별 센싱 로우 데이터를 저장 회로에 저장한다. 그리고, 타이밍 제어부(300)는 표시 모드시, 저장 회로에 저장된 센싱 로우 데이터에 기초하여 센싱된 픽셀(P)에 공급될 픽셀 영상 데이터(PID)를 보정하여 데이터 구동 회로부(700)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 센싱 로우 데이터는 픽셀(P)에 배치된 구동 TFT와 발광 소자(ELD) 각각의 경시적 변화 정보를 포함할 수 있다. 이에 따라, 타이밍 제어부(300)는 센싱 모드에서, 각 픽셀에 배치된 구동 TFT의 특성 값(예를 들어, 문턱 전압 또는 이동도)을 센싱하고, 이를 기반으로 각 픽셀(P)에 공급될 픽셀 영상 데이터(PID)를 보정함으로써 복수의 픽셀(P) 내 구동 TFT의 특성 값 편차에 따른 화질 저하를 최소화하거나 방지할 수 있다. 이와 같은, 발광 표시 장치의 센싱 모드는 본 명세서의 출원인에 의해 이미 공지된 기술이므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 예를 들어, 본 명세서에 따른 발광 표시 장치는 대한민국 공개특허공보 제 10-2016-0093179호, 제10-2017-0054654호, 또는 제10-2018-0002099호에 개시된 센싱 모드를 통해서 각 픽셀(P)에 배치된 구동 특성 값을 센싱할 수 있다.
도 4는 제 1 수평 라인에 배치된 픽셀들을 구동하기 위한 스캔 신호와 센스 신호 및 데이터 전압을 나타내는 타이밍도이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 픽셀(P)은 한 프레임 동안 영상 표시 구간(IDP)과 블랙 표시 구간(BDP)으로 구동(또는 동작)될 수 있다.
픽셀(P)의 영상 표시 구간(IDP)은 영상 데이터 어드레싱 기간(t1), 및 발광 기간(t2)을 포함할 수 있다.
픽셀(P)의 영상 데이터 어드레싱 기간(또는 제 1 데이터 어드레싱 기간)(t1)에서, 픽셀(P)에 배치된 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)는 제 1 게이트 라인 그룹(GLG1)의 제 1 게이트 라인(GLa)을 통해 공급되는 스캔 신호(SC[1])의 제 1 스캔 펄스(SCP1)에 의해 턴-온되고, 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)는 제 1 게이트 라인 그룹(GLG1)의 제 2 게이트 라인(GLb)을 통해 공급되는 센스 신호(SE[1])의 센스 펄스(SEP)에 의해 턴-온된다. 이에 따라, 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 픽셀 영상 데이터(PID)의 영상 데이터 전압(Vdata)은 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)에 인가되고, 이와 동시에 레퍼런스 라인(RL)을 통해 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)은 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)에 인가된다. 따라서, 영상 데이터 어드레싱 기간(t1)에서, 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 간의 전압 차(Vdata-Vref)는 구동 TFT(Tdr)의 문턱 전압보다 높은 전압으로 설정되고, 스토리지 커패시터(Cst)는 영상 데이터 전압(Vdata)과 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)을 저장할 수 있다. 여기서, 영상 데이터 전압(Vdata)은 센싱 모드를 통해 센싱된 구동 TFT(Tdr)의 문턱 전압이 실제 데이터 전압에 반영되거나 보상된 전압 레벨을 가질 수 있다.
픽셀(P)의 발광 기간(t2)에서, 픽셀(P)에 배치된 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)와 제 2 스위칭 TFT(Tsw2) 각각은 턴-오프됨으로써 픽셀(P)에 배치된 구동 TFT(Tdr)는 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 전압(Vdata-Vref)에 의해 턴-온된다. 이에 따라, 구동 TFT(Tdr)는 영상 데이터 전압(Vdata)과 레퍼런스 전압(Vref)의 차 전압(Vdata-Vref)에 의해 결정되는 데이터 전류를 발광 소자(ELD)에 공급함으로써 발광 소자(ELD)가 픽셀 구동 전원(EVDD)으로부터 픽셀 공통 전원(EVSS)으로 흐르는 데이터 전류에 비례하여 발광되도록 한다. 즉, 상기 발광 기간(t2)에서, 제 1 및 제 2 스위칭 TFT(Tsw1, Tsw2)가 턴-오프되면, 구동 TFT(Tdr)에 전류가 흐르고, 이 전류에 비례하여 발광 소자(ELD)가 발광을 시작하면서 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)의 전압이 상승하고, 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)의 전압 상승만큼 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)의 전압이 상승함으로써 스토리지 커패시터(Cst)의 전압에 의해 구동 TFT(Tdr)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 지속적으로 유지될 수 있으며, 발광 소자(ELD)의 발광은 블랙 표시 구간(BDP)의 시작 시점까지 지속될 수 있다. 이러한 발광 소자(ELD)의 발광 기간은 발광 듀티와 대응될 수 있다.
픽셀(P)의 블랙 표시 구간(BDP)은 블랙 데이터 어드레싱 기간(t3), 및 비발광 기간(t4)을 포함할 수 있다.
픽셀(P)의 블랙 데이터 어드레싱 기간(또는 제 2 데이터 어드레싱 기간)(t3)에서, 픽셀(P)에 배치된 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)는 제 1 게이트 라인 그룹(GLG1)의 제 1 게이트 라인(GLa)을 통해 공급되는 스캔 신호(SC[1])의 제 2 스캔 펄스(SCP2)에 의해 턴-온되고, 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)는 제 1 게이트 라인 그룹(GLG1)의 제 2 게이트 라인(GLb)을 통해 공급되는 TFT 오프 전압 레벨의 센스 신호(SE[1])에 의해 턴-오프 상태로 유지된다. 이에 따라, 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 픽셀 블랙 데이터(PBD)의 블랙 데이터 전압(Vdata)은 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)에 인가된다. 이때, 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)는 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)의 턴-오프 상태에 따라 발광 소자(ELD)의 동작 전압(또는 발광 개시 전압) 레벨로 유지될 수 있다. 블랙 데이터 전압(Vdata)은 발광 소자(ELD)의 동작 전압 레벨(또는 비발광 전압 레벨)보다 낮은 전압 레벨을 가지거나 구동 TFT(Tdr)의 문턱전압보다 작은 전압 레벨을 가질 수 있다. 따라서, 블랙 데이터 어드레싱 기간(t3)에서, 구동 TFT(Tdr)는 블랙 데이터 전압(Vdata)에 의해 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 간의 전압(Vgs)이 구동 TFT(Tdr)의 문턱 전압보다 낮거나 작게 변화됨에 따라 턴-오프되고, 이로 인하여 구동 TFT(Tdr)로부터 공급되는 발광 소자(ELD)에 공급되는 데이터 전류가 차단됨에 따라 발광 소자(ELD)의 발광이 중지됨으로써 픽셀(P)은 발광 소자(ELD)의 비발광으로 인하여 블랙 영상을 표시하게 된다.
픽셀(P)의 비발광 기간(t4)에서, 픽셀(P)에 배치된 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)는 턴-오프되고, 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)는 턴-오프 상태로 유지됨으로써 구동 TFT(Tdr)는 턴-오프 상태를 유지하고, 이로 인하여 발광 소자(ELD)는 비발광 상태를 유지할 수 있으며, 발광 소자(ELD)의 비발광은 다음 프레임의 영상 데이터 어드레싱 기간(t1)까지 지속되거나 센싱 구간(RSP)의 시작 시점까지 지속될 수 있다. 이러한 발광 소자(ELD)의 비발광 기간(t4)은 블랙 듀티 또는 비발광 듀티와 대응될 수 있다.
한편, 표시 영역에 배치된 복수의 수평 라인 중에서 센싱하고자 하는 어느 하나의 특성 수평 라인을 제외한 나머지 수평 라인에 배치된 픽셀들(P)은 전술한 제 1 수평 라인에 배치된 픽셀(P)과 실질적으로 동일하게 영상 표시 구간(IDP)과 블랙 표시 구간(BDP)으로 구동될 수 있다.
도 5는 제 n 수평 라인에 배치된 픽셀들을 구동하기 위한 스캔 신호와 센스 신호 및 데이터 전압을 나타내는 타이밍도이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 픽셀(P)은 한 프레임 동안 영상 표시 구간(IDP)과 블랙 표시 구간(BDP) 및 센싱 구간(RSP)으로 구동(또는 동작)될 수 있다.
픽셀(P)의 영상 표시 구간(IDP)은 영상 데이터 어드레싱 기간(t1), 및 발광 기간(t2)을 포함할 수 있다. 이러한 영상 데이터 어드레싱 기간(t1)과 발광 기간(t2) 각각은 도 4를 참조하여 전술한 바와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
픽셀(P)의 블랙 표시 구간(IDP)은 블랙 데이터 어드레싱 기간(t3), 및 비발광 기간(t4)을 포함할 수 있다. 이러한 블랙 데이터 어드레싱 기간(t3), 및 비발광 기간(t4) 각각은 도 4를 참조하여 전술한 바와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
픽셀(P)의 센싱 구간(RSP)은 센싱 데이터 어드레싱 기간(t5) 및 샘플링 기간(t6)을 포함할 수 있다.
픽셀(P)의 센싱 데이터 어드레싱 기간(또는 제 3 데이터 어드레싱 기간)(t5)에서, 픽셀(P)에 배치된 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)는 제 n 게이트 라인 그룹(GLGn)의 제 1 게이트 라인(GLa)을 통해 공급되는 스캔 신호(SC[n])의 제 3 스캔 펄스(SCP3)에 의해 턴-온되고, 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)는 제 n 게이트 라인 그룹(GLGn)의 제 2 게이트 라인(GLb)을 통해 공급되는 센스 신호(SE[n])의 제 2 센스 펄스(SEP2)에 의해 턴-온된다. 이에 따라, 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 픽셀 센싱 데이터(PSD)의 센싱 데이터 전압(Vdata)은 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)에 인가되고, 이와 동시에 레퍼런스 라인(RL)을 통해 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)은 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)에 인가된다. 따라서, 센싱 데이터 어드레싱 기간(t5)에서, 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 간의 전압(Vgs)이 센싱 데이터 전압에 대응되도록 설정된다. 예를 들어, 센싱 데이터 전압(Vdata)은 구동 TFT(Tdr)의 문턱 전압을 센싱하기 위해 설정된 타겟 전압의 레벨을 가질 수 있다.
픽셀(P)의 샘플링 기간(t6)(또는 실시간 센싱 기간)에서, 픽셀(P)에 배치된 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)는 제 n 게이트 라인 그룹(GLGn)의 제 1 게이트 라인(GLa)을 통해 공급되는 TFT 오프 전압 레벨의 스캔 신호(SC[n])에 의해 턴-오프되고, 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)는 제 n 게이트 라인 그룹(GLGn)의 제 2 게이트 라인(GLb)을 통해 공급되는 센스 신호(SE[n])의 제 2 센스 펄스(SEP2)에 의해 턴-온 상태로 유지된다. 그리고, 레퍼런스 라인(RL)은 데이터 구동 회로부에 내장된 센싱 유닛에 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 데이터 구동 회로부의 센싱 유닛은 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)와 제 2 스위칭 TFT(Tsw2) 및 레퍼런스 라인(RL)을 통해서 공급되는 센싱용 픽셀 전류 또는 센싱용 픽셀 전압을 샘플링하고, 샘플링된 샘플링 신호를 아날로그-디지털 변환하여 센싱 로우 데이터를 생성해 타이밍 제어부(300)에 제공할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따른 픽셀(P)의 센싱 구간(RSP)은 데이터 복원 기간(t7)을 더 포함할 수 있다.
픽셀(P)의 데이터 복원 기간(또는 실시간 센싱 기간)(t7)에서, 픽셀(P)에 배치된 제 1 스위칭 TFT(Tsw1)는 제 n 게이트 라인 그룹(GLGn)의 제 1 게이트 라인(GLa)을 통해 공급되는 스캔 신호(SC[n])의 제 4 스캔 펄스(SCP4)에 의해 턴-온되고, 제 2 스위칭 TFT(Tsw2)는 제 n 게이트 라인 그룹(GLGn)의 제 2 게이트 라인(GLb)을 통해 공급되는 센스 신호(SE[n])의 제 2 센스 펄스(SEP2)에 의해 턴-온 상태로 유지된다. 그리고, 레퍼런스 라인(RL)은 데이터 구동 회로부의 센싱 유닛과 전기적으로 분리되고 레퍼런스 전원에 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 픽셀 블랙 데이터(PBD)의 복원 데이터 전압(Vdata)은 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)에 인가되고, 이와 동시에 레퍼런스 라인(RL)을 통해 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)은 구동 TFT(Tdr)의 소스 노드(Ns)에 인가된다. 따라서, 데이터 복원 기간(t7)에서, 구동 TFT(Tdr)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 간의 전압(Vgs)이 센싱 구간(RSP)의 직전 상태로 복원됨으로써 픽셀들(P)이 다시 발광할 수 있으며, 발광 소자(ELD)의 재발광은 다음 프레임(Fn+1)의 영상 데이터 어드레싱 기간(t1)까지 지속될 수 있다.
도 6은 도 1에 도시된 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로부를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로부(500)는 게이트 구동 회로(510)를 포함할 수 있다.
게이트 구동 회로(510)는 게이트 제어 신호 라인(GCSL), 게이트 구동 전압 라인(GDVL), 및 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])를 포함할 수 있다. 그리고, 게이트 구동 회로(510)는 제 1 스테이지 회로(ST[1])의 전단에 배치된 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1), 및 제 m 스테이지 회로(ST[m])의 후단에 배치된 후단 더미 스테이지 회로부(DSTP2)를 더 포함할 수 있다.
게이트 제어 신호 라인(GCSL)는 타이밍 제어부(300)로부터 공급되는 게이트 제어 신호(GCS)를 수신한다. 일 예에 따른 게이트 제어 신호 라인(GCSL)은 게이트 스타트 신호 라인, 제 1 리셋 신호 라인, 제 2 리셋 신호 라인, 복수의 게이트 구동 클럭 라인, 표시 패널 온 신호 라인, 및 센싱 준비 신호 라인을 포함할 수 있다.
게이트 스타트 신호 라인은 타이밍 제어부(300)로부터 공급되는 게이트 스타트 신호(Vst)를 수신할 수 있다. 예를 들어, 게이트 스타트 신호 라인은 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1)에 연결될 수 있다.
제 1 리셋 신호 라인은 타이밍 제어부(300)로부터 공급되는 제 1 리셋 신호(RST1)를 수신할 수 있다. 제 2 리셋 신호 라인은 타이밍 제어부(300)로부터 공급되는 제 2 리셋 신호(RST2)를 수신할 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 리셋 신호 라인 각각은 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1), 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m]), 및 후단 더미 스테이지 회로부(DSTP2)에 공통적으로 연결될 수 있다.
복수의 게이트 구동 클럭 라인은 타이밍 제어부(300)로부터 공급되는 복수의 캐리 쉬프트 클럭, 복수의 스캔 쉬프트 클럭, 및 복수의 센스 쉬프트 클럭 각각을 수신하는 복수의 캐리 클럭 라인, 복수의 스캔 클럭 라인, 및 복수의 센스 클럭 라인을 포함할 수 있다. 이러한 복수의 게이트 구동 클럭 라인에 포함된 클럭 라인들은 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1), 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m]), 및 후단 더미 스테이지 회로부(DSTP2)에 선택적으로 연결될 수 있다.
표시 패널 온 신호 라인은 타이밍 제어부(300)로부터 공급되는 표시 패널 온 신호(POS)를 수신할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널 온 신호 라인은 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1) 및 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])에 공통적으로 연결될 수 있다.
센싱 준비 신호 라인은 타이밍 제어부(300)로부터 공급되는 라인 센싱 준비 신호(LSPS)를 수신할 수 있다. 예를 들어, 센싱 준비 신호 라인은 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])에 공통적으로 연결될 수 있다. 선택적으로, 센싱 준비 신호 라인은 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1)에 추가로 연결될 수 있다.
게이트 구동 전압 라인(GDVL)은 전원 공급 회로로부터 서로 다른 전압 레벨을 갖는 제 1 내지 제 4 게이트 고전위 전압 각각을 수신하는 제 1 내지 제 4 게이트 고전위 전압 라인, 및 전원 공급 회로로부터 서로 다른 전압 레벨을 제 1 내지 제 3 게이트 저전위 전압 각각을 수신하는 제 1 내지 제 3 게이트 저전위 전압 라인을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 제 1 게이트 고전위 전압은 제 2 게이트 고전위 전압보다 높은 전압 레벨을 가질 수 있다. 제 3 및 제 4 게이트 고전위 전압은 교류 구동을 위해 하이 전압(또는 TFT 온 전압 또는 제 1 전압)과 로우 전압(또는 TFT 오프 전압 또는 제 2 전압) 사이에서 서로 반대로 스윙되거나 서로 반전될 수 있다. 예를 들어, 제 3 게이트 고전위 전압(또는 게이트 기수 고전위 전압)이 하이 전압을 가질 때, 제 4 게이트 고전위 전압(또는 게이트 우수 고전위 전압)은 로우 전압을 가질 수 있다. 그리고, 제 3 게이트 고전위 전압이 로우 전압을 가질 때, 제 4 게이트 고전위 전압은 하이 전압을 가질 수 있다.
제 1 및 제 2 게이트 고전위 전압 라인 각각은 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])과 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1)와 후단 더미 스테이지 회로부(DSTP2)에 공통적으로 연결될 수 있다.
제 3 게이트 고전위 전압 라인은 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m]) 중 홀수번째 스테이지 회로에 공통적으로 연결될 수 있으며, 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1)와 후단 더미 스테이지 회로부(DSTP2) 각각의 홀수번째 더미 스테이지 회로에 공통적으로 연결될 수 있다.
제 4 게이트 고전위 전압 라인은 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m]) 중 짝수번째 스테이지 회로에 공통적으로 연결될 수 있으며, 전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1)와 후단 더미 스테이지 회로부(DSTP2) 각각의 짝수번째 더미 스테이지 회로에 공통적으로 연결될 수 있다.
일 예에 따르면, 제 1 게이트 저전위 전압과 제 2 게이트 저전위 전압은 실질적으로 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다. 제 3 게이트 저전위 전압은 TFT 오프 전압 레벨을 가질 수 있다. 제 1 게이트 저전위 전압은 제 3 게이트 저전위 전압보다 더 높은 전압 레벨을 가질 수 있다. 본 명세서의 일 예는 제 1 게이트 저전위 전압을 제 3 게이트 저전위 전압보다 더 높은 전압 레벨로 설정함으로써 후술하는 스테이지 회로의 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 갖는 TFT의 오프 전류를 확실히 차단하여 해당 TFT의 동작의 안정성 및 신뢰성을 확보될 수 있다.
제 1 내지 제 3 게이트 저전위 전압 라인은 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])에 공통적으로 연결될 수 있다.
전단 더미 스테이지 회로부(DSTP1)는 타이밍 제어부(300)로부터 공급되는 게이트 스타트 신호(Vst)에 응답하여 복수의 전단 캐리 신호를 순차적으로 생성해 후단 스테이지들 중 어느 하나에 전단 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호로 공급할 수 있다.
후단 더미 스테이지 회로부(DSTP2)는 복수의 후단 캐리 신호를 순차적으로 생성해 전단 스테이지들 중 어느 하나에 후단 캐리 신호(또는 스테이지 리셋 신호)를 공급할 수 있다.
제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])는 서로 종속적으로 연결될 수 있다. 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])는 제 1 내지 제 m 스캔 신호(SC[1] 내지 SC[m])와 제 1 내지 제 m 센스 신호(SE[1] 내지 SE[m])를 생성해 발광 표시 패널(100)에 배치된 해당하는 게이트 라인 그룹(GLG)으로 출력할 수 있다. 그리고, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])는 제 1 내지 제 m 캐리 신호(CS[1] 내지 CS[m])를 생생해 후단 스테이지들 중 어느 하나에 전단 캐리 신호(또는 게이트 스타트 신호)로 공급함과 동시에 전단 스테이지들 중 어느 하나에 후단 캐리 신호(또는 스테이지 리셋 신호)로 공급할 수 있다.
제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m])는 인접한 2개의 스테이지들(ST[n], ST[n+1])끼리 센싱 제어 회로의 일부와 제어 노드(Qbo, Qbe, Qm)를 서로 공유할 수 있으며, 이로 인하여 게이트 구동 회로(500)의 회로 구성이 간소화될 수 있으며, 발광 표시 패널(100)에서 게이트 구동 회로부(500)가 차지하는 면적이 감소될 수 있다.
도 7은 도 6에 도시된 게이트 제어 신호 라인에 인가되는 신호, 제 1 및 제 2 스테이지 회로 각각의 제어 노드의 전압과 출력 신호를 나타내는 파형도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 제어 신호 라인에 인가되는 게이트 제어 신호(GCS)는 게이트 스타트 신호(Vst), 라인 센싱 준비 신호(LSPS), 제 1 리셋 신호(RST1), 제 2 리셋 신호(RST2), 표시 패널 온 신호(POS), 및 복수의 게이트 구동 클럭(GDC)을 포함할 수 있다.
게이트 스타트 신호(Vst)는 매 프레임의 영상 표시 구간(IDP)과 블랙 표시 구간(BDP) 각각의 개시 시점을 제어하는 신호로서, 영상 표시 구간(IDP)과 블랙 표시 구간(BDP) 각각의 개시 시점 직전에 발생될 수 있다. 예를 들어, 게이트 스타트 신호(Vst)는 매 프레임마다 2회씩 발생될 수 있다.
일 예에 따른 게이트 스타트 신호(Vst)는 한 프레임 내에서 영상 표시 구간(IDP)의 개시 시점 직전에 발생되는 제 1 게이트 스타트 펄스(또는 영상 표시용 게이트 스타트 펄스)(Vst1), 및 블랙 표시 구간(BDP)의 개시 시점 직전에 발생되는 제 2 게이트 스타트 펄스(또는 블랙 표시용 게이트 스타트 펄스)(Vst2)를 포함할 수 있다.
라인 센싱 준비 신호(LSPS)는 매 프레임의 영상 표시 구간(IDP) 내에서 불규칙 또는 랜덤하게 발생될 수 있다. 매 프레임마다 발생되는 라인 센싱 준비 신호(LSPS)는 한 프레임의 시작 시점으로부터 상이할 수 있다.
일 예에 따른 라인 센싱 준비 신호(LSPS)는 라인 센싱 선택 펄스(LSP1) 및 라인 센싱 해제 펄스(LSP2)를 포함할 수 있다.
라인 센싱 선택 펄스(LSP1)는 복수의 수평 라인 중 센싱하고자 하는 어느 한 수평 라인을 선택하기 위한 신호일 수 있다. 라인 센싱 선택 펄스(LSP1)는 제 1 게이트 스타트 펄스 또는 스테이지 회로들(ST[1] 내지 ST[m]) 중 어느 하나에 게이트 스타트 신호로 공급되는 전단 캐리 신호와 동기될 수 있다. 라인 센싱 선택 펄스(LSP1)는 센싱 라인 프리차징 제어 신호로 표현될 수 있다.
라인 센싱 해제 펄스(LSP1)는 센싱이 완료된 수평 라인에 대한 라인 센싱의 해제를 위한 신호일 수 있다. 라인 센싱 해제 펄스(LSP1)는 센싱 구간(RSP)의 종료 시점과 라인 센싱 선택 펄스(LSP1)의 발생 시점 사이에 발생될 수 있다.
제 1 리셋 신호(RST1)는 센싱 모드의 개시 시점에 발생될 수 있다. 제 2 리셋 신호(RST2)는 센싱 모드의 종료 시점에 발생될 수 있다. 선택적으로, 제 2 리셋 신호(RST2)는 생략되거나 제 1 리셋 신호(RST1)와 동일할 수 있다.
표시 패널 온 신호(POS)는 발광 표시 장치의 파워 온(power on)될 때 발생될 수 있다. 표시 패널 온 신호(POS)는 게이트 구동 회로(510)에 구현된 모든 스테이지 회로에 공통적으로 공급될 수 있다. 이에 따라, 게이트 구동 회로(510)에 구현된 모든 스테이지 회로는 하이 전압의 표시 패널 온 신호(POS)에 의해 동시에 초기화하거나 리셋될 수 있다.
복수의 게이트 구동 클럭(GDC)은 서로 다른 위상을 가지거나 순차적으로 쉬프트되는 위상을 갖는 복수의 캐리 쉬프트 클럭(CRCLK[1] 내지 CRCLK[x]), 서로 다른 위상을 가지거나 순차적으로 쉬프트되는 위상을 갖는 복수의 스캔 쉬프트 클럭(SCCLK[2] 내지 SCCLK[x]), 및 서로 다른 위상을 가지거나 순차적으로 쉬프트되는 위상을 갖는 복수의 센스 쉬프트 클럭(SECLK[1] 내지 SECLK[x]) 등을 포함할 수 있다.
캐리 쉬프트 클럭들(CRCLK[1] 내지 CRCLK[x])은 캐리 신호를 생성하기 위한 클럭 신호이고, 스캔 쉬프트 클럭들(SCCLK[1] 내지 SCCLK[x])은 스캔 펄스를 갖는 스캔 신호를 생성하기 위한 클럭 신호이며, 센스 쉬프트 클럭들(SECLK[1] 내지 SECLK[x])은 센스 펄스를 갖는 센스 신호를 생성하기 위한 클럭 신호일 수 있다.
스캔 쉬프트 클럭들(SCCLK[1] 내지 SCCLK[x])과 센스 쉬프트 클럭들(SECLK[1] 내지 SECLK[x]) 각각은 하이 전압과 로우 전압 사이에서 스윙될 수 있다. 일 예에 따른 캐리 쉬프트 클럭들의 스윙 전압 폭은 스캔 쉬프트 클럭들(SCCLK[1] 내지 SCCLK[x])과 센스 쉬프트 클럭들(SECLK[1] 내지 SECLK[x]) 각각의 스윙 전압 폭보다 클 수 있다.
표시 모드 동안 스캔 쉬프트 클럭들(SCCLK[1] 내지 SCCLK[x])과 센스 쉬프트 클럭들(SECLK[1] 내지 SECLK[x]) 각각은 스윙될 수 있다. 센싱 모드 동안 스캔 쉬프트 클럭들(SCCLK[1] 내지 SCCLK[x]) 중 특정 스캔 쉬프트 클럭(SCCLK[1])은 도 5에 도시된 제 3 및 제 4 스캔 펄스(SCP3, SCP4)와 대응되록 스윙되고, 나머지는 로우 전압을 유지할 수 있다. 센싱 모드 동안 센스 쉬프트 클럭들(SECLK[1] 내지 SECLK[x]) 중 특정 센스 쉬프트 클럭(SECLK[1])은 도 5에 도시된 제 2 센스 펄스(SEP2)와 대응되도록 스윙되고, 나머지는 로우 전압을 유지할 수 있다. 이러한 클럭들은 고속 구동시 충분한 충전 시간의 확보를 위해 중첩될 수 있다. 인접한 클럭들의 하이 전압 구간은 설정된 구간만큼 중첩될 수 있다.
도 8은 도 6에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로를 나타내는 블록도이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 제 n 스테이지 회로(ST[n])는 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m]) 중 홀수번째 스테이지 회로일 수 있다.
일 예에 따른 제 n 스테이지 회로(ST[n])는 제 1 내지 제 5 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe, 1Qho, 1Qmo), 제 1 센싱 제어 회로(SCC1), 제 1 노드 제어 회로(NCC1), 제 1 인버터 회로(IC1), 제 1 노드 리셋 회로(NRC1), 및 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)를 포함할 수 있다.
제 1 기수 제어 노드(1Qo)는 제 1 센싱 제어 회로(SCC1), 제 1 노드 제어 회로(NCC1), 제 1 인버터 회로(IC1), 제 1 노드 리셋 회로(NRC1), 및 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제 2 및 제 3 기수 제어 노드(1Qbo, 1Qbe) 각각은 제 1 노드 제어 회로(NCC1), 제 1 인버터 회로(IC1), 제 1 노드 리셋 회로(NRC1), 및 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제 2 기수 제어 노드(1Qbo)는 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])와 전기적으로 연결될 수 있다.
제 3 기수 제어 노드(1Qbe)는 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])와 전기적으로 연결될 수 있다.
제 4 기수 제어 노드(1Qho)는 제 1 센싱 제어 회로(SCC1), 제 1 노드 제어 회로(NCC1), 및 제 1 노드 리셋 회로(NRC1) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제 5 기수 제어 노드(1Qmo)는 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)와 제 1 노드 리셋 회로(NRC1) 각각에 전기적으로 연결되고, 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])와 전기적으로 연결될 수 있다.
제 1 센싱 제어 회로(SCC1)는 라인 센싱 준비 신호(LSPS)와 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])(제 2 전단 캐리 신호)에 응답하여 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하고, 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압과 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 그리고, 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)는 발광 표시 장치의 파워 온시 공급되는 표시 패널 온 신호(POS)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시키도록 구현될 수 있다.
제 1 노드 제어 회로(NCC1)는 제 1 내지 제 3 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe) 각각의 전압을 제어하도록 구현될 수 있다.
제 1 노드 제어 회로(NCC1)는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])(제 1 전단 캐리 신호)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하고, 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])(또는 제 2 후단 캐리 신호)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 선택적으로, 제 1 노드 제어 회로(NCC1)는 제 n+3 캐리 신호(CS[n+3])(또는 제 1 후단 캐리 신호)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수도 있다.
제 1 노드 제어 회로(NCC1)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압에 응답하여 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 제 1 노드 제어 회로(NCC1)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전압 또는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 전압에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다.
제 1 인버터 회로(IC1)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압에 응답하여 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 제어하거나 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 1 인버터 회로(IC1)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위가 하이 전압 이상일 때 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어할 수 있다. 그리고, 제 1 인버터 회로(IC1)는 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 응답하여 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 제어하거나 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 1 인버터 회로(IC1)는 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위가 로우 전압일 때, 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 제어할 수 있다.
제 1 노드 리셋 회로(NRC1)는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하여 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 제 1 노드 리셋 회로(NRC1)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압과 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 제 1 노드 리셋 회로(NRC1)는 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전압과 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압 및 제 2 리셋 신호(RST2)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다.
제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)는 제 1 내지 제 3 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe)의 전압에 응답하여 제 n 스캔 쉬프트 클럭(SCCLK[n])을 제 n 스캔 신호(SC[n])로 출력하도록 구현될 수 있다. 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)는 제 1 내지 제 3 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe)의 전압에 응답하여 제 n 센스 쉬프트 클럭(SECLK[n])을 제 n 센스 신호(SE[n])로 출력하도록 구현될 수 있다. 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)는 제 1 내지 제 3 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe)의 전압에 응답하여 제 n 캐리 쉬프트 클럭(CRCLK[n])을 제 n 캐리 신호(CS[n])로 출력하도록 구현될 수 있다.
일 예에 따르면, 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 출력 노드 사이에 구현된 부스트 커패시터와 클럭 간의 커플링에 따른 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위가 부트스크랩핑될 때, 해당하는 스캔 쉬프트 클럭(SCCLK[n])과 센스 쉬프트 클럭(SECLK[n]) 및 캐리 쉬프트 클럭(CRCLK[n]) 각각을 해당하는 출력 노드로 출력할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따른 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])는 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 중 짝수번째 스테이지 회로일 수 있다.
일 예에 따른 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])는 제 2 내지 제 5 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe, 2Qhe, 2Qme), 제 2 센싱 제어 회로(SCC2), 제 2 노드 제어 회로(NCC2), 제 2 인버터 회로(IC2), 제 2 노드 리셋 회로(NRC2), 및 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)를 포함할 수 있다.
제 1 우수 제어 노드(2Qe)는 제 2 센싱 제어 회로(SCC2), 제 2 노드 제어 회로(NCC2), 제 2 인버터 회로(IC2), 제 2 노드 리셋 회로(NRC2), 및 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제 2 및 제 3 우수 제어 노드(2Qbo, 2Qbe) 각각은 제 2 노드 제어 회로(NCC2), 제 2 인버터 회로(IC2), 제 2 노드 리셋 회로(NRC2), 및 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제 2 우수 제어 노드(2Qbo)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)와 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)는 서로 연결되거나 서로 공유될 수 있다.
제 3 우수 제어 노드(2Qbe)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)와 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)는 서로 연결되거나 서로 공유될 수 있다.
제 4 우수 제어 노드(2Qhe)는 제 2 센싱 제어 회로(SCC2), 제 2 노드 제어 회로(NCC2), 및 제 2 노드 리셋 회로(NRC2) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
제 5 우수 제어 노드(2Qme)는 제 2 노드 리셋 회로(NRC2) 각각에 전기적으로 연결되고, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)와 제 1 노드 리셋 회로(NRC1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제 2 센싱 제어 회로(SCC2)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])에 구현된 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)의 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전위를 공유할 수 있다. 예를 들어, 제 2 센싱 제어 회로(SCC2)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])에 구현된 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)에서, 라인 센싱 준비 신호(LSPS)와 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])에 응답하여 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하도록 구현된 회로를 공유할 수 있다.
제 2 센싱 제어 회로(SCC2)는 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)로부터 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 그리고, 제 2 센싱 제어 회로(SCC2)는 발광 표시 장치의 파워 온시 공급되는 표시 패널 온 신호(POS)에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시키도록 구현될 수 있다.
제 2 노드 제어 회로(NCC2)는 제 1 내지 제 3 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe) 각각의 전압을 제어하도록 구현될 수 있다.
제 2 노드 제어 회로(NCC2)는 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하고, 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다.
제 2 노드 제어 회로(NCC2)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 응답하여 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 제 2 노드 제어 회로(NCC2)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전압 또는 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 전압에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다.
제 2 인버터 회로(IC2)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 응답하여 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 4 게이트 고전위 전압(GVdde)으로 제어하거나 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 2 인버터 회로(IC2)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위가 하이 전압 이상일 때 제 2 우수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어할 수 있다. 그리고, 제 2 인버터 회로(IC2)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압에 응답하여 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 제어하거나 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 2 인버터 회로(IC2)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위가 로우 전압일 때, 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 4 게이트 고전위 전압(GVdde)으로 제어할 수 있다.
제 2 노드 리셋 회로(NRC2)는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하여 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 제 2 노드 리셋 회로(NRC2)는 제 5 우수 제어 노드(2Qme)의 전압과 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 제 2 노드 리셋 회로(NRC2)는 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)의 전압과 제 5 우수 제어 노드(2Qme)의 전압 및 제 2 리셋 신호(RST2)에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다.
제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)는 제 1 내지 제 3 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe)의 전압에 응답하여 제 n+1 스캔 쉬프트 클럭(SCCLK[n+1])을 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])로 출력하도록 구현될 수 있다. 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)는 제 1 내지 제 3 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe)의 전압에 응답하여 제 n+1 센스 쉬프트 클럭(SECLK[n+1])을 제 n+1 센스 신호(SE[n+1])로 출력하도록 구현될 수 있다. 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)는 제 1 내지 제 3 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe)의 전압에 응답하여 제 n+1 캐리 쉬프트 클럭(CRCLK[n+1])을 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])로 출력하도록 구현될 수 있다.
일 예에 따르면, 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 출력 노드 사이에 구현된 부스트 커패시터와 클럭 간의 커플링에 따른 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위가 부트스크랩핑될 때, 해당하는 스캔 쉬프트 클럭(SCCLK[n+1])과 센스 쉬프트 클럭(SECLK[n+1]) 및 캐리 쉬프트 클럭(CRCLK[n+1]) 각각을 해당하는 출력 노드로 출력할 수 있다.
이와 같은, 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로는 제 n 스테이지 회로(ST[n])에 구현된 센싱 제어 회로(SCC1, SCC2)에서 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)를 포함하는 일부 회로가 인접한 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])에 공유됨으로써 센싱 모드를 위한 회로 구성이 간소화해 질 수 있다. 그리고, 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로는 서로 인접한 제 n 스테이지 회로(ST[n])와 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1]) 각각이 교번적으로 구동되는 제 2 및 제 3 제어 노드(1Qbo, 1Qbe, 2Qbo, 2Qbe)를 서로 공유함으로써 스테이지 회로의 인버터 회로(IC1, IC2)의 구성이 간소화될 수 있다.
한편, 전술한 도 8에 대한 설명에서는, 설명의 편의를 위해 제 n 스테이지 회로(ST[n])와 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1]) 각각에 구현된 제어 노드를 기수 제어 노드와 우수 제어 노드로 구분하여 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로(ST[1] 내지 ST[m]) 각각은 제 1 내지 제 5 제어 노드를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
도 9는 도 8에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로를 나타내는 회로도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 제 n 스테이지 회로(ST[n])는 제 1 내지 제 5 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe, 1Qho, 1Qmo)에 선택적으로 연결된 제 1 센싱 제어 회로(SCC1), 제 1 노드 제어 회로(NCC1), 제 1 인버터 회로(IC1), 제 1 노드 리셋 회로(NRC1), 및 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)를 포함할 수 있다.
일 예에 따른 제 1 노드 제어 회로(NCC1)는 제 1 내지 제 10 TFT(T1 내지 T10)를 포함할 수 있다.
제 1 내지 제 4 TFT(T1, T2, T3a, T3b, T4a, T4b)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제어 또는 셋업하는 기능을 하므로, 제 1 노드 셋업 회로로 표현될 수 있다.
제 1 TFT(T1)와 제 2 TFT(T2)는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 전달하는 제 1 게이트 고전위 전압 라인과 제 1 기수 제어 노드(1Qo) 사이에 전기적으로 직렬 접속되고 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 충전하도록 구현될 수 있다. 여기서, 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])는 제 1 전단 캐리 신호일 수 있다.
제 1 TFT(T1)는 전단 캐리 입력 라인을 통해 공급되는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 1 연결 노드(Nc1)로 출력할 수 있다. 예를 들어, 제 1 TFT(T1)는 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 따라 턴-온되어 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 1 연결 노드(Nc1)로 출력할 수 있다.
제 2 TFT(T2)는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하여 제 1 연결 노드(Nc1)를 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 2 TFT(T2)는 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 따라 제 1 TFT(T1)와 함께 동시에 턴-온되어 제 1 TFT(T1)와 제 1 연결 노드(Nc1)를 통해 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 공급할 수 있다.
제 3 TFT(T3a, T3b)는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)에 응답하여 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)을 제 1 연결 노드(Nc1)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 3 TFT(T3a, T3b)는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)에 따라 턴-온되어 제 1 TFT(T1)와 제 2 TFT(T2) 사이의 제 1 연결 노드(Nc1)에 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)을 항상 공급함으로써 제 1 TFT(T1)의 오프 전류 및/또는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전류 누설을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제 3 TFT(T3a, T3b)는 제 1 TFT(T1)의 게이트 전압과 제 1 연결 노드(Nc1) 간의 전압 차를 증가시킴으로써 로우 전압을 갖는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 의해 턴-오프된 제 1 TFT(T1)를 완전히 턴-오프시키고, 이를 통해 턴-오프된 제 1 TFT(T1)의 오프 전류에 의한 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압 강하(또는 전류 누설)를 방지함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압을 안정적으로 유지시킬 수 있다. 예를 들어, 제 1 TFT(T1)의 문턱 전압이 부극성(-)일 때, 제 1 TFT(T1)의 게이트-소스 전압(Vgs)은 드레인 전극에 공급되는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)에 의해 부극성(-)으로 고정되고, 이로 인하여 턴-오프된 제 1 TFT(T1)는 완전한 오프 상태가 되어 오프 전류에 따른 전류 누설이 방지될 수 있다.
제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)은 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)보다 더 낮은 전압 레벨로 설정된다. 그리고, 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)의 저항은 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)의 전압 강하를 감소시키기 위하여 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)보다 더 높게 설정된다. 이러한 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)을 공급하는 제 2 게이트 고전위 전압 라인은 제 3 TFT(T3a, T3b)의 누설 전류가 흐르는 경로로 시용됨으로써 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)의 전압 강하를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 명세서의 일 예는 제 1 게이트 고전위 전압 라인과 제 2 게이트 고전위 전압 라인을 서로 분리시켜 제 1 게이트 고전위 전압 라인과 제 2 게이트 고전위 전압 라인 각각의 전압 강하 성분을 독립화함으로써 제 1 게이트 고전위 전압 라인의 전압 강하를 최소화할 수 있으며, 이를 통해 제 1 게이트 고전위 전압 라인의 전압 강하로 인하여 발생되는 게이트 구동 회로의 오동작이 방지될 수 있다.
일 예에 따른 제 3 TFT(T3a, T3b)는 오프 전류에 의한 누설 전류의 방지를 위해, 제 2 게이트 고전위 전압 라인과 제 1 연결 노드(Nc1) 사이에 전기적으로 직렬 접속된 제 3-1 TFT(T3a) 및 제 3-2 TFT(T3b)를 포함할 수 있다.
제 3-1 TFT(T3a)는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)에 의해 턴-온되어 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)을 제 3-2 TFT(T3b)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 3-1 TFT(T3a)는 제 2 게이트 고전위 전압 라인에 다이오드 형태로 연결될 수 있다.
제 3-2 TFT(T3b)는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)에 의해 제 3-1 TFT(T3a)와 함께 동시에 턴-온되어 제 3-1 TFT(T3a)를 통해 공급되는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)을 제 1 연결 노드(Nc1)에 공급할 수 있다.
제 4 TFT(T4a, T4b)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 4 기수 제어 노드(1Qho)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 4 TFT(T4a, T4b)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 4 기수 제어 노드(1Qho)에 공급할 수 있다.
일 예에 따른 제 4 TFT(T4a, T4b)는 오프 전류에 의한 누설 전류의 방지를 위해, 제 1 게이트 고전위 전압 라인과 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 사이에 전기적으로 직렬 접속된 제 4-1 TFT(T4a) 및 제 4-2 TFT(T4b)를 포함할 수 있다.
제 4-1 TFT(T4a)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 하이 전압에 의해 턴-온되어 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 4-2 TFT(T4b)에 공급할 수 있다.
제 4-2 TFT(T4b)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 하이 전압에 의해 제 4-1 TFT(T4a)와 함께 동시에 턴-온되어 제 4-1 TFT(T4a)를 통해 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 4 기수 제어 노드(1Qho)에 공급할 수 있다.
제 5 TFT(T5)와 제 6 TFT(T6)는 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])(또는 제 n+3 캐리 신호(CS[n+3]))에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 5 TFT(T5)와 제 6 TFT(T6)는 제 1 기수 방전 회로로 표현될 수 있다.
제 5 TFT(T5)는 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 응답하여 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 5 TFT(T5)는 하이 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 따라 턴-온되어 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 6 TFT(T6)는 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 6 TFT(T6)는 하이 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 의해 제 5 TFT(T5)와 함께 동시에 턴-온되어 제 5 TFT(T5)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 공급함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 5 TFT(T5)와 제 6 TFT(T6) 사이의 제 4 기수 제어 노드(1Qho)는 제 4 TFT(T4a, T4b)를 통해 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 공급받을 수 있다. 이에 따라, 제 4 TFT(T4a, T4b)는 제 6 TFT(T6)의 게이트 전압과 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 간의 전압 차를 증가시킴으로써 로우 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 의해 턴-오프된 제 6 TFT(T6)를 완전히 턴-오프시키고, 이를 통해 턴-오프된 제 6 TFT(T6)를 통한 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압 강하(또는 전류 누설)를 방지함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압을 안정적으로 유지시킬 수 있다.
제 7 TFT(T7)와 제 8 TFT(T8)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전압에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 7 TFT(T7)와 제 8 TFT(T8)는 제 2 기수 방전 회로로 표현될 수 있다.
제 7 TFT(T7)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전압에 응답하여 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 7 TFT(T7)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 8 TFT(T8)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전압에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 8 TFT(T8)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 하이 전압에 의해 제 7 TFT(T7)와 함께 동시에 턴-온되어 제 7 TFT(T7)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 공급함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 7 TFT(T7)와 제 8 TFT(T8) 사이의 제 4 기수 제어 노드(1Qho)는 제 4 TFT(T4a, T4b)를 통해 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 공급받을 수 있다. 이에 따라, 제 4 TFT(T4a, T4b)는 제 8 TFT(T8)의 게이트 전압과 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 간의 전압 차를 증가시킴으로써 로우 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 의해 턴-오프된 제 8 TFT(T8)를 완전히 턴-오프시키고, 이를 통해 턴-오프된 제 8 TFT(T8)를 통한 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압 강하(또는 전류 누설)를 방지함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압을 안정적으로 유지시킬 수 있다.
제 9 TFT(T9)와 제 10 TFT(T10)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 전압에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 9 TFT(T9)와 제 10 TFT(T10)는 제 3 기수 방전 회로로 표현될 수 있다.
제 9 TFT(T9)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 전압에 응답하여 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 9 TFT(T9)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 10 TFT(T10)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 전압에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 10 TFT(T10)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 하이 전압에 의해 제 9 TFT(T9)와 함께 동시에 턴-온되어 제 9 TFT(T9)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 공급함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 9 TFT(T9)와 제 10 TFT(T10) 사이의 제 4 기수 제어 노드(1Qho)는 제 4 TFT(T4a, T4b)를 통해 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 공급받을 수 있다. 이에 따라, 제 4 TFT(T4a, T4b)는 제 10 TFT(T10)의 게이트 전압과 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 간의 전압 차를 증가시킴으로써 로우 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 의해 턴-오프된 제 10 TFT(T10)를 완전히 턴-오프시키고, 이를 통해 턴-오프된 제 10 TFT(T10)를 통한 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압 강하(또는 전류 누설)를 방지함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압을 안정적으로 유지시킬 수 있다.
일 예에 따른 제 1 인버터 회로(IC1)는 제 11 내지 제 15 TFT(T11a, T11b, T12, T13, T14, T15)를 포함할 수 있다.
제 11 TFT(T11a, T11b)는 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)에 응답하여 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)을 제 2 연결 노드(Nc2)에 공급할 수 있다. 일 예에 따른 제 11 TFT(T11a, T11b)는 오프 전류에 의한 누설 전류의 방지를 위해, 제 3 게이트 고전위 전압 라인과 제 2 연결 노드(Nc2) 사이에 전기적으로 직렬 접속된 제 11-1 TFT(T11a) 및 제 11-2 TFT(T11b)를 포함할 수 있다.
제 11-1 TFT(T11a)는 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)에 의해 턴-온되어 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)을 제 11-2 TFT(T11b)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 11-1 TFT(T11a)는 제 3 게이트 고전위 전압 라인에 다이오드 형태로 연결될 수 있다.
제 11-2 TFT(T11b)는 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)에 의해 제 11-1 TFT(T11a)와 함께 동시에 턴-온되어 제 11-1 TFT(T11a)를 통해 공급되는 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)을 제 2 연결 노드(Nc2)에 공급할 수 있다.
제 12 TFT(T12)는 제 2 연결 노드(Nc2)의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)을 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)에 공급할 수 있다.
제 13 TFT(T13)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 14 TFT(T14)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 연결 노드(Nc2)의 전위를 제 2 게이트 저전위 전압(GVss2)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 15 TFT(T15)는 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 연결 노드(Nc2)의 전위를 제 2 게이트 저전위 전압(GVss2)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
일 예에 따른 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)는 제 16 내지 제 22 TFT(T16 내지 T22), 및 프리차징 커패시터(Cpc)를 포함할 수 있다.
제 16 내지 제 18 TFT(T16 내지 T18) 및 프리차징 커패시터(Cpc)는 라인 센싱 준비 신호(LSPS)와 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])에 응답하여 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)를 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])의 전압으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 16 내지 제 18 TFT(T16 내지 T18) 및 프리차징 커패시터(Cpc)는 표시 모드에서 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압을 프리차징하는 라인 센싱 준비 회로 또는 라인 센싱 프치차징 회로로 표현될 수 있다. 예를 들어, 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)는 센싱 모드를 위한 메모리 노드 또는 프리차징 노드로 표현될 수 있다.
제 16 TFT(T16)는 라인 센싱 준비 신호(LSPS)에 응답하여 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])를 제 3 연결 노드(Nc3)로 출력할 수 있다. 예를 들어, 영상 표시 모드에서, 제 16 TFT(T16)는 센싱 준비 신호 라인을 통해 전달되는 라인 센싱 선택 펄스(LSP1)에 따라 턴-온되어 라인 센싱 선택 펄스(LSP1)와 동기되는 하이 전압의 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])를 제 3 연결 노드(Nc3)로 출력할 수 있다. 영상 표시 모드에서, 제 16 TFT(T16)는 센싱 준비 신호 라인을 통해 전달되는 라인 센싱 해제 펄스(LSP2)에 따라 턴-온되어 로우 전압의 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])를 제 3 연결 노드(Nc3)로 출력할 수 있다.
제 17 TFT(T17)는 라인 센싱 준비 신호(LSPS)에 응답하여 제 3 연결 노드(Nc3)를 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)에 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 17 TFT(T17)는 하이 전압의 라인 센싱 준비 신호(LSPS)에 따라 제 16 TFT(T16)와 함께 동시에 턴-온되어 제 17 TFT(T17)와 제 3 연결 노드(Nc3)를 통해 공급되는 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])를 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)에 공급할 수 있다. 제 3 연결 노드(Nc3)는 제 16 TFT(T16)와 제 17 TFT(T17) 사이의 연결 라인일 수 있다.
제 18 TFT(T18)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 3 연결 노드(Nc3)에 공급한다. 예를 들어, 제 18 TFT(T18)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 3 연결 노드(Nc3)에 공급함으로써 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압 누설을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제 18 TFT(T18)는 제 16 TFT(T16)의 게이트 전압과 제 3 연결 노드(Nc3) 간의 전압 차를 증가시킴으로써 로우 전압의 라인 센싱 준비 신호(LSPS)에 의해 턴-오프된 제 16 TFT(T16)를 턴-오프시키고, 이를 통해 턴-오프된 제 16 TFT(T16)를 통한 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압 강하(또는 전류 누설)를 방지함으로써 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압을 안정적으로 유지시킬 수 있다.
프리차징 커패시터(Cpc)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)와 제 1 게이트 고전위 전압 라인 사이에 형성되어 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압과 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)의 차 전압을 저장할 수 있다. 예를 들어, 프리차징 커패시터(Cpc)의 제 1 전극은 제 18 TFT(T18)의 게이트 전극에 연결되어 있는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)와 전기적으로 연결되고, 프리차징 커패시터(Cpc)의 제 2 전극은 제 1 게이트 고전원 전압 라인과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 프리차징 커패시터(Cpc)는 제 16, 제 17, 및 제 18 TFT(T16, T17, T18)의 턴-온에 따라 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])의 하이 전압을 저장하고, 제 16, 제 17, 및 제 18 TFT(T16, T17, T18)의 턴-오프시 저장된 전압으로 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압을 일정 시간 동안 유지시킨다. 예를 들어, 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압은 제 16 및 제 17 TFT(T16, T17)가 라인 센싱 준비 신호(LSPS)의 라인 센싱 해제 펄스(LSP2)에 의해 다시 턴-온될 때까지 유지될 수 있다.
제 19 TFT(T19)와 제 20 TFT(T20)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압과 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 19 TFT(T19)와 제 20 TFT(T20)는 센싱 라인 선택 회로로 표현될 수 있다.
제 19 TFT(T19)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 공유 노드(Ns)로 출력할 수 있다. 예를 들어, 제 19 TFT(T19)는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 프리차징된 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 공유 노드(Ns)에 공급할 수 있다.
제 20 TFT(T20)는 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 19 TFT(T19)를 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 20 TFT(T20)는 하이 전압의 제 1 리셋 신호(RST1)에 따라 턴-온되어 제 19 TFT(T19)와 공유 노드(Ns)를 통해 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 공급함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 충전하고, 이를 통해 제 1 기수 제어 노드(1Qo)를 활성화시킬 수 있다.
제 21 TFT(T21)와 제 22 TFT(T22)는 발광 표시 장치의 파워 온시 공급되는 표시 패널 온 신호(POS)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시키도록 구현될 수 있다. 이러한 제 21 TFT(T21)와 제 22 TFT(T22)는 제 1 스테이지 초기화 회로로 표현될 수 있다.
제 21 TFT(T21)는 표시 패널 온 신호(POS)에 응답하여 제 3 게이트 저전위 전압 라인을 통해서 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 4 기수 제어 노드(1Qho)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 21 TFT(T21)는 하이 전압의 표시 패널 온 신호(POS)에 따라 턴-온되어 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 22 TFT(T22)는 표시 패널 온 신호(POS)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 22 TFT(T22)는 하이 전압의 표시 패널 온 신호(POS)에 의해 제 21 TFT(T21)와 함께 동시에 턴-온되어 제 21 TFT(T21)와 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 공급함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 21 TFT(T21)와 제 22 TFT(T22) 사이의 제 4 기수 제어 노드(1Qho)는 제 1 노드 제어 회로(NCC1)의 제 4 TFT(T4a, T4b)를 통해 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 공급받을 수 있다. 이에 따라, 제 4 TFT(T4a, T4b)는 제 22 TFT(T22)의 게이트 전압과 제 4 기수 제어 노드(1Qho) 간의 전압 차를 증가시킴으로써 로우 전압의 표시 패널 온 신호(POS)에 의해 턴-오프된 제 22 TFT(T22)를 완전히 턴-오프시키고, 이를 통해 턴-오프된 제 22 TFT(T22)를 통한 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압 강하(또는 전류 누설)를 방지함으로써 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압을 안정적으로 유지시킬 수 있다.
선택적으로, 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)는 생략 가능하다. 즉, 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)는 센싱 모드에 따라 픽셀의 구성 특성을 센싱하기 위해 사용되는 회로이므로, 픽셀을 센싱 모드로 구동하지 않을 경우, 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)는 불필요한 구성 요소이므로, 생략 가능하다.
일 예에 따른 제 1 노드 리셋 회로(NRC1)는 제 23 내지 제 28 TFT(T23 내지 T28)를 포함할 수 있다.
제 23 TFT(T23)는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하여 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 23 TFT(T23)는 제 1-1 리셋 회로로 표현될 수 있다.
제 23 TFT(T23)는 표시 모드에서 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 따라 턴-온되어 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 24 및 제 25 TFT(T24, T25)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압과 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 24 및 제 25 TFT(T24, T25)는 제 1-2 리셋 회로로 표현될 수 있다.
제 24 TFT(T24)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압에 응답하여 제 4 연결 노드(Nc4)에 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 24 TFT(T24)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 4 연결 노드(Nc4)에 공급할 수 있다.
제 25 TFT(T25)는 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)를 제 4 연결 노드(Nc4)에 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 25 TFT(T25)는 하이 전압의 제 1 리셋 신호(RST1)에 따라 턴-온되어 제 24 TFT(T24)와 제 4 연결 노드(Nc4)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)에 공급할 수 있다. 제 4 연결 노드(Nc4)는 제 24 TFT(T24)와 제 25 TFT(T25) 사이의 연결 라인일 수 있다.
제 26 내지 제 28 TFT(T26, T27, T28)는 센싱 모드에서, 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전압과 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압 및 제 2 리셋 신호(RST2)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 26 내지 제 28 TFT(T26, T27, T28)는 제 4 기수 방전 회로로 표현될 수 있다.
제 26 내지 제 28 TFT(T26, T27, T28)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 4 연결 노드(Nc4) 사이에 전기적으로 직렬 접속되고 제 4 기수 제어 노드(1Qho)의 전압과 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압 및 제 2 리셋 신호(RST2)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)를 제 4 연결 노드(Nc4)에 전기적으로 연결할 수 있다.
제 26 TFT(T26)는 제 2 리셋 신호(RST2)에 응답하여 제 1 기수 제어 노드(1Qo)를 제 5 연결 노드(Nc5)에 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 26 TFT(T26)는 하이 전압의 제 2 리셋 신호(RST2)에 따라 턴-온되어 제 1 기수 제어 노드(1Qo)를 제 5 연결 노드(Nc5)에 전기적으로 연결할 수 있다.
제 27 TFT(T27)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 전압에 응답하여 제 5 연결 노드(Nc5)를 제 4 기수 제어 노드(1Qho)에 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 27 TFT(T27)는 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 5 연결 노드(Nc5)를 제 4 기수 제어 노드(1Qho)에 전기적으로 연결할 수 있다.
제 28 TFT(T28)는 제 2 리셋 신호(RST2)에 응답하여 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 제 4 연결 노드(Nc4)에 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제 28 TFT(T28)는 하이 전압의 제 2 리셋 신호(RST2)에 따라 턴-온되어 제 4 기수 제어 노드(1Qho)를 제 4 연결 노드(Nc4)에 전기적으로 연결할 수 있다.
한편, 제 24 내지 제 28 TFT(T24 내지 T28)은 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)가 생략될 때, 생략될 수 있다.
일 예에 따른 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)는 제 29 내지 제 37 TFT(T29 내지 T37), 및 제 1 내지 제 3 커플링 커패시터(Cc1, Cc2, Cc3)를 포함할 수 있다.
제 29 내지 제 31 TFT(T29, T30, T31), 및 제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 제 1 내지 제 3 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe)의 전압에 응답하여 제 n 스캔 쉬프트 클럭(SCCLK[n])을 제 n 스캔 신호(SC[n])로 출력하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 29 내지 제 31 TFT(T29, T30, T31), 및 제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 스캔 출력 회로로 표현될 수 있다.
제 29 TFT(T29)(또는 제 1 기수 풀-업 TFT)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압에 따라 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n])에 대응되는 하이 전압의 스캔 펄스를 갖는 제 n 스캔 신호(SC[n])를 제 1 출력 노드(No1)로 출력함으로써 제 n 스캔 신호(SC[n])의 스캔 펄스를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 29 TFT(T29)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 연결된 게이트 전극, 제 1 출력 노드(No1)(또는 스캔 출력 단자)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 n 스캔 클럭 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 제 29 TFT(T29)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n])을 기반으로, 표시 모드의 영상 표시 구간에서 제 1 스캔 펄스(SCP1)를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급하며, 표시 모드의 블랙 표시 구간에서 제 2 스캔 펄스(SCP2)를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급할 수 있다. 그리고, 센싱 모드에서 제 n 수평 라인에 구현된 픽셀들의 구동 특성을 센싱할 때, 제 29 TFT(T29)는 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n])을 기반으로, 센싱 구간(RSP)에서 제 3 스캔 펄스(SCP3) 및 제 4 스캔 펄스(SCP4)를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 추가로 공급할 수 있다.
제 30 TFT(T30)(또는 제 1-1 기수 풀-다운 TFT)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n 스캔 신호(SC[n])를 제 1 출력 노드(No1)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n 스캔 신호(SC[n])를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 30 TFT(T30)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)에 연결된 게이트 전극, 제 1 출력 노드(No1)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 1 게이트 저전위 전압 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
제 31 TFT(T31)(또는 제 1-2 기수 풀-다운 TFT)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n 스캔 신호(SC[n])를 제 1 출력 노드(No1)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n 스캔 신호(SC[n])를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 31 TFT(T31)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)에 연결된 게이트 전극, 제 1 출력 노드(No1)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 1 게이트 저전위 전압 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
제 30 TFT(T30)와 제 31 TFT(T31)는 제 29 TFT(T29)와 비교하여 상대적으로 매우 긴 시간 동안 턴-온 상태를 유지하므로 제 29 TFT(T29)와 비교하여 상대적으로 열화 속도가 빠를 수 있다. 이에 따라, 본 명세서에 따른 제 30 TFT(T30)와 제 31 TFT(T31)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)와 제 3 기수 제어 노드(1Qbe) 각각의 상반된 전압에 따라 일정 기간 단위로 교번하여 구동됨으로써 열화 속도가 지연될 수 있다. 예를 들어, 제 30 TFT(T30)가 턴-온 상태를 유지할 때, 제 31 TFT(T31)는 턴-오프 상태를 유지할 수 있다. 반대로, 제 30 TFT(T30)가 턴-오프 상태를 유지할 때, 제 31 TFT(T31)는 턴-온 상태를 유지할 수 있다.
제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 1 출력 노드(No1) 사이에 구현될 수 있다. 선택적으로, 제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 제 29 TFT(T29)의 게이트 전극과 제 1 출력 노드(No1) 사이의 기생 커패시턴스로 구현될 수 있다. 이러한 제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n])의 위상 천이(또는 변화)에 따라 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 부트스트래핑을 발생시키고, 이를 통해 제 29 TFT(T29)를 완전히 턴-온시킴으로써 하이 전압의 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n])가 완전히 턴-온된 제 29 TFT(T29)를 통해 손실 없이 제 1 출력 노드(No1)로 출력되도록 한다.
제 32 내지 제 34 TFT(T32, T33, T34), 및 제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 제 1 내지 제 3 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe)의 전압에 응답하여 제 n 센스 쉬프트 클럭(SECLK[n])을 제 n 센스 신호(SE[n])로 출력하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 32 내지 제 34 TFT(T32, T33, T34), 및 제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 센스 출력 회로로 표현될 수 있다.
제 32 TFT(T32)(또는 제 2 기수 풀-업 TFT)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압에 따라 제 n 센스 클럭(SECLK[n])에 대응되는 하이 전압의 센스 펄스를 갖는 제 n 센스 신호(SE[n])를 제 2 출력 노드(No2)로 출력함으로써 제 n 센스 신호(SE[n])의 센스 펄스를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 32 TFT(T32)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 연결된 게이트 전극, 제 2 출력 노드(No2)(또는 센스 출력 단자)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 n 센스 클럭 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 제 32 TFT(T32)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제 n 센스 클럭(SECLK[n])을 기반으로, 표시 모드의 영상 표시 구간에서 제 1 센스 펄스(SEP1)를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 공급할 수 있다. 그리고, 센싱 모드에서 제 n 수평 라인에 구현된 픽셀들의 구동 특성을 센싱할 때, 제 32 TFT(T32)는 제 n 센스 클럭(SECLK[n])을 기반으로, 센싱 구간(RSP)에서 제 2 센스 펄스(SEP2)를 제 n 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 추가로 공급할 수 있다.
제 33 TFT(T33)(또는 제 2-1 기수 풀-다운 TFT)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n 센스 클럭(SECLK[n])을 제 2 출력 노드(No2)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n 센스 클럭(SECLK[n])을 제 n 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 33 TFT(T33)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)에 연결된 게이트 전극, 제 2 출력 노드(No2)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 1 게이트 저전위 전압 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
제 34 TFT(T34)(또는 제 2-2 기수 풀-다운 TFT)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n 센스 클럭(SECLK[n])을 제 2 출력 노드(No2)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n 센스 클럭(SECLK[n])을 제 n 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 34 TFT(T34)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)에 연결된 게이트 전극, 제 2 출력 노드(No2)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 1 게이트 저전위 전압 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
본 명세서에 따른 제 33 TFT(T33)와 제 34 TFT(T34)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)와 제 3 기수 제어 노드(1Qbe) 각각의 상반된 전압에 따라 일정 기간 단위로 교번하여 구동됨으로써 열화 속도가 지연될 수 있다.
제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 2 출력 노드(No2) 사이에 구현될 수 있다. 선택적으로, 제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 제 32 TFT(T32)의 게이트 전극과 제 2 출력 노드(No2) 사이의 기생 커패시턴스로 구현될 수 있다. 이러한 제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 제 n 센스 클럭(SECLK[n])의 위상 천이(또는 변화)에 따라 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 부트스트래핑을 발생시키고, 이를 통해 제 32 TFT(T32)를 완전히 턴-온시킴으로써 하이 전압의 제 n 센스 클럭(SECLK[n])이 완전히 턴-온된 제 32 TFT(T32)를 통해 손실 없이 제 2 출력 노드(No2)로 출력되도록 한다.
제 35 내지 제 37 TFT(T35, T36, T37), 및 제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 제 1 내지 제 3 기수 제어 노드(1Qo, 1Qbo, 1Qbe)의 전압에 응답하여 제 n 캐리 쉬프트 클럭(CRCLK[n])을 제 n 캐리 신호(CS[n])로 출력하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 35 내지 제 37 TFT(T35, T36, T37), 및 제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 캐리 출력 회로로 표현될 수 있다.
제 35 TFT(T35)(또는 제 3 기수 풀-업 TFT)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압에 따라 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n])에 대응되는 하이 전압의 캐리 펄스를 갖는 제 n 캐리 신호(CS[n])를 제 3 출력 노드(No3)로 출력함으로써 하이 전압의 제 n 캐리 신호(CS[n])를 전단 또는 후단 스테이지 회로에 공급할 수 있다. 일 예에 따르면, 제 35 TFT(T35)는 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n])을 기반으로, 표시 모드에서 제 n 캐리 신호(CS[n])를 전단 또는 후단 스테이지 회로로 출력할 수 있다. 예를 들어, 제 35 TFT(T35)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 연결된 게이트 전극, 제 3 출력 노드(No3)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 n 캐리 클럭 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
제 36 TFT(T36)(또는 제 3-1 기수 풀-다운 TFT)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n 캐리 신호(CS[n])를 제 3 출력 노드(No3)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n 캐리 신호(CS[n])를 전단 또는 후단 스테이지 회로에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 36 TFT(T36)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)에 연결된 게이트 전극, 제 3 출력 노드(No3)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 1 게이트 저전위 전압 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
제 37 TFT(T37)(또는 제 3-2 기수 풀-다운 TFT)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n 캐리 신호(CS[n])를 제 3 출력 노드(No3)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n 캐리 신호(CS[n])를 전단 또는 후단 스테이지 회로에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 37 TFT(T37)는 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)에 연결된 게이트 전극, 제 3 출력 노드(No3)에 연결된 제 1 소스/드레인 전극, 및 제 1 게이트 저전위 전압 라인에 연결된 제 2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다.
본 명세서에 따른 제 36 TFT(T36)와 제 37 TFT(T37)는 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)와 제 3 기수 제어 노드(1Qbe) 각각의 상반된 전압에 따라 일정 기간 단위로 교번하여 구동됨으로써 열화 속도가 지연될 수 있다.
제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)와 제 3 출력 노드(No3) 사이에 구현될 수 있다. 선택적으로, 제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 제 35 TFT(T35)의 게이트 전극과 제 3 출력 노드(No3) 사이의 기생 커패시턴스로 구현될 수 있다. 이러한 제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n])의 위상 천이(또는 변화)에 따라 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 부트스트래핑을 발생시키고, 이를 통해 제 35 TFT(T35)를 완전히 턴-온시킴으로써 하이 전압의 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n])가 완전히 턴-온된 제 35 TFT(T35)를 통해 손실 없이 제 3 출력 노드(No3)로 출력되도록 한다.
제 1 내지 제 3 커플링 커패시터(Cc1, Cc2, Cc3) 중 제 1 및 제 2 커플링 커패시터(Cc1, Cc2)는 스캔 출력 회로와 센스 출력 회로 간의 커플링을 발생시키거나 홀딩 커패시터로 작용할 수 있고, 이 경우에는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전위가 낮아져 게이트 구동 회로의 구동 특성과 신뢰성이 저하될 수 있다. 이에 따라, 스캔 출력 회로와 센스 출력 회로 간의 커플링을 방지하기 위하여, 제 1 및 제 2 커플링 커패시터(Cc1, Cc2) 중 어느 하나는 생략 가능하다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 커플링 커패시터(Cc1, Cc2) 중 제 1 커플링 커패시터(Cc2)는 생략 가능될 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따른 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])는 제 1 내지 제 5 우수 제어 노드(2Qo, 2Qbo, 2Qbe, 2Qho, 2Qmo)에 선택적으로 연결된 제 2 센싱 제어 회로(SCC2), 제 2 노드 제어 회로(NCC2), 제 2 인버터 회로(IC2), 제 2 노드 리셋 회로(NRC2), 및 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)를 포함할 수 있다. 이러한 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])는 제 2 센싱 제어 회로(SCC2)를 제외하고는 제 n 스테이지 회로(ST[n])와 실질적으로 동일한 구성으로 구현될 수 있다.
일 예에 따른 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 라인 센싱 준비 회로, 제 2 기수 제어 노드(1Qbo), 제 3 기수 제어 노드(1Qbe), 및 제 4 기수 제어 노드(1Qmo)를 공유하고, 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])와 제 4 게이트 고전위 전압(GVdde)에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하는 것을 제외하고는 제 n 스테이지 회로(ST[n])와 실질적으로 동일하므로, 이하의 설명에서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 이에 대한 중복 설명은 생략하거나 간략히 한다.
일 예에 따른 제 2 노드 제어 회로(NCC2)는 제 1 내지 제 10 TFT(T1 내지 T10)를 포함할 수 있다.
제 1 내지 제 4 TFT(T1 내지 T4)는 제 2 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제어 또는 셋업하는 기능을 하므로, 제 2 노드 셋업 회로로 표현될 수 있다.
제 1 TFT(T1)와 제 2 TFT(T2)는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 전달하는 제 1 게이트 고전위 전압 라인과 제 1 기수 제어 노드(1Qo) 사이에 전기적으로 직렬 접속되고 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 충전하도록 구현될 수 있다.
제 1 TFT(T1)는 하이 전압의 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])에 따라 턴-온되어 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 1 연결 노드(Nc1)로 출력할 수 있다.
제 2 TFT(T2)는 하이 전압의 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])에 따라 제 1 TFT(T1)와 함께 동시에 턴-온되어 제 1 TFT(T1)와 제 1 연결 노드(Nc1)를 통해 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 공급할 수 있다.
제 3 TFT(T3a, T3b)는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)에 따라 턴-온되어 제 1 TFT(T1)와 제 2 TFT(T2) 사이의 제 1 연결 노드(Nc1)에 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)을 항상 공급함으로써 제 1 TFT(T1)의 오프 전류 및/또는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전류 누설을 방지할 수 있다.
일 예에 따른 제 3 TFT(T3a, T3b)는 오프 전류에 의한 누설 전류의 방지를 위해, 제 2 게이트 고전위 전압 라인과 제 1 연결 노드(Nc1) 사이에 전기적으로 직렬 접속된 제 3-1 TFT(T3a) 및 제 3-2 TFT(T3b)를 포함할 수 있다.
제 3-1 TFT(T3a)는 제 2 게이트 고전위 전압 라인에 다이오드 형태로 연결될 수 있다. 제 3-2 TFT(T3b)는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)에 의해 제 3-1 TFT(T3a)와 함께 동시에 턴-온되어 제 3-1 TFT(T3a)를 통해 공급되는 제 2 게이트 고전위 전압(GVdd2)을 제 1 연결 노드(Nc1)에 공급할 수 있다.
제 4 TFT(T4a, T4b)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)에 공급할 수 있다.
일 예에 따른 제 4 TFT(T4a, T4b)는 오프 전류에 의한 누설 전류의 방지를 위해, 제 1 게이트 고전위 전압 라인과 제 4 우수 제어 노드(2Qhe) 사이에 전기적으로 직렬 접속된 제 4-1 TFT(T4a) 및 제 4-2 TFT(T4b)를 포함할 수 있다.
제 4-1 TFT(T4a)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 하이 전압에 의해 턴-온되어 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 4-2 TFT(T4b)에 공급할 수 있다.
제 4-2 TFT(T4b)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 하이 전압에 의해 제 4-1 TFT(T4a)와 함께 동시에 턴-온되어 제 4-1 TFT(T4a)를 통해 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)에 공급할 수 있다.
제 5 TFT(T5)와 제 6 TFT(T6)는 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 응답하여 제 2 우수 제어 노드(2Qe)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 5 TFT(T5)와 제 6 TFT(T6)는 제 1 우수 방전 회로로 표현될 수 있다.
제 5 TFT(T5)는 하이 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 따라 턴-온되어 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 6 TFT(T6)는 하이 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 의해 제 5 TFT(T5)와 함께 동시에 턴-온되어 제 5 TFT(T5)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 공급함으로써 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 7 TFT(T7)와 제 8 TFT(T8)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전압에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 7 TFT(T7)와 제 8 TFT(T8)는 제 2 우수 방전 회로로 표현될 수 있다.
제 7 TFT(T7)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 8 TFT(T8)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 하이 전압에 의해 제 7 TFT(T7)와 함께 동시에 턴-온되어 제 7 TFT(T7)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 공급함으로써 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 9 TFT(T9)와 제 10 TFT(T10)는 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 전압에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe) 각각의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 9 TFT(T9)와 제 10 TFT(T10)는 제 3 우수 방전 회로로 표현될 수 있다.
제 9 TFT(T9)는 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 10 TFT(T10)는 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 하이 전압에 의해 제 9 TFT(T9)와 함께 동시에 턴-온되어 제 9 TFT(T9)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 공급함으로써 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
일 예에 따른 제 2 인버터 회로(IC2)는 제 11 내지 제 15 TFT(T11 내지 T15)를 포함할 수 있다.
제 11 TFT(T11a, T11b)는 제 4 게이트 고전위 전압(GVdde)에 응답하여 제 4 게이트 고전위 전압(GVdde)을 제 2 연결 노드(Nc2)에 공급할 수 있다. 일 예에 따른 제 11 TFT(T11a, T11b)는 오프 전류에 의한 누설 전류의 방지를 위해, 제 4 게이트 고전위 전압 라인과 제 2 연결 노드(Nc2) 사이에 전기적으로 직렬 접속된 제 11-1 TFT(T11a) 및 제 11-2 TFT(T11b)를 포함할 수 있다.
제 11-1 TFT(T11a)는 제 4 게이트 고전위 전압 라인에 다이오드 형태로 연결될 수 있다. 제 11-2 TFT(T11b)는 제 4 게이트 고전위 전압(GVdde)에 의해 제 11-1 TFT(T11a)와 함께 동시에 턴-온되어 제 11-1 TFT(T11a)를 통해 공급되는 제 4 게이트 고전위 전압(GVdde)을 제 2 연결 노드(Nc2)에 공급할 수 있다.
제 12 TFT(T12)는 제 2 연결 노드(Nc2)의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 4 게이트 고전위 전압(GVdde)을 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)에 공급할 수 있다.
제 13 TFT(T13)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 14 TFT(T14)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 연결 노드(Nc2)의 전위를 제 2 게이트 저전위 전압(GVss2)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 15 TFT(T15)는 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되며, 턴-온시 제 2 연결 노드(Nc2)의 전위를 제 2 게이트 저전위 전압(GVss2)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
일 예에 따른 제 2 센싱 제어 회로(SCC2)는 제 20 내지 제 22 TFT(T20 내지 T22)를 포함할 수 있다.
제 20 TFT(T20)는 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)로부터 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 제어하도록 구현될 수 있다.
제 20 TFT(T20)는 하이 전압의 제 1 리셋 신호(RST1)에 따라 턴-온되어 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 공유 노드(Ns)를 통해 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 공급함으로써 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)을 충전하고, 이를 통해 제 1 우수 제어 노드(2Qe)를 활성화시킬 수 있다.
제 21 TFT(T21)와 제 22 TFT(T22)는 발광 표시 장치의 파워 온시 공급되는 표시 패널 온 신호(POS)에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시키도록 구현될 수 있다. 이러한 제 21 TFT(T21)와 제 22 TFT(T22)는 제 2 스테이지 초기화 회로로 표현될 수 있다.
제 21 TFT(T21)는 하이 전압의 표시 패널 온 신호(POS)에 따라 턴-온되어 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 22 TFT(T22)는 하이 전압의 표시 패널 온 신호(POS)에 의해 제 21 TFT(T21)와 함께 동시에 턴-온되어 제 21 TFT(T21)와 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 공급함으로써 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
선택적으로, 제 2 센싱 제어 회로(SCC2)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])이 생략될 때, 생략될 수 있다.
일 예에 따른 제 2 노드 리셋 회로(NRC2)는 제 23 내지 제 28 TFT(T23 내지 T28)를 포함할 수 있다.
제 23 TFT(T23)는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하여 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 23 TFT(T23)는 제 2-1 리셋 회로로 표현될 수 있다.
제 23 TFT(T23)는 표시 모드에서 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 따라 턴-온되어 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전시키거나 리셋시킬 수 있다.
제 24 및 제 25 TFT(T24, T25)는 제 5 우수 제어 노드(2Qme)의 전압과 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하여 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 24 및 제 25 TFT(T24, T25)는 제 2-2 리셋 회로로 표현될 수 있다.
제 24 TFT(T24)는 제 5 우수 제어 노드(2Qme)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 4 연결 노드(Nc4)에 공급할 수 있다.
제 25 TFT(T25)는 하이 전압의 제 1 리셋 신호(RST1)에 따라 턴-온되어 제 24 TFT(T24)와 제 4 연결 노드(Nc4)를 통해 공급되는 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)을 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)에 공급할 수 있다. 제 4 연결 노드(Nc4)는 제 24 TFT(T24)와 제 25 TFT(T25) 사이의 연결 라인일 수 있다.
제 26 내지 제 28 TFT(T26, T27, T28)는 센싱 모드에서, 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)의 전압과 제 5 우수 제어 노드(2Qme)의 전압 및 제 2 리셋 신호(RST2)에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전위를 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 제어하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 26 내지 제 28 TFT(T26, T27, T28)는 제 4 우수 방전 회로로 표현될 수 있다.
제 26 내지 제 28 TFT(T26, T27, T28)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 제 4 연결 노드(Nc4) 사이에 전기적으로 직렬 접속되고 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)의 전압과 제 5 우수 제어 노드(2Qme)의 전압 및 제 2 리셋 신호(RST2)에 응답하여 제 1 우수 제어 노드(2Qe)를 제 4 연결 노드(Nc4)에 전기적으로 연결할 수 있다.
제 26 TFT(T26)는 하이 전압의 제 2 리셋 신호(RST2)에 따라 턴-온되어 제 1 우수 제어 노드(2Qe)를 제 5 연결 노드(Nc5)에 전기적으로 연결할 수 있다.
제 27 TFT(T27)는 제 5 우수 제어 노드(2Qme)의 하이 전압에 따라 턴-온되어 제 5 연결 노드(Nc5)를 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)에 전기적으로 연결할 수 있다.
제 28 TFT(T28)는 하이 전압의 제 2 리셋 신호(RST2)에 따라 턴-온되어 제 4 우수 제어 노드(2Qhe)를 제 4 연결 노드(Nc4)에 전기적으로 연결할 수 있다.
한편, 제 24 내지 제 28 TFT(T24 내지 T28)은 제 2 센싱 제어 회로(SCC2)가 생략될 때, 생략될 수 있다.
일 예에 따른 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)는 제 29 내지 제 37 TFT(T29 내지 T37), 및 제 1 내지 제 3 커플링 커패시터(Cc1, Cc2, Cc3)를 포함할 수 있다.
제 29 내지 제 31 TFT(T29, T30, T31), 및 제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 제 1 내지 제 3 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe)의 전압에 응답하여 제 n+1 스캔 쉬프트 클럭(SCCLK[n+1])을 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])로 출력하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 29 내지 제 31 TFT(T29, T30, T31), 및 제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 스캔 출력 회로로 표현될 수 있다.
제 29 TFT(T29)(또는 제 1 우수 풀-업 TFT)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 따라 제 n+1 스캔 클럭(SCCLK[n+1])에 대응되는 하이 전압의 스캔 펄스를 갖는 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 제 1 출력 노드(No1)로 출력함으로써 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])의 스캔 펄스를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급할 수 있다.
일 예에 따르면, 제 29 TFT(T29)는 도 7에 도시된 바와 같이, 제 n+1 스캔 클럭(SCCLK[n+1])을 기반으로, 표시 모드의 영상 표시 구간에서 제 1 스캔 펄스(SCP1)를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급하며, 표시 모드의 블랙 표시 구간에서 제 2 스캔 펄스(SCP2)를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급할 수 있다. 그리고, 센싱 모드에서 제 n+1 수평 라인에 구현된 픽셀들의 구동 특성을 센싱할 때, 제 29 TFT(T29)는 제 n+1 스캔 클럭(SCCLK[n+1])을 기반으로, 센싱 구간(RSP)에서 제 3 스캔 펄스(SCP3) 및 제 4 스캔 펄스(SCP4)를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 추가로 공급할 수 있다.
제 30 TFT(T30)(또는 제 1-1 우수 풀-다운 TFT)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 제 1 출력 노드(No1)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급할 수 있다.
제 31 TFT(T31)(또는 제 1-2 우수 풀-다운 TFT)는 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 제 1 출력 노드(No1)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 1 게이트 라인에 공급할 수 있다.
본 명세서에 따른 제 30 TFT(T30)와 제 31 TFT(T31)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)와 제 3 우수 제어 노드(2Qbe) 각각의 상반된 전압에 따라 일정 기간 단위로 교번하여 구동됨으로써 열화 속도가 지연될 수 있다.
제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 제 1 출력 노드(No1) 사이에 구현될 수 있다. 선택적으로, 제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 제 29 TFT(T29)의 게이트 전극과 제 1 출력 노드(No1) 사이의 기생 커패시턴스로 구현될 수 있다.
제 32 내지 제 34 TFT(T32, T33, T34), 및 제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 제 1 내지 제 3 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe)의 전압에 응답하여 제 n+1 센스 쉬프트 클럭(SECLK[n+1])을 제 n+1 센스 신호(SE[n+1])로 출력하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 32 내지 제 34 TFT(T32, T33, T34), 및 제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 센스 출력 회로로 표현될 수 있다.
제 32 TFT(T32)(또는 제 2 우수 풀-업 TFT)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 따라 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1])에 대응되는 하이 전압의 센스 펄스를 갖는 제 n+1 센스 신호(SE[n+1])를 제 2 출력 노드(No2)로 출력함으로써 제 n+1 센스 신호(SE[n+1])의 센스 펄스를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 공급할 수 있다.
일 예에 따르면, 제 32 TFT(T32)는 도 7에 도시된 바와 같이, 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1])을 기반으로, 표시 모드의 영상 표시 구간에서 제 1 센스 펄스(SEP1)를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 공급할 수 있다. 그리고, 센싱 모드에서 제 n+1 수평 라인에 구현된 픽셀들의 구동 특성을 센싱할 때, 제 32 TFT(T32)는 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1])을 기반으로, 센싱 구간(RSP)에서 제 2 센스 펄스(SEP2)를 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 추가로 공급할 수 있다.
제 33 TFT(T33)(또는 제 2-1 우수 풀-다운 TFT)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1])을 제 2 출력 노드(No2)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1])을 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 공급할 수 있다.
제 34 TFT(T34)(또는 제 2-2 우수 풀-다운 TFT)는 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1])을 제 2 출력 노드(No2)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1])을 제 n+1 게이트 라인 그룹의 제 2 게이트 라인에 공급할 수 있다.
본 명세서에 따른 제 33 TFT(T33)와 제 34 TFT(T34)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)와 제 3 우수 제어 노드(2Qbe) 각각의 상반된 전압에 따라 일정 기간 단위로 교번하여 구동됨으로써 열화 속도가 지연될 수 있다.
제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 제 2 출력 노드(No2) 사이에 구현될 수 있다. 선택적으로, 제 2 커플링 커패시터(Cc2)는 제 32 TFT(T32)의 게이트 전극과 제 2 출력 노드(No2) 사이의 기생 커패시턴스로 구현될 수 있다.
제 35 내지 제 37 TFT(T35, T36, T37), 및 제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 제 1 내지 제 3 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe)의 전압에 응답하여 제 n+1 캐리 쉬프트 클럭(CRCLK[n+1])을 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])로 출력하도록 구현될 수 있다. 이러한 제 35 내지 제 37 TFT(T35, T36, T37), 및 제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 캐리 출력 회로로 표현될 수 있다.
제 35 TFT(T35)(또는 제 3 우수 풀-업 TFT)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압에 따라 제 n+1 캐리 클럭(CRCLK[n+1])에 대응되는 하이 전압의 캐리 펄스를 갖는 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 제 3 출력 노드(No3)로 출력함으로써 하이 전압의 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 전단 또는 후단 스테이지 회로에 공급할 수 있다. 일 예에 따르면, 제 35 TFT(T35)는 도 7에 도시된 바와 같이, 제 n+1 캐리 클럭(CRCLK[n+1])을 기반으로, 표시 모드에서 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 전단 또는 후단 스테이지 회로로 출력할 수 있다.
제 36 TFT(T36)(또는 제 3-1 우수 풀-다운 TFT)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 제 3 출력 노드(No3)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 전단 또는 후단 스테이지 회로에 공급할 수 있다.
제 37 TFT(T37)(또는 제 3-2 우수 풀-다운 TFT)는 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 전압에 따라 제 1 게이트 저전위 전압(GVss1)에 대응되는 로우 전압의 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 제 3 출력 노드(No3)로 출력함으로써 로우 전압의 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 전단 또는 후단 스테이지 회로에 공급할 수 있다.
본 명세서에 따른 제 36 TFT(T36)와 제 37 TFT(T37)는 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)와 제 3 우수 제어 노드(2Qbe) 각각의 상반된 전압에 따라 일정 기간 단위로 교번하여 구동됨으로써 열화 속도가 지연될 수 있다.
제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)와 제 3 출력 노드(No3) 사이에 구현될 수 있다. 선택적으로, 제 3 커플링 커패시터(Cc3)는 제 35 TFT(T35)의 게이트 전극과 제 3 출력 노드(No3) 사이의 기생 커패시턴스로 구현될 수 있다.
제 1 내지 제 3 커플링 커패시터(Cc1, Cc2, Cc3) 중 제 1 및 제 2 커플링 커패시터(Cc1, Cc2) 중 어느 하나는 생략 가능하다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 커플링 커패시터(Cc1, Cc2) 중 제 1 커플링 커패시터(Cc1)는 생략 가능될 수 있다.
도 10은 도 9에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로 각각의 입출력 파형을 나타내는 도면이고, 도 11a 내지 도 11i는 도 9에 도시된 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로 각각의 동작 과정을 나타내는 도면들이다. 도 11a 내지 도 11i에서, 굵은 실선은 하이 전압 이상의 전위를 갖는 노드와 턴-온된 TFT를 나타내며, 가는 실선은 로우 전압의 전위를 갖는 노드와 턴-오프된 TFT를 나타낸다. 그리고, 도 10과 도 11a 내지 도 11i을 설명함에 있어서, 제 n 스테이지 회로와 제 n+1 스테이지 회로에 구현된 TFT들에 대한 동작 설명은 도 9에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 10 및 도 11a를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 표시 모드의 영상 표시 구간(IDP) 중 제 1 표시 기간(td1) 동안, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)는 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하는 제 1 노드 제어 회로(NCC1)의 동작에 따라 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 충전된다. 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 충전 전압에 응답하는 제 1 인버터 회로(IC1)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 충전 전압에 응답하는 제 2 인버터 회로(IC2)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)는 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하는 제 2 노드 리셋 회로(NRC2)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)는 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)와 연결되어 있으므로 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 제 n 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)와 연결되어 있으므로 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다.
영상 표시 구간(IDP) 중 제 1 표시 기간(td1)에서, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 충전되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)은 제 1 게이트 고전위 전압 라인으로부터 2개의 TFT(T1, T2)를 경유하여 공급되므로, 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압 충전 특성이 증가될 수 있다.
영상 표시 구간(IDP)의 제 1 표시 기간(td1)에서, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n]), 제 n 센스 클럭(SECLK[n]), 및 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n]) 각각이 로우 전압으로 유지됨에 따라 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에서 부트스트램핑이 발생되지 않기 때문에 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)의 기수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각은 턴-온되지 않고 턴-오프 상태를 유지한다.
도 10 및 도 11b를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 표시 모드의 영상 표시 구간(IDP) 중 제 2 표시 기간(td2) 동안, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)는 하이 전압을 갖는 라인 센싱 준비 신호(LSPS)의 라인 센싱 선택 펄스(LSP1)와 하이 전압의 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])에 응답하는 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)의 동작에 따라 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 충전된다. 그리고, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)는 제 1 표시 기간(td1)에서 충전된 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 유지된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)는 하이 전압의 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])에 응답하는 제 2 노드 제어 회로(NCC2)의 동작에 따라 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 충전된다. 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에 충전되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)은 제 1 게이트 고전위 전압 라인으로부터 2개의 TFT(T1, T2)를 경유하여 공급되므로, 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 전압 충전 특성이 증가될 수 있다. 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 충전 전압에 응답하는 제 1 인버터 회로(IC1)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 유지된다. 제 n 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)와 연결되어 있으므로 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 유지된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 충전 전압에 응답하는 제 2 인버터 회로(IC2)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 유지된다. 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)는 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)와 연결되어 있으므로 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 유지된다.
영상 표시 구간(IDP)의 제 2 표시 기간(td2)에서, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n]), 제 n 센스 클럭(SECLK[n]), 및 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n]) 각각이 로우 전압으로 유지됨에 따라 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에서 부트스트램핑이 발생되지 않기 때문에 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)의 기수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각은 턴-온되지 않고 턴-오프 상태를 유지한다. 그리고, 제 n+1 스캔 클럭(SCCLK[n+1]), 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1]), 및 제 n+1 캐리 클럭(CRCLK[n+1]) 각각이 로우 전압으로 유지됨에 따라 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에서 부트스트램핑이 발생되지 않기 때문에 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)의 우수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각은 턴-온되지 않고 턴-오프 상태를 유지한다.
도 10 및 도 11c를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 표시 모드의 영상 표시 구간(IDP) 중 제 3 표시 기간(td3) 동안, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 내지 제 5 기수 제어 노드(1Qbo, 1Qbe, 1Qho, 1Qmo), 및 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 내지 제 5 우수 제어 노드(2Qe, 2Qbo, 2Qbe, 2Qhe, 2Qme) 각각은 제 2 표시 기간(td2)에서의 전압 상태를 그대로 유지한다.
영상 표시 구간(IDP)의 제 3 표시 기간(td3) 동안, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n]), 제 n 센스 클럭(SECLK[n]), 및 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n]) 각각이 하이 전압으로 입력됨에 따라 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에서 부트스트랩핑이 발생되고, 이로 인하여 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)의 기수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각이 완전히 턴-온된다. 이에 따라, 제 n 스테이지 회로(ST[n])는 제 1 출력 노드(No1)를 통해 하이 전압의 제 1 스캔 펄스(SCP1)를 갖는 제 n 스캔 신호(SC[n])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 하이 전압의 제 1 센스 펄스(SEP1)를 갖는 제 n 센스 신호(SE[n])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 하이 전압을 갖는 제 n 캐리 신호(CS[n])를 출력한다. 따라서, 제 n 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들에 대한 영상 데이터 어드레싱 기간이 수행될 수 있다.
영상 표시 구간(IDP)의 제 3 표시 기간(td3)에서, 제 n+1 스캔 클럭(SCCLK[n+1]), 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1]), 및 제 n+1 캐리 클럭(CRCLK[n+1]) 각각이 로우 전압으로 유지된 후, 클럭 비중첩 구간 동안 하이 전압으로 입력됨에 따라 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에서 부트스트랩핑이 발생되고, 이로 인하여 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)의 우수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각이 완전히 턴-온된다. 이에 따라, 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])는 제 1 출력 노드(No1)를 통해 하이 전압의 제 1 스캔 펄스(SCP1)를 갖는 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 하이 전압의 제 1 센스 펄스(SEP1)를 갖는 제 n+1 센스 신호(SE[n+1])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 하이 전압을 갖는 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 출력한다. 따라서, 제 n+1 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들에 대한 영상 데이터 어드레싱 기간이 수행될 수 있다.
도 10 및 도 11d를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 표시 모드의 영상 표시 구간(IDP) 중 제 3 표시 기간(td3) 이후, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)는 충전 상태를 그대로 유지한다.
영상 표시 구간(IDP)의 제 3 표시 기간(td3) 이후, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)는 하이 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])(또는 제 n+3 캐리 신호(CS[n+3]))에 응답하는 제 1 노드 제어 회로(NCC1)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 방전에 응답하는 제 1 인버터 회로(IC1)의 동작에 따라 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 충전된다. 이에 따라, 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)는 기수 풀-다운 TFT(T30, T33, T36) 각각이 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 충전 전압에 의해 턴-온됨에 따라 제 1 출력 노드(No1)를 통해 로우 전압의 제 n 스캔 신호(SC[n])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 로우 전압의 제 n 센스 신호(SE[n])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n 캐리 신호(CS[n])를 출력한다. 따라서, 제 n 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들은 어드레싱된 영상 데이터 전압에 대응되는 데이터 전류에 의해 발광할 수 있다.
영상 표시 구간(IDP)의 제 3 표시 기간(td3) 이후, 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)는 하이 전압의 제 n+4 캐리 신호(CS[n+4])에 응답하는 제 2 노드 제어 회로(NCC2)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 3 우수 제어 노드(2Qbo)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)에 연결되어 있으므로 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 충전된다. 이에 따라, 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)는 우수 풀-다운 TFT(T31, T34, T37) 각각이 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 충전 전압에 의해 턴-온됨에 따라 제 1 출력 노드(No1)를 통해 로우 전압의 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 로우 전압의 제 n+1 센스 신호(SE[n+1])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 출력한다. 따라서, 제 n+1 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들은 어드레싱된 영상 데이터 전압에 대응되는 데이터 전류에 의해 발광할 수 있다.
도 10 및 도 11e를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 표시 모드의 블랙 표시 구간(BDP) 동안 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)는 충전 상태를 그대로 유지한다.
블랙 표시 구간(BDP)의 제 1 블랙 기간(tb1) 동안, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)는 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 응답하는 제 1 노드 제어 회로(NCC1)의 동작에 따라 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 충전된다. 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 충전 전압에 응답하는 제 1 인버터 회로(IC1)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다.
블랙 표시 구간(BDP)의 제 1 블랙 기간(tb1)에서, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에 충전되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)은 제 1 게이트 고전위 전압 라인으로부터 2개의 TFT(T1, T2)를 경유하여 공급되므로, 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 전압 충전 특성이 증가될 수 있다.
블랙 표시 구간(BDP)의 제 1 블랙 기간(tb1) 동안, 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 충전 전압에 응답하는 제 2 인버터 회로(IC2)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 3 기수 제어 노드(1Qbe)와 연결되어 있으므로 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 유지된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)와 연결되어 있으므로 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 유지된다.
블랙 표시 구간(BDP)의 제 1 블랙 기간(tb1) 이후 제 2 블랙 기간(tb2)과 제 3 블랙 기간(tb3)에서, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)가 충전 상태를 그대로 유지하고, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n])만이 하이 전압으로 입력되는 것을 제외하고는 도 11d에 도시된 제 2 표시 기간(td2)과 제 3 표시 기간(td3)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 따라서, 블랙 표시 구간(BDP)의 제 2 블랙 기간(tb2)과 제 3 블랙 기간(tb3) 동안 제 n 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들은 하이 전압의 제 2 스캔 펄스(SCP2)를 갖는 제 n 스캔 신호(SC[n])에 의해 블랙 데이터 전압이 어드레싱됨으로써 블랙 영상을 표시할 수 있다.
도 10 및 도 11f를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 센싱 모드의 센싱 구간(RSP) 중 제 1 센싱 기간(ts1)에서, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)는 하이 전압의 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하는 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)의 동작에 따라 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 충전된다. 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 충전 전압에 응답하는 제 1 인버터 회로(IC1)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다.
센싱 구간(RSP)의 제 1 센싱 기간(ts1) 동안, 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)는 하이 전압의 제 1 리셋 신호(RST1)에 응답하는 제 2 센싱 제어 회로(SCC2)의 동작에 따라 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 공유 노드(Ns)를 통해 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(GVdd1)으로 충전된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 2 우수 제어 노드(2Qbo)는 제 1 우수 제어 노드(2Qe)의 충전 전압에 응답하는 제 2 인버터 회로(IC2)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다.
센싱 구간(RSP)의 제 1 센싱 기간(ts1)에서, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n]), 제 n 센스 클럭(SECLK[n]) 각각이 로우 전압으로 유지됨에 따라 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에서 부트스트램핑이 발생되지 않기 때문에 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)의 기수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각은 턴-온되지 않고 턴-오프 상태를 유지한다. 이와 마찬가지로, 센싱 구간(RSP)의 제 1 센싱 기간(ts1)에서, 제 n+1 스캔 클럭(SCCLK[n+1]), 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1]), 및 제 n+1 캐리 클럭(CRCLK[n+1]) 각각이 로우 전압으로 유지됨에 따라 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에서 부트스트램핑이 발생되지 않기 때문에 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)의 우수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각은 턴-온되지 않고 턴-오프 상태를 유지한다.
도 10 및 도 11g를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 센싱 모드의 센싱 구간(RSP) 중 제 2 센싱 기간(ts2) 동안, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n]) 및 제 n 센스 클럭(SECLK[n]) 각각이 하이 전압으로 입력되고 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n])이 로우 전압으로 입력됨에 따라 제 1 기수 제어 노드(1Qo)에서 부트스트랩핑이 발생되고, 이로 인하여 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)의 기수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각이 완전히 턴-온된다. 이에 따라, 제 n 스테이지 회로(ST[n])는 제 1 출력 노드(No1)를 통해 하이 전압의 제 3 스캔 펄스(SCP3)를 갖는 제 n 스캔 신호(SC[n])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 하이 전압의 제 2 센스 펄스(SEP2)를 갖는 제 n 센스 신호(SE[n])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n 캐리 신호(CS[n])를 출력한다. 따라서, 센싱 구간(RSP)의 제 2 센싱 기간(ts2) 동안 제 n 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들에 대한 센싱 데이터 어드레싱 기간이 수행될 수 있다.
센싱 구간(RSP)의 제 2 센싱 기간(ts2)에서, 제 n+1 스캔 클럭(SCCLK[n+1]), 제 n+1 센스 클럭(SECLK[n+1]), 및 제 n+1 캐리 클럭(CRCLK[n+1]) 각각이 로우 전압으로 유지됨에 따라 제 1 우수 제어 노드(2Qe)에서 부트스트램핑이 발생되지 않기 때문에 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)의 우수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각은 턴-온되지 않고 턴-오프 상태를 유지한다.
센싱 구간(RSP)의 제 3 센싱 기간(ts3) 이후, 제 4 센싱 기간(ts4) 동안, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n])과 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n]) 각각이 로우 전압으로 입력되고, 제 n 센스 클럭(SECLK[n])이 하이 전압으로 유지됨에 따라 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)의 기수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각이 턴-온 상태로 유지된다. 이에 따라, 제 n 스테이지 회로(ST[n])는 제 1 출력 노드(No1)를 통해 로우 전압의 제 n 스캔 신호(SC[n])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 하이 전압의 제 2 센스 펄스(SEP2)를 갖는 제 n 센스 신호(SE[n])를 그대로 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n 캐리 신호(CS[n])를 그대로 출력한다. 따라서, 센싱 구간(RSP)의 제 4 센싱 기간(ts4) 동안 제 n 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들의 구동 특성을 센싱하는 샘플링 기간이 수행될 수 있다.
센싱 구간(RSP)의 제 4 센싱 기간(ts4) 이후, 제 5 센싱 기간(ts5) 동안, 제 n 스캔 클럭(SCCLK[n])이 하이 전압으로 입력되고, 제 n 센스 클럭(SECLK[n])이 하이 전압으로 유지되며, 제 n 캐리 클럭(CRCLK[n])이 로우 전압으로 유지됨에 따라 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)의 기수 풀-업 TFT(T29, T32, T35) 각각이 턴-온 상태로 유지된다. 이에 따라, 제 n 스테이지 회로(ST[n])는 제 1 출력 노드(No1)를 통해 하이 전압의 제 4 스캔 펄스(SCP4)를 갖는 제 n 스캔 신호(SC[n])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 하이 전압의 제 2 센스 펄스(SEP2)를 갖는 제 n 센스 신호(SE[n])를 그대로 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n 캐리 신호(CS[n])를 그대로 출력한다. 따라서, 센싱 구간(RSP)의 제 4 센싱 기간(ts4) 동안 제 n 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들의 발광 상태를 센싱 구간(RSP)의 직전 상태로 복원하는 데이터 복원 기간이 수행될 수 있다.
도 10 및 도 11h를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 센싱 모드의 센싱 구간(RSP) 중 제 5 센싱 기간(ts5) 동안, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 1 기수 제어 노드(1Qo)는 하이 전압의 제 2 리셋 신호(RST2)와 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 충전 전압에 응답하는 제 1 노드 리셋 회로(NRC1)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 따라서, 제 n 수평 라인에 배치되어 있는 픽셀들에 대한 센싱 모드가 해제될 수 있다.
센싱 구간(RSP)의 제 5 센싱 기간(ts5) 동안, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)는 제 1 기수 제어 노드(1Qo)의 방전 전압에 응답하는 제 1 인버터 회로(IC1)의 동작에 따라 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 충전된다. 이에 따라, 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)는 기수 풀-다운 TFT(T30, T33, T36) 각각이 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 충전 전압에 의해 턴-온됨에 따라 제 1 출력 노드(No1)를 통해 로우 전압의 제 n 스캔 신호(SC[n])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 로우 전압의 제 n 센스 신호(SE[n])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n 캐리 신호(CS[n])를 출력한다.
센싱 구간(RSP)의 제 5 센싱 기간(ts5) 동안, 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 1 우수 제어 노드(2Qe)는 하이 전압의 제 2 리셋 신호(RST2)와 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)의 충전 전압에 응답하는 제 2 노드 리셋 회로(NRC2)의 동작에 따라 제 3 게이트 저전위 전압(GVss3)으로 방전된다. 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(2Qbo)와 연결되어 있으므로 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 충전된다. 이에 따라, 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)는 우수 풀-다운 TFT(T31, T34, T37) 각각이 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 충전 전압에 의해 턴-온됨에 따라 제 1 출력 노드(No1)를 통해 로우 전압의 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 로우 전압의 제 n+1 센스 신호(SE[n+1])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 출력한다.
도 10 및 도 11i를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따른 센싱 모드 이후의 표시 모드의 시작 시점에서, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 5 기수 제어 노드(1Qmo)는 라인 센싱 준비 신호(LSPS)의 하이 전압을 갖는 라인 센싱 해제 펄스(LSP2)에 응답하는 제 1 센싱 제어 회로(SCC1)의 동작에 따라 제 n-2 캐리 신호(CS[n-2])의 로우 전압으로 충전되거나 방전된다. 그리고, 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)는 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 충전된 상태를 유지한다. 이에 따라, 제 1 출력 버퍼 회로(OBC1)는 기수 풀-다운 TFT(T30, T33, T36) 각각이 제 2 기수 제어 노드(1Qbo)의 충전 전압에 의해 턴-온 상태로 유지됨에 따라 제 1 출력 노드(No1)를 통해 로우 전압의 제 n 스캔 신호(SC[n])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 로우 전압의 제 n 센스 신호(SE[n])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n 캐리 신호(CS[n])를 출력한다.
센싱 모드 이후의 표시 모드의 시작 시점에서, 제 n+1 스테이지 회로(ST[n+1])의 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)는 제 n 스테이지 회로(ST[n])의 제 2 기수 제어 노드(2Qbo)와 연결되어 있으므로 제 3 게이트 고전위 전압(GVddo)으로 충전된 상태를 유지한다. 이에 따라, 제 2 출력 버퍼 회로(OBC2)는 우수 풀-다운 TFT(T31, T34, T37) 각각이 제 3 우수 제어 노드(2Qbe)의 충전 전압에 의해 턴-온됨에 따라 제 1 출력 노드(No1)를 통해 로우 전압의 제 n+1 스캔 신호(SC[n+1])를 출력하고, 제 2 출력 노드(No2)를 통해 로우 전압의 제 n+1 센스 신호(SE[n+1])를 출력하며, 제 3 출력 노드(No3)를 통해 로우 전압을 갖는 제 n+1 캐리 신호(CS[n+1])를 출력한다.
도 12a 및 도 12b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로의 각 스테이지 회로에 구현된 제 1 제어 노드의 충전 경로를 나타낸 도면이며, 도 13a 및 도 13b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로의 출력 특성을 나타낸 파형도이다.
도 12a를 참조하면, 비교 예에 따르면, 각 스테이지 회로(ST[n])에 구현된 제 1 제어 노드(Qo, Qe)는 전단 스테이지 회로(ST[n-3])로부터 출력되는 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 의해 턴-온된 제 1 및 제 2 TFT(T1, T2)를 통해 공급되는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])의 하이 전압으로 충전될 수 있다. 이때, 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])의 하이 전압은 캐리 클럭 라인으로부터 전단 스테이지 회로(ST[n-3])의 풀-업 TFT(T35), 제 1 TFT(T1), 및 제 2 TFT(T2)를 경유하여 제 1 제어 노드(Qo, Qe)에 충전될 수 있다. 이에 따라, 비교 예는 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 충전 경로 상에 배치된 3개의 TFT들의 저항 성분에 의해 발생되는 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])의 전압 강하로 인하여 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 전압 충전률이 저하될 수 있다. 특히, 비교 예는 TFT의 열화 또는 문턱 전압 쉬프트에 의해 TFT의 온 전류 또는 이동도 특성이 저하될 때, 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 전압 충전률이 더욱 저하될 수 있다. 따라서, 비교 예에 따른 게이트 구동 회로는 TFT의 온 전류 저하에 따른 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 전압 충전률이 저하됨으로써 도 13a에 도시된 바와 같이, 비정상적인 신호가 출력될 수 있다.
도 12b를 참조하면, 본 명세서의 일 예에 따르면, 각 스테이지 회로(ST[n])에 구현된 제 1 제어 노드(Qo, Qe)는 전단 스테이지 회로(ST[n-3])로부터 출력되는 하이 전압의 제 n-3 캐리 신호(CS[n-3])에 의해 턴-온된 제 1 및 제 2 TFT(T1, T2)를 통해서 제 1 게이트 고전위 전압 라인으로부터 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압(Gvdd1)으로 충전될 수 있다. 이때, 제 1 게이트 고전위 전압(Gvdd1)은 제 1 게이트 고전위 전압 라인으로부터 제 1 TFT(T1) 및 제 2 TFT(T2)를 경유하여 제 1 제어 노드(Qo, Qe)에 충전될 수 있다. 이에 따라, 본 명세서의 일 예는 비교 예와 비교하여 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 충전 경로 상에 배치된 TFT들의 개수의 감소에 따른 저항 성분 감소로 인하여 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 전압 충전률이 향상될 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 예는 비교 예에 따른 캐리 클럭이 아닌 직류 전압의 제 1 게이트 고전위 전압(Gvdd1)을 제 1 제어 노드(Qo, Qe)에 충전함으로써 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 전압 충전 능력을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로는 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 전압 충전 능력이 크게 향상됨으로써 도 13a에 도시된 바와 같이, 출력 신호의 출력 특성이 향상될 수 있다. 결과적으로, 본 명세서의 일 예는 TFT의 열화 또는 문턱 전압 쉬프트에 의해 TFT의 온 전류 또는 이동도 저하에 따른 제 1 제어 노드(Qo, Qe)의 전압 충전률 저하로 인하여 게이트 구동 회로의 오동작을 방지할 수 있다.
도 14a 및 도 14b는 본 명세서의 일 예와 비교 예에 따른 게이트 구동 회로 각각의 제 1 제어 노드의 충전 전압 파형을 나타내는 도면이다. 도 14a에 도시된 비교 예는 제 1 TFT의 온 전류 특성이 30%(a), 40%(b), 및 50%(c) 저하될 때 제 1 제어 노드의 충전 전압 파형을 나타내며, 도 14b에 도시된 본 명세서의 일 예는 제 1 TFT의 온 전류 특성이 40%(a), 50%(b), 60%(c), 70%(d), 및 80%(e) 저하될 때 제 1 제어 노드의 충전 전압 파형을 나타낸다.
도 14a에서 알 수 있듯이, 비교 예에 따른 제 1 제어 노드의 전압 충전은 제 1 TFT의 온 전류 특성이 30%(a) 및 40%(b) 저하될 경우에 정상적으로 이루어지지만, 제 1 TFT의 온 전류 특성이 50%(c) 저하될 경우에 정성적으로 이루어지지 않는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 비교 예에 따른 게이트 구동 회로는 제 1 TFT의 온 전류 특성이 50%(c) 이상으로 저하될 경우 제 1 제어 노드의 전압 충전률 저하로 인하여 오동작할 수 있다.
도 14b에서 알 수 있듯이, 본 명세서의 일 예에 따른 제 1 제어 노드의 전압 충전은 제 1 TFT의 온 전류 특성이 40%(a), 50%(b), 60%(c), 및 70%(d) 저하될 경우에 정상적으로 이루어지지만, 제 1 TFT의 온 전류 특성이 80%(e) 저하될 경우에 정성적으로 이루어지지 않는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로는 제 1 제어 노드의 전압 충전률 향상으로 인하여, 제 1 TFT의 온 전류 특성이 80%(e) 미만으로 저하될 경우에 정상적으로 동작할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 예는 제 1 TFT의 온 전류 특성의 저하에 대해 게이트 구동 회로의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 명세서에 따른 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따른 게이트 구동 회로는 제 1 내지 제 m 스테이지 회로를 포함하며, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 제 1 내지 제 3 제어 노드, 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압을 제어하는 노드 제어 회로, 및 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압에 따라 스캔 신호와 센스 신호 및 캐리 신호 각각을 출력하는 출력 버퍼 회로를 포함하며, 노드 제어 회로는 전단 스테이지 회로부터 공급되는 제 1 전단 캐리 신호에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압을 제 1 제어 노드에 충전하는 노드 셋업 회로를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 1 게이트 고전위 전압은 제 1 게이트 고전위 전압 라인으로부터 2개의 박막 트랜지스터를 통과하여 제 1 제어 노드에 공급될 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 노드 셋업 회로는 제 1 게이트 고전위 전압을 전달하는 제 1 게이트 고전위 전압 라인과 제 1 제어 노드 사이에 전기적으로 직렬 접속되고 제 1 전압의 제 1 전단 캐리 신호에 의해 함께 턴-온되는 제 1 박막 트랜지스터와 제 2 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 노드 셋업 회로는 제 1 박막 트랜지스터와 제 2 박막 트랜지스터 사이의 제 1 연결 노드에 제 2 게이트 구동 전압을 항상 공급하는 제 3 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 2 게이트 구동 전압은 제 1 게이트 구동 전압보다 낮을 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 3 박막 트랜지스터는 제 2 게이트 고전위 전압을 전달하는 제 2 게이트 고전위 전압 라인과 제 1 연결 노드 사이에 직렬 접속되고 제 2 게이트 고전위 전압에 의해 함께 턴-온되는 제 3-1 박막 트랜지스터와 제 3-2 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 중 제 n 스테이지 회로에 구현된 제 2 제어 노드는 제 n+1 스테이지 회로에 구현된 제 3 제어 노드와 전기적으로 연결되며, 제 n 스테이지 회로에 구현된 제 3 제어 노드는 제 n+1 스테이지 회로에 구현된 제 2 제어 노드와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 제 1 제어 노드의 전압에 따라 제 2 제어 노드의 전압을 제어하는 인터버 회로, 및 제 1 전단 캐리 신호에 응답하여 제 2 제어 노드의 전압을 게이트 저전위 전압으로 리셋시키는 노드 리셋 회로를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 n 스테이지 회로의 인버터 회로는 제 n+1 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압에 따라 제 n 스테이지 회로의 제 2 제어 노드의 전압을 추가로 제어하며, 제 n+1 스테이지 회로의 인버터 회로는 제 n 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압에 따라 제 n+1 스테이지 회로의 제 2 제어 노드의 전압을 추가로 제어할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 메모리 노드, 및 메모리 노드의 전압과 제 1 제어 노드의 전압 각각을 제어하는 센싱 제어 회로를 더 포함하며, 제 n 스테이지 회로의 센싱 제어 회로는 라인 센싱 준비 신호와 전단 스테이지 회로부터 공급되는 제 2 전단 캐리 신호에 응답하여 메모리 노드의 전압을 제어하고 메모리 노드의 전압에 따라 제 1 게이트 고전위 전압을 공유 노드로 출력하며, 제 1 리셋 신호와 메모리 노드의 전압에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압을 제 1 제어 노드에 공급하는 센싱 제어 회로를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각의 센싱 제어 회로는 표시 패널 온 신호에 응답하여 제 1 제어 노드의 전압을 게이트 저전위 전압으로 리셋시킬 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 n 스테이지 회로의 노드 리셋 회로는 제 1 리셋 신호와 메모리 노드의 전압에 응답하여 제 n 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압을 게이트 저전위 전압으로 방전시키며, 제 2 리셋 신호와 메모리 노드의 전압에 응답하여 제 n 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압을 게이트 저전위 전압으로 방전시킬 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 n+1 스테이지 회로의 센싱 제어 회로는 제 n 스테이지 회로의 메모리 노드와 전기적으로 연결되고, 제 1 리셋 신호에 응답하여 제 n 스테이지 회로의 공유 노드를 통해 공급되는 제 1 게이트 고전위 전압을 제 n+1 스테이지 회로의 제 1 제어 노드에 공급할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 n+1 스테이지 회로의 노드 리셋 회로는 제 1 리셋 신호와 메모리 노드의 전압에 응답하여 제 n+1 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압을 게이트 저전위 전압으로 방전시키며, 제 2 리셋 신호와 메모리 노드의 전압에 응답하여 제 n+1 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압을 게이트 저전위 전압으로 방전시킬 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 각 프레임 기간의 수직 액티브 구간에서 스캔 신호와 센스 신호 및 캐리 신호 각각을 순차적으로 출력하며, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 중 어느 하나는 각 프레임 기간의 수직 블랭크 구간에서 스캔 신호와 센스 신호를 출력할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 픽셀, 복수의 픽셀에 연결된 제 1 게이트 라인과 제 2 게이트 라인을 갖는 복수의 게이트 라인 그룹, 및 복수의 픽셀에 연결되고 복수의 게이트 라인 그룹과 교차하는 복수의 데이터 라인과 복수의 레퍼런스 라인을 포함하는 발광 표시 패널; 복수의 게이트 라인 그룹에 연결된 게이트 구동 회로를 포함하는 게이트 구동 회로부; 복수의 데이터 라인과 복수의 레퍼런스 라인에 연결된 데이터 구동 회로부; 및 게이트 구동 회로부와 데이터 구동 회로부 각각의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 포함하며, 게이트 구동 회로는 제 1 내지 제 m 스테이지 회로를 포함하며, 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 제 1 내지 제 3 제어 노드, 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압을 제어하는 노드 제어 회로, 및 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압에 따라 스캔 신호와 센스 신호 및 캐리 신호 각각을 출력하는 출력 버퍼 회로를 포함하며, 노드 제어 회로는 전단 스테이지 회로부터 공급되는 제 1 전단 캐리 신호에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압을 제 1 제어 노드에 충전하는 노드 셋업 회로를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 타이밍 제어부는 발광 표시 패널을 표시 모드와 센싱 모드로 제어하며, 게이트 구동 회로부는 센싱 모드에서 복수의 게이트 라인 그룹 중 어느 하나에 스캔 신호와 센스 신호를 공급하며, 데이터 구동 회로부는 센싱 모드에서 스캔 신호와 동기되는 센싱 데이터 전압을 복수의 데이터 라인에 공급하고 복수의 레퍼런스 라인을 통해 픽셀의 구동 특성을 센싱할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 타이밍 제어부는 수직 블랭크 구간에 발광 표시 패널을 센싱 모드로 제어할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 타이밍 제어부는 표시 모드를 영상 표시 구간과 블랙 표시 구간으로 제어하며, 게이트 구동 회로부는 블랙 표시 구간에서 복수의 게이트 라인 그룹 중 적어도 하나의 제 1 게이트 라인에 스캔 신호만을 공급하며, 데이터 구동 회로부는 블랙 표시 구간에서 스캔 신호와 동기되는 블랙 데이터 전압을 복수의 데이터 라인에 공급할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 복수의 픽셀 각각은 영상 표시 구간에서 영상을 표시하며 블랙 표시 구간에서 블랙 영상을 표시할 수 있다.
본 명세서의 일 예에 따르면, 게이트 구동 회로부는 각 프레임 기간의 수직 액티브 구간에서 스캔 신호와 센스 신호를 복수의 게이트 라인 그룹에 순차적으로 공급하며, 각 프레임 기간의 수직 블랭크 구간에서 복수의 게이트 라인 그룹 중 어느 하나의 게이트 라인 그룹에 스캔 신호와 센스 신호를 출력할 수 있다.
본 명세서에 따른 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치는 발광 표시 패널 및/또는 발광 표시 패널에 내장된 게이트 구동 회로를 포함하는 모든 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에 따른 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 표시 장치는 모바일 디바이스, 영상 전화기, 스마트 와치(smart watch), 와치 폰(watch phon+1e), 웨어러블 기기(wearable device), 폴더블 기기(foldable device), 롤러블 기기(rollable device), 벤더블 기기(ben+1dable device), 플렉서블 기기(flexible device), 커브드 기기(curved device), 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), PDA(person+1al digital assistan+1t), MP3 플레이어, 모바일 의료기기, 데스크탑 PC(desktop PC), 랩탑 PC(laptop PC), 넷북 컴퓨터(n+1etbook computer), 워크스테이션(workstation+1), 네비게이션, 차량용 네비게이션, 차량용 표시장치, 텔레비전, 월페이퍼(wall paper) 표시장치, 샤이니지(sign+1age) 기기, 게임기기, 노트북, 모니터, 카메라, 캠코더, 및 가전 기기 등에 적용될 수 있다.
상술한 본 명세서의 다양한 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 명세서의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 명세서의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 명세서의 기술 사상이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 명세서의 기술 범위 또는 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 본 명세서는 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 명세서의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 명세서의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 명세서의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 발광 표시 패널 300: 타이밍 제어부
500: 게이트 구동 회로부 510: 게이트 구동 회로
700: 데이터 구동 회로부
500: 게이트 구동 회로부 510: 게이트 구동 회로
700: 데이터 구동 회로부
Claims (20)
- 제 1 내지 제 m 스테이지 회로를 포함하며,
상기 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은,
제 1 내지 제 3 제어 노드;
상기 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압을 제어하는 노드 제어 회로; 및
상기 제 1 내지 제 3 제어 노드 각각의 전압에 따라 스캔 신호와 센스 신호 및 캐리 신호 각각을 출력하는 출력 버퍼 회로를 포함하며,
상기 노드 제어 회로는 전단 스테이지 회로부터 공급되는 제 1 전단 캐리 신호에 응답하여 제 1 게이트 고전위 전압을 상기 제 1 제어 노드에 충전하는 노드 셋업 회로를 포함하는, 게이트 구동 회로. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 게이트 고전위 전압은 제 1 게이트 고전위 전압 라인으로부터 2개의 박막 트랜지스터를 통과하여 상기 제 1 제어 노드에 공급되는, 게이트 구동 회로. - 제 1 항에 있어서,
상기 노드 셋업 회로는 상기 제 1 게이트 고전위 전압을 전달하는 제 1 게이트 고전위 전압 라인과 상기 제 1 제어 노드 사이에 전기적으로 직렬 접속되고 제 1 전압의 제 1 전단 캐리 신호에 의해 함께 턴-온되는 제 1 박막 트랜지스터와 제 2 박막 트랜지스터를 포함하는, 게이트 구동 회로. - 제 3 항에 있어서,
상기 노드 셋업 회로는 상기 제 1 박막 트랜지스터와 상기 제 2 박막 트랜지스터 사이의 제 1 연결 노드에 제 2 게이트 구동 전압을 항상 공급하는 제 3 박막 트랜지스터를 더 포함하는, 게이트 구동 회로. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 게이트 구동 전압은 상기 제 1 게이트 구동 전압보다 낮은, 게이트 구동 회로. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 3 박막 트랜지스터는 상기 제 2 게이트 고전위 전압을 전달하는 제 2 게이트 고전위 전압 라인과 상기 제 1 연결 노드 사이에 직렬 접속되고 상기 제 2 게이트 고전위 전압에 의해 함께 턴-온되는 제 3-1 박막 트랜지스터와 제 3-2 박막 트랜지스터를 포함하는, 게이트 구동 회로. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 중 제 n 스테이지 회로에 구현된 상기 제 2 제어 노드는 제 n+1 스테이지 회로에 구현된 상기 제 3 제어 노드와 전기적으로 연결되며,
상기 제 n 스테이지 회로에 구현된 상기 제 3 제어 노드는 상기 제 n+1 스테이지 회로에 구현된 상기 제 2 제어 노드와 전기적으로 연결된, 게이트 구동 회로. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은,
상기 제 1 제어 노드의 전압에 따라 상기 제 2 제어 노드의 전압을 제어하는 인터버 회로; 및
상기 제 1 전단 캐리 신호에 응답하여 상기 제 2 제어 노드의 전압을 게이트 저전위 전압으로 리셋시키는 노드 리셋 회로를 더 포함하는, 게이트 구동 회로. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 n 스테이지 회로의 인버터 회로는 상기 제 n+1 스테이지 회로의 상기 제 1 제어 노드의 전압에 따라 상기 제 n 스테이지 회로의 제 2 제어 노드의 전압을 추가로 제어하며,
상기 제 n+1 스테이지 회로의 인버터 회로는 상기 제 n 스테이지 회로의 상기 제 1 제어 노드의 전압에 따라 상기 제 n+1 스테이지 회로의 제 2 제어 노드의 전압을 추가로 제어하는, 게이트 구동 회로. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은,
메모리 노드; 및
상기 메모리 노드의 전압과 상기 제 1 제어 노드의 전압 각각을 제어하는 센싱 제어 회로를 더 포함하며,
상기 제 n 스테이지 회로의 센싱 제어 회로는 라인 센싱 준비 신호와 전단 스테이지 회로부터 공급되는 제 2 전단 캐리 신호에 응답하여 상기 메모리 노드의 전압을 제어하고 상기 메모리 노드의 전압에 따라 제 1 게이트 고전위 전압을 공유 노드로 출력하며, 제 1 리셋 신호와 상기 메모리 노드의 전압에 응답하여 상기 제 1 게이트 고전위 전압을 상기 제 1 제어 노드에 공급하는 센싱 제어 회로를 더 포함하는, 게이트 구동 회로. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각의 센싱 제어 회로는 표시 패널 온 신호에 응답하여 상기 제 1 제어 노드의 전압을 상기 게이트 저전위 전압으로 리셋시키는, 게이트 구동 회로. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 n 스테이지 회로의 노드 리셋 회로는 상기 제 1 리셋 신호와 상기 메모리 노드의 전압에 응답하여 상기 제 n 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압을 상기 게이트 저전위 전압으로 방전시키며, 제 2 리셋 신호와 상기 메모리 노드의 전압에 응답하여 상기 제 n 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압을 상기 게이트 저전위 전압으로 방전시키는, 게이트 구동 회로. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 n+1 스테이지 회로의 센싱 제어 회로는 상기 제 n 스테이지 회로의 메모리 노드와 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 리셋 신호에 응답하여 상기 제 n 스테이지 회로의 공유 노드를 통해 공급되는 상기 제 1 게이트 고전위 전압을 상기 제 n+1 스테이지 회로의 제 1 제어 노드에 공급하는, 게이트 구동 회로. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 n+1 스테이지 회로의 노드 리셋 회로는 상기 제 1 리셋 신호와 상기 메모리 노드의 전압에 응답하여 상기 제 n+1 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압을 상기 게이트 저전위 전압으로 방전시키며, 제 2 리셋 신호와 상기 메모리 노드의 전압에 응답하여 상기 제 n+1 스테이지 회로의 제 1 제어 노드의 전압을 상기 게이트 저전위 전압으로 방전시키는, 게이트 구동 회로. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 각각은 각 프레임 기간의 수직 액티브 구간에서 상기 스캔 신호와 상기 센스 신호 및 상기 캐리 신호 각각을 순차적으로 출력하며,
상기 제 1 내지 제 m 스테이지 회로 중 어느 하나는 상기 각 프레임 기간의 수직 블랭크 구간에서 상기 스캔 신호와 상기 센스 신호를 출력하는, 게이트 구동 회로. - 복수의 픽셀, 상기 복수의 픽셀에 연결된 제 1 게이트 라인과 제 2 게이트 라인을 갖는 복수의 게이트 라인 그룹, 및 상기 복수의 픽셀에 연결되고 상기 복수의 게이트 라인 그룹과 교차하는 복수의 데이터 라인과 복수의 레퍼런스 라인을 포함하는 발광 표시 패널;
상기 복수의 게이트 라인 그룹에 연결된 게이트 구동 회로부;
상기 복수의 데이터 라인과 상기 복수의 레퍼런스 라인에 연결된 데이터 구동 회로부; 및
상기 게이트 구동 회로부와 상기 데이터 구동 회로부 각각의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 제어부를 포함하며,
상기 게이트 구동 회로부는 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항의 게이트 구동 회로를 포함하는, 발광 표시 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 발광 표시 패널을 표시 모드와 센싱 모드로 제어하며,
상기 게이트 구동 회로부는 상기 센싱 모드에서 상기 복수의 게이트 라인 그룹 중 어느 하나에 상기 스캔 신호와 상기 센스 신호를 공급하며,
상기 데이터 구동 회로부는 상기 센싱 모드에서 상기 스캔 신호와 동기되는 센싱 데이터 전압을 상기 복수의 데이터 라인에 공급하고 상기 복수의 레퍼런스 라인을 통해 상기 픽셀의 구동 특성을 센싱하는, 발광 표시 장치. - 제 17 항에 있어서,
상기 타이밍 제어부는 상기 표시 모드를 영상 표시 구간과 블랙 표시 구간으로 제어하며,
상기 게이트 구동 회로부는 상기 블랙 표시 구간에서 상기 복수의 게이트 라인 그룹 중 적어도 하나의 제 1 게이트 라인에 상기 스캔 신호만을 공급하며,
상기 데이터 구동 회로부는 상기 블랙 표시 구간에서 상기 스캔 신호와 동기되는 블랙 데이터 전압을 상기 복수의 데이터 라인에 공급하는, 발광 표시 장치. - 제 18 항에 있어서,
상기 복수의 픽셀 각각은 상기 영상 표시 구간에서 영상을 표시하며 상기 블랙 표시 구간에서 블랙 영상을 표시하는, 발광 표시 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 게이트 구동 회로부는,
각 프레임 기간의 수직 액티브 구간에서 상기 스캔 신호와 상기 센스 신호를 상기 복수의 게이트 라인 그룹에 순차적으로 공급하며,
상기 각 프레임 기간의 수직 블랭크 구간에서 상기 복수의 게이트 라인 그룹 중 어느 하나의 게이트 라인 그룹에 상기 스캔 신호와 상기 센스 신호를 출력하는, 발광 표시 장치.
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