JP2020157335A - 検査用基板及び検査方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】漏れ光が到達する領域を定量的に評価するべく、レーザービームの漏れ光を検査するための検査用基板を提供する。【解決手段】レーザービームの漏れ光を検査するための検査用基板であって、検査用基板を透過する波長を有するレーザービームが照射される一方の面と、一方の面とは反対側の他方の面と、他方の面に設定されたストリートと、他方の面で、各々がストリートに沿ってストリートから異なる距離に配置された複数の第１の検査用配線と、他方の面で複数の第１の検査用配線の各々に２つ以上設けられ、複数の第１の検査用配線の各々でストリートに沿う方向に離れて配置されている複数の第１の電極パッドと、を備える検査用基板を提供する。【選択図】図２

Description

本発明は、レーザービームで被加工物を加工する際に生じるレーザービームの漏れ光を検査するための検査用基板、及び、この検査用基板を用いてレーザービームの漏れ光を検査する検査方法に関する。
格子状に配置された複数の分割予定ライン（即ち、ストリート）によって区画された各領域に半導体デバイスが形成された円盤状のウェーハが知られている。ウェーハをストリートに沿って分割し半導体チップを製造するためには、例えば、レーザー加工装置が使用される。
例えば、レーザー加工装置を用いて、ウェーハに対して透過性を有する波長のパルス状のレーザービームの集光点をウェーハの内部に位置付ける様に、ウェーハの表面側のストリートに沿ってウェーハの裏面側からレーザービームを照射する。これにより、集光点近傍では多光子吸収が生じ、機械的強度が低下した改質層がストリートに沿って形成される。その後、ウェーハに外力を加えることにより、ウェーハは改質層を起点にストリートに沿って分割される。
改質層を形成する際には、通常、ウェーハの異なる深さ位置に複数の改質層を形成する。例えば、集光点の深さ位置をウェーハの表面側の所定の深さ位置に位置付け、１つのストリートに沿ってレーザービームを照射する。レーザービームをストリートに沿って１回照射すること（即ち、１パス目のレーザービームの照射）により、１層目の改質層が形成される。
その後、集光点の深さ位置を所定距離だけ裏面側に移動させたうえで、再び、同じストリートに沿ってレーザービームを１回照射すること（即ち、２パス目のレーザービームの照射）により、２層目の改質層が形成される。同様に、集光点の深さ位置を所定距離だけ裏面側へ移動させることと、レーザービームの照射とを繰り返し、ウェーハの内部には複数（例えば、２から５）の改質層が形成される。
改質層を形成する際に、レーザービームは、所定深さに位置付けられた集光点で主としてウェーハに吸収されるが、レーザービームの一部は、所定の深さ位置よりも表面側に位置する改質層や改質層から伸びるクラック等により屈折し又は反射される場合がある。
仮に、屈折又は反射によりレーザービームの一部が漏れ光（即ち、目的とする照射領域（即ち、ストリート）を超えて半導体デバイスに到達する光）となると、複数のストリートによって区画されたウェーハの表面側の各領域に形成されている半導体デバイスに漏れ光が到達する。この場合、漏れ光により半導体デバイスが損傷する恐れがある。それゆえ、漏れ光が半導体デバイスに到達しない様に、レーザービームの照射条件（即ち、レーザー加工条件）を選定する必要がある。
そこで、錫（Ｓｎ）や油性インク等で形成された被覆層をウェーハの表面側に形成したうえで、ウェーハの裏面側からレーザービームを照射して、ウェーハの表面側に到達する漏れ光を確認する手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１７−２１６４１３号公報
しかし、特許文献１に記載の手法では、被覆層のうちレーザービームが到達することにより変質した領域が観察されるに過ぎず、漏れ光が到達する領域を定量的に評価する手法は存在しなかった。
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、漏れ光が到達する領域を定量的に評価するべく、レーザービームの漏れ光を検査するための検査用基板を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、レーザービームの漏れ光を検査するための検査用基板であって、該検査用基板を透過する波長を有する該レーザービームが照射される一方の面と、該一方の面とは反対側の他方の面と、該他方の面に設定されたストリートと、該他方の面で、各々が該ストリートに沿って該ストリートから異なる距離に配置された複数の第１の検査用配線と、該他方の面で該複数の第１の検査用配線の各々に２つ以上設けられ、該複数の第１の検査用配線の各々で該ストリートに沿う方向に離れて配置されている複数の第１の電極パッドと、を備える検査用基板が提供される。好ましくは、検査用基板は、該他方の面で該複数の第１の検査用配線から該ストリートに沿って離れており、且つ、各々が該ストリートに沿って該ストリートから異なる距離に配置された複数の第２の検査用配線を更に備える。
本発明の他の態様によれば、検査用基板を用いてレーザービームの漏れ光を検査する検査方法であって、該検査用基板は、該検査用基板を透過する波長を有する該レーザービームが照射される一方の面と、該一方の面とは反対側の他方の面と、該他方の面に設定されたストリートと、該他方の面で、各々が該ストリートに沿って該ストリートから異なる距離に配置された複数の第１の検査用配線と、該他方の面で該複数の第１の検査用配線の各々に２つ以上設けられ、該複数の第１の検査用配線の各々で該ストリートに沿う方向に離れて配置されている複数の第１の電極パッドと、を備え、該検査方法は、チャックテーブルで該検査用基板の該他方の面側を保持する保持ステップと、該検査用基板の該一方の面側から、該ストリートに沿って該レーザービームを照射し、該検査用基板の内部に該ストリートに沿って改質層を形成するレーザー加工ステップと、該レーザー加工ステップの後、該複数の第１の検査用配線の各々に設けられている該複数の第１の電極パッドにプローブを接触させ、該複数の第１の検査用配線の断線を確認することで該漏れ光の有無を確認する、漏れ光確認ステップと、を備える検査方法が提供される。
本発明の一態様に係る検査用基板は、レーザービームが照射される一方の面とは反対側の他方の面に、複数の第１の検査用配線と複数の第１の電極パッドとを有する。第１の複数の検査用配線の各々は、ストリートに沿ってストリートから異なる距離に配置されている。また、複数の第１の電極パッドは、第１の複数の検査用配線の各々に２つ以上設けられ、複数の第１の検査用配線の各々でストリートに沿う方向に離れて配置されている。
ストリートに沿ってレーザービームを照射した後、例えば、２つの第１の電極パッドの各々にプローブ（即ち、探針）を接触させて通電させることにより、第１の検査用配線の検査を行う。これにより、ストリートから異なる距離の位置に各々が配置された複数の第１の検査用配線のうち、どの位置の第１の検査用配線が漏れ光を受けて断線したかを特定できるので、漏れ光の影響を定量的に評価できる。
フレームユニットの斜視図である。 第１実施形態に係るデバイス領域を部分に拡大して示す平面図である。 フレームユニット及びレーザー加工装置の一部断面側面図である。 図３の領域Ｃの拡大図である。 図５（Ａ）はデバイス領域を部分的に拡大して示す平面図であり、図５（Ｂ）はデバイス領域を部分的に拡大して示す平面図である。 検査方法を示すフロー図である。 第２実施形態に係るデバイス領域の部分拡大図である。 第３実施形態に係るデバイス領域の部分拡大図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、フレームユニット１の斜視図である。フレームユニット１は、漏れ光を検査するための検査用基板１１を有する。検査用基板１１は円盤状であり、検査用基板１１は円形の表面（他方の面）１１ａ及び裏面（一方の面）１１ｂと、５００μｍから１０００μｍ程度の厚さとを有する。
検査用基板１１は、シリコン（Ｓｉ）基板で形成されたウェーハである。但し、検査用基板１１は、シリコンのみに限定されず、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体材料、サファイア、又は、各種ガラス等で形成されてもよい。
検査用基板１１の表面１１ａ側には、互いに交差する様に複数のストリート１３が設定されている。各ストリート１３は、第１方向Ａ、又は、第１方向Ａに直交する第２方向Ｂと平行に設定されている。
複数のストリート１３により区画された複数の領域の各々には、デバイス１５ａ及び検査用エリア１５ｂが設けられている。なお、本明細書では、デバイス１５ａ及び検査用エリア１５ｂが設けられた領域をデバイス領域１５Ａと称する。
例えば、複数のデバイス１５ａは第１方向Ａに沿って一列に配置され、このデバイス１５ａの列に第２方向Ｂで隣接する様に、複数の検査用エリア１５ｂが第１方向Ａに沿って一列に配置されている。この様に、各々一列に配置された複数のデバイス１５ａと複数の検査用エリア１５ｂとが、デバイス領域１５Ａの第２方向Ｂの一端から他端まで交互に配置されている。
但し、デバイス１５ａ及び検査用エリア１５ｂの配置は、上述の例に限定されない。複数のデバイス１５ａ及び複数の検査用エリア１５ｂは、第２方向Ｂに沿って一列に配置され、デバイス領域１５Ａの第１方向Ａの一端から他端まで交互に配置されてもよい。
また、複数のデバイス１５ａ及び複数の検査用エリア１５ｂは、第１方向Ａ及び第２方向Ｂで交互に（即ち、チェッカー状に）配置されてもよい。なお、デバイス領域１５Ａには、デバイス１５ａを設けなくてもよい。デバイス１５ａを設けない場合、複数のストリート１３により区画された各領域には検査用エリア１５ｂが設けられる。
次に、検査用エリア１５ｂの詳細について説明する。図２は、第１実施形態に係るデバイス領域１５Ａを部分的に拡大して示す平面図である。なお、図２では、便宜上、第１方向Ａに沿うストリート１３をストリート１３−１と表記し、第２方向Ｂに沿うストリート１３をストリート１３−２と表記する。
図２では、第１方向Ａに沿って配置された２つのデバイス１５ａと、２つのデバイス１５ａに第２方向Ｂで隣接し第１方向Ａに沿って配置された２つの検査用エリア１５ｂと、２つの検査用エリア１５ｂに第２方向Ｂで隣接し第１方向Ａに沿って配置された更に２つのデバイス１５ａとを示す。
検査用エリア１５ｂは、表面（他方の面）１１ａ側に配置された複数の第１の検査用配線２３ａを有する。第１の検査用配線２３ａの各々は、ストリート１３−２に沿って配置されている。第１の検査用配線２３ａの各々は、導電性材料（例えば、錫（Ｓｎ））で形成された薄膜状の配線層である。
第１の検査用配線２３ａの各々は、所定のエネルギーのレーザービームにより断線する線幅及び厚さを有する。それゆえ、第１の検査用配線２３ａの各々は、所定のエネルギーのレーザービームの漏れ光により断線し得る。
例えば、第１の検査用配線２３ａの各々は、１０ｎｍ以上５μｍ以下の線幅を有し、デバイス１５ａに設けられる積層配線の１層分に相当する厚さ（例えば、１０ｎｍ以上１μｍ以下の厚さ）を有する。
複数の第１の検査用配線２３ａ（２３ａ−１、２３ａ−２、２３ａ−３、２３ａ−４及び２３ａ−５）の各々は、ストリート１３−２から異なる距離の位置に配置されている。第１の検査用配線２３ａ−１は、ストリート１３−２に接する。
第１の検査用配線２３ａ−２、２３ａ−３、２３ａ−４及び２３ａ−５は、この順に、第１の検査用配線２３ａ−１から遠くなる様に配置されている。つまり、第１の検査用配線２３ａ−２が、最も第１の検査用配線２３ａ−１に近く、第１の検査用配線２３ａ−５が、最も第１の検査用配線２３ａ−１から遠い。
複数の第１の検査用配線２３ａは、隣接する各々が互いに所定距離だけ離れる様に配置されている。例えば、第１の検査用配線２３ａの各々は、後述する略正方形の第１の電極パッド２５ａの１辺と同程度の距離だけ互いに離れている。
第１の検査用配線２３ａは、ストリート１３−２から離れるほど第２方向Ｂの長さが小さくなる。つまり、複数の第１の検査用配線２３ａの第２方向Ｂの長さは、第１の検査用配線２３ａ−１が最も長く、第１の検査用配線２３ａ−５が最も短い。
第１の検査用配線２３ａの各々は、第２方向Ｂの長さの中心位置が第１方向Ａに沿って一列に並ぶ様に配置されている。それゆえ、第１の検査用配線２３ａ−１の両端は、第１の検査用配線２３ａ−２の両端よりも外側に位置し、第１の検査用配線２３ａ−２の両端は、第１の検査用配線２３ａ−３の両端よりも外側に位置する。
また、第１の検査用配線２３ａ−３の両端は、第１の検査用配線２３ａ−４の両端よりも外側に位置し、第１の検査用配線２３ａ−４の両端は、第１の検査用配線２３ａ−５の両端よりも外側に位置する。
第１の検査用配線２３ａの各々には、ストリート１３−２に沿う方向に離れた２つの位置（より具体的には、長手方向の両端）に第１の電極パッド２５ａが配置されている。第１の電極パッド２５ａは、例えば、数十μｍ角の略正方形であり、その１辺は第１の検査用配線２３ａの長手方向の端部に位置する。
第１の電極パッド２５ａは、例えば、錫で形成された層であり、第１の検査用配線２３ａと同じ厚さを有する。但し、第１の電極パッド２５ａの１辺は、第１の検査用配線２３ａの線幅よりも大きい。
ストリート１３−２に沿って複数の第１の検査用配線２３ａから離れた位置には、複数の第２の検査用配線２３ｂ（２３ｂ−１、２３ｂ−２、２３ｂ−３、２３ｂ−４及び２３ｂ−５）が配置されている。複数の第２の検査用配線２３ｂの各々は、ストリート１３−２から異なる距離の位置に配置されている。第２の検査用配線２３ｂ−１は、ストリート１３−２に接する。
第２の検査用配線２３ｂ−２、２３ｂ−３、２３ｂ−４及び２３ｂ−５は、この順に、第２の検査用配線２３ｂ−１から遠くなる様に配置されている。つまり、第２の検査用配線２３ｂ−２が、最も第２の検査用配線２３ｂ−１に近く、第２の検査用配線２３ｂ−５が、最も第２の検査用配線２３ｂ−１から遠い。複数の第２の検査用配線２３ｂも、複数の第１の検査用配線２３ａと同様に、隣接する各々が互いに所定距離だけ離れる様に配置されている。
第２の検査用配線２３ｂも、ストリート１３−２から離れるほど、第２方向Ｂの長さが小さくなる。また、第２の検査用配線２３ｂの各々は、第２方向Ｂの長さの中心位置が第１方向Ａに沿って一列に並ぶ様に配置されている。
第２の検査用配線２３ｂの各々の両端にも、第１の電極パッド２５ａと同じ形状を有し且つ錫で形成された第２の電極パッド２５ｂが配置されている。第２の電極パッド２５ｂも、その１辺が第２の検査用配線２３ｂの長手方向の端部に位置する様に配置されている。
複数の第１の検査用配線２３ａと複数の第２の検査用配線２３ｂとは、第２方向Ｂで互いに離れた状態でストリート１３−２に沿って交互に配置されている。なお、可能な限り複数の第１の検査用配線２３ａと複数の第２の検査用配線２３ｂとを稠密に配置するべく、第２方向Ｂで隣接する第１の電極パッド２５ａと第２の電極パッド２５ｂとは、例えば、１つの第１の電極パッド２５ａの１辺の長さよりも小さい距離だけ離れている。
より具体的な例を挙げれば、第２方向Ｂで隣接する第１の電極パッド２５ａと第２の電極パッド２５ｂとは、レーザービームのスポット径と同じ長さだけ離れている。この様にして、検査用エリア１５ｂのストリート１３−２の近傍には、第２方向Ｂの一方側（例えば、正側）から他方側（例えば、負側）まで、複数の第１の検査用配線２３ａと複数の第２の検査用配線２３ｂとが稠密に配置されている。
同様に、１つの検査用エリア１５ｂにおいて、第１方向Ａでストリート１３−２とは反対側に位置するストリート１３−２の近傍にも、第２方向Ｂの一方側から他方側まで、複数の第１の検査用配線２３ａと複数の第２の検査用配線２３ｂとが稠密に配置されている。
また、同じ１つの検査用エリア１５ｂにおいて、第２方向Ｂの一方側に位置するストリート１３−１の近傍には、第１方向Ａの一方側から他方側まで、複数の第１の検査用配線２３ａと複数の第２の検査用配線２３ｂとが交互に且つ稠密に配置されている。
更に、同じ１つの検査用エリア１５ｂにおいて、第２方向Ｂの他方側に位置するストリート１３−１の近傍には、第１方向Ａの一方側から他方側まで、複数の第１の検査用配線２３ａと複数の第２の検査用配線２３ｂとが交互に且つ稠密に配置されている。
なお、図２では、いくつかの第１の検査用配線２３ａ及び第２の検査用配線２３ｂを単に検査用配線２３と示し、同様に、いくつかの第１の電極パッド２５ａ及び第２の電極パッド２５ｂを単に電極パッド２５と示す。
ここで、図１に戻り、フレームユニット１について説明する。検査用基板１１の表面１１ａ側には、デバイス領域１５Ａの外周を囲む様に、デバイス１５ａも検査用エリア１５ｂも設けられていない外周余剰領域１５Ｂが存在する。
検査用基板１１の外周端部の一部には、ウェーハの結晶方位を示すノッチ１１ｃが設けられている。なお、ノッチ１１ｃに代えて、オリエンテーションフラット等の他のマークが設けられてもよい。
検査用基板１１は、例えば、ダイシングテープ１７を介して金属製の環状フレーム１９の開口部に固定されている。ダイシングテープ１７は、伸張性を有する樹脂製のフィルムである。ダイシングテープ１７は、粘着性を有する樹脂製の粘着層（不図示）と、粘着性を有しない樹脂製の基材層（不図示）との積層構造を有する。
粘着層は、例えば、紫外線硬化型の樹脂層であり、基材層の一面の全体に設けられている。粘着層に紫外線が照射されると、粘着層の粘着力が低下して、ダイシングテープ１７が検査用基板１１から剥離されやすくなる。
環状フレーム１９は、検査用基板１１の径よりも大きな径の開口を有する。この開口に検査用基板１１を配置した状態で、検査用基板１１の表面１１ａ側と、環状フレーム１９の一面とにダイシングテープ１７の粘着層側を貼り付けることで、フレームユニット１が形成される。
次に、図３、図４、図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図６を用いて、漏れ光を検査する検査方法を説明する。なお、図６は、検査方法を示すフロー図である。第１実施形態に係る検査方法では、まず、レーザー加工装置１０のチャックテーブル１２でフレームユニット１を保持する（保持ステップ（Ｓ１０））。図３は、フレームユニット１及びレーザー加工装置１０の一部断面側面図である。
レーザー加工装置１０は、チャックテーブル１２を有する。チャックテーブル１２の表面側には、ポーラスセラミックス等の材料で形成された円盤状のポーラス板が設けられている。ポーラス板はチャックテーブル１２の内部に設けられた流路（不図示）を通じてエジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。吸引源が発生する負圧により、ポーラス板の表面（即ち、保持面１２ａ）には吸引力が発生する。
チャックテーブル１２の外周側面には、複数のクランプユニット１４が固定されている。例えば、チャックテーブル１２を上面視した場合に、時計の０時、３時、６時及び９時の各位置に１つのクランプユニット１４が配置される。
チャックテーブル１２の下方には、Ｘ軸移動ユニット（不図示）及びＹ軸移動ユニット（不図示）が設けられる。Ｘ軸移動ユニット及びＹ軸移動ユニットは、各々ボールネジ機構を有し、チャックテーブル１２をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることができる。なお、チャックテーブル１２は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に概ね平行な直線を回転軸として回転できる。
チャックテーブル１２の上方には、レーザービーム照射ユニットを構成する加工ヘッド１６が設けられている。加工ヘッド１６からは、検査用基板１１を透過する波長を有するパルス状のレーザービームＬが保持面１２ａに向けて略垂直に照射される。
保持ステップ（Ｓ１０）では、まず、検査用基板１１の裏面１１ｂが上を向く態様で、保持面１２ａ上にフレームユニット１を載置する。この状態で、吸引源を動作させて保持面１２ａに負圧を作用させる。
更に、クランプユニット１４で環状フレーム１９の位置を固定する。これにより、裏面（一方の面）１１ｂとは反対側に位置する表面（他方の面）１１ａ側は、ダイシングテープ１７を介してチャックテーブル１２で保持される。
次に、レーザー加工装置１０を用いて、検査用基板１１のストリート１３に沿って裏面（一方の面）１１ｂ側にレーザービームＬを照射する（レーザー加工ステップ（Ｓ２０））。まず、回転駆動源を動作させて検査用基板１１のストリート１３がＸ軸方向と平行になる様に、チャックテーブル１２の向きを調整する。
そして、加工ヘッド１６の下端が１つのストリート１３のＸ軸方向の一方（例えば、＋Ｘ方向）側の延長線上に位置する様に、Ｘ軸移動ユニットでチャックテーブル１２の位置を調整する。その後、レーザービームＬの集光点が検査用基板１１の内部に位置付けられる様に、レーザービームＬを加工ヘッド１６から検査用基板１１の裏面１１ｂ側に照射する。
そして、検査用基板１１の裏面１１ｂ側から照射されたレーザービームＬの集光点が検査用基板１１の内部に位置付けられた状態で、Ｘ軸移動ユニットを動作させて、チャックテーブル１２をＸ軸方向の他方（例えば、−Ｘ方向）側に移動させる。
加工ヘッド１６をチャックテーブル１２に対して相対的に移動させながら、ストリート１３に沿ってレーザービームＬを照射することで（１パス目）、検査用基板１１の内部にストリート１３に沿って１層目の改質層１１ｄが形成される。
１パス目の後、集光点の深さ位置を所定距離だけ裏面１１ｂ側に移動させたうえで、同じストリート１３に沿ってチャックテーブル１２をＸ軸方向の一方（例えば、＋Ｘ方向）側に移動させる（２パス目）。これにより、２層目の改質層１１ｄが形成される。
２パス目の後、集光点の深さ位置を所定距離だけ更に裏面１１ｂ側に移動させたうえで、同じストリート１３に沿ってチャックテーブル１２をＸ軸方向の他方（例えば、−Ｘ方向）側に移動させる（３パス目）。これにより、３層目の改質層１１ｄが形成される。
同様にして、同じストリート１３に対して、４パス目及び５パス目のレーザービームＬの照射を行うことで、４層目及び５層目の改質層１１ｄが形成される。その後、レーザービームＬの照射を一旦停止する。レーザー加工条件は、例えば次の様に設定される。
レーザービームＬの波長 ：１３４２ｎｍ
パルスの繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
平均出力 ：１．９Ｗ
スポット径 ：１０μｍから２０μｍ
加工送り速度 ：７００ｍｍ／ｓ
次に、チャックテーブル１２を所定のインデックス量だけＹ軸方向に割り出し送りし、加工ヘッド１６の下端を直前に加工した１つのストリート１３のＹ軸方向に隣接する他のストリート１３上に位置付ける。
次に、他のストリート１３に沿って、同様に、１パス目から５パス目までレーザービームＬを照射する。この様にして、一の方向に平行な全てのストリート１３に沿って、５層の改質層１１ｄを形成する。
その後、チャックテーブル１２を９０度回転させて、一の方向に直交する他の方向に平行な全てのストリート１３に沿って、１パス目から５パス目までレーザービームＬを照射する。これにより、全てのストリート１３の各々に沿って、５層の改質層１１ｄが形成される。なお、改質層１１ｄの数は、５層に限定されない。改質層１１ｄの数は、２層以上の所定の層数としてもよい。
但し、レーザービームＬの照射時には、レーザービームＬの一部が屈折し又は反射されて、漏れ光Ｄ（図４参照）（即ち、目的とする照射領域（ストリート１３）を超えてデバイス１５ａに到達する光）が発生する場合がある。
例えば、２層目の改質層１１ｄの形成時には、１層目の改質層１１ｄから２層目の改質層１１ｄに向かって形成されたクラック１１ｅ等により、レーザービームＬの一部が屈折し又は反射されて漏れ光Ｄが発生する。
図４は、図３の領域Ｃの拡大図である。図４では、２層目の改質層１１ｄの形成時に発生する漏れ光Ｄを示す。所定のエネルギーを有する漏れ光Ｄがストリート１３−２を超えて検査用エリア１５ｂの第１の検査用配線２３ａ等に到達すると、第１の検査用配線２３ａ等は損傷を受けて、例えば、断線する。
そこで、レーザー加工ステップ（Ｓ２０）の後、検査用配線２３の断線を確認する（漏れ光確認ステップ（Ｓ３０））。そのために、まず、検査用基板１１の裏面（一方の面）１１ｂに貼り替え用のテープ（不図示）を貼り付けた後、ダイシングテープ１７に紫外線を照射して粘着層の粘着力を低下させる。更にその後、不図示の剥離装置等を用いて検査用基板１１からダイシングテープ１７を剥離する。
漏れ光確認ステップ（Ｓ３０）では、ウェーハプローバ等の検査用治具（不図示）を用いて、検査用配線２３の断線を確認する。検査用治具は、電極パッド２５に接触可能な複数のプローブ（即ち、探針）を有する。
漏れ光確認ステップ（Ｓ３０）では、例えば、検査用治具の第１の探針を第１の検査用配線２３ａ−１の一端に位置する第１の電極パッド２５ａに接触させ、第２の探針を第１の検査用配線２３ａ−１の他端に位置する第１の電極パッド２５ａに接触させる。この状態で、第１の探針及び第２の探針間に電流を流す。
例えば、検査用配線２３の一部が漏れ光Ｄを受けて変質することにより検査用配線２３の導電性が著しく低下している場合、第１の探針及び第２の探針間に所定の測定レンジで測定可能な電流が流れない。それゆえ、この検査用配線２３は断線したと判断できる。
これに対して、第１の検査用配線２３ａ−１を介して第１の探針及び第２の探針間に、所定の測定レンジで測定可能な所定値以上の電流が流れる場合には、この第１の検査用配線２３ａは断線していないと判断できる。
この様に、検査用治具を用いて第１の検査用配線２３ａ−１の断線の有無を確認できる。同様にして、第１の検査用配線２３ａ−２から２３ａ−５及び複数の第２の検査用配線２３ｂの断線の有無も確認できる。
各検査用配線２３の導通検査を行うことにより断線の有無を検査できるので、どの位置の検査用配線２３が漏れ光Ｄを受けて断線したかを特定できる。それゆえ、漏れ光Ｄの影響がストリート１３からどれくらいの距離まで及ぶのかを定量的に評価できる。
図５（Ａ）は、デバイス領域１５Ａを部分的に拡大して示す平面図である。図５（Ａ）では、漏れ光確認ステップ（Ｓ３０）での結果の一例を示す。なお、図５（Ａ）中の矢印は、レーザービームＬとチャックテーブル１２との相対的な移動方向Ｅであり、例えば、レーザー加工装置１０のＸ軸方向と平行である。
図５（Ａ）に示す例では、ストリート１３−２の第１方向Ａの一方側（例えば、正側）の検査用エリア１５ｂのみに変質領域２７が形成されている。変質領域２７が形成された検査用配線２３は断線している。なお、ストリート１３−２の第１方向Ａの他方側（例えば、負側）の検査用エリア１５ｂには変質領域２７が形成されていない。
ところで、レーザービームＬを照射するための光学系のレンズの光軸や同光学系のスリットの中心と、レーザービームＬの中心との位置ずれ等に起因して、レーザービームＬのエネルギー分布に偏りが生じる場合がある。この場合、漏れ光Ｄは、図５（Ａ）に示す例とは異なる領域に到達する。図５（Ｂ）は、デバイス領域１５Ａを部分的に拡大して示す平面図である。図５（Ｂ）では、漏れ光確認ステップ（Ｓ３０）での結果の他の例を示す。
図５（Ｂ）に示す例では、ストリート１３−２を挟んで両側の検査用エリア１５ｂに変質領域２７が形成されている。変質領域２７が形成された検査用配線２３は断線しているが、変質領域２７が形成されていない検査用配線２３は断線していない。
この様に、検査用エリア１５ｂに設けられた検査用配線２３を利用して導通検査を行うことで、どの位置の検査用配線２３が漏れ光Ｄを受けて断線したかを特定できる。それゆえ、漏れ光Ｄの影響がストリート１３からどれくらいの距離まで及ぶのか、漏れ光Ｄがどれほどの頻度で発生しているのか等を定量的に評価できる。また、定量的な評価に基づいて、レーザービームＬの照射条件を修正できる。
次に、第２実施形態の検査用基板１１について説明する。図７は、第２実施形態に係るデバイス領域１５Ａの部分拡大図である。第２実施形態の検査用基板１１は、検査用エリア１５ｂに加えて、ストリート１３−２にも複数の検査用配線２３を有する。
より具体的には、ストリート１３−２を間に挟んで対向する様に配置された２つの検査用エリア１５ｂの間に、複数の第３の検査用配線２３ｃ（２３ｃ−１、２３ｃ−２、２３ｃ−３及び２３ｃ−４）がストリート１３−２に沿って設けられている。複数の第３の検査用配線２３ｃは、ストリート１３−２と直交する方向で、隣接する各々が互いに所定距離だけ離れる様に配置されている。
第３の検査用配線２３ｃの各々は、第２方向Ｂで第１の検査用配線２３ａ−１と同じ長さを有する。また、第３の検査用配線２３ｃの各々の両端には、第１の電極パッド２５ａと同じ材料で形成され且つ同じ形状及び大きさを有する第３の電極パッド２５ｃが設けられている。
第２方向Ｂに沿って複数の第３の検査用配線２３ｃから所定距離離れた態様で、複数の第４の検査用配線２３ｄ（２３ｄ−１、２３ｄ−２、２３ｄ−３及び２３ｄ−４）がストリート１３−２に沿って設けられている。複数の第４の検査用配線２３ｄは、ストリート１３−２と直交する方向で、隣接する各々が互いに所定距離だけ離れる様に配置されている。
第４の検査用配線２３ｄの各々は、第２方向Ｂで第２の検査用配線２３ｂ−１と同じ長さを有する。また、第４の検査用配線２３ｄの各々の両端には、第２の電極パッド２５ｂと同じ材料で形成され且つ同じ形状及び大きさを有する第４の電極パッド２５ｄが設けられている。
第３の検査用配線２３ｃと第４の検査用配線２３ｄとを稠密に配置するべく、第２方向Ｂで隣接する第３の電極パッド２５ｃと第４の電極パッド２５ｄとは、第２方向Ｂで隣接する第１の電極パッド２５ａ及び第２の電極パッド２５ｂ間の距離と同じ距離だけ離されている。また、複数の第３の検査用配線２３ｃと複数の第４の検査用配線２３ｄとは、ストリート１３−２に沿って交互に配置されている。
第２実施形態では、検査用基板１１のストリート１３−２に複数の検査用配線２３を設けるので、漏れ光Ｄの影響がストリート１３−２のどの範囲にまで及ぶのかを定量的に評価できる。更に、断線した第３の検査用配線２３ｃ及び第４の検査用配線２３ｄの数に基づいて、漏れ光Ｄが第３の検査用配線２３ｃ及び第４の検査用配線２３ｄに到達する頻度を算出できる。
なお、第３の検査用配線２３ｃ及び第４の検査用配線２３ｄの配置は、上述の例に限定されない。第３の検査用配線２３ｃ及び第４の検査用配線２３ｄは、第３の電極パッド２５ｃ及び第４の電極パッド２５ｄを介して、第２方向Ｂに沿って一つながりとなる様に設けられてもよい。また、第３の検査用配線２３ｃ及び第４の検査用配線２３ｄは、ストリート１３−２に加えて、ストリート１３−１にも設けられてもよい。
次に、第３実施形態の検査用基板１１について説明する。図８は、第３実施形態に係るデバイス領域１５Ａの部分拡大図である。第３実施形態の検査用エリア１５ｂには、ストリート１３−２側に複数の第５の検査用配線２３ｅ（複数の第１の検査用配線２３ａの変形例に対応する）が設けられている。
複数の第５の検査用配線２３ｅ（２３ｅ−１、２３ｅ−２、２３ｅ−３、２３ｅ−４及び２３ｅ−５）の各々は、第２方向Ｂに沿って検査用エリア１５ｂの一辺と略同等の長さを有する。第５の検査用配線２３ｅの各々は、第２方向Ｂにおける両端の位置が一致している。
第５の検査用配線２３ｅの長手方向の両端の各々には、第５の電極パッド２５ｅが配置されている。また、第５の検査用配線２３ｅの各々には、その両端の間の位置に所定の間隔で１以上の第５の電極パッド２５ｅが更に設けられている。
なお、第５の検査用配線２３ｅの各々において、第１方向Ａで隣接する複数の第５の電極パッド２５ｅは、第１方向Ａで整列している。即ち、第１方向Ａに隣接する複数の第５の電極パッド２５ｅは、第２方向Ｂの同じ位置に配置されている。
第３実施形態の検査用基板１１では、第５の検査用配線２３ｅにおいて第２方向Ｂで隣接する１対の第５の電極パッド２５ｅのうち一方に第１の探針を接触させ、もう片方に第２の探針を接触させて、導通検査を行う。
これにより、第２方向Ｂで隣接する任意の１対の第５の電極パッド２５ｅ間に位置する第５の検査用配線２３ｅの一部が断線しているか否かを確認できる。また、断線した領域の数に基づいて、漏れ光Ｄが第５の検査用配線２３ｅに到達する頻度を算出できる。
第３実施形態の検査用配線２３は、ストリート１３−２からの距離に関わらず第２方向Ｂに同じ長さを有する。それゆえ、例えば、第１実施形態において第２方向Ｂで隣接する第１の検査用配線２３ａ−５と第２の検査用配線２３ｂ−５との間に到達する漏れ光Ｄも、第３実施形態では、第５の検査用配線２３ｅ−５に到達する。従って、第１実施形態に比べて、より正確に漏れ光Ｄの頻度を算出できる。
なお、第３実施形態では、複数の第５の検査用配線２３ｅが１つの検査用エリア１５ｂの４辺に渡って同様に設けられている。つまり、第５の検査用配線２３ｅは、第１方向Ａでストリート１３−２とは反対側に位置するストリート１３−２の近傍と、第２方向Ｂの一方側（例えば、正側）及び第２方向Ｂの他方側（例えば、負側）に位置するストリート１３−１の近傍とにも設けられている。
それゆえ、１つの検査用エリア１５ｂの４辺の各々において、断線した第５の検査用配線２３ｅの領域の数に基づいて、漏れ光Ｄが到達する頻度を算出できる。なお、第３実施形態でも、１つの検査用エリア１５ｂの４辺の各々において、漏れ光Ｄの影響がストリート１３からどれくらいの距離まで及ぶのかを定量的に評価できる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、検査用配線２３の配置及び電極パッド２５の形状及び配置は、上述の例に限定されない。第３実施形態の検査用基板１１のストリート１３に、第２実施形態の第３の検査用配線２３ｃ及び第４の検査用配線２３ｄを適用してもよい。
また、上述の実施形態では、第１の探針及び第２の探針間に所定の測定レンジで測定可能な電流が流れるか否かにより、検査用配線２３の断線を判断した。しかし、検査用配線２３の抵抗値の変化を測定することにより、検査用配線２３が部分的に損傷したか、又は、検査用配線２３が断線したかを判断してもよい。
１ フレームユニット
１０ レーザー加工装置
１１ 検査用基板
１１ａ 表面（他方の面）
１１ｂ 裏面（一方の面）
１１ｃ ノッチ
１１ｄ 改質層
１１ｅ クラック
１２ チャックテーブル
１２ａ 保持面
１３，１３−１，１３−２ ストリート
１４ クランプユニット
１５ａ デバイス
１５ｂ 検査用エリア
１５Ａ デバイス領域
１５Ｂ 外周余剰領域
１６ 加工ヘッド
１７ ダイシングテープ
１９ 環状フレーム
２３ 検査用配線
２３ａ 第１の検査用配線
２３ｂ 第２の検査用配線
２３ｃ 第３の検査用配線
２３ｄ 第４の検査用配線
２３ｅ 第５の検査用配線
２５ 電極パッド
２５ａ 第１の電極パッド
２５ｂ 第２の電極パッド
２５ｃ 第３の電極パッド
２５ｄ 第４の電極パッド
２５ｅ 第５の電極パッド
２７ 変質領域
Ａ 第１方向
Ｂ 第２方向
Ｃ 領域
Ｄ 漏れ光
Ｅ 移動方向
Ｌ レーザービーム

Claims (3)

  1. レーザービームの漏れ光を検査するための検査用基板であって、
    該検査用基板を透過する波長を有する該レーザービームが照射される一方の面と、
    該一方の面とは反対側の他方の面と、
    該他方の面に設定されたストリートと、
    該他方の面で、各々が該ストリートに沿って該ストリートから異なる距離に配置された複数の第１の検査用配線と、
    該他方の面で該複数の第１の検査用配線の各々に２つ以上設けられ、該複数の第１の検査用配線の各々で該ストリートに沿う方向に離れて配置されている複数の第１の電極パッドと、を備えることを特徴とする検査用基板。
  2. 該他方の面で該複数の第１の検査用配線から該ストリートに沿って離れており、且つ、各々が該ストリートに沿って該ストリートから異なる距離に配置された複数の第２の検査用配線を更に備えることを特徴とする請求項１記載の検査用基板。
  3. 検査用基板を用いてレーザービームの漏れ光を検査する検査方法であって、
    該検査用基板は、
    該検査用基板を透過する波長を有する該レーザービームが照射される一方の面と、
    該一方の面とは反対側の他方の面と、
    該他方の面に設定されたストリートと、
    該他方の面で、各々が該ストリートに沿って該ストリートから異なる距離に配置された複数の第１の検査用配線と、
    該他方の面で該複数の第１の検査用配線の各々に２つ以上設けられ、該複数の第１の検査用配線の各々で該ストリートに沿う方向に離れて配置されている複数の第１の電極パッドと、を備え、
    該検査方法は、
    チャックテーブルで該検査用基板の該他方の面側を保持する保持ステップと、
    該検査用基板の該一方の面側から、該ストリートに沿って該レーザービームを照射し、該検査用基板の内部に該ストリートに沿って改質層を形成するレーザー加工ステップと、
    該レーザー加工ステップの後、該複数の第１の検査用配線の各々に設けられている該複数の第１の電極パッドにプローブを接触させ、該複数の第１の検査用配線の断線を確認することで該漏れ光の有無を確認する、漏れ光確認ステップと、を備えることを特徴とする検査方法。
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