KR20200108394A - D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치 - Google Patents

D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200108394A
KR20200108394A KR1020200113567A KR20200113567A KR20200108394A KR 20200108394 A KR20200108394 A KR 20200108394A KR 1020200113567 A KR1020200113567 A KR 1020200113567A KR 20200113567 A KR20200113567 A KR 20200113567A KR 20200108394 A KR20200108394 A KR 20200108394A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
emitting diode
led
light
light emitting
source module
Prior art date
Application number
KR1020200113567A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102393326B1 (ko
Inventor
김한도
김병순
박근렬
박은미
최용선
Original Assignee
지엘비텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 지엘비텍 주식회사 filed Critical 지엘비텍 주식회사
Publication of KR20200108394A publication Critical patent/KR20200108394A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102393326B1 publication Critical patent/KR102393326B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/27—Retrofit light sources for lighting devices with two fittings for each light source, e.g. for substitution of fluorescent tubes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/04—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings
    • F21V3/10—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings
    • F21V3/12—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings the coatings comprising photoluminescent substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 LED 광원 모듈 및 조명 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고연색성 LED와 자외선 LED를 이용하여 높은 연색성과 함께 우수한 조건등색지수 특성을 가지는 D50, D65 고연색성 표준 LED 광원 모듈 및 조명 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈은, 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 자외선 발광다이오드(LED) 소자; 및 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자를 포함하며, 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자는, 440nm~460nm의 여기 파장을 갖는 제1 LED 칩과 상기 제1 LED 칩의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제1 형광체층을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며, 상기 제1 형광체층은, 440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체; 500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체; 및 600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

D50, D65 고연색성 표준 LED 발광 모듈 및 조명 장치 {D50, D65 Standard LED Light Emitting Module and Lighting Apparatus with High Color Rendering Index}
본 발명은 LED 광원 모듈 및 조명 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고연색성 LED와 자외선 LED를 이용하여 높은 연색성과 함께 우수한 조건등색지수 특성을 가지는 D50, D65 고연색성 표준 LED 광원 모듈 및 조명 장치에 관한 것이다.
많은 사람들이 흔하게 의류 매장에서 살펴본 의류의 색상이 나중에 다른 색상으로 느껴지는 경우를 경험하게 된다. 이는 조명에 따라 물체의 색상이 달리 인식되면서 나타나는 현상이다.
이에 따라, 직물, 인쇄물 등과 같이 색상의 정확한 검사(inspection)가 필요한 경우, 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 미리 정해진 표준 조명 규격을 따르는 검사등을 사용하는 환경에서 색상을 판단하는 것이 요구된다. 이때, 표준 조명의 규격을 만족시키기 위해서는 다양한 파장에서의 연색지수(Color Rendering Index; CRI)가 미리 정해진 기준치 이상이어야 하며(예를 들어, R1 ~ R15에 대한 평균연색지수(Ra)가 90이상), 나아가 조명에 따라 색상이 얼마나 다르게 인식되는지를 나타내는 조건등색지수(Metamerism Index, MI)도 기준치 이하의 값을 가지는 것이 요구된다.
보다 구체적으로, 도 2에서는 일본 공업 규격(JIS)에 따른 D65(6500K Daylight), D50(5000K Daylight) 표준 광원에 대한 규격을 예시하고 있는데, 이에 따라 가시조건등색지수(MIvis)가 1.0이내, 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5이내, 평균연색지수가 95% 이상 및 특수연색지수(R9~R15)가 85% 이상의 기준치를 만족시켜야 한다. 또한, 국제 표준 규격(ISO)에 따르면 가시조건등색지수(MIvis)가 1.0이내, 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5이내, 평균연색지수가 90% 이상 및 특수연색지수(R9~R15)를 포함하는 각 연색지수가 80% 이상의 각 기준치를 만족시켜야 한다.
종래에는 상기 표준 광원으로서 통상적으로 수은등이나 형광등을 사용하였으나, 상기 수은등이나 형광등은 환경에 유해한 물질을 포함할 뿐만 아니라 낮은 에너지 효율 등의 문제로 전세계적으로 점차 그 사용이 제한되고 있는 추세이다.
이에 따라, 발광다이오드(LED) 등을 이용하여 표준 광원을 구성하고자 하는 다양한 시도가 이루어지고 있으나, 발광다이오드(LED)는 특정한 파장의 빛을 발광하는 특성을 가지는 바, 다양한 파장에서의 높은 연색지수(CRI)를 구현하기 어려울 뿐만 아니라, 가시조건등색지수 및 형광조건등색지수 (MIvis, MIuv)까지 우수한 특성으로 구현하는 것은 더욱 해결하기 어려운 문제가 된다.
이에 따라, 발광다이오드(LED) 등을 사용하여 표준 광원을 구성하기 위한 노력에도 불구하고, 아직 표준 광원에 요구되는 충분한 성능을 가지는 발광다이오드(LED) 표준 광원은 구현되지 못하고 있다.
대한민국 공개특허공보 제 10-2014-0102604호
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 발광다이오드(LED)를 이용하여 높은 연색성과 함께 우수한 조건등색지수 특성을 가지는 고연색성 표준 LED 광원 모듈 및 조명 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈은, 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 자외선 발광다이오드(LED) 소자; 및 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자를 포함하며, 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자는, 440nm~460nm의 여기 파장을 갖는 제1 LED 칩과 상기 제1 LED 칩의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제1 형광체층을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며, 상기 제1 형광체층은, 440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체; 500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체; 및 600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 광원 모듈의 자외선함량(UVcontent) 수치는 60 내지 160의 범위 내에 있을 수 있다.
또한, 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자로서, 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용할 수 있다.
또한, 상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자와 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자를 내장하는 투광재를 더 포함하며, 상기 투광재는 PMMA, 유리 또는 자외선을 투과하는 재질로 구성될 수 있다.
또한, 상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자로서, 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용할 수 있다.
또한, 상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자 및 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자에 의하여 가시조건등색지수(MIvis)가 1.0이하이고 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5이하의 발광 특성을 가질 수 있다.
이때, 평균연색지수(Ra)는 90% 이상이고, 특수연색지수 R9 ~ R15는 80% 이상의 발광 특성을 가질 수 있다.
나아가, 상관색온도(CCT)는 2000K ~ 10000K의 범위 내에 있을 수있다.
더 나아가, 상기 광원 모듈은, 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자를 더 포함할 수 있고, 이때 상기 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자는, 400nm~440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩과 상기 제2 LED 칩의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제2 형광체층을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며, 상기 제2 형광체층은, 440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체; 500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체; 및 600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체를 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자 및 상기 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자로서, 각각 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용할 수 있다.
또한, 상기 광원 모듈은, 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 청색 발광다이오드(LED) 소자를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자의 300nm ~ 400nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)는 상기 청색 발광다이오드(LED) 소자의 400nm ~ 470nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)의 60 ~ 90% 의 범위 내에 있을 수 있다.
또한, 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자에서, 상기 제1 LED 칩은 400nm~440nm의 여기 파장을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 광원 모듈은, 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 자외선 발광다이오드(LED) 소자; 및 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자를 포함하며, 상기 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자는, 400nm~440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩과 상기 제2 LED 칩의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제2 형광체층을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며, 상기 제2 형광체층은, 440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체; 500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체; 및 600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 광원 모듈의 자외선함량(UVcontent) 수치는 60 내지 160의 범위 내에 있을 수 있다.
또한, 상기 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자로서, 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용할 수 있다.
또한, 상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자로서, 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용할 수 있다.
나아가, 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 청색 발광다이오드(LED) 소자를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자의 300nm ~ 400nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)는 상기 청색 발광다이오드(LED) 소자의 400nm ~ 470nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)의 60 ~ 90% 의 범위 내에 있을 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 조명 장치는, 상기 기재된 광원 모듈;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 자외선 발광다이오드(LED) 소자와, 440nm ~ 460nm의 여기 파장을 갖는 제1 LED 칩과 상기 제1 LED 칩의 여기 파장에 의해 발광하는 제1 형광체층을 포함하며 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자를 함께 사용하여 광원 모듈을 구성함으로써, 높은 연색성과 함께 우수한 조건등색지수 특성을 가지는 고연색성 표준 LED 광원 모듈 및 조명 장치를 제공할 수 있게 한다. 본 발명의 백색 LED 칩은 특히 R9 및 R12 등의 특수 색상에 대한 높은 연색성을 나타낸다.
또한, 본 발명에 의하면 상기 광원 모듈에 400nm ~ 440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩과 상기 제2 LED 칩의 여기 파장에 의해 발광하는 제2 형광체층을 포함하며 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자를 더 구비하거나, 상기 제1 LED 칩이 400nm~440nm의 여기 파장을 가지도록 광원 모듈을 구성함으로써, 보다 개선된 조건등색지수 특성을 가질 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 의하면 상기 광원 모듈에 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 청색 발광다이오드(LED) 소자를 더 구비하여 광원 모듈을 구성함으로써, 보다 개선된 조건등색지수 특성을 가질 수 있게 된다.
도 1은 통상의 표준 조명을 사용한 색상 검사 장치를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 2는 통상의 표준 조명의 규격을 예시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)의 분해도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에 사용되는 제1 백색 발광다이오드(100)의 단면도이다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 D65 규격에 따르는 광원 모듈(10)에서의 항목별 성능 실험치 및 발광 스펙트럼이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 D50 규격에 따르는 광원 모듈(10)에서의 항목별 성능 실험치 및 발광 스펙트럼이다.
도 11은 본 발명에 대한 비교예로서 통상의 연성 특성을 가지는 발광다이오드(Ra = 80)를 이용한 광원 모듈에서의 항목별 성능 실험치 및 발광 스펙트럼이다.
도 12 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에 대한 적분구 성능 측정치이다.
도 14는 본 발명의 여러 실시예들에 따른 광원 모듈(10)의 D65 규격에서의 항목별 성능 실험 결과표이다.
도 15a 내지 도 15d는 본 발명의 여러 실시예들에 따른 광원 모듈(10)의 D65 규격에서의 항목별 성능 측정치이다.
도 16은 본 발명의 여러 실시예들에 따른 광원 모듈(10)의 D50 규격에서의 항목별 성능 실험 결과표이다.
도 17a 내지 도 17d는 본 발명의 여러 실시예들에 따른 광원 모듈(10)의 D50 규격에서의 항목별 성능 측정치이다.
도 18a 내지 도 18b는 본 발명의 여러 실시예들에 대한 광원 모듈(10)의 D65 및 D50 규격에서의 발광 스펙트럼이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
이하에서는, 본 발명에 따른 고연색성 표준 LED 발광 모듈 및 조명 장치의 예시적인 실시형태들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)의 사시도를 예시하고 있고, 도 4에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)의 분해도를 예시하고 있다.
도 3 및 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)은 하나 이상의 자외선 발광다이오드(220) 소자와 하나 이상의 제1 백색 발광다이오드(100) 소자를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 자외선 발광다이오드(200) 소자는 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 발광다이오드(LED)일 수 있으며, 또한 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 소자는 평균연색지수(Ra)가 90% 이상인 발광다이오드(LED)일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 소자는, 440nm~460nm의 여기 파장을 갖는 제1 LED 칩(130)과 상기 제1 LED 칩(130)의 발광면을 덮고, 상기 제1 LED 칩(130)의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제1 형광체층(150)을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며, 이때 상기 제1 형광체층(150)은, 440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체(152), 500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체(153) 및 600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체(154)를 포함하여 구성될 수 있다.
나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)은 상기 자외선 발광다이오드(220) 및 제1 백색 발광다이오드(100)가 장착되는 기판(200), 상기 기판(200)이 안착되는 지지부(320) 및 상기 자외선 발광다이오드(220) 및 제1 백색 발광다이오드(100)를 내장하며 상기 자외선 발광다이오드(220) 및 제1 백색 발광다이오드(100)에서 발광되는 빛을 투과하는 투광재(300) 및 상기 기판(200)에 전기적으로 연결되어 외부 전원을 공급하는 연결부(310)를 포함하여 구성될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)을 각 구성 요소 별로 나누어, 보다 자세하게 설명한다.
우선, 도 5에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제1 백색 발광다이오드(100) 소자를 예시적으로 도시하고 있다.
도 5를 참조하면, 제1 백색 발광다이오드(100) 소자는 베이스 기판(110) 상에 장착된 제1 LED 칩(130)을 포함한다. 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 소자는 표면실장 방식(SMT)으로 볼 그리드 접합(210)되어 금속 기판(metal PCB) 등 다양한 종류의 기판(200) 상에 장착될 수 있다. 물론 상기 도 5의 패키지 구조는 본 발명의 LED 소자의 적용 예를 예시한 것으로, 이외에도 다른 패키징 방식으로도 구성 가능하다.
상기 제1 백색 발광다이오드(100) 소자의 베이스 기판(110) 상에는 소정 형상 예컨대 원통 형상의 프레임(170)이 설치되며, 상기 프레임(170)의 내측면에는 제1 LED 칩(130)으로부터 방출되는 광을 효율적으로 반사시키기 위한 리플렉터가 설치된다. 도시하지는 않았지만, 상기 제1 LED 칩(130)의 하나의 전극은 본딩 와이어를 개재하여 프레임(170)과 전기적으로 접속될 수 있다. 또한 상기 제1 LED 칩(130)의 다른 전극은 베이스 기판 상의 금속 배선과 전기적으로 접속될 수 있다.
상기 제1 LED 칩(130)으로는 440nm 내지 460nm의 피크 파장을 갖는 발광 다이오드를 포함한다. 상기 발광 다이오드로는 InGaN계 또는 GaN계 등의 발광 다이오드가 사용될 수 있다. 본 발명에서 제1 LED 칩(130)을 대신하여 레이저 다이오드와 같은 다른 발광 소자가 사용될 수도 있다.
상기 제1 LED 칩(130)은 제1 형광체층(150)에 의해 둘러싸여 있다. 상기 제1 형광체층(150)은 상기 제1 LED 칩(130)의 발광 파장에 의해 여기되어 소정 파장의 광을 방출하는 형광체(152, 153, 154)를 포함한다. 본 발명에서 상기 형광체는 바람직하게는 분말 형태로 제공된다. 이를 위해 상기 제1 형광체층(150)은 상기 형광체를 분산 및 고정하며 상기 제1 LED 칩(130)을 밀봉하는 투명 수지를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 투명 수지로는 통상의 실리콘 수지나 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다.
본 발명에서 상기 형광체(152, 153, 154)는 상이한 조성의 형광 물질로 구성된다. 바람직하게는 상이한 발광 파장을 갖는 최소한 3 종의 형광 물질을 포함한다. 본 발명에서 상기 형광체(152, 153, 154)는 상기 제1 LED 칩(130)에서 방출되는 광에 의해 여기되어 청색광을 발하는 제1 형광체(B), 녹색광을 발하는 제2 형광체(G) 및 적색광을 발하는 제3 형광체(R)를 포함한다. 본 발명에서 상기 제1, 제2 및 제3 형광체는 산화물 또는 질화물인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 제1 형광체(152)는 상기 제1 LED 칩(100)의 발광에 의해 여기되어 440 내지 499nm 범위에서 피크 파장을 갖는 광을 방출한다. 상기 제1 형광체(152)의 발광 피크 파장은 상기 제1 LED 칩(130)에서 방출되는 광의 피크 파장 보다 크다.
본 발명에서 상기 제1 형광체(152)로는 청색광을 발하는 형광체로서 하기 (화학식 1)로 표현되는 형광체를 사용하는 것이 바람직하다.
(화학식 1)
(Ba,Eu)SiOx(O,Cl)xNx (1 < x < 5)
본 발명에서 상기 제2 형광체(153)는 상기 제1 LED 칩(130)의 발광에 의해 여기되어 500 내지 580nm 범위에서 피크 파장을 갖는 광을 방출하며, 상기 제2 형광체(153)로는 녹색광을 발하는 형광체로서 하기 (화학식 2) 내지 (화학식 4)로 표현되는 형광체를 단독 또는 조합되어 사용할 수 있다.
(화학식 2)
(Sr,Ba,Ca)xSiO2x:Eu (1 < x < 5)
(화학식 3)
Si6 - yＡlyOyN8 - y:Eu (0.1 < y < 0.5)
(화학식 4)
Al8 - zLuzO12:Ce++ (1< z < 5)
본 발명에서 상기 제3 형광체(154)는 상기 제1 LED 칩(130)의 발광에 의해 여기되어 600 내지 699nm 범위에서 피크 파장을 갖는 광을 방출하며, 상기 제3 형광체(154)로는 하기 (화학식 5) 또는 (화학식 6)으로 표현되는 형광체를 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다.
(화학식 5)
(Sr,Ca)AlSiNx:Eu (1 < x < 5)
(화학식 6)
CaAlSiNy:Eu (1 < y < 5)
나아가, 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 소자로서, 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용함으로써, 광원 모듈(10)의 조건등색지수 등 특성을 보다 개선하는 것도 가능하다.
다음으로, 상기 자외선 발광다이오드(220)는 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 발광다이오드를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 자외선 발광다이오드(220)에 의한 300nm ~ 400nm 파장의 광량은 상기 광원 모듈(10)에 의한 전체 광량의 20 ~ 80% 의 범위에 있는 것이 바람직하며, 나아가 상기 광원 모듈(10)의 상관색온도(CCT)는 2000K ~ 10000K의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 광원 모듈(10)에서 발광되는 빛 중 자외선의 함량에 해당하는 자외선함량(UVcontent) 수치가 60 내지 160의 범위 내에 있도록 조정함으로써, 상기 광원 모듈(10)의 표준 조명 요구 규격(예를 들어, 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15) 등)에 대한 특성이 크게 개선될 수 있다. 이에 대해서는 실시예에 대한 실험 결과와 함께 보다 자세하게 후술한다.
또한, 상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자로서, 반드시 동일한 종류의 발광다이오드(LED)가 사용되어야 하는 것은 아니며, 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용할 수도 있다. 특히, 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 자외선 발광다이오드(LED) 소자를 함께 사용함으로써, 상기 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv) 특성을 크게 개선할 수 있게 된다. 이에 대해서도 실시예에 대한 실험 결과와 함께 보다 자세하게 후술한다.
나아가, 본원 발명에서는 상기 자외선 발광다이오드(220) 소자는 자외선 LED 칩이 베이스 기판(110) 등에 장착되는 패키지 구조로 구성될 수 있겠으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 상기 자외선 LED 칩이 상기 기판(200)에 직접 장착되는 등 자외선을 발광할 수 있는 다양한 구조가 채택될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)은 상기 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 자외선 발광다이오드(220) 소자와, 평균연색지수(Ra)가 90% 이상인 하나 이상의 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자를 함께 사용하여 광원을 구성함으로써, 종래 발광다이오드(LED)로는 구현하기 어려웠던 표준 광원에 요구되는 높은 연색지수(CRI) 특성 및 우수한 조건등색지수(MI) 특성을 달성할 수 있게 된다.
즉, 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 일본 공업 규격(JIS)에 따른 D65(6500K Daylight) 표준 광원 규격은 가시조건등색지수(MIvis)가 1.0이내, 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5이내, 평균연색지수가 95% 이상 및 특수연색지수(R9~R15)가 85% 이상(단, 국제 표준 규격(ISO)의 경우는 평균연색지수가 90% 이상 및 특수연색지수(R9~R15)를 포함하는 각 연색지수가 80% 이상)의 기준치를 동시에 만족하여야 하는데, 종래 통상의 발광다이오드(LED)로는 상기 평균연색지수가 75% ~ 80% 수준에 머물렀으며, 특정한 파장에서의 특수연색지수가 크게 떨어질 수 있었을 뿐만 아니라. 더 나아가 가시조건등색지수(MIvis) 및 형광조건등색지수 (MIuv)까지 우수한 특성으로 구현하는 것은 더욱 해결하기 어려운 문제였다.
이에 대하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에서는 상기 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 자외선 발광다이오드(220) 소자와, 평균연색지수(Ra)가 90% 이상인 하나 이상의 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자를 함께 사용하여 광원을 구성함으로써, 상기 가시조건등색지수(MIvis)가 1.0이내, 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5이내, 평균연색지수(Ra)가 90% 이상 및 특수연색지수(R9~R15)를 포함하는 각 연색지수가 80% 이상의 각 기준치를 모두 만족시킬 수 있게 된다.
나아가, 상기 기판(200)은 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 및 자외선 발광다이오드(220)이 장착되는 패드 및 제1 백색 발광다이오드(100) 및 자외선 발광다이오드(220)를 구동시키기 위한 회로 패턴 등이 구비될 수 있다. 상기 기판(200)은 FR-4 등 유전체를 이용하여 구성될 수도 있으나, 나아가 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 및 자외선 발광다이오드(220)의 발열 등을 촉진하기 위한 금속 기판(metal PCB) 등 다양한 재질로 구현될 수도 있다. 이때, 상기 기판(200)은 연결부(310)와 전기적으로 연결되어 외부 전원을 공급받을 수 있다.
나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에는 상기 기판(200)을 안착시키는 지지부(320)가 구비될 수 있다. 나아가, 상기 지지부(320)는 상기 기판(200)에서의 방열을 촉진하기 위하여 금속 재질로 이루어지거나 방열에 유리한 구조로 구현될 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에는 상기 자외선 발광다이오드(220) 및 제1 백색 발광다이오드(100)를 내장하며 상기 자외선 발광다이오드(220) 및 제1 백색 발광다이오드(100)에서 발광되는 빛을 투과하는 투광재(300)를 구비할 수 있다. 상기 투광재(300)는 상기 자외선 발광다이오드(220)에서 발광되는 자외선 빛과 상기 제1 백색 발광다이오드(100)에서 발광되는 빛을 효과적으로 투과시킬 수 있는 PMMA 또는 유리 등으로 구성되는 것이 바람직하다. 나아가, 상기 투광재(300)는 눈부심을 덜어줄 수 있도록 반투명 재질로 구현될 수도 있다.
이하, 도 6 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 D65(6500K) 규격에 따르는 광원 모듈(10)의 실험치 등을 근거로 본 발명을 보다 자세하게 검토한다.
먼저, 도 6a 내지 도 9a에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에서의 항목별 성능 실험치를 보여주고 있다. 보다 구체적으로 도 6 내지 도 9에서는 각각 순차적으로 평균연색지수가 90% 이상인 제1 백색 발광다이오드(100) 소자와 함께 360nm, 385nm, 405nm의 피크 파장을 가지는 자외선 발광다이오드(220) 소자 및 360nm, 405nm의 피크 파장을 가지는 두개의 자외선 발광다이오드(220) 소자로 광원 모듈(10)을 구성한 경우에 대한 실험치를 보여주고 있다.
이에 대하여, 도 6b 내지 도 9b에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에서의 발광 스펙트럼을 도시하고 있다.
이하, 본 발명에서 각 실시예 및 비교예들에 대한 상관색온도(CCT), 자외선함량(UVcontent), 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15) 등의 측정 데이터들은 GL OPTIC의 SPECTIS 1.0 Touch 장비를 사용하여 산출되었다.
먼저, 도 6a의 경우(360nm 자외선 발광다이오드(220) 소자를 사용하는 경우), 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하게 되고, 이때 상기 형광조건등색지수(MIuv)가 점차 낮아지면서 상기 표준 광원의 기준치를 만족시킬 수 있음을 알 수 있다(6.0 -> 1.5).
보다 구체적으로, 도 6a에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 입력 전류(IF)가 450mA ~ 700mA의 범위에 있는 경우 자외선함량(UVcontent) 수치가 60 이상이 되면서, 본원 발명에 따른 광원 모듈(10)이 상기 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15)의 규격을 모두 만족시키게 됨을 확인할 수 있다.
나아가, 도 7a에서는 385nm 자외선 발광다이오드(220) 소자를 사용하는 경우에 대하여, 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하게 되고, 이때 상기 형광조건등색지수(MIuv)가 점차 낮아지면서 상기 표준 광원의 기준치를 만족시킬 수 있음을 보여주고 있다(5.9 -> 1.5).
보다 구체적으로, 도 7a에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 입력 전류(IF)가 150mA ~ 180mA의 범위에 있는 경우 자외선함량(UVcontent) 수치가 60 ~ 120의 범위를 나타내면서, 본원 발명에 따른 광원 모듈(10)이 상기 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15)의 규격을 모두 만족시키게 된다.
또한, 도 8a에서는 405nm 자외선 발광다이오드(220) 소자를 사용하는 경우에 대하여, 입력 전류(IF)가 증가하더라도 자외선함량(UVcontent) 수치가 약 35 미만의 범위에 머무르게 되고, 이에 따라 상기 형광조건등색지수(MIuv)가 3.5 이상의 값을 가지게 되는 바, 상기 표준 광원의 기준치를 만족시킬 수 없게 된다.
그러나, 이러한 경우에도, 도 9a에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 405nm 자외선 발광다이오드(220) 소자와 360nm 자외선 발광다이오드(220) 소자를 함께 사용하여 광원 모듈(10)을 구성함으로써, 상기 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15)의 규격을 모두 만족시킬 수 있을 뿐만 아니라, 보다 우수한 특성을 구현할 수 있게 된다.
즉, 도 9a에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 405nm 자외선 발광다이오드(220) 소자와 360nm 자외선 발광다이오드(220) 소자를 함께 사용하면서, 상기 360nm 자외선 발광다이오드(220) 소자의 입력 전류를 420mA 이상으로 증가시키는 경우 자외선함량(UVcontent) 수치가 60 이상이 되면서, 본원 발명에 따른 광원 모듈(10)이 상기 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15)의 규격을 모두 만족시키게 되며, 더 나아가 상기 가시조건등색지수(MIvis)는 0.4까지 낮출 수 있고 상기 형광조건등색지수(MIuv)는 1.2까지 낮출 수 있어 매우 우수한 조건등색지수 특성을 구현할 수 있음을 확인할 수 있다.
이어서, 도 10a에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 D50(5000K) 규격에 따른 광원 모듈(10)에서의 항목별 성능 실험치를 보여주고 있다. 보다 구체적으로 도 10a에서는 평균연색지수가 90% 이상인 제1 백색 발광다이오드(100) 소자와 함께 385nm의 피크 파장을 가지는 자외선 발광다이오드(220) 소자로 광원 모듈(10)을 구성한 경우에 대한 실험치를 보여주고 있다.
또한, 도 10b에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에서의 발광 스펙트럼을 도시하고 있다
이때, 도 10a의 경우(385nm 자외선 발광다이오드(220) 소자를 사용하는 경우), 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하게 되고, 이때 상기 형광조건등색지수(MIuv)가 점차 낮아지면서 상기 표준 광원의 기준치를 만족시킬 수 있음을 알 수 있다(4.5 -> 0.8).
보다 구체적으로, 도 10a에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 입력 전류(IF)가 65mA ~ 110mA의 범위에 있는 경우 자외선함량(UVcontent) 수치가 60 내지 130의 값을 가지면서, 본원 발명에 따른 광원 모듈(10)이 상기 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15)의 규격을 모두 만족시키게 됨을 확인할 수 있다.
따라서, 상기 D50(5000K) 규격의 경우에 대한 실험치를 볼 때, D65(6500K) 규격에 대한 경우와 같이 평균연색지수가 90% 이상인 제1 백색 발광다이오드(100) 소자와 함께 300~400nm 자외선 발광다이오드(220) 소자를 조합하여 광원 모듈(10)을 구성함으로써 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15)의 규격을 모두 만족시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
이에 반하여, 도 11에서는, 본 발명에 대한 비교예로서 통상의 연성 특성을 가지는 발광다이오드(Ra = 80)를 이용한 광원 모듈(10)에서의 항목별 성능 실험치 및 발광 스펙트럼을 도시하고 있다.
보다 구체적으로, 도 11a에서는 평균연색지수가 80% 수준인 통상의 백색 발광다이오드 소자와 함께 365nm의 피크 파장을 가지는 자외선 발광다이오드(220) 소자로 광원 모듈(10)을 구성한 경우에 대한 실험치를 보여주고 있다.
또한, 도 11b에서는 상기 비교예에 따른 광원 모듈(10)에서의 발광 스펙트럼을 도시하고 있다
이때, 도 11a의 경우(평균연색지수가 80% 수준인 통상의 백색 발광다이오드 소자와 함께 365nm 자외선 발광다이오드(220) 소자를 사용하는 경우), 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하더라도, 상기 가시조건등색지수(MIvis)가 1.2 이상의 값을 가지는 바 표준 광원의 기준치(MIvis 1.0 이내)를 만족시키지 못함을 알 수 있다.
나아가, 도 12와 도 13에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에 대한 적분구 성능 측정치를 보여주고 있다.
먼저, 도 12에서는 평균연색지수가 90% 이상인 제1 백색 발광다이오드(100) 소자와 함께 365nm의 피크 파장을 가지는 자외선 발광다이오드(220) 소자를 사용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)을 구성한 후 적분구(integrating sphere)를 이용하여 성능을 측정한 결과치를 예시하고 있다.
도 12에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)은 가시조건등색지수(MIvis)가 0.5이고, 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5이며, 평균연색지수(Ra)가 96.4% 이고, 특수연색지수(R9~R15)가 모두 89.6% 이상인 바, 상기 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15)의 규격을 모두 만족시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
또한, 도 13에서는 평균연색지수가 90% 이상인 제1 백색 발광다이오드(100) 소자와 함께 385nm의 피크 파장을 가지는 자외선 발광다이오드(220) 소자를 사용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)을 구성한 후 적분구(integrating sphere)를 이용하여 성능을 측정한 결과치를 예시하고 있다.
도 13에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)은 가시조건등색지수(MIvis)가 0.5이고, 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5이며, 평균연색지수(Ra)가 95.9% 이고, 특수연색지수(R9~R15)가 모두 88.6% 이상인 바, 상기 가시조건등색지수(MIvis), 형광조건등색지수(MIuv), 평균연색지수(Ra) 및 특수연색지수(R9~R15)의 규격을 모두 만족시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)은, 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 및 자외선 발광다이오드(220)와 함께, 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 청색 발광다이오드(102) 소자를 더 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 청색 발광다이오드(102)로서 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 단색 발광다이오드가 사용될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에서는, 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 및 자외선 발광다이오드(220)와 함께, 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 청색 발광다이오드(102) 소자를 구비하여 광원 모듈(10)을 구성함으로써, 보다 개선된 조건등색지수 특성을 가질 수 있게 된다.
나아가, 상기 자외선 발광다이오드(220) 소자의 300nm ~ 400nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)는 상기 청색 발광다이오드(102) 소자의 400nm ~ 470nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)의 60 ~ 90% 의 범위 내에 있도록 하는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로, 도 14에서는 본 발명의 실시예에 따른 광원 모듈(10)의 D65 규격에서의 항목별 성능 실험 결과를 예시하고 있다. 도 14에서 실시예1(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220))과 실시예2(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220)+ 청색 발광다이오드(102))의 성능 실험 결과를 비교해 보면, 실시예1에서는 가시조건등색지수(MIvis)가 0.7이고 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5인 반면, 실시예2에서는 가시조건등색지수(MIvis)가 0.5이고 형광조건등색지수(MIuv)가 0.8로서 그 성능치가 크게 개선되었음을 확인할 수 있다.
또한, 도 15a에서는 상기 실시예2(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220)+ 청색 발광다이오드(102))에 대한 D65 규격에서의 항목별 성능 측정치를 예시하고 있다.
도 15a에서 볼 수 있는 바와 같이, 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하게 되고 형광조건등색지수(MIuv)가 낮아지면서, 입력 전류(IF) 190~250 mA의 범위에서 형광조건등색지수(MIuv)를 1.0 이하로 크게 낮출 수 있음을 알 수 있다.
나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)은, 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 및 자외선 발광다이오드(220)와 함께, 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(101) 소자를 더 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 제2 백색 발광다이오드(101) 소자는, 도 5의 제1 백색 발광다이오드(100)의 구조와 유사하게, 400nm~440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩(140)과 상기 제2 LED 칩(140)의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제2 형광체층(160)을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자인 것이 바람직하며, 여기서 상기 제2 형광체층(160)은, 440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체(152), 500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체(153) 및 600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체(154)를 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로서, 상기 제2 형광체층(160)에 포함되는 제1 형광체(152), 제2 형광체(153) 및 제3 형광체(154)는 제1 형광체층(150)에 포함되는 제1 형광체(152), 제2 형광체(153) 및 제3 형광체(154)과 동일한 형광체가 사용될 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
나아가, 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 소자 및 상기 제2 백색 발광다이오드(101) 소자로서, 각각 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용함으로써, 광원 모듈(10)의 조건등색지수 등 특성을 보다 개선하는 것도 가능하다.
더 나아가, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 제1 백색 발광다이오드(100)와 상기 제2 백색 발광다이오드(101)가 별개의 소자로 구성되어 사용될 수 있겠으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 백색 발광다이오드(100)와 상기 제2 백색 발광다이오드(101)가 일체로서 하나의 소자로 구성되어 사용될 수도 있다.
이에 따라, 본 발명에서는, 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 및 자외선 발광다이오드(220)와 함께, 400nm ~ 440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩(140)과 상기 제2 LED 칩(140)의 여기 파장에 의해 발광하는 제2 형광체층(160)을 포함하며 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(101) 소자를 구비하여 광원 모듈(10)을 구성함으로써, 보다 개선된 조건등색지수 특성을 가질 수 있게 된다.
보다 구체적으로, 도 14를 다시 참조하여 실시예1(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220))과 실시예3(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220)+제2 백색 발광다이오드(101))의 성능 실험 결과를 비교해 보면, 실시예1에서는 가시조건등색지수(MIvis)가 0.7이고 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5인 반면, 실시예3에서는 가시조건등색지수(MIvis)가 0.6이고 형광조건등색지수(MIuv)가 0.9로서 그 성능치가 크게 개선되었음을 확인할 수 있다.
또한, 도 15b에서는 상기 실시예3(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220)+제2 백색 발광다이오드(101))에 대한 D65 규격에서의 항목별 성능 측정치를 예시하고 있다.
도 15b에서 볼 수 있는 바와 같이, 실시예3에서도 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하게 되고 형광조건등색지수(MIuv)가 낮아지면서, 입력 전류(IF) 270~310 mA의 범위에서 형광조건등색지수(MIuv)를 1.0 이하로 낮게 유지할 수 있음을 알 수 있다.
더 나아가, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 제1 백색 발광다이오드(100) 및 자외선 발광다이오드(220)와 함께, 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(101) 소자 뿐만 아니라 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 청색 발광다이오드(102) 소자를 모두 구비하여 광원 모듈(10)을 구성할 수도 있다.
이에 따라, 도 14에서 실시예1(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220))과 실시예4(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220)+ 제2 백색 발광다이오드(101) + 청색 발광다이오드(102))의 성능 실험 결과를 비교해 보면, 실시예4에서도 가시조건등색지수(MIvis)가 0.6이고 형광조건등색지수(MIuv)가 0.9로서 그 성능치가 크게 개선되었음을 확인할 수 있다(실시예1에서는 가시조건등색지수(MIvis)가 0.7이고 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5).
또한, 도 15c에서 볼 수 있는 바와 같이, 실시예4에서도 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하게 되고 형광조건등색지수(MIuv)가 낮아지면서, 입력 전류(IF) 250~280 mA의 범위에서 형광조건등색지수(MIuv)를 1.0 이하로 낮게 유지할 수 있음을 알 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 광원 모듈(10)이, 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 자외선 발광다이오드(220) 소자 및 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(101) 소자를 포함하며, 상기 제2 백색 발광다이오드(101) 소자는, 400nm~440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩(140)과 상기 제2 LED 칩(140)의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제2 형광체층(160)을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며, 상기 제2 형광체층(160)은, 440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체(152), 500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체(153) 및 600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체(154)를 포함하도록 구성할 수도 있다.
나아가, 상기 제2 백색 발광다이오드(101) 소자로서 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용함으로써, 광원 모듈(10)의 조건등색지수 등 특성을 보다 개선하는 것도 가능하다.
또한, 상기 광원 모듈(10)의 자외선함량(UVcontent) 수치는 60 내지 160의 범위 내에 있을 수 있으며, 나아가 상기 자외선 발광다이오드(220) 소자로서, 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용할 수 있다.
또한, 상기 광원 모듈(10)은, 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 청색 발광다이오드(102) 소자를 더 포함할 수 있으며, 이때 상기 자외선 발광다이오드(220) 소자의 300nm ~ 400nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)는 상기 청색 발광다이오드(102) 소자의 400nm ~ 470nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)의 60 ~ 90% 의 범위 내에 있도록 함으로써, 광원 모듈(10)의 조건등색지수 등 특성을 더욱 개선할 수도 있다.
이에 대해, 도 14에서 실시예1(440nm~460nm 여기 파장의 제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220))과 실시예5(400nm~440nm 여기 파장의 제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220))의 성능 실험 결과를 비교해 보면, 실시예5에서도 가시조건등색지수(MIvis)가 0.4이고 형광조건등색지수(MIuv)가 1.0으로서 그 성능치가 크게 개선되었음을 확인할 수 있다(실시예1에서는 가시조건등색지수(MIvis)가 0.7이고 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5).
또한, 도 15d에서 볼 수 있는 바와 같이, 실시예5에서도 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하게 되고 형광조건등색지수(MIuv)가 낮아지면서, 입력 전류(IF)가 160 mA 인 경우 형광조건등색지수(MIuv)를 1.0 으로 낮출 수 있음을 알 수 있다.
또한, 도 16에서는 본 발명의 여러 실시예들(실시예1 내지 실시예5)에 따른 광원 모듈(10)의 D50 규격에서의 항목별 성능 실험 결과를 예시하고 있다.
도 16에서 볼 수 있는 바와 같이, 실시예1(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220))의 경우에는 가시조건등색지수(MIvis)가 0.5이고 형광조건등색지수(MIuv)가 0.8인 반면, 실시예2(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220)+ 청색 발광다이오드(102))의 경우는 가시조건등색지수(MIvis)가 0.5이고 형광조건등색지수(MIuv)가 0.6으로서 그 성능치가 더욱 개선되었음을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 실시예3(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220)+제2 백색 발광다이오드(101))의 경우도 가시조건등색지수(MIvis)가 0.4이고 형광조건등색지수(MIuv)가 0.6이며, 실시예4(제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220)+제2 백색 발광다이오드(101) + 청색 발광다이오드(102))의 경우도 가시조건등색지수(MIvis)가 0.5이고 형광조건등색지수(MIuv)가 0.6이며, 실시예5(400nm~440nm 여기 파장의 제1 백색 발광다이오드(100)+자외선 발광다이오드(220))의 경우도 가시조건등색지수(MIvis)가 0.5이고 형광조건등색지수(MIuv)가 0.7로 보다 개선된 조건등색지수 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
이에 대하여, 도 17a 내지 도 17d에서는 상기 실시예2 내지 실시예5에 대한 D50 규격에서의 항목별 성능 측정치를 예시하고 있다.
먼저, 도 17a에서 볼 수 있는 바와 같이, 실시예2에서도 입력 전류(IF)가 증가함에 따라 자외선함량(UVcontent) 수치가 점차 증가하게 되고 형광조건등색지수(MIuv)가 낮아지면서, 입력 전류(IF) 370~390 mA의 범위에서 형광조건등색지수(MIuv)를 0.6 수준으로 낮추어 최적화할 수 있음을 알 수 있다.
또한, 도 17b에서 볼 수 있는 바와 같이, 실시예3에서 입력 전류(IF) 260~280mA 범위에서 형광조건등색지수(MIuv)를 0.6 수준으로 최적화할 수 있으며, 도 17c에서는 실시예4에서 입력 전류(IF) 320~330mA 범위에서 형광조건등색지수(MIuv)를 0.6 수준으로 최적화할 수 있고, 도 17d에서는 실시예5에서 입력 전류(IF) 120~130mA 범위에서 형광조건등색지수(MIuv)를 0.7 이하 수준으로 낮출 수 있음을 확인할 수 있다.
또한, 도 18a 및 도 18b에서는 본 발명의 여러 실시예들(실시예1 내지 실시예5)에 대한 광원 모듈(10)의 D65 및 D50 규격에서의 발광 스펙트럼을 예시하고 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(10)에서는, 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 자외선 발광다이오드(LED) 소자와, 440nm ~ 460nm의 여기 파장을 갖는 제1 LED 칩(130)과 상기 제1 LED 칩(130)의 여기 파장에 의해 발광하는 제1 형광체층(150)을 포함하며 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제1 백색 발광다이오드(100) 소자를 함께 사용하여 광원 모듈(10)을 구성함으로써, 높은 연색성과 함께 우수한 조건등색지수 특성을 가지는 고연색성 표준 LED 광원 모듈을 제공할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 의하면 상기 광원 모듈(10)에 400nm ~ 440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩(140)과 상기 제2 LED 칩(140)의 여기 파장에 의해 발광하는 제2 형광체층(160)을 포함하며 평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(101) 소자를 더 구비하거나, 400nm~440nm의 여기 파장을 가지는 제1 LED 칩(130)을 구비하는 제1 백색 발광다이오드(100)사용하거나, 상기 광원 모듈(10)에 400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 청색 발광다이오드(102) 소자를 더 구비함으로써, 보다 개선된 조건등색지수 특성을 가지는 광원 모듈(10)을 구성할 수 있게 된다.
나아가, 본 발명의 다른 실시예에 따른 조명 장치는, 도 1에 예시된 바와 같이, 본 광원 모듈(10)을 포함하여 피검체의 색상 등을 검사하기 위한 장치로 구현될 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및/또는 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하기 위한 프로그램, 그 프로그램이 기록된 기록 매체 등을 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 앞서 설명한 실시예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야의 전문가라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10 : 광원 모듈
100 : 제1 백색 발광다이오드
101 : 제2 백색 발광다이오드
102 : 청색 발광다이오드
110 : 베이스 기판
130 : 제1 LED 칩
140 : 제2 LED 칩
150 : 제1 형광체층
152, 153, 154 : 제1, 제2 및 제3 형광체
160 : 제2 형광체층
170 : 프레임
200 : 기판
210 : 볼 그리드 접합
220 : 자외선 발광다이오드
300 : 투광재
310 : 연결부
320 : 지지부

Claims (19)

  1. 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 자외선 발광다이오드(LED) 소자; 및
    평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자를 포함하며,
    상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자는,
    440nm~460nm의 여기 파장을 갖는 제1 LED 칩과 상기 제1 LED 칩의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제1 형광체층을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며,
    상기 제1 형광체층은,
    440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체;
    500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체; 및
    600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광원 모듈의 자외선함량(UVcontent) 수치는 60 내지 160의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자로서,
    서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자와 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자를 내장하는 투광재를 더 포함하며,
    상기 투광재는 PMMA, 유리 또는 자외선 투과가 가능한 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자로서,
    서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자 및 상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자에 의하여 가시조건등색지수(MIvis)가 1.0이하이고 형광조건등색지수(MIuv)가 1.5이하의 발광 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    평균연색지수(Ra)는 90% 이상이고, 특수연색지수 R9 ~ R15는 80% 이상의 발광 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  8. 제6항에 있어서,
    상관색온도(CCT)는 2000K ~ 10000K의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  9. 제1항에 있어서,
    평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자를 더 포함하며,
    상기 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자는,
    400nm~440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩과 상기 제2 LED 칩의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제2 형광체층을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며,
    상기 제2 형광체층은,
    440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체;
    500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체; 및
    600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 백색 발광다이오드(LED) 소자 및 상기 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자로서,
    각각 서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  11. 제1항에 있어서,
    400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 청색 발광다이오드(LED) 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자의 300nm ~ 400nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)는 상기 청색 발광다이오드(LED) 소자의 400nm ~ 470nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)의 60 ~ 90% 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  13. 300nm ~ 400nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 자외선 발광다이오드(LED) 소자; 및
    평균연색지수가 90% 이상인 하나 이상의 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자를 포함하며,
    상기 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자는,
    400nm~440nm의 여기 파장을 갖는 제2 LED 칩과 상기 제2 LED 칩의 여기 파장에 의해 여기되어 발광하는 제2 형광체층을 포함하는 발광다이오드(LED) 소자이며,
    상기 제2 형광체층은,
    440~499nm의 발광 피크 파장을 가지는 제1 형광체;
    500~580nm의 발광 피크 파장을 가지는 제2 형광체; 및
    600~699nm의 발광 피크 파장을 가지는 제3 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 광원 모듈의 자외선함량(UVcontent) 수치는 60 내지 160의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제2 백색 발광다이오드(LED) 소자로서,
    서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자로서,
    서로 다른 피크 파장을 가지는 2종류 이상의 발광다이오드(LED) 소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  17. 제13항에 있어서,
    400nm ~ 470nm의 발광 피크를 가지는 하나 이상의 청색 발광다이오드(LED) 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 자외선 발광다이오드(LED) 소자의 300nm ~ 400nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)는 상기 청색 발광다이오드(LED) 소자의 400nm ~ 470nm 파장의 피크 파장 스펙트럼 강도(intensity)의 60 ~ 90% 의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 광원 모듈;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
KR1020200113567A 2017-09-06 2020-09-07 D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치 KR102393326B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20170113643 2017-09-06
KR1020170113643 2017-09-06
KR1020180105482A KR102230459B1 (ko) 2017-09-06 2018-09-04 D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180105482A Division KR102230459B1 (ko) 2017-09-06 2018-09-04 D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200108394A true KR20200108394A (ko) 2020-09-18
KR102393326B1 KR102393326B1 (ko) 2022-05-03

Family

ID=65759694

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180105482A KR102230459B1 (ko) 2017-09-06 2018-09-04 D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치
KR1020200113567A KR102393326B1 (ko) 2017-09-06 2020-09-07 D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180105482A KR102230459B1 (ko) 2017-09-06 2018-09-04 D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10982824B2 (ko)
EP (1) EP3680545A4 (ko)
JP (1) JP2020532874A (ko)
KR (2) KR102230459B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111050444B (zh) * 2019-02-01 2021-04-09 靳鹏 一种多通道led模拟cie标准照明体的方法和照明系统
JP7138606B2 (ja) * 2019-06-27 2022-09-16 京セラ株式会社 照明装置
KR102401589B1 (ko) * 2020-06-03 2022-05-25 지엘비텍 주식회사 인체에 유익한 스펙트럼을 가지는 고연색성 백색 광원
WO2022039562A1 (ko) * 2020-08-21 2022-02-24 서울반도체주식회사 발광 장치
KR102582461B1 (ko) * 2021-06-30 2023-09-25 솔라미션 주식회사 투광등용 햇빛등 엘이디 어레이 및 이를 이용한 엘이디 햇빛 투광등
KR102401586B1 (ko) * 2021-11-26 2022-05-25 유스테크 유한책임회사 표준광 구현 led 광원 모듈

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013258037A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Panasonic Corp 照明装置
KR20140102604A (ko) 2013-02-14 2014-08-22 오츠카 일렉트로닉스 가부시키가이샤 표준 광원 및 측정 방법
KR20160077144A (ko) * 2013-10-28 2016-07-01 지이 라이팅 솔루션스, 엘엘씨 향상된 광증백 및 컬러 선호도를 위한 램프
KR20170002352A (ko) * 2016-12-26 2017-01-06 지엘비텍 주식회사 고연색성 백색 발광 소자
JP2017507491A (ja) * 2014-02-21 2017-03-16 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 発光モジュール、ランプ、照明器具及び物体を照射する方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897624B2 (en) * 1997-08-26 2005-05-24 Color Kinetics, Incorporated Packaged information systems
US7064498B2 (en) * 1997-08-26 2006-06-20 Color Kinetics Incorporated Light-emitting diode based products
US20030133292A1 (en) * 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US6095661A (en) * 1998-03-19 2000-08-01 Ppt Vision, Inc. Method and apparatus for an L.E.D. flashlight
JP4388664B2 (ja) * 2000-03-31 2009-12-24 三菱電機株式会社 植物照明装置
PT1422975E (pt) * 2000-04-24 2010-07-09 Philips Solid State Lighting Produto ‚ base de leds
US7202613B2 (en) * 2001-05-30 2007-04-10 Color Kinetics Incorporated Controlled lighting methods and apparatus
US7144131B2 (en) * 2004-09-29 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Optical system using LED coupled with phosphor-doped reflective materials
KR100893348B1 (ko) 2004-12-24 2009-04-15 가부시끼가이샤 도시바 백색 ｌｅｄ 및 그것을 사용한 백라이트 및 액정 표시 장치
DE102005059362A1 (de) * 2005-02-01 2006-09-07 Helmut Dipl.-Ing. Grantz Farblich einstellbare Tageslichtquelle
US7745985B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-29 Panasonic Corporation Light-emitting module, and display unit and lighting unit using the same
JP4989936B2 (ja) * 2006-07-27 2012-08-01 株式会社朝日ラバー 照明装置
JP5367218B2 (ja) * 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
US8567973B2 (en) * 2008-03-07 2013-10-29 Intematix Corporation Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs)
KR100924912B1 (ko) * 2008-07-29 2009-11-03 서울반도체 주식회사 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈
TW201026344A (en) * 2008-10-08 2010-07-16 Hayashibara Biochem Lab Lighting device
TWI384654B (zh) * 2009-07-31 2013-02-01 Univ Nat Taiwan Science Tech 色溫可調之白光發光裝置
US8905588B2 (en) * 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8508127B2 (en) * 2010-03-09 2013-08-13 Cree, Inc. High CRI lighting device with added long-wavelength blue color
US9112120B2 (en) * 2011-02-09 2015-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba White light source and white light source system including the same
EP2701213B8 (en) * 2011-04-22 2020-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba White light source and white light source system using same
WO2013015597A2 (ko) 2011-07-28 2013-01-31 Kim Byeong Cheon 백색 led 장치
WO2013061942A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 株式会社東芝 白色光源およびそれを用いた白色光源システム
CN104025322B (zh) * 2011-10-24 2017-05-03 株式会社东芝 白光源和包括所述白光源的白光源系统
US9661722B2 (en) * 2012-09-21 2017-05-23 Philips Lighting Holding B.V. System and method for managing lighting systems
JP6356606B2 (ja) * 2012-10-04 2018-07-11 株式会社東芝 歯科用照明装置
WO2014119313A1 (ja) * 2013-01-31 2014-08-07 株式会社 東芝 発光装置及びｌｅｄ電球
TWI523277B (zh) * 2013-07-12 2016-02-21 White light emitting diode module with ultraviolet light
WO2015035425A1 (en) 2013-09-09 2015-03-12 GE Lighting Solutions, LLC Enhanced color-preference light sources
KR101417874B1 (ko) 2013-10-02 2014-07-09 지엘비텍 주식회사 고연색성 백색 발광 소자
WO2015050317A1 (ko) * 2013-10-02 2015-04-09 지엘비텍 주식회사 고연색성 백색 발광 소자
JP2015126160A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 サンケン電気株式会社 発光装置
TWI575181B (zh) * 2014-09-26 2017-03-21 艾笛森光電股份有限公司 光線發射模組
KR102288404B1 (ko) * 2014-11-20 2021-08-11 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
CN107810362B (zh) * 2015-06-16 2020-06-26 飞利浦照明控股有限公司 发射一部分uv光的照明组件
WO2017012829A1 (en) * 2015-07-23 2017-01-26 Philips Lighting Holding B.V. A lighting assembly with a uv protected light source that emits visible light
US10441809B2 (en) * 2015-11-10 2019-10-15 Signify Holding B.V. Tunable white light source with variable UV component
KR20170061919A (ko) 2015-11-27 2017-06-07 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
WO2017135255A1 (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 東芝マテリアル株式会社 近視抑制物品用光源および近視抑制物品用光源の使用方法
CN105605487A (zh) * 2016-03-04 2016-05-25 温州佳易仪器有限公司 一种对色标准光源箱

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013258037A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Panasonic Corp 照明装置
KR20140102604A (ko) 2013-02-14 2014-08-22 오츠카 일렉트로닉스 가부시키가이샤 표준 광원 및 측정 방법
KR20160077144A (ko) * 2013-10-28 2016-07-01 지이 라이팅 솔루션스, 엘엘씨 향상된 광증백 및 컬러 선호도를 위한 램프
JP2017507491A (ja) * 2014-02-21 2017-03-16 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 発光モジュール、ランプ、照明器具及び物体を照射する方法
KR20170002352A (ko) * 2016-12-26 2017-01-06 지엘비텍 주식회사 고연색성 백색 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR102393326B1 (ko) 2022-05-03
US10982824B2 (en) 2021-04-20
KR102230459B1 (ko) 2021-03-23
JP2020532874A (ja) 2020-11-12
US20200191341A1 (en) 2020-06-18
EP3680545A1 (en) 2020-07-15
KR20190027328A (ko) 2019-03-14
EP3680545A4 (en) 2021-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102230459B1 (ko) D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치
RU2623682C2 (ru) Модуль излучения белого света
JP6407243B2 (ja) 高演色性白色発光素子
CN108533970B (zh) 用于增强光学照明和颜色偏好的灯
JP4989936B2 (ja) 照明装置
KR101408508B1 (ko) 발광 장치
US9923126B2 (en) Light emitting device having high color rendering using three phosphor types
JP2013214735A (ja) 発光装置、これを用いた照明装置及び照明器具
JP2007134606A (ja) 白色光源
JPWO2016159141A1 (ja) 発光装置
JP2008235458A (ja) 白色発光装置、これを用いてなるバックライトおよび表示装置並びに照明装置
JP2014112621A (ja) 半導体発光装置及び照明装置
RU2651794C2 (ru) Светоизлучающая компоновка с регулируемой силой света
JP6712768B2 (ja) 発光装置及び照明装置
KR101706600B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
KR102130817B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
US9608176B2 (en) Light-emitting device
US11293602B2 (en) High color rendering D50/D65 standard LED illuminant module and lighting apparatus
KR101652258B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
US8304980B2 (en) Flourescence material and white light illumination element
KR101855391B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
JP2020140810A (ja) 照明装置
CN116825931A (zh) 发光装置
JP2010010379A (ja) 発光装置および照明ユニット
JP2016039230A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant