KR20200137050A - 휜 기판 기능을 갖는 배치 기판 지지부 - Google Patents

휜 기판 기능을 갖는 배치 기판 지지부 Download PDF

Info

Publication number
KR20200137050A
KR20200137050A KR1020207034413A KR20207034413A KR20200137050A KR 20200137050 A KR20200137050 A KR 20200137050A KR 1020207034413 A KR1020207034413 A KR 1020207034413A KR 20207034413 A KR20207034413 A KR 20207034413A KR 20200137050 A KR20200137050 A KR 20200137050A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
substrate
lift
base
substrate support
Prior art date
Application number
KR1020207034413A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102516087B1 (ko
Inventor
샤시다라 파텔
아난트크리시나 주푸디
리부 가우탐
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20200137050A publication Critical patent/KR20200137050A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102516087B1 publication Critical patent/KR102516087B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

기판들을 지지하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부는, 수직으로 이격된 관계로 복수의 기판들을 지지하도록 구성된, 링 형상을 갖는 복수의 기판 지지 요소들; 및 복수의 기판 지지 요소들과 인터페이싱하고, 기판들을 동시에, 선택적으로 개개의 기판 지지 요소들로부터 상승시키거나 또는 개개의 기판 지지 요소들 상으로 하강시키도록 구성된 복수의 기판 리프트 요소들을 포함한다.

Description

휜 기판 기능을 갖는 배치 기판 지지부
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 기판 프로세싱 장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 그러한 프로세싱 장비에서 사용하기 위한, 복수의 기판들을 지지하기 위한 배치(batch) 기판 지지부들에 관한 것이다.
[0002] 반도체 기판들 또는 웨이퍼들의 프로세싱 시에, 즉, 반도체 기판들 또는 웨이퍼들 상의 집적 회로 구조들의 형성 시에, 예컨대 기판 상에 증착 또는 다른 프로세스들을 수행하기 전에, 흡착된 가스들, 수분 등을 기판으로부터 제거하기 위해 프로세스들 사이에서 기판들은 흔히 탈기된다(degassed). 흡수된 가스성 불순물들이 후속하는 프로세싱 전에 제거되지 않으면, 이러한 흡수된 가스성 불순물들은 프로세스 동안 바람직하지 않게 아웃개싱(outgas)되어서, 오염, 품질 저하 등으로 이어질 수 있다.
[0003] 게다가, 본 발명자들은, 많은 종래의 탈기 챔버들이 한 번에 단일 기판을 프로세싱한다는 것을 관찰했다. 스루풋을 증가시키기 위해 다수의 탈기 챔버들이 제공될 수 있다. 그러나, 그러한 솔루션은 값비싸다.
[0004] 따라서, 본 발명자들은, 기판들을 탈기하기 위한 개선된 방법들 및 장치 뿐만 아니라 복수의 기판들을 지지하기 위한 개선된 방법들 및 장치를 제공했다.
[0005] 기판들을 지지하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부는, 수직으로 이격된 관계로 복수의 기판들을 지지하도록 구성된, 링 형상을 갖는 복수의 기판 지지 요소들; 및 복수의 기판 지지 요소들과 인터페이싱하고, 기판들을 동시에, 선택적으로 개개의 기판 지지 요소들로부터 상승시키거나 또는 개개의 기판 지지 요소들 상으로 하강시키도록 구성된 복수의 기판 리프트 요소들을 포함한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부는, 리프트 베이스; 리프트 베이스에 커플링된 복수의 기판 리프트 부재(member)들; 리프트 베이스와 복수의 기판 리프트 부재들 사이에 배치되고, 리프트 베이스에 대하여 이동가능한 지지 베이스; 및 지지 베이스에 커플링되고, 수직으로 이격된 관계로 복수의 기판들을 지지하도록 구성된 복수의 기판 지지 부재들을 포함하고, 여기서, 복수의 기판 리프트 부재들은 기판들을, 선택적으로 개개의 기판 지지 부재들로부터 상승시키거나 또는 개개의 기판 지지 부재들 상으로 하강시키기 위해 복수의 기판 지지 부재들과 인터페이싱한다.
[0007] 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 시스템은, 내부 볼륨을 갖는 프로세스 챔버; 내부 볼륨에 배치된 기판 지지부 ―이 기판 지지부는, 리프트 아암(arm)을 통해 복수의 기판 리프트 부재들에 커플링된 리프트 베이스 및 지지 아암을 통해 복수의 기판 지지 부재들에 커플링된 지지 베이스를 가짐―; 프로세스 챔버의 벽에 형성된 선택적으로 밀봉가능한 개구; 및 적어도 이송 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서, 복수의 리프트 부재들의 포지션을 제어하기 위해 리프트 베이스에 커플링된 제1 액추에이터를 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 아래에서 설명된다.
[0009] 위에서 간략히 요약되며 아래에서 더욱 상세히 논의된 본 개시내용의 실시예들은, 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 통상적인 실시예들만을 예시하며, 그러므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 동일하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 기판 지지부를 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 측면도이다.
[0011] 도 2는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 기판 지지부의 등각도이다.
[0012] 도 3a 및 도 3b는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 상이한 지지 포지션들에서의 기판 지지부의 부분 등각도들이다.
[0013] 도 4는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 기판 지지부의 분해 등각도이다.
[0014] 도 5a 및 도 5b는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 상이한 지지 포지션들에서의 기판 지지부의 부분 등각도들이다.
[0015] 도 6은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 기판 지지부를 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 측면도이다.
[0016] 도 7은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 기판 지지부의 등각도이다.
[0017] 도 8a 및 도 8b는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 도 7의 기판 지지부의 부분 분해 등각도들이다.
[0018] 도 9는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 도 7의 기판 지지부의 단면 등각도이다.
[0019] 도 10a 및 도 10b는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 상이한 지지 포지션들에서의 기판 지지부의 부분 단면 등각도들이다.
[0020] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 요소들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려지지 않으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 요소들 및 특징들은 유익하게, 추가적인 언급 없이, 다른 실시예들에 통합될 수 있다.
[0021] 복수의 기판들을 지지하기 위한 배치 기판 지지부들 및 이 배치 기판 지지부들을 포함하는 기판 프로세싱 챔버들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 본 개시내용의 실시예들은 유리하게는, 기판 지지부 상에 배치되어 있는 동안 완전 360도 기판 후면 접촉을 제공한다. 본 개시내용의 실시예들은 추가로 유리하게는, 기판 지지부의 적어도 2 개의 측들에 대해 기판 이송 로봇 이송 블레이드 접근으로 배치 기판 이송을 위한 접근가능성을 제공한다.
[0022] 도 1은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 배치 기판 지지부를 갖는 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 측면도이다. 기판 프로세싱 시스템(시스템(100))은, 기판들의 주 표면에 법선(normal)인 공통 선형 축(예컨대, 기판들의 중심 축)을 따라 이격된 관계로 정렬된 복수의 기판들을 지지하도록 구성된 기판 지지부(104)를 갖는 기판 프로세싱 챔버(프로세스 챔버(102))를 포함한다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(104)는 수직으로 이격된 관계로 복수의 기판들을 지지하도록 구성될 수 있다. 복수의 실질적으로 평면인 기판들은, 마이크로전자 디바이스 제조와 같은 박막 제조 프로세스들에서 통상적으로 사용되는 유형을 갖는다. 예컨대, 기판들은 반도체 웨이퍼들, 에폭시 웨이퍼들 등과 같은 둥근 디스크들, 또는 직사각형 또는 다른 폼 팩터들을 갖는 유리 또는 플라스틱 기판들일 수 있다. 기판 지지부(104)는 주어진 직경, 예컨대, 150 mm, 200 mm, 300 mm, 450 mm 등과 같은 주어진 치수들, 또는 직사각형(예컨대, 주어진 길이 및 폭) 등과 같은 다른 주어진 비-원형 치수들을 갖는 기판들을 지지하도록 구성된다. 개개의 지지 요소들 사이의 간격은, 기판 이송 로봇의 이송 블레이드로 하여금, 기판들을 기판 지지부(104)에 전달하거나 또는 기판 지지부(104)로부터 회수(retrieve)할 수 있게 하기에 충분하다.
[0023] 기판 지지부(104)는, 적어도 이송 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서, 기판 지지부(104)의 포지션을 제어하는 액추에이터(112)에 커플링된다. 액추에이터(112)는 선형 드라이브 서보 액추에이터 모터 등과 같은 임의의 적절한 선형 모션 제어기일 수 있다. 액추에이터(112)는 프로세스 챔버(102)의 외측에 배치되고, 프로세스 챔버(102)에 있는 개구를 통과할 수 있으며, 이 개구는 예컨대 스테인레스 스틸 벨로우즈 등으로 밀봉된다. 이송 포지션에서, 기판 지지부(104)는, 기판 이송 로봇의 이송 블레이드가 기판을 기판 지지부(104) 상으로 내려놓거나 또는 기판 지지부(104)로부터 집어 들도록 하기 위한 접근을 제공하도록 구성된다. 프로세싱 포지션에서, 기판 지지부(104)는, 적어도 기판의 전체 주변부를 따라, 각각의 기판을 지지하도록 구성된다. 이송 포지션 및 프로세싱 포지션은 각각, 도 1에서 화살표(106)에 의해 표시된 바와 같이 기판들의 중심 축을 따라 배치된다. 기판 지지부로 그리고 기판 지지부로부터 복수의 기판들을 이송하기 위하여, 이송 포지션은 복수의 이송 포지션들을 포함할 수 있고, 이러한 복수의 이송 포지션들 각각은 프로세스 챔버(102)의 기판 이송 평면(108)에 대해 개개의 기판을 정렬하는 것에 대응한다.
[0024] 프로세스 챔버(102)의 안팎으로 기판들을 이동시키는 것을 가능하게 하기 위해, 기판 이송 평면(108)과 정렬되는 하나 이상의 개구들이 프로세스 챔버(102)에 제공된다. 예컨대, 도 1에 도시된 실시예에서, 제1 슬릿 밸브(110) 및 제2 슬릿 밸브(111)가 제공된다. 제1 슬릿 밸브(110) 및 제2 슬릿 밸브(111)는 각각, 프로세스 챔버의 벽에 있는 개구, 그리고 기판 이송 로봇의 이송 블레이드로 하여금 프로세스 챔버(102) 안으로 연장되어 기판 지지부(104) 상으로 기판을 내려놓거나 또는 기판 지지부(104)로부터 기판을 수용할 수 있게 하기 위해, 이 개구를 선택적으로 개폐할 수 있는 도어를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 슬릿 밸브(110)와 제2 슬릿 밸브(111)는 프로세스 챔버(102)의 대향 측들에 배치된다.
[0025] 도 1에 도시된 실시예에서, 기판 지지부(104)는 3 개의 수직으로 이격된 기판 지지 요소들 또는 지지 부재들을 포함한다. 그러나, 더 적거나 또는 더 많은 수들의 지지 요소들이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 지지 요소들은 약 12.0 mm 내지 약 16.0 mm 이격된다.
[0026] 시스템(100)은 기판들의 배치(batch)에 대해 수행되는 임의의 적절한 기판 프로세스를 위해 구성될 수 있다. 따라서, 지지 시스템들(116)은 프로세스 챔버(102)에서 수행되는 특정 프로세스들의 동작 및 제어를 가능하게 하기 위해 프로세스 챔버(102)에 동작가능하게(operatively) 커플링된다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)은, 예컨대 기판 상에 증착 또는 다른 프로세스들을 수행하기 전에, 흡착된 가스들, 수분 등을 기판으로부터 제거하기 위해 탈기 프로세스를 수행하도록 구성된다(예컨대, 프로세스 챔버(102)는 탈기 챔버임). 그러한 실시예들에서, 지지 시스템들은 마이크로파 열 소스, 가변 주파수 마이크로파 열 소스 등과 같은 열 소스, 불활성 가스 소스 등과 같은 가스 소스, 배기 시스템, 프로세스 제어기 등을 포함할 수 있다.
[0027] 도 2는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 기판 지지부(200)의 등각도이다. 기판 지지부(200)는 도 1과 관련하여 위에서 논의된 기판 지지부(104)일 수 있다.
[0028] 기판 지지부(200)는, 기판 지지부의 공통 축을 따라 이격된 관계로 배치된(예컨대, 수직 축을 따라 정렬된) 복수의 지지 부재들(202)을 포함하는 지지 조립체를 포함한다. 지지 부재(202)는 (도 2에 도시된 바와 같이) 중심 개구를 갖는 링으로서, 또는 플레이트로서, 또는 어떤 다른 평면 기하학적 형상으로 구성될 수 있다. 지지 부재(202)를 링으로서 또는 플레이트로서 제공하는 것은 유리하게는, 기판의 완전한 지지를 제공하며, 추가로, 특정 애플리케이션들에서, 이를테면 기판들이 지지 부재들(202) 상에 배치되었을 때 가열되는 경우, 휜(warped) 기판들을 평탄화(flattening)하는 것을 보조할 수 있다.
[0029] 각각의 지지 부재(202)는 지지 표면(204)을 포함한다. 지지 표면(204)은 개개의 기판을 지지하기 위해 실질적으로 평면인 표면이고, 주어진 치수(예컨대, 둥근 기판들의 경우 주어진 직경, 직사각형 기판들의 경우 주어진 길이 및 폭 등)를 갖는 기판을 지지하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 지지 부재(202)의 지지 표면(204) 상의 제자리에 기판을 안내 및 유지하기 위해, 하나 이상의 지지 가이드들(206)이 제공될 수 있다. 지지 가이드들은, 지지 표면(204) 상의 중심 포지션(centered position)을 향해 기판을 안내하고 프로세싱 동안 그리고 이송들 동안 기판의 이 중심 포지션을 유지하는 것을 돕는 경사면을 포함한다. 예컨대, 지지 가이드(206)와 접촉하는 기판이 지지 표면(204)을 향해 이동됨에 따라 이 기판이 지지 표면(204) 상의 중심 포지션을 향해 조금씩 밀리도록(nudged), 경사면은 지지 표면(204)에 대하여 상부 반경방향 외측 포지션부터 하부 반경방향 내측 포지션까지 연장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 한 쌍의 지지 가이드들(206)이 지지 표면(204)의 대향 측들에 배치된다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 지지 가이드들(206)은 지지 부재(202)의 외주 에지(outer peripheral edge)를 따라 배치된다.
[0030] 기판 지지부(200)는, 복수의 지지 부재들(202)에 대응하는 복수의 리프트 부재들(208)을 갖는 리프트 조립체를 더 포함한다. 각각의 리프트 부재(208)는 하나 이상의 리프트 표면들(210)을 포함한다. 리프트 표면들(210)은 개개의 기판을 지지하기 위해 실질적으로 평면인 표면들이고, 지지 표면(204)에 대하여 위에서 논의된 주어진 치수를 갖는 기판을 지지하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 단일 리프트 부재(208)에 대해 복수의 리프트 표면들이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 개개의 지지 부재(202)에 대해 복수의 리프트 부재들(208)이 제공될 수 있다. 예컨대, 도 2와 일치하는 실시예들에서, 각각의 개개의 지지 부재(202)에 대해 한 쌍의 리프트 부재들(208)이 제공된다. 도 2와 일치하는 일부 실시예들에서, 각각의 개개의 리프트 부재(208)에 대해 한 쌍의 리프트 표면들(210)이 제공된다.
[0031] 복수의 리프트 부재들(208)(및 대응하는 리프트 표면들(210))은, 리프트 표면들(210)이 지지 표면들(204) 아래에 배치되는 프로세싱 포지션과, 리프트 표면들(210)이 지지 표면들(204) 위에 배치되는 이송 포지션 사이에서, 지지 부재들(202)(및 대응하는 지지 표면들(204))에 대하여 이동가능하다. 일부 실시예들에서, 이송 포지션에서, 리프트 표면들(210)은 지지 표면들(204)의 약 7.0 mm 내지 약 9.0 mm 위에 배치된다.
[0032] 각각의 지지 부재(202)는 해당 지지 부재(202)와 대응하는 하나 이상의 리프트 부재들(208)과 인터페이싱하도록 구성된다. 예컨대, 지지 부재들(202)에 대한 리프트 부재들(208)의 이동을 가능하게 하기 위해, 지지 부재들(202)의 일부분들에 개구들, 홀들 및/또는 슬롯들(252)이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 리프트 부재들은 지지 부재들의 반경방향 외측에 배치되고, 리프트 표면들(210)을 갖는 내측으로 지향된 핑거들을 포함한다. 내측으로 지향된 핑거들(및 리프트 표면들(210))은 지지 부재들(202) 사이의 수직 이동을 가능하게 하기 위해(예컨대, 위에서 논의된 프로세싱 포지션 및 이송 포지션을 달성하기 위해) 이 지지 부재들(202)을 통해 형성된 대응하는 슬롯들 안으로 연장된다.
[0033] 일부 실시예들에서, 리프트 표면들(210)은 지지 가이드들(206)에 근접하게 배치된다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 리프트 표면들(210)은 지지 가이드들(206)에 인접하게 배치된다. 일부 실시예들에서, 리프트 표면들(210)은 지지 가이드(206)와 적어도 부분적으로 겹치는 포지션들에 배치된다. 일부 실시예들에서, 리프트 표면들(210)과 지지 가이드들(206)은 교대로 배치된다(예컨대, 적어도 하나의 리프트 표면(210)이 적어도 하나의 지지 가이드(206) 사이에 배치되고, 그리고/또는 적어도 하나의 지지 가이드(206)가 적어도 하나의 리프트 표면(210) 사이에 배치됨).
[0034] 일부 실시예들에서, 복수의 지지 부재들(202)은, 지지 부재들(202)을 이격된 관계로 유지하고 복수의 지지 부재들(202)을 일제히(in unison) 이동시키기 위해, 하나 이상의 지지 아암들(212)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서 그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 2 개의 지지 아암들(212)이 지지 부재들(202)의 대향 측들에 배치된다. 하나 이상의 지지 아암들(212)이 지지 베이스(214)에 커플링될 수 있다.
[0035] 일부 실시예들에서, 복수의 리프트 부재들(208)은, 리프트 부재들(208)을 이격된 관계로 유지하고 복수의 리프트 부재들(208)을 일제히 이동시키기 위해, 하나 이상의 리프트 아암들(216)에 커플링될 수 있다. 하나 이상의 리프트 아암들(216)이 리프트 베이스(218)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서 그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 2 개의 리프트 아암들(216)이 서로 대향하게 배치된다. 일부 실시예들에서 그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 2 개의 리프트 아암들(216)은 서로 대향하게 배치되는데, 이러한 2 개의 리프트 아암들(216) 각각은 별개의 리프트 부재(208)를 지지한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 리프트 아암들(216)은 하나 이상의 지지 아암들(212)의 반경방향 외측에 배치된다.
[0036] 일부 실시예들에서, 지지 베이스(214)는 리프트 베이스(218) 상에 이동가능하게 배치된다. 예컨대, 지지 베이스(214)는 리프트 베이스(218)에 이동가능하게 커플링될 수 있거나, 또는 지지 베이스(214)는 리프트 베이스(218)에 커플링되지 않고 단지 리프트 베이스(218) 상에 안착할 수 있다. 가이드 핀들(220)이 리프트 베이스(218)에 배치될 수 있거나, 또는 적어도 리프트 베이스(218)로부터 연장될 수 있다. 그러한 실시예들에서, 대응하는 가이드 개구들(222)이 가이드 핀들(220)과 인터페이싱하도록 지지 베이스(214)를 통해 제공된다. 가이드 개구들(222)은, 가이드 핀들(220)이 지지 베이스(214)를 통해 연장될 수 있게 하고 지지 베이스(214)가 가이드 핀들(220)을 따라 자유롭게 이동할 수 있게 하도록 설계된 기하학적 구조를 갖는, 지지 베이스(214)를 통해 형성된 홀들 또는 슬롯들 또는 다른 피처(feature)들일 수 있다. 예컨대, 지지 베이스(214)가 축 방향으로 리프트 베이스(218)로부터 멀어지게 또는 리프트 베이스(218)에 가까이 이동할 때, 가이드 핀들(220)은 지지 부재들(202)의 정렬을 지지할 수 있다.
[0037] 일부 실시예들에서, 리프트 베이스(218)의 포지션을 제어하기 위한 액추에이터(이를테면, 도 1과 관련하여 위에서 논의된 액추에이터(112))에 리프트 베이스(218)를 커플링하는 것을 가능하게 하기 위해 하나 이상의 개구들(224)이 리프트 베이스(218)에 제공될 수 있다.
[0038] 일부 실시예들에서, 리프트 베이스(218)와 지지 베이스(214)의 상대적 포지션들의 제어를 가능하게 하기 위해, 하나 이상의 개구들(226)이 리프트 베이스(218)를 통해 형성될 수 있고, 대응하는 하나 이상의 타격 표면(strike surface)들(228)이 지지 베이스(214) 상에 포지셔닝될 수 있다. 타격 표면들(228)은 개구들(226) 위에 놓인다. 하나 이상의 포스트들(도 4와 관련하여 아래에서 논의되는 포스트들(404) 참조)은, 리프트 베이스(218)가 이 포스트들에 대하여 이동될 때 이 포스트들이 리프트 베이스(218) 안으로 들어가 이 리프트 베이스(218)를 통과할 수 있도록, 예컨대 프로세스 챔버에 제공되어 개구들(226)에 대하여 포지셔닝될 수 있다. 포스트들은, 개구들(226)을 통과하자마자, 지지 베이스가 포스트들 상에 안착하도록, 지지 베이스(214)의 타격 표면들과 접촉한다. 리프트 베이스(218)의 계속적인 이동, 예컨대, 하강은 리프트 베이스(218)를 지지 베이스(214)로부터 멀어지게 이동시킬 것이며, 이에 대응하게, 리프트 부재들(208)은 지지 부재들(202)에 대하여 하향으로 이동할 것이다.
[0039] 일부 실시예들에서, 리프트 아암들(216) 및 지지 아암들(212)은 각각, 위에서 논의된 개개의 이송 포지션 및 프로세싱 포지션을 제공하도록 선택된 길이들을 갖는다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 지지 베이스(214)는 리프트 베이스(218) 상에 안착할 수 있으며, 지지 베이스(214)가 리프트 베이스(218) 상에 안착해 있을 때, 리프트 아암들(216) 및 지지 아암들(212)은 각각, 리프트 표면들(210)이 지지 표면들(204) 위에 배치되도록 하는 길이들을 갖는다(예컨대, 도 3a에 도시된 이송 포지션). 그러한 실시예들에서, 지지 베이스(214)는, 리프트 표면들(210)을 지지 표면들(204)과 같은 높이에 또는 지지 표면들(204) 아래에 포지셔닝시키기에 충분한 양(amount)만큼 리프트 베이스(218)로부터 멀어지게 이동할 수 있다(예컨대, 도 3b에 도시된 프로세싱 포지션). 지지 베이스(214)가 리프트 베이스(218)의 개구들(226)을 통과하는 포스트들과 접촉 상태가 되고, 리프트 베이스(218)가 지지 베이스(214)로부터 멀어지는 방향으로 포스트들을 따라 이동할 때, 지지 베이스(214)는 리프트 베이스(218)로부터 멀어지게 이동할 수 있다.
[0040] 예컨대, 도 4는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 기판 지지부(200)의 분해 등각도이다. 도 4에 도시된 실시예에서, 지지 조립체(412)는 리프트 조립체(414) 내에 포개진다(nested). 지지 조립체(412)는 도 2와 관련하여 위에서 논의된 지지 구성요소들(예컨대, 지지 부재(202), 지지 아암(212) 및 지지 베이스(214))을 포함한다. 리프트 조립체(414)는 도 2와 관련하여 위에서 논의된 리프트 구성요소들(예컨대, 리프트 부재(208), 리프트 아암(216) 및 리프트 베이스(218))을 포함한다.
[0041] 지지 조립체(412)의 지지 베이스(214)는 리프트 베이스(218)의 상부 표면 상에 중력에 의해 안착할 수 있는데, (파선(410)에 의해 표시된 바와 같이) 가이드 핀들(220)은 지지 베이스(214)의 가이드 개구들(222)을 통해 연장된다. 프로세스 챔버 구성요소, 이를테면, 프로세스 챔버의 바닥(floor)(402)은 하나 이상의 포스트들(404)(3 개의 포스트들(404)이 도시됨))을 지지할 수 있고, 이러한 하나 이상의 포스트들(404)은, 기판 지지부(200)의 포지션에 따라, (파선(408)에 의해 표시된 바와 같이) 리프트 베이스(218)의 개구들(226)을 통해 연장될 수 있고 지지 베이스(214)의 타격 표면들(228)과 접촉할 수 있다. 하나 이상의 포스트들(404)은 고정된 포지션에서 바닥(402)에 커플링될 수 있다. 이에 따라서, 프로세스 챔버 볼륨 또는 액추에이터(112)의 스트로크(stroke)에 의해서만 제한된 상태로, 리프트 베이스(218)(및 전체 리프트 조립체(414))는 자유롭게 이동할 수 있다. 지지 베이스(214)의 타격 표면들(228)이 포스트들(404)의 상부 표면과 접촉하도록 리프트 베이스(218)가 충분히 아래로 이동할 때까지, 지지 베이스(214) 및 지지 조립체(412)는 리프트 베이스(218)와 함께 이동할 것이다. (파선(416)에 의해 표시된 바와 같이) 이를테면 액추에이터(112)의 액추에이터 샤프트는 바닥(402)에 있는 개구(406)를 통해 연장될 수 있고, 리프트 조립체의 포지션을 제어하기 위해 리프트 베이스(218)에 커플링될 수 있다.
[0042] 도 5a 및 도 5b는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 상이한 지지 포지션들에서의 기판 지지부의 부분 등각도들이다. 도 5a는 리프트 표면들(210)이 지지 표면들(204) 위에 배치되는 이송 포지션에 있는 기판 지지부(200)를 도시한다. 그러한 구성에서, 액추에이터(예컨대, 도 1에 도시된 액추에이터(112))는 지지 베이스(214)의 하단 표면과 리프트 베이스(218)의 상단 표면을 맞물리게 하기에 충분히 리프트 베이스(218)를 들어올린다. 도 5a에 도시된 포지션에서, 액추에이터는 리프트 베이스(218)를 포스트들(404)의 상단 표면 위로 추가로 들어올렸다.
[0043] 도 5b는 리프트 표면들(210)이 지지 표면들(204)과 평평하게 또는 지지 표면들(204) 아래에 배치되는 프로세싱 포지션에 있는 기판 지지부(200)를 도시한다. 그러한 구성에서, 액추에이터(예컨대, 도 1에 도시된 액추에이터(112))는 포스트들(404)의 상단 표면과 지지 베이스(214)의 하단 표면을 맞물리게 하기에 충분히 리프트 베이스(218)를 하강시킨다. 도 5a에 도시된 포지션에서, 개개의 리프트 부재들(208)의 리프트 표면들 또는 다른 부분들이 개개의 지지 부재들(202) 사이의 공간으로 침범하지 않고, 액추에이터는, 지지 표면들(204)에 또는 지지 표면들(204) 아래에 배치되는 상태로 리프트 표면들(210)을 포지셔닝시키기에 충분히 리프트 베이스(218)를 하강시켰다.
[0044] 도 6은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 배치 기판 지지부를 갖는 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 측면도이다. 기판 프로세싱 시스템(시스템(600))은 시스템(100)과 유사할 수 있으며, 기판들의 주 표면에 법선인 공통 선형 축(예컨대, 기판들의 중심 축)을 따라 이격된 관계로 정렬된 복수의 기판들을 지지하도록 구성된 기판 지지부(604)를 갖는 기판 프로세싱 챔버(프로세스 챔버(602))를 포함한다. 기판 지지부(604)는 주어진 직경, 예컨대, 150 mm, 200 mm, 300 mm, 450 mm 등과 같은 주어진 치수들, 또는 직사각형(예컨대, 주어진 길이 및 폭) 등과 같은 다른 주어진 비-원형 치수들을 갖는 기판들을 지지하도록 구성된다.
[0045] 개개의 지지 요소들 사이의 간격은, 기판 이송 로봇의 이송 블레이드로 하여금, 기판들을 기판 지지부(604)에 전달하거나 또는 기판 지지부(604)로부터 회수할 수 있게 하기에 충분하다. 도 6에 도시된 실시예에서, 기판 지지부(604)는 3 개의 수직으로 이격된 기판 지지 요소들 또는 지지 부재들을 포함한다. 그러나, 더 적거나 또는 더 많은 수들의 지지 요소들이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 개개의 지지 요소들 사이의 간격은 약 18.0 mm 내지 약 19.0 mm이다.
[0046] 기판 지지부(604)는 지지 조립체(620) 및 리프트 조립체(622)를 포함한다. 지지 조립체(620)는, 적어도 기판 지지부(604)의 이송 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서, 지지 조립체(620)의 포지션을 제어하는 제1 액추에이터(612)에 커플링된다. 리프트 조립체(622)는, 적어도 기판 지지부(604)의 이송 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서, 리프트 조립체(622)의 포지션을 제어하는 제2 액추에이터(614)에 커플링된다. 지지 조립체(620)는 리프트 조립체(622)와는 독립적으로 이동할 수 있다. 제1 액추에이터(612) 및 제2 액추에이터(614)는 선형 드라이브 서보 액추에이터 모터 등과 같은 임의의 적절한 선형 모션 제어기일 수 있다. 제1 액추에이터(612) 및 제2 액추에이터(614)는 프로세스 챔버(602)의 외측에 배치되고, 프로세스 챔버(602)에 있는 개구를 통과할 수 있으며, 이 개구는 예컨대 스테인레스 스틸 벨로우즈 등으로 밀봉된다.
[0047] 이송 포지션에서, 기판 지지부(604)는, 기판 이송 로봇의 이송 블레이드가 기판을 기판 지지부(604) 상으로 내려놓거나 또는 기판 지지부(104)로부터 집어 내도록 하기 위한 접근을 제공하도록 구성된다. 프로세싱 포지션에서, 기판 지지부(604)는, 기판의 전체 주변부를 따라, 각각의 기판을 지지하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부(604)는, 적어도 기판의 주변부를 따라, 각각의 기판을 지지하도록 구성된다. 이송 포지션 및 프로세싱 포지션은 각각, 도 6에서 화살표(606)에 의해 표시된 바와 같이 기판들의 중심 축을 따라 배치된다. 기판 지지부로 그리고 기판 지지부로부터 복수의 기판들을 이송하기 위하여, 이송 포지션은 복수의 이송 포지션들을 포함할 수 있고, 이러한 복수의 이송 포지션들 각각은 프로세스 챔버(602)의 기판 이송 평면(608)에 대해 개개의 기판을 정렬하는 것에 대응한다.
[0048] 프로세스 챔버(602)의 안팎으로 기판들을 이동시키는 것을 가능하게 하기 위해, 기판 이송 평면(608)과 정렬된 상태로, 하나 이상의 개구들이 프로세스 챔버(602)에 제공된다. 예컨대, 도 6에 도시된 실시예에서, 제1 슬릿 밸브(610) 및 제2 슬릿 밸브(611)가 제공된다. 제1 슬릿 밸브(610) 및 제2 슬릿 밸브(611)는 각각, 프로세스 챔버의 벽에 있는 개구, 그리고 도어를 포함하며, 도어는, 기판 이송 로봇의 이송 블레이드로 하여금 프로세스 챔버(602) 안으로 연장되어 기판 지지부(604) 상으로 기판을 내려놓거나 또는 기판 지지부(604)로부터 기판을 수용할 수 있게 하기 위해, 이 개구를 선택적으로 개폐할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 슬릿 밸브(610)와 제2 슬릿 밸브(611)는 프로세스 챔버(602)의 대향 측들에 배치된다.
[0049] 시스템(600)은 기판들의 배치(batch)에 대해 수행되는 임의의 적절한 기판 프로세스, 예컨대, 시스템(100)에 대하여 위에서 논의된 프로세스들을 위해 구성될 수 있다. 프로세스 챔버(602)는 프로세스 챔버(602)에서 수행되는 특정 프로세스들의 동작 및 제어를 가능하게 하기 위해 지지 시스템들(616)에 동작가능하게 커플링된다.
[0050] 도 7은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 기판 지지부(700)의 등각도이다. 기판 지지부(700)는 도 6과 관련하여 위에서 논의된 기판 지지부(604)일 수 있다. 기판 지지부(700)는, 기판 지지부의 공통 축을 따라 이격된 관계로 배치된(예컨대, 수직 축을 따라 정렬된) 복수의 지지 부재들(702)을 포함하는 지지 조립체(728)를 포함한다. 지지 부재(702)는 (도 7에 도시된 바와 같이) 중심 개구를 갖는 링으로서, 또는 플레이트로서, 또는 어떤 다른 평면 기하학적 형상으로 구성될 수 있다. 지지 부재(702)를 링으로서 또는 플레이트로서 제공하는 것은 유리하게는, 기판의 완전한 지지를 제공하며, 추가로, 특정 애플리케이션들에서, 이를테면 지지 부재들(702) 상에 배치될 때 기판들이 가열되는 경우, 휜 기판들을 평탄화하는 것을 보조할 수 있다.
[0051] 각각의 지지 부재(702)는 지지 표면(704)을 포함한다. 지지 표면(704)은 개개의 기판을 지지하기 위해 실질적으로 평면인 표면이고, 주어진 치수(예컨대, 둥근 기판들의 경우 주어진 직경, 직사각형 기판들의 경우 주어진 길이 및 폭 등)를 갖는 기판을 지지하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 지지 부재(702)의 지지 표면(704) 상에 하나 이상의 지지 가이드들(706)이 제공될 수 있다. 지지 가이드들(706)은, 지지 표면(704) 상의 중심 포지션을 향해 기판을 안내하고 프로세싱 동안 그리고 이송들 동안 기판의 이 중심 포지션을 유지하는 것을 돕도록 구성된 경사면(726)을 포함한다. 지지 가이드(706)와 접촉하는 기판이 지지 표면(704)을 향해 이동됨에 따라 이 기판이 지지 표면(704) 상의 중심 포지션을 향해 조금씩 밀리도록, 경사면(726)은 지지 표면(704)에 대하여 상부 반경방향 외측 포지션부터 하부 반경방향 내측 포지션까지 연장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 한 쌍의 지지 가이드들(706)이 지지 표면(704)의 대향 측들에 배치된다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 지지 가이드들(706)은 지지 부재(702)의 외주 에지를 따라 배치된다.
[0052] 기판 지지부(700)는, 복수의 지지 부재들(702)에 대응하는 복수의 리프트 부재들(708)을 갖는 리프트 조립체(722)를 더 포함한다. 각각의 리프트 부재(708)는 하나 이상의 리프트 표면들(710)을 포함한다. 리프트 표면들(710)은 개개의 기판을 지지하기 위해 실질적으로 평면인 표면들이고, 지지 표면(704)에 대하여 위에서 논의된 주어진 치수를 갖는 기판을 지지하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 단일 리프트 부재(708)에 대해 복수의 리프트 표면들이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 개개의 지지 부재(702)에 대해 복수의 리프트 부재들(708)이 제공될 수 있다. 예컨대, 도 7과 일치하는 실시예들에서, 각각의 개개의 지지 부재(702)에 대해 한 쌍의 리프트 부재들(708)이 제공된다. 도 7과 일치하는 일부 실시예들에서, 각각의 개개의 리프트 부재(708)에 대해 한 쌍의 리프트 표면들(710)이 제공된다.
[0053] 복수의 리프트 부재들(708)(및 대응하는 리프트 표면들(710))은, 리프트 표면들(710)이 지지 표면들(704)과 동일 평면 상에 또는 지지 표면들(704) 아래에 배치되는 프로세싱 포지션과, 리프트 표면들(710)이 지지 표면들(704) 위에 배치되는 이송 포지션 사이에서, 지지 부재들(702)(및 대응하는 지지 표면들(704))에 대하여 이동가능하다. 일부 실시예들에서, 이송 포지션에서, 리프트 표면들(710)은 지지 표면들(704)의 약 9.0 mm 내지 약 13.0 mm 위에 배치된다.
[0054] 각각의 지지 부재(702)는 해당 지지 부재(702)와 대응하는 하나 이상의 리프트 부재들(708)과 인터페이싱하도록 구성된다. 예컨대, 지지 부재들(702)에 대한 리프트 부재들(708)의 이동을 가능하게 하기 위해, 지지 부재들(702)의 일부분들에 개구들, 홀들 및/또는 슬롯들(752)이 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 리프트 부재들(708)은 지지 부재들(702)의 반경방향 외측에 배치되고, 리프트 표면들(710)을 갖는 내측으로 지향된 핑거들을 포함한다. 내측으로 지향된 핑거들(및 리프트 표면들(710))은 지지 부재들(702) 사이의 수직 이동을 가능하게 하기 위해(예컨대, 위에서 논의된 프로세싱 포지션 및 이송 포지션을 달성하기 위해) 이 지지 부재들(702)을 통해 형성된 대응하는 슬롯들(724) 안으로 연장된다.
[0055] 일부 실시예들에서, 리프트 표면들(710)은 지지 가이드들(706)에 근접하게 배치된다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 리프트 표면들(710)은 지지 가이드들(706)에 인접하게 배치된다. 일부 실시예들에서, 리프트 표면들(710)은 지지 가이드(706)와 적어도 부분적으로 겹치는 포지션들에 배치된다. 일부 실시예들에서, 리프트 표면들(710)과 지지 가이드들(706)은 교대로 배치된다(예컨대, 적어도 하나의 리프트 표면(710)이 적어도 하나의 지지 가이드(706) 사이에 배치되고, 그리고/또는 적어도 하나의 지지 가이드(706)가 적어도 하나의 리프트 표면(710) 사이에 배치됨).
[0056] 일부 실시예들에서, 복수의 리프트 부재들(708)은, 리프트 부재들(708)을 이격된 관계로 유지하고 복수의 리프트 부재들(708)을 일제히 이동시키기 위해, 하나 이상의 리프트 아암들(716)에 커플링될 수 있다. 하나 이상의 리프트 아암들(716)이 리프트 베이스(718)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서 그리고 도 7에 도시된 바와 같이, 2 개의 리프트 아암들(716)이 서로 대향하게 배치된다. 일부 실시예들에서 그리고 도 7에 도시된 바와 같이, 2 개의 리프트 아암들(716)은 서로 대향하게 배치되는데, 이러한 2 개의 리프트 아암들(716) 각각은 별개의 리프트 부재(708)를 지지한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 리프트 아암들(716)은 하나 이상의 지지 아암들(712)의 반경방향 외측에 배치된다.
[0057] 일부 실시예들에서, 각각의 리프트 아암(716)은 인접한 리프트 부재들(708) 사이에 배치된 스페이서들(730)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 각각의 리프트 아암(716)은 가장 낮은 리프트 부재(708)와 리프트 베이스(718) 사이에 배치된 포스트(720)를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 도 8a에 도시된 바와 같이, 각각의 리프트 아암(716)은, 3 개의 리프트 부재들(708)을 서로에 대해 그리고 리프트 베이스(718)에 대해 이격된 관계로 유지하기 위해, 2 개의 스페이서들(730) 및 포스트(720)를 포함한다. 가장 낮은 리프트 부재(708)와 리프트 베이스(718) 사이의 거리가 가장 낮은 리프트 부재(708)와 인접 리프트 부재(708) 사이의 거리보다 더 멀도록, 포스트(720)의 높이는 스페이서들(730) 중 더 높은 스페이서보다 더 높을 수 있다. 일부 실시예들에서, 리프트 부재들(708)을 리프트 베이스(718)에 커플링하기 위해, 리프트 부재들(708)에 있는 제1 개구, 스페이서들(730)에 있는 제1 개구 및 포스트(720)에 있는 제1 개구에 스레디드 핀(threaded pin)(740)이 배치된다. 일부 실시예들에서, 유리하게는 리프트 부재들(708)이 리프트 아암(716)에 대하여 회전하는 것을 감소시키거나 또는 방지하기 위해, 리프트 부재들(708)의 부가적인 개구들 및 인접 스페이서(730)에 있는 부가적인 개구들에 하나 이상의 다월(dowel)들(742)이 배치될 수 있다.
[0058] 일부 실시예들에서, 복수의 지지 부재들(702)은, 지지 부재들(702)을 이격된 관계로 유지하고 복수의 지지 부재들(702)을 일제히 이동시키기 위해, 하나 이상의 지지 아암들(712)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 2 개의 지지 아암들(712)이 지지 부재들(702)의 대향 측들에 배치된다. 하나 이상의 지지 아암들(712)이 지지 베이스(714)에 커플링될 수 있다.
[0059] 일부 실시예들에서, 각각의 지지 아암(712)은 인접한 지지 부재들(702) 사이에 배치된 스페이서들(732)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 각각의 지지 아암(712)은 가장 낮은 지지 부재(702)와 지지 베이스(714) 사이에 배치된 포스트(734)를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 도 8b에 도시된 바와 같이, 각각의 지지 아암(712)은, 3 개의 지지 부재들(702)을 서로에 대해 그리고 지지 베이스(714)에 대해 이격된 관계로 유지하기 위해, 2 개의 스페이서들(732) 및 포스트(734)를 포함할 수 있다. 가장 낮은 지지 부재(702)와 지지 베이스(714) 사이의 거리가 가장 낮은 지지 부재(702)와 인접 지지 부재(702) 사이의 거리보다 더 멀도록, 포스트(734)의 높이는 스페이서들(732) 중 더 높은 스페이서보다 더 높을 수 있다. 일부 실시예들에서, 지지 부재들(702)은, 스페이서들(732)에 있는 개구 및 포스트(734)에 있는 개구와 동축인 개구를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 지지 부재(702)에 있는 개구는 지지 가이드(706)를 통과한다. 지지 조립체(728)는, 지지 부재들(702)을 지지 베이스(714)에 커플링하기 위해 지지 부재들(702), 스페이서들(732) 및 포스트(734)의 개구들을 통과하도록 구성된 핀(738)을 더 포함할 수 있다.
[0060] 도 9는 도 7의 기판 지지부의 단면 등각도이다. 일부 실시예들에서, 제1 액추에이터(이를테면, 도 6과 관련하여 위에서 논의된 제1 액추에이터(612))에 지지 베이스(714)를 커플링하는 것을 가능하게 하기 위해 하나 이상의 개구들(746)이 지지 베이스(714)에 제공된다. 제1 액추에이터(612)는, 챔버 바닥(902)을 통하는 개구(904)를 통해 연장되어 지지 베이스(714)에 커플링될 수 있는 액추에이터 샤프트를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 액추에이터(이를테면, 도 6과 관련하여 위에서 논의된 제2 액추에이터(614))에 리프트 베이스(718)를 커플링하는 것을 가능하게 하기 위해 하나 이상의 개구들(746)이 리프트 베이스(718)에 제공된다. 제2 액추에이터(614)는, 챔버 바닥(902)을 통하는 개구(908)를 통해 연장되어 리프트 베이스(718)에 커플링될 수 있는 액추에이터 샤프트를 포함할 수 있다. 제1 액추에이터(612) 및 제2 액추에이터(614)는, 각각, 지지 조립체(728) 및 리프트 조립체(722)의 포지션을 제어하도록 구성된다. 이에 따라서, 프로세스 챔버 볼륨 또는 제1 액추에이터(612)의 스트로크에 의해서만 제한된 상태로, 지지 베이스(714)(및 전체 지지 조립체(728))는 자유롭게 이동할 수 있다. 프로세스 챔버 볼륨 또는 제2 액추에이터(614)의 스트로크에 의해서만 제한된 상태로, 리프트 베이스(718)(및 전체 리프트 조립체(722))는 자유롭게 이동할 수 있다.
[0061] 일부 실시예들에서, 리프트 아암들(716) 및 지지 아암들(712)은 각각, 위에서 논의된 개개의 이송 포지션 및 프로세싱 포지션을 제공하도록 선택된 길이들을 갖는다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 지지 베이스(714)가 리프트 베이스(718)에 대하여 상승되도록, 지지 아암(712)은 리프트 아암(716)보다 더 짧다. 일부 실시예들에서, 리프트 베이스(718)가 링 형상을 갖는 경우, 리프트 베이스(718)의 내측 측벽은 지지 베이스(714)의 외경보다 더 큰 직경을 갖는다.
[0062] 도 10a 및 도 10b는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 상이한 지지 포지션들에서의 기판 지지부의 부분 단면 등각도들이다. 도 10a는 리프트 표면들(710)이 지지 표면들(704) 위에 배치되는 이송 포지션에 있는 기판 지지부(700)를 도시한다. 그러한 구성에서, 제2 액추에이터(614)는 지지 베이스(714)에 더 가깝게 리프트 베이스(718)를 들어올린다. 대안적으로, 제1 액추에이터(612)는 리프트 베이스(718)에 더 가깝게 지지 베이스(714)를 하강시킨다.
[0063] 도 10b는 리프트 표면들(710)이 지지 표면들(704)과 평평하게 또는 지지 표면들(704) 아래에 배치되는 프로세싱 포지션에 있는 기판 지지부(700)를 도시한다. 그러한 구성에서, 제1 액추에이터(612)는 지지 베이스(714)로부터 멀어지게 리프트 베이스(718)를 하강시킨다. 대안적으로, 제2 액추에이터(614)는 리프트 베이스(718)로부터 멀어지게 지지 베이스(714)를 하강시킨다. 일부 실시예들에서, 리프트 베이스(718)는 프로세싱 포지션과 이송 포지션 사이에서 약 50.0 mm 내지 약 80.0 mm 이동할 수 있다.
[0064] 전술된 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 창안될 수 있다.

Claims (15)

  1. 복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부로서,
    링 형상을 갖고, 수직으로 이격된 관계로 복수의 기판들을 지지하도록 구성된 복수의 기판 지지 요소들; 및
    상기 복수의 기판 지지 요소들과 인터페이싱하고, 기판들을 동시에, 선택적으로 개개의 기판 지지 요소들로부터 상승시키거나 또는 개개의 기판 지지 요소들 상으로 하강시키도록 구성된 복수의 기판 리프트 요소들
    을 포함하는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 지지 요소들 각각은 상기 복수의 기판 리프트 요소들 각각으로부터 연장되는 리프트 표면들을 갖는 핑거들을 수납하기 위한 슬롯들을 포함하는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 리프트 요소들은, 상기 복수의 기판 리프트 요소들의 각각의 기판 리프트 요소가 상기 복수의 기판 지지 요소들 중 대응하는 기판 지지 요소 아래에 배치되는 프로세싱 포지션과, 상기 복수의 기판 리프트 요소들의 각각의 기판 리프트 요소가 상기 복수의 기판 지지 요소들 중 대응하는 기판 지지 요소 위에 배치되는 이송 포지션 사이에서, 상기 복수의 기판 지지 요소들에 대하여 이동가능한,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 지지 요소들 각각은 경사면을 갖는 지지 가이드를 포함하는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 리프트 요소들에 커플링된 리프트 베이스를 더 포함하고, 상기 리프트 베이스는 상기 리프트 베이스를 액추에이터에 커플링하는 것을 가능하게 하는 개구를 포함하는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 지지 요소들에 커플링된 지지 베이스를 더 포함하고, 상기 지지 베이스는 상기 지지 베이스를 제2 액추에이터에 커플링하는 것을 가능하게 하는 개구를 포함하는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  7. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 기판 리프트 요소들에 커플링된 리프트 베이스; 및
    상기 복수의 기판 지지 요소들에 커플링되고, 상기 리프트 베이스와 상기 복수의 기판 리프트 요소들 사이에 배치되며, 상기 리프트 베이스에 대하여 이동가능한 지지 베이스
    를 더 포함하는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 리프트 베이스로부터 연장되고, 상기 지지 베이스에 있는 대응하는 개구들을 통과하는 하나 이상의 가이드 핀들을 더 포함하고, 상기 가이드 핀들은 상기 가이드 핀들의 축 방향으로는 상기 지지 베이스의 이동을 제한하지 않는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 리프트 베이스를 통해 형성된 하나 이상의 개구들; 및
    상기 하나 이상의 개구들 위에 배치되는, 상기 지지 베이스의 하나 이상의 대응하는 타격 표면(strike surface)들
    을 더 포함하는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  10. 제7 항에 있어서,
    지지될 기판의 주어진 직경과 동일한 또는 상기 주어진 직경보다 약간 더 큰 직경을 따라 상기 기판 지지 요소들을 따라 배치된 하나 이상의 지지 가이드들을 더 포함하는,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 리프트 베이스의 외경은 상기 지지 베이스의 외경보다 더 큰,
    복수의 기판들을 지지하기 위한 기판 지지부.
  12. 기판 프로세싱 시스템으로서,
    내부 볼륨을 갖는 프로세스 챔버;
    상기 내부 볼륨에 배치된, 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항의 기판 지지부;
    상기 프로세스 챔버의 벽에 형성된 선택적으로 밀봉가능한 개구; 및
    적어도 프로세싱 포지션 및 이송 포지션에서 리프트 베이스의 포지션을 제어하기 위해 상기 리프트 베이스에 커플링된 액추에이터
    를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버의 벽에 형성된 선택적으로 밀봉가능한 제2 개구를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는,
    상기 리프트 베이스를 통해 형성된 하나 이상의 개구들; 및
    상기 하나 이상의 개구들 위에 배치되는, 지지 베이스의 하나 이상의 대응하는 타격 표면들
    을 더 포함하고,
    상기 기판 프로세싱 시스템은,
    상기 기판 지지부 아래의 고정 포지션에 배치되며, 상기 기판 지지부가 상기 프로세싱 포지션에 있을 때, 상기 리프트 베이스의 상기 하나 이상의 개구들을 통해 연장되고 상기 지지 베이스의 상기 하나 이상의 대응하는 타격 표면들과 접촉하도록 포지셔닝된 하나 이상의 포스트(post)들
    을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  15. 제12 항에 있어서,
    지지 베이스는 적어도 프로세싱 포지션 및 이송 포지션에서 상기 지지 베이스의 포지션을 제어하기 위한 제2 액추에이터에 커플링되는,
    기판 프로세싱 시스템.
KR1020207034413A 2018-05-02 2019-04-30 휜 기판 기능을 갖는 배치 기판 지지부 KR102516087B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862666060P 2018-05-02 2018-05-02
US62/666,060 2018-05-02
US16/198,417 US11361981B2 (en) 2018-05-02 2018-11-21 Batch substrate support with warped substrate capability
US16/198,417 2018-11-21
PCT/US2019/029957 WO2019213109A1 (en) 2018-05-02 2019-04-30 Batch substrate support with warped substrate capability

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200137050A true KR20200137050A (ko) 2020-12-08
KR102516087B1 KR102516087B1 (ko) 2023-03-29

Family

ID=68385480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207034413A KR102516087B1 (ko) 2018-05-02 2019-04-30 휜 기판 기능을 갖는 배치 기판 지지부

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11361981B2 (ko)
KR (1) KR102516087B1 (ko)
CN (1) CN112088428A (ko)
TW (1) TW201947701A (ko)
WO (1) WO2019213109A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021044791A1 (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 村田機械株式会社 ウェハ受渡装置、ウェハ貯蔵容器、及びウェハ貯蔵システム
US20210296149A1 (en) * 2020-03-23 2021-09-23 Applied Materials, Inc. Enclosure system shelf
US20230343615A1 (en) * 2022-04-22 2023-10-26 Applied Materials, Inc. In-situ low temperature measurement of low emissivity substrates

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06271009A (ja) * 1993-03-18 1994-09-27 Tokyo Electron Tohoku Ltd 移載装置
KR20080082270A (ko) * 2007-03-08 2008-09-11 (주)소슬 승강 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를이용하여 기판을 처리하는 방법
JP2011049507A (ja) * 2009-08-29 2011-03-10 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置及び処理システム
KR101625478B1 (ko) * 2015-04-15 2016-05-30 백용구 수직 적층식 히터를 구비한 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW318274B (ko) * 1995-05-26 1997-10-21 Tokyo Electron Co Ltd
KR100491161B1 (ko) * 2002-11-26 2005-05-24 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치
KR100549273B1 (ko) 2004-01-15 2006-02-03 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치의 기판홀더
US20090031955A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Applied Materials, Inc. Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile
AU2009203638C1 (en) * 2008-01-04 2013-07-25 Lydac Neuroscience Limited Microvesicles
JP5565242B2 (ja) * 2010-09-29 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR101940580B1 (ko) 2012-05-24 2019-01-22 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 로드록 챔버와, 그를 이용하여 기판을 처리하는 방법
JP6054213B2 (ja) 2013-03-11 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 支持部材及び半導体製造装置
TWI624897B (zh) 2013-03-15 2018-05-21 應用材料股份有限公司 多位置批次負載鎖定裝置與系統，以及包括該裝置與系統的方法
KR101507557B1 (ko) 2013-04-25 2015-04-07 주식회사 엔씨디 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치
KR101557016B1 (ko) 2013-10-17 2015-10-05 주식회사 유진테크 기판 처리장치
US9696097B2 (en) * 2014-08-01 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-substrate thermal management apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06271009A (ja) * 1993-03-18 1994-09-27 Tokyo Electron Tohoku Ltd 移載装置
KR20080082270A (ko) * 2007-03-08 2008-09-11 (주)소슬 승강 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를이용하여 기판을 처리하는 방법
JP2011049507A (ja) * 2009-08-29 2011-03-10 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置及び処理システム
KR101625478B1 (ko) * 2015-04-15 2016-05-30 백용구 수직 적층식 히터를 구비한 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102516087B1 (ko) 2023-03-29
US11361981B2 (en) 2022-06-14
US20190341286A1 (en) 2019-11-07
TW201947701A (zh) 2019-12-16
US11784075B2 (en) 2023-10-10
CN112088428A (zh) 2020-12-15
WO2019213109A1 (en) 2019-11-07
US20210233790A1 (en) 2021-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11784075B2 (en) Batch substrate support with warped substrate capability
US7516833B2 (en) Multi-station workpiece processors, methods of processing semiconductor workpieces within multi-station workpiece processors, and methods of moving semiconductor workpieces within multi-station workpiece processors
JP4297609B2 (ja) 保持装置
KR20010108426A (ko) 퍼리미터 웨이퍼 승강 장치 및 방법
KR101287656B1 (ko) 종형 열처리 장치 및 기판 지지구
US20160035601A1 (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
JP2003249536A (ja) 被処理体の支持機構及び支持方法
KR101715887B1 (ko) 기판 적재 장치, 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102514452B1 (ko) 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP4334486B2 (ja) 加熱処理装置
JP2021072450A (ja) 支持ユニット、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する基板処理方法
US6767176B2 (en) Lift pin actuating mechanism for semiconductor processing chamber
JP5504980B2 (ja) ウエハリフト回転機構、ステージ装置及びイオン注入装置
KR102099105B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2022022815A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
KR102081706B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20200079583A (ko) 스핀들유닛 및 기판이송방법
KR20120115146A (ko) 로딩 유닛 및 처리 시스템
US20210202296A1 (en) Method for lifting substrate and apparatus for treating substrate
KR102301191B1 (ko) 기판처리장치
KR20220014475A (ko) 기판 처리 장치
KR101555487B1 (ko) 반도체 웨이퍼 연속 처리설비의 턴테이블 처짐 방지장치
KR102278083B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102432533B1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102119681B1 (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 베이크 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant