JP2003344362A - 渦電流探傷プローブと渦電流探傷装置 - Google Patents
渦電流探傷プローブと渦電流探傷装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 励磁コイルと検出コイルを備えた渦電流探傷
プローブにおいて、従来の渦電流探傷プローブでは探傷
が困難であった短いきずの探傷が可能な渦電流探傷プロ
ーブを提供すること。 【解決手段】 励磁コイルＥ、検出コイルＤ１，Ｄ２
は、矩形状の縦置き型コイルからなり、検出コイルＤ
１，Ｄ２は、励磁コイルＥのコイル面と直交するように
配置してある。励磁コイルＥに励磁電流を流すと、励磁
コイルＥの直下の検査体に、励磁コイルＥの巻線の方向
に流れる渦電流が発生する。検査体に検出コイルＤ１，
Ｄ２と並行するきずがあるときは、そのきずの両側にき
ずに沿って流れる電流が発生し、検出コイルＤ１，Ｄ２
に電圧を誘起する。即ちきず信号を発生する。励磁コイ
ルＥの厚さを薄くすると、短いきずを探傷することがで
きる。
プローブにおいて、従来の渦電流探傷プローブでは探傷
が困難であった短いきずの探傷が可能な渦電流探傷プロ
ーブを提供すること。 【解決手段】 励磁コイルＥ、検出コイルＤ１，Ｄ２
は、矩形状の縦置き型コイルからなり、検出コイルＤ
１，Ｄ２は、励磁コイルＥのコイル面と直交するように
配置してある。励磁コイルＥに励磁電流を流すと、励磁
コイルＥの直下の検査体に、励磁コイルＥの巻線の方向
に流れる渦電流が発生する。検査体に検出コイルＤ１，
Ｄ２と並行するきずがあるときは、そのきずの両側にき
ずに沿って流れる電流が発生し、検出コイルＤ１，Ｄ２
に電圧を誘起する。即ちきず信号を発生する。励磁コイ
ルＥの厚さを薄くすると、短いきずを探傷することがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、渦電流探傷プロ
ーブと渦電流探傷装置に関する。
ーブと渦電流探傷装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６と図７を参照して従来の渦電流探傷
プローブを説明する。なお両図に共通の部分は、同じ符
号を使用している。図６（ａ）は、パンケーキ状の励磁
コイルＥと縦置き型の検出コイルＤからなる渦電流探傷
プローブの斜視図である。渦電流探傷プローブは、励磁
コイルＥのコイル面を検査体Ｔ側に向けて、所定の間隔
をおいて検査体Ｔに上置し、励磁コイルＥに励磁電流を
流すと、検査体Ｔには、図６（ｂ）のように渦電流Ｉ１
が発生する。その際、検査体ＴにきずＦがあると、その
きずＦの両側に逆方向に流れる電流Ｉ２が発生する。
プローブを説明する。なお両図に共通の部分は、同じ符
号を使用している。図６（ａ）は、パンケーキ状の励磁
コイルＥと縦置き型の検出コイルＤからなる渦電流探傷
プローブの斜視図である。渦電流探傷プローブは、励磁
コイルＥのコイル面を検査体Ｔ側に向けて、所定の間隔
をおいて検査体Ｔに上置し、励磁コイルＥに励磁電流を
流すと、検査体Ｔには、図６（ｂ）のように渦電流Ｉ１
が発生する。その際、検査体ＴにきずＦがあると、その
きずＦの両側に逆方向に流れる電流Ｉ２が発生する。
【０００３】図６（ａ）の渦電流探傷プローブは、検出
コイルＤが、図６（ｂ）のようにきずＦの長手方向に並
行する位置にあるとき、即ち検出コイルＤがきずＦに対
して角度０度の位置にあるとき、電流Ｉ２によって検出
コイルＤに電圧が誘起し、いわゆるきず信号が発生す
る。その際、きずＦの長さが、図６（ｃ）のように励磁
コイルＥの内径よりも小さい場合には、検出コイルＤに
誘起するきず信号は、小さくなり、きずＦの探傷に支障
が生じる。
コイルＤが、図６（ｂ）のようにきずＦの長手方向に並
行する位置にあるとき、即ち検出コイルＤがきずＦに対
して角度０度の位置にあるとき、電流Ｉ２によって検出
コイルＤに電圧が誘起し、いわゆるきず信号が発生す
る。その際、きずＦの長さが、図６（ｃ）のように励磁
コイルＥの内径よりも小さい場合には、検出コイルＤに
誘起するきず信号は、小さくなり、きずＦの探傷に支障
が生じる。
【０００４】次に図７により、図６（ａ）の渦電流探傷
プローブの特性を説明する。図７は、検査体ＴのきずＦ
の長さが異なる場合のきず信号パターンを示し、横軸
は、励磁電流と同相のきず信号成分を、縦軸は、位相が
９０度異なるきず信号成分を示す。
プローブの特性を説明する。図７は、検査体ＴのきずＦ
の長さが異なる場合のきず信号パターンを示し、横軸
は、励磁電流と同相のきず信号成分を、縦軸は、位相が
９０度異なるきず信号成分を示す。
【０００５】図７のきず信号パターンの測定には、内径
９ｍｍの励磁コイルＥと１６０×１６０×１．５ｍｍの
黄銅板の検査体Ｔを用いた。その黄銅板には、幅０．５
ｍｍ、深さ板厚の８０％、長さ５ｍｍ、１０ｍｍ、１５
ｍｍのきずＦを形成してある。励磁コイルＥには、２０
ｋＨｚの励磁電流を流した。
９ｍｍの励磁コイルＥと１６０×１６０×１．５ｍｍの
黄銅板の検査体Ｔを用いた。その黄銅板には、幅０．５
ｍｍ、深さ板厚の８０％、長さ５ｍｍ、１０ｍｍ、１５
ｍｍのきずＦを形成してある。励磁コイルＥには、２０
ｋＨｚの励磁電流を流した。
【０００６】検出コイルＤに発生するきず信号は、きず
Ｆの長さが短くなるほど小さくなり、きずＦの長さが励
磁コイルＥの内径よりも小さくなると、きずＦの探傷は
難しくなる。したがって短いきずを探傷するには、励磁
コイルＥの内径を小さくしなければならないが、図６
（ａ）の渦電流探傷プローブは、励磁コイルＥの内側に
検出コイルＤを配置しているから、励磁コイルＥの内径
は、あまり小さくすることができない。そのため図６
（ａ）の渦電流探傷プローブは、短いきずを探傷できな
い欠点があった。
Ｆの長さが短くなるほど小さくなり、きずＦの長さが励
磁コイルＥの内径よりも小さくなると、きずＦの探傷は
難しくなる。したがって短いきずを探傷するには、励磁
コイルＥの内径を小さくしなければならないが、図６
（ａ）の渦電流探傷プローブは、励磁コイルＥの内側に
検出コイルＤを配置しているから、励磁コイルＥの内径
は、あまり小さくすることができない。そのため図６
（ａ）の渦電流探傷プローブは、短いきずを探傷できな
い欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は、図６
（ａ）の渦電流探傷プローブの前記問題点に鑑み、図６
（ａ）の渦電流探傷プローブよりも短いきずの探傷が可
能な渦電流探傷プローブとその渦電流探傷プローブを用
いた渦電流探傷装置を提供することを目的とする。
（ａ）の渦電流探傷プローブの前記問題点に鑑み、図６
（ａ）の渦電流探傷プローブよりも短いきずの探傷が可
能な渦電流探傷プローブとその渦電流探傷プローブを用
いた渦電流探傷装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願発明の渦電流探傷プ
ローブは、縦置き型の励磁コイルと縦置き型の検出コイ
ルからなり、励磁コイルと検出コイルは、両コイルのコ
イル面が交差するように配置してあることを特徴とす
る。本願発明の渦電流探傷プローブは、１番目の発明に
おいて、検出コイルは、励磁コイルの両側に配置してあ
ることを特徴とする。本願発明の渦電流探傷プローブ
は、１番目または２番目の発明において、検出コイルの
コイル面と励磁コイルのコイル面はほぼ直交するように
配置してあることを特徴とする。本願発明の渦電流探傷
装置は、縦置き型の励磁コイルと縦置き型の検出コイル
からなり、励磁コイルと検出コイルは、両コイルのコイ
ル面が交差するように配置してある渦電流探傷プローブ
と、その渦電流探傷プローブの検出コイルの出力を検出
するきず信号検出手段と、そのきず信号検出手段が検出
したきず信号に基づいてきず信号を評価するきず信号評
価手段とを備えていることを特徴とする。
ローブは、縦置き型の励磁コイルと縦置き型の検出コイ
ルからなり、励磁コイルと検出コイルは、両コイルのコ
イル面が交差するように配置してあることを特徴とす
る。本願発明の渦電流探傷プローブは、１番目の発明に
おいて、検出コイルは、励磁コイルの両側に配置してあ
ることを特徴とする。本願発明の渦電流探傷プローブ
は、１番目または２番目の発明において、検出コイルの
コイル面と励磁コイルのコイル面はほぼ直交するように
配置してあることを特徴とする。本願発明の渦電流探傷
装置は、縦置き型の励磁コイルと縦置き型の検出コイル
からなり、励磁コイルと検出コイルは、両コイルのコイ
ル面が交差するように配置してある渦電流探傷プローブ
と、その渦電流探傷プローブの検出コイルの出力を検出
するきず信号検出手段と、そのきず信号検出手段が検出
したきず信号に基づいてきず信号を評価するきず信号評
価手段とを備えていることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１〜図５を参照して、本願発明
の実施の形態に係る渦電流探傷プローブを説明する。な
お各図に共通の部分は、同じ符号を使用している。
の実施の形態に係る渦電流探傷プローブを説明する。な
お各図に共通の部分は、同じ符号を使用している。
【００１０】図１は、本願発明の実施形態に係る渦電流
探傷プローブの構成を示す。図１（ａ）は、渦電流探傷
プローブの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ１−
Ｘ１部分の矢印方向の断面図、図１（ｃ）は、図１
（ａ）のＸ２−Ｘ２部分の矢印方向の断面図である。図
１において、Ｅは、矩形状の縦置き型の励磁コイル、Ｄ
１，Ｄ２は、矩形状の縦置き型の検出コイルである。
探傷プローブの構成を示す。図１（ａ）は、渦電流探傷
プローブの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ１−
Ｘ１部分の矢印方向の断面図、図１（ｃ）は、図１
（ａ）のＸ２−Ｘ２部分の矢印方向の断面図である。図
１において、Ｅは、矩形状の縦置き型の励磁コイル、Ｄ
１，Ｄ２は、矩形状の縦置き型の検出コイルである。
【００１１】検出コイルＤ１、Ｄ２は、励磁コイルＥの
両側に、検出コイルＤ１、Ｄ２のコイル面が励磁コイル
Ｅのコイル面とほぼ直交し、励磁コイルＥの中央に励磁
コイルＥのコイル軸とほぼ平行するように配置してあ
る。なお検出コイルＤ１、Ｄ２は、いずれか一方のみで
もよい。また検出コイルＤ１、Ｄ２のコイル面は、励磁
コイルＥのコイル面と交差するように配置すればよい。
両側に、検出コイルＤ１、Ｄ２のコイル面が励磁コイル
Ｅのコイル面とほぼ直交し、励磁コイルＥの中央に励磁
コイルＥのコイル軸とほぼ平行するように配置してあ
る。なお検出コイルＤ１、Ｄ２は、いずれか一方のみで
もよい。また検出コイルＤ１、Ｄ２のコイル面は、励磁
コイルＥのコイル面と交差するように配置すればよい。
【００１２】図２は、図１の渦電流探傷プローブにより
検査体に発生する渦電流の概略を示す。励磁コイルＥに
励磁電流を流すと、図２（ａ）のように、検査体に励磁
コイルＥの巻線の方向に流れる渦電流Ｉが発生する。検
査体にきずがないときは、検査体に発生する渦電流はＩ
のみであるが、検査体にきずＦがあるときは、図２
（ｂ）のようにきずＦの両側を逆方向に流れる渦電流ｉ
も発生する。検出コイルＤ１、Ｄ２には、渦電流ｉによ
り電圧が誘起する。このように、検査体にきずのないと
きは、検出コイルＤ１、Ｄ２に電圧を誘起しないが、検
査体にきずがあるときは、検出コイルＤ１、Ｄ２に電圧
を誘起する。この誘起電圧により検査体のきずを探傷す
ることができる。検出コイルＤ１，Ｄ２は、両コイルの
誘起電圧を重畳するように接続し、いわゆるきず信号と
して取り出す。
検査体に発生する渦電流の概略を示す。励磁コイルＥに
励磁電流を流すと、図２（ａ）のように、検査体に励磁
コイルＥの巻線の方向に流れる渦電流Ｉが発生する。検
査体にきずがないときは、検査体に発生する渦電流はＩ
のみであるが、検査体にきずＦがあるときは、図２
（ｂ）のようにきずＦの両側を逆方向に流れる渦電流ｉ
も発生する。検出コイルＤ１、Ｄ２には、渦電流ｉによ
り電圧が誘起する。このように、検査体にきずのないと
きは、検出コイルＤ１、Ｄ２に電圧を誘起しないが、検
査体にきずがあるときは、検出コイルＤ１、Ｄ２に電圧
を誘起する。この誘起電圧により検査体のきずを探傷す
ることができる。検出コイルＤ１，Ｄ２は、両コイルの
誘起電圧を重畳するように接続し、いわゆるきず信号と
して取り出す。
【００１３】次に図３、図４、図５により図１の渦電流
探傷プローブの諸特性について説明する。ここで諸特性
の測定には、長さ（幅）１９ｍｍ、高さ１９ｍｍ、巻線
断面２×２ｍｍの励磁コイルＥと、長さ（幅）７ｍｍ、
高さ９ｍｍ、巻線断面１×１ｍｍの検出コイルＤ１，Ｄ
２からなる渦電流探傷プローブを用いた。また検査体
は、１６０×１６０×１．５ｍｍの黄銅板を用い、その
黄銅板に幅０．５ｍｍ、深さ板厚の２０％、４０％，６
０％，８０％、長さ５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍｍのきず
Ｆを形成したものを用いた。励磁コイルＥには、２０ｋ
Ｈｚの励磁電流を流した。
探傷プローブの諸特性について説明する。ここで諸特性
の測定には、長さ（幅）１９ｍｍ、高さ１９ｍｍ、巻線
断面２×２ｍｍの励磁コイルＥと、長さ（幅）７ｍｍ、
高さ９ｍｍ、巻線断面１×１ｍｍの検出コイルＤ１，Ｄ
２からなる渦電流探傷プローブを用いた。また検査体
は、１６０×１６０×１．５ｍｍの黄銅板を用い、その
黄銅板に幅０．５ｍｍ、深さ板厚の２０％、４０％，６
０％，８０％、長さ５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍｍのきず
Ｆを形成したものを用いた。励磁コイルＥには、２０ｋ
Ｈｚの励磁電流を流した。
【００１４】図３は、きずの長さが異なる場合のきず信
号パターンを示し、きずの深さが、板厚の８０％、きず
の長さが５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍの場合である。図３
において、横軸は、励磁電流と同相のきず信号成分を、
縦軸は、位相が９０度異なるきず信号成分を示す。きず
信号パターンは、きずの長さが５ｍｍ、１０ｍｍ、１５
ｍｍのいずれの場合も、ほぼ同じになる。即ち図１の渦
電流探傷プローブは、きずの長さの影響が小さいことが
分かる。
号パターンを示し、きずの深さが、板厚の８０％、きず
の長さが５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍの場合である。図３
において、横軸は、励磁電流と同相のきず信号成分を、
縦軸は、位相が９０度異なるきず信号成分を示す。きず
信号パターンは、きずの長さが５ｍｍ、１０ｍｍ、１５
ｍｍのいずれの場合も、ほぼ同じになる。即ち図１の渦
電流探傷プローブは、きずの長さの影響が小さいことが
分かる。
【００１５】また図１の渦電流探傷プローブは、励磁コ
イルＥの厚み（図１（ａ）の検出コイルＤ１と検出コイ
ルＤ２の間の厚み）を薄くすることによりさらに短いき
ずの探傷も可能になる。本実施の形態に用いた励磁コイ
ルＥは、巻線断面が２×２ｍｍであるから、励磁コイル
Ｅの厚みは、２ｍｍになる。このサイズに対応して従来
のパンケーキ状の励磁コイルを形成するには、パンケー
キ状コイルの内径を２ｍｍにし、その内側に検出コイル
を配置しなければならないが、製造は困難である。
イルＥの厚み（図１（ａ）の検出コイルＤ１と検出コイ
ルＤ２の間の厚み）を薄くすることによりさらに短いき
ずの探傷も可能になる。本実施の形態に用いた励磁コイ
ルＥは、巻線断面が２×２ｍｍであるから、励磁コイル
Ｅの厚みは、２ｍｍになる。このサイズに対応して従来
のパンケーキ状の励磁コイルを形成するには、パンケー
キ状コイルの内径を２ｍｍにし、その内側に検出コイル
を配置しなければならないが、製造は困難である。
【００１６】図４は、渦電流探傷プローブのリフトオフ
雑音（渦電流探傷プローブと検査体の距離の変化に起因
する雑音）ときず信号を示し、きずの長さは、１５ｍ
ｍ、きずの深さは、板厚の０％，２０％，４０％，６０
％，８０％の場合である。リフトオフ雑音は、きず信号
に対して非常に小さく、Ｓ／Ｎが高くなる。即ち図１の
渦電流探傷プローブは、リフトオフ雑の影響をほとんど
受けることがないことが分かる。
雑音（渦電流探傷プローブと検査体の距離の変化に起因
する雑音）ときず信号を示し、きずの長さは、１５ｍ
ｍ、きずの深さは、板厚の０％，２０％，４０％，６０
％，８０％の場合である。リフトオフ雑音は、きず信号
に対して非常に小さく、Ｓ／Ｎが高くなる。即ち図１の
渦電流探傷プローブは、リフトオフ雑の影響をほとんど
受けることがないことが分かる。
【００１７】図５は、検査体の表側と裏側のきずについ
て、きずの深さが異なる場合のきず信号パターンを示
し、きずの長さは、１５ｍｍ、きずの深さは、板厚の４
０％、６０％、８０％の場合である。図５（ａ）は、検
査体の表側のきずの信号パターンを、図５（ｂ）は、検
査体の裏側のきずの信号パターンを示す。きず信号パタ
ーンは、表側のきずの場合も裏側のきずの場合も、きず
の深さの違いにより大きく異なっている。即ち図１の渦
電流探傷プローブは、表側のきずの場合も裏側のきずの
場合も、きずの深さに対応したきず信号を発生するか
ら、検査体の表側と裏側のきずの深さを評価することが
できる。
て、きずの深さが異なる場合のきず信号パターンを示
し、きずの長さは、１５ｍｍ、きずの深さは、板厚の４
０％、６０％、８０％の場合である。図５（ａ）は、検
査体の表側のきずの信号パターンを、図５（ｂ）は、検
査体の裏側のきずの信号パターンを示す。きず信号パタ
ーンは、表側のきずの場合も裏側のきずの場合も、きず
の深さの違いにより大きく異なっている。即ち図１の渦
電流探傷プローブは、表側のきずの場合も裏側のきずの
場合も、きずの深さに対応したきず信号を発生するか
ら、検査体の表側と裏側のきずの深さを評価することが
できる。
【００１８】以上図３、図４、図５の特性から、図１の
渦電流探傷プローブは、きずの長さの影響が小さく、従
来の渦電流探傷プローブでは、探傷が困難であった短い
きずの探傷も可能であることが分かる。また図１の渦電
流探傷プローブは、リフトオフ雑音の影響が小さく、検
査体の表側と裏側のきずの深さを的確に評価できること
が分かる。
渦電流探傷プローブは、きずの長さの影響が小さく、従
来の渦電流探傷プローブでは、探傷が困難であった短い
きずの探傷も可能であることが分かる。また図１の渦電
流探傷プローブは、リフトオフ雑音の影響が小さく、検
査体の表側と裏側のきずの深さを的確に評価できること
が分かる。
【００１９】前記実施の形態の励磁コイルおよび検出コ
イルは、矩形状のコイルについて説明したが、三角形等
の多角形のコイルであってもよい。
イルは、矩形状のコイルについて説明したが、三角形等
の多角形のコイルであってもよい。
【００２０】前記各実施の形態は、渦電流探傷プローブ
について説明したが、その渦電流探傷プローブを用いて
渦電流探傷装置を構成し、検査体のきずの評価を行うこ
とができる。即ち渦電流探傷プローブの検出コイルの出
力は、きず信号検出手段へ供給され、検出コイルのきず
信号が検出される。検出されたきず信号は、きず信号評
価手段へ供給される。きず信号評価手段は、その検出さ
れた検出コイルのきず信号に基づいて、きずを的確に検
知し、きずの深さ等を評価して、表示或いは記録する。
について説明したが、その渦電流探傷プローブを用いて
渦電流探傷装置を構成し、検査体のきずの評価を行うこ
とができる。即ち渦電流探傷プローブの検出コイルの出
力は、きず信号検出手段へ供給され、検出コイルのきず
信号が検出される。検出されたきず信号は、きず信号評
価手段へ供給される。きず信号評価手段は、その検出さ
れた検出コイルのきず信号に基づいて、きずを的確に検
知し、きずの深さ等を評価して、表示或いは記録する。
【００２１】
【発明の効果】本願発明の渦電流探傷プローブは、従来
の渦電流探傷プローブに比べて検査体のきずの長さの影
響が小さく、従来の渦電流探傷プローブでは、探傷が困
難であった短いきずの探傷も可能になった。
の渦電流探傷プローブに比べて検査体のきずの長さの影
響が小さく、従来の渦電流探傷プローブでは、探傷が困
難であった短いきずの探傷も可能になった。
【００２２】また従来の励磁コイルの内側に検出コイル
を配置する形式の渦電流探傷プローブは、短いきずの探
傷には、励磁コイルの内径を小さくして、励磁コイルを
小型にしなければならないが、構造上小型化には限度が
ある。これに対して、本願発明の渦電流探傷プローブ
は、励磁コイルに縦置き型コイルを用いるから、短いき
ずの探傷には、励磁コイルを薄くすることによって対応
することができ、励磁コイルの長さや高さは、必ずしも
変える必要がない。したがって本願発明は、短いきずの
探傷に適し、従来の渦電流探傷プローブでは、探傷が困
難であった短いきずの探傷も可能な渦電流探傷プローブ
を容易に製造することができる。
を配置する形式の渦電流探傷プローブは、短いきずの探
傷には、励磁コイルの内径を小さくして、励磁コイルを
小型にしなければならないが、構造上小型化には限度が
ある。これに対して、本願発明の渦電流探傷プローブ
は、励磁コイルに縦置き型コイルを用いるから、短いき
ずの探傷には、励磁コイルを薄くすることによって対応
することができ、励磁コイルの長さや高さは、必ずしも
変える必要がない。したがって本願発明は、短いきずの
探傷に適し、従来の渦電流探傷プローブでは、探傷が困
難であった短いきずの探傷も可能な渦電流探傷プローブ
を容易に製造することができる。
【００２３】本願発明の渦電流探傷プローブは、リフト
オフ雑音が小さく、Ｓ／Ｎが高くなる。また本願発明の
渦電流探傷プローブは、検査体の表側および裏側のきず
も探傷することができ、かつきずの深さも評価できる。
オフ雑音が小さく、Ｓ／Ｎが高くなる。また本願発明の
渦電流探傷プローブは、検査体の表側および裏側のきず
も探傷することができ、かつきずの深さも評価できる。
【００２４】本願発明の渦電流探傷装置は、本願発明の
渦電流探傷プローブを用いることにより、従来の渦電流
探傷装置よりも短いきずを探傷できるから、検査体のき
ずを的確に検知し、きずの深さ等を的確に評価すること
ができる。
渦電流探傷プローブを用いることにより、従来の渦電流
探傷装置よりも短いきずを探傷できるから、検査体のき
ずを的確に検知し、きずの深さ等を的確に評価すること
ができる。
【図１】本願発明の実施の形態に係る渦電流探傷プロー
ブの平面図と断面図である。
ブの平面図と断面図である。
【図２】図１の渦電流探傷プローブによって発生する渦
電流を説明する図である。
電流を説明する図である。
【図３】図１の渦電流探傷プローブのきずの長さが異な
る場合のきず信号パターンを示す図である。
る場合のきず信号パターンを示す図である。
【図４】図１の渦電流探傷プローブのリフト雑音ときず
信号を示す図である。
信号を示す図である。
【図５】図１の渦電流探傷プローブのきずの深さが異な
る場合のきず信号パターンを示す図である。
る場合のきず信号パターンを示す図である。
【図６】従来の渦電流探傷プローブの斜視図、その渦電
流探傷プローブによって発生する渦電流の概略を示す図
である。
流探傷プローブによって発生する渦電流の概略を示す図
である。
【図７】従来の渦電流探傷プローブのきずの長さが異な
る場合のきず信号パターンを示す図である。
る場合のきず信号パターンを示す図である。
Ｄ１，Ｄ２ 検出コイル
Ｅ 励磁コイル
Ｆ きず
Ｉ，ｉ 渦電流
Claims (4)
- 【請求項１】 縦置き型の励磁コイルと縦置き型の検出
コイルからなり、励磁コイルと検出コイルは、両コイル
のコイル面が交差するように配置してあることを特徴と
する渦電流探傷プローブ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の渦電流探傷プローブに
おいて、検出コイルは、励磁コイルの両側に配置してあ
ることを特徴とする渦電流探傷プローブ。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の渦電流
探傷プローブにおいて、検出コイルのコイル面と励磁コ
イルのコイル面はほぼ直交するように配置してあること
を特徴とする渦電流探傷プローブ。 - 【請求項４】 縦置き型の励磁コイルと縦置き型の検出
コイルからなり、励磁コイルと検出コイルは、両コイル
のコイル面が交差するように配置してある渦電流探傷プ
ローブと、その渦電流探傷プローブの検出コイルの出力
を検出するきず信号検出手段と、そのきず信号検出手段
が検出したきず信号に基づいてきず信号を評価するきず
信号評価手段とを備えていることを特徴とする渦電流探
傷装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002152045A JP3942165B2 (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 渦電流探傷プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002152045A JP3942165B2 (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 渦電流探傷プローブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003344362A true JP2003344362A (ja) | 2003-12-03 |
| JP3942165B2 JP3942165B2 (ja) | 2007-07-11 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002152045A Expired - Fee Related JP3942165B2 (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 渦電流探傷プローブ |
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|---|---|
| JP (1) | JP3942165B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009025105A1 (ja) | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Keiichi Nonogaki | 渦電流探傷方法とその装置 |
| US8289016B2 (en) | 2006-11-21 | 2012-10-16 | Keiichi Nonogaki | Eddy-current flaw detection method and apparatus |
| JP2013242205A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Toshiba Corp | 渦電流探傷装置および方法 |
| JP2014025704A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Toshiba Corp | 渦電流探傷装置 |
| KR101388773B1 (ko) * | 2010-01-14 | 2014-04-23 | 도요타 지도샤（주） | 와전류 계측 센서 및 이 와전류 계측 센서를 이용한 검사 방법 |
| JP2020180959A (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-05 | 健二 飯島 | 磁気センサ素子、磁気検出器、磁気センサ素子を有するモータ及び磁気検出器を有する装置 |
-
2002
- 2002-05-27 JP JP2002152045A patent/JP3942165B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2009025105A1 (ja) | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Keiichi Nonogaki | 渦電流探傷方法とその装置 |
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