KR20210007032A - 플라즈마 강화 화학 기상 증착 챔버에서 기생 플라즈마를 억제하기 위한 장치 - Google Patents

플라즈마 강화 화학 기상 증착 챔버에서 기생 플라즈마를 억제하기 위한 장치 Download PDF

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사티쉬 카탐블리
마이유 고빈드 쿨카니
하니쉬 쿠마르 파나발라필 쿠마란쿠티
비나이 케이. 프라바카
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주안 카를로스 로카
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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, PECVD 챔버에서 사용될 금속 차폐부에 관한 것이다. 금속 차폐부는 기판 지지 부분 및 샤프트 부분을 포함한다. 샤프트 부분은 벽 두께를 갖는 튜브형 벽을 포함한다. 튜브형 벽은 튜브형 벽에 매립된 냉각제 채널의 공급 채널 및 냉각제 채널의 리턴 채널을 갖는다. 공급 채널 및 리턴 채널 각각은 튜브형 벽 내의 헬릭스이다. 헬리컬 공급 채널 및 헬리컬 리턴 채널은 동일한 회전 방향을 갖고, 서로 평행하다. 공급 채널 및 리턴 채널은 튜브형 벽에 인터리빙된다. 공급 채널 및 리턴 채널이 금속 차폐부에 인터리빙됨에 따라, 금속 차폐부에서의 열 경사도가 감소된다.

Description

플라즈마 강화 화학 기상 증착 챔버에서 기생 플라즈마를 억제하기 위한 장치
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 프로세스 챔버들, 이를테면 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 챔버들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 실시예들은 PECVD 챔버에 배치된 기판 지지 조립체에 관한 것이다.
[0002] PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)는 기판, 이를테면 반도체 웨이퍼 또는 투명 기판 상에 박막들을 증착하기 위해 사용된다. PECVD는 일반적으로, 기판 지지부 상에 배치된 기판을 포함하는 진공 챔버 내에 전구체 가스 또는 가스 혼합물을 도입함으로써 달성된다. 전구체 가스 또는 가스 혼합물은 전형적으로, 챔버의 최상부 근처에 위치된 가스 분배 플레이트를 통해 하방으로 지향된다. 챔버 내의 전구체 가스 또는 가스 혼합물은, 챔버 내의 전극에 커플링된 하나 이상의 전력 소스들로부터 챔버 내의 전극에 전력, 이를테면 RF(radio frequency) 전력을 인가함으로써, 플라즈마로 에너자이징(energize)된다(예컨대, 여기됨). 여기된 가스 또는 가스 혼합물이 반응하여 기판의 표면 상에 재료의 층을 형성한다. 층은, 예컨대, 패시베이션(passivation) 층, 게이트 절연체, 버퍼 층, 및/또는 에칭 스톱(etch stop) 층일 수 있다.
[0003] PECVD 동안, 용량성 커플링 플라즈마(또한 주 플라즈마로 알려져 있음)가 기판 지지부와 가스 분배 플레이트 사이에 형성된다. 그러나, 기생 플라즈마(parasitic plasma)(또한 이차 플라즈마로 알려져 있음)가 챔버의 하부 볼륨에서 기판 지지부 아래에 생성될 수 있다. 기생 플라즈마는 용량성 커플링 플라즈마의 농도를 감소시키고, 그에 따라, 용량성 커플링 플라즈마의 밀도를 감소시키며, 이는 막의 증착 레이트를 감소시킨다. 게다가, 챔버들 사이의 기생 플라즈마의 농도 및 밀도의 변화는 별개의 챔버들에서 형성되는 막들 사이의 균일성을 감소시킨다.
[0004] 따라서, 기생 플라즈마의 생성을 완화하기 위해, 개선된 기판 지지 조립체가 필요하다.
[0005] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, PECVD 챔버에서 사용될 금속 차폐부에 관한 것이다. 일 실시예에서, 금속 차폐부는 금속 플레이트; 튜브형 벽을 포함하는 금속 중공 튜브; 및 금속 중공 튜브의 튜브형 벽 및 금속 플레이트에 형성된 냉각제 채널을 포함한다. 냉각제 채널은 공급 채널을 포함하며, 그 공급 채널은 금속 플레이트에서 평면 스파이럴 패턴(planar spiral pattern)을 갖고, 금속 중공 튜브의 튜브형 벽에서 헬리컬 패턴(helical pattern)을 갖는다. 냉각제 채널은 리턴 채널을 더 포함하며, 그 리턴 채널은 금속 플레이트에서 평면 스파이럴 패턴을 갖고, 금속 중공 튜브의 튜브형 벽에서 헬리컬 패턴을 갖는다. 공급 채널 및 리턴 채널은 금속 플레이트 및 튜브형 벽에 인터리빙(interleave)된다.
[0006] 다른 실시예에서, 기판 지지 조립체는 가열기 플레이트; 가열기 플레이트를 향하는 표면을 갖는 단열 플레이트; 및 단열 플레이트의 표면 상에 형성된 제1 복수의 감소된 접촉 피처(feature)들을 포함한다. 가열기 플레이트는 제1 복수의 감소된 접촉 피처들과 접촉한다. 기판 지지 조립체는 금속 차폐부를 더 포함하며, 그 금속 차폐부는 금속 튜브형 벽을 갖는 금속 중공 튜브 및 금속 플레이트를 포함한다. 금속 플레이트는 단열 플레이트를 향하는 표면을 포함하고, 제2 복수의 감소된 접촉 피처들은 금속 플레이트의 표면 상에 형성된다. 단열 플레이트는 제2 복수의 감소된 접촉 피처들과 접촉한다.
[0007] 다른 실시예에서, 프로세스 챔버는 챔버 벽; 최하부; 가스 분배 플레이트; 및 기판 지지 조립체를 포함한다. 기판 지지 조립체는 가열기 플레이트; 가열기 플레이트를 향하는 표면을 갖는 단열 플레이트; 및 단열 플레이트의 표면 상에 형성된 제1 복수의 감소된 접촉 피처들을 포함한다. 가열기 플레이트는 제1 복수의 감소된 접촉 피처들과 접촉한다. 기판 지지 조립체는 금속 차폐부를 더 포함하며, 그 금속 차폐부는 금속 튜브형 벽을 갖는 금속 중공 튜브 및 금속 플레이트를 포함한다. 금속 플레이트는 단열 플레이트를 향하는 표면을 포함하고, 제2 복수의 감소된 접촉 피처들은 금속 플레이트의 표면 상에 형성된다. 단열 플레이트는 제2 복수의 감소된 접촉 피처들과 접촉한다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하고, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
[0009] 도 1은 일 실시예에 따른, 기판 지지 조립체를 포함하는 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 2a는 도 1의 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 2b는 도 1의 기판 지지 조립체의 금속 차폐부의 일부의 개략적인 단면도이다.
[0012] 도 3a는 도 1의 기판 지지 조립체의 단열 플레이트의 평면도이다.
[0013] 도 3b는 도 1의 기판 지지 조립체의 단열 플레이트의 저면도이다.
[0014] 도 4는 도 1의 기판 지지 조립체의 금속 차폐부의 사시도이다.
[0015] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
[0016] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, PECVD 챔버에서 사용될 금속 차폐부에 관한 것이다. 금속 차폐부는 기판 지지 부분 및 샤프트 부분을 포함한다. 샤프트 부분은 벽 두께를 갖는 튜브형 벽을 포함한다. 튜브형 벽은 튜브형 벽에 매립된 냉각제 채널의 공급 채널 및 냉각제 채널의 리턴 채널을 갖는다. 공급 채널 및 리턴 채널 각각은 튜브형 벽 내의 헬릭스(helix)이다. 헬리컬 공급 채널 및 헬리컬 리턴 채널은 동일한 회전 방향을 갖고, 서로 평행하다. 공급 채널 및 리턴 채널은 튜브형 벽에 인터리빙된다. 공급 채널 및 리턴 채널이 금속 차폐부에 인터리빙됨에 따라, 금속 차폐부에서의 열 경사도가 감소된다.
[0017] 본원의 실시예들은 기판들을 프로세싱하도록 구성된 PECVD 시스템(이를테면, 캘리포니아, 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능한 PECVD 시스템)에서의 사용을 참조하여 아래에서 예시적으로 설명된다. 그러나, 개시되는 청구대상이 다른 시스템 구성들, 이를테면, 에칭 시스템들, 다른 화학 기상 증착 시스템들, 및 프로세스 챔버 내에서 기판이 플라즈마에 노출되는 임의의 다른 시스템에 유용하다는 것이 이해되어야 한다. 본원에서 개시되는 실시예들이 다른 제조자들에 의해 제공되는 프로세스 챔버들 및 다중 형상 기판들을 사용하는 챔버들을 사용하여 실시될 수 있다는 것이 추가로 이해되어야 한다. 본원에서 개시되는 실시예들이 다양한 사이즈 및 치수들의 기판들을 프로세싱하도록 구성된 다른 프로세스 챔버들에서의 실시를 위해 구성될 수 있다는 것이 또한 이해되어야 한다.
[0018] 도 1은 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른, 기판 지지 조립체(128)를 포함하는 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 도 1의 예에서, 프로세스 챔버(100)는 PECVD 챔버이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(100)는 하나 이상의 벽들(102), 최하부(104), 가스 분배 플레이트(110), 및 기판 지지 조립체(128)를 포함한다. 벽들(102), 최하부(104), 가스 분배 플레이트(110), 및 기판 지지 조립체(128)는 함께 프로세싱 볼륨(106)을 정의한다. 프로세싱 볼륨(106)은 기판(105)이 프로세스 챔버(100) 내로 그리고 밖으로 이송될 수 있도록 벽들(102)을 관통하여 형성된 밀봉가능 슬릿 밸브 개구(108)를 통해 접근된다.
[0019] 기판 지지 조립체(128)는 기판 지지 부분(130) 및 샤프트 부분(134)을 포함한다. 샤프트 부분(134)은 기판 지지 조립체(128)를 상승 및 하강시키도록 구성된 리프트 시스템(136)에 커플링된다. 기판 지지 부분(130)은 기판(105)을 지지하기 위한 기판 수용 표면(132)을 포함한다. 리프트 핀들(138)은, 기판 이송을 가능하게 하도록, 기판 수용 표면(132)으로 그리고 기판 수용 표면(132)으로부터 기판(105)을 이동시키기 위해, 기판 지지 부분(130)을 통해 이동가능하게 배치된다. 기판 지지 부분(130)은 또한, 기판 지지 부분(130)의 주변부에 RF 접지를 제공하기 위해 접지 스트랩들(129 또는 151)을 포함할 수 있다. 기판 지지 조립체(128)는 도 2a 내지 도 2c에서 상세히 설명된다.
[0020] 일 실시예에서, 가스 분배 플레이트(110)는 서스펜션(suspension)(114)에 의해 주변부에서 배킹 플레이트(112)에 커플링된다. 다른 실시예들에서, 배킹 플레이트(112)는 존재하지 않고, 가스 분배 플레이트(110)는 벽들(102)에 커플링된다. 가스 소스(120)가 유입구 포트(116)를 통해 배킹 플레이트(112)(또는 가스 분배 플레이트)에 커플링된다. 가스 소스(120)는 가스 분배 플레이트(110)에 형성된 복수의 가스 통로들(111)을 통해 프로세싱 볼륨(106)에 하나 이상의 가스들을 제공할 수 있다. 적합한 가스들은 실리콘-함유 가스, 질소-함유 가스, 산소-함유 가스, 불활성 가스, 또는 다른 가스들을 포함할 수 있다(그러나 이에 제한되지는 않음).
[0021] 진공 펌프(109)가 프로세싱 볼륨(106) 내의 압력을 제어하기 위해 프로세스 챔버(100)에 커플링된다. RF 전력 소스(122)가 가스 분배 플레이트(110)에 RF 전력을 제공하기 위해, 배킹 플레이트(112)에 커플링되고 그리고/또는 가스 분배 플레이트(110)에 직접적으로 커플링된다. RF 전력 소스(122)는 가스 분배 플레이트(110)와 기판 지지 조립체(128) 사이에 전기장을 생성할 수 있다. 전기장은 가스 분배 플레이트(110)와 기판 지지 조립체(128) 사이에 있는 가스들로부터 플라즈마를 형성할 수 있다. 다양한 RF 주파수들이 사용될 수 있다. 예컨대, 주파수는 약 0.3 MHz 내지 약 200 MHz, 이를테면 약 13.56 MHz일 수 있다.
[0022] 원격 플라즈마 소스(124), 이를테면 유도성 커플링 원격 플라즈마 소스가 또한, 가스 소스(120)와 유입구 포트(116) 사이에 커플링될 수 있다. 기판들의 프로세싱 사이에, 세정 가스가 원격 플라즈마 소스(124)에 제공될 수 있다. 세정 가스가 원격 플라즈마 소스(124) 내에서 플라즈마로 여기되어 원격 플라즈마가 형성될 수 있다. 원격 플라즈마 소스(124)에 의해 생성되는 여기된 종은 챔버 컴포넌트들을 세정하기 위해 프로세스 챔버(100) 내에 제공될 수 있다. 세정 가스는 해리된 세정 가스 종의 재결합을 감소시키기 위해 RF 전력 소스(122)에 의해 추가로 여기될 수 있다. 적합한 세정 가스들은 NF3, F2, 및 SF6를 포함한다(그러나 이에 제한되지는 않음).
[0023] 챔버(100)는 실리콘-함유 재료와 같은 재료를 증착하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 챔버(100)는 비정질 실리콘(a-Si), 실리콘 질화물(SiNx), 및/또는 실리콘 산화물(SiOx)의 하나 이상의 층들을 증착하기 위해 사용될 수 있다.
[0024] 도 2a는 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른, 도 1의 기판 지지 조립체(128)의 개략적인 단면도이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판 지지 조립체(128)는 기판 지지 부분(130) 및 샤프트 부분(134)을 포함한다. 기판 지지 부분(130)은 가열기 플레이트(202) 및 단열 플레이트(204)를 포함한다. 가열기 플레이트(202)는 세라믹 재료, 이를테면 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 질화물로 제작될 수 있다. 일 실시예에서, 가열기 플레이트(202)는 양극산화 알루미늄으로 제작된다. 가열 엘리먼트(214)가, 동작 동안, 가열기 플레이트(202) 상에 배치된 기판(105)(도 1에 도시된 바와 같음)을 미리 결정된 온도까지 가열하기 위해 가열기 플레이트(202)에 매립된다. 일 실시예에서, 기판(105)(도 1에 도시된 바와 같음)은, 동작 동안, 가열기 플레이트(202)에 의해 섭씨 500도 초과의 온도까지 가열된다. 단열 플레이트(204)는 세라믹 재료, 이를테면 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 질화물로 제작된다. 일 실시예에서, 단열 플레이트(204)는 알루미늄 산화물로 제작된다. 샤프트 부분(134)은 가열기 플레이트(202)에 연결된 스템(stem)(206)을 포함한다. 스템(206)은 중공 튜브이고, 가열기 플레이트(202)와 동일한 재료로 제작될 수 있다. 일 실시예에서, 스템(206)과 가열기 플레이트(202)는 단일 재료 피스(single piece of material)로 제작된다. 스템(206)은 커넥터(216)에 연결되고, 차례로, 커넥터(216)는 리프트 시스템(136)에 연결된다.
[0025] 기판 지지 조립체(128)는 금속 차폐부(208)를 더 포함한다. 금속 차폐부(208)는 샤프트 부분(212)에 의해 지지된 기판 지지 부분(210)을 포함한다. 기판 지지 부분(210)은 기판 지지 조립체(128)의 기판 지지 부분(130)의 일부이고, 샤프트 부분(212)은 기판 지지 조립체(128)의 샤프트 부분(134)의 일부이다. 일 실시예에서, 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210)은 금속 플레이트이고, 금속 차폐부(208)의 샤프트 부분(212)은 금속 중공 튜브이다. 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210) 및 샤프트 부분(212)은 금속, 이를테면, 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄, 베릴륨, 구리, 스테인리스 강, 또는 니켈로 제작된다. 일 실시예에서, 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210) 및 샤프트 부분(212)은 알루미늄으로 제작되는데, 이는 알루미늄이 불소 함유 종과 같은 세정 종에 의해 부식되지 않기 때문이다. 다른 실시예에서, 기판 지지 부분(210)은 스테인리스 강으로 제작된다. 일 실시예에서, 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210) 및 샤프트 부분(212)은 임의의 적합한 연결 방법에 의해 연결된 별개의 컴포넌트들이다. 다른 실시예에서, 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210) 및 샤프트 부분(212)은 단일 재료 피스이다.
[0026] 금속 차폐부(208)는 PECVD 프로세스 동안 접지 스트랩들(129 또는 151)을 통해 접지된다. 접지된 금속 차폐부(208)는 기생 플라즈마의 생성을 실질적으로 감소시킬 수 있는 RF 차폐부로서 기능한다. 일 실시예에서, 금속 차폐부(208)는 알루미늄으로 제작되는데, 이는 알루미늄이 금속 오염에 기여하지 않고, 세정 프로세스 동안 형성되는 불소 함유 종에 대해 내성이 있기 때문이다. 그러나, 알루미늄으로 제작된 금속 차폐부(208)의 기계적 및 전기적 특성들은 섭씨 500도 초과의 프로세싱 온도들에서 저하될 수 있다. 따라서, 금속 차폐부(208)가 섭씨 500도 근처 또는 섭씨 500도 초과의 온도들에서 사용하도록 계획된 애플리케이션들에서, 금속 차폐부(208)는 금속 차폐부(208)에 형성된 냉각제 채널(222)과 같은 냉각 엘리먼트들을 포함한다.
[0027] 금속 차폐부(208)의 샤프트 부분(212)은 튜브형 벽(223)을 포함하고, 냉각제 채널(222)은 튜브형 벽(223) 및 기판 지지 부분(210)에 형성된다. 냉각제 채널(222)은 공급 채널(224) 및 리턴 채널(226)을 포함한다. 공급 채널(224) 및 리턴 채널(226) 각각은 튜브형 벽(223) 내의 헬릭스이다. 튜브형 벽(223)에 형성된 헬리컬 공급 채널(224) 및 헬리컬 리턴 채널(226)은 동일한 회전 방향을 갖고, 서로 평행하다. 헬리컬 공급 채널(224) 및 헬리컬 리턴 채널(226)은 튜브형 벽(223)에 교번적으로 포지셔닝된다. 다시 말하면, 헬리컬 공급 채널(224) 및 헬리컬 리턴 채널(226)은 튜브형 벽(223)에 인터리빙된다. 기판 지지 부분(210)에 형성된 공급 채널(224) 및 리턴 채널(226)은 평면 스파이럴 패턴들을 갖고, 스파이럴 공급 채널(224) 및 스파이럴 리턴 채널(226)이 기판 지지 부분(210)에 교번적으로 포지셔닝된다. 다시 말하면, 스파이럴 공급 채널(224) 및 스파이럴 리턴 채널(226)은 기판 지지 부분(210)에 인터리빙된다. 공급 채널(224) 및 리턴 채널(226)이 금속 차폐부(208)에 교번적으로 포지셔닝되거나 또는 인터리빙됨에 따라, 금속 차폐부(208)에서의 열 경사도가 감소된다.
[0028] 단열 플레이트(204)는, 동작 동안, 금속 차폐부(208)를 가열기 플레이트(202)보다 더 낮은 온도로 유지하기 위해, 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210)과 가열기 플레이트(202) 사이에 배치된다. 부가하여, 단열 튜브(215)가 스템(206)으로부터 금속 차폐부(208)의 샤프트 부분(212)으로의 열 전달을 감소시키기 위해, 금속 차폐부(208)의 샤프트 부분(212)과 스템(206) 사이에 배치된다. 게다가, 가열기 플레이트(202)와 단열 플레이트(204) 사이의 계면, 및 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210)과 단열 플레이트(204) 사이의 계면에서, 감소된 접촉 피처들(218, 220)이 각각 활용된다. 감소된 접촉 피처들(218, 220)은 접촉을 제한하고, 그에 따라, 동작 동안, 가열기 플레이트(202)로부터 금속 차폐부(208)로의 열 전도성 열 전달을 제한한다. 감소된 접촉 피처(218)는 단열 플레이트(204)의 표면(234)으로부터 연장되고, 표면(234)은 가열기 플레이트(202)를 향한다. 단열 플레이트(204)는 표면(234)의 반대편에 표면(232)을 갖는다. 감소된 접촉 피처(220)는 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210)의 표면(230) 상에 또는 그 표면(230)에 배치되고, 표면(230)은 단열 플레이트(204)를 향한다. 가열기 플레이트(202)는 감소된 접촉 피처(218)와 접촉하고, 단열 플레이트(204)의 표면(234)과 가열기 플레이트(202) 사이에 갭(G1)이 형성된다. 단열 플레이트(204)는 감소된 접촉 피처(220)와 접촉하고, 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210)의 표면(230)과 단열 플레이트(204)의 표면(232) 사이에 갭(G2)이 형성된다.
[0029] 도 2b는 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른, 도 1의 기판 지지 조립체(128)의 금속 차폐부(208)의 일부의 개략적인 단면도이다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 감소된 접촉 피처(220)는 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210)에 부분적으로 매립된 볼(ball)이다. 감소된 접촉 피처(220)는 사파이어와 같은 단열 재료로 제작될 수 있다. 감소된 접촉 피처들(220)의 개수 및 패턴은 가열기 플레이트(202)로부터의 감소된 열 손실을 제공하도록 결정된다. 일 실시예에서, 3개의 감소된 접촉 피처들(220)이 활용되고, 3개의 감소된 접촉 피처들(220)은 정삼각형을 형성하도록 패터닝된다. 감소된 접촉 피처(220)는 구형 이외의 형상, 이를테면, 피라미드형, 원통형, 또는 원뿔형을 가질 수 있다.
[0030] 도 3a는 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른, 도 1의 기판 지지 조립체(128)의 단열 플레이트(204)의 평면도이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 단열 플레이트(204)는 개구(302)를 포함하며, 개구(302)를 통해 스템(206)(도 2a에 도시된 바와 같음)이 연장된다. 단열 플레이트(204)는 복수의 리프트 핀 홀들(304)을 더 포함하며, 복수의 리프트 핀 홀들(304)을 통해 리프트 핀들(138)이 연장된다. 복수의 감소된 접촉 피처들(218)은 단열 플레이트(204)의 표면(234)으로부터 연장되어 형성된다. 감소된 접촉 피처들(218)은 단열 재료, 이를테면 세라믹 재료, 예컨대 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 질화물로 제작될 수 있다. 일 실시예에서, 감소된 접촉 피처들(218)은 단열 플레이트(204)의 표면(234) 상에 형성된 돌출부들이다. 돌출부들은 임의의 적합한 형상, 이를테면, 구형, 원통형, 피라미드형, 또는 원뿔형을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 돌출부는 원통형이다. 일 예에서, 표면(234)으로부터 연장되는 각각의 감소된 접촉 피처(218)의 높이는 갭(G1)과 동일하다. 감소된 접촉 피처들(218)의 개수 및 패턴은 가열기 플레이트(202)로부터의 감소된 열 손실을 제공하도록 선택된다. 일 실시예에서, 도 3a에 도시된 바와 같이, 감소된 접촉 피처들(218)은 벌집형(honey comb) 패턴을 갖는다. 단열 플레이트(204)의 표면(234)에 또는 그 표면(234) 상에 형성되는 감소된 접촉 피처들(218)의 개수는 약 30개 내지 약 120개의 범위이거나 또는 다른 원하는 개수이다.
[0031] 도 3b는 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른, 도 1의 기판 지지 조립체(128)의 단열 플레이트(204)의 저면도이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 단열 플레이트(204)는 개구(302) 및 리프트 핀 홀들(304)을 포함한다. 복수의 리세스(recess)들(306)이 단열 플레이트(204)의 표면(232)에 형성된다. 리세스들(306)은 금속 차폐부(208)의 기판 지지 부분(210)에 또는 그 기판 지지 부분(210) 상에 형성된 대응하는 최소 접촉 피처들(220)을 수용하도록 포지셔닝된다. 따라서, 리세스들(306)의 개수 및 패턴은 최소 접촉 피처들(220)의 개수 및 패턴과 동일하다.
[0032] 도 4는 본원에서 설명되는 일 실시예에 따른, 도 1의 기판 지지 조립체(128)의 금속 차폐부(208)의 사시도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 금속 차폐부(208)는 기판 지지 부분(210) 또는 금속 플레이트, 및 기판 지지 부분(210)에 커플링된 샤프트 부분(212) 또는 금속 중공 튜브를 포함한다. 금속 차폐부(208)는 금속 차폐부(208)에 형성된 냉각제 채널(222)을 포함한다. 냉각제 채널(222)은 공급 채널(224) 및 리턴 채널(226)을 포함한다. 공급 채널(224)은 기판 지지 부분(210)에서 평면 스파이럴 패턴을 갖고, 샤프트 부분(212)에서 헬리컬 패턴을 갖는다. 유사하게, 리턴 채널(226)은 기판 지지 부분(210)에서 평면 스파이럴 패턴을 갖고, 샤프트 부분(212)에서 헬리컬 패턴을 갖는다.
[0033] 동작 동안, 냉각제, 이를테면, 물, 에틸렌 글리콜, 퍼플루오로폴리에테르 플루오르화 유체, 또는 이들의 조합들이 공급 채널(224)로부터 리턴 채널(226)로 유동한다. 리턴 채널(226)은 기판 지지 부분(210) 내의 일정 위치에서 공급 채널(224)에 유동적으로(fluidly) 연결된다. 공급 채널(224)은 기판 지지 부분(210) 및 샤프트 부분(212)에서 리턴 채널(226)과 실질적으로 평행하다. 게다가, 샤프트 부분(212)에 형성된 헬리컬 공급 채널(224) 및 헬리컬 리턴 채널(226)은 동일한 회전 방향을 갖는다. 헬리컬 공급 채널(224) 및 헬리컬 리턴 채널(226)은 샤프트 부분(212)에 인터리빙되고, 스파이럴 공급 채널(224) 및 스파이럴 리턴 채널(226)은 기판 지지 부분(210)에 인터리빙된다. 공급 채널(224) 및 리턴 채널(226)이 금속 차폐부(208)에 인터리빙됨에 따라, 금속 차폐부(208)에서의 열 경사도가 감소된다.
[0034] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 금속 플레이트;
    튜브형 벽을 포함하는 금속 중공 튜브; 및
    상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽 및 상기 금속 플레이트에 형성된 냉각제 채널
    을 포함하며,
    상기 냉각제 채널은,
    상기 금속 플레이트에서 평면 스파이럴 패턴(planar spiral pattern)을 갖고, 상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽에서 헬리컬 패턴(helical pattern)을 갖는 공급 채널; 및
    상기 금속 플레이트에서 평면 스파이럴 패턴을 갖고, 상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽에서 헬리컬 패턴을 갖는 리턴 채널
    을 포함하고,
    상기 공급 채널 및 상기 리턴 채널은 상기 금속 플레이트 및 상기 튜브형 벽에 인터리빙(interleave)되는,
    금속 차폐부.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 차폐부는 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄, 베릴륨, 구리, 스테인리스 강, 또는 니켈로 제작되는,
    금속 차폐부.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 플레이트와 상기 금속 중공 튜브는 단일 재료 피스(single piece of material)인,
    금속 차폐부.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 플레이트의 표면에 형성된 복수의 최소 접촉 피처(feature)들을 더 포함하는,
    금속 차폐부.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 최소 접촉 피처들은 상기 금속 플레이트에 부분적으로 매립된 복수의 사파이어 볼(ball)들을 포함하는,
    금속 차폐부.
  6. 가열기 플레이트;
    상기 가열기 플레이트를 향하는 표면을 갖는 단열 플레이트;
    상기 단열 플레이트의 표면 상에 형성된 제1 복수의 감소된 접촉 피처들 ― 상기 가열기 플레이트는 상기 제1 복수의 감소된 접촉 피처들과 접촉함 ―;
    금속 튜브형 벽을 갖는 금속 중공 튜브 및 금속 플레이트를 포함하는 금속 차폐부 ― 상기 금속 플레이트는 상기 단열 플레이트를 향하는 표면을 포함함 ―; 및
    상기 금속 플레이트의 표면 상에 형성된 제2 복수의 감소된 접촉 피처들
    을 포함하며,
    상기 단열 플레이트는 상기 제2 복수의 감소된 접촉 피처들과 접촉하는,
    기판 지지 조립체.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 가열기 플레이트는 세라믹 재료로 제작되는,
    기판 지지 조립체.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 단열 플레이트는 세라믹 재료로 제작되는,
    기판 지지 조립체.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 단열 플레이트는 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 질화물로 제작되는,
    기판 지지 조립체.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽 및 상기 금속 플레이트에 형성된 냉각제 채널을 더 포함하며,
    상기 냉각제 채널은,
    상기 금속 플레이트에서 평면 스파이럴 패턴을 갖고, 상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽에서 헬리컬 패턴을 갖는 공급 채널; 및
    상기 금속 플레이트에서 평면 스파이럴 패턴을 갖고, 상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽에서 헬리컬 패턴을 갖는 리턴 채널
    을 포함하고,
    상기 공급 채널 및 상기 리턴 채널은 상기 금속 플레이트 및 상기 튜브형 벽에 인터리빙되는,
    기판 지지 조립체.
  11. 챔버 벽;
    최하부;
    가스 분배 플레이트; 및
    기판 지지 조립체
    를 포함하며,
    상기 기판 지지 조립체는,
    가열기 플레이트;
    상기 가열기 플레이트를 향하는 표면을 갖는 단열 플레이트;
    상기 단열 플레이트의 표면 상에 형성된 제1 복수의 감소된 접촉 피처들 ― 상기 가열기 플레이트는 상기 제1 복수의 감소된 접촉 피처들과 접촉함 ―;
    금속 튜브형 벽을 갖는 금속 중공 튜브 및 금속 플레이트를 포함하는 금속 차폐부 ― 상기 금속 플레이트는 상기 단열 플레이트를 향하는 표면을 포함함 ―; 및
    상기 금속 플레이트의 표면 상에 형성된 제2 복수의 감소된 접촉 피처들
    을 포함하며,
    상기 단열 플레이트는 상기 제2 복수의 감소된 접촉 피처들과 접촉하는,
    프로세스 챔버.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 가열기 플레이트에 매립된 가열 엘리먼트를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 금속 차폐부는 알루미늄으로 제작되는,
    프로세스 챔버.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 복수의 감소된 접촉 피처들은 상기 금속 플레이트에 부분적으로 매립된 복수의 사파이어 볼들을 포함하는,
    프로세스 챔버.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽 및 상기 금속 플레이트에 형성된 냉각제 채널을 더 포함하며,
    상기 냉각제 채널은,
    상기 금속 플레이트에서 평면 스파이럴 패턴을 갖고, 상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽에서 헬리컬 패턴을 갖는 공급 채널; 및
    상기 금속 플레이트에서 평면 스파이럴 패턴을 갖고, 상기 금속 중공 튜브의 상기 튜브형 벽에서 헬리컬 패턴을 갖는 리턴 채널
    을 포함하고,
    상기 공급 채널 및 상기 리턴 채널은 상기 금속 플레이트 및 상기 튜브형 벽에 인터리빙되는,
    프로세스 챔버.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7332614B2 (ja) * 2018-03-23 2023-08-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 分離した裏側ヘリウム供給システム
US10971327B1 (en) * 2019-12-06 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Cryogenic heat transfer system
CN113755822B (zh) * 2020-06-04 2024-03-01 中国科学院微电子研究所 一种用于原子层沉积系统的平板式放电装置
TW202213584A (zh) * 2020-08-31 2022-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於批量處理腔室的帶有處理間隙控制的加熱器組件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151433A (en) * 1977-05-26 1979-04-24 Electric Power Research Institute, Inc. Cooled spiral winding for electrical rotating machine stator
JPH07245265A (ja) * 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 気相成長装置
KR100752800B1 (ko) * 2003-03-12 2007-08-29 동경 엘렉트론 주식회사 반도체처리용의 기판유지구조 및 플라즈마 처리장치
US20050229849A1 (en) * 2004-02-13 2005-10-20 Applied Materials, Inc. High productivity plasma processing chamber
US7345287B2 (en) 2005-09-30 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Cooling module for charged particle beam column elements
US20100018648A1 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Applied Marterials, Inc. Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring
KR20110056712A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 삼성전자주식회사 정전 척
US9719169B2 (en) * 2010-12-20 2017-08-01 Novellus Systems, Inc. System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication
US10224182B2 (en) * 2011-10-17 2019-03-05 Novellus Systems, Inc. Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
US9353441B2 (en) 2012-10-05 2016-05-31 Asm Ip Holding B.V. Heating/cooling pedestal for semiconductor-processing apparatus
JP5980147B2 (ja) 2013-03-08 2016-08-31 日本発條株式会社 基板支持装置
WO2015137364A1 (ja) 2014-03-14 2015-09-17 独立行政法人産業技術総合研究所 プラズマ処理装置
US10486232B2 (en) 2015-04-21 2019-11-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Semiconductor manufacturing device with embedded fluid conduits
JP6541565B2 (ja) 2015-09-25 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
KR102158668B1 (ko) * 2016-04-22 2020-09-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 한정 피쳐들을 갖는 기판 지지 페디스털
JP6697346B2 (ja) * 2016-07-20 2020-05-20 株式会社ディスコ 吸着確認方法、離脱確認方法、及び減圧処理装置
US9892956B1 (en) 2016-10-12 2018-02-13 Lam Research Corporation Wafer positioning pedestal for semiconductor processing

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