KR20200138116A - 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 기판과 피복 수지의 접합 강도를 향상시킨 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단] 기재의 상면에 배치되고, 제1 방향으로 배열되는 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선 및 제4 배선과, 제2 배선과 제3 배선을 연결하는 접속 배선을 구비하는 기판과, 기재의 상면, 제1 발광 소자의 측면 및 제2 발광 소자의 측면을 피복하는 피복 수지를 포함하고, 접속 배선은, 제2 배선과 연결되는 제1 접속단부와, 제3 배선과 연결되는 제2 접속단부와, 제1 접속단부와 제2 접속단부를 연결하고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서의 최대 폭이 제1 접속단부 및 제2 접속단부의 각각의 최대 폭과 다른 접속 중앙부를 갖고, 제2 방향에 있어서, 접속 배선의 적어도 일부의 폭은, 제2 배선 및 제3 배선의 각각의 최대 폭보다도 좁은 발광 장치.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은, 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
대형 회로 기판의 상면에 설치되어 있는 배선 전극에 LED 발광 칩이 실장되고, LED 발광 칩의 주위가 백색 부재로 충전되는 대형 LED 발광 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2013-012545호 공보
본 발명은, 대형 회로 기판(기판)과 백색 부재(피복 수지)의 접합 강도를 향상시킬 수 있는 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양과 관련되는 발광 장치는, 수지 재료를 포함하고 상면을 갖는 기재와, 상기 기재의 상면에 배치되고, 제1 방향으로 배열되는 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선 및 제4 배선과, 상기 제2 배선과 상기 제3 배선을 연결하는 접속 배선을 구비하는 기판과, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선 상에 재치되는 제1 발광 소자와, 상기 제3 배선 및 상기 제4 배선 상에 재치되는 제2 발광 소자와, 상기 기재의 상면, 상기 제1 발광 소자의 측면 및 상기 제2 발광 소자의 측면을 피복하는 피복 수지를 포함하고, 상기 접속 배선은, 상기 제2 배선과 연결되는 제1 접속단부와, 상기 제3 배선과 연결되는 제2 접속단부와, 상기 제1 접속단부와 상기 제2 접속단부를 연결하고, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서의 최대 폭이 상기 제1 접속단부 및 상기 제2 접속단부의 각각의 최대 폭과 다른 접속 중앙부를 갖고, 상기 제2 방향에 있어서, 상기 접속 배선의 적어도 일부의 폭은, 상기 제2 배선 및 상기 제3 배선의 각각의 최대 폭보다 좁고, 상면에서 볼 때, 상기 접속 중앙부의 적어도 일부가 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자로부터 이격된다.
또한, 본 발명의 일 태양과 관련되는 발광 장치의 제조 방법은, 수지 재료를 포함하고 상면을 갖는 기재와, 상기 기재의 상면에 배치되고, 제1 방향으로 배열되는 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선 및 제4 배선과, 상기 제2 배선과 상기 제3 배선을 연결하는 접속 배선으로서, 상기 제2 배선과 연결되는 제1 접속단부와, 상기 제3 배선과 연결되는 제2 접속단부와, 상기 제1 접속단부와 상기 제2 접속단부를 연결하고 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서의 최대 폭이 상기 제1 접속단부 및 상기 제2 접속단부의 각각의 최대 폭과 다른 접속 중앙부를 구비하고, 상기 제2 방향에 있어서의 상기 제2 배선 및 상기 제3 배선의 각각의 최대 폭보다 좁은 부분을 갖는 상기 접속 배선을 구비하는 기판을 준비하는 공정과, 상기 접속 배선을 기준으로 하여 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선 상에 제1 발광 소자를 재치하는 공정과, 상기 접속 배선을 기준으로 하여 상기 제3 배선 및 상기 제4 배선 상에 제2 발광 소자를 재치하는 공정과, 상기 기재의 상면, 상기 제1 발광 소자의 측면 및 상기 제2 발광 소자의 측면을 피복 수지로 피복하는 공정을 포함한다.
본 발명과 관련되는 실시형태의 발광 장치에 의하면, 기판과 피복 수지의 접합 강도를 향상시킨 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
[도 1a] 도 1a는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 개략 사시도이다.
[도 1b] 도 1b는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 개략 사시도이다.
[도 2a] 도 2a는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 개략 상면도이다.
[도 2b] 도 2b는, 도 2a의 I-I선에 있어서의 개략 단면도이다.
[도 2c] 도 2c는, 도 2a의 II-II선에 있어서의 개략 단면도이다.
[도 3a] 도 3a는, 실시형태와 관련되는 기판의 개략 상면도이다.
[도 3b] 도 3b는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 개략 상면도이다.
[도 3c] 도 3c는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 3d] 도 3d는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 3e] 도 3e는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 3f] 도 3f는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 3g] 도 3g는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 3h] 도 3h는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 3i] 도 3i는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 3j] 도 3j는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 3k] 도 3k는, 실시형태와 관련되는 제2 배선, 접속 배선 및 제3 배선의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 4] 도 4는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 개략 하면도이다.
[도 5a] 도 5a는, 실시형태와 관련되는 기판, 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자의 개략 상면도이다.
[도 5b] 도 5b는, 실시형태와 관련되는 기판, 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 6] 도 6은, 실시형태와 관련되는 기판, 제1 투광성 부재 및 제2 투광성 부재의 개략 상면도이다.
[도 7] 도 7은, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
[도 8] 도 8은, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 개략 측면도이다.
[도 9] 도 9는, 실시형태와 관련되는 기판의 개략 배면도이다.
[도 10a] 도 10a는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 상면도이다.
[도 10b] 도 10b는, 도 10a의 III-III선에 있어서의 개략 단면도이다.
[도 11a] 도 11a는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 상면도이다.
[도 11b] 도 11b는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.
[도 12a] 도 12a는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.
[도 12b] 도 12b는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.
[도 13] 도 13은, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.
[도 14] 도 14는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.
[도 15] 도 15는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 하면도이다.
[도 16a] 도 16a는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 16b] 도 16b는, 도 16a의 IV-IV선에 있어서의 개략 단면도이다.
[도 16c] 도 16c는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 16d] 도 16d는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 16e] 도 16e는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 16f] 도 16f는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 16g] 도 16g는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 16h] 도 16h는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 16i] 도 16i는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 상면도이다.
[도 16j] 도 16j는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
[도 16k] 도 16k는, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
[도 16l] 도 16l은, 실시형태와 관련되는 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
이하, 발명의 실시형태에 대해 적절히 도면을 참조해 설명한다. 단, 이하에 설명하는 발광 장치는, 본 발명의 기술 사상을 구체화하기 위한 것으로, 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명을 이하의 것으로 한정하지 않는다. 하나의 실시형태에서 설명하는 내용은, 다른 실시형태 및 변형예에도 적용 가능하다. 또한, 도면이 나타내는 부재의 크기나 위치 관계 등은, 설명을 명확하게 하기 위하여, 과장되어 있는 경우가 있다. 나아가, 동일한 명칭, 부호에 대해서는 동일 또는 동질의 부재를 나타내고, 상세한 설명을 적절히 생략한다.
본 발명의 실시형태와 관련되는 발광 장치(1000)를 도 1a 내지 도 9에 기초하여 설명한다. 발광 장치(1000)는, 기판(10)과, 제1 발광 소자(20A)와, 제2 발광 소자(20B)와, 피복 수지(40)를 구비한다. 기판(10)은, 수지 재료를 포함하고, 상면(111)을 갖는 기재(11)를 갖고 있다. 기판(10)은, 기재(11)의 상면(111)에 배치되는 제1 배선(12A)과, 제2 배선(12B)과, 제3 배선(12C)과, 제4 배선(12D)을 구비하고 있다. 제1 배선(12A)과, 제2 배선(12B)과, 제3 배선(12C)과, 제4 배선(12D)은, 제1 방향으로 배열되어 배치된다. 본 명세서에 있어서, 제1 방향으로 배열되어 배치된다는 것은, 제1 방향을 따른 직선 상에 제1 배선(12A)과, 제2 배선(12B)과, 제3 배선(12C)과, 제4 배선(12D)의 각각의 적어도 일부가 배치된다는 것이다. 기판(10)은, 제2 배선(12B)과 제3 배선(12C)을 연결하는 접속 배선(13)을 구비하고 있다. 접속 배선(13)은, 제2 배선(12B)과 연결되는 제1 접속단부(13A)와, 제3 배선(12C)과 연결되는 제2 접속단부(13C)와, 제1 접속단부(13A)와 제2 접속단부(13C)를 연결하고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서의 최대 폭이 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)의 각각의 최대 폭과 다른 접속 중앙부(13B)를 갖는다. 제2 방향에 있어서, 접속 배선(13)의 적어도 일부의 폭은, 제2 배선(12B) 및 제3 배선(12C)의 각각의 최대 폭보다 좁다. 상면에서 볼 때, 접속 중앙부(13B)의 적어도 일부는 제1 발광 소자(20A) 및 제2 발광 소자(20B)로부터 이격된다. 제1 발광 소자(20A) 및/또는 제2 발광 소자(20B)를 발광 소자라고 부르는 일이 있다.
제2 방향에 있어서, 접속 배선(13)의 적어도 일부의 폭이, 제2 배선(12B) 및 제3 배선(12C)의 각각의 최대 폭보다 좁음으로써, 접속 배선(13)으로부터 노출되는 기재(11)의 상면(111)의 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 의해, 기재(11)의 상면(111)과 피복 수지(40)가 접하는 면적이 증가하므로, 기판과 피복 수지의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 기재 및 피복 수지는 수지 재료를 포함하고 있기 때문에, 기재와 피복 수지의 접합 강도는, 접속 배선과 피복 수지의 접합 강도보다 높다.
상면에서 볼 때, 접속 중앙부의 적어도 일부는 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자로부터 이격됨으로써, 접속 중앙부를 기준으로 하여 제1 발광 소자 및/또는 제2 발광 소자를 기판에 재치할 수 있다. 이에 의해, 기판에 대해 제1 발광 소자 및/또는 제2 발광 소자의 위치 정확도를 향상시킬 수 있다. 또한, 접속 중앙부를 기준으로 한다는 것은, 접속 중앙부의 위치를 기준으로 하여 제1 발광 소자 및/또는 제2 발광 소자를 재치하는 위치를 결정한다는 것이다.
제2 방향에 있어서 접속 배선(13)의 접속 중앙부(13B)의 최대 폭이 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)의 각각의 최대 폭과 다르기 때문에, 접속 중앙부(13B)의 위치를 인식하기 쉬워진다. 이에 의해, 인식한 접속 중앙부의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
기판(10)은, 제1 방향으로 배열되는 제1 배선(12A), 제2 배선(12B), 제3 배선(12C) 및 제4 배선(12D)을 갖고 있다. 제1 배선(12A)과, 제2 배선(12B)은 이격되어 있고, 제1 배선(12A) 및 제2 배선(12B) 상에 제1 발광 소자(20A)가 재치된다. 제1 배선(12A) 및 제2 배선(12B)으로부터 제1 발광 소자(20A)에 전기가 공급된다. 제3 배선(12C)과, 제4 배선(12D)은 이격되어 있고, 제3 배선(12C) 및 제4 배선(12D) 상에 제2 발광 소자(20B)가 재치된다. 제3 배선(12C) 및 제4 배선(12D)으로부터 제2 발광 소자(20B)에 전기가 공급된다.
도 3a에 나타낸 것처럼, 기재가 긴 길이방향을 갖는 경우에는, 기재(11)의 긴 길이방향과 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선 및 제4 배선이 배열되는 제1 방향이 일치하도록 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 긴 길이방향(제1 방향)과 직교하는 제2 방향에 있어서의 기재의 폭을 짧게 할 수 있다. 이에 의해, 발광 장치를 소형화할 수 있다. 또한, 도 3a 등에 있어서 제1 방향은, X 방향과는 같은 방향이다. 또한, 도 3a 등에 있어서 제2 방향은, Y 방향과는 같은 방향이다.
도 3a에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선이 겹치는 영역을 갖지 않는 것이 바람직하다. 제2 방향에 있어서 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선이 겹치는 영역이란, 제2 방향(Y 방향)과 평행한 직선이 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선 중의 적어도 2개와 겹치는 것이다. 즉, 제2 방향과 평행한 직선이 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선 중의 적어도 2개와 겹치지 않는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제2 방향에 있어서 발광 장치를 소형화할 수 있다.
도 3a에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서 기재(11)의 외연으로부터 접속 배선(13)의 외연까지의 최단 거리 R1이, 기재(11)의 외연으로부터 제2 배선(12B)의 외연까지의 최단 거리 R2보다 긴 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 접속 배선의 근방에 있어서 기재의 상면과 피복 수지가 접하는 면적을 증가시키기 쉬워지기 때문에, 기판으로부터 피복 수지가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다. 제2 방향에 있어서 기재(11)의 외연으로부터 접속 배선(13)의 외연까지의 최단 거리 R1이, 기재(11)의 외연으로부터 제3 배선(12C)의 외연까지의 최단 거리 R3보다 긴 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 접속 배선의 근방에 있어서 기재의 상면과 피복 수지가 접하는 면적을 증가시키기 쉬워지므로, 기판으로부터 피복 수지가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
도 3a에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 기재의 외연과 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선이 이격되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기재의 외연 근방에 있어서, 기재의 상면과 피복 수지가 접하는 면적을 증가시키기 쉬워지므로, 기판으로부터 피복 수지가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
도 3c에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서, 접속 중앙부(13B)의 최대 폭이 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)의 각각의 최대 폭보다 좁아도 된다. 도 3d에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서, 제1 접속단부(13A)의 최대 폭이, 접속 중앙부(13B)의 최대 폭 및 제2 접속단부(13C)의 최대 폭보다 좁고, 또한, 제2 방향에 있어서, 접속 중앙부(13B)의 최대 폭이, 제2 접속단부(13C)의 최대 폭보다 좁아도 된다. 또한, 도 3b에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서의 접속 중앙부(13B)의 최대 폭 W2가 제1 접속단부(13A)의 최대 폭 W1 및 제2 접속단부(13C)의 최대 폭 W3보다 넓어도 된다. 제1 발광 소자 및/또는 제2 발광 소자와 기판(10)을 용융성의 도전성 접착 부재를 사용하여 접착하는 경우에는, 제2 방향에 있어서의 접속 중앙부(13B)의 최대 폭 W2가 제1 접속단부(13A)의 최대 폭 W1 및 제2 접속단부(13C)의 최대 폭 W3보다 넓은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제2 방향에 있어서의 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)의 폭을 좁게 할 수 있으므로, 용융성의 도전성 접착 부재가 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)를 젖음 확산하기 어렵게 된다. 이에 의해, 각 발광 장치에 있어서의 도전성 접착 부재의 두께의 편차를 억제할 수 있다. 또한, 도전성 접착 부재의 두께란, Z 방향에 있어서의 두께이다. 또한, 도 3b 내지 도 3k에 있어서 제1 접속단부(13A)와 접속 중앙부(13B)의 경계와, 접속 중앙부(13B)와 제3 접속단부(13C)의 경계를 점선으로 나타내고 있다.
도 3b에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서 제1 접속단부(13A)의 최대 폭 W1과 제2 접속단부(13C)의 최대 폭 W3가 같은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제1 접속단부 위를 젖음 확산하는 용융성의 도전성 접착 부재와, 제2 접속단부 위를 젖음 확산하는 용융성의 도전성 접착 부재의 두께의 편차를 억제할 수 있다. 이에 의해, 제1 발광 소자 및/또는 제2 발광 소자의 실장 위치의 편차를 억제할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 폭이 같다는 것은, ±5㎛ 이내의 변동은 허용되는 것으로 한다.
도 3b에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서 제1 접속단부(13A)의 최대 폭 W1이 제2 배선(12B)의 최대 폭 W4보다 좁은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 용융성의 도전성 접착 부재가 제2 배선(12B)으로부터 제1 접속단부(13A)로 젖음 확산하기 어려워진다. 이에 의해, 각 발광 장치에 있어서의 도전성 접착 부재의 두께의 편차를 억제할 수 있다. 제2 방향에 있어서의 제1 접속단부(13A)의 최대 폭 W1은, 제2 배선(12B)의 최대 폭 W4의 0.2배 이상 0.6배 이하인 것이 바람직하다. 제2 방향에 있어서의 제1 접속단부(13A)의 최대 폭 W1이 제2 배선(12B)의 최대 폭 W4의 0.6배 이하로 됨으로써, 용융성의 도전성 접착 부재가 더욱 제2 배선(12B)으로부터 제1 접속단부(13A)로 젖음 확산하기 어려워진다. 제2 방향에 있어서의 제1 접속단부(13A)의 최대 폭 W1이 제2 배선(12B)의 최대 폭 W4의 0.2배 이상이 됨으로써, 제1 접속단부의 형상을 인식하기 쉬워진다.
도 3b에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서 제2 접속단부(13C)의 최대 폭 W3가 제3 배선(12C)의 최대 폭 W5보다 좁은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 용융성의 도전성 접착 부재가 제3 배선(12C)으로부터 제2 접속단부(13C)로 젖음 확산하기 어려워진다. 이에 의해, 각 발광 장치에 있어서의 도전성 접착 부재의 두께의 편차를 억제할 수 있다. 제2 방향에 있어서의 제2 접속단부(13C)의 최대 폭 W3가 제3 배선(12C)의 최대 폭 W5의 0.2배 이상 0.6배 이하인 것이 바람직하다. 제2 방향에 있어서의 제2 접속단부(13C)의 최대 폭 W3가 제3 배선(12C)의 최대 폭 W5의 0.6배 이하가 됨으로써, 용융성의 도전성 접착 부재가 더욱 제3 배선(12C)으로부터 제2 접속단부(13C)로 젖음 확산하기 어려워진다. 제2 방향에 있어서의 제2 접속단부(13C)의 최대 폭 W3가 제3 배선(12C)의 최대 폭 W4의 0.2배 이상이 됨으로써, 제2 접속단부의 형상을 인식하기 쉬워진다.
도 3b에 나타낸 것처럼, 접속 중앙부(13B)가 제2 방향(Y 방향)으로만 연장되고 있는 것이 바람직하다. 접속 중앙부(13B)는 제2 방향으로만 연장됨으로써, 제1 방향에 있어서의 접속 중앙부(13B)의 폭을 좁게 할 수 있기 때문에 발광 장치를 소형화할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 제2 방향으로 연장된다는 것은, 제2 방향으로부터 ±3° 이내의 변동으로 연장되는 것은 허용되는 것으로 한다. 또한, 접속 중앙부(13B)가 제2 방향으로만 연장되고 있다는 것은, 도 3e에 도시한 접속 중앙부(13B)의 단부가 분기하고 있는 경우도 포함된다.
도 3f에 나타낸 것처럼, 제2 방향(Y 방향)에 있어서, 접속 중앙부(13B)가 기판의 중심으로부터 Y- 방향으로 연장되는 부분만을 갖고 있어도 되고, 도 3b에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서, 접속 중앙부(13B)가 기판의 중심으로부터 Y＋ 방향으로 연장되는 부분과, Y- 방향으로 연장되는 부분을 갖고 있어도 된다. Y＋ 방향으로 연장되는 부분과, Y- 방향으로 연장되는 부분을 가짐으로써, 접속 중앙부(13B)의 위치를 인식하기 쉬워진다.
제2 방향에 있어서의 접속 중앙부(13B)의 폭은 달라도 된다. 도 3g에 나타낸 것처럼, 접속 중앙부(13B)가, 제1 광폭부(13B1)와, 제2 협폭부(13B2)와, 제3 광폭부(13B3)를 구비하고 있어도 된다. 도 3b에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 있어서의 접속 중앙부(13B)의 폭이 다르지 않아도 된다.
도 3h, 도 3i에 나타낸 것처럼 접속 중앙부(13B)가 Y 방향에 있어서 복수로 분리되고 있어도 되고, 도 3b에 나타낸 것처럼 Y 방향에 있어서 접속 중앙부(13B)가 1개이어도 된다. 또한, 접속 중앙부(13B)가 복수로 분리되고 있는 경우에는, 제2 방향에 있어서의 접속 중앙부(13B)의 최대 폭은, 복수인 접속 중앙부(13B)의 각각의 폭 W2A, W2B를 합친 폭이다. 도 3b에 나타낸 것처럼 접속 중앙부(13B)가 1개인 것이 바람직하다. 접속 중앙부(13B)가 1개임으로써, 접속 중앙부(13B)가 복수인 경우보다 기재의 외연으로부터 접속 중앙부(13B)까지의 거리를 길게 하기 쉬워진다. 이에 의해, 기재의 외연 근방에 있어서, 기재의 상면과 피복 수지가 접하는 면적을 증가시키기 쉬워지므로, 기판으로부터 피복 수지가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
도 3j에 나타낸 것처럼 제1 접속단부(13A) 및/또는 제2 접속단부(13C)가 Y 방향에서 복수로 분리되고 있어도 되고, 도 3b에 나타낸 것처럼 Y 방향에서 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)가 각각 1개이어도 된다. 또한, 제1 접속단부(13A)가 복수로 분리되고 있는 경우에는, 제2 방향에 있어서의 제1 접속단부(13A)의 최대 폭은, 복수인 제1 접속단부(13A)의 각각의 폭 W1A, W1B를 모두 더한 값이다. 마찬가지로, 제2 접속단부(13C)가 복수인 경우에는, 제2 방향에 있어서의 제2 접속단부(13C)의 최대 폭은, 복수의 제2 접속단부(13C)의 각각의 폭 W3A, W3B를 모두 더한 값이다. 도 3a에 나타낸 것처럼 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)가 각각 1개인 것이 바람직하다. 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)가 1개임으로써, 제1 접속단부(13A) 및/또는 제2 접속단부(13C)가 복수인 경우보다 기재의 외연으로부터 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)까지의 각각의 거리를 길게 하기 쉬워진다. 이에 의해, 기재의 외연 근방에 있어서, 기재의 상면과 피복 수지가 접하는 면적을 증가시키기 쉬워지므로, 기판으로부터 피복 수지가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
도 3k에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 평행한 기판의 중심선 C1에 대해, 접속 배선(13)이 좌우 대칭이 아니어도 되고, 도 3a에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 평행한 기판의 중심선 C1에 대해, 접속 배선(13)이 좌우 대칭이어도 된다. 도 3a에 나타낸 것처럼, 제2 방향에 평행한 기판의 중심선 C1에 대해, 접속 배선(13)이 좌우 대칭이 됨으로써, 기재의 외연으로부터 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)까지의 각각의 거리를 길게 하기 쉬워진다. 이에 의해, 기재의 외연 근방에 있어서, 기재의 상면과 피복 수지가 접하는 면적을 증가시키기 쉬워지므로, 기판으로부터 피복 수지가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 도 3a에 나타낸 것처럼, 제1 방향에 평행한 기판의 중심선 C2에 대해, 접속 배선(13)이 상하 대칭인 것으로 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 기재의 외연으로부터 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)까지의 각각의 거리를 길게 하기 쉬워진다. 이에 의해, 기재의 외연 근방에 있어서, 기재의 상면과 피복 수지가 접하는 면적을 증가시키기 쉬워지므로, 기판으로부터 피복 수지가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
상면에서 볼 때, 발광 소자의 소자 전극과 겹치는 위치에 제1 배선과, 제2 배선과, 제3 배선과, 제4 배선이 볼록부(121)를 구비하고 있는 것이 바람직하다. 도전성 접착 부재(60)로서 용융성의 접착제를 사용한 경우에, 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선 및 제4 배선의 볼록부(121)와 발광 소자의 소자 전극을 접속할 때에, 셀프 얼라인먼트 효과에 의해 발광 소자와 기판의 위치 맞춤을 용이하게 행할 수 있다.
기재(11)는, 상면(111, 제1 주면)과 반대측에 위치하는 하면(112, 제2 주면)과, 상면과 인접하고 상면과 직교하는 정면(113)과, 정면의 반대측에 위치하는 배면(114)을 갖는다. 도 2c에 나타낸 것처럼, 기재(11)는, 하면(112)과 배면(114)으로 개구하는 오목부(16)를 갖고 있어도 된다. 기판(10)은, 제5 배선(14)과, 제6 배선(17)과, 비어(15)를 구비하고 있어도 된다. 제5 배선(14)은, 기재의 하면(112)에 위치하고, 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및/또는 접속 배선과 전기적으로 접속된다. 또한, 제1 배선과 접속되는 제5 배선과, 제2 배선과 접속되는 제5 배선은 분리된다. 또한, 제3 배선과 접속되는 제5 배선과, 제4 배선과 접속되는 제5 배선은 분리된다. 이와 같이 함으로써, 제1 발광 소자가 단락하지 않게 된다. 마찬가지로, 제3 배선과 접속되는 제5 배선과, 제4 배선과 접속되는 제5 배선은 분리된다. 제6 배선(17)은, 기재의 오목부(16)의 내벽을 피복한다. 비어(15)는, 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및/또는 접속 배선과, 제5 배선(14)을 전기적으로 접속한다. 또한, 제6 배선 및 비어는, 제1 배선과 제2 배선이 전기적으로 접속되지 않도록 배치된다. 마찬가지로, 제6 배선 및 비어는, 제3 배선과 제4 배선이 전기적으로 접속되지 않도록 배치된다. 또한, 도 2b에 도시한 제2 배선과 접속되는 비어와, 제3 배선과 접속되는 비어의 어느 쪽이 단선된 경우에도, 제2 배선과 제3 배선이 접속 배선에 의해 전기적으로 접속되어 있으므로 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자에 전기를 공급할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 직교란, 90 ± 3°이내의 변동은 허용되는 것으로 한다.
기판(10)이 비어(15)를 구비하는 경우에는, 도 4에 나타낸 것처럼, 비어(15)는, 하면에서 볼 때 원 형상인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 드릴 등에 의해 용이하게 형성할 수 있다. 비어(15)가, 하면에서 볼 때 원 형상인 경우에는, 비어의 직경은 100㎛ 이상 150㎛ 이하인 것이 바람직하다. 비어의 직경이 100㎛ 이상이 됨으로써 발광 장치의 방열성이 향상되고, 비어의 직경이 150㎛ 이하가 됨으로써 기판의 강도 저하가 저감된다. 본 명세서에 있어서, 원 형상은 진원뿐만 아니라, 이에 가까운 형태(예를 들면, 타원 형상이나 사각형의 네 코너가 크게 원호 형상으로 모떼기된 것과 같은 형상이어도 된다)를 포함하는 것이다.
비어(15)는, 기재의 관통공 내에 도전성 재료가 충전되는 것으로 구성되어도 되고, 도 2b에 나타낸 것처럼, 기재의 관통공의 표면을 피복하는 제7 배선(15A)과, 제7 배선에 둘러싸인 영역에 충전된 충전 부재(15B)를 구비하고 있어도 된다. 충전 부재(15B)는, 도전성이어도 되고, 절연성이어도 된다. 충전 부재(15B)에는, 수지 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 일반적으로 경화 전의 수지 재료는, 경화 전의 금속 재료보다 유동성이 높기 때문에 제7 배선(15A) 내에 충전하기 쉽다. 이 때문에, 충전 부재에 수지 재료를 사용함으로써 기판의 제조가 용이하게 된다. 충전하기 쉬운 수지 재료로는, 예를 들면 에폭시 수지를 들 수 있다. 충전 부재로서 수지 재료를 이용하는 경우는, 선팽창 계수를 낮추기 위해 첨가 부재를 함유하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제7 배선과의 선팽창 계수의 차가 작아지므로, 발광 소자로부터의 열에 의해 제7 배선과 충전 부재의 사이에 간극이 생기는 것을 억제할 수 있다. 첨가 부재로서는, 예를 들면 산화 규소를 들 수 있다. 또한, 충전 부재(15B)에 금속 재료를 사용한 경우에는, 방열성을 향상시킬 수 있다. 또한, 비어(15)가 기재의 관통공 내에 도전성 재료가 충전되어 구성되는 경우에는, 열전도성이 높은 Ag, Cu 등의 금속 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
하면에서 볼 때, 제5 배선(14)은 기재의 외연으로부터 떨어져 있어도 되고, 제5 배선(14)이 기재의 외연까지 도달하도록 형성되어도 된다. 도 4에 나타낸 것처럼, 제5 배선(14)이 짧은 길이방향(Y 방향)에 대향하는 양쪽의 기재의 외연까지 도달하도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 제5 배선(14)이 짧은 길이방향(Y 방향)에 대향하는 양쪽의 기재의 외연까지 도달하도록 형성되어 있음으로써, 기판이 개편화(個片化)되기 전의 집합 기판의 상태에서 짧은 길이방향에 이웃하는 기판의 한쪽의 제5 배선과 짧은 길이방향에 이웃하는 기판의 다른쪽의 제5 배선을 연결할 수 있다. 이에 의해, 짧은 길이방향에 이웃하는 기판의 한쪽의 제5 배선과 짧은 길이방향에 이웃하는 기판의 다른쪽의 제5 배선이 전기적으로 연결되므로, 짧은 길이방향에 이웃하는 기판의 한쪽의 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선과 짧은 길이방향에 이웃하는 기판의 다른쪽의 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선을 전기적으로 연결할 수 있다. 이에 의해, 기판의 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선의 최표면에 전해 도금법에 의해 도금을 형성하기 쉬워진다. 기판의 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선, 접속 배선 및 제5 배선의 최표면에는 금도금이 위치하고 있는 것이 바람직하다. 도금의 최표면에는 금도금이 위치함으로써, 배선의 표면에 있어서의 산화, 부식을 억제하고, 양호한 납땜성을 얻을 수 있다. 전해 도금법은, 무전해 도금법보다 납, 아민, 유황 등의 촉매독의 함유를 줄일 수 있다. 백금계 촉매를 이용한 부가 반응형 실리콘 수지가 금도금과 접하여 경화하는 경우에, 전해 도금법에 의해 형성한 금도금은 유황의 함유가 적기 때문에, 유황과 백금이 반응하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 백금계 촉매를 이용한 부가 반응형 실리콘 수지가 경화 불량을 일으키는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제5 배선은 대향하는 양쪽의 기재의 외연까지 도달하도록 형성되어 있으면 된다. 예를 들면, 긴 길이방향(X 방향)에 대향하는 양쪽의 기재의 외연까지 도달하도록 형성되어 있어도 된다. 이 경우에는, 기판이 개편화되기 전의 집합 기판의 상태에서 긴 길이방향에 이웃하는 기판의 한쪽의 제5 배선과 긴 길이방향에 이웃하는 기판의 다른쪽의 제5 배선을 연결할 수 있다.
기재(11)가, 기재의 하면과 기재의 배면으로 개구하는 오목부(16)를 구비하는 경우에는, 오목부의 수는 1개이어도 되고, 복수이어도 된다. 오목부가 복수임으로써, 발광 장치(1000)와 실장 기판의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 발광 장치(1000)가, 기재(11)의 하면(112)과 실장 기판을 대향시켜 실장하는 상면 발광형(톱 뷰 타입)이더라도, 기재(11)의 배면(114)과 실장 기판을 대향시켜 실장하는 측면 발광형(사이드 뷰 타입)이더라도, 접합 부재의 체적이 증가함으로써, 실장 기판과의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 발광 장치(1000)와 실장 기판의 접합 강도는, 특히 측면 발광형의 경우에 향상시킬 수 있다.
오목부(16)는, 기재를 관통하고 있어도 되고, 도 2c에 나타낸 것처럼, 기재(11)를 관통하고 있지 않아도 된다. 오목부(16)가 기재를 관통하고 있지 않음으로써, 기재를 관통하는 오목부를 구비하는 경우보다 기재의 강도를 향상시킬 수 있다. 오목부(16)가 기재를 관통하고 있지 않는 경우에는, Z 방향에 있어서의 복수의 오목부의 각각의 깊이의 최대는, 기재의 두께 D3의 0.4배 ~ 0.8배인 것이 바람직하다. 오목부의 깊이가 기재의 두께의 0.4배보다 깊음으로써, 오목부 내에 형성되는 접합 부재의 체적이 증가될 수 있기 때문에 발광 장치와 지지 기판의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 오목부의 깊이가 기재의 두께의 0.8배보다 얕음으로써, 기재의 강도를 향상시킬 수 있다.
도 2c에 나타낸 것처럼, Z 방향에 있어서의 오목부(16)의 깊이는, 정면(113) 측의 오목부의 깊이 D2보다 배면(114) 측의 오목부의 깊이 D1이 깊은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, Z 방향에 있어서, 오목부의 정면(113) 측에 위치하는 기재(11)의 두께 D5를 오목부의 배면 측에 위치하는 기재의 두께 D6보다 두껍게 할 수 있다. 이에 의해, 기재의 강도 저하를 억제할 수 있다. 또한, Z 방향에 있어서의 오목부(16)의 깊이가 정면(113) 측보다 배면(114) 측에서 깊음으로써, 기재(11)의 배면(114)에 있어서의 오목부(16)의 개구부의 면적을 크게 할 수 있다. 기재(11)의 배면(114)과 지지 기판의 상면이 대향하여, 발광 장치와 지지 기판과 접합되는 경우에, 지지 기판과 대향하는 기재의 배면에 있어서의 오목부의 개구부의 면적이 커짐으로써, 기재(11)의 배면(114) 측에 위치하는 접합 부재의 면적을 크게 할 수 있다. 이에 의해, 발광 장치와 지지 기판의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
제1 발광 소자(20A) 및 제2 발광 소자(20B)의 구성의 일례로서, 제1 발광 소자(20A)를 설명한다. 제1 발광 소자(20A)는, 제1 소자 광 취출면(201A)과, 제1 소자 광 취출면의 반대측에 있는 제1 소자 전극 형성면(203A)과, 제1 소자 광 취출면(201A)과 제1 소자 전극 형성면(203A)의 사이에 있는 제1 소자 측면(202A)을 갖고 있다. 제1 소자 광 취출면(201A)은, 제1 발광 소자(20A)의 상면이다. 제1 소자 측면(202A)은, 제1 발광 소자(20A)의 측면이다. 제1 소자 전극 형성면(203A)은, 제1 발광 소자(20A)의 하면이고, 한 쌍의 제1 소자 전극(21A, 22A)이 설치되어 있다. 제1 소자 측면(202A)은, 제1 소자 광 취출면(201A)에 대해 수직이어도 되고, 안쪽 또는 바깥쪽으로 경사져 있어도 된다. 한 쌍의 제1 소자 전극(21A, 22A) 중 일방의 제1 소자 전극(21A)이 도전성 접착재를 거쳐 제1 배선(12A)과 전기적으로 접속되고, 타방의 제1 소자 전극(22A)이 도전성 접착재를 거쳐 제2 배선(12B)과 전기적으로 접속된다.
제1 발광 소자(20A)는, 제1 소자 기판(24A)과, 제1 소자 기판(24A)에 접하여 형성되는 제1 소자 반도체 적층체(23A)와, 제1 소자 반도체 적층체(23A)에 접하여 형성되는 한 쌍의 제1 소자 전극(21A, 22A)을 구비하고 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 제1 발광 소자(20A)가 제1 소자 기판(24A)을 구비하는 구성을 일례로 들어 설명하지만, 제1 소자 기판(24A)은 제거되어 있어도 된다. 제1 발광 소자(20A)가 제1 소자 기판(24A)을 구비하는 경우에는, 제1 소자 광 취출면(201A)은, 제1 소자 전극 형성면(203A)과 반대측에 위치하는 제1 소자 기판(24A)의 상면을 가리킨다. 제1 발광 소자(20A)가 제1 소자 기판(24A)을 구비하지 않은 경우에는, 제1 소자 광 취출면(201A)은, 한 쌍의 제1 소자 전극(21A, 22A)이 설치되어 있는 제1 소자 전극 형성면(203A)과 반대측에 위치하는 제1 소자 반도체 적층체(23A)의 상면을 가리킨다.
제1 발광 소자(20A)와 제2 발광 소자(20B)는 제1 방향으로 배열되어 배치되는 것이 바람직하다. 환언하면, 제1 방향을 따른 직선 상에 제1 발광 소자(20A)와 제2 발광 소자(20B)의 각각의 적어도 일부가 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제2 방향에 있어서 발광 장치(100)를 소형화할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 발광 장치(1000)가, 제1 발광 소자(20A), 제2 발광 소자(20B)의 2개의 발광 소자를 구비하는 구성을 일례로 들어 설명하고 있으나, 발광 장치가 발광 소자를 3개 이상 구비하고 있어도 된다.
제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 발광 피크 파장은 같아도 되고, 달라도 된다. 예를 들면, 제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 발광 피크 파장이 같은 경우는, 제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 발광 피크 파장이 430㎚ 이상 490㎚ 미만의 범위(청색 영역의 파장 범위)이어도 된다. 또한, 제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 발광 피크 파장이 다른 경우는, 발광 피크 파장이 430㎚ 이상 490㎚ 미만의 범위(청색 영역의 파장 범위)에 있는 제1 발광 소자와, 발광 피크 파장이 490㎚ 이상 570㎚ 이하의 범위(녹색 영역의 파장 범위)에 있는 제2 발광 소자이어도 된다. 이와 같이 함으로써 발광 장치의 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 일방의 발광 소자(제1 발광 소자)의 발광 피크 파장에서부터 타방의 발광 소자(제2 발광 소자)의 발광 피크 파장의 차이가 ±10㎚ 이내이면, 일방의 발광 소자의 발광 피크 파장과 타방의 발광 소자의 발광 피크 파장은 같은 것으로 한다.
제2 방향에 있어서의 제1 발광 소자의 최대 폭은 제1 배선 및 제2 배선의 각각의 최대 폭보다 좁아도 되고, 도 5a에 나타낸 것처럼 제2 방향에 있어서의 제1 발광 소자의 최대 폭은 제1 배선 및 제2 배선의 각각의 최대 폭과 같아도 되고, 도 5b에 나타낸 것처럼 제2 방향에 있어서의 제1 발광 소자의 최대 폭 W6는 제1 배선 및 제2 배선의 각각의 최대 폭 W4보다 넓어도 된다. 제1 발광 소자에 의해 제1 배선 및/또는 제2 배선이 보이지 않는 경우이더라도, 접속 배선을 기준으로 하여 제1 발광 소자를 재치할 수 있으므로 기판에 대해 제1 발광 소자의 위치 정확도를 향상시킬 수 있다.
제2 방향에 있어서의 제2 발광 소자의 최대 폭은 제3 배선 및 제4 배선의 각각의 최대 폭보다 좁아도 되고, 도 5a에 나타낸 것처럼 제2 방향에 있어서의 제2 발광 소자의 최대 폭은 제3 배선 및 제4 배선의 각각의 최대 폭과 같아도 되고, 도 5b에 나타낸 것처럼 제2 방향에 있어서의 제2 발광 소자의 최대 폭 W7은 제3 배선 및 제4 배선의 각각의 최대 폭 W5보다 넓어도 된다. 제2 발광 소자에 의해 제3 배선 및/또는 제4 배선이 보이지 않는 경우이어도, 접속 배선을 기준으로 하여 제2 발광 소자를 재치할 수 있으므로 기판에 대해 제2 발광 소자의 위치 정확도를 향상시킬 수 있다.
도 2b에 나타낸 것처럼, 피복 수지(40)는, 기재(11)의 상면(111), 제1 발광 소자(20A)의 제1 소자 측면(202A) 및 제2 발광 소자(20B)의 제2 소자 측면(202B)을 피복한다. 또한, 피복 수지(40)는, 기재(11)의 상면(111) 및 접속 배선(13)과 접하고 있다. 피복 수지(40)를 구비함으로써 기재(11), 제1 발광 소자(20A) 및 제2 발광 소자(20B)를 외력으로부터 보호할 수 있다. 피복 수지(40)는, 수지 재료를 포함하는 모재 중에 백색 안료를 함유시켜도 된다.
피복 수지(40)의 모재로는, 예를 들면, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지 등을 이용할 수 있다. 특히, 피복 수지재의 모재로서, 에폭시 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지를 이용함으로써 실리콘 수지를 이용한 경우보다 발광 장치의 강도를 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. 또한, 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성에 뛰어나므로 피복 수지의 모재로서 이용하는 것이 바람직하다.
피복 수지(40)의 백색 안료로는, 예를 들면, 산화 티탄, 산화 아연, 산화 마그네슘, 탄산 마그네슘, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 수산화 칼슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 티탄산 바륨, 황산 바륨, 수산화 알루미늄, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 규소 등 가운데 1종을 단독으로, 또는 이들 가운데 2종 이상을 조합해 이용할 수 있다. 백색 안료의 형상은, 적절히 선택할 수 있고, 부정형 또는 파쇄 형상이어도 되나, 유동성의 관점에서는 구 형상인 것이 바람직하다. 또한, 백색 안료의 입경은, 예를 들면, 0.1㎛ 이상 0.5㎛ 이하 정도인 것이 바람직하나, 광반사성이나 피복성의 효과를 높이기 위해서는, 백색 안료의 입경은 작을수록 바람직하다. 백색 안료의 함유량은, 적절히 선택할 수 있지만, 광반사성 및 액상시에 있어서의 점도 등의 관점으로부터, 예를 들면 10wt% 이상 80wt% 이하가 바람직하고, 20wt% 이상 70wt% 이하가 보다 바람직하고, 30wt% 이상 60wt% 이하가 더욱 바람직하다. 또한, “wt%”는, 중량퍼센트로, 제1 반사 부재(30)의 전체 중량에 대한 해당 재료의 중량의 비율을 나타낸다.
피복 수지가 백색 안료 등을 포함하는 반사성을 갖는 경우에는, 피복 수지가 제1 발광 소자의 측면 및 제2 발광 소자의 측면을 피복함으로써 발광 영역과 비발광 영역의 콘트라스트가 높아지고, “가시성”이 양호한 발광 장치로 할 수 있다.
도 2b에 나타낸 것처럼, 발광 장치(1000)는, 제1 발광 소자(20A)의 상면을 피복하는 제1 투광성 부재(30A)를 구비하고 있어도 된다. 제1 발광 소자의 상면을 제1 투광성 부재(30A)로 피복함으로써, 제1 발광 소자를 외력으로부터 보호할 수 있다. 또한, 발광 장치(1000)는, 제2 발광 소자(20B)의 상면을 피복하는 제2 투광성 부재(30B)를 구비하고 있어도 된다. 제2 발광 소자의 상면을 제2 투광성 부재(30B)로 피복함으로써, 제2 발광 소자를 외력으로부터 보호할 수 있다. 피복 수지가 반사성을 갖는 경우에는, 피복 수지가 제1 투광성 부재(30A) 및/또는 제2 투광성 부재(30B)의 측면을 피복하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 발광 영역과 비발광 영역의 콘트라스트가 높아지고, “가시성”이 양호한 발광 장치로 할 수 있다. 제1 투광성 부재(30A) 및/또는 제2 투광성 부재(30B)를 투광성 부재라고 부르는 경우가 있다.
제1 투광성 부재(30A) 및 제2 투광성 부재(30B)의 구성의 일례로서, 제1 투광성 부재(30A)를 설명한다. 제1 투광성 부재(30A)는, 제1 발광 소자의 상면에 접하여 배치되어 있어도 되고, 도 2b에 나타낸 것처럼, 도광 부재(50)를 거쳐 제1 발광 소자(20A)의 상면을 피복하고 있어도 된다. 도광 부재(50)는 제1 발광 소자(20A)의 상면과 제1 투광성 부재(30A)의 사이에만 위치하여 제1 발광 소자와 제1 투광성 부재를 고정하여도 되고, 제1 발광 소자의 제1 소자 광 취출면(201A)으로부터 제1 발광 소자의 제1 소자 측면(202A)까지 피복하여 제1 발광 소자와 제1 투광성 부재를 고정해도 된다. 도광 부재(50)가 피복 수지(40)보다 제1 발광 소자로부터의 광의 투과율이 높은 경우에는, 도광 부재가 제1 발광 소자의 제1 소자 측면(202A)까지 피복함으로써, 제1 발광 소자의 제1 소자 측면으로부터 출사되는 광이 도광 부재를 통해 발광 장치의 외측으로 취출되기 쉬워지므로 광 취출 효율을 높일 수 있다. 도광 부재가 제1 발광 소자의 제1 소자 측면(202A)까지 피복하는 경우에는, 피복 수지(40)는, 도광 부재(50)를 거쳐 제1 발광 소자(20A)의 제1 소자 측면(202A)을 피복해도 된다.
제1 투광성 부재(30A)는, 파장 변환 입자를 함유하고 있어도 된다. 이와 같이 함으로써, 발광 장치의 색 조정이 용이하게 된다. 파장 변환 입자는, 발광 소자가 발하는 일차광의 적어도 일부를 흡수하여, 일차광과는 다른 파장의 이차광을 발하는 부재이다. 제1 투광성 부재에 파장 변환 입자를 함유시킴으로써, 제1 발광 소자가 발하는 일차광과, 파장 변환 입자가 발하는 이차광이 혼색된 혼색광을 출력할 수 있다. 예를 들면, 제1 발광 소자에 청색 LED를, 파장 변환 입자에 YAG등의 형광체를 이용하면, 청색 LED의 청색광과, 이 청색광으로 여기되어 형광체가 발하는 황색광을 혼합시켜 얻어지는 백색광을 출력하는 발광 장치를 구성할 수 있다. 또한, 발광 소자에 청색 LED를, 파장 변환 입자에 녹색 형광체인 β-사이알론계 형광체와, 적색 형광체인 망간 활성 불화물계 형광체를 이용하여 백색광을 출력하는 발광 장치를 구성해도 된다.
파장 변환 입자는 제1 투광성 부재 내에 균일하게 분산시켜도 되고, 제1 투광성 부재의 상면보다 제1 발광 소자의 근방에 파장 변환 입자를 편재시켜도 된다. 제1 투광성 부재의 상면보다 제1 발광 소자의 근방에 파장 변환 입자를 편재시킴으로써, 수분에 약한 파장 변환 입자를 사용하더라도 제1 투광성 부재의 모재가 보호층의 기능을 하기 때문에 파장 변환 입자의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 도 2b에 나타낸 것처럼, 제1 투광성 부재(30A)가 파장 변환 입자를 함유하는 층(31A, 32A)과, 파장 변환 입자를 실질적으로 함유하지 않는 층(33A)을 구비하고 있어도 된다. Z 방향에 있어서, 파장 변환 입자를 실질적으로 함유하지 않는 층(33A)은, 파장 변환 입자를 함유하는 층(31A, 32A)보다 위쪽에 위치한다. 이와 같이 함으로써, 파장 변환 입자를 실질적으로 함유하지 않는 층(33A)이 보호층의 기능을 하므로 파장 변환 입자의 열화를 억제할 수 있다. 수분에 약한 파장 변환 입자로는, 예를 들면 망간 활성 불화물 형광체를 들 수 있다. 망간 활성 불화물계 형광체는, 스펙트럼 선폭이 비교적 좁은 발광을 얻을 수 있어 색재현성의 관점에서 바람직한 부재이다. "파장 변환 입자를 실질적으로 함유하지 않는다"란, 불가피하게 혼입되는 파장 변환 입자를 배제하지 않는 것을 의미하고, 파장 변환 입자의 함유율이 0.05중량% 이하인 것이 바람직하다.
제1 투광성 부재(30A)의 파장 변환 입자를 함유하는 층은 단층이어도 되고, 복수의 층이어도 된다. 예를 들면, 도 2b에 나타낸 것처럼 제1 투광성 부재(30A)가, 제1 파장 변환층(31A)과, 제1 파장 변환층(31A)을 피복하는 제2 파장 변환층(32A)을 구비하고 있어도 된다. 제2 파장 변환층(32A)은, 제1 파장 변환층(31A)을 직접 피복해도 되고, 투광성이 다른 층을 거쳐서 제1 파장 변환층(31A)을 피복해도 된다. 또한, 제1 파장 변환층(31A)은, 제2 파장 변환층(32A)보다 제1 발광 소자(20A)의 제1 소자 광 취출면(201A)으로부터 가까운 위치에 배치된다. 제1 파장 변환층(31A)에 함유되는 파장 변환 입자의 발광 피크 파장은, 제2 파장 변환층(32A)에 함유되는 파장 변환 입자의 발광 피크 파장보다 짧은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제1 발광 소자에 여기된 제1 파장 변환층(31A)으로부터의 광에 의해, 제2 파장 변환층(32A)의 파장 변환 입자를 여기시킬 수 있다. 이에 의해, 제2 파장 변환층(32A)의 파장 변환 입자로부터의 광을 증가시킬 수 있다.
제1 파장 변환층(31A)에 함유되는 파장 변환 입자의 발광 피크 파장은, 500㎚ 이상 570㎚ 이하이고, 제2 파장 변환층(32A)에 함유되는 파장 변환 입자의 발광 피크 파장은, 610㎚ 이상 750㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 색재현성이 높은 발광 장치로 할 수 있다. 예를 들면, 제1 파장 변환층(31A)에 함유되는 파장 변환 입자로서 β-사이알론계 형광체를 들 수 있고, 제2 파장 변환층(32A)에 함유되는 파장 변환 입자로서 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체를 들 수 있다. 제2 파장 변환층(32A)에 함유되는 파장 변환 입자로서 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체를 이용하는 경우에는, 특히, 제1 투광성 부재(30A)가, 제1 파장 변환층(31A)과 제2 파장 변환층(32A)을 구비하는 것이 바람직하다. 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체는 휘도 포화를 일으키기 쉽지만, 제2 파장 변환층(32A)과 제1 발광 소자(20A)의 사이에 제1 파장 변환층(31A)이 위치함으로써 발광 소자로부터의 광이 과도하게 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체로 조사되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체의 열화를 억제할 수 있다.
제1 투광성 부재는, 제1 발광 소자가 발하는 일차광의 적어도 일부를 흡수하여 금지 천이에 의해 이차광을 발하는 제1 파장 변환 입자와, 발광 소자가 발하는 일차광의 적어도 일부를 흡수하여 허용 천이에 의해 이차광을 발하는 제2 파장 변환 입자를 구비하고 있어도 된다. 일반적으로, 금지 천이에 의해 이차광을 발하는 제1 파장 변환 입자는, 허용 천이에 의해 이차광을 발하는 제2 파장 변환 입자보다 잔광 시간이 길다. 이 때문에, 제1 투광성 부재가 제1 파장 변환 입자와 제2 파장 변환 입자를 구비함으로써, 제1 투광성 부재가 제1 파장 변환 입자만을 구비하고 있는 경우보다 잔광 시간을 짧게 할 수 있다. 예를 들면, 제1 파장 변환 입자로는, 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체(예를 들면 K2SiF6:Mn)를 들 수 있고, 제2 파장 변환 입자로는, CASN계 형광체를 들 수 있다. 제1 투광성 부재가 CASN계 형광체와 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체를 함유함으로써, 제1 투광성 부재가 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체만을 함유하는 경우보다 잔광 시간을 짧게 할 수 있다. 또한, 일반적으로 망간 활성 불화 규산 칼륨은, CASN계 형광체보다 반치폭이 좁은 발광 피크를 갖기 때문에, 색순도가 높아지고 색재현성이 양호해진다. 이 때문에, 제1 투광성 부재가 CASN계 형광체와 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체를 함유함으로써, 제1 투광성 부재가 CASN계 형광체만을 함유하는 경우보다 색재현성이 양호해진다.
예를 들면, 제1 투광성 부재에 포함되는 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체의 중량은, CASN계 형광체의 형광체의 중량의 0.5배 이상 6배 이하가 바람직하고, 1배 이상 5배 이하가 보다 바람직하고, 2배 이상 4배 이하가 더욱 바람직하다. 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체의 중량이 증가함으로써 발광 장치의 색재현성이 양호해진다. CASN계 형광체의 형광체의 중량이 증가함으로써 잔광 시간을 짧게 할 수 있다.
망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체의 평균 입경은, 5㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, CASN계 형광체의 평균 입경은, 5㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체 및/또는 CASN계 형광체의 평균 입경이 30㎛ 이하가 됨으로써, 제1 발광 소자로부터의 광이 파장 변환 입자로 확산되기 쉬워지므로, 발광 장치의 배광색도 불균일을 억제할 수 있다. 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체 및/또는 CASN계 형광체의 평균 입경이 5㎛ 이상이 됨으로써, 제1 발광 소자로부터의 광을 취출하기 쉬워지므로 발광 장치의 광 취출 효율이 향상한다.
CASN계 형광체와 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체는, 제1 투광성 부재의 같은 파장 변환층에 함유되어 있어도 되고, 제1 투광성 부재가 복수의 파장 변환층을 구비하는 경우에는 다른 파장 변환층에 함유되어 있어도 된다. 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체와 CASN계 형광체가 다른 파장 변환층에 함유되어 있는 경우에는, 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체와 CASN계 형광체에서 광의 피크 파장이 짧은 파장 변환 입자가 발광 소자에 가깝게 위치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 광의 피크 파장이 짧은 파장 변환 입자로부터의 광에 의해, 광의 피크 파장이 긴 파장 변환 입자를 여기시킬 수 있다. 예를 들면, 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체의 광의 피크 파장이 631㎚ 부근이고 CASN계 형광체의 광의 피크 파장이 650㎚ 부근인 경우에는, 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체가 발광 소자에 가까운 것이 바람직하다.
제2 파장 변환 입자로는, 그 밖에도 SCASN계 형광체, SLAN 형광체(SrLiAl3N4:Eu) 등을 들 수 있다. 예를 들면, 투광성 부재는, SLAN 형광체와 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체를 함유하고 있어도 된다. 또한, 투광성 부재가 적색 형광체인 제1 파장 변환 입자 및 제2 파장 변환 입자와, 녹색 형광체인 β-사이알론계 형광체를 함유하고 있어도 된다. 이와 같이 함으로써, 발광 장치의 색재현성이 양호하게 된다.
제1 투광성 부재와 제2 투광성 부재에 포함되어 있는 파장 변환 입자는 같아도 되고 달라도 된다. 발광 피크 파장이 430㎚ 이상 490㎚ 미만의 범위(청색 영역의 파장 범위)에 있는 제1 발광 소자와, 발광 피크 파장이 490㎚ 이상 570㎚ 이하의 범위(녹색 영역의 파장 범위)에 있는 제2 발광 소자를 구비하는 경우에는, 제1 투광성 부재에 적색 형광체를 함유시키고, 제2 투광성 부재에는 파장 변환 입자를 실질적으로 함유시키지 않아도 된다. 이와 같이 함으로써, 발광 장치의 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 발광 소자로부터의 광은 파장 변환 입자에 차단되지 않기 때문에 발광 장치의 광 취출 효율이 향상된다. 제1 투광성 부재에 함유시키는 적색 형광체로는 망간 활성 불화물계 형광체 등을 들 수 있다.
제2 방향에 있어서의 제1 투광성 부재의 최대 폭은 제1 배선 및 제2 배선의 각각의 최대 폭보다 좁아도 되고, 제2 방향에 있어서의 제1 투광성 부재의 최대 폭은 제1 배선 및 제2 배선의 각각의 최대 폭과 같아도 되고, 도 6에 나타낸 것처럼 제2 방향에 있어서의 제1 투광성 부재(30A)의 최대 폭 W8은 제1 배선 및 제2 배선의 각각의 최대 폭 W4보다 넓어도 된다. 제1 투광성 부재에 의해 제1 배선 및/또는 제2 배선이 보이지 않는 경우에도, 접속 배선을 기준으로 하여 제1 투광성 부재를 제1 발광 소자의 배치에 재치할 수 있으므로, 기판에 대해 제1 투광성 부재의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제2 방향에 있어서의 제2 투광성 부재의 최대 폭은 제3 배선 및 제4 배선의 각각의 최대 폭보다 좁아도 되고, 제2 방향에 있어서의 제2 투광성 부재의 최대 폭은 제3 배선 및 제4 배선의 각각의 최대 폭과 같아도 되고, 도 6에 나타낸 것처럼 제2 방향에 있어서의 제2 투광성 부재(30B)의 최대 폭 W9은 제3 배선 및 제4 배선의 각각의 최대 폭 W5보다 넓어도 된다. 제2 투광성 부재에 의해 제2 배선 및/또는 제3 배선이 보이지 않는 경우에도, 접속 배선을 기준으로 하여 제2 투광성 부재를 제2 발광 소자의 상면에 배치할 수 있으므로, 기판에 대해 제2 투광성 부재의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 7에 나타내는 발광 장치(1000A)와 같이, 1개의 제1 투광성 부재(30A)가 제1 발광 소자(20A) 및 제2 발광 소자(20B)의 상면을 피복하고 있어도 된다. 이와 같이 함으로써, 제1 발광 소자로부터의 광과 제2 발광 소자로부터의 광이 제1 투광성 부재(30A)에 도광됨으로써, 제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 사이의 휘도 불균일을 억제할 수 있다.
발광 장치는, 제5 배선(14)의 일부를 피복하는 절연막(18)을 구비하여도 된다. 절연막(18)을 구비함으로써, 하면에 있어서의 절연성의 확보 및 단락 방지를 꾀할 수 있다. 또한, 기재로부터 제5 배선이 벗겨지는 것을 방지할 수 있다.
도 8에 나타낸 것처럼, 기재(11)의 정면(113)과 피복 수지(40)의 외측면(403)이 동일 면 상에 있는 것이 바람직하다. 또한, 기재(11)의 배면(114)과 피복 수지(40)의 외측면(404)이 동일 면 상에 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 발광 장치를 소형화할 수 있다.
도 9에 나타낸 것처럼, 기재(11)의 측면(105)과 피복 수지(40)의 외측면(405)이 동일 면 상에 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 발광 장치를 소형화할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 실시형태와 관련되는 발광 장치의 제조 방법을 도 10a로부터 도 15에 기초하여 설명한다.
발광 장치의 제조 방법은, 이하의 공정을 포함하도록 행해지고 있다.
(1) 수지 재료를 포함하고 상면을 갖는 기재와, 기재의 상면에 배치되고, 제1 방향으로 배열되는 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선 및 제4 배선과, 제2 배선과 제3 배선을 연결하는 접속 배선으로서, 제2 배선과 연결되는 제1 접속단부와, 제3 배선과 연결되는 제2 접속단부와, 제1 접속단부와 제2 접속단부를 연결하고 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서의 최대 폭이 제1 접속단부 및 제2 접속단부의 각각의 최대 폭과 다른 접속 중앙부를 구비하고, 제2 방향에서의 제2 배선 및 제3 배선의 각각의 최대 폭보다 좁은 부분을 갖는 접속 배선을 구비하는 기판을 준비하는 공정과,
(2) 접속 배선을 기준으로 하여, 제1 배선 및 제2 배선 상에 제1 발광 소자를 재치하는 공정과,
(3) 접속 배선을 기준으로 하여, 제3 배선 및 제4 배선 상에 제2 발광 소자를 재치하는 공정과,
(4) 기재의 상면, 제1 발광 소자의 측면 및 제2 발광 소자의 측면을 피복 수지로 피복하는 공정
을 포함한다.
이하, 각 공정에 대해 설명한다.
[기판을 준비하는 공정]
도 10a에 나타낸 것처럼 기판(10)을 준비한다. 기판(10)은 발광 장치마다 개편화된 상태이어도 되고, 도 10a에 나타낸 것처럼, 개편화 전의 집합 기판의 상태인 것이어도 된다. 또한, 본 명세서에서는 발광 장치마다 개편화된 기판도, 개편화 전의 집합 기판도, 어느 쪽도 기판이라고 부르는 경우가 있다. 기판(10)은, 수지 재료를 포함하고 상면(111)을 갖는 기재(11)를 구비하고 있다. 도 10b에 나타낸 것처럼, 기재(11)의 상면(111)에는, 제1 방향으로 배열되는 제1 배선(12A), 제2 배선(12B), 제3 배선(12C) 및 제4 배선(12D)이 배치되고 있다. 또한, 기재의 상면에는, 제2 배선(12B)과 제3 배선(12C)을 연결하는 접속 배선(13)이 배치된다. 접속 배선(13)은, 제2 배선(12B)과 연결되는 제1 접속단부(13A)와, 제3 배선(12C)과 연결되는 제2 접속단부(13C)와, 제1 접속단부(13A)와 제2 접속단부(13C)를 연결하고 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서의 최대 폭이 제1 접속단부(13A) 및 제2 접속단부(13C)의 각각의 최대 폭과 다른 접속 중앙부(13B)를 구비하고 있다.
접속 중앙부(13B)의 형상은, 상술한 여러 가지의 형상이어도 된다. 기재(11)는, 하면으로 개구하는 오목부를 갖고 있어도 된다. 또한, 후술하는 개편화 공정에 의해 기재의 배면을 형성하는 경우에는, 오목부는 하면으로만 개구하고 있어도 된다. 또한, 기판(10)은, 상술한 바와 같이 제5 배선(14)과 제6 배선과 비어(15)를 구비하고 있어도 된다.
기판의 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선의 최표면에는 전해 도금법에 의해 형성된 금도금이 위치하는 것이 바람직하다.
[제1 발광 소자를 재치하는 공정]
도 11a, 도 11b에 나타낸 것처럼, 접속 배선(13)을 기준으로 하여, 제1 배선(12A) 및 제2 배선(12B) 상에 제1 발광 소자(20A)를 재치한다. 접속 배선(13)을 기준으로 함으로써, 기판에 대한 제1 발광 소자의 위치 정밀도가 향상한다. 또한, 상면에서 볼 때, 제1 배선 및 제2 배선은 제1 발광 소자와 겹치고 있기 때문에, 제1 발광 소자를 재치할 때 제1 배선 및/또는 제2 배선을 기준으로 하기 어려운 경우라도, 접속 배선을 기준으로 함으로써, 기준 위치를 인식하기 쉬워진다.
[제2 발광 소자를 재치하는 공정]
도 11a, 도 11b에 나타낸 것처럼, 접속 배선(13)을 기준으로 하여, 제3 배선(12C) 및 제4 배선(12D) 상에 제2 발광 소자(20B)를 재치한다. 접속 배선(13)을 기준으로 함으로써, 기판에 대한 제2 발광 소자의 위치 정밀도가 향상한다. 또한, 상면에서 볼 때, 제3 배선 및 제4 배선은 제2 발광 소자와 겹치고 있기 때문에, 제2 발광 소자를 재치할 때에 제3 배선 및/또는 제4 배선을 기준으로 하기 어려운 경우이더라도, 접속 배선을 기준으로 함으로써, 기준 위치를 인식하기 용이해진다. 또한, 제1 발광 소자를 재치하는 공정과 제2 발광 소자를 재치하는 공정은 어느 쪽을 먼저 행해도 된다.
[제1 투광성 부재를 형성하는 공정]
도 12a에 나타낸 것처럼, 제1 발광 소자(20A)의 상면을 피복하는 제1 투광성 부재(30A)를 형성해도 된다. 제1 투광성 부재(30A)는, 도광 부재(50)를 거쳐 제1 발광 소자(20A)의 상면을 피복해도 된다. 제1 투광성 부재를 형성하는 공정은, 제1 발광 소자를 재치하는 공정의 후에, 후술하는 피복 수지를 형성하는 공정의 전에 행해진다.
도 12b에 나타낸 것처럼, 제1 발광 소자(20A) 및 제2 발광 소자(20B)의 상면을 피복하는 제1 투광성 부재를 형성해도 된다. 이 경우에는, 제1 투광성 부재를 형성하는 공정은, 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 재치하는 공정의 후에, 후술하는 제1 피복 수지를 형성하는 공정의 전에 행해진다. 또한, 제1 투광성 부재(30A)는, 도광 부재(50)를 거쳐 제1 발광 소자(20A) 및 제2 발광 소자(20B)의 상면을 피복해도 된다.
[제2 투광성 부재를 형성하는 공정]
도 12a에 나타낸 것처럼, 제2 발광 소자(20B)의 상면을 피복하는 제2 투광성 부재(30B)를 형성해도 된다. 제2 투광성 부재(30B)는, 도광 부재(50)를 거쳐 제2 발광 소자(20B)의 상면을 피복해도 된다. 제2 투광성 부재를 형성하는 공정은, 제2 발광 소자를 재치하는 공정의 후에, 후술하는 피복 수지를 형성하는 공정의 전에 행해진다.
[피복 수지를 형성하는 공정]
도 13에 나타낸 것처럼, 기재의 상면(111), 제1 발광 소자의 측면 및 제2 발광 소자의 측면을 피복하는 피복 수지(40)를 형성한다. 피복 수지(40)는, 도광 부재(50)를 거쳐 제1 발광 소자의 측면 및 제2 발광 소자의 측면을 피복해도 된다. 피복 수지(40)는, 제1 투광성 부재의 측면 및/또는 제2 투광성 부재의 측면을 피복해도 된다. 또한, 제1 투광성 부재의 상면 및/또는 제1 투광성 부재의 상면을 피복하는 피복 수지를 형성한 후에, 피복 수지의 일부를 제거하고, 제1 투광성 부재의 상면 및/또는 제1 투광성 부재의 상면을 피복 수지로부터 노출시켜도 된다.
피복 수지에 백금계 촉매를 이용한 부가 반응형 실리콘 수지를 이용하는 경우에는, 기판의 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선, 접속 배선 및 제5 배선의 최표면에는 전해 도금법에 의해 형성된 금도금이 위치하는 것이 바람직하다. 피복 수지의 형성은, 트랜스퍼 몰드법 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다.
[개편화하는 공정]
개편화 전의 집합 기판에 피복 수지를 형성한 경우에는, 피복 수지를 형성하는 공정의 후에, 기판 및 피복 수지의 적어도 일부를 제거하고, 복수의 발광 장치로 개편화한다. 이와 같이 함으로써, 본 실시형태의 발광 장치를 제조할 수 있다.
도 14에 나타낸 것처럼, 제1 발광 소자와 제2 발광 소자의 사이에 위치하는 접속 배선의 적어도 일부를 제거하여, 제1 발광 소자(20A)를 포함하는 제1 발광 장치(1000B)와, 제2 발광 소자를 포함하는 제2 발광 장치(1000C)로 개편화해도 된다.
도 15에 나타낸 것처럼, 제1 발광 장치(1000B)의 기판은, 복수의 오목부(16)를 갖는 것이 바람직하다. 오목부가 복수임으로써, 발광 장치(1000B)와 실장 기판의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 발광 장치(1000C)의 기판도 복수의 오목부(16)를 갖는 것이 바람직하다.
도 16a, 도 16b에 나타낸 것처럼, 발광 장치(1000D)는 피복 수지(40)의 상면(401)을 피복하는 보호 부재(70)를 구비하여도 된다. 도 16b에 나타낸 것처럼, Z 방향(법선방향)에 있어서 보호 부재(70)의 상면(701)의 적어도 일부는 투광성 부재의 상면(301A, 301B)보다 위쪽에 위치한다. 이에 의해, 투광성 부재의 상면에 상처가 생기는 것을 억제할 수 있다. Z 방향에 있어서의 보호 부재의 최대 두께는 3㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 바람직하다. 보호 부재의 최대 두께가 3㎛ 이상이 됨으로써, 투광성 부재의 상면에 상처가 생기는 것을 억제하기 쉬워진다. 보호 부재의 최대 두께가 50㎛ 이하가 됨으로써, Z 방향에 있어서 발광 장치를 박형화할 수 있다.
도 16c의 발광 장치(1000E)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)는 피복 수지(40)의 외연으로부터 떨여져 있어도 된다. 도 16a의 발광 장치(1000D)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)는 피복 수지(40)의 외연까지 도달하고 있어도 된다.
도 16a의 발광 장치(1000D)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)가 제1 투광성 부재(30A)와 제2 투광성 부재(30B)의 사이에서 짧은 길이방향(Y 방향, 제2 방향)으로 연장되고 있어도 된다. 도 16d의 발광 장치(1000F)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)가 긴 길이방향(X 방향, 제1 방향)에 있어서의 피복 수지(40)의 외연에서 짧은 길이방향(Y 방향)으로 연장되고 있어도 된다. 또한, 도 16e의 발광 장치(1000G)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 제1 투광성 부재와 제2 투광성 부재의 사이에서 짧은 길이방향(Y 방향)으로 연장되는 보호 부재(70)와, 긴 길이방향(X 방향)에 있어서의 피복 수지(40)의 외연에서 짧은 길이방향(Y 방향)으로 연장되는 보호 부재(70)를 구비하고 있어도 된다.
도 16f의 발광 장치(1000H)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)가 짧은 길이방향(Y 방향)에 있어서의 피복 수지(40)의 외연에서 긴 길이방향(X 방향)으로 연장되고 있어도 된다. 도 16g의 발광 장치(1000I)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)가, 짧은 길이방향(Y 방향)에 있어서의 피복 수지(40)의 외연에서 긴 길이방향(X 방향)으로 연장되는 부분과, 제1 투광성 부재와 제2 투광성 부재의 사이에서 짧은 길이방향(Y 방향)으로 연장되는 부분을 갖고 있어도 된다. 도 16h의 발광 장치(1000J)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)가, 짧은 길이방향(Y 방향)에 있어서의 피복 수지(40)의 외연에서 긴 길이방향(X 방향)으로 연장되는 부분과, 제1 투광성 부재와 제2 투광성 부재의 사이에 짧은 길이방향(Y 방향)으로 연장되는 부분과, 긴 길이방향(X 방향)에 있어서의 피복 수지(40)의 외연에서 짧은 길이방향(Y 방향)으로 연장되는 부분을 갖고 있어도 된다. 환언하면, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)가 제1 투광성 부재 및 제2 투광성 부재의 각각을 연속하여 둘러싸도 된다.
상면에서 볼 때 보호 부재(70)가 사각 형상의 피복 수지(40)의 네 코너의 적어도 1개에 위치하고 있어도 된다. 도 16i의 발광 장치(1000K)에 나타낸 것처럼, 보호 부재(70)가 사각 형상의 피복 수지(40)의 네 코너의 전부에 위치하고 있어도 된다.
보호 부재(70)의 단면 형상은 특히 한정되지 않고, 삼각형이어도 되고, 사각형이어도 되고, 반원이어도 된다. 도 16b에 나타낸 것처럼, 보호 부재(70)의 단면 형상은 사다리꼴이어도 된다. 또한, 보호 부재(70)의 상면은 적어도 1개의 볼록부 및/또는 오목부를 갖고 있어도 된다. 도 16j의 발광 장치(1000L)에 나타낸 것처럼 보호 부재(70)의 상면은 보호 부재(70)의 단부 또는 단부의 근방에 볼록부(702)를 갖고 있어도 된다. 또한, 도 16k의 발광 장치(1000M)에 나타낸 것처럼 보호 부재(70)는 투광성 부재의 상면(301A, 301B)의 적어도 일부를 피복해도 된다. 도 16a의 발광 장치(1000D)에 나타낸 것처럼, 상면에서 볼 때 보호 부재(70)가 투광성 부재로부터 떨어져 위치하고 있어도 된다. 상면에서 볼 때 보호 부재(70)가 투광성 부재로부터 떨어져 위치함으로써 투광성 부재로부터의 광이 보호 부재에 흡수되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 발광 장치의 광 취출 효율이 향상된다. 보호 부재(70)가 투광성 부재의 상면의 적어도 일부를 덮는 경우에는 보호 부재(70)는 투광성인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써 발광 장치의 광 취출 효율이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
보호 부재의 재료에는, 투광성 부재와 마찬가지의 재료를 이용할 수 있다. 보호 부재는, 수지 재료를 스프레이 함으로써 형성해도 되고, 수지 재료를 포팅함으로써 형성해도 된다. 보호 부재의 형상의 편차를 억제하기 위해서 마스크한 뒤 수지 재료를 스프레이 함으로써 보호 부재를 형성해도 된다. 마스크한 뒤 수지 재료를 스프레이 하는 경우에는, 수지 재료를 가경화하지 않고 마스크를 벗겨도 되고, 수지 재료를 가경화한 후에 마스크를 벗겨도 된다. 마스크를 벗긴 후에는 수지 재료를 완전히 경화시켜 보호 부재를 형성한다. 수지 재료를 가경화하지 않고 마스크를 벗김으로써, 예를 들면 도 16b 및 도 16l에 나타낸 것처럼, Z- 방향에 있어서, X 방향에 있어서의 보호 부재의 폭을 서서히 크게 할 수 있다. Z- 방향이란, Z축 상에서 위에서부터 아래로 향하는 방향이다. 환언하면, Z- 방향이란, 기재의 상면으로부터 기재의 하면으로 향하는 방향이다. 수지 재료를 가경화하지 않고 마스크를 벗기는 경우에는, 가경화를 하고 있지 않는 수지 재료는 변형하기 쉽기 때문에 마스크를 벗긴 후에 수지 재료가 피복 수지의 상면을 젖음 확산한다. 이에 의해, Z- 방향에 있어서, X 방향에 있어서의 보호 부재의 폭을 서서히 크게 할 수 있다. 또한, 수지 재료를 가경화한 후에 마스크를 벗김으로써, 예를 들면, 도 16j에 나타낸 것처럼, 보호 부재의 상면은 보호 부재의 단부 또는 단부의 근방에 볼록부를 가질 수 있다. 수지 재료를 가경화한 후에 마스크를 벗기는 경우에는, 가경화한 후의 수지 재료는 변형되기 어렵기 때문에 마스크를 벗길 때 수지 재료의 단부가 마스크로 당겨진다. 이에 의해, 보호 부재의 단부 또는 단부의 근방에 볼록부를 형성할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 가경화란 수지 재료를 B 스테이지라 부르는 반경화 상태로 하는 것이다.
이하, 본 발명의 일 실시형태와 관련되는 발광 장치에서의 각 구성 요소에 대해 설명한다.
(기판(10))
기판(10)은, 발광 소자를 재치하는 부재이다. 기판(10)은, 적어도, 기재(11)와, 제1 배선(12A)과, 제2 배선(12B)과, 제3 배선(12C)과, 제4 배선(12D)과, 접속 배선(13)을 구비하고 있다.
(기재(11))
기재(11)는, 수지 또는 섬유 강화 수지 등의 절연성 부재를 이용하여 구성할 수 있다. 수지 또는 섬유 강화 수지로는, 에폭시, 글래스 에폭시, 비스말레이미드-트리아진(BT), 폴리이미드 등을 들 수 있다. 이들 기재 가운데, 특히 발광 소자의 선팽창 계수에 가까운 물성을 갖는 기재를 사용하는 것이 바람직하다. 기재의 두께의 하한치는, 적절히 선택할 수 있으나, 기재의 강도의 관점에서, 0.05mm 이상인 것이 바람직하고, 0.2mm 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 기재의 두께의 상한치는, 발광 장치의 두께(안쪽으로의 깊이)의 관점에서, 0.5mm 이하인 것이 바람직하고, 0.4mm 이하인 것이 보다 바람직하다.
(제1 배선(12A), 제2 배선(12B), 제3 배선(12C), 제4 배선(12D), 접속 배선(13))
제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선은, 기재의 상면에 배치되고, 발광 소자와 전기적으로 접속된다. 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선은, 구리, 철, 니켈, 텅스텐, 크롬, 알루미늄, 은, 금, 티타늄, 팔라듐, 로듐, 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다. 이들 금속 또는 합금의 단층이어도 다층이어도 된다. 특히, 방열성의 관점에서 구리 또는 구리 합금이 바람직하다. 또한, 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및 접속 배선의 표층에는, 용융성인 도전성 접착 부재의 젖음성 및/또는 광반사성 등의 관점에서, 은, 백금, 알루미늄, 로듐, 금 또는 이들의 합금 등의 층이 설치되어 있어도 된다.
(제5 배선(14))
제5 배선은, 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및/또는 접속 배선과 전기적으로 접속되고, 기재의 하면에 위치하는 부재이다. 제5 배선은, 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선, 제4 배선 및/또는 접속 배선과 마찬가지의 도전성 부재를 이용할 수 있다.
(발광 소자)
발광 소자는, 전압을 인가함으로써 스스로 발광하는 반도체 소자이고, 질화물 반도체 등으로부터 구성되는 기존의 반도체 소자를 적용할 수 있다. 발광 소자로는, 예를 들면 LED 칩을 들 수 있다. 발광 소자는, 적어도 반도체 층을 구비하고, 많은 경우에 소자 기판을 더 구비한다. 발광 소자는, 소자 전극을 갖는다. 소자 전극은, 금, 은, 주석, 백금, 로듐, 티타늄, 알루미늄, 텅스텐, 팔라듐, 니켈 또는 이들의 합금으로 구성할 수 있다. 반도체 재료로는, 질화물 반도체를 이용하는 것이 바람직하다. 질화물 반도체는, 주로 일반식 InxAlyGa1-x-yN(0≤x, 0≤y, x＋y≤1)로 나타내진다. 이 밖에, InAlGaAs계 반도체, InAlGaP계 반도체, 황화 아연, 셀렌화 아연, 탄화 규소 등을 이용할 수도 있다. 발광 소자의 소자 기판은, 주로 반도체 적층체를 구성하는 반도체 결정을 성장 가능한 결정 성장용 기판이지만, 결정 성장용 기판에서 분리한 반도체 소자 구조에 접합시키는 접합용 기판이어도 된다. 소자 기판이 투광성을 가짐으로써, 플립 칩 실장을 채용하기 쉽고, 또한 광의 취출 효율을 높이기 쉽다. 소자 기판의 모재로는, 사파이어, 질화 갈륨, 질화 알루미늄, 실리콘, 탄화규소, 갈륨 비소, 갈륨인, 인듐인, 황화 아연, 산화 아연, 셀렌화 아연, 다이아몬드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 사파이어가 바람직하다. 소자 기판의 두께는, 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 0.02mm 이상 1mm 이하이며, 소자 기판의 강도 및/또는 발광 장치의 두께의 관점에서, 0.05mm 이상 0.3mm 이하인 것이 바람직하다.
(피복 수지(40))
피복 수지는, 기재의 상면 및 발광 소자의 측면을 피복하고, 발광 소자를 보호하는 부재이다. 피복 수지는, 수지 재료를 포함하는 모재 중에 백색 안료를 함유시켜도 된다.
(투광성 부재)
투광성 부재는 발광 소자의 상면을 피복하고, 발광 소자를 보호하는 투광성의 부재이다. 투광성 부재의 재료로서 예를 들면, 수지를 이용할 수 있다. 투광성 부재에 이용할 수 있는 수지로는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지를 들 수 있다. 투광성 부재의 재료로서 에폭시 수지를 이용함으로써 실리콘 수지를 이용한 경우보다 발광 장치의 강도를 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. 또한, 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성이 뛰어나므로 바람직하다. 투광성 부재는, 파장 변환 입자 및/또는 확산 입자를 함유하고 있어도 된다.
(파장 변환 입자)
파장 변환 입자는, 발광 소자가 발하는 일차광의 적어도 일부를 흡수하여, 일차광과는 다른 파장의 이차광을 발한다. 파장 변환 입자는, 이하에 나타내는 구체적인 예 가운데 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 투광성 부재가 복수의 파장 변환층을 구비하는 경우에는, 각 파장 변환층에 함유되는 파장 변환 입자는 같아도 되고, 달라도 된다.
녹색 발광하는 파장 변환 입자로는, 이트륨·알루미늄·가넷계 형광체(예를 들면 Y3(Al,Ga)5O12:Ce), 루테튬·알루미늄·가넷계 형광체(예를 들면 Lu3(Al,Ga)5O12:Ce), 테르븀·알루미늄·가넷계 형광체(예를 들면 Tb3(Al,Ga)5O12:Ce)계 형광체, 실리케이트계 형광체(예를 들면 (Ba,Sr)2SiO4:Eu), 클로로 실리케이트계 형광체(예를 들면 Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu), β-사이알론계 형광체(예를 들면 Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0＜z＜4.2)), SGS계 형광체(예를 들면 SrGa2S4:Eu), 알칼리 토류 알루미네이트계 형광체(예를 들면 (Ba,Sr,Ca)MgxAl10O16+x:Eu,Mn(단, 0≤X≤1)) 등을 들 수 있다. 황색 발광의 파장 변환 입자로는, α-사이알론계 형광체(예를 들면 Mz(Si,Al)12(O,N)16(단, 0＜z≤2이고, M은 Li, Mg, Ca, Y, 및 La와 Ce를 제외한 란탄족 원소) 등을 들 수 있다. 이 밖에, 상기 녹색 발광하는 파장 변환 입자 중에는 황색 발광의 파장 변환 입자도 있다. 또한 예를 들면, 이트륨·알루미늄·가넷계 형광체는, Y의 일부를 Gd로 치환함으로써 발광 피크 파장을 장파장 측으로 시프트시킬 수 있고, 황색 발광이 가능하다. 또한, 이들 중에는, 오렌지색 발광이 가능한 파장 변환 입자도 있다. 적색 발광하는 파장 변환 입자로는, 질소 함유 알루미노 규산 칼슘(CASN 또는 SCASN)계 형광체(예를 들면(Sr,Ca)AlSiN3:Eu), SLAN 형광체(SrLiAl3N4:Eu) 등을 들 수 있다. 이 밖에, 망간 활성 불화물계 형광체(일반식(I) A2[M1-aMnaF6]로 나타내지는 형광체임(단, 상기 일반식(I) 중, A는, K, Li, Na, Rb, Cs 및 NH4로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이고, M는 제4족 원소 및 제14족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소이고, a는 0＜a＜0.2를 만족한다))를 들 수 있다. 이 망간 활성 불화물계 형광체의 대표예로는, 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체(예를 들면 K2SiF6:Mn)가 있다.
(확산 입자)
확산 입자로는, 산화 규소, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 아연 등을 들 수 있다. 확산 입자는, 이들 가운데 1종을 단독으로, 또는 이들 가운데 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 특히, 열팽창 계수가 작은 산화 규소가 바람직하다. 또한, 확산 입자로서, 나노 입자를 이용함으로써, 발광 소자가 발하는 광의 산란을 증대시켜, 파장 변환 입자의 사용량을 저감할 수도 있다. 또한, 나노 입자란, 입경이 1㎚ 이상 100㎚ 이하의 입자로 한다. 또한, 본 명세서에 있어서의 “입경”은, 예를 들면, D50로 정의된다.
(도광 부재(50))
도광 부재는, 발광 소자와 투광성 부재를 고정하고, 발광 소자로부터의 광을 투광성 부재에 도광하는 부재이다. 도광 부재의 모재는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지를 들 수 있다. 도광 부재의 재료로서, 에폭시 수지를 이용함으로써 실리콘 수지를 이용한 경우보다 발광 장치의 강도를 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. 또한, 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성이 뛰어나므로 바람직하다. 도광 부재는, 상술한 투광성 부재와 마찬가지의 파장 변환 입자 및/또는 확산 입자를 함유하고 있어도 된다.
(도전성 접착 부재(60))
도전성 접착 부재는, 발광 소자의 소자 전극과 제1 배선을 전기적으로 접속하는 부재이다. 도전성 접착 부재로는, 금, 은, 구리 등의 범프, 은, 금, 구리, 백금, 알루미늄, 팔라듐 등의 금속 분말과 수지 바인더를 포함하는 금속 페이스트, 주석-비스무트계, 주석-구리계, 주석-은계, 금-주석계 등의 땜납, 저융점 금속 등의 납재 가운데 어느 하나를 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 관련되는 발광 장치는, 액정 디스플레이의 백 라이트 장치, 각종 조명기구, 대형 디스플레이, 광고나 행선지 안내 등의 각종 표시 장치, 프로젝터 장치, 나아가, 디지털 비디오 카메라, 팩스, 복사기, 스캐너 등에서의 화상 판독 장치 등에 이용할 수 있다.
1000, 1000A, 1000B, 1000C: 발광 장치
10: 기판
11: 기재
12A: 제1 배선
12B: 제2 배선
12C: 제3 배선
12D: 제4 배선
13: 접속 배선
13A: 제1 접속단부
13B: 접속 중앙부
13C: 제2 접속단부
14: 제5 배선
15: 비어
16: 오목부
17: 제6 배선
18: 절연막
20A: 제1 발광 소자
20B: 제2 발광 소자
30A: 제1 투광성 부재
30B: 제2 투광성 부재
40: 피복 수지
50: 도광 부재
60: 도전성 접착 부재

Claims (13)

  1. 수지 재료를 포함하고, 상면과, 하면과, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 관통공 및 제2 관통공을 갖는 기재와, 상기 기재의 상면에 배치되고, 제1 방향으로 배열되는 제1 배선, 제2 배선, 제3 배선 및 제4 배선과, 상기 제2 배선과 상기 제3 배선을 연결하는 접속 배선과, 상기 기재의 하면에 배치되는 제5 배선을 구비하는 기판과,
    상기 제1 배선 및 상기 제2 배선 상에 재치되는 제1 발광 소자와,
    상기 제3 배선 및 상기 제4 배선 상에 재치되는 제2 발광 소자와,
    상기 기재의 상면, 상기 제1 발광 소자의 측면 및 상기 제2 발광 소자의 측면을 피복하는 피복 수지를 포함하고,
    상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향에 있어서, 상기 접속 배선의 적어도 일부의 폭은, 상기 제2 배선 및 상기 제3 배선의 각각의 최대 폭보다 좁고,
    상기 제2 배선은 상기 제1 관통공을 통해 상기 제5 배선에 전기적으로 접속되어 있고,
    상기 제3 배선은 상기 제2 관통공을 통해 상기 제5 배선에 전기적으로 접속되어 있는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접속 배선은, 상기 제2 배선과 연결되는 제1 접속단부와, 상기 제3 배선과 연결되는 제2 접속단부와, 상기 제1 접속단부와 상기 제2 접속단부를 연결하고 상기 제2 방향에 있어서의 최대 폭이 상기 제1 접속단부 및 상기 제2 접속단부 각각의 최대 폭과 다른 접속 중앙부를 갖는 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상면에서 볼 때, 상기 접속 중앙부의 적어도 일부가 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자로부터 이격되는 발광 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제2 방향에 있어서 상기 접속 중앙부의 최대 폭이 상기 제1 접속단부 및 상기 제2 접속단부 각각의 최대 폭보다 넓은 발광 장치.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 접속 중앙부가 상기 제2 방향으로만 연장되는 발광 장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제2 방향에 있어서 상기 접속 중앙부의 최대 폭이 상기 제1 접속단부 및 상기 제2 접속단부의 각각의 최대 폭보다 좁은 발광 장치.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제2 방향에 있어서 상기 제1 접속단부의 최대 폭과 상기 제2 접속단부의 최대 폭이 같은 발광 장치.
  8. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제2 방향에 있어서 상기 제1 접속단부의 최대 폭이 상기 제2 배선의 최대 폭보다 좁은 발광 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 방향에 있어서의 상기 제1 접속단부의 최대 폭이 상기 제2 배선의 최대 폭의 0.2배 이상 0.6배 이하인 발광 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 방향에 있어서 상기 기재의 외연으로부터 상기 접속 배선의 외연까지의 최단 거리가, 상기 기재의 외연으로부터 상기 제2 배선의 외연까지의 최단 거리보다 긴 발광 장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 방향에 있어서의 상기 제1 발광 소자의 최대 폭이 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선의 각각의 최대 폭보다 넓은 발광 장치.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상면에서 볼 때 상기 기재의 외연과 상기 제1 배선, 상기 제2 배선, 상기 제3 배선, 상기 제4 배선 및 상기 접속 배선이 이격되는 발광 장치.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자의 상면을 피복하는 제1 투광성 부재를 구비하는 발광 장치.
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