KR20210067685A - 파워 온 리셋 신호 생성 장치 - Google Patents
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- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 102100025800 E3 SUMO-protein ligase ZBED1 Human genes 0.000 description 14
- 101000786317 Homo sapiens E3 SUMO-protein ligase ZBED1 Proteins 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 101150031507 porB gene Proteins 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
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Abstract
파워 온 리셋 신호 생성 장치는 기준 전압 생성기, 신호 드라이버 및 안정화 회로를 포함할 수 있다. 상기 기준 전압 생성기는 전원 전압의 전압 레벨에 기초하여 파워 온 기준 전압을 생성할 수 있다. 상기 신호 드라이버는 상기 파워 온 기준 전압을 구동하여 파워 온 리셋 신호를 생성할 수 있다. 상기 안정화 회로는상기 파워 온 리셋 신호를 피드백 받아 일정 시간 동안 상기 파워 온 기준 전압의 전압 레벨을 유지시킬 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로, 더 상세하게는 파워 온 리셋 신호 생성 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 외부 전원으로부터 전원 전압을 공급 받아 동작할 수 있다. 상기 반도체 장치로 전원 전압이 공급될 때, 상기 반도체 장치는 파워 업 동작을 수행하고, 상기 전원 전압의 전압 레벨이 안정화되었을 때 파워 온 리셋 신호를 인에이블시킬 수 있다. 상기 반도체 장치는 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되었을 때, 내부 회로를 초기화시키고 노멀 동작을 수행할 준비를 할 수 있다. 상기 반도체 장치로 전원전압의 공급이 차단될 때, 상기 반도체 장치는 파워 다운 동작을 수행하고, 상기 전원 전압의 전압 레벨이 특정 레벨 이하로 하강했을 때 상기 파워 온 리셋 신호를 디스에이블시킬 수 있다.
상기 반도체 장치는 상기 파워 온 리셋 신호를 생성하기 위해 전원 전압의 레벨을 감지할 수 있다. 하지만, 상기 외부 전원으로부터 인가되는 전원 전압은 필수적으로 노이즈 (noise)를 수반할 수밖에 없다. 따라서, 파워 업 구간 또는 파워 다운 구간에서, 상기 전원 전압의 전압 레벨은 안정화의 기준이 되는 타겟 레벨 근처에서 상기 타겟 레벨보다 높아지거나 상기 타겟 레벨보다 낮아지는 것을 반복할 수 있다. 위와 같은 전원 전압의 노이즈로 인해, 상기 전원 전압이 상기 타겟 레벨 근처에 도달했을 때, 상기 파워 온 리셋 신호는 인에이블 및/또는 디스에이블된 후 다시 디스에이블 및/또는 인에이블되어 상기 파워 온 리셋 신호에 글리치가 발생될 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호의 글리치는 반도체 장치의 오동작을 발생시킬 수 있다.
본 발명의 실시예는 파워 업 및 파워 다운 시 일정 시간 동안 파워 온 리셋 신호의 레벨을 안정화시킬 수 있는 파워 온 리셋 신호 신호 생성 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치는 전원 전압의 전압 레벨을 감지하여 파워 온 기준 전압을 생성하는 기준 전압 생성기; 상기 파워 온 기준 전압을 구동하여 파워 온 리셋 신호를 생성하는 신호 드라이버; 및 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되었을 때 일정 시간 동안 상기 파워 온 리셋 신호의 인에이블 상태를 유지시키고, 상기 파워 온 리셋 신호가 디스에이블되었을 때 상기 일정 시간 동안 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되는 것을 방지하는 안정화 회로를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치는 전원 전압의 전압 레벨에 기초하여 파워 온 기준 전압을 생성하는 기준 전압 생성기; 상기 파워 온 기준 전압을 구동하여 파워 온 리셋 신호를 생성하는 신호 드라이버; 및 상기 파워 온 리셋 신호를 피드백 받아 상기 전원 전압의 전압 레벨 변화에 무관하게 상기 파워 온 기준 전압의 전압 레벨을 유지시키는 안정화 회로를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는 전원 노이즈에 의한 파워 온 리셋 신호의 글리치를 제거할 수 있어 반도체 장치의 동작 안정성을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 동작을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 또 다른 동작을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 안정화 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 제어 신호 생성기의 구성을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 제어 신호 생성기의 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 8은 파워 업 구간에서 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 9는 파워 다운 구간에서 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 10은 파워 다운 구간에서 도 5에 도시된 안정화 회로의 다른 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 2는 도 1에 도시된 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 동작을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 또 다른 동작을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 안정화 회로의 구성을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 제어 신호 생성기의 구성을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 제어 신호 생성기의 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 8은 파워 업 구간에서 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 9는 파워 다운 구간에서 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치의 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 10은 파워 다운 구간에서 도 5에 도시된 안정화 회로의 다른 동작을 보여주는 타이밍도이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)는 전원 전압(VCC)을 수신하고, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨을 감지하여 파워 온 리셋 신호(POR)를 생성할 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)는 파워 업 상태를 감지하여 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 인에이블시키고, 파워 다운 상태를 감지하여 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 디스에이블시킬 수 있다. 상기 파워 업 상태는 외부 전원으로부터 상기 전원 전압(VCC)이 인가되어 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 타겟 레벨 이상으로 상승하는 상태를 의미할 수 있다. 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이상으로 상승한 경우, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨은 안정화된 것으로 판단될 수 있다. 상기 파워 다운 상태는 상기 외부 전원으로부터 상기 전원 전압(VCC)의 인가가 차단되어 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이하로 하강하는 상태를 의미할 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이상으로 상승하면, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 인에이블시킬 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이상으로 유지될 때, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 인에이블 상태를 유지시킬 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이하로 하강되면, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 디스에이블시킬 수 있다.
상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)는 기준 전압 생성기(110) 및 신호 드라이버(120)를 포함할 수 있다. 상기 기준 전압 생성기(110)는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨을 감지하여 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 생성할 수 있다. 상기 기준 전압 생성기(110)는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이상으로 상승되면, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 로직 로우 레벨에 판단될 수 있는 전압 레벨로 하강시킬 수 있다. 상기 기준 전압 생성기(110)는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이상으로 유지될 때, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 로직 로우 레벨로 판단될 수 있는 전압 레벨로 유지시킬 수 있다. 상기 기준 전압 생성기(110)는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이하로 하강되면, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 로직 하이 레벨로 판단될 수 있는 전압 레벨로 변화시킬 수 있다. 상기 기준 전압 생성기(110)는 상기 전원 전압(VCC)을 복수의 저항을 통해 전압 분배하고, 분배된 전압을 감지 전압(DREF)으로 생성할 수 있다. 상기 기준 전압 생성기(110)는 상기 감지 전압(DREF)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이상이 되면 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 접지 전압으로 구동하고, 상기 감지 전압(DREF)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이하가 되면 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 전원 전압(VCC)으로 구동할 수 있다.
상기 신호 드라이버(120)는 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 수신하여 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 생성할 수 있다. 상기 신호 드라이버(120)는 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 비반전 구동하여 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 드라이버(120)는 짝수 개의 인버터를 포함할 수 있고, 상기 짝수 개의 인버터를 통해 상기 파워 온 기준 전압(POR)을 순차적으로 반전 구동하여 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 것과 같이 상기 신호 드라이버(120)는 제 1 인버터(121) 및 제 2 인버터(122)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 인버터(121)는 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 수신하고, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 반전시켜 출력할 수 있다. 상기 제 2 인버터(122)는 상기 제 1 인버터(121)의 출력을 수신하고, 상기 제 1 인버터의 출력을 반전시켜 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 출력할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 신호 드라이버(120)는 홀수 개의 인버터로 구성될 수 있다. 이 때, 상기 신호 드라이버(120)로부터 출력되는 파워 온 리셋 신호(POR)는 다른 로직 레벨로 인에이블될 수 있을 것이다.
상기 기준 전압 생성기(110)는 제 1 전압 분배기(111), 제 2 전압 분배기(112), 다이오드 트랜지스터(113) 및 트리거 트랜지스터(114)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 전압 분배기(111, 112)는 서로 동일한 구성을 가질 수 있다. 상기 제 1 전압 분배기(111)는 상기 전원 전압(VCC)이 공급되는 단자와 제 1 노드(N1) 사이에서 직렬로 연결되는 복수의 저항을 포함할 수 있다. 상기 복수의 저항은 각각 동일한 저항 값을 가질 수 있다. 상기 직렬로 연결된 복수의 저항 중 임의의 2개의 저항 사이의 노드(NR)로부터 상기 감지 전압(DREF)이 출력될 수 있다. 상기 노드(NR)의 위치를 결정하는 2개의 저항은 상기 타겟 레벨을 변화시키기 위해 임의로 선택될 수 있다. 예를 들어, 선택된 2개의 저항이 상기 전원 전압(VCC)이 공급되는 단자와 가까울수록 상기 타겟 레벨은 높아질 수 있다. 반대로, 선택된 2개의 저항이 상기 제 1 노드(N1)와 가까울수록 상기 타겟 레벨은 낮아질 수 있다. 상기 다이오드 트랜지스터(113)는 상기 제 1 노드(N1)와 접지전압(VSS)이 공급되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 다이오드 트랜지스터(113)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 다이오드 트랜지스터(113)의 게이트 및 드레인은 상기 제 1 노드(N1)와 연결되고, 상기 다이오드 트랜지스터(113)의 소스는 상기 접지전압(VSS)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 다이오드 트랜지스터(113)는 상기 제 1 노드(N1)로부터 상기 접지전압(VSS)이 공급되는 단자로 일정한 양의 전류가 흐를 수 있도록 한다.
상기 제 2 전압 분배기(112)는 상기 전원 전압(VCC)이 공급되는 단자와 제 2 노드(N2) 사이에서 직렬로 연결되는 복수의 저항을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전압 분배기(112)가 포함하는 저항의 개수는 상기 제 1 전압 분배기(111)가 포함하는 저항의 개수와 동일하고, 상기 제 2 전압 분배기(112)가 포함하는 저항의 저항 값은 상기 제 1 전압 분배기(111)가 포함하는 저항의 저항 값과 동일할 수 있다. 상기 제 2 노드(N2)로부터 상기 파워 온 기준 전압(PREF)이 출력될 수 있다. 상기 트리거 트랜지스터(114)는 상기 제 2 노드(N2)와 상기 접지 전압(VSS)이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 상기 감지 전압(DREF)을 수신할 수 있다. 예를 들어, 상기 트리거 트랜지스터(114)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 트리거 트랜지스터(114)의 게이트는 상기 감지 전압(DREF)을 수신하고, 상기 트리거 트랜지스터(114)의 드레인은 상기 제 2 노드(N2)와 연결되며, 상기 트리거 트랜지스터(114)의 소스는 상기 접지 전압(VSS)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 감지 전압(DREF)이 상기 트리거 트랜지스터(114)를 턴온시킬 수 있도록 충분히 높은 전압 레벨을 가질 때, 상기 트리거 트랜지스터(114)는 턴온되고, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 접지전압(VSS)으로 구동될 수 있다. 상기 감지 전압(DREF)이 상기 트리거 트랜지스터(114)를 턴온시킬 수 없는 낮은 전압 레벨을 가질 때, 상기 트리거 트랜지스터(114)는 턴오프되고, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)은 상기 전원 전압(VCC)으로 구동될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)의 동작을 보여주는 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 외부 전원으로부터 상기 전원 전압(VCC)이 인가되면, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨은 점차 상승할 수 있다. 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상승함에 따라 상기 제 1 노드(N1)의 전압 레벨, 상기 감지 전압(DREF)과 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨이 상승할 수 있다. 상기 감지 전압(DREF)의 전압 레벨이 상승하면서, 상기 트리거 트랜지스터(114)를 통해 흐르는 전류의 양은 점점 증가할 수 있다. 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 레벨이 상승하면서 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 전압 레벨도 점점 상승할 수 있다. 상기 감지 전압(DREF)의 전압 레벨이 상승하여 상기 트리거 트랜지스터(114)가 풀리 (fully) 턴온되면, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨은 하강할 수 있다. 상기 파워 온 기준 전압의 전압 레벨이 제 1 인버터(121)의 문턱 전압 이하로 하강되면 상기 파워 온 리셋 신호(POR)는 로직 로우 레벨로 인에이블될 수 있다. 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 유지되면, 상기 트리거 트랜지스터(114)를 통해 흐르는 전류량도 유지되므로, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨과 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 인에이블 상태는 유지될 수 있다.
외부 전원으로부터 상기 전원 전압(VCC)의 공급이 차단되면 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨은 점차 감소할 수 있다. 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 감소하면 상기 감지 전압(DREF)의 전압 레벨이 하강하고 상기 트리거 트랜지스터(114)를 통해 흐르는 전류의 양이 감소될 수 있다. 따라서, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨은 상승될 수 있다. 상기 감지 전압(DREF)의 전압 레벨이 하강하여 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨이 상기 제 1 인버터(121)의 문턱 전압 이상으로 상승하면, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)는 로직 하이 레벨로 디스에이블될 수 있다. 이후, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 감소함에 따라 상기 감지 전압(DREF), 상기 파워 온 기준 전압(PREF) 및 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 전압 레벨은 감소될 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 타겟 전압 레벨 이상으로 상승하면 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 로직 로우 레벨로 인에이블시키고, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 타겟 전압 레벨 이하로 하강하면 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 로직 하이 레벨로 디스에이블시킬 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)의 또 다른 동작을 개념적으로 보여주는 도면이다. 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨은 실제로 많은 노이즈를 포함하면서 변화될 수 있다. 특히, 상기 전원 전압(VCC)이 타겟 레벨 근처로 상승하거나 하강하면, 상기 노이즈에 의해, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨(TL)보다 높아지거나 낮아지는 것이 반복될 수 있다. 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨(TL)보다 높아지거나 낮아지는 것을 반복하면, 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)로부터 생성되는 파워 온 리셋 신호(POR)의 상태가 변화될 수 있다. 즉, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 인에이블된 후에도, 상기 전원 전압(VCC)의 노이즈에 따라 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 디스에이블 및 인에이블이 반복될 수 있다. 또한, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 디스에이블된 후에도, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 인에이블 및 디스에이블이 반복될 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 불안정한 상태 및/또는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 발생되는 글리치는 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)를 구비하는 반도체 장치의 동작 신뢰성에 문제를 일으킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치(400)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(400)는 도 1에 도시된 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)와 동일하게 기준 전압 생성기(410) 및 신호 드라이버(420)를 포함하고, 추가적으로 안정화 회로(430)를 더 포함할 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(400)의 구성 요소 중 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(100)와 동일한 구성 요소에 대해서는 유사한 도면 부호가 기재되었고, 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 신호 드라이버(420)의 입력 및 출력 사이에 연결될 수 있다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 수신하여 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 상태를 안정화시킬 수 있다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 피드백 받아 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨을 유지시켜 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 불안정하게 변화되는 것을 방지할 수 있다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 인에이블되었을 때 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨 변동과 무관하게 일정 시간 동안 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 인에이블 상태를 유지시킬 수 있다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 일정 시간 동안 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨을 유지시켜 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 다시 디스에이블되는 것을 방지할 수 있다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 디스에이블되었을 때 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨 변동과 무관하게 일정 시간 동안 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 디스에이블 상태를 유지시킬 수 있다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 일정 시간 동안 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨을 유지시켜 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 다시 인에이블되는 것을 방지할 수 있다.
상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 로직 로우 레벨로 인에이블되었을 때 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 일정 시간 동안 접지전압(VSS)의 레벨로 구동할 수 있다. 따라서, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨에 노이즈가 발생하더라도 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 다시 디스에이블되는 것을 방지할 수 있다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 로직 하이 레벨로 디스에이블되었을 때 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 일정 시간 동안 상기 전원 전압(VCC)의 레벨로 구동할 수 있다. 따라서, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨에 노이즈가 발생하더라도 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 다시 인에이블되는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 안정화 회로(430)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 상기 안정화 회로(430)는 방전 제어 신호 생성기(510), 충전 제어 신호 생성기(520) 및 전압 드라이버(530)를 포함할 수 있다. 상기 방전 제어 신호 생성기(510)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 수신하고, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 기초하여 방전 제어 신호(DCCT)를 생성할 수 있다. 상기 방전 제어 신호 생성기(510)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 인에이블되었을 때 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 인에이블 시킬 수 있다. 상기 충전 제어 신호 생성기(520)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 수신하고, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 기초하여 충전 제어 신호(CCT)를 생성할 수 있다. 상기 충전 제어 신호 생성기(520)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 디스에이블되었을 때 상기 충전 제어 신호(CCT)를 인에이블 시킬 수 있다. 상기 전압 드라이버(530)는 상기 방전 제어 신호(DCCT) 및 상기 충전 제어 신호(CCT)에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨을 변화시킬 수 있다. 상기 전압 드라이버(530)는 상기 방전 제어 신호(DCCT)에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 접지전압(VSS)으로 구동하고, 상기 충전 제어 신호(CCT)에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 전원 전압(VCC)으로 구동할 수 있다. 상기 전압 드라이버(530)는 상기 방전 제어 신호(DCCT)가 인에이블되었을 때, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 접지전압(VSS)으로 구동하여 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨을 하강시킬 수 있다. 상기 전압 드라이버(530)는 상기 충전 제어 신호(CCT)가 인에이블되었을 때, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 전원 전압(VCC)으로 구동하여 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 전압 레벨을 상승시킬 수 있다.
상기 방전 제어 신호 생성기(510)는 제 1 제어 신호 생성기(511)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 제어 신호 생성기(511)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 인에이블되었을 때, 상기 일정 시간 동안 인에이블되는 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 생성할 수 있다. 상기 방전 제어 신호(DCCT)는 상기 일정 시간 동안 로직 하이 레벨로 인에이블될 수 있다. 상기 충전 제어 신호 생성기(520)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 디스에이블되었을 때, 상기 일정 시간 동안 인에이블되는 상기 충전 제어 신호(CCT)를 생성할 수 있다. 상기 충전 제어 신호(CCT)는 상기 일정 시간 동안 로직 로우 레벨로 인에이블될 수 있다. 상기 충전 제어 신호 생성기(520)는 상기 제 1 인버터(521), 제 2 제어 신호 생성기(522) 및 제 2 인버터(523)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 인버터(521)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 수신하고, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 반전시켜 상기 파워 온 리셋 신호의 상보 신호(PORB)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 제어 신호 생성기(522)는 상기 제 1 제어 신호 생성기(511)와 실질적으로 동일한 구성을 갖고 동일한 동작을 수행할 수 있다. 상기 제 2 제어 신호 생성기(522)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 디스에이블되고 상기 파워 온 리셋 신호의 상보 신호(PORB)가 로직 로우 레벨로 인에이블되었을 때, 상기 일정 시간 동안 로직 하이 레벨로 인에이블되는 신호를 생성할 수 있다. 상기 제 2 인버터(523)는 상기 제 2 제어 신호 생성기(522)로부터 생성된 신호를 반전시켜 상기 충전 제어 신호(CCT)를 출력할 수 있다.
상기 전압 드라이버(530)는 방전 드라이버(531) 및 충전 드라이버(532)를 포함할 수 있다. 상기 방전 드라이버(531)는 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 노드와 접지전압(VSS)이 공급되는 단자 사이에 연결되고, 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 수신할 수 있다. 상기 방전 드라이버(531)는 상기 방전 제어 신호(DCCT)가 인에이블되었을 때 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 노드를 상기 접지전압(VSS)으로 구동할 수 있다. 상기 충전 드라이버(532)는 상기 전원 전압(VCC)이 공급되는 단자와 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 노드 사이에 연결되고, 상기 충전 제어 신호(CCT)를 수신할 수 있다. 상기 충전 드라이버(532)는 상기 충전 제어 신호(CCT)가 인에이블되었을 때 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 노드를 상기 전원 전압(VCC)으로 구동할 수 있다.
상기 방전 드라이버(531)는 제 1 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T1)는 N 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인은 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 노드와 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 소스는 상기 접지 전압(VSS)이 공급되는 단자에 연결될 수 있다. 상기 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트는 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 수신할 수 있다. 상기 충전 드라이버(532)는 제 2 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(T2)는 P 채널 모스 트랜지스터일 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 소스는 상기 전원 전압(VCC)이 공급되는 단자에 연결될 수 있고, 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인은 상기 파워 온 기준 전압(PREF)의 노드와 연결될 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트는 상기 충전 제어 신호(CCT)를 수신할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 제 1 제어 신호 생성기(511)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 상기 제 1 제어 신호 생성기(511)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 수신하고, 상기 입력 신호(POR)가 인에이블되었을 때 일정 시간 동안 인에이블되는 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 제어 신호 생성기(511)는 지연기(610), 제 1 게이팅 회로(620), 제 2 게이팅 회로(630), 캐패시터(640) 및 방전기(650)를 포함할 수 있다. 상기 지연기(610)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 지연시켜 지연 신호(DLY)를 출력할 수 있다. 상기 지연기(610)는 비반전 지연기일 수 있다. 예를 들어, 상기 지연기(610)는 4개의 인버터와 인접하는 인버터 사이에 연결되는 3개의 캐패시터 소자를 포함할 수 있다. 상기 지연기(610)가 포함하는 인버터 및 캐패시터 소자의 개수를 한정하는 것은 아니며, 상기 인버터의 개수는 2개 또는 4 이상의 짝수 개일 수 있고, 캐패시터 소자의 개수도 인버터의 개수에 따라 감소 또는 증가할 수 있다. 상기 인버터 및 캐패시터 소자의 개수는 상기 지연기(610)의 지연량을 결정하도록 적절한 개수로 구비될 수 있다.
상기 제 1 게이팅 회로(620)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)와 상기 지연 신호(DLY)를 게이팅하여 인에이블 신호(EN)를 생성할 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로(620)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)와 상기 지연 신호(DLY)를 앤드 연산하여 상기 인에이블 신호(EN)를 출력할 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로(620)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)와 상기 지연 신호(DLY) 중 어느 하나라도 로직 로우 레벨이 될 때, 상기 인에이블 신호를 로직 로우 레벨로 인에이블시킬 수 있다. 상기 제 1 게이팅 회로(620)는 제 1 낸드 게이트(621) 및 인버터(622)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 낸드 게이트(621)는 2개의 입력 단자로 상기 파워 온 리셋 신호(POR) 및 상기 지연 신호(DLY)를 수신할 수 있다. 상기 인버터(622)는 상기 제 1 낸드 게이트(621)의 출력 단자와 연결되고, 상기 제 1 낸드 게이트(621)의 출력을 반전시켜 상기 인에이블 신호(EN)를 출력할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(630)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR) 및 상기 인에이블 신호(EN)를 게이팅하여 제어 신호(CON)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(630)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)와 상기 인에이블 신호(EN)를 낸드 연산하여 상기 제어 신호(CON)를 생성할 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(630)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR) 및 상기 인에이블 신호(EN) 중 어느 하나가 로직 로우 레벨로 인에이블되었을 때 상기 제어 신호(CON)를 로직 하이 레벨로 천이시시킬 수 있다. 상기 제 2 게이팅 회로(630)는 제 2 낸드 게이트(631)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 낸드 게이트(631)는 2개의 입력 단자로 상기 파워 온 리셋 신호(POR) 및 상기 인에이블 신호(EN)를 수신할 수 있다. 상기 제 2 낸드 게이트(631)는 출력 단자로 상기 제어 신호(CON)를 출력할 수 있다.
상기 캐패시터(640)는 상기 제어 신호(CON)에 기초하여 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 인에이블시킬 수 있다. 상기 캐패시터(640)는 상기 제어 신호(CON)가 로직 하이 레벨로 인에이블되었을 때 충전될 수 있고, 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 로직 하이 레벨로 인에이블시킬 수 있다. 상기 캐패시터(640)의 일 단은 상기 제 2 낸드 게이트(631)의 출력 단자와 연결되어 상기 제어 신호(CON)를 수신할 수 있다. 상기 캐패시터(640)의 타 단은 출력 노드(ON)와 연결될 수 있다. 상기 방전 제어 신호(DCCT)는 상기 출력 노드(ON)를 통해 출력될 수 있다. 상기 방전기(650)는 바이어스 전압(BIAS)을 수신하고, 상기 바이어스 전압(BIAS)에 기초하여 상기 방전 제어 신호(DCCT)의 전압 레벨을 변화시킬 수 있다. 상기 방전기(650)는 상기 캐패시터(640)에 충전된 전하를 방전시켜 상기 방전 제어 신호(DCCT)의 전압 레벨을 하강시킬 수 있다. 상기 방전기(650)는 N 채널 모스 트랜지스터(651)를 포함할 수 있다. 상기 N 채널 모스 트랜지스터(651)의 드레인은 상기 출력 노드(ON)와 연결되고, 상기 N 채널 모스 트랜지스터(651)의 소스는 접지전압(VSS)이 공급되는 단자와 연결될 수 있다. 상기 N 채널 모스 트랜지스터(651)의 게이트는 상기 바이어스 전압(BIAS)을 수신할 수 있다. 상기 캐패시터의 캐패시턴스, 상기 N 채널 모스 트랜지스터(651)의 사이즈 및/또는 전류 구동력과 상기 바이어스 전압(BIAS)의 전압 레벨은 상기 일정 시간을 설정하기 위해 다양하게 변화될 수 있다. 상기 제 2 제어 신호 생성기(522)는 상기 파워 온 리셋 신호 대신 상기 파워 온 리셋 신호의 상보 신호를 수신하는 점을 제외하고는 상기 제 1 제어 신호 생성기와 동일한 구성을 가질 수 있다.
도 7은 도 5 및 도 6에 도시된 제 1 제어 신호 생성기(511)의 동작을 보여주는 타이밍도이다. 도 5 내지 도 7을 참조하여, 상기 제 1 제어 신호 생성기(511)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 상기 전원 전압(VCC)이 인가되면 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 전압 레벨과 상기 바이어스 전압(BIAS)의 전압 레벨이 상승할 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 전압 레벨은 아직 로직 로우 레벨에 해당할 수 있고, 상기 제 2 게이팅 회로(630)로부터 출력되는 상기 제어 신호(CON)는 로직 하이 레벨을 가질 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 전압 레벨이 상승하더라도 상기 지연기(610)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 지연시켜 상기 지연 신호(DLY)를 생성하므로, 상기 지연 신호(DLY)의 전압 레벨은 상기 지연기(610)의 지연량에 대응하는 지연 시간 동안 상승하지 않을 수 있다. 상기 지연기(610)의 지연량에 대응하는 지연 시간이 경과되면, 상기 제 1 게이팅 회로(620)로부터 출력되는 상기 인에이블 신호(EN)의 전압 레벨은 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 전압 레벨과 함께 상승할 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호(POR)와 상기 인에이블 신호(EN)의 전압 레벨이 로직 하이 레벨로 상승하면, 상기 제 2 게이팅 회로(630)는 상기 제어 신호(CON)를 로직 로우 레벨로 천이시킬 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 전압 레벨이 상기 전원 전압의(VCC) 전압 레벨에 따라 계속 상승한 후 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨에 도달하면, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 로직 로우 레벨로 천이할 수 있다. 또한, 상기 인에이블 신호(EN)도 로직 로우 레벨로 천이하고, 상기 제 2 게이팅 회로(630)는 상기 제어 신호(CON)를 로직 하이 레벨로 천이시킬 수 있다. 상기 제어 신호(CON)가 로직 하이 레벨로 천이되면, 상기 캐패시터(640)가 충전되어 상기 방전 제어 신호(DCCT)가 인에이블될 수 있다. 상기 방전기(650)는 상기 바이어스 전압(BIAS)에 기초하여 상기 캐패시터(640)에 충전된 전하를 방전시키고, 상기 방전 제어 신호(DCCT)의 전압 레벨이 감소하면서, 상기 방전 제어 신호(DCCT)는 상기 일정 시간 동안 인에이블될 수 있다.
도 8은 파워 업 구간에서 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치(400)의 동작을 보여주는 타이밍도이다. 도 9는 파워 다운 구간에서 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치(400)의 동작을 보여주는 타이밍도이다. 도 4 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 파워 온 리셋 신호 생성 장치(400)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 도 8 및 도 9는 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 근처로 상승한 시점을 확대해서 보여주는 도면이다. 따라서, 상기 전원 전압(VCC)이 일정한 범위에서 오실레이션 하는 것처럼 보일 수 있다. 상기 파워 업 구간에서 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이상으로 상승하면, 상기 파워 온 리셋 생성 장치(400)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 로직 로우 레벨로 인에이블시킬 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 로직 로우 레벨로 인에이블되면, 상기 방전 제어 신호 생성기(510)는 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 일정 시간 동안 로직 하이 레벨로 인에이블시킬 수 있다. 상기 방전 제어 신호(DCCT)가 인에이블되면, 상기 전압 드라이버(530)는 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 접지전압(VSS)으로 상기 일정 시간 동안 구동할 수 있다. 상기 전원 전압(VCC)에 노이즈가 발생하여 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이하로 하강하고, 제 1 노드(N1)에 노이즈가 발생할 수 있다. 종래에는 상기 노이즈로 인해 인에이블된 파워 온 리셋 신호(POR)가 다시 디스에이블되는 글리치가 발생하였다. 하지만, 본 발명의 실시예에서 상기 파워 온 기준 전압(PREF)은 상기 접지전압(VSS)의 레벨로 구동되므로, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)는 다시 디스에이블되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 인에이블되면, 상기 일정 시간 동안 상기 전원 전압(VCC)의 레벨 변화와 무관하게 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 인에이블 상태를 유지시킬 수 있다. 상기 일정 시간이 경과하면, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨은 타겟 레벨 이상으로 충분히 상승되므로, 노이즈가 발생하더라도 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 글리치가 발생될 가능성이 없어질 수 있다.
도 9에서, 상기 파워 다운 구간에서 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이하로 하강하면, 상기 파워 온 리셋 신호 생성 장치(400)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 로직 하이 레벨로 디스에이블시킬 수 있다. 상기 충전 제어 신호 생성기(520)의 상기 제 1 인버터(521)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)를 반전시켜 상기 파워 온 리셋 신호의 상보 신호(PORB)를 출력하고, 상기 제 2 제어 신호 생성기(522)는 도 8에 도시된 상기 방전 제어 신호(DCCT)와 실질적으로 동일한 파형을 갖는 신호를 생성할 수 있다. 상기 제 2 인버터(523)는 상기 제 2 제어 신호 생성기(522)로부터 생성된 신호를 반전시켜 상기 충전 제어 신호(CCT)를 생성할 수 있다. 상기 충전 제어 신호(CCT)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 디스에이블될 때 로직 로우 레벨로 인에이블되어 상기 일정 시간 동안 인에이블 상태를 유지할 수 있다. 상기 충전 제어 신호(CCT)가 인에이블되면, 상기 전압 드라이버(530)는 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 전원 전압(VCC)으로 상기 일정 시간 동안 구동할 수 있다. 상기 전원 전압(VCC)에 노이즈가 발생하여 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨이 상기 타겟 레벨 이상으로 상승하더라도, 상기 파워 온 기준 전압(PREF)은 상기 전원 전압(VCC)의 레벨로 구동되므로, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)는 다시 인에이블되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 디스에이블되면, 상기 일정 시간 동안 상기 전원 전압(VCC)의 레벨 변화와 무관하게 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 디스에이블 상태를 유지시킬 수 있다. 상기 일정 시간이 경과하면, 상기 전원 전압(VCC)의 전압 레벨은 타겟 레벨 이하로 충분히 하강되므로, 노이즈가 발생하더라도 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 글리치가 발생될 가능성이 없어질 수 있다.
도 10은 파워 다운 구간에서 도 4 및 도 5에 도시된 안정화 회로(430)의 다른 동작을 보여주는 타이밍도이다. 상기 파워 다운 구간에서, 상기 전원 전압(VCC)이 상기 타겟 레벨 이하로 하강하면, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)는 로직 하이 레벨로 천이할 수 있다. 이 때, 상기 안정화 회로(430)는 상기 충전 제어 신호(CCT)를 로직 로우 레벨로 인에이블시켜 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 글리치가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 하지만, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 예기치 못한 글리치가 발생하더라도, 상기 안정화 회로(430)는 상기 파워 온 기준 전압(PREF)이 상기 접지 전압 레벨로 구동되는 것을 방지할 수 있다. 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 글리치가 발생하면, 상기 방전 제어 신호 생성기(510)는 상기 파워 온 리셋 신호(POR)의 글리치를 감지하여 상기 방전 제어 신호(DCCT)를 인에이블시킬 수 있고, 상기 충전 제어 신호(CTT)와 상기 방전 제어 신호(DCCT)가 함께 인에이블되는 오동작이 발생될 수 있다. 하지만, 상기 제 1 제어 신호 생성기(511)는 상기 지연기(610)를 구비하여 상기 충전 제어 신호(CCT) 또는 상기 방전 제어 신호(DCCT)가 인에이블되는 구간에서 상대방 신호가 함께 인에이블되는 것을 방지할 수 있다. 도 6을 함께 참조하면, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 글리치가 발생하더도 상기 지연기(610)의 지연량에 대응하는 시간 동안 상기 방전 제어 신호 생성기(510)의 상기 인에이블 신호(EN)의 전압 레벨은 변화되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 제 2 게이팅 회로(630)로부터 출력되는 제어 신호(CON)는 로직 로우 레벨로 천이하지 않고 로직 하이 레벨을 유지할 수 있고, 상기 방전 제어 신호(DCCT)는 로직 로우 레벨로 고정되어 디스에이블 상태를 유지할 수 있다. 상기 안정화 회로(430)는 상기 충전 제어 신호(CCT)에 기초하여 상기 충전 드라이버(532)를 통해 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 전원 전압(VCC)의 레벨로 구동할 수 있다. 반대로, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)가 로직 로우 레벨로 인에이블 된 후, 상기 파워 온 리셋 신호(POR)에 예기치 못한 글리치가 발생하더라도, 상기 제 2 제어 신호 생성기(522)의 지연기는 상기 충전 제어 신호(CCT)가 인에이블되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 지연기의 지연량에 대응하는 시간 동안 파워 온 리셋 신호(POR)에 글리치가 발생하더라도, 상기 충전 제어 신호(CCT)는 인에이블되지 않을 수 있고, 상기 안정화 회로(430)는 상기 방전 드라이버(531)를 통해 상기 파워 온 기준 전압(PREF)을 상기 접지 전압(VSS)의 레벨로 구동할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (14)
- 전원 전압의 전압 레벨을 감지하여 파워 온 기준 전압을 생성하는 기준 전압 생성기;
상기 파워 온 기준 전압을 구동하여 파워 온 리셋 신호를 생성하는 신호 드라이버; 및
상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되었을 때 일정 시간 동안 상기 파워 온 리셋 신호의 인에이블 상태를 유지시키고, 상기 파워 온 리셋 신호가 디스에이블되었을 때 상기 일정 시간 동안 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되는 것을 방지하는 안정화 회로를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 안정화 회로는, 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되었을 때, 상기 파워 온 기준 전압을 상기 일정 시간 동안 접지전압의 레벨로 구동하고, 상기 파워 온 리셋 신호가 디스에이블되었을 때, 상기 파워 온 기준 전압을 상기 일정 시간 동안 상기 전원 전압의 레벨로 구동하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 안정화 회로는, 상기 파워 온 리셋 신호에 기초하여 방전 제어 신호를 생성하는 방전 제어 신호 생성기;
상기 파워 온 리셋 신호에 기초하여 충전 제어 신호를 생성하는 충전 제어 신호 생성기; 및
상기 방전 제어 신호에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압을 접지전압으로 구동하고, 상기 충전 제어 신호에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압을 상기 전원전압으로 구동하는 전압 드라이버를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 방전 제어 신호 생성기는, 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되었을 때, 상기 일정 시간 동안 인에이블되는 상기 방전 제어 신호를 생성하는 제 1 제어 신호 생성기를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 충전 제어 신호 생성기는, 상기 파워 온 리셋 신호를 반전시켜 파워 온 리셋 신호의 상보 신호를 생성하는 제 1 인버터;
상기 파워 온 리셋 신호의 상보 신호가 인에이블되었을 때, 상기 일정 시간 동안 인에이블되는 신호를 생성하는 제 2 제어 신호 생성기; 및
상기 제 2 제어 신호 생성기로부터 출력되는 신호를 반전시켜 상기 충전 제어 신호를 생성하는 제 2 인버터를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 제어 신호 생성기는, 상기 파워 온 리셋 신호를 지연시켜 지연 신호를 생성하는 지연기;
상기 파워 온 리셋 신호와 상기 지연 신호를 게이팅하여 인에이블 신호를 생성하는 제 1 게이팅 회로;
상기 파워 온 리셋 신호와 상기 인에이블 신호를 게이팅하여 제어 신호를 생성하는 제 2 게이팅 회로;
상기 제어 신호에 기초하여 충전되고, 방전 제어 신호를 출력하는 캐패시터; 및
상기 캐패시터를 방전시켜 상기 방전 제어 신호가 상기 일정 시간 동안 인에이블되도록 하는 방전기를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 전압 드라이버는, 상기 방전 제어 신호에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압의 레벨을 상기 접지전압으로 구동하는 방전 드라이버; 및
상기 충전 제어 신호에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압의 레벨을 상기 전원 전압으로 구동하는 충전 드라이버를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 전원 전압의 전압 레벨에 기초하여 파워 온 기준 전압을 생성하는 기준 전압 생성기;
상기 파워 온 기준 전압을 구동하여 파워 온 리셋 신호를 생성하는 신호 드라이버; 및
상기 파워 온 리셋 신호를 피드백 받아 상기 전원 전압의 전압 레벨 변화에 무관하게 상기 파워 온 기준 전압의 전압 레벨을 유지시키는 안정화 회로를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 안정화 회로는, 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되었을 때 상기 파워 온 기준 전압을 접지 전압의 전압 레벨로 구동하고, 상기 파워 온 리셋 신호가 디스에이블되었을 때 상기 파워 온 기준 전압을 상기 전원 전압의 전압 레벨로 구동하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 안정화 회로는, 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되었을 때 일정 시간 동안 방전 제어 신호를 인에이블시키는 방전 제어 신호 생성기;
상기 파워 온 리셋 신호가 디스에이블되었을 때 상기 일정 시간 동안 충전 제어 신호를 인에이블시키는 생성하는 충전 제어 신호 생성기; 및
상기 방전 제어 신호에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압을 접지전압으로 구동하고, 상기 충전 제어 신호에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압을 상기 전원전압으로 구동하는 전압 드라이버를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 방전 제어 신호 생성기는, 상기 파워 온 리셋 신호가 인에이블되었을 때, 상기 일정 시간 동안 인에이블되는 상기 방전 제어 신호를 생성하는 제 1 제어 신호 생성기를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 충전 제어 신호 생성기는, 상기 파워 온 리셋 신호를 반전시켜 파워 온 리셋 신호의 상보 신호를 생성하는 제 1 인버터;
상기 파워 온 리셋 신호의 상보 신호가 인에이블되었을 때, 상기 일정 시간 동안 인에이블되는 신호를 생성하는 제 2 제어 신호 생성기; 및
상기 제 2 제어 신호 생성기로부터 출력되는 신호를 반전시켜 상기 충전 제어 신호를 생성하는 제 2 인버터를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 제어 신호 생성기는, 상기 파워 온 리셋 신호를 지연시켜 지연 신호를 생성하는 지연기;
상기 파워 온 리셋 신호와 상기 지연 신호를 게이팅하여 인에이블 신호를 생성하는 제 1 게이팅 회로;
상기 파워 온 리셋 신호와 상기 인에이블 신호를 게이팅하여 제어 신호를 생성하는 제 2 게이팅 회로;
상기 제어 신호에 기초하여 충전되고, 상기 방전 제어 신호를 출력하는 캐패시터; 및
상기 캐패시터를 방전시켜 상기 방전 제어 신호가 상기 일정 시간 동안 인에이블되도록 하는 방전기를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 전압 드라이버는, 상기 방전 제어 신호에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압의 레벨을 상기 접지전압으로 구동하는 방전 드라이버; 및
상기 충전 제어 신호에 기초하여 상기 파워 온 기준 전압의 레벨을 상기 전원 전압으로 구동하는 충전 드라이버를 포함하는 파워 온 리셋 신호 생성 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190157542A KR20210067685A (ko) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 파워 온 리셋 신호 생성 장치 |
US16/918,832 US11309885B2 (en) | 2019-11-29 | 2020-07-01 | Power-on reset signal generating device |
CN202010736116.7A CN112886956A (zh) | 2019-11-29 | 2020-07-28 | 上电复位信号发生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190157542A KR20210067685A (ko) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 파워 온 리셋 신호 생성 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210067685A true KR20210067685A (ko) | 2021-06-08 |
Family
ID=76042903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190157542A KR20210067685A (ko) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 파워 온 리셋 신호 생성 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11309885B2 (ko) |
KR (1) | KR20210067685A (ko) |
CN (1) | CN112886956A (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113810032B (zh) * | 2021-09-24 | 2023-08-22 | 电子科技大学 | 一种上电复位电路结构 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3319559B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2002-09-03 | 株式会社東芝 | オートクリア回路 |
US6362669B1 (en) | 2000-04-10 | 2002-03-26 | Xilinx, Inc. | Structure and method for initializing IC devices during unstable power-up |
KR100583097B1 (ko) | 2002-12-31 | 2006-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파워 업 검출 장치 |
KR101022673B1 (ko) * | 2009-06-16 | 2011-03-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리장치의 파워업회로 |
-
2019
- 2019-11-29 KR KR1020190157542A patent/KR20210067685A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-07-01 US US16/918,832 patent/US11309885B2/en active Active
- 2020-07-28 CN CN202010736116.7A patent/CN112886956A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210167771A1 (en) | 2021-06-03 |
CN112886956A (zh) | 2021-06-01 |
US11309885B2 (en) | 2022-04-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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