KR20210062681A - 방사선 검출 모듈, 방사선 검출기 및 방사선 검출 모듈의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 실시 형태에 관한 방사선 검출 모듈은 복수의 광전 변환부를 갖는 어레이 기판과, 상기 복수의 광전 변환부 상에 설치된 신틸레이터와, 열가소성 수지를 주성분으로 포함하고, 상기 신틸레이터의 주위에 설치되고 상기 어레이 기판과 상기 신틸레이터에 접합된 틀 형상의 밀봉부와, 상기 신틸레이터의 상방을 덮고 둘레 가장자리 근방이 상기 밀봉부의 외면에 접합된 방습부를 구비하고 있다. 상기 밀봉부의 외면의 형상은 외측으로 돌출되는 곡면이다.

Description

방사선 검출 모듈, 방사선 검출기 및 방사선 검출 모듈의 제조 방법

본 발명의 실시 형태는 방사선 검출 모듈, 방사선 검출기 및 방사선 검출 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.

방사선 검출기의 일례로 X선 검출기가 있다. X선 검출기에는 X선을 형광으로 변환하는 신틸레이터와, 형광을 전기 신호로 변환하는 어레이 기판이 설치되어 있다. 또한, 형광의 이용 효율을 높여 감도 특성을 개선하기 위해, 신틸레이터 상에 반사층을 추가로 설치하는 경우도 있다.

여기에서 수증기 등에 기인하는 특성의 열화를 억제하기 위해, 신틸레이터와 반사층은 외부 분위기로부터 격리할 필요가 있다. 예를 들어, 신틸레이터가 CsI(아이오딘화 세슘) : Tl(탈륨)이나 CsI : Na(나트륨) 등을 포함하는 경우에는 수증기 등에 의한 특성 열화가 커질 우려가 있다.

그 때문에, 높은 방습 성능이 얻어지는 구조로서 신틸레이터와 반사층을 햇 형상의 방습부로 덮고, 방습부의 차양(鍔)부를 어레이 기판에 접착하는 기술이 제안되어 있다.

그러나, 방습부의 차양부를 어레이 기판에 접착하면, 신틸레이터의 주변에 차양부를 접착하기 위한 공간이 필요해진다. 최근에는 X선 검출기의 소형화가 요망되고 있지만, 햇 형상의 방습부로 하면 X선 검출기의 소형화를 도모할 수 없게 될 우려가 있다.

또한, 인체에 대하여 대량의 X선 조사를 실시하면 건강에 대한 악영향이 있으므로, 인체로의 X선 조사량은 필요 최저한으로 억제된다. 그 때문에, 의료에 사용되는 X선 검출기의 경우에는 조사되는 X선의 강도가 작아져, 방습부를 투과하는 X선의 강도가 매우 작아질 우려가 있다. 이 경우, 방습부의 두께를 얇게 하면 투과하는 X선의 강도를 크게 할 수 있다. 그러나, 햇 형상의 방습부의 두께를 얇게 하면 알루미늄 등의 박을, 햇 형상으로 성형할 때 균열 등이 발생하기 쉬워진다.

그래서, X선 검출기의 소형화를 도모할 수 있고, 또한 방습부의 두께를 얇게 할 수 있는 기술의 개발이 요망되고 있었다.

일본 공개특허 제2009-128023호 공보

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 방사선 검출기의 소형화를 도모할 수 있고, 또한 방습부의 두께를 얇게 할 수 있는 방사선 검출 모듈, 방사선 검출기, 및 방사선 검출 모듈의 제조 방법을 제공하는 것이다.

실시 형태에 관한 방사선 검출 모듈은 복수의 광전 변환부를 갖는 어레이 기판; 상기 복수의 광전 변환부 상에 설치된 신틸레이터; 열가소성 수지를 주성분으로 포함하고 상기 신틸레이터의 주위에 설치되며, 상기 어레이 기판과 상기 신틸레이터에 접합된 틀 형상의 밀봉부; 및 상기 신틸레이터의 상방을 덮고, 둘레 가장자리 근방이 상기 밀봉부의 외면에 접합된 방습부;를 구비하고 있다. 상기 밀봉부의 외면의 형상은 외측에 돌출되는 곡면이다.

도 1은 본 실시 형태에 관한 X선 검출기 및 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 2는 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 3은 X선 검출기의 블럭도이다.
도 4의 (a), (b)는 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 5는 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 6의 (a)는 방습부의 모식 평면도이고, (b)는 방습부(17)의 모식 사시도이다.
도 7은 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 8은 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 9의 (a), (b)는 다른 실시 형태에 관한 굴곡부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 10은 비교예에 관한 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 11은 비교예에 관한 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 12는 비교예에 관한 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 13은 비교예에 관한 X선 검출 모듈을 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 14는 비교예에 관한 열가소성 수지의 도포를 예시하기 위한 모식 사시도이다.
도 15는 본 실시 형태에 관한 열가소성 수지의 도포를 예시하기 위한 모식 사시도이다.

이하, 도면을 참조하면서 실시 형태에 대하여 예시한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절하게 생략한다.

또한, 본 발명의 실시 형태에 관한 방사선 검출기는 X선 외에도 γ선 등의 각종 방사선에 적용시킬 수 있다. 여기에서는 일례로서 방사선 중 대표적인 것으로 X선에 관한 경우를 예로 들어 설명한다. 따라서, 이하의 실시 형태의 「X선」을 「다른 방사선」으로 치환함으로써, 다른 방사선에도 적용시킬 수 있다.

또한, 방사선 검출기는 예를 들어 일반 의료 등에 사용할 수 있다. 단, 방사선 검출기의 용도는 일반 의료에 한정되는 것은 아니다.

(X선 검출기 및 X선 검출 모듈)

도 1은 본 실시 형태에 관한 X선 검출기(1) 및 X선 검출 모듈(10)을 예시하기 위한 모식 사시도이다.

또한, 번잡해지는 것을 피하기 위해 도 1에서는 보호층(2f), 반사층(6), 방습부(7), 및 밀봉부(8) 등을 생략하여 그리고 있다.

도 2는 X선 검출 모듈(10)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

도 3은 X선 검출기(1)의 블럭도이다.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, X선 검출기(1)에는 X선 검출 모듈(10), 및 회로 기판(11)이 설치되어 있다. 또한, X선 검출기(1)에는 도시하지 않는 하우징체를 설치할 수 있다. 하우징체의 내부에는 X선 검출 모듈(10), 및 회로 기판(11)을 설치할 수 있다. 예를 들어, 하우징체의 내부에 판 형상의 지지판(12)을 설치하고, 지지판(12)의 X선의 입사측의 면에는 X선 검출 모듈(10)을 설치하고, 지지판(12)의 X선의 입사측과는 반대측의 면에는 회로 기판(11)을 설치할 수 있다.

X선 검출 모듈(10)에는 어레이 기판(2), 신틸레이터(5), 반사층(6), 방습부(7) 및 밀봉부(8)가 설치되어 있다.

어레이 기판(2)은 기판(2a), 광전 변환부(2b), 제어 라인(또는 게이트 라인)(2c1), 데이터 라인(또는 시그널 라인)(2c2), 배선 패드(2d1), 배선 패드(2d2) 및 보호층(2f)을 갖는다.

또한, 광전 변환부(2b), 제어 라인(2c1) 및 데이터 라인(2c2)의 수 등은 예시한 것에 한정되는 것은 아니다.

기판(2a)은 판 형상을 나타내고 무알칼리 유리 등의 유리로 형성되어 있다. 기판(2a)의 평면 형상은 사각형으로 할 수 있다. 기판(2a)의 두께는 예를 들면, 0.7 ㎜ 정도로 할 수 있다.

광전 변환부(2b)는 기판(2a)의 일방의 면측에 복수 설치되어 있다.

광전 변환부(2b)는 직사각형 형상을 나타내고 제어 라인(2c1)과 데이터 라인(2c2)에 의해 구획된 영역에 설치되어 있다. 복수의 광전 변환부(2b)는 매트릭스 형상으로 나열되어 있다. 또한, 하나의 광전 변환부(2b)는 X선 화상의 하나의 화소(pixel)에 대응한다.

복수의 광전 변환부(2b)의 각각에는 광전 변환 소자(2b1)와, 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)(2b2)가 설치되어 있다.

또한, 광전 변환 소자(2b1)에서 변환한 신호 전하를 축적하는 도시하지 않은 축적 커패시터를 설치할 수 있다. 축적 커패시터는 예를 들어, 직사각형 평판 형상을 나타내고 각 박막 트랜지스터(2b2)의 아래에 설치할 수 있다. 단, 광전 변환 소자(2b1)의 용량에 따라서는 광전 변환 소자(2b1)가 축적 커패시터를 겸할 수 있다.

광전 변환 소자(2b1)는 예를 들어, 포토다이오드 등으로 할 수 있다.

박막 트랜지스터(2b2)는 축적 커패시터로의 전하의 축적 및 방출의 스위칭을 실시한다. 박막 트랜지스터(2b2)는 게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극을 갖고 있다. 박막 트랜지스터(2b2)의 게이트 전극은 대응하는 제어 라인(2c1)과 전기적으로 접속된다. 박막 트랜지스터(2b2)의 드레인 전극은 대응하는 데이터 라인(2c2)과 전기적으로 접속된다. 박막 트랜지스터(2b2)의 소스 전극은 대응하는 광전 변환 소자(2b1)와 축적 커패시터와 전기적으로 접속된다. 또한, 광전 변환 소자(2b1)의 애노드측과 축적 커패시터는 그라운드에 접속할 수 있다. 또한, 광전 변환 소자(2b1)의 애노드측과 축적 커패시터는 도시하지 않은 바이어스 라인에 접속할 수도 있다.

제어 라인(2c1)은 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 복수 설치되어 있다. 제어 라인(2c1)은 예를 들어, 행 방향으로 연장되어 있다. 하나의 제어 라인(2c1)은 기판(2a)의 둘레 가장자리 근방에 설치된 복수의 배선 패드(2d1) 중 하나와 전기적으로 접속되어 있다. 하나의 배선 패드(2d1)에는 플렉시블 프린트 기판(2e1)에 설치된 복수의 배선 중의 하나가 전기적으로 접속되어 있다. 플렉시블 프린트 기판(2e1)에 설치된 복수의 배선의 타단은 회로 기판(11)에 설치된 판독 회로(11a)와 각각 전기적으로 접속되어 있다.

데이터 라인(2c2)은 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 복수 설치되어 있다. 데이터 라인(2c2)은 예를 들어, 행 방향에 직교하는 열 방향으로 연장되어 있다. 1 개의 데이터 라인(2c2)은 기판(2a)의 둘레 가장자리 근방에 설치된 복수의 배선 패드(2d2) 중 하나와 전기적으로 접속되어 있다. 하나의 배선 패드(2d2)에는 플렉시블 프린트 기판(2e2)에 설치된 복수의 배선 중 하나가 전기적으로 접속되어 있다. 플렉시블 프린트 기판(2e2)에 설치된 복수의 배선의 타단은 회로 기판(11)에 설치된 신호 검출 회로(11b)와 각각 전기적으로 접속되어 있다.

제어 라인(2c1) 및 데이터 라인(2c2)은 예를 들어, 알루미늄이나 크롬 등의 저저항 금속을 이용하여 형성할 수 있다.

보호층(2f)은 광전 변환부(2b), 제어 라인(2c1) 및 데이터 라인(2c2)을 덮고있다. 보호층(2f)은 절연성 재료로 형성할 수 있다. 절연성 재료는 예를 들어, 산화물 절연 재료, 질화물 절연 재료, 산 질화물 절연 재료, 및 수지 등으로 할 수 있다.

신틸레이터(5)는 복수의 광전 변환부(2b) 상에 설치되고, 입사하는 X선을 가시광 즉 형광으로 변환한다. 신틸레이터(5)는 기판(2a) 상의 복수의 광전 변환부(2b)가 설치된 영역(유효 화소 영역(A))을 덮도록 설치되어 있다.

신틸레이터(5)는 예를 들어, 아이오딘화 세슘(CsI) : 탈륨(Tl), 아이오딘화 나트륨(NaI) : 탈륨(Tl), 또는 브롬화 세슘(CsBr) : 유로퓸(Eu) 등을 포함하는 것으로 할 수 있다. 신틸레이터(5)는 진공 증착법을 이용하여 형성할 수 있다. 진공 증착법을 이용하여 신틸레이터(5)를 형성하면, 복수의 기둥 형상 결정의 집합체로 이루어진 신틸레이터(5)가 형성된다. 신틸레이터(5)의 두께는 예를 들어, 600 ㎛ 정도로 할 수 있다.

또한, 진공 증착법을 이용하여 신틸레이터(5)를 형성할 때에는 개구를 갖는 마스크가 사용된다. 이 경우, 어레이 기판(2) 상의 개구에 대치하는 위치(유효 화소 영역 A 상에)에 신틸레이터(5)가 형성된다. 또한, 증착에 의한 막은 마스크의 표면에도 형성된다. 그리고, 마스크 개구의 근방에서는, 막은 개구의 내부에 서서히 뻗어 나가도록 성장한다. 개구의 내부에 막이 뻗어 나가면, 개구의 근방에서 어레이 기판(2)으로의 증착이 억제된다. 그 때문에, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 신틸레이터(5)의 둘레 가장자리 근방은 외측이 됨에 따라 두께가 점차 감소되고 있다.

또한, 신틸레이터(5)는 예를 들어, 터븀 부활 황산화 가돌리늄(Gd₂O₂S/Tb, 또는 GOS) 등을 사용하여 형성할 수도 있다. 이 경우, 복수의 광전 변환부(2b)마다 매트릭스 형상의 신틸레이터(5)가 설치되도록, 매트릭스 형상의 홈부을 설치할 수 있다.

반사층(6)은 형광의 이용 효율을 높여 감도 특성을 개선하기 위해 설치되어 있다. 즉, 반사층(6)은 신틸레이터(5)에서 발생한 형광 중 광전 변환부(2b)가 설치된 측과는 반대측을 향하는 광을 반사시켜 광전 변환부(2b)를 향하도록 한다. 단, 반사층(6)은 반드시 필요하지는 않고, X선 검출 모듈(10)에 요구되는 감도 특성 등에 따라 설치하도록 하면 된다.

이하에서는 일례로서 반사층(6)이 설치되어 있는 경우를 설명한다.

반사층(6)은 신틸레이터(5)의 X선의 입사측에 설치되어 있다. 반사층(6)은 적어도 신틸레이터(5)의 상면을 덮고 있다. 반사층(6)은 신틸레이터(5)의 측면(5a)을 추가로 덮을 수도 있다.

예를 들어, 산화 티탄(TiO₂) 등으로 이루어진 광 산란성 입자, 수지 및 용매를 혼합한 재료를 신틸레이터(5) 상에 도포하고, 이를 건조함으로써 반사층(6)을 형성할 수 있다.

또한 예를 들어, 은 합금이나 알루미늄 등의 광 반사율이 높은 금속으로 이루어진 층을 신틸레이터(5) 상에 성막함으로써 반사층(6)을 형성할 수 있다.

또한 예를 들어, 표면이 은 합금이나 알루미늄 등의 광 반사율이 높은 금속으로 이루어지는 시트나, 광 산란성 입자를 포함하는 수지 시트 등을 신틸레이터(5) 상에 설치함으로써 반사층(6)으로 할 수도 있다.

또한, 페이스트상의 재료를 신틸레이터(5) 상에 도포하고 이를 건조하는 경우에는 건조에 따라 재료가 수축되므로, 신틸레이터(5)가 인장되어 신틸레이터(5)가 어레이 기판(2)으로부터 박리되는 경우가 있다. 그 때문에, 시트상의 반사층(6)을, 신틸레이터(5) 상에 설치하는 것이 바람직하다. 이 경우, 시트상의 반사층(6) 예를 들어, 양면 테이프 등을 이용하여 신틸레이터(5) 상에 접합할 수도 있지만, 시트상의 반사층(6)을 신틸레이터(5) 상에 얹도록 하는 것이 바람직하다. 시트상의 반사층(6)을 신틸레이터(5) 상에 얹도록 하면, 반사층(6)의 팽창 또는 수축에 기인하여, 신틸레이터(5)가 어레이 기판(2)으로부터 박리되는 것을 억제하는 것이 용이해진다.

방습부(7)는 공기 중에 포함되는 수분에 의해, 반사층(6)의 특성이나 신틸레이터(5)의 특성이 열화되는 것을 억제하기 위해 설치되어 있다.

방습부(7)는 신틸레이터(5), 및 밀봉부(8)의 적어도 일부를 덮고 있다. 방습부(7)와 반사층(6) 등의 사이에는 간극이 있어도 되고, 방습부(7)와 반사층(6) 등이 접촉되도록 해도 된다. 예를 들어, 대기압보다 감압된 환경에서 방습부(7)와 밀봉부(8)를 접합하면, 방습부(7)와 반사층(6) 등이 접촉되도록 할 수 있다. 또한, 일반적으로 신틸레이터(5)에는 그 체적의 10 % ~ 40 % 정도의 공극이 존재한다. 그 때문에, 공극에 가스가 포함되어 있으면, X선 검출기(1)를 항공기 등으로 수송한 경우에 가스가 팽창하여 방습부(7)가 파손될 우려가 있다. 대기압보다 감압된 환경에서 방습부(7)와 밀봉부(8)를 접합하면, X선 검출기(1)가 항공기 등으로 수송된 경우에도 방습부(7)가 파손되는 것을 억제할 수 있다. 즉, 밀봉부(8)와 방습부(7)에 의해 구획된 공간의 압력은 대기압보다 낮게 하는 것이 바람직하다.

여기에서, 밀봉부(8)의 내부에 기포나 공극이 있거나, 밀봉부(8)와 방습부(7) 사이에 간극이나 리크 경로가 있거나, 밀봉부(8)와 어레이 기판(2) 간에 간극이나 리크 경로가 있는 경우가 있다. 이 경우, 대기압보다 감압된 환경에서 방습부(7)와 밀봉부(8)를 접합하고, 그 후 대기압 환경으로 돌아갔을 때 간극이나 리크 경로 등을 통하여 대기가 내부에 침입하는 경우가 있다. 대기가 내부에 침입하면, 방습부(7)와 신틸레이터(5)가 밀착되지 않고, 방습부(7)의 표면에 주름이 발생하거나 텐션이 없어진다. 그 때문에, 간극이나 리크 경로 등이 있는 것을 육안 관찰로 용이하게 알 수 있다. 간극이나 리크 경로 등이 있는 제품의 수명은 짧아질 우려가 있지만, 이와 같은 제품을 검사에서 용이하게 발견하여 제거할 수 있다. 그 때문에, X선 검출기(1)의 품질을 향상시키는 것이 용이해진다.

방습부(7)는 금속을 포함하는 시트로 할 수 있다. 금속은 예를 들어, 알루미늄을 포함하는 금속, 구리를 포함하는 금속, 마그네슘을 포함하는 금속, 텅스텐을 포함하는 금속, 스테인레스, 코바(kovar)재 등으로 할 수 있다. 이 경우 금속을 포함하는 방습부(7)로 하면, 방습부(7)를 투과하는 수분을 거의 완전히 없앨 수 있다.

또한, 방습부(7)는 수지막과 금속막이 적층된 적층 시트로 할 수도 있다. 이 경우, 수지막은 예를 들어, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 테플론(등록 상표), 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 탄성 고무 등으로 형성된 것으로 할 수 있다. 금속막은 예를 들어, 상술한 금속을 포함하는 것으로 할 수 있다. 금속막은 예를 들어, 스퍼터링법, 라미네이트법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 이 경우 금속막이 신틸레이터(5)측에 설치되도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 수지막에 의해 금속막을 덮을 수 있으므로 외력 등에 의해 금속막이 손상되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 금속막이 수지막보다 내측(신틸레이터(5)측)에 설치되어 있으면, 수지층을 통한 투습으로 신틸레이터(5)의 특성이 열화되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 금속막 대신, 또는 금속막과 함께 무기막을 설치할 수 있다. 무기막은 예를 들면, 산화 규소, 산화 알루미늄 등을 포함하는 막으로 할 수 있다. 무기막은 예를 들면, 스퍼터링법 등을 이용하여 형성할 수 있다.

금속막을 포함하는 적층 시트로 하는 경우에는 예를 들어, 금속막의 두께와 대략 동일한 두께를 갖는 수지막을 사용할 수 있다. 이와 같은 두께를 갖는 수지막을 설치하면, 방습부(7)의 강성을 증가시킬 수 있으므로, 제조 공정 중에서 방습부(7)에 핀홀이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 일반적으로 수지의 선 팽창 계수는 금속의 선 팽창 계수보다 크므로, 수지막의 두께를 너무 두껍게 하면, 후술하는 어레이 기판(2)의 휨이 발생하기 쉬워진다. 그 때문에, 수지막의 두께는 금속막의 두께 이하로 하는 것이 바람직하다.

또한, 방습부(7)의 두께는 X선의 흡수나 강성 등을 고려하여 결정할 수 있다. 이 경우, 방습부(7)의 두께를 두껍게 하면 방습부(7)에 흡수되는 X선의 양이 많아진다. 한편, 방습부(7)의 두께를 얇게 하면 강성이 저하되어 파손되기 쉬워진다.

예를 들어, 방습부(7)의 두께를 10 ㎛ 미만으로 하면, 방습부(7)의 강성이 너무 낮아져 외력 등에 의한 악영향에 의해 핀홀이 발생하고, 리크가 발생할 우려가 있다. 방습부(7)의 두께가 50 ㎛를 초과하면, 방습부(7)의 강성이 너무 높아져, 신틸레이터(5)의 상단의 요철에 대한 추종성이 나빠진다. 그 때문에, 상술한 간극이나 리크 경로의 확인이 곤란해질 우려가 있다. 또한, 후술하는 어레이 기판(2)의 휨이 발생하기 쉬워질 우려가 있다.

그 때문에, 방습부(7)의 두께는 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.

이 경우, 방습부(7)는 예를 들어 두께가 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 알루미늄박으로 할 수 있다. 알루미늄박의 두께가 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하이면 두께가 100 ㎛의 알루미늄박에 비하여 X선의 투과량을 20 % ~ 30 % 정도 많게 할 수 있다. 또한, 두께가 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 알루미늄박으로 하면, 상술한 리크의 발생을 억제할 수 있고, 또한 상술한 간극이나 리크 경로의 확인이 용이해진다. 또한, 후술하는 어레이 기판(2)의 휨을 억제할 수 있다.

여기에서 인체에 대하여 대량의 X선 조사를 실시하면 건강에 대한 악영향이 있으므로, 인체에 대한 X선 조사량은 필요 최저한으로 억제된다. 그 때문에, 의료에 사용되는 X선 검출기(1)의 경우에는 조사되는 X선의 강도가 작아지고, 방습부(7)를 투과하는 X선의 강도가 매우 작아질 우려가 있다. 본 실시 형태에 관한 방습부(7)는 두께가 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 시트로 하고 있으므로, 조사되는 X선의 강도가 작은 경우에도 X선 화상의 촬영이 가능해진다.

이 경우, 방습부(7)의 두께를 얇게 하면 방습부(7)의 강성이 저하된다. 그 때문에, 차양부 등을 설치하여 입체적인 방습부로 하면 예를 들어, 금속박을 프레스 성형할 때 균열 등이 생기기 쉬워진다. 도 2에 도시한 바와 같이, 시트상을 나타내는 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방은 밀봉부(8)의 외면(8a)에 접합된다. 그 때문에, 미리 방습부(7)를 입체 형상으로 가공할 필요는 없고, 시트상을 나타내는 방습부(7)를 그대로 밀봉부(8)의 외면(8a)에 접합할 수 있다. 그 결과, 방습부(7)의 두께를 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하로 해도, 방습부(7)에 균열 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 후술하는 바와 같이, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방을 가열함으로써, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방과 밀봉부(8)를 접합한다. 이 경우, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방의 온도와, 밀봉부(8)의 온도가 저하되면 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방과 밀봉부(8) 사이에 열 응력이 발생한다. 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방과 밀봉부(8) 사이에 열 응력이 발생하면, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방과 밀봉부(8) 사이에 박리가 발생할 우려가 있다. 박리가 발생하면 방습 성능이 현저하게 저하될 우려가 있다. 방습부(7)의 두께는 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하로 하고 있으므로, 열 응력이 발생했을 때 방습부(7)가 늘어나기 쉬워진다. 그 때문에, 열 응력을 완화시킬 수 있으므로, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방과 밀봉부(8) 사이에 박리가 발생하는 것을 억제할 수 있다.

도 2에 도시한 바와 같이, 밀봉부(8)는 신틸레이터(5)의 측면(5a)과 어레이 기판(2)에 접합되어 있다. 이 경우, 밀봉부(8)는 신틸레이터(5)의 측면(5a)과 밀착시킬 수 있다. 신틸레이터(5)가 복수의 기둥상 결정의 집합체로 되어 있는 경우에는, 신틸레이터(5)의 측면(5a)에 요철이 형성되어 있다. 그 때문에, 밀봉부(8)의 일부가 신틸레이터(5)의 측면(5a)의 요철의 내부에 설치되어 있으면, 밀봉부(8)와 신틸레이터(5)의 접합 강도를 크게 할 수 있다. 밀봉부(8)는 어레이 기판(2)과 밀착시킬 수 있다. 밀봉부(8)와 어레이 기판(2)이 밀착되어 있으면, 대기에 포함되어 있는 수분 등이 밀봉부(8)와 어레이 기판(2) 사이를 투과하여 신틸레이터(5)에 도달하는 것을 억제할 수 있다.

밀봉부(8)의 외면(8a)의 형상은 외측으로 돌출되는 곡면으로 할 수 있다. 이와 같이 하면, 밀봉부(8)의 외면(8a)과 신틸레이터(5)의 측면(5a) 사이의 거리(L)를 길게 할 수 있다. 그 때문에, 대기에 포함되어 있는 수분 등이 밀봉부(8)의 내부를 투과하여 신틸레이터(5)에 도달하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 밀봉부(8)의 외면(8a)의 형상이 외측에 돌출되는 곡면으로 되어 있으면, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방을 밀봉부(8)의 외면(8a)에 따르게 하는 것이 용이해진다. 그 때문에, 방습부(7)를 밀봉부(8)에 밀착시키는 것이 용이해진다. 또한, 방습부(7)를 온건하게 변형시킬 수 있으므로, 방습부(7)의 두께를 얇게 해도 방습부(7)에 균열 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 방습부(7)를 밀봉부(8)에 밀착시켰을 때 방습부(7)의 둘레단면(7a)이 어레이 기판(2)과 접촉되거나, 둘레단면(7a)이 어레이 기판(2)의 근방에 위치하도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 대기에 포함되어 있는 수분 등이 밀봉부(8)의 내부에 침입하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.

또한, 밀봉부(8)의 높이는 신틸레이터(5)의 높이 이하로 하는 것이 바람직하다. 밀봉부(8)의 높이가 신틸레이터(5)의 높이 이하로 되어 있으면, 방습부(7)가 되는 시트를 무리없이 변형시킬 수 있으므로 방습부(7)에 주름, 파단, 핀홀 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 밀봉부(8)의 높이가 신틸레이터(5)의 높이보다 낮으면, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방을 휘게 할 수 있다. 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방을 휘게 할 수 있으면, 방습부(7)의 열 수축량과, 어레이 기판(2)의 열 수축량의 차를 흡수할 수 있다. 그 때문에, 열 응력에 의해 어레이 기판(2)이 변형되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 밀봉부(8)의 높이를 신틸레이터(5)의 높이보다 낮게 하는 것에 관한 상세한 내용은 후술한다(도 8을 참조).

밀봉부(8)는 열가소성 수지를 주성분으로 포함하는 것으로 할 수 있다. 밀봉부(8)가 열가소성 수지를 주성분으로 포함하고 있으면, 가열에 의해 어레이 기판(2), 신틸레이터(5) 및 방습부(7)와 접합할 수 있다. 여기에서 예를 들어, 밀봉부(8)가 자외선 경화 수지를 주성분으로서 포함하고 있으면 밀봉부(8)를, 어레이 기판(2), 신틸레이터(5) 및 방습부(7)와 접합할 때 자외선을 조사할 필요가 있다. 그런데, 방습부(7)는 금속 등을 포함하고 있으므로 자외선을 투과시킬 수 없다. 또한, 방습부(7)가 자외선을 투과하는 것으로 하면, 자외선에 의해 신틸레이터(5)가 변색되고, 발생한 형광이 흡수될 우려가 있다.

이에 대하여, 밀봉부(8)는 열가소성 수지를 주성분으로 포함하고 있으므로, 가열에 의해 용이하게 접합을 실시할 수 있다. 또한, 신틸레이터(5)가 자외선에 의해 변색되는 일도 없다. 또한, 밀봉부(8)의 가열과 냉각에 요하는 시간은 단시간에 그치므로, 제조 시간의 단축, 나아가 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다.

열가소성 수지는 예를 들어, 나일론, PET(Polyethyleneterephthalate), 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리염화비닐, ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), 아크릴, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등으로 할 수 있다. 이 경우, 폴리에틸렌의 수증기 투과 계수는 0.068 g·㎜/day·㎡이며, 폴리프로필렌의 수증기 투과 계수는 0.04 g·㎜/day·㎡이다. 그 때문에, 밀봉부(8)가 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 중 적어도 어느 하나를 주성분으로서 포함하고 있으면, 밀봉부(8)의 내부를 투과하여 신틸레이터(5)에 도달하는 수분을 대폭 작게 할 수도 있다.

열가소성 수지의 강성은 방습부(7)의 강성보다 낮게 할 수 있다.

또한, 밀봉부(8)는 무기 재료를 사용한 필러를 추가로 포함할 수 있다. 무기 재료로 이루어진 필러가 밀봉부(8)에 포함되어 있으면, 수분의 투과를 더욱 억제할 수 있다. 무기 재료는 예를 들어, 탈크, 그래파이트, 운모, 카올린(카올리나이트를 주성분으로 하는 점토) 등으로 할 수 있다. 필러는 예를 들어, 편평한 형태를 갖는 것으로 할 수 있다. 외부로부터 밀봉부(8)의 내부에 침입한 수분은 무기 재료로 이루어진 필러에 의해 확산이 저해되므로, 수분이 밀봉부(8)를 통과하는 속도를 감소시킬 수 있다. 그 때문에, 신틸레이터(5)에 도달하는 수분의 양을 적게 할 수 있다.

여기에서, 고온 다습한 환경에 보관되어 있던 X선 검출기(1)가, 보다 낮은 온도의 환경에서 사용되는 경우가 있는, 이와 같은 경우에는 하우징체의 내부에 있는 수증기가 결로되어, X선 검출기(1)의 표면에 부착되는 경우가 있다. 밀봉부(8)의 외면(8a)에 미세한 균열이 있으면, 표면에 부착된 수분이 균열에 침입하여 밀봉부(8)의 내부로 인도될 우려가 있다. 또한, X선 검출기(1)가 빙점 이하의 환경으로 반송되어, 균열에 침입한 수분이 동결되는 경우가 있다. 균열에 침입한 수분이 동결되면 체적이 커지므로, 균열이 커짐과 함께 수분이 더욱 침입하기 쉬워진다. 이상의 것이 반복되면 밀봉부(8)의 파손, 방습부(7)와 밀봉부(8)의 박리, 어레이 기판(2)과 밀봉부(8)의 박리 등이 발생할 우려가 있다.

그 때문에, 밀봉부(8)의 적어도 외면(8a)은 발수성을 갖는 것으로 하는 것이 바람직하다. 밀봉부(8)의 적어도 외면(8a)이 발수성을 갖고 있으면, 균열에 수분이 침투하는 것을 억제할 수 있다.

예를 들면, 밀봉부(8)의 외면(8a)에 발수제를 도포할 수 있다. 또한, 밀봉부(8)가 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 중 적어도 어느 하나를 주성분으로 포함하고 있으면, 발수성을 갖는 외면(8a)으로 할 수 있다.

또한, 열가소성 수지를 틀 형상으로 도포한 직후에, 내부를 관찰하고 거품, 이물질, 리크 경로 등의 유무를 체크하는 것이 바람직하다. 이와 같은 체크가 육안 관찰 또는 광학 현미경을 사용하여 실시할 수 있으면, 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 틀 형상으로 도포된 열가소성 수지는 두께가 가장 두꺼운 부분에서도 투명한 것이 바람직하다. 즉, 밀봉부(8)는 투광성을 갖는 것으로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 거품, 이물질, 리크 경로 등이 있어 수명이 짧아질 우려가 있는 제품을 용이하게 제거할 수 있다. 그 때문에, 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.

다음에, 도 1로 돌아가, 회로 기판(11)에 대하여 설명한다.

도 1에 도시한 바와 같이, 회로 기판(11)은 어레이 기판(2)의, 신틸레이터(5)가 설치되는 측과는 반대측에 설치되어 있다. 회로 기판(11)은 X선 검출 모듈(10)(어레이 기판(2))과 전기적으로 접속되어 있다.

도 3에 도시한 바와 같이, 회로 기판(11)에는 판독 회로(11a) 및 신호 검출 회로(11b)가 설치되어 있다. 또한, 이들 회로를 하나의 기판에 설치할 수도 있고, 이들 회로를 복수의 기판에 나누어 설치할 수도 있다.

판독 회로(11a)는 박막 트랜지스터(2b2)의 온 상태와 오프 상태를 전환한다.

판독 회로(11a)는 복수의 게이트 드라이버(11aa)와 행 선택 회로(11ab)를 갖는다.

행 선택 회로(11ab)에는 X선 검출기(1)의 외부에 설치된 도시하지 않은 화상 처리부 등으로부터 제어 신호(S1)가 입력된다. 행 선택 회로(11ab)는 X선 화상의 주사 방향을 따라서, 대응하는 게이트 드라이버(11aa)에 제어 신호(S1)를 입력한다.

게이트 드라이버(11aa)는 대응하는 제어 라인(2c1)에 제어 신호(S1)를 입력한다.

예를 들어, 판독 회로(11a)는 플렉시블 프린트 기판(2e1)을 통하여 제어 신호(S1)를 각 제어 라인(2c1)마다 순차적으로 입력한다. 제어 라인(2c1)에 입력된 제어 신호(S1)에 의해 박막 트랜지스터(2b2)가 온 상태가 되고, 축적 커패시터로부터의 전하(화상 데이터 신호(S2))를 수신할 수 있게 된다.

신호 검출 회로(11b)는 복수의 적분 앰프(11ba), 복수의 선택 회로(11bb), 및 복수의 AD 컨버터(11bc)를 갖고 있다.

하나의 적분 앰프(11ba)는 하나의 데이터 라인(2c2)과 전기적으로 접속되어 있다. 적분 앰프(11ba)는 광전 변환부(2b)로부터의 화상 데이터 신호(S2)를 순차 수신한다. 그리고, 적분 앰프(11ba)는 일정 시간 내에 흐르는 전류를 적분하고, 그 적분값에 대응한 전압을 선택 회로(11bb)에 출력한다. 이와 같이 하면, 소정 시간 내에 데이터 라인(2c2)을 흐르는 전류의 값(전하량)을 전압값으로 변환하는 것이 가능해진다. 즉, 적분 앰프(11ba)는 신틸레이터(5)에서 발생한 형광의 강약 분포에 대응한 화상 데이터 정보를, 전위 정보로 변환한다.

선택 회로(11bb)는 판독을 실시하는 적분 앰프(11ba)를 선택하고, 전위 정보로 변환된 화상 데이터 신호(S2)를 순차적으로 판독한다.

AD 컨버터(11bc)는 판독된 화상 데이터 신호(S2)를 디지털 신호로 순차적으로 변환한다. 디지털 신호로 변환된 화상 데이터 신호(S2)는 배선을 통하여 화상 처리부에 입력된다. 또한, 디지털 신호로 변환된 화상 데이터 신호(S2)는 무선에 의해 화상 처리부에 송신되도록 해도 된다.

화상 처리부는 디지털 신호로 변환된 화상 데이터 신호(S2)에 기초하여 X선 화상을 구성한다. 또한, 화상 처리부는 회로 기판(11)과 일체화할 수도 있다.

다음에, 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈에 대하여 설명한다.

도 4의 (a), (b)는 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10a)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

후술하는 바와 같이, 밀봉부(8)는 연화시킨 열가소성 수지를 어레이 기판(2) 상에 틀 형상으로 도포하거나, 3D 프린터 등으로 열가소성 수지를 어레이 기판(2) 상에 틀 형상으로 설치함으로써 형성된다. 그 때문에, 밀봉부(8)의 치수가 편차가 생기는 경우가 있다.

밀봉부(8)의 치수에 편차가 생기면 방습부(7)의 둘레단면(7a)이 어레이 기판(2)과 간섭하여, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방에 주름 등이 발생하는 경우가 있다. 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방에 주름 등이 발생하면, 방습부(7)의 박리 등이 발생할 우려가 있다.

이 경우, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 방습부(17)의 둘레단면(17a)과 어레이 기판(2) 사이에 거리(H1)가 설치되도록 할 수 있다. 예를 들어, 시트상을 나타내는 방습부(17)의 치수를 약간 짧게 해두면 좋다. 이와 같이 하면, 밀봉부(8)의 치수가 편차가 생겨도, 방습부(17)의 둘레 가장자리 근방에 주름이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

이 경우, 거리(H1)가 너무 커지면 밀봉부(8)의 내부에 침입하는 수분이 많아질 우려가 있다. 본 발명자들이 얻은 견지에 따르면, 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 거리(H1)가 밀봉부(8)의 높이(H2)의 절반 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 거리(H1)가 보다 작아지면, 밀봉부(8)의 내부에 침입하는 수분이 보다 작아진다.

도 5는 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10b)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

도 6(a)는 방습부(17)의 모식 평면도이다.

도 6(b)는 방습부(17)의 모식 사시도이다.

도 5에 도시한 바와 같이, 방습부(17)의 둘레 가장자리 근방을 어레이 기판(2)을 따라 절곡할 수도 있다. 즉, 방습부(17)의 둘레 가장자리에는 어레이 기판(2)을 따른 절곡부(17b)를 설치할 수 있다. 이 경우, 절곡부(17b)는 어레이 기판(2)에 접착할 수도 있다. 이와 같이 하면, 밀봉부(8)의 외면(8a)을 방습부(17)에 의해 덮을 수 있으므로, 방습부(17)의 내부에 수분이 침입하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 절곡부(17b)의 치수를 너무 크게 하면, X선 검출 모듈(10b)의 소형화, 나아가서는 X선 검출기(1)의 소형화를 도모할 수 없게 될 우려가 있다. 그 때문에, 절곡부(17b)의 치수는 예를 들어, 2 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다.

또한, 방습부(17)의 둘레 가장자리 근방을 절곡하면 이하의 문제가 발생한다.

방습부(17)는 뒤틀림이나 요철이 없는 시트를 사용하여 형성할 수 있다. 방습부(17)가 되는 시트를 신틸레이터(5)에 씌우면, 시트는 신틸레이터(5)의 두께 분량 만큼 어레이 기판(2)로부터 뜬 상태가 된다. 이와 같은 상태에 있는 시트의 둘레 가장자리 근방을 밀봉부(8)를 따라서 어레이 기판(2)측으로 구부리는 것은 용이하고, 시트에 연신의 응력은 거의 가해지지 않는다.

그런데, 틀 형상을 나타내는 밀봉부(8)의 코너 부분에서는 시트를 변과 동일한 형태로 절곡하는 것은 기하학적으로 불가능하다. 그 때문에, 시트의 일부를 연신함으로써 밀봉부(8)를 따르도록 할 필요가 있다.

방습부(17)에는 외부로부터의 수분을 차폐하는 기능이 요구되지만, 시트의 일부를 연신하면, 그 부분이 얇아지거나 미세한 균열이 발생하거나 핀홀이 발생할 우려가 있다. 균열이나 핀홀이 발생하면 수분을 차폐하는 능력이 저하된다.

이 경우, 도 6의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 방습부(17)의 코너부에 외측을 향하여 돌출되는 볼록 형상의 볼록부(17c)를 설치하면, 상술한 기하학적 비틀림을 흡수할 수있다. 그 때문에, 시트의 일부가 연신되는 것을 억제할 수 있으므로, 균열이나 핀홀이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

도 7은 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10c)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

상술한 바와 같이 어레이 기판(2)의 재료, 신틸레이터(5)의 재료, 방습부(7)의 재료 및 밀봉부(8)의 재료는 다르다. 그 때문에, 각각이 다른 선 팽창 계수를 갖고 있다. 여기에서, X선 검출 모듈(10c)이 기동하고 있는 동안에는 열이 발생하므로, 이들 온도가 높아진다. 또한, X선 검출기(1)의 주위 온도가 변화되는 경우도 있다. 그 때문에, 온도 변화에 따라 이들 사이에 열 응력이 발생한다. 이 경우, 방습부(7)에 인장 응력(F)이 발생하면, 인장 응력(F)이 방습부(7)와 밀봉부(8)의 접합 부분, 또는 밀봉부(8)와 어레이 기판(2)의 접합 부분에 인가되어, 박리나 파단 등이 발생할 우려가 있다. 박리나 파단 등이 발생하면 수분이 신틸레이터(5)에 도달하기 쉬워진다. 또한, 어레이 기판(2)에 휨 등의 변형이 발생할 우려도 있다.

그래서, 본 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10c)에서는 밀봉부(8)의 외면(8a)에 오목부(8a1)를 설치하고 있다. 오목부(8a1)가 설치되어 있으면, 오목부(8a1)의 근방이 변형되기 쉬워진다. 그 때문에, 오목부(8a1)의 근방이 변형됨으로써, 발생한 인장 응력(F)을 완화시킬 수 있다.

또한, 방습부(7)의, 오목부(8a1)에 대치되는 부분에 굴곡부(7c)를 설치할 수 있다. 굴곡부(7c)는 방습부(7)의, 굴곡부(7c)가 설치되어 있지 않은 부분보다 탄성 변형을 용이하게 할 수 있다. 굴곡부(7c)가 설치되어 있으면, 굴곡부(7c)가 탄성 변형됨으로써 발생한 인장 응력(F)을 완화시킬 수 있다. 이 경우, 굴곡부(7c)와 오목부(8a1)는 접촉시켜도 되고, 도 7에 도시한 바와 같이 굴곡부(7c)와 오목부(8a1) 사이에 간극을 설치해도 된다. 굴곡부(7c)와 오목부(8a1)가 접촉되어 있으면, 굴곡부(7c)의 강성을 높일 수 있으므로, 굴곡부(7c)에 파단이나 핀홀이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 굴곡부(7c)와 오목부(8a1) 사이에 간극이 설치되어 있으면, 굴곡부(7c)의 변형이 용이해지므로, 인장 응력(F)의 완화가 용이해진다.

인장 응력(F)을 완화시킬 수 있으면, 방습부(7)의 박리나 파단 등을 억제할 수 있다. 또한, 어레이 기판(2)에 휨 등의 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 후술하는 도 15에 도시한 바와 같이, 밀봉부(8)의 외면(8a)에는 볼록부(18c)를 설치할 수도 있다. 또한, 볼록부(18c)에 관한 상세한 내용은 후술한다.

도 8은 다른 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10d)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

도 8에 도시한 바와 같이, 밀봉부(8)의 높이(H3)는 신틸레이터(5)의 높이(H4)보다 낮게 할 수 있다. 밀봉부(8)의 높이(H3)가 신틸레이터(5)의 높이(H4)보다 낮으면, 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방을 휘게 할 수 있다. 즉, 이와 같이 하면 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방의 굴곡부(7d)를 설치하는 것이 용이해진다. 굴곡부(7d)는 방습부(7)의, 굴곡부(7d)가 설치되어 있지 않은 부분보다 탄성 변형을 용이하게 할 수 있다. 굴곡부(7d)가 설치되어 있으면, 상술한 굴곡부(7c)와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 즉, 굴곡부(7d)가 탄성 변형됨으로써, 발생한 인장 응력(F)을 완화시킬 수 있으므로, 방습부(7)의 박리나 파단 등이 발생하거나, 어레이 기판(2)에 휨 등의 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

예를 들어, 알루미늄박을 이용한 방습부(7)의 선 팽창 계수는 23 × 10^-6 정도가 된다. 어레이 기판(2)의 선팽창 계수는 4 × 10^-6 정도가 된다. 그 때문에, 밀봉부(8)에 고정된 방습부(7)의 온도가 저하되면, 방습부(7)가 어레이 기판(2)보다 크게 수축된다. 이 경우, 방습부(7)가 거의 완전한 평면 형상으로 되어 있으면, 수축량의 차를 흡수할 수 없고, 어레이 기판(2)에 휨이 발생한다. 이에 대하여, 굴곡부(7c, 7d)가 설치되어 있으면, 수축량의 차를 흡수할 수 있으므로, 어레이 기판(2)에 휨이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

이 경우, 신틸레이터(5)의 높이(H4)와, 밀봉부(8)의 높이(H3)의 차는 방습부(7)의 두께 이상으로 할 수 있다. 예를 들어, 신틸레이터(5)의 높이(H4)와, 밀봉부(8)의 높이(H3)의 차는 0.1 ㎜ 이상으로 할 수 있다. 한편, 밀봉부(8)의 높이(H3)를 너무 낮게 하면, 정전기 등의 높은 전압이 인가되었을 때, 방습부(7)와 어레이 기판(2)과 쇼트될 우려가 있다. 그 때문에, 신틸레이터(5)의 높이(H4)와, 밀봉부(8)의 높이(H3)의 차는 0.5 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 즉, 신틸레이터(5)의 높이(H4)와, 밀봉부(8)의 높이(H3)의 차는 0.1 ㎜ 이상, 0.5 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다.

본 발명자들이 얻은 견지에 의하면, 밀봉부(8)의 높이(H3)는 신틸레이터(5)의 높이(H4)의 30 % 이상, 70 % 이하로 하는 것이 바람직하다. 밀봉부(8)의 높이(H3)를 이와 같이 하면, 상술한, 어레이 기판(2)의 휨의 억제, 단위 시간 당의 투습량의 저감, 밀봉부(8)의 형성에 필요해지는 재료의 양의 저감 등을 도모할 수 있다.

예를 들어, 단위 시간당 투습량의 저감 효과는 이하와 같이 생각할 수 있다.

방습부(7)와 밀봉부(8)의 합계의, 단위 시간당의 투습량을 Q, 방습부(7)의 단위 시간당의 투습량을 Q7, 밀봉부(8)의 단위 시간당의 투습량을 Q8로 하면 이하의 식이 성립한다.

이 경우, Q7은 대략 일정한 것으로 생각되므로, Q의 증감은 Q8의 증감에 의해 거의 결정된다.

여기에서, 밀봉부(8)의 투습 계수를 P, 밀봉부(8)의 투습 단면적을 S(㎟), 밀봉부(8)의 투습폭을 W, 밀봉부(8)의 둘레 길이를 L(㎜), 밀봉부(8)의 높이를 H(㎜)로 하면 이하의 식이 성립한다.

그 때문에, 밀봉부(8)의 높이(H)를 작게 하면, 밀봉부(8)의 단위 시간당의 투습량(Q8)을 작게 할 수 있고, 나아가서는 방습부(7)와 밀봉부(8) 합계의, 단위 시간당의 투습량(Q)을 작게 할 수 있다.

즉, 방습성의 향상을 도모할 수 있으므로, X선 검출 모듈(10)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

도 9(a), (b)는 다른 실시 형태에 관한 굴곡부(7e)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.

도 9(a), (b)에 도시한 바와 같이, 굴곡부(7e)는 방습부(7)의, 신틸레이터(5)의 상면(5b)과 대치되는 영역에 설치할 수도 있다. 굴곡부(7e)는 예를 들어, 엠보스 형상을 나타내는 것으로 할 수 있다. 굴곡부(7e)의 신틸레이터(5)측과는 반대측의 면(X선이 입사하는 측의 면)은 방습부(7)의 신틸레이터(5)측과는 반대측의 면으로부터 외부를 향하여 돌출되어 있다. 굴곡부(7e)의 신틸레이터(5)의 면은 방습부(7)의 신틸레이터(5)측의 면으로부터 외부를 향하여 돌출되어 있다.

굴곡부(7e)의 두께 치수는 방습부(7)의, 굴곡부(7e)가 설치되어 있지 않은 부분의 두께 치수와 거의 동일하게 할 수 있다. 굴곡부(7e)는 예를 들어, 시트상의 방습부(7)에 프레스 각인 금형에 의한 프레스 가공(엠보스 가공)을 실시함으로써 형성할 수 있다. 또한, 수지막과 무기 재료로 이루어진 막이 적층된 저투습 방습막이어도 프레스 각인 금형에 의한 프레스 가공(엠보스 가공)을 실시함으로써 굴곡부(7e)를 형성할 수 있다.

굴곡부(7e)의 높이 치수는 방습부(7)의, 굴곡부(7e)가 설치되어 있지 않은 부분의 두께 치수보다 크게 할 수 있다. 굴곡부(7e)의 폭 치수, 수, 배치 등에는 특별히 한정은 없다. 굴곡부(7e)의 폭 치수, 수, 배치 등은 상술한 열수축량의 크기나, 방습부(7)의 크기 등에 따라 적절히 결정할 수 있다.

굴곡부(7e)는 방습부(7)의, 굴곡부(7e)가 설치되어 있지 않은 부분보다 탄성 변형을 용이하게 할 수 있다. 그 때문에, 굴곡부(7e)가 탄성 변형됨으로써, 선팽창 계수의 차에 기초하는 열수축량의 차를 흡수할 수 있다. 그 때문에, 굴곡부(7e)를 설치하도록 하면, 어레이 기판(2)에 휨이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

이 경우, 도 9(a)에 도시한 바와 같이, 방습부(7)에 굴곡부(7e)만을 설치하도록 할 수도 있고, 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 방습부(7)에 굴곡부(7e)를 설치하고, 또한 방습부(7)의 둘레 가장자리 근방에 굴곡부(7d, 7c)를 설치할 수도 있다.

도 10은 비교예에 관한 X선 검출 모듈(110)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

도 10에 도시한 바와 같이 밀봉부(8)가 어레이 기판(2)과 접합되고, 신틸레이터(5)의 측면(5a)과는 접합되어 있지 않으면, 밀봉부(8)의 박리가 발생하기 쉬워진다. 예를 들면, 상술한 바와 같이 기동에 의한 온도 변화나 주위 온도의 변화에 의해 열 응력이 발생한다. 이 경우, 밀봉부(8)가 어레이 기판(2)밖에 접합되어 있지 않으면, 밀봉부(8)의 접합 강도가 낮아진다. 그 때문에, 발생한 열 응력에 의해, 밀봉부(8)의 박리가 발생할 우려가 있다.

이에 대하여, 본 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10,10a~10c)에서는, 밀봉부(8)는 신틸레이터(5)의 측면(5a)과 어레이 기판(2)에 접합되어 있다. 또한, 밀봉부(8)는 신틸레이터(5)의 측면(5a)과 밀착되어 있다. 또한, 밀봉부(8)의 일부가 신틸레이터(5) 측면(5a)의 요철의 내부에 설치되어 있다. 그 때문에, 밀봉부(8)의 접합 강도를 높게 할 수 있으므로, 열 응력에 의해 밀봉부(8)가 박리되는 것을 억제할 수 있다.

도 11은 비교예에 관한 X선 검출 모듈(110a)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

도 11에 도시한 바와 같이, 밀봉부(118)의 외면(118a)의 노출부(118a1)는 어레이 기판(2)측이 됨에 따라 신틸레이터(5)에 근접하는 방향으로 경사지는 경사면으로 되어 있다. 그 때문에, 어레이 기판(2)의 근방에서 밀봉부(118)의 외면(118a)과 신틸레이터(5)의 측면(5a) 사이의 거리(L)가 짧아진다. 그 때문에, 대기에 포함되어 있는 수분 등이, 밀봉부(118)와 어레이 기판(2) 사이를 투과하여 신틸레이터(5)에 도달하기 쉬워진다.

이에 대하여, 본 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10, 10a~10c)에서는 밀봉부(8)의 외면(8a)의 형상은 외측에 돌출되는 곡면으로 되어 있다. 그 때문에, 어레이 기판(2)의 근방에서 밀봉부(18)의 외면(18a)과 신틸레이터(5)의 측면(5a) 사이의 거리(L)를 길게 할 수 있으므로, 대기에 포함되어 있는 수분 등이 신틸레이터(5)에 도달하기 어려워진다.

도 12는 비교예에 관한 X선 검출 모듈(110b)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

도 12에 도시한 바와 같이, 밀봉부(128)의 높이가 신틸레이터(5)의 높이보다 높으면, 방습부(17)가 되는 시트를 씌울 때 무리하게 변형시킬 필요가 있다. 그 때문에, 방습부(17)에 주름, 파단, 핀홀 등이 발생하기 쉬워진다.

또한, 밀봉부(128)의 외면(128a)의 노출 부분이 커지기 쉬워진다. 노출 부분이 커지면 수분의 투과 단면이 커지므로, 보다 많은 수분이 밀봉부(128)의 내부에 침입하기 쉬워진다.

이에 대하여, 본 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10, 10a~10c)에서는 밀봉부(8)의 높이가 신틸레이터(5)의 높이 이하로 되어 있으므로, 방습부(7)가 되는 시트를 무리 없이 변형시킬 수 있다. 그 때문에, 방습부(7)에 주름, 파단, 핀홀 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

도 13은 비교예에 관한 X선 검출 모듈(110c)을 예시하기 위한 모식 단면도이다.

도 13에 도시한 바와 같이, 밀봉부(138)의 외면(138a)이 어레이 기판(2)에 수직인 평면으로 되어 있으면, 외면(138a)을 방습부(117)로 덮는 것이 어려워진다. 외면(138a)이 방습부(117)에 의해 덮여 있지 않으면 수분의 투과 단면이 커지므로, 보다 많은 수분이 밀봉부(138)의 내부에 침입하기 쉬워진다. 이 경우, 방습부(117)의 둘레 가장자리 근방(117a)을 절곡하여 외면(138a)을 덮도록 하면, 절곡부(117b)에 균열이나 파단이 생기기 쉬워진다. 균열이나 파단이 발생하면 균열이나 파열을 통하여 수분이 침입할 우려가 있다.

이에 대하여, 본 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10, 10a~10c)에서는 밀봉부(8)의 외면(8a)의 형상은 외측에 돌출되는 곡면으로 이루어져 있다. 그 때문에, 외면(8a)을 밀봉부(7)에 의해 덮을 때 밀봉부(7)를 무리하게 구부리는 것이 필요해지는 부분이 생기지 않는다. 그 때문에, 균열이나 파단이 발생하지 않고, 외면(8a)을 밀봉부(7)에 의해 덮을 수 있다.

(X선 검출 모듈의 제조 방법, 및 X선 검출기의 제조 방법)

다음에, X선 검출 모듈의 제조 방법, 및 X선 검출기의 제조 방법에 대해서 예시한다.

우선, 기판(2a) 상에 제어 라인(2c1), 데이터 라인(2c2), 배선 패드(2d1), 배선 패드(2d2), 광전 변환부(2b), 및 보호층(2f) 등을 순차적으로 형성하여 어레이 기판(2)을 제조한다. 어레이 기판(2)은 예를 들어, 반도체 제조 공정을 이용하여 제조할 수 있다. 또한, 어레이 기판(2)의 제조에는 이미 알려진 기술을 적용할 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.

다음에, 기판(2a) 상의 유효 화소 영역 A를 덮도록 신틸레이터(5)를 형성한다.

예를 들어, 신틸레이터(5)는 진공 증착법을 이용하여 형성할 수 있다. 진공 증착법을 이용하여 신틸레이터(5)를 형성하면, 복수의 기둥상 결정의 집합체로 이루어진 신틸레이터(5)가 형성된다. 신틸레이터(5)의 두께는 X선 검출기(1)에 요구되는 DQE 특성, 감도 특성, 해상도 특성 등에 따라 적절히 변경할 수 있다. 신틸레이터(5)의 두께는 예를 들어, 600 ㎛ 정도로 할 수 있다.

또한, 발광 물질과 바인더재를 혼합하고, 혼합된 재료를 유효 화소 영역 A를 덮도록 도포하고, 이를 소성하여 소성된 재료에 매트릭스상의 홈부을 형성하고 복수의 광전 변환부(2b)마다 사각 기둥 형상의 신틸레이터(5)가 설치되도록 해도 된다.

다음에, 신틸레이터(5) 상에 반사층(6)을 형성한다.

예를 들어, 반사층(6)은 복수의 광산란성 입자, 수지 및 용매를 혼합한 도포액을 신틸레이터(5) 상에 도포하고, 이를 건조시킴으로써 형성할 수 있다.

또한 예를 들어, 은 합금이나 알루미늄 등의 광 반사율이 높은 금속으로 이루어진 층을 신틸레이터(5) 상에 성막함으로써 반사층(6)을 형성할 수도 있다.

또한 예를 들어, 표면이 은 합금이나 알루미늄 등의 광 반사율이 높은 금속으로 이루어지는 시트나, 광 산란성 입자를 포함하는 수지 시트 등을 신틸레이터(5) 상에 설치하거나, 첩부하거나 반사층(6)을 설치할 수도 있다.

다음에, 밀봉부(8)를 형성한다.

예를 들어, 용제를 사용하여 열가소성 수지를 연화시키고, 연화시킨 열가소성 수지를 신틸레이터(5)의 주위에 틀 형상으로 도포하고, 용제를 증발시켜 열가소성 수지를 고화하여 밀봉부(8)를 형성할 수 있다.

또한 예를 들어, 열가소성 수지를 가열함으로써 연화시키고, 연화시킨 열가소성 수지를 신틸레이터(5)의 주위에 틀 형상으로 도포하고, 방열 등에 의해 열가소성 수지를 고화시켜 밀봉부(8)를 형성할 수 있다.

또한 예를 들어, 3D 프린터 등을 이용하여 틀 형상의 밀봉부(8)를 형성할 수도 있다.

도 14는 비교예에 관한 열가소성 수지(18)의 도포를 예시하기 위한 모식 사시도이다. 상술한 바와 같이, 연화시킨 열가소성 수지(18)는 틀 형상으로 도포된다. 그 때문에, 이음매(18a)가 적어도 한군데 생기게 된다. 연화시킨 열가소성 수지(18)를 틀 형상으로 도포하는 경우, 열가소성 수지(18)의 단위 시간 당의 공급량을 일정하게 하거나, 열가소성 수지(18)를 토출하는 노즐의 이동 속도 B를 일정하게 하면, 도 14에 도시한 바와 같이, 공급의 시작점과 공급의 종료점의 이음매(18a)에 함몰부(18b)가 생성되는 경우가 있다. 예를 들어, 공급의 시작점과 공급의 종료점이 떨어져 있으면, 공급의 시작점과 공급의 종료점의 이음매(18a)에, 주위보다 높이가 낮고 급준한 함몰부(18b)가 생성되는 경우가 있다. 급준한 함몰부(18b)가 생성하면, 방습부(7)가 되는 시트가 함몰부(18b)를 따를 수 없어 리크 경로가 발생할 우려가 있다. 리크 경로의 부분에는 방습부(7)와 밀봉부(8)의 외면(8a)이 접합되어 있지 않고, 리크 경로를 통하여 수분이 침입하기 쉬워진다.

도 15는 본 실시 형태에 관한 열가소성 수지(18)의 도포를 예시하기 위한 모식 사시도이다.

도 15에 도시한 바와 같이, 이음매(18a)에 볼록부(18c)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 이음매(18a)의 부분에서 열가소성 수지(18)의 단위 시간 당의 공급량을 증가시키거나, 노즐의 이동 속도 B를 느리게 함으로써 볼록부(18c)를 형성할 수 있다. 이 경우, 완만한 외면을 갖고, 높이가 낮은 볼록부(18c)가 형성되도록 하는 것이 바람직하다.

급준한 함몰부(18b)에 비하여 볼록부(18c)에 방습부(7)가 되는 시트를 따르게 하는 것은 용이하다. 그 때문에, 리크 경로가 발생하는 것을 억제할 수 있다.

다음에, 방습부(7)가 되는 시트를 신틸레이터(5), 반사층(6) 및 밀봉부(8)에 씌우고 시트의 둘레 가장자리 근방을 밀봉부(8)의 외면(8a)에 접합한다.

예를 들어, 시트의 둘레 가장자리 근방을 밀봉부(8)의 외면(8a)에 억압한 상태로 시트를 가열하고, 밀봉부(8)의 외면(8a)을 용융시켜 방습부(7)를 접합할 수 있다. 시트가 밀봉부(8)의 외면(8a)에 접합됨으로써 방습부(7)가 형성된다.

시트의 접합은 대기압보다 감압된 환경에서 실시할 수 있다.

대기압보다 감압된 환경에서 시트를 밀봉부(8)의 외면(8a)에 접합한다.

그렇게 함으로써, 방습부(7)의 내부에 수증기를 포함하는 공기가 수납되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 항공기에 의해 X선 검출기(1)를 수송하는 경우 등과 같이 X선 검출기(1)가 대기압보다 감압된 환경에 놓여지는 경우에도, 방습부(7)의 내부에 있는 공기에 의해 방습부(7)가 팽창하거나 변형되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 대기압에 의해 방습부(7)가 억압되므로, 방습부(7)가 신틸레이터(5)에 밀착된다.

이상과 같이 하여, X선 검출 모듈(10, 10a~10c)을 제조할 수 있다.

다음에, 플렉시블 프린트 기판(2e1, 2e2)을 통하여 어레이 기판(2)과 회로 기판(11)을 전기적으로 접속한다.

그 밖에, 회로 부품 등을 적절하게 실장한다.

다음에, 도시하지 않는 하우징체의 내부에 어레이 기판(2), 회로 기판(11) 등을 격납한다.

이 경우, 어레이 기판(2)의 휨이 크면, 어레이 기판(2)이 하우징체의 내부에 격납되어 있는 부재와 간섭하거나, 어레이 기판(2)이 하우징체의 내벽에 간섭할 우려가 있다. 상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈(10)로 하면, 어레이 기판(2)의 휨을 억제할 수 있으므로, 조립 공정에서의 작업의 원활화를 도모할 수 있다.

또한 필요에 따라, 광전 변환 소자(2b1)의 이상의 유무나 전기적인 접속의 이상의 유무를 확인하는 전기 시험, X선 화상 시험 등을 실시할 수 있다.

이상과 같이 하여, X선 검출기(1)를 제조할 수 있다.

또한, 제품의 방습 신뢰성이나 온도 환경의 변화에 대한 신뢰성을 확인하기 위해 고온 고습 시험, 냉열 사이클 시험 등을 실시할 수도 있다.

이상에 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 X선 검출 모듈의 제조 방법은 이하의 공정을 구비할 수 있다.

어레이 기판(2)에 설치된 복수의 광전 변환부(2b) 상에, 신틸레이터(5)를 형성하는 공정.

연화시킨 열가소성 수지(18)를 신틸레이터(5) 주위에 틀 형상으로 도포하여밀봉부(8)를 형성하는 공정.

방습부(7)가 되는 시트를, 신틸레이터(5) 및 밀봉부(8)에 씌우고, 시트의 둘레 가장자리 근방을 가열하고, 시트의 둘레 가장자리 근방을 밀봉부(8)의 외면(8a)에 접합하는 공정.

이 경우, 밀봉부(8)를 형성하는 공정에서 도포의 이음매(18a)에 볼록부(18c)를 형성할 수 있다.

이상, 본 발명의 몇 가지 실시 형태를 예시했지만, 이들 실시 형태는 예로서제시한 것이고 발명의 범위를 한정하려는 의도는 없다. 이들 신규의 실시 형태는 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 여러 가지 생략, 치환, 변경 등을 실시할 수 있다. 이러한 실시 형태나 그 변형예는 발명의 범위나 요지에 포함되고, 또한 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다. 또한, 상술한 각 실시 형태는 상호 조합하여 실시할 수 있다.

Claims (26)

1. 복수의 광전 변환부를 갖는 어레이 기판,
   상기 복수의 광전 변환부 상에 설치된 신틸레이터,
   열가소성 수지를 주성분으로 포함하고, 상기 신틸레이터의 주위에 설치되며, 상기 어레이 기판과 상기 신틸레이터에 접합된 틀 형상의 밀봉부, 및
   상기 신틸레이터의 상방을 덮고, 둘레 가장자리 근방이 상기 밀봉부의 외면에 접합된 방습부,
   를 구비하고,
   상기 밀봉부의 외면의 형상은 외측에 돌출되는 곡면인, 방사선 검출 모듈.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 방습부의 둘레단면은 상기 어레이 기판과 접촉되어 있는, 방사선 검출 모듈.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 방습부의 둘레단면은 상기 어레이 기판의 근방에 설치되어 있는, 방사선 검출 모듈.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 방습부의 둘레단면과 상기 어레이 기판 간의 거리는 상기 밀봉부의 높이의 반 분량 이하인, 방사선 검출 모듈.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 방습부의 둘레 가장자리에는 상기 어레이 기판을 따르는 절곡부가 설치되어 있는, 방사선 검출 모듈.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 방습부의 코너부에는 외측을 향하여 돌출되는 볼록부가 설치되어 있는, 방사선 검출 모듈.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 밀봉부의 외면에는 오목부가 설치되어 있는, 방사선 검출 모듈.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 방습부의 상기 오목부에 대치되는 부분에는 굴곡부가 설치되어 있는, 방사선 검출 모듈.
9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 밀봉부의 외면에는 볼록부가 설치되어 있는, 방사선 검출 모듈.
10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀봉부의 높이는 상기 신틸레이터의 높이 이하인, 방사선 검출 모듈.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 신틸레이터의 높이와, 상기 밀봉부의 높이의 차는 0.1 ㎜ 이상, 0.5 ㎜ 이하인, 방사선 검출 모듈.
12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 밀봉부의 높이는 상기 신틸레이터의 높이의 30 % 이상, 70 % 이하인, 방사선 검출 모듈.
13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 신틸레이터의 측면에는 요철이 설치되고,
    상기 밀봉부의 일부는 상기 신틸레이터의 측면의 요철의 내부에 설치되어 있는, 방사선 검출 모듈.
14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀봉부는 투광성을 갖는, 방사선 검출 모듈.
15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀봉부 중 적어도 외면은 발수성을 갖는, 방사선 검출 모듈.
16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열가소성 수지는 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 중 적어도 어느 하나인, 방사선 검출 모듈.
17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열가소성 수지는 무기 재료를 사용한 필러를 추가로 포함하는, 방사선 검출 모듈.
18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방습부는 금속을 포함하는 시트, 수지막과 금속막이 적층된 적층 시트, 및 수지막과 무기막이 적층된 적층 시트 중 적어도 어느 하나인, 방사선 검출 모듈.
19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방습부의 두께는 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하인, 방사선 검출 모듈.
20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방습부는 굴곡부를 갖고,
    상기 굴곡부는 상기 방습부의, 상기 굴곡부가 설치되어 있지 않은 부분보다, 탄성 변형이 용이한, 방사선 검출 모듈.
21. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열가소성 수지의 강성은 상기 방습부의 강성보다 낮은, 방사선 검출 모듈.
22. 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀봉부와 상기 방습부에 의해 구획된 공간의 압력은 대기압보다 낮은, 방사선 검출 모듈.
23. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 신틸레이터는 아이오딘화 세슘(CsI) : 탈륨(Tl)을 포함하는, 방사선 검출 모듈.
24. 제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 신틸레이터와 상기 방습부 사이에 설치된 반사층을 추가로 구비한, 방사선 검출 모듈.
25. 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 기재된 방사선 검출 모듈, 및
    상기 방사선 검출 모듈과 전기적으로 접속된 회로 기판
    을 구비한, 방사선 검출기.
26. 어레이 기판에 설치된 복수의 광전 변환부 상에, 신틸레이터를 형성하는 공정,
    연화시킨 열가소성 수지를 상기 신틸레이터의 주위에 틀 형상으로 도포하여 밀봉부를 형성하는 공정, 및
    방습부가 되는 시트를, 상기 신틸레이터 및 상기 밀봉부에 씌우고, 상기 시트의 둘레 가장자리 근방을 가열하고, 상기 시트의 둘레 가장자리 근방을 상기 밀봉부의 외면에 접합하는 공정
    을 구비하고,
    상기 밀봉부를 형성하는 공정에 있어서, 도포의 이음매에 볼록부를 형성하는, 방사선 검출 모듈의 제조 방법.

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