KR20200096985A - Shutter disk assembly, semiconductor processing apparatus and method - Google Patents

Shutter disk assembly, semiconductor processing apparatus and method Download PDF

Info

Publication number
KR20200096985A
KR20200096985A KR1020207021459A KR20207021459A KR20200096985A KR 20200096985 A KR20200096985 A KR 20200096985A KR 1020207021459 A KR1020207021459 A KR 1020207021459A KR 20207021459 A KR20207021459 A KR 20207021459A KR 20200096985 A KR20200096985 A KR 20200096985A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base
shutter
pressing disk
disk
shutter pressing
Prior art date
Application number
KR1020207021459A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102442541B1 (en
Inventor
동동 리
하오 구오
멍신 짜오
Original Assignee
베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. filed Critical 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
Publication of KR20200096985A publication Critical patent/KR20200096985A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102442541B1 publication Critical patent/KR102442541B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32477Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • H01J37/32724Temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447Collimators, shutters, apertures

Abstract

본 개시는 셔터 디스크 어셈블리, 반도체 가공 장치와 방법을 제공한다. 해당 셔터 디스크 어셈블리는 연결 부재와 셔터 가압 디스크를 포함하고, 여기서 연결 부재는 셔터 가압 디스크를 베이스 상측으로 이동시켜, 베이스의 지지면의 제1 위치 또는 수직 방향에서 베이스의 지지면과 중첩되지 않는 제2 위치를 커버하고, 셔터 가압 디스크의 테두리 부분은, 셔터 가압 디스크가 제1 위치에 위치하고 베이스가 냉각 위치에 위치할 경우, 베이스에 탑재되는 피공작물의 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉된다. 본 개시가 제공하는 셔터 디스크 어셈블리는, 공정 수행 시 피공작물의 전체 표면에 박막을 증착할 수 있고, 더불어 가공 대상 공작물에 대해 효과적이고 고효율적인 냉각을 구현할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.The present disclosure provides a shutter disk assembly and a semiconductor processing apparatus and method. The shutter disk assembly includes a connecting member and a shutter pressing disk, wherein the connecting member moves the shutter pressing disk upward to a first position of the supporting surface of the base or a first position that does not overlap with the supporting surface of the base in a vertical direction. Covering the two positions, the rim portion of the shutter pressing disk contacts each other with the rim region of the upper surface of the work piece mounted on the base when the shutter pressing disk is located in the first position and the base is located in the cooling position. The shutter disk assembly provided by the present disclosure can deposit a thin film on the entire surface of a work piece when performing a process, and can implement effective and highly efficient cooling of the work object to be processed, thereby improving productivity.

Description

셔터 디스크 어셈블리, 반도체 가공 장치와 방법Shutter disk assembly, semiconductor processing apparatus and method

본 개시의 실시예는 셔터 디스크 어셈블리, 반도체 가공 장치와 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present disclosure relate to a shutter disk assembly and a semiconductor processing apparatus and method.

물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 기술은 진공 조건에서 물리적 방법을 사용하여 재료원(고체 또는 액체) 표면을 기체 형태의 원자, 분자로 기화하거나 일부를 이온으로 이온화하고, 저압 가스(또는 플라즈마) 과정을 통해 기판 표면에 일부 특수 기능을 구비하는 박막을 증착하는 기술이다. 현재로서, PVD 기술을 이용하여 금속막, 합금막을 증착할 수 있을 뿐만 아니라, 화합물, 세라믹, 반도체, 폴리머막 등을 증착할 수 있다.Physical Vapor Deposition (PVD) technology uses a physical method in a vacuum condition to vaporize the surface of a material source (solid or liquid) into atoms or molecules in the form of gas, or ionize some of it into ions, and use a low pressure gas (or plasma). ) Process to deposit a thin film with some special functions on the surface of the substrate. Currently, not only metal films and alloy films can be deposited using PVD technology, but also compounds, ceramics, semiconductors, polymer films, and the like can be deposited.

PVD 장치 자체의 성능은 증착되는 필름층의 품질과 생산성 등에 직접적인 영향을 미치게 되며, 각종 부품의 필름층의 정밀도, 품질 및 생산성에 대한 요구가 지속적으로 높아짐에 따라, PVD 장치 자체의 성능에 대한 개선에 지속적인 추진력을 제공하였다.The performance of the PVD device itself directly affects the quality and productivity of the film layer to be deposited, and as the demand for precision, quality and productivity of the film layer of various parts continues to increase, the performance of the PVD device itself is improved. Provided a lasting momentum to

본 개시의 일 실시예에 따르면, 연결 부재와 셔터 가압 디스크를 포함하며, 여기서, According to an embodiment of the present disclosure, it includes a connecting member and a shutter pressing disk, wherein,

상기 연결 부재는 상기 셔터 가압 디스크를 베이스 상측으로 이동시켜, 상기 베이스의 지지면의 제1 위치 또는 수직 방향에서 상기 베이스의 지지면과 중첩되지 않는 제2 위치를 커버하고; The connecting member moves the shutter pressing disk upwards of the base to cover a first position of the support surface of the base or a second position that does not overlap with the support surface of the base in a vertical direction;

상기 셔터 가압 디스크의 테두리 부분에 있어서, 상기 셔터 가압 디스크가 상기 제1 위치에 위치하고 상기 베이스가 냉각 위치에 위치할 경우, 상기 셔터 가압 디스크의 테두리 부분은 상기 베이스에 탑재되는 피공작물의 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉되는 셔터 디스크 어셈블리를 제공한다.In the rim portion of the shutter pressing disk, when the shutter pressing disk is located in the first position and the base is located in the cooling position, the rim portion of the shutter pressing disk is on the upper surface of the workpiece mounted on the base. A shutter disk assembly in contact with the rim area is provided.

일부 예시에 있어서, 상기 셔터 가압 디스크는 상기 연결 부재와 활동 가능하게 연결되어, 상기 베이스가 상기 냉각 위치보다 낮을 경우, 상기 테두리 부분이 상기 피공작물과 서로 분리되도록 하고, 상기 베이스가 상기 냉각 위치까지 상승하는 과정에서, 상기 베이스가 상기 셔터 가압 디스크를 받쳐 올려, 상기 테두리 부분이 상기 피공작물의 테두리 구역을 가압하도록 한다.In some examples, the shutter pressurizing disk is movably connected to the connecting member, so that when the base is lower than the cooling position, the rim portion is separated from each other, and the base is moved to the cooling position. In the ascending process, the base supports the shutter pressing disk so that the rim portion presses the rim region of the workpiece.

일부 예시에 있어서, 상기 연결 부재에는 상기 연결 부재를 수직 방향으로 관통하는 위치 고정홀이 설치된다. 상기 셔터 가압 디스크의 상부 표면에는 위치 고정 돌기부가 설치되며, 상기 위치 고정 돌기부는 상기 위치 고정홀과 서로 결합되어, 상기 베이스가 상기 냉각 위치보다 낮을 경우, 상기 셔터 가압 디스크가 상기 위치 고정 돌기부를 통해 상기 연결 부재에 매달리도록 한다. 상기 베이스가 상기 냉각 위치까지 상승하여 상기 셔터 가압 디스크를 받쳐 올리는 과정에서, 상기 위치 고정 돌기부가 상기 위치 고정홀에 대해 상향 이동하는 것을 허용한다.In some examples, the connection member is provided with a position fixing hole penetrating the connection member in a vertical direction. A position fixing protrusion is installed on an upper surface of the shutter pressing disk, and the position fixing protrusion is coupled to the position fixing hole, and when the base is lower than the cooling position, the shutter pressing disk passes through the position fixing protrusion. Try to hang on the connecting member. In the process of raising the base to the cooling position to support the shutter pressing disk, the position fixing protrusion is allowed to move upward with respect to the position fixing hole.

일부 예시에 있어서, 상기 위치 고정홀은 원뿔형 홀로, 상기 원뿔형 홀의 직경은 상부에서 하부로 점차적으로 감소된다.In some examples, the position fixing hole is a conical hole, and the diameter of the conical hole is gradually decreased from top to bottom.

일부 예시에 있어서, 상기 위치 고정 돌기부는 결합부를 포함하며, 상기 결합부는 원뿔형으로, 상기 베이스가 상기 냉각 위치보다 낮을 경우, 상기 결합부의 외주벽이 상기 원뿔형 홀의 홀벽과 서로 결합된다.In some examples, the position fixing protrusion includes a coupling portion, and the coupling portion is conical, and when the base is lower than the cooling position, the outer peripheral wall of the coupling portion is coupled to the hole wall of the conical hole.

일부 예시에 있어서, 상기 위치 고정홀은 직통홀이고, 상기 직통홀의 홀벽에 계단부가 설치되고, 상기 위치 고정 돌기부는 결합부를 포함하며, 상기 베이스가 상기 냉각 위치보다 낮을 경우, 상기 결합부의 적어도 일부가 상기 계단부에 적층되어 설치된다.In some examples, the position fixing hole is a direct hole, a step portion is installed on the hole wall of the direct hole, and the position fixing protrusion includes a coupling portion, and when the base is lower than the cooling position, at least a portion of the coupling portion is It is laminated and installed on the stepped portion.

일부 예시에 있어서, 상기 위치 고정 돌기부는 기둥형 연장부를 더 포함하며, 상기 연장부는 연직으로 설치되고, 상기 연장부의 상단은 상기 결합부와 연결되고, 상기 연장부의 하단은 상기 셔터 가압 디스크과 연결되며, 상기 연장부의 외경은 상기 원뿔형 홀의 최소 직경보다 작다.In some examples, the position fixing protrusion further includes a columnar extension, the extension is installed vertically, the upper end of the extension is connected to the coupling part, and the lower end of the extension is connected to the shutter pressing disk, The outer diameter of the extension is smaller than the minimum diameter of the conical hole.

일부 예시에 있어서, 회전 기구를 더 포함하며, 상기 회전 기구는, 상기 베이스의 일측에 연직으로 설치되어 상기 연결 부재와 연결되는 회전축과 상기 회전축을 회전시켜 상기 연결 부재가 상기 회전축을 따라 상기 제1 위치 또는 제2 위치까지 회전하도록 구동하는 구동원을 포함한다.In some examples, further comprising a rotation mechanism, wherein the rotation mechanism is installed vertically on one side of the base to rotate the rotation shaft and the rotation shaft connected to the connection member so that the connection member is the first And a driving source that drives to rotate to the position or the second position.

일부 예시에 있어서, 상기 셔터 가압 디스크는 가압 디스크 본체를 포함하며, 상기 가압 디스크 본체의 하부 표면 테두리 구역에는 링형 돌기부가 형성되어 상기 테두리 부분으로 사용되고, 상기 링형 돌기부는 폐쇄된 링형으로 상기 셔터 가압 디스크의 원주 방향을 따라 설치되거나, 또는 상기 링형 돌기부는 다수 개의 서브 돌기부를 포함하여, 다수 개의 서브 돌기부가 상기 셔터 가압 디스크의 원주 방향을 따라 이격되어 설치된다.In some examples, the shutter pressing disk includes a pressing disk body, a ring-shaped protrusion is formed in a lower surface rim region of the pressing disk main body to be used as the rim, and the ring-shaped protrusion is a closed ring-shaped shutter pressing disk. It is installed along the circumferential direction of, or the ring-shaped protrusion includes a plurality of sub protrusions, and a plurality of sub protrusions are installed to be spaced apart along the circumferential direction of the shutter pressing disk.

일부 예시에 있어서, 상기 셔터 가압 디스크는 가압 디스크 본체를 포함하며, 상기 가압 디스크 본체의 외주벽에는 링형 돌기부가 형성되고, 상기 링형 돌기부는 상기 가압 디스크 본체의 하부 표면에 대해 돌출되어 상기 테두리 부분으로 사용되고, 상기 링형 돌기부는 폐쇄된 링형으로 상기 셔터 가압 디스크의 원주 방향을 따라 설치되거나, 또는 상기 링형 돌기부는 다수 개의 서브 돌기부를 포함하여, 다수 개의 서브 돌기부가 상기 셔터 가압 디스크의 원주 방향을 따라 이격되어 설치된다.In some examples, the shutter pressing disk includes a pressing disk main body, and a ring-shaped protrusion is formed on an outer circumferential wall of the pressing disk main body, and the ring-shaped protrusion protrudes with respect to the lower surface of the pressing disk main body to the edge portion. Is used, and the ring-shaped protrusion is installed along the circumferential direction of the shutter pressing disk in a closed ring shape, or the ring-shaped protrusion includes a plurality of sub-protrusions, and a plurality of sub-protrusions are spaced along the circumferential direction of the shutter pressing disk. Is installed.

다른 하나의 기술적 방안으로, 본 개시는 챔버를 포함하는 반도체 가공 장치를 더 제공하며, 해당 챔버는 베이스와 본 개시에서 제공하는 상기 셔터 디스크 어셈블리를 포함한다.As another technical solution, the present disclosure further provides a semiconductor processing apparatus including a chamber, the chamber including a base and the shutter disk assembly provided in the present disclosure.

상기 베이스에는 상기 베이스의 지지면과 상기 피공작물의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입하기 위한 백 블로우 관로가 내설된다.In the base, a bag blow pipe for introducing a bag blow gas into a gap between the support surface of the base and the lower surface of the workpiece is provided.

상기 베이스는 상기 냉각 위치 또는 로딩/언로딩 위치 또는 공정 위치로 이동할 수 있도록 승하강 가능하고, 상기 로딩/언로딩 위치는 상기 냉각 위치보다 낮고, 상기 공정 위치는 상기 냉각 위치보다 높다.The base is elevating and lowering to move to the cooling position, loading/unloading position, or process position, the loading/unloading position is lower than the cooling position, and the process position is higher than the cooling position.

일부 예시에 있어서, 상기 챔버는,In some examples, the chamber,

상기 베이스에 설치되고 상기 지지면의 주변에 서라운드되어, 상기 피공작물의 상기 베이스에서의 위치를 제한하는 리미트 링;A limit ring installed on the base and surrounded by the support surface to limit the position of the workpiece on the base;

상기 챔버의 측벽 내측에 서라운드되어 설치되는 차폐 부재;A shielding member that is installed to be surround inside the sidewall of the chamber;

상기 베이스가 상기 공정 위치에 위치할 경우 상기 리미트 링과 상기 차폐 부재 사이의 간극을 차단하고, 상기 베이스가 상기 공정 위치로부터 하강된 후 상기 차폐 부재에 의해 지지되는 배플 링을 더 포함한다.When the base is positioned at the process position, a gap between the limit ring and the shield member is blocked, and a baffle ring supported by the shield member after the base is lowered from the process position is further included.

일부 예시에 있어서, 상기 챔버의 일측에 설치되어 상기 챔버의 내부와 연통되며, 상기 셔터 가압 디스크가 상기 제2 위치에 위치할 경우 상기 셔터 가압 디스크를 수용하는 셔터 디스크 창고를 더 포함한다.In some examples, further comprising a shutter disk warehouse installed on one side of the chamber to communicate with the inside of the chamber, and accommodating the shutter pressing disk when the shutter pressing disk is located in the second position.

다른 하나의 기술적 방안으로, 본 개시는 본 개시에서 제공하는 상기 반도체 가공 장치를 사용하여 피공작물을 가공하는 반도체 가공 방법에 있어서, As another technical solution, the present disclosure is in a semiconductor processing method for processing a workpiece using the semiconductor processing apparatus provided in the present disclosure,

상기 셔터 가압 디스크를 상기 제2 위치에 유지시키고, 베이스가 상기 공정 위치까지 상승시켜 상기 피공작물의 전체 상부 표면에 대해 공정 처리를 수행하는 공정 처리 단계;A process treatment step of maintaining the shutter pressing disk in the second position and raising the base to the process position to perform a process treatment on the entire upper surface of the work piece;

공정 처리를 정지하고, 상기 베이스를 상기 공정 위치로부터 상기 로딩/언로딩 위치로 하강시키고, 상기 셔터 가압 디스크를 상기 제2 위치로부터 상기 제1 위치로 이동시킨 후, 상기 베이스를 상기 냉각 위치로 상승시켜, 상기 셔터 가압 디스크의 테두리 부분이 상기 베이스에 탑재되는 피공작물 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉하도록 하며, 다음으로, 상기 백 블로우 관로를 이용하여 상기 베이스의 지지면과 상기 피공작물의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입하는 냉각 단계를 포함하는 반도체 가공 방법을 더 제공한다.After stopping the process process, lowering the base from the process position to the loading/unloading position, moving the shutter pressing disk from the second position to the first position, and then raising the base to the cooling position So that the rim portion of the shutter pressurizing disk contacts each other with the rim region of the upper surface of the workpiece mounted on the base, and then, the support surface of the base and the lower surface of the workpiece using the back blow pipe It further provides a semiconductor processing method comprising a cooling step of introducing a bag blow gas into a gap therebetween.

일부 예시에 있어서, 상기 냉각 단계에서, 상기 냉각 위치의 높이는, 상기 베이스가 상기 냉각 위치로 상승하는 과정에서, 상기 베이스는 상기 셔터 가압 디스크가 이와 활동 가능하게 연결되는 상기 연결 부재에 대해 상향 이동하도록 상기 셔터 가압 디스크를 받쳐 올릴 수 있음에 따라, 상기 테두리 부분이 상기 피공작물의 상부 표면의 테두리 구역을 가압하도록 설정된다.In some examples, in the cooling step, the height of the cooling position is such that while the base is raised to the cooling position, the base moves upward with respect to the connecting member movably connected thereto. As the shutter pressing disk can be supported, the rim portion is set to press the rim region of the upper surface of the work piece.

일부 예시에 있어서, 상기 공정 처리 단계에서, 상기 공정 처리는 PVD 공정을 포함한다.In some examples, in the process treatment step, the process treatment includes a PVD process.

본 개시의 실시예가 제공하는 셔터 디스크 어셈블리, 반도체 가공 장치와 방법의 기술적 방안에 있어서, 연결 부재를 통해 셔터 가압 디스크가 수직 방향에서 베이스의 지지면과 중첩되지 않는 제2 위치로 이동하여, 피공작물 표면을 전혀 차단하지 않을 수 있어, 공정 수행 시 피공작물의 전체 표면에 박막을 증착할 수 있다. 더불어, 셔터 가압 디스크의 테두리 부분은, 셔터 가압 디스크가 베이스의 지지면을 커버하는 제1 위치에 위치하고 베이스가 냉각 위치에 위치할 경우, 베이스에 탑재되는 피공작물의 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉되어, 베이스의 지지면과 피공작물의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입할 경우, 피공작물이 베이스에 고정되어 바람에 날아가지 않도록 보장함으로써, 가공 대상 공작물에 대해 효과적이고 고효율적인 냉각을 구현할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.In the technical solution of the shutter disk assembly and semiconductor processing apparatus and method provided by the embodiment of the present disclosure, the shutter pressing disk is moved to a second position not overlapping with the support surface of the base in the vertical direction through the connection member, and the workpiece Since the surface may not be blocked at all, a thin film can be deposited on the entire surface of the work piece during the process. In addition, when the shutter pressing disk is located in the first position covering the support surface of the base and the base is located in the cooling position, the rim portion of the shutter pressing disk is in contact with the rim area of the upper surface of the workpiece mounted on the base. Therefore, when the bag blow gas flows into the gap between the support surface of the base and the lower surface of the work piece, the work piece is fixed to the base and ensures that it is not blown away by the wind, thereby providing effective and efficient cooling for the work piece to be processed. It can be implemented, and productivity can be improved.

본 발명의 실시예의 기술적 방안을 더 명확하게 설명하기 위해, 이하에서 실시예의 도면에 대해 간략하게 설명하기로 한다. 이하에서 설명하는 도면은 본 발명의 일부 실시예에 불과할 뿐, 본 발명에 대한 제한이 아님이 자명하다.
도 1은 셔터 디스크가 챔버로 인입되는 것을 나타내는 도면이고;
도 2는 셔터 디스크가 챔버로부터 인출되는 것을 나타내는 도면이고;
도 3은 PVD 장치의 단면을 나타내는 도면이고;
도 4는 베이스(백 블로우 관로가 구비되지 않음)를 나타내는 도면이고;
도 5는 다른 하나의 PVD 장치의 단면을 나타내는 도면이고;
도 6a는 본 개시의 일 실시예에 따른 셔터 디스크 어셈블리의 단면을 나타내는 도면이고;
도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른 셔터 디스크 어셈블리의 위치 고정부가 회전 암/위치 고정 홀을 이탈한 단면을 나타내는 도면이고;
도 7a는 본 개시의 일 실시예에 따른 셔터 디스크 어셈블리의 단면을 나타내는 도면이고;
도 7b는 본 개시의 일 실시예에 따른 셔터 디스크 어셈블리의 단면을 나타내는 도면이고;
도 8a는 본 개시의 다른 일 실시예에 따른 셔터 디스크 어셈블리의 단면을 나타내는 도면이고;
도 8b는 본 개시의 다른 일 실시예에 따른 셔터 디스크 어셈블리의 단면을 나타내는 도면이고;
도 8c는 본 개시의 다른 일 실시예에 따른 셔터 디스크 어셈블리의 단면을 나타내는 도면이고;
도 9a는 본 개시의 일 실시예에 따른 반도체 가공 장치의 단면을 나타내는 도면이고(베이스가 공정 위치에 위치함);
도 9b는 본 개시의 일 실시예에 따른 반도체 가공 장치의 베이스(백 블로우 관로가 구비됨)를 나타내는 도면이고;
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 반도체 가공 장치의 단면을 나타내는 도면이고(베이스가 로딩/언로딩 위치에 위치함); 및
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른 반도체 가공 장치의 단면을 나타내는 도면이다(베이스가 냉각 위치에 위치함).
In order to more clearly describe the technical solutions of the embodiments of the present invention, the drawings of the embodiments will be briefly described below. It is apparent that the drawings described below are only some embodiments of the present invention, and are not limited to the present invention.
Fig. 1 is a diagram showing the shutter disk being brought into the chamber;
Fig. 2 is a diagram showing that the shutter disk is withdrawn from the chamber;
3 is a diagram showing a cross section of a PVD device;
Fig. 4 is a view showing a base (no back blow duct is provided);
5 is a diagram showing a cross section of another PVD device;
6A is a view showing a cross section of a shutter disk assembly according to an embodiment of the present disclosure;
6B is a view showing a cross section of a position fixing part of a shutter disk assembly according to an embodiment of the present disclosure separated from a rotation arm/position fixing hole;
7A is a view showing a cross section of a shutter disk assembly according to an embodiment of the present disclosure;
7B is a view showing a cross-section of a shutter disk assembly according to an embodiment of the present disclosure;
8A is a view showing a cross section of a shutter disk assembly according to another embodiment of the present disclosure;
8B is a view showing a cross section of a shutter disk assembly according to another embodiment of the present disclosure;
8C is a view showing a cross-section of a shutter disk assembly according to another embodiment of the present disclosure;
9A is a view showing a cross section of a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure (the base is positioned at a process position);
9B is a view showing a base (back blow pipe is provided) of a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure;
10 is a view showing a cross section of a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure (the base is located in a loading/unloading position); And
11 is a diagram illustrating a cross section of a semiconductor processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure (the base is positioned at a cooling position).

본 발명의 실시예의 목적, 기술적 방안과 장점이 더 명확해지도록 이하에서 본 발명의 실시에의 도면을 결합하여 본 발명의 실시예의 기술적 방안에 대해 명확하고 완전하게 설명하기로 한다. 자명한 것은, 이에 설명되는 실시예는 본 발명의 일부 실시예일 뿐 모든 실시예가 아니다. 설명되는 본 발명의 실시예를 기초로 본 기술 분야의 일반적인 기술자가 진보적인 노동을 필요로 하지 않는 전제 하에 얻은 모든 기타 실시예는 모두 본 발명이 보호하는 범위에 해당된다.Hereinafter, the technical solutions of the embodiments of the present invention will be described clearly and completely by combining the drawings of the embodiments of the present invention so that the objects, technical solutions, and advantages of the embodiments of the present invention are more clear. Apparently, the embodiments described therein are only some embodiments of the present invention, not all embodiments. All other examples obtained on the basis of the described embodiments of the present invention on the premise that a person skilled in the art does not require progressive labor falls within the scope of the present invention.

기타 정의가 없는 이상, 본 개시에 사용되는 기술적 용어 또는 과학적 용어들은 본 개시가 해당되는 분야에서 일반적인 기능을 가진 자가 이해하는 통상적인 의미를 가지는 것이다. 본 개시에 사용되는 "제1", "제2" 및 유사하는 단어들은 그 어떠한 순서, 수량 또는 중요성을 표시하는 것이 아니라 상이한 구성 부분을 구별하기 위한 것이다. "포괄" 또는 "포함" 등의 유사한 단어들은 해당 단어 앞에 기재된 소자 또는 부재가 해당 단어 뒤에 열거된 소자 또는 부재 및 이와 동일하는 것을 포함하는 것으로 해석되며, 기타 소자 또는 부재를 배제하는 것이 아니다.Unless otherwise defined, technical terms or scientific terms used in the present disclosure have a common meaning understood by a person having a general function in the field to which the present disclosure corresponds. The “first”, “second” and similar words used in the present disclosure do not indicate any order, quantity, or importance, but are intended to distinguish different constituent parts. Similar words such as “comprising” or “comprising” are interpreted as including the element or member listed after the word and the same as the element or member described before the word, and do not exclude other elements or members.

이하에서 본 발명에 개시된 일부 실시예에 의해 더 자세하게 설명하기로 한다. 본 발명에 개시된 명세서에서, 베이스의 지지면은 베이스의 측면 중 챔버 바닥벽으로부터 멀리 있는 일측의 평면을 의미할 수 있다. 지지면을 이러한 평면으로 정의함으로써, 기타 부재와 해당 지지면의 위치 관계를 더 정확하게 설명할 수 있다. 또한, 베이스에 반도체 가공 장치를 장착할 경우, 해당 지지면에 수직되는 방향을 따라 이동하도록 배치될 수 있다. 지지면에 수직되는 방향, 즉 수직 방향에서, 베이스의 지지면의 반대측에서 지지면으로의 방향을 "상"향 방향으로 칭하고, 지지면에서 베이스의 지지면의 반대측으로의 방향을 "하"향 방향으로 칭한다. 이로써, 예를 들어 상부 표면, 하부 표면, 상승, 하강, 상부벽, 바닥벽과 같이, "상"과 "하", 또는 "상부"와 "바닥"으로 표현되는 각종 위치 관계에 명확한 의미를 부여하게 된다. 또 예를 들어, 피공작물의 2개의 표면에 있어서, 베이스와 등지는 표면을 "상부 표면"으로 칭하고, 베이스와 마주하는 표면을 "하부 표면"으로 칭한다. 또한, 상기 지지면과 평행되는 방향, 즉 수평 방향을 따라, 상기 베이스의 테두리에서 중심을 향하는 방향을 "내"향 방향으로 칭하고, 상기 베이스 중심에서 테두리를 향하는 방향을 "외"향 방향으로 칭한다. 따라서, 예를 들어 "내측"과 "외측"과 같이, "내"와 "외"로 표현되는 상대적 위치 관계에도 명확한 의미를 부여하게 된다. 또한, 주의해야 할 것은, 이상에서 방위를 나타내는 용어들은 단지 예시적이고 각 부재의 상대적인 위치 관계를 나타내는 것으로, 본 발명에 개시된 각종 장치 또는 장비 중의 부품 조합 또는 전체 장치 또는 장비는 전체적으로 일정한 각도로 회전할 수 있다.It will be described in more detail below by some embodiments disclosed in the present invention. In the specification disclosed in the present invention, the support surface of the base may mean a plane of one side of the base that is far from the chamber bottom wall. By defining the support surface as such a plane, the positional relationship between other members and the support surface can be more accurately described. In addition, when the semiconductor processing apparatus is mounted on the base, it may be arranged to move in a direction perpendicular to the support surface. In the direction perpendicular to the support surface, that is, in the vertical direction, the direction from the opposite side of the support surface of the base to the support surface is referred to as "up" direction, and the direction from the support surface to the opposite side of the support surface of the base is referred to as "down". It is called a direction. This gives a clear meaning to various positional relationships expressed as "top" and "bottom", or "top" and "bottom", such as, for example, upper surface, lower surface, rise, fall, upper wall, and floor wall. Is done. Further, for example, in the two surfaces of the work piece, the surface on which the base and the back are separated is referred to as “upper surface”, and the surface facing the base is referred to as “lower surface”. In addition, a direction parallel to the support surface, that is, a horizontal direction, a direction from the edge of the base toward the center is referred to as an "inward" direction, and a direction from the center of the base toward the edge is referred to as an "outward" direction. . Therefore, a clear meaning is also given to the relative positional relationship expressed as "inside" and "outside", such as "inside" and "outside". In addition, it should be noted that the terms indicating the orientation in the above are merely exemplary and represent the relative positional relationship of each member, and the combination of parts or the entire device or equipment among various devices or equipment disclosed in the present invention may rotate at a certain angle as a whole. I can.

본 발명에 개시된 피공작물은 예를 들어 증착 대상 웨이퍼를 지지하는 트레이일 수 있고, 단독적인 증착 대상 웨이퍼 또는 웨이퍼가 트레이에 부착된 조합 구조일 수도 있으며, 본 발명에 개시된 실시예에 의하면 이에 대해 특별히 제한하지 않는다.The workpiece disclosed in the present invention may be, for example, a tray supporting a wafer to be deposited, or a single wafer to be deposited or a combination structure in which the wafer is attached to the tray, according to the embodiment disclosed in the present invention. Do not limit.

PVD 공정에서, 불활성 가스와 반응 가스를 포함하는 공정 가스를 공정 챔버 내로 유입하고, 타겟재에 직류 또는 RF 전력을 인가하여, 챔버 내의 가스를 여기하여 플라즈마를 형성하게 하여 타겟재를 충격하도록 하고, 충격에 의해 스퍼터링된 타겟재 입자는 피공작물 표면에 떨어져 박막을 형성한다. 타겟재 입자가 피공작물 표면에 증착됨과 더불어, 챔버의 벽 등 부재에도 증착된다. 스퍼터링 물질이 챔버의 벽 등 부재에 직접적으로 증착되는 것을 방지하기 위해, 일반적으로 PVD 챔버 내부에 프로세스 키트(Process Kit)를 추가하여 챔버 내벽을 보호한다. 공정 결과를 보장하기 위해, 프로세스 키트의 증착막이 일정 두께에 도달할 경우, 공정 챔버를 오픈하여 그 내부의 프로세스 키트를 교체한다.In the PVD process, a process gas including an inert gas and a reactive gas is introduced into the process chamber, and DC or RF power is applied to the target material to excite the gas in the chamber to form a plasma to impact the target material, The target material particles sputtered by the impact fall on the surface of the workpiece to form a thin film. In addition to depositing the target material particles on the surface of the workpiece, they are also deposited on members such as the walls of the chamber. In order to prevent the sputtering material from being deposited directly on members such as the wall of the chamber, a process kit is generally added inside the PVD chamber to protect the inner wall of the chamber. In order to ensure the process result, when the deposited film of the process kit reaches a certain thickness, the process chamber is opened and the process kit therein is replaced.

공정 챔버는 언제나 진공 상태를 유지해야 하며, 타겟재 또는 프로세스 키트 교체 시에만 이를 오픈하고, 교체가 완료되면 다시 챔버를 진공 상태로 회복시킨다. 대기에 노출되는 타겟재는 대기와 반응을 일으켜 표면을 산화시킨다. 따라서, 챔버가 회복되는 초기에는 타겟재의 표면에 결함이 존재하여 정상적인 공정에 사용될 수 없다. 통상적으로, 셔터 디스크(Shutter Disk)를 사용하여 베이스를 차단할 수 있으며, 다음으로 고온 번인(Burn in) 공정을 수행하여 타겟재 표면의 결함 부분이 셔터 디스크에 스퍼터링되도록 한다. 결함 부분이 스퍼터링된 후, 셔터 디스크를 제거하면 바로 정상적인 공정을 수행할 수 있다.The process chamber must always be kept in a vacuum state, and it is opened only when the target material or process kit is replaced, and the chamber is restored to a vacuum state when the replacement is completed. Target materials exposed to the atmosphere cause a reaction with the atmosphere to oxidize the surface. Therefore, at the initial stage of recovery of the chamber, defects exist on the surface of the target material and cannot be used in a normal process. Typically, a shutter disk can be used to block the base, and a high-temperature burn-in process is then performed to sputter defects on the surface of the target material to the shutter disk. After the defective part is sputtered, the normal process can be performed immediately by removing the shutter disk.

도 1과 도 2는 각각 셔터 디스크가 챔버로 인입과 인출되는 것을 나타내는 도면이다. 도 1은 셔터 디스크가 베이스 상측에 위치할 경우를 나타내는 사시도이고, 도 2는 셔터 디스크가 베이스 상측으로부터 제거될 경우를 나타내는 조감도이다. 도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 셔터 디스크(121)는 셔터 디스크 트레이(122) 상에 위치되고, 셔터 디스크 트레이(122)는 셔터 디스크(121)가 셔터 디스크 트레이(122)와 함께 챔버(10)로 인입 또는 인출될 수 있도록, 트레이 회전축(123)과 연결되어 트레이 회전축(123)에 의해 트레이 회전축(123)을 따라 회전할 수 있다. 셔터 디스크(121)는 챔버(10)로 인입된 후 베이스(124) 상측에 위치되어, 고온 번인 공정 수행 시 베이스를 차단할 수 있게 된다. 도 1에는 베이스 장착 나사(125)가 더 도시되었다.1 and 2 are views showing that the shutter disk is drawn into and out of the chamber, respectively. 1 is a perspective view showing a case where the shutter disk is positioned above the base, and FIG. 2 is a bird's eye view showing a case where the shutter disk is removed from the upper side of the base. 1 and 2, the shutter disk 121 is located on the shutter disk tray 122, the shutter disk tray 122, the shutter disk 121 is a chamber together with the shutter disk tray 122 It is connected to the tray rotation shaft 123 so as to be drawn in or withdrawn to the tray 10 and rotated along the tray rotation shaft 123 by the tray rotation shaft 123. The shutter disk 121 is inserted into the chamber 10 and is positioned above the base 124 to block the base during the high-temperature burn-in process. In FIG. 1, the base mounting screw 125 is further shown.

PVD 기술은 주로 정전 척(Electro Static Chuck, ESC) 또는 기계용 척을 이용하여 피공작물을 지지한다. 웨이퍼에 대해 PVD 공정을 수행하는 과정에서, 피공작물은 일반적으로 발열하게 되며, 진공에서 열 에너지는 전달되기 어렵다. 피공작물의 열 에너지를 유도하기 위해, 일반적으로 정전 척 또는 기계용 척의 방식을 이용하여 피공작물에 대한 고정을 구현하고, 동시에 피공작물의 배면으로 백 블로우 가스를 이송하여 웨이퍼를 냉각시킨다.PVD technology mainly uses an electrostatic chuck (ESC) or mechanical chuck to support the work piece. In the process of performing the PVD process on the wafer, the work piece generally generates heat, and heat energy is difficult to transfer in a vacuum. In order to induce thermal energy of the work piece, in general, an electrostatic chuck or a mechanical chuck is used to fix the work piece, and at the same time, a back blow gas is transferred to the back of the work piece to cool the wafer.

도 3은 직류 마그네트론 스퍼터링 장치(1)의 단면을 나타내는 도면이다. 해당 직류 마그네트론 스퍼터링 장치(1)는 챔버 본체(100)를 구비하고, 해당 챔버 본체(100)에 의해 제한되는 공간이 챔버(10)를 구성한다. 예를 들어, 챔버 본체(100)는 바닥벽(1001)과 측벽(1002)을 포함한다. 챔버(10) 내에는 베이스(101)가 내설되고, 베이스(101)는 바닥벽(1001) 위에 설치될 수 있다. 베이스(101)는 피공작물(102)을 탑재하는 기계용 척일 수 있으며, 해당 베이스(101)는 승하강 가능하여 공정 위치로 상승 또는 로딩/언로딩 위치로 하강할 수 있게 된다. 베이스(101)가 공정 위치에 위치할 경우, 일정한 무게를 가지는 커버 링(Cover Ring)(103)을 이용하여 피공작물(102)의 상부 표면 테두리 구역을 가압함으로써, 기계적인 방식으로 피공작물(102)을 베이스(101)에 고정시켜 스퍼터링 공정을 수행하도록 한다. 차폐 부재(104)는 적어도 일부 챔버 본체(100)의 측벽(1002) 내에 둘러싸게 배치되어 챔버 본체(100)의 측벽(1002)에 연결되고, 베이스(101)가 공정 위치로부터 하강 시 커버 링(103)을 지지하도록 배치될 수 있다. 타겟재(105)는 진공 챔버 본체(100)에 실링되고, 타겟재(105)는 챔버(10)의 상부에 안착될 수 있고, 챔버(10) 외부에 설치되는 직류 전원(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 직류 전원은 타겟재(105)로 바이어스 전압을 제공할 수 있다. 절연 재료(107)와 타겟재(105)가 밀폐된 챔버를 구성하고, 해당 챔버 내에 탈이온수(106)를 충진하고, 절연 재료(107)는 높은 절연 성능의 재료를 사용할 수 있으며, 예를 들어 유리 섬유와 수지 복합 재료를 포함하며, 추가적인 예로 G10을 사용할 수 있다. 스퍼터링 시 직류(DC) 전원이 타겟재(105)로 바이어스 전압을 인가하여, 접지되는 챔버 본체(100)에 대해 부압이 되도록 함으로써, 아르곤 가스를 여기하여 방전하도록 하여 플라즈마가 발생하게 되고, 플라즈마에서 양전기를 가지는 아르곤 이온을 부 바이어스의 타겟재(105)로 흡인한다. 아르곤 이온의 에너지가 충분히 높을 경우, 금속 원자가 타겟재 표면으로부터 튀어나와 피공작물(102)에 증착되게 된다. 이상은 아르곤 가스를 유입한 것을 예로 하여 설명하였으며, 질소 가스 등 기타 공정 가스를 유입할 수도 있다. 도 3에는 마그네트론(108)과 마그네트론(108)을 구동시켜 이동하게 하는 모터(109)가 더 도시되었다. 마그네트론(108)은 타겟재(105)의 상측에 설치되어, 모터(109)의 구동에 의해 타겟재(105)의 표면을 스캔하여, 플라즈마를 타겟재(105)의 하측에 응집할 수 있다. 3 is a diagram showing a cross section of the DC magnetron sputtering device 1. The DC magnetron sputtering apparatus 1 includes a chamber body 100, and a space limited by the chamber body 100 constitutes the chamber 10. For example, the chamber body 100 includes a bottom wall 1001 and a side wall 1002. A base 101 is installed in the chamber 10, and the base 101 may be installed on the bottom wall 1001. The base 101 may be a chuck for a machine on which the workpiece 102 is mounted, and the base 101 can be raised and lowered so that it can be raised to a process position or lowered to a loading/unloading position. When the base 101 is located in the process position, by pressing the upper surface edge area of the workpiece 102 using a cover ring 103 having a constant weight, the workpiece 102 ) Is fixed to the base 101 to perform a sputtering process. The shielding member 104 is disposed to surround at least a part of the side wall 1002 of the chamber body 100 and is connected to the side wall 1002 of the chamber body 100, and when the base 101 descends from the process position, the cover ring ( 103) can be arranged to support. The target material 105 is sealed to the vacuum chamber body 100, the target material 105 may be seated on the upper portion of the chamber 10, and a direct current power supply (not shown) installed outside the chamber 10 and electrical The direct current power source may provide a bias voltage to the target material 105. The insulating material 107 and the target material 105 constitute a sealed chamber, and the deionized water 106 is filled in the chamber, and the insulating material 107 can use a material of high insulating performance, for example It includes glass fiber and resin composites, and G10 can be used as an additional example. During sputtering, a direct current (DC) power source applies a bias voltage to the target material 105 so that it becomes a negative pressure with respect to the grounded chamber body 100, thereby exciting and discharging argon gas to generate plasma. Argon ions having positive electricity are attracted to the target material 105 of negative bias. When the energy of the argon ions is sufficiently high, metal atoms protrude from the surface of the target material and are deposited on the workpiece 102. The above has been described with the introduction of argon gas as an example, and other process gases such as nitrogen gas may also be introduced. In FIG. 3, a magnetron 108 and a motor 109 for driving and moving the magnetron 108 are further illustrated. The magnetron 108 is installed on the upper side of the target material 105 and scans the surface of the target material 105 by driving the motor 109, so that plasma can be aggregated under the target material 105.

또한, 스퍼터링 시 베이스(101)의 중심에 위치하는 관로(110)를 통해 피공작물(102)의 배면으로 일정량의 백 블로우 가스를 유입하여, 피공작물(102)의 열 에너지를 가스 열전달 방식을 통해 베이스(101)로 전달시킴으로써, 피공작물(102)의 냉각을 구현할 수 있다.In addition, during sputtering, a certain amount of bag blow gas is introduced to the rear surface of the workpiece 102 through the conduit 110 located at the center of the base 101, so that the thermal energy of the workpiece 102 is transmitted through a gas heat transfer method. By transferring to the base 101, it is possible to implement cooling of the workpiece 102.

그러나, 봉입 분야의 PVD 장비에 있어서, 커버 링(103)이 피공작물(102)의 상부 표면 테두리 구역을 가압하므로, 증착 시 박막이 피공작물(102)의 상부 표면 테두리 구역에 증착되지 못하여 후속의 공정(예를 들어 전기 도금)에 영향을 미치게 되므로, 상기 PVD 장비에 사용되는 피공작물(102)의 고정과 냉각 방식은 응용에 있어서 비교적으로 큰 제한을 받게 된다. 정전 척은 단가가 비싸고 기술이 복잡하여 봉입 분야의 PVD 장비에 대규모로 적용될 수도 없다.However, in PVD equipment in the field of encapsulation, since the cover ring 103 presses the upper surface edge area of the work piece 102, the thin film cannot be deposited on the upper surface edge area of the work piece 102 during deposition. Since the process (eg, electroplating) is affected, the method of fixing and cooling the workpiece 102 used in the PVD equipment is relatively limited in application. The electrostatic chuck cannot be applied on a large scale to PVD equipment in the field of encapsulation due to its high cost and complex technology.

도 4는 백 블로우를 구비하지 않는 베이스 어셈블리 구조도를 나타내었으며, 이러한 백 블로우를 구비하지 않는 베이스 구조에 의해 웨이퍼 테두리에 박막을 증착할 수 있다. 베이스(126)는 베이스 본체(1261)와 베이스 본체(1261) 위에 설치되는 상부 판(1262)을 포함할 수 있다. 도 4에는 상부 판(1262)의 테두리에 위치하는 리미트 링(127)이 더 도시되었다. 베이스 본체(1261), 상부 판(1262)과 리미트 링(127)은 함께 조립되어 웨이퍼를 지지하고 위치 제한한다. 정상적인 공정에서, 웨이퍼는 상부 판(1262)에 안착될 수 있다. 베이스(126)는 웨이퍼의 캐리어다. 상부 판(1262)은 베이스(126)의 가장 상면의 부품으로, 나사를 통해 베이스 본체(1261)에 고정될 수 있다. 리미트 링(127)은 나사를 통해 상부 판(1262)에 고정되어 상부 판(1262)에서의 웨이퍼의 위치를 제한할 수 있다.4 shows a structure diagram of a base assembly without a back blow, and a thin film can be deposited on the edge of a wafer by the base structure without a back blow. The base 126 may include a base body 1261 and an upper plate 1262 installed on the base body 1261. In FIG. 4, a limit ring 127 positioned at an edge of the upper plate 1262 is further illustrated. The base body 1261, the top plate 1262 and the limit ring 127 are assembled together to support and position the wafer. In a normal process, the wafer can be seated on the top plate 1262. The base 126 is a carrier of the wafer. The upper plate 1262 is a component on the uppermost surface of the base 126 and may be fixed to the base body 1261 through screws. The limit ring 127 may be fixed to the upper plate 1262 through screws to limit the position of the wafer on the upper plate 1262.

도 5는 백 블로우를 구비하지 않는 챔버 구조를 나타내는 도면을 도시하였다. 베이스(126)의 테두리에 리미트 링(127)을 설치하고, 챔버(10) 내에는 차폐 부재(104)가 더 포함되며, 차폐 부재(104)는 적어도 일부 챔버 본체(100)의 측벽 내에 서라운드되어 챔버 본체(100)의 측벽에 연결되고, 배플 링(128, baffle ring)을 지지하도록 배치될 수 있다. 배플 링(128)은 베이스(126)가 공정 위치로 상승하는 과정에서 들어 올려지고, 베이스(126)가 공정 위치로부터 하강 시 차폐 부재(104)에 의해 지지될 수 있다. 배플 링(128)은 베이스(126)가 공정 위치에 위치할 경우 리미트 링(127)과 차폐 부재(104) 사이의 간극을 차단하며, 배플 링(128)에 대한 구체적인 구조는 아래에서 자세하게 설명하기로 한다. 정상적인 공정 과정에서 배플 링(128)은 차단 작용만 하고, 피공작물(102)의 테두리를 가압하지 않아 피공작물(102)의 표면 전체에 박막이 증착될 수 있도록 보장한다. 그러나, 피공작물(102)은 베이스(126)에 안착될 뿐 고정되지 않았으므로, 백 블로우를 이용하여 피공작물(102)을 냉각할 수 없다. 이러한 챔버의 냉각 문제를 해결하기 위해, 현재로서는 아래의 방법을 이용하여 피공작물(102)의 냉각을 구현한다. 먼저 공정 단계를 수행하여, 피공작물(102)에 일정한 두께의 박막을 증착하도록 하고, 피공작물(102)의 온도가 상승한 후 공정 단계를 정지하여 냉각 단계를 수행한다. 즉, 챔버 내로 다량의 가스를 직접적으로 충진하여, 챔버 압력이 1torr 나아가 더 높도록 하고, 일정 시간 유지하여 피공작물(102)과 상부 판(1262) 사이에서 열교환이 진행되도록 함으로써, 피공작물(102)을 냉각시키고, 다음으로 가스를 추출한다. 계속하여 상기 공정 단계를 수행하고, 온도가 상승한 후 상기 냉각 단계를 중복하며, 이렇게 순환함으로써 일정 온도에서의 박막 증착을 완성한다.5 shows a diagram showing a chamber structure without a bag blow. A limit ring 127 is installed on the edge of the base 126, and a shielding member 104 is further included in the chamber 10, and the shielding member 104 is at least partially surrounded in the sidewall of the chamber body 100. It is connected to the sidewall of the chamber body 100 and may be disposed to support a baffle ring 128. The baffle ring 128 may be lifted while the base 126 is raised to the process position, and may be supported by the shielding member 104 when the base 126 is lowered from the process position. The baffle ring 128 blocks a gap between the limit ring 127 and the shield member 104 when the base 126 is positioned at the process position, and a detailed structure of the baffle ring 128 will be described in detail below. To In a normal process, the baffle ring 128 only acts as a blocking action, and does not press the rim of the work piece 102 to ensure that a thin film can be deposited on the entire surface of the work piece 102. However, since the workpiece 102 is only seated on the base 126 and not fixed, the workpiece 102 cannot be cooled using a back blow. In order to solve such a cooling problem of the chamber, the cooling of the workpiece 102 is currently implemented using the following method. First, a process step is performed to deposit a thin film having a predetermined thickness on the work piece 102, and after the temperature of the work piece 102 rises, the process step is stopped to perform a cooling step. That is, by directly filling a large amount of gas into the chamber, the pressure of the chamber is increased by 1 torr and is maintained for a certain period of time so that heat exchange between the work piece 102 and the upper plate 1262 proceeds, thereby causing the work piece 102 ) Is cooled, and then the gas is extracted. Subsequently, the process step is performed, the cooling step is repeated after the temperature rises, and the thin film deposition at a constant temperature is completed by circulating in this way.

그러나, 상기 반도체 가공 방법에서, 가스 충진 냉각은 냉각 속도가 비교적으로 느리고, 웨이퍼 배면의 가스 압력은 최대 1torr에 달하고, 웨이퍼를 충분히 냉각시키기 위해 유지 과정에 긴 시간이 필요하다. 더욱 높은 압력으로 충진하게 되면, 가스 충진과 추출 과정에 더 많은 시간이 필요하여 전체적인 생산성에 영향을 미치게 된다. 또한, 해당 과정으로 인해 챔버의 진공 응축 펌프의 부하가 과도하게 크게 되어, 진공 펌프의 재생 주기가 단축된다.However, in the semiconductor processing method, the gas-filled cooling has a relatively slow cooling rate, the gas pressure at the back of the wafer reaches a maximum of 1 torr, and a long time is required for the holding process to sufficiently cool the wafer. When filling at a higher pressure, more time is required for the gas filling and extraction process, which affects the overall productivity. In addition, due to the process, the load of the vacuum condensing pump in the chamber is excessively increased, and the regeneration cycle of the vacuum pump is shortened.

상기 문제를 해결하기 위해, 본 개시의 실시예는 피공작물의 표면의 전체 구역에 박막을 증착하고, 피공작물을 효과적으로 냉각하며, 생산성을 향상시키는 셔터 디스크 어셈블리, 반도체 가공 장치와 방법을 제공한다.In order to solve the above problem, an embodiment of the present disclosure provides a shutter disk assembly, a semiconductor processing apparatus and a method for depositing a thin film on the entire surface of the work piece, effectively cooling the work piece, and improving productivity.

도 6a는 본 개시의 실시예가 제공하는 셔터 디스크 어셈블리(11)를 도시하였으며, 이는 연결 부재(1112)와 셔터 가압 디스크(113)를 포함하고, 여기서, 연결 부재(1112)는 셔터 가압 디스크(113)를 베이스(116)(도 6a에 도시되어 있지 않으며, 도 10에 도시된 베이스(116)를 참조할 수 있음) 상측으로 이동시켜, 상기 베이스(116)의 지지면(11601)(도 6a에 도시되어 있지 않으며, 도 9b에 도시된 지지면(11601)을 참조할 수 있음)의 제1 위치(L1)(도 6a에 도시되어 있지 않으며, 도 11에 도시된 제1 위치(L1)를 참조할 수 있음)를 커버하여, 타겟재에 대해 고온 번인 공정을 수행 시 타겟재 표면의 결함 부분이 셔터 가압 디스크(113)에 스퍼터링될 수 있도록 한다. 구체적으로, 셔터 가압 디스크(113)가 베이스(116)의 지지면(11601)에서의 투영이 지지면(11601)을 완전히 커버한다. 또는, 연결 부재(1112)는 셔터 가압 디스크(113)를 수직 방향에서 베이스(116)의 지지면(11601)과 중첩되지 않는 제2 위치(L2)(도 6a에 도시되어 있지 않으며, 도 9a에 도시된 제2 위치(L2)를 참조할 수 있음)로 이동시켜, 베이스(116)의 지지면(11601)이 전혀 차단되지 않도록 함으로써, 박막 증착 공정 시 지지면에서의 피공작물 표면의 전체 구역에 박막이 증착될 수 있도록 한다.6A illustrates a shutter disk assembly 11 provided by an embodiment of the present disclosure, which includes a connecting member 1112 and a shutter pressing disk 113, wherein the connecting member 1112 is a shutter pressing disk 113 ) To the upper side of the base 116 (not shown in FIG. 6A, and may refer to the base 116 shown in FIG. 10), and the support surface 11601 of the base 116 (see FIG. 6A) Not shown, reference may be made to the support surface 11601 shown in FIG. 9B) at a first position L1 (not shown in FIG. 6A, see the first position L1 shown in FIG. 11) Can be), so that when performing a high-temperature burn-in process on the target material, the defective portion of the target material surface can be sputtered onto the shutter pressing disk 113. Specifically, the projection of the shutter pressing disk 113 from the support surface 11601 of the base 116 completely covers the support surface 11601. Alternatively, the connecting member 1112 holds the shutter pressing disk 113 in a second position L2 that does not overlap with the support surface 11601 of the base 116 in the vertical direction (not shown in FIG. 6A, but in FIG. 9A). It is moved to the second position (L2) shown) so that the support surface 11601 of the base 116 is not blocked at all, so that the entire area of the workpiece surface on the support surface during the thin film deposition process is Allows a thin film to be deposited.

도 6a에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 셔터 디스크 어셈블리(11)는 베이스(116)의 일측에 연직으로 설치되어 연결 부재(1112)와 연결되는 회전축(111)과 구동원(미도시)을 포함하는 회전 기구를 더 포함한다. 선택 가능하게는, 연결 부재(1112)는 외팔보 형태이다. 구동원은 회전축(111)을 회전시켜 연결 부재(1112)가 회전축(111)을 따라 제1 위치(L1) 또는 제2 위치(L2)로 회전할 수 있도록 구동한다. 도 6a에는 회전축(111)의 회전 방향이 도시되었으나, 실제 응용에 있어서, 회전축(111)의 회전 방향은 도면에 도시된 것에 제한되지 않는다.6A, in some examples, the shutter disk assembly 11 is vertically installed on one side of the base 116 and includes a rotation shaft 111 and a driving source (not shown) connected to the connection member 1112. It further includes a rotating mechanism that includes. Optionally, the connecting member 1112 is in the form of a cantilever. The driving source rotates the rotation shaft 111 to drive the connecting member 1112 to rotate to the first position L1 or the second position L2 along the rotation shaft 111. Although the rotation direction of the rotation shaft 111 is shown in FIG. 6A, in practical applications, the rotation direction of the rotation shaft 111 is not limited to that shown in the drawings.

셔터 가압 디스크(113)의 테두리 부분(E)은 셔터 가압 디스크(113)가 제1 위치(L1)에 위치하고 베이스(116)가 냉각 위치(도 11에 도시된 베이스(116)가 위치하는 위치를 참조할 수 있음)에 위치할 경우, 셔터 가압 디스크(113)의 테두리 부분(E)이 베이스(116)의 지지면(11601)에 안착되는 피공작물의 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉되어, 베이스(116)의 지지면(11601)과 피공작물의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입할 경우, 피공작물이 베이스(116)에 고정되어 바람에 날아가지 않도록 보장함으로써, 가공 대상 공작물에 대해 효과적이고 고효율적인 냉각을 구현할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.The edge portion (E) of the shutter pressing disk 113 indicates the position where the shutter pressing disk 113 is located at the first position L1 and the base 116 is at a cooling position (the base 116 shown in FIG. 11 is located). If located in), the rim portion (E) of the shutter pressing disk 113 is in contact with the rim region of the upper surface of the work piece seated on the support surface 11601 of the base 116, and the base When the bag blow gas is introduced into the gap between the support surface 11601 of 116 and the lower surface of the work piece, the work piece is fixed to the base 116 and is guaranteed not to be blown away by the wind. Effective and highly efficient cooling can be implemented, thereby improving productivity.

본 실시예에서, 셔터 가압 디스크(113)는 직판형 가압 디스크 본체를 포함하며, 가압 디스크 본체의 하부 표면(11302)의 테두리 구역에는 링형 돌기부(1132)가 형성되어 상기 테두리 부분(E)으로 사용되고, 셔터 가압 디스크(113)가 제1 위치(L1)에 위치하고 베이스(116)가 냉각 위치에 위치할 경우, 링형 돌기부(1132)의 하부 표면(11320)이 베이스(116)의 지지면(11601)에 안착되는 피공작물 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉되고, 링형 돌기부(1132) 내측에 위치하는 오목부(0113)는 피공작물(102)과 접촉하지 않는다. 오목부(0113)의 형성은 피공작물의 상부 표면의 보호에 유리하고, 피공작물의 유효 구역의 파손을 방지하는 것이다.In this embodiment, the shutter pressing disk 113 includes a direct plate type pressing disk body, and a ring-shaped protrusion 1132 is formed in the rim area of the lower surface 11302 of the pressing disk body to be used as the rim portion E. , When the shutter pressing disk 113 is located in the first position (L1) and the base 116 is located in the cooling position, the lower surface 11320 of the ring-shaped protrusion 1132 is the support surface 11601 of the base 116 The concave portions 0113 located inside the ring-shaped protrusions 1132 and in contact with the rim regions of the upper surface of the workpiece to be seated on the workpiece 102 do not contact the workpiece 102. The formation of the concave portion (0113) is advantageous for protection of the upper surface of the work piece and is to prevent breakage of the effective area of the work piece.

본 실시예에서, 상기 링형 돌기부(1132)는 폐쇄된 링형으로 셔터 가압 디스크(113)의 원주 방향을 따라 설치된다. 물론, 실제 응용에 있어서, 링형 돌기부(1132)는 비연속적인 링형 구조를 적용할 수도 있다. 예를 들어, 링형 돌기부(1132)는 다수 개의 서브 돌기부를 포함하여, 다수 개의 서브 돌기부가 셔터 가압 디스크(113)의 원주 방향을 따라 이격되어 설치된다.In this embodiment, the ring-shaped protrusion 1132 is installed along the circumferential direction of the shutter pressing disk 113 in a closed ring shape. Of course, in practical applications, the ring-shaped protrusion 1132 may have a non-continuous ring-shaped structure. For example, the ring-shaped protrusion 1132 includes a plurality of sub-protrusions, and a plurality of sub-protrusions are installed to be spaced apart along the circumferential direction of the shutter pressing disk 113.

도 6a에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 제조가 편리하고 셔터 가압 디스크(113)의 점용 공간을 감소하기 위해, 셔터 가압 디스크(113)의 상부 표면(11301)과 하부 표면(11302)은 각각 평면일 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 상부 표면(11301)과 하부 표면(11302)은 곡면 또는 호형 면일 수도 있다.6A, in some examples, in order to facilitate manufacturing and reduce the occupied space of the shutter pressing disk 113, the upper surface 11301 and the lower surface 11302 of the shutter pressing disk 113 are Each may be a flat surface, but the present invention is not limited thereto. For example, the upper surface 11301 and the lower surface 11302 may be curved or arc-shaped.

도 6a과 도 6b에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 셔터 가압 디스크(113)는 연결 부재(1112)와 활동 가능하게 연결되어, 베이스(116)가 냉각 위치(도 10에 도시된 베이스(116)가 위치하는 위치를 참조할 수 있음)보다 낮을 경우, 셔터 가압 디스크(113)의 테두리 부분(E)(즉 링형 돌기부(1132))이 피공작물과 서로 분리되도록 함으로써, 셔터 가압 디스크(113)가 여전히 연결 부재(1112)와 함께 이동할 수 있도록 하고; 또는, 베이스(116)가 냉각 위치까지 상승하는 과정에서, 베이스(116)가 셔터 가압 디스크(113)를 받쳐 올려, 테두리 부분(E)이 피공작물의 테두리 구역을 가압하도록 한다. 다시 말하면, 셔터 가압 디스크(113)가 베이스(116)를 따라 일정 거리 상승하게 되며, 이로써 셔터 가압 디스크(113)가 자체 중력을 이용하여 피공작물을 가압할 수 있다.6A and 6B, in some examples, the shutter pressing disk 113 is movably connected with the connecting member 1112, so that the base 116 is in a cooling position (the base shown in FIG. If it is lower than the position where 116 is located), the shutter pressurizing disk 113 is made so that the edge portion E (that is, the ring-shaped protrusion 1132) of the shutter pressing disk 113 is separated from the work piece. ) Can still move with the connecting member 1112; Alternatively, in the process of ascending the base 116 to the cooling position, the base 116 supports the shutter pressing disk 113 so that the rim portion E presses the rim of the workpiece. In other words, the shutter pressing disk 113 is raised by a certain distance along the base 116, whereby the shutter pressing disk 113 can pressurize the workpiece by using its own gravity.

이하에서 상기 셔터 가압 디스크(113)와 연결 부재(1112)가 활동 가능하게 연결되는 구체적인 방식에 대해 자세히 설명하기로 한다. 구체적으로, 도 6b에 도시된 바와 같이, 연결 부재(1112)에는 연결 부재(1112)를 수직 방향으로 관통하는 위치 고정홀(1120)이 설치된다. 셔터 가압 디스크(113)의 상부 표면(11301)에는 위치 고정 돌기부(1131)가 설치되며, 상기 위치 고정 돌기부(1131)는 위치 고정홀(1120)과 서로 결합되어, 베이스(116)가 냉각 위치보다 낮을 경우, 셔터 가압 디스크(113)가 위치 고정 돌기부(1131)를 통해 연결 부재(1112)에 매달리도록 한다. 베이스(116)가 냉각 위치까지 상승하여 셔터 가압 디스크(113)를 받쳐 올리는 과정에서, 위치 고정 돌기부(1131)가 위치 고정홀(1120)에 대해 상측으로 이동하는 것을 허용한다. 상기 활동 가능한 연결은 구조가 비교적으로 간단하여 제작이 쉽다.Hereinafter, a specific method in which the shutter pressing disk 113 and the connection member 1112 are movably connected will be described in detail. Specifically, as shown in FIG. 6B, the connection member 1112 is provided with a position fixing hole 1120 penetrating the connection member 1112 in the vertical direction. A position fixing protrusion 1131 is installed on the upper surface 11301 of the shutter pressing disk 113, and the position fixing protrusions 1131 are coupled to each other with the position fixing hole 1120, so that the base 116 is lower than the cooling position. When it is low, the shutter pressing disk 113 is suspended from the connection member 1112 through the position fixing protrusion 1131. In the process of raising the base 116 to the cooling position to support the shutter pressing disk 113, the position fixing protrusion 1131 is allowed to move upward with respect to the position fixing hole 1120. The movable connection has a relatively simple structure and is easy to manufacture.

바람직하게는, 상기 위치 고정홀(1120)은 원뿔형 홀로, 해당 원뿔형 홀의 직경은 상부에서 하부로 점차적으로 감소된다. 위치 고정 돌기부(1131)의 크기가 원뿔형 홀의 최소 직경보다 크면 연결 부재(1112)에 매달릴 수 있다. 원뿔형 홀은 구조가 간단하고 제작이 쉬우며, 셔터 가압 디스크(113)의 센터링(centring)이 편리하다.Preferably, the position fixing hole 1120 is a conical hole, and the diameter of the conical hole is gradually decreased from top to bottom. When the size of the position fixing protrusion 1131 is larger than the minimum diameter of the conical hole, it may be suspended from the connection member 1112. The conical hole has a simple structure and is easy to manufacture, and the centering of the shutter pressing disk 113 is convenient.

추가로, 도 6a에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 위치 고정 돌기부(1131)는 결합부(11311)를 포함하며, 해당 결합부(11311)는 원뿔형으로, 베이스(116)가 냉각 위치보다 낮을 경우, 결합부(11311)의 외주벽이 원뿔형 홀의 홀벽과 서로 결합됨으로써, 셔터 가압 디스크(113)의 센터링 및 활동 가능한 기능을 구현할 수 있다. 구체적으로, 결합부(11311)의 외주벽의 경사 각도는 원뿔형 홀의 홀벽의 경사 각도와 동일하며, 이로써 결합부(11311)가 위치 고정홀(1120)을 이탈하는 것에 유리하고, 셔터 가압 디스크(113)가 하강 시 위치 고정홀(1120)에 제한되어 셔터 가압 디스크(113)가 위치 고정 홀(1120)에서의 위치가 유일할 수 있도록 하는 것에도 유리하며, 따라서 셔터 가압 디스크(113)가 피공작물을 가압 시 가압이 이탈되지 않도록 보장할 수 있고, 더불어 셔터 가압 디스크(113)가 제1 위치(L1)에 위치할 경우 베이스(116)의 바로 상측에 위치하는 것에 유리하다.In addition, as shown in FIG. 6A, in some examples, the position fixing protrusion 1131 includes a coupling portion 11311, and the coupling portion 11311 is conical, and the base 116 is more than the cooling position. When it is low, the outer circumferential wall of the coupling portion 11311 is coupled to the hole wall of the conical hole, so that a function capable of centering and activating the shutter pressing disk 113 can be implemented. Specifically, the inclination angle of the outer circumferential wall of the coupling portion 11311 is the same as the inclination angle of the hole wall of the conical hole, whereby the coupling portion 11311 is advantageous for leaving the position fixing hole 1120, and the shutter pressing disk 113 ) Is limited to the position fixing hole 1120 when descending, so that the position of the shutter pressing disk 113 in the position fixing hole 1120 is unique, so that the shutter pressing disk 113 is It is possible to ensure that the pressurization does not come off when the pressure is pressed, and in addition, when the shutter pressurizing disk 113 is positioned at the first position L1, it is advantageous to be positioned directly above the base 116.

또한, 셔터 가압 디스크(113)와 연결 부재(1112) 사이에 일정한 연직 간격이 구비되어 셔터 가압 디스크(113)가 베이스(116)에 의해 받들려 상향 이동할 수 있도록 허용하고, 위치 고정 돌기부(1131)는 연장부(11312)를 더 포함하며, 해당 연장부(11312)는 연직으로 설치되고, 연장부(11312)의 상단은 결합부(11311)와 연결되고, 연장부(11312)의 하단은 셔터 가압 디스크(113)와 연결된다. 또한, 연장부(11312)의 외경은 상기 원뿔형 홀의 최소 직경보다 작아 연장부(11312)가 원뿔형 홀을 관통할 수 있게 된다.In addition, a constant vertical gap is provided between the shutter pressing disk 113 and the connecting member 1112 to allow the shutter pressing disk 113 to move upward by being supported by the base 116, and the position fixing protrusion 1131 Further includes an extension part 11312, the extension part 11312 is installed vertically, the upper end of the extension part 11312 is connected to the coupling part 11311, and the lower end of the extension part 11312 presses the shutter It is connected to the disk 113. In addition, the outer diameter of the extension part 11312 is smaller than the minimum diameter of the conical hole, so that the extension part 11312 can penetrate the conical hole.

선택 가능하게는, 연장부(11312)가 결합부(11311) 및 셔터 가압 디스크(113)와 각각 연결되는 방식은 용접, 버클, 나사 연결 등일 수 있다.Optionally, a method in which the extension portion 11312 is connected to the coupling portion 11311 and the shutter pressing disk 113 may be welded, buckled, screwed, or the like.

설명해야 할 것은, 본 실시예에서, 상기 위치 고정홀(1120)은 원뿔형 홀이지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 실제 응용에 있어서, 위치 고정홀(1120)은 기타 임의의 구조를 적용할 수도 있으며, 예를 들어 위치 고정홀(1120)은 직통홀로, 해당 직통홀의 홀벽에는 계단부가 설치되고, 베이스가 냉각 위치보다 낮을 경우, 결합부(11311)의 적어도 일부가 계단부에 적층되어 설치된다.It should be explained that in this embodiment, the position fixing hole 1120 is a conical hole, but the present invention is not limited thereto, and in practical applications, the position fixing hole 1120 may apply other arbitrary structures. For example, the position fixing hole 1120 is a direct hole, and a step portion is installed on the hole wall of the direct hole, and when the base is lower than the cooling position, at least a portion of the coupling portion 11311 is stacked and installed on the step portion.

도 6b에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 셔터 가압 디스크(113)가 정지 또는 회전 시 평형을 유지하도록, 위치 고정 돌기부(1131)는 셔터 가압 디스크(113)의 중심 위치에 위치할 수 있다.As shown in FIG. 6B, in some examples, the position fixing protrusion 1131 may be located at a center position of the shutter pressing disk 113 to maintain equilibrium when the shutter pressing disk 113 is stopped or rotated. .

설명해야 할 것은, 본 실시예에서, 가압 디스크 본체는 직판형이지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 실제 응용에 있어서, 도 7a에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 가압 디스크 본체는 호형 판 형태일 수도 있으며, 해당 호형 판은 베이스(116)의 지지면(11601)과 멀어지는 방향으로 오목된다.It should be explained that in this embodiment, the pressurizing disk body is a direct plate type, but the present invention is not limited thereto, and in practical application, as shown in Fig. 7A, in some examples, the pressurizing disk main body is an arc-shaped plate It may have a shape, and the arc-shaped plate is concave in a direction away from the support surface 11601 of the base 116.

더 설명해야 할 것은, 본 실시예에서, 가압 디스크 본체의 하부 표면(11302)의 테두리 구역에는 링형 돌기부(1132)가 형성되어 상기 테두리 부분(E)으로 사용되지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 실제 응용에 있어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 가압 디스크 본체의 외주벽에는 링형 돌기부(1132)가 형성되고, 해당 링형 돌기부(1132)는 가압 디스크 본체의 하부 표면에 대해 돌출되어 테두리 부분(E)으로 사용된다. 구체적으로, 가압 디스크 본체는 호형 판 형태로, 해당 호형 판은 베이스(116)의 지지면(11601)과 멀어지는 방향으로 오목되어 오목부(0113)를 형성한다. 링형 돌기부(1132)는 가압 디스크 본체의 외주벽에 대해 가압 디스크 본체의 중심과 멀어지는 수평 방향으로 돌출된다. 가압 디스크 본체가 호형 판 형태이므로, 링형 돌기부(1132)의 하부 표면(11320)이 가압 디스크 본체의 하부 표면(11302)(호형 오목면)보다 낮게 되며, 이로써 피공작물 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉될 수 있다. 물론, 실제 응용에 있어서, 가압 디스크 본체는 직판 형태일 수도 있으며, 링형 돌기부(1132)는 가압 디스크 본체의 외주벽에 설치되어 가압 디스크 본체의 하부 표면에 대해 돌출되며, 이는 동일하게 피공작물 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉될 수 있다.It should be described further that, in this embodiment, a ring-shaped protrusion 1132 is formed in the rim region of the lower surface 11302 of the pressing disk main body to be used as the rim portion E, but the present invention is not limited thereto, In practical application, as shown in FIG. 7B, in some examples, a ring-shaped protrusion 1132 is formed on the outer peripheral wall of the pressing disk main body, and the corresponding ring-shaped protrusion 1132 protrudes from the lower surface of the pressing disk main body. It is used as the border part (E). Specifically, the pressing disk body has an arc-shaped plate shape, and the arc-shaped plate is concave in a direction away from the support surface 11601 of the base 116 to form a concave portion 0113. The ring-shaped protrusion 1132 protrudes in a horizontal direction away from the center of the pressing disk body with respect to the outer peripheral wall of the pressing disk body. Since the pressure disk body is in the form of an arc plate, the lower surface 11320 of the ring-shaped protrusion 1132 becomes lower than the lower surface 11302 (arc concave surface) of the pressure disk body, thereby contacting the edge area of the upper surface of the workpiece. Can be. Of course, in practical applications, the pressing disk body may be in the form of a direct plate, and the ring-shaped protrusion 1132 is installed on the outer peripheral wall of the pressing disk body and protrudes from the lower surface of the pressing disk body, which is the same as the upper surface of the workpiece. Can be in contact with each other with the border area of

실제 응용에 있어서, 상기 링형 돌기부(1132)는 폐쇄된 링형으로 셔터 가압 디스크(113)의 원주 방향을 따라 설치되거나, 또는 링형 돌기부(1132)는 다수 개의 서브 돌기부를 포함하여, 다수 개의 서브 돌기부가 셔터 가압 디스크(113)의 원주 방향을 따라 이격되어 설치된다.In an actual application, the ring-shaped protrusion 1132 is a closed ring shape and is installed along the circumferential direction of the shutter pressing disk 113, or the ring-shaped protrusion 1132 includes a plurality of sub protrusions, and a plurality of sub protrusions It is installed to be spaced apart along the circumferential direction of the shutter pressing disk 113.

설명해야 할 것은, 셔터 가압 디스크(113)의 형상은 상술한 예시에서 열거한 것에 제한되지 않으며, 예를 들어, 셔터 가압 디스크(113)는 오목부와 테두리 돌기부를 구비하는 원뿔형 디스크 등을 더 포함할 수 있으며, 셔터 가압 디스크(113)의 테두리 부분과 피공작물 상부 표면의 테두리 구역이 서로 접촉되고, 나머지 부분이 피공작물과 접촉되지 않으면 된다.It should be described that the shape of the shutter pressing disk 113 is not limited to those listed in the above example, for example, the shutter pressing disk 113 further includes a conical disk having a concave portion and a rim protrusion. It may be possible, and the rim portion of the shutter pressing disk 113 and the rim region of the upper surface of the workpiece should be in contact with each other, and the remaining portions should not be in contact with the workpiece.

더 설명해야 할 것은, 상기 위치 고정홀(1120)과 위치 고정 돌기부(1131)의 구조와 결합 방식은 상술한 예시에서 열거한 것에 제한되지 않으며, 예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 상기 위치 고정홀(1120)은 원뿔형 홀이고, 위치 고정 돌기부는 결합부(11311)와 연장부(11312)를 포함하며, 양자가 일체 형성되어 하나의 원뿔형 기둥을 구성하고, 해당 원뿔형 기둥의 외경은 상부에서 하부로 점차적으로 감소되어, 베이스(116)가 냉각 위치보다 낮을 경우, 결합부(11311)의 외주벽이 원뿔형 홀의 홀벽과 완전히 밀착되고, 연장부(11312)는 연결 부재(1112)의 하측에 위치되어, 셔터 가압 디스크(113)와 연결 부재(1112) 사이에 일정한 연직 간격이 구비될 수 있도록 한다.It should be further explained that the structure and the coupling method of the position fixing hole 1120 and the position fixing protrusion 1131 are not limited to those listed in the above example, for example, as shown in FIG. 8A, The position fixing hole 1120 is a conical hole, and the position fixing protrusion includes a coupling part 11311 and an extension part 11312, and both are integrally formed to form one conical column, and the outer diameter of the conical column is upper When the base 116 is lower than the cooling position, the outer circumferential wall of the coupling portion 11311 is completely in close contact with the hole wall of the conical hole, and the extension portion 11312 is at the lower side of the connection member 1112 It is positioned so that a constant vertical gap can be provided between the shutter pressing disk 113 and the connecting member 1112.

또한, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 위치 고정홀(1120)은 직통홀이고, 위치 고정 돌기부(1131)는 결합부(11311)와 연장부(11312)를 포함하되 양자는 모두 기둥 형상이며, 여기서, 결합부(11311)의 외경은 직통홀의 직경보다 크고, 결합부(11311)는 연결 부재(1112)의 상부 표면에 적층되어 설치되고, 연장부(11312)의 외경은 직통홀의 직경보다 작고, 연장부(11312)의 상단은 결합부(11311)와 연결되고, 연장부(11312)의 하단은 하부를 향하여 위치 고정홀(1120)을 연직으로 관통하여 셔터 가압 디스크(113)와 연결되며, 이로써 셔터 가압 디스크(113)와 연결 부재(1112) 사이에 일정한 연직 간격이 구비될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8B, the position fixing hole 1120 is a direct hole, and the position fixing protrusion 1131 includes a coupling part 11311 and an extension part 1312, both of which are column-shaped, Here, the outer diameter of the coupling portion 11311 is larger than the diameter of the direct hole, the coupling portion 11311 is laminated and installed on the upper surface of the connection member 1112, and the outer diameter of the extension portion 11312 is smaller than the diameter of the straight hole, The upper end of the extension part 11312 is connected to the coupling part 11311, and the lower end of the extension part 11312 is connected to the shutter pressurizing disk 113 by vertically penetrating the position fixing hole 1120 toward the bottom. A constant vertical gap may be provided between the shutter pressing disk 113 and the connecting member 1112.

또한, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 위치 고정홀(1120)은 원뿔형 홀이고, 위치 고정 돌기부는 제1 결합부(11311)와 제2 결합부(11312)를 포함한다. 여기서, 제1 결합부(11311)는 기둥형으로, 외격이 직통홀의 최대 직경보다 크고, 제1 결합부(11311)는 연결 부재(1112)의 상부 표면에 적층되어 설치된다. 제2 결합부(11312)는 원뿔형 기둥 형태로, 베이스(116)가 냉각 위치보다 낮을 경우, 제2 결합부(11311)의 외주벽이 원뿔형 홀의 홀벽과 완전히 밀착되고, 제2 결합부(11312)의 나머지 부분은 연결 부재(1112)의 하측에 위치되고, 제2 결합부(11312)의 상단은 제1 결합부(11311)와 연결되고, 제2 결합부(11312)의 하단은 셔터 가압 디스크(113)와 연결되어, 셔터 가압 디스크(113)와 연결 부재(1112) 사이에 일정한 연직 간격이 구비될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8C, the position fixing hole 1120 is a conical hole, and the position fixing protrusion includes a first coupling part 11311 and a second coupling part 11312. Here, the first coupling portion 11311 is a columnar shape, the outer space is larger than the maximum diameter of the direct hole, and the first coupling portion 11311 is stacked and installed on the upper surface of the connection member 1112. The second coupling portion 11312 has a conical column shape, and when the base 116 is lower than the cooling position, the outer circumferential wall of the second coupling portion 11311 is completely in close contact with the hole wall of the conical hole, and the second coupling portion 11312 The rest of the part is located under the connection member 1112, the upper end of the second coupling part 11312 is connected to the first coupling part 11311, and the lower end of the second coupling part 11312 is a shutter pressing disk ( 113), a constant vertical gap may be provided between the shutter pressing disk 113 and the connection member 1112.

상술한 바와 같이, 본 개시의 실시예가 제공하는 셔터 디스크 어셈블리는, 연결 부재를 통해 셔터 가압 디스크가 수직 방향에서 베이스의 지지면과 중첩되지 않는 제2 위치로 이동하여, 피공작물 표면이 전혀 차단되지 않도록 할 수 있어, 공정 수행 시 피공작물의 전체 표면에 박막을 증착할 수 있다. 더불어, 셔터 가압 디스크의 테두리 부분은 셔터 가압 디스크가 베이스의 지지면을 커버하는 제1 위치에 위치하고 베이스가 냉각 위치에 위치할 경우, 베이스에 탑재되는 피공작물의 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉되어, 베이스의 지지면과 피공작물의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입할 경우, 피공작물이 베이스에 고정되어 바람에 날아가지 않도록 보장하며, 이로써 가공 대상 공작물에 대해 효과적이고 고효율적인 냉각을 구현할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, in the shutter disk assembly provided by the embodiment of the present disclosure, the shutter pressing disk is moved to a second position not overlapping with the support surface of the base in the vertical direction through the connecting member, so that the surface of the workpiece is not blocked at all. As a result, it is possible to deposit a thin film on the entire surface of the workpiece when performing the process. In addition, the rim portion of the shutter pressing disk is in contact with the rim area of the upper surface of the workpiece mounted on the base when the shutter pressing disk is located in the first position covering the support surface of the base and the base is located in the cooling position. , When the bag blow gas is introduced into the gap between the support surface of the base and the lower surface of the work piece, it ensures that the work piece is fixed to the base and does not blow away by the wind, thereby providing effective and highly efficient cooling for the work piece to be processed. It can be implemented, and productivity can be improved.

다른 하나의 기술적 방안으로, 본 개시의 실시예는 반도체 가공 장치를 더 제공한다. 예를 들어, 반도체 가공 장치는 PVD 장치일 수 있다.As another technical solution, an embodiment of the present disclosure further provides a semiconductor processing apparatus. For example, the semiconductor processing device may be a PVD device.

본 실시예에서, 도 9a에 도시된 바와 같이, 반도체 가공 장치는 챔버(10)를 포함하며, 해당 챔버(10)는 베이스(116)와 본 개시의 상기 임의의 실시예에서 제공하는 셔터 디스크 어셈블리(11)를 포함한다. 여기서, 베이스(116)에는 베이스(116)의 지지면(11601)과 피공작물(102)의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입하기 위한 백 블로우 관로(110)가 내설된다. 베이스(116)는 승하강 가능하며, 즉 냉각 위치(도 9a에 도시되어 있지 않지만, 도 11에 도시된 베이스(116)가 위치하는 위치를 참조할 수 있음) 또는 로딩/언로딩 위치(도 9a에 도시되어 있지 않지만, 도 10에 도시된 베이스(116)가 위치하는 위치를 참조할 수 있음) 또는 공정 위치(도 9a에 도시된 베이스(116)가 위치하는 위치를 참조)로 이동할 수 있도록 지지면(11601)과 수직되는 방향으로 이동할 수 있으며, 해당 로딩/언로딩 위치는 냉각 위치보다 낮고, 공정 위치는 냉각 위치보다 높다. 본 개시의 실시예 도면에서는 베이스(116)를 지지면(11601)과 수직되는 방향으로 이동시킬 수 있는 승하강 기구를 생략하였다.In this embodiment, as shown in FIG. 9A, the semiconductor processing apparatus includes a chamber 10, and the chamber 10 includes a base 116 and a shutter disk assembly provided in any of the above embodiments of the present disclosure. It includes (11). Here, in the base 116, a back blow pipe 110 for introducing the back blow gas into the gap between the support surface 11601 of the base 116 and the lower surface of the workpiece 102 is provided. The base 116 is elevating and lowering, that is, a cooling position (not shown in Fig. 9A, but may refer to a position where the base 116 shown in Fig. 11 is located) or a loading/unloading position (Fig. 9A. Although not shown in, it is supported to move to the position where the base 116 shown in Fig. 10 is located) or the process position (refer to the position where the base 116 shown in Fig. 9A is located) It can move in a direction perpendicular to the surface 11601, and the loading/unloading position is lower than the cooling position, and the process position is higher than the cooling position. In the drawing of the exemplary embodiment of the present disclosure, an elevating mechanism capable of moving the base 116 in a direction perpendicular to the support surface 11601 is omitted.

설명해야 할 것은, 백 블로우 관로(110)는 수요에 따라 설치될 수 있으며, 도면에 도시된 것에 제한되지 않고, 백 블로우를 구현할 수 있는 것이면 된다. 본 개시의 실시예는 백 블로우 관로로 유입된 백 블로우 가스가 피공작물(102)을 냉각하는데 사용되는 것을 예로 하였으며, 물론 실제 응용에 있어서, 상이한 공정 수요에 따라, 백 블로우 가스는 피공작물(102)의 가열에 사용될 수도 있다.It should be described that the back blow conduit 110 may be installed according to demand, is not limited to that shown in the drawings, and any one capable of implementing a back blow is sufficient. In the embodiment of the present disclosure, the bag blow gas introduced into the bag blow pipe is used to cool the workpiece 102, and of course, in practical applications, according to different process demands, the bag blow gas is used for the workpiece 102 ) Can also be used for heating.

설명해야 할 것은, 본 개시의 실시예에서 제공하는 셔터 디스크 어셈블리는 PVD 장치에 적용되는데 제한되지 않으며, 기타 반도체 제조 공정에 적용될 수도 있다.It should be described that the shutter disk assembly provided in the embodiment of the present disclosure is not limited to being applied to a PVD device, and may be applied to other semiconductor manufacturing processes.

도 9a에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 반도체 가공 장치는 챔버(10)의 일측에 설치되고 챔버(10)의 내부와 연통되며, 셔터 가압 디스크(113)가 제2 위치(L2)에 위치할 경우 셔터 가압 디스크(113)를 수용하는 셔터 디스크 창고(010)를 더 포함한다.9A, in some examples, the semiconductor processing apparatus is installed on one side of the chamber 10 and communicates with the interior of the chamber 10, and the shutter pressing disk 113 is at the second position L2. If located, it further includes a shutter disk warehouse (010) that accommodates the shutter pressing disk (113).

도 9a에 도시된 바와 같이, 일부 예시에 있어서, 챔버(10)는 리미트 링(127), 차폐 부재(104)와 배플 링(128)을 더 포함하며, 여기서 리미트 링(127)은 베이스(116)에 설치되고 지지면(11601)의 주변에 서라운드되어, 피공작물(102)의 베이스(116)에서의 위치를 제한한다. 예를 들어, 리미트 링(127)은 베이스(116) 상에 안착되는 피공작물(102)과 근접하는 부분이 계단형일 수 있으며, 이로써 피공작물(102)의 제한에 유리하다. 피공작물(102)이 리미트 링(127)에 안착될 경우, 피공작물(102)의 베이스(116)와 멀어지는 표면이 완전히 노출되어, 즉 리미트 링(127)은 어떠한 부분도 피공작물(102)의 상측을 커버하지 않는다. 이로써, 피공작물(102)의 상부 표면의 전체 구역에 박막을 증착하는 것에 유리하다.9A, in some examples, the chamber 10 further includes a limit ring 127, a shield member 104 and a baffle ring 128, wherein the limit ring 127 is a base 116 ) And surrounds the periphery of the support surface 11601, limiting the position of the workpiece 102 at the base 116. For example, the limit ring 127 may have a stepped portion in the vicinity of the workpiece 102 seated on the base 116, which is advantageous in limiting the workpiece 102. When the work piece 102 is seated on the limit ring 127, the surface away from the base 116 of the work piece 102 is completely exposed, that is, the limit ring 127 is any part of the work piece 102. Does not cover the upper side. Thereby, it is advantageous to deposit a thin film over the entire area of the upper surface of the workpiece 102.

배플 링(128)은 베이스(116)가 공정 위치에 위치할 경우 리미트 링(127)과 차폐 부재(104) 사이의 간극을 차단하고, 베이스(116)가 상기 공정 위치로부터 하강된 후, 배플 링(128)은 차폐 부재(104)에 의해 지지된다. 또한, 타겟재(105), 차폐 부재(104), 배플 링(128)과 피공작물(102)로 둘러져 하나의 공정 구역을 형성하고, 플라즈마가 해당 공정 구역에서 발생된다. 배플 링(128)과 차폐 부재(104) 등은 상대적으로 밀폐된 반응 환경을 형성하고 증착물이 챔버 내벽을 오염시키는 것을 방지하는 작용을 한다. 예를 들어, 배플 링(128)의 내경은 피공작물(102)의 직경보다 크고, 리미트 링(127)의 외경보다 작다. 배플 링(128)이 리미트 링(127)을 가압할 경우, 배플 링(128)과 차폐 부재(104) 사이의 간극의 수치가 한정 범위 내에 있게 되어, 배플 링(128)이 들어 올려질 경우 플라즈마의 밀폐에 더 유리해지게 된다.The baffle ring 128 blocks the gap between the limit ring 127 and the shield member 104 when the base 116 is positioned at the process position, and after the base 116 is lowered from the process position, the baffle ring 128 is supported by the shielding member 104. In addition, the target material 105, the shielding member 104, the baffle ring 128 and the workpiece 102 are surrounded to form one process zone, and plasma is generated in the process zone. The baffle ring 128 and the shielding member 104 serve to form a relatively sealed reaction environment and prevent deposits from contaminating the inner wall of the chamber. For example, the inner diameter of the baffle ring 128 is larger than the diameter of the workpiece 102 and smaller than the outer diameter of the limit ring 127. When the baffle ring 128 presses the limit ring 127, the value of the gap between the baffle ring 128 and the shielding member 104 is within a limited range, and when the baffle ring 128 is lifted, plasma Becomes more favorable for sealing of

도 9b에 도시된 예시에 있어서, 베이스(116)와 리미트 링(127)을 나타내는 사시도를 도시하였다. 베이스(116)는 베이스 본체(1161)와 베이스 본체(1161) 위에 설치되는 상부 판(1162)을 포함할 수 있다. 도 9b에는 상부 판(1162)의 테두리에 위치하는 리미트 링(127)이 더 도시되었다. 베이스 본체(1161), 상부 판(1162)과 리미트 링(127)은 함께 조립되어 피공작물(102)을 지지하고 위치 제한할 수 있다. 정상적인 공정에서, 피공작물(102)은 상부 판(1162)에 안착될 수 있다. 베이스(116)는 피공작물(102)의 캐리어다. 상부 판(1162)은 베이스(116)의 가장 상면의 부품으로, 나사를 통해 베이스 본체(1161)에 고정될 수 있다. 리미트 링(127)은 나사를 통해 상부 판(1162)에 고정될 수 있다.In the example shown in FIG. 9B, a perspective view showing the base 116 and the limit ring 127 is shown. The base 116 may include a base body 1161 and an upper plate 1162 installed on the base body 1161. In FIG. 9B, a limit ring 127 positioned at the edge of the upper plate 1162 is further illustrated. The base body 1161, the top plate 1162, and the limit ring 127 are assembled together to support the workpiece 102 and limit the position. In a normal process, the workpiece 102 may be seated on the top plate 1162. The base 116 is a carrier for the workpiece 102. The upper plate 1162 is a component on the uppermost surface of the base 116 and may be fixed to the base body 1161 through screws. The limit ring 127 may be fixed to the upper plate 1162 through screws.

본 개시의 실시예에서 제공하는 반도체 가공 장치는, 본 개시의 실시예에서 제공하는 상기 셔터 디스크 어셈블리를 사용함으로써, 피공작물 표면이 전혀 차단되지 않도록 할 수 있어, 공정 수행 시 피공작물의 전체 표면에 박막을 증착할 수 있다. 더불어, 베이스의 지지면과 피공작물의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입할 경우, 피공작물이 베이스에 고정되어 바람에 날아가지 않도록 보장함으로써, 가공 대상 공작물에 대해 효과적이고 고효율적인 냉각을 구현할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.In the semiconductor processing apparatus provided in the embodiment of the present disclosure, by using the shutter disk assembly provided in the embodiment of the present disclosure, the surface of the work piece can be prevented from being blocked at all, so that the entire surface of the work piece is Thin films can be deposited. In addition, when the bag blow gas is introduced into the gap between the support surface of the base and the lower surface of the work piece, the work piece is fixed to the base and ensures that it is not blown away by the wind, thereby providing effective and highly efficient cooling for the work piece to be processed. It can be implemented, and productivity can be improved.

다른 하나의 기술적 방안으로, 본 개시의 실시예는 반도체 가공 방법을 더 제공하며, 이는 상술한 임의의 실시예에서 제공하는 반도체 가공 장치를 사용하여 피공작물(102)을 가공하지만, 이에 제한되지 않는다. 해당 반도체 가공 방법은, As another technical solution, the embodiment of the present disclosure further provides a semiconductor processing method, which processes the workpiece 102 using the semiconductor processing apparatus provided in any of the above-described embodiments, but is not limited thereto. . The semiconductor processing method,

셔터 가압 디스크(113)를 제2 위치(L2)에 유지시키고, 베이스(116)를 공정 위치까지 상승시켜 피공작물(102)의 전체 상부 표면에 대해 공정 처리를 수행하는 공정 처리 단계;A process treatment step of performing a process treatment on the entire upper surface of the work piece 102 by holding the shutter pressing disk 113 at the second position L2 and raising the base 116 to the process position;

공정 처리를 정지하고, 베이스(116)를 공정 위치로부터 로딩/언로딩 위치까지 하강시키고, 셔터 가압 디스크(113)를 제2 위치(L2)로부터 제1 위치(L1)까지 이동시킨 후, 베이스(116)를 냉각 위치까지 상승시켜, 셔터 가압 디스크(113)의 테두리 부분(E)이 베이스(116)에 탑재되는 피공작물(102) 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉하도록 하며, 다음으로, 백 블로우 관로(110)를 이용하여 베이스(116)의 지지면(11601)과 피공작물(102)의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입하는 냉각 단계를 포함한다.After stopping the process process, lowering the base 116 from the process position to the loading/unloading position, and moving the shutter pressing disk 113 from the second position L2 to the first position L1, the base ( 116) is raised to the cooling position, so that the rim portion E of the shutter pressing disk 113 contacts each other with the rim region of the upper surface of the workpiece 102 mounted on the base 116, and then, back blow And a cooling step of introducing a bag blow gas into the gap between the support surface 11601 of the base 116 and the lower surface of the workpiece 102 using the conduit 110.

공정 처리 단계에서, 백 블로우 관로(110)는 폐쇄된 것으로, 폐쇄되지 않으면 피공작물(102)이 날아갈 수 있고, 박막 증착 과정에서 피공작물(102)의 온도 상승이 매우 빨라 온도 상한 범위에 달하게 되면 냉각 단계로 전환해야 한다.In the process processing step, the back blow pipe 110 is closed, if not closed, the workpiece 102 may fly away, and the temperature rise of the workpiece 102 during the thin film deposition process is very rapid and reaches the upper temperature range. It should switch to the cooling stage.

선택 가능하게는, 상기 공정 처리 단계에서, 공정 처리는 PVD 공정을 포함한다.Optionally, in the process treatment step, the process treatment comprises a PVD process.

선택 가능하게는, 상기 냉각 단계에서, 냉각 위치의 높이는, 베이스(116)가 냉각 위치까지 상승하는 과정에서, 베이스(116)는 셔터 가압 디스크(113)가 이와 활동 가능하게 연결되는 연결 부재(1112)에 대해 상향 이동하도록 셔터 가압 디스크(113)를 받쳐 올릴 수 있어, 셔터 가압 디스크(113)의 테두리 부분(E)이 피공작물(102)의 상부 표면의 테두리 구역을 가압하도록 설정된다. 이로써, 셔터 가압 디스크(113)는 자체 중력을 이용하여 피공작물(102)을 가압할 수 있다.Optionally, in the cooling step, the height of the cooling position is, while the base 116 rises to the cooling position, the base 116 is a connecting member 1112 to which the shutter pressing disk 113 is movably connected thereto. The shutter pressing disk 113 can be raised to move upward relative to ), so that the rim portion E of the shutter pressing disk 113 is set to press the rim region of the upper surface of the workpiece 102. Thus, the shutter pressing disk 113 can press the workpiece 102 using its own gravity.

일부 예시에 있어서, 해당 방법은 챔버(10) 내의 공정 어셈블리를 교체(예를 들어 챔버 내의 차폐 부재(104), 배플 링(128)과 리미트 링(127) 중의 적어도 하나를 교체)한 후 고온 번인 공정을 수행 시, 셔터 가압 디스크(113)를 이용하여 베이스(116)를 차단하는 것을 더 포함한다. 이로써, 셔터 가압 디스크(113)가 커버 링과 셔터 디스크의 기능을 집성할 수 있어, 장치의 성능이 향상되고 장치 구조가 간편해진다.In some examples, the method involves replacing the process assembly in the chamber 10 (e.g., replacing at least one of the shielding member 104, the baffle ring 128, and the limit ring 127 in the chamber) and then hot burn-in. When performing the process, it further includes blocking the base 116 using the shutter pressing disk 113. Thereby, the shutter pressing disk 113 can aggregate the functions of the covering ring and the shutter disk, so that the performance of the device is improved and the device structure is simplified.

이상에서는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 가공 방법에서 냉각 과정에 관한 단계를 설명하였으며, 박막 증착 등 기타 단계는 통상적인 PVD 작업 단계를 참조할 수 있다. 본 개시의 실시예에 따른 반도체 가공 방법을 더 명확하게 설명하기 위해, 이하에서 해당 장치에 적용되는 반도체 가공 방법의 예시에 대해 자세히 설명하기로 한다.In the above, steps related to the cooling process in the semiconductor processing method according to the embodiment of the present disclosure have been described, and other steps such as thin film deposition may refer to conventional PVD operation steps. In order to more clearly describe a semiconductor processing method according to an embodiment of the present disclosure, an example of a semiconductor processing method applied to a corresponding device will be described in detail below.

박막 증착 단계: 피공작물(102)은 공정 수행 시, 베이스(116)가 피공작물(102)을 지지하여 공정 위치(도 9a에 도시된 바와 같음)까지 상승시키고, 리미트 링(127)이 피공작물(102)의 좌우 위치를 제한하고, 배플 링(128)이 스퍼터링된 타겟재(예를 들어 금속)가 챔버 기타 부위로 유입되는 것을 차단하고, 스퍼터링된 재료인 타겟재(105)는 챔버(10) 상측에 안착되며, 이때 셔터 가압 디스크(113)는 회전축(111)의 회동에 따라 셔터 디스크 창고(010)로 진입된다.Thin film deposition step: When the work piece 102 performs a process, the base 116 supports the work piece 102 and raises it to a process position (as shown in FIG. 9A), and the limit ring 127 is the work piece. The left and right positions of the baffle ring 128 are limited, and the target material (for example, metal) sputtered by the baffle ring 128 is blocked from flowing into other parts of the chamber, and the target material 105, which is a sputtered material, is used in the chamber 10 ) Is seated on the upper side, at this time, the shutter pressing disk 113 enters the shutter disk warehouse 010 according to the rotation of the rotation shaft 111.

백 블로우 냉각 단계: 도 10에 도시된 바와 같이, 베이스(116)를 로딩/언로딩 위치까지 하강시키고, 피공작물(102)이 베이스(116)를 따라 낮은 위치로 하강되고, 다음으로 셔터 가압 디스크(113)를 피공작물(102) 상측으로 인입한다. 베이스(116)가 위치하는 로딩/언로딩 위치가 냉각 위치보다 낮으므로, 베이스(116)와 셔터 가압 디스크(113)의 서로 간의 간섭을 방지할 수 있다.Back blow cooling step: As shown in FIG. 10, the base 116 is lowered to the loading/unloading position, the work piece 102 is lowered to the lower position along the base 116, and then the shutter pressurizing disk (113) is inserted above the work piece (102). Since the loading/unloading position where the base 116 is located is lower than the cooling position, interference between the base 116 and the shutter pressing disk 113 can be prevented.

상기 동작이 완료되면, 도 11에 도시된 바와 같이, 베이스(116)를 냉각 위치까지 상승시키고, 피공작물(102)이 베이스(116)를 따라 상승되어 셔터 가압 디스크(113)를 들어 올리고, 셔터 가압 디스크(113)가 연결 부재(1112)에 대해 일정 거리 상향 이동되며, 이로써 셔터 가압 디스크(113)의 테두리 부분(E)이 피공작물(102)의 상부 표면의 테두리 구역을 가압하게 되며, 이 때 셔터 가압 디스크(113)의 중량이 피공작물(102)을 가압하고, 백 블로우 관로(110)를 이용하여 베이스(116)의 지지면(11601)과 피공작물(102)의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입할 수 있다. 예를 들어, 셔터 가압 디스크(113)의 중량은 피공작물(102)의 면적과 그 배면의 가스 압력의 곱보다 클 수 있으며, 예를 들어, 해당 가스 압력은 7torr 이내의 압력일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.When the above operation is completed, as shown in FIG. 11, the base 116 is raised to the cooling position, and the workpiece 102 is raised along the base 116 to lift the shutter pressing disk 113, and the shutter The pressing disk 113 is moved upward by a certain distance with respect to the connection member 1112, whereby the rim portion E of the shutter pressing disk 113 presses the rim area of the upper surface of the workpiece 102, and this When the weight of the shutter pressing disk 113 presses the workpiece 102, the gap between the support surface 11601 of the base 116 and the lower surface of the workpiece 102 using the back blow pipe 110 The bag blow gas can be introduced. For example, the weight of the shutter pressurizing disk 113 may be greater than the product of the area of the workpiece 102 and the gas pressure on the rear surface thereof, and for example, the corresponding gas pressure may be within 7 torr. Not limited.

냉각이 완료되면, 가스 유입을 정지하고, 베이스(116)가 피공작물(102)을 지지하면서 하강하도록 하고, 셔터 가압 디스크(113)도 연결 부재(1112)에 매달리게 될 때까지 베이스(116)를 따라 하강한다(도 10에 도시된 바와 같음). 다음으로, 셔터 가압 디스크(113)를 셔터 디스크 창고(010)로 인입하고, 다시 베이스(116)를 공정 위치까지 상승시켜(도 9a에 도시된 바와 같음), 계속하여 박막 증착 공정을 수행한다. 이렇게 상기 박막 증착 단계와 백 블로우 냉각 단계를 순환 수행한다.When cooling is complete, gas inflow is stopped, the base 116 is lowered while supporting the workpiece 102, and the base 116 is held until the shutter pressing disk 113 is also suspended from the connecting member 1112. It descends accordingly (as shown in FIG. 10). Next, the shutter pressing disk 113 is brought into the shutter disk storage 010, and the base 116 is raised to the process position (as shown in Fig. 9A), and a thin film deposition process is continuously performed. In this way, the thin film deposition step and the back blow cooling step are cyclically performed.

아래의 몇 가지에 대한 설명이 필요하다.Some explanations are needed below.

(1)본 발명에 개시된 실시예 도면에서, 본 개시의 실시예와 관련된 구조만 기재되었으며, 기타 구조는 통상적인 설계를 참조할 수 있다.(1) Embodiments disclosed in the present invention In the drawings, only structures related to embodiments of the present disclosure are described, and other structures may refer to conventional designs.

(2)충돌되지 않는 이상, 본 발명에 개시된 동일한 실시예 및 상이한 실시예에서의 특징들은 서로 조합될 수 있다.(2) As long as there is no conflict, features in the same embodiment and different embodiments disclosed in the present invention can be combined with each other.

이상은 본 발명의 예시적인 실시 방식에 불과한 것으로, 본 발명의 보호 범위를 제한하고자 하는 것이 아니며, 본 발명의 보호 범위는 첨부되는 청구 범위에 의해 정해질 것이다.The above is merely an exemplary implementation manner of the present invention, and is not intended to limit the protection scope of the present invention, and the protection scope of the present invention will be determined by the appended claims.

Claims (16)

연결 부재와 셔터 가압 디스크를 포함하고,
상기 연결 부재는 상기 셔터 가압 디스크를 베이스 상측으로 이동시켜, 상기 베이스의 지지면의 제1 위치 또는 수직 방향에서 상기 베이스의 지지면과 중첩되지 않는 제2 위치를 커버하고;
상기 셔터 가압 디스크의 테두리 부분에 있어서,
상기 셔터 가압 디스크가 상기 제1 위치에 위치하고 상기 베이스가 냉각 위치에 위치할 경우, 상기 셔터 가압 디스크의 테두리 부분은 상기 베이스에 탑재되는 피공작물의 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉되는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
Including a connecting member and a shutter pressing disk,
The connecting member moves the shutter pressing disk upwards of the base to cover a first position of the support surface of the base or a second position that does not overlap with the support surface of the base in a vertical direction;
In the rim portion of the shutter pressing disk,
When the shutter pressing disk is located in the first position and the base is located in the cooling position, the rim of the shutter pressing disk is in contact with the rim area of the upper surface of the workpiece mounted on the base. Shutter disc assembly.
제 1 항에 있어서,
상기 셔터 가압 디스크는 상기 연결 부재와 활동 가능하게 연결되어, 상기 베이스가 상기 냉각 위치보다 낮을 경우, 상기 테두리 부분이 상기 피공작물과 서로 분리되고, 상기 베이스가 상기 냉각 위치까지 상승하는 과정에서, 상기 베이스가 상기 셔터 가압 디스크를 받쳐 올려, 상기 테두리 부분이 상기 피공작물의 테두리 구역을 가압하는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method of claim 1,
The shutter pressing disk is movably connected to the connection member, and when the base is lower than the cooling position, the edge portion is separated from each other and the base rises to the cooling position, the A shutter disk assembly, wherein a base supports the shutter pressing disk, and the rim portion presses the rim region of the work piece.
제 2 항에 있어서,
상기 연결 부재에는 상기 연결 부재를 수직 방향으로 관통하는 위치 고정홀이 설치되고, 상기 셔터 가압 디스크의 상부 표면에는 위치 고정 돌기부가 설치되며, 상기 위치 고정 돌기부는 상기 위치 고정홀과 서로 결합되어, 상기 베이스가 상기 냉각 위치보다 낮을 경우, 상기 셔터 가압 디스크가 상기 위치 고정 돌기부를 통해 상기 연결 부재에 매달리도록 하고, 상기 베이스가 상기 냉각 위치까지 상승하여 상기 셔터 가압 디스크를 받쳐 올리는 과정에서, 상기 위치 고정 돌기부가 상기 위치 고정홀에 대해 상향 이동하는 것을 허용하는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method of claim 2,
The connection member is provided with a position fixing hole penetrating the connection member in a vertical direction, a position fixing protrusion is installed on an upper surface of the shutter pressing disk, and the position fixing protrusion is coupled with the position fixing hole to each other, When the base is lower than the cooling position, the shutter pressing disk is suspended from the connecting member through the position fixing protrusion, and the base is raised to the cooling position to support the shutter pressing disk, and the position is fixed. Shutter disk assembly, characterized in that allowing the projection to move upward relative to the position fixing hole.
제 3 항에 있어서,
상기 위치 고정홀은 원뿔형 홀이고, 상기 원뿔형 홀의 직경은 상부에서 하부로 점차적으로 감소되는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method of claim 3,
The position fixing hole is a conical hole, and the diameter of the conical hole is gradually decreased from top to bottom.
제 4 항에 있어서,
상기 위치 고정 돌기부는 결합부를 포함하고, 상기 결합부는 원뿔형으로, 상기 베이스가 상기 냉각 위치보다 낮을 경우, 상기 결합부의 외주벽이 상기 원뿔형 홀의 홀벽과 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method of claim 4,
Wherein the position fixing protrusion includes a coupling portion, and the coupling portion has a conical shape, and when the base is lower than the cooling position, an outer circumferential wall of the coupling portion is coupled to the hole wall of the conical hole.
제 3 항에 있어서,
상기 위치 고정홀은 직통홀이고, 상기 직통홀의 홀벽에 계단부가 설치되고;
상기 위치 고정 돌기부는 결합부를 포함하며, 상기 베이스가 상기 냉각 위치보다 낮을 경우, 상기 결합부의 적어도 일부가 상기 계단부에 적층되어 설치되는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method of claim 3,
The position fixing hole is a direct hole, and a step portion is installed on the hole wall of the direct hole;
The position fixing protrusion includes a coupling portion, and when the base is lower than the cooling position, at least a portion of the coupling portion is stacked and installed on the stepped portion.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 위치 고정 돌기부는 기둥형 연장부를 더 포함하며,
상기 연장부는 연직으로 설치되고, 상기 연장부의 상단은 상기 결합부와 연결되고, 상기 연장부의 하단은 상기 셔터 가압 디스크와 연결되며, 상기 연장부의 외경은 상기 원뿔형 홀의 최소 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method according to claim 5 or 6,
The position fixing protrusion further includes a columnar extension,
The extension part is installed vertically, the upper end of the extension part is connected to the coupling part, the lower part of the extension part is connected to the shutter pressing disk, and the outer diameter of the extension part is smaller than the minimum diameter of the conical hole. Disk assembly.
제 3 항에 있어서,
회전 기구를 더 포함하며, 상기 회전 기구는,
상기 베이스의 일측에 연직으로 설치되어 상기 연결 부재와 연결되는 회전축 및
상기 회전축을 회전시켜 상기 연결 부재가 상기 회전축을 따라 상기 제1 위치 또는 제2 위치까지 회전하도록 구동하는 구동원을 포함하는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method of claim 3,
Further comprising a rotation mechanism, the rotation mechanism,
A rotating shaft installed vertically on one side of the base and connected to the connection member, and
And a driving source for driving the connection member to rotate to the first position or the second position along the rotation axis by rotating the rotation shaft.
제 1 항에 있어서,
상기 셔터 가압 디스크는 가압 디스크 본체를 포함하고,
상기 가압 디스크 본체의 하부 표면 테두리 구역에는 링형 돌기부가 형성되어 상기 테두리 부분으로 사용되고, 상기 링형 돌기부는 폐쇄된 링형으로 상기 셔터 가압 디스크의 원주 방향을 따라 설치되거나; 또는 상기 링형 돌기부는 다수 개의 서브 돌기부를 포함하여, 다수 개의 서브 돌기부가 상기 셔터 가압 디스크의 원주 방향을 따라 이격되어 설치되는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method of claim 1,
The shutter pressing disk includes a pressing disk body,
A ring-shaped protrusion is formed in the lower surface rim region of the pressurizing disk main body to be used as the rim, and the ring-shaped protrusion has a closed ring shape and is installed along the circumferential direction of the shutter pressing disk; Or the ring-shaped protrusion includes a plurality of sub-protrusions, and the plurality of sub-protrusions are installed to be spaced apart along the circumferential direction of the shutter pressing disk.
제 1 항에 있어서,
상기 셔터 가압 디스크는 가압 디스크 본체를 포함하며, 상기 가압 디스크 본체의 외주벽에는 링형 돌기부가 형성되고, 상기 링형 돌기부는 상기 가압 디스크 본체의 하부 표면에 대해 돌출되어 상기 테두리 부분으로 사용되고, 상기 링형 돌기부는 폐쇄된 링형으로 상기 셔터 가압 디스크의 원주 방향을 따라 설치되거나, 또는 상기 링형 돌기부는 다수 개의 서브 돌기부를 포함하여, 다수 개의 서브 돌기부가 상기 셔터 가압 디스크의 원주 방향을 따라 이격되어 설치되는 것을 특징으로 하는 셔터 디스크 어셈블리.
The method of claim 1,
The shutter pressing disk includes a pressing disk main body, and a ring-shaped protrusion is formed on an outer circumferential wall of the pressing disk main body, and the ring-shaped protrusion protrudes from the lower surface of the pressing disk main body and is used as the rim portion, and the ring-shaped protrusion part Is a closed ring type installed along the circumferential direction of the shutter pressing disk, or the ring-shaped protrusion includes a plurality of sub protrusions, and a plurality of sub protrusions are installed to be spaced apart along the circumferential direction of the shutter pressing disk. Shutter disk assembly made by.
챔버를 포함하는 반도체 가공 장치에 있어서,
상기 챔버는 베이스와 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 셔터 디스크 어셈블리를 포함하고;
상기 베이스에는 상기 베이스의 지지면과 상기 피공작물의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입하기 위한 백 블로우 관로가 내설되고;
상기 베이스는 상기 냉각 위치 또는 로딩/언로딩 위치 또는 공정 위치로 이동할 수 있도록 승하강 가능하고, 상기 로딩/언로딩 위치는 상기 냉각 위치보다 낮고, 상기 공정 위치는 상기 냉각 위치보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 가공 장치.
In the semiconductor processing apparatus comprising a chamber,
The chamber comprises a base and a shutter disk assembly according to any one of claims 1 to 10;
A back blow pipe for introducing a back blow gas into the gap between the support surface of the base and the lower surface of the workpiece is installed in the base;
The base is elevating and descending to move to the cooling position, loading/unloading position, or process position, and the loading/unloading position is lower than the cooling position, and the process position is higher than the cooling position. Semiconductor processing equipment.
제 11 항에 있어서,
상기 챔버는,
상기 베이스에 설치되고 상기 지지면의 주변에 서라운드되어, 상기 피공작물의 상기 베이스에서의 위치를 제한하는 리미트 링,
상기 챔버의 측벽 내측에 서라운드되어 설치되는 차폐 부재 및
상기 베이스가 상기 공정 위치에 위치할 경우 상기 리미트 링과 상기 차폐 부재 사이의 간극을 차단하고, 상기 베이스가 상기 공정 위치로부터 하강된 후 상기 차폐 부재에 의해 지지되는 배플 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 장치.
The method of claim 11,
The chamber,
A limit ring installed on the base and surrounded by the support surface to limit the position of the workpiece on the base,
A shielding member that is surround and installed inside the sidewall of the chamber, and
When the base is located in the process position, the gap between the limit ring and the shield member is blocked, and the baffle ring is supported by the shield member after the base is lowered from the process position. Semiconductor processing equipment.
제 11 항에 있어서,
상기 챔버의 일측에 설치되고 상기 챔버의 내부와 연통되며, 상기 셔터 가압 디스크가 상기 제2 위치에 위치할 경우 상기 셔터 가압 디스크를 수용하는 셔터 디스크 창고를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 장치.
The method of claim 11,
And a shutter disk warehouse installed on one side of the chamber and communicating with the interior of the chamber, and accommodating the shutter pressing disk when the shutter pressing disk is positioned at the second position.
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 반도체 가공 장치를 사용하여 피공작물을 가공하는 반도체 가공 방법에 있어서,
상기 셔터 가압 디스크를 상기 제2 위치에 유지시키고, 베이스를 상기 공정 위치까지 상승시켜, 상기 피공작물의 전체 상부 표면에 대해 공정 처리를 수행하는 공정 처리 단계 및
공정 처리를 정지하고, 상기 베이스를 상기 공정 위치로부터 상기 로딩/언로딩 위치까지 하강시키고, 상기 셔터 가압 디스크를 상기 제2 위치로부터 상기 제1 위치까지 이동시킨 후, 상기 베이스를 상기 냉각 위치까지 상승시켜, 상기 셔터 가압 디스크의 테두리 부분이 상기 베이스에 탑재되는 피공작물 상부 표면의 테두리 구역과 서로 접촉하도록 하며, 다음으로 상기 백 블로우 관로를 이용하여 상기 베이스의 지지면과 상기 피공작물의 하부 표면 사이의 간극으로 백 블로우 가스를 유입하는 냉각 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 방법.
In a semiconductor processing method for processing a work piece using the semiconductor processing device according to any one of claims 11 to 13,
A process treatment step of maintaining the shutter pressing disk in the second position and raising the base to the process position to perform a process treatment on the entire upper surface of the work piece; and
After stopping the process process, lowering the base from the process position to the loading/unloading position, moving the shutter pressing disk from the second position to the first position, and then raising the base to the cooling position So that the edge portion of the shutter pressing disk contacts each other with the edge area of the upper surface of the workpiece mounted on the base, and then between the support surface of the base and the lower surface of the workpiece by using the back blow pipe A semiconductor processing method comprising a cooling step of introducing a bag blow gas into the gap of.
제 14 항에 있어서,
상기 냉각 단계에서, 상기 냉각 위치의 높이는, 상기 베이스가 상기 냉각 위치까지 상승하는 과정에서, 상기 베이스는 상기 셔터 가압 디스크가 이와 활동 가능하게 연결되는 상기 연결 부재에 대해 상향 이동하도록 상기 셔터 가압 디스크를 받쳐 올릴 수 있음에 따라, 상기 셔터 가압 디스크의 테두리 부분이 상기 피공작물의 상부 표면의 테두리 구역을 가압하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 방법.
The method of claim 14,
In the cooling step, the height of the cooling position, while the base is raised to the cooling position, the base moves the shutter pressing disk upward with respect to the connection member movably connected thereto. A semiconductor processing method, characterized in that the rim portion of the shutter pressing disk is set to press the rim region of the upper surface of the workpiece as it can be raised.
제 14 항에 있어서,
상기 공정 처리 단계에서, 상기 공정 처리는 PVD 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 방법.
The method of claim 14,
In the process treatment step, the process treatment comprises a PVD process.
KR1020207021459A 2018-01-29 2018-11-27 Shutter disk assembly, semiconductor processing apparatus and method KR102442541B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810085194.8A CN108060406B (en) 2018-01-29 2018-01-29 Shielding platen assembly, semiconductor processing apparatus and method
CN201810085194.8 2018-01-29
PCT/CN2018/117701 WO2019144696A1 (en) 2018-01-29 2018-11-27 Shielding plate assembly and semiconductor processing apparatus and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200096985A true KR20200096985A (en) 2020-08-14
KR102442541B1 KR102442541B1 (en) 2022-09-13

Family

ID=62134274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207021459A KR102442541B1 (en) 2018-01-29 2018-11-27 Shutter disk assembly, semiconductor processing apparatus and method

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP7139454B2 (en)
KR (1) KR102442541B1 (en)
CN (1) CN108060406B (en)
SG (1) SG11202006977QA (en)
TW (1) TWI752283B (en)
WO (1) WO2019144696A1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108060406B (en) * 2018-01-29 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 Shielding platen assembly, semiconductor processing apparatus and method
WO2021083483A1 (en) * 2019-10-28 2021-05-06 Applied Materials, Inc. Idle shield, deposition apparatus, deposition system, and methods of assembling and operating
CN111627839A (en) * 2020-06-04 2020-09-04 厦门通富微电子有限公司 Limiting device for baking tray, baking tray and semiconductor processing equipment
CN112011774B (en) * 2020-08-25 2022-09-16 北京北方华创微电子装备有限公司 Semiconductor equipment, semiconductor chamber thereof and semiconductor cooling method
CN112331609B (en) * 2020-10-26 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 Heating base in semiconductor process equipment and semiconductor process equipment
CN113322440B (en) * 2021-05-26 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 Semiconductor processing equipment and process chamber thereof
CN114959600B (en) * 2022-05-31 2023-08-18 北京北方华创微电子装备有限公司 Process chamber and semiconductor process equipment

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10110267A (en) * 1996-10-07 1998-04-28 Applied Materials Inc Sputtering device and treatment of deposit on collimator
US20090190908A1 (en) * 2007-09-03 2009-07-30 Canon Anelva Corporation Apparatus for heat-treating substrate and method for heat-treating substrate
JP2010126798A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Canon Anelva Corp Sputtering device
US20120193216A1 (en) * 2009-10-05 2012-08-02 Canon Anelva Corporation Substrate cooling device, sputtering apparatus and method for manufacturing electronic device
KR20140018915A (en) * 2011-03-11 2014-02-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
US20140271081A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Shutter blade and robot blade with cte compensation
US20140308028A1 (en) * 2011-12-27 2014-10-16 Canon Anelva Corporation Substrate heat treatment apparatus
US20150075971A1 (en) * 2013-09-18 2015-03-19 Tokyo Electron Limited Dual-target sputter deposition with controlled phase difference between target powers
US20150187546A1 (en) * 2012-05-31 2015-07-02 Tokyo Electron Limited Vacuum-Processing Apparatus, Vacuum-Processing Method, and Storage Medium

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5632673A (en) * 1995-10-30 1997-05-27 Chrysler Corporation Ventilation system for lightweight automobile
JP4902052B2 (en) * 2001-04-05 2012-03-21 キヤノンアネルバ株式会社 Sputtering equipment
TWI431668B (en) * 2009-06-24 2014-03-21 Ulvac Inc Vacuum deposition apparatus and method of detecting position of shutter board in vacuum deposition apparatus
KR101355303B1 (en) * 2010-03-24 2014-01-23 캐논 아네르바 가부시키가이샤 Manufacturing method for electronic device, and sputtering method
US10099245B2 (en) * 2013-03-14 2018-10-16 Applied Materials, Inc. Process kit for deposition and etching
WO2015072086A1 (en) * 2013-11-18 2015-05-21 キヤノンアネルバ株式会社 Substrate treatment device and method
CN105097604B (en) * 2014-05-05 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 Processing chamber
JP2016053202A (en) * 2014-09-04 2016-04-14 東京エレクトロン株式会社 Processing unit
CN106298417B (en) * 2015-05-14 2018-08-24 北京北方华创微电子装备有限公司 Reaction chamber and semiconductor processing equipment
CN106876316A (en) * 2015-12-14 2017-06-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Pressure ring and semiconductor processing equipment
CN107304473B (en) * 2016-04-20 2020-08-21 北京北方华创微电子装备有限公司 Reaction chamber and semiconductor processing equipment
CN108060406B (en) * 2018-01-29 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 Shielding platen assembly, semiconductor processing apparatus and method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10110267A (en) * 1996-10-07 1998-04-28 Applied Materials Inc Sputtering device and treatment of deposit on collimator
US20090190908A1 (en) * 2007-09-03 2009-07-30 Canon Anelva Corporation Apparatus for heat-treating substrate and method for heat-treating substrate
JP2010126798A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Canon Anelva Corp Sputtering device
US20120193216A1 (en) * 2009-10-05 2012-08-02 Canon Anelva Corporation Substrate cooling device, sputtering apparatus and method for manufacturing electronic device
KR20140018915A (en) * 2011-03-11 2014-02-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
US20140308028A1 (en) * 2011-12-27 2014-10-16 Canon Anelva Corporation Substrate heat treatment apparatus
US20150187546A1 (en) * 2012-05-31 2015-07-02 Tokyo Electron Limited Vacuum-Processing Apparatus, Vacuum-Processing Method, and Storage Medium
US20140271081A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Shutter blade and robot blade with cte compensation
US20150075971A1 (en) * 2013-09-18 2015-03-19 Tokyo Electron Limited Dual-target sputter deposition with controlled phase difference between target powers

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021512224A (en) 2021-05-13
CN108060406B (en) 2023-09-08
SG11202006977QA (en) 2020-08-28
WO2019144696A1 (en) 2019-08-01
CN108060406A (en) 2018-05-22
JP7139454B2 (en) 2022-09-20
TW201933442A (en) 2019-08-16
TWI752283B (en) 2022-01-11
KR102442541B1 (en) 2022-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102442541B1 (en) Shutter disk assembly, semiconductor processing apparatus and method
US20220230857A1 (en) Substrate processing apparatus
US9099513B2 (en) Substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP5188326B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and substrate processing apparatus
JP5262878B2 (en) Mounting table structure and plasma deposition apparatus
TWI764803B (en) Carrier plate for use in plasma processing systems
TWI652364B (en) Deposition equipment and physical vapor deposition chamber
CN107227448B (en) Susceptor and physical vapor deposition apparatus
TWI570835B (en) Two piece shutter disk assembly for a substrate process chamber
KR100639071B1 (en) Thin-film deposition system
CN208266260U (en) Block platen component and semiconductor processing
TW202118357A (en) Thin film deposition chamber, multi-functional shutter disk and method for using the multi-functional shutter disk
JP2003059998A (en) Tray-type multi-chamber substrate treating system and tray-type substrate treating system
KR101841034B1 (en) Plasma device
TW202029263A (en) Static electric chuck and plasma treatment device thereof capable of preventing chuck from generating arc under high radio frequency power
JP2015163736A (en) Processing method of substrate
WO2024029126A1 (en) Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device, and program
JP2003124192A (en) Plasma processor
JPH05152425A (en) Treatment apparatus and sputtering apparatus
WO2023286427A1 (en) Substrate holding device
JP2005353619A (en) Substrate processing apparatus and processing method
KR20100013148A (en) Apparatus for processing substrate and method for processing substrate
KR20070116372A (en) Substrate holder and substrate process apparatus having this
KR20220163422A (en) Deposition Apparatus, Processing System, and Method of Making Layers of Optoelectronic Devices
KR20220095497A (en) Unit for supporting substrate and method for manufacturing thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant