KR20200092354A - 결함 측정 장치, 결함 측정 방법 및 검사 프로브 - Google Patents

Abstract

검사 프로브(100)는 요크(1), 자석(2) 및 자성체관(P)이 형성하는 자기 회로를 흐르는 자속 밀도를 검출하는 홀 소자(3)를 구비하고, 요크(1)의 제2 외주면(12a)은 제1 외주면(11a)보다도 자성체관(P)측에 위치하고 있다.

Description

결함 측정 장치, 결함 측정 방법 및 검사 프로브

본 발명은, 자성체를 포함하는 부재의 결함을 측정하는 결함 측정 장치, 결함 측정 방법, 및 상기 결함의 측정에 사용되는 검사 프로브에 관한 것이다.

종래, 자성체 부재에 있어서의 두께 감소(減肉)나 균열 등의 결함(결손)의 유무를 조사하기 위한 검사 방법으로서, 특허문헌 1에 개시되어 있는 누설 자속법(MFL; Magnetic Flux Leakage) 등이 알려져 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 자성체 부재에 있어서의 결함을 정량적으로 측정하기 위한 검사 방법으로서, 자속 저항법이 제안되어 있다.

일본 공개 특허 공보 「일본 특허 공개 제2004-212161호 공보(2004년 7월 29일 공개)」 일본 공개 특허 공보 「일본 특허 공개 제2017-026353호 공보(2017년 2월 2일 공개)」

그러나, 검사 프로브에 배치할 수 있는 자석의 사이즈에는 제약이 있다. 그 때문에, 특허문헌 2의 기술에서는, 측정 대상이 소경의 자성체 부재나 후육의 자성체 부재인 경우, 자속 저항법에 의해 결함을 정량적으로 측정하기 위해 필요한 자속 밀도가 얻어지지 않아, 정량적인 측정이 어려워질 가능성이 있다.

본 발명의 일 형태는, 소경의 자성체 부재나 후육의 자성체 부재에 있어서도 결함을 정량적으로 측정할 수 있는 결함 측정 장치, 결함 측정 방법 및 검사 프로브를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 장치는, 자성체 부재의 결함을 검사하는 결함 측정 장치이며, 자석과, 상기 자석에 대하여 상기 자성체 부재와는 반대측에 배치되는 요크와, 상기 요크와 상기 자성체 부재 사이에 배치되어, 상기 자석, 상기 요크 및 상기 자성체 부재가 형성하는 자기 회로를 흐르는 자속 밀도를 검출하는 자기 센서를 구비하는 검사 프로브와, 상기 자기 센서의 출력에 기초하여, 상기 자성체 부재의 결함의 깊이를 산출하는 산출부를 포함하고, 상기 요크는, 상기 자석을 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제1 대향면과, 상기 자기 센서를 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제2 대향면을 갖고, 상기 제2 대향면은 상기 제1 대향면보다도 상기 자성체 부재측에 위치하고 있다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 방법은, 자성체 부재의 결함을 검사하는 결함 측정 방법이며, 상기 결함 측정 장치를 사용하여, 상기 자성체 부재의 결함을 검사한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 관한 검사 프로브는, 자성체 부재의 결함을 검사하기 위한 검사 프로브이며, 자석과, 상기 자석에 대하여 상기 자성체 부재와는 반대측에 배치되는 요크와, 상기 요크와 상기 자성체 부재 사이에 배치되어, 상기 자석, 상기 요크 및 상기 자성체 부재가 형성하는 자기 회로를 흐르는 자속 밀도를 검출하는 자기 센서를 구비하고, 상기 요크는, 상기 자석을 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제1 대향면과, 상기 자기 센서를 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제2 대향면을 갖고, 상기 제2 대향면은 상기 제1 대향면보다도 상기 자성체 부재측에 위치하고 있다.

본 발명의 일 형태에 의하면, 소경의 자성체 부재나 후육의 자성체 부재에 있어서도 결함을 정량적으로 측정할 수 있는 효과를 발휘한다.

도 1은, 본 발명의 실시 형태 1에 관한 두께 감소 측정 장치에서 사용되는 검사 프로브의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는, 도 1에 도시한 검사 프로브의 두께 감소 측정 시에 있어서의 상태를 나타내는 모식도이다.
도 3은, 도 1에 도시한 검사 프로브가 구비하는 홀 소자로부터 출력되는 전압과, 자성체관의 두께 감소율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4의 (a) 및 (b)는, 외부 자장(자계) H와, 외부 자장 H에 놓인 자성체관에 작용하는 자속 밀도 B와, B=μH의 관계로부터 구한 자성체관의 비투자율 μ의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5의 (a)는, 비교용 검사 프로브를 사용한 두께 감소 측정 시에 있어서의 자속 밀도의 분포예를 나타내는 모식도이며, (b)는, 도 1에 도시한 검사 프로브를 사용한 두께 감소 측정 시에 있어서의 자속 밀도의 분포예를 나타내는 모식도이다.
도 6은, 본 발명의 실시 형태 1에 관한 두께 감소 측정 장치에 구비되는 처리부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7은, 본 발명의 실시 형태 1에 관한 두께 감소 측정 장치에 있어서의 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 8의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 실시 형태 2에 관한 검사 프로브의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 9는, 도 8의 (a) 및 (b)에 나타낸 검사 프로브의 파선 프레임 포위 부분의 확대도이다.

본 발명의 검사 대상인 자성체 부재는, 자성체를 포함하는 부재이며, 예를 들어 자성체를 포함하는 케이블, 와이어, 판상 부재, 각종 구조물 등을 들 수 있다. 자성체 부재의 결함으로서는, 두께 감소상의 결함(이하, 두께 감소라고 칭함), 균열상의 결함 등을 들 수 있다. 해당 두께 감소란, 기계적인 마모나, 화학적인 부식에 의해 두께가 얇아지는 현상이다.

본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에서는, 자성체 부재로서 자성체관을 검사 대상으로 하고, 자기 센서로서 홀 소자를 사용하여, 두께 감소를 검사하는 실시 형태에 대하여 설명한다. 단, 본 발명은, 검사 대상이 자성체관에 한정되는 것은 아니고, 검사 내용이 두께 감소의 검사에 한정되는 것도 아니다.

본 실시 형태에서는, 본 발명의 자성체 부재와 자석이 대향하는 방향에 있어서의 결함의 깊이를, 「두께 감소 깊이」라고 칭한다. 또한, 본 발명의 자기 센서의 출력에 기초하여, 결함의 유무를 판정하고, 자성체 부재와 자석이 대향하는 방향에 있어서의 결함의 깊이를 산출하는 산출부를, 「두께 감소 깊이 산출부」라고 칭한다. 또한, 본 발명의 결함 측정 장치를, 「두께 감소 측정 장치」라고 칭한다.

(1. 검사 프로브의 구성)

도 1은, 본 실시 형태에 관한 검사 프로브(100)의 구성을 나타내는 모식도이다. 또한, 본 명세서에서는, 편의상 요크의 중심축을 통과하는 평면에서 이등분한 경우의 검사 프로브의 구성을 도시하고 있다.

본 실시 형태에서는, 검사 프로브(100)를 대략 원통상의 자성체관의 내부(관내)에 삽입하여 이동시킴으로써, 후술하는 자속 저항법(MFR; Magnetic Flux Resistance)을 사용하여 자성체관의 두께 감소의 검사를 행한다. 검사 대상의 자성체관으로서는, 예를 들어 탄소강, 페라이트계 스테인리스강, 페라이트상 및 오스테나이트상의 2상을 포함하는 2상 스테인리스강 등의 자성체를 포함하는 관체를 사용할 수 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 검사 프로브(100)는, 요크(1)와, 자석(2)과, 홀 소자(3)를 구비한다. 요크(1)는 소경 요크(소경부)(11)와 대경 요크(대경부)(12)를 포함한다. 소경 요크(11)는 자성체를 포함하는 대략 원주상의 부재이며, 제1 외주면(제1 대향면)(11a)을 갖는다. 대경 요크(12)는 자성체를 포함하는 대략 원주상의 부재이며, 제2 외주면(제2 대향면)(12a)을 갖는다. 대경 요크(12)는, 소경 요크(11)보다 직경이 크게 되어 있다. 대경 요크(12)는 소경 요크(11)와 동축 상에 배치되고, 소경 요크(11)의 단부에 감합함으로써, 소경 요크(11)에 연결(연접)된다. 그 때문에, 소경 요크(11)와 대경 요크(12)의 외경차에 의해, 요크(1)에는 외주를 따라서 단차가 형성된다. 이 단차를 사이에 두고, 하단에 제1 외주면(11a)이 위치하고, 상단에 제2 외주면(12a)이 위치한다. 하단의 제1 외주면(11a)에는 자석(2)이 배치되고, 상단의 제2 외주면(12a)에는 홀 소자(3)가 배치된다.

요크(1)를 구성하는 자성체로서는, 예를 들어 탄소강이나 저합금강 등의 고투자율 금속을 사용할 수 있다. 또한, 소경 요크(11) 및 대경 요크(12)의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 막대 형상, 판상, 다각주상, 중공 원통상 등의 형상을 들 수 있다.

자석(2)은, 자석(2)의 단부면(단부)(2a)측에 대경 요크(12)가 위치하도록, 상기 단차를 따라서 소경 요크(11)의 제1 외주면(11a)에 배치된다. 자석(2)은, 예를 들어 원호상(또는 환상)이며, 검사 프로브(100)가 자성체관의 내부에 삽입되었을 때, 한쪽의 자극이 소경 요크(11)와 대향하고, 다른 쪽(반대측)의 자극이 자성체관과 대향하도록, 자성체관의 반경 방향으로 자극을 향해 배치된다. 즉, 자석(2)은 자성체관과 대향하는 방향으로 분극되어 있다. 또한, 도 1에서는, 자석(2)의 N극이 요크(1)측에 배치되고, S극이 자성체관측에 배치되는 예를 나타내고 있다. 단, 이것으로 한정되는 것은 아니고, S극을 요크(1)측에 배치하고, N극을 자성체관측에 배치해도 된다.

홀 소자(자기 센서)(3)는, 홀 소자(3)를 통과하는 자속 밀도의 다과(多寡)에 따라서 출력 전압이 변화된다. 도 1에 화살표로 나타낸 바와 같이, 요크(1)와 자석(2)은 자기 회로를 형성하고 있다. 홀 소자(3)는 당해 자기 회로 상에 마련되어 있다. 도 1에서는, 자성체관의 축방향에 있어서의 자석(2)의 단부면(2a)측에 있어서, 대경 요크(12)의 제2 외주면(12a)에 홀 소자(3)가 마련되어 있는 예를 나타내고 있다. 홀 소자(3)는, 당해 홀 소자(3)를 통과하는 자속 밀도가 커지면 출력 전압이 감소하는 방향, 즉, 부(마이너스)의 출력 전압이 증가하는 방향으로 자기 회로 상에 배치되어 있다.

(2. 자속 저항법의 개요)

도 2는, 자성체관(P)의 두께 감소 측정 시에 있어서의 검사 프로브(100)를 모식적으로 도시한 도이다. 도 2의 (a)는 검사 프로브(100)가 공중에 있는 경우를, 도 2의 (b)는 자성체관(P)에 두께 감소가 발생하는 경우를, 도 2의 (c)는 자성체관(P)에 두께 감소가 발생하지 않는 경우를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 관한 검사 프로브(100)는, 검사 프로브(100)가 자성체관(P)의 내부에 삽입됨으로써, 검사 프로브(100)의 요크(1) 및 자석(2)과, 자성체관(P)이 자기 회로를 형성한다.

도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 검사 프로브(100)가 공중에 있는 경우, 즉, 자기 회로 내에 검사 대상의 자성체관(P)이 존재하지 않는 경우에는, 자기 회로에 있어서의 자기 저항이 크다. 그 때문에, 자기 회로 전체를 흐르는 자속 밀도는 작아진다.

도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 자기 회로 내에 검사 대상의 자성체관(P)이 존재하는 경우에는, 도 2의 (a)에 나타낸 검사 프로브(100)가 공중에 있는 경우보다도 자기 회로에 있어서의 자기 저항은 작다. 그 때문에, 도 2의 (a)에 나타내는 상태보다도 자기 회로 전체를 흐르는 자속 밀도는 커진다. 한편, 두께 감소가 발생하고 있기 때문에, 도 2의 (c)에 나타낸 자성체관(P)에 두께 감소가 발생하지 않는 경우보다도 자기 회로에 있어서의 자기 저항은 크다. 그 때문에, 도 2의 (c)에 나타내는 상태보다도 자기 회로 전체를 흐르는 자속 밀도는 작아진다.

도 2의 (c)에 나타내는 바와 같이, 자성체관(P)에 두께 감소가 발생하지 않는 경우(건전부의 경우)에는, 도 2의 (b)에 나타낸 자성체관(P)에 두께 감소가 발생하는 경우보다도 자기 회로에 있어서의 자기 저항은 더욱 작다. 그 때문에, 도 2의 (b)에 나타내는 상태보다도 자기 회로 전체를 흐르는 자속 밀도는 더욱 커진다.

도 2의 (b) 및 (c)에 나타내는 바와 같이, 검사 프로브(100)가 자성체관(P)의 내부에 삽입된 경우, 소경 요크(11)의 제1 외주면(11a)은, 자석(2)을 사이에 두고 자성체관(P)과 대향하고, 자성체관(P)의 내면에 대략 평행하다. 또한, 대경 요크(12)의 제2 외주면(12a)은, 홀 소자(3)를 사이에 두고 자성체관(P)과 대향하고, 자성체관(P)의 내면에 대략 평행하다. 소경 요크(11)와 대경 요크(12)는 자성체관(P)의 축방향을 따라서 연접하고 있고, 또한 상술한 바와 같이, 대경 요크(12)는 소경 요크(11)보다도 직경이 크기 때문에, 제2 외주면(12a)은 제1 외주면(11a)보다도 자성체관(P)측에 위치한다.

여기서, 검사 프로브(100)가 자성체관(P)의 내부에 삽입된 경우, 홀 소자(3)를 사이에 두고 서로 대향하는 대경 요크(12)와 자성체관(P) 사이, 즉, 제2 외주면(12a)과 자성체관(P)의 내면 사이에 걸쳐 자속이 발생한다. 이 자속은, 자석(2)의 단부면(2a)으로부터 소정의 범위 내에 있는 위치 C에서는, 자기 회로 전체를 흐르는 자속 밀도가 커짐(자성체관(P)의 두께 감소 깊이가 작아짐)에 따라서, 통과하는 자속 밀도가 작아지도록 변화된다. 이에 비해, 상기 자속은, 자석(2)의 단부면(2a)으로부터 소정의 범위를 초과한 위치 D에서는, 자기 회로 전체를 흐르는 자속 밀도가 커짐(자성체관(P)의 두께 감소 깊이가 작아짐)에 따라서, 통과하는 자속 밀도가 커지게 변화된다.

자석(2)의 단부면(2a)으로부터 소정의 범위 내에 있는 위치 C를 통과하는 자속 밀도는, 위치 D를 통과하는 자속 밀도에 비교하여 크고, 또한 자성체관(P)의 두께 감소 깊이에 따른 변화량이 크다. 그 때문에, 검사 프로브(100)에서는, 자석(2)의 단부면(2a)으로부터 소정의 범위 내에 있는 위치 C에 홀 소자(3)를 배치하고, 홀 소자(3)의 출력 전압을 측정함으로써, 자성체관(P)의 두께 감소의 유무를 판정하여, 자성체관(P)의 두께 및 두께 감소 깊이를 산출한다. 이에 의해, 자성체관(P)의 두께 감소의 유무, 그리고 자성체관(P)의 두께 및 두께 감소 깊이를 적합하게 측정할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 있어서의 자성체관(P)의 두께란, 자성체관(P)과 자석(2)이 대향하는 방향에 있어서의 자성체관(P)의 두께이다.

도 3은, 홀 소자(3)로부터 출력되는 전압과, 자성체관(P)의 두께 감소율의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 3에서는, 자성체관(P)에 두께 감소가 발생하지 않고, 건전한 경우의 홀 소자(3)의 출력 전압을 0V로서 나타내고 있다.

상술한 바와 같이, 홀 소자(3)는, 홀 소자(3)를 통과하는 자속 밀도가 커지면 출력 전압이 감소하는 방향, 즉, 부(마이너스)의 출력 전압이 증가하는 방향으로 자기 회로 상에 배치되어 있다.

도 3에 도시한 바와 같이, 검사 프로브(100)가 공중에 있는 경우에는, 위치 C에 배치된 홀 소자(3)를 통과하는 자속 밀도가 크다. 그 때문에, 홀 소자(3)의 출력 전압은 작은 값(부의 출력 전압이 큰 값)이 된다. 한편, 검사 프로브(100)가 자성체관(P)의 내부에 있고, 자성체관(P)에 두께 감소가 발생하지 않는 경우에는, 위치 C에 배치된 홀 소자(3)를 통과하는 자속 밀도가 작아진다. 그 때문에, 홀 소자(3)의 출력 전압은 큰 값(부의 출력 전압이 작은 값)이 된다. 그리고, 자성체관(P)에 두께 감소가 발생하는 경우에는, 홀 소자(3)는 두께 감소율에 따른 전압을 출력한다. 예를 들어, 자성체관(P)에, 25％, 50％, 75％의 두께 감소율로 두께 감소가 발생하는 경우에는, 위치 C에 배치된 홀 소자(3)를 통과하는 자속 밀도가 단계적으로 커진다. 그 때문에, 홀 소자(3)는 각각의 두께 감소율에 따라서 단계적으로 작은 값(부의 출력 전압이 큰 값)의 전압을 출력한다.

또한, 본 실시 형태에 있어서의 두께 감소율이란, 건전한 상태에 있어서의 자성체관(P)의 두께에 대한, 자성체관(P)과 자석(2)이 대향하는 방향에 있어서의 두께 감소부의 깊이의 비율을 나타내는 값이다. 두께 감소율이 75％라고 하면, 자성체관(P)의 두께가 건전한 상태의 1/4로 되어 있는 것을 나타낸다.

도 4는, 외부 자장(자계) H와, 외부 자장 H에 놓인 자성체관(P)에 작용하는 자속 밀도 B와, B=μH의 관계로부터 구한 자성체관(P)의 비투자율 μ의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 4의 (a)에서는, 횡축을 외부 자장 H, 종축을 비투자율 μ 및 자속 밀도 B로서, 도 4의 (b)에서는, 횡축을 자속 밀도 B, 종축을 비투자율 μ로서 각각의 관계를 나타내고 있다.

도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 자속 밀도 B가 작은 영역(도면 중 영역 α)은 자기 노이즈가 발생하고, 비투자율 μ가 불안정한 영역이다. 또한, 자속 밀도 B가 중정도의 영역(도면 중 영역 β)은, 자기 노이즈는 억제되기는 하지만, 자속 밀도 B가 증가해도 비투자율 μ의 변화는 작고, 홀 소자(3)를 사용하여 자성체관(P)의 두께 감소율을 측정하기에는 부적합한 영역이다.

한편, 자속 밀도가 큰 영역(도면 중 영역 γ)은, 자속 밀도 B가 증가함에 따라서 비투자율 μ가 단조 감소되고, 자성체관(P)의 두께 감소율을 측정하기에 적합한 영역이다. 특히, 자성체관(P)이 완전히 자기 포화에 달하지는 않을 정도로 자속 밀도 B가 큰 영역에서는, 자속 밀도 B가 증가함에 따라서, 비투자율 μ가 직선적으로 감소하고 있다. 그 때문에, 자성체관(P)에 당해 영역 γ의 자속 밀도 B가 작용하도록 검사 프로브(100)를 구성하고, 자성체관(P)의 두께 감소율의 측정을 행하면, 자성체관(P)의 두께 감소율과, 홀 소자(3)의 출력 전압의 사이에는 직선 관계가 성립된다. 그 때문에, 검사 프로브(100)에 사용하는 자석(2)은, 강한 자장을 발생하는 고성능 자석인 것이 바람직하고, 예를 들어 네오디뮴 자석 등의 희토류 자석을 사용할 수 있다.

여기서, 검사 프로브에 배치할 수 있는 자석의 사이즈에 제약이 있다. 그 때문에, 종래의 검사 프로브에서는, 측정 대상이 소경이나 후육의 자성체관(P)인 경우, 자속 저항법에 의해 결함을 정량적으로 측정하기 위해 필요한 도 4의 (b)에 나타내는 영역 γ의 자속 밀도 B가 얻어지지 않아, 정량적인 측정이 어려워질 가능성이 있었다.

그래서, 본 실시 형태에 관한 검사 프로브(100)에서는, 요크(1)가 소경 요크(11)보다도 외경이 큰 대경 요크(12)를 구비하고, 홀 소자(3)를 사이에 두고 서로 대향하는 요크(1)(대경 요크(12))와 자성체관(P) 사이의 공간을 작게 함으로써, 원하는 자속 밀도 B를 실현하고 있다.

도 5의 (a)는, 비교용 검사 프로브(10)를 사용한 두께 감소 측정 시에 있어서의 자속 밀도의 분포예를 나타내는 모식도이며, 도 5의 (b)는, 본 실시 형태에 관한 검사 프로브(100)를 사용한 두께 감소 측정 시에 있어서의 자속 밀도의 분포예를 나타내는 모식도이다.

도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 비교용 검사 프로브(10)는 대경 요크(12)를 구비하지 않고, 대략 원주상의 소경 요크(111)만을 구비하는 구성이다. 대경 요크(12)를 구비하지 않는 비교용 검사 프로브(10)에서는, 홀 소자(3)를 사이에 두고 서로 대향하는 소경 요크(111)와 자성체관(P) 사이의 공간이 크다. 그 때문에, 자성체관(P)에 있어서 도 4의 (b)에 나타내는 영역 γ의 자속 밀도 B를 달성할 수 없다. 이에 비해, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 대경 요크(12)를 구비하는 검사 프로브(100)에서는, 홀 소자(3)를 사이에 두고 서로 대향하는 대경 요크(12)와 자성체관(P) 사이의 공간이 작아진다. 그 때문에, 자성체관(P)에 있어서의 도 4의 (b)에 나타내는 영역 γ의 자속 밀도 B를 적합하게 달성할 수 있다.

이와 같이, 검사 프로브(100)는, 요크(1)가 대경 요크(12)를 구비함으로써, 자석(2)의 사이즈를 일정하게 유지한 채, 원하는 자속 밀도 B를 실현할 수 있다. 따라서, 검사 프로브(100)에 의하면, 소경이나 후육의 자성체관(P)에 있어서의 결함을 정량적으로 측정하는 것이 가능해진다.

(3. 처리부의 구성)

도 6은, 본 실시 형태에 관한 두께 감소 측정 장치(200)에 구비되는 처리부(20)의 구성을 나타내는 블록도이다. 또한, 검사 프로브(100)와 처리부(20)에 의해, 본 실시 형태에 관한 두께 감소 측정 장치(200)가 구성된다.

본 실시 형태에 관한 두께 감소 측정 장치(200)는, 검사 프로브(100)가 구비하는 홀 소자(3)의 출력 전압에 기초하여, 자속 저항법을 사용하여 처리부(20)가 자성체관(P)의 두께 감소를 정량적으로 평가한다.

도 6에 나타내는 바와 같이, 처리부(20)는 검출부(21), 기억부(22), 연산부(23)를 구비한다. 또한, 연산부(23)는 검출 위치 특정부(24) 및 두께 감소 깊이 산출부(25)를 구비한다.

검출부(21)는 홀 소자(3)의 출력 전압값을 취득하고, 취득한 전압값과 당해 각 전압값의 검출 시각(검출 타이밍)을 대응지어 기억부(22)에 기억시킨다.

기억부(22)의 구성은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 자기 테이프나 카세트 테이프 등의 테이프계, 플로피(등록 상표) 디스크/하드 디스크 등의 자기 디스크나 CD-ROM/MO/MD/DVD/CD-R 등의 광 디스크를 포함하는 디스크계, IC 카드(메모리 카드를 포함함)/광 카드 등의 카드계, 혹은 마스크 ROM/EPROM/EEPROM(등록 상표)/플래시 ROM 등의 반도체 메모리계 등의 기록 매체를 사용할 수 있다. 또한, 기억부(22)에는, 미리 교정용 자성체관을 사용하여 산출된, 홀 소자(3)의 출력 전압과 자성체관 두께 감소 깊이의 관계를 나타내는 관계식이 기억되어 있다. 상기 관계식을 구하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니라 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 교정용 자성체관의 두께 감소 깊이의 실측값과, 홀 소자(3)의 출력의 대응짓기를 행함으로써 상기 관계식을 구해도 된다.

검출 위치 특정부(24)는, 기억부(22)에 기억되어 있는 홀 소자(3)의 출력 전압값 및 그의 검출 시각에 기초하여, 자성체관(P)에 있어서의 홀 소자(3)의 출력 전압에 대응하는 검출 위치를 특정한다.

두께 감소 깊이 산출부(25)는, 기억부(22)에 보존되어 있는 홀 소자(3)의 출력 전압, 및 홀 소자(3)의 출력 전압과 자성체관(P)의 두께 감소 깊이의 관계를 나타내는 관계식에 기초하여, 두께 감소의 유무를 판정하여, 자성체관(P)의 두께 감소 깊이를 산출한다.

또한, 연산부(23)는 ASIC(Application specific integrated circuit) 등의 집적 회로(하드웨어 로직)여도 되고, CPU 등의 프로세서를 탑재한 컴퓨터가 소프트웨어를 실행함으로써 실현되는 것이어도 되고, 그들을 조합하여 실현되는 것이어도 된다.

또한, 연산부(23)는 검출부(21), 기억부(22)와 공통의 하우징에 구비되는 것이어도 되고, 별개로 구비되는 것이어도 된다. 후자의 경우, 연산부(23)는 기억부(22)에 기억된 정보를, 유선 통신, 무선 통신, 혹은 착탈 가능한 기억 매체 등을 통해 취득하고, 연산 처리를 행한다.

(4. 두께 감소 측정 처리)

도 7은, 본 실시 형태에 있어서의 두께 감소 측정 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 먼저 검사 프로브(100)를 검사 대상의 자성체관(P)의 내부에 삽입하여 자성체관(P) 내를 축방향을 따라서 이동시키면서 홀 소자(3)에 의한 측정 처리를 행한다(S1).

이어서, 검출 위치 특정부(24)가, 기억부(22)에 기억되어 있는 정보에 기초하여, 홀 소자(3)의 출력 전압값에 대응하는 검출 위치(자성체관(P)의 축방향의 위치)를 특정한다(S2).

이어서, 두께 감소 깊이 산출부(25)가, 기억부(22)에 보존되어 있는 홀 소자(3)의 출력 전압, 및 홀 소자(3)의 출력 전압과 자성체관(P)의 두께 감소 깊이의 관계를 나타내는 관계식에 기초하여, 두께 감소의 유무를 판정하여, 자성체관(P)의 두께 감소 깊이를 산출한다(S3). 그리고, 두께 감소 깊이 산출부(25)는, 산출한 두께 감소 깊이와, 검출 위치 특정부(24)가 특정한 검출 위치를 대응짓고, 처리를 종료한다.

(5. 변형예)

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 자기 회로를 흐르는 자속을 검출하는 자기 센서로서 홀 소자(3)를 사용하였다. 단, 자기 회로를 흐르는 자속 밀도의 변화를 검출할 수 있는 각종 자기 센서를, 자기 센서로서 사용할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 검사 프로브(100)가 홀 소자(3)를 하나 구비하는 구성으로 하였다. 그러나, 홀 소자(3)의 수는 이것으로 한정되는 것은 아니고, 검사 프로브(100)는 복수의 홀 소자(3)를 구비하여도 된다. 검사 프로브(100)가 복수의 홀 소자(3)를 구비하는 경우에는, 예를 들어 요크(1)의 외주를 따라서 복수의 원호상의 자석(2)이 등간격으로 배치된다. 검사 프로브(100)를 이러한 구성으로 함으로써, 복수의 홀 소자(3) 각각으로부터 출력 전압을 얻을 수 있다. 그 때문에, 두께 감소 범위가 좁고, 자속이 당해 두께 감소를 우회하여, 건전부로 흘러버리게 되는 국소적인 두께 감소여도, 두께 감소의 검지 및 두께 감소율의 평가가 가능해진다.

또한, 본 실시 형태에서는, 검사 프로브(100)를 검사 대상의 자성체관(P)의 내부에 삽입하여, 자성체관(P) 내를 축방향을 따라서 이동시키면서 홀 소자(3)에 의한 측정 처리를 행하고, 두께 감소의 유무 판정, 및 두께 감소 깊이의 산출을 행하는 구성으로 하였다. 그러나, 검사 대상의 자성체관(P)의 어느 1점에 있어서의 두께 감소의 유무 판정, 및 두께 감소 깊이의 산출을 행하는 경우에는, 검사 프로브(100)를 이동시킬 필요는 없다. 즉, 검사 프로브(100)를 검사 대상의 자성체관(P)의 내부에 삽입하여, 임의의 개소에서 홀 소자(3)의 출력을 측정함으로써, 자성체관(P)의 임의의 개소에 있어서의 두께 감소의 유무 판정, 및 두께 감소 깊이의 측정을 행해도 된다.

또한, 본 실시 형태에서는, 요크(1)는 소경 요크(11)와 대경 요크(12)로 분리 가능한 구성으로 하였다. 그러나, 이것으로 한정되는 것은 아니고, 소경 요크(11)와 대경 요크(12)가 일체적으로 구성되어 있어도 된다.

또한, 본 실시 형태에서는, 두께 감소 측정 장치(200)가 검출 위치 특정부(24)를 구비한 구성으로 하였다. 그러나, 검출 위치 특정부(24)를 생략하는 것도 가능하다. 두께 감소 측정 장치(200)가 검출 위치 특정부(24)를 구비하지 않을 경우에서는, 예를 들어 두께 감소 깊이 산출부(25)에서 자성체관(P)의 평가 범위의 모든 두께 감소 깊이를 산출하여, 그 산출 결과에 기초하여 검출 위치를 특정하면 된다.

[실시 형태 2]

본 발명의 다른 실시 형태에 대하여 이하에 설명한다. 또한, 편의상, 상기 실시 형태에서 설명한 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에 대하여는, 동일한 부호를 부기하고, 그의 설명을 반복하지 않는다.

(1. 검사 프로브의 구성)

도 8의 (a)는, 본 실시 형태에 관한 검사 프로브(101)의 구성을 나타내는 모식도이며, 도 8의 (b)는, 본 실시 형태에 관한 검사 프로브(102)의 구성을 나타내는 모식도이다.

본 실시 형태에서는, 사이즈가 상이한 2개 검사 프로브(101) 및 검사 프로브(102)를 제작하고, 홀 소자(3)의 출력 전압을 측정함으로써, 각종 파라미터의 최적 범위를 구하였다.

도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 검사 프로브(101)는, 외경 19mm, 두께 2.0mm의 탄소강을 포함하는 자성체관(P1)의 두께 감소 측정에 사용되는 프로브이다. 또한, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 검사 프로브(102)는, 외경 25.4mm, 두께 3.4mm의 자성체관(P2)의 두께 감소 측정에 사용되는 프로브이다. 검사 프로브(101)는, 자성체관(P2)보다도 소경의 자성체관(P1)의 내부에 삽입 가능하도록, 검사 프로브(102)보다도 외경이 작게 설계되어 있다.

검사 프로브(101) 및 검사 프로브(102)는, 모두 소경 요크(11) 및 대경 요크(12)를 포함하는 요크(1)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 소경 요크(11) 및 대경 요크(12)는 모두 ELCH2S(순철계 연자성 재료)를 포함한다.

소경 요크(11)의 제1 외주면(11a)에는, 자석(2), 자석(4) 및 자석(5)의 3개의 원호상(또는 환상)의 자석이 배치되어 있다. 자석(2), 자석(4) 및 자석(5)은 모두 50M을 포함하고, 대경 요크(12)측으로부터 이 순으로 배치되어 있다. 자석(2) 및 자석(5)은 자성체관(P)과 대향하는 방향으로 분극되어 있다. 자석(4)은 자성체관(P)의 축방향으로 분극되어 있다. 또한, 대경 요크의 제2 외주면(12a)에는, 홀 소자(3)가 배치되어 있다.

검사 프로브(101) 및 검사 프로브(102)가 구비하는 각 부의 사이즈의 일례를 하기에 나타낸다.

(검사 프로브(101))

홀 소자(3): 길이 2 mm×깊이 2 mm×두께 1mm

소경 요크(11): 외경(D1) 6mm, 돌출 길이(L4) 30mm

자석(2): 외경(D2) 14mm, 길이(L1) 40mm, 두께(T) 4mm

자석(4): 외경(D2) 14mm, 길이(L2) 40mm, 두께(T) 4mm

자석(5): 외경(D2) 14mm, 길이(L3) 40mm, 두께(T) 4mm

(검사 프로브(102))

홀 소자(3): 길이 2 mm×깊이 2 mm×두께 1mm

소경 요크(11): 외경(d1) 9.6mm, 돌출 길이(l4) 30mm

자석(2): 외경(d2) 17.6mm, 길이(l1) 40mm, 두께(t) 4mm

자석(4): 외경(d2) 17.6mm, 길이(l2) 40mm, 두께(t) 4mm

자석(5): 외경(d2) 17.6mm, 길이(l3) 40mm, 두께(t) 4mm

(2. 평가 방법)

도 9는, 도 8의 (a) 및 (b)에 나타낸 검사 프로브(101) 및 검사 프로브(102)의 파선 프레임 포위 부분의 확대도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 검사 프로브(101) 및 검사 프로브(102)에 있어서의 대경 요크(12)의 길이(자성체관의 축방향에 있어서의 길이) A, 대경 요크(12)의 외경 B 및 자석(2)의 단부면(2a)으로부터의 홀 소자(3)의 단부면(단부)(3a)의 위치 C의 최적 범위를 구하였다.

본 실시 형태에서는, 검사 프로브(101)를 자성체관(P1)의 내부에 삽입하여, 자성체관(P1)의 축방향을 따라서 검사 프로브(101)를 이동시킨 경우의 홀 소자(3)의 출력 전압을 측정하였다. 또한, 검사 프로브(102)를 자성체관(P2)의 내부에 삽입하여, 자성체관(P2)의 축방향을 따라서 검사 프로브(102)를 이동시킨 경우의 홀 소자(3)의 출력 전압을 측정하였다.

그리고, 단면 결손율(두께 감소 깊이) 0 내지 100％의 전체 범위에 있어서 홀 소자(3)의 출력 전압이 부(마이너스)였을 경우를 「○」, 단면 결손율 0 내지 100％의 범위에 있어서 홀 소자(3)의 출력 전압이 부(마이너스)인 범위와 정(플러스)인 범위가 있었을 경우를 「△」라고 평가하였다.

(3. 평가 결과)

[표 1A]

[표 1B]

자성체관의 외경과 대경 요크(12)의 길이 A를 변화시켜, 상기 평가 방법으로 평가한 결과를 표 1A 및 표 1B에 나타낸다. 측정의 결과, 대경 요크(12)의 길이 A가 자성체관 외경의 0.25배 이상 0.35배 미만인 경우, 단면 결손율 0 내지 100％의 범위에 있어서 홀 소자(3)의 출력 전압이 부가 되는 범위와 정이 되는 범위가 있었다. 또한, 대경 요크(12)의 길이 A가 자성체관의 외경의 0.35배 이상인 경우, 단면 결손율 0 내지 100％의 전체 범위에 있어서 홀 소자(3)의 출력 전압이 부가 되었다.

따라서, 대경 요크(12)의 길이 A는, 자성체관의 외경의 0.25배 이상인 것이 바람직하고, 자성체관의 외경의 0.35배 이상인 것이 보다 바람직하다.

[표 2A]

[표 2B]

자성체관의 외경과 대경 요크(12)의 외경 B를 변화시켜, 상기 평가 방법으로 평가한 결과를 표 2A 및 표 2B에 나타낸다. 측정의 결과, 대경 요크(12)의 외경 B가 자성체관의 외경의 0.51배 이상 0.55배 미만인 경우, 단면 결손율 0 내지 100％의 범위에 있어서 홀 소자(3)의 출력 전압이 부가 되는 범위와 정이 되는 범위가 있었다. 또한, 대경 요크(12)의 외경 B가 자성체관의 외경의 0.55배 이상인 경우, 단면 결손율 0 내지 100％의 전체 범위에 있어서 홀 소자(3)의 출력 전압이 부가 되었다.

따라서, 대경 요크(12)의 외경 B는, 자성체관의 외경의 0.51배 이상인 것이 바람직하고, 자성체관의 외경의 0.55배 이상인 것이 보다 바람직하다.

[표 3]

자성체관의 외경과 홀 소자(3)의 단부면(3a)의 위치 C를 변화시켜, 상기 평가 방법으로 평가한 결과를 표 3에 나타낸다. 측정의 결과, 홀 소자(3)의 단부면(3a)의 위치 C가 자석(2)의 단부면(2a)으로부터 2.5mm 초과 5.5mm 이하의 범위에 있는 경우, 단면 결손율 0 내지 100％의 범위에 있어서 홀 소자(3)의 출력 전압이 부가 되는 범위와 정이 되는 범위가 있었다. 또한, 홀 소자(3)의 단부면(3a)의 위치 C가 자석(2)의 단부면(2a)으로부터 2.5mm 이하의 범위에 있는 경우, 단면 결손율 0 내지 100％의 전체 범위에 있어서 홀 소자(3)의 출력 전압이 부가 되었다.

따라서, 홀 소자(3)의 단부면(3a)의 위치 C는, 자성체관의 외경에 관계없이, 자석(2)의 단부면(2a)으로부터 5.5mm 이하의 범위에 있는 것이 바람직하고, 자석(2)의 단부면(2a)으로부터 2.5 이하의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다.

본 발명은 상술한 각 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 다른 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

[정리]

본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 장치는, 자성체 부재의 결함을 검사하는 결함 측정 장치이며, 자석과, 상기 자석에 대하여 상기 자성체 부재와는 반대측에 배치되는 요크와, 상기 요크와 상기 자성체 부재 사이에 배치되어, 상기 자석, 상기 요크 및 상기 자성체 부재가 형성하는 자기 회로를 흐르는 자속 밀도를 검출하는 자기 센서를 구비하는 검사 프로브와, 상기 자기 센서의 출력에 기초하여, 상기 자성체 부재의 결함의 깊이를 산출하는 산출부를 포함하고, 상기 요크는, 상기 자석을 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제1 대향면과, 상기 자기 센서를 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제2 대향면을 갖고, 상기 제2 대향면은 상기 제1 대향면보다도 상기 자성체 부재측에 위치한다.

상기 구성에서는, 제2 대향면이 제1 대향면보다도 자성체 부재측에 위치하고 있기 때문에, 자기 센서를 사이에 두고 서로 대향하는 자성체 부재와 요크 사이의 공간이 상대적으로 작아진다. 그 때문에, 자기 회로를 흐르는 자속 밀도가 커지고, 자석의 사이즈를 일정하게 유지한 채, 자속 저항법에 의해 결함을 측정하기 위해 필요한 자속 밀도를 얻는 것이 가능해진다. 따라서, 상기 구성에 의하면, 소경의 자성체 부재나 후육의 자성체 부재에 있어서도 결함을 정량적으로 측정하는 것이 가능한 결함 측정 장치를 실현할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 장치에서는, 상기 자기 센서는, 상기 자성체 부재의 결함의 깊이가 커짐에 따라서 통과하는 상기 자속 밀도가 증가하는, 상기 자기 회로 상의 위치에 배치되어 있어도 된다.

자기 회로 상의 상기 위치에서는, 자성체 부재의 결함의 깊이에 따른 자속 밀도의 변화량이 다른 위치에 비교하여 크다. 그 때문에, 상기 위치에 있어서의 자속 밀도를 자기 센서에 의해 검출함으로써, 결함의 깊이를 적합하게 측정할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 장치에서는, 상기 검사 프로브는 대략 원통상의 상기 자성체 부재의 내부에 삽입되는 것이며, 상기 요크는, 상기 자성체 부재의 내면에 대략 평행한 상기 제1 대향면을 갖는 소경부와, 당해 내면에 대략 평행한 상기 제2 대향면을 갖는 대경부를 포함하고, 상기 소경부와 상기 대경부는, 상기 자성체 부재의 축방향을 따라서 연접하여도 된다.

상기 구성에서는, 요크가 대경부를 포함함으로써, 자기 센서를 사이에 두고 서로 대향하는 자성체 부재의 내면과 대경부의 제2 대향면 사이의 공간이 작아진다. 따라서, 상기 구성에 의하면, 자석 사이즈를 일정하게 유지한 채, 자속 저항법에 의해 결함을 측정하기 위해 필요한 자속 밀도를 얻는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 장치에서는, 상기 축방향에 있어서의 상기 대경부의 길이는, 상기 자성체 부재의 외경의 0.25배 이상이어도 된다.

대경부의 길이를 상기 값 이상으로 함으로써, 자성체 부재의 결함의 깊이가 커짐에 따라서 증가하는 자속 밀도를 자기 회로 상에 발생시키기 쉬워진다.

또한, 본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 장치에서는, 상기 대경부의 외경은 상기 자성체 부재의 외경의 0.51배 이상이어도 된다.

대경부의 외경을 상기 값 이상으로 함으로써, 자성체 부재의 결함의 깊이가 커짐에 따라서 증가하는 자속 밀도를 자기 회로 상에 발생시키기 쉬워진다.

또한, 본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 장치에서는, 상기 자기 센서는 상기 자석의 단부로부터 5.5mm 이하의 범위 내에 배치되어 있어도 된다.

상기 범위 내에 자기 센서를 배치함으로써, 자성체 부재의 결함의 깊이가 커짐에 따라서 증가하는 자속 밀도를 자기 센서에 의해 적합하게 검출하는 것이 가능해진다.

본 발명의 일 형태에 관한 결함 측정 방법은, 자성체 부재의 결함을 검사하는 결함 측정 방법이며, 상기 결함 측정 장치를 사용하여, 상기 자성체 부재의 결함을 검사한다.

상기 방법에 의하면, 소경의 자성체 부재나 후육의 자성체 부재에 있어서도 결함을 정량적으로 측정하는 것이 가능한 결함 측정 방법을 실현할 수 있다.

본 발명의 일 형태에 관한 검사 프로브는, 자성체 부재의 결함을 검사하기 위한 검사 프로브이며, 자석과, 상기 자석에 대하여 상기 자성체 부재와는 반대측에 배치되는 요크와, 상기 요크와 상기 자성체 부재 사이에 배치되어, 상기 자석, 상기 요크 및 상기 자성체 부재가 형성하는 자기 회로를 흐르는 자속 밀도를 검출하는 자기 센서를 구비하고, 상기 요크는, 상기 자석을 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제1 대향면과, 상기 자기 센서를 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제2 대향면을 갖고, 상기 제2 대향면은 상기 제1 대향면보다도 상기 자성체 부재측에 위치한다.

상기 구성에 의하면, 소경의 자성체 부재나 후육의 자성체 부재에 있어서도 결함을 정량적으로 측정하는 것이 가능한 검사 프로브를 실현할 수 있다.

1 요크
2 자석
2a 단부면(단부)
3 홀 소자(자기 센서)
11 소경 요크(요크, 소경부)
11a 제1 외주면(제1 대향면)
12 대경 요크(요크, 대경부)
12a 제2 외주면(제2 대향면)
25 두께 감소 깊이 산출부(산출부)
100, 101, 102 검사 프로브
200 두께 감소 측정 장치(결함 측정 장치)
P, P1, P2 자성체관(자성체 부재)

Claims (8)

1. 자성체 부재의 결함을 검사하는 결함 측정 장치이며,
   자석과, 상기 자석에 대하여 상기 자성체 부재와는 반대측에 배치되는 요크와, 상기 요크와 상기 자성체 부재 사이에 배치되어, 상기 자석, 상기 요크 및 상기 자성체 부재가 형성하는 자기 회로를 흐르는 자속 밀도를 검출하는 자기 센서를 구비하는 검사 프로브와,
   상기 자기 센서의 출력에 기초하여, 상기 자성체 부재의 결함의 깊이를 산출하는 산출부를 포함하고,
   상기 요크는, 상기 자석을 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제1 대향면과, 상기 자기 센서를 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제2 대향면을 갖고,
   상기 제2 대향면은 상기 제1 대향면보다도 상기 자성체 부재측에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 측정 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 자기 센서는, 상기 자성체 부재의 결함의 깊이가 커짐에 따라서 상기 자속 밀도가 증가하는, 상기 자기 회로 상의 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 결함 측정 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 검사 프로브는 대략 원통상의 상기 자성체 부재의 내부에 삽입되는 것이며,
   상기 요크는, 상기 자성체 부재의 내면에 대략 평행한 상기 제1 대향면을 갖는 소경부와, 당해 내면에 대략 평행한 상기 제2 대향면을 갖는 대경부를 포함하고,
   상기 소경부와 상기 대경부는, 상기 자성체 부재의 축방향을 따라서 연접하고 있는 것을 특징으로 하는 결함 측정 장치.
4. 제3항에 있어서, 상기 축방향에 있어서의 상기 대경부의 길이는, 상기 자성체 부재의 외경의 0.25배 이상인 것을 특징으로 하는 결함 측정 장치.
5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 대경부의 외경은 상기 자성체 부재의 외경의 0.51배 이상인 것을 특징으로 하는 결함 측정 장치.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자기 센서는 상기 자석의 단부로부터 5.5mm 이하의 범위 내에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 결함 측정 장치.
7. 자성체 부재의 결함을 검사하는 결함 측정 방법이며,
   제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 결함 측정 장치를 사용하여, 상기 자성체 부재의 결함을 검사하는 것을 특징으로 하는 결함 측정 방법.
8. 자성체 부재의 결함을 검사하기 위한 검사 프로브이며,
   자석과, 상기 자석에 대하여 상기 자성체 부재와는 반대측에 배치되는 요크와, 상기 요크와 상기 자성체 부재 사이에 배치되어, 상기 자석, 상기 요크 및 상기 자성체 부재가 형성하는 자기 회로를 흐르는 자속 밀도를 검출하는 자기 센서를 구비하고,
   상기 요크는, 상기 자석을 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제1 대향면과, 상기 자기 센서를 사이에 두고 상기 자성체 부재와 대향하는 제2 대향면을 갖고,
   상기 제2 대향면은 상기 제1 대향면보다도 상기 자성체 부재측에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 검사 프로브.

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