KR20210031838A - 표면 검사 장치, 처리 시스템 및 물품 제조 방법 - Google Patents

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KR20210031838A
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고헤이 스즈키
신이치로 히라이
겐이치 고바야시
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

표면 검사 장치는 기판을 보유지지하는 스테이지, 광원, 광원으로부터의 광을 제1 방향을 따라 복수회에 걸쳐 주사하는 주사 광학계, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 스테이지를 주사하는 스테이지 주사 기구, 및 기판으로부터의 산란광을 검출하는 검출기를 포함한다. 기판의 검사 대상 영역은 주사 광학계 및 스테이지 주사 기구의 동작에 의해 광원으로부터의 광에 의해 주사된다. 주사 광학계의 색수차가 미리결정된 파장 범위 내에 들어오도록 보정된다. 광원으로부터의 광의 파장의 변동 범위는 제1 방향을 따른 각각의 광 주사 동작의 주사 기간에서의 광원의 총 점등 시간의 변동에 기초하여 결정된다. 변동 범위는 미리결정된 파장 범위 내에 들어온다.

Description

표면 검사 장치, 처리 시스템 및 물품 제조 방법{SURFACE INSPECTION APPARATUS, PROCESSING SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 표면 검사 장치, 처리 시스템 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
기판을 처리해서 물품을 제조하는 설비로서, 기판의 표면을 검사하는 표면 검사 장치가 사용될 수 있다. 표면 검사 장치는, 예를 들어 기판의 표면을 사입사 광 빔으로 조사하여 주사하고 이물로부터의 산란광을 검출기가 수광하게 함으로써 이물을 검출할 것이다. 예를 들어, 약 몇 십 나노미터의 이물의 검출하기 위해서, 매우 고감도인 검출기, 예를 들어 광전자증배관 등이 사용될 수 있다. 광전자증배관에서는, 광전음극에서 생성된 전자가 고전압에 의해 가속된 후에, 전자는 2차 전자를 생성하도록 구성되는 복수 단의 다이노드의 제1 단에 충돌된다. 최종 단의 다이노드를 통과할 때까지 축적된 전류가 증폭된 신호로서 애노드에 모아진다. 이와 같이, 광 입사에 의해 광전자증배관은 매우 낮은 강도를 갖는 광을 검출할 수 있지만, 기판의 에지로부터의 강한 산란광이 광전자증배관에 입사하면 광전자증배관으로부터의 출력은 긴 기간 동안 포화될 것이고, 이 기간 동안에는 계측을 행하는 것이 불가능할 것이다. 또한, 정격 이상의 애노드 전류가 흐르는 경우, 광전자증배관은 회복 불가능한 손상을 받을 가능성이 있다.
일본 특허 공개 제10-19792호는, 웨이퍼의 에지로부터의 산란광에 의해 검사될 수 없는 영역을 제거함으로써 웨이퍼의 전체면을 확실하게 검사하는 웨이퍼 표면 검사 장치를 개시하고 있다. 웨이퍼 표면 검사 장치는, 대상물의 외측으로부터 대상물로 주사가 행해지는 천이 영역을 제외한 범위 내에 들어오는 수광 유닛의 신호에 기초하여 웨이퍼의 표면을 검사한다. 또한, 일본 특허 공개 제10-19792호는, 데이터 검출 범위 내에서는 광원 유닛의 점등이 온되지만, 천이 영역에서는 광원 유닛의 점등이 온되지 않는 것을 개시하고 있다.
광원으로부터의 광으로 기판을 주사하고 있는 동안에 광원의 점등을 온 및 오프하도록 제어를 행하면, 각각의 주사 기간에서의 광원의 총 점등 시간은 복수의 주사 기간 간에 변동될 수 있다. 이것은, 각각의 주사 기간마다 광원으로부터 발생되는 광의 파장 범위가 변화될 수 있게 한다. 일반적으로, 표면 검사 장치에서, 기판의 패턴으로부터의 산란광이 이물로부터의 산란광과 구별될 수 있도록, 기판의 표면을 주사하는 광 빔의 스폿 직경을 감소시킬 필요가 있다. 이것을 실현하기 위해서는, 설계 사양에 따른 파장 범위에서만 광학계의 색수차가 보정될 수 있다. 각각의 주사 기간마다 광원으로부터의 광의 파장 범위가 변화하고, 파장 범위가 설계 사양의 파장 범위의 외측에 있는 경우, 광학계의 색수차가 현저하게 나타날 것이다. 이는 계측 정밀도를 저하시키거나 계측을 불가능하게 만들 수 있다. 광학계에서 색수차가 억제되도록 광학계를 설계하는 것이 가능할 수 있지만, 이는 설계의 난이도, 공차의 허용값, 제조 비용 등의 인자를 고려하면 현실적이지 않은 경우가 있을 수 있다.
본 발명은, 기판에서 고강도 산란광이 발생하는 것을 억제함으로써 광학계의 수차에 의해 발생하는 검출 불량을 억제하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 제1 양태는, 기판을 보유지지하도록 구성되는 스테이지, 광원, 상기 광원으로부터의 광을 제1 방향을 따라서 복수회에 걸쳐 주사하도록 구성되는 주사 광학계, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 스테이지를 주사하도록 구성되는 스테이지 주사 기구, 및 상기 기판의 표면으로부터의 산란광을 검출하도록 구성되는 검출기를 포함하며, 상기 검출기로부터의 신호에 기초하여 상기 기판의 상기 표면을 검사하는 표면 검사 장치를 제공하며, 상기 기판의 검사 대상 영역이 상기 주사 광학계 및 상기 스테이지 주사 기구의 동작에 의해 상기 광원으로부터의 광에 의해 주사되고, 상기 주사 광학계의 색수차가 미리결정된 파장 범위 내에 들어오도록 보정되고, 상기 주사 광학계에 의해 상기 제1 방향을 따라서 복수회에 걸쳐 행해지는 각각의 광 주사 동작의 주사 기간에서의 상기 광원의 총 점등 시간의 변동에 기초하여, 상기 광원에 의해 발생되는 상기 광의 파장의 변동 범위가 결정되며, 상기 변동 범위는 상기 미리결정된 파장 범위 내이다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 실시형태에 따른 표면 검사 장치(1)의 구성을 개략적으로 도시하는 측면도이다.
도 2는 실시형태의 표면 검사 장치(1)의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 참조 맵을 취득하는 처리의 흐름도이다.
도 4는 기판의 표면을 검사하는 처리의 흐름도이다.
도 5는 광원에 의해 발생되는 광의 파장 스펙트럼의 변화 예를 도시하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 비교예를 설명하는 도면이다.
도 7a 내지 도 7d는 제1 실시형태를 설명하는 도면이다.
도 8은 제1 실시형태를 설명하는 도면이다.
도 9a 내지 도 9f는 제1 실시형태를 설명하는 도면이다.
도 10은 제2 실시형태를 설명하는 도면이다.
도 11은 제2 실시형태를 설명하는 도면이다.
도 12는 제2 실시형태를 설명하는 도면이다.
도 13은 제4 실시형태를 설명하는 도면이다.
도 14a 내지 도 14f는 제4 실시형태를 설명하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태는 첨부된 특허 청구 범위에 관한 발명을 한정하는 것이 아니라는 것에 유의한다. 실시형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 특징의 모두가 본 발명에 필수적인 것은 아니며, 복수의 특징은 임의로 조합될 수 있다. 또한, 동일한 참조 번호는 첨부 도면에서 서로 동일하거나 유사한 구성을 나타내기 위해서 사용되며, 그에 대한 반복적인 설명은 생략한다.
<표면 검사 장치의 기본 구성>
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시형태에 다른 표면 검사 장치(1)의 기본 구성을 설명한다. 도 1 및 도 2는, 실시형태에 따른 표면 검사 장치(1)의 구성을 각각 개략적으로 도시하는 측면도 및 평면도이다. 표면 검사 장치(1)는 기판(3)의 표면을 검사하는 장치로서 형성된다. 표면 검사 장치(1)는, 예를 들어 기판(3)의 표면 상에 이물이 존재하는지를 검사하는 이물 검사 장치로서 사용될 수 있다. 표면 검사 장치(1)는, 예를 들어 스테이지(2), 광원(4), 주사 광학계(SO), 스테이지 주사 기구(19), 검출기(8), 및 컨트롤러(9)를 포함할 수 있다. 스테이지(2)는 기판(3)을 보유지지하는 척을 포함한다. 광원(4)은 기판(3)의 표면에 조사되는 광을 발생시킨다. 주사 광학계(SO)는, 광원(4)으로부터의 광을 X 방향(제1 방향)을 따라 복수회에 걸쳐 주사(주주사 동작)한다. 이 경우, X 방향은 주주사 방향(13)과 일치한다. 스테이지 주사 기구(19)는, 기판(3)(스테이지(2))을 X 방향과 직교 또는 교차하는 Y 방향(제2 방향)으로 주사(부주사 동작)하도록 형성될 수 있다. 이 경우, Y 방향은 부주사 방향(12)과 일치한다. 스테이지 주사 기구(19)는, 기판(3)(스테이지(2))을 Y 방향 외에 X 방향으로도 구동할 수 있도록 형성될 수 있다. 검출기(8)는 기판(3)의 표면 상의 이물(7)로부터의 산란광을 검출한다.
광원(4)은, 예를 들어 반도체 레이저 광원 등의 레이저 광원일 수 있다. 표면 검사 장치(1)가 임프린트 장치 또는 노광 장치에 제공되는 기판의 표면을 검사하는 장치로서 사용되는 경우, 광원(4)에 의해 발생되는 광의 파장은 기판(3) 상에 배치되는 레지스트 재료를 감광시키지 않는 파장으로 설정될 수 있다. 레지스트 재료(경화성 조성물)를 경화시키기 위해서 임프린트 장치에 의해 사용되는 광은 UV 광일 수 있다. 따라서, 표면 검사 장치(1)가 임프린트 장치와 함께 사용되는 경우, 광원(4)에 의해 발생되는 광의 파장을 400 nm 이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 광원(4)은, 기판(3)이 처리되는 처리 조건(예를 들어, 광원(4)에 의해 발생되는 광의 파장에 대한 반사율)에 따라, 발생되는 광의 강도가 변화될 수 있도록 구성될 수 있다. 반도체 레이저 장치가 광원(4)으로서 적용되는 경우, 예를 들어 100 MHz 이상의 주파수에서 점등을 온 및 오프(ON 및 OFF)시키는 제어를 행할 수 있다.
주사 광학계(SO)는, 예를 들어 포커스 광학계(14), 폴리곤 미러(5) 및 fθ 렌즈(6)를 포함할 수 있다. 포커스 광학계(14)는, 주사 광학계(SO)를 통해서 기판(3) 상에 조사되는 광의 스폿 직경을 조정하기 위해서 사용될 수 있다. 포커스 광학계(14)는, 예를 들어 광축 방향에서의 위치를 조정함으로써, 기판(3) 상에 조사되는 광의 스폿 직경을 조정할 수 있다. 광이 포커스 광학계(14)를 통과한 후에, 광원(4)으로부터의 광은 폴리곤 미러(5)의 미러면에 조사될 수 있다. 폴리곤 미러(5)는, 다면체 미러 블록(도 2에서는 4면체 미러 블록)을 임의의 속도에서 등속 회전시킴으로써, 기판(3)에 조사되는 광을 기판(3) 상에 X 방향에서 복수회에 걸쳐 주사할 수 있다. 폴리곤 미러(5)의 회전 구동 동작은, 예를 들어 10,000 rpm 내지 30,000 rpm의 범위 내의 일정 속도로 행해질 수 있다. 폴리곤 미러(5)는, 우수한 내구성을 갖는 에어 베어링에 의해 회전 가능하게 지지될 수 있다. 주사 기간에서 주사 광학계(SO)에 의해 광을 주사하고 있는 상태에서 광원(4)을 오프시키는 경우, 기판(3)에 대한 광 조사가 정지될 것이라는 것에 유의한다. 그러나, 본 명세서에서는, 설명의 편리성을 위해서, 주사 기간 중에는, 기판(3) 및 기판 외측의 영역(스테이지(2))이 광에 의해 주사되고 있는 것으로 설명한다.
폴리곤 미러(5)에 의해 반사된 광은, fθ 렌즈(6)를 통해서 기판(3)에 조사될 수 있다. fθ 렌즈(6)는, 폴리곤 미러(5)의 등속 회전 운동을 기판(3)의 표면(초점 평면) 상을 이동하는 스폿의 등속 직선 운동으로 변환한다. 이 등속 직선 운동은 X 방향, 즉 주주사 방향(13)을 따르는 운동이다. fθ 렌즈(6)로서는, 초점 평면에 대하여 수직으로 광을 조사할 수 있는 텔레센트릭 타입 렌즈가 사용될 수 있다. 스테이지(2)는, 스테이지 주사 기구(19)에 의해, Y 방향, 즉 주주사 방향(13)에 직교 및 교차하는 부주사 방향(12)으로 주사된다.
기판(3)의 표면에 부착된 검출 대상 이물(7)은, 예를 들어 최소 결정립 사이즈가 수십 nm 이상인 파티클일 수 있다. 이물(7)에 광이 조사되면, 이물(7)로부터 산란광이 발생한다. 산란광을 검출하기 위한 검출기(8)는, 매우 작은 광 강도 변화를 검출할 수 있을 필요가 있다. 검출기(8)는, 예를 들어 광전자증배관을 포함할 수 있다. 검출기(8)는, 이물(7)로부터의 후방 반사 또는 측방 반사를 검출할 수 있는 위치에 배치된다.
기판(3)은 회로 패턴 등의 요철을 갖고, 이러한 요철로부터도 산란광이 발생한다. 따라서, 검출기(8)의 출력 신호로부터 이물(7)의 신호를 추출할 필요가 있다. 즉, 회로 패턴 등에 포함되는 요철로부터의 산란광에 기인하는 신호는 이물(7)로부터의 산란광에 기인하는 신호와 구별될 필요가 있다. 구별의 정밀도를 증가시키기 위해서, 기판(3)의 표면을 주사하는 광의 스폿 직경은, 검출 대상으로서의 이물의 사이즈 및 회로 패턴 등의 패턴의 사이즈에 기초하여 최적화될 필요가 있다. 검출 대상으로서의 이물의 사이즈는 회로 패턴 등의 패턴의 사이즈보다 작은 경향이 있다. 이 경우 광의 스폿 직경이 증가하는 경우, 이물(7)로부터의 산란광 강도가 저하되는 동안 회로 패턴 등의 패턴으로부터의 산란광의 강도는 저하되지 않는 현상이 발생할 수 있다. 이것은 S/N 비 저하를 초래할 수 있다. 광의 스폿 직경은, 전술한 바와 같이, 광축 방향으로 포커스 광학계(14)를 구동함으로써 조정될 수 있다.
컨트롤러(9)는, 스테이지(2)의 구동(위치결정) 제어, 광원(4)의 온 및 오프(ON 및 OFF)의 제어, 및 폴리곤 미러(5)의 회전 제어를 행한다. 또한, 컨트롤러(9)는, 예를 들어 검출기(8)로부터 출력되는 연속적인 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환함으로써 신호 처리를 행할 수 있다. 신호 처리는, 이물로부터의 산란광으로부터 얻어진 가우스 분포의 광 강도 신호의 무게 중심을 구하고, 스테이지(2)의 위치에 상응하는 주주사 횟수와 광의 주사 개시 위치로부터의 데이터 샘플링 동작의 횟수로부터 기판(3)의 중심 좌표 위치(0, 0)에 상응하는 이물의 좌표 위치를 산출함으로써 행해지는 처리일 수 있다. 또한 얻어진 강도 분포의 피크값과 폭에 기초하여 결정립 사이즈를 예측할 수도 있다.
표면 검사 장치(1)는 마크 계측기(10)를 포함할 수 있다. 마크 계측기(10)는, 노광 장치에서 일반적으로 사용되는 얼라인먼트 스코프일 수 있다. 노광 장치에서 일반적으로 사용되는 얼라인먼트 스코프는, 기판(3)에 제공된 패턴 위에 새로운 패턴을 중첩하기 위해서 사용되며, 기판(3)에 제공된 각각의 얼라인먼트 마크의 위치를 계측할 수 있다. 표면 검사 장치(1)는 변위계(11)를 포함할 수 있다. 변위계(11)는, 기판(3)의 높이를 계측하기 위한 비접촉형 센서일 수 있다. 변위계(11)로서는, 예를 들어 미러면을 계측할 수 있는 반사형 레이저 변위계가 사용될 수 있다.
<비교예의 동작>
도 3 및 도 4를 참조하여 비교예를 설명한다. 도 3은 참조 맵을 취득하는 처리의 흐름도이다. 이 처리는 컨트롤러(9)에 의해 제어된다. 참조 맵은, 전체 기판(3)의 조도 분포를 맵으로 변환함으로써 얻어진다. 참조 맵은, 기판(3)의 표면의 검사 동안 광원(4)을 온시키는 기판(3) 상의 각각의 위치(광원(4)을 온시키는 타이밍)를 나타내는 점등 제어 맵(점등 제어 정보)을 생성하기 위해서 취득된다.
먼저, 단계 S301에서는, 스테이지(2) 위에 기판(3)이 로드된다. 이어서, 단계 S302에서는, 변위계(11)를 사용해서 기판(3)의 높이를 계측하고, 계측 결과가 참조 맵 취득 동안 사용되는 기판(3)의 정보로서 저장된다. 이어서, 단계 S303에서는, 기판(3) 상에 제공된 복수의 얼라인먼트 마크의 각각의 위치가 계측되고, 계측 결과에 기초해서 기판(3)의 위치(X, Y, Z)가 구해지며, 구한 결과가 참조 맵의 취득 동안 사용되는 기판(3)의 위치 정보로서 저장된다.
이어서, 단계 S304에서는, 표면 검사 장치(1)의 동작 모드는 기판(3)의 전체 영역(에지를 포함)에서 검출기(8)의 출력이 포화되지 않는 레벨까지 광원(4)에 의해 발생되는 광의 강도를 저하시키는 저감도 계측 모드로 설정된다. 저감도 계측 모드는, 검출기(8)의 감도를 저하시키거나, 또는 광원(4)으로부터 기판(3)에 이르는 광로 또는 기판(3)으로부터 검출기(8)에 이르는 광로에 ND 필터를 삽입함으로써 실현될 수도 있다.
이어서, 단계 S305에서는, 광원(4)이 상시 점등된 상태에서, 기판(3)의 전체 영역(에지를 포함)을 광원(4)으로부터의 광에 의해 주사(주주사 동작 및 부주사 동작)하면서, 기판(3)으로부터의 광이 검출기(8)에 의해 검출되고, 검출로부터 얻어진 출력이 저장된다. 이어서, 단계 S306에서는, 단계 S305에서 얻어진 결과로부터, 기판(3)의 각 좌표 위치(X, Y)로부터의 광의 강도를 나타내는 참조 맵이 생성되고, 생성된 참조 맵이 저장된다. 기판(3)의 각각의 좌표 위치(X, Y)의 최소 피치는, 광의 주사 속도, 스테이지(2)의 주사 속도, 및 광원(4)의 주파수 변조에서 사용되는 주파수에 기초하여 결정될 수 있다. 광의 주주사 속도를 700 m/sec로 설정하고, 광원(4)의 주파수 변조의 주파수를 100 MHz(0.01 μsec)로 설정하는 경우, X 방향(주주사 방향)의 최소 피치는 7 μm가 된다. 또한, 스테이지(2)의 부주사 속도를 20 mm/sec로 설정하고, 광의 주사 주파수를 1,500 Hz로 설정하는 경우, Y 방향(부주사 방향)의 최소 피치는 13.3 μm이 된다.
도 4는 기판(3)의 표면을 검사하는 처리의 흐름도이다. 이 처리는 컨트롤러(9)에 의해 제어된다. 먼저, 단계 S401에서는, 도 3에 도시된 처리에 의해 생성된 참조 맵이 로드된다. 이어서, 단계 S402에서는, 스테이지(2) 위에 기판(3)이 로드된다. 이어서, 단계 S403에서는, 변위계(11)를 사용해서 기판(3)의 높이를 계측한다. 이어서, 단계 S404에서는, 기판에 제공된 복수의 얼라인먼트 마크의 각각의 위치가 계측되며, 계측 결과에 기초해서 기판(3)의 위치(X, Y, Z)가 구해진다.
이어서, 단계 S405에서는, 참조 맵의 각 좌표 위치로부터의 광의 강도는, 고감도 계측 모드가 설정되는 때에 검출기(8)로부터 출력되는 광의 강도로 변환되고, 점등 제어 맵이 생성된다. 생성된 점등 제어 맵에서는, 허용 레벨을 초과하는 변환된 광 강도를 갖는 각각의 좌표 위치는 점등이 오프(OFF)되도록 설정되며, 허용 레벨을 초과하지 않는 변환된 광 강도를 갖는 각각의 좌표 위치는 점등이 온(ON)되도록 설정된다. 이 경우, 허용 레벨은, 검출기(8)가 고장나지 않고, 검출기(8)의 수명이 단축되지 않으며, 검출기(8)의 출력이 포화되지 않는 레벨이다. 점등 제어 맵은, 기판(3)의 각각의 좌표 위치와, 그 좌표 위치에서 광원(4)을 온시킬지 오프시킬지를 나타내는 정보의 조합에 기초하여 설정되는 피치(분해능)를 갖는다. 광원(4)이 오프되는 좌표 위치는, 기판(3)에 대한 광 조사 위치와 기판(3)의 에지 사이의 상대 위치 오차를 고려해서 설정될 수 있다.
광원(4)이 오프되는 기판(3)의 영역(기판(3)에 광을 조사하지 않는 영역)은, 이물이 존재하는 경우에도 이물을 검출할 수 없는 좌표 위치이다. 따라서, 광원(4)을 오프시키는 기판(3)의 영역은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 따라서, 기판(3)의 광 조사 위치와 기판(3)의 에지 사이의 상대 위치를 고정밀도로 제어하는 것이 필요하다. 따라서, 단계 S403에서 계측된 기판(3)의 높이와 참조 맵의 생성 시에 단계 S302에서 구해진 높이 사이의 차분을 산출하고, 이 차분에 기초하여 보정 동작이 행해진다. 예를 들어, 광의 입사 각도가 80°이고 기판(3)의 높이 차가 20 μm인 경우에, 광의 스폿 위치는 20/tan(10°) = 113.4 μm만큼 스테이지(2)의 주사 방향으로 시프트될 것이다. 이 시프트량에 기초하여, 점등 제어 맵 또는 스테이지(2)의 주사 위치를 보정할 수 있다. 또한, 단계 S404에서 계측된 기판(3)의 위치 및 참조 맵의 생성 시에 단계 S303에서 구해진 기판(3)의 위치에 기초하여, 점등 제어 맵이 보정될 수 있다.
이어서, 단계 S406에서는, 표면 검사 장치(1)의 동작 모드가 고감도 계측 모드로 설정된다. 고감도 계측 모드는, 이물이 검출될 수 있는 감도에서 계측(기판(3)의 표면 검사)을 행하는 모드이다. 이어서, 단계 S407에서는, 기판(3)의 표면을 검사하는 표면 검사 처리가 실행된다. 더 구체적으로는, 단계 S407에서는, 점등 제어 맵에 따라서 광원(4)의 점등을 제어하면서, 주사 광학계(SO)에 의한 주주사 동작 및 스테이지 주사 기구(19)에 의한 부주사 동작을 행하면서 기판(3)으로부터의 광이 검출기(8)에 의해 검출되고, 검출기로부터의 출력이 저장된다. 이어서, 단계 S408에서는, 단계 S407에서 기록된 신호에 기초하여 신호 처리가 실행되고, 기판(3)의 표면 상의 이물의 유무가 판정된다. 단계 S409에서는, 단계 S408의 결과가 출력된다. 단계 S410에서는, 기판(3)이 스테이지(2)로부터 언로드된다.
<비교예의 문제>
이하, 도 5 및 도 6a 내지 도 6c를 참조하면서 상술한 비교예의 문제를 설명한다. 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 방법에 의해 생성된 점등 제어 맵에 따라서 표면 검사 처리가 실행되는 경우, 각각의 주사 기간마다의 광원(4)의 총 점등 시간이 복수의 주사 기간 간에 변동될 수 있다. 이 경우, 각 주사 기간에서의 광원(4)의 총 점등 시간은, 각 주사 기간에서의 광원(4)의 점등 시간의 합이다. 본 명세서에서는, 주사 기간에서의 광원(4)의 총 점등 시간을 해당 주사 기간으로 나누어 구한 값을 "ON/OFF 듀티"라 칭할 것이다. 각각의 주사 기간(주주사 기간)마다의 광원(4)의 총 점등 시간이 복수의 주사 기간 간에서 변동된다는 사실은, 복수의 주사 기간(주주사 기간) 각각의 ON/OFF 듀티가 변동된다는 사실에 상응한다.
도 5는, 광원(4)으로서의 레이저 광원의 ON/OFF 듀티가 100%, 50%, 및 10%로 설정되는 경우에 레이저 광원에 의해 발생되는 광의 파장 스펙트럼의 예를 나타낸다. 100%, 50%, 및 10%에서 레이저 광원에 의해 발생되는 광 빔은 서로 상이한 파장 스펙트럼을 갖는다는 것을 알 수 있다. 이와 같이, ON/OFF 듀티가 저감됨에 따라 파장 스펙트럼은 점점 이상적이 될 것이다. 이 경우, 주사 기간 동안 점등이 OFF로 설정되는 기간이 길수록, 파장 스펙트럼의 폭이 넓어진다. 이러한 현상은 다른 종류의 광원에서도 인정된다.
기판 상의 이물을 검사하는 장치에서, 기판에 제공된 패턴으로부터의 산란광을 억제하면서 이물로부터의 산란광의 강도를 증가시키기 위해서, 기판의 표면을 주사하는 광의 스폿 직경을 작게 할 필요가 있다. 따라서, 설계 사양으로서, 광의 파장 범위(미리결정된 파장 범위)를 결정하고, 그 파장 범위 내에서 원하는 스폿 직경을 실현할 수 있도록 주사 광학계의 색수차를 보정하는 것이 유용하다. 그러나, 각각의 주사 기간(주주사 기간)마다 ON/OFF 듀티가 변동되는 경우, 도 5에 예시되는 바와 같이 광원(4)에 의해 발생되는 광의 파장 스펙트럼의 폭(파장 범위)이 증가할 수 있고 설계 사양으로서의 파장 범위(미리결정된 파장 범위)로부터 벗어날 수 있다. 광원(4)에 의해 발생되는 광의 파장이 설계 사양으로서의 파장 범위로부터 벗어나는 경우, 주사 광학계(SO)의 색수차가 현저하게 나타날 것이다. 이는 계측 정밀도를 저하시킬 수 있거나 또는 계측을 불가능하게 할 수 있다. 광학계에서 색수차가 억제되도록 광학계를 설계하는 것이 가능할 수 있지만, 이는 설계의 난이도, 공차의 허용값, 제조 비용 등의 인자를 고려하면 현실적이지 않은 경우가 있을 수 있다.
ON/OFF 듀티가 각각의 주사 동작마다 변화되게 하는 요인의 일례는, 상술한 비교예에서 설명한 바와 같은 기판의 에지로부터의 산란광에 대한 대책이 있다. 기판의 에지로부터의 산란광은 높은 강도를 갖기 때문에, 이는 산란광을 검출하는 검출기로부터의 출력이 포화되게 하고 상응하는 기간 동안 계측을 불가능하게 할 수 있다. 따라서, 상술한 비교예에서는, 기판의 에지에 광이 조사되지 않도록 점등 제어 맵이 생성된다.
그러나, 도 6a 내지 도 6c에 예시되는 바와 같이, 복수의 주사 기간 간에 ON/OFF 듀티가 변화될 것이다. 도 6a, 도 6b, 및 도 6c는 각각 기판 검사 처리의 개시 부근, 기판 검사 처리의 중간 부근, 및 기판 검사 처리의 종료 부근에서의 광원(4)의 상태(ON 및 OFF)를 나타낸다. 각각의 흑색 영역은, 주사 광학계(SO)의 폴리곤 미러(5) 및 스테이지(2)가 당해 영역에 대해 광 조사가 가능한 상태로 설정되어 있는 상태에서 광원(4)이 오프되기 때문에, 당해 영역에 광이 조사되지 않는 것을 나타내고 있다. 각각의 백색 영역은, 주사 광학계(SO)의 폴리곤 미러(5) 및 스테이지(2)가 당해 영역에 대해 광 조사가 가능한 상태로 설정되어 있는 상태에서 광원(4)이 온되기 때문에, 당해 영역에 광이 조사되는 것을 나타내고 있다.
<제1 실시형태>
도 7a 내지 도 7d 및 도 8을 참조하면서 본 발명의 제1 실시형태를 설명한다. 제1 실시형태로서 설명되지 않는 사항은 상기의 설명을 따르는 것으로 한다. 제1 실시형태에서는, 도 7a 내지 도 7d에 개략적으로 도시되는 바와 같은 점등 제어 맵이 준비되고, 이 점등 제어 맵에 따라서 기판(3)의 표면을 검사하는 처리가 컨트롤러(9)에 의해 실행된다. 도 7a 내지 도 7d의 각각에 나타낸 가로 배향 직사각형에서는, 주사 기간에서의 광원(4)의 제어 동작(ON 및 OFF)이 나타나며, 주사 기간에서 광이 조사되는 각각의 영역(광원이 온되는 기간에 상응) 및 광이 조사되지 않는 각각의 영역(광원이 오프되는 기간에 상응)을 나타내고 있다.
제1 실시형태에서는, 복수의 주사 기간 간의 ON/OFF 듀티 변동이 개략적으로 제한된다. 더 바람직하게는, 복수의 주사 기간 간의 ON/OFF 듀티 변동이 0으로 감소될 것이다. 그러나, 복수의 주사 기간 사이에서의 ON/OFF 듀티 변동에 대해 상응하는 공차 범위가 설정되었으며, 이 공차 범위는 주사 광학계의 색수차의 보정이 행해지는 파장 범위에 의존할 수 있다.
주사 광학계(SO)의 색수차가 설계 사양으로서 설정된 광의 파장 범위(미리결정된 파장 범위)에 기초하여 보정되며, 이 파장 범위 내에서 기판(3)에 조사되는 광의 원하는 스폿 직경(검출해야 할 이물의 치수에 상응하는 스폿 직경)이 보증된다. 주사 광학계(SO)에 의해 X 방향(제1 방향)을 따라 복수회에 걸쳐 행해지는 각각의 광 주사 동작의 주사 기간 동안의 광원(4)의 총 점등 시간의 변동에 기초하여, 광원(4)에 의해 발생되는 광의 파장의 변동 범위가 결정된다. 제1 실시형태에서는, 이 변동 범위가 설계 사양으로서 설정된 광의 파장 범위(미리결정된 파장 범위) 내에 들어오도록 결정되는 점등 제어 맵에 따라서 기판(3)의 표면을 검사하는 처리가 실행된다. 결과적으로, 광원(4)에 의해 발생되는 광의 파장은, 주사 광학계의 색수차가 보정되는 파장 범위 내가 되도록 억제될 것이다.
도 7a 내지 도 7d에 나타내는 제1 실시형태에서는, 각각의 점등 제어 맵은, 기판(3)의 에지를 포함하는 미리결정된 길이(X 방향)의 각각의 영역(흑색 영역)에서 광원(4)이 오프되고, 각각의 다른 영역(백색 영역)에서 광원(4)이 온되는 것을 나타낸다. 다른 관점에서 표현하면, 제1 실시형태에서는, 기판(3)의 검사 대상 영역 외에, 기판(3)의 외측 영역에도 광이 조사될 것이다. 그러나, 기판(3)의 에지에 광이 조사되지 않도록, 상응하는 마진이 배치될 수 있다. 도 7a 내지 도 7d에 도시된 예에서, 광원(4)이 오프되는 각각의 영역(기간)은 이러한 마진을 고려해서 결정된다.
복수회 실행되는 각각의 광 주사 동작은, 제2 방향(Y 방향)에서의 기판(3)의 에지와 기판(3)의 중심 사이의 제1 주사 라인을 주사하는 동작, 및 제1 주사 라인과 기판의 중심 사이의 제2 주사 라인을 주사하는 동작을 포함하는 것으로서 정의될 수 있다. 제1 주사 라인은, 예를 들어 도 7a에 나타내는 주사 라인에 상응하고, 제2 주사 라인은, 예를 들어 도 7b에 나타내는 주사 라인에 상응한다. 이러한 정의에서, 제1 주사 라인을 주사하는 동작 동안에 기판(3)의 외측 영역에 광이 조사되는 총 시간은, 제2 주사 라인을 주사하는 동작 동안에 기판(3)의 외측 영역에 광이 조사되는 총 시간보다 길 것이다.
복수회 실행되는 각각의 광 주사 동작의 주사 기간에서, 광원(4)의 총 점등 시간은, 미리결정된 기준 시간의 ±20% 이하의 범위 내에 들어오도록 설정될 수 있고, 미리결정된 기준 시간의 ±10% 이하의 범위 내에 들어오도록 설정되는 것이 바람직하며, 미리결정된 기준 시간의 ±6% 이하의 범위 내에 들어오도록 설정되는 것이 더 바람직하다. 이 미리결정된 기준 시간은 임의로 설정될 수 있다.
도 8은, 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 설명된 점등 제어 맵의 더 구체적인 예를 나타낸다. 점등 제어 맵(LCM)은, 광원(4)의 ON/OFF 제어가 행해지는 것을 허용하는 피치로, 기판(3)을 포함하는 검사 대상 영역(주사 광학계(SO) 및 스테이지(2)에 의해 광을 주사하는 영역)을 그리드로 변환함으로써 취득된다. 가로 방향의 주사 라인은 폴리곤 미러(5)에 의한 광의 주주사 방향이며, 예를 들어 좌측으로부터 우측으로 미리결정된 간격으로 광원(4)의 ON/OFF 제어가 행해진다. "0"은 광원(4)이 오프(OFF)되는 것을 나타내며, "1"은 광원(4)이 온(ON)되는 것을 나타낸다. 세로 방향은 스테이지 주사 기구(19)의 부주사 방향이다.
fθ 렌즈(6)가 기판(3)의 직경을 커버할 수 없고, 주주사 동작이 기판(3)의 전체 폭에 대해 한 번에 행해질 수 없는 경우, 도 9a 내지 도 9f에 예시되는 바와 같이 기판(3)의 주사 영역이 분할될 수 있다. 이 경우, 스테이지(2)의 주사 동작은 전진 주사 경로를 주사하는 동작 및 후진 주사 경로를 주사하는 동작으로 분할될 수 있다. 전진 주사 경로에 대한 주사 동작 및 후진 주사 경로에 대한 주사 동작 동안의 ON/OFF 듀티의 변동을 제한함으로써, 광원(4)에 의해 발생되는 광의 파장을 주사 광학계(SO)의 색수차가 보정되는 파장 내로 억제하는 것이 가능해진다.
제1 실시형태에서, 점등 제어 맵은, 비교예의 도 4에 도시된 처리의 단계 S405에서 생성된 점등 제어 맵을 보정함으로써 생성될 수 있다. 이러한 보정은, 주사 영역의 단부로부터 기판(3)의 에지 및 "0"(OFF)이 할당된 그 근방의 영역까지의 구간에 "0"을 설정함으로써 행해진다. 혹은, 제1 실시형태에 따른 점등 제어 맵은, 기판(3)의 에지 및 그 근방 영역에 "0"을 할당하고, 다른 영역에 "1"(ON)을 할당함으로써 생성될 수 있다.
<제2 실시형태>
도 10, 도 11 및 도 12를 참조하여 본 발명의 제2 실시형태를 설명한다. 제2 실시형태로서 언급되지 않는 사항은 상기의 설명을 따르는 것으로 한다. ON/OFF 듀티가 각각의 주사 동작마다 변화되게 하는 요인의 일례로서, 기판(3)의 패턴 정보(요철 정보)를 들 수 있다. 도 10은 기판(3)에 제공된 패턴을 개략적으로 도시한다. 기판(3)은, 거시적인 관점에서는, 스크라이브 라인(scribe line) 등에 의해 대표될 수 있는 격자 패턴(15a 내지 15h)을 가질 수 있다. 이러한 패턴에 광이 조사되면, 패턴으로부터 매우 강한 산란광이 발생할 수 있다. 따라서, 기판(3)의 패턴 정보, 또는 비교예로서 도 3을 참조하여 설명한 처리에 의해 얻어지는 참조 맵에 기초하여, 기판(3)에 제공되고 강한 산란광을 발생시킬 수 있는 패턴에 대하여 광 조사를 방지하도록 점등 제어 맵(LCM)이 생성될 수 있다.
도 11에는, 제2 실시형태에 따른 점등 제어 맵(LCM)이 예시되어 있다. 표기에 관한 룰은 도 10과 마찬가지이다. 기판(3) 상의 격자 패턴(15a 내지 15h)은 스크라이브 라인을 포함할 수 있다. 격자 패턴(15a 내지 15h)이 존재하는 영역은 매우 강한 산란광을 발생시킬 것이기 때문에, 점등 제어 맵(LCM)은 이들 영역에 대하여 광 조사를 방지하도록 생성될 수 있다. 점등 제어 맵(LCM)은, 비교예로서 도 3을 참조하여 설명한 처리에 의해 얻어지는 참조 맵에 기초하여 생성될 수 있다. 더 구체적으로는, 점등 제어 맵은, 도 3의 처리에 의해 참조 맵을 생성한 후 도 4의 처리를 실행하고, 단계 S405에서 생성된 점등 제어 맵을 보정함으로써 생성될 수 있다. 이러한 보정은, 주사 영역의 단부로부터 기판(3)의 에지 및 "0"(OFF)가 할당된 그 근방의 영역까지의 구간을 "0"으로서 설정하도록 행해질 수 있다. 혹은, 점등 제어 맵(LCM)은, 기판(3)의 스크라이브 라인 및/또는 커프(kerf) 부분 등의, 강한 산란광을 발생시키는 각각의 영역을 특정할 수 있는 정보(예를 들어, 설계 정보)에 기초하여 생성될 수 있다.
도 10 및 도 11에서는, 강한 산란광을 발생시키는 패턴으로서 스크라이브 라인만이 도시되어 있지만, 실제로는 각각의 커프 부분 및 또한 회로 패턴도 강한 산란광을 발생시킬 수 있다. 이들 부분 및 패턴을 고려해서 광원(4)을 오프시키는 영역을 추가하면, 각각의 주사 기간마다 ON/OFF 듀티에 영향을 줄 수 있다.
도 12는, 복수의 주사 기간 간의 ON/OFF 듀티 변동을 저감시키도록 도 11의 점등 제어 맵(LCM)을 보정함으로써 취득되는 점등 제어 맵(LCM)의 예를 도시한다. 점등 제어 맵(LCM)에는 검출기(8)의 포화를 방지하고 및/또는 수명 저하를 방지하기 위한 목적으로 "0"(OFF)이 할당되기 때문에, 점등 제어 맵(LCM)은 "0"(OFF)가 증가하도록 ON/OFF 듀티를 조정함으로써 보정된다. 따라서, 복수의 주사 기간(복수의 주사 라인) 중, "0"이 가장 많은 주사 기간의 ON/OFF 듀티에 다른 주사 기간의 ON/OFF 듀티가 가까워지도록, 점등 제어 맵(LCM)이 보정될 수 있다.
도 12에 도시된 예에서는, 패턴(15f)을 포함하는 주사 라인은, 이 주사 라인이 가장 많은 수의 스크라이브 라인과 겹치므로, 가장 많은 수의 "0"을 갖는다. 한편, 패턴(15g)을 포함하는 주사 라인 및 패턴(15h)을 포함하는 주사 라인은 스크라이브 라인(15e)과의 겹침이 적다. 복수의 주사 기간(복수의 주사 라인)의 ON/OFF 듀티의 변동을 감소시키기 위해서, 패턴(15g)을 포함하는 주사 라인 및 패턴(15h)을 포함하는 주사 라인의 "1"의 구간의 일부는 "0"의 구간으로 변화될 필요가 있다. "1"의 각각의 구간은 기판(3)의 유효 영역(디바이스의 제조에 사용되는 영역)이며 이물 검출에 필요하다. 따라서, 기판(3)의 외측 영역에 위치결정되는 "1"의 구간은 보정된 부분(16a 내지 16d)에 의해 나타내는 바와 같이 "0"의 구간으로 변경된다.
<제3 실시형태>
제3 실시형태는 제1 및 제2 실시형태의 변형예 또는 응용예를 제공한다. 제3 실시형태에서는, 광원(4)이 PWM 제어된다. 더 구체적으로는, 광원(4)의 ON/OFF를 제어하는 주파수 변조의 주파수를 증가시켜 점등 제어 맵(LCM)의 각각의 그리드마다 PWM 제어를 행함으로써, 광원(4)으로부터의 출력은 계조를 갖게 될 것이다. 예를 들어, 그리드 간격으로 100MHz의 주파수 변조를 실행하는 경우, 현재 실행되는 주파수 변조의 10배의 주파수 변조를 행할 수 있으면, 광의 주사 속도를 줄이는 일 없이 광원(4)으로부터의 출력을 10 단계로 가변 제어할 수 있다. 점등 제어 맵(LCM)의 각각의 그리드의 명령값을 10 단계로 표현하고, 각각의 그리드마다의 명령값에 따라 광원(4)의 ON/OFF 시간 비율을 10 단계로 변경하는 PWM 제어를 실행함으로써 계조 제어를 실현할 수 있다. 결과적으로, 광량이 저하된 영역에 대한 검출 감도는 저하될 것이지만, 계측을 행할 수 있게 될 것이다.
<제4 실시형태>
도 13은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 처리 시스템(200)을 나타낸다. 처리 시스템(200)은, 표면 검사 장치(1), 및 표면 검사 장치(1)에 의해 검사된 기판을 처리하는 처리 장치(100)를 포함할 수 있다. 처리 장치(100)는, 예를 들어 몰드를 사용해서 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 패턴을 기판의 상에 형성하는 임프린트 장치, 또는 몰드를 사용해서 기판 상에 경화성 조성물로 이루어지는 평탄화막을 형성하는 평탄화 장치일 수 있다. 혹은, 처리 장치(100)는, 감광재가 도포된 기판을 노광하는 노광 장치일 수 있다.
임프린트 장치의 적용예에 대해서 설명한다. 임프린트 장치를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM과 같은 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 단계에서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 임프린트 장치에 의해 기판에 패턴을 형성하고, 패턴이 형성된 기판을 처리하고, 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 14a에 나타내는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 이어서, 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적으로서 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 상태를 나타내고 있다.
도 14b에 나타내는 바와 같이, 임프린트용의 몰드(4z)를, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향해 대향시킨다. 도 14c에 나타내는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)을 몰드(4z)에 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)가 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 경화용의 에너지를 몰드(4z)를 통해서 임프린트재(3z)에 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.
도 14d에 나타내는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후, 몰드(4z)는 기판(1z)으로부터 분리된다. 그후, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 경화물의 패턴에서는, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 상응하며, 몰드의 볼록부가 경화물의 오목부에 상응한다. 즉, 임프린트재(3z)에 몰드(4z)의 요철 패턴이 전사된다.
도 14e에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈(5z)을 형성한다. 도 14f에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는, 경화물의 패턴이 제거된다. 그러나, 경화물의 패턴을 가공 또는 제거하는 대신에, 이것을 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용할 수 있다.
<제5 실시형태>
제5 실시형태는 물품 제조 방법을 제공한다. 물품 제조 방법은, 표면 검사 장치(1)를 사용하여 기판 상의 이물을 검사하는 검사 단계, 및 검사 단계를 거친 기판을 처리하는 처리 단계를 포함하고, 처리 단계에서 처리된 기판으로부터 물품을 제조한다. 검사 단계 및 처리 단계는, 예를 들어 제4 실시형태에 따른 처리 시스템(200)을 사용해서 실행될 수 있다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명했지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (14)

  1. 기판을 보유지지하도록 구성되는 스테이지, 광원, 상기 광원으로부터의 광을 제1 방향을 따라서 복수회에 걸쳐 주사하도록 구성되는 주사 광학계, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 스테이지를 주사하도록 구성되는 스테이지 주사 기구, 및 상기 기판의 표면으로부터의 산란광을 검출하도록 구성되는 검출기를 포함하며, 상기 검출기로부터의 신호에 기초하여 상기 기판의 상기 표면을 검사하는 표면 검사 장치이며,
    상기 기판의 검사 대상 영역이 상기 주사 광학계 및 상기 스테이지 주사 기구의 동작에 의해 상기 광원으로부터의 상기 광에 의해 주사되고,
    상기 주사 광학계의 색수차가 미리결정된 파장 범위 내에 들어오도록 보정되고,
    상기 주사 광학계에 의해 상기 제1 방향을 따라서 복수회에 걸쳐 행해지는 각각의 광 주사 동작의 주사 기간에서의 상기 광원의 총 점등 시간의 변동에 기초하여, 상기 광원에 의해 발생되는 상기 광의 파장의 변동 범위가 결정되며,
    상기 변동 범위는 상기 미리결정된 파장 범위 내인 표면 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광원의 점등은 상기 기판의 에지에 광이 조사되지 않도록 제어되는 표면 검사 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광원의 점등은 상기 기판의 상기 표면의 요철 정보에 따라서 제어되는 표면 검사 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광원의 점등은 PWM 제어에 의해 행해지는 표면 검사 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광원의 점등은, 상기 기판의 상기 검사 대상 영역 외에, 상기 기판의 외측 영역에도 상기 광이 조사되도록 제어되는 표면 검사 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수회에 걸쳐 행해지는 상기 광 주사 동작은, 상기 제2 방향에서의 상기 기판의 에지와 상기 기판의 중심 사이의 제1 주사 라인을 주사하는 동작 및 상기 제1 주사 라인과 상기 중심 사이의 제2 주사 라인을 주사하는 동작을 포함하며,
    상기 제1 주사 라인을 주사하는 상기 동작에서 상기 기판의 상기 외측 영역에 상기 광이 조사되는 총 시간은, 상기 제2 주사 라인을 주사하는 상기 동작에서 상기 기판의 상기 외측 영역에 상기 광이 조사되는 총 시간보다 긴 표면 검사 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상의 광이 조사될 수 있는 영역을 검출하는 동작이 실행되며, 상기 동작에 의해 검출된 영역에 기초하여 상기 광원의 점등이 제어되는 표면 검사 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수회에 걸쳐 행해지는 각각의 광 주사 동작의 주사 기간에서, 상기 광원의 상기 총 점등 시간은 기준 시간의 ±20% 이하의 범위 내인 표면 검사 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수회에 걸쳐 행해지는 각각의 광 주사 동작의 주사 기간에서, 상기 광원의 상기 총 점등 시간은 기준 시간의 ±10% 이하의 범위 내인 표면 검사 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수회에 걸쳐 행해지는 각각의 광 주사 동작의 주사 기간에서, 상기 광원의 상기 총 점등 시간은 기준 시간의 ±6% 이하의 범위 내인 표면 검사 장치.
  11. 기판을 보유지지하도록 구성되는 스테이지, 광원, 상기 광원으로부터의 광을 제1 방향을 따라서 복수회에 걸쳐 주사하도록 구성되는 주사 광학계, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 스테이지를 주사하도록 구성되는 스테이지 주사 기구, 및 상기 기판의 표면으로부터의 산란광을 검출하도록 구성되는 검출기를 포함하며, 상기 검출기로부터의 신호에 기초하여 상기 기판의 상기 표면을 검사하는 표면 검사 장치이며,
    상기 기판의 검사 대상 영역이 상기 주사 광학계 및 상기 스테이지 주사 기구의 동작에 의해 상기 광원으로부터의 상기 광에 의해 주사되며,
    상기 광원의 점등은, 상기 기판의 상기 검사 대상 영역 외에, 상기 기판의 외측 영역에도 상기 광이 조사되도록 제어되는 표면 검사 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 주사 광학계에 의해 상기 복수회에 걸쳐 행해지는 상기 제1 방향을 따른 상기 광의 주사는, 상기 제2 방향에서의 상기 기판의 에지와 상기 기판의 중심 사이의 제1 주사 라인을 주사하는 동작 및 상기 제1 주사 라인과 상기 중심 사이의 제2 주사 라인을 주사하는 동작을 포함하며,
    상기 제1 주사 라인을 주사하는 상기 동작에서 상기 기판의 상기 외측 영역에 상기 광이 조사되는 총 시간은, 상기 제2 주사 라인을 주사하는 상기 동작에서 상기 기판의 상기 외측 영역에 상기 광이 조사되는 총 시간보다 긴 표면 검사 장치.
  13. 처리 시스템이며,
    제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 규정된 표면 검사 장치; 및
    상기 표면 검사 장치에 의해 검사된 기판을 처리하도록 구성되는 처리 장치를 포함하는 처리 시스템.
  14. 물품 제조 방법이며, 상기 방법은,
    제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 규정된 표면 검사 장치에 의해 기판 상의 이물을 검사하는 검사 단계; 및
    상기 검사 단계를 거친 상기 기판을 처리하는 처리 단계를 포함하며,
    상기 물품은 상기 처리 단계에서 처리된 상기 기판으로부터 제조되는 물품 제조 방법.
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