KR20200070402A - 트리아진환 함유 중합체 및 그것을 포함하는 조성물 - Google Patents
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Abstract
하기 식(1)으로 표시되는 반복 단위 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 트리아진환 함유 중합체. {식 중, R 및 R'는 서로 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 또는 아르알킬기를 나타내고, Ar은 식(2) 및 (3)으로 표시되는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다. 〔식 중, W1 및 W2는 서로 독립적으로 CR1R2(R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 알킬기(단, 이들은 함께 환을 형성하고 있어도 된다.)를 나타낸다.), C=O, O, S, SO, 또는 SO2를 나타낸다.〕
Description
본 발명은 트리아진환 함유 중합체 및 그것을 포함하는 조성물에 관한 것이다.
지금까지, 트리아진환을 반복 단위에 포함하는 하이퍼브랜치 폴리머가 폴리머 단독으로 고내열성, 고투명성, 고굴절률, 고용해성, 저체적수축률을 달성할 수 있어, 전자 디바이스나 광학 부재를 제작할 때의 막 형성용 재료로서 적합한 것을 이미 알아내었다(특허문헌 1).
그러나, 당해 폴리머를 포함하는 조성물로부터 제작되는 박막을 구비한 광학 재료에서는, 그 골격에 따라서는 광(태양광이나 자외광)에 의한 박막의 열화가 문제가 되는 경우가 있어, 내광성의 향상이 요구되고 있다.
트리아진환 함유 하이퍼브랜치 폴리머를 포함하는 박막의 내광성을 높이는 수단으로서, 자외선흡수제와 광안정제를 첨가하는 수법이 보고되어(특허문헌 2), 이 수법에 의해 어느 정도의 열화 방지가 가능하지만, 시간경과에 따라 굴절률이나 투과율에 변화가 보여 그 효과는 충분하다고는 할 수 없다.
또 지환 구조를 가지는 디아민 원료를 사용함으로써, 하이퍼브랜치 폴리머 그 자체에 높은 내광성을 부여하는 것이 가능한 것이 보고되어 있지만(특허문헌 3), 지환 구조를 사용한 경우, 굴절률과의 트레이드 오프의 관계가 되어, 굴절률이라는 점에서 개량이 요구되고 있을 뿐만아니라, 200℃를 넘는 것 같은 고온에 대한 내열황변성이라는 점에서도 개선의 여지가 있었다.
이에 대해, 본 발명자들은 2개 또는 3개의 벤젠환이 비공역인 원소를 개재시켜 결합한 디아민 유래 골격을 가지는 트리아진환 함유 중합체가, 고굴절률 또한 고내광성의 박막을 부여하는 것이나, 당해 중합체와 각종 가교제를 포함하는 조성물을 사용함으로써, 고굴절률을 유지하면서, 내광성 및 내열황변성이 우수한 경화막이 얻어지는 것을 보고했다(특허문헌 4).
그런데, 액정 표시 소자에 있어서의 스페이서, 절연막, 보호막 등에 있어서, 투명 재료를 사용한 패턴 형성이 행해지고 있어, 지금까지 많은 감광성 네거티브형 조성물 및 감광성 포지티브형 조성물이 이 용도에 제안되어 왔다. 또 액정 표시 소자용 컬러 필터의 백색 화소에도 감광성 수지가 사용되는 일이 있다.
그러나, 상기 특허문헌 4의 트리아진환 함유 중합체는 고굴절률이며, 내광성 및 내열황변성이 우수하지만, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 낮은 점에서, 패턴 형성용 재료로서는 적합하지 않다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 높고, 고굴절률이며 내후성이 우수한 박막을 형성할 수 있음과 아울러, 고굴절률인 미세 패턴도 형성할 수 있는 트리아진환 함유 중합체 및 그것을 포함하는 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 수산기를 가지는 2개의 벤젠환이 비공역인 스페이서기를 개재시켜 결합한 디아민 유래 골격을 가지는 트리아진환 함유 중합체가, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 높은 것,및 고굴절률 또한 고내광성의 박막을 부여하는 것을 알아냄과 아울러, 당해 중합체와 각종 가교제를 포함하는 조성물을 사용함으로써, 고굴절률을 유지하면서, 내광성 및 내열황변성이 우수한 경화막을 형성할 수 있음과 아울러, 고굴절률의 미세 패턴도 형성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은
1. 하기 식(1)으로 표시되는 반복 단위 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 트리아진환 함유 중합체,
{식 중, R 및 R'는 서로 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 또는 아르알킬기를 나타내고, Ar은 식(2) 및 (3)으로 표시되는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다.
〔식 중, W1 및 W2는 서로 독립적으로 CR1R2(R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 알킬기(단, 이들은 함께 환을 형성하고 있어도 된다.)를 나타낸다.), C=O, O, S, SO, 또는 SO2를 나타낸다.〕
2. 상기 W1 및 W2가 서로 독립적으로 CR1R2(R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타낸다.), 또는 O를 나타내는 1의 트리아진환 함유 중합체,
3. 상기 Ar이 식(4)으로 표시되는 1 또는 2의 트리아진환 함유 중합체,
4. 상기 Ar이 식(5)으로 표시되는 3의 트리아진환 함유 중합체,
5. 상기 Ar이 식(6) 또는 (7)으로 표시되는 1 또는 2의 트리아진환 함유 중합체,
6. 상기 Ar이 식(8) 또는 (9)으로 표시되는 5의 트리아진환 함유 중합체,
7. 1 내지 6 중 어느 하나의 트리아진환 함유 중합체와 유기 용매를 포함하는 트리아진계 중합체 함유 조성물,
8. 추가로 가교제를 포함하는 7의 트리아진계 중합체 함유 조성물,
9. 상기 가교제가 다관능 (메타)아크릴 화합물인 8의 트리아진계 중합체 함유 조성물,
10. 7 내지 9 중 어느 하나의 트리아진계 중합체 함유 조성물로부터 얻어지는 막,
11. 8 또는 9의 트리아진계 중합체 함유 조성물로부터 제작된 패턴,
12. 기재와, 이 기재 상에 형성된 10의 막을 구비하는 전자 디바이스,
13. 기재와, 이 기재 상에 형성된 10의 막을 구비하는 광학 부재,
14. 기재와, 이 기재 상에 형성된 11의 패턴을 구비하는 전자 디바이스
를 제공한다.
본 발명에 의하면, 고굴절률이며 내광성이 우수한 박막을 형성할 수 있음과 아울러, 마스킹하여 노광·경화시킨 후, 이것을 알칼리 현상하거나 함으로써 미세 패턴을 형성할 수 있다.
또 이 트리아진환 함유 중합체를 각종 가교제와 조합함으로써, 고굴절률을 유지하면서, 내광성 및 내열황변성이 우수한 경화막을 제작할 수 있다.
본 발명의 조성물로부터 제작된 경화막, 미세 패턴은 가교된 트리아진환 함유 중합체에 의한, 고내광성, 고내열성, 고굴절률, 저체적수축과 같은 특성을 발휘할 수 있기 때문에, 액정 디스플레이, 유기 일렉트로루미네선스(EL) 디스플레이, 터치패널, 광반도체(LED) 소자, 고체 촬상 소자, 유기 박막 태양전지, 색소 증감 태양전지, 유기 박막 트랜지스터(TFT), 렌즈, 프리즘, 카메라, 쌍안경, 현미경, 반도체 노광 장치 등을 제작할 때의 하나의 부재 등, 전자 디바이스나 광학 재료의 분야에 적합하게 이용할 수 있다.
특히, 본 발명의 조성물로부터 제작된 경화막이나 미세 패턴은 투명성이 높고, 굴절률도 높기 때문에, ITO나 은 나노 와이어 등의 투명 도전막의 시인성을 개선할 수 있고, 투명 도전막의 열화를 억제할 수 있다.
또 본 발명의 조성물로부터 제작된 고굴절률 패턴은 상기 서술한 터치패널 등의 투명 전극 패턴 보임 방지, 유기 EL 디스플레이의 광취출 용도나 블랙 매트릭스 용도를 비롯한 고굴절률 패턴이 요구되는 용도에 적합하게 사용할 수 있다.
도 1은 실시예 1-1에서 얻어진 고분자 화합물[3]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 2는 실시예 1-2에서 얻어진 고분자 화합물[5]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 3은 비교예 1-1에서 얻어진 고분자 화합물[7]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 4는 비교예 1-2에서 얻어진 고분자 화합물[8]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 5는 비교예 1-3에서 얻어진 고분자 화합물[10]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 6은 실시예 2-1에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 7은 실시예 2-2에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 8은 비교예 2-1에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 9는 비교예 2-2에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 10은 비교예 2-3에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 11은 실시예 2-1에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 12는 실시예 2-2에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 13은 비교예 2-1에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 14는 비교예 2-2에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 15는 비교예 2-3에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 16은 실시예 4-1에서 제작한 경화막의 내광 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 2는 실시예 1-2에서 얻어진 고분자 화합물[5]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 3은 비교예 1-1에서 얻어진 고분자 화합물[7]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 4는 비교예 1-2에서 얻어진 고분자 화합물[8]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 5는 비교예 1-3에서 얻어진 고분자 화합물[10]의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 6은 실시예 2-1에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 7은 실시예 2-2에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 8은 비교예 2-1에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 9는 비교예 2-2에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 10은 비교예 2-3에서 제작한 피막의 내광성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 11은 실시예 2-1에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 12는 실시예 2-2에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 13은 비교예 2-1에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 14는 비교예 2-2에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 15는 비교예 2-3에서 제작한 경화막의 내열성 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 16은 실시예 4-1에서 제작한 경화막의 내광 시험 전후의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 트리아진환 함유 중합체는 하기 식(1)으로 표시되는 반복 단위 구조를 포함하는 것이다.
상기 식 중, R 및 R'는 서로 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 또는 아르알킬기를 나타내는데, 굴절률을 보다 높인다는 관점에서 모두 수소 원자인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 알킬기의 탄소수로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 1~20이 바람직하고, 폴리머의 내열성을 보다 높이는 것을 고려하면, 탄소수 1~10이 보다 바람직하며, 1~3이 한층 더 바람직하다. 또 그 구조는 쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 된다.
알킬기의 구체예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 시클로프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 시클로부틸, 1-메틸-시클로프로필, 2-메틸-시클로프로필, n-펜틸, 1-메틸-n-부틸, 2-메틸-n-부틸, 3-메틸-n-부틸, 1,1-디메틸-n-프로필, 1,2-디메틸-n-프로필, 2,2-디메틸-n-프로필, 1-에틸-n-프로필, 시클로펜틸, 1-메틸-시클로부틸, 2-메틸-시클로부틸, 3-메틸-시클로부틸, 1,2-디메틸-시클로프로필, 2,3-디메틸-시클로프로필, 1-에틸-시클로프로필, 2-에틸-시클로프로필, n-헥실, 1-메틸-n-펜틸, 2-메틸-n-펜틸, 3-메틸-n-펜틸, 4-메틸-n-펜틸, 1,1-디메틸-n-부틸, 1,2-디메틸-n-부틸, 1,3-디메틸-n-부틸, 2,2-디메틸-n-부틸, 2,3-디메틸-n-부틸, 3,3-디메틸-n-부틸, 1-에틸-n-부틸, 2-에틸-n-부틸, 1,1,2-트리메틸-n-프로필, 1,2,2-트리메틸-n-프로필, 1-에틸-1-메틸-n-프로필, 1-에틸-2-메틸-n-프로필, 시클로헥실, 1-메틸-시클로펜틸, 2-메틸-시클로펜틸, 3-메틸-시클로펜틸, 1-에틸-시클로부틸, 2-에틸-시클로부틸, 3-에틸-시클로부틸, 1,2-디메틸-시클로부틸, 1,3-디메틸-시클로부틸, 2,2-디메틸-시클로부틸, 2,3-디메틸-시클로부틸, 2,4-디메틸-시클로부틸, 3,3-디메틸-시클로부틸, 1-n-프로필-시클로프로필, 2-n-프로필-시클로프로필, 1-이소프로필-시클로프로필, 2-이소프로필-시클로프로필, 1,2,2-트리메틸-시클로프로필, 1,2,3-트리메틸-시클로프로필, 2,2,3-트리메틸-시클로프로필, 1-에틸-2-메틸-시클로프로필, 2-에틸-1-메틸-시클로프로필, 2-에틸-2-메틸-시클로프로필, 2-에틸-3-메틸-시클로프로필기 등을 들 수 있다.
상기 알콕시기의 탄소수로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 1~20이 바람직하고, 폴리머의 내열성을 보다 높이는 것을 고려하면, 탄소수 1~10이 보다 바람직하며, 1~3이 한층 더 바람직하다. 또 그 알킬 부분의 구조는 쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이어도 된다.
알콕시기의 구체예로서는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, 1-메틸-n-부톡시, 2-메틸-n-부톡시, 3-메틸-n-부톡시, 1,1-디메틸-n-프로폭시, 1,2-디메틸-n-프로폭시, 2,2-디메틸-n-프로폭시, 1-에틸-n-프로폭시, n-헥실옥시, 1-메틸-n-펜틸옥시, 2-메틸-n-펜틸옥시, 3-메틸-n-펜틸옥시, 4-메틸-n-펜틸옥시, 1,1-디메틸-n-부톡시, 1,2-디메틸-n-부톡시, 1,3-디메틸-n-부톡시, 2,2-디메틸-n-부톡시, 2,3-디메틸-n-부톡시, 3,3-디메틸-n-부톡시, 1-에틸-n-부톡시, 2-에틸-n-부톡시, 1,1,2-트리메틸-n-프로폭시, 1,2,2-트리메틸-n-프로폭시, 1-에틸-1-메틸-n-프로폭시, 1-에틸-2-메틸-n-프로폭시기 등을 들 수 있다.
상기 아릴기의 탄소수로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 6~40이 바람직하고, 폴리머의 내열성을 보다 높이는 것을 고려하면, 탄소수 6~16이 보다 바람직하며, 6~13이 한층 더 바람직하다.
아릴기의 구체예로서는 페닐, o-클로르페닐, m-클로르페닐, p-클로르페닐, o-플루오로페닐, p-플루오로페닐, o-메톡시페닐, p-메톡시페닐, p-니트로페닐, p-시아노페닐, α-나프틸, β-나프틸, o-비페닐릴, m-비페닐릴, p-비페닐릴, 1-안트릴, 2-안트릴, 9-안트릴, 1-페난트릴, 2-페난트릴, 3-페난트릴, 4-페난트릴, 9-페난트릴기 등을 들 수 있다.
아르알킬기의 탄소수로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 탄소수 7~20이 바람직하고, 그 알킬 부분은 직쇄, 분기, 환상의 어느 것이어도 된다.
그 구체예로서는 벤질, p-메틸페닐메틸, m-메틸페닐메틸, o-에틸페닐메틸, m-에틸페닐메틸, p-에틸페닐메틸, 2-프로필페닐메틸, 4-이소프로필페닐메틸, 4-이소부틸페닐메틸, α-나프틸메틸기 등을 들 수 있다.
상기 Ar은 식(2) 및 (3)으로 표시되는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타내고, 바람직하게는 식(2') 및 (3')으로 표시되는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다.
상기 W1 및 W2는 서로 독립적으로 CR1R2(R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 알킬기(단, 이들은 함께 환을 형성하고 있어도 된다.)를 나타낸다.), C=O, O, S, SO, 또는 SO2를 나타내는데, 특히, CR1R2(R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타낸다.), 또는 O가 바람직하다.
할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있는데, 불소 원자가 바람직하다.
탄소수 1~10의 알킬기로서는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 되고, 예를 들면 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실기 등의 탄소수 1~10의 직쇄 또는 분기쇄상 알킬기; 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 시클로데실, 비시클로부틸, 비시클로펜틸, 비시클로헥실, 비시클로헵틸, 비시클로옥틸, 비시클로노닐, 비시클로데실기 등의 탄소수 3~10의 환상 알킬기 등을 들 수 있는데, 탄소수 1~8의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~5의 알킬기가 보다 바람직하다.
할로겐 원자로 치환된 알킬기의 구체예로서는 탄소수 1~10의 알킬기의 수소 원자의 적어도 1개를 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다.
그 구체예로서는 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필기, 2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸기, 노나플루오로부틸기, 4,4,4-트리플루오로부틸기, 운데카플루오로펜틸기, 2,2,3,3,4,4,5,5,5-노나플루오로펜틸기, 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로펜틸기, 트리데카플루오로헥실기, 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6-운데카플루오로헥실기, 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-데카플루오로헥실기, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실기 등을 들 수 있다.
특히, Ar으로서는 얻어지는 박막이나 경화막의 알칼리 현상액에 대한 용해성을 향상시킨다는 점에서, 식(4), (6) 및 (7)으로 표시되는 적어도 1종이 바람직하고, 식(4') (6') 및 (7')으로 표시되는 적어도 1종이 보다 바람직하며, 식(5), (8) 및 (9)으로 표시되는 적어도 1종이 한층 더 바람직한데, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서의 중합체의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 500~500,000이 바람직하고, 500~100,000이 보다 바람직하며, 보다 내열성을 향상시킴과 아울러, 수축률을 낮게 한다는 점에서, 2,000 이상이 바람직하고, 보다 용해성을 높이고, 얻어진 용액의 점도를 저하시킨다는 점에서, 50,000 이하가 바람직하며, 30,000 이하가 보다 바람직하고, 10,000 이하가 한층 더 바람직하다.
또한 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(이하, GPC라고 한다) 분석에 의한 표준 폴리스티렌 환산으로 얻어지는 평균 분자량이다.
본 발명의 트리아진환 함유 중합체(하이퍼브랜치 폴리머)는 상기 서술한 특허문헌 1에 개시된 수법에 준하여 제조할 수 있다.
예를 들면 하기 스킴 1에 나타내는 바와 같이, 트리아진환 함유 중합체(12)는 트리아진 화합물(10) 및 아릴디아미노 화합물(11)을 적당한 유기 용매 중에서 반응시켜 얻을 수 있다.
(식 중, X는 서로 독립적으로 할로겐 원자를 나타낸다.)
상기 반응에 있어서, 아릴디아미노 화합물(11)의 도입비는 목적으로 하는 중합체가 얻어지는 한 임의이지만, 트리아진 화합물(10) 1당량에 대하여 디아미노 화합물(11) 0.01~10당량이 바람직하고, 1~5당량이 보다 바람직하다.
아릴디아미노 화합물(11)은 니트 상태에서 가해도 되고, 유기 용매에 녹인 용액으로 가해도 되는데, 조작의 용이성이나 반응의 컨트롤의 용이성 등을 고려하면, 후자의 수법이 적합하다.
반응 온도는 사용하는 용매의 융점으로부터 용매의 비점까지의 범위에서 적절히 설정하면 되는데, 특히, -30~150℃정도가 바람직하고, -10~100℃가 보다 바람직하다.
유기 용매로서는 이 종류의 반응에 있어서 통상 사용되는 각종 용매를 사용할 수 있고, 예를 들면 테트라히드로푸란, 디옥산, 디메틸술폭시드; N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 테트라메틸요소, 헥사메틸포스포르아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피페리돈, N,N-디메틸에틸렌요소, N,N,N',N'-테트라메틸말론산아미드, N-메틸카프로락탐, N-아세틸피롤리딘, N,N-디에틸아세트아미드, N-에틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸프로피온산아미드, N,N-디메틸이소부틸아미드, N-메틸포름아미드, N,N'-디메틸프로필렌요소 등의 아미드계 용매, 및 그들의 혼합 용매를 들 수 있다.
그 중에서도 N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 및 그들의 혼합계가 바람직하고, 특히, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈이 적합하다.
또 상기 스킴 1의 반응에서는 중합시 또는 중합 후에 통상 사용되는 각종 염기를 첨가해도 된다.
이 염기의 구체예로서는 탄산칼륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 수산화나트륨, 탄산수소나트륨, 나트륨에톡시드, 아세트산나트륨, 탄산리튬, 수산화리튬, 산화리튬, 아세트산칼륨, 산화마그네슘, 산화칼슘, 수산화바륨, 인산삼리튬, 인산삼나트륨, 인산삼칼륨, 불화세슘, 산화알루미늄, 암모니아, n-프로필아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 디이소프로필아민, 디이소프로필에틸아민, N-메틸피페리딘, 2,2,6,6-테트라메틸-N-메틸피페리딘, 피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, N-메틸모르폴린 등을 들 수 있다.
염기의 첨가량은 트리아진 화합물(10) 1당량에 대하여 1~100당량이 바람직하고, 1~10당량이 보다 바람직하다. 또한 이들 염기는 수용액으로 하여 사용해도 된다.
얻어지는 중합체에는 원료 성분이 잔존하고 있지 않은 것이 바람직한데, 본 발명의 효과를 해치지 않으면 일부의 원료가 잔존하고 있어도 된다.
반응 종료 후, 생성물은 재침법 등에 의해 용이하게 정제할 수 있다.
또한 본 발명에 있어서는 적어도 1개의 말단 트리아진환의 할로겐 원자의 일부를 알킬, 아르알킬, 아릴, 알킬아미노, 알콕시실릴기 함유 알킬아미노, 아르알킬아미노, 아릴아미노, 알콕시, 아르알킬옥시, 아릴옥시, 에스테르기 등으로 캡해도 된다.
이들 중에서도 알킬아미노, 알콕시실릴기 함유 알킬아미노, 아르알킬아미노, 아릴아미노기가 바람직하고, 알킬아미노, 아릴아미노기가 보다 바람직하며, 아릴아미노기가 더욱 바람직하다.
상기 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아르알킬기로서는 상기와 마찬가지의 것을 들 수 있다.
에스테르기의 구체예로서는 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐기 등을 들 수 있다.
알킬아미노기의 구체예로서는 메틸아미노, 에틸아미노, n-프로필아미노, 이소프로필아미노, n-부틸아미노, 이소부틸아미노, s-부틸아미노, t-부틸아미노, n-펜틸아미노, 1-메틸-n-부틸아미노, 2-메틸-n-부틸아미노, 3-메틸-n-부틸아미노, 1,1-디메틸-n-프로필아미노, 1,2-디메틸-n-프로필아미노, 2,2-디메틸-n-프로필아미노, 1-에틸-n-프로필아미노, n-헥실아미노, 1-메틸-n-펜틸아미노, 2-메틸-n-펜틸아미노, 3-메틸-n-펜틸아미노, 4-메틸-n-펜틸아미노, 1,1-디메틸-n-부틸아미노, 1,2-디메틸-n-부틸아미노, 1,3-디메틸-n-부틸아미노, 2,2-디메틸-n-부틸아미노, 2,3-디메틸-n-부틸아미노, 3,3-디메틸-n-부틸아미노, 1-에틸-n-부틸아미노, 2-에틸-n-부틸아미노, 1,1,2-트리메틸-n-프로필아미노, 1,2,2-트리메틸-n-프로필아미노, 1-에틸-1-메틸-n-프로필아미노, 1-에틸-2-메틸-n-프로필아미노기 등을 들 수 있다.
아르알킬아미노기의 구체예로서는 벤질아미노, 메톡시카르보닐페닐메틸아미노, 에톡시카르보닐페닐메틸아미노, p-메틸페닐메틸아미노, m-메틸페닐메틸아미노, o-에틸페닐메틸아미노, m-에틸페닐메틸아미노, p-에틸페닐메틸아미노, 2-프로필페닐메틸아미노, 4-이소프로필페닐메틸아미노, 4-이소부틸페닐메틸아미노, 나프틸메틸아미노, 메톡시카르보닐나프틸메틸아미노, 에톡시카르보닐나프틸메틸아미노기 등을 들 수 있다.
아릴아미노기의 구체예로서는 페닐아미노, 메톡시카르보닐페닐아미노, 에톡시카르보닐페닐아미노, 나프틸아미노, 메톡시카르보닐나프틸아미노, 에톡시카르보닐나프틸아미노, 안트라닐아미노, 피레닐아미노, 비페닐아미노, 터페닐아미노, 플루오레닐아미노기 등을 들 수 있다.
알콕시실릴기 함유 알킬아미노기로서는 모노알콕시실릴기 함유 알킬아미노, 디알콕시실릴기 함유 알킬아미노, 트리알콕시실릴기 함유 알킬아미노기의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 3-트리메톡시실릴프로필아미노, 3-트리에톡시실릴프로필아미노, 3-디메틸에톡시실릴프로필아미노, 3-메틸디에톡시실릴프로필아미노, N-(2-아미노에틸)-3-디메틸메톡시실릴프로필아미노, N-(2-아미노에틸)-3-메틸디메톡시실릴프로필아미노, N-(2-아미노에틸)-3-트리메톡시실릴프로필아미노기 등을 들 수 있다.
아릴옥시기의 구체예로서는 페녹시, 나프톡시, 안트라닐옥시, 피레닐옥시, 비페닐옥시, 터페닐옥시, 플루오레닐옥시기 등을 들 수 있다.
아르알킬옥시기의 구체예로서는 벤질옥시, p-메틸페닐메틸옥시, m-메틸페닐메틸옥시, o-에틸페닐메틸옥시, m-에틸페닐메틸옥시, p-에틸페닐메틸옥시, 2-프로필페닐메틸옥시, 4-이소프로필페닐메틸옥시, 4-이소부틸페닐메틸옥시, α-나프틸메틸옥시기 등을 들 수 있다.
이들 기는 트리아진환 상의 할로겐 원자를 대응하는 치환기를 부여하는 화합물로 치환함으로써 용이하게 도입할 수 있고, 예를 들면 하기 식 스킴 2에 나타내는 바와 같이, 아닐린 유도체를 가하여 반응시킴으로써, 적어도 1개의 말단에 페닐아미노기를 가지는 고분기 중합체(13)가 얻어진다.
(식 중, X 및 R은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)
이 때, 유기 모노아민의 동시 도입을 행한다, 즉, 유기 모노아민의 존재하에서 할로겐화시아누르 화합물과, 디아미노아릴 화합물을 반응시킴으로써, 하이퍼브랜치 폴리머의 강직성이 완화된, 분기도가 낮은 부드러운 하이퍼브랜치 폴리머를 얻을 수 있다.
여기서, 유기 모노아민으로서는 알킬모노아민, 아르알킬모노아민, 아릴모노아민의 어느 것을 사용할 수도 있다.
알킬모노아민으로서는 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, s-부틸아민, t-부틸아민, n-펜틸아민, 1-메틸-n-부틸아민, 2-메틸-n-부틸아민, 3-메틸-n-부틸아민, 1,1-디메틸-n-프로필아민, 1,2-디메틸-n-프로필아민, 2,2-디메틸-n-프로필아민, 1-에틸-n-프로필아민, n-헥실아민, 1-메틸-n-펜틸아민, 2-메틸-n-펜틸아민, 3-메틸-n-펜틸아민, 4-메틸-n-펜틸아민, 1,1-디메틸-n-부틸아민, 1,2-디메틸-n-부틸아민, 1,3-디메틸-n-부틸아민, 2,2-디메틸-n-부틸아민, 2,3-디메틸-n-부틸아민, 3,3-디메틸-n-부틸아민, 1-에틸-n-부틸아민, 2-에틸-n-부틸아민, 1,1,2-트리메틸-n-프로필아민, 1,2,2-트리메틸-n-프로필아민, 1-에틸-1-메틸-n-프로필아민, 1-에틸-2-메틸-n-프로필아민, 2-에틸헥실아민 등을 들 수 있다.
아르알킬모노아민의 구체예로서는 벤질아민, p-메톡시카르보닐벤질아민, p-에톡시카르보닐페닐벤질, p-메틸벤질아민, m-메틸벤질아민, o-메톡시벤질아민 등을 들 수 있다.
아릴모노아민의 구체예로서는 아닐린, p-메톡시카르보닐아닐린, p-에톡시카르보닐아닐린, p-메톡시아닐린, 1-나프틸아민, 2-나프틸아민, 안트라닐아민, 1-아미노피렌, 4-비페닐릴아민, o-페닐아닐린, 4-아미노-p-터페닐, 2-아미노플루오렌 등을 들 수 있다.
이 경우, 유기 모노아민의 사용량은 할로겐화시아누르 화합물에 대하여 0.05~500당량으로 하는 것이 바람직하고, 0.05~120당량이 보다 바람직하며, 0.05~50당량이 한층 더 바람직하다.
또 반응 온도는 리니어성을 억제하고, 분기도를 높인다는 점에서, 반응 온도는 60~150℃가 바람직하고, 80~150℃가 보다 바람직하며, 80~120℃가 한층 더 바람직하다.
또 이와 같은 유기 모노아민의 존재하에서, 할로겐화시아누르 화합물과 디아미노아릴 화합물을 반응시키는 반응은 상기 서술과 마찬가지의 유기 용매를 사용하여 행해도 된다.
상기 서술한 본 발명의 트리아진환 함유 중합체는 그 단독으로 또는 가교제와 함께 막 형성용 조성물이나 패턴 형성용 조성물로서 적합하게 사용할 수 있다.
가교제로서는 상기 서술한 트리아진환 함유 중합체와 반응할 수 있는 치환기를 가지는 화합물이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
그러한 화합물로서는 메틸올기, 메톡시메틸기 등의 가교 형성 치환기를 가지는 멜라민계 화합물, 치환 요소계 화합물, 에폭시기 또는 옥세탄기 등의 가교 형성 치환기를 함유하는 화합물, 블록화 이소시아나토를 함유하는 화합물, 산 무수물을 가지는 화합물, (메타)아크릴기를 가지는 화합물, 페노플라스트 화합물 등을 들 수 있는데, 내열성이나 보존 안정성의 관점에서 에폭시기, 블록 이소시아네이트기, (메타)아크릴기를 함유하는 화합물이 바람직하고, 특히, 블록 이소시아네이트기를 가지는 화합물이나, 개시제를 사용하지 않아도 광경화 가능한 조성물을 부여하는 다관능 에폭시 화합물 및/또는 다관능 (메타)아크릴 화합물이 바람직하다.
또한 이들 화합물은 중합체의 말단 처리에 사용하는 경우에는 적어도 1개의 가교 형성 치환기를 가지고 있으면 되고, 중합체끼리의 가교 처리에 사용하는 경우에는 적어도 2개의 가교 형성 치환기를 가질 필요가 있다.
다관능 에폭시 화합물로서는 에폭시기를 1분자 중 2개 이상 가지는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
그 구체예로서는 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 1,2-에폭시-4-(에폭시에틸)시클로헥산, 글리세롤트리글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 2,6-디글리시딜페닐글리시딜에테르, 1,1,3-트리스[p-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]프로판, 1,2-시클로헥산디카르복실산디글리시딜에스테르, 4,4'-메틸렌비스(N,N-디글리시딜아닐린), 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 트리메틸올에탄트리글리시딜에테르, 비스페놀-A-디글리시딜에테르, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
또 시판품으로서, 적어도 2개의 에폭시기를 가지는 에폭시 수지인, YH-434, YH434L(도토카세이(주)제), 시클로헥센옥사이드 구조를 가지는 에폭시 수지인, 에폴리드 GT-401, 동 GT-403, 동 GT-301, 동 GT-302, 셀록사이드 2021, 동 3000(다이셀카가쿠코교(주)제), 비스페놀A형 에폭시 수지인, jER1001, 동 1002, 동 1003, 동 1004, 동 1007, 동 1009, 동 1010, 동 828(이상, 미츠비시케미컬(주)제), 비스페놀F형 에폭시 수지인, jER807(미츠비시케미컬(주)제), 페놀 노볼락형 에폭시 수지인, jER152, 동 154(이상, 미츠비시케미컬(주)제), EPPN201, 동 202(이상, 닛폰카야쿠(주)제), 크레졸 노볼락형 에폭시 수지인, EOCN-102, 동 103S, 동 104S, 동 1020, 동 1025, 동 1027(이상, 닛폰카야쿠(주)제), jER180S75(미츠비시케미컬(주)제), 지환식 에폭시 수지인, 데나콜 EX-252(나가세켐텍스(주)제), CY175, CY177, CY179(이상, CIBA-GEIGY A.G제), 아랄다이트 CY-182, 동 CY-192, 동 CY-184(이상, CIBA-GEIGY A.G제), 에피클론 200, 동 400(이상, DIC(주)제), jER871, 동 872(이상, 미츠비시케미컬(주)제), ED-5661, ED-5662(이상, 셀라니즈코팅(주)제), 지방족 폴리글리시딜에테르인, 데나콜 EX-611, 동 EX-612, 동 EX-614, 동 EX-622, 동 EX-411, 동 EX-512, 동 EX-522, 동 EX-421, 동 EX-313, 동 EX-314, 동 EX-321(나가세켐텍스(주)제) 등을 사용할 수도 있다.
다관능 (메타)아크릴 화합물로서는 (메타)아크릴기를 1분자 중 2개 이상 가지는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
그 구체예로서는 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 에톡시화 비스페놀A 디아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀A 디메타크릴레이트, 에톡시화 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 에톡시화 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 에톡시화 글리세린트리아크릴레이트, 에톡시화 글리세린트리메타크릴레이트, 에톡시화 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 에톡시화 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 에톡시화 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 폴리글리세린모노에틸렌옥사이드폴리아크릴레이트, 폴리글리세린폴리에틸렌글리콜폴리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 다염기산 변성 아크릴올리고머 등을 들 수 있다.
또 다관능 (메타)아크릴 화합물은 시판품으로서 입수가 가능하며, 그 구체예로서는 NK에스테르 A-200, 동 A-400, 동 A-600, 동 A-1000, 동 A-9300(이소시아누르산트리스(2-아크릴로일옥시에틸)), 동 A-9300-1CL, 동 A-TMPT, 동 UA-53H, 동 1G, 동 2G, 동 3G, 동 4G, 동 9G, 동 14G, 동 23G, 동 ABE-300, 동 A-BPE-4, 동 A-BPE-6, 동 A-BPE-10, 동 A-BPE-20, 동 A-BPE-30, 동 BPE-80N, 동 BPE-100N, 동 BPE-200, 동 BPE-500, 동 BPE-900, 동 BPE-1300N, 동 A-GLY-3E, 동 A-GLY-9E, 동 A-GLY-20E, 동 A-TMPT-3EO, 동 A-TMPT-9EO, 동 AT-20E, 동 ATM-4E, 동 ATM-35E, A-DPH, 동 A-TMPT, 동 A-DCP, 동 A-HD-N, 동 TMPT, 동 DCP, 동 NPG, 동 HD-N, 동 A-DPH-48E, 동 A-DPH-96E, NK올리고 U-15HA, NK폴리머 바나레진 GH-1203(이상, 신나카무라카가쿠코교(주)제), KAYARAD(등록상표) DPHA, 동 NPGDA, 동 PET30, 동 DPEA-12, 동 PEG400DA, 동 THE-330, 동 RP-1040, DN-0075(이상, 닛폰카야쿠(주)제), 아로닉스 M-210, 동 M-303, 동 M-305, 동 M-306, 동 M-309, 동 M-306, 동 M-310, 동 M-313, 동 M-315, 동 M-321, 동 M-350, 동 M-360, 동 M-400, 동 M-402, 동 M-403, 동 M-404, 동 M-405, 동 M-406, 동 M-408, 동 M-450, 동 M-452, 동 M-460(이상, 도아고세이(주)제), DPGDA, HDDA, TPGDA, HPNDA, PETIA, PETRA, TMPTA, TMPEOTA, EBECRYL11, 동 40, 동 135, 동 140, 동 145, 동 150, 동 180, 동 1142, 동 204, 동 205, 동 210, 동 215, 동 220, 동 230, 동 244, 동 245, 동 265, 동 270, 동 280/15IB, 동 284, 동 294/25HD, 동 303, 동 436, 동 438, 동 446, 동 450, 동 524, 동 525, 동 600, 동 605, 동 645, 동 648, 동 767, 동 770, 동 800, 동 810, 동 811, 동 812, 동 846, 동 851, 동 852, 동 853, 동 860, 동 884, 동 885, 동 1259, 동 1290, 동 1606, 동 1830, 동 1870, 동 3500, 동 3603, 동 3608, 동 3700, 동 3701, 동 3702, 동 3703, 동 3708, 동 4820, 동 4858, 동 5129, 동 6040, 동 8210, 동 8454, 동 8301R, 동 8307, 동 8311, 동 8402, 동 8405, 동 8411, 동 8465, 동 8701, 동 8800, 동 8804, 동 8807, 동 9270, 동 9227EA, 동 936, KRM8200, 동 8200AE, 동 7735, 동 8296, 동 08452, 동 8904, 동 8528, 동 8912, OTA480, IRR214-K, 동 616, 동 679, 동 742, 동 793, PEG400DA-D(ACA)Z200M, 동 Z230AA, 동 Z250, 동 Z251, 동 Z300, 동 Z320, 동 Z254F(이상, 다이셀·올넥스(주)제) 등을 들 수 있다.
상기 다염기산 변성 아크릴올리고머도 시판품으로서 입수가 가능하며, 그 구체예로서는 아로닉스 M-510, 520(이상, 도아고세이(주)제) 등을 들 수 있다.
산 무수물 화합물로서는 2분자의 카르복실산을 탈수 축합시킨 카르복실산 무수물이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 그 구체예로서는 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 무수 나딕산, 무수 메틸나딕산, 무수 말레인산, 무수 숙신산, 옥틸 무수 숙신산, 도데세닐 무수 숙신산 등의 분자 내에 1개의 산 무수물기를 가지는 것; 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 피로멜리트산 무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산 이무수물, 비시클로[3.3.0]옥탄-2,4,6,8-테트라카르복실산 이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 1,3-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물 등의 분자 내에 2개의 산 무수물기를 가지는 것 등을 들 수 있다.
블록화 이소시아네이트를 함유하는 화합물로서는 이소시아네이트기(-NCO)가 적당한 보호기에 의해 블록된 블록화 이소시아네이트기를 1분자 중 2개 이상 가지고, 열경화시의 고온에 노출되면, 보호기(블록 부분)가 열해리하여 풀어지고, 생긴 이소시아네이트기가 수지와의 사이에서 가교 반응을 일으키는 것이면 특별히 한정 되는 것은 아니며, 예를 들면 하기 식으로 표시되는 기를 1분자 중 2개 이상(또한 이들 기는 동일한 것이어도 되고, 또 각각 상이한 것이어도 된다) 가지는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, Rb는 유기기를 나타낸다.)
이와 같은 화합물은 예를 들면 1분자 중 2개 이상의 이소시아네이트기를 가지는 화합물에 대하여 적당한 블록제를 반응시켜 얻을 수 있다.
1분자 중 2개 이상의 이소시아네이트기를 가지는 화합물로서는 예를 들면 이소포론디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 메틸렌비스(4-시클로헥실이소시아네이트), 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 폴리이소시아네이트나, 이들의 이량체, 삼량체, 및 이들과 디올류, 트리올류, 디아민류, 또는 트리아민류와의 반응물 등을 들 수 있다.
블록제로서는 예를 들면 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, n-부탄올, 2-에톡시헥산올, 2-N,N-디메틸아미노에탄올, 2-에톡시에탄올, 시클로헥산올 등의 알코올류; 페놀, o-니트로페놀, p-클로로페놀, o-, m- 또는 p-크레졸 등의 페놀류; ε-카프로락탐 등의 락탐류, 아세톤옥심, 메틸에틸케톤옥심, 메틸이소부틸케톤옥심, 시클로헥산온옥심, 아세토페논옥심, 벤조페논옥심 등의 옥심류; 피라졸, 3,5-디메틸피라졸, 3-메틸피라졸 등의 피라졸류; 도데칸티올, 벤젠티올 등의 티올류 등을 들 수 있다.
블록화 이소시아네이트를 함유하는 화합물은 시판품으로서도 입수가 가능하며, 그 구체예로서는 다케네이트(등록상표) B-830, B-815N, B-842N, B-870N, B-874N, B-882N, B-7005, B-7030, B-7075, B-5010(이상, 미츠이카가쿠폴리우레탄(주)제), 듀라네이트(등록상표) 17B-60PX, 동 TPA-B80E, 동 MF-B60X, 동 MF-K60X, 동 E402-B80T(이상, 아사히카세이케미컬즈(주)제), 카렌즈 MOI-BM(등록상표)(이상, 쇼와덴코(주)제), TRIXENE BI7950, 동 7951, 동 7960, 동 7961, 동 7982, 동 7990, 동 7991, 동 7992(등록상표)(이상, Baxenden Chemical사)제 등을 들 수 있다.
아미노플라스트 화합물로서는 메톡시메틸렌기를 1분자 중 2개 이상 가지는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 헥사메톡시메틸멜라민 CYMEL(등록상표) 303, 테트라부톡시메틸글리콜우릴 동 1170, 테트라메톡시메틸벤조구아나민 동 1123(이상, 올넥스(주)제) 등의 사이멜 시리즈, 메틸화멜라민 수지인 니카락(등록상표) MW-30HM, 동 MW-390, 동 MW-100LM, 동 MX-750LM, 메틸화요소 수지인 동 MX-270, 동 MX-280, 동 MX-290(이상, (주)산와케미컬제) 등의 니카락 시리즈 등의 멜라민계 화합물을 들 수 있다.
옥세탄 화합물로서는 옥세타닐기를 1분자 중 2개 이상 가지는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 옥세타닐기를 함유하는 아론옥세탄(등록상표) OXT-221, OX-SQ-H, OX-SC(이상, 도아고세이(주)제) 등을 들 수 있다.
페노플라스트 화합물은 히드록시메틸렌기를 1분자 중 2개 이상 가지고, 그리고 열경화시의 고온에 노출되면, 본 발명의 중합체와의 사이에서 탈수 축합 반응에 의해 가교 반응이 진행되는 것이다.
페노플라스트 화합물로서는 예를 들면 2,6-디히드록시메틸-4-메틸페놀, 2,4-디히드록시메틸-6-메틸페놀, 비스(2-히드록시-3-히드록시메틸-5-메틸페닐)메탄, 비스(4-히드록시-3-히드록시메틸-5-메틸페닐)메탄, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디히드록시메틸페닐)프로판, 비스(3-포르밀-4-히드록시페닐)메탄, 비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)포르밀메탄, α,α-비스(4-히드록시-2,5-디메틸페닐)-4-포르밀톨루엔 등을 들 수 있다.
페노플라스트 화합물은 시판품으로서도 입수가 가능하며, 그 구체예로서는 26DMPC, 46DMOC, DM-BIPC-F, DM-BIOC-F, TM-BIP-A, BISA-F, BI25X-DF, BI25X-TPA(이상, 아사히유키자이코교(주)제) 등을 들 수 있다.
또 PET나 폴리올레핀 필름 등의 보호 필름에 본 발명의 트리아진환 함유 중합체로 이루어지는 박막을 적층하고, 보호 필름을 개재시켜 광조사하는 경우, 박막 적층 필름에 있어서도 산소 저해를 받지 않고 양호한 경화성을 얻을 수 있다. 이 경우, 보호 필름은 경화 후에 박리할 필요가 있기 때문에, 박리성이 양호한 박막을 부여하는 다염기산 변성 아크릴올리고머를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 서술한 가교제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 가교제의 사용량은 트리아진환 함유 중합체 100질량부에 대하여 1~100질량부가 바람직한데, 용제 내성을 고려하면, 그 하한은 바람직하게는 2질량부, 보다 바람직하게는 5질량부이며, 또한 굴절률을 컨트롤하는 것을 고려하면, 그 상한은 바람직하게는 20질량부, 보다 바람직하게는 15질량부이다.
본 발명의 조성물에는 각각의 가교제에 따른 개시제를 배합할 수도 있다. 또한 상기 서술한 바와 같이, 가교제로서 다관능 에폭시 화합물 및/또는 다관능 (메타)아크릴 화합물을 사용하는 경우, 개시제를 사용하지 않아도 광경화가 진행하여 경화막을 부여하는 것인데, 그 경우에 개시제를 사용해도 상관없다.
다관능 에폭시 화합물을 가교제로서 사용하는 경우에는 광산 발생제나 광염기 발생제를 사용할 수 있다.
광산 발생제로서는 공지의 것으로부터 적절히 선택하여 사용하면 되고, 예를 들면 디아조늄염, 술포늄염이나 요오도늄염 등의 오늄염 유도체를 사용할 수 있다.
그 구체예로서는 페닐디아조늄헥사플루오로포스페이트, 4-메톡시페닐디아조늄헥사플루오로안티모네이트, 4-메틸페닐디아조늄헥사플루오로포스페이트 등의 아릴디아조늄염; 디페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트, 디(4-메틸페닐)요오도늄헥사플루오로포스페이트, 디(4-tert-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로포스페이트 등의 디아릴요오도늄염; 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 트리스(4-메톡시페닐)술포늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐-4-티오페녹시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐-4-티오페녹시페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 4,4'-비스(디페닐술포니오)페닐술피드-비스헥사플루오로안티모네이트, 4,4'-비스(디페닐술포니오)페닐술피드-비스헥사플루오로포스페이트, 4,4'-비스[디(β-히드록시에톡시)페닐술포니오]페닐술피드-비스헥사플루오로안티모네이트, 4,4'-비스[디(β-히드록시에톡시)페닐술포니오]페닐술피드-비스-헥사플루오로포스페이트, 4-[4'-(벤조일)페닐티오]페닐-디(4-플루오로페닐)술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-[4'-(벤조일)페닐티오]페닐-디(4-플루오로페닐)술포늄헥사플루오로포스페이트 등의 트리아릴술포늄염 등을 들 수 있다.
이들 오늄염은 시판품을 사용해도 되고, 그 구체예로서는 산에이드(등록상표) SI-60, SI-80, SI-100, SI-60L, SI-80L, SI-100L, SI-L145, SI-L150, SI-L160, SI-L110, SI-L147(이상, 산신카가쿠코교(주)제), UVI-6950, UVI-6970, UVI-6974, UVI-6990, UVI-6992(이상, 유니온카바이드사제), CPI(등록상표)-100P, CPI-100A, CPI-200K, CPI-200S(이상, 산아프로(주)제), 아데카옵토머 SP-150, SP-151, SP-170, SP-171(이상, ADEKA(주)제), 이르가큐어(등록상표) 261(BASF사제), CI-2481, CI-2624, CI-2639, CI-2064(이상, 닛폰소다(주)제), CD-1010, CD-1011, CD-1012(이상, 사토머사제), DS-100, DS-101, DAM-101, DAM-102, DAM-105, DAM-201, DSM-301, NAI-100, NAI-101, NAI-105, NAI-106, SI-100, SI-101, SI-105, SI-106, PI-105, NDI-105, BENZOIN TOSYLATE, MBZ-101, MBZ-301, PYR-100, PYR-200, DNB-101, NB-101, NB-201, BBI-101, BBI-102, BBI-103, BBI-109(이상, 미도리카가쿠(주)제), PCI-061T, PCI-062T, PCI-020T, PCI-022T(이상, 닛폰카야쿠(주)제), IBPF, IBCF(산와케미컬(주)제) 등을 들 수 있다.
한편, 광염기 발생제로서도 공지의 것으로부터 적절히 선택하여 사용하면 되고, 예를 들면 Co-아민 착체계, 옥심카르복실산에스테르계, 카르바민산에스테르계, 사급 암모늄염계 광염기 발생제 등을 사용할 수 있다.
그 구체예로서는 2-니트로벤질시클로헥실카르바메이트, 트리페닐메탄올, O-카르바모일히드록실아미드, O-카르바모일옥심, [[(2,6-디니트로벤질)옥시]카르보닐]시클로헥실아민, 비스[[(2-니트로벤질)옥시]카르보닐]헥산1,6-디아민, 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모르폴리노에탄, (4-모르폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판, N-(2-니트로벤질옥시카르보닐)피롤리딘, 헥사암민코발트(III)트리스(트리페닐메틸보레이트), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온, 2,6-디메틸-3,5-디아세틸-4-(2'-니트로페닐)-1,4-디히드로피리딘, 2,6-디메틸-3,5-디 아세틸-4-(2',4'-디니트로페닐)-1,4-디히드로피리딘 등을 들 수 있다.
또 광염기 발생제는 시판품을 사용해도 되고, 그 구체예로서는 TPS-OH, NBC-101, ANC-101(모두 제품명, 미도리카가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.
광산 또는 염기 발생제를 사용하는 경우, 다관능 에폭시 화합물 100질량부에 대하여 0.1~15질량부의 범위에서 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1~10질량부의 범위이다.
또한 필요에 따라 에폭시 수지 경화제를 다관능 에폭시 화합물 100질량부에 대하여 1~100질량부의 양으로 배합해도 된다.
한편, 다관능 (메타)아크릴 화합물을 사용하는 경우에는 광 래디컬 중합 개시제를 사용할 수 있다.
광 래디컬 중합 개시제로서도 공지의 것으로부터 적절히 선택하여 사용하면 되고, 예를 들면 아세토페논류, 벤조페논류, 미힐러의 벤조일벤조에이트, 아밀옥심에스테르, 옥심에스테르류, 테트라메틸티우람모노설파이드 및 티옥산톤류 등을 들 수 있다.
특히, 광개열형의 광 래디컬 중합 개시제가 바람직하다. 광 개열형의 광 래디컬 중합 개시제에 대해서는 최신 UV 경화 기술(159페이지, 발행인:다카스스키 가즈히로, 발행소:(주)기주츠죠호쿄카이, 1991년 발행)에 기재되어 있다.
시판되는 광 래디컬 중합 개시제로서는 예를 들면 이르가큐어(등록상표) 127, 184, 369, 379, 379EG, 651, 500, 754, 819, 903, 907, 784, 1173, 2959, CGI1700, CGI1750, CGI1850, CG24-61, OXE01, OXE02, 다로큐어(등록상표) 1116, 1173, MBF, 루시린 TPO(이상, BASF사제), 유베크릴(등록상표) P36(사이테크서피스스페셜리티즈사제), ESACURE(등록상표) KIP150, KIP65LT, KIP100F, KT37, KT55, KTO46, KIP75/B(이상, 람베르티사제) 등을 들 수 있다.
광 래디컬 중합 개시제를 사용하는 경우, 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물 100질량부에 대하여 0.1~200질량부의 범위에서 사용하는 것이 바람직하고, 1~150질량부의 범위에서 사용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 조성물에는 각종 용매를 첨가하고, 트리아진환 함유 중합체를 용해시켜 사용하는 것이 바람직하다.
용매로서는 예를 들면 물, 톨루엔, p-크실렌, o-크실렌, m-크실렌, 에틸벤젠, 스티렌, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 1-옥탄올, 에틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 1-메톡시-2-부탄올, 시클로헥산올, 디아세톤알코올, 푸르푸릴알코올, 테트라히드로푸르푸릴알코올, 프로필렌글리콜, 벤질알코올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 2,3-부탄디올, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소프로필케톤, 디에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 메틸노말부틸케톤, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산노말프로필, 아세트산이소부틸, 아세트산노말부틸, 락트산에틸, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, tert-부탄올, 알릴알코올, 노말프로판올, 2-메틸-2-부탄올, 이소부탄올, 노말부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 1-펜탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 2-에틸헥산올, 1-메톡시-2-프로판올, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, N-시클로헥실-2-피롤리디논 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다.
이 때, 조성물 중의 고형분 농도는 보존 안정성에 영향을 주지 않는 범위이면 특별히 한정되지 않고, 목적으로 하는 막의 두께에 따라 적절히 설정하면 된다. 구체적으로는 용해성 및 보존 안정성의 관점에서, 고형분 농도 0.1~50질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~40질량%이다.
본 발명의 조성물에는 본 발명의 효과를 해치지 않는 한, 트리아진환 함유 중합체, 가교제 및 용매 이외의 그 밖의 성분, 예를 들면 레벨링제, 계면활성제, 실란커플링제, 산화방지제, 방청제, 이형제, 가소제, 소포제, 증점제, 분산제, 대전방지제, 침강방지제, 안료, 염료, 자외선 흡수제, 광안정제, 무기 미립자 등의 첨가제가 포함되어 있어도 된다.
계면활성제로서는 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류; 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류; 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머류; 소르비탄모노라우레이트, 소르비탄모노팔미테이트, 소르비탄모노스테아레이트, 소르비탄모노올레에이트, 소르비탄트리올레에이트, 소르비탄트리스테아레이트 등의 소르비탄 지방산 에스테르류; 폴리옥시에틸렌소르비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리올레에이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산 에스테르류 등의 노니온계 계면활성제, 상품명 에프톱 EF301, EF303, EF352(미츠비시머테리얼덴시카세이(주)제(구 (주)젬코제)), 메가팍 F171, F173, R-08, R-30, R-40, R-41, F-114, F-410, F-430, F-444, F-477, F-552, F-553, F-554, F-555, F-556, F-557, F-558, F-559, F-561, F-562, RS-75, RS-72-K, RS-76-E, RS-76NS, RS-77(DIC(주)제), 플루오라드 FC430, FC431(스미토모쓰리엠(주)제), 아사히가드 AG 710, 서플론 S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히글래스(주)제) 등의 불소계 계면활성제, 오르가노실록산 폴리머 KP341(신에츠카가쿠코교(주)제), BYK-302, BYK-307, BYK-322, BYK-323, BYK-330, BYK-333, BYK-370, BYK-375, BYK-378(빅케미·재팬(주)제) 등을 들 수 있다.
이들 계면활성제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 계면활성제의 사용량은 트리아진환 함유 중합체 100질량부에 대하여 0.0001~5질량부가 바람직하고, 0.001~1질량부가 보다 바람직하며, 0.01~0.5질량부가 한층 더 바람직하다.
무기 미립자로서는 예를 들면 Be, Al, Si, Ti, V, Fe, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, In, Sn, Sb, Ta, W, Pb, Bi 및 Ce로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속의 산화물, 황화물 또는 질화물을 들 수 있고, 특히, 이들의 금속 산화물이 적합하다. 또한 무기 미립자는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
금속 산화물의 구체예로서는 Al2O3, ZnO, TiO2, ZrO2, Fe2O3, Sb2O5, BeO, ZnO, SnO2, CeO2, SiO2, WO3 등을 들 수 있다.
또 복수의 금속 산화물을 복합 산화물로서 사용하는 것도 유효하다. 복합 산화물이란 미립자의 제조 단계에서 2종 이상의 무기 산화물을 혼합시킨 것이다. 예를 들면 TiO2와 ZrO2, TiO2와 ZrO2와 SnO2, ZrO2와 SnO2와의 복합 산화물 등을 들 수 있다.
또한 상기 금속의 화합물이어도 된다. 예를 들면 ZnSb2O6, BaTiO3, SrTiO3, SrSnO3 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있고, 또한 상기한 산화물과 혼합하여 사용해도 된다.
또한 상기 그 밖의 성분은 본 발명의 조성물을 조제할 때의 임의의 공정에서 첨가할 수 있다.
본 발명의 막 형성용 조성물은 기재에 도포하고, 그 후, 필요에 따라 가열하여 용제를 증발시킨 후, 가열 또는 광조사하여 소망하는 경화막으로 할 수 있다.
조성물의 도포 방법은 임의이며, 예를 들면 스핀 코트법, 딥법, 플로우 코트법, 잉크젯법, 젯 디스펜서법, 스프레이법, 바 코트법, 그라비어 코트법, 슬릿 코트법, 롤 코트법, 전사인쇄법, 솔칠, 블레이드 코트법, 에어나이프 코트법 등의 방법을 채용할 수 있다.
또 기재로서는 실리콘, 인듐주석 산화물(ITO)이 성막된 유리, 인듐아연 산화물(IZO)이 성막된 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 플라스틱, 유리, 석영, 세라믹스 등으로 이루어지는 기재 등을 들 수 있고, 가요성을 가지는 플렉서블 기재를 사용할 수도 있다.
소성 온도는 용매를 증발시킬 목적에서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 110~400℃에서 행할 수 있다.
소성 방법으로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 핫플레이트나 오븐을 사용하여, 대기, 질소 등의 불활성 가스, 진공 중 등의 적절한 분위기하에서 증발시키면 된다.
소성 온도 및 소성 시간은 목적으로 하는 전자 디바이스의 프로세스 공정에 적합한 조건을 선택하면 되고, 얻어지는 막의 물성값이 전자 디바이스의 요구 특성에 적합하게 하는 소성 조건을 선택하면 된다.
광조사하는 경우의 조건도 특별히 한정되는 것은 아니며, 사용하는 트리아진환 함유 중합체 및 가교제에 따라, 적절한 조사 에너지 및 시간을 채용하면 된다.
또 상기 조성물을 광조사로 경화막을 제작함에 있어서, 마스크를 개재시켜 광조사한 후, 현상액으로 현상함으로써 미세 패턴을 형성할 수도 있다.
이 경우, 노광 후의 현상은 예를 들면 유기 용매 현상액 또는 수성 현상액 중에 노광 수지를 침지시켜 행할 수 있다.
유기 용매 현상액의 구체예로서는 PGME, PGMEA, PGME와 PGMEA의 혼합 용매, NMP, γ-부티로락톤, DMSO 등을 들 수 있고, 한편, 수성 현상액의 구체예로서는 탄산나트륨, 탄산칼륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄히드록시드 등의 알칼리 수용액을 들 수 있다.
네거티브형의 패턴 형성용 조성물로 하는 경우, 상기 조성물에 추가로 옥실란환 함유 화합물과, 광경화형 촉매를 배합해도 된다.
옥실란환 함유 화합물로서는 분자 내에 옥실란환을 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 가지는 것을 들 수 있고, 그 구체예로서는 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 에폭시 변성 폴리부타디엔 수지, 옥세탄 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
옥실란환 함유 화합물의 배합량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 트리아진환 함유 중합체 100질량부에 대하여 10~400질량부정도로 할 수 있다.
광경화형 촉매로서는 광 카티온 발생제를 들 수 있다. 광 카티온 발생제의 구체예로서는 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 등의 트리아릴술포늄염; 트리아릴셀레늄염; 디페닐요오도늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트 등의 디아릴요오도늄염 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
광경화형 촉매의 배합량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 트리아진환 함유 중합체 100질량부에 대하여 0.1~100질량부정도로 할 수 있다.
상기 네거티브형 패턴 형성용 조성물의 조제법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 임의의 순서로 각 성분을 배합하여 조제하면 된다. 또 그 때, 상기 서술한 용매를 사용하면 된다.
상기 조성물은 상기 서술한 수법에 의해 도포한 후, 예를 들면 자외광 등을 1~4,000mJ/cm2로 광조사하여 경화시킬 수 있다. 광조사는 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, LED, 레이저광 등의 공지의 각종 수법을 사용하여 행하면 된다.
또한 필요에 따라, 노광 전후에 110~180℃정도로 가열해도 된다.
노광 후의 현상은 상기 서술한 유기 용매 현상액 또는 수성 현상액 중에 노광 수지를 침지시켜 행할 수 있다.
한편, 포지티브형의 패턴 형성용 조성물로 하는 경우, 상기 조성물에 추가로 아지드 화합물을 배합해도 된다.
아지드 화합물로서는 1,2-나프토퀴논디아지드기를 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 가지는 화합물이 바람직하고, 그 구체예로서는 2,3,4-트리히드록시-벤조페논과 1,2-나프토퀴논-(2)-디아지드-5-술폰산과의 에스테르 등의 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 유도체 등을 들 수 있다.
아지드 화합물의 배합량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 트리아진환 함유 중합체 100질량부에 대하여 4~60질량부정도로 할 수 있다.
상기 포지티브형 패턴 형성용 조성물의 조제법도 특별히 한정되는 것은 아니며, 임의의 순서로 각 성분을 배합하여 조제하면 된다. 또 그 때, 상기 서술한 용매를 사용하면 된다.
상기 조성물은 상기 서술한 수법에 의해 도포한 후, 예를 들면 상기 서술한 광조사법에 의해, 자외광 등을 1~2,000mJ/cm2로 광조사하여 경화시킬 수 있다. 이 경우도 필요에 따라 노광 전후에 110~180℃정도로 가열해도 된다.
노광 후의 현상은 상기 서술한 유기 용매 현상액 또는 수성 현상액 중에 노광 수지를 침지시켜 행할 수 있다.
상기 각 패턴 형성용 조성물에는 필요에 따라 각종 첨가제를 가해도 된다. 첨가제로서는 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 1-나프틸메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-히드록시페닐디메틸술포늄 메틸설페이트 등의 열 카티온 발생제; 2,5-디에틸티옥산톤, 안트라센, 9,10-에톡시안트라센 등의 광증감제나, 상기 막 형성용 조성물에 있어서 예시한 첨가제를 들 수 있다.
이상과 같이 하여 얻어진 본 발명의 박막이나 경화막, 미세 패턴은 고내열성, 고굴절률, 및 저체적수축을 달성할 수 있기 때문에, 액정 디스플레이, 유기 일렉트로루미네선스(EL) 디스플레이, 터치패널, 광반도체(LED) 소자, 고체 촬상 소자, 유기 박막 태양전지, 색소 증감 태양전지, 유기 박막 트랜지스터(TFT), 렌즈, 프리즘, 카메라, 쌍안경, 현미경, 반도체 노광 장치 등을 제작할 때의 하나의 부재 등, 전자 디바이스나 광학 재료 분야에 적합하게 이용할 수 있다.
특히, 본 발명의 조성물로부터 제작된 박막이나 경화막, 미세 패턴은 투명성이 높고, 굴절률도 높기 때문에, ITO나 은 나노 와이어 등의 투명 도전막의 시인성을 개선할 수 있고, 투명 도전막의 열화를 억제할 수 있다.
투명 도전막으로서는 ITO 필름, IZO 필름, 금속 나노 입자, 금속 나노 와이어, 금속 나노 메시 등의 도전성 나노 구조를 가지는 투명 도전막이 바람직하고, 도전성 나노 구조를 가지는 투명 도전막이 보다 바람직하다. 도전성 나노 구조를 구성하는 금속은 특별히 한정되지 않지만, 은, 금, 구리, 니켈, 백금, 코발트, 철, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 카드뮴, 오스뮴, 이리듐, 이들의 합금 등을 들 수 있다. 즉, 은 나노 입자, 은 나노 와이어, 은 나노 메시, 금 나노 입자, 금 나노 와이어, 금 나노 메시, 구리 나노 입자, 구리 나노 와이어, 구리 나노 메시 등을 가지는 투명 도전막이 바람직하고, 특히 은 나노 와이어를 가지는 투명 도전막이 바람직하다.
또 본 발명의 조성물로부터 제작된 고굴절률 패턴은 상기 서술한 터치패널 등의 투명 전극 패턴 보임 방지, 유기 EL 디스플레이의 광취출 용도나 블랙 매트릭스 용도를 비롯한 고굴절률 패턴이 요구되는 용도에 적합하게 사용할 수 있다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한 실시예에서 사용한 각 측정 장치는 이하와 같다.
[1H-NMR]
장치:BRUKER AVANCEIII HD(500MHz)
측정 용매:DMSO-d6
기준 물질:테트라메틸실란(TMS)(δ0.0ppm)
[GPC]
장치:도소(주)제 HLC-8200 GPC
칼럼:도소(주)제 TSK-GEL α-3000+α-4000
칼럼 온도:40℃
용매:N,N-디메틸포름아미드(이하, DMF)
검출기:UV(254nm)
검량선:표준 폴리스티렌
[엘립소미터]
장치:제이·에이·울람·재팬제 다입사각 분광 엘립소미터 VASE
[시차열천평(TG-DTA)]
장치:(주)리가쿠제 TG-8120
승온 속도:10℃/분
측정 온도:25℃-750℃
[내광성 시험기]
장치:Q-LAB사제 크세논 내후성 시험기 Q-SUN Xe-1-BC
광학 필터:Window Glass-Q
조도:0.50W/cm2(λ=340nm)
블랙 패널 온도:40℃
[자외가시 분광 광도계]
장치:(주)시마즈세이사쿠쇼사제 자외가시근적외 분광 광도계 UV-3600
[광학현미경]
장치:KEYENCE사제 디지털 마이크로스코프 VHX-2000
[1] 트리아진환 함유 하이퍼브랜치 폴리머의 합성
[실시예 1-1] 고분자 화합물[3]의 합성
질소하, 100mL 4구 플라스크에, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-프로판[2](BAPA, 5.68g, 0.022mol, 와카야마세이카(주)제)를 가하고, N,N-디메틸아세트아미드 23.90g(DMAc, 준세이카가쿠(주)제)으로 용해시켰다. 그 후, 에탄올-드라이아이스욕에 의해 -10℃까지 냉각하고, 2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진[1](3.69g, 0.02mol, 에보닉데구사사제)을 배스 온도가 0℃ 이상이 되지 않도록 확인하면서 투입했다. 1시간 교반 후, 반응 용액을 미리 DMAc 23.90g을 가하여 질소 치환 후, 오일 배스에서 85℃로 설정한 200mL 4구 플라스크에 적하했다. 2시간 교반 후, 아닐린(5.59g, 0.03mol, 도쿄카세이코교(주)제)을 적하하여, 2시간 교반했다. 그 후, 실온까지 강온하고, n-프로필아민(2.73g, 도쿄카세이코교(주)제)을 적하하여, 1시간 교반 후, 교반을 정지시켰다. 반응 용액을 이온 교환수(319g)에 적하하여 재침전시켰다. 침전물을 여과하고, THF(43.42g)에 재용해시켰다. 1시간 교반 후, 상청액을 제거하고, THF(14.96g)로 농도 조정을 행했다. 그 용액을 이온 교환수(359g)에 적하하여, 다시 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 여과하고, 감압 건조기로 120℃, 6시간 건조시켜, 목적으로 하는 고분자 화합물[3](이하, HB-TBAPA라고 한다) 9.0g을 얻었다. HB-TBAPA의 1H-NMR 스펙트럼의 측정 결과를 도 1에 나타낸다.
HB-TBAPA의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량 평균 분자량 Mw는 3,800, 다분산도 Mw/Mn은 2.44였다. 얻어진 HB-TBAPA 5mg을 백금 팬에 가하고, TG-DTA 측정에 의해 승온 속도 10℃/min으로 측정을 했더니, 5% 중량 감소는 345℃였다.
[실시예 1-2] 고분자 화합물[5]의 합성
질소하, 100mL 4구 플라스크에, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-헥사플루오로프로판[4](8.06g, 0.022mol, 센트럴글래스(주)제)을 가하고, DMAc 29.95g(준세이카가쿠(주)제)으로 용해시켰다. 그 후, 에탄올-드라이아이스욕에 의해 -10℃까지 냉각하고, 2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진[1](3.69g, 0.02mol, 에보닉데구사사제)을 배스 온도가 0℃ 이상이 되지 않도록 확인하면서 투입했다. 1시간 교반 후, 반응 용액을 미리 DMAc 29.95g을 가하여 질소 치환 후, 오일 배스에서 85℃로 설정한 200mL 4구 플라스크에 적하했다. 2시간 교반 후, 아닐린(5.59g, 0.06mol, 도쿄카세이코교(주)제)을 적하하여, 2시간 교반했다. 그 후, 실온까지 강온하고, n-프로필아민(2.73g, 도쿄카세이코교(주)제)을 적하하여, 1시간 교반 후, 교반을 정지시켰다. 반응 용액을 이온 교환수(399g)에 적하하여 재침전시켰다. 침전물을 여과하고, THF(52.00g)에 재용해시켰다. 1시간 교반 후, 상청액을 제거하고, 그 용액을 THF로 농도 조정 후, 이온 교환수(416g)에 적하하여, 다시 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 여과하고, 감압 건조기로 120℃, 6시간 건조시켜, 목적으로 하는 고분자 화합물[5](이하, HB-TFPA라고 한다) 8.6g을 얻었다. HB-TFPA의 1H-NMR 스펙트럼의 측정 결과를 도 2에 나타낸다.
HB-TFPA의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량 평균 분자량 Mw는 8,200, 다분산도 Mw/Mn은 2.83이었다. 얻어진 HB-TFPA 5mg을 백금 팬에 가하고, TG-DTA 측정에 의해 승온 속도 10℃/min으로 측정을 했더니, 5% 중량 감소는 371℃였다.
[비교예 1-1] 고분자 화합물[7]의 합성
질소하, 1,000mL 4구 플라스크에 DMAc 456.02g을 가하고, 아세톤-드라이아이스욕에 의해 -10℃까지 냉각하고, 2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진[1](84.83g, 0.460mol, 에보닉데구사사제)을 가하여 용해시켰다. 그 후, DMAc 304.01g에 용해한 m-페닐렌디아민[6](62.18g, 0.575mol) 및 아닐린(14.57g, 0.156mol)을 적하했다. 적하 후 30분 교반하고, 이 반응 용액을 2,000mL 4구 플라스크에 DMAc 621.85g을 가하고, 미리 오일 배스에서 85℃로 가열되어 있는 조로 송액 펌프에 의해 1시간에 걸쳐서 적하하고, 1시간 교반하여 중합했다.
그 후, 아닐린(113.95g, 1.224mol)을 가하여, 1시간 교반 후, 반응을 종료했다. 빙욕에 의해 실온까지 냉각 후, 트리에틸아민(116.36g, 1.15mol)을 적하하고, 30분 교반하여 염산을 퀀치했다. 그 후, 석출된 염산염을 여과 제거했다. 여과한 반응 용액을 28질량% 암모니아 수용액(279.29g)과 이온 교환수(8,820g)의 혼합 용액에 재침전시켰다. 침전물을 여과하고, 감압 건조기로 150℃, 8시간 건조 후, THF(833.1g)에 재용해시키고, 이온 교환수(6,665g)에 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 여과하고, 감압 건조기로 150℃, 25시간 건조시켜, 목적으로 하는 고분자 화합물[7](이하, HB-TmDA40이라고 한다) 118.0g을 얻었다. HB-TmDA40의 1H-NMR 스펙트럼의 측정 결과를 도 3에 나타낸다.
HB-TmDA40의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량 평균 분자량 Mw는 4,300, 다분산도 Mw/Mn은 3.44였다. 얻어진 HB-TmDA40 5mg을 백금 팬에 가하고, TG-DTA 측정에 의해 승온 속도 10℃/min으로 측정을 했더니, 5% 중량 감소는 419℃였다.
[비교예 1-2] 고분자 화합물[8]의 합성
질소하, 100mL 4구 플라스크에, m-페닐렌디아민[6](5.95g, 0.055mol, AminoChem사제)을 가하고, N,N-디메틸아세트아미드 42.98g(DMAc, 준세이카가쿠(주)제)으로 용해시켰다. 그 후, 에탄올-드라이아이스욕에 의해 -10℃까지 냉각하고, 2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진[1](9.22g, 0.05mol, 에보닉데구사사제)을 배스 온도가 0℃ 이상이 되지 않도록 확인하면서 투입했다. 1시간 교반 후, 반응 용액을 미리 DMAc 42.98g을 가하여 질소 치환 후, 오일 배스에서 85℃로 설정한 200mL 4구 플라스크에 적하했다. 2시간 교반 후, DMAc 16.44g에 용해시킨 3-아미노페놀(16.44g, 0.15mol, 도쿄카세이코교(주)제)을 적하하여, 3시간 교반했다. 그 후, 실온까지 강온하고, n-프로필아민(2.97g, 도쿄카세이코교(주)제)을 적하하여, 1시간 교반 후, 교반을 정지시켰다. 반응 용액을 이온 교환수(810.4g)에 적하하여 재침전시켰다. 침전물을 여과하고, THF(94.61g)에 재용해시켰다. 1시간 교반 후, 상청액을 제거하고, 그 용액을 이온 교환수(756.9g)에 적하하여, 다시 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 여과하고, 감압 건조기로 120℃, 6시간 건조시켜, 목적으로 하는 고분자 화합물[8](이하, HB-TmDAP라고 한다) 8.7g을 얻었다. HB-TmDAP의 1H-NMR 스펙트럼의 측정 결과를 도 4에 나타낸다.
HB-TmDAP의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량 평균 분자량 Mw는 17,000, 다분산도 Mw/Mn은 3.20이었다. 얻어진 HB-TmDAP 5mg을 백금 팬에 가하고, TG-DTA 측정에 의해 승온 속도 10℃/min으로 측정을 했더니, 5% 중량 감소는 456℃였다.
[비교예 1-3] 고분자 화합물[10]의 합성
질소하, 500mL 4구 플라스크에, 3-아미노페놀[9](11.00g, 0.1mol, 도쿄카세이코교(주)제)을 가하고, N-메틸-2-피롤리돈 104.14g(NMP, 준세이카가쿠(주)제)에 용해시켜, 에탄올-드라이아이스욕에 의해 0℃ 이하로 냉각했다. 그 후, 2,4,6-트리클로로-1,3,5-트리아진[1](18.34g, 0.1mol, 에보닉데구사사제)을 가하여 1시간 교반한 후, NMP 154.96g에 녹인 m-페닐렌디아민[6](16.4g, 0.15mol, AminoChem사제)을 내온을 30도 이하로 유지하도록 적하했다. 적하 후, 90℃로 가온하여 3시간 반응시키고, 트리에틸아민 50.34g을 가하여 중합을 정지시켰다.
정제한 트리에틸아민염산염을 여과로 제거하고, 여과액을 이온 교환수 1,290g에 적하하여, 재침전을 행했다. 얻어진 침전물을 여과하고, 여과물을 아세톤 200g에 재용해시키고, 추가로 이온 교환수 1,500g에 재침전시켰다. 침전물을 여과하여 얻어진 생성물을 100℃에서 8시간 건조시켜, 목적으로 하는 고분자 화합물[10](이하, L-TmDAP라고 한다) 26.6g을 얻었다. L-TmDAP의 1H-NMR 스펙트럼의 측정 결과를 도 5에 나타낸다.
L-TmDAP의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량 평균 분자량 Mw는 8,200, 다분산도 Mw/Mn은 2.1이었다. 얻어진 L-TmDAP 5mg을 백금 팬에 가하고, TG-DTA 측정에 의해 승온 속도 10℃/min으로 측정을 했더니, 5% 중량 감소는 392℃였다.
[2] 막 형성용 조성물 및 피막의 제작
[실시예 2-1]
실시예 1-1에서 얻어진 HB-TBAPA 0.6g을 1-메톡시-2-프로판올(PGME) 4.4g에 녹이고, 옅은 황색 투명 용액을 얻었다. 얻어진 폴리머 바니시를 유리 기판 상에 스핀 코터를 사용하여 200rpm으로 5초간, 800rpm으로 30초간 스핀 코트하고, 120℃에서 3분간 가열하여 용매를 제거하고, 피막을 얻었다. 얻어진 피막의 굴절률을 측정했더니 1.692였다.
[실시예 2-2]
실시예 1-2에서 얻어진 HB-TFPA를 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지로 하여 피막을 제작하고, 그 굴절률을 측정했더니 1.636이었다.
[비교예 2-1]
비교예 1-1에서 얻어진 HB-TmDA40을 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지로 하여 피막을 제작하고, 그 굴절률을 측정했더니 1.803이었다.
[비교예 2-2]
비교예 1-2에서 얻어진 HB-TmDAP를 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지로 하여 피막을 제작하고, 그 굴절률을 측정했더니 1.795였다.
[비교예 2-3]
비교예 1-3에서 얻어진 L-TmDAP를 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지로 하여 피막을 제작하고, 그 굴절률을 측정했더니 1.756이었다.
상기 실시예 2-1, 2-2 및 비교예 2-1~2-3에서 제작한 피막에 대해서, 내광성 시험기(0.50W/m2(λ=340nm), 블랙 패널 온도 40℃) 안에 각 피막을 넣고, 24시간 후의 각 막두께, 굴절률 변화, 투과율 변화를 측정했다. 그들의 결과를 표 1, 도 6~10에 나타낸다.
또한 투과율 변화의 평가 기준은 이하와 같다.
<투과율 변화 평가 기준>
○:400nm에서의 투과율이 85% 이상
×:400nm에서의 투과율이 85% 미만
초기 | 24시간 후 | 굴절률 변화 | 투과율 변화 | |||
굴절률 (@550nm) |
막 두께 (nm) |
굴절률 (@550nm) |
막 두께 (nm) |
|||
실시예2-1 | 1.692 | 856 | 1.685 | 878 | -0.007 | ○ |
실시예2-2 | 1.636 | 606 | 1.637 | 606 | +0.001 | ○ |
비교예2-1 | 1.803 | 631 | 1.799 | 636 | -0.004 | × |
비교예2-2 | 1.795 | 758 | 1.794 | 771 | -0.001 | × |
비교예2-3 | 1.756 | 710 | 1.767 | 715 | +0.011 | × |
상기 실시예 2-1, 2-2 및 비교예 2-1~2-3에서 제작한 피막에 대해서, 미리 250℃로 가열한 핫플레이트에 각 피막을 얹고, 10분 가열 후, 각 막두께, 굴절률 변화, 투과율 변화를 측정했다. 그들의 결과를 표 2, 도 11~15에 나타낸다.
또한 투과율 변화의 평가 기준은 상기와 마찬가지이다.
초기 | 24시간 후 | 굴절률 변화 | 투과율 변화 | |||
굴절률 (@550nm) |
막 두께 (nm) |
굴절률 (@550nm) |
막 두께 (nm) |
|||
실시예2-1 | 1.692 | 856 | 1.702 | 758 | +0.010 | ○ |
실시예2-2 | 1.632 | 829 | 1.633 | 768 | +0.001 | ○ |
비교예2-1 | 1.808 | 896 | 1.795 | 828 | -0.013 | ○ |
비교예2-2 | 1.795 | 758 | 1.807 | 663 | +0.012 | ○ |
비교예2-3 | 1.756 | 710 | 1.776 | 662 | +0.020 | × |
표 1, 도 6~10에 나타내는 바와 같이, 실시예 2-1, 2-2 및 비교예 2-1~2-3에서 제작한 트리아진 중합체의 도막은 24시간 후의 굴절률 변화율은 작지만, 비교예 2-1~2-3의 바니시로부터 조제된 도막은 투과율의 변화가 큰 점에서, 실시예 2-1, 2-2 쪽이 내광성이 우수한 것을 알 수 있다. 또 표 2, 도 11~15에 나타내는 바와 같이, 실시예 2-1, 2-2는 250℃에서 가열한 후에 있어서도 투과율의 변화가 작고, 내열성도 우수한 것을 알 수 있다.
특히, 실시예 2-1에 관해서는 1.69의 고굴절률막이 얻어지는 것을 알 수 있다. 한편, 실시예 2-2에 관해서는 투과율이 높고, 매우 양호한 내광성, 내열성을 가지고 있는 것을 알 수 있다.
상기 실시예 2-1, 2-2 및 비교예 2-1~2-3에서 제작한 피막에 대해서, 시클로헥산온(CHN), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME)에 10질량%, 20질량%가 되도록 용해시킨 경우에, 또 대량의 2.38질량% 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH) 수용액에 피막을 용해시킨 경우에 불용물이 있는지를 육안으로 확인하고, 이하의 기준으로 평가했다. 그들의 결과를 표 3에 나타낸다.
<평가 기준>
○:불용물 없음
△:약간 산란
×:침강물 있음
CHN | PGME | 2.38질량% TMAH 수용액 | |||
10질량% | 20질량% | 10질량% | 20질량% | ||
실시예2-1 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ |
실시예2-2 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ |
비교예2-1 | ○ | ○ | × | × | × |
비교예2-2 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ |
비교예2-3 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ |
실시예 2-1, 2-2 및 비교예 2-2, 2-3에서 제작한 피막은 현상액인 2.38질량% TMAH 수용액에 용해하는 것이 확인되었다. 그 때문에 이들 막 형성용 조성물은 감광성 재료로서 사용 가능하다. 특히, 실시예 2-1의 폴리머 바니시를 사용하면, 굴절률 1.7로, 내열성 및 내광성도 우수한 피막을 제작할 수 있는 네거티브형 감광성 재료를 조제할 수 있는 것이 확인되었다.
[3] 경화막 형성용 조성물의 제작
[실시예 3-1]
실시예 1-1에서 합성한 HB-TBAPA 0.4g을 PGME 시클로펜탄온(CPN)과 물의 혼합 용매(96/4(v/v)) 1.6g에 용해시키고, 가교제로서 20질량% CPN 용액의 다관능 아크릴레이트(A-DPH-48E, 신나카무라카가쿠코교(주)제) 0.2g 및 다관능 아크릴레이트(아로닉스 M-510, 도아고세이카가쿠(주)제) 0.05g, 광 래디컬 개시제로서 5질량% CPN 용액의 이르가큐어 OXE01(BASF사제) 0.8g, 실란커플링제로서 1질량% CPN 용액의 KBE-503(신에츠실리콘(주)제) 0.4g, 계면활성제로서 1질량% CPN 용액의 메가팍 R-40(DIC(주)제) 0.02g, 및 CPN 0.65g을 가하고, 육안으로 용해한 것을 확인하여 총 고형분 농도 12질량%의 바니시(이하, HB-TBAPAV1이라고 한다)를 조제했다.
[4] 경화막의 제작
[실시예 4-1]
실시예 3-1에서 조제한 HB-TBAPAV1을 무알칼리 유리 기판 상에 스핀 코터로 200rpm으로 5초간, 800rpm으로 30초간 스핀 코트하고, 핫플레이트를 사용하여 120℃에서 1분간의 가소성을 행한 후, 자외선 조사 장치 MA6(SUSS사제)에 의해 365nm에 있어서의 조사량이 400mJ/cm2의 자외선을 조사했다. 그 후, 230℃에서 5분간 경화시켜 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 굴절률을 측정했더니, 1.686이었다.
상기 실시예 4-1에서 제작한 경화막을 내광성 시험기(0.50W/m2(λ=340nm), 블랙 패널 온도 50℃) 안에 넣고, 24시간 후의 막두께, 굴절률 변화, 투과율 변화를 측정했다. 그 결과를 표 4 및 도 16에 나타낸다.
초기 | 24시간 후 | 굴절률 변화 | |||
굴절률 (@550nm) |
막 두께 (nm) |
굴절률 (@550nm) |
막 두께 (nm) |
||
실시예4-1 | 1.686 | 665 | 1.679 | 680 | -0.007 |
[5] 패턴 형성성의 평가
[실시예 5-1]
실시예 3-1에서 조제한 HB-TBAPAV1을 0.20μm의 필터로 여과하고, 소다라임 유리 기판 상에 스핀 코터로 200rpm으로 5초간, 800rpm으로 30초간 스핀 코트하고, 핫플레이트를 사용하여 120℃에서 1분간의 가소성을 행한 후, 자외선 조사 장치 MA6(SUSS사제)에 의해, 포토마스크를 개재시켜 365nm에 있어서의 조사량이 400mJ/cm2의 자외선을 조사했다. 그 후, 23℃의 2.38질량% TMAH 수용액에 60초간 침지시켜 현상하고, 또한 초순수로 유수 세정을 행했다. 그 후, 230℃에서 5분간 소성함으로써 패턴 형상을 가지는 경화막을 얻었다. 또한 500μm의 각형 패턴에 있어서 미노광 부위에 잔사가 없는 것을 광학현미경으로 확인했다.
Claims (14)
- 하기 식(1)으로 표시되는 반복 단위 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 트리아진환 함유 중합체.
{식 중, R 및 R'는 서로 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 또는 아르알킬기를 나타내고,
Ar은 식(2) 및 (3)으로 표시되는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다.
〔식 중, W1 및 W2는 서로 독립적으로 CR1R2(R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 알킬기(단, 이들은 함께 환을 형성하고 있어도 된다.)를 나타낸다.), C=O, O, S, SO, 또는 SO2를 나타낸다.〕 - 제 1 항에 있어서, 상기 W1 및 W2가 서로 독립적으로 CR1R2(R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타낸다.), 또는 O를 나타내는 것을 특징으로 하는 트리아진환 함유 중합체.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 트리아진환 함유 중합체와 유기 용매를 포함하는 트리아진계 중합체 함유 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 추가로 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 트리아진계 중합체 함유 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 가교제가 다관능 (메타)아크릴 화합물인 것을 특징으로 하는 트리아진계 중합체 함유 조성물.
- 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 트리아진계 중합체 함유 조성물로부터 얻어지는 막.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 기재된 트리아진계 중합체 함유 조성물로부터 제작된 패턴.
- 기재와, 이 기재 상에 형성된 제 10 항에 기재된 막을 구비하는 전자 디바이스.
- 기재와, 이 기재 상에 형성된 제 10 항에 기재된 막을 구비하는 광학 부재.
- 기재와, 이 기재 상에 형성된 제 11 항에 기재된 패턴을 구비하는 전자 디바이스.
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