KR20200114756A - 세정액 조성물 - Google Patents

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KR20200114756A
KR20200114756A KR1020190037013A KR20190037013A KR20200114756A KR 20200114756 A KR20200114756 A KR 20200114756A KR 1020190037013 A KR1020190037013 A KR 1020190037013A KR 20190037013 A KR20190037013 A KR 20190037013A KR 20200114756 A KR20200114756 A KR 20200114756A
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이유진
이상범
조승현
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은, 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 화학식 2로 표시되는 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상;을 포함하며, pH가 1 내지 9인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물을 제공한다.

Description

세정액 조성물{A CLEANING COMPOSITION}
본 발명은 세정액 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 포토레지스트는 분사 장비의 노즐을 통해 대상 기판에 제공될 수 있다. 무기 입자나 금속산화물을 포함하는 포토레지스트의 경우, 무기 입자나 금속산화물은 콤플렉스(complex)를 형성하여 포토레지스트의 분사 과정에서 분사 장비의 노즐 내에서 굳어서 응집성 이물을 발생시킬 수 있다. 응집성 이물은 노즐을 막거나, 분사 과정에서 기판에 낙하하여 불량을 발생시킬 수 있다.
무기 입자나 금속산화물을 포함하는 포토레지스트는 이를 포함하지 않는, 일반 포토레지스트와 비교하여 흡착 성질이 강하여 노즐의 세정이 어려운 문제가 있다.
이와 관련하여, 대한민국 공개특허 제10-2008-0027160호 및 대한민국 공개특허 제10-2013-0025913호 등, 무기 입자나 금속산화물을 포함하는 포토레지스트를 제거하기 위한 세정액 조성물이 개발되고 있으나, 효과적인 세정을 위해 알칼리 화합물을 포함하고 있어, 강염기에 의해 노즐이 부식되는 등의 문제점이 있다.
대한민국 공개특허 제10-2008-0027160호 대한민국 공개특허 제10-2013-0025913호
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 무기 입자나 금속산화물을 포함하는 포토레지스트를 효과적으로 제거하는 세정액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트를 제거함에 있어, 상기 포토레지스트가 제공되는 노즐을 부식시키지 않는 세정액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 화학식 2로 표시되는 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상;을 포함하며, pH가 1 내지 9인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물을 제공한다.
본 발명의 세정액 조성물은 무기 입자나 금속산화물을 포함하는 포토레지스트에 대한 세정력이 우수한 효과를 제공한다.
또한, 본 발명의 세정액 조성물은 상기 포토레지스트가 제공되는 노즐을 부식시키지 않는 효과를 제공한다.
본 발명은, 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 화학식 2로 표시되는 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상;을 포함하며, pH가 1 내지 9인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물에 대한 것으로, 무기 입자 또는 금속산화물 중 1종 이상을 포함하는 포토레지스트를 제거하는 데 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 포토레지스트는 분사 장비의 노즐을 통해 대상 기판에 제공될 수 있으며, 상기 포토레지스트는 노즐 내에서 굳어서 응집성 이물을 발생시킬 수 있으며, 상기 응집성 이물은 노즐을 막거나, 분사 과정에서 기판에 낙하하여 불량을 발생시킬 수 있다. 본 발명의 세정액 조성물은 노즐에 손상 없이 상기 포토레지스트를 제거하여, 위와 같은 불량의 발생을 방지할 수 있다.
상기 무기 입자는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
일 실시예를 들어, 상기 무기입자는 양자점일 수 있으며, 광에 의한 자극으로 발광할 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않으며, 예컨대, II-VI족 반도체 화합물, III-V족 반도체 화합물, IVVI족 반도체 화합물, 및 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조; 코어-쉘(coreshell) 구조, 그래디언트(gradient) 구조 등과 같은 이중 구조; 또는 이들의 혼합구조일 수 있다. 예를 들어 상기 코어-쉘(core-shell)의 이중 구조에서, 각각의 코어(core)와 쉘(shell)을 이루는 물질은 상기 언급된 서로 다른 반도체 화합물로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 코어는 CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe, AgInZnS 및 ZnO로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 쉘은 CdSe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, TiO, SrSe 및 HgSe으로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 양자점은 아크릴레이트 등 불포화 결합을 갖는 화합물로 표면 처리된 것일 수 있다.
상기 금속산화물은 Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, Ce, Ta, In 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 따른 세정액 조성물의 pH는 1 내지 9일 수 있으며, 바람직하게는 5 내지 8일 수 있다. 따라서 본 발명의 세정액 조성물은 알칼리 화합물을 포함하지 않는 것이 바람직하며, 알칼리 화합물을 포함하는 경우, pH가 상기 범위를 벗어나, 세정 대상이 제공되는 경로, 예를 들어, 상기 포토레지스트가 분사되는 노즐을 부식시킬 우려가 있으며, 또한 알칼리 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 분해시킬 수 있다.
이하에서 본 발명에 따른 세정액 조성물에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 세정액 조성물은 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 화학식 2로 표시되는 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상;을 포함하며, pH가 1 내지 9인 것을 특징으로 하고, 필요에 따라 첨가제를 더 포함할 수 있다.
화학식 1로 표시되는 화합물
하기 화학식 1로 표시되는 화합물은 제거의 대상이 되는 포토레지스트로 침투하여 포토레지스트를 용해시키며, 구체적으로, 기재로부터 무기 입자 및 금속산화물을 탈착시켜 제거력을 높이는 역할을 할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서, R1은 수소, 히드록시기, 에스터기, 치환 또는 비치환 된 C1~C4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 알콕시기, 알케닐기 또는 고리형 환 구조이고, R2는 수소, 카르복실기, 에스터기, 할로겐 또는 금속원자가 치환 또는 비치환 된 C1~C8의 알킬기, 알케닐기 또는 고리형 환 구조이며, R1과 R2가 함께 환을 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 화학식 1에 있어서, R1은 수소, 수소, 히드록시기, 에스터기, 할로겐으로 치환 또는 비치환 된 C1~C4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 알콕시기, 알케닐기 또는 고리형 환 구조일 수 있다.
일 실시예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 모노에틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디메틸카보네이트, 바이닐에틸카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디터트부틸디카보네이트, 디에틸디카보네이트, 에틸메틸카보네이트, 아릴메틸카보네이트, 디프로필카보네이트, 1,2-디바이닐에틸렌카르보네이트, 4-플로로-1,3-디옥솔란-2-온(액체), 4-페닐-1,3-디옥솔란-2-온, 4-하이드록시메틸-1,3-디옥솔란-2-온, 4-부틸-1,3-디옥솔란-2-온, 1,2-부틸렌카보네이트, 4-(페닐메톡시메틸)-1,3-다이옥산-2-원, 비스(트리클로로메틸)카보네이트, 비스(페닐)카보네이트, 1,2-부틸렌카보네이트, 디메틸디카보네이트, 디에틸디카보네이트, 감마부티로락톤, 3-메톡시프로필하이드로겐카보네이트 및 2,2-디메틸-1,3-디옥솔란-4-메탄올으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 바람직하게는 감마부티로락톤, 에틸카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디에틸카보네이트 및 디메틸카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 세정액 조성물 총 중량에 대하여, 20 내지 90 중량%로 포함되며, 30 내지 80 중량%가 바람직하다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우, 거의 대상이 되는 포토레지스트의 틈새로 침투하여, 포토레지스트를 스웰링(swelling) 시킬 수 있어, 무기 입자 및 금속산화물이 포함된 포토레지스트의 제거력 향상 측면에서 이점이 있다.
화학식 2로 표시되는 화합물
하기 화학식 2로 표시되는 화합물은 제거의 대상이 되는 포토레지스트의 올리고머 사이로 침투하여 스웰링 시키고, 포토레지스트에 포함된 성분들을 용해 또는 분산시켜, 포토레지스트 제거 반응을 보다 원활히 진행될 수 있도록 하는 역할을 할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에 있어서, R3은 수소, 치환 또는 비치환 된 C1~C4의 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기이고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, C1~C3의 알킬기 또는 알케닐기고, R6은 탄소 또는 산소이고, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 C1~C3의 알콕시기, 수소, 히드록시기, 할로겐 또는 금속원자가 치환 또는 비치환 된 C1~C4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기 또는 C5~C8 고리형 알킬기이되, 적어도 하나는 C1~C3의 알콕시기이고, n은 0 또는 1이다.
바람직하게, 상기 화학식 2에 있어서, R3은 수소, 할로겐으로 치환 또는 비치환 된 C1~C4의 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기일 수 있다.
일 실시예를 들어, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 1-메톡시-2-프로판올아세테이트, 3-메톡시-3-메틸부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 2-메톡시에틸아세테이트, 2-에톡시에틸아세테이트, 3-메톡시프로필아세테이트, 에톡시프로필아세테이트 및 3-메톡시부틸아세테이트 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 바람직하게는 3-메톡시-3-메틸부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 2-메톡시에틸아세테이트 및 3-메톡시프로필아세테이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
화학식 3으로 표시되는 화합물
하기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 세정액 조성물에 대한 포토레지스트의 용해도를 향상시키고, 세정액 조성물 내에 용해된 포토레지스트의 재흡착 및 재석출을 최소화시켜, 기재에 포토레지스트가 잔류하지 않도록 하는 역할을 할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 화학식 3에 있어서, R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 C1~C4의 직쇄 탄화수소기이고, 상기 탄화수소기는 하이드록시기로 치환 또는 비치환 된 알킬기, 알콕시기 또는 알케닐기를 포함하고, m은 1~6의 정수이다.
일 실시예를 들어, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 2-메톡시에탄올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 모노 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노 에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르 및 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 바람직하게는 2-메톡시에탄올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 및 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상은 세정액 조성물 총 중량에 대하여, 20 내지 90 중량%로 포함되며, 30 내지 80 중량%가 바람직하다. 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상이 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우, 제거의 대상이 되는 포토레지스트의 틈새로 침투된 세정액 조성물이 포토레지스트 안에서 스웰링 되어, 유기 물질의 용해를 돕고, 무기 입자 및 금속산화물과 콤플렉스 된 포토레지스트의 접착력을 저하시켜, 포토레지스트의 제거력을 향상시킬 수 있다.
첨가제
본 발명에 따른 세정액 조성물은 필요에 따라 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 상기 첨가제는 포토레지스트에 대한 침투성을 향상시켜 세정력을 향상시키고, 재흡착 되는 것을 방지하는 효과가 있다. 상기 첨가제는 계면활성제 및 분산제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 첨가제는, 예를 들면, 카르복실산염 계열의 알킬에테르 탄산염, 지방산 알칼리염, 아크릴아미노산염 등; 술폰산염 또는 황산에스테르 계열로서 소듐 라우레이트 설페이트 등의 알킬 설페이트 나트륨, 알킬 사코시네이트염, 알킬황산에스테르염, 폴리옥시에틸렌알킬황산에스테르염, 알킬아릴황산에스테르염, 알킬벤젠술폰산염, 알킬나프탈렌술폰산염, 라우릴알콜 황산 에스테르 나트륨이나 올레일알콜 황산 에스테르 나트륨 등의 고급 알콜 황산 에스테르염류, 라우릴 황산 나트륨이나 라우릴 황산 암모늄 등의 알킬 황산염류, 도데실 벤젠술폰산 나트륨이나 도데실나프탈렌술폰산 나트륨 등의 알킬아릴 술폰산염류 등; 인산 에스테르염 또는 인산염 계열로서 알킬인산염, 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르, 알킬아릴에테르인산염, 알킬인산스테르염, 암모늄플루오로알킬술폰아마이드, 에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드계는폴리옥시에틸렌모노메틸 에테르, 폴리옥시에틸렌모노알릴 에테르, 폴리옥시에틸렌-2-에틸헥실 에테르, 폴리옥시에틸렌 데실 에테르, 폴리옥시에틸렌이소트리데실 에테르, 폴리옥시에틸렌올레일 에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌트리데실 에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴 에테르, 아크릴릭 블록 폴리머 계열, 폴리우레탄 계열, 폴리아크릴레이트 계열, 카르복실산 염 계열, 에시딕 폴리에스테르 폴리아마이드 계열, 알콜 설페이트 계열, 암모늄 폴리아크릴레이트 계열, 소듐 폴리아크릴레이트 계열, 스타이렌 아크릴릭 계열, 소듐 염 카르복실산 코계열 등이 사용될 수 있다. 상세하게는 1-메틸-2-피롤리돈, 1-에틸-2-피롤리돈, 1-프로필-2-피롤리돈, 1-부틸-2-피롤리돈, 1-펜틸-2-피롤리돈, 1-헥실-2-피롤리돈, 1-헵틸-2-피롤리돈, 1-옥틸-2-피롤리돈, 1-노닐-2-피롤리돈, 1-데실-2-피롤리돈, 1-비닐-2-피롤리돈, 3-메틸렌-1-프로필-2-피롤리돈을 들 수 있으며, 시판품으로는 Basf사의 Efka FA4609, FA4665, FA4610, FA4612, PX4310, PX4330, PX4710, AA4030, AA4140, AA4345 등, BKY社의 DISPERBYK-102, 103,106,110, 111, 180, 115, 160, 165, 174, 182, 140, 142, 145, 151, 155, 114, 2000, 2010, 130, 192 등이 사용될 수 있고, 바람직하게는 아크릴릭 폴리머 계열, 폴리우레탄 계열, 카르복실산 염, 인산 에스테르 및 인산염 계열로로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 첨가제는 세정액 조성물 총 중량에 대하여, 0.01 내지 5 중량%로 포함되며, 0.05 내지 1 중량%가 바람직하다. 상기 첨가제가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우, 포토레지스트와 기재 사이의 틈새로 침투력이 향상되어 포토레지스트 제거 성능이 향상되며, 떨어져 나온 포토레지스트의 재부착을 방지할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 범위는 특허청구범위에 표시되었고, 더욱이 특허 청구범위 기록과 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경을 함유하고 있다. 또한, 이하의 실시예, 비교예에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다.
실시예 및 비교예에 따른 세정액 조성물의 제조
하기 표 1 내지 2를 참조하여, 실시예 및 비교예에 따른 세정액 조성물을 제조하였다.
(단위: 중량%)
실시예
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
A-1 30.1 15.5 10.6
A-2 41.2
A-3 10.3 70.8 33.7 5
A-4 24.6 47.4 45.8
A-5 38.5 39.8
B-1 45.1 11.3
B-2 59.4 39.3
B-3 40.2 61.5 40.2 5.7
B-4 59.8 55.3
B-5 50.7 50.5
C-1 15.6 3.7
C-2 10.5 29.2
C-3 34.0 15.2 38.4 38.7
C-4 13.7 12.3
C-5 54.5
D-1 0.5 1.3
D-2 0.1
pH 6.7 6.7 6.7 6.8 6.8 6.7 6.7 2.5 6.5 6.5 6.7 6.8
(단위: 중량%)
비교예
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
A-1 39.8
A-2 50.3 56.8
A-3 32.7
A-4 43.8 54.1 40.6
A-5 43.2
A-6 24.9 40.9
A-7 25.8 50.8
B-2 43.9 60.4
B-3 44.1 61.9
B-4 59.1
B-5 56.8
B-6 59.4 30.5
C-2 19.1 52.9 13.8 49.2
C-3 13.2
C-5 45.9 12.7
C-6 60.2
D-3 4.3 3.3
D-4 5.6
pH 12.5 11.9 12.0 7.0 6.7 6.7 6.6 6.6 6.6 6.8 6.6 6.6
A-1: 감마부티로락톤 A-2: 에틸카보네이트
A-3: 프로필렌카보네이트 A-4: 디에틸카보네이트
A-5: 디메틸렌카보네이트 A-6: n-메틸-2-피롤리돈
A-7: 테트라하이드로퍼퓨릴알콜 B-1: 3-메톡시-3-메틸부틸아세테이트
B-2: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
B-3: 3-메톡시프로필아세테이트 B-4: 2-메톡시에틸아세테이트
B-5: 이소펜틸아세테이트 B-6 : 헥실아세테이트
C-1: 2-메톡시에탄올 C-2: 디에틸렌글리콜
C-3: 디에틸렌글리콜모노에틸에테르
C-4: 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르
C-5: 디프로필렌글리콜모노메틸에테르
C-6: 디프로필렌글리콜디메틸에테르
D-1: Efka PX4310 (@Basf 社) D-2: BYK D-110 (@BYK 社)
D-3: 테트라메틸암모늄하이드록사이드 D-4: 에탄올아민
시험예: 세정력 평가
화이트 포토레지스트(동우화인켐, SIJ-W1400), 레드 양자점을 포함하는 자발광 감광성 포토레지스트(동우화인켐, SIJ-R1400) 및 컬러필터에 사용되는 레드 감광성 포토레지스트(동우화인켐, SEO-R8701)를 각각 5Х5cm 글라스 상에 스핀 코터를 이용하여, 막두께 10um로 균일하게 코팅한 후, 30분간 상온에서 자연 건조하여, 기판을 준비하였다.
상기 기판을 실시예 및 비교예에 따른 세정액 조성물에 상온에서 1분간 침지시켜, 포토레지스트의 박리 정도를 시안으로 평가하고, 헤이즈 미터로 측정하여, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
<시안 평가 기준>
◎: 매우 양호(얼룩 및 잔여물 99% 이상 제거)
○: 양호(얼룩 및 잔여물 90% 이상 99% 미만 제거)
△: 보통(얼룩 및 잔여물 80% 이상 90% 미만 제거)
×: 불량(포토레지스트 80% 미만 제거)
구분 화이트 포토레지스트 레드 자발광 감광성 포토레지스트 레드 감광성 포토레지스트
시안 헤이즈 시안 헤이즈 시안 헤이즈
실시예1 ◎ 0.3 ◎ 0.3 ◎ 0.2
실시예2 ◎ 0.4 ◎ 0.6 ◎ 0.2
실시예3 ◎ 0.5 ◎ 0.7 ◎ 0.2
실시예4 ◎ 0.2 ◎ 0.2 ◎ 0.2
실시예5 ◎ 0.2 ◎ 0.2 ◎ 0.2
실시예6 ◎ 0.2 ◎ 0.2 ◎ 0.2
실시예7 ◎ 0.2 ◎ 0.2 ◎ 0.2
실시예8 ◎ 0.2 ◎ 0.2 ◎ 0.2
실시예9 △ 22.2 △ 25.4 ◎ 0.6
실시예10 △ 20.5 △ 23.8 ◎ 0.5
실시예11 ○ 16.5 ○ 18.9 ◎ 0.4
실시예12 ○ 15.3 ○ 17.8 ◎ 0.4
비교예1 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가
비교예2 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가
비교예3 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가 측정불가
비교예4 X 30.7 X 41.5 ◎ 0.7
비교예5 △ 23.8 X 32.6 ◎ 0.6
비교예6 △ 22.7 X 31.9 ◎ 0.6
비교예7 X 31.2 X 42.1 ◎ 0.7
비교예8 △ 25.7 X 35.9 ◎ 0.6
비교예9 X 45.6 X 51.7 ◎ 0.8
비교예10 △ 20.2 X 30.3 ◎ 0.6
비교예11 X 46.9 X 52.4 ◎ 0.9
비교예12 X 48.3 X 55.7 ◎ 0.9
상기 표 4를 참조하면, 실시예에 따른 세정액 조성물을 사용하여 포토레지스트를 세정하는 경우, 얼룩 및 잔여물 99% 이상 제거되어 세정력이 매우 우수한 것을 확인할 수 있다.
반면, 비교예에 따른 세정액 조성물을 사용하여 포토레지스트를 세정하는 경우, 얼룩 및 잔여물이 제대로 제거되지 않아 세정력이 매우 떨어지며, 특히 또한 암모늄염 또는 아민 화합물을 포함하여 pH가 9를 초과하는 비교예 1 내지 3에 따른 세정액 조성물의 경우, 응집 및 현탁 발생으로 인하여 세정력 측정 조차 불가하였다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; 및
    하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상;을 포함하며,
    pH가 1 내지 9인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00004

    상기 화학식 1에 있어서,
    R1은 수소, 히드록시기, 에스터기, 치환 또는 비치환 된 C1~C4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 알콕시기, 알케닐기 또는 고리형 환 구조이고,
    R2는 수소, 카르복실기, 에스터기, 할로겐 또는 금속원자가 치환 또는 비치환 된 C1~C8의 알킬기, 알케닐기 또는 고리형 환 구조이며, R1과 R2가 함께 환을 형성할 수 있다.
    [화학식 2]
    Figure pat00005

    상기 화학식 2에 있어서,
    R3은 수소, 치환 또는 비치환 된 C1~C4의 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기이고,
    R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, C1~C3의 알킬기 또는 알케닐기고,
    R6은 탄소 또는 산소이고,
    R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 C1~C3의 알콕시기, 수소, 히드록시기, 할로겐 또는 금속원자가 치환 또는 비치환 된 C1~C4의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기 또는 C5~C8 고리형 알킬기이되, 적어도 하나는 C1~C3의 알콕시기이고,
    n은 0 또는 1이다.
    [화학식 3]
    Figure pat00006

    상기 화학식 3에 있어서,
    R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기 또는 C1~C4의 직쇄 탄화수소기이고, 상기 탄화수소기는 하이드록시기로 치환 또는 비치환 된 알킬기, 알콕시기 또는 알케닐기를 포함하고,
    m은 1~6의 정수이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 감마부티로락톤, 에틸카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디에틸카보네이트 및 디메틸카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 3-메톡시-3-메틸부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 3-메톡시프로필아세테이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 2-메톡시에탄올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 2-메톡시에틸아세테이트 및 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    세정액 조성물 총 중량에 대하여,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 20 내지 90 중량%로 포함하고,
    하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상을 10 내지 80 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정액 조성물은 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 첨가제는 계면활성제 및 분산제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정액 조성물은 무기 입자 또는 금속산화물 중 1종 이상을 포함하는 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
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