JP7353191B2 - 放射線検出モジュール、および放射線検出器 - Google Patents
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Description
そこで、シンチレータに局部的な応力が発生するのを抑制することができる技術の開発が望まれていた。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、放射線検出器は、例えば、一般医療などに用いることができる。ただし、放射線検出器の用途は、一般医療に限定されるわけではない。
なお、煩雑となるのを避けるために、図1においては、保護層2f、反射層6、防湿部7、および封止部8などを省いて描いている。
図2は、X線検出モジュール10を例示するための模式断面図である。
図3は、X線検出器1のブロック図である。
アレイ基板2は、基板2a、光電変換部2b、制御ライン(又はゲートライン)2c1、データライン(又はシグナルライン)2c2、配線パッド2d1、配線パッド2d2および保護層2fを有することができる。
なお、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2の数などは例示をしたものに限定されるわけではない。
光電変換部2bは、基板2aの一方の面側に複数設けられている。
光電変換部2bは、矩形状を呈し、制御ライン2c1とデータライン2c2とにより画された領域に設けることができる。複数の光電変換部2bは、マトリクス状に並べることができる。なお、1つの光電変換部2bは、X線画像の1つの画素(pixel)に対応する。
また、光電変換素子2b1において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ2b3を設けることができる。蓄積キャパシタ2b3は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ2b2の下に設けることができる。ただし、光電変換素子2b1の容量によっては、光電変換素子2b1が蓄積キャパシタ2b3を兼ねることができる。
薄膜トランジスタ2b2は、蓄積キャパシタ2b3への電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ2b2は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有することができる。薄膜トランジスタ2b2のゲート電極は、対応する制御ライン2c1と電気的に接続することができる。薄膜トランジスタ2b2のドレイン電極は、対応するデータライン2c2と電気的に接続することができる。薄膜トランジスタ2b2のソース電極は、対応する光電変換素子2b1と蓄積キャパシタ2b3とに電気的に接続することができる。また、光電変換素子2b1のアノード側と蓄積キャパシタ2b3は、グランドに接続することができる。なお、光電変換素子2b1のアノード側と蓄積キャパシタ2b3は、バイアスラインに接続することもできる。
制御ライン2c1、およびデータライン2c2は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
シンチレータ5は、例えば、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)、あるいは臭化セシウム(CsBr):ユーロピウム(Eu)などを含むものとすることができる。シンチレータ5は、真空蒸着法を用いて形成することができる。真空蒸着法を用いてシンチレータ5を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ5が形成される。シンチレータ5の厚みは、例えば、600μm程度とすることができる。
以下においては、一例として、反射層6が設けられている場合を説明する。
例えば、酸化チタン(TiO2)などからなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した材料をシンチレータ5の上に塗布し、これを乾燥することで反射層6を形成することができる。
また、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ5の上に成膜することで反射層6を形成することができる。
樹脂膜は、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、テフロン(登録商標)、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、弾性ゴムなどから形成されたものとすることができる。金属膜は、例えば、前述した金属を含むものとすることができる。金属膜は、例えば、スパッタリング法、ラミネート法などを用いて形成することができる。無機膜は、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウムなどを含む膜とすることができる。無機膜は、例えば、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
これに対し、封止部8は、熱可塑性樹脂を主成分として含んでいるので、加熱により容易に接合を行うことができる。また、シンチレータ5が紫外線により変色することもない。また、封止部8の加熱と冷却に要する時間は短くてすむので、製造時間の短縮、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
図3に示すように、回路基板11には、読み出し回路11aおよび信号検出回路11bを設けることができる。なお、これらの回路を1つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。
行選択回路11abには、X線検出器1の外部に設けられた画像処理部などから制御信号S1が入力される。行選択回路11abは、X線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ11aaに制御信号S1を入力する。ゲートドライバ11aaは、対応する制御ライン2c1に制御信号S1を入力する。
1つの積分アンプ11baは、1つのデータライン2c2と電気的に接続されている。積分アンプ11baは、光電変換部2bからの画像データ信号S2を順次受信する。そして、積分アンプ11baは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路11bbへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン2c2を流れる電流の値(電荷量)を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ11baは、シンチレータ5において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。
ADコンバータ11bcは、読み出された画像データ信号S2をデジタル信号に順次変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号S2は、配線を介して、X線検出器1の外部に設けられた画像処理部に入力することができる。なお、デジタル信号に変換された画像データ信号S2は、無線により画像処理部に送信してもよい。
図4(a)、(b)は、比較例に係るX線検出モジュール110、110aを例示するための模式断面図である。なお、X線検出モジュール110、110aに設けられている防湿部17は、後述する収納部7aを有していない。
前述したように、反射層6が省かれる場合がある。反射層6が省かれている場合にも、図5に示すように、シンチレータ5を形成した際に、局部的に高さの高い結晶が形成される場合がある。この様な場合にも、シンチレータ5の局部的な凸部5b1を収納部7aの内部に収納すれば、前述した局部的な応力Fを緩和させることができる。
シンチレータ5を形成した際に、局部的に高さの高い結晶が形成されなかった場合もある。しかしながら、反射層6を形成した際に、例えば、不純物や異物の混入により、反射層6に局部的な凸部6aが生じる場合がある。この様な場合にも、反射層6の局部的な凸部6aを収納部7aの内部に収納すれば、前述した局部的な応力Fを緩和させることができる。
Claims (6)
- 複数の光電変換部を有するアレイ基板と、
前記複数の光電変換部の上に設けられたシンチレータと、
前記シンチレータの上方を覆い、前記シンチレータの上端の局部的な凸部を収納する収納部を有する防湿部と、
を備え、
前記シンチレータの内部の空隙の雰囲気、および、前記収納部と、前記シンチレータの前記凸部と、の間の雰囲気は、大気圧よりも減圧されている放射線検出モジュール。 - 前記シンチレータの上端と、前記防湿部と、の間に設けられた反射層をさらに備え、
前記収納部には、前記シンチレータの前記凸部と、前記反射層の、前記シンチレータの前記凸部を覆う部分と、が収納されるため、
前記収納部と、前記反射層の、前記シンチレータの前記凸部を覆う部分と、の間の雰囲気は、大気圧よりも減圧されている請求項1記載の放射線検出モジュール。 - 複数の光電変換部を有するアレイ基板と、
前記複数の光電変換部の上に設けられたシンチレータと、
前記シンチレータの上に設けられた反射層と、
前記反射層の上方を覆い、前記反射層の上端の局部的な凸部を収納する収納部を有する防湿部と、
を備え、
前記シンチレータの内部の空隙の雰囲気、および、前記収納部と、前記反射層の上端の局部的な前記凸部と、の間の雰囲気は、大気圧よりも減圧されている放射線検出モジュール。 - 前記防湿部は、シート状を呈し、厚みが10μm以上、50μm以下である請求項1~3のいずれか1つに記載の放射線検出モジュール。
- 前記防湿部は、樹脂膜、金属膜、および無機膜の少なくとも二種が積層された積層シート、または、金属を含むシートである請求項1~4のいずれか1つに記載の放射線検出モジュール。
- 請求項1~5のいずれか1つに記載の放射線検出モジュールと、
前記放射線検出モジュールと電気的に接続された回路基板と、
を備えた放射線検出器。
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