KR20200115118A - 검사용 기판 및 검사 방법 - Google Patents

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KR20200115118A
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겐지 후루타
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Abstract

(과제) 누설광이 도달하는 영역을 정량적으로 평가하기 위해, 레이저 빔의 누설광을 검사하기 위한 검사용 기판을 제공한다.
(해결 수단) 레이저 빔의 누설광을 검사하기 위한 검사용 기판으로서, 검사용 기판을 투과하는 파장을 갖는 레이저 빔이 조사되는 일방의 면과, 일방의 면과는 반대측의 타방의 면과, 타방의 면에 설정된 스트리트와, 타방의 면에서, 각각이 스트리트를 따라서 스트리트로부터 상이한 거리에 배치된 복수의 제 1 검사용 배선과, 타방의 면에서 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에 2 개 이상 형성되고, 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에서 스트리트를 따른 방향으로 떨어져 배치되어 있는 복수의 제 1 전극 패드를 구비하는 검사용 기판을 제공한다.

Description

검사용 기판 및 검사 방법{SUBSTRATE FOR INSPECTION AND INSPECTION METHOD}
본 발명은, 레이저 빔으로 피가공물을 가공할 때에 발생하는 레이저 빔의 누설광을 검사하기 위한 검사용 기판, 및 이 검사용 기판을 사용하여 레이저 빔의 누설광을 검사하는 검사 방법에 관한 것이다.
격자상으로 배치된 복수의 분할 예정 라인 (즉, 스트리트) 에 의해 구획된 각 영역에 반도체 디바이스가 형성된 원반상의 웨이퍼가 알려져 있다. 웨이퍼를 스트리트를 따라서 분할하여 반도체 칩을 제조하기 위해서는, 예를 들어, 레이저 가공 장치가 사용된다.
예를 들어, 레이저 가공 장치를 사용하여, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 펄스상의 레이저 빔의 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시키도록, 웨이퍼의 표면측의 스트리트를 따라서 웨이퍼의 이면측으로부터 레이저 빔을 조사한다. 이로써, 집광점 근방에서는 다광자 흡수가 생겨, 기계적 강도가 저하된 개질층이 스트리트를 따라서 형성된다. 그 후, 웨이퍼에 외력을 가함으로써, 웨이퍼는 개질층을 기점으로 스트리트를 따라서 분할된다.
개질층을 형성할 때에는, 통상, 웨이퍼의 상이한 깊이 위치에 복수의 개질층을 형성한다. 예를 들어, 집광점의 깊이 위치를 웨이퍼 표면측의 소정의 깊이 위치에 위치시키고, 1 개의 스트리트를 따라서 레이저 빔을 조사한다. 레이저 빔을 스트리트를 따라서 1 회 조사하는 것 (즉, 첫 번째 패스의 레이저 빔의 조사) 에 의해, 첫 번째의 개질층이 형성된다.
그 후, 집광점의 깊이 위치를 소정 거리만큼 이면측으로 이동시킨 다음에, 다시, 동일한 스트리트를 따라서 레이저 빔을 1 회 조사하는 것 (즉, 두 번째 패스의 레이저 빔의 조사) 에 의해, 두 번째의 개질층이 형성된다. 동일하게, 집광점의 깊이 위치를 소정 거리만큼 이면측으로 이동시킴으로써, 레이저 빔의 조사를 반복하여, 웨이퍼의 내부에는 복수 (예를 들어, 2 내지 5) 의 개질층이 형성된다.
개질층을 형성할 때에, 레이저 빔은, 소정 깊이에 위치된 집광점에서 주로 웨이퍼에 흡수되지만, 레이저 빔의 일부는, 소정의 깊이 위치보다 표면측에 위치하는 개질층이나 개질층으로부터 연장되는 크랙 등에 의해 굴절되거나 또는 반사되는 경우가 있다.
만일, 굴절 또는 반사에 의해 레이저 빔의 일부가 누설광 (즉, 목적으로 하는 조사 영역 (즉, 스트리트) 을 넘어서 반도체 디바이스에 도달하는 광) 이 되면, 복수의 스트리트에 의해 구획된 웨이퍼의 표면측의 각 영역에 형성되어 있는 반도체 디바이스에 누설광이 도달한다. 이 경우, 누설광에 의해 반도체 디바이스가 손상될 우려가 있다. 그러므로, 누설광이 반도체 디바이스에 도달하지 않도록, 레이저 빔의 조사 조건 (즉, 레이저 가공 조건) 을 선정할 필요가 있다.
그래서, 주석 (Sn) 이나 유성 잉크 등으로 형성된 피복층을 웨이퍼의 표면측에 형성한 다음에, 웨이퍼의 이면측으로부터 레이저 빔을 조사하여, 웨이퍼의 표면측에 도달하는 누설광을 확인하는 수법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 공개특허공보 2017-216413호
그러나, 특허문헌 1 에 기재된 수법으로는, 피복층 중 레이저 빔이 도달함으로써 변질된 영역이 관찰되는 것에 불과하여, 누설광이 도달하는 영역을 정량적으로 평가하는 수법은 존재하지 않았다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 누설광이 도달하는 영역을 정량적으로 평가하기 위해, 레이저 빔의 누설광을 검사하기 위한 검사용 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 레이저 빔의 누설광을 검사하기 위한 검사용 기판으로서, 그 검사용 기판을 투과하는 파장을 갖는 그 레이저 빔이 조사되는 일방의 면과, 그 일방의 면과는 반대측의 타방의 면과, 그 타방의 면에 설정된 스트리트와, 그 타방의 면에서, 각각이 그 스트리트를 따라서 그 스트리트로부터 상이한 거리에 배치된 복수의 제 1 검사용 배선과, 그 타방의 면에서 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에 2 개 이상 형성되고, 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에서 그 스트리트를 따른 방향으로 떨어져 배치되어 있는 복수의 제 1 전극 패드를 구비하는 검사용 기판이 제공된다. 바람직하게는, 검사용 기판은, 그 타방의 면에서 그 복수의 제 1 검사용 배선으로부터 그 스트리트를 따라서 떨어져 있으며, 또한, 각각이 그 스트리트를 따라서 그 스트리트로부터 상이한 거리에 배치된 복수의 제 2 검사용 배선을 추가로 구비한다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 검사용 기판을 사용하여 레이저 빔의 누설광을 검사하는 검사 방법으로서, 그 검사용 기판은, 그 검사용 기판을 투과하는 파장을 갖는 그 레이저 빔이 조사되는 일방의 면과, 그 일방의 면과는 반대측의 타방의 면과, 그 타방의 면에 설정된 스트리트와, 그 타방의 면에서, 각각이 그 스트리트를 따라서 그 스트리트로부터 상이한 거리에 배치된 복수의 제 1 검사용 배선과, 그 타방의 면에서 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에 2 개 이상 형성되고, 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에서 그 스트리트를 따른 방향으로 떨어져 배치되어 있는 복수의 제 1 전극 패드를 구비하고, 그 검사 방법은, 척 테이블에 의해 그 검사용 기판의 그 타방의 면측을 유지하는 유지 스텝과, 그 검사용 기판의 그 일방의 면측으로부터, 그 스트리트를 따라서 그 레이저 빔을 조사하여, 그 검사용 기판의 내부에 그 스트리트를 따라서 개질층을 형성하는 레이저 가공 스텝과, 그 레이저 가공 스텝 후, 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에 형성되어 있는 그 복수의 제 1 전극 패드에 프로브를 접촉시켜, 그 복수의 제 1 검사용 배선의 단선을 확인함으로써 그 누설광의 유무를 확인하는, 누설광 확인 스텝을 구비하는 검사 방법이 제공된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 검사용 기판은, 레이저 빔이 조사되는 일방의 면과는 반대측의 타방의 면에, 복수의 제 1 검사용 배선과 복수의 제 1 전극 패드를 갖는다. 제 1 복수의 검사용 배선의 각각은, 스트리트를 따라서 스트리트로부터 상이한 거리에 배치되어 있다. 또, 복수의 제 1 전극 패드는, 제 1 복수의 검사용 배선의 각각에 2 개 이상 형성되고, 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에서 스트리트를 따른 방향으로 떨어져 배치되어 있다.
스트리트를 따라서 레이저 빔을 조사한 후, 예를 들어, 2 개의 제 1 전극 패드의 각각에 프로브 (즉, 탐침) 를 접촉시켜 통전시킴으로써, 제 1 검사용 배선의 검사를 실시한다. 이로써, 스트리트로부터 상이한 거리의 위치에 각각이 배치된 복수의 제 1 검사용 배선 중, 어느 위치의 제 1 검사용 배선이 누설광을 받아 단선되었는지를 특정할 수 있으므로, 누설광의 영향을 정량적으로 평가할 수 있다.
도 1 은 프레임 유닛의 사시도이다.
도 2 는 제 1 실시형태에 관련된 디바이스 영역을 부분적으로 확대하여 나타내는 평면도이다.
도 3 은 프레임 유닛 및 레이저 가공 장치의 일부 단면 측면도이다.
도 4 는 도 3 의 영역 C 의 확대도이다.
도 5(A) 는 디바이스 영역을 부분적으로 확대하여 나타내는 평면도이고, 도 5(B) 는 디바이스 영역을 부분적으로 확대하여 나타내는 평면도이다.
도 6 은 검사 방법을 나타내는 플로도이다.
도 7 은 제 2 실시형태에 관련된 디바이스 영역의 부분 확대도이다.
도 8 은 제 3 실시형태에 관련된 디바이스 영역의 부분 확대도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대해 설명한다. 도 1 은, 프레임 유닛 (1) 의 사시도이다. 프레임 유닛 (1) 은, 누설광을 검사하기 위한 검사용 기판 (11) 을 갖는다. 검사용 기판 (11) 은 원반상 (圓盤狀) 이고, 검사용 기판 (11) 은 원형의 표면 (타방의 면) (11a) 및 이면 (일방의 면) (11b) 과, 500 ㎛ 내지 1000 ㎛ 정도의 두께를 갖는다.
검사용 기판 (11) 은, 실리콘 (Si) 기판으로 형성된 웨이퍼이다. 단, 검사용 기판 (11) 은 실리콘에만 한정되지 않고, 갈륨비소 (GaAs), 탄화규소 (SiC) 및 질화갈륨 (GaN) 등의 반도체 재료, 사파이어, 또는 각종 유리 등으로 형성되어도 된다.
검사용 기판 (11) 의 표면 (11a) 측에는, 서로 교차하도록 복수의 스트리트 (13) 가 설정되어 있다. 각 스트리트 (13) 는, 제 1 방향 (A), 또는, 제 1 방향 (A) 에 직교하는 제 2 방향 (B) 과 평행하게 설정되어 있다.
복수의 스트리트 (13) 에 의해 구획된 복수의 영역의 각각에는, 디바이스 (15a) 및 검사용 에어리어 (15b) 가 형성되어 있다. 또한, 본 명세서에서는, 디바이스 (15a) 및 검사용 에어리어 (15b) 가 형성된 영역을 디바이스 영역 (15A) 이라고 부른다.
예를 들어, 복수의 디바이스 (15a) 는 제 1 방향 (A) 을 따라서 일렬로 배치되고, 이 디바이스 (15a) 의 열에 제 2 방향 (B) 에서 인접하도록, 복수의 검사용 에어리어 (15b) 가 제 1 방향 (A) 을 따라서 일렬로 배치되어 있다. 이와 같이, 각각 일렬로 배치된 복수의 디바이스 (15a) 와 복수의 검사용 에어리어 (15b) 가, 디바이스 영역 (15A) 의 제 2 방향 (B) 의 일단에서부터 타단까지 교대로 배치되어 있다.
단, 디바이스 (15a) 및 검사용 에어리어 (15b) 의 배치는, 상기 서술한 예로 한정되지 않는다. 복수의 디바이스 (15a) 및 복수의 검사용 에어리어 (15b) 는, 제 2 방향 (B) 을 따라서 일렬로 배치되고, 디바이스 영역 (15A) 의 제 1 방향 (A) 의 일단에서부터 타단까지 교대로 배치되어도 된다.
또, 복수의 디바이스 (15a) 및 복수의 검사용 에어리어 (15b) 는, 제 1 방향 (A) 및 제 2 방향 (B) 에서 교대로 (즉, 체커상으로) 배치되어도 된다. 또한, 디바이스 영역 (15A) 에는, 디바이스 (15a) 를 형성하지 않아도 된다. 디바이스 (15a) 를 형성하지 않는 경우, 복수의 스트리트 (13) 에 의해 구획된 각 영역에는 검사용 에어리어 (15b) 가 형성된다.
다음으로, 검사용 에어리어 (15b) 의 상세에 대하여 설명한다. 도 2 는, 제 1 실시형태에 관련된 디바이스 영역 (15A) 을 부분적으로 확대하여 나타내는 평면도이다. 또한, 도 2 에서는, 편의상, 제 1 방향 (A) 을 따른 스트리트 (13) 를 스트리트 (13-1) 로 표기하고, 제 2 방향 (B) 을 따른 스트리트 (13) 를 스트리트 (13-2) 로 표기한다.
도 2 에서는, 제 1 방향 (A) 을 따라서 배치된 2 개의 디바이스 (15a) 와, 2 개의 디바이스 (15a) 에 제 2 방향 (B) 에서 인접하고 제 1 방향 (A) 을 따라서 배치된 2 개의 검사용 에어리어 (15b) 와, 2 개의 검사용 에어리어 (15b) 에 제 2 방향 (B) 에서 인접하고 제 1 방향 (A) 을 따라서 배치된 추가로 2 개의 디바이스 (15a) 를 나타낸다.
검사용 에어리어 (15b) 는, 표면 (타방의 면) (11a) 측에 배치된 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 을 갖는다. 제 1 검사용 배선 (23a) 의 각각은, 스트리트 (13-2) 를 따라서 배치되어 있다. 제 1 검사용 배선 (23a) 의 각각은, 도전성 재료 (예를 들어, 주석 (Sn)) 로 형성된 박막상의 배선층이다.
제 1 검사용 배선 (23a) 의 각각은, 소정의 에너지의 레이저 빔에 의해 단선되는 선폭 및 두께를 갖는다. 그러므로, 제 1 검사용 배선 (23a) 의 각각은, 소정의 에너지의 레이저 빔의 누설광에 의해 단선될 수 있다.
예를 들어, 제 1 검사용 배선 (23a) 의 각각은, 10 ㎚ 이상 5 ㎛ 이하의 선폭을 갖고, 디바이스 (15a) 에 형성되는 적층 배선의 1 층분에 상당하는 두께 (예를 들어, 10 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하의 두께) 를 갖는다.
복수의 제 1 검사용 배선 (23a) (23a-1, 23a-2, 23a-3, 23a-4 및 23a-5) 의 각각은, 스트리트 (13-2) 로부터 상이한 거리의 위치에 배치되어 있다. 제 1 검사용 배선 (23a-1) 은, 스트리트 (13-2) 에 접한다.
제 1 검사용 배선 (23a-2, 23a-3, 23a-4 및 23a-5) 은, 이 순서대로, 제 1 검사용 배선 (23a-1) 으로부터 멀어지도록 배치되어 있다. 요컨대, 제 1 검사용 배선 (23a-2) 이 가장 제 1 검사용 배선 (23a-1) 에 가깝고, 제 1 검사용 배선 (23a-5) 이 가장 제 1 검사용 배선 (23a-1) 으로부터 멀다.
복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 은, 인접하는 각각이 서로 소정 거리만큼 떨어지도록 배치되어 있다. 예를 들어, 제 1 검사용 배선 (23a) 의 각각은, 후술하는 대략 정방형의 제 1 전극 패드 (25a) 의 1 변과 동일한 정도의 거리만큼 서로 떨어져 있다.
제 1 검사용 배선 (23a) 은, 스트리트 (13-2) 로부터 멀어질수록 제 2 방향 (B) 의 길이가 작아진다. 요컨대, 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 의 제 2 방향 (B) 의 길이는, 제 1 검사용 배선 (23a-1) 이 가장 길고, 제 1 검사용 배선 (23a-5) 이 가장 짧다.
제 1 검사용 배선 (23a) 의 각각은, 제 2 방향 (B) 의 길이의 중심 위치가 제 1 방향 (A) 을 따라서 일렬로 나란하도록 배치되어 있다. 그러므로, 제 1 검사용 배선 (23a-1) 의 양단은, 제 1 검사용 배선 (23a-2) 의 양단보다 외측에 위치하고, 제 1 검사용 배선 (23a-2) 의 양단은, 제 1 검사용 배선 (23a-3) 의 양단보다 외측에 위치한다.
또, 제 1 검사용 배선 (23a-3) 의 양단은, 제 1 검사용 배선 (23a-4) 의 양단보다 외측에 위치하고, 제 1 검사용 배선 (23a-4) 의 양단은, 제 1 검사용 배선 (23a-5) 의 양단보다 외측에 위치한다.
제 1 검사용 배선 (23a) 의 각각에는, 스트리트 (13-2) 를 따른 방향으로 떨어진 2 개의 위치 (보다 구체적으로는, 길이 방향의 양단) 에 제 1 전극 패드 (25a) 가 배치되어 있다. 제 1 전극 패드 (25a) 는, 예를 들어, 가로세로 수십 ㎛ 의 대략 정방형이고, 그 1 변은 제 1 검사용 배선 (23a) 의 길이 방향의 단부에 위치한다.
제 1 전극 패드 (25a) 는, 예를 들어, 주석으로 형성된 층이고, 제 1 검사용 배선 (23a) 과 동일한 두께를 갖는다. 단, 제 1 전극 패드 (25a) 의 1 변은, 제 1 검사용 배선 (23a) 의 선폭보다 크다.
스트리트 (13-2) 를 따라 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 으로부터 멀어진 위치에는, 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) (23b-1, 23b-2, 23b-3, 23b-4 및 23b-5) 이 배치되어 있다. 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 의 각각은, 스트리트 (13-2) 로부터 상이한 거리의 위치에 배치되어 있다. 제 2 검사용 배선 (23b-1) 은, 스트리트 (13-2) 에 접한다.
제 2 검사용 배선 (23b-2, 23b-3, 23b-4 및 23b-5) 은, 이 순서대로, 제 2 검사용 배선 (23b-1) 으로부터 멀어지도록 배치되어 있다. 요컨대, 제 2 검사용 배선 (23b-2) 이 가장 제 2 검사용 배선 (23b-1) 에 가깝고, 제 2 검사용 배선 (23b-5) 이 가장 제 2 검사용 배선 (23b-1) 으로부터 멀다. 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 도, 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 과 마찬가지로, 인접하는 각각이 서로 소정 거리만큼 떨어지도록 배치되어 있다
제 2 검사용 배선 (23b) 도, 스트리트 (13-2) 로부터 멀어질수록, 제 2 방향 (B) 의 길이가 작아진다. 또, 제 2 검사용 배선 (23b) 의 각각은, 제 2 방향 (B) 의 길이의 중심 위치가 제 1 방향 (A) 을 따라서 일렬로 나란하도록 배치되어 있다.
제 2 검사용 배선 (23b) 의 각각의 양단에도, 제 1 전극 패드 (25a) 와 동일한 형상을 갖고 또한 주석으로 형성된 제 2 전극 패드 (25b) 가 배치되어 있다. 제 2 전극 패드 (25b) 도, 그 1 변이 제 2 검사용 배선 (23b) 의 길이 방향의 단부에 위치하도록 배치되어 있다.
복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 과 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 은, 제 2 방향 (B) 에서 서로 떨어진 상태로 스트리트 (13-2) 를 따라 교대로 배치되어 있다. 또한, 가능한 한 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 과 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 을 조밀하게 배치하기 위해, 제 2 방향 (B) 에서 인접하는 제 1 전극 패드 (25a) 와 제 2 전극 패드 (25b) 는, 예를 들어, 1 개의 제 1 전극 패드 (25a) 의 1 변의 길이보다 작은 거리만큼 떨어져 있다.
보다 구체적인 예를 들면, 제 2 방향 (B) 에서 인접하는 제 1 전극 패드 (25a) 와 제 2 전극 패드 (25b) 는, 레이저 빔의 스폿 직경과 동일한 길이만큼 떨어져 있다. 이와 같이 하여, 검사용 에어리어 (15b) 의 스트리트 (13-2) 의 근방에는, 제 2 방향 (B) 의 일방측 (예를 들어, 플러스측) 에서부터 타방측 (예를 들어, 마이너스측) 까지, 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 과 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 이 조밀하게 배치되어 있다.
동일하게, 1 개의 검사용 에어리어 (15b) 에 있어서, 제 1 방향 (A) 에서 스트리트 (13-2) 와는 반대측에 위치하는 스트리트 (13-2) 의 근방에도, 제 2 방향 (B) 의 일방측에서부터 타방측까지, 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 과 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 이 조밀하게 배치되어 있다.
또, 동일한 1 개의 검사용 에어리어 (15b) 에 있어서, 제 2 방향 (B) 의 일방측에 위치하는 스트리트 (13-1) 의 근방에는, 제 1 방향 (A) 의 일방측에서부터 타방측까지, 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 과 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 이 교대로 또한 조밀하게 배치되어 있다.
또한, 동일한 1 개의 검사용 에어리어 (15b) 에 있어서, 제 2 방향 (B) 의 타방측에 위치하는 스트리트 (13-1) 의 근방에는, 제 1 방향 (A) 의 일방측에서부터 타방측까지, 복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 과 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 이 교대로 또한 조밀하게 배치되어 있다.
또한, 도 2 에서는, 몇 개의 제 1 검사용 배선 (23a) 및 제 2 검사용 배선 (23b) 을 간단히 검사용 배선 (23) 으로 나타내고, 동일하게, 몇 개의 제 1 전극 패드 (25a) 및 제 2 전극 패드 (25b) 를 간단히 전극 패드 (25) 로 나타낸다.
여기서, 도 1 로 돌아와, 프레임 유닛 (1) 에 대해 설명한다. 검사용 기판 (11) 의 표면 (11a) 측에는, 디바이스 영역 (15A) 의 외주를 둘러싸듯이, 디바이스 (15a) 도 검사용 에어리어 (15b) 도 형성되어 있지 않은 외주 잉여 영역 (15B) 이 존재한다.
검사용 기판 (11) 의 외주 단부의 일부에는, 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 노치 (11c) 가 형성되어 있다. 또한, 노치 (11c) 대신에, 오리엔테이션 플랫 등의 다른 마크가 형성되어 있어도 된다.
검사용 기판 (11) 은, 예를 들어, 다이싱 테이프 (17) 를 개재하여 금속제의 환상 (環狀) 프레임 (19) 의 개구부에 고정되어 있다. 다이싱 테이프 (17) 는, 신장성을 갖는 수지제의 필름이다. 다이싱 테이프 (17) 는, 점착성을 갖는 수지제의 점착층 (도시 생략) 과, 점착성을 갖지 않는 수지제의 기재층 (도시 생략) 의 적층 구조를 갖는다.
점착층은, 예를 들어, 자외선 경화형의 수지층으로, 기재층의 일면의 전체에 형성되어 있다. 점착층에 자외선이 조사되면, 점착층의 점착력이 저하되어, 다이싱 테이프 (17) 가 검사용 기판 (11) 으로부터 박리되기 쉬워진다.
환상 프레임 (19) 은, 검사용 기판 (11) 의 직경보다 큰 직경의 개구를 갖는다. 이 개구에 검사용 기판 (11) 을 배치한 상태로, 검사용 기판 (11) 의 표면 (11a) 측과 환상 프레임 (19) 의 일면에 다이싱 테이프 (17) 의 점착층측을 첩부함으로써, 프레임 유닛 (1) 이 형성된다.
다음으로, 도 3, 도 4, 도 5(A), 도 5(B) 및 도 6 을 사용하여, 누설광을 검사하는 검사 방법을 설명한다. 또한, 도 6 은, 검사 방법을 나타내는 플로도이다. 제 1 실시형태에 관련된 검사 방법에서는, 먼저, 레이저 가공 장치 (10) 의 척 테이블 (12) 에 의해 프레임 유닛 (1) 을 유지한다 (유지 스텝 (S10)). 도 3 은, 프레임 유닛 (1) 및 레이저 가공 장치 (10) 의 일부 단면 측면도이다.
레이저 가공 장치 (10) 는, 척 테이블 (12) 을 갖는다. 척 테이블 (12) 의 표면측에는, 포러스 세라믹스 등의 재료로 형성된 원반상의 포러스판이 형성되어 있다. 포러스판은 척 테이블 (12) 의 내부에 형성된 유로 (도시 생략) 를 통해서 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 흡인원이 발생하는 부압에 의해, 포러스판의 표면 (즉, 유지면 (12a)) 에는 흡인력이 발생한다.
척 테이블 (12) 의 외주측 면에는, 복수의 클램프 유닛 (14) 이 고정되고 있다. 예를 들어, 척 테이블 (12) 을 상면에서 본 경우에, 시계의 0 시, 3 시, 6 시 및 9 시의 각 위치에 1 개의 클램프 유닛 (14) 이 배치된다.
척 테이블 (12) 의 하방에는, X 축 이동 유닛 (도시 생략) 및 Y 축 이동 유닛 (도시 생략) 이 형성된다. X 축 이동 유닛 및 Y 축 이동 유닛은, 각각 볼 나사 기구를 갖고, 척 테이블 (12) 을 X 축 방향 및 Y 축 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 척 테이블 (12) 은, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, Z 축 방향 (연직 방향) 으로 대략 평행한 직선을 회전축으로 하여 회전할 수 있다.
척 테이블 (12) 의 상방에는, 레이저 빔 조사 유닛을 구성하는 가공 헤드 (16) 가 형성되어 있다. 가공 헤드 (16) 로부터는, 검사용 기판 (11) 을 투과하는 파장을 갖는 펄스상의 레이저 빔 (L) 이 유지면 (12a) 을 향하여 대략 수직으로 조사된다.
유지 스텝 (S10) 에서는, 먼저, 검사용 기판 (11) 의 이면 (11b) 이 위를 향한 양태로, 유지면 (12a) 상에 프레임 유닛 (1) 을 재치 (載置) 한다. 이 상태에서, 흡인원을 동작시켜 유지면 (12a) 에 부압을 작용시킨다.
또한, 클램프 유닛 (14) 으로 환상 프레임 (19) 의 위치를 고정시킨다. 이로써, 이면 (일방의 면) (11b) 과는 반대측에 위치하는 표면 (타방의 면) (11a) 측은, 다이싱 테이프 (17) 를 개재하여 척 테이블 (12) 에 의해 유지된다.
다음으로, 레이저 가공 장치 (10) 를 사용하여, 검사용 기판 (11) 의 스트리트 (13) 를 따라서 이면 (일방의 면) (11b) 측에 레이저 빔 (L) 을 조사한다 (레이저 가공 스텝 (S20)). 먼저, 회전 구동원을 동작시켜 검사용 기판 (11) 의 스트리트 (13) 가 X 축 방향과 평행이 되도록, 척 테이블 (12) 의 방향을 조정한다.
그리고, 가공 헤드 (16) 의 하단이 1 개의 스트리트 (13) 의 X 축 방향의 일방 (예를 들어, ＋X 방향) 측의 연장선 상에 위치하도록, X 축 이동 유닛으로 척 테이블 (12) 의 위치를 조정한다. 그 후, 레이저 빔 (L) 의 집광점이 검사용 기판 (11) 의 내부에 위치되도록, 레이저 빔 (L) 을 가공 헤드 (16) 로부터 검사용 기판 (11) 의 이면 (11b) 측에 조사한다.
그리고, 검사용 기판 (11) 의 이면 (11b) 측으로부터 조사된 레이저 빔 (L) 의 집광점이 검사용 기판 (11) 의 내부에 위치시켜진 상태에서, X 축 이동 유닛을 동작시켜, 척 테이블 (12) 을 X 축 방향의 타방 (예를 들어, +X 방향) 측으로 이동시킨다.
가공 헤드 (16) 를 척 테이블 (12) 에 대해 상대적으로 이동시키면서, 스트리트 (13) 를 따라서 레이저 빔 (L) 을 조사함으로써 (첫 번째 패스), 검사용 기판 (11) 의 내부에 스트리트 (13) 를 따라서 첫 번째의 개질층 (11d) 이 형성된다.
첫 번째 패스 후에, 집광점의 깊이 위치를 소정 거리만큼 이면 (11b) 측으로 이동시킨 다음에, 동일한 스트리트 (13) 를 따라서 척 테이블 (12) 을 X 축 방향의 일방 (예를 들어, -X 방향) 측으로 이동시킨다 (두 번째 패스). 이로써, 두 번째의 개질층 (11d) 이 형성된다.
두 번째 패스 후에, 집광점의 깊이 위치를 소정 거리만큼 추가로 이면 (11b) 측으로 이동시킨 다음에, 동일한 스트리트 (13) 를 따라서 척 테이블 (12) 을 X 축 방향의 타방 (예를 들어, +X 방향) 측으로 이동시킨다 (세 번째 패스). 이로써, 세 번째의 개질층 (11d) 이 형성된다.
동일하게 하여, 동일한 스트리트 (13) 에 대해, 네 번째 패스 및 다섯 번째 패스의 레이저 빔 (L) 의 조사를 실시함으로써, 네 번째 및 다섯 번째의 개질층 (11d) 이 형성된다. 그 후, 레이저 빔 (L) 의 조사를 일단 정지한다. 레이저 가공 조건은, 예를 들어 다음의 같이 설정된다.
레이저 빔 (L) 의 파장 : 1342 ㎚
펄스의 반복 주파수 : 90 kHz
평균 출력 : 1.9 W
스폿 직경 : 10 ㎛ 내지 20 ㎛
가공 이송 속도 : 700 ㎜/s
다음으로, 척 테이블 (12) 을 소정의 인덱스량만큼 Y 축 방향으로 산출 이송하여, 가공 헤드 (16) 의 하단을 직전에 가공한 1 개의 스트리트 (13) 의 Y 축 방향으로 인접하는 다른 스트리트 (13) 상에 위치시킨다.
다음으로, 다른 스트리트 (13) 를 따라서, 동일하게, 첫 번째 패스에서부터 다섯 번째 패스까지 레이저 빔 (L) 을 조사한다. 이와 같이 하여, 하나의 방향으로 평행한 모든 스트리트 (13) 를 따라서, 5 층의 개질층 (11d) 을 형성한다.
그 후, 척 테이블 (12) 을 90 도 회전시켜, 일방향에 직교하는 타방향과 평행한 모든 스트리트 (13) 를 따라서, 첫 번째 패스로부터 다섯 번째 패스까지 레이저 빔 (L) 을 조사한다. 이로써, 모든 스트리트 (13) 의 각각을 따라서, 5 층의 개질층 (11d) 이 형성된다. 또한, 개질층 (11d) 의 수는 5 층으로 한정되지 않는다. 개질층 (11d) 의 수는, 2 층 이상의 소정의 층수로 해도 된다.
단, 레이저 빔 (L) 의 조사시에는, 레이저 빔 (L) 의 일부가 굴절되거나 또는 반사되어, 누설광 (D) (도 4 참조) (즉, 목적으로 하는 조사 영역 (스트리트 (13)) 을 넘어서 디바이스 (15a) 에 도달하는 광) 이 발생하는 경우가 있다.
예를 들어, 두 번째의 개질층 (11d) 의 형성시에는, 첫 번째의 개질층 (11d) 에서부터 두 번째의 개질층 (11d) 을 향해 형성된 크랙 (11e) 등에 의해, 레이저 빔 (L) 의 일부가 굴절되거나 또는 반사되어 누설광 (D) 이 발생한다.
도 4 는, 도 3 의 영역 C 의 확대도이다. 도 4 에서는, 두 번째의 개질층 (11d) 의 형성시에 발생하는 누설광 (D) 을 나타낸다. 소정의 에너지를 갖는 누설광 (D) 이 스트리트 (13-2) 를 넘어서 검사용 에어리어 (15b) 의 제 1 검사용 배선 (23a) 등에 도달하면, 제 1 검사용 배선 (23a) 등은 손상을 입어, 예를 들어 단선된다.
그래서, 레이저 가공 스텝 (S20) 후, 검사용 배선 (23) 의 단선을 확인한다 (누설광 확인 스텝 (S30)). 이를 위해서, 먼저, 검사용 기판 (11) 의 이면 (일방의 면) (11b) 에 바꿔 붙일 수 있는 테이프 (도시 생략) 를 첩부한 후, 다이싱 테이프 (17) 에 자외선을 조사하여 점착층의 점착력을 저하시킨다. 또한 그 후, 도시를 생략한 박리 장치 등을 사용하여 검사용 기판 (11) 으로부터 다이싱 테이프 (17) 를 박리한다.
누설광 확인 스텝 (S30) 에서는, 웨이퍼 프로버 등의 검사용 지그 (도시 생략) 를 사용하여, 검사용 배선 (23) 의 단선을 확인한다. 검사용 지그는, 전극 패드 (25) 에 접촉 가능한 복수의 프로브 (즉, 탐침) 를 갖는다.
누설광 확인 스텝 (S30) 에서는, 예를 들어, 검사용 지그의 제 1 탐침을 제 1 검사용 배선 (23a-1) 의 일단에 위치하는 제 1 전극 패드 (25a) 에 접촉시키고, 제 2 탐침을 제 1 검사용 배선 (23a-1) 의 타단에 위치하는 제 1 전극 패드 (25a) 에 접촉시킨다. 이 상태에서, 제 1 탐침 및 제 2 탐침 사이에 전류를 흘린다.
예를 들어, 검사용 배선 (23) 의 일부가 누설광 (D) 을 받아 변질됨으로써 검사용 배선 (23) 의 도전성이 현저하게 저하되어 있는 경우, 제 1 탐침 및 제 2 탐침 사이에 소정의 측정 레인지에서 측정 가능한 전류가 흐르지 않는다. 그러므로, 이 검사용 배선 (23) 은 단선되었다고 판단할 수 있다.
이에 대하여, 제 1 검사용 배선 (23a-1) 을 통하여 제 1 탐침 및 제 2 탐침 사이에, 소정의 측정 레인지에서 측정 가능한 소정치 이상의 전류가 흐르는 경우에는, 이 제 1 검사용 배선 (23a) 은 단선되어 있지 않다고 판단할 수 있다.
이와 같이, 검사용 지그를 사용하여 제 1 검사용 배선 (23a-1) 의 단선의 유무를 확인할 수 있다. 동일하게 하여, 제 1 검사용 배선 (23a-2 내지 23a-5) 및 복수의 제 2 검사용 배선 (23b) 의 단선의 유무도 확인할 수 있다.
각 검사용 배선 (23) 의 도통 검사를 실시함으로써 단선의 유무를 검사할 수 있으므로, 어느 위치의 검사용 배선 (23) 이 누설광 (D) 을 받아 단선되었지를 특정할 수 있다. 그러므로, 누설광 (D) 의 영향이 스트리트 (13) 로부터 어느 정도의 거리까지 미치는지를 정량적으로 평가할 수 있다.
도 5(A) 는, 디바이스 영역 (15A) 을 부분적으로 확대하여 나타내는 평면도이다. 도 5(A) 에서는, 누설광 확인 스텝 (S30) 에서의 결과의 일례를 나타낸다. 또한, 도 5(A) 중의 화살표는, 레이저 빔 (L) 과 척 테이블 (12) 의 상대적인 이동 방향 (E) 이고, 예를 들어, 레이저 가공 장치 (10) 의 X 축 방향과 평행하다.
도 5(A) 에 나타내는 예에서는, 스트리트 (13-2) 의 제 1 방향 (A) 의 일방측 (예를 들어, 플러스측) 의 검사용 에어리어 (15b) 에만 변질 영역 (27) 이 형성되어 있다. 변질 영역 (27) 이 형성된 검사용 배선 (23) 은 단선되어 있다. 또한, 스트리트 (13-2) 의 제 1 방향 (A) 의 타방측 (예를 들어, 마이너스측) 의 검사용 에어리어 (15b) 에는 변질 영역 (27) 이 형성되어 있지 않다.
그런데, 레이저 빔 (L) 을 조사하기 위한 광학계의 렌즈의 광축이나 동 광학계의 슬릿의 중심과 레이저 빔 (L) 의 중심과의 위치 어긋남 등에 기인하여, 레이저 빔 (L) 의 에너지 분포에 치우침이 발생하는 경우가 있다. 이 경우, 누설광 (D) 은, 도 5(A) 에 나타내는 예와는 상이한 영역에 도달한다. 도 5(B) 는, 디바이스 영역 (15A) 을 부분적으로 확대하여 나타내는 평면도이다. 도 5(B) 에서는, 누설광 확인 스텝 (S30) 에서의 결과의 다른 예를 나타낸다.
도 5(B) 에 나타내는 예에서는, 스트리트 (13-2) 를 사이에 두고 양측의 검사용 에어리어 (15b) 에 변질 영역 (27) 이 형성되어 있다. 변질 영역 (27) 이 형성된 검사용 배선 (23) 은 단선되어 있지만, 변질 영역 (27) 이 형성되어 있지 않은 검사용 배선 (23) 은 단선되어 있지 않다.
이와 같이, 검사용 에어리어 (15b) 에 형성된 검사용 배선 (23) 을 이용하여 도통 검사를 실시함으로써, 어느 위치의 검사용 배선 (23) 이 누설광 (D) 을 받아 단선되었는지를 특정할 수 있다. 그러므로, 누설광 (D) 의 영향이 스트리트 (13) 로부터 어느 정도의 거리까지 미치는지, 누설광 (D) 이 어느 정도의 빈도로 발생하고 있는지 등을 정량적으로 평가할 수 있다. 또, 정량적인 평가에 기초하여, 레이저 빔 (L) 의 조사 조건을 수정할 수 있다.
다음으로, 제 2 실시형태의 검사용 기판 (11) 에 대해 설명한다. 도 7 은, 제 2 실시형태에 관련된 디바이스 영역 (15A) 의 부분 확대도이다. 제 2 실시형태의 검사용 기판 (11) 은, 검사용 에어리어 (15b) 에 추가하여, 스트리트 (13-2) 에도 복수의 검사용 배선 (23) 을 갖는다.
보다 구체적으로는, 스트리트 (13-2) 를 사이에 두고 대향하듯이 배치된 2 개의 검사용 에어리어 (15b) 의 사이에, 복수의 제 3 검사용 배선 (23c) (23c-1, 23c-2, 23c-3 및 23c-4) 이 스트리트 (13-2) 를 따라서 형성되어 있다. 복수의 제 3 검사용 배선 (23c) 은, 스트리트 (13-2) 와 직교하는 방향에서, 인접하는 각각이 서로 소정 거리만큼 떨어지도록 배치되어 있다.
제 3 검사용 배선 (23c) 의 각각은, 제 2 방향 (B) 에서 제 1 검사용 배선 (23a-1) 과 동일한 길이를 갖는다. 또, 제 3 검사용 배선 (23c) 의 각각의 양단에는, 제 1 전극 패드 (25a) 와 동일한 재료로 형성되며 또한 동일한 형상 및 크기를 갖는 제 3 전극 패드 (25c) 가 형성되어 있다.
제 2 방향 (B) 을 따라서 복수의 제 3 검사용 배선 (23c) 으로부터 소정 거리 떨어진 양태로, 복수의 제 4 검사용 배선 (23d) (23d-1, 23d-2, 23d-3 및 23d-4) 이 스트리트 (13-2) 를 따라서 형성되어 있다. 복수의 제 4 검사용 배선 (23d) 은, 스트리트 (13-2) 와 직교하는 방향에서, 인접하는 각각이 서로 소정 거리만큼 떨어지도록 배치되어 있다.
제 4 검사용 배선 (23d) 의 각각은, 제 2 방향 (B) 에서 제 2 검사용 배선 (23b-1) 과 동일한 길이를 갖는다. 또, 제 4 검사용 배선 (23d) 의 각각의 양단에는, 제 2 전극 패드 (25b) 와 동일한 재료로 형성되며 또한 동일한 형상 및 크기를 갖는 제 4 전극 패드 (25d) 가 형성되어 있다.
제 3 검사용 배선 (23c) 과 제 4 검사용 배선 (23d) 을 조밀하게 배치하기 위해, 제 2 방향 (B) 에서 인접하는 제 3 전극 패드 (25c) 와 제 4 전극 패드 (25d) 는, 제 2 방향 (B) 에서 인접하는 제 1 전극 패드 (25a) 및 제 2 전극 패드 (25b) 사이의 거리와 동일한 거리만큼 떨어져 있다. 또, 복수의 제 3 검사용 배선 (23c) 과 복수의 제 4 검사용 배선 (23d) 은, 스트리트 (13-2) 를 따라서 교대로 배치되어 있다.
제 2 실시형태에서는, 검사용 기판 (11) 의 스트리트 (13-2) 에 복수의 검사용 배선 (23) 을 형성하기 때문에, 누설광 (D) 의 영향이 스트리트 (13-2) 의 어느 범위까지 미치는지를 정량적으로 평가할 수 있다. 또한, 단선된 제 3 검사용 배선 (23c) 및 제 4 검사용 배선 (23d) 의 수에 기초하여, 누설광 (D) 이 제 3 검사용 배선 (23c) 및 제 4 검사용 배선 (23d) 에 도달하는 빈도를 산출할 수 있다.
또한, 제 3 검사용 배선 (23c) 및 제 4 검사용 배선 (23d) 의 배치는, 상기 서술한 예로 한정되지 않는다. 제 3 검사용 배선 (23c) 및 제 4 검사용 배선 (23d) 은, 제 3 전극 패드 (25c) 및 제 4 전극 패드 (25d) 를 통하여, 제 2 방향 (B) 을 따라서 하나로 이어지도록 형성되어 있어도 된다. 또, 제 3 검사용 배선 (23c) 및 제 4 검사용 배선 (23d) 은, 스트리트 (13-2) 에 추가하여, 스트리트 (13-1) 에도 형성되어도 된다.
다음으로, 제 3 실시형태의 검사용 기판 (11) 에 대해 설명한다. 도 8 은, 제 3 실시형태에 관련된 디바이스 영역 (15A) 의 부분 확대도이다. 제 3 실시형태의 검사용 에어리어 (15b) 에는, 스트리트 (13-2) 측에 복수의 제 5 검사용 배선 (23e) (복수의 제 1 검사용 배선 (23a) 의 변형예에 대응한다) 이 형성되어 있다.
복수의 제 5 검사용 배선 (23e) (23e-1, 23e-2, 23e-3, 23e-4 및 23e-5) 의 각각은, 제 2 방향 (B) 을 따라서 검사용 에어리어 (15b) 의 한 변과 대략 동등한 길이를 갖는다. 제 5 검사용 배선 (23e) 의 각각은, 제 2 방향 (B) 에 있어서의 양단의 위치가 일치하고 있다.
제 5 검사용 배선 (23e) 의 길이 방향의 양단의 각각에는, 제 5 전극 패드 (25e) 가 배치되어 있다. 또, 제 5 검사용 배선 (23e) 의 각각에는, 그 양단 사이의 위치에 소정의 간격으로 1 이상의 제 5 전극 패드 (25e) 가 추가로 형성되어 있다.
또한, 제 5 검사용 배선 (23e) 의 각각에 있어서, 제 1 방향 (A) 에서 인접하는 복수의 제 5 전극 패드 (25e) 는, 제 1 방향 (A) 에서 정렬하고 있다. 즉, 제 1 방향 (A) 에서 인접하는 복수의 제 5 전극 패드 (25e) 는, 제 2 방향 (B) 의 동일한 위치에 배치되어 있다.
제 3 실시형태의 검사용 기판 (11) 에서는, 제 5 검사용 배선 (23e) 에 있어서 제 2 방향 (B) 에서 인접하는 1 쌍의 제 5 전극 패드 (25e) 중 일방에 제 1 탐침을 접촉시키고, 다른 타방에 제 2 탐침을 접촉시켜, 도통 검사를 실시한다.
이로써, 제 2 방향 (B) 에서 인접하는 임의의 1 쌍의 제 5 전극 패드 (25e) 사이에 위치하는 제 5 검사용 배선 (23e) 의 일부가 단선되어 있는지 여부를 확인할 수 있다. 또, 단선된 영역의 수에 기초하여, 누설광 (D) 이 제 5 검사용 배선 (23e) 에 도달하는 빈도를 산출할 수 있다.
제 3 실시형태의 검사용 배선 (23) 은, 스트리트 (13-2) 로부터의 거리에 상관없이 제 2 방향 (B) 으로 동일한 길이를 갖는다. 그러므로, 예를 들어, 제 1 실시형태에 있어서 제 2 방향 (B) 에서 인접하는 제 1 검사용 배선 (23a-5) 과 제 2 검사용 배선 (23b-5) 의 사이에 도달하는 누설광 (D) 도, 제 3 실시형태에서는, 제 5 검사용 배선 (23e-5) 에 도달한다. 따라서, 제 1 실시형태에 비해, 보다 정확하게 누설광 (D) 의 빈도를 산출할 수 있다.
또한, 제 3 실시형태에서는, 복수의 제 5 검사용 배선 (23e) 이 하나의 검사용 에어리어 (15b) 의 4 변에 걸쳐서 동일하게 형성되어 있다. 요컨대, 제 5 검사용 배선 (23e) 은, 제 1 방향 (A) 에서 스트리트 (13-2) 와는 반대측에 위치하는 스트리트 (13-2) 의 근방과, 제 2 방향 (B) 의 일방측 (예를 들어, 플러스측) 및 제 2 방향 (B) 의 타방측 (예를 들어, 마이너스측) 에 위치하는 스트리트 (13-1) 의 근방에도 형성되어 있다.
그러므로, 1 개의 검사용 에어리어 (15b) 의 4 변의 각각에 있어서, 단선된 제 5 검사용 배선 (23e) 의 영역의 수에 기초하여, 누설광 (D) 이 도달하는 빈도를 산출할 수 있다. 또한, 제 3 실시형태에서도, 하나의 검사용 에어리어 (15b) 의 4 변의 각각에 있어서, 누설광 (D) 의 영향이 스트리트 (13) 로부터 어느 정도의 거리까지 미치는지를 정량적으로 평가할 수 있다.
그 밖에, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절히 변경하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 검사용 배선 (23) 의 배치 및 전극 패드 (25) 의 형상 및 배치는, 상기 서술한 예로 한정되지 않는다. 제 3 실시형태의 검사용 기판 (11) 의 스트리트 (13) 에, 제 2 실시형태의 제 3 검사용 배선 (23c) 및 제 4 검사용 배선 (23d) 을 적용해도 된다.
또, 상기 서술한 실시형태에서는, 제 1 탐침 및 제 2 탐침 사이에 소정의 측정 레인지에서 측정 가능한 전류가 흐르는지 아닌지에 의해, 검사용 배선 (23) 의 단선을 판단하였다. 그러나, 검사용 배선 (23) 의 저항값의 변화를 측정함으로써, 검사용 배선 (23) 이 부분적으로 손상되었는지, 또는, 검사용 배선 (23) 이 단선되었는지를 판단해도 된다.
1 : 프레임 유닛
10 : 레이저 가공 장치
11 : 검사용 기판
11a : 표면 (타방의 면)
11b : 이면 (일방의 면)
11c : 노치
11d : 개질층
11e : 크랙
12 : 척 테이블
12a : 유지면
13, 13-1, 13-2 : 스트리트
14 : 클램프 유닛
15a : 디바이스
15b : 검사용 에어리어
15A : 디바이스 영역
15B : 외주 잉여 영역
16 : 가공 헤드
17 : 다이싱 테이프
19 : 환상 프레임
23 : 검사용 배선
23a : 제 1 검사용 배선
23b : 제 2 검사용 배선
23c : 제 3 검사용 배선
23d : 제 4 검사용 배선
23e : 제 5 검사용 배선
25 : 전극 패드
25a : 제 1 전극 패드
25b : 제 2 전극 패드
25c : 제 3 전극 패드
25d : 제 4 전극 패드
25e : 제 5 전극 패드
27 : 변질 영역
A : 제 1 방향
B : 제 2 방향
C : 영역
D : 누설광
E : 이동 방향
L : 레이저 빔

Claims (3)

  1. 레이저 빔의 누설광을 검사하기 위한 검사용 기판으로서,
    그 검사용 기판을 투과하는 파장을 갖는 그 레이저 빔이 조사되는 일방의 면과,
    그 일방의 면과는 반대측의 타방의 면과,
    그 타방의 면에 설정된 스트리트와,
    그 타방의 면에서, 각각이 그 스트리트를 따라서 그 스트리트로부터 상이한 거리에 배치된 복수의 제 1 검사용 배선과,
    그 타방의 면에서 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에 2 개 이상 형성되고, 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에서 그 스트리트를 따른 방향으로 떨어져 배치되어 있는 복수의 제 1 전극 패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 검사용 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 타방의 면에서 그 복수의 제 1 검사용 배선으로부터 그 스트리트를 따라서 떨어져 있으며, 또한, 각각이 그 스트리트를 따라서 그 스트리트로부터 상이한 거리에 배치된 복수의 제 2 검사용 배선을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 검사용 기판.
  3. 검사용 기판을 사용하여 레이저 빔의 누설광을 검사하는 검사 방법으로서,
    그 검사용 기판은,
    그 검사용 기판을 투과하는 파장을 갖는 그 레이저 빔이 조사되는 일방의 면과,
    그 일방의 면과는 반대측의 타방의 면과,
    그 타방의 면에 설정된 스트리트와,
    그 타방의 면에서, 각각이 그 스트리트를 따라서 그 스트리트로부터 상이한 거리에 배치된 복수의 제 1 검사용 배선과,
    그 타방의 면에서 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에 2 개 이상 형성되고, 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에서 그 스트리트를 따른 방향으로 떨어져 배치되어 있는 복수의 제 1 전극 패드를 구비하고,
    그 검사 방법은,
    척 테이블에 의해 그 검사용 기판의 그 타방의 면측을 유지하는 유지 스텝과,
    그 검사용 기판의 그 일방의 면측으로부터, 그 스트리트를 따라서 그 레이저 빔을 조사하여, 그 검사용 기판의 내부에 그 스트리트를 따라서 개질층을 형성하는 레이저 가공 스텝과,
    그 레이저 가공 스텝 후, 그 복수의 제 1 검사용 배선의 각각에 형성되어 있는 그 복수의 제 1 전극 패드에 프로브를 접촉시켜, 그 복수의 제 1 검사용 배선의 단선을 확인함으로써 그 누설광의 유무를 확인하는, 누설광 확인 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
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