TW201947701A - 具有翹曲基板功能的批量基板支撐件 - Google Patents

具有翹曲基板功能的批量基板支撐件 Download PDF

Info

Publication number
TW201947701A
TW201947701A TW108115238A TW108115238A TW201947701A TW 201947701 A TW201947701 A TW 201947701A TW 108115238 A TW108115238 A TW 108115238A TW 108115238 A TW108115238 A TW 108115238A TW 201947701 A TW201947701 A TW 201947701A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
support
lifting
base
members
Prior art date
Application number
TW108115238A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI845508B (zh
Inventor
沙錫達拉 帕特
安恩克斯納 朱普迪
瑞普 高頓
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201947701A publication Critical patent/TW201947701A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI845508B publication Critical patent/TWI845508B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本文提供了用於支撐基板的方法和設備。在一些實施例中，用於支撐複數個基板的基板支撐件包括：複數個基板支撐構件，其具有環形形狀，且被配置為以垂直間隔關係支撐複數個基板；複數個基板舉升構件，其與複數個基板支撐構件連接，並且被配置為同時選擇性地升高或降低基板至相應的基板支撐構件上或從相應的基板支撐部件上卸下。

Description

具有翹曲基板功能的批量基板支撐件
本發明的實施例一般係關於半導體基板處理設備，更具體地，係關於用於支撐複數個基板的用於此種處理設備的批量基板支撐件。
在半導體基板或晶圓的處理中，在其上形成積體電路結構時，基板通常在處理之間脫氣，以例如在基板上執行沉積或其他處理之前從基板去除吸附的氣體、水分等。如果在後續處理之前沒有除去吸收的氣態雜質，則在處理期間它們可能會不期望地脫氣、導致污染、品質降低等。
此外，發明人已經觀察到許多常規的脫氣室會一次處理單個基板。可以提供複數個脫氣室以增加產量。但是，此種解決方案成本很高。
因此，本發明人提供了用於支撐複數個基板的改進方法和設備，以及用於對基板進行脫氣的改進方法和設備。
本文提供了用於支撐基板的方法和設備。在一些實施例中，用於支撐複數個基板的基板支撐件包括：複數個基板支撐構件，其具有環形形狀且被配置為以垂直間隔關係支撐複數個基板；複數個基板舉升構件，與複數個基板支撐構件連接，並且被配置為同時選擇性地升高或降低基板而從相應的基板支撐構件卸下或置於相應的基板支撐構件上。
在一些實施例中，用於支撐複數個基板的基板支撐件包括：舉升基座；複數個基板舉升部件，其連接到舉升基座；支撐座，其設置在舉升基座和複數個基板舉升部件之間，並可相對於舉升基座移動；複數個基板支撐部件，其連接到支撐基座並且配置成以垂直間隔的關係支撐複數個基板，其中複數個基板舉升部件與複數個基板支撐部件接合，並配置為以垂直間隔的關係支撐複數個基板，其中複數個基板舉升部件與複數個基板支撐部件介面連接，以選擇性地升高或降低基板而從基板支撐部件卸下或置於基板支撐部件上。
在一些實施例中，基板處理系統包括具有內部容積的處理室；基板支撐件，設置在內部容積中，基板支撐件具有透過舉升臂連接到複數個舉升部件的舉升基座和透過支撐臂連接到複數個支撐部件的支撐基座；可選擇性密封的開口，形成在處理室的壁上；第一致動器，其連接到舉升基座，以至少在傳送位置和處理位置之間控制複數個舉升部件的位置。
以下描述本發明的其他和進一步的實施例。
本文提供了用於支撐複數個基板的批量基板支撐件的實施例，以及包含複數個基板的基板處理腔室。本發明的實施例有利地提供當設置在基板支撐件上時的完整的360度基板背面接觸。本發明的實施例進一步有利地提供了批量基板傳送的可進出性，其中基板傳送機器人傳送葉片在基板支撐件的至少兩側上進出。
圖1是根據本發明的至少一些實施例的具有批量基板支撐件的基板處理系統的示意性側視圖。基板處理系統（系統100）包括基板處理室（處理室102），其具有基板支撐件104，基板支撐件104配置成以間隔開的關係支撐複數個基板，基板沿著共同的線性軸線對齊，該線性軸線垂直於基板的主表面（例如，基板的中心軸）。例如，基板支撐件104可被配置成支撐複數個基板而呈垂直地間隔開的關係，如在圖1中描繪。複數個基本上為平面的基板是通常用於薄膜製造處理的類型，例如微電子元件製造。例如，基板可以是圓盤（例如半導體晶圓、環氧樹脂晶圓等），或具有矩形或其他形狀因子的玻璃或塑料基板。基板支撐件104被配置為支撐具有給定尺寸的基板，例如給定直徑，例如150mm、200mm、300mm、450mm等，或其他給定的非圓形尺寸，例如矩形（例如，給定長度和寬度）等。相應支撐構件之間的間隔足以允許基板傳送機器人的傳送葉片將基板傳送到基板支撐件104或從基板支撐件104取回基板。
基板支撐件104耦合到致動器112，致動器112至少在傳送位置和處理位置之間控制基板支撐件104的位置。致動器112可以是任何合適的線性運動控制器，例如線性驅動伺服致動器馬達等。致動器112可以設置在處理室102的外部，並且透過處理室102中的開口，該開口用例如不銹鋼波紋管等密封。在傳送位置處，基板支撐件104被配置為使基板傳送機器人的傳送葉片得進出，使其落在基板支撐件104上或從基板支撐件104上拾起基板。在處理位置，基板支撐件104被配置為至少沿著基板的整個周邊支撐每個基板。傳送位置和處理位置各自沿基板的中心軸線設置，如圖1中的箭頭106所示。為了將複數個基板傳送到基板支撐件和從基板支撐件傳送複數個基板，傳送位置可以包括複數個傳送位置，每個傳送位置對應於將相應的基板對準到處理室102的基板傳送平面108。
在處理室102中提供與基板傳送平面108對準的一個或多個開口，以便於將基板移入和移出處理室102。例如，在圖1所示的實施例中，提供第一狹縫閥110和第二狹縫閥111。第一和第二狹縫閥110、111各自包括在處理室的壁中的一開口且包括一門，該門可選擇性地打開和關閉開口以允許基板傳送機器人的傳送葉片延伸到處理室102中以置放基板到基板支撐件104上，或從基板支撐件104接收基板。在一些實施例中，第一和第二狹縫閥110、111設置在處理室102的相對側上。
在圖1所示的實施例中，基板支撐件104包括三個垂直地間隔開的基板支撐構件或支撐部件。然而，可以提供更少或更多數量的支撐構件。在一些實施例中，基板支撐構件間隔開約12.0mm至約16.0mm。
系統100可以配置成用於在一批基板上執行的任何合適的基板處理。因此，支撐系統116可操作地連接到處理室102，以便於操作和控制在處理室102中執行的特定處理。在一些實施例中，系統100被配置成執行脫氣處理以在例如在基板上執行沉積或其他處理之前從基板移除吸附的氣體、濕氣等（例如，處理室102是脫氣腔室）。在此類實施例中，支撐系統可包括熱源（例如微波熱源、變頻微波熱源等）、氣體源（例如惰性氣體源等）、排氣系統、處理控制器等
圖2是根據本發明的至少一些實施例的基板支撐件200的等距視圖。基板支撐件200可以是上面參照圖1所論述的基板支撐件104。
基板支撐件200包括支撐組件，該支撐組件包括沿著基板支撐件的公共軸線而以間隔開的關係設置的複數個支撐部件202（例如，沿垂直軸對齊）。支撐部件202可以被配置為具有中心開口的環（如圖2所示）或板，或一些其他平面的幾何形狀。將支撐部件202設置為環或板有利地提供了對基板的完全支撐，並且可以進一步有助於在某些應用中使翹曲的基板變平，例如當基板在設置在支撐部件202上時被加熱時。
每個支撐部件202包括支撐表面204。支撐表面204是基本上平坦的表面以支撐相應的基板並且被配置為支撐具有給定尺寸的基板（例如，圓形基板的給定直徑、矩形基板的給定長度和寬度等）。在一些實施例中，可以提供一個或多個支撐引導件206以將基板引導並保持在支撐部件202的支撐表面204上的適當位置。支撐引導件包括傾斜表面，該傾斜表面將基板引導到支撐表面204上的中心位置，並有助於在處理期間和傳送期間保持基板的中心位置。例如，傾斜表面可以相對於支撐表面204從上部徑向向外位置延伸到下部徑向向內位置，使得接觸支撐引導件206的基板在當基板朝支撐表面204移動時將被推向支撐表面204上的中心位置。在一些實施例中，一對支撐引導件206設置在支撐表面204的相對側上。在一些實施例中，一個或多個支撐引導件206沿著支撐部件202的外周邊緣設置。
基板支撐件200亦包括舉升組件，舉升組件具有與複數個支撐部件202對應的複數個舉升部件208。每個舉升部件208包括一個或多個舉升表面210。舉升表面210是基本上平坦的表面以支撐相應的基板並且被配置為支撐具有上文關於支撐表面204所論述的給定尺寸的基板。在一些實施例中，可以為單個舉升部件208提供複數個舉升表面。在一些實施例中，可以為每個相應的支撐部件202提供複數個舉升部件208。例如，在與圖2一致的實施例中，為每個相應的支撐部件202提供一對舉升部件208。在一些實施例中，與圖2一致，為每個相應的舉升部件208提供一對舉升表面210。
複數個舉升部件208（和相應的舉升表面210）可相對於支撐部件202（和相應的支撐表面204）在處理位置和傳送位置之間移動，在處理位置中，舉升表面210設置在支撐表面204下方，且在傳送位置中，舉升表面210設置在支撐表面204上方。在一些實施例中，在傳送位置，舉升表面210設置在支撐表面204上方約7.0mm至約9.0mm處
每個支撐部件202配置成與對應於支撐部件202的一個或多個舉升部件208介面連接。例如，開口、孔和/或狹槽252可以設置在支撐部件202的部分中，以便於舉升部件208相對於支撐部件202的移動。在一些實施例中，舉升部件設置在支撐部件的徑向外側，並且包括具有舉升表面210的向內指向的指狀物。向內指向的指狀物（和舉升表面210）延伸到透過支撐部件202所形成的相應槽中，以便於在它們之間的垂直運動（例如，以實現上面論述的處理和傳送位置）。
在一些實施例中，舉升表面210設置在支撐引導件206附近。例如，在一些實施例中，舉升表面210係鄰近支撐引導件206而設置。在一些實施例中，舉升表面210設置在至少部分地與支撐引導件206重疊的位置。在一些實施例中，舉升表面210和支撐引導件206交替地設置（例如，至少一個舉升表面210設置在至少一個支撐引導件206之間，和/或至少一個支撐引導件206設置在至少一個舉升表面210之間）。
在一些實施例中，複數個支撐部件202可以聯接到一個或多個支撐臂212，以將支撐部件202保持為間隔開的關係，並使複數個支撐部件202一致地移動。在一些實施例中，並且如圖2所示，兩個支撐臂212設置在支撐部件202的相對側上。一個或多個支撐臂212可以聯接到支撐基座214。
在一些實施例中，複數個舉升部件208可以聯接到一個或多個舉升臂216，以將舉升部件208保持在間隔開的關係中並且使複數個舉升部件208一致地移動。一個或多個舉升臂216可以聯接到舉升基座218。在一些實施例中，並且如圖2所示，兩個舉升臂216彼此相對設置。在一些實施例中，並且如圖2所示，兩個舉升臂216彼此相對地設置，每個舉升臂支撐單獨的舉升部件208。在一些實施例中，一個或多個舉升臂216設置在一個或多個支撐臂212的徑向外側。
在一些實施例中，支撐基座214可移動地設置在舉升基座218上。例如，支撐基座214可以可移動地連接到舉升基座218，或者支撐基座214可以僅僅擱置在舉升基座218上而不連接到舉升基座218。引導銷220可設置在舉升基座218中或至少從舉升基座218延伸。在此類實施例中，相應的引導開口222透過支撐基座214而設置，以與引導銷220連接。引導開口222可以是孔或槽或透過支撐基座214形成的其他特徵，其具有一幾何形狀，其設計成允許引導銷220延伸透過支撐基座214且允許支撐基座214沿引導銷220自由移動。例如，當支撐基座214在軸向方向上遠離或靠近舉升基座218移動時，引導銷220可以支撐支撐部件202的對齊。
在一些實施例中，一個或多個開口224可以設置在舉升基座218中，以便於將舉升基座218連接到致動器（例如上面參照圖1論述的致動器112），以控制舉升基座218的位置。
為了便於控制舉升基座218和支撐基座214的相對位置，在一些實施例中，可以透過舉升基座218形成一個或多個開口226，以及相應的一個或多個撞擊表面228，其可以定位在支撐基座214上。撞擊表面228覆蓋開口226。可以提供一個或多個支柱（參見下面關於圖4論述的支柱404），例如在處理室中提供，並且其相對於開口226加以定位，使得在舉升基座218相對於支柱移動時，支柱可以進入並穿過舉升基座218。在穿過開口226時，支柱接觸支撐基座214的撞擊表面，使得支撐基座擱置在支柱上。舉升基座218的繼續移動（例如，降低）將使舉升基座218移動而遠離支撐基座214，並且相應地，舉升部件208將相對於支撐部件202向下移動。
在一些實施例中，舉升臂216和支撐臂212各自具有選定的長度，以提供上面論述的相應的傳送位置和處理位置。例如，在一些實施例中，支撐基座214能夠擱置在舉升基座218上，並且當支撐基座214擱置在舉升基座218上時，舉升臂216和支撐臂212各自具有長度，使得舉升表面210設置在支撐表面204上方（例如，傳送位置，如圖3A所示）。在此類實施例中，支撐基座214可以遠離舉升基座218而移動足夠的量以將舉升表面210定位成與支撐表面204齊平或在支撐表面204下方（例如，處理位置，如圖3B所示）。當支撐基座214與穿過舉升基座218的開口226的支柱接觸時，支撐基座214可以遠離舉升基座218而移動，並且舉升基座218沿著遠離支撐基座214的方向沿著支柱移動。
例如，圖4是根據本發明的至少一些實施例的基板支撐件200的分解等距視圖。在圖4所示的實施例中，支撐組件412嵌套在舉升組件414內。支撐組件412包括上面關於圖2所論述的支撐部件（例如，支撐部件202、支撐臂212和支撐基座214）。舉升組件414包括上面關於圖2論述的舉升部件（例如，舉升部件208、舉升臂216和舉升基座218）。
支撐組件412的支撐基座214可以透過重力擱置在舉升基座218的上表面上，其中引導銷220延伸通過支撐基座214的引導開口222（如虛線410所示）。處理腔室部件（例如處理腔室的底板402，其可以支撐一個或多個支柱404（示出的三個支柱404）），其取決於基板支撐件200的位置而可以延伸通過舉升基座218的開口226，且可以接觸支撐基座214的撞擊表面228（如虛線408所示）。一個或多個支柱404可以聯接到底板402於一固定位置。因此，舉升基座218（和整個舉升組件414）可以自由移動，其僅受處理室容積或致動器112的行程約束。支撐基座214和支撐組件412將與舉升基座218一起移動，直到舉升基座218向下移動夠低，使得支撐基座214的撞擊表面228接觸支柱404的上表面。致動器軸（諸如致動器112的軸）可以延伸通過底板402中的開口406並且聯接到舉升基座218以控制舉升組件的位置（如虛線416所示）。
圖5A和5B是根據本發明的至少一些實施例的處於不同支撐位置的基板支撐件的局部等距視圖。圖5A示出了處於傳送位置的基板支撐件200，其中舉升表面210設置在支撐表面204上方。在此類配置中，致動器（例如，圖1中所示的致動器112）充分地舉升了舉升基座218，以使舉升基座218的頂表面與支撐基座214的底表面接合。在圖5A所示的位置中，致動器進一步將舉升基座218舉升到支柱404的頂表面上方。
圖5B示出了處於處理位置的基板支撐件200，其中舉升表面210設置在支撐表面204的齊平位置或下方。在此類配置中，致動器（例如，圖1中所示的致動器112）使舉升基座218充分地降低以使支撐基座214的底表面與支柱404的頂表面接合。在圖5A所示的位置，致動器已經充分降低舉升基座218以將舉升表面210定位在支撐表面204處或下方而無相應的舉升部件208的舉升表面或其他部分進入相應支撐部件202之間的空間。
圖6是根據本發明的至少一些實施例的具有批量基板支撐件的基板處理系統的示意性側視圖。基板處理系統（系統600）可以類似於系統100，並且包括具有一基板處理室（處理室602），其具有一基板支撐件604，基板支撐件604被配置成支撐複數個基板而以間隔開的關係沿著共同的直線軸線對齊，該直線軸線垂直於基板的主表面（例如，基板的中心軸）。基板支撐件604配置成支撐具有給定尺寸的基板，例如給定直徑，例如150mm、200mm、300mm、450mm等，或其他給定的非圓形尺寸，例如矩形（例如，給定的長度和寬度）等。
相應支撐部件之間的間隔足以允許基板傳送機器人的傳送葉片將基板傳送到基板支撐件604或從基板支撐件604取回基板。在圖6所示的實施例中，基板支撐件604包括三個垂直間隔開的基板支撐部件或支撐部件。然而，可以提供更少或更多數量的支撐部件。在一些實施例中，相應支撐部件之間的間隔為約18.0mm至約19.0mm。
基板支撐件604包括支撐組件620和舉升組件622。支撐組件620聯接到第一致動器612，第一致動器612至少在基板支撐件604的傳送位置和處理位置之間控制支撐組件620的位置。舉升組件622聯接到第二致動器614，第二致動器614至少在基板支撐件604的傳送位置和處理位置之間控制舉升組件622的位置。支撐組件620能夠獨立於舉升組件622而移動。第一致動器612和第二致動器614可以是任何合適的線性運動控制器，例如線性驅動伺服致動器等等。第一和第二致動器612、614可以設置在處理室602的外部，並且通過處理室602中的開口，該開口用例如不銹鋼波紋管等密封。
在傳送位置，基板支撐件604被配置成為基板傳送機器人的傳送葉片提供通路，以在基板支撐件604上置放或從其拾取基板。在處理位置中，基板支撐件604被配置為沿著基板的整個周邊支撐每個基板。在一些實施例中，基板支撐件604被配置為沿著基板的至少周邊支撐每個基板。傳送位置和處理位置各自沿基板的中心軸線設置，如圖6中的箭頭606所示。為了將複數個基板傳送到基板支撐件和從基板支撐件傳送複數個基板，傳送位置可以包括複數個傳送位置，每個傳送位置對應於將相應的基板對準到處理室602的基板傳送平面608。
在處理室602中提供與基板傳送平面608對準的一個或多個開口，以便於將基板移入和移出處理室102。例如，在圖6所示的實施例中，提供第一狹縫閥610和第二狹縫閥611。第一和第二狹縫槽610和611各自包括處理室的壁中的一開口且包含一門，門可選擇性地打開和關閉開口，以允許基板傳送機器人的傳送葉片延伸到處理室602中，以將基板放置到基板支撐件604上，或從基板支撐件604接收基板。在一些實施例中，第一和第二狹縫閥610、611設置在處理室602的相對側上。
系統600可以被配置為用於在一批基板上執行的任何合適的基板處理，例如，上面關於系統100論述的處理。處理室602可操作地連接到支撐系統616，以便於操作和控制在處理室602中執行的特定的處理。
圖7是根據本發明的至少一些實施例的基板支撐件700的等距視圖。基板支撐件700可以是以上關於圖6論述的基板支撐件604。基板支撐件700包括支撐組件728，支撐組件728包括沿基板支撐件的公共軸線而以間隔開的關係設置（例如，沿垂直軸對齊）的複數個支撐部件702。支撐部件702可以被配置為具有中心開口的環（如圖7所示）或板，或一些其他平面幾何形狀。將支撐部件702設置為環或板有利地提供了對基板的完全支撐，並且可以進一步有助於在某些應用中使翹曲的基板變平，例如當基板在設置在支撐部件702上時被加熱時。
每個支撐部件702包括支撐表面704。支撐表面704是基本上平坦的表面以支撐相應的基板並且被配置為支撐具有給定尺寸（例如，圓形基板的給定直徑，矩形基板的給定長度和寬度等）的基板。在一些實施例中，一個或多個支撐引導件706可以設置在支撐部件702的支撐表面704上。支撐引導件706包括傾斜表面726，傾斜表面726配置成引導基板朝向支撐表面704上的中心位置，並且有助於在傳送期間和處理期間保持基板的中心位置。傾斜表面726可以相對於支撐表面704從上部徑向向外的位置相對於延伸到較低的徑向向內的位置，使得當被朝向支撐表面704移動時，接觸支撐引導件706的基板將會朝向基板支撐件表面704上的中心位置。在一些實施例中，一對支撐引導件706設置在支撐表面704的相對側上。在一些實施例中，一個或多個支撐引導件706沿支撐部件702的外周邊緣設置。
基板支撐件700亦包括舉升組件722，舉升組件722具有與複數個支撐部件702相對應的複數個舉升部件708。每個舉升部件708包括一個或多個舉升表面710。舉升表面710是基本上平坦的表面以支撐相應的基板並且被配置為支撐具有上文關於支撐表面704論述的給定尺寸的基板。在一些實施例中，可以為單個舉升部件708提供複數個舉升表面。在一些實施例中，可以為每個相應的支撐部件702提供複數個舉升部件708。例如，在與圖7一致的實施例中，為每個相應的支撐部件710提供一對舉升部件708。在一些實施例中，與圖7一致，為每個相應的舉升部件708提供一對舉升表面710。
複數個舉升部件708（和相應的舉升表面710）可相對於支撐部件702（和相應的支撐表面704）在處理位置和傳送位置之間移動，在處理位置中，舉升表面710設置成與支撐表面704共平面或在其下方，且在傳送位置中，舉升表面710設置在支撐表面704上方。在一些實施例中，在傳送位置，舉升表面710設置在支撐表面704上方約9.0mm至約13.0mm處。
每個支撐部件702配置成與一個或多個舉升部件708介面連接，舉升部件708與支撐部件702對應。例如，開口、孔和/或狹槽752可以設置在支撐部件702的部分中，以便於舉升部件708相對於支撐部件702的移動。在一些實施例中，舉升部件708設置在支撐部件702的徑向外側，並且包括具有舉升表面710的向內指向的指狀物。向內指向的指狀物（和舉升表面710）延伸到透過支撐部件702形成的相應狹槽724中，以便於在它們之間的垂直運動（例如，以實現上述處理和傳送位置）。
在一些實施例中，舉升表面710設置在支撐引導件706附近。例如，在一些實施例中，舉升表面710鄰近於支撐引導件706而設置。在一些實施例中，舉升表面710設置在至少部分地與支撐引導件706重疊的位置。在一些實施例中，舉升表面710和支撐引導件706交替地設置（例如，至少一個舉升表面710設置在至少一個支撐引導件706之間，和/或至少一個支撐引導件706設置在至少一個舉升表面710之間）。
在一些實施例中，複數個舉升部件708可以聯接到一個或多個舉升臂716，以將舉升部件708保持在間隔開的關係中並且使複數個舉升部件708一致地移動。一個或多個舉升臂716可以聯接到舉升基座718。在一些實施例中，並且如圖7所示，兩個舉升臂716彼此相對設置。在一些實施例中，並且如圖7所示，兩個舉升臂716彼此相對地設置，每個舉升臂支撐單獨的舉升部件708。在一些實施例中，一個或多個舉升臂716設置在一個或多個支撐臂712的徑向外側。
在一些實施例中，每個舉升臂716包括設置在相鄰舉升部件708之間的間隔件730。在一些實施例中，每個舉升臂716亦可包括設置在最低的舉升部件708和舉升基座718之間的支柱720。例如，如圖8A所示，每個舉升臂716包括兩個間隔件730和支柱720，以保持三個舉升部件708彼此間隔並與舉升基座718間隔。支柱720的高度可以大於間隔件730中的較高者，使得最低的舉升部件708和舉升基座718之間的距離大於最低的舉升部件708和相鄰的舉升部件708之間的距離。在一些實施例中，螺紋銷740設置在舉升部件708中的第一開口、間隔件730中的第一開口，以及支柱720中的第一開口中，以將舉升部件708聯接到舉升基座718。在一些實施例中，一個或多個銷釘742可設置在舉升部件708的另外的開口以及相鄰的間隔件730中的另外的開口中，以有利地減少或防止舉升部件708相對於舉升臂716旋轉。
在一些實施例中，複數個支撐部件702可以聯接到一個或多個支撐臂712，以將支撐部件702保持在間隔開的關係中並且一致地移動複數個支撐部件702。在一些實施例中，兩個支撐臂712設置在支撐部件702的相對側上。一個或多個支撐臂712可以聯接到支撐基座714。
在一些實施例中，每個支撐臂712包括設置在相鄰支撐部件702之間的間隔件732。在一些實施例中，每個支撐臂712亦可包括設置在最低支撐部件702和支撐基座714之間的支柱734。例如，如圖8B所示，每個支撐臂712可包括兩個間隔件732和支柱734，以將三個支撐部件702保持彼此間隔開並保持與支撐基座714間隔開。支柱734的高度可以大於間隔件732中的較高者，使得最低支撐部件702和支撐基座714之間的距離大於最低支撐部件702和相鄰支撐部件702之間的距離。在一些實施例中，支撐部件702可包括與間隔件732中的開口和支柱734中的開口同軸的開口。在一些實施例中，支撐部件702中的開口通過支撐引導件706。支撐組件728亦可包括銷738，銷738配置成通過支撐部件702、間隔件732和支柱734的開口，以將支撐部件702聯接到支撐基座714。
圖9是圖7的基板支撐件的橫截面等距視圖。在一些實施例中，一個或多個開口746設置在支撐基座714中，以便於將支撐基座714連接到第一致動器（例如上面參照圖6論述的第一致動器612）。第一致動器612可包括致動器軸，致動器軸可延伸穿過開口904而穿過腔室底板902並且聯接到支撐基座714。在一些實施例中，一個或多個開口746設置在舉升基座718中，以便於將舉升基座718連接到第二致動器（例如上面參照圖6論述的第二致動器614）。第二致動器614可包括致動器軸，致動器軸可延伸通過開口908而穿過腔室底板902並且聯接到舉升基座718。第一致動器612和第二致動器614配置成分別控制支撐組件728和舉升組件722的位置。因此，支撐基座714（和整個支撐組件728）可以自由移動，其僅受處理室容積或第一致動器612的行程約束。舉升基座718（和整個舉升組件722）可以自由移動，其僅受處理室容積或第二致動器614的行程約束。
在一些實施例中，舉升臂716和支撐臂712各自具有選定的長度，以提供上述相應的傳送位置和處理位置。例如，在一些實施例中，支撐臂712比舉升臂716短，使得支撐基座714相對於舉升基座718升高。在一些實施例中，在舉升基座718具有環形形狀的情況下，舉升基座718的內側壁的直徑大於支撐基座714的外徑。
圖10A和10B是根據本發明的至少一些實施例的處於不同支撐位置的基板支撐件的局部橫截面等距視圖。圖10A示出了處於傳送位置的基板支撐件700，其具有設置在支撐表面704上方的舉升表面710。在此類配置中，第二致動器614將舉升基座718舉升到更靠近支撐基座714。或者，第一致動器612使支撐基座714更靠近舉升基座718。
圖10B示出處於處理位置的基板支撐件700，其中舉升表面710設置在支撐表面704的齊平位置或下方。在此類配置中，第一致動器612使舉升基座718降低而遠離支撐基座714。或者，第二致動器614使支撐基座714降低而遠離舉升基座718。在一些實施例中，舉升基座718可在處理位置和傳送位置之間移動約50.0mm至約80.0mm。
雖然前述內容針對本發明的實施例，但是可以在不脫離本發明的基本範圍的情況下設計本發明的其他和進一步的實施例。
100‧‧‧系統
102‧‧‧處理室
104‧‧‧基板支撐件
106‧‧‧箭頭
108‧‧‧基板傳送平面
110‧‧‧狹縫閥
111‧‧‧狹縫閥
112‧‧‧致動器
116‧‧‧支撐系統
200‧‧‧基板支撐件
202‧‧‧支撐部件
204‧‧‧支撐表面
206‧‧‧支撐引導件
208‧‧‧舉升部件
210‧‧‧舉升表面
212‧‧‧支撐臂
214‧‧‧支撐基座
216‧‧‧舉升臂
218‧‧‧舉升基座
220‧‧‧引導銷
222‧‧‧引導開口
224‧‧‧開口
226‧‧‧開口
228‧‧‧撞擊表面
252‧‧‧狹槽
402‧‧‧底板
404‧‧‧支柱
406‧‧‧開口
410‧‧‧虛線
412‧‧‧支撐組件
414‧‧‧舉升組件
600‧‧‧系統
602‧‧‧處理室
604‧‧‧基板支撐件
606‧‧‧箭頭
606‧‧‧支撐引導件
608‧‧‧基板傳送平面
610‧‧‧狹縫槽
611‧‧‧狹縫閥
612‧‧‧致動器
614‧‧‧致動器
616‧‧‧支撐系統
620‧‧‧支撐組件
622‧‧‧舉升組件
700‧‧‧基板支撐件
702‧‧‧支撐部件
704‧‧‧支撐表面
706‧‧‧支撐引導件
708‧‧‧舉升部件
710‧‧‧舉升表面
712‧‧‧支撐臂
714‧‧‧支撐基座
716‧‧‧舉升臂
718‧‧‧舉升基座
720‧‧‧支柱
722‧‧‧舉升組件
724‧‧‧狹槽
726‧‧‧傾斜表面
728‧‧‧支撐組件
730‧‧‧間隔件
732‧‧‧間隔件
734‧‧‧支柱
738‧‧‧銷
740‧‧‧螺紋銷
742‧‧‧銷釘
746‧‧‧開口
752‧‧‧狹槽
902‧‧‧底板
904‧‧‧開口
908‧‧‧開口
透過參考附圖中描繪的本發明的說明性實施例，可以理解以上簡要概述以及下面更詳細論述的本發明的實施例。然而，附圖僅示出了本發明的典型實施例，因此不應視為對範圍的限制，因為本發明可允許其他同等有效的實施例。
圖1是根據本發明的至少一些實施例的包括基板支撐件的基板處理系統的示意性側視圖。
圖2是根據本發明的至少一些實施例的基板支撐件的等距視圖。
圖3A和3B是根據本發明的至少一些實施例的處於不同支撐位置的基板支撐件的局部等距視圖。
圖4是根據本發明的至少一些實施例的基板支撐件的分解等距視圖。
圖5A和5B是根據本發明的至少一些實施例的處於不同支撐位置的基板支撐件的局部等距視圖。
圖6是根據本發明的至少一些實施例的包括基板支撐件的基板處理系統的示意性側視圖。
圖7是根據本發明的至少一些實施例的基板支撐件的等距視圖。
圖8A和8B是根據本發明的至少一些實施例的圖7的基板支撐件的局部分解等距視圖。
圖9是根據本發明的至少一些實施例的圖7的基板支撐件的橫截面等距視圖。
圖10A和10B是根據本發明的至少一些實施例的處於不同支撐位置的基板支撐件的局部橫截面等距視圖。
為了便於理解，在可能的情況下，使用相同的元件符號來表示附圖中共有的相同元件。附圖未按比例繪製，並且為了清楚起見可以簡化。一個實施例的元件和特徵可以有利地併入其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無

Claims (20)

  1. 一種用於支撐複數個基板的一基板支撐件，包括： 複數個基板支撐構件，其具有一環形形狀，並且被配置成以一垂直間隔的關係支撐複數個基板；和 複數個基板舉升構件，其與該複數個基板支撐構件連接，並且被配置為同時選擇性地升高或降低基板而從相應的該基板支撐構件卸下基板或置於相應的該基板支撐構件上。
  2. 根據請求項1所述的基板支撐件，其中該複數個基板支撐構件中的每一者包括槽，以容納指狀物，該指狀物具有從該複數個基板舉升構件中的每一者延伸的舉升表面。
  3. 根據請求項1所述的基板支撐件，其中該複數個基板舉升構件可相對於該複數個基板支撐構件移動於一處理位置和一傳送位置之間，在該處理位置中，該複數個基板舉升構件中的每個基板舉升構件設置在該複數個基板支撐構件的一相應的一者下；在該傳送位置中，該複數個基板舉升構件中的每個基板舉升構件設置在複數個基板支撐構件中的該相應一者上方。
  4. 根據請求項1所述的基板支撐件，其中該複數個基板支撐構件中的每一者包括具有一傾斜表面的一支撐引導件。
  5. 根據請求項1至4中之任一者所述的基板支撐件，亦包括連接到該複數個基板舉升構件的一舉升基座，其中該舉升基座包括一開口，以便於將該舉升基座連接到一致動器。
  6. 根據請求項5所述的基板支撐件，亦包括連接到該複數個基板支撐構件的一支撐基座，其中該支撐基座包括一開口，以便於將該支撐基座連接到一第二致動器。
  7. 根據請求項1至4中任一項所述的基板支撐件，亦包括： 一舉升基座，其連接到複數個基板舉升部件；和 一支撐基座，其連接到複數個基板支撐部件並且設置在該舉升基座和該複數個基板舉升部件之間並且可相對於該舉升基座移動。
  8. 如請求項7所述的基板支撐件，亦包括： 一或更多個引導銷，其從該舉升基座延伸並通過該支撐基座中的相應開口，其中該引導銷不限制該支撐基座在該引導銷的一軸向方向上的移動。
  9. 如請求項7所述的基板支撐件，亦包括： 透過該舉升基座形成的一個或多個開口；和 該支撐基座的一個或多個相應的撞擊表面，其設置在該一個或多個開口上。
  10. 如請求項7所述的基板支撐件，亦包括： 一個或多個支撐引導件，沿著該基板支撐部件設置，該基板支撐部件具一直徑，該直徑等於或略大於待被支撐的一基板的一給定直徑。
  11. 根據請求項7所述的基板支撐件，其中，該舉升基座的一外徑大於該支撐基座的一外徑。
  12. 一種基板處理系統，該基板處理系統包括： 一處理室，其具有一內部容積； 請求項1至4中任一項所述的該基板支撐件，其設置在該內部容積中； 一可選擇性密封的開口，形成在該處理室的一壁上；和 一致動器，其連接到一舉升基座以將其的一位置控制在至少一處理位置和一傳送位置中。
  13. 根據請求項12所述的基板處理系統，其中，該處理室被配置作為用於使基板脫氣的一脫氣室。
  14. 如請求項12所述的基板處理系統，亦包括： 一第二可選擇性密封的開口，其形成在該處理室的一壁中。
  15. 根據請求項12所述的基板處理系統，其中該基板支撐件亦包括： 透過該舉升基座形成的一個或多個開口；和 設置在該一個或多個開口上的一支撐基座的一個或多個相應的撞擊表面；和 其中該基板處理系統亦包括： 一個或多個支柱，其設置在該基板支撐件下方的一固定位置，並且被定位成延伸通過該舉升基座的該一個或多個開口，並且當該基板支撐件處於該處理位置時接觸該支撐基座的該一個或多個相應的撞擊表面。
  16. 根據請求項12所述的基板處理系統，其中，該支撐基座耦接到一第二致動器，以將其的一位置控制在至少一處理位置和一傳送位置中。
  17. 一種基板處理系統，該基板處理系統包括： 一處理室，其具有一內部容積； 一基板支撐件，其設置在該內部容積中，該基板支撐件具有透過一舉升臂連接到複數個舉升部件的一舉升基座和透過一支撐臂連接到複數個支撐部件的一支撐基座； 一可選擇性密封的開口，其形成在該處理室的一壁上；和 一第一致動器，其連接到該舉升基座，以至少在一傳送位置和一處理位置之間控制該複數個舉升部件的一位置。
  18. 根據請求項17所述的基板處理系統，亦包括耦合到該支撐基座的一第二致動器，其中該第二致動器被配置為獨立於該第一致動器來控制該複數個支撐部件的一位置。
  19. 根據請求項17至18中之任一者所述的基板處理系統，其中，該舉升基座具有一環形形狀，並且該舉升基座的一內側壁的一直徑大於該支撐基座的一外徑。
  20. 根據請求項17至18中之任一者所述的基板處理系統，其中，該舉升臂設置在該支撐臂的徑向外側。
TW108115238A 2018-05-02 2019-05-02 批量基板支撐件 TWI845508B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862666060P 2018-05-02 2018-05-02
US62/666,060 2018-05-02
US16/198,417 US11361981B2 (en) 2018-05-02 2018-11-21 Batch substrate support with warped substrate capability
US16/198,417 2018-11-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201947701A true TW201947701A (zh) 2019-12-16
TWI845508B TWI845508B (zh) 2024-06-21

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
US11361981B2 (en) 2022-06-14
WO2019213109A1 (en) 2019-11-07
KR20200137050A (ko) 2020-12-08
US20210233790A1 (en) 2021-07-29
CN112088428A (zh) 2020-12-15
US20190341286A1 (en) 2019-11-07
KR102516087B1 (ko) 2023-03-29
US11784075B2 (en) 2023-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11784075B2 (en) Batch substrate support with warped substrate capability
KR100636487B1 (ko) 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법
KR102010720B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN1955849A (zh) 冷却盘、烘焙单元和基板处理设备
CN113718229B (zh) 半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法
JP2003249536A (ja) 被処理体の支持機構及び支持方法
CN1940730A (zh) 烘焙装置、冷却加热板的方法及基板处理设备和方法
JP4334486B2 (ja) 加熱処理装置
JP6103723B2 (ja) 基板搬送前室機構
US6767176B2 (en) Lift pin actuating mechanism for semiconductor processing chamber
KR102099105B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102616246B1 (ko) 처리액을 공급 및 회수하는 기판 처리 장치
TWI845508B (zh) 批量基板支撐件
KR101739969B1 (ko) 기판지지장치
KR20120115146A (ko) 로딩 유닛 및 처리 시스템
JP6867226B2 (ja) 真空吸着部材
TWI759907B (zh) 基板處理裝置
JP2010520634A (ja) 昇降装置を用いる基板処理装置及び方法
KR102121241B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20090048202A (ko) 기판 안착 장치 및 기판 안착 방법
CN113838787A (zh) 晶圆承载组件、晶圆传递装置及晶圆传递之方法
KR20070020580A (ko) 기판 지지장치
US20240203783A1 (en) Substrate treating apparatus
KR20060120730A (ko) 반도체 웨이퍼 지지장치
TWI618173B (zh) 元件分離裝置