KR20210004943A - 수지 조성물, 적층체, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 - Google Patents

수지 조성물, 적층체, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치 Download PDF

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KR20210004943A
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resin composition
bis
mass
tert
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마사시 오카니와
다케노리 다키구치
고헤이 히가시구치
츠요시 기다
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미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

우수한 플럭스 활성과 높은 절연 신뢰성을 양립하고, 양호한 보존 안정성을 구비하고, 또한 적층체로서 사용할 때에 작업성이 양호한 가요성을 갖는 수지 조성물을 제공한다. 본 발명의 수지 조성물은, 킬레이트 플럭스제 (A) 와, 열 라디칼 중합 개시제 (B) 와, 라디칼 중합성 화합물 (C) 를 함유한다.

Description

수지 조성물, 적층체, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치
본 발명은 수지 조성물, 수지 조성물을 사용한 적층체, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치에 관한 것이다. 상세하게는, 본 발명은, 접착제용으로서 유용한 수지 조성물에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 소형화 및 고성능화에 수반하여, 반도체 칩 (이하, 「칩」 이라고 약기하는 경우가 있다.) 을 반도체 탑재용 기판 (이하, 「기판」 이라고 약기하는 경우가 있다.) 에 탑재하는 방법으로서, 플립 칩 실장이 주목받고 있다. 플립 칩 실장에 있어서는, 칩과 기판을 접합한 후, 칩과 기판의 간극에 언더필재를 충전하고, 경화시키는 공법이 일반적이다. 그러나, 반도체 장치의 소형화나 고성능화에 수반하여, 칩에 배열되는 전극의 협피치화나 전극간의 협갭화가 진행되어, 언더필재의 충전의 장시간화에 의한 작업성의 악화나 미충전 등의 충전 불량의 발생이 문제가 되고 있다. 이에 대해, 칩 또는 기판에 프리어플라이드 언더필재를 공급한 후, 칩과 기판의 접합과 언더필재의 충전을 동시에 실시하는 공법이 검토되고 있다.
칩과 기판의 접합을 산화되기 쉬운 금속, 예를 들어, 땜납이나 구리를 개재하여 실시하는 경우, 접합의 저해 요인이 되는 산화막을 접합부로부터 제거하고, 양호한 금속 접합을 얻는 것을 목적으로 하여, 프리어플라이드 언더필재에 카르복실산 등에서 유래하는 플럭스 성분을 첨가하는 경우가 있다.
카르복실산 등에서 유래하는 플럭스 성분은, 반도체 패키지의 실장 후에도 존재하여, 경화된 언더필 재료 중의 땜납이나 구리의 상호 접속을 부식시켜 열화시키거나, 땜납이나 구리의 이온화를 촉진하여, 그 마이그레이션에 의한 접합부간의 쇼트 불량을 일으킬 염려가 있다.
특허문헌 1 에는, 트리아진 골격을 갖는 페놀 수지를 포함하는 필름상 접착제가 기재되어 있다. 트리아진은, 구리 이온이나 땜납으로부터 생성되는 주석 이온 등의 금속 이온과 착형성하기 때문에, 동 골격을 갖는 수지를 접착제에 삽입함으로써, 금속 이온의 마이그레이션에서 기인하는 전기적 문제를 억제할 수 있다는 이점이 있다.
특허문헌 2 에는, 열경화성 수지와 킬레이트 플럭스제를 함유하는 수지 조성물이 기재되어 있다. 킬레이트 플럭스제를 사용함으로써, 킬레이트 플럭스제가, 경화물 중의 금속 이온을 포착함으로써, 금속 이온의 마이그레이션에서 기인하는 전기적 문제를 억제하여, 신뢰성이 있는 접합을 형성할 수 있다.
특허문헌 3 에는, 라디칼 중합성 모노머와 열 라디칼 개시제를 사용하여 얻어지는 프리어플라이드 언더필재가 기재되어 있다. 열 라디칼 개시제를 사용함으로써, 수지 조성물의 경화 시간을 장시간 필요로 하는 일이 없다.
일본 공개특허공보 2011-052109호 일본 공표특허공보 2005-501725호 일본 공표특허공보 2015-503220호
그러나, 특허문헌 1 에서는, 접착제 중에 플럭스 성분을 함유하지 않기 때문에, 접합시에 접합부의 산화막을 제거할 수 없어, 양호한 금속 접합을 얻을 수 없다.
또, 특허문헌 2 에서는, 킬레이트 플럭스제와 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물이 기재되어 있고, 플립 칩 실장에 있어서의 접합 온도보다 저온에서, 에폭시 수지와, 킬레이트 플럭스제가 갖는 페놀성 수산기의 반응이 진행되어, 양호한 접합을 얻을 수 없다는 결점이 있다.
특허문헌 3 에서는, 플럭스 성분을 함유하지 않기 때문에, 접합부의 산화막을 제거할 수 없어, 양호한 금속 접합을 얻을 수 없다. 따라서, 언더필재를 사용하기 전에, 미리 접합부의 금속 산화막을 제거하는 공정이 필요해지기 때문에, 작업 공정이 복잡화된다.
본 발명은 이와 같은 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 산화막을 제거하여 금속 접합을 얻기 위한 충분한 우수한 플럭스 활성과, 높은 절연 신뢰성을 양립하고, 양호한 보존 안정성을 구비하고, 또한 적층체로서 사용할 때에 작업성이 양호한 가요성을 갖는 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기 문제점을 해결을 위하여 예의 검토한 결과, 킬레이트 플럭스제 (A) 와, 열 라디칼 중합 개시제 (B) 와, 라디칼 중합성 화합물 (C) 를 함유하는 수지 조성물이, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.
[1] 킬레이트 플럭스제 (A) 와, 열 라디칼 중합 개시제 (B) 와, 라디칼 중합성 화합물 (C) 를 함유하는, 수지 조성물.
[2] 상기 킬레이트 플럭스제 (A) 의 융점이 235 ℃ 이하인, [1] 에 기재된 수지 조성물.
[3] 상기 킬레이트 플럭스제 (A) 의 분자량이 150 이상 500 이하인, [1] 또는 [2] 에 기재된 수지 조성물.
[4] 상기 킬레이트 플럭스제 (A) 를 사용하여, 하기의 땜납 젖음성 시험에 있어서 얻어지는, 땜납 볼의 접촉각이 1.20 라디안 미만인, [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
(땜납 젖음성 시험)
두께 12 ㎛ 의 동박의 광택면에 상기 킬레이트 플럭스제를 도포하고, 상기 킬레이트 플럭스제 상에 직경 0.5 ㎜ 의 땜납 볼을 둔다. 그 후, 235 ℃ 로 유지된 핫 플레이트 상에서 1 분간 가열하고, 땜납을 용융시킨 후, 실온으로 냉각시킨다. 냉각 후에 있어서, 상기 동박 상에 퍼지는, 땜납 볼의 반경 (a) 및 땜납 볼의 높이 (b) 를 측정하고, 하기 식으로부터 접촉각을 산출하였다.
땜납 볼의 접촉각 = 2arctan{(b)/(a)}
[5] 상기 킬레이트 플럭스제 (A) 가, 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물 및/또는 하기 식 (2) 로 나타내는 이민 화합물을 함유하는, [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 중, Q 는, 아릴렌기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 시클로알킬렌기, 시클로알케닐렌기, 헤테로사이클릴렌기, 또는 헤테로아릴렌기이고, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이고, R3 및 R4 는, 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 또는 헤테로사이클릴기이다. 아릴렌기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 시클로알킬렌기, 시클로알케닐렌기, 헤테로사이클릴렌기, 헤테로아릴렌기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기에 대해서는, 기에 결합하는 수소 원자가, 수산기 또는 메르캅토기로 치환되어 있어도 된다.)
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 중, R5 는, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이고, R6 및 R7 은, 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 또는 헤테로사이클릴기이고, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 및 헤테로사이클릴기에 대해서는, 기에 결합하는 수소 원자가, 수산기 또는 메르캅토기로 치환되어 있어도 된다.)
[6] 상기 식 (1) 로 나타내는 이민 화합물에 있어서의 R3 및 R4 가 2-하이드록시페닐기인, [5] 에 기재된 수지 조성물.
[7] 상기 킬레이트 플럭스제 (A) 가, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민, N,N'-비스(살리실리덴)에틸렌디아민, N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민, 및 N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-페닐렌디아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[8] 상기 킬레이트 플럭스제 (A) 가, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민 및/또는 N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민을 함유하는, [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[9] 상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가 유기 과산화물인, [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[10] 상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 의 10 시간 반감기 온도가 100 ℃ 이상인, [9] 에 기재된 수지 조성물.
[11] 상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가 디알킬퍼옥사이드 및/또는 하이드로퍼옥사이드인, [9] 또는 [10] 에 기재된 수지 조성물.
[12] 상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가, 디쿠밀퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 디-tert-부틸퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시)헥신-3,2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시)헥산, 디-tert-헥실퍼옥사이드, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-아밀퍼옥사이드, tert-아밀하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 및 p-멘탄퍼옥사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, [9] ∼ [11] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[13] 상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가, 디쿠밀퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 및 p-멘탄하이드로퍼옥사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, [9] ∼ [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[14] 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 가, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 프로페닐기, 및 비닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 관능기를 함유하는 화합물인, [1] ∼ [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[15] 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 가 말레이미드기를 함유하는 화합물인, [14] 에 기재된 수지 조성물.
[16]
상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 가, 2,2'-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판, 1,2-비스(말레이미드)에탄, 1,4-비스(말레이미드)부탄, 1,6-비스(말레이미드)헥산, N,N'-1,3-페닐렌디말레이미드, N,N'-1,4-페닐렌디말레이미드, N-페닐말레이미드, 하기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 하기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, [14] 또는 [15] 에 기재된 수지 조성물.
[화학식 3]
Figure pct00003
(식 중, R8 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n1 은 1 이상의 정수 (整數) 를 나타낸다.)
[화학식 4]
Figure pct00004
(식 중, n2 의 평균값은 1 이상 30 이하이다.)
[화학식 5]
Figure pct00005
(식 중, R9 및 R10 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, R11 은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.)
[17] 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 가, 상기 2,2'-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판, 상기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 상기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 상기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 말레이미드 화합물을 함유하는, [14] ∼ [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[18] 상기 수지 조성물 중에 있어서의 상기 킬레이트 플럭스제 (A) 의 함유량이, 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 5 질량부 이상 50 질량부 이하인, [1] ∼ [17] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[19] 상기 수지 조성물 중에 있어서의 상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 의 함유량이, 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.005 질량부 이상 5 질량부 이하인, [1] ∼ [18] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[20] 무기 충전재 (D) 를 추가로 함유하는, [1] ∼ [19] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[21] 상기 무기 충전재 (D) 가 전기 절연성을 갖는, [20] 에 기재된 수지 조성물.
[22] 상기 무기 충전재 (D) 가, 실리카, 수산화알루미늄, 알루미나, 베마이트, 질화붕소, 질화알루미늄, 산화마그네슘, 및 수산화마그네슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, [20] 또는 [21] 에 기재된 수지 조성물.
[23] 상기 무기 충전재 (D) 의 평균 입자경이 3 ㎛ 이하인, [20] ∼ [22] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[24] 상기 수지 조성물 중에 있어서의 상기 무기 충전재 (D) 의 함유량이, 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 300 질량부 이하인, [20] ∼ [23] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[25] 가요성 부여 성분 (E) 를 추가로 함유하는, [1] ∼ [24] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[26] 상기 가요성 부여 성분 (E) 가, 열가소성의 고분자 화합물을 함유하고, 상기 고분자 화합물의 중량 평균 분자량이 1,000 이상 1,000,000 이하인, [25] 에 기재된 수지 조성물.
[27] 상기 가요성 부여 성분 (E) 가, (메트)아크릴 올리고머 및/또는 (메트)아크릴 폴리머인, [25] 또는 [26] 에 기재된 수지 조성물.
[28] 프리어플라이드 언더필재용인, [1] ∼ [27] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[29]
지지 기재와, 상기 지지 기재 상에 적층된 [1] ∼ [28] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 함유하는 층을 구비하는, 적층체.
[30]
반도체 웨이퍼와, 상기 반도체 웨이퍼에 적층된 [29] 에 기재된 적층체를 구비하고, 상기 수지 조성물을 함유하는 층이, 상기 반도체 웨이퍼에 적층된, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼.
[31]
반도체 탑재용 기판과, 상기 반도체 탑재용 기판에 적층된 [29] 에 기재된 적층체를 구비하고, 상기 수지 조성물을 함유하는 층이, 상기 반도체 탑재용 기판에 적층된, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판.
[32] [30] 에 기재된 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 및/또는 [31] 에 기재된 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판을 구비하는, 반도체 장치.
본 발명에 의하면, 우수한 플럭스 활성과 높은 절연 신뢰성을 양립하고, 양호한 보존 안정성을 구비하고, 또한 적층체로서 사용할 때에 작업성이 양호한 가요성을 갖는 수지 조성물을 얻을 수 있다. 또, 수지 조성물을 지지 기재 상에 도포함으로써, 플럭스 활성, 절연 신뢰성, 및 보존 안정성이 우수한 수지 조성물층을 갖는 적층체를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태 (이하, 간단히 「본 실시형태」 라고 한다.) 에 대해, 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 본 실시형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시이고, 본 발명은 본 실시형태에만 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴로」 란 「아크릴로」 및 그에 대응하는 「메타크릴로」 의 양방을 의미한다. 「(메트)아크릴」 이란 「아크릴」 및 그에 대응하는 「메타크릴」 의 양방을 의미한다. 「(메트)아크릴레이트」 란 「아크릴레이트」 및 그에 대응하는 「메타크릴레이트」 의 양방을 의미한다.
본 실시형태의 일 양태의 수지 조성물은, 킬레이트 플럭스제 (A) 와, 열 라디칼 중합 개시제 (B) 와, 라디칼 중합성 화합물 (C) 를 함유한다. 본 실시형태의 수지 조성물은, 프리어플라이드 언더필재로서 유용하다.
본 실시형태의 다른 양태의 수지 조성물은, 상기 각 성분에 더하여, 무기 충전재 (D) 를 함유한다.
본 실시형태의 다른 양태의 수지 조성물은, 상기 각 성분에 더하여, 가요성 부여 성분 (E) 를 함유한다.
본 실시형태의 다른 양태는, 본 실시형태에 의한 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 적층체 (이하, 「수지 적층체」 라고도 한다.), 적층체를 사용하여 제조되는 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 적층체를 사용하여 제조되는 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 본 실시형태의 수지 조성물을 사용하여 제조한 반도체 장치도 제공된다.
[I. 수지 조성물]
본 실시형태의 수지 조성물은, 킬레이트 플럭스제 (A) 와, 열 라디칼 중합 개시제 (B) 와, 라디칼 중합성 화합물 (C) 를 포함한다. 본 실시형태의 수지 조성물은, 칩의 플립 칩 실장에 사용되는 접착제로서 유용하다. 본 실시형태의 수지 조성물은, 무기 충전재 (D) 및/또는 가요성 부여 성분 (E) 를 추가로 포함하고 있어도 된다.
[I-1. 킬레이트 플럭스제 (A)]
본 실시형태에 관련된 킬레이트 플럭스제 (A) 를 사용함으로써, 종래의 카르복실산계의 플럭스 성분과 비교하여 약산화가 달성되어, 절연 신뢰성의 향상이 기대된다.
본 실시형태에 관련된 킬레이트 플럭스제 (A) 는, 플립 칩 실장 중에 있어서, 땜납의 융점 이하에서 플럭스제의 운동성을 높여 금속 산화막을 충분히 제거하기 위한 플럭스 활성을 발현시키는 관점에서, 예를 들어, 땜납종 (種) 이 주석-은 합금이 되는 경우, 킬레이트 플럭스제는 단체의 상태에서의 융점이 235 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 180 ℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 하한은, 특별히 한정되지 않지만, -50 ℃ 이다.
또, 본 실시형태에 관련된 킬레이트 플럭스제 (A) 는, 플립 칩 실장에 있어서 플럭스 활성이 발현하기 전에 휘발되어 버리는 것, 즉 접합부의 산화막을 제거하기 전에 킬레이트 플럭스제 (A) 가 휘발되어 버리는 것을 방지할 필요로부터, 분자량이 150 이상인 것이 바람직하고, 200 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 본 실시형태에 관련된 킬레이트 플럭스제 (A) 는, 수지 조성물 중에서도 높은 운동성을 가지므로, 충분한 플럭스 활성이 얻어지므로, 분자량 500 이하인 것이 바람직하고, 400 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 킬레이트 플럭스제 (A) 는, 플립 칩 실장에 있어서의 접속 단자간의 양호한 접합이 가능해지는 관점에서, 킬레이트 플럭스제 단체를 사용하여, 하기의 땜납 젖음성 시험에 있어서 얻어지는, 땜납 볼의 접촉각이 1.20 라디안 미만인 것이 바람직하고, 1.10 라디안 미만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 구체적인 시험 방법에 대해서는, 실시예에 기재된 바와 같다.
(땜납 젖음성 시험)
두께 12 ㎛ 의 동박의 광택면에 상기 킬레이트 플럭스제를 도포하고, 상기 킬레이트 플럭스제 상에 직경 0.5 ㎜ 의 땜납 볼을 둔다. 그 후, 235 ℃ 로 유지된 핫 플레이트 상에서 1 분간 가열하고, 땜납을 용융시킨 후, 실온으로 냉각시킨다. 냉각 후에 있어서, 상기 동박 상에 퍼지는, 땜납 볼의 반경 (a) 및 땜납 볼의 높이 (b) 를 측정하고, 하기 식으로부터 접촉각을 산출하였다.
땜납 볼의 접촉각 = 2arctan{(b)/(a)}
본 실시형태에 관련된 킬레이트 플럭스제 (A) 는, 금속 이온 포착제로서 기능하는 플럭스제이면, 특별히 한정되지 않지만, 하기 식 (1) 및/또는 하기 식 (2) 로 나타내는 이민 화합물인 것이 바람직하다. 이와 같은 이민 화합물을 사용함으로써, 구리 이온 등의 금속 이온을 효율적으로 포착할 수 있고, 마이그레이션의 유발에 의한 쇼트 불량 등의 억제 효과가 기대된다.
[화학식 6]
Figure pct00006
[화학식 7]
Figure pct00007
식 (1) 로 나타내는 이민 화합물에 있어서 Q 는, 아릴렌기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 시클로알킬렌기, 시클로알케닐렌기, 헤테로사이클릴렌기, 또는 헤테로아릴렌기이고, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이고, R3 및 R4 는, 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 또는 헤테로사이클릴기이다. 아릴렌기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 시클로알킬렌기, 시클로알케닐렌기, 헤테로사이클릴렌기, 헤테로아릴렌기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기에 대해서는, 기에 결합하는 수소 원자가, 수산기 또는 메르캅토기로 치환되어 있어도 된다.
아릴렌기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 페닐렌 (o-페닐렌, m-페닐렌, p-페닐렌), 비페닐렌, 나프틸렌, 비나프틸렌, 안트라세닐렌, 및 페난트릴렌기를 들 수 있다.
알킬렌기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어,메틸렌, 에틸렌, 트리메틸렌, 테트라메틸렌, 펜타메틸렌, 헥사메틸렌, 헵타메틸렌, 옥타메틸렌, 노나메틸렌, 데카메틸렌, 운데카메틸렌, 도데카메틸렌, 트리데카메틸렌, 테트라데카메틸렌, 펜타데카메틸렌, 및 헥사데카메틸렌기의 직사슬형 알킬렌기 ; 메틸에틸렌, 메틸프로필렌, 에틸에틸렌, 1,2-디메틸에틸렌, 1,1-디메틸에틸렌, 1-에틸프로필렌, 2-에틸프로필렌, 1,2-디메틸프로필렌, 2,2-디메틸프로필렌, 1-프로필프로필렌, 2-프로필프로필렌, 1-메틸-1-에틸프로필렌, 1-메틸-2-에틸-프로필렌, 1-에틸-2-메틸-프로필렌, 2-메틸-2-에틸-프로필렌, 1-메틸부틸렌, 2-메틸부틸렌, 3-메틸부틸렌, 2-에틸부틸렌, 메틸펜틸렌, 에틸펜틸렌, 메틸헥실렌, 메틸헵틸렌, 메틸옥틸렌, 메틸노닐렌, 메틸데실렌, 메틸운데실렌, 메틸도데실렌, 메틸테트라데실렌, 및 메틸옥타데실렌기의 분기 사슬형 알킬렌기를 들 수 있다.
알케닐렌기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 비닐렌, 1-메틸비닐렌, 프로페닐렌, 1-부테닐렌, 2-부테닐렌, 1-펜테닐렌, 및 2-펜테닐렌기를 들 수 있다.
시클로알킬렌기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 시클로프로필렌기, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 시클로헵틸렌기, 시클로옥틸렌기, 시클로헥세닐렌, 1,2-시클로헥실렌비스(메틸렌), 1,3-시클로헥실렌비스(메틸렌), 및 1,4-시클로헥실렌비스를 들 수 있다.
시클로알케닐렌기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 시클로프로페닐렌, 시클로부테닐렌, 시클로펜테닐렌, 시클로헥세닐렌, 및 시클로옥테닐렌기를 들 수 있다.
헤테로사이클릴렌기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 테트라하이드로푸란-2,5-디일, 모르폴린-2,3-디일, 피란-2,4-디일, 1,4-디옥산-2,3-디일, 1,3-디옥산-2,4-디일, 피페리딘-2,4-디일, 피페리딘-1,4-디일, 피롤리딘-1,3-디일, 모르폴린-2,4-디일, 및 피페라진-1,4-디일을 들 수 있다.
헤테로아릴렌기로는, 특별히 한정되지 않지만, 상기한 아릴렌기의 탄소 원자 중 하나 이상의 탄소 원자가, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 인 원자와 같은 헤테로 원자로 치환된 기이다. 구체적으로는, 페난트렌, 피롤, 피라진, 피리딘, 피리미딘, 인돌린, 이소인돌린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 카르바졸, 페닐카르바졸, 페난트리딘, 아크리딘, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 페닐디벤조푸란, 디페닐디벤조푸란, 티오펜, 페닐티오펜, 디페닐티오펜, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 페닐벤조티오펜, 디페닐벤조티오펜, 페닐디벤조티오펜, 및 벤조티아졸을 2 가의 기로 한 것을 들 수 있다.
알킬기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 2-펜틸기, tert-펜틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 2,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 및 2-메틸펜탄-3-일기를 들 수 있다.
시클로알킬기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 및 시클로헥실기를 들 수 있다.
아릴기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트레닐기, 및 비페닐기를 들 수 있다.
헤테로아릴기로는, 특별히 한정되지 않지만, 2-옥소피롤리디노기, 피페리디노기, 피페라지닐기, 모르폴리노기, 테트라하이드로푸릴기, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로티에닐기, 퍼하이드로나프틸기, 피롤릴기, 푸릴기, 티에닐기, 피리딜기, 피리미딜기, 피라질기, 피리다질기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 인돌릴기, 벤조푸릴기, 벤조티에닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 프탈라질기, 퀴나졸릴기, 나프티리딜기, 신놀릴기, 벤조이미다졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 및 테트라하이드로나프틸기를 들 수 있다.
식 (2) 로 나타내는 이민 화합물에 있어서는, R5 가, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이고, R6 및 R7 은 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 또는 헤테로사이클릴기이다. 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 및 헤테로사이클릴기에 대해서는, 기에 결합하는 수소 원자가 수산기 또는 메르캅토기로 치환되어 있어도 된다. 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 및 헤테로사이클릴기에 대해서는, 상기와 동일하다.
식 (1) 로 나타내는 이민 화합물에 있어서는, 우수한 플럭스 활성을 발현시키고, 효율적으로 금속 이온을 포착시키는 관점에서, R3 및 R4 가 2-하이드록시페닐기인 것이 바람직하다.
식 (1) 로 나타내는 이민 화합물은, 플립 칩 실장 중에 있어서, 땜납의 융점 이하에서 플럭스제의 운동성을 높여 금속 산화막을 충분히 제거하기 위한 플럭스 활성을 발현시키는 관점에서, 예를 들어, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민, N,N'-비스(살리실리덴)에틸렌디아민, N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민, 및 N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-페닐렌디아민인 것이 바람직하고, 실장시에 우수한 플럭스 활성을 발현시키는 것과, 실장시의 휘발분을 억제하는 것을 양립하는 관점에서, 예를 들어, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민 및/또는 N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민인 것이 보다 바람직하다.
이들 킬레이트 플럭스제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
킬레이트 플럭스제 (A) 로는, 시판되는 것을 사용해도 된다.
본 실시형태의 수지 조성물 중에 있어서의 킬레이트 플럭스제 (A) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물의 플럭스 활성과, 바니시 및 수지 조성물의 보존 안정성을 양립하는 관점에서, 후술하는 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 5 질량부 이상 50 질량부 이하인 것이 바람직하고, 실온에서의 바니시의 보존 안정성을 확보하는 관점에서, 10 질량부 이상 35 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
[I-2. 열 라디칼 중합 개시제 (B)]
본 실시형태에 관련된 열 라디칼 중합 개시제 (B) 는, 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 라디칼 중합 반응을 촉진시키는 것이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 바니시 및 수지 조성물의 보존 안정성, 및 플립 칩 실장 중의 온도 영역의 관점에서, 유기 과산화물인 것이 바람직하다.
유기 과산화물로는, 예를 들어, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시디카보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 및 하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다.
디아실퍼옥사이드로는, 예를 들어, 디이소부티릴퍼옥사이드, 디(3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드, 디라우로일퍼옥사이드, 디숙신산퍼옥사이드, 디-(3-메틸벤조일)퍼옥사이드, 벤조일(3-메틸벤조일)퍼옥사이드, 디벤조일퍼옥사이드를 들 수 있다.
퍼옥시카보네이트로는, 예를 들어, 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카보네이트, 디(4-tert-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트, 디(2-에틸헥실)퍼옥시디카보네이트, 디-sec-부틸퍼옥시디카보네이트를 들 수 있다.
퍼옥시에스테르로는, 예를 들어, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, tert-헥실퍼옥시네오데카노에이트, tert-부틸퍼옥시네오데카노에이트, tert-헥실퍼옥시피발레이트, tert-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, tert-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, tert-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, tert-헥실퍼옥시이소프로필모노카보네이트, tert-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, tert-부틸퍼옥시라우레이트, tert-부틸퍼옥시이소프로필모노카보네이트, tert-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카보네이트, tert-헥실퍼옥시벤조에이트, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일퍼옥시)헥산, tert-부틸퍼옥시아세테이트, tert-부틸퍼옥시-3-메틸벤조에이트, tert-부틸퍼옥시벤조에이트를 들 수 있다.
퍼옥시케탈로는, 예를 들어, 1,1-디(tert-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-디(tert-부틸퍼옥시)시클로헥산, 2,2-디(tert-부틸퍼옥시)부탄, n-부틸-4,4-디-(tert-부틸퍼옥시)발레레이트, 2,2-디(4,4-디-(tert-부틸퍼옥시)시클로헥실)프로판을 들 수 있다.
디알킬퍼옥사이드로는, 예를 들어, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시)헥산, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-헥실퍼옥사이드, 디-tert-부틸퍼옥사이드, 디-tert-아밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시)헥신-3 을 들 수 있다.
하이드로퍼옥사이드로는, 예를 들어, p-멘탄하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드, tert-아밀하이드로퍼옥사이드를 들 수 있다.
본 실시형태에 관련된 열 라디칼 중합 개시제 (B) 는, 수지 조성물을 유기 용제에 용해 또는 분산시킨 바니시를 건조시킨 후에 있어서도, 수지 조성물 중의 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가 양호하게 반응성을 갖는 관점에서, 10 시간 반감기 온도가 100 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 110 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 250 ℃ 이다. 10 시간 반감기 온도란, 용매 (예를 들어, 벤젠) 에 용해시켰을 때의, 열 라디칼 중합 개시제의 농도가 초기값의 반으로 감소할 때까지의 시간 (반감기) 이 10 시간이 되는 온도를 말한다. 10 시간 반감기 온도는, 예를 들어, 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 먼저, 열 라디칼 중합 개시제를 벤젠에 용해시켜 농도 0.1 ㏖/ℓ 의 용액을 얻는다. 이 용액을, 미리 내부의 공기를 질소에 의해 치환한 유리관 내에 봉입 (封入) 한다. 이어서, 유리관을 소정 온도로 세트한 항온조에 담금으로써, 열 라디칼 중합 개시제를 열분해시킨다. 여기서, 분해 속도 정수 (定數) 를 k, 시간을 t, 열 라디칼 중합 개시제의 초기 농도를 [PO]0, 시간 t 후의 열 라디칼 중합 개시제의 농도를 [PO]t 로 하면, kt = ln[PO]0/[PO]t 의 관계가 성립된다. 그래서, 시간 t 와 ln[PO]0/[PO]t 의 관계를 그래프에 플롯하면, 그 기울기로부터 분해 속도 정수 k 를 구할 수 있다. 반감기 시간 t1/2 에서는 [PO]0/[PO]t = 2 의 관계가 성립되므로, t1/2 = ln2/k 의 관계식으로부터, 어느 온도에서의 반감기 시간 t1/2 를 구할 수 있다. 복수의 온도에 대해 반감기 시간 t1/2 를 구하고, lnt1/2 와 1/T 의 관계를 그래프에 플롯함으로써, 10 시간 반감기 온도를 얻을 수 있다. T 는 절대 온도 (단위 : K) 이다. 또한, 열 라디칼 중합 개시제의 제조 회사가 발행하는 카탈로그나 기술 자료에 기재된 10 시간 반감기 온도의 데이터를 이용해도 된다.
열 라디칼 중합 개시제 (B) 로는, 수지 조성물을 유기 용제에 용해 또는 분산시킨 바니시를 건조시킨 후에 있어서도, 보다 양호하게 반응성을 갖는 점에서, 디알킬퍼옥사이드 및/또는 하이드로퍼옥사이드가 바람직하다.
그 중에서도, 용제 용해성의 관점에서, 디쿠밀퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 디-tert-부틸퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시)헥신-3,2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시)헥산, 디-tert-헥실퍼옥사이드, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-아밀퍼옥사이드, tert-아밀하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 및 p-멘탄퍼옥사이드가 보다 바람직하고, 바니시의 건조시 및 실장시에 있어서의 휘발분을 바람직하게 억제할 수 있는 점에서, 디쿠밀퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 및 p-멘탄하이드로퍼옥사이드가 더욱 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 열 라디칼 중합 개시제 (B) 로는, 시판을 사용해도 되고, 예를 들어, 닛폰 유지 (주) 사 제조의 퍼부틸 H, 퍼쿠밀 H, 퍼옥타 H, 퍼쿠밀 P, 퍼멘타 H (이상, 하이드로퍼옥사이드), 퍼헥신 25B, 퍼부틸 D, 퍼부틸 C, 퍼헥사 25B, 퍼헥실 D, 퍼쿠밀 D, 퍼부틸 P (이상, 디알킬퍼옥사이드), 퍼헥사 V, 퍼헥사 22 (이상, 퍼옥시케탈), 퍼부틸 Z, 및 퍼부틸 A (이상, 퍼옥시에스테르) ; 알케마 요시토미 (주) 제조의 루페록스 TAH, 루페록스 TBH (이상, 하이드로퍼옥사이드), 및 루페록스 DTA (이상, 디알킬퍼옥사이드) 를 들 수 있다.
이들 열 라디칼 중합 개시제 (B) 는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물 중에 있어서의 열 라디칼 중합 개시제 (B) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 라디칼 중합성 화합물 (C) 에 대하여 충분한 경화성을 부여하는 관점에서, 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.005 질량부 이상 5 질량부 이하인 것이 바람직하고, 휘발분을 억제하고, 경화 중의 보이드를 억제하는 관점에서, 0.05 질량부 이상 3 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
[I-3. 라디칼 중합성 화합물 (C)]
본 실시형태에 관련된 라디칼 중합성 화합물 (C) 는, 라디칼 중합 반응에 의해 중합이 진행되는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 그 중에서도, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 프로페닐기, 및 비닐기로 이루어지는 군에서 선택되는, 적어도 1 종의 관능기를 함유하는 화합물인 것이 바람직하고, 절연 신뢰성, 및 내열성의 관점에서 말레이미드기를 함유하는 화합물이 보다 바람직하다.
말레이미드기를 함유하는 화합물로는, 분자 중에 1 개 이상의 말레이미드기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, N-페닐말레이미드, N-하이드록시페닐말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 4,4-디페닐메탄비스말레이미드, 비스(3,5-디메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-말레이미드페닐)메탄, 페닐메탄말레이미드, o-페닐렌비스말레이미드, m-페닐렌비스말레이미드, p-페닐렌비스말레이미드, o-페닐렌비스시트라콘이미드, m-페닐렌비스시트라콘이미드, p-페닐렌비스시트라콘이미드, 2,2-비스(4-(4-말레이미드페녹시)-페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드, 1,6-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산, 4,4-디페닐에테르비스말레이미드, 4,4-디페닐술폰비스말레이미드, 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠, 4,4-디페닐메탄비스시트라콘이미드, 2,2-비스[4-(4-시트라콘이미드페녹시)페닐]프로판, 비스(3,5-디메틸-4-시트라콘이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-시트라콘이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-시트라콘이미드페닐)메탄, 폴리페닐메탄말레이미드, 노볼락형 말레이미드 화합물, 비페닐아르알킬형 말레이미드 화합물, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판, 1,2-비스(말레이미드)에탄, 1,4-비스(말레이미드)부탄, 1,6-비스(말레이미드)헥산, N,N'-1,3-페닐렌디말레이미드, N,N'-1,4-페닐렌디말레이미드, N-페닐말레이미드, 하기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 하기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 들 수 있다. 이들 말레이미드기를 함유하는 화합물은, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 유기 용제에 대한 용해성의 관점에서, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판, 하기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 하기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물이 바람직하다.
또한, 이들 말레이미드 화합물을 중합하여 얻어지는 프레폴리머, 또는 말레이미드 화합물과 아민 화합물 등의 다른 화합물과 중합하여 얻어지는 프레폴리머 등의 형태로 배합할 수도 있고, 이들 화합물은, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[화학식 8]
Figure pct00008
식 (3) 중, R8 은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 또, 식 (3) 중, n1 은 1 이상의 정수를 나타내고, n1 의 상한값은, 통상은 10 이고, 유기 용제에 대한 용해성의 관점에서, 7 인 것이 바람직하다.
또한, 식 (3) 은, n1 이 상이한 화합물의 혼합물이어도 된다.
[화학식 9]
Figure pct00009
식 (4) 중, n2 의 평균적인 값은 7 이상 30 이하의 범위이다.
또한, 식 (4) 는, n2 가 상이한 화합물의 혼합물이어도 된다.
[화학식 10]
Figure pct00010
식 (5) 중, R9, 및 R10 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타낸다.
식 (5) 중, R11 은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.
또, 본 실시형태에 있어서의 라디칼 중합성 화합물 (C) 로는, 유기 용제에 대한 용해성, 및 가요성을 확보하는 관점에서, 상기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 포함하고, 그것과 함께, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판, 상기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 상기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 말레이미드 화합물을 병용하는 것이 보다 바람직하다.
말레이미드기를 함유하는 화합물은 시판되는 것을 사용해도 되고, 예를 들어, 다이와 화성 공업 (주) 제조 BMI-2300 (상기 식 (3) 에 있어서의 R8 이 모두 수소 원자이고, n1 이 1 이상 3 이하인 말레이미드 화합물) ; 케이·아이 화성 (주) 제조 BMI-70 (상기 식 (5) 에 있어서의 R9 가 메틸기이고, R10 이 에틸기이고, R11 이 수소 원자인 말레이미드 화합물, 비스-(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄), BMI-80 (2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판), BMI-1000P (상기 식 (4) 에 있어서의 n2 가 14 (평균값) 인 말레이미드 화합물), BMI-650P (상기 식 (4) 에 있어서의 n2 가 9 (평균값) 인 말레이미드 화합물) 를 들 수 있다.
(메트)아크릴로일기를 함유하는 화합물로는, 분자 중에 1 개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-1,3-디(메트)아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-((메트)아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-((메트)아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 트리스((메트)아크릴로일옥시에틸)이소시아누레이트, 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있고, 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용하는 것이 가능하다.
프로페닐기를 함유하는 화합물로는, 분자 중에 1 개 이상의 프로페닐기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 프로페닐벤젠, 프로페닐나프탈렌, 프로페닐안트라센, 프로페닐페놀, o-프로페닐페녹시벤젠의 1 관능 프로페닐 화합물 ; 비스프로페닐페닐에테르, 2,2-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]술폰, 4,4'-비스(o-프로페닐페녹시)벤조페논, 2,2-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]노난, 2,2-비스[3-터셔리부틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-세칸더리부틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]프로판, 1,1-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]데칸, 1,1-비스[2-메틸-4-(o-프로페닐페녹시)-5-터셔리부틸페닐]-2-메틸프로판, 4,4'-시클로헥실리덴-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-2-(1,1-디메틸에틸)벤젠], 4,4'-메틸렌-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-2,6-비스(1,1-디메틸에틸)벤젠], 4,4'-메틸렌-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-2,6-디-세칸더리부틸벤젠], 4,4'-시클로헥실리덴-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-2-시클로헥실벤젠], 4,4'-메틸렌-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-2-노닐벤젠], 4,4'-(1-메틸에틸리덴)-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-2,6-비스(1,1-디메틸에틸)벤젠, 4,4'-(2-에틸헥실리덴)-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-벤젠], 4,4'-(1-메틸헵틸리덴)-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-벤젠], 4,4'-시클로헥실리덴-비스[1-(o-프로페닐페녹시)-3-메틸벤젠], 2,2-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-프로판, 2,2-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3-메틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-프로판, 2,2-비스[3-메틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3,5-디메틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-프로판, 2,2-비스[3,5-디메틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3-에틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-프로판, 2,2-비스[3-에틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판, 비스[3-메틸-(o-프로페닐페녹시)페닐]-메탄, 비스[3,5-디메틸-(o-프로페닐페녹시)페닐]-메탄, 비스[3-에틸-(o-프로페닐페녹시)페닐]-메탄, 3,8-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-트리시클로[5,2,1,02·6]데칸, 4,8-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-트리시클로-[5,2,1,02·6]데칸, 3,9-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-트리시클로-[5,2,1,02·6]데칸, 4,9-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-트리시클로-[5,2,1,02·6]데칸, 1,8-비스[4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-멘탄, 1,8-비스[3-메틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-멘탄, 1,8-비스[3,5-디메틸-4-(o-프로페닐페녹시)페닐]-멘탄을 들 수 있고, 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용하는 것이 가능하다.
비닐기를 함유하는 화합물로는, 분자 중에 1 개 이상의 비닐기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르, 하이드록시에틸비닐에테르, 에틸렌글리콜디비닐에테르, 비닐기를 갖는 2 관능성 페닐렌에테르 올리고머의 비닐에테르류를 들 수 있고, 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용하는 것이 가능하다.
본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 특별히 한정되지 않지만, 양호한 플럭스 활성, 및 필름의 강도를 확보하는 관점에서, 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량을, 킬레이트 플럭스제 (A) 20 질량부에 대하여, 50 질량부 이상 200 질량부 이하인 것이 바람직하고, 양호한 필름 형성성을 얻는 관점에서, 80 질량부 이상 150 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
그 중에서도, 말레이미드기를 함유하는 화합물은, 라디칼 중합성 화합물 (C) 중 50 ∼ 100 ％ 함유하는 것이 바람직하다.
말레이미드기를 함유하는 화합물은, 우수한 플럭스 활성, 우수한 가요성, 및 낮은 열팽창률을 균형있게 갖는 관점에서, 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 전체량 100 질량부에 대하여, 상기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드기 화합물을 5 질량부 이상 50 질량부 이하 함유하는 것이 바람직하고, 상기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드기 화합물을 5 질량부 이상 70 질량부 이하 함유하는 것이 바람직하고, 상기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물을 5 질량부 이상 50 질량부 이하 함유하는 것이 바람직하고, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판을 5 질량부 이상 50 질량부 이하 함유하는 것이 바람직하다.
[I-4. 무기 충전재 (D)]
본 실시형태에 있어서는, 내연성의 향상, 열전도율의 향상, 및 열팽창률의 저감을 위해, 무기 충전재 (D) 를 함유할 수 있다. 무기 충전재 (D) 의 종류로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 용융 실리카 등의 실리카 ; 베마이트, 수산화알루미늄, 및 알루미나 등의 알루미늄 화합물 ; 산화마그네슘, 및 수산화마그네슘 등의 마그네슘 화합물 ; 탄산칼슘 등의 칼슘 화합물 ; 산화몰리브덴, 및 몰리브덴산아연 등의 몰리브덴 화합물 ; 천연 탤크, 및 소성 탤크 등의 탤크 ; 마이카 ; 단섬유상 유리, 구상 유리, 및 미분말 유리 (예를 들어, E 유리, T 유리, D 유리) 등의 유리를 들 수 있다. 이들 무기 충전재 (D) 는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 수지 조성물의 내연성의 향상, 및 열팽창률의 저감의 관점에서, 무기 충전재 (D) 로는, 실리카가 바람직하고, 그 중에서도, 용융 실리카가 더욱 바람직하다. 용융 실리카로는, 예를 들어, 덴카 (주) 제조의 SFP-120MC, (주) 아도마테크 제조의 SC1050, SC2050, SE1030, SE1050, SE2050 을 들 수 있다. 또, 언더필재 용도로 사용하는 경우에는, 저 α 선 그레이드의 실리카의 사용이 바람직하고, 예를 들어, (주) 아도마테크 제조의 SV-EM1, SX-EM1 을 들 수 있다.
무기 충전재 (D) 의 평균 입자경은, 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태의 수지 조성물을, 프리어플라이드 언더필재로서 사용하는 경우, 칩에 배열되는 전극의 협피치화나, 전극간의 협갭화에 대응하는 관점에서, 3 ㎛ 이하가 바람직하고, 전극간의 피치가 60 ㎛ 이하가 되는 경우에는, 1 ㎛ 이하가 보다 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서 무기 충전재 (D) 의 「평균 입자경」 이란, 무기 충전재 (D) 의 메디안 직경을 의미하는 것으로 한다. 여기서 메디안 직경이란, 어느 입자경을 기준으로 하여, 분체의 입도 분포를 2 개로 나누었을 경우에, 보다 입자경이 큰 쪽의 입자의 개수, 또는 질량과, 보다 입자경이 작은 쪽의 개수, 또는 질량이, 전체 분체의 각각 50 ％ 를 차지하는 입자경을 의미한다. 무기 충전재 (D) 의 평균 입자경 (메디안 직경) 은, 습식 레이저 회절·산란법에 의해 측정된다.
본 실시형태에 있어서, 무기 충전재 (D) 를 사용하는 경우의 함유량은, 수지 조성물의 내연성의 향상, 및 열팽창률의 저감을 하면서, 프리어플라이드 언더필재의 접합시의 유동성을 확보하는 관점에서는, 수지 조성물 중에 있어서의 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 300 질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 200 질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 또, 무기 충전재 (D) 의 함유량은, 상기 함유량 100 질량부에 대하여, 10 질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 50 질량부 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 2 종 이상의 무기 충전재 (D) 를 병용하는 경우에는, 이들 합계량이 상기 함유량의 범위를 만족시키는 것이 바람직하다.
[I-5. 가요성 부여 성분 (E)]
본 실시형태에 있어서의 가요성 부여 성분 (E) 는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리스티렌, 폴리올레핀, 스티렌-부타디엔 고무 (SBR), 이소프렌 고무 (IR), 부타디엔 고무 (BR), 아크릴로니트릴부타디엔 고무 (NBR), 폴리우레탄, 폴리프로필렌, (메트)아크릴 올리고머, (메트)아크릴 폴리머, 실리콘 수지, 및 페녹시 수지와 같은 열가소성의 고분자 화합물을 들 수 있다. 이들 가요성 부여 성분 (E) 는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 수지 조성물을 제조할 때에 사용하는 유기 용제에 대한 용해성, 말레이미드 화합물과의 상용성, 수지 조성물의 용융 점도의 제어성, 및 가요성 부여의 관점에서, 가요성 부여 성분 (E) 로는, (메트)아크릴 올리고머, 및 (메트)아크릴 폴리머로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다. (메트)아크릴 올리고머, 및 (메트)아크릴 폴리머로는, 예를 들어, 토아 합성 (주) 의 「ARUFON」 시리즈, 소켄 화학 (주) 의 「액트플로우」 시리즈, 네가미 공업 (주) 의 「PARACRON」 시리즈, (주) 쿠라레의 「KURARITY」 시리즈를 들 수 있다.
가요성 부여 성분 (E) 의 분자량은, 한정되지 않지만, 수지 조성물에 가요성을 부여한다는 관점에서는, 중량 평균 분자량이 1,000 이상인 것이 바람직하고, 경화물에 있어서의 유연성, 및 양호한 인성을 부여하는 관점에서, 2,000 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 프리어플라이드 언더필재로서 사용하는 경우, 금속 접합부 내에 수지 조성물의 말려들어감이 없고, 보다 양호하고 또한 안정적인 형상의 접합을 얻기 위해서는, 수지 조성물의 용융 점도를 낮게 제어하여, 접합시의 수지 조성물의 유동성을 확보하는 것이 바람직하다. 그러한 관점에서, 가요성 부여 성분 (E) 의 중량 평균 분자량이 1,000,000 이하인 것이 바람직하고, 800,000 이하가 보다 바람직하고, 100,000 이하가 더욱 바람직하고, 용제 용해성의 관점에서, 10,000 이하가 더욱 더 바람직하다. 이 바람직한 범위의 중량 평균 분자량을 갖는 가요성 부여 성분 (E) 를 사용함으로써, 수지 조성물의 가요성과, 프리어플라이드 언더필재로서 사용하는 경우의 접합성을 양립할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 가요성 부여 성분 (E) 를 사용하는 경우의 함유량은, 용융 점도의 제어성의 관점에서, 수지 조성물 중에 있어서의 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 100 질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 50 질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 30 질량부 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또, 가요성 부여 성분 (E) 의 수지 조성물에 있어서의 함유량은, 가요성 부여 성분 (E) 를 사용하는 것에 의한 작용 효과를 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 수지 조성물 중에 있어서의 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 1 질량부 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5 질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 2 종 이상의 가요성 부여 성분 (E) 를 병용하는 경우에는, 이들의 합계량이 상기 함유량의 범위 내인 것이 바람직하다.
[I-6. 그 밖의 성분]
본 실시형태의 수지 조성물은, 킬레이트 플럭스제 (A), 열 라디칼 중합 개시제 (B), 라디칼 중합성 화합물 (C), 무기 충전재 (D), 및 가요성 부여 성분 (E) 외에, 그 밖의 성분을 1 종 또는 2 종 이상 포함하고 있어도 된다.
예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물은, 흡습 내열성의 향상, 및 칩과 수지 조성물의 접착성의 향상을 목적으로, 실란 커플링제를 포함하고 있어도 된다. 실란 커플링제로는, 일반적으로 무기물의 표면 처리에 사용되고 있는 것이고, 또한 킬레이트 플럭스제 (A) 와의 반응성이 낮은 실란 커플링제이면, 한정되지 않는다. 예를 들어, 비닐실란계 실란 커플링제 (예를 들어 γ-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란), 페닐아미노실란계 실란 커플링제 (예를 들어 N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란), 페닐실란계 실란 커플링제, 이미다졸실란계 실란 커플링제를 들 수 있다. 이들 실란 커플링제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
실란 커플링제를 사용하는 경우, 그 첨가량은 한정되지 않는다. 단, 흡습 내열성 향상, 및 플립 칩 실장시의 휘발량 저감의 관점에서, 그 함유량은, 수지 조성물 중에 있어서의 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.05 질량부 이상 20 질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.1 질량부 이상 15 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 2 종 이상의 실란 커플링제를 병용하는 경우에는, 이들 합계량이 상기 함유량의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물은, 적층체의 제조성 향상 등의 목적으로, 습윤 분산제를 함유해도 된다. 습윤 분산제로는, 일반적으로 도료 등에 사용되고 있는 습윤 분산제이면, 한정되지 않는다. 예를 들어, 빅케미·재팬 (주) 제조의 Disperbyk-110, 동-111, 동-180, 동-161, BYK-W996, 동-W9010, 동-W903 을 들 수 있다. 이들 습윤 분산제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
습윤 분산제를 사용하는 경우, 수지 조성물에 있어서의 그 함유량은 한정되지 않지만, 적층체의 제조성 향상의 관점에서는, 라디칼 중합성 화합물 (C) 100 질량부에 대하여, 습윤 분산제의 비율을 0.1 질량부 이상 5 질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.5 질량부 이상 3 질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 2 종 이상의 습윤 분산제를 병용하는 경우에는, 이들의 합계량이 상기 함유량의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물은, 접착성 부여 등의 목적으로, 벤조옥사진 화합물을 함유해도 된다. 벤조옥사진 화합물로는, 열에 의해 개환 중합이 진행되는 화합물로서 공지되어 있고, 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 하기 식 (6), 하기 식 (7), 및 하기 식 (8) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 11]
Figure pct00011
식 (6) 으로 나타내는 화합물 중, R11 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R12 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, X1 은 알킬렌기, 하기 식 (9) 로 나타내는 기, 식 「-SO2-」 로 나타내는 기, 식 「-CO-」 로 나타내는 기, 산소 원자 또는 단결합을 나타낸다.
아릴기로서 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트레닐기, 및 비페닐기를 들 수 있다.
아르알킬기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 벤질기, 및 페네틸기를 들 수 있다.
알킬기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 2-펜틸기, tert-펜틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 2,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 및 2-메틸펜탄-3-일기를 들 수 있다.
시클로알킬기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 및 시클로헥실기를 들 수 있다.
알킬렌기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어,메틸렌, 에틸렌, 트리메틸렌, 테트라메틸렌, 펜타메틸렌, 헥사메틸렌, 헵타메틸렌, 옥타메틸렌, 노나메틸렌, 데카메틸렌, 운데카메틸렌, 도데카메틸렌, 트리데카메틸렌, 테트라데카메틸렌, 펜타데카메틸렌, 및 헥사데카메틸렌기의 직사슬형 알킬렌기 ; 메틸에틸렌, 메틸프로필렌, 에틸에틸렌, 1,2-디메틸에틸렌, 1,1-디메틸에틸렌, 1-에틸프로필렌, 2-에틸프로필렌, 1,2-디메틸프로필렌, 2,2-디메틸프로필렌, 1-프로필프로필렌, 2-프로필프로필렌, 1-메틸-1-에틸프로필렌, 1-메틸-2-에틸-프로필렌, 1-에틸-2-메틸-프로필렌, 2-메틸-2-에틸-프로필렌, 1-메틸부틸렌, 2-메틸부틸렌, 3-메틸부틸렌, 2-에틸부틸렌, 메틸펜틸렌, 에틸펜틸렌, 메틸헥실렌, 메틸헵틸렌, 메틸옥틸렌, 메틸노닐렌, 메틸데실렌, 메틸운데실렌, 메틸도데실렌, 메틸테트라데실렌, 및 메틸옥타데실렌기의 분기 사슬형 알킬렌기를 들 수 있다.
[화학식 12]
Figure pct00012
식 (7) 로 나타내는 화합물 중, R13 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R14 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, X2 는 알킬렌기, 하기 식 (9) 로 나타내는 기, 식 「-SO2-」 로 나타내는 기, 식 「-CO-」 로 나타내는 기, 산소 원자 또는 단결합을 나타낸다.
아릴기, 아르알킬기, 알킬기, 시클로알킬기, 및 알킬렌기에 대해서는 상기와 같다.
[화학식 13]
Figure pct00013
식 (8) 로 나타내는 화합물 중, R15 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R16 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 아릴기, 아르알킬기, 알릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, X3 은 알킬렌기, 하기 식 (9) 로 나타내는 기, 식 「-SO2-」 로 나타내는 기, 식 「-CO-」 로 나타내는 기, 산소 원자 또는 단결합을 나타낸다.
아릴기, 아르알킬기, 알킬기, 시클로알킬기, 및 알킬렌기에 대해서는 상기와 같다.
[화학식 14]
Figure pct00014
식 (9) 로 나타내는 화합물 중, Y 는 알킬렌기 또는 방향족 고리를 갖는 탄소수 6 이상 30 이하의 탄화수소기이고, n3 은 1 이상의 정수를 나타낸다.
알킬렌기에 대해서는 상기와 같다.
방향족 고리를 갖는 탄소수 6 이상 30 이하의 탄화수소기로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 플루오렌, 페난트렌, 인다센, 터페닐, 아세나프틸렌, 페날렌의 방향족성을 갖는 화합물의 핵으로부터 수소 원자를 2 개 제거한 2 가의 기를 들 수 있다.
구체예로서, 하기 식 (10) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (11) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (12) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (13) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (14) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (15) 로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (16) 으로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 이들 벤조옥사진 화합물은, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[화학식 15]
Figure pct00015
[화학식 16]
Figure pct00016
[화학식 17]
Figure pct00017
[화학식 18]
Figure pct00018
[화학식 19]
Figure pct00019
[화학식 20]
Figure pct00020
[화학식 21]
Figure pct00021
본 실시형태에 있어서, 벤조옥사진을 사용하는 경우의 함유량은, 한정되지 않지만, 칩과의 충분한 접착성을 확보하는 관점에서, 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 벤조옥사진 화합물을 5 질량부 이상 60 질량부 이하 포함하는 것이 바람직하고, 25 질량부 이상 45 질량부 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 2 종 이상의 벤조옥사진 화합물을 병용하는 경우에는, 이들의 합계량이 상기 함유량의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 수지 조성물에는, 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서, 여러 가지 목적에 의해, 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 형광 증백제, 염료, 안료, 증점제, 윤활제, 소포제, 레벨링제, 광택제, 및 난연제를 들 수 있다. 이들 첨가제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물에 있어서, 그 밖의 첨가제의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 수지 조성물 중에 있어서의 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 각각 0.01 질량부 이상 10 질량부 이하이다.
본 실시형태의 수지 조성물은, 킬레이트 플럭스제 (A), 열 라디칼 중합 개시제 (B), 라디칼 중합성 화합물 (C), 무기 충전재 (D), 가요성 부여 성분 (E), 및 그 밖의 성분을 혼합함으로써 조제된다. 필요에 따라, 이들 성분을 유기 용제에 용해 또는 분산시킨 바니시의 형태로 해도 된다. 본 실시형태의 수지 조성물의 바니시는, 하기 본 실시형태의 적층체를 제조할 때의 바니시로서, 바람직하게 사용할 수 있다. 유기 용제는, 상기의 성분을 각각 바람직하게 용해 또는 분산시킬 수 있고, 또한, 본 실시형태의 수지 조성물의 소기의 효과를 저해하지 않는 것이면 한정되지 않는다. 유기 용제로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 및 프로판올 등의 알코올류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 및 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 ; 디메틸아세트아미드, 및 디메틸포름아미드 등의 아미드류 ; 톨루엔, 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소류를 들 수 있다. 이들 유기 용제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 수지 조성물은, 플럭스 활성, 가요성, 및 절연 신뢰성이 우수하다. 또, 수지 조성물을 지지 기재 상에 도포함으로써, 플럭스 활성이 우수한 수지층을 갖는 적층체를 제공할 수 있다. 본 실시형태의 수지 조성물을 적층체의 형태로 사용하는 프리어플라이드 언더필재로서 사용한 경우, 플럭스 활성, 가요성, 및 절연 신뢰성이 우수하고, 또한, 플립 칩 실장에 있어서의 접합성, 흡습 내열성 및 칩과의 접착성도 우수한 등, 그 밖의 바람직한 효과도 발휘할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태의 수지 조성물은, 각종 우수한 특징을 갖고, 특히 플럭스 활성, 가요성 및 절연 신뢰성을 높은 수준으로 양립시킬 수 있으므로, 언더필재로서 매우 유용하다.
[II. 적층체, 적층체를 사용하여 제조되는 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 적층체를 사용하여 제조되는 수지 조성물층이 형성된 기판 및 반도체 장치]
본 실시형태의 적층체, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층이 형성된 기판 및 반도체 장치는, 모두 상기한 본 실시형태의 수지 조성물을 사용하여 형성된다.
[II-1. 적층체]
본 실시형태의 적층체는, 상기한 본 실시형태의 수지 조성물이, 지지 기재에 첨착 (添着) 된 것이다. 지지 기재는, 특별히 한정되지 않지만, 고분자 필름을 사용할 수 있다. 고분자 필름의 재질로는, 예를 들어, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리우레탄, 에틸렌-산화비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리부틸렌테레프탈레이트의 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리메틸펜텐, 폴리이미드 및 폴리아미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 수지를 함유하는 필름, 그리고 이들 필름의 표면에 이형제를 도포한 이형 필름을 들 수 있고, 이들 중에서도, 특히 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드가 바람직하고, 그 중에서도 폴리에스테르의 1 종인, 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.
본 실시형태의 지지 기재의 두께는 한정되지 않지만, 적층체의 제조성, 예를 들어 지지 기재에 수지 조성물을 도포하는 경우의 도포 두께의 안정성의 관점에서 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또, 적층체의 반송성의 관점에서도 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또, 그 두께의 하한으로는, 적층체를 제조할 때의 수율 확보의 관점에서, 더욱 바람직하게는 12 ㎛ 이상, 특히 바람직하게는 25 ㎛ 이상이고, 30 ㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또 그 두께의 상한으로는, 지지 기재가 최종적으로는 반도체 장치의 구성 부재로서 존재하지 않고, 공정의 도중에 박리되므로, 적층체의 제조 비용의 관점에서, 80 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 50 ㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
상기의 지지 기재 상에, 본 실시형태의 수지 조성물로 이루어지는 층 (이하, 간단히 「수지 조성물층」 이라고도 한다.) 을 형성하여 본 실시형태의 적층체를 제조하는 방법은, 한정되지 않지만, 예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물을 유기 용제에 용해 또는 분산시킨 바니시를, 상기의 지지 기재의 표면에 도포하고, 가열 및/또는 감압하에서 건조시키고, 용매를 제거하여 본 실시형태의 수지 조성물을 고화시켜, 수지 조성물층을 형성하는 수법 등을 들 수 있다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층에 대한 유기 용제의 함유 비율이 수지 조성물층의 총량 (100 질량％) 에 대하여, 통상 10 질량％ 이하, 바람직하게는 5 질량％ 이하가 되도록 건조시킨다. 건조를 달성하는 조건은, 바니시 중의 유기 용매의 종류와 배합량에 따라서도 상이하지만, 예를 들어, 킬레이트 플럭스제 (A), 열 라디칼 중합 개시제 (B) 및 라디칼 중합성 화합물 (C) 를 포함하는 수지 조성물에 있어서의 합계량 100 질량부에 대하여 30 질량부 이상 60 질량부 이하의 메틸에틸케톤을 포함하는 바니시의 경우, 1 기압하에서 90 ℃ 이상 160 ℃ 이하의 가열 조건하에서 1 분 이상 10 분 이하 정도의 건조가 기준이 된다. 특히, 가열 온도에 대해서는, 열 라디칼 중합 개시제 (B) 의 산소에 의한 실활이나 휘발에 주의해야 한다. 본 실시형태의 바니시를 가열하면, 열 라디칼 중합 개시제 (B) 의 분해가 진행되어, 발생한 활성 라디칼이 분위기 중의 산소에 의해 실활되거나, 또 열 라디칼 중합 개시제나 그 분해물이 휘발되므로, 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 중합에 기여하는 라디칼수가 감소해 버려, 플립 칩 실장에 있어서 수지 조성물의 경화 반응이 진행되지 않을 염려가 있다. 따라서, 본 실시형태의 수지 조성물은, 바니시의 건조 온도 이상의 온도역에 10 시간 반감기 온도를 갖는 열 라디칼 중합 개시제 (B) 를 사용하는 것이 바람직하다. 본 실시형태의 적층체에 있어서의 수지 조성물층의 두께는 한정되지 않지만, 수지 조성물층의 건조시에 용제 등의 경휘발분을 보다 양호하게 제거하는 관점, 및 적층체로서의 기능을 보다 유효하고 또한 확실하게 발휘하는 관점에서, 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하의 범위가 바람직하다.
[II-2. 적층체를 사용하여 제조되는 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 적층체를 사용하여 제조되는 수지 조성물층이 형성된 기판]
본 실시형태의 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼는, 상기한 본 실시형태의 적층체와 반도체 웨이퍼로 형성된 것이고, 본 실시형태의 수지 조성물층이 형성된 기판은, 상기한 본 실시형태의 적층체와 기판으로 형성된 것이다.
본 실시형태의 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법은 한정되지 않지만, 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 전극이 형성된 면, 즉 기판과의 접합이 실시되는 면과, 본 실시형태의 적층체의 수지 조성물층이 대향하도록 첩합 (貼合) 함으로써 얻어진다. 또, 본 실시형태의 수지 조성물층이 형성된 기판을 제조하는 방법은 한정되지 않지만, 예를 들어, 기판의 칩 탑재측의 면과, 본 실시형태의 적층체의 본 실시형태의 수지 조성물층이 대향하도록 첩합함으로써 얻어진다.
본 실시형태의 적층체를 반도체 웨이퍼 또는 기판에 첩합하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 진공 가압식 라미네이터를 바람직하게 사용할 수 있다. 이 경우, 본 실시형태의 적층체에 대해 고무 등의 탄성체를 개재하여 가압하고, 첩합하는 방법이 바람직하다. 라미네이트 조건으로는, 당업계에서 일반적으로 사용되고 있는 조건이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 10 ℃ 이상 140 ℃ 이하의 온도, 1 ㎏f/㎠ 이상 11 ㎏f/㎠ 이하의 범위의 접촉 압력, 그리고 20 h㎩ 이하의 분위기 감압하에서 실시된다. 라미네이트 공정 후에, 금속판에 의한 열 프레스에 의해, 첩합된 적층체의 평활화를 실시해도 된다. 상기 라미네이트 공정 및 평활화 공정은, 시판되고 있는 진공 가압식 라미네이터에 의해 연속적으로 실시할 수 있다. 반도체 웨이퍼 또는 기판에 첩부 (貼付) 된 적층체는, 어느 경우도 칩의 플립 칩 실장 전까지 지지 기재의 제거가 실시된다.
[II-3. 반도체 장치]
본 실시형태의 반도체 장치는, 본 실시형태의 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 및/또는 본 실시형태의 수지 조성물층이 형성된 기판을 구비하고, 본 실시형태의 수지 조성물, 칩 및 기판 등으로 구성된다. 본 실시형태의 반도체 장치를 제조하는 방법은, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼를 연삭의 수단으로 박화 및 다이싱소에 의한 개편화 (個片化) 를 실시하여, 수지 조성물층이 형성된 칩으로 하고, 이것을 기판에 탑재하는 수법을 들 수 있다. 또, 본 실시형태의 수지 조성물층이 형성된 기판에 칩을 탑재해도 된다. 수지 조성물층이 형성된 칩을 기판에 탑재하는 방법 및 반도체 칩을 수지 조성물층이 형성된 기판에 탑재하는 방법에서는, 열압착 공법에 대응한 플립 칩 본더를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 본 실시형태에서는 칩을 기판에 플립 칩 실장하는 경우를 편의적으로 설명하고 있지만, 칩을 플립 칩 실장하면서, 본 실시형태의 수지 조성물을 적용하는 대상은 기판 의외로 할 수도 있다. 예를 들어, 본 실시형태의 수지 조성물은, 반도체 웨이퍼 상에 칩을 탑재할 때의 반도체 웨이퍼와 칩의 접합부나, TSV (Through Silicon Via) 를 경유하여 칩간 접속을 실시하는 칩 적층체의, 각 칩간의 접합부에 사용하는 것도 가능하고, 어느 경우도 본 실시형태에 의한 우위성을 얻을 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되지 않는다.
1. 킬레이트 플럭스제 평가
(1) 평가 대상
킬레이트 플럭스제 단체의 여러 특성을 평가하기 위해서, 이하 4 종의 킬레이트 플럭스제를 평가 대상으로 하고, 결과를 표 1 에 나타냈다.
(i) N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민 (융점 : 45 ℃, 분자량 : 282, 도쿄 화성 공업 (주) 제조)
(ii) N,N'-비스(살리실리덴)에틸렌디아민 (융점 : 126 ℃, 분자량 : 268, 도쿄 화성 공업 (주) 제조)
(iii) N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민 (융점 : 53 ℃, 분자량 : 282, 도쿄 화성 공업 (주) 제조)
(iv) N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-페닐렌디아민 (융점 : 164 ℃, 분자량 : 316, 도쿄 화성 공업 (주) 제조)
(2) 땜납 젖음성 시험
(i) ∼ (iv) 의 킬레이트 플럭스제를, 두께 12 ㎛ 의 전해 동박 (3EC-III, 미츠이 금속 광업 (주) 제조) 의 광택면에 산포하고, 직경 0.5 ㎜ 의 땜납 볼 (에코 솔더 볼 M705, Sn-3.0Ag-0.5Cu 합금, 센쥬우 금속 공업 (주) 제조) 을 두었다. 이것을, 235 ℃ 로 유지된 핫 플레이트 상에서 1 분간 가열하고, 동박 상에서 땜납을 용융시킨 후, 실온에서 냉각시켰다. 땜납 볼의 동박에 대한 젖음 확산을 땜납 볼의 접촉각을 측정함으로써, 플럭스 활성을 평가하였다. 땜납 볼의 접촉각은, 디지털 마이크로스코프 (KH-7700, (주) 하이록스 제조) 를 사용하여, 동박 상에 용융되어 젖어 퍼진 땜납 볼의 반경 (a) 및 땜납 볼의 높이 (b) 를 측정하고, 하기 식으로부터 접촉각을 산출하였다. 또한, 땜납 볼의 반경 (a) 는, 땜납이 용융되어 젖어 퍼진 범위에 있어서의 최대 직경의 반의 값을 사용하였다. 또, 땜납 볼의 높이 (b) 는, 용융된 땜납의 정점에서 동박면으로 수직으로 그은 선의 길이를 사용하였다.
땜납 볼의 접촉각 = 2arctan{(b)/(a)}
땜납 볼의 접촉각이 1.20 라디안 미만인 것을 A, 1.20 라디안 이상인 것을 C 로 하여 기재하였다.
Figure pct00022
표 1 로부터, 땜납 젖음성 시험에 있어서, (i) ∼ (iv) 는 모두 양호한 결과가 확인되었다. 이하의 실시예에 있어서는, 킬레이트 플럭스제로서, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민 및 N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민을 사용하였다.
2. 수지 조성물 및 적층체의 제조
(실시예 1)
킬레이트 플럭스제 (A) 로서, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민 (도쿄 화성 공업 (주) 제조) 의 메틸에틸케톤 (이하, 「MEK」 라고 약기하는 경우가 있다.) 용액 (불휘발분 환산으로 20 질량부), 열 라디칼 중합 개시제 (B) 로서, 디쿠밀퍼옥사이드 (키시다 화학 (주) 제조, 10 시간 반감기 온도 : 116.4 ℃) 0.5 질량부, 제 1 라디칼 중합성 화합물 (C) 로서, 식 (3) 에 있어서의 R8 이 모두 수소 원자이고, n1 이 1 이상 3 이하인 말레이미드 화합물 (BMI-2300, 다이와 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 8 질량부), 제 2 라디칼 중합성 화합물 (C) 로서, 말레이미드 화합물 (BMI-1000P, 케이·아이 화성 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 25 질량부), 제 3 라디칼 중합성 화합물 (C) 로서, 비스-(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄 (BMI-70, 케이·아이 화성 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 16 질량부), 제 4 라디칼 중합성 화합물 (C) 로서, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판 (BMI-80, 케이·아이 화성 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 16 질량부), 제 1 무기 충전재 (D) 로서, 슬러리 실리카 (SV-EM1, 고형분 65 ％, 평균 입자경 : 0.3 ㎛, (주) 아도마테크 제조) 75 질량부, 제 2 무기 충전재 (D) 로서, 슬러리 실리카 (SX-EM1, 고형분 65 ％, 평균 입자경 : 0.3 ㎛, (주) 아도마테크 제조) 25 질량부, 가요성 부여 성분 (E) 로서, 아크릴 폴리머 (US-6170, 토아 합성 (주) 제조) 10 질량부, 또한 밀착성 부여 성분으로서, 벤조옥사진 (Pd 형 벤조옥사진, 시코쿠 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 25 질량부) 을 혼합하고, 고속 교반 장치를 사용하여 30 분간 교반하여, 바니시를 얻었다. 이 바니시를, 표면에 이형제를 코트한 두께 38 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (TR1-38, 유니티카 (주) 제조) 에 도포하고, 100 ℃ 에서 5 분간 가열 건조시켜, 본 발명의 수지 조성물층의 두께가 30 ㎛ 인 적층체를 얻었다.
(실시예 2)
킬레이트 플럭스제 (A) 로서, N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민 (도쿄 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액을 불휘발분 환산으로 20 질량부 사용하는 것으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하여, 적층체를 얻었다.
(실시예 3)
열 라디칼 중합 개시제 (B) 로서, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠 (퍼부틸 P, 니치유 (주) 제조, 10 시간 반감기 온도 : 119.2 ℃) 을 사용하고, 그 사용량을 0.5 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하여, 적층체를 얻었다.
(실시예 4)
킬레이트 플럭스제 (A) 로서, N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민 (도쿄 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액을 불휘발분 환산으로 20 질량부 사용하고, 열 라디칼 중합 개시제 (B) 로서, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠 (퍼부틸 P, 니치유 (주) 제조, 10 시간 반감기 온도 : 119.2 ℃) 을 사용하고, 그 사용량을 0.5 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하여, 적층체를 얻었다.
(실시예 5)
킬레이트 플럭스제 (A) 로서, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민 (도쿄 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액을 사용하고, 그 사용량을 불휘발분 환산으로 60 질량부로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하여, 적층체를 얻었다.
(실시예 6)
열 라디칼 중합 개시제 (B) 로서, 1,1-디(tert-헥실퍼옥시)시클로헥산 (퍼헥사 HC, 니치유 (주) 제조, 10 시간 반감기 온도 : 87.1 ℃) 을 사용하고, 그 사용량을 0.5 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하여, 적층체를 얻었다.
(비교예 1)
킬레이트 플럭스제 (A) 를 사용하지 않았던 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 바니시를 조제하여, 적층체를 얻었다.
(비교예 2)
열 라디칼 중합 개시제 (B) 를 사용하지 않고, 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (도쿄 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 0.5 질량부) 으로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하여, 적층체를 얻었다.
(비교예 3)
비스페놀 A 형 에폭시 화합물 (EXA-850CRP, 에폭시기 당량 171 g/eq., DIC (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 62 질량부), 노볼락형 페놀 화합물 (페놀라이트 KA-1163, 수산기 당량 118 g/eq., DIC (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 38 질량부), 킬레이트 플럭스제 (A) 로서, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민 (도쿄 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 20 질량부), 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 0.1 질량부), 무기 충전재 (D) 로서, 슬러리 실리카 (SC-1050MLQ, 평균 입자경 : 0.3 ㎛, 불휘발분 환산으로 100 질량부), 가요성 부여 성분 (E) 로서, 아크릴 폴리머 (US-6170, 토아 합성 (주) 제조) 10 질량부, 또한 밀착성 부여 성분으로서, 벤조옥사진 (Pd 형 벤조옥사진, 시코쿠 화성 공업 (주) 제조) 의 MEK 용액 (불휘발분 환산으로 25 질량부) 을 혼합하고, 고속 교반 장치를 사용하여 30 분간 교반하여, 바니시를 얻었다. 이 바니시를, 표면에 이형제를 코트한 두께 38 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (TR1-38) 에 도포하고, 100 ℃ 에서 5 분간 가열 건조시켜, 적층체를 얻었다.
3. 평가 방법
(1) 바니시 제조 가부
실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 의 바니시 제조 과정에서, 바니시의 겔화나 수지 조성물 성분의 침강 등이 확인되지 않으면 A, 바니시의 겔화나 수지 조성물 성분의 침강 등이 확인되면 C 로 하여 기재하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
(2) 바니시 보존 안정성
실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 바니시의 점도 (c) 를, B 형 점도계 (도쿄 계기 (주) 제조) 를 사용하여 측정하고, 밀폐 용기 내에서 2 주간 실온 방치 후의 점도 (d) 를, B 형 점도계를 사용하여 다시 측정하였다. 하기 식으로 2 주간 경과 후의 점도의 변화율을 산출하고, 변화율이 20 ％ 미만인 경우에는 AA, 2 주간 경과 후의 점도의 변화율이 20 ％ 이상 40 ％ 미만인 경우에는 A, 2 주간 경과 후의 점도의 변화율이 40 ％ 이상인 경우에는 C 로 하여 기재하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
점도의 변화율 = {｜(d) - (c)｜/(c)} × 100
(3) 실장 시험
실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 적층체를 8 ㎜ × 8 ㎜ 의 정방형으로 절단하여 평가용 기판 상에 라미네이트한 후, 플립 칩 본더 (LFB-2301, (주) 신카와 제조) 를 사용하여, 스테이지 온도 70 ℃, 본드 헤드 온도 300 ℃, 하중 50 N, 시간 8 초의 조건으로, 반도체 칩을 압착하여 실장 시험을 실시하였다. 실장 시험 샘플의 단면 관찰에 의해, 반도체 칩측의 Cu 필러 상의 땜납과, 기판측의 배선 사이에, 합금 생성이 확인되면 A, 합금 생성이 확인되지 않으면 C 로 하여 기재하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
(4) 실장 샘플 외관
실장 시험 후의 샘플을 반도체 칩의 바로 위에서부터 광학 현미경으로 관찰하였다. 반도체 칩의 표면에 실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 수지 조성물의 부착이 확인되지 않는 것을 AA, 반도체 칩의 표면에 실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 수지 조성물의 부착이 약간 확인되지만, 실사용상은 품질에 영향을 미치지 않는다고 생각되는 것을 A, 반도체 칩의 표면에 실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 수지 조성물의 부착이 확인되어, 실사용상 허용되지 않는 것을 C 로 하여 기재하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
(5) 가요성
실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 수지 적층체를 5 ㎝ × 10 ㎝ 의 단책상 (短冊狀) 으로 재단한 후, 실온에 있어서 지지 기재의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 내측이 되도록 외경이 3 ㎝ 인 금속관에 휘감고, 5 초간 유지한 후 되감았다. 이 작업을 10 회 반복한 후, 본 발명의 수지 조성물층의 크랙의 유무를 육안으로 확인하고, 가요성의 평가를 실시하였다. 크랙의 발생이 완전히 관찰되지 않는 것을 AA, 크랙의 발생이 약간 관찰되지만, 실사용상은 품질에 영향을 미치지 않는다고 생각되는 것을 A, 크랙이 발생하여, 실사용상 허용되지 않는 것을 C 로 하여 기재하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
(6) 절연 신뢰성
프린트 배선 기판의 L/S = 40 ㎛/40 ㎛ 의 미세 회로 패턴 상에, 실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 에서 얻어진 적층체를 진공 라미네이터에 의해 첩부하고, 미세 배선 사이를 매립하였다. 오븐을 사용하여, 상기에서 제조한 적층체가 형성된 미세 회로 패턴 기판을 200 ℃ 에서 3 시간 가열하여, 시험 샘플을 제조하였다. 얻어진 시험 샘플을 전처리로 하여, 온도 85 ℃, 습도 60 ％ 의 조건하에서 168 시간 가습 열처리하고, 처리 후의 샘플을 최고 온도 260 ℃ 로 설정한 리플로 공정에 3 회 흘렸다. 전처리 후의 시험 샘플을 온도 130 ℃, 습도 85 ％, 인가 전압 5.0 V 의 조건으로 연속 습중 (濕中) 절연 저항을 측정하였다. 평가 기준은, 저항값 107 Ω 이하를 단락으로 하고, 단락할 때까지의 시간이, 300 시간 이상인 것을 A, 300 시간 미만인 것을 C 로 하여 기재하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
Figure pct00023
본 출원은 2018년 4월 26일 출원의 일본 특허출원 (일본 특허출원 2018-84967) 에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.
산업상 이용가능성
본 발명의 수지 조성물은, 상기한 바와 같이, 플럭스 활성, 가요성, 및 저열팽창성이 우수하고, 각종 효과를 발휘하므로, 수지 조성물, 특히 접착제용 수지 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 본 발명의 수지 조성물은, 프리어플라이드 언더필 재료로서 유용하다. 본 발명의 수지 조성물은, 플럭스 활성이 우수하므로, 반도체 칩과 기판의 접합이나, 반도체 칩과 반도체 웨이퍼의 접합, 나아가서는 반도체 칩과 반도체 칩의 접합을 실시할 때, 양호한 접합 상태가 얻어지기 때문에, 매우 유용하다.

Claims (32)

  1. 킬레이트 플럭스제 (A) 와,
    열 라디칼 중합 개시제 (B) 와,
    라디칼 중합성 화합물 (C) 를 함유하는, 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 킬레이트 플럭스제 (A) 의 융점이 235 ℃ 이하인, 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 킬레이트 플럭스제 (A) 의 분자량이 150 이상 500 이하인, 수지 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 킬레이트 플럭스제 (A) 를 사용하여, 하기의 땜납 젖음성 시험에 있어서 얻어지는, 땜납 볼의 접촉각이 1.20 라디안 미만인, 수지 조성물.
    (땜납 젖음성 시험)
    두께 12 ㎛ 의 동박의 광택면에 상기 킬레이트 플럭스제를 도포하고, 상기 킬레이트 플럭스제 상에 직경 0.5 ㎜ 의 땜납 볼을 둔다. 그 후, 235 ℃ 로 유지된 핫 플레이트 상에서 1 분간 가열하고, 땜납을 용융시킨 후, 실온으로 냉각시킨다. 냉각 후에 있어서, 상기 동박 상에 퍼지는, 땜납 볼의 반경 (a) 및 땜납 볼의 높이 (b) 를 측정하고, 하기 식으로부터 접촉각을 산출하였다.
    땜납 볼의 접촉각 = 2arctan{(b)/(a)}
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 킬레이트 플럭스제 (A) 가, 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물 및/또는 하기 식 (2) 로 나타내는 이민 화합물을 함유하는, 수지 조성물.
    Figure pct00024

    (식 중, Q 는, 아릴렌기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 시클로알킬렌기, 시클로알케닐렌기, 헤테로사이클릴렌기, 또는 헤테로아릴렌기이고, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이고, R3 및 R4 는, 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 또는 헤테로사이클릴기이고, 아릴렌기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 시클로알킬렌기, 시클로알케닐렌기, 헤테로사이클릴렌기, 헤테로아릴렌기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기에 대해서는, 기에 결합하는 수소 원자가, 수산기 또는 메르캅토기로 치환되어 있어도 된다.)
    Figure pct00025

    (식 중, R5 는, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이고, R6 및 R7 은, 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 또는 헤테로사이클릴기이고, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 및 헤테로사이클릴기에 대해서는, 기에 결합하는 수소 원자가, 수산기 또는 메르캅토기로 치환되어 있어도 된다.)
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 식 (1) 로 나타내는 이민 화합물에 있어서의 R3 및 R4 가 2-하이드록시페닐기인, 수지 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 킬레이트 플럭스제 (A) 가, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민, N,N'-비스(살리실리덴)에틸렌디아민, N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민, 및 N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-페닐렌디아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 수지 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 킬레이트 플럭스제 (A) 가, N,N'-비스(살리실리덴)-1,2-프로판디아민 및/또는 N,N'-비스(살리실리덴)-1,3-프로판디아민을 함유하는, 수지 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가 유기 과산화물인, 수지 조성물.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 의 10 시간 반감기 온도가 100 ℃ 이상인, 수지 조성물.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가 디알킬퍼옥사이드 및/또는 하이드로퍼옥사이드인, 수지 조성물.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가, 디쿠밀퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 디-tert-부틸퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시퍼옥시퍼옥시)헥신-3,2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시퍼옥시퍼옥시)헥산, 디-tert-헥실퍼옥사이드, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-tert-아밀퍼옥사이드, tert-아밀하이드로퍼옥사이드, tert-부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 및 p-멘탄퍼옥사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 수지 조성물.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 가, 디쿠밀퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 디(2-tert-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 및 p-멘탄퍼옥사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 수지 조성물.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 가, 말레이미드기, (메트)아크릴로일기, 프로페닐기, 및 비닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 관능기를 함유하는 화합물인, 수지 조성물.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 가 말레이미드기를 함유하는 화합물인, 수지 조성물.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 가, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판, 1,2-비스(말레이미드)에탄, 1,4-비스(말레이미드)부탄, 1,6-비스(말레이미드)헥산, N,N'-1,3-페닐렌디말레이미드, N,N'-1,4-페닐렌디말레이미드, N-페닐말레이미드, 하기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 하기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 하기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 수지 조성물.
    Figure pct00026

    (식 (3) 중, R8 은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n1 은 1 이상의 정수를 나타낸다.)
    Figure pct00027

    (식 (4) 중, n2 의 평균값은 1 이상 30 이하이다.)
    Figure pct00028

    (식 (5) 중, R9 및 R10 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, R11 은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.)
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 가, 상기 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)페닐}프로판, 상기 식 (3) 으로 나타내는 말레이미드 화합물, 상기 식 (4) 로 나타내는 말레이미드 화합물, 및 상기 식 (5) 로 나타내는 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 말레이미드 화합물을 함유하는, 수지 조성물.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물 중에 있어서의 상기 킬레이트 플럭스제 (A) 의 함유량이, 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 5 질량부 이상 50 질량부 이하인, 수지 조성물.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물 중에 있어서의 상기 열 라디칼 중합 개시제 (B) 의 함유량이, 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여, 0.005 질량부 이상 5 질량부 이하인, 수지 조성물.
  20. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    무기 충전재 (D) 를 추가로 함유하는, 수지 조성물.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 무기 충전재 (D) 가 전기 절연성을 갖는, 수지 조성물.
  22. 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,
    상기 무기 충전재 (D) 가, 실리카, 수산화알루미늄, 알루미나, 베마이트, 질화붕소, 질화알루미늄, 산화마그네슘, 및 수산화마그네슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 수지 조성물.
  23. 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 충전재 (D) 의 평균 입자경이 3 ㎛ 이하인, 수지 조성물.
  24. 제 20 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물 중에 있어서의 상기 무기 충전재 (D) 의 함유량이, 상기 라디칼 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대하여 300 질량부 이하인, 수지 조성물.
  25. 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가요성 부여 성분 (E) 를 추가로 함유하는, 수지 조성물.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 가요성 부여 성분 (E) 가, 열가소성의 고분자 화합물을 함유하고,
    상기 고분자 화합물의 중량 평균 분자량이 1,000 이상 1,000,000 이하인, 수지 조성물.
  27. 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서,
    상기 가요성 부여 성분 (E) 가 (메트)아크릴 올리고머 및/또는 (메트)아크릴 폴리머인, 수지 조성물.
  28. 제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    프리어플라이드 언더필재용인, 수지 조성물.
  29. 지지 기재와,
    상기 지지 기재 상에 적층된 제 1 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 함유하는 층을 구비하는, 적층체.
  30. 반도체 웨이퍼와,
    상기 반도체 웨이퍼에 적층된 제 29 항에 기재된 적층체를 구비하고,
    상기 수지 조성물을 함유하는 층이, 상기 반도체 웨이퍼에 적층된, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼.
  31. 반도체 탑재용 기판과,
    상기 반도체 탑재용 기판에 적층된 제 29 항에 기재된 적층체를 구비하고,
    상기 수지 조성물을 함유하는 층이, 상기 반도체 탑재용 기판에 적층된, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판.
  32. 제 30 항에 기재된 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 및/또는 제 31 항에 기재된 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판을 구비하는, 반도체 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021181532A (ja) * 2020-05-19 2021-11-25 信越化学工業株式会社 ビスマレイミド樹脂組成物
JP2022158626A (ja) * 2021-04-02 2022-10-17 株式会社クラレ 重合体の製造方法、ラジカル重合用組成物及びラジカル重合制御剤

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005501725A (ja) 2001-09-04 2005-01-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フラックス組成物
JP2011052109A (ja) 2009-09-01 2011-03-17 Hitachi Chem Co Ltd フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP2015503220A (ja) 2011-11-02 2015-01-29 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電子部品用接着剤

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA467387A (en) 1950-08-15 Cushing Hurdis Everett Controlling polymerization of polyhydric alcohol esters of alpha-olefinic dicarboxylic acids with ethylenic monomers
US2255313A (en) * 1937-08-06 1941-09-09 Ellis Foster Co Ethylenic-alpha-beta synthetic resins and process of making same
US2647092A (en) * 1948-08-05 1953-07-28 Reichhold Chemicals Inc Styrene modified alkyds and process of producing the same
JP2700245B2 (ja) 1988-02-20 1998-01-19 ソマール株式会社 硬化性接着剤組成物
JPH0352913A (ja) 1989-07-19 1991-03-07 Somar Corp 硬化性接着剤組成物
SG82001A1 (en) * 1998-07-02 2001-07-24 Nat Starch Chem Invest Method of making an electronic component using reworkable underfill encapsulants
US20030221770A1 (en) * 2002-05-28 2003-12-04 3M Innovative Properties Company Segmented curable transfer tapes
WO2006099162A2 (en) 2005-03-14 2006-09-21 Georgia Tech Research Corporation Polymeric salen compounds and methods thereof
US20100036136A1 (en) * 2007-02-08 2010-02-11 Musa Osama M Maleimide Containing Ester and Sulfide Functionalities
WO2013035204A1 (ja) 2011-09-09 2013-03-14 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 電子装置用組成物
JP6333576B2 (ja) 2013-03-01 2018-05-30 京セラ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品
JP2015032639A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 日立化成株式会社 先塗布型熱硬化性アンダーフィル組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
WO2015151136A1 (ja) * 2014-04-04 2015-10-08 京セラケミカル株式会社 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置及び電気・電子部品
WO2015170682A1 (ja) * 2014-05-08 2015-11-12 積水化学工業株式会社 硬化性組成物、導電材料及び接続構造体
JP6310799B2 (ja) * 2014-07-22 2018-04-11 京セラ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、半導体装置、電気・電子部品及びプレート型銀微粒子の製造方法
EP3187555B1 (en) * 2014-08-29 2023-08-23 Furukawa Electric Co., Ltd. Maleimide film
JP7004497B2 (ja) 2016-11-24 2022-01-21 株式会社タイトー ゲームシステム
KR20210002451A (ko) * 2018-04-26 2021-01-08 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 적층체, 수지 조성물층이 형성된 반도체 웨이퍼, 수지 조성물층이 형성된 반도체 탑재용 기판, 및 반도체 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005501725A (ja) 2001-09-04 2005-01-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フラックス組成物
JP2011052109A (ja) 2009-09-01 2011-03-17 Hitachi Chem Co Ltd フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP2015503220A (ja) 2011-11-02 2015-01-29 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電子部品用接着剤

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