KR20210062674A - 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법 - Google Patents
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Abstract
결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법 해당 방법에는, S1: 실리콘 웨이퍼에 배면 부동태화 필름을 도금하는 고정에서, 실리콘 웨이퍼 배면에 순차적으로 A12O3 필름, SiO2 필름과 SiNx 필름을 도금하여 배면 부동태화 필름을 형성하고, 아울러 실리콘 웨이퍼 정면 변두리에 와인딩 도금 필름을 형성하며; S2: S1 단계에서 취득한 제품의 배면 부동태화 필름의 표면 상에 수성 필름을 제작하며; S3: S2 단계에서 취득한 제품이 HF/HCl 탱크를 통과하게 하여, 와인딩 도금 필름을 제거하며; S4: S3 단계에서 취득한 제품이 물 탱크를 통과하게 하여, 잔여 약 용액을 제거하며; S5: S4 단계에서 취득한 제품을 건조시키는 단계가 포함된다. 해당 방법은 튜브형 결정 실리콘 태양 PERC 전지 정면 와인딩 도금 현상을 개선하고, 전지의 외관을 개선하며, 광 전기 전환 효율을 향상시킨다. 일반 배면 부동태화 필름 Al2O3/SiNx 간에 SiO2 필름을 추가하여, 수성 필름의 친수성을 향상시키고, 실리콘 웨이퍼 정면 와인딩 도금 필름을 제거하는데 유리하며 또한 배면 부동태화 필름이 기상에 침식되지 않도록 보호한다
Description
본 발명은 결정 실리콘 태양 전지 제조 기술에 관한 것으로서, 특히 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법에 관한 것이다.
결정 실리콘 전지에 있어서, PERC 배면 부동태화 기술은 배면 결정 실리콘과 금속 접촉 복합 문제를 효과적으로 개선하고, 결정 실리콘 전지의 광 전기 전환 효율을 크게 향상시켰으며, PERC 결정 실리콘 전지 제조에 사용되는 튜브형 플라즈마 코팅 장치는 제조가 일체화이고 공정이 성숙되며 원가가 저렴하여 널리 응용되고 있다.
실리콘 웨이퍼는 배면 필름 도금 공정에서, 흑연 보트에 적재되고 또한 튜브형 플라즈마 코팅 장치 내에 위치하며, 흑연 보트 상의 클립 포인트가 실리콘 웨이퍼를 클립하고, 또한 흑연 보트와 실리콘 웨이퍼의 정면이 상호 접촉하며, 실리콘 웨이퍼 정면 텍스처링면에 손상이 없을 것을 요구하기 때문에, 흑연 보트 상의 클립 포인트가 실리콘 웨이퍼를 완전 클립할 수 없고, 이는 배면 필름을 도금한 후 실리콘 웨이퍼 정면 네 변두리에 배면 부동태화 필름이 나타나, 제조 후의 완성품 전지 셀 정면에 와인딩 도금 현상이 나타나며, 이는 전지 셀의 외관에 크게 영향을 미칠 뿐 아니라, 또한 전지의 광 전기 전환 효율을 낮춘다.
본 발명의 일 목적으로는 전지 셀 외관을 개선하고, 전지 셀 광 전기 전환 효율을 개선할 수 있는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 하기 기술방안을 통하여 구현되는 바, 즉 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법에 있어서,
S1: 실리콘 웨이퍼 배면에 A12O3 필름, SiO2 필름과 SiNx 필름을 도금하여 배면 부동태화 필름을 형성하고, 아울러 실리콘 웨이퍼 정면 변두리에 와인딩 도금 필름을 형성하며;
S2: S1 단계에서 취득한 제품의 배면 부동태화 필름 표면 상에 수성 필름을 제작하며;
S3: S2 단계에서 취득한 제품이 산 탱크를 통과하게 하여, 와인딩 도금 필름을 제거하며;
S4: S3 단계에서 취득한 제품이 물 탱크를 통과하게 하여, 잔여 약 용액을 제거하며;
S5: S4 단계에서 취득한 제품을 건조시키면 완성되는 단계가 포함된다.
본 발명은 배면 부동태화 필름이 도금된 실리콘 웨이퍼 정면 네 변두리에 형성된 와인딩 도금 부동태화 필름을 제거하는 것을 통하여, 튜브형 결정 실리콘 태양 PERC 전지 정면 와인딩 도금 현상을 개선하고, 또한 배면 부동태화 필름 Al2O3/SiO2/SiNx는 종래의 전지의 배면 부동태화 필름 Al2O3/SiNx와 비하면, 일반 배면 부동태화 필름 Al2O3/SiNx 간에 SiO2 필름을 추가하여, 수성 필름의 친수성을 향상시키고, 실리콘 웨이퍼 정면 와인딩 도금 필름을 제거하는데 유리하며 또한 배면 부동태화 필름이 기상에 침식되지 않도록 보호한다. 본 발명은 실리콘 웨이퍼 정면 와인딩 도금 필름을 제거하기 때문에, 즉 실리콘 웨이퍼 정면의 금속 이온을 제거하였기 때문에, 금속 이온이 초래하는 복합을 방지하기 때문에, 전지의 외관을 크게 개선할 뿐 아니라, 또한 전지 셀의 광 전기 전환 효율을 향상시킨다.
일부 실시예에서, 산 탱크가 HF/HCl 탱크이다.
일부 실시예에서, S4 단계를 완성한 후, S4 단계에서 취득한 제품이 염산 탱크를 통과하게 하여, 여분의 금속 이온을 제거하고, 다시 물 탱크를 통과하게 하여, 잔여 약 용액을 제거하며, S5 단계로 진입한다. 실리콘 웨이퍼 상의 여분의 금속 이온을 제거하면, 진일보로 전지의 광 전기 전환 효율을 향상시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 SiO2 필름의 두께가 2~10nm이고, 부동태화 효과를 향상시키며, 또한 이가 다음 단계에서 비교적 훌륭한 수성 필름을 형성할 수 있게 한다.
일부 실시예에서, HF/HCl 용액에서, HF 체적비가 40%~60%이고, HCl 체적비가 5%~20%이다.
일부 실시예에서, 염산 용액에서, HCl 체적비가 30%이다.
일부 실시예에서, 결정 실리콘 태양 전지가 PERC형 전지이다.
일부 실시예에서, S1 단계가 튜브형 플라즈마 코팅 장치 내에서 진행된다.
일부 실시예에서, 본 발명이 모두 체인식 세척기 상에서 제조 완성되고, 체인식 세척기의 벨트 속도가 탱크와 관련되며, S2~S5 단계에서, 실리콘 웨이퍼가 상응한 스테이션을 통과하는 시간이 1~2분이다.
종래의 기술에 비하여, 본 발명은 하기 현저한 효과를 가진다.
(1) 본 발명은 배면 부동태화 필름이 도금된 실리콘 웨이퍼 정면 네 변두리에 형성된 와인딩 도금 부동태화 필름을 제거하는 것을 통하여, 튜브형 결정 실리콘 태양 PERC 전지 정면 와인딩 도금 현상을 개선하고, 본 발명은 실리콘 웨이퍼 정면 와인딩 도금 필름을 제거하기 때문에, 즉 실리콘 웨이퍼 정면의 금속 이온을 제거하였기 때문에, 금속 이온이 초래하는 복합을 방지하기 때문에, 전지의 외관을 크게 개선할 뿐 아니라, 또한 전지 셀의 광 전기 전환 효율을 향상시킨다.
(2) 또한 배면 부동태화 필름 Al2O3/SiO2/SiNx는 종래의 전지의 배면 부동태화 필름 Al2O3/SiNx와 비하면, 일반 배면 부동태화 필름 Al2O3/SiNx 간에 SiO2 필름을 추가하여, 수성 필름의 친수성을 향상시키고, 실리콘 웨이퍼 정면 와인딩 도금 필름을 제거하는데 유리하며 또한 배면 부동태화 필름이 기상에 침식되지 않도록 보호한다.
(3) 선택적으로, 본 발명의 실리콘 웨이퍼는 와인딩 도금 필름을 제거한 후, 염산 탱크를 통과하여, 여분의 금속 이온을 제거할 수 있고, 진일보로 전지의 광 전기 전환 효율을 향상시킬 수 있다.
아래, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 진일보로 상세한 설명을 진행하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예1의 흐름 블럭도.
도 1은 본 발명의 실시예1의 흐름 블럭도.
실시예1
도1에 도시된 바와 같이, 이는 보 발명은 튜브형 결정 실리콘 태양 PERC 전지 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법으로서, 모두 체인식 세척기 상에서 완성되고, 구체적으로 하기 단계가 포함된다.
S1: 실리콘 웨이퍼에 배면 부동태화 필름을 도금하는 공정에서, 튜브형 플라즈마 코팅 장치 내에서, 실리콘 웨이퍼 배면 상에 순차적으로 A12O3 필름, SiO2 필름과 SiNx 필름을 도금하여 배면 부동태화 필름을 형성하고, 흑연 보트 상의 클립 포인트가 실리콘 웨이퍼를 완전 클립하지 않기 때문에, 실리콘 웨이퍼 정면 변두리에 와인딩 도금 필름을 형성하며; 다음 단계에 비교적 훌륭한 수성 필름을 형성하고, 또한 부동태화 효과를 향상시키기 위하여, SiO2 필름의 두께는 바람직하게는 2~10nm이며;
S2: S1 단계에서 취득한 제품의 배면 부동태화 필름 표면 상에 수성 필름을 제작하고, 수성 필름이 전체 배면 부동태화 필름을 커버하며; 수성 필름을 제고하는 것은 배면 부동태화 필름 표면에 물을 떨구고, 기계 진동 시 물이 떨어지지 않으면 된다. 일반 배면 부동태화 필름 Al2O3/SiNx 간에 SiO2 필름을 추가하여, 수성 필름의 친수성을 향상시키고, 차후 공정에서 실리콘 웨이퍼 정면 와인딩 도금 필름을 제거하는데 유리하며 또한 배면 부동태화 필름이 기상에 침식되지 않도록 보호하며;
S3: S2 단계에서 취득한 제품이 HF/HCl 탱크를 통과하게 하여, 와인딩 도금 필름을 제거하고, HF/HCl 용액에서, HF 체적비가 55%이고, HCl 체적비가 10%이며; 단지 예시의 방식을 통하여, HF/HCl 탱크를 통과하는 시간이 1.5분이며;
S4: S3 단계에서 취득한 제품이 물 탱크를 통과하게 하여, 잔여 HF/HCl 약 용액을 제거하며; 선택적으로, 다시 염산 탱크를 통과시켜, 여분의 금속 이온을 제거하고, 염산 용액에서, HCl 체적비가 30%이며; 단지 예시의 방식을 통하여, 염산 탱크를 통과하는 시간이 1분이며; 그 후 물 탱크를 통과시켜, 잔여의 염산 약 용액을 제거하고, S5 단계로 진입하며;
S5: 더운 바람으로 S4 단계에서 취득한 제품을 건조시키면 완성된다. 다시 제조된 반제품을 계속하여 정면 부동태화 필름을 도금한 후 전지 셀로 제조한다.
실시예2
본 실시예와 실시예1의 다른 점이라면, S3 단계에서, HF/HCl 용액의 HF 체적비가 40%이고, HCl 체적비가 5%이며, HF/HCl 탱크를 통과하는 시간이 2분이다. S4 단계에서, 염산 탱크를 통과하는 시간이 2분이다.
실시예3
본 실시예와 실시예1의 다른 점이라면, S3 단계에서, HF/HCl 용액의 체적비가 60%이고, HCl 체적비가 20%이며, HF/HCl 탱크를 통과하는 시간이 1분이다. S4 단계에서, 염산 탱크를 통과하는 시간이 1분이다.
체인식 세척기의 벨트 속도가 각 탱크와 관련되고, 일 부 실시예에서, S2~S5 단계에서, 실리콘 웨이퍼가 상응한 스테이션을 통과하는 시간이 1~2분인 것이 바람직하며; 일부 실시예에서, HF/HCl 용액에서, HF 체적비가 40%~60%이고, HCl 체적비가 5%~20%이다.
본 발명의 실시방식은 이에 제한되지 않고, 본 발명의 상기 내용에 의하여, 당업계의 일반적인 기술 지식과 관용 수단에 따라, 본 발명의 상기 기본 기술 사상을 벗어나지 않는 전제 하에서, 본 발명은 또한 기타 여러 가지 형식의 수정, 교체 또는 변경을 진행할 수 있으며, 이러한 것들은 모두 본 발명의 권리 보호 범위에 속한다 할 것이다.
Claims (10)
- 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법에 있어서,
S1: 실리콘 웨이퍼 배면에 A12O3 필름, SiO2 필름과 SiNx 필름을 도금하여 배면 부동태화 필름을 형성하고, 아울러 상기 실리콘 웨이퍼 정면 변두리에 와인딩 도금 필름을 형성하며;
S2: S1 단계에서 취득한 제품의 상기 배면 부동태화 필름의 표면 상에 수성 필름을 제작하며;
S3: S2 단계에서 취득한 제품이 산 탱크를 통과하게 하여, 상기 와인딩 도금 필름을 제거하며;
S4: S3 단계에서 취득한 제품이 물 탱크를 통과하게 하여, 잔여 약 용액을 제거하며;
S5: S4 단계에서 취득한 제품을 건조시키는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제1항에 있어서,
S4 단계를 완성한 후, S4 단계에서 취득한 제품이 염산 탱크를 통과하게 하여, 여분의 금속 이온을 제거하고, 다시 물 탱크를 통과하게 하여, 잔여 약 용액을 제거하며, S5 단계로 진입하는 것이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 SiO2 필름의 두께가 2~10nm인 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 산 탱크가 HF/HCl 탱크인 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제4항에 있어서,
상기 HF/HCl 용액에서, HF 체적비가 40%~60%이고, HCl 체적비가 5%~20%인 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제2항에 있어서,
염산 용액에서, HCl 체적비가 30%인 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제1항에 있어서,
S2~S5 단계에서, 실리콘 웨이퍼가 상응한 스테이션을 통과하는 시간이 1~2분인 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결정 실리콘 태양 전지가 PERC형 전지인 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제1항에 있어서,
S1 단계가 튜브형 플라즈마 코팅 장치 내에서 진행되는 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법. - 제1항에 있어서,
S2~S5 단계를 체인식 세척기가 수행하는 것을 특징으로 하는 결정 실리콘 태양 전지의 정면 와인딩 도금을 제거하는 방법.
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| CN103618020A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-03-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法 |
| CN103594529A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-02-19 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 |
| CN103594531A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-02-19 | 湖南大学 | 一种亲水型非规整多层减反射膜及其制备方法 |
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