KR20200093326A - 발광 다이오드 및 발광 다이오드 제조 방법 - Google Patents

발광 다이오드 및 발광 다이오드 제조 방법 Download PDF

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KR20200093326A KR1020190010672A KR20190010672A KR20200093326A KR 20200093326 A KR20200093326 A KR 20200093326A KR 1020190010672 A KR1020190010672 A KR 1020190010672A KR 20190010672 A KR20190010672 A KR 20190010672A KR 20200093326 A KR20200093326 A KR 20200093326A
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기영식
이영주
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 및 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 기판 상에 서로 소정의 간격으로 이격된 상태로 다수의 발광 다이오드 칩이 배치되고, 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상부에 다수의 미세홀을 갖는 제1 마스크부가 배치되며, 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮도록 상기 제1 마스크부의 하부에 몰딩부재가 채워지고, 상기 제1 마스크부가 제거되며, 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮도록 형성된 몰딩부재가 경화되어 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 둘러싸는 몰딩부가 형성되고, 상기 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조되며, 상기 몰딩부재는 상기 제1 마스크부에 형성된 다수의 미세홀을 통해 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮을 수 있다. 본 발명에 의하면, 미세한 다수의 홀의 형상으로 형성된 스텐실(stencil)을 갖는 마스크부를 이용하여 몰딩부재가 발광 다이오드 칩을 덮도록 제조함에 따라 그라인딩(grinding) 공정이나 플라이 커팅(fly cutting) 공정이 생략될 수 있어, 몰딩부재에 포함된 형광체가 소모되는 것을 최소화할 수 있는 효과가 있다.

Description

발광 다이오드 및 발광 다이오드 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFATURING METHOD THEREOF}
본 발명은 발광 다이오드 및 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 형광체가 포함된 몰딩을 제조할 때, 소모되는 형광체의 양을 줄일 수 있는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 광을 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근, 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명 등과 같은 여러 분야에 다양하게 이용되고 있다. 발광 다이오드는 수명이 기존 광원 대비 소비 전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있으며, 이러한 장점으로 인해 기존 광원을 빠르게 대치해 가고 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래의 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 1a를 참조하면, 종래에 발광 다이오드를 제조하기 위해, 기판(21) 상에 박리 테이프(23)가 배치된다. 박리 테이프(23)는, 발광 다이오드의 제조가 완료된 이후에 열을 이용하여 기판(21)에서 발광 다이오드를 제거하기 위해 배치된다. 그리고 박리 테이프(23) 상에 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 소정의 간격이 이격된 상태로 배치한다. 발광 다이오드 칩(41)의 두께는 약 255um이다.
그리고 도 1b를 참조하면, 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 배치된 상태에서, 일 측에 몰딩지지부(25a)가 배치되고, 몰딩지지부(25a)의 상부에 몰딩부재(25)가 배치된 상태에서, 몰딩부재(25)가 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮는 공정이 이루어진다. 이때, 몰딩부재(25)는 점성이 있는 액상의 상태일 수 있고, 몰딩부재(25)가 발광 다이오드 칩(41)을 덮는 공정은 진공 상태에서 이루어질 수 있다.
그에 따라 도 1c에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 소정의 두께로 덮도록 몰딩부재(25)가 배치될 수 있다. 이렇게 몰딩부재(25)가 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮도록 배치된 상태에서 몰딩부재(25)에 대한 경화 공정이 수행될 수 있다. 이때, 진공 상태에서 몰딩부재(25)가 발광 다이오드 칩(41)을 덮는 공정에서 발광 다이오드 칩(41)과 몰딩부재(25)의 사이에 수많은 기포가 포함될 수 있다.
따라서 경화 공정이 이루어지기 전에 발광 다이오드 칩(41)을 덮은 몰딩부재(25)에 포함된 기포를 제거하는 탈포 공정이 수행된 다음에 경화 공정이 수행될 수 있다.
몰딩부재(25)가 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮도록 배치되어 경화 공정이 완료되면, 도 1d에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 배치된 몰딩부재(25)를 일부 제거한다. 이때, 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 몰딩부재(25)가 소정의 두께만 남도록 몰딩부재(25)를 제거할 수 있다. 그리고 발광 다이오드 칩(41)의 상부의 몰딩부재(25)를 제거하는 과정은, 먼저, 그라인딩(grinding) 공정을 통해 몰딩부재(25)의 일부를 제거한 상태에서, 플라이 커팅(fly cutting) 공정을 통해 미세하게 몰딩부재(25)를 제어할 수 있다.
그라인딩 공정은 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 배치된 몰딩부재(25)를 1차 공정으로 제거하여 기판(21)에서 몰딩부재(25) 상면까지의 두께가 약 375um가 되도록 공정이 이루어진다. 그리고 플라이 커팅 공정은 몰딩부재(25)를 2차 공정으로 제거하여 기판(21)에서 몰딩부재(25) 상면까지의 두께가 약 355um가 되도록 공정이 이루어진다.
그리고 도 1e에 도시된 바와 같이, 각 발광 다이오드 칩(41)을 기준으로 다이싱(dicing) 공정이 이루어져 각 발광 다이오드 칩(41)을 분리하여, 발광 다이오드를 제조한다. 이때, 다이싱 공정에서, 각 발광 다이오드 칩(41)의 측면에 몰딩부재(25)가 소정의 두께만큼만 남을 수 있도록 공정이 진행될 수 있다. 그에 따라 몰딩부(43)가 발광 다이오드 칩(41)의 상면과 측면을 덮는 형상으로 형성된 발광 다이오드가 제조될 수 있다.
상기와 같이, 종래의 발광 다이오드를 제조하는 과정에서, 몰딩부재(25)에는 한 종류 이상의 형광체가 포함된다. 그런데, 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 배치된 몰딩부재(25)를 그라인딩 공정 및 플라이 커팅 공정이 진행되는 동안 몰딩부재(25)에 포함된 형광체가 몰딩부재(25)와 함께 상당한 양이 같이 제거된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 종래의 발광 다이오드를 제조하는 동안 제거되는 몰딩부재가 최소화되어 제조되는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 종래에 발광 다이오드를 제조하는 공정을 줄여 제조되는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 기판 상에 서로 소정의 간격으로 이격된 상태로 다수의 발광 다이오드 칩이 배치되고, 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상부에 다수의 미세홀을 갖는 제1 마스크부가 배치되며, 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮도록 상기 제1 마스크부의 하부에 몰딩부재가 채워지고, 상기 제1 마스크부가 제거되며, 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮도록 형성된 몰딩부재가 경화되어 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 둘러싸는 몰딩부가 형성되고, 상기 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조되며, 상기 몰딩부재는 상기 제1 마스크부에 형성된 다수의 미세홀을 통해 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮을 수 있다.
상기 기판과 다수의 발광 다이오드 칩 사이에 박리 테이프가 배치되고, 상기 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되는 것은, 상기 박리 테이프에 열이 가해짐에 따라 분리될 수 있다.
상기 제1 마스크부는 일부가 상기 다수의 발광 다이오드 칩 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 마스크부는 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 측면과 소정의 간격이 이격된 상태로 상기 다수의 발광 다이오드 칩 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 마스크부는 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면과 소정의 간격이 이격된 상태로 상기 다수의 발광 다이오드 칩을 덮도록 배치될 수 있다.
상기 몰딩부재는 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 둘러싸는 몰딩부가 형성되면, 상기 발광 다이오드 칩을 기준으로 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 사이를 다이싱(dicing)하여 상기 다수의 발광 다이오드 칩을 서로 분리하고, 상기 분리된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 기판 상에 상기 기판과 소정의 거리가 이격되도록 다수의 미세홀을 갖는 제1 마스크부를 배치하고, 상기 제1 마스크부에 형성된 다수의 미세홀을 통해 상기 제1 마스크부의 하부에 몰딩부재가 채워지며, 상기 제1 마스크부가 제거되고, 상기 몰딩부재의 상부에 다수의 발광 다이오드 칩이 배치되며, 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상부에 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면과 접하도록 하나 이상의 미세홀을 갖는 제2 마스크부를 배치하고, 상기 제2 마스크부에 형성된 하나 이상의 미세홀을 통해 상기 제2 마스크부의 하부에 몰딩부재가 채워지며, 상기 제2 마스크부가 제거되고, 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 하부 및 측면을 둘러싸는 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조될 수 있다.
상기 기판 상에 박리 테이프가 배치되고, 상기 제1 마스크부는 상기 박리 테이프 상에 배치되며, 상기 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되는 것은, 상기 박리 테이프에 열이 가해짐에 따라 분리될 수 있다.
상기 기판 상에 배치된 제1 마스크부는 상기 기판과 소정의 거리가 이격되어 형성된 공간이 다수 개가 형성되도록 상기 기판 상에 배치되고, 상기 제1 마스크부에 형성된 다수의 미세홀은 상기 공간의 상부에 형성되며, 상기 제1 마스크부의 하부에 채워진 몰딩부재는 다수 개가 형성되고, 상기 다수의 발광 다이오드 칩은 상기 다수의 몰딩부재 상에 배치될 수 있다.
상기 다수의 발광 다이오드 칩의 하부에 배치된 다수의 몰딩부재는, 서로 이격된 상태로 형성될 수 있다.
상기 제2 마스크부는 일부가 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 마스크부는 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 측면과 소정의 간격이 기격된 상태로 상기 다수의 발광 다이오드 칩 사이에 배치될 수 있다.
상기 다수의 발광 다이오드 칩의 하면 및 측면을 둘러싸도록 몰딩부가 형성되면, 상기 발광 다이오드 칩을 기준으로 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 사이를 다이싱(dicing)하여 상기 다수의 발광 다이오드 칩을 서로 분리하고, 상기 분리된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조될 수 있다.
상기 몰딩부재는 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
또 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 상기의 발광 다이오드 제조 방법에 의해 제조된 발광 다이오드일 수 있다.
본 발명에 의하면, 미세한 다수의 홀의 형상으로 형성된 스텐실(stencil)을 갖는 마스크부를 이용하여 몰딩부재가 발광 다이오드 칩을 덮도록 제조함에 따라 그라인딩(grinding) 공정이나 플라이 커팅(fly cutting) 공정이 생략될 수 있어, 몰딩부재에 포함된 형광체가 소모되는 것을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 미세한 다수의 홀의 형상으로 형성된 스텐실을 갖는 마스크부를 이용하여 몰딩부재가 발광 다이오드 칩을 덮도록 제조하여, 몰딩부재가 발광 다이오드 칩을 덮는 과정에서 몰딩부재의 내부에 기포가 발생되는 것이 최소화될 수 있어, 기포를 제거하는 탈포 공정을 수행하지 않을 수 있는 효과가 있다.
더욱이, 별도의 탈포 공정을 수행하지 않을 수 있어, 몰딩부재를 발광 다이오드 칩을 덮는 공정을 진공 상태가 아닌 대기 상태에서 수행할 수 있어, 발광 다이오드 제조 공정이 단순해질 수 있는 효과가 있다.
도 1a 내지 도 1e는 종래의 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 3a 내지 도 3k는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 2a 내지 도 2g를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(21) 상에 박리 테이프(23)가 배치된다. 본 실시예에서, 기판(21)은 쿼츠일 수 있으며, 쿼츠 이외의 다양한 종류의 기판(21)이 이용될 수 있다. 박리 테이프(23)는, 발광 다이오드의 제조 완료된 이후에 열을 이용하여 기판(21)에서 발광 다이오드를 제거하기 위해 배치된다. 따라서 기판(21) 상에 박리 테이프(23)가 배치되고, 박리 테이프(23)의 상부에 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 배치된다.
발광 다이오드 칩(41)은 도시된 바와 같이, 박리 테이프(23)의 상부에 배치된다. 이때, 발광 다이오드 칩(41)은 소정의 간격으로 이격된 상태로 배치된다. 그리고 본 실시예에서 발광 다이오드 칩(41)은 일 측에 두 개의 전극패드가 배치된 플립칩 타입의 발광 다이오드가 이용될 수 있다. 이때, 발광 다이오드 칩(41)에 형성된 두 개의 전극패드는 박리 테이프(23)와 접촉되도록 발광 다이오드 칩(41)의 하부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서 발광 다이오드 칩(41)의 두께는 약 255um일 수 있다.
상기와 같이, 발광 다이오드 칩(41)이 배치된 상태에서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 제1 마스크부(27)가 배치된다. 제1 마스크부(27)는, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮도록 배치되고, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이에 각 발광 다이오드 칩(41)의 측면과 소정의 간격(d)을 가지도록 배치될 수 있다. 또한, 제1 마스크부(27)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상면과 소정의 간격(t)을 가지도록 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 마스크부(27)와 발광 다이오드 칩(41)의 측면과 소정의 간격(d)은 약 100um이고, 제1 마스크부(27)와 발광 다이오드 칩(41)의 상면과 소정의 간격(t)은 약 100um이다. 즉, 제1 마스크부(27)는 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이에도 배치되며, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이에 배치된 제1 마스크부(27)의 일부는 박리 테이프(23)와 접할 수 있다.
그리고 제1 마스크부(27)는 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부에는 다수의 미세홀(H)이 형성된다. 다수의 미세홀(H)은 몰딩부재(25)가 관통할 수 있을 정도의 크기를 가자는 홀 형상으로 형성된다.
상기와 같이, 제1 마스크부(27)가 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 배치되고, 이렇게 제1 마스크부(27)가 배치된 상태에서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 몰딩부재(25)가 제1 마스크부(27)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이를 채우기 위해 배치될 수 있다. 그리고 몰딩부재(25)는 제1 마스크부(27)에 형성된 다수의 미세홀(H)을 통해 제1 마스크부(27)의 하부의 공간을 채울 수 있다.
따라서 도 2d에 도시된 바와 같이, 제1 마스크부(27)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이 공간에 몰딩부재(25)가 채워질 수 있다. 몰딩부재(25)는 다수의 미세홀(H)을 통해 제1 마스크부(27)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이 공간을 채우며, 더 이상 다수의 미세홀(H)을 통해 몰딩부재(25)가 들어가지 않을 때까지 채워질 수 있다. 몰딩부재(25)는 다수의 발광 다이오드 칩(41) 각각의 상부 및 측면에 소정의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 이때, 본 실시예에서, 몰딩부재(25)는 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
그리고 도 2e에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮은 제1 마스크부(27)를 제거한다. 이때, 제1 마스크부(27)가 제거됨에 따라 제1 마스크부(27)에 형성된 다수의 미세홀(H) 사이에 배치된 몰딩부재(25)도 함께 제거될 수 있다. 따라서 도 2e에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부와 측면부에 몰딩부(43)가 형성된 상태로 형성될 수 있다.
이때, 몰딩부(43)의 상부에는 제1 마스크부(27)가 제거될 때, 제1 마스크부(27)에 형성된 다수의 미세홀(H)에 배치된 몰딩부재(25)가 제거되면서 일부 잔여물이 남을 수 있으며, 그에 따라 몰딩부(43)의 상면에 다수의 미세한 돌기가 형성될 수도 있다.
이렇게 제1 마스크부(27)가 제거된 상태에서, 경화 공정이 이루어질 수 있다. 몰딩부재(25)는 소정 정도의 점성이 있는 액상이므로, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮도록 몰딩부(43)가 배치된 상태에서 경화 공정이 이루어질 수 있다.
이렇게 도 2e에 도시된 도면과 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41) 각각을 몰딩부(43)가 덮도록 형성되어 경화 공정이 완료되면, 하부에 배치된 박리 테이프(23)에 열을 가하여 각 발광 다이오드를 분리하여 발광 다이오드에 대한 제조가 완료될 수 있다.
여기서, 경과 공정이 이루어지는 동안, 소정 점성이 있는 몰딩부(43)가 주변으로 흘러내리는 경우가 발생될 수 있다. 그에 따라 도 2f에 도시된 바와 같이, 몰딩부(43)의 하부에 몰딩부(43)가 흘러내린 형상이 형성될 수 있으며, 몰딩부(43)의 외면에 곡면이 형성될 수 있다.
또한, 도 2f에 도시된 바와 같이, 몰딩부(43)의 일부가 주변에 흘러내린 상태에서 경화 공정이 완료되면, 하부에 배치된 박리 테이프(23)에 열을 가하여 각 발광 다이오드를 분리하여 발광 다이오드에 대한 제조가 완료될 수 있다.
이때, 도 2f에서와 같이, 몰딩부(43)의 일부가 주변에 흘러내리면, 도 2g에 도시된 바와 같이, 이를 다이싱(dicing) 공정을 통해 흘러내린 부분을 제거할 수 있다. 이렇게 다이싱 공정을 통해 흘러내린 일부를 제거하더라도 제거되는 몰딩부(43)가 상대적으로 적은 양이 제거될 수 있다.
도 3a 내지 도 3k는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 3a 내지 도 3k를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법에 대해 설명한다.
도 3a를 참조하면, 기판(21) 상에 박리 테이프(23)가 배치되고, 박리 테이프(23) 상에 제2 마스크부(29)가 배치된다. 기판(21) 및 박리 테이프(23)는 제1 실시예에서와 동일하게 배치된다. 제2 마스크부(29)는, 박리 테이프(23) 상에 몰딩부재(25)가 배치되도록 박리 테이프(23)와 소정의 간격이 이격된 상태로 배치되는데, 제2 마스크부(29)의 하부 전체가 아닌 일부 영역에서 제2 마스크부(29)와 박리 테이프(23) 사이에 간격이 형성될 수 있다. 즉, 제2 마스크부(29)와 박리 테이프(23) 사이의 간격이 형성된 것은 도시된 바와 같이, 서로 이격된 상태로 배치될 수 있다. 이때, 본 실시예에서, 제2 마스크부(29)와 박리 테이프(23) 사이에 형성된 간격은 약 100um일 수 있다.
제2 마스크부(29)는 박리 테이프(23)와 이격된 위치에 다수의 미세홀(H)이 형성될 수 있다. 다수의 미세홀(H)은 제1 실시예에서 제1 마스크부(27)에 형성된 다수의 미세홀(H)과 동일하게 형성될 수 있다.
즉, 제2 마스크부(29)는 다수의 미세홀(H)의 사이에 배치된 일부가 박리 테이프(23)와 접할 수 있다.
상기와 같이, 제2 마스크부(29)가 배치된 상태에서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제2 마스크부(29)와 박리 테이프(23) 사이에 형성된 공간에 몰딩부재(25)가 채워질 수 있게 일 측에 몰딩부재(25)가 배치된다. 몰딩부재(25)는 제2 마스크부(29)에 형성된 다수의 미세홀(H)을 통해 제2 마스크부(29)와 박리 테이프(23) 사이의 공간을 채울 수 있다.
따라서 도 3c에 도시된 바와 같이, 제2 마스크부(29)와 박리 테이프(23) 사이의 공간에 몰딩부재(25)가 채워질 수 있다. 몰딩부재(25)는 박리 테이프(23) 상에 소정의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 이때, 몰딩부재(25)는 다수의 미세홀(H)을 통해 제2 마스크부(29)의 하부에 형성된 공간에 더 이상 들어가지 않을 때까지 채워질 수 있으며, 본 실시예에서, 몰딩부재(25)는 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
그리고 도 3d에 도시된 바와 같이, 박리 테이프(23) 상에 배치된 제2 마스크부(29)가 제거된다. 이렇게 제2 마스크부(29)가 제거됨에 따라 제2 마스크부(29)에 형성된 다수의 미세홀(H) 사이에 배치된 몰딩부재(25)도 함께 제거될 수 있다. 따라서 도 3d에 도시된 바와 같이, 박리 테이프(23) 상에 소정의 두께와 너비를 가지는 몰딩부재(25)가 형성될 수 있으며, 다수 개가 형성될 수 있다. 그리고 다수의 몰딩부재(25)는 서로 소정의 간격을 가지도록 이격된 상태로 배치될 수 있다.
이렇게 형성된 다수의 몰딩부재(25)는 일정 시간동안 경화 공정을 거칠 수 있다.
경화 공정을 거친 다수의 몰딩부재(25) 상에 도 3e에 도시된 바와 같이, 각각 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 배치된다. 따라서 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 하부에 각각 소정의 두께를 가지는 몰딩부재(25)가 배치될 수 있으며, 이때, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 하부에 배치된 몰딩부재(25)의 너비는 도시된 바와 같이, 각 발광 다이오드 칩(41)의 너비보다 클 수 있다.
상기와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 배치되면, 도 3f에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮도록 제3 마스크부(31)가 배치된다. 제3 마스크부(31)는 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상면과 접하도록 배치되며, 이때, 발광 다이오드 칩(41)에 형성된 두 개의 전극패드는 도시된 도면에서 발광 다이오드 칩(41)의 상면에 형성될 수 있다.
제3 마스크부(31)는 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 각각의 측면과 소정의 간격이 이격된 상태로 배치되며, 제3 마스크부(31)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)과의 공간의 상부에 하나 이상의 미세홀(H)이 형성될 수 있다. 즉, 제3 마스크부(31)는 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이에도 배치되며, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이에 배치된 제3 마스크부(31)의 일부는 박리 테이프(23)와 접할 수 있다.
이렇게 제3 마스크부(31)가 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 배치되면, 도 3g에 도시된 바와 같이, 몰딩부재(25)가 제3 마스크부(31)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이를 채우기 위해 배치될 수 있다. 그리고 몰딩부재(25)는 제3 마스크부(31)에 형성된 하나 이상의 미세홀(H)을 통해 제3 마스크부(31)와 다수의 발광 다이오드 칩(41) 사이의 공간을 채울 수 있다.
따라서 도 3h에 도시된 바와 같이, 제3 마스크부(31)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 측면 사이 공간에 몰딩부재(25)가 채워질 수 있다. 몰딩부재(25)는 하나 이상의 미세홀(H)을 통해 제3 마스크부(31)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이 공간을 채우며, 더 이상 하나 이상의 미세홀(H)을 통해 몰딩부재(25)가 들어가지 않을 때까지 채워질 수 있다. 몰딩부재(25)는 다수의 발광 다이오드 칩(41) 각각의 측면에 소정의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 이때, 본 실시예에서, 몰딩부재(25)는, 도 3d에 형성된 몰딩부재(25)와 동일할 수 있으며, 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
그리고 도 3i에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮은 제3 마스크부(31)를 제거한다. 이때, 제3 마스크부(31)가 제거됨에 따라 제3 마스크부(31)에 형성된 하나 이상의 미세홀(H) 사이에 배치된 몰딩부재(25)도 함께 제거될 수 있다. 따라서 도 3i에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 측면부에 몰딩부(43)가 형성된 상태로 형성될 수 있다.
이때, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 측면에 형성된 몰딩부(43)의 상단에는 제3 마스크부(31)가 제거될 때, 제3 마스크부(31)에 형성된 하나 이상의 미세홀(H)에 배치된 몰딩부재(25)가 제거되면서 일부 잔여물이 남을 수 있으며, 그에 따라 몰딩부(43) 상면에 하나 이상의 미세한 돌기가 형성될 수 있다. 그리고 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 측면에 형성된 몰딩부(43)는 각 발광 다이오드 칩(41)의 하부에 배치된 몰딩부재(25)와 일체로 형성되면서 하나의 몰딩부(43)가 형성될 수 있다.
이렇게 제3 마스크부(31)가 제거된 상태에서, 경화 공정이 한 번 더 이루어질 수 있다. 각 발광 다이오드 칩(41)의 하부에 배치된 몰딩부재(25)는 1차적으로 경화 공정을 거침에 따라 경화된 상태이지만, 각 발광 다이오드 칩(41)의 측면에 배치된 몰딩부재(25)에 대한 경화 공정이 이루어질 수 있다.
이렇게 도 3i에 도시된 도면과 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41) 각각을 몰딩부(43)가 덮도록 형성되어 경화 공정이 완료되면, 하부에 배치된 박리 테이프(23)에 열을 가하여 각 발광 다이오드를 분리하여 발광 다이오드에 대한 제조가 완료될 수 있다.
여기서, 각 발광 다이오드 칩(41)의 측면에 배치된 몰딩부(43)에 대한 경화 공정이 이루어지면서 소정의 점성이 있는 몰딩부(43)가 하부로 흘러내리는 경우가 발생할 수 있다. 그에 따라 도 3j에 도시된 바와 같이, 몰딩부(43)의 하부에 몰딩부(43)가 일부 흘러내린 형상이 형성될 수 있으며, 몰딩부(43)의 외면에 곡면이 형성될 수 있다.
또한, 도 3j에 도시된 바와 같이, 몰딩부(43)의 일부가 주면에 흘러내린 상태에서 경화 공정이 완료되면, 하부에 배치된 박리 테이프(23)에 열을 가하여 각 발광 다이오드를 분리하여 발광 다이오드에 대한 제조가 완료될 수 있다.
이때, 도 3j에서와 같이, 몰딩부(43)의 일부가 주변에 흘러내리면, 도 3k에 도시된 바와 같이, 이를 다이싱(dicing) 공정을 통해 흘러내린 부분을 제거할 수 있다. 이렇게 다이싱 공정을 통해 흘러내린 일부를 제거하더라도 제거되는 몰딩부(43)가 상대적으로 적은 양이 제거될 수 있다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 4a 내지 도 4f를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법에 대해 설명한다.
도 4a를 참조하면, 기판(21) 상에 박리 테이프(23)가 배치되고, 박리 테이프(23) 상에 소정의 간격을 가지도록 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 박리 테이프(23) 상에 배치된다. 이때, 기판(21), 박리 테이프(23) 및 다수의 발광 다이오드 칩(41)은 제1 실시예에서 도 2a에 도시된 상태와 동일할 수 있다.
그리고 이렇게 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 배치된 상태에서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 제4 마스크부(33)가 배치된다. 제4 마스크부(33)는 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮도록 배치된다. 본 실시예에서, 제4 마스크부(33)는 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부 전체를 덮은 위치에 다수의 미세홀(H)이 형성될 수 있다. 이때, 제4 마스크부(33)는, 제4 마스크부(33)와 각 발광 다이오드 칩(41) 상면의 사이는 소정의 간격을 가지도록 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제4 마스크부(33)와 발광 다이오드 칩(41)의 상면과 소정의 간격은 약 100um일 수 있다.
상기와 같이, 제4 마스크부(33)가 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 배치되고, 이렇게 제4 마스크부(33)가 배치된 상태에서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 몰딩부재(25)가 제4 마스크부(33)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이를 채우기 위해 배치될 수 있다. 그리고 몰딩부재(25)는 제4 마스크부(33)에 형성된 다수의 미세홀(H)을 통해 제4 마스크부(33)의 하부 공간을 채울 수 있다.
따라서 도 4d에 도시된 바와 같이, 제4 마스크부(33)와 다수으 발광 다이오드 칩(41)의 사이 공간에 몰딩부재(25)가 채워질 수 있다. 몰딩부재(25)는, 다수의 미세홀(H)을 통해 제4 마스크부(33)와 다수의 발광 다이오드 칩(41) 사이 공간을 채우며, 더 이상 다수의 미세홀(H)을 통해 몰딩부재(25)가 들어가지 않을 때까지 채워질 수 있다. 그에 따라 몰딩부재(25)는 다수의 발광 다이오드 칩(41) 각각의 상면을 채우고, 또한, 각 발광 다이오드 칩(41)의 사이의 공간을 채울 수 있다. 이때, 본 실시예에서, 몰딩부재(25)는 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
그리고 도 4e에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 배치된 제4 마스크부(33)를 제거한다. 이때, 제4 마스크부(33)가 제거됨에 따라 제4 마스부에 형성된 다수의 미세홀(H) 사이에 배치된 몰딩부재(25)도 함께 제거될 수 있다. 따라서 도 4e에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이에 몰딩부재(25)가 형성된 상태로 형성될 수 있다.
이때, 몰딩부재(25)의 상면에는 제4 마스크부(33)가 제거될 때, 제4 마스크부(33)에 형성된 다수의 미세홀(H)에 배치된 몰딩부재(25)가 제거되면서 일부 잔여물이 남을 수 있으며, 그에 따라 몰딩부재(25)의 상면에 다수의 미세한 돌기 형성될 수 있다.
이렇게 제4 마스크부(33)가 제거된 상태에서, 경화 공정이 이루어질 수 있다. 몰딩부재(25)는 소정 정도의 점성이 있는 액상이므로, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮도록 몰딩부재(25)가 배치된 상태에서 경과 공정이 이루어질 수 있다.
여기서, 경과 공정이 이루어지는 동안 소정 점성이 있는 몰딩부재(25)가 주변으로 흘러내리는 경우가 발생할 수 있다. 그에 따라 도시된 바와 같이, 몰딩부재(25)의 하부에 몰딩부재(25)가 일부 흘러내린 형상이 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 몰딩부재(25)가 일부 흘러내리지 않을 수도 있다.
그리고 경화 공정이 완료되면, 도 4f에 도시된 바와 같이, 각 발광 다이오드 칩(41)을 기준으로 다이싱(dicing) 공정이 이루진다. 그에 따라 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 각각 분리될 수 있다. 이렇게 각 발광 다이오드 칩(41)을 기준으로 다이싱 공정을 통해 분리된 다음, 박리 테이프(23)에 열이 가해짐에 따라 각 발광 다이오드 칩(41)을 기준으로 박리 테이프(23)가 제거되어 발광 다이오드가 제조될 수 있다.
이때, 발광 다이오드는, 각 발광 다이오드 칩(41)의 주변에 몰딩부(43)가 도시된 바와 같이, 배치될 수 있다. 그리고 몰딩부(43)는 각 발광 다이오드 칩(41)의 상면과 측면에 소정의 두께(예컨대, 약 100um)로 형성될 수 있다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 5a 내지 도 5j를 참조하며, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법에 대해 설명한다.
도 5a를 참조하면, 기판(21) 상에 박리 테이프(23)가 배치되고, 박리 테이프(23) 상에 제5 마스크부(35)가 배치된다. 기판(21) 및 박리 테이프(23)는 제1 실시예에서와 동일하게 배치된다. 제5 마스크부(35)는, 박리 테이프(23) 상에 몰딩부재(25)가 배치되도록 박리 테이프(23)와 소정의 간격이 이격된 상태로 배치된다. 이때, 본 실시예에서, 제5 마스크부(35)와 박리 테이프(23) 사이에 형성된 간격은 약 100um일 수 있다.
제5 마스크부(35)는 다수의 미세홀(H)이 형성될 수 있다. 다수의 미세홀(H)은 제1 실시예에서 제1 마스크부(27)에 형성된 다수의 미세홀(H)과 동일하게 형성될 수 있다.
상기와 같이, 제5 마스크부(35)가 배치된 상태에서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제5 마스크부(35)와 박리 테이프(23) 사이에 형성된 공간에 몰딩부재(25)가 채워질 수 있게 일 측에 몰딩부재(25)가 배치된다. 몰딩부재(25)는 제5 마스크부(35)에 형성된 다수의 미세홀(H)을 통해 제5 마스크부(35)와 박리 테이프(23) 사이의 공간을 채울 수 있다.
따라서 도 5c에 도시된 바와 같이, 제5 마스크부(35)와 박리 테이프(23) 사이의 공간에 몰딩부재(25)가 채워질 수 있다. 몰딩부재(25)는 박리 테이프(23) 상에 소정의 두께를 가지도록 형성될 수 있으며, 다수의 미세홀(H)을 통해 제5 마스크부(35)의 하부에 형성된 공간에 더 이상 들어가지 않을 때까지 채워질 수 있다. 본 실시예에서, 몰딩부재(25)는 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
그리도 도 5d에 도시된 바와 같이, 박리 테이프(23) 상에 배치된 제5 마스크부(35)가 제거된다. 이렇게 제5 마스크부(35)가 제거됨에 따라 제5 마스크부(35)에 형성된 다수의 미세홀(H) 사이에 배치된 몰딩부재(25)도 함께 제거될 수 있다. 따라서 도 5d에 도시된 바와 같이, 박리 테이프(23) 상에 소정의 두께를 가지는 몰딩부재(25)가 형성될 수 있다.
그리고 박리 테이프(23) 상에 형성된 몰딩부재(25)는 일정 시간 동안 경화 공정을 거칠 수 있다.
경화 공정을 거친 몰딩부재(25) 상에 도 5e에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 배치된다. 다수의 발광 다이오드 칩(41)은 서로 소정의 간격을 가지도록 배치될 수 있다. 이때, 다수의 발광 다이오드 칩(41) 각각은 도시된 도면의 상면에 두 개의 전극패드가 배치되도록 몰딩부재(25) 상에 배치될 수 있다.
그리고 도 5f에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮도록 제6 마스크부(37)가 배치될 수 있다. 제6 마스크부(37)는 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상면과 접하도록 배치될 수 있다. 이때, 제6 마스크부(37)는 다수의 미세홀(H)이 형성되는데, 본 실시예에서, 다수의 미세홀(H)은 다수의 발광 다이오드 칩(41) 사이의 공간 상부에 형성될 수 있다. 즉, 제6 마스크부(37)에 형성된 다수의 미세홀(H)은 각 발광 다이오드 칩(41)의 상부에는 형성되지 않고, 각 발광 다이오드 칩(41)의 사이 공간 상부에만 형성된다.
이렇게 제6 마스크부(37)가 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부에 배치되면, 도 5g에 도시된 바와 같이, 몰딩부재(25)가 제6 마스크부(37)와 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 사이를 채우기 위해 배치될 수 있다. 그리고 몰딩부재(25)는 제6 마스크부(37)에 형성된 다수의 미세홀(H)을 통해 제6 마스크부(37)와 다수의 발광 다이오드 칩(41) 사이의 공간을 채울 수 있다.
따라서 도 5h에 도시된 바와 같이, 제6 마스크부(37)와 다수의 발광 다이오드 칩(41) 사이 공간에 몰딩부재(25)가 채워질 수 있다. 몰딩부재(25)는 다수의 미세홀(H)을 통해 다수의 발광 다이오드 칩(41)의 상부와 각 발광 다이오드 칩(41) 사이의 공간을 채우며, 더 이상 다수의 미세홀(H)을 통해 몰딩부재(25)가 들어가지 않을 때까지 채워질 수 있다. 이때, 본 실시예에서, 몰딩부(43)는 도 5d에서 형성된 몰딩부재(25)와 동일할 수 있으며, 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
그리고 도 5i에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41)을 덮은 제6 마스크부(37)를 제거한다. 이때, 제6 마스크부(37)가 제거됨에 따라 제6 마스크부(37)에 형성된 다수의 미세홀(H) 사이에 배치된 몰딩부재(25)도 함께 제거될 수 있다. 따라서 도 5i에 도시된 바와 같이, 다수의 발광 다이오드 칩(41) 사이에 몰딩부(43)가 형성된 상태로 형성될 수 있다.
이렇게 제6 마스크부(37)가 제거된 상태에서, 경화 공정이 한 번 더 이루어질 수 있다. 각 발광 다이오드 칩(41)의 하부에 배치된 몰딩부재(25)는 1차적으로 경화 공정을 거침에 따라 경화된 상태이며, 다수의 발광 다이오드 칩(41) 사이에 형성된 몰딩부재(25)에 대한 경화 공정이 이루어질 수 있다.
이렇게 다수의 발광 다이오드 칩(41) 측면에 배치된 몰딩부재(25)에 대한 경화 공정이 완료되면, 도 5j에 도시된 바와 같이, 각 발광 다이오드 칩(41)을 기준으로 다이싱 공정이 이루어진다. 그에 따라 다수의 발광 다이오드 칩(41)이 각각 분리될 수 있다. 이렇게 각 발광 다이오드 칩(41)을 기준으로 다이싱 공정을 통해 분리된 다음, 박리 테이프(23)에 열이 가해짐에 따라 각 발광 다이오드 칩(41)을 기준으로 박리 테이프(23)가 제거되어 발광 다이오드가 제조될 수 있다.
이때, 발광 다이오드는, 각 발광 다이오드 칩(41)의 주변에 몰딩부(43)가 도시된 바와 같이, 배치될 수 있다. 그리고 몰딩부(43)는 각 발광 다이오드 칩(41)의 상면과 측면에 소정의 두께(예컨대, 약 100um)로 형성될 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
21: 기판
23: 박리 테이프
25: 몰딩부재
25a: 몰딩지지부
27: 제1 마스크부
29: 제2 마스크부
31: 제3 마스크부
33: 제4 마스크부
35: 제5 마스크부
37: 제6 마스크부
41: 발광 다이오드 칩
43: 몰딩부
H: 미세홀

Claims (16)

  1. 기판 상에 서로 소정의 간격으로 이격된 상태로 다수의 발광 다이오드 칩이 배치되고,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상부에 다수의 미세홀을 갖는 제1 마스크부가 배치되며,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮도록 상기 제1 마스크부의 하부에 몰딩부재가 채워지고,
    상기 제1 마스크부가 제거되며,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮도록 형성된 몰딩부재가 경화되어 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 둘러싸는 몰딩부가 형성되고,
    상기 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조되며,
    상기 몰딩부재는 상기 제1 마스크부에 형성된 다수의 미세홀을 통해 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 덮는 발광 다이오드 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판과 다수의 발광 다이오드 칩 사이에 박리 테이프가 배치되고,
    상기 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되는 것은, 상기 박리 테이프에 열이 가해짐에 따라 분리되는 발광 다이오드 제조 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 마스크부는 일부가 상기 다수의 발광 다이오드 칩 사이에 배치된 발광 다이오드 제조 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 마스크부는 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 측면과 소정의 간격이 이격된 상태로 상기 다수의 발광 다이오드 칩 사이에 배치된 발광 다이오드 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 마스크부는 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면과 소정의 간격이 이격된 상태로 상기 다수의 발광 다이오드 칩을 덮도록 배치된 발광 다이오드 제조 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 몰딩부재는 한 종류 이상의 형광체를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면 및 측면을 둘러싸는 몰딩부가 형성되면, 상기 발광 다이오드 칩을 기준으로 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 사이를 다이싱(dicing)하여 상기 다수의 발광 다이오드 칩을 서로 분리하고,
    상기 분리된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조되는 발광 다이오드 제조 방법.
  8. 기판 상에 상기 기판과 소정의 거리가 이격되도록 다수의 미세홀을 갖는 제1 마스크부를 배치하고,
    상기 제1 마스크부에 형성된 다수의 미세홀을 통해 상기 제1 마스크부의 하부에 몰딩부재가 채워지며,
    상기 제1 마스크부가 제거되고,
    상기 몰딩부재의 상부에 다수의 발광 다이오드 칩이 배치되며,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상부에 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 상면과 접하도록 하나 이상의 미세홀을 갖는 제2 마스크부를 배치하고,
    상기 제2 마스크부에 형성된 하나 이상의 미세홀을 통해 상기 제2 마스크부의 하부에 몰딩부재가 채워지며,
    상기 제2 마스크부가 제거되고,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩의 하부 및 측면을 둘러싸는 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조되는 발광 다이오드 제조 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 기판 상에 박리 테이프가 배치되고,
    상기 제1 마스크부는 상기 박리 테이프 상에 배치되며,
    상기 몰딩부가 형성된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되는 것은, 상기 박리 테이프에 열이 가해짐에 따라 분리되는 발광 다이오드 제조 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 제1 마스크부는 상기 기판과 소정의 거리가 이격되어 형성된 공간이 다수 개가 형성되도록 상기 기판 상에 배치되고,
    상기 제1 마스크부에 형성된 다수의 미세홀은 상기 공간의 상부에 형성되며,
    상기 제1 마스크부의 하부에 채워진 몰딩부재는 다수 개가 형성되고,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩은 상기 다수의 몰딩부재 상에 배치되는 발광 다이오드 제조 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩의 하부에 배치된 다수의 몰딩부재는, 서로 이격된 상태로 형성되는 발광 다이오드 제조 방법.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 제2 마스크부는 일부가 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 사이에 배치된 발광 다이오드 제조 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제2 마스크부는 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 측면과 소정의 간격이 기격된 상태로 상기 다수의 발광 다이오드 칩 사이에 배치된 발광 다이오드 제조 방법.
  14. 청구항 8에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드 칩의 하면 및 측면을 둘러싸도록 몰딩부가 형성되면, 상기 발광 다이오드 칩을 기준으로 상기 다수의 발광 다이오드 칩의 사이를 다이싱(dicing)하여 상기 다수의 발광 다이오드 칩을 서로 분리하고,
    상기 분리된 다수의 발광 다이오드 칩이 상기 기판에서 분리되어 다수의 발광 다이오드가 제조되는 발광 다이오드 제조 방법.
  15. 청구항 8에 있어서,
    상기 몰딩부재는 한 종류 이상의 형광체를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  16. 청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 하나의 발광 다이오드 제조 방법에 의해 제조된 발광 다이오드.
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