KR20200068172A - 발광성 재료 및 발광 장치 및 이를 사용한 디스플레이 장치 - Google Patents

발광성 재료 및 발광 장치 및 이를 사용한 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

발광성 재료, 발광 다이오드 및 디스플레이 장치가 개시되어 있다. 발광성 재료는 입자 및 형광체를 포함한다. 입자는 양자점을 포함하고, 0.06㎛ 내지 30㎛의 평균 직경을 갖는다.

Description

발광성 재료 및 발광 장치 및 이를 사용한 디스플레이 장치{LUMINESCENT MATERIAL AND LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 개시내용은 일반적으로 발광성 재료 및 발광 장치 및 이를 사용한 디스플레이 장치, 특히 형광 발광성 재료 및 발광 장치 및 이를 사용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
양자점은 양호한 흡광 및 발광 특성을 갖는 재료이다. 양자점은 좁은 반값 전폭(full width at half maximum: FWHM)을 갖는 광을 방출하고, 높은 발광 효율 및 넓은 흡수 스펙트럼을 가질 있고, 이에 따라 높은 색상 순도 및 포화를 가질 수 있다. 양자점은 최근 년에 디스플레이 패널 기법에 점진적으로 적용된다. 현재, 양자점이 적용될 때, 양자점은 용매 중에 직접적으로 분산되고, 이후 원하는 위치에 코팅된다. 그러나, 양자점의 발광성 특징은 이의 크기와 상당한 관련성을 갖는다. 양자점은 용매 중에 균등하게 분포되기 어려울 뿐만 아니라, 아마도 마이크론 크기의 양자점 클러스터로 모인다. 이 경우에, 발광 균일성은 개선되기 쉽지 않고, 마이크론 크기의 양자점 클러스터는 발광 특징을 손실할 수 있다. 다른 한편, 액체 형태로 보존된 양자점은 적용에서 높은 어려움을 갖고, 다양한 가공 설계에서 적용되기 쉽지 않다. 더구나, 양자점 및 중합체의 주변부, 예컨대 이의 리간드는 불량한 고온 인내의 단점을 갖고, 이것은 또한 양자점의 적용을 제한한다. 따라서, 이것은 긴 수명을 갖는 양자점 재료를 얻는 방법을 개발하기 위한 중요하고 긴급한 논의이다.
또한, 발광 다이오드(LED)에서 적용된 종래의 공지된 인광체가 양자점보다 더 낮은 비용을 갖지만, 인광체는 양자점보다 불량한 색상 렌더링(color rendering)을 갖는다. 더구나, 인광체 및 양자점의 크기에서 쾌 큰 차이가 있다. 인광체 및 양자점이 함께 사용되면서, 비균일성 및 자가 흡수를 혼합하는 것의 문제가 생긴다. 따라서, 이것은 또한 인광체 및 양자점 둘 다를 사용하여 상당한 증가 없이 제조 비용과 LED에 대한 개선된 색상 렌더링 및 색상 포화 사이의 트레이드-오프(trade-off)를 얻기 위한 중요한 논의이다.
본 개시내용은 발광성 재료 및 발광 장치 및 이를 사용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 개시내용의 실시형태에 따르면, 발광성 재료가 개시된다. 발광성 재료는 입자 및 인광체를 포함한다. 입자는 양자점을 포함하고, 0.06㎛ 내지 30㎛의 평균 직경을 갖는다.
본 개시내용의 또 다른 실시형태에 따르면, 발광 장치가 개시된다. 발광 장치는 발광성 재료를 포함한다. 발광성 재료는 입자 및 인광체를 포함한다. 입자는 양자점을 포함하고, 0.06㎛ 내지 30㎛의 평균 직경을 갖는다.
본 개시내용의 더욱 또 다른 실시형태에 따르면, 디스플레이 장치가 개시된다. 디스플레이 장치는 발광성 재료를 포함한다. 발광성 재료는 입자 및 인광체를 포함한다. 입자는 양자점을 포함하고, 0.06㎛ 내지 30㎛의 평균 직경을 갖는다. 디스플레이 장치는 텔레비전, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 핸드폰, 랩탑, 컴퓨터 모니터, 휴대용 뮤직 플레이어, 게임 콘솔, 자동차 모니터, 스마트 워치(smart watch) 또는 가상 현실 유리(virtual reality glasses)이다.
본 개시내용의 상기 및 다른 실시형태는 비제한적인 실시형태(들)의 하기 상세한 설명과 관련하여 더 잘 이해될 것이다. 하기 설명은 동반된 도면을 참조하여 이루어진다.
도 1은 실시형태에 따른 발광성 재료의 도식적 다이어그램이다.
도 2는 실시형태의 개념에 따른 입자의 도식적 다이어그램이다.
도 3은 실시형태에서 발광 장치의 단면도를 예시한다.
도 4a 내지 도 4j는 실시형태의 개념에 따른 디스플레이 장치의 도식적 다이어그램이다.
본 개시내용의 실시형태는 하기 도면을 동반하여 자세히 개시되어 있다. 도면에 도시된 부재가 실제 척도에 따라 작도되지 않을 수 있고, 임의로 본 개시내용의 특징을 명확히 보여주기 위해 확대된 또는 감소된 크기로 작도될 수 있다는 것에 주목해야 한다. 본 명세서 및 도면에서의 동일한 또는 유사한 부재는 동일한 또는 유사한 기호에 의해 표지될 수 있다.
본 개시내용의 다양한 특징은 부재 및 이의 배열을 기재하는 하기 다양한 실시형태 또는 실시예에 의해 개시된다. 실시형태 및 실시예가 본 개시내용을 예시하기 위해 사용되고, 본 개시내용이 이에 제한되지 않는다는 것은 물론이다. 또한, 상이한 실시형태가 동일한 기호 또는 마크에 의해 예시될 수 있지만, 반복 기호 또는 마크는 단지 본 개시내용의 단순하고 명쾌한 개시를 위한 것이고, 예시된 상이한 실시형태 및/또는 구조 사이의 구체적인 관계식을 나타내지 않는다.
더구나, 본 개시내용에 개시된 단계 전에, 동안에 또는 후에 추가적인 단계가 존재할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 실시형태에서 몇몇 단계는 또 다른 실시형태에서 대체되거나 생략될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조한다. 도 1은 실시형태에 따른 발광성 재료(100)의 도식적 다이어그램이다. 도 2는 입자(170)의 도식적 다이어그램을 보여준다. 발광성 재료(100)는 입자(170) 및 인광체(140)를 포함한다. 입자(170)는 코어(110), 양자점(120) 및 실링 층(130)을 포함한다. 실링 층(130)은 코어(110)를 커버한다. 양자점(120)은 코어(110)와 실링 층(130) 사이에 배치된다.
실시형태에서, 입자(170)는 0.06㎛ 내지 30㎛의 평균 직경을 갖고, 이에 의해 양자점(120)은 효율적으로 분산될 수 있고, 양자점(120)의 많은 양은 흡수될 수 있다. 따라서, 입자(170)의 크기 및 광도는 인광체(140)와 일치할 수 있고, 높은 혼합 균일성 및 원하는 발광성 특성에 대한 요구가 달성될 수 있다. 예를 들어, 입자(170)의 평균 직경은 0.10㎛ 내지 30㎛, 또는 0.15㎛ 내지 30㎛, 또는 0.06㎛ 내지 10㎛, 또는 0.10㎛ 내지 10㎛, 또는 0.15㎛ 내지 10㎛, 또는 0.06㎛ 내지 3㎛, 또는 0.10㎛ 내지 3㎛, 또는 0.15㎛ 내지 3㎛일 수 있다. 확대도에서, 본 실시형태의 입자(170)는 그레인 형상을 갖는다. 입자(170)는 서로로부터 다소 상이할 수 있다. 그러나, 본 실시형태에서, 입자(170)의 직경은 0.06㎛ 내지 30㎛이거나, 상기로서 개시된 범위에 있다. 입자(170)의 평균 직경은 적어도 20개의 입자의 직경의 평균 값이다. 입자(170)가 과도하게 작으면, 양자점(120)을 분산시키는 것의 효율은 너무 낮을 것이다. 반대로, 입자(170)가 과도하게 크면, 이것에 흡착된 양자점(120)의 양은 불충분하고, 이는 인광체(140)와 일치하기에 불충분한 광도를 생성시킨다.
본 실시형태의 입자(170)의 평균 직경이 양자점 자체의 나노미터-수준 크기보다 큰 0.06㎛ 내지 30㎛이므로, 입자(170)는 고체 상태의 형태로 사용될 수 있거나, 용매에 첨가되고 액체 상태의 형태로 사용될 수 있고, 0.06㎛ 내지 30㎛의 평균 직경을 갖는 입자(170)의 분포의 균일성은 사용에서 쉽게 제어될 수 있다. 입자(170)가 균일하게 분산된 후, 입자(170)의 평균 직경은 주사 전자 현미경(scanning electron microscope: SEM) 또는 투과 전자 현미경(transmission electron microscopy: TEM)을 사용하여 그리고 입자를 선택하고 정량적 값, 예컨대 평균 직경 등을 계산하기 위한 image-pro Plus 6.0과 같은 소프트웨어를 사용하여 관찰되고 측정될 수 있다. 예를 들어, 입자(170)는 에탄올 또는 중합체 봉합재(encapsulant) 재료를 사용함으로써 균일하게 분산될 수 있다.
본 실시형태에서, 예를 들어 양자점(120)은 Si계 나노결정, 페로브스카이트 나노결정, 12족 내지 16족 화합물 반도체 나노결정, 13족 내지 15족 화합물 반도체 나노결정 및 14족 내지 16족 화합물 반도체 나노결정으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않는다.
실시형태에서, 페로브스카이트 나노결정은 RNH3PbX3의 유기 금속 할라이드, 또는 CsPbX3의 순수한 무기 페로브스카이트이다. RNH3PbX3에서, R은 CnH2n +1(여기서, n은 1 내지 10의 범위임)일 수 있다. 페로브스카이트 나노결정의 X는 염소, 브롬, 요오드, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 예를 들어, 페로브스카이트 나노결정은 CH3NH3PbI3, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI2Cl, CH3NH3PbICl2, CH3NH3PbI2Br, CH3NH3PbIBr2, CH3NH3PbIClBr, CsPbI3, CsPbCl3, CsPbBr3, CsPbI2Cl, CsPbICl2, CsPbI2Br, CsPbIBr2 및 CsPbIClBr로 이루어진 군으로부터 선택된다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않는다.
12족 내지 16족 화합물 반도체 나노결정을 위해, 12족 원소는 아연, 카드뮴, 수은 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 16족 원소는 산소, 황, 셀레늄, 텔루륨 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 12족 내지 16족 화합물은 예를 들어 CdO, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 이루어진 군으로부터 선택된다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않는다. 13족 내지 15족 화합물 반도체 나노결정을 위해, 13족 원소는 알루미늄, 갈륨, 인듐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 15족 원소는 질소, 인, 비소 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 13족 내지 15족 화합물은 예를 들어 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, InCuSe 및 InAlPAs으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않는다. 14족 내지 16족 화합물 반도체 나노결정을 위해, 14족 원소는 주석, 납 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 16족 원소는 황, 셀레늄, 텔루륨 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 14족 내지 16족 화합물은 예를 들어 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe 및 SnPbSTe로 이루어진 군으로부터 선택된다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않는다.
더구나, 나노-그레인 형상을 갖는 양자점(120)이 2진 코어, 3진 코어 또는 4진 코어의 구조일 수 있는 것으로 당업자에 대해 이해되어야 한다. 대안적으로, 나노-그레인 형상을 갖는 양자점(120)은 코어-쉘의 구조 또는 코어-멀티-쉘의 구조를 가질 수 있다. 대안적으로, 나노-그레인 형상을 갖는 양자점(120)은 도핑 또는 분급에 의해 처리된 나노-그레인일 수 있다. 본 실시형태에서, 양자점(120)은 바람직하게는 CdSe/ZnS의 코어/쉘 구조를 갖는 나노-그레인이다.
무기 표면 원자를 갖는 양자점(120)은 양자점의 응집에 저해 효과를 개선하고, 양자점(120) 주위에 전자 및 화학 환경으로부터 양자점(120)을 적절히 격리시킬 수 있는 실링제를 사용한 표면 개질에 의해 처리될 수 있다. 실링제는 유기 기이다. 실링제는 루이스 염기 화합물을 포함할 수 있거나 본질적으로 이것으로 이루어질 수 있다. 실링제는 단일작용성 또는 다작용성 리간드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 실링제는 포스핀(예컨대, 트라이옥틸 포스핀, 트라이페닐 포스핀, 트라이-tert-뷰틸 포스핀 등), 포스핀 옥사이드(예컨대, 트라이옥틸 포스핀 옥사이드, 트라이페닐 포스핀 옥사이드 등), 알킬 포스폰산, 알킬아민(예컨대, 헥사데실아민, 옥틸아민 등), 아릴 아민, 피리딘, 장쇄 지방산, 티오펜 등을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지는 않는다.
양자점으로부터 방출된 광의 파장은 양자점의 평균 직경에 의해 변할 수 있다. 따라서, 양자점으로부터 방출된 광의 피크 파장은 양자점의 재료 및 크기에 따라 제어될 수 있다. 본 실시형태에서, 예를 들어 양자점(120)의 평균 직경은 1㎚ 내지 25㎚, 또는 1㎚ 내지 15㎚, 또는 1㎚ 내지 10㎚이다. 본 실시형태에서, 양자점(120)은 적색 광을 방출하기 위한 적색 양자점, 녹색 광을 방출하기 위한 녹색 양자점, 청색 광을 방출하기 위한 청색 양자점, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 적색 양자점은 3㎚ 내지 25nm, 또는 4㎚ 내지 15nm, 또는 5㎚ 내지 10㎚의 평균 직경을 가질 수 있다. 예를 들어, 녹색 양자점은 2㎚ 내지 20㎚, 또는 3㎚ 내지 15㎚, 또는 4㎚ 내지 9㎚의 평균 직경을 가질 수 있다. 예를 들어, 청색 양자점은 1㎚ 내지 15㎚, 또는 2㎚ 내지 10㎚, 또는 2㎚ 내지 8㎚의 평균 직경을 가질 수 있다.
광발광(PL)은 에너지 준위 구조 및 재료에 대한 전이 거동을 신속하게 및 신뢰도 있게 분석할 수 있는 기법이다. 광발광의 여기 스펙트럼은 재료의 중요한 정보, 예컨대 도펀트의 종류, 에너지 갭 및 재료 내의 화합물에서의 성분, 또는 재료 내의 양자점의 수명, 캐리어 투과 경로 및 크기 등을 얻기 위해 분석될 수 있다. 양자점 재료에 대해, 광발광 분석은 양자점의 형태, 양자점의 크기, 에너지 준위 사이의 전자 전이의 광학 에너지 값 및 다양한 신뢰성 등을 측정하기 위해 이용될 수 있다. 따라서, 광발광은 양자점에 대한 적합한 평가 도구이다.
여기 소스와 무관하게, 원자를 여기시킴으로써 전자가 여기되면, 전자는 광 방출의 형태로 높은 에너지 여기 상태로부터 낮은 에너지 기저 상태로 떨어지는 전자의 에너지 준위 사이의 에너지 차이를 방출한다. 양자점의 방출 스펙트럼이 분석될 때, 하기 매개변수가 보고된다: (1) 방출 스펙트럼의 피크의 파장 및 강도; (2) 반 피크 폭의 양측에 상응하는 파장; (3) 반값 전폭(FWHM).
본 개시내용의 실시형태에서, 입자(170)가 350㎚ 이상 및 예를 들어 390㎚ 내지 500㎚의 파장의 광에 의해 조사된 입자(170)로부터 방출된 광의 파장보다 낮은 파장의 광에 의해 조사될 때, 입자(170)는 예를 들어 400㎚ 내지 700㎚의 피크 파장 및 15㎚ 내지 60㎚, 또는 20㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출한다.
본 개시내용의 실시형태에서, 양자점(120)이 350㎚ 이상 및 예를 들어 390㎚ 내지 500㎚의 파장의 광에 의해 조사된 양자점(120)으로부터 방출된 광의 파장보다 낮은 파장의 광에 의해 조사될 때, 양자점(120)은 예를 들어 400㎚ 내지 700㎚의 피크 파장 및 15㎚ 내지 60㎚, 또는 20㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출한다. 본 개시내용의 실시형태에서, 예를 들어 적색 양자점이 조사된 후, 적색 양자점은 600㎚ 내지 700㎚, 또는 605㎚ 내지 680㎚, 또는 610㎚ 내지 660㎚의 피크 파장을 갖고, 15㎚ 내지 60㎚, 또는 20㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출한다. 본 개시내용의 실시형태에서, 예를 들어 녹색 양자점이 조사된 후, 녹색 양자점은 500㎚ 내지 600㎚, 또는 510㎚ 내지 560㎚, 또는 520㎚ 내지 550㎚의 피크 파장을 갖고, 15㎚ 내지 60㎚, 또는 20㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출한다. 본 개시내용의 실시형태에서, 예를 들어 청색 양자점이 조사된 후, 청색 양자점은 400㎚ 내지 500㎚, 또는 430㎚ 내지 470㎚, 또는 440㎚ 내지 460㎚의 피크 파장을 갖고, 15㎚ 내지 60㎚, 또는 20㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출한다. 예를 들어, 피크 파장, 양자점으로부터 방출된 광의 강도 및 반값 전폭은 Horiba 회사에 의해 제조된 정상 상태 형광 분광기(모델 FluoroMax-3호)를 사용하여 광발광 분석에 의해 얻어진다.
본 개시내용의 실시형태에서, 입자(170)에서의 양자점(120)의 중량 백분율은 0.1% 내지 50%일 수 있고, 이러한 입자(170)는 안정한 발광 효과를 갖는다. 본 개시내용에서, 입자(170)에서의 양자점(120)의 중량 백분율은 전체 입자(170)의 중량에 대한 양자점(120)의 중량의 백분율을 의미한다. 더구나, 입자(170)에서의 양자점(120)의 중량 백분율은 또한 1% 내지 45%, 또는 2% 내지 40%일 수 있다. 입자(170)에서의 양자점(120)의 중량 백분율이 0.1%보다 낮은 경우, 입자(170)에서의 양자점(120)의 농도는 비교적 낮고, 이것은 불량한 전체 발광 효율의 감소를 발생시킨다. 입자(170)에서의 양자점(120)의 중량 백분율이 50%보다 높은 경우, 자가 흡수 현상은 양자점(120)에 쉽게 발생하고, 이것은 전체 발광 효율의 감소 및 방출된 광에 대한 적색 쉬프트를 발생시킨다. 중량 백분율은 필요한 분석, 예를 들어 유도 커플링된 플라즈마(inductively coupled plasma: ICP) 스펙트럼 분석 방법 등의 수단에 의해 얻어질 수 있다.
본 실시형태에서, 코어(110)를 위한 재료는 예를 들어 유기 중합체, 무기 중합체, 수용성 중합체, 유기 용매-가용성 중합체, 생체중합체 및 합성 중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 중합체일 수 있다. 예를 들어, 코어(110)를 위한 재료는 폴리실록산, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리스타이렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리케톤, 폴리에터 에터 케톤, 폴리에스터, 폴리아마이드, 폴리아크릴아마이드, 폴리올레핀, 폴리아세틸렌, 폴리아이소프렌, 폴리뷰타다이엔, 폴리(비닐리덴 플루오라이드), 폴리(비닐 클로라이드), 에틸렌 비닐 아세테이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄 및 셀룰로스 중합체로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 본 개시내용에서, 코어(110)를 위한 재료는 예를 들어 실리카 겔, 벤토나이트, 유리, 석영, 고령토, 이산화규소, 산화알루미늄 및 산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택된 무기 매질일 수 있다. 본 개시내용에서, 실링 층(130) 및 코어(110)는 동일한 재료 또는 상이한 재료를 가질 수 있다. 본 개시내용에서, 코어(110)를 위한 재료는 바람직하게는 예를 들어 폴리실록산, 유리, 물 유리 및 이산화규소로 이루어진 군으로부터 선택된 규소 산화물이다. 본 개시내용에서, 코어(110)를 위한 재료는 비-광발광성 재료이고, 비-광발광성 재료는 낮은 피크 파장(예컨대, 390㎚ 내지 500㎚)의 광에 의해 조사된 광발광성 재료, 예컨대 양자점(120) 또는 인광체(140)로서가 아니고, 상기 언급된 낮은 피크 파장보다 높은 피크 파장(예컨대, 400㎚ 내지 700㎚)을 갖는 광을 방출할 수 있다. 따라서, 본 개시내용에서, 코어(110)는 양자점(120) 또는 인광체(140)의 발광성 특성에 영향을 미치지 않는다.
본 실시형태에서, 실링 층(130)을 위한 재료는 예를 들어 유기 중합체, 무기 중합체, 수용성 중합체, 유기 용매-가용성 중합체, 생체중합체 및 합성 중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 중합체일 수 있다. 예를 들어, 실링 층(130)을 위한 재료는 폴리실록산, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리스타이렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리케톤, 폴리에터 에터 케톤, 폴리에??, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리아크릴아마이드, 폴리올레핀, 폴리아세틸렌, 폴리아이소프렌, 폴리뷰타다이엔, 폴리(비닐리덴 플루오라이드), 폴리(비닐 클로라이드), 에틸렌 비닐 아세테이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄 및 셀룰로스 중합체로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 본 실시형태에서, 실링 층(130)을 위한 재료는 예를 들어 실리카 겔, 벤토나이트, 유리, 석영, 고령토, 이산화규소, 산화알루미늄 및 산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택된 무기 매질일 수 있다. 본 실시형태에서, 실링 층(130)을 위한 재료는 바람직하게는 예를 들어 폴리실록산, 유리 및 이산화규소로 이루어진 군으로부터 선택된 규소 산화물이다.
폴리실록산은 화학식 (I)로서 실록산 화합물에 물을 첨가함으로써 생긴 가수분해 및 축합 반응을 통해 얻어진다:
Ra nSi(ORb)4 -n n=0-3 화학식 (I);
Ra는 6 내지 15의 탄소수를 갖는 방향족 기를 나타낸다. Rb는 1 내지 5의 탄소수를 갖는 알킬기를 나타낸다. 예를 들어, Ra는 페닐기, 톨릴기, p-하이드록시페닐기, 1-(p-하이드록시페닐)에틸기, 2-(p-하이드록시페닐)에틸기, 4-하이드록실-5-(p-하이드록시페닐카보닐옥시)펜틸기 또는 나프틸기이지만, 이들로 제한되지는 않는다. 예를 들어, Rb는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기 또는 n-뷰틸기이지만, 이들로 제한되지는 않는다. 본 실시형태에서, 폴리실록산은 바람직하게는 테트라에톡시실란(TEOS)에 물을 첨가함으로써 생긴 가수분해 및 축합 반응을 통해 얻어진다.
본 실시형태에서, 실링 층(130)은 양자점(120)을 완전히 봉합하기에 충분한 두께를 갖는다. 예를 들어, 실링 층(130)은 0.1㎚ 내지 25㎚, 또는 0.5㎚ 내지 25㎚의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위 내의 두께를 갖는 실링 층(130)은 양자점(120)에 충분한 보호 효과를 제공할 수 있고, 입자(170)의 외부 표면으로부터 양자점(120)의 과다분리 거리로부터 생긴 불량한 발광 효율을 피할 수 있다.
본 실시형태에서, 예를 들어 코어(110)는 0.05㎛ 내지 30㎛, 또는 0.09㎛ 내지 10㎛, 또는 0.14㎛ 내지 3㎛의 평균 직경을 갖는다. 실시형태에서, 코어(110)가 0.06㎛ 내지 30㎛의 평균 직경을 가질 때, 발광성 재료(100) 내의 입자(170)는 바람직한 발광 보유 비율을 유지할 수 있다. 본 실시형태에서, 코어(110)의 재료는 다공성 특징을 가질 수 있고, 코어(110)는 3㎚ 내지 100㎚의 평균 표면 어퍼처 직경(average surface aperture diameter)을 갖는다. 코어(110)가 다공성 코어이므로, 코어(110)에 균일하게 및 안정하게 흡착하고, 양자점(120) 사이의 과도한 가까운 거리로 인해 발광 특징을 손실하는 것을 피하도록 양자점(120) 사이에 적합한 거리를 갖는 것이 양자점(120)에 이익일 수 있다. 실시형태에서, 예를 들어 양자점(120)이 적색 양자점일 때, 코어(110)는 7㎚ 내지 40㎚, 또는 7㎚ 내지 35㎚, 또는 7㎚ 내지 30㎚의 평균 표면 어퍼처 직경을 갖는다. 예를 들어, 양자점(120)이 녹색 양자점일 때, 코어(110)는 5㎚ 내지 30㎚, 또는 5㎚ 내지 25㎚, 또는 5㎚ 내지 20㎚의 평균 표면 어퍼처 직경을 갖는다. 예를 들어, 양자점(120)이 청색 양자점일 때, 코어(110)는 3㎚ 내지 25㎚, 또는 3㎚ 내지 20㎚, 또는 3㎚ 내지 15㎚의 평균 표면 어퍼처 직경을 갖는다. 예를 들어, 코어(110)는 100㎡/g 내지 1000㎡/g의 비표면적을 갖는다. 본 개시내용의 실시형태에서, 코어(110)는 다공성 마이크로 그레인, 예컨대 이산화규소 그레인을 사용한다. 코어는 소수성 특성(즉, 친유성 특성)을 가질 수 있고, 다공성 마이크로 그레인은 소수성 특성을 갖는 이산화규소 그레인일 수 있다. 소수성 코어는 하기 화학식 (II)에 도시된 바와 같은 유기 실란 화합물을 사용하여 표면 상에 친수성 실란올기를 갖는 이산화규소 그레인의 표면을 개질함으로써 얻어질 수 있다:
Rc mSi(ORd)4 -m m=1-3 화학식 (II);
Rc는 3 내지 20의 탄소수를 갖는 알킬기를 나타낸다. Rd는 1 내지 5의 탄소수를 갖는 알킬기를 나타낸다. 본 실시형태에서, 예를 들어 Rc는 프로필기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 또는 헥사데실기이다. 예를 들어, Rd는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기 또는 n-뷰틸기이다.
또 다른 실시형태에서, 코어(110)는 함께 모이고 서로로부터 분리될 수 없는 1차 그레인의 응집체일 수 있는 흄드 실리카일 수 있다. 코어(110)는 소수성 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 코어(110)는 3 내지 20의 탄소수, 3 내지 18의 탄소수 또는 3 내지 16의 탄소수의 알킬기를 가질 수 있고, 이것은 코어(110)에 소수성 특성을 제공한다. 실시형태에서, 알킬기는 응집체의 표면 상에 친수성 실란올기를 갖는 응집체의 표면을 개질시키기 위해 유기 실란을 사용함으로써 형성되고, 이에 의해 알킬기는 코어(110)를 형성하도록 응집체에 그래프팅된다. 이러한 실시형태에서, 코어(110)의 표면은 하기 화학식 III로서 말단 작용기를 갖는다:
Figure pat00001
[화학식 III]
R1은 -OCH3이다. R2는 -OCH3이다. R3은 3 내지 20의 탄소수를 갖는 알킬기, 예컨대 3 내지 18의 탄소수를 갖는 알킬기 또는 3 내지 16의 탄소수를 갖는 알킬기이다. 상응하게, 개질에 사용된 유기 실란은 3 내지 20의 탄소수를 갖는 알킬기, 예컨대 3 내지 18의 탄소수를 갖는 알킬기를 갖는 유기 실란 또는 3 내지 16의 탄소수를 갖는 알킬기를 갖는 유기 실란일 수 있다. 예를 들어, 개질에 사용된 유기 실란은 프로필 트라이메톡시실란, 옥틸 트라이메톡시실란, 헥사데실 트라이메톡시실란 등일 수 있다.
다공성 코어(110)의 재료로서 이산화규소를 사용하는 실시형태에서, 코어(110)는 1㎛ 내지 5㎛의 평균 직경, 5㎚ 내지 15㎚의 평균 표면 어퍼처 직경, 500㎡/g 내지 900㎡/g의 비표면적을 갖는 다공성 코어일 수 있다. 대안적으로, 코어(110)는 1㎛ 내지 5㎛의 평균 직경, 10㎚ 내지 30㎚의 평균 표면 어퍼처 직경, 250㎡/g 내지 750㎡/g의 비표면적을 갖는 다공성 코어일 수 있다. 대안적으로, 코어(110)는 0.5㎛ 내지 1.5㎛의 평균 직경, 5㎚ 내지 15㎚의 평균 표면 어퍼처 직경, 200㎡/g 내지 600㎡/g의 비표면적을 갖는 다공성 코어일 수 있다. 대안적으로, 코어(110)는 0.1㎛ 내지 0.5㎛의 평균 직경, 3㎚ 내지 12㎚의 평균 표면 어퍼처 직경, 100㎡/g 내지 500㎡/g의 비표면적을 갖는 다공성 코어일 수 있다.
본 실시형태에서, 입자(170)는 250℃의 고온 하에 2시간 동안 시험된 후, 이것은 고온에 의한 처리 전의 PL 측정 강도에 비해 50 내지 75%인 광발광(PL) 강도의 보유 비율을 나타낸다. 다른 한편, 동일한 고온 시험 후 처리되지 않은(즉, 코어에 대한 흡착 없이, 실링 없이) 종래의 양자점의 발광 효율의 보유 비율은 불과 2%이다. 따라서, 본 개시내용의 입자의 구조가 양자점의 고온 저항 역량을 개선하는 것을 돕는다는 것이 입증된다.
인광체(140)는 양자점(120)과 동일하거나 상이한 인광체 재료를 가질 수 있다. 예를 들어, 인광체(140)는 가넷, 설파이드, 티오메탈레이트, 실리케이트, 옥사이드, 옥시나이트라이드, 나이트라이드 및 셀라나이드 기반 인광체로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
인광체(140)는 무기 인광체 재료 및/또는 유기 인광체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기 인광체 재료는 알루미네이트 인광체 분말(예컨대, LuYAG, GaYAG, YAG 등), 실리케이트 인광체 분말, 설파이드 인광체 분말, 나이트라이드 인광체 분말, 플루오라이드 인광체 분말 등일 수 있다. 유기 인광체 재료는 단일 분자 구조, 폴리분자 구조, 올리고머, 중합체, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 유기 인광체 재료의 화합물은 퍼릴렌의 기, 벤즈이미다졸의 기, 나프탈렌의 기, 안트라센의 기, 페난트렌의 기, 플루오렌의 기, 9-플루오레논의 기, 카바졸의 기, 글루타르이미드의 기, 1,3-다이페닐벤젠의 기, 벤조피렌의 기, 피렌의 기, 피리딘의 기, 티오펜의 기, 2,3-다이하이드로-1H-벤조[데]아이소퀴놀린-1,3-다이온의 기, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 녹색 인광체 분말은 β-SiAlON, γ-AlON, 또는 이들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 노란색 인광체 재료는 YAG:Ce, 및/또는 옥시나이트라이드, 실리케이트 또는 나이트라이드의 무기 노란색 인광체 분말, 및/또는 유기 노란색 인광체 분말일 수 있다. 예를 들어, 적색 인광체 분말은 망간 도핑된 플루오라이드 인광체 분말을 포함할 수 있다. 대안적으로, 적색 인광체 분말은 (Sr,Ca)S:Eu, (Ca,Sr)2Si5N8:Eu, CaAlSiN3:Eu(CASN이라고도 칭해짐), (Sr,Ba)3SiO5:Eu 및 Sr(LiAl3N4):Eu2 +(SLA라고도 칭해짐)를 포함할 수 있다. 본 실시형태에서, 인광체(140)의 재료는 바람직하게는 530㎚ 내지 550㎚의 주요 피크 파장, 40㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체 β-SiAlON이다. 실시형태에서, 녹색 인광체 β-SiAlON은 542㎚의 주요 피크 파장 및 54㎚의 반값 전폭을 갖는다. 또 다른 실시형태에서, 인광체(140)는 530㎚ 내지 550㎚의 주요 피크 파장 및 70㎚ 내지 108㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체 YAG이다. 실시형태에서, 녹색 인광체 YAG는 532㎚의 주요 피크 파장 및 106㎚의 반값 전폭을 갖는다.
실시형태에서, 양자점(120)은 실링 층(130)에 의해 인광체(140) 및 외부 환경으로부터 격리될 수 있고, 이에 따라 양자점(120)의 발광 특성은 외부 물질 또는 인광체(140)와의 반응에 의해 영향을 받지 않는다. 따라서, 발광성 재료(100) 및 이를 사용한 생성물 장치의 신뢰성은 개선될 수 있다.
본 실시형태에서, 발광성 재료(100)에 대해, 입자(170)에 의해 포함된 양자점(120)의 재료는 바람직하게는 녹색 양자점이고, 인광체(140)의 재료는 바람직하게는 녹색 인광체이다. 휘도 및 광도의 증가 및 발광성 재료의 반값 전폭의 감소의 관점에서, 녹색 인광체는 510㎚ 내지 560㎚의 주요 피크 파장 및 40㎚ 내지 108㎚의 반값 전폭을 갖는다. 본 실시형태에서, 발광성 재료는 바람직하게는 530㎚ 내지 550㎚의 주요 피크 파장 및 40㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체를 갖는다. 또 다른 실시형태에서, 발광성 재료는 바람직하게는 530㎚ 내지 550㎚의 주요 피크 파장 및 70㎚ 내지 108㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체를 갖는다.
실시형태에서, 발광성 재료의 인광체는 100중량%로서 입자 및 인광체의 전체 중량을 기준으로 0.1중량% 내지 40중량%의 함량을 가질 수 있다. 또한, 실질적인 증가가 없는 비용 및 LED의 색상 렌더링 및 색상 포화에 대한 증가에 대한 전체 고려에서, 인광체는 바람직하게는 100중량%로서 입자 및 인광체의 전체 중량을 기준으로 5중량% 내지 40중량%의 함량을 갖는다. 더구나, 휘도 및 광도의 증가 및 발광성 재료의 반값 전폭의 감소에 대한 전체 고려에서, 인광체는 100중량%로서 입자 및 인광체의 전체 중량을 기준으로 바람직하게는 5중량% 내지 15중량%의 함량을 갖는다.
본 실시형태에서, 양자점(120)은 발광성 재료(100)의 광학 투명 매질(코어(110), 실링 층(130))로 도입된다. 따라서, 양자점(120)은 광원으로부터 방출된 1차 광에 의해 여기되고, 이후 2차 광을 방출하도록 광원에 광학적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 광원은 LED, 레이저 광원, 아크 광 또는 흑체 광원 등일 수 있지만, 이들로 제한되지는 않는다. 몇몇 실시형태에서, 전체 장치로부터 방출된 광의 필요한 광도 및 파장은 오직 2차 광에 의해 달성될 수 있다. 대안적으로, 전체 장치로부터 방출된 광의 필요한 광도 및 파장은 1차 광 및 2차 광의 색상을 적절히 혼합함으로써 달성될 수 있다. 대안적으로, 광학 투명 매질의 크기, 형상 및 조성, 및 광학 투명 매질에서의 각각의 종류의 양자점의 크기 및 양은 필요한 색상 및 광도의 광을 제조하기 위해 발광성 재료로부터 방출된 광 및 후속하는 광 혼합을 제어하도록 조정될 수 있다.
본 실시형태에서, 발광성 재료는 LED를 패키징하기 위한 봉합재 재료에서 적용될 수 있다. 예를 들어, 봉합재 재료는 에폭시 수지, 폴리실록산 수지, 아크릴레이트 수지, 유리 등일 수 있지만, 이들로 제한되지는 않는다. 이러한 종류의 LED는 다른 종류의 발광 장치에 대한 역광 유닛 또는 발광 부재에 사용될 수 있다. 이러한 종류의 LED는 각각 하나의 화소에 상응하는 복수의 LED의 어레이를 사용하여 양자점 발광 다이오드(QLED) 디스플레이 장치에 대해 적용될 수 있다.
도 3은 본 개시내용의 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도를 보여준다. 발광 장치는 발광 유닛(21), 인광체 층(22) 및 캡슐화 층(23)을 포함한다. 발광 유닛(21)은 전도성 특징을 갖고 오목한 베어링 표면(212)을 갖는 기부(211), 오목한 베어링 표면(212)에 배치되고 기부(211)에 전기 연결된 발광 부재(213), 발광 부재(213)에 전기 연결된 연결 와이어(214) 및 연결 와이어(214)에 전기 연결된 전도성 와이어(215)를 포함한다. 기부(211) 및 전도성 와이어(215)는 발광 부재(213)에 외부 전기 에너지를 공급하도록 협동할 수 있다. 발광 부재(213)는 전기 에너지를 광 에너지로 변환하고 그것을 방출시킬 수 있다. 실시형태에서, 발광 부재(213)는 455㎚의 발광 파장의 상업적으로 구입 가능한 InGaN 발광 부재(EPISTAR Corporation)를 사용하고, 전도성 은 페이스트(BQ6886, Uninwell International)에 의해 기부(211)의 오목한 베어링 표면(212)에서 부착된다. 발광 부재(213)는 발광 부재(213)의 상면으로부터 연장된 연결 와이어(214)를 통해 전도성 와이어(215)에 전기 연결된다. 인광체 층(22)은 발광 부재(213)를 커버한다. 인광체 층(22)에 함유된 발광성 재료(100)가 발광 부재(213)로부터 방출된 광에 의해 여기된 후, 발광성 재료(100)는 여기 광의 파장과 다른 파장을 갖는 광을 방출하도록 발광 부재(213)로부터 방출된 광을 변환한다. 본 실시형태에서, 인광체 층(22)은 발광 부재(213)의 외부 표면 상에 내부에 함유된 발광성 재료(100)에 의해 폴리실록산 수지를 코팅 후, 건조 및 경화함으로써 형성된다.
본 개시내용에서, 발광성 재료는 양자점 및 다양한 색상의 인광체 및 재료를 사용할 수 있다. 상이한 조성(즉, 더 상이한 방출 파장)을 갖는 양자점 및 인광체의 더 많은 종류를 사용할 때, 발광 장치는 더 넓은 방출 스펙트럼을 달성하고, 심지어 요건에 대해 풀 스펙트럼을 달성할 수 있다. 따라서, 디스플레이 장치에 대한 본 개시내용에 따른 발광성 재료를 사용하는 것은 색상 색역, 색상 순도, 색상 순수(trueness), NTSC 등을 효율적으로 개선할 수 있다. 실시형태에서, 디스플레이 장치의 NTSC는 NTSC 100%를 달성하고 제조 비용을 감소시키기 위해 LED 부재에서 LED 칩에 배치된 인광체에 의해 조정될 수 있다.
실시형태에서, 발광 장치는 발광성 재료, 적색 광 변환 재료 및 청색 LED 칩을 포함함으로써 NTSC100%의 요건을 달성할 수 있다. 발광성 재료는 녹색 입자(즉, 녹색 색상에 대한 입자) 및 녹색 인광체(즉, 녹색 색상에 대한 인광체)를 포함한다. 적색 광 변환 재료는 600㎚ 내지 700㎚의 피크 파장을 갖는 적색 광을 방출하기 위한 것이다. 적색 광 변환 재료는 적색 인광체 분말 또는 적색 입자를 포함한다. 적색 인광체 분말은 620㎚ 내지 670㎚의 피크 파장 및 8㎚ 내지 82㎚의 반값 전폭을 갖는 1차 광을 방출하기 위한 것이다. 본 실시형태에서, 적색 인광체 분말은 바람직하게는 620㎚ 내지 650㎚의 피크 파장 및 8㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 1차 광을 방출하기 위한 것이다. 실시형태에서, 적색 인광체 분말은 PFS를 사용하고, 631㎚의 피크 파장 및 10㎚의 반값 전폭을 갖는 1차 광을 방출하기 위한 것이다. 본 실시형태에서, 또 다른 적색 인광체 분말은 바람직하게는 655㎚ 내지 670㎚의 피크 파장 및 50㎚ 내지 82㎚의 반값 전폭을 갖는 1차 광을 방출하기 위한 것이다. 실시형태에서, 적색 인광체 분말은 CASN을 사용하고, 659㎚의 피크 파장 및 80㎚의 반값 전폭을 갖는 1차 광을 방출하기 위한 것이다. 적색 인광체 분말에 대한 재료는 바람직하게는 PFS의 적색 인광체 분말일 수 있다. 적색 입자는 적색 양자점을 포함하고, 적색 입자는 바람직하게는 632㎚ 내지 672㎚의 피크 파장 및 20㎚ 내지 40㎚의 반값 전폭을 갖는 1차 광을 방출하기 위한 것이다. 실시형태에서, 적색 입자는 652㎚의 피크 파장 및 35㎚의 반값 전폭을 갖는 1차 광을 방출하기 위한 것이다.
본 실시형태에서, 발광 장치는 발광성 재료, 적색 인광체 분말 및 청색 LED 칩을 포함한다. 발광성 재료는 녹색 입자 및 녹색 인광체를 포함한다. NTSC100%의 요건을 달성하기 위해, 발광성 재료에서 혼합된 녹색 인광체의 최대 양은 발광성 재료의 27.2중량%일 수 있다.
본 실시형태에서, 발광 장치는 발광성 재료, 적색 입자 및 청색 LED 칩을 포함한다. 발광성 재료는 녹색 입자 및 녹색 인광체를 포함한다. NTSC100%의 요건을 달성하기 위해, 발광성 재료에서 혼합된 녹색 인광체의 최대 양은 발광성 재료의 37.9중량%일 수 있다.
본 개시내용에서, 발광성 재료는 다양한 디스플레이 장치, 예를 들어 (도 4a에 도시된 바와 같은) 텔레비전(301)(텔레비전 수신기라 칭해질 수 있음), (도 4b에 도시된 바와 같은) 디지털 카메라(302), (도 4c에 도시된 바와 같은) 디지털 비디오 카메라(303), (도 4d에 도시된 바와 같은) 디지털 포토 프레임(304), (도 4e에 도시된 바와 같은) 휴대폰(305), (도 4f에 도시된 바와 같은) 랩탑(306), 모바일 컴퓨터, (도 4g에 도시된 바와 같은) 컴퓨터 모니터(307), 휴대용 게임 콘솔, 휴대용 안내 단말기, (도 4h에 도시된 바와 같은) 휴대용 뮤직 플레이어(308), (도 4i에 도시된 바와 같은) 게임 콘솔(309), (도 4j에 도시된 바와 같은) 자동차 모니터(310) 및 착용 가능 장치(예컨대, 스마트 워치 또는 가상 현실 유리)에서 적용될 수 있다.
본 개시내용의 발광성 재료는 LED에 대한 봉합재 재료로 제한되지 않고, 광학 필름, 광학 플레이트, 투명 부재, 광학 파트, 역광 유닛, 발광 장치, 색상 변환 재료, 광학 재료, 오일 잉크, 라벨링 물질 등에 적용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
본 실시형태에서, 발광성 재료는 하기 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다.
양자점 용액 및 코어 용액은 혼합되어 양자점과 부착된 코어를 생성시킨다. 양자점과 부착된 코어 및 실링 재료는 용매 중에 혼합되어 코어, 코어를 캡슐화한 실링 층 및 실링 층과 코어 사이에 배치된 양자점을 갖는 입자를 생성시킨다. 입자 및 인광체는 용매 중에 혼합되어 발광성 재료를 생성시킨다.
구체적으로, 양자점과 부착된 코어를 제조하는 단계는 내부에 실질적으로 균일하게 분포된 양자점을 포함하거나 양자점을 갖는 용액과 내부에 실질적으로 균일하게 분포된 코어를 포함하거나 코어를 갖는 용액의 혼합이다. 코어, 코어를 캡슐화한 실링 층 및 실링 층과 코어 사이에 배치된 양자점을 갖는 입자를 제조하는 단계는 물리 반응 및/또는 화학 반응을 통해 양자점과 부착된 코어를 캡슐화한 실링 재료로 이루어진 실링 층을 만들도록 용매 중의 이전의 단계로부터 얻은 양자점과 부착된 코어와 실링 재료의 혼합이다. 양자점은 코어 및 양자점의 조성 비율, 및 용액 시스템 중의 물리 및 화학 조건(예를 들어, 재료 비율, 온도 변화, 재료 특징 및 용매의 종류)을 적절히 조정함으로써 균일하게 및 효과적으로 코어에 흡착할 수 있다. 유사하게, 실링 층은 양자점과 부착된 코어 및 실링 재료의 조성 비율, 및 용액 시스템 중의 물리 및 화학 조건(예를 들어, 재료 비율, 온도 변화, 재료 특징 및 용매의 종류)을 적절히 조정함으로써 양자점에 대한 양호한 보호 효과를 제공하도록 형성될 수 있다. 발광성 재료를 제조하는 단계는 발광성 재료를 형성하도록 균일하게 혼합된 입자 및 인광체를 제조하도록 용매 중의 이전의 단계로부터 얻은 입자와 인광체의 혼합이다. 발광성 재료는 입자 및 인광체의 조성 비율을 적절히 조정함으로써 필요한 발광성 특성을 가질 수 있다.
본 실시형태에서, 양자점과 부착된 코어를 제조하는 단계에서, 양자점 용액은 양자점 및 n-헥산을 혼합함으로써 형성된 용액이다. 양자점은 양자점 용액의 0.1중량% 내지 5중량%를 점유한다. 본 실시형태에서, 양자점과 부착된 코어를 제조하는 단계에서, 코어 용액은 코어 및 n-헥산을 혼합함으로써 형성된 용액이다. 코어는 코어 용액의 0.5중량% 내지 10중량%를 점유한다. 본 실시형태에서, 양자점과 부착된 코어를 제조하는 단계는 용액을 정치시키는 단계 및 이후 원심분리성 여과를 수행하는 단계를 포함한다. 본 실시형태에서, 코어, 코어를 캡슐화한 실링 층 및 실링 층과 코어 사이에 배치된 양자점을 갖는 입자를 제조하는 단계에서, 입자를 제조하기 위해 용매 중에 양자점과 부착된 코어를 실링 재료와 혼합하는 단계는 테트라에톡시실란 및 수산화암모늄을 양자점과 부착된 코어와 함께 첨가된 에탄올에 첨가하는 단계 및 실온에서 용액을 교반한 후 순차적으로 원심분리성 분리, 클리닝, 원심분리성 분리 및 건조를 수행하는 단계를 포함한다. 본 실시형태에서, 발광성 재료를 제조하기 위해 용매 중에 입자를 인광체와 혼합하는 단계는 톨루엔 용매로 입자를 분산시키는 단계 및 또 다른 톨루엔 용매로 인광체를 분산시키는 단계 및 이후 2개의 용액을 잘 혼합하고 교반하는 단계, 및 이후 순차적으로 원심분리성 분리 및 건조 단계를 수행하는 단계를 포함한다.
본 개시내용의 양태, 특징 및 이점은 하기 구체적인 실시형태를 참조하여 더 잘 이해될 수 있다:
양자점 합성 실시예 1
18㎎의 산화카드뮴(CdO), 813㎎의 아연 아세테이트(ZnAc) 및 7㎎의 올레산을 3구 플라스크에 첨가하였다. 이후, 15㎖의 옥타데센(ODE)을 첨가하고, 용액을 가열하고 혼합하여 120℃의 온도 하에 진공 환경에서 반응시켰다. 이후, 질소 가스를 3구 플라스크에서 충전하고, 온도를 290℃로 상승시켰다. 이후, 2.1㎖, 0.0009㏖의 트라이옥틸포스핀 셀라나이드(TOP-Se) 및 58㎎의 황(S)을 주입하고, 용액을 290℃의 온도 하에 가열하여 반응시켰다. 이후, 0.5㎖의 n-도데실 머캅탄(DDT) 및 2.4㎖의 옥타데센을 주입하고, 525㎎의 아연 아세테이트, 1.83㎖의 올레산 및 4㎖의 옥타데센을 주입하고, 309㎎의 황 및 5㎖의 트라이옥틸포스핀을 주입하였다. 이후, 용액을 교반하여 노란색 녹색 현탁액 액체를 제조하였다. 이후, 현탁액 액체를 냉각시키고, 침전을 수행하여 300㎖의 에탄올을 사용함으로써 액체를 현탁시켜 침전물을 얻었다. 이후, 원심분리성 분리를 수행하여 침전시켜 녹색 양자점을 제조하고, 이것은 528㎚의 피크 파장 및 24㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출할 수 있다.
양자점 합성 실시예 2
1.361g의 산화카드뮴(CdO) 및 20㎎의 올레산을 3구 플라스크에 첨가하였다. 이후, 30㎖의 옥타데센(ODE)을 첨가하고, 용액을 가열하고 혼합하여 180℃의 온도 하에 진공 환경에서 반응시켰다. 이후, 질소 가스를 3구 플라스크에서 충전하고, 온도를 250℃로 상승시켰다. 이후, 0.7㎖, 0.56㏖의 트라이옥틸포스핀 셀라나이드(TOPSe)를 주입하고, 용액을 250℃의 온도 하에 가열하고, 어두운 갈색의 용액이 생성될 때까지 반응하도록 교반하였다. 이후, 온도를 120℃로 냉각시켰다. 0.969g의 아연 아세테이트(Zn(Ac)2)를 용액에 첨가하고, 이후 용액을 진공처리에 의해 탈수시켰다. 질소 가스를 3구 플라스크에서 충전하고, 온도를 250℃로 상승시켰다. 이후, 8㎖, 12m㏖의 트라이옥틸포스핀 설파이드(TOPS)를 용액에 주입하였다. 용액을 250℃에서 질소 가스 하에 반응시켰다. 반응을 종료한 후, 용액을 실온으로 냉각시켰다. 이후, 300㎖의 에탄올을 사용함으로써 침전을 용액에 수행하여 침전물을 얻었다. 이후, 원심분리성 분리를 수행하여 침전시켜 적색 양자점을 제조하고, 이것은 650㎚의 피크 파장 및 35㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출할 수 있다.
양자점 용액의 제조
양자점 용액(1)
양자점 합성 실시예 1의 녹색 양자점으로부터 용매를 제거하고, 이후 n-헥산을 첨가하여 양자점 용액(1)의 1중량%인 녹색 양자점을 제조함으로써 양자점 용액(1)을 제조하였다.
양자점 용액(2)
양자점 합성 실시예 2의 적색 양자점으로부터 용매를 제거하고, 이후 n-헥산을 첨가하여 양자점 용액(2)의 1중량%인 적색 양자점을 제조함으로써 양자점 용액(2)을 제조하였다
코어 용액의 제조
[코어 용액 (1)]
3㎛의 평균 직경 및 소수성 특성을 갖고, 10㎚의 평균 표면 어퍼처 직경 및 700㎡/g의 비표면적을 갖는 다공성 마이크로 그레인인 이산화규소 그레인을 코어로서 사용하고, n-헥산과 혼합하여 5중량%의 코어를 갖는 코어 용액 (1)을 제조하였다.
[코어 용액 (2)]
1㎛의 평균 직경 및 소수성 특성을 갖고, 10㎚의 평균 표면 어퍼처 직경 및 400㎡/g의 비표면적을 갖는 다공성 마이크로 그레인인 이산화규소 그레인을 코어로서 사용하고, n-헥산과 혼합하여 5중량%의 코어를 갖는 코어 용액 (2)을 제조하였다.
[코어 용액 (3)]
0.15㎛의 평균 직경 및 소수성 특성을 갖고, 5㎚의 평균 표면 어퍼처 직경 및 120㎡/g의 비표면적을 갖는 다공성 마이크로 그레인인 이산화규소 그레인을 코어로서 사용하고, n-헥산과 혼합하여 5중량%의 코어를 갖는 코어 용액 (3)을 제조하였다.
[코어 용액 (4)]
50㎛의 평균 직경 및 소수성 특성을 갖고, 12㎚의 평균 표면 어퍼처 직경 및 120㎡/g의 비표면적을 갖는 다공성 마이크로 그레인인 이산화규소 그레인을 코어로서 사용하고, n-헥산과 혼합하여 5중량%의 코어를 갖는 코어 용액 (4)을 제조하였다
[코어 용액 (5)]
1g의 0.25㎛의 평균 직경을 갖는 흄드 실리카(상표명: SIS6960.0, Gelest 제조)를 40g의 다이메틸 설폭사이드 중에 분산시키고, 변형제로서 0.2g의 헥사데실 트라이메톡시실란과 첨가하였다. 용액을 질소 가스의 환경 하에 85℃로 가열하고, 72시간 동안 교반하여 반응시켰다. 이후, 용액을 원심분리에 의해 처리하고, 에탄올에 의해 3회 세척하였다. 용액의 용매를 진공에 의한 건조에 의해 제거하여 코어로서 있는 소수성 특성을 갖는 흄드 실리카 마이크로 그레인을 제조하였다. 코어를 n-헥산과 혼합하여 5중량%의 코어를 갖는 코어 용액 (5)을 제조하였다.
입자의 제조
[입자 실시형태 1]
0.25g의 양자점 용액(1) 및 5g의 코어 용액(1)을 혼합하고, 10분 동안 정치시켰다. 이후, 용액을 원심분리 방법에 의해 여과시켜 양자점과 부착된 코어를 얻었다. 이후, 양자점과 부착된 코어를 250g의 에탄올 중에 균일하게 분산시켰다. 이후, 용액을 0.5g의 테트라에톡시실란(TEOS) 및 2.5g의 29중량%의 수산화암모늄(NH4OH)과 첨가하고, 용액의 pH 값이 10 내지 11인 동안 실온에서 4시간 동안 교반하였다. 원심분리성 분리를 수행하였다. 잔류물을 순수한 물을 사용하여 3회 세척하고, 이후 건조시켜 마이크론 크기의 입자를 얻었다. 입자를 에탄올과 혼합하고, 내부에 균일하게 분산시켰다. 용액을 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 분석하여 image-pro Plus 6.0의 소프트웨어에 의해 입자를 관찰하여서, 그레인을 선택하고, 이것의 특성, 예컨대 평균 직경 등을 측정하였다. 입자는 피크의 광도를 측정하도록 PL에 의해 분석되었다. 발광 보유 비율(단위: %)은 PL250 대 PL25의 비율이다. PL25는 실온 25℃에서 측정된 입자의 PL 피크의 광도이다. PL250은 입자가 2시간 동안 250℃의 환경 하에 가열된 후 실온에서 측정된 입자의 PL 피크의 광도이다.
[입자 실시형태 2 및 3]
입자 실시형태 2 및 입자 실시형태 3은 표 1에 기재된 바와 같은 코어 용액의 종류로 입자 실시형태 1과 다르다.
[입자 실시형태 4]
입자 실시형태 4는 표 1에 기재된 바와 같은 코어 용액의 종류 및 양으로 입자 실시형태 1과 다르다.
[입자 실시형태 5]
입자 실시형태 5는 입자 실시형태 5가 양자점 용액 (2)을 사용한다는 점에서 입자 실시형태 4와 다르다.
[비교용 입자 실시예 1]
비교용 입자 실시예 1은 표 1에 기재된 바와 같은 코어 용액의 종류로 입자 실시형태 1과 다르다.
[비교용 입자 실시예 2]
비교용 입자 실시예 2는 비교용 입자 실시예 2가 표 1에 기재된 바와 같은 코어 용액을 사용하지 않는다는 점에서 입자 실시형태 1과 다르다.
[비교용 입자 실시예 3]
비교용 입자 실시예 3은 0.25g의 양자점 용액(1)으로부터 용매를 제거함으로써 얻은 입자이다.
표 1은 또한 입자의 평균 직경 및 발광 보유 비율을 기재한다. 발광 보유 비율(단위: %)은 PL250 대 PL25의 비율이다.
Figure pat00002
하기 실험 데이터로부터 관찰된 하기 현상이 적어도 존재한다. 비교예 1의 발광 보유는 동일한 용적 하에 양자점을 흡착할 수 있는 작은 유효 표면적을 갖는 코어의 과크기화 평균 직경으로 인해 불량하여서, 쉽게 전체 양자점의 응집을 발생시킨다. 코어 없이 양자점 및 실링 층을 오직 갖는 비교예 2의 발광 보유 비율은 양자점의 쉬운 응집으로 인해 또한 불량하여서, 발광 기능의 소실을 발생시킨다. 코어 및 실링 층을 갖지 않고 양자점을 오직 갖는 비교예 3의 발광 보유 비율은 실링 층으로부터의 보호 효과의 결여 및 양자점의 더 심각한 응집으로 인해 매우 나빠서, 발광 기능의 소실을 발생시킨다. 비교예와 비교하여, 본 개시내용의 개념에 따라 제조된 입자 실시형태 1 내지 4는 모두 더 양호한 발광 보유 비율 및 더 높은 신뢰도를 갖는다.
발광성 재료
표 2는 발광성 재료 실시예 1 내지 5의 조성 및 발광성 특성을 기재한다. 발광성 재료의 조성은 입자 및 인광체의 전체 중량을 기준으로 발광성 재료에서 점유한 입자 및 인광체의 중량 백분율에서 서로 다르다.
발광성 재료에 대한 제조 방법은 하기한 바대로 개시된 발광성 재료 실시예 4에 대한 제조 방법에 기초하여 이해된다. 발광성 재료 실시예 4에 대한 제조 방법에서, 0.05g의 Denka의 모델 GR230호의 β-SiAlON 인광체 분말(542㎚의 1차 피크 파장 및 54㎚의 반값 전폭을 가짐)을 취하여 1g의 톨루엔 용매 중에 분산시킨다. 0.95g의 입자 실시형태 4에 따라 얻은 입자(529㎚의 1차 피크 파장 및 25㎚의 반값 전폭을 가짐)를 19g의 또 다른 톨루엔 용매 중에 분산시킨다. 이후, 2의 용액을 혼합하고, 균일하게 교반한다. 10000rpm에 의한 원심분리를 혼합물 용액에 실행하고, 이후 상청액 액체를 제거한다. 이후, 혼합물의 용액을 진공 건조 방법에 의해 제거하여 β-SiAlON 녹색 인광체 분말 및 녹색 입자를 포함하는 녹색 발광성 재료의 분말을 얻는다.
Figure pat00003
표 3은 발광성 재료 실시예 6 내지 10의 조성 및 발광성 특성을 기재한다. 표 3에 기재된 바와 같은 발광성 재료 실시예 6 내지 10의 조성은, 발광성 재료 실시예 6 내지 10의 녹색 인광체가 Chi Mei Corporation의 모델 Y22L400호의 YAG 인광체 분말(532㎚의 1차 피크 파장 및 106㎚의 반값 전폭을 가짐)을 사용한다는 점에서, 발광성 재료 실시예 1 내지 5의 조성과 다르다.
Figure pat00004
표 2 및 표 3에 기재된 결과로부터, 발광성 재료 내의 녹색 입자의 함량이 감소하면서, 발광성 재료의 휘도 및 광도가 증가하지만, 동시에 발광성 재료에 대한 PL 피크의 반값 전폭에 대한 증가하는 경향이 또한 있는 것으로 밝혀질 수 있었다. 휘도 및 광도의 증가와 PL 반값 전폭의 감소 사이의 트레이드-오프의 고려 하에, 10중량%의 인광체를 갖는 발광성 재료 3 및 발광성 재료 8이 바람직하다.
표 4는 표 2에 기재된 발광성 재료 실시예 1 내지 5의 디스플레이 특징을 기재한다. NTSC 측정에서, CIE 1931 색도 좌표의 R(x,y) = (0.67, 0.33), G(x,y) = (0.21, 0.71) 및 B(x,y) = (0.14, 0.08)에 의해 정의된 삼각형의 면적은 NTSC100%인 것으로 표준 삼각형 면적으로서 사용된다. 발광성 재료 실시예 1 내지 5의 색도 좌표 및 R(x,y) = (0.67, 0.33) 및 B(x,y) = (0.14, 0.08)에 의해 정의된 삼각형의 면적은 발광성 재료 실시예 1 내지 5의 NTSC%를 얻기 위해 표준 삼각형과 비교된다.
Figure pat00005
표 4에 기재된 결과에 따라, 발광성 재료가 가능한 NTSC100%에 가까운 것에 대해 발광성 재료 실시예 3의 10중량%의 녹색 인광체(β-SiAlON)의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 녹색 인광체(β-SiAlON)의 함량 및 발광성 재료 실시예 1 내지 5의 NTSC%의 값을 보여주는 분포 다이어그램(y = 45.048x2 - 80.994x + 110.45; R² = 0.9992; 여기서 x는 발광성 재료에서의 중량 백분율에 의한 β-SiAlON의 함량을 나타내고, y는 NTSC%를 나타냄)으로부터 얻은 다항 회귀 경향 선(제곱근: 2)이 고려되도록 취해지면서, 발광성 재료가 13.9중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 발광성 재료에 대해, 녹색 인광체와 혼합된 녹색 입자의 포함된 함량과 NTSC% 사이의 관계식은 선형 관계식이 아니다. NTSC100%를 달성하기 위한 발광성 재료에서 혼합된 녹색 인광체의 최대 함량은 녹색 입자 및 녹색 인광체의 NTSC%의 2개의 값에 따라 다이어그램을 직접적으로 작도하고, 선형 비례 관계식 등에 따라 유추하여 이것을 계산함으로써 단순히 얻어질 수 없다. 따라서, 발광성 재료에서, 녹색 인광체의 함량은 100중량%로서 녹색 입자 및 녹색 인광체의 전체 함량을 기준으로 5중량% 내지 13.9중량%일 수 있고, 녹색 인광체는 530㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 40㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는다.
표 5는 표 3에 기재된 발광성 재료 실시예 6 내지 10의 디스플레이 특징을 기재한다. NTSC 측정에서, CIE 1931 색도 좌표의 R(x,y) = (0.67, 0.33), G(x,y) = (0.21, 0.71) 및 B(x,y) = (0.14, 0.08)에 의해 정의된 삼각형의 면적은 NTSC100%인 것으로 표준 삼각형 면적으로서 사용된다. 발광성 재료 실시예 6 내지 10의 색도 좌표 및 R(x,y) = (0.67, 0.33) 및 B(x,y) = (0.14, 0.08)에 의해 정의된 삼각형의 면적은 발광성 재료 실시예 6 내지 10의 NTSC%를 얻기 위해 표준 삼각형과 비교된다.
Figure pat00006
표 5에 기재된 결과에 따라, 발광성 재료가 가능한 NTSC100%에 가까운 것에 대해 5중량%의 녹색 인광체(YAG)의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 녹색 인광체(YAG)의 함량 및 발광성 재료 실시예 7 내지 10의 NTSC%의 값을 보여주는 분포 다이어그램(y = 576.73x2 - 257.12x + 110.49; R² = 0.9979; 여기서 x는 발광성 재료에서의 중량 백분율에 의한 YAG의 함량을 나타내고, y는 NTSC%를 나타냄)으로부터 얻은 다항 회귀 경향 선(제곱근: 2)이 고려되도록 취해지면서, 발광성 재료가 4.8중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 발광성 재료에 대해, 녹색 인광체와 혼합된 녹색 입자의 포함된 함량과 NTSC% 사이의 관계식은 선형 관계식이 아니다. NTSC100%를 달성하기 위한 발광성 재료에서 혼합된 녹색 인광체의 최대 함량은 녹색 입자 및 녹색 인광체의 NTSC%의 2개의 값에 따라 다이어그램을 직접적으로 작도하고, 선형 비례 관계식 등에 따라 유추하여 이것을 계산함으로써 단순히 얻어질 수 없다. 따라서, 발광성 재료에서, 녹색 인광체의 함량은 100중량%로서 녹색 입자 및 녹색 인광체의 전체 함량을 기준으로 0.1중량% 내지 4.8중량%일 수 있고, 녹색 인광체는 530㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 70㎚ 내지 108㎚의 반값 전폭을 갖는다.
발광 장치
표 6은 적색 인광체 분말(PFS) 및 청색 LED 칩을 적용하는 LED 부재와 함께 표 2에서의 녹색 발광성 재료 실시예 1 내지 5를 사용하여 각각 발광 장치 실시예 1 내지 5의 특징을 기재한다. 청색 LED 칩은 EPISTAR Corporation의 제품 모델 ES-EEDBF11P호를 사용하고, 이것은 450㎚의 파장 및 (x,y) = (0.1409, 0.0547)의 CIE 색도 좌표를 갖는 광을 방출할 수 있다. 적색 인광체 분말은 GE의 TriGain의 K2[SiF6]:Mn4+(칼륨 플루오로실리케이트 Mn4 + 인광체; PFS) 제품 모델을 사용하고, 이것은 (x,y) = (0.691, 0.307)의 CIE 색도 좌표, 631㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 10㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출할 수 있다.
Figure pat00007
표 6에 기재된 결과에 따라, 실제 사용에서 적색 인광체 분말(PFS) 및 청색 LED 칩과 함께 적용될 때, 발광성 재료가 가능한 NTSC100%에 가까운 것에 대해 발광성 재료 실시예 2의 20중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 발광성 재료의 녹색 인광체(β-SiAlON)의 혼합된 함량 및 발광 장치의 NTSC%의 값을 보여주는 분포 다이어그램(y = 46.306x2 - 83.244x + 119.22; R² = 0.9992; 여기서 x는 발광성 재료에서의 중량 백분율에 의한 β-SiAlON의 함량을 나타내고, y는 발광 장치의 NTSC%를 나타냄)으로부터 얻은 다항 회귀 경향 선(제곱근: 2)이 고려되도록 취해지면서, 발광성 재료가 27.2중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 따라서, 발광 장치는 620㎚ 내지 650㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 8㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 추가적인 적색 인광체 분말; 5중량% 내지 27.2중량%의 함량, 530㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 40㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체; 및 72.8중량% 내지 95중량%의 함량, 520㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 10㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 입자를 가질 수 있다.
표 7은 상기 적색 인광체 분말(PFS) 및 상기 청색 LED 칩을 적용하는 LED 부재와 함께 표 3에서의 녹색 발광성 재료 실시예 7 내지 10을 사용하여 각각 발광 장치 실시예 6 내지 9의 특징을 기재한다.
Figure pat00008
표 7에 기재된 결과에 따라, 실제 사용에서 적색 인광체 분말(PFS) 및 청색 LED 칩과 함께 적용될 때, 발광성 재료가 가능한 NTSC100%에 가까운 것에 대해 발광성 재료 실시예 9의 5중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 발광성 재료의 녹색 인광체(YAG)의 혼합된 함량 및 발광 장치의 NTSC%의 값을 보여주는 분포 다이어그램(y = 593.27x2 - 264.46x + 119.25; R² = 0.9979; 여기서 x는 발광성 재료에서의 중량 백분율에 의한 YAG의 함량을 나타내고, y는 발광 장치의 NTSC%를 나타냄)으로부터 얻은 다항 회귀 경향 선(제곱근: 2)이 고려되도록 취해지면서, 발광성 재료가 9.1중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 따라서, 발광 장치는 620㎚ 내지 650㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 8㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 추가적인 적색 인광체 분말; 0.1중량% 내지 9.1중량%의 함량, 530㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 70㎚ 내지 108㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체; 및 90.9중량% 내지 99.9중량%의 함량, 520㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 10㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 입자를 가질 수 있다.
표 8은 적색 인광체 분말(CASN) 및 청색 LED 칩을 적용하는 LED 부재와 함께 표 2에서의 녹색 발광성 재료 실시예 1 내지 5를 사용하여 각각 발광 장치 실시예 10 내지 14의 특징을 기재한다. 청색 LED 칩은 EPISTAR Corporation의 제품 모델 ES-EEDBF11P호를 사용하고, 이것은 450㎚의 파장 및 (x,y) = (0.1409, 0.0547)의 CIE 색도 좌표를 갖는 광을 방출할 수 있다. 적색 인광체 분말은 Mitsubishi Chemical Corporation의 CaAlSiN3:Eu(나이트라이드 인광체; CASN) 제품 모델 BR-101B호를 사용하고, 이것은 (x,y) = (0.682, 0.318)의 CIE 색도 좌표, 659㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 80㎚의 반값 전폭을 갖는 광을 방출할 수 있다.
Figure pat00009
표 8에 기재된 결과에 따라, 실제 사용에서 적색 인광체 분말(CASN) 및 청색 LED 칩과 함께 적용될 때, 발광성 재료가 가능한 NTSC100%에 가까운 것에 대해 발광성 재료 실시예 2의 20중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 발광성 재료의 녹색 인광체(β-SiAlON)의 혼합된 함량 및 발광 장치의 NTSC%의 값을 보여주는 분포 다이어그램(y = 46.554x2 - 83.696x + 117.06; R² = 0.9992; 여기서 x는 발광성 재료에서의 중량 백분율에 의한 β-SiAlON의 함량을 나타내고, y는 발광 장치의 NTSC%를 나타냄)으로부터 얻은 다항 회귀 경향 선(제곱근: 2)이 고려되도록 취해지면서, 발광성 재료가 23.4중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 따라서, 발광 장치는 655㎚ 내지 670㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 50㎚ 내지 82㎚의 반값 전폭을 갖는 추가적인 적색 인광체 분말; 5중량% 내지 23.4중량%의 함량, 530㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 40㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체; 및 76.6중량% 내지 95중량%의 함량, 520㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 10㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 입자를 가질 수 있다.
표 9는 상기 적색 인광체 분말(CASN) 및 상기 청색 LED 칩을 적용하는 LED 부재와 함께 표 3에서의 녹색 발광성 재료 실시예 7 내지 10을 사용하여 각각 발광 장치 실시예 15 내지 18의 특징을 기재한다.
Figure pat00010
표 9에 기재된 결과에 따라, 실제 사용에서 적색 인광체 분말(CASN) 및 청색 LED 칩과 함께 적용될 때, 발광성 재료가 가능한 NTSC100%에 가까운 것에 대해 발광성 재료 실시예 9의 5중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 발광성 재료의 녹색 인광체(YAG)의 혼합된 함량 및 발광 장치의 NTSC%의 값을 보여주는 분포 다이어그램(y = 595.36x2 - 265.31x + 117.09; R² = 0.9979; 여기서 x는 발광성 재료에서의 중량 백분율에 의한 YAG의 함량을 나타내고, y는 발광 장치의 NTSC%를 나타냄)으로부터 얻은 다항 회귀 경향 선(제곱근: 2)이 고려되도록 취해지면서, 발광성 재료가 7.8중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 따라서, 발광 장치는 655㎚ 내지 670㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 50㎚ 내지 82㎚의 반값 전폭을 갖는 추가적인 적색 인광체 분말; 0.1중량% 내지 7.8중량%의 함량, 530㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 70㎚ 내지 108㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체; 및 92.2중량% 내지 99.9중량%의 함량, 520㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 10㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 입자를 가질 수 있다.
표 10은 적색 입자(적색 양자점을 가짐) 및 청색 LED 칩을 적용하는 LED 부재와 함께 표 2에서의 녹색 발광성 재료 실시예 1 내지 5를 사용하여 각각 발광 장치 실시예 19 내지 23의 특징을 기재한다. 청색 LED 칩은 EPISTAR Corporation의 제품 모델 ES-EEDBF11P호를 사용하고, 이것은 450㎚의 파장 및 (x,y) = (0.1409, 0.0547)의 CIE 색도 좌표를 갖는 광을 방출할 수 있다. 적색 입자는 입자 실시형태 5에서 제조된 입자를 사용하고, 이것은 652㎚의 1차 발광성 피크 파장, 35㎚의 반값 전폭 및 (x,y) = (0.7145, 0.2837)의 CIE 색도 좌표를 갖는 광을 방출할 수 있다.
Figure pat00011
표 10에 기재된 결과에 따라, 실제 사용에서 적색 입자(적색 양자점을 가짐) 및 청색 LED 칩과 함께 적용될 때, 발광성 재료가 가능한 NTSC100%에 가까운 것에 대해 발광성 재료 실시예 2의 20중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 발광성 재료의 녹색 인광체(β-SiAlON)의 혼합된 함량 및 발광 장치의 NTSC%의 값을 보여주는 분포 다이어그램(y = 45.989x2 - 82.687x + 124.77; R² = 0.9992; 여기서 x는 발광성 재료에서의 중량 백분율에 의한 β-SiAlON의 함량을 나타내고, y는 발광 장치의 NTSC%를 나타냄)으로부터 얻은 다항 회귀 경향 선(제곱근: 2)이 고려되도록 취해지면서, 발광성 재료가 37.9중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 따라서, 발광 장치는 632㎚ 내지 672㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 20㎚ 내지 40㎚의 반값 전폭을 갖는 추가적인 적색 인광체 분말; 5중량% 내지 37.9중량%의 함량, 530㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 40㎚ 내지 60㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체; 및 62.1중량% 내지 95중량%의 함량, 520㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 10㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 입자를 가질 수 있다.
표 11은 상기 적색 입자(적색 양자점을 가짐) 및 상기 청색 LED 칩을 적용하는 LED 부재와 함께 표 3에서의 녹색 발광성 재료 실시예 7 내지 10을 사용하여 각각 발광 장치 실시예 24 내지 27의 특징을 기재한다.
Figure pat00012
표 11에 기재된 결과에 따라, 실제 사용에서 적색 입자(적색 양자점을 가짐) 및 청색 LED 칩과 함께 적용될 때, 발광성 재료가 가능한 NTSC100%에 가까운 것에 대해 발광성 재료 실시예 8의 10중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 발광성 재료의 녹색 인광체(YAG)의 혼합된 함량 및 발광 장치의 NTSC%의 값을 보여주는 분포 다이어그램(y = 592.36x2 - 264.18x + 124.8; R² = 0.9979; 여기서 x는 발광성 재료에서의 중량 백분율에 의한 YAG의 함량을 나타내고, y는 발광 장치의 NTSC%를 나타냄)으로부터 얻은 다항 회귀 경향 선(제곱근: 2)이 고려되도록 취해지면서, 발광성 재료가 13.4중량%의 녹색 인광체의 최대 함량을 가질 수 있다고 추정된다. 따라서, 발광 장치는 632㎚ 내지 672㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 20㎚ 내지 40㎚의 반값 전폭을 갖는 추가적인 적색 인광체 분말; 0.1중량% 내지 13.4중량%의 함량, 530㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 70㎚ 내지 108㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 인광체; 및 86.6중량% 내지 99.9중량%의 함량, 520㎚ 내지 550㎚의 1차 발광성 피크 파장 및 10㎚ 내지 30㎚의 반값 전폭을 갖는 녹색 입자를 가질 수 있다.
본 개시내용이 예로서 예시적인 실시형태(들)의 면에서 기재되어 있지만, 본 개시내용이 이에 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 반대로, 이것은 다양한 변형 및 유사한 배열 및 절차를 포괄하는 것으로 의도되고, 따라서 첨부된 청구항의 범위는 모든 이러한 변형 및 유사한 배열 및 절차를 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

Claims (7)

  1. 발광성 재료로서,
    양자점을 포함하고, 0.06㎛ 내지 30㎛의 평균 직경을 갖는 입자; 및
    인광체를 포함하고,
    상기 입자 중 하나는
    코어; 및
    상기 코어를 커버하는 실링 층을 포함하고, 상기 양자점은 상기 코어와 상기 실링 층 사이에 배치된, 발광성 재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코어는 비-광발광성 재료인, 발광성 재료.
  3. 제1항에 있어서, 상기 인광체의 함량은 100중량%로서 상기 입자 및 상기 인광체의 전체 중량을 기준으로 0.1중량% 내지 40중량%이고, 상기 양자점은 녹색 양자점이고, 상기 인광체는 녹색 인광체인, 발광성 재료.
  4. 제3항에 있어서, 상기 녹색 인광체는 510㎚ 내지 560㎚의 주요 피크 파장, 40㎚ 내지 108㎚의 반값 전폭(full width at half maximum)을 갖는, 발광성 재료.
  5. 제1항에 청구된 바와 같은 발광성 재료를 포함하는 발광 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 발광 장치는 적색 광 변환 재료 및 청색 LED 칩을 포함하고; 상기 적색 광 변환 재료는 600㎚ 내지 700㎚의 피크 파장을 갖는 1차 광을 갖는, 발광 장치.
  7. 제1항에 청구된 바와 같은 발광성 재료를 포함하는 디스플레이 장치로서, 상기 디스플레이 장치는 텔레비전, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 핸드폰, 랩탑, 컴퓨터 모니터, 휴대용 뮤직 플레이어, 게임 콘솔, 자동차 모니터, 스마트 워치(smart watch) 또는 가상 현실 유리(virtual reality glasses)인, 디스플레이 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI686459B (zh) * 2017-12-12 2020-03-01 奇美實業股份有限公司 發光材料及應用其之具有顯示功能的電子裝置
US11552228B2 (en) * 2018-08-17 2023-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
TWI808178B (zh) * 2019-05-21 2023-07-11 隆達電子股份有限公司 波長轉換物質及發光裝置
CN110752284A (zh) * 2019-10-16 2020-02-04 马鞍山微晶光电材料有限公司 一种量子点微晶发光基片及其制备方法和应用
TW202122557A (zh) 2019-12-04 2021-06-16 國立臺灣科技大學 鈣鈦礦量子點膜的合成方法
US11189757B2 (en) * 2019-12-12 2021-11-30 Lumileds Llc Light emitting diodes with reflective sidewalls comprising porous particles

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080017553A (ko) * 2006-08-21 2008-02-27 삼성전자주식회사 복합 발광 재료 및 그를 포함하는 발광 소자
KR20150121722A (ko) * 2009-07-17 2015-10-29 서울대학교산학협력단 양자점 함유 입자 및 이의 제조 방법
KR20150133790A (ko) * 2013-03-20 2015-11-30 코닌클리케 필립스 엔.브이. 캡슐화된 다공성 입자 내 양자점
KR20170011616A (ko) * 2015-07-23 2017-02-02 주식회사 아모그린텍 청색광원용 광확산기능 일체형 양자점 시트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 백라이트 유닛

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7195905B2 (en) 2001-12-10 2007-03-27 Baxter Healthcare S.A. Enveloped virus vaccine and method for production
JP4009722B2 (ja) * 2003-05-28 2007-11-21 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノ粒子で装飾された無機成形体及びその製造方法
US7742322B2 (en) 2005-01-07 2010-06-22 Invisage Technologies, Inc. Electronic and optoelectronic devices with quantum dot films
US7405002B2 (en) * 2004-08-04 2008-07-29 Agency For Science, Technology And Research Coated water-soluble nanoparticles comprising semiconductor core and silica coating
US20060082296A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Chua Janet Bee Y Mixture of alkaline earth metal thiogallate green phosphor and sulfide red phosphor for phosphor-converted LED
US7495383B2 (en) 2005-08-01 2009-02-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor based on a combination of quantum dot and conventional phosphors
KR100745745B1 (ko) * 2006-02-21 2007-08-02 삼성전기주식회사 나노복합재료 및 그 제조방법
US20080012001A1 (en) * 2006-07-12 2008-01-17 Evident Technologies Shaped articles comprising semiconductor nanocrystals and methods of making and using same
KR100982991B1 (ko) * 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
US20100224831A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-09 Kyoungja Woo Nanoparticle-doped porous bead and fabrication method thereof
JP2011040486A (ja) 2009-08-07 2011-02-24 Sharp Corp 発光装置および画像表示装置
TWI398700B (zh) * 2009-12-30 2013-06-11 Au Optronics Corp 使用量子點螢光粉之顯示裝置及其製造方法
WO2011109782A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 Altarock Energy, Inc. Colloidal-crystal quantum dots as tracers in underground formations
WO2013001685A1 (ja) * 2011-06-29 2013-01-03 パナソニック株式会社 複合蛍光体および発光装置
CN102690658A (zh) * 2012-05-28 2012-09-26 广东普加福光电科技有限公司 一种镶嵌量子点的多孔二氧化硅复合材料及其制备方法和应用
US20140101980A1 (en) * 2012-06-17 2014-04-17 Best Fit Frames, LLC Method and Apparatus of Mounting Advertising to a Display
TW201403878A (zh) * 2012-07-06 2014-01-16 Formosa Epitaxy Inc 一種發光元件
CN103869536B (zh) * 2014-03-06 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 显示用基板及其制造方法、显示装置
CN105219373B (zh) * 2014-06-05 2019-06-25 中翰盛泰生物技术股份有限公司 一种载体颗粒及其制备方法
JP6264218B2 (ja) * 2014-06-06 2018-01-24 日本電気硝子株式会社 発光デバイス、波長変換部材及び波長変換部材の製造方法
US9466771B2 (en) * 2014-07-23 2016-10-11 Osram Sylvania Inc. Wavelength converters and methods for making the same
CN105385449B (zh) * 2015-12-22 2018-04-10 莫婉玲 一种含有脂肪酸脂的量子点复合微球及其制备方法
US10563122B2 (en) * 2016-03-18 2020-02-18 Osaka University Semiconductor nanoparticles and method of producing semiconductor nanoparticles
TWI615457B (zh) 2016-06-08 2018-02-21 奇美實業股份有限公司 發光材料與發光材料的製備方法
US10988685B2 (en) 2016-11-25 2021-04-27 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dots, a composition or composite including the same, and an electronic device including the same
WO2018235580A1 (ja) * 2017-06-19 2018-12-27 日本電気硝子株式会社 ナノ蛍光体付着無機粒子及び波長変換部材
JP2019059802A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 日本電気硝子株式会社 波長変換部材

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080017553A (ko) * 2006-08-21 2008-02-27 삼성전자주식회사 복합 발광 재료 및 그를 포함하는 발광 소자
KR20150121722A (ko) * 2009-07-17 2015-10-29 서울대학교산학협력단 양자점 함유 입자 및 이의 제조 방법
KR20150133790A (ko) * 2013-03-20 2015-11-30 코닌클리케 필립스 엔.브이. 캡슐화된 다공성 입자 내 양자점
KR20170011616A (ko) * 2015-07-23 2017-02-02 주식회사 아모그린텍 청색광원용 광확산기능 일체형 양자점 시트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 백라이트 유닛

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