KR20210066523A - 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이산화규소-카본 복합체를 이용한 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액상의 규소화합물과 탄소화합물을 출발원료로 사용하여 졸-젤 공정으로 이산화규소 망목구조 내에 탄소화합물이 균질하게 분산된 젤을 제조한 후, 상기 젤 내부의 탄소화합물의 이동이 일어나지 않게 건조하고, 이를 열처리하여 상기 탄소화합물을 열분해함으로써 크기가 5 nm 이하인 탄소 입자가 균일하게 분포된 이산화규소-카본 복합체를 제조하고, 제조된 이산화규소-카본 복합체를 이용하여 열 탄소 환원 반응으로 탄화규소를 제조한다. 더욱 상세하게는 이산화규소-카본 복합체내 탄소/규소의 몰비, 열처리 온도 및 유지 시간 조절로 평균입도를 조절할 수 있는 고순도의 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것이다.

Description

고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법 {fabrication Method of high purity large size α-phase silicon carbide powder}
본 발명은 이산화규소-카본 복합체를 이용한 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액상의 규소화합물과 탄소화합물을 출발원료로 사용하여 졸-젤 공정으로 이산화규소 망목구조 내에 탄소화합물이 균질하게 분산된 젤을 제조한 후, 상기 젤 내부의 탄소화합물의 이동이 일어나지 않게 건조하고, 이를 열처리하여 상기 탄소화합물을 열분해함으로써 크기가 5 nm 이하인 탄소 입자가 균일하게 분포된 이산화규소-카본 복합체를 제조하고, 제조된 이산화규소-카본 복합체를 이용하여 열 탄소 환원 반응으로 탄화규소를 제조한다. 더욱 상세하게는 이산화규소-카본 복합체내 탄소/규소의 몰비, 열처리 온도 및 유지 시간 조절로 평균입도를 조절할 수 있는 고순도의 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것이다.
최근 전력 반도체 시장에서 반도체의 소형화 및 전력 손실의 최소화를 위해 큰 밴드갭과 높은 절연파괴 특성을 지닌 재료의 필요성이 대두되고 있으며, 현재 규소 전력용 반도체 소자를 대신한 탄화규소 전력반도체의 수요가 급증하고 있으며 그에 따른 탄화규소 단결정 생산하기 위한 투자가 늘고 있으며 탄화규소 단결정 시장규모도 급속하게 커지고 있다.
전력반도체용 탄화규소 단결정을 제조하기 위하여 Si 용액에서 SiC 단결정을 성장시키는 LPE(liquid phase epitaxy)방법, CVD법 및 PVT(physical vapor transport) 방법 등 다양한 단결정 성장 공정기술이 개발되어 있지만, 현재까지는 PVT(physical vapor transport) 방법으로 결함이 최소화된 8인치 탄화규소 단결정 웨이퍼가 상용화되어 있다. PVT 방법에 의한 탄화규소 단결정 성장 공정에서는 원료로 사용되는 탄화규소 분말의 크기 및 순도뿐만 아니라 분말의 충진 밀도 등 여러 가지 분말 특성이 탄화규소 단결정의 특성 및 성장 속도를 결정하는 중요한 요인으로 알려졌으나, 단결정 성장에 사용되는 탄화규소 분말의 특성에 대한 정보 및 시장은 오픈되지 않고, 단결정 및 웨이퍼 생산업체에서 독자적으로 생산되어 탄화규소 원료 분말은 내재화 되고 있는 실정이다.
대표적인 탄화규소 과립 분말의 제조방법으로 에치슨(Acheson)법이 널리 적용되고 있다. 에치슨법은 공정이 단순하고 저가의 출발원료를 사용하기 때문에 대량의 탄화규소 분말을 경제성 있게 제조할 수 있는 장점이 있지만, 제조된 탄화규소의 순도가 99.99% 이하이고 탄화규소 덩어리(ingot)로 제조되므로 탄화규소 덩어리를 분쇄하는 분말화 공정이 요구되며, 공정 중 불순물 유입의 기회를 제공하게 되어 산 세정과 같은 추가적인 정제공정이 수행되어야 한다. 따라서, 상기 에치슨 법으로 제조된 탄화규소 분말은 순도가 높지 않아 탄화규소 단결정 제조용 원료로 적용하기엔 한계가 있다.
미국등록특허 제5,863,325호(특허문헌 01)에는 상기 공정으로 제조된 탄화규소 분말의 금속 불순물은 수 ppm의 고순도 탄화규소 과립 분말이 합성되었으며, 상기 제조된 탄화 규소 분말을 단결정 원료로 사용하기 위한 최적화된 열처리 공정이 보고된 바 있다. 상기 특허문헌 01의 발명에서는 1800 ℃에서 β상의 탄화규소 분말을 제조한 후 1900 ~ 2100 ℃의 온도에서 3 ~ 6회 열싸이클 처리하여 분말의 입도를 200 ㎛ 급으로 성장하였으나, 열처리 시간 및 열처리 공정 시 여러 싸이클이 반복된 복잡한 공정이 단점으로 지적된다.
또한, 미국등록특허공보 제6,627,169호(특허문헌 02)에는 열 탄소 환원 공정 시 발생하는 CO 기체의 양을 측정하여 탄화규소 분말의 평균 입도를 조절하는 기술이 보고된 바 있으나, 일반적으로 알려진 단결정 성장용으로 요구되는 탄화규소 분말의 크기에 미치지 못하였다.
또한, 한국등록특허공보 10-1678622호(특허문헌 03)에는 이산화규소-카본 다공질 복합체를 형성한 다음, 금속의 규소를 첨가한 후, 1200 ~ 1400 ℃의 온도에서 1차 가열 후 ~ 1800 ℃의 온도에서 최종열처리 하는 방법이 제안되어 있다.
또한, 한국공개특허공보 10-2015-0123114 (특허문헌 04)에는 탄소원과 규소원의 혼합물로부터 탄화공정(800 ~ 1100 ℃) 및 합성공정(~ 1900 ℃)을 거쳐 미립의 탄화규소 분말을 형성한 후, 탄소원을 추가로 혼합하는 공정을 거치고, 2100 ~ 2200 ℃ 온도에서 열처리를 거쳐 1 ~ 300 ㎛ 크기를 갖는 α-상 또는 β-상의 탄화규소 분말을 제공하는 방법이 제안 되어있다.
상기한 종래 방법에 의하면 탄화규소 과립 분말을 제조하는 데에 있어 반복되는 열처리 및 원료의 추가적인 혼합 등의 과정이 요구되어 경제적인 제조가 어렵다는 문제가 있으므로, 고순도 α-상 탄화규소 과립 분말을 경제성 있게 제조할 수 있는 공정 개선이 요구된다.
미국등록특허공보 제5,863,325호 미국등록특허공보 제6,627,169호 한국등록특허공보 제10-1678622호 한국공개특허공보 제10-2015-0123114호
상기한 종래의 탄화규소 과립 분말의 제조방법에서 지적된 문제점인 고순도 출발원료 사용, 복잡한 제조공정, 과립 분말의 수율과 순도 개선의 필요성 등을 해결하는 것을 본 발명이 해결하고자 하는 과제로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 방법으로 제조된 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말을 제공하는데 있다.
상기한 과제 해결을 위하여, 본 발명은
ⅰ) 액상의 규소화합물 및 탄소화합물을 포함하는 출발원료를 졸-젤 공정으로 반응시켜 이산화규소 망목구조 내에 탄소화합물이 분산되어 있는 젤을 제조하는 단계;
ⅱ) 상기 젤을 1차 열처리하여 상기 탄소화합물을 열분해함으로써 나노 크기의 탄소 입자를 포함하는 이산화규소-카본 복합체를 제조하는 단계;
ⅲ) 상기 이산화규소-카본 복합체를 상기 1차 열처리에 비해 높은 온도로 2차 열처리하여 과립 α-상 탄화규소 분말을 얻는 단계;
를 포함하는 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법을 제공한다.
상기 규소화합물은 테트라에틸 오쏘실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS), 테트라메틸 오쏘실리케이트(tetramethyl orthosilicate, TMOS) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함할 수 있다.
상기 탄소화합물은 페놀 수지, 자당(sucros), 맥아당(maltose), 프랑(franc), 유당(lactose), 폴리이미드(polyimide), 자일렌(xylene) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함할 수 있다.
상기 규소화합물과 탄소화합물의 몰비는 1 : 1.6 ~ 3.0일 수 있다.
상기 졸-젤 공정은 상기 출발원료를 용매에 투입하고, 촉매제를 첨가한 뒤 교반하여 수행하는 것일 수 있다.
상기 촉매제는 옥살산, 말레익 산, 질산, 염산, 아크릴 산, 톨루엔 설퍼닉 산 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 산(acid); 또는 알칼리금속의 수산화물, 암모니아수, 헥사메틸렌 테트라아민 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 염기(base);를 포함할 수 있다.
상기 교반은 400 ~ 2000 rpm의 속도 및 25 ~ 60℃의 온도로 수행하는 것일 수 있다.
상기 제조방법은 상기 젤을 1차 열처리하기 전, 상기 젤을 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 1차 열처리는 상기 젤을 2 ~ 5 ℃/min의 승온 속도로 1100 ~ 1250 ℃까지 가열하여 이산화규소-카본 복합체를 제조하는 것일 수 있다.
상기 이산화규소-카본 복합체에 포함된 탄소 입자의 평균 입도는 5 nm 이하일 수 있다.
상기 제조방법은 상기 이산화규소-카본 복합체를 2차 열처리하기 전, 상기 이산화규소-카본 복합체를 300 ㎛ 이하의 크기로 분급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 2차 열처리는 상기 이산화규소-카본 복합체를 5 ~ 15 ℃/min의 승온 속도로 2000 ~ 2100 ℃까지 가열하여 과립 α-상 탄화규소 분말을 얻는 것일 수 있다.
상기 제조방법은 추가적인 원료의 투입이 없는 것을 특징으로 하는 것일 수 있다.
상기 과립 α-상 탄화규소 분말은 평균 입도가 70 ∼ 500 ㎛이고, 입도분포(d90/d10)가 5 이하이며, 순도가 99.9995 중량% 이상인 것일 수 있다.
본 발명의 제조방법에 의하면 평균 입도가 70 ∼ 500 ㎛이고, 입도분포(d90/d10)가 5 이하로 입도가 균일하며, 금속 불순물의 함량이 10 ppm 이하인 고순도의 과립 α-상 탄화규소 분말을 복잡한 열처리 공정 및 추가 원료의 혼합 공정 없이 간소화된 공정으로 제조할 수 있기 때문에 경제성 및 수율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 제조방법에 의하면 이산화규소-카본 복합체 제조에 사용되는 규소원과 탄소원의 조성변화 및 열처리 온도 및 유지시간에 따라 탄화규소 분말의 크기, 입도분포 및 순도를 효과적으로 제어하는 것이 가능하다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
달리 명시되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 성분, 반응 조건, 폴리머 조성물 및 배합물의 양을 표현하는 모든 숫자, 값 및/또는 표현은, 이러한 숫자들이 본질적으로 다른 것들 중에서 이러한 값을 얻는 데 발생하는 측정의 다양한 불확실성이 반영된 근사치들이므로, 모든 경우 "약"이라는 용어에 의해 수식되는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 기재에서 수치범위가 개시되는 경우, 이러한 범위는 연속적이며, 달리 지적되지 않는 한 이러한 범 위의 최소값으로부터 최대값이 포함된 상기 최대값까지의 모든 값을 포함한다. 더 나아가, 이러한 범위가 정수를 지칭하는 경우, 달리 지적되지 않는 한 최소값으로부터 최대값이 포함된 상기 최대값까지를 포함하는 모든 정수가 포함된다.
본 발명은 액상의 규소화합물과 탄소화합물을 원료로 사용하여 제조된 것으로 탄소화합물의 열분해를 통해 생성된 나노 크기의 탄소 입자가 균일하게 분포되어 있는 이산화규소-카본(SiO2-C) 복합체와 이의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상기한 이산화규소-카본(SiO2-C) 복합체를 특정의 가열 온도에서 열처리 공정으로 열 탄소 환원 반응시켜 제조된 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말과 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명이 특징으로 하는 나노 크기 탄소가 균일하게 분포된 이산화규소-카본(SiO2-C) 복합체의 제조방법과, 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법을 일련의 제조 단계로 나타내면 아래와 같다 :
ⅰ) 액상의 규소화합물과 탄소화합물을 포함하는 출발원료를 졸-젤 공정으로 가수분해 반응 및 젤화 반응시켜서 이산화규소 망목구조 내에 탄소화합물이 균질하게 분산되어 있는 젤을 제조하는 단계;
ⅱ) 상기 젤을 건조하고, 건조된 젤을 2 ~ 5 ℃/min 승온 속도로 1100 ~ 1250 ℃까지 가열하여 1차 열처리함으로써 상기 탄소화합물이 열분해되어 생성된 나노 크기의 탄소 입자가 균일하게 분포되어 있는 이산화규소-카본 복합체를 제조하는 단계;
ⅲ) 상기 이산화규소-카본 복합체를 불활성 분위기 또는 진공분위기 하에서 5 ∼ 15 ℃/min 승온 속도로 2000 ~ 2100 ℃ 온도까지 가열하는 2차 열처리 공정을 통해 열 탄소 환원 반응시켜 과립 α-상 탄화규소 분말을 얻는 단계.
이하, 본 발명을 하나의 구현 예로서 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 상기 ⅰ)단계에서는 액상의 규소화합물과 탄소화합물을 출발원료로 사용하며, 이들 출발원료를 혼합한 후 촉매제를 첨가하여 규소화합물을 가수분해시키는 졸-젤 공정을 통해 이산화규소 망목구조 내에 탄소화합물이 균일하게 분산된 젤을 제조하는 단계를 거친다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 액상의 규소 화합물로는 모든 실리콘 알콕사이드 류 및 폴리 에틸실리케이트 중에서 선택되는 하나 이상이 사용될 수 있다. 구체적으로 상기 규소화합물은 테트라에틸 오쏘실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS), 테트라메틸 오쏘실리케이트(tetramethyl orthosilicate, TMOS) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 탄소화합물로는 유기 탄소화합물인 페놀 수지류 및 다당류(sucrose) 중에서 선택된 하나 이상이 사용될 수 있다. 구체적으로 상기 탄소화합물은 페놀 수지, 자당(sucros), 맥아당(maltose), 프랑(franc), 유당(lactose), 폴리이미드(polyimide), 자일렌(xylene) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 출발원료에서 상기 규소화합물과 탄소화합물의 몰비는 1 : 1.6 ~ 3.0일 수 있다. 상기 탄소화합물의 몰비가 증가할수록 제조된 탄화규소 분말의 입자 크기는 미세하게 감소하는 경향을 보인다. 한편, 상기 탄소화합물의 몰비가 1.6 미만이면 탄화규소 합성시 합성 수율이 급격히 감소할 수 있고, 3.0을 초과하면 과량의 탄소가 탄화규소 상변화를 억제하여 β-상 탄화규소 분말의 상변화에 의한 과립의 α-상의 탄화규소 분말 생성이 어려우며, 그에 따라 제조된 탄화규소 분말의 크기가 작고 입도 분포(d90/d10)가 넓어질 수 있다.
상기 출발원료의 혼합은 통상의 교반 방법으로 400 ∼ 2000 rpm의 속도로 상온(25 ℃) 내지 60 ℃에서 교반하여 균질한 액상의 졸(sol)을 제조할 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 출발원료의 혼합과정에서 통상의 교반속도 보다 높은 속도로 교반하는 것이 특징적인데, 이는 상기 탄소화합물이 포함하고 있는 탄소원의 크기를 작고, 균질하게 하여 이산화규소 망목구조에 균질하게 분포시키기 위함이다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 출발원료의 용해에 사용되는 용매는 물, 알콜 또는 알콜 수용액이며, 상기 용매는 상기 규소화합물 1 몰에 대하여 10 몰 이하, 바람직하기로는 1 ∼ 5 몰의 범위로 사용할 수 있다. 구체적으로 상기 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 메탄올 수용액 또는 에탄올 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 출발원료의 균일한 혼합과 불순물의 혼입을 막기 위하여 모든 용기 및 장치에 금속 및 금속 화합물의 유입이 적은 테프론을 코팅하여 사용하여 혼합할 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 출발원료를 혼합하여 교반할 때 규소화합물의 가수분해 반응 및 젤화 반응의 촉매제로서 산 또는 염기 수용액을 첨가하며, 상기 산 또는 염기 수용액은 상기 규소화합물 내 규소원소(Si) 대비 산 또는 염기의 몰 비가 0.2 이하, 구체적으로는 0.01 ∼ 0.2 몰이고, 물의 몰 비가 10 이하, 구체적으로는 1 ∼ 10 몰이 되도록 산 또는 염기와 물을 혼합한 것일 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 규소화합물의 가수분해 및 젤화 반응에 사용되는 촉매제로 사용되는 산은 옥살산, 말레익 산, 질산, 염산, 아크릴 산, 톨루엔 설퍼닉 산 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함할 수 있고, 염기는 알칼리금속의 수산화물(대표적으로 수산화나트륨), 암모니아수, 헥사메틸렌 테트라아민 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 상기 ⅱ)단계에서는 상기 젤을 건조하고, 건조된 젤을 1100 ~ 1250 ℃에서 일정시간 열처리하여 상기 탄소화합물의 열분해를 통해 생성된 나노 크기의 탄소 입자가 균일하게 분포되어 있는 이산화규소-카본 복합체를 제조하는 단계를 거친다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 젤을 증류수에 담지시켜 알코올 성분을 희석한 뒤, 오븐 등에서 40 ~ 80 ℃의 온도로 건조하며, 건조된 젤을 불활성 분위기 또는 진공 분위기 하에서 승온속도 2 ~ 5 ℃/min으로 1100 ~ 1250 ℃까지 승온시켜 0.5 ∼ 3 시간 동안 1차 열처리하여 나노 크기의 탄소 입자가 균질하게 분포된 이산화규소-카본(SiO2-C) 복합체를 제조할 수 있다.
이상에서 설명한 제조방법을 통해 제조된 이산화규소-카본(SiO2-C) 복합체는 이산화규소 망목구조 사이에 5 nm 크기 이하의 탄소 입자가 균일하게 분포되어 있는 것일 수 있다. 이렇게 제조된 이산화규소-카본 복합체는 본 발명에 따른 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조를 위한 원료로 바람직하게 사용될 수 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면 상기 이산화규소-카본 복합체를 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말을 위한 원료로 사용하기 전, 일정 크기로 분급할 수 있다. 최종적으로 얻어지는 과립 α-상 탄화규소 분말의 입도분포(d90/d10)를 균일하게 하기 위함이며, 예를 들어 상기 이산화규소-카본 복합체를 300 ㎛ 이하의 크기로 분급하고, 이를 후술할 2차 열처리의 대상으로 삼을 수 있다.
본 발명의 상기 ⅲ)단계는 상기 이산화규소-카본 복합체를 불활성 분위기 또는 진공분위기 하에서 5 ∼ 15 ℃/min 승온 속도로 2000 ~ 2100 ℃까지 가열하여 2차 열처리하는 공정으로써, 열 탄소 환원 반응을 통해 고순도 과립의 α-상 탄화규소 분말을 제조하는 단계이다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기 이상화규소-카본 복합체를 고순도 진공로 예컨대 고순도 흑연진공로에 높은 충진율로 장입한 후, 아르곤 불활성 분위기 또는 진공(10-1 Torr 이하) 분위기 하에서 2차 열처리 공정을 수행하되 열처리 온도와 유지시간을 변화시켜서 좁은 입도 분포를 갖는 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말을 다양한 평균 입도로 조절하여 제조할 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 과립의 α-상 탄화규소 분말 제조를 위한 2차 열처리 공정은 불활성 분위기 또는 진공 분위기 하에서 5 ∼ 15 ℃/min 승온 속도로 2000 ~ 2100 ℃까지 가열하여 10분 ∼ 5시간 유지하면서 열처리하는 공정을 진행시켜 고순도 탄화규소 과립 분말을 제조하는 것일 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현 예에 따르면, 상기의 방법으로 제조된 탄화규소 분말은 평균 입도 70 ∼ 500 ㎛의 크기를 갖으며, 입도분포(d90/d10)는 5 이하의 균일한 입도를 갖으며, 불순물 함량이 10 ppm 이하이고, 순도가 99.9995 중량% 이상일 수 있다.
본 발명에 따르면, 졸-겔 공정을 통해 이산화규소 망목구조 내에 탄소화합물이 균질하게 분산된 젤을 제조하고, 이렇게 제조된 젤을 건조 및 열처리하여, 열분해 생성된 나노 크기의 탄소 입자가 균일하게 분포되어 있는 이산화규소-탄소 복합체를 제조할 수 있으며, 이를 이용하여 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말을 제조할 수 있다.
본 발명에 따르면, 출발원료의 조성 변화와 열처리 공정의 온도 및 가열 시간의 조절 등을 통하여 고순도 과립의 α-상 탄화규소 분말의 크기를 효과적으로 제어할 수 있다.
본 발명에 따르면, 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말을 합성하기 위하여 추가적인 출발원료의 투입 공정을 배제하고, 반복적인 열싸이클을 갖지 않는 간단한 열처리 공정을 통해 열 탄소 환원 반응을 진행시켜 최대 500 ㎛ 크기의 고순도의 과립 α-상 탄화규소 분말을 제조할 수 있기 때문에 탄화규소 분말 제조 공정의 신뢰성을 향상시키며, 제조된 탄화규소 분말은 높은 경제성 및 단결정 성장 공저에 폭넓은 적용성을 가질 수 있다.
따라서 본 발명의 공정상 유리함으로 인해 초고순도 탄화규소 분말의 제조 단가를 낮출 수 있기 때문에, 종래의 PVT(physical vapor transport) 방법에 의한 전력반도체 제조용 탄화규소 단결정 웨이퍼 제조 단가를 낮출 수 있는 경제적인 효과가 있다.
이하, 본 발명을 실시 예에 의거 상세하게 설명하겠는바, 본 발명이 실시 예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 ∼ 3.
고순도의 과립 α-상 탄화규소 분말을 제조하기 위해, 액상 규소화합물로는 금속 불순물 함량이 20 ppm 이하인 테트라에틸 오쏘실리케이트(TEOS, tetraethyl orthosilicate)를 사용하였으며, 탄소화합물로는 금속 불순물 함량이 100 ppm급인 고상의 페놀 레진(노볼락 타입)을 사용하였다. 상기 TEOS 및 페놀 레진은 열처리한 후 잔류 탄소량을 고려하여, 규소화합물과 탄소화합물의 몰비가 1 : 1.6 ∼ 3.0이 되도록 각각 측량하여 준비하였다.
구체적으로 표 1에 나타낸 함량비로 탄소화합물과 규소화합물을 혼합 교반하였다. 즉, 탄소화합물인 페놀 레진을 규소화합물 1 몰 대비 4 몰의 에탄올에 용해시킨 후, 규소화합물인 TEOS를 첨가하고 2000 rpm의 교반 속도로 상온에서 충분히 혼합 교반하였다. 충분히 혼합된 출발원료 용액에, 규소화합물의 규소원소(Si) 대비하여 질산 0.07 몰과 물 2 몰이 혼합된 질산 수용액을 첨가하여 상온에서 젤이 될 때까지 교반하였다.
페놀 레진이 균질하게 분산된 젤을 고순도 증류수에 담지하여 알코올 성분을 낮추고 상기 젤을 약 80 ℃에서 약 24 시간 건조하였다. 건조된 젤을 고순도 흑연 도가니에 담아 쿼츠 반응로에 장입한 후 질소가스 분위기 하에서 5 ℃/min 속도로 1200 ℃까지 승온하고 0.5 시간 동안 1차 열처리하여 이산화규소-탄소(SiO2-C) 복합체를 제조하였다. 상기에서 제조된 이산화규소-탄소 복합체 내 열분해된 탄소의 크기는 2 nm 이하였으며, 이산화규소-탄소 복합체는 300 ㎛ 이하의 크기로 분급하여 과립 α-상 탄화규소 분말 제조를 위한 열처리 과정에 사용하였다.
상기의 분급된 이산화규소-탄소 복합체를 고순도 흑연 도가니에 충진율 60%로 담아 고순도 흑연 진공로(graphite furnace)에 장입하고, 진공 분위기 하(10-2 torr)에서 10 ℃/min 승온 속도로 2000 ℃까지 가열한 뒤, 3시간 동안 2차 열처리하여 과립의 α-상 탄화규소 분말을 제조하였다.
상기 실시예 1 ∼ 3에서 제조한 이산화규소-탄소 복합체로 과립 α-상 탄화규소 분말의 특성은 하기 표 1에 정리하여 나타내었다.
구 분 실시예
1 2 3
출발원료 탄소원(mol) 1.6 2.3 3.0
규소원(mol) 1 1 1
C/Si(몰비) 1.6 2.3 3.0
질산수용액 질산(mol) 0.07 0.07 0.07
물(mol) 2 2 2
α-SiC 분말 평균입도(㎛) 90 100 150
입도분포(d90/d10) 4.1 4.3 4.5
순도(GDMS,wt%) 99.9995 ∼ 99.9998
실시예 4 ∼ 5
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 이산화규소-탄소 복합체를 제조하였으며, 탄소화합물/규소화합물의 몰 비는 2.3으로 고정하였다.
이산화규소-탄소 복합체를 고순도 흑연 도가니에 충진율 60%로 담아 고순도 흑연 진공로(graphite furnace)에 장입하고, 진공 분위기 하(10-2 torr)에서 2차 열처리하되, 승온 속도를 10 ℃/min로 하여 2100 ℃ 온도까지 가열하였고, 유지시간을 각각 1시간, 3시간으로 조절하여 고순도의 과립 α-상 탄화규소 분말을 합성하였다.
상기 실시예 4 ∼ 5에서 제조한 과립 α-상 탄화규소 분말의 특성은 하기 표 2에 정리하여 나타내었다.
구 분 실시예
4 5
열처리 분위기 진공 진공
승온 속도(℃/min) 10 10
최고온도(℃) 2100 2100
가열유지시간(h) 1 3
α-SiC 분말 평균입도 (㎛) 250 450
입도분포 (d90/d10) 2.5 3
순도(GDMS,wt%) 99.99995 99.99994
본 발명에 따른 과립 α-상 탄화규소 분말은 PVT 방법에 의한 탄화규소 단결정 제조 공정의 원료를 위한 원료로 적용 가능하다.

Claims (14)

  1. ⅰ) 액상의 규소화합물 및 탄소화합물을 포함하는 출발원료를 졸-젤 공정으로 반응시켜 이산화규소 망목구조 내에 탄소화합물이 분산되어 있는 젤을 제조하는 단계;
    ⅱ) 상기 젤을 1차 열처리하여 상기 탄소화합물을 열분해함으로써 나노 크기의 탄소 입자를 포함하는 이산화규소-카본 복합체를 제조하는 단계;
    ⅲ) 상기 이산화규소-카본 복합체를 상기 1차 열처리에 비해 높은 온도로 2차 열처리하여 과립 α-상 탄화규소 분말을 얻는 단계;를 포함하는 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 규소화합물은 테트라에틸 오쏘실리케이트(tetraethyl orthosilicate, TEOS), 테트라메틸 오쏘실리케이트(tetramethyl orthosilicate, TMOS) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 탄소화합물은 페놀 수지, 자당(sucros), 맥아당(maltose), 프랑(franc), 유당(lactose), 폴리이미드(polyimide), 자일렌(xylene) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 규소화합물과 탄소화합물의 몰비는 1 : 1.6 ~ 3.0인 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 졸-젤 공정은 상기 출발원료를 용매에 투입하고, 촉매제를 첨가한 뒤 교반하여 수행하는 것인 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 촉매제는
    옥살산, 말레익 산, 질산, 염산, 아크릴 산, 톨루엔 설퍼닉 산 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 산(acid); 또는
    알칼리금속의 수산화물, 암모니아수, 헥사메틸렌 테트라아민 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 염기(base);를 포함하는 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 교반은 400 ~ 2000 rpm의 속도 및 25 ~ 60℃의 온도로 수행하는 것인 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 젤을 1차 열처리하기 전, 상기 젤을 건조하는 단계를 더 포함하는 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 1차 열처리는 상기 젤을 2 ~ 5 ℃/min의 승온 속도로 1100 ~ 1250 ℃까지 가열하여 이산화규소-카본 복합체를 제조하는 것인 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 이산화규소-카본 복합체에 포함된 탄소 입자의 평균 입도는 5 nm 이하인 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 이산화규소-카본 복합체를 2차 열처리하기 전, 상기 이산화규소-카본 복합체를 300 ㎛ 이하의 크기로 분급하는 단계를 더 포함하는 것인 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 2차 열처리는 상기 이산화규소-카본 복합체를 5 ~ 15 ℃/min의 승온 속도로 2000 ~ 2100 ℃까지 가열하여 과립 α-상 탄화규소 분말을 얻는 것인 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    추가적인 원료의 투입이 없는 것을 특징으로 하는 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 과립 α-상 탄화규소 분말은 평균 입도가 70 ∼ 500 ㎛이고, 입도분포(d90/d10)가 5 이하이며, 순도가 99.9995 중량% 이상인 것인 고순도 과립 α-상 탄화규소 분말의 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102407043B1 (ko) * 2022-03-04 2022-06-10 주식회사 에스티아이 탄화규소 분말의 합성방법
KR102442731B1 (ko) * 2021-12-23 2022-09-13 주식회사 쎄닉 탄화규소 분말 및 이를 이용하여 탄화규소 잉곳을 제조하는 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140049664A (ko) * 2012-10-18 2014-04-28 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 분말의 제조 방법
KR20150123114A (ko) 2014-04-24 2015-11-03 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 분말 제조방법
JP5863325B2 (ja) 2010-08-17 2016-02-16 コドマン・アンド・シャートレフ・インコーポレイテッドＣｏｄｍａｎ ＆ Ｓｈｕｒｔｌｅｆｆ， Ｉｎｃ． 埋め込み可能な調節可能弁
KR101627371B1 (ko) * 2015-02-24 2016-06-07 한국과학기술연구원 입도 조절이 가능한 탄화규소 분말의 제조방법
KR101678622B1 (ko) 2015-09-21 2016-11-23 한국과학기술연구원 이산화규소-카본 다공질 복합체와 이를 이용한 고순도 과립 β-상 탄화규소 분말의 제조방법
KR101701797B1 (ko) * 2015-11-03 2017-02-02 성균관대학교산학협력단 다공질 알파상 탄화규소의 제조 방법
JP6627169B1 (ja) 2019-04-25 2020-01-08 磐安林思皮革工業研究有限公司 断熱手袋縫い設備

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2565024B2 (ja) * 1991-07-18 1996-12-18 住友金属工業株式会社 半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法
JP3934695B2 (ja) * 1995-05-31 2007-06-20 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法
JP4234800B2 (ja) * 1996-08-26 2009-03-04 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素粉体の製造方法
JP2007045689A (ja) 2005-08-12 2007-02-22 Bridgestone Corp 炭化ケイ素焼結体用粉体及びその製造方法
JP2009173501A (ja) 2008-01-28 2009-08-06 Bridgestone Corp 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び炭化ケイ素単結晶
KR101084735B1 (ko) * 2009-06-05 2011-11-22 한국과학기술연구원 탄화규소 분말의 제조방법
DE102017112756A1 (de) 2017-06-09 2018-12-13 Psc Technologies Gmbh Verfahren zur Erzeugung von Schichten aus Siliciumcarbid

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5863325B2 (ja) 2010-08-17 2016-02-16 コドマン・アンド・シャートレフ・インコーポレイテッドＣｏｄｍａｎ ＆ Ｓｈｕｒｔｌｅｆｆ， Ｉｎｃ． 埋め込み可能な調節可能弁
KR20140049664A (ko) * 2012-10-18 2014-04-28 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 분말의 제조 방법
KR20150123114A (ko) 2014-04-24 2015-11-03 엘지이노텍 주식회사 탄화규소 분말 제조방법
KR101627371B1 (ko) * 2015-02-24 2016-06-07 한국과학기술연구원 입도 조절이 가능한 탄화규소 분말의 제조방법
KR101678622B1 (ko) 2015-09-21 2016-11-23 한국과학기술연구원 이산화규소-카본 다공질 복합체와 이를 이용한 고순도 과립 β-상 탄화규소 분말의 제조방법
KR101701797B1 (ko) * 2015-11-03 2017-02-02 성균관대학교산학협력단 다공질 알파상 탄화규소의 제조 방법
JP6627169B1 (ja) 2019-04-25 2020-01-08 磐安林思皮革工業研究有限公司 断熱手袋縫い設備

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102442731B1 (ko) * 2021-12-23 2022-09-13 주식회사 쎄닉 탄화규소 분말 및 이를 이용하여 탄화규소 잉곳을 제조하는 방법
KR102407043B1 (ko) * 2022-03-04 2022-06-10 주식회사 에스티아이 탄화규소 분말의 합성방법
WO2023167387A1 (ko) * 2022-03-04 2023-09-07 주식회사 에스티아이 탄화규소 분말의 합성방법

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