CN113126137A - 放射线检测模块以及放射线检测器 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- -1 terbium-activated gadolinium sulfate Chemical class 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 7
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052622 kaolinite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000019635 sulfation Effects 0.000 description 1
- 238000005670 sulfation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- NEEAOWXTIOQDFM-UHFFFAOYSA-H thulium(3+);trisulfate Chemical compound [Tm+3].[Tm+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O NEEAOWXTIOQDFM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
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Abstract
一种放射线检测模块以及放射线检测器,能够抑制在闪烁体产生局部应力这一情况。实施方式的放射线检测模块包括:阵列基板,阵列基板具有多个光电转换部;闪烁体,闪烁体设置于多个光电转换部之上;防潮部,防潮部覆盖闪烁体的上方,并且具有对闪烁体的上端的局部的凸部进行收容的收容部。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及一种放射线检测模块以及放射线检测器。
背景技术
作为放射线检测器的一例,存在X射线检测器。X射线检测器设置有闪烁体以及阵列基板,所述闪烁体将X射线转换为荧光,所述阵列基板将荧光转换为电信号。此外,为了提高荧光的利用效率而改进灵敏度特性,有时在闪烁体之上还设置反射层。
此外,为了抑制由于水蒸汽等引起的特性变差,需要使闪烁体和反射层与外部环境隔离。例如,在闪烁体包括CsI(碘化铯)、Tl(铊)或CsI、Na(钠)等的情况下,有可能加剧由于水蒸汽等引起的特性变差。因此,在X射线检测器还设置有覆盖闪烁体和反射层的防潮部。
在此,存在X射线检测器放置于气压减压至比大气压低的环境的情况。因此,若在由防潮部划定而成的空间的内部存在空气等气体,那么,当X射线检测器放置于气压减压至比大气压低的环境时,有可能由于气体膨胀而导致防潮部破损。因此,由防潮部划定而成的空间的内部的压力变得比大气压低。
此外,存在在闪烁体的上端或反射层的上端局部地产生凸部的情况。例如,当使用真空蒸镀法形成了闪烁体时,存在局部形成有高度较高的结晶的情况。此外,在形成了反射层时,由于杂质或异物的混入等,反射层的厚度局部变厚,有时会局部地产生凸部。
由防潮部划定而成的空间的内部的压力低于大气压,因此,在大气压的作用下,防潮部被按压至闪烁体侧。因此,若在闪烁体的上端或反射层的上端存在局部的凸部,则凸部被按压而容易在闪烁体产生局部应力。
因此,希望开发一种技术,能够抑制在闪烁体产生局部应力这一情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-128023号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明所要解决的技术问题是提供一种放射线检测模块以及放射线检测器,能够抑制在闪烁体产生局部应力这一情况。
解决技术问题所采用的技术方案
实施方式的放射线检测模块包括:阵列基板,所述阵列基板具有多个光电转换部;闪烁体,所述闪烁体设置于多个所述光电转换部之上;防潮部,所述防潮部覆盖所述闪烁体的上方,并且具有对所述闪烁体的上端的局部的凸部进行收容的收容部。
附图说明
图1是用于对本实施方式的X射线检测器以及X射线检测模块进行例示的示意立体图。
图2是用于对X射线检测模块进行例示的示意剖视图。
图3是X射线检测器的框图。
图4的(a)、(b)是用于对比较例中的X射线检测模块进行例示的示意剖视图。
图5是用于对另一实施方式的X射线检测模块进行例示的示意剖视图。
图6是用于对又一实施方式的X射线检测模块进行例示的示意剖视图。
符号说明
1X射线检测器;2阵列基板;2a基板;2b光电转换部;5闪烁体;5b上端;5b1凸部;6反射层;6a凸部;7防潮部;7a收容部;8密封部;10X射线检测模块;10a X射线检测模块;10b X射线检测模块;11电路基板。
具体实施方式
以下,参照附图,对实施方式进行例示。另外,在各附图中,对相同的构成要素标注相同的符号,并适当地省略详细说明。
此外,本发明的实施方式的放射线检测器除了能应用于X射线,也能应用于γ射线等各种放射线。在此,作为一例,以作为放射线中的代表性射线的X射线的情况为例进行说明。因此,通过将以下实施方式中的“X射线”替换成“其它的放射线”,该放射线检测器也能够应用于其它的放射线。
此外,放射线检测器例如能够用于一般医疗等。不过,放射线检测器的用途不限定于一般医疗。
图1是用于对本实施方式的X射线检测器1以及X射线检测模块10进行例示的示意立体图。
另外,为了避免变得复杂,在图1中,省略描绘保护层2f、反射层6、防潮部7以及密封部8等。
图2是用于对X射线检测模块10进行例示的示意剖视图。
图3是X射线检测器1的框图。
如图1和图2所示,在X射线检测器1设置有X射线检测模块10以及电路基板11。此外,能够在X射线检测器1设置未图示的壳体。能够在壳体的内部设置X射线检测模块10以及电路基板11。例如,能够在壳体的内部设置板状的支承板12,在支承板12的X射线的入射侧的面设置X射线检测模块10,并且在支承板12的与X射线的入射侧相反一侧的面设置电路基板11。
能够在X射线检测模块10设置阵列基板2、闪烁体5、反射层6、防潮部7以及密封部8。
阵列基板2可具有基板2a、光电转换部2b、控制线(或栅极线)2c1、数据线(或信号线)2c2、配线垫2d1、配线垫2d2以及保护层2f。
另外,光电转换部2b、控制线2c1以及数据线2c2的个数等不限定于所例示的个数等。
基板2a能够呈板状,并且由无碱玻璃等玻璃形成。基板2a的平面形状能够设置成四边形。基板2a的厚度能够设为例如0.7mm左右。
光电转换部2b在基板2a的一面侧设置有多个。
光电转换部2b能够呈矩形形状,并且设置于由控制线2c1和数据线2c2划定而成的区域。多个光电转换部2b能够排列成矩阵状。另外,一个光电转换部2b对应于X射线图像的一个像素(pixel)。
能够在多个光电转换部2b分别设置光电转换元件2b1以及切换元件即薄膜晶体管(TFT;Thin Fil Transistor)2b2。
此外,能够设置存储电容器2b3,所述存储电容器2b3存储在光电转换元件2b1中转换后的信号电荷。存储电容器2b3能够呈例如矩形平板状,设置于各薄膜晶体管2b2之下。不过,根据光电转换元件2b1的容量,也能够使光电转换元件2b1兼作存储电容器2b3。
光电转换元件2b1例如能够设置成光电二极管等。
薄膜晶体管2b2进行向存储电容器2b3存储电荷以及从存储电容器2b3释放电荷的切换。薄膜晶体管2b2可具有栅电极、漏电极以及源电极。薄膜晶体管2b2的栅电极能够与对应的控制线2c1电连接。薄膜晶体管2b2的漏电极能够与对应的数据线2c2电连接。薄膜晶体管2b2的源电极能够与对应的光电转换元件2b1以及存储电容器2b3电连接。此外,光电转换元件2b1的阳极侧以及存储电容器2b3能够接地。另外,光电转换元件2b1的阳极侧以及存储电容器2b3也能够与偏置线连接。
控制线2c1能够隔开规定的间隔相互平行地设置多根。控制线2c1例如在行方向上延伸。一根控制线2c1能够与设置于基板2a的周缘附近的多个配线垫2d1中的一个电连接。能够将设置于柔性印刷基板2e1的多根配线中的一根配线与一个配线垫2d1电连接。设置于柔性印刷基板2e1的多根配线的另一端能够分别与设置于电路基板11的读出电路11a电连接。
数据线2c2能够隔开规定的间隔相互平行地设置多根。数据线2c2例如在与行方向正交的列方向上延伸。一根数据线2c2能够与设置于基板2a的周缘附近的多个配线垫2d2中的一个电连接。能够将设置于柔性印刷基板2e2的多根配线中的一根配线与一个配线垫2d2电连接。设置于柔性印刷基板2e2的多根配线的另一端能够分别与设置于电路基板11的信号检测电路11b电连接。
控制线2c1以及数据线2c2能够使用铝或铬等低电阻金属形成。
保护层2f能够覆盖光电转换部2b、控制线2c1以及数据线2c2。保护层2f能够由绝缘性材料形成。绝缘性材料例如能够设为氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料、氧氮化物绝缘材料以及树脂等。
闪烁体5设置于多个光电转换部2b之上,将入射的X射线转换成可视光即荧光。闪烁体5能够设置成将基板2a上的设置有多个光电转换部2b的区域(有效像素区域A)覆盖。
闪烁体5例如能够包括碘化铯(CsI);铊(Tl)、碘化钠(NaI);铊(Tl)、或者溴化铯(CsBr);铕(Eu)等。闪烁体5能够使用真空蒸镀法形成。若使用真空蒸镀法形成闪烁体5,则形成由多个柱状结晶的集合体构成的闪烁体5。闪烁体5的厚度例如能够设为600μm左右。
另外,在使用真空蒸镀法形成闪烁体5时,使用具有开口的掩膜。在该情况下,在与阵列基板2上的开口相对的位置(有效像素区域A之上)形成闪烁体5。此外,通过蒸镀形成的膜也形成于掩膜的表面。此外,在掩膜的开口附近,膜以向开口的内部逐渐伸出的方式生长。若膜向开口的内部伸出,那么,在开口附近,向阵列基板2的蒸镀得到抑制。因此,如图1和图2所示,闪烁体5的周缘附近的厚度随着朝向外侧而逐渐减小。
此外,闪烁体5也能够使用例如铽活化硫酸钆(Gd2O2S/Tb或者GOS,日文:テルビウム賦活硫酸化ガドリニウム)等形成。在该情况下,能够以在多个光电转换部2b中的每一个设置四棱柱状的闪烁体5的方式设置矩阵状的槽部。
能够设置反射层6以提高荧光的利用效率而改进灵敏度特性。即,反射层6设置成使闪烁体5中产生的荧光中的、朝向与设置有光电转换部2b一侧相反一侧的光反射而使之朝向光电转换部2b。不过,不一定需要反射层6,只要根据X射线检测模块10所要求的灵敏度特性等设置即可。
以下,作为一例,对设置有反射层6的情况进行说明。
反射层6设置于闪烁体5之上。反射层6设置在闪烁体5的上端5b与防潮部7之间。反射层6至少覆盖闪烁体5的上端5b。反射层6还能够进一步覆盖闪烁体5的侧端5a。
例如,能够将由氧化钛(TiO2)等构成的光散射颗粒、树脂以及溶剂混合而成的材料涂敷至闪烁体5之上,并且使其干燥而形成反射层6。
此外,例如,能够通过使由银合金或铝等光反射率高的金属构成的层在闪烁体5之上成膜的方式形成反射层6。
能够设置防潮部7,以抑制由于空气中所含的水分而引起反射层6的特性以及闪烁体5的特性变差这一情况。防潮部7能够覆盖闪烁体5的上方以及反射层6的上方。
在此,在包括多个柱状结晶的闪烁体5中,存在其体积的10%~40%左右的空隙。此外,如通过飞机等进行运输的情况那样,存在X射线检测器1被放置于气压减压至比大气压低的环境的情况。在该情况下,若在闪烁体5的空隙存在空气等气体,那么,当X射线检测器1被放置于气压减压至比大气压低的环境时,有可能由于气体膨胀而导致防潮部7破损。因此,在X射线检测器1中,由防潮部7划定而成的空间的内部的压力变得低于大气压。例如,通过在气压减压至比大气压低的环境下将防潮部7与密封部8接合,能够使由防潮部7划定而成的空间的内部的压力变得比大气压低。
此外,存在密封部8的内部具有气泡或空隙的情况,存在密封部8与防潮部7之间具有间隙或泄漏路径的情况,存在密封部8与阵列基板2之间具有间隙或泄漏路径的情况。在上述情况下,当在气压减压至比大气压低的环境下将防潮部7与密封部8接合后使其返回至大气压环境时,大气空气会经由间隙或泄漏路径等进入内部。若大气空气进入内部,那么,防潮部7与闪烁体5将不紧贴,从而会在防潮部7的表面产生褶皱,张力会消失。因此,能够容易地从视觉上发现存在间隙或泄漏路径等这一情况。具有间隙或泄漏路径等的产品的寿命可能缩短,不过,在对这样的产品进行检查的过程中,能够容易地发现并除去这样的产品。因此,易于提高X射线检测器1的质量。
防潮部7例如能够设为包含金属的片材。金属例如可以是含铝金属、含铜金属、含镁金属、含钨金属、不锈钢、可伐材料等。在该情况下,若设置包含金属的防潮部7,则能够完全地消除透过防潮部7的水分。
此外,防潮部7也可以是树脂膜、金属膜以及树脂膜中的至少两种层叠而成的层叠片材。
树脂膜例如可以由聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、特氟龙(注册商标)、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、弹性橡胶等形成。金属膜例如可以是包含上述金属的金属膜。金属膜例如能够使用溅射法、层压法等形成。无机膜例如可以是包含氧化硅、氧化铝等的膜。无机膜例如能够使用溅射法等形成。
在该情况下,优选金属膜设置于闪烁体5侧。如此一来,能够通过树脂膜或无机膜覆盖金属膜,因此,能够抑制金属膜在外力等的作用下损伤这一情况。此外,若金属膜设置于比树脂膜靠内侧处(闪烁体5侧),则能够抑制闪烁体5的特性由于水分通过树脂层的渗透而变差这一情况。
一般而言,由于树脂的线膨胀系数大于金属的线膨胀系数,因此,若过度增大树脂膜的厚度,则容易产生由热应力引起的阵列基板2的翘曲。因此,在设为包括金属膜和树脂膜的层叠片材的情况下,优选树脂膜的厚度设为金属膜的厚度以下。
此外,能够通过考虑X射线的吸收或刚度等来确定防潮部7的厚度。在该情况下,若增大防潮部7的厚度,则被防潮部7吸收的X射线的量变多。另一方面,若减小防潮部7的厚度,则刚度降低而容易破损。
例如,若将防潮部7的厚度设为小于10μm,那么,防潮部7的刚度变得过低,由于外力等造成的损坏可能产生针孔,从而可能产生泄漏。若防潮部7的厚度大于50μm,那么,防潮部7的刚度变得过高,不容易缓解由于变形引起的热应力,容易发生阵列基板2的翘曲。此外,上述间隙以及泄漏路径的确认可能变得困难。因此,防潮部7的厚度优选10μm以上、50μm以下。
例如,防潮部7可以是厚度为10μm以上、50μm以下的铝箔。若铝箔的厚度为10μm以上、50μm以下,则与厚度为100μm的铝箔相比,能够使X射线的透过量增大20%~30%左右。此外,若设置成厚度为10μm以上、50μm以下的铝箔,则能够抑制上述泄漏的产生,并且上述间隙以及泄漏路径的确认变得容易。此外,能够抑制由于热应力引起的阵列基板2的翘曲。
在此,若对人体进行大量的X射线照射,则会对健康造成不良影响,因此,需要将对人体的X射线照射量抑制到所要求的最低限度。因此,在用于医疗的X射线检测器1的情况下,照射的X射线的强度可能较小,从而透过防潮部7的X射线的强度可能非常小。由于本实施方式的防潮部7设置成厚度为10μm以上、50μm以下的片材,因此,即使在照射的X射线的强度小的情况下,也能够进行X射线图像的拍摄。
此外,若减小防潮部7的厚度,则防潮部7的刚度降低。因此,若设置凸缘部等而设为三维的防潮部,那么,例如在对金属箔进行冲压成型时,容易产生龟裂等。如图2所示,呈片材状的防潮部7的周缘附近与密封部8的外表面8a接合。因此,不需要预先将防潮部7加工成立体形状,能够直接将呈片材状的防潮部7与密封部8的外表面8a接合。其结果是,即使将防潮部7的厚度设为10μm以上、50μm以下,也能够抑制防潮部7产生龟裂等这一情况。
此外,能够通过对防潮部7的周缘附近进行加热的方式将防潮部7的周缘附近与密封部8接合。在该情况下,若防潮部7的周缘附近的温度和密封部8的温度降低,那么,在防潮部7的周缘附近与密封部8之间产生热应力。若在防潮部7的周缘附近与密封部8之间产生热应力,那么,可能在防潮部7的周缘附近与密封部8之间产生剥离。若产生剥离,则防潮性能有可能显著降低。由于防潮部7的厚度为10μm以上、50μm以下,因此,在产生热应力时,防潮部7变得容易延伸。因此,由于能够缓解热应力,因而能够抑制在防潮部7的周缘附近与密封部8之间产生剥离这一情况。
如图2所示,密封部8与闪烁体5的侧端5a以及阵列基板2接合。在该情况下,密封部8能够与闪烁体5的侧端5a紧贴。在闪烁体5构成为多个柱状结晶的集合体的情况下,在闪烁体5的侧端5a形成有凹凸。若密封部8的一部分设置于闪烁体5的侧端5a的凹凸的内部,则能够增大密封部8与闪烁体5的接合强度。密封部8能够与阵列基板2紧贴。若密封部8与阵列基板2紧贴,那么,能够对大气所包含的水分等透过密封部8与阵列基板2之间而到达闪烁体5这一情况进行抑制。
密封部8的外表面8a的形状可设置成向外侧突出的曲面。如此一来,能够增长密封部8的外表面8a与闪烁体5的侧端5a之间的距离L。因此,能够对大气所包含的水分等透过密封部8的内部而到达闪烁体5这一情况进行抑制。
此外,若密封部8的外表面8a的形状构成为向外侧突出的曲面,则易于使防潮部7的周缘附近仿照密封部8的外表面8a。因此,容易使防潮部7与密封部8紧贴。此外,由于能使防潮部7平缓地变形,因此,即使减小防潮部7的厚度,也能够抑制防潮部7产生龟裂等这一情况。
此外,密封部8的高度优选设为闪烁体5的高度以下。若密封部8的高度构成为闪烁体5的高度以下,则能够使构成防潮部7的片材不会过度变形,因此,能够抑制防潮部7产生褶皱、断裂、针孔等这些情况。
密封部8作为主要成分含有热塑性树脂。若密封部8作为主要成分含有热塑性树脂,则能够通过加热将密封部8与阵列基板2、闪烁体5以及防潮部7接合。在此,例如,若密封部8作为主要成分含有紫外线固化树脂,则在将密封部8与阵列基板2、闪烁体5以及防潮部7接合时,需要照射紫外线。然而,由于防潮部7包含有金属等,因而无法使紫外线透过。此外,若将防潮部7设为能够透射紫外线,那么,在紫外线的作用下,闪烁体5可能会变色,产生的荧光可能被吸收。
与此相对地,由于密封部8包含热塑性树脂作为主要成分,因此,能够通过加热容易地进行接合。此外,闪烁体5也不会在紫外线的作用下变色。此外,由于密封部8的加热和冷却所需的时间可较短,因此,能够缩短制造时间,并且能够降低制造成本。
热塑性树脂例如可以是尼龙、PET(聚对苯二甲酸乙二醇)、聚氨酯、聚酯、聚氯乙烯、ABS(丙烯腈丁二烯苯乙烯)、丙烯酸、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯等。在该情况下,聚乙烯的水蒸汽透过系数为0.068g·mm/天·m2,聚丙烯的水蒸汽透过系数为0.04g·mm/天·m2.。因此,若密封部8包含聚乙烯以及聚丙烯中的任意一者作为主要成分,则能够大幅地减少透过密封部8的内部而到达闪烁体5的水分。
此外,密封部8还可包含使用了无机材料的填充物。若使用了无机材料的填充物包含于密封部8,则能够进一步抑制水分的透过。无机材料例如可以是滑石、石墨、云母、高岭土(主要成分为高岭石的粘土)等。填充物例如可具有扁平的形态。通过使用了无机材料的填充物,从外部进入密封部8的内部的水分的扩散得以阻止,能够减小水分通过密封部8的速度。因此,能够减少到达闪烁体5的水分的量。
此外,优选,至少密封部8的外表面8a具有防水性。若密封部8的外表面8a具有防水性,则能够抑制水分进入密封部8的内部这一情况。例如,能够在密封部8的外表面8a涂敷防水剂。此外,若密封部8包含聚乙烯以及聚丙烯中的至少一者作为主要成分,则能够设置成具有防水性的密封部8。
如图1所示,电路基板11能够设置于与阵列基板2的供闪烁体5设置一侧相反一侧处。电路基板11能够与X射线检测模块10(阵列基板2)电连接。
如图3所示,能够在电路基板11设置读出电路11a以及信号检测电路11b。另外,也能够将上述电路设置于一个基板,还能够将上述电路分开设置于多个基板。
读出电路11a对薄膜晶体管2b2的接通状态与断开状态进行切换。读出电路11a可具有多个栅极驱动器11aa以及行选择电路11ab。
控制信号S1从设置于X射线检测器1外部的图像处理部等输入至行选择电路11ab。行选择电路11ab根据X射线图像的扫描方向将控制信号S1输入至对应的栅极驱动器11aa。栅极驱动器11aa将控制信号S1输入至对应的控制线2c1。
例如,读出电路11a通过柔性印刷基板2e1将控制信号S1依次输入各控制线2c1中的每一根控制线。薄膜晶体管2b2由于输入至控制线2c1的控制信号S1而构成为接通状态,能够接收来自存储电容器的电荷(图像数据信号S2)。
信号检测电路11b可具有多个积分放大器11ba、多个选择电路11bb以及多个AD转换器11bc。
一个积分放大器11ba与一根数据线2c2电连接。积分放大器11ba依次接收来自光电转换部2b的图像数据信号S2。此外,积分放大器11ba对在一定时间内流动的电流进行积分,向选择电路11bb输出与该积分值对应的电压。如此一来,能够将在规定的时间内流通于数据线2c2的电流的值(电荷量)转换成电压值。即,积分放大器11ba将与在闪烁体5中产生的荧光的强弱分布对应的图像数据信息转换成电位信息。
选择电路11bb选择进行读取的积分放大器11ba,并依次读出转换成电位信息的图像数据信号S2。
AD转换器11bc将读出的图像数据信号S2依次转换成数字信号。转换成数字信号的图像数据信号S2能够通过配线输入到设置于X射线检测器1外部的图像处理部。另外,转换成数字信号的图像数据信号S2也可通过无线的方式发送至图像处理部。
图像处理部基于转换成数字信号的图像数据信号S2构成X射线图像。另外,图像处理部还能够与电路基板11一体化。
接着,对防潮部7进行进一步说明。
图4的(a)、(b)是用于对比较例中的X射线检测模块110、110a进行例示的示意剖视图。另外,设置于X射线检测模块110、110a的防潮部17不具有后述的收容部7a。
如图4的(a)所示,在形成有闪烁体5时,存在在闪烁体5的上端5b局部地产生凸部5b1的情况。例如,当使用真空蒸镀法形成了闪烁体5时,存在局部形成有高度较高的结晶的情况。另外,在图4的(a)例示的X射线检测模块110设置有反射层6,不过,未设置反射层6的情况也同样如此(参照图5)。
此外,如图4的(b)所示,在形成有反射层6时,存在反射层6的厚度局部变厚而产生凸部6a的情况。例如,存在由于杂质或异物的混入而局部产生厚度较厚的部分的情况。另外,在图4的(b)例示的X射线检测模块110a设置有包括多个柱状结晶的闪烁体5,不过,设置有包含铽活化硫酸钆(日文:テルビウム賦活硫酸化ガドリニウム)等的四棱柱状的闪烁体5的情况也同样如此。
如上文所述,由于由防潮部17划定而成的空间的内部的压力比大气压低,因此,在大气压的作用下,防潮部17被推压至闪烁体5的上端5b或者反射层6的上端。因此,若在闪烁体5的上端5b以及反射层6的上端中的至少任意一者存在局部的凸部,则局部的凸部被按压而容易在闪烁体5产生局部应力F。若在闪烁体5产生局部应力F,那么,例如,可能对闪烁体5的结晶等产生障碍。
在该情况下,若严格规定闪烁体5的形成条件或者进一步抑制杂质以及异物混入反射层6,则能够抑制局部凸部的形成。不过,即便如此,也很难完全消除局部凸部的形成。此外,还可能导致X射线检测模块1的制造成本的增加。
为此,在本实施方式的X射线检测模块10中,如图2所示那样,在防潮部7设置收容部7a。收容部7a在防潮部7的靠闪烁体5侧的面开口。此外,收容部7a向防潮部7的与闪烁体5侧相反一侧的面突出。上述这样的收容部7a例如能够通过对防潮部7的面进行局部按压而使防潮部7局部塑性变形的方式形成。
由于闪烁体5的局部凸部5b1以及反射层6的局部凸部6a在随机位置形成,因此,很难预先设定收容部7a的位置。为此,例如,能够针对每个X射线检测模块10检测凸部5b1的位置以及凸部6a的位置,并且基于所得到的位置信息来形成收容部7a。此时,能够一起测量凸部5b1的形状和大小以及凸部6a的形状和大小等,并且根据与形状和大小相关的信息使收容部7a的形状和大小变化。
如上文所述,防潮部17在大气压的作用下被推压至闪烁体5侧,因此,存在收容部7a的内部的至少一部分与凸部5b1或凸部6a接触的情况。不过,若凸部5b1和凸部6a收容于收容部7a的内部,则能够缓解上述局部应力F。
另外,在凸部5b1和凸部6a的高度H较低的情况下,由于局部应力F变小,因此,也能够省略收容部7a。在该情况下,当高度H构成为防潮部7的厚度T以上时,优选设置收容部7a。在高度H小于防潮部7的厚度T的情况下,能够省略收容部7a,也能够设置收容部7a。
图5是用于对另一实施方式的X射线检测模块10a进行例示的示意剖视图。
如上文所述,存在省略反射层6的情况。在省略了反射层6的情况下,如图5所示,也存在下述情况:在形成有闪烁体5时,会局部地形成高度较高的结晶。在该情况下,若将闪烁体5的局部凸部5b1收容于收容部7a的内部,则能够缓解上述局部应力F。
图6是用于对又一实施方式的X射线检测模块10b进行例示的示意剖视图。
也存在当形成有闪烁体5时,会局部地形成高度较高的结晶这一情况。不过,在形成有反射层6时,存在下述情况:例如,由于杂质以及异物的混入,在反射层6产生局部凸部6a。在该情况下,若将反射层6的局部凸部6a收容于收容部7a的内部,则也能够缓解上述局部应力F。
即,收容部7a能够收容闪烁体5的凸部5b1、反射层6的凸部6a以及闪烁体5的凸部5b1和反射层6的覆盖闪烁体5的凸部5b1的部分中的任意一者。
以上说明了本发明的若干实施方式,但这些实施方式仅为列举,不表示对发明范围的限定。这些新的实施方式还能以其它各种方式来实施,且能在不脱离发明技术思想的范围内作各种省略、置换、变更等。这些实施方式及其变形例包含在发明范围或要点中,且包含在权利要求书记载的发明及其均等的范围内。此外,上述各实施方式能够相互组合实施。
Claims (6)
1.一种放射线检测模块,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板具有多个光电转换部;
闪烁体,所述闪烁体设置于多个所述光电转换部之上;以及
防潮部,所述防潮部覆盖所述闪烁体的上方,并且具有对所述闪烁体的上端的局部的凸部进行收容的收容部。
2.如权利要求1所述的放射线检测模块,其特征在于,
所述放射线检测模块还包括反射层,所述反射层设置在所述闪烁体的上端与所述防潮部之间,
所述收容部收容有所述闪烁体的所述凸部以及所述反射层的覆盖所述闪烁体的所述凸部的部分。
3.一种反射线检测模块,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板具有多个光电转换部;
闪烁体,所述闪烁体设置于多个所述光电转换部之上;
反射层,所述反射层设置于所述闪烁体之上;以及
防潮部,所述防潮部覆盖所述反射层的上方,并且具有对所述反射层的上端的局部的凸部进行收容的收容部。
4.如权利要求1至3中任一项所述的放射线检测模块,其特征在于,
所述防潮部呈片材状,所述防潮部的厚度为10μm以上、50μm以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的放射线检测模块,其特征在于,
所述防潮部是树脂膜、金属膜以及树脂膜中的至少两种树脂膜层叠而成的层叠片材,或是包含金属的片材。
6.一种放射线检测器,其特征在于,包括:
权利要求1至5中任一项所述的放射线检测模块;以及
电路基板,所述电路基板与所述放射线检测模块电连接。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020-003422 | 2020-01-14 |
Publications (1)
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---|---|
CN113126137A true CN113126137A (zh) | 2021-07-16 |
Family
ID=76771879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010349838.7A Pending CN113126137A (zh) | 2020-01-14 | 2020-04-28 | 放射线检测模块以及放射线检测器 |
Country Status (2)
Country | Link |
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JP7353191B2 (ja) | 2023-09-29 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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