KR20200050351A - 반도체 디바이스 및 방법 - Google Patents

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첸-밍 리
후-카이 양
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충-팅 코
주니어-훙 리
치 온 추이
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Abstract

한 실시형태에서, 방법은 다음을 포함한다: 소스/드레인 영역 위의 제1 부분 및 게이트 스택을 따르는 제2 부분을 갖는 차등 접촉 에칭 저지층(CESL)을 형성하는 것 - 소스/드레인 영역은 기판 내에 있고, 게이트 스택은 소스/드레인 영역에 근접하게 기판 위에 있고, 제1 부분의 제1 두께는 제2 부분의 제2 두께보다 두꺼움 - ; 차등 CESL 위에 제1 층간 유전체(ILD)를 퇴적하는 것; 제1 ILD 내에 소스/드레인 접촉 개구부를 형성하는 것; 소스/드레인 접촉 개구부의 측벽들을 따라 접촉 스페이서를 형성하는 것; 접촉 스페이서를 형성한 후, 차등 CESL을 통해 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시키는 것; 및 연장된 소스/드레인 접촉 개구부 내에 제1 소스/드레인 접촉부 - 제1 소스/드레인 접촉부는 소스/드레인 영역과 물리적으로 그리고 전기적으로 커플링되고, 접촉 스페이서는 제1 소스/드레인 접촉부를 제1 ILD로부터 물리적으로 분리함 - 을 형성하는 것.

Description

반도체 디바이스 및 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD}
우선권 주장 및 교차 참조
본 출원은 2018년 10월 31일자로 출원된 미국 가출원 제62/753,359호의 이익을 주장하는데, 상기 출원은 참조에 의해 본원에 통합된다.
반도체 디바이스는, 예를 들면, 퍼스널 컴퓨터, 셀 폰, 디지털 카메라 및 다른 전자 기기와 같은 다양한 전자적 응용에서 사용된다. 반도체 디바이스는 통상적으로 반도체 기판 위에 절연층 또는 유전체층, 전도성층, 및 반도체층의 재료를 순차적으로 퇴적하고, 리소그래피를 사용하여 다양한 재료층을 패턴화하여 그 상에 회로 컴포넌트 및 엘리먼트를 형성하는 것에 의해 제조된다.
반도체 산업은, 최소 피처 사이즈(minimum features size)의 연속적인 감소에 의해 다양한 전자 컴포넌트(예를 들면, 트랜지스터, 다이오드, 저항기, 커패시터 등)의 집적 밀도를 계속적으로 향상시키고 있는데, 이것은 주어진 영역에 더 많은 컴포넌트가 통합되는 것을 허용한다. 그러나, 최소 피처 사이즈가 감소됨에 따라, 해결되어야 하는 추가적인 문제가 발생한다.
본 개시의 양태는, 하기의 상세한 설명이 첨부의 도면과 함께 판독될 때 가장 잘 이해된다. 업계에서의 표준 관행에 따라, 다양한 피처는 일정한 축척으로 묘사되지 않는다는 것을 유의한다. 실제, 다양한 피처의 치수는 논의의 명확화를 위해 임의적으로 증가 또는 감소될 수도 있다.
도 1은, 몇몇 실시형태에 따른, FinFET의 예를 삼차원 도면에서 예시한다.
도 2, 도 3, 도 4, 도 5, 도 6의 A, 도 6의 B, 도 7의 A, 도 7의 B, 도 8의 A, 도 8의 B, 도 9의 A, 도 9의 B, 도 10, 도 11, 도 12 및 도 13은, 몇몇 실시형태에 따른, FinFET의 제조에서의 중간 단계의 단면도이다.
도 14는, 몇몇 실시형태에 따른, 차등(differential) CESL의 두께(들)와 방향성 플라즈마 활성화(directional plasma activation) 동안의 프로세싱 조건 사이의 관계를 예시한다.
도 15의 A, 도 15의 B, 도 16의 A, 도 16의 B, 도 17의 A, 도 17의 B, 도 18의 A, 도 18의 B, 도 18c, 도 19의 A, 도 19의 B, 도 20의 A, 도 20의 B, 도 21의 A, 도 21의 B, 도 22의 A, 도 22의 B, 도 23의 A, 도 23의 B, 도 24의 A, 및 도 24의 B는, 몇몇 실시형태에 따른, FinFET의 제조에서의 추가적인 중간 단계의 단면도이다.
하기의 개시는, 본 발명의 상이한 피처를 구현하기 위한 많은 상이한 실시형태, 또는 예를 제공한다. 본 개시를 단순화하기 위해, 컴포넌트 및 배열(arrangement)의 특정한 예가 하기에서 설명된다. 이들은, 물론, 예에 불과하며 제한하도록 의도되는 것은 아니다. 예를 들면, 후속하는 설명에서 제2 피처 위에 또는 상에 제1 피처를 형성하는 것은, 제1 및 제2 피처가 직접 접촉하여 형성되는 실시형태를 포함할 수도 있고, 제1 및 제2 피처가 직접 접촉하지 않을 수도 있도록 제1 피처와 제2 피처 사이에 추가적인 피처가 형성될 수도 있는 실시형태를 또한 포함할 수도 있다. 게다가, 본 개시는 다양한 예에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복할 수도 있다. 이 반복은 간략화 및 명확화를 위한 것이며, 그 자체로는, 논의되는 다양한 실시형태 및/또는 구성 사이의 관계를 지시하는 것은 아니다.
게다가, 도면에서 예시되는 바와 같은 다른 엘리먼트(들) 또는 피처(들)에 대한 하나의 엘리먼트 또는 피처의 관계를 설명하는 설명의 용이성을 위해, "밑(beneath)", "아래(below)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 및 등등과 같은 공간적으로 상대적인 용어가 본원에서 사용될 수도 있다. 공간적으로 상대적인 용어는, 도면에 묘사되는 방위 외에, 사용 또는 동작에서 디바이스의 상이한 방위를 포괄하도록 의도된다. 장치는 다르게 배향될 수도 있고(90 도 회전되거나 또는 다른 방위에 있을 수도 있고), 본원에서 사용되는 공간적으로 상대적인 서술어(descriptor)는 마찬가지로 그에 따라 해석될 수도 있다.
몇몇 실시형태에 따라, 핀 전계 효과 트랜지스터(Fin Field-Effect Transistor; FinFET)와 같은 반도체 디바이스에서 차등 접촉 에칭 저지층(contact etch stop layer; CESL)이 형성된다. 일반적으로, 차등 CESL의 몇몇 부분(예를 들면, 수평 컴포넌트를 구비하는 상면 상의 부분)이 (예를 들면, 유의미한 수평 컴포넌트가 없는 수직면 상의) 다른 부분보다 큰 레이트에서 퇴적되는 것을 허용하는 방향성 플라즈마 활성화 프로세스가 구현된다. 따라서, 차등 CESL의 몇몇 부분은, 차등 CESL의 다른 부분보다 두꺼운 두께를 갖는다. 차등 CESL은, 소스/드레인 접촉부 형성 동안 소스/드레인 영역의 더 큰 보호를 허용할 수도 있고, 소스/드레인 접촉부의 형성을 위한 프로세스 윈도우를 증가시킬 수도 있으며, 소스/드레인 접촉부에 대한 실리사이드화 동안 주변 층간 유전체(interlayer dielectric; ILD)를 보호할 수도 있다.
도 1은, 몇몇 실시형태에 따른, 간략화된 FinFET의 예를 삼차원 도면에서 예시한다. FinFET(이하 논의됨)의 몇몇 다른 피처는 예시 명확화를 위해 생략되었다. 예시된 FinFET은, 예를 들면, 하나의 트랜지스터 또는 다수의 트랜지스터, 예컨대 4 개의 트랜지스터로서 동작하는 방식으로 전기적으로 연결되거나 또는 커플링될 수도 있다.
FinFET은 기판(50)으로부터 연장되는 핀(fin)(52)을 포함한다. 분리 영역(isolation region)(56)은 기판(50) 위에 배치되고, 핀(52)은 이웃하는 분리 영역(56) 사이에서 위로 돌출한다. 비록 분리 영역(56)이 기판(50)으로부터 분리된 것으로 설명/예시되지만, 본원에서 사용될 때 용어 "기판"은, 단지 반도체 기판을 또는 분리 영역을 포함하는 반도체 기판을 가리키기 위해 사용될 수도 있다. 추가적으로, 비록 핀(52)이 기판(50)의 단일의 연속 재료인 것으로 예시되지만, 핀(52) 및/또는 기판(50)은 단일의 재료 또는 복수의 재료를 포함할 수도 있다. 이러한 맥락에서, 핀(52)은 이웃하는 분리 영역(56) 사이에서 연장되는 부분을 가리킨다.
게이트 유전체(92)는 핀(52)의 측벽을 따르며 핀(52)의 최상면(top surface) 위에 있고, 게이트 전극(94)은 게이트 유전체(92) 위에 있다. 소스/드레인 영역(82)은, 게이트 유전체(92) 및 게이트 전극(94)과 관련하여 핀(52)의 대향하는 측에 배치된다. 다수의 트랜지스터가 형성되는 실시형태에서, 소스/드레인 영역(82)은 다양한 트랜지스터 사이에서 공유될 수도 있다. 하나의 트랜지스터가 다수의 핀(52)으로부터 형성되는 실시형태에서, 이웃하는 소스/드레인 영역(82)은, 예컨대, 에피택셜 성장에 의해 소스/드레인 영역(82)을 합치는 것을 통해, 또는 소스/드레인 영역(82)을 동일한 소스/드레인 접촉부와 커플링시키는 것을 통해, 전기적으로 연결될 수도 있다.
도 1은 여러 가지 참조 단면도를 또한 예시한다. 단면 A-A는, 핀(52)의 길이 방향 축을 따르고, 예를 들면, 소스/드레인 영역(82) 사이의 전류 흐름의 방향에 있다. 단면 B-B는 단면 A-A에 수직이고, 핀(52)의 이웃하는 소스/드레인 영역(82)을 가로 지른다. 후속하는 도면은, 명확화를 위해 이들 참조 단면을 참조한다.
본원에서 논의되는 몇몇 실시형태는 게이트 라스트 프로세스(gate-last process)를 사용하여 형성되는 FinFET의 컨텍스트에서 논의된다. 다른 실시형태에서, 게이트 퍼스트 프로세스(gate-first process)가 사용될 수도 있다. 또한, 몇몇 실시형태는 평면 FET와 같은 평면 디바이스에서 사용되는 양태를 고려한다.
도 2 내지 도 24의 B는, 몇몇 실시형태에 따른, FinFET의 제조에서의 중간 단계의 단면도이다. 도 2, 도 3, 도 4, 및 도 5는, 도 1에서 예시되는 참조 단면 A-A를 따라 예시된다. 도 6의 A, 도 7의 B, 도 8의 A, 도 9의 A, 도 15의 A, 도 16의 A, 도 17의 A, 도 18의 A, 도 19의 A, 도 20의 A, 도 21의 A, 도 22의 A, 도 23의 A, 및 도 24의 A는 도 1에서 예시되는 참조 단면 A-A를 따라 예시되고, 도 6의 B, 도 7의 B, 도 8의 B, 도 9의 B, 도 15의 B, 도 16의 B, 도 17의 B, 도 18의 B, 도 19의 B, 도 20의 B, 도 21의 B, 도 22의 B, 도 23의 B, 및 도 24의 B는 도 1에서 예시되는 유사한 단면 B-B를 따라 예시된다.
도 2에서, 기판(50)이 제공된다. 기판(50)은, 벌크 반도체, 반도체 온 절연체(semiconductor-on-insulator; SOI) 기판, 또는 등등과 같은 반도체 기판일 수도 있는데, 반도체 기판은 (예를 들면, p형 또는 n형 도펀트로) 도핑될 수도 있거나 도핑되지 않을 수도 있다. 기판(50)은 실리콘 웨이퍼와 같은 웨이퍼일 수도 있다. 일반적으로, SOI 기판은, 절연체층(insulator layer) 상에 형성되는 반도체 재료의 층이다. 절연체층은, 예를 들면, 매립 산화물(buried oxide; BOX)층, 또는 실리콘 산화물층(silicon oxide layer), 또는 등등일 수도 있다. 절연체층은 기판, 통상적으로 실리콘 또는 유리 기판 상에 제공된다. 다른 기판, 예컨대, 다층 기판 또는 그래디언트 기판(gradient substrate)이 또한 사용될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 기판(50)의 반도체 재료는 다음을 포함할 수도 있다: 실리콘; 게르마늄; 실리콘 탄화물, 갈륨 비소, 갈륨 인화물, 인듐 인화물, 인듐 비화물, 및/또는 인듐 안티몬화물을 포함하는 화합물 반도체; SiGe, GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP, 및/또는 GaInAsP를 포함하는 합금 반도체; 또는 이들의 조합.
기판(50)은 영역(50N) 및 영역(50P)을 갖는다. 영역(50N)은 NMOS 트랜지스터와 같은 n 형 디바이스, 예를 들면 n형 FinFET을 형성하기 위한 것일 수 있다. 영역(50P)은 PMOS 트랜지스터와 같은 p형 디바이스, 예를 들면, p형 FinFET을 형성하기 위한 것일 수 있다. 영역(50N)은 영역(50P)으로부터 물리적으로 분리될 수도 있고, 임의의 수의 디바이스 피처(예를 들면, 다른 능동 디바이스, 도핑 영역, 분리 구조체, 등등)가 영역(50N)과 영역(50P) 사이에 배치될 수도 있다.
도 3에서, 핀(52)은 기판(50)에 형성된다. 핀(52)은 반도체 스트립이다. 몇몇 실시형태에서, 핀(52)은 기판(50)에서 트렌치를 에칭하는 것에 의해 기판(50)에 형성될 수도 있다. 에칭은 반응성 이온 에칭(reactive ion etch; RIE), 중성 빔 에칭(neutral beam etch; NBE), 등등, 또는 이들의 조합과 같은 임의의 허용 가능한 에칭 프로세스일 수도 있다. 에칭은 이방성일 수도 있다.
핀(52)은 임의의 적절한 방법에 의해 패턴화될 수도 있다. 예를 들면, 핀(52)은, 이중 패턴화 또는 다중 패턴화 프로세스를 비롯한, 하나 이상의 포토리소그래피 프로세스를 사용하여 패턴화될 수도 있다. 일반적으로, 이중 패턴화 또는 다중 패턴화 프로세스는 포토리소그래피 및 자기 정렬 프로세스(self-aligned process)를 결합하여, 예를 들면, 다르게는, 단일의 직접 포토리소그래피 프로세스를 사용하여 획득 가능한 것보다 작은 피치를 갖는 패턴이 생성되는 것을 허용한다. 예를 들면, 하나의 실시형태에서, 희생층(sacrificial layer)이 기판 위에 형성되고 포토리소그래피 프로세스를 사용하여 패턴화된다. 스페이서는 자기 정렬 프로세스를 사용하여 패턴화된 희생층과 나란히 형성된다. 그 다음, 희생층은 제거되고, 그 다음, 남아 있는 스페이서는 핀을 패턴화하기 위해 사용될 수도 있다.
도 4에서, 이웃하는 핀(52) 사이에서 얕은 트렌치 분리(Shallow Trench Isolation; STI) 영역(56)이 형성된다. STI 영역(56)을 형성하는 예로서, 기판(50) 위에 그리고 이웃하는 핀(52) 사이에 절연 재료가 형성된다. 절연 재료는, 산화물, 예컨대 실리콘 산화물, 질화물, 등등, 또는 이들의 조합일 수도 있고, 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(high density plasma chemical vapor deposition; HDP-CVD), 유동 가능 화학 기상 증착(flowable chemical vapor deposition; FCVD)(예를 들면, 원격 플라즈마 시스템에서의 CVD 기반의 재료 퇴적 및 그것을 산화물과 같은 다른 재료로 변환하는 사후 경화(post curing)), 등등, 또는 이들의 조합에 의해 형성될 수도 있다. 임의의 허용 가능한 프로세스에 의해 형성되는 다른 절연 재료가 사용될 수도 있다. 예시된 실시형태에서, 절연 재료는 FCVD 프로세스에 의해 형성되는 실리콘 산화물이다. 일단 절연 재료가 형성되면 어닐 프로세스(anneal process)가 수행될 수도 있다. 한 실시형태에서, 절연 재료는 잉여 절연 재료가 핀(52)을 덮도록 형성된다. 비록 절연 재료가 단일의 층으로서 예시되지만, 몇몇 실시형태는 다수의 층을 활용할 수도 있다. 예를 들면, 몇몇 실시형태에서, 라이너(liner)(도시되지 않음)가, 먼저, 기판(50) 및 핀(52)의 표면을 따라 형성될 수도 있다. 그 후, 상기에서 논의되는 것들과 같은 충전 재료(fill material)가 라이너 위에 형성될 수도 있다. 그 다음, 핀(52) 위의 잉여의 절연 재료를 제거하기 위해 절연 재료에 제거 프로세스가 적용된다. 몇몇 실시형태에서, 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polish; CMP), 에치 백 프로세스, 이들의 조합, 또는 등등과 같은 평탄화 프로세스가 활용될 수도 있다. 평탄화 프로세스는, 평탄화 프로세스가 완료된 후 핀(52)의 최상면 및 절연 재료가 수평이 되도록 핀(52)을 노출시킨다. 그 다음, 절연 재료에 리세스가 형성되고(recessed), 절연 재료의 나머지 부분은 STI 영역(56)을 형성한다. 절연 재료는, 영역(50N) 내의 그리고 영역(50P) 내의 핀(52)의 상부가 이웃하는 STI 영역(56) 사이로부터 돌출하도록 리세스가 형성된다. 게다가, STI 영역(56)의 최상면은 (예시되는 바와 같은) 편평한 표면, 볼록한 표면, 오목한 표면(예컨대 디싱(dishing)), 또는 이들의 조합을 구비할 수도 있다. STI 영역(56)의 최상면은 적절한 에칭에 의해 편평하게, 볼록하게, 및/또는 오목하게 형성될 수도 있다. STI 영역(56)에는, 절연 재료의 재료에 대해 선택적인(예를 들면, 핀(52)의 재료보다 빠른 레이트에서 절연 재료의 재료를 에칭하는) 것과 같은 허용 가능한 에칭 프로세스를 사용하여 리세스가 형성될 수도 있다. 예를 들면, 희석 불화수소(dilute hydrofluoric; dHF)산을 사용하는 적절한 에칭 프로세스를 통한 화학 산화물 제거가, 예를 들면, 사용될 수도 있다.
상기에서 설명되는 프로세스는 핀(52)이 형성될 수도 있는 방법의 하나의 예에 불과하다. 몇몇 실시형태에서, 핀은 에피택셜 성장 프로세스에 의해 형성될 수도 있다. 예를 들면, 유전체층이 기판(50)의 최상면 위에 형성될 수 있고, 트렌치가 유전체층을 통해 에칭되어 기저의(underlying) 기판(50)을 노출시킬 수 있다. 호모에피택셜(homoepitaxial) 구조체가 트렌치에서 에피택셜하게 성장될 수 있고, 유전체층에는, 호모에피택셜 구조체가 유전체층으로부터 돌출하여 핀을 형성하도록, 리세스가 형성될 수 있다. 추가적으로, 몇몇 실시형태에서, 헤테로에피택셜(heteroepitaxial) 구조체가 핀(52)에 대해 사용될 수 있다. 예를 들면, 핀(52)에 리세스가 형성될 수 있고, 핀(52)과는 상이한 재료가 리세스가 형성된 핀(52) 위에 에피택셜하게 성장될 수도 있다. 그러한 실시형태에서, 핀(52)은 리세스가 형성된 재료뿐만 아니라 리세스가 형성된 재료(recessed material) 위에 배치되는 에피택셜하게 성장된 재료를 포함한다. 더욱더 다른 실시형태에서, 유전체층이 기판(50)의 최상면 위에 형성될 수 있고, 트렌치가 유전체층을 통해 에칭될 수 있다. 그 다음, 헤테로에피택셜 구조체가 기판(50)과는 상이한 재료를 사용하여 트렌치에서 에피택셜하게 성장될 수 있고, 헤테로에피택셜 구조체가 유전체층으로부터 돌출하여 핀(52)을 형성하도록, 유전체층에는 리세스가 형성될 수 있다. 호모에피택셜 또는 헤테로에피택셜 구조체가 에피택셜하게 성장되는 몇몇 실시형태에서, 에피택셜하게 성장된 재료는 성장 동안 인 시츄 도핑될(in situ doped) 수도 있는데, 이것은, 비록 인 시츄 및 주입 도핑이 함께 사용될 수도 있지만, 이전 및 후속하는 주입을 제거할 수도 있다.
여전히 또한, 영역(50P)(예를 들면, PMOS 영역) 내의 재료와는 상이한 재료를 영역(50N)(예를 들면, NMOS 영역) 내에서 에피택셜하게 성장시키는 것이 유리할 수도 있다. 다양한 실시형태에서, 핀(52)의 상부는 실리콘 게르마늄(SixGe1-x, 여기서 x는 0 내지 1의 범위 내에 있을 수 있음), 실리콘 탄화물, 순수한 또는 실질적으로 순수한 게르마늄, III-V족 화합물 반도체, II-VI족 화합물 반도체, 또는 등등으로부터 형성될 수도 있다. 예를 들면, III-V족 화합물 반도체를 형성하기 위한 이용 가능한 재료는, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, 및 등등을 포함하지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다.
게다가, 적절한 웰(도시되지 않음)이 핀(52) 및/또는 기판(50)에 형성될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, P 웰이 영역(50N)에 형성될 수도 있고, N 웰이 영역(50P)에 형성될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, P 웰 또는 N 웰이 영역(50N) 및 영역(50P) 둘 모두에 형성된다.
상이한 웰 타입을 갖는 실시형태에서, 영역(50N) 및 영역(50P)에 대한 상이한 주입 단계는 포토레지스트 또는 다른 마스크(도시되지 않음)를 사용하여 달성될 수도 있다. 예를 들면, 포토레지스트가 영역(50N) 내의 핀(52) 및 STI 영역(56) 위에 형성될 수도 있다. 포토레지스트는 PMOS 영역과 같은 기판(50)의 영역(50P)을 노출시키도록 패턴화된다. 포토레지스트는 스핀 온(spin-on) 기술을 사용하는 것에 의해 형성될 수 있고, 허용 가능한 포토리소그래피 기술을 사용하여 패턴화될 수 있다. 일단 포토레지스트가 패턴화되면, n형 불순물 주입이 영역(50P)에서 수행되고, 포토레지스트는 NMOS 영역과 같은 영역(50N) 안으로 n형 불순물이 주입되는 것을 실질적으로 방지하는 마스크로서 작용할 수도 있다. n형 불순물은 대략 1017 cm-3와 대략 1018 cm-3 사이와 같은 1018 cm-3 이하의 농도로 영역에 주입되는 인, 비소, 안티몬, 또는 등등일 수도 있다. 주입 후, 포토레지스트는, 예컨대 허용 가능한 애싱(ashing) 프로세스에 의해 제거된다.
영역(50P)의 주입에 후속하여, 포토레지스트가 영역(50P) 내의 핀(52) 및 STI 영역(56) 위에 형성된다. 포토레지스트는 NMOS 영역과 같은 기판(50)의 영역(50N)을 노출시키도록 패턴화된다. 포토레지스트는 스핀 온(spin-on) 기술을 사용하는 것에 의해 형성될 수 있고, 허용 가능한 포토리소그래피 기술을 사용하여 패턴화될 수 있다. 일단 포토레지스트가 패턴화되면, p형 불순물 주입이 영역(50N)에서 수행될 수도 있고, 포토레지스트는 p형 불순물이 PMOS 영역과 같은 영역(50P) 안으로 주입되는 것을 실질적으로 방지하는 마스크로서 작용할 수도 있다. p형 불순물은 대략 1017 cm-3와 대략 1018 cm-3 사이와 같은 1018 cm-3 이하의 농도로 영역에 주입되는 붕소, BF2, 인듐, 또는 등등일 수도 있다. 주입 후, 포토레지스트는, 예컨대 허용 가능한 애싱 프로세스에 의해 제거될 수도 있다.
영역(50N) 및 영역(50P)의 주입 후, 주입된 p형 및/또는 n형 불순물을 활성화시키기 위해 어닐링이 수행될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 에피택셜 핀의 성장된 재료는 성장 동안 인 시츄 도핑될 수도 있는데, 이것은, 비록 인 시츄 및 주입 도핑이 함께 사용될 수도 있지만, 주입을 제거할 수도 있다.
도 5에서, 더미 유전체층(60)이 핀(52) 상에 형성된다. 더미 유전체층(60)은, 예를 들면, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 이들의 조합, 또는 등등일 수도 있으며, 허용 가능한 기술에 따라 퇴적될 수도 있거나 또는 열적으로 성장될 수도 있다. 더미 유전체층(60) 위에 더미 게이트층(62)이 형성되고, 더미 게이트층(62) 위에 마스크층(64)이 형성된다. 더미 게이트층(62)은 더미 유전체층(60) 위에 퇴적될 수도 있고, 그 다음, 예컨대 CMP에 의해 평탄화될 수도 있다. 마스크층(64)은 더미 게이트층(62) 위에 퇴적될 수도 있다. 더미 게이트층(62)은 전도성 재료일 수도 있고, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘(폴리실리콘), 다결정 실리콘 게르마늄(폴리 SiGe), 금속 질화물, 금속 실리사이드, 금속 산화물, 및 금속을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수도 있다. 더미 게이트층(62)은, 물리적 기상 증착(physical vapor deposition; PVD), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD), 스퍼터 퇴적(sputter deposition), 또는 전도성 재료를 퇴적하기 위해 본 기술 분야에서 공지되어 사용되는 다른 기술에 의해 퇴적될 수도 있다. 더미 게이트층(62)은, 분리 영역의 에칭으로부터 높은 에칭 선택도를 갖는 다른 재료로 제조될 수도 있다. 마스크층(64)은, 예를 들면, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 또는 등등을 포함할 수도 있다. 이 예에서, 단일의 더미 게이트층(62) 및 단일의 마스크층(64)이 영역(50N) 및 영역(50P)을 가로 질러 형성된다. 더미 유전체층(60)은 예시적인 목적만을 위해 핀(52)만을 덮으면서 도시되어 있다는 것을 유의한다. 몇몇 실시형태에서, 더미 유전체층(60)은, 더미 유전체층(60)이, 더미 게이트층(62)과 STI 영역(56) 사이에서 연장되면서, STI 영역(56)을 덮도록, 퇴적될 수도 있다.
도 6의 A 내지 도 24의 B는 실시형태 디바이스의 제조에서의 다양한 추가적인 단계를 예시한다. 도 6의 A 내지 도 24의 B는, 영역(50N) 및 영역(50P) 중 어느 하나의 피처를 예시한다. 예를 들면, 본원에서 설명되는 실시형태는, 영역(50N) 및 영역(50P) 둘 모두에 적용 가능할 수도 있다. 영역(50N) 및 영역(50P)의 구조체에서의 차이점은 (만약 있다면) 각각의 도면을 수반하면서 텍스트로 설명된다.
도 6의 A 및 도 6의 B에서, 마스크층(64)은 허용 가능한 포토리소그래피 및 에칭 기술을 사용하여 패턴화되어 마스크(74)를 형성한다. 그 다음, 마스크(74)의 패턴은 더미 게이트층(62)으로 전사되어 더미 게이트(72)를 형성할 수도 있다. 마스크(74)의 패턴은 또한, 허용 가능한 에칭 기술에 의해 더미 유전체층(60)으로 전사되어 더미 게이트 유전체(70)를 형성할 수도 있다. 더미 게이트(72)(및 옵션 사항으로 더미 게이트 유전체(70))는 핀(52)의 각각의 채널 영역(58)을 덮는다. 마스크(74)의 패턴은, 더미 게이트(72)의 각각을 인접한 더미 게이트(72)로부터 물리적으로 분리하기 위해 사용될 수도 있다. 더미 게이트(72)는 각각의 핀(52)의 길이 방향에 실질적으로 수직인 길이 방향을 갖는다.
도 7의 A 및 도 7의 B에서, 게이트 씰 스페이서(76)가 마스크(74), 더미 게이트(72), 더미 게이트 유전체(70), 및/또는 핀(52)의 노출된 표면 상에 형성된다. 열적 산화 또는 퇴적 후의 이방성 에칭이 게이트 씰 스페이서(76)를 형성할 수도 있다.
게이트 씰 스페이서(76)의 형성 후, 약하게 도핑된 소스/드레인(lightly doped source/drain; LDD) 영역(78)을 위한 주입이 수행될 수도 있다. 상이한 디바이스 타입을 갖는 실시형태에서, 영역(50P)을 노출시키면서 포토레지스트와 같은 마스크가 영역(50N) 위에 형성될 수도 있고, 적절한 타입의(예를 들면, p형) 불순물이 영역(50P) 내의 노출된 핀(52) 안으로 주입될 수도 있다. 그 다음, 마스크는 제거될 수도 있다. 후속하여, 포토레지스트와 같은 마스크가, 영역(50N)을 노출시키면서, 영역(50P) 위에 형성될 수도 있고, 적절한 타입의 불순물(예를 들면, n 형)이 영역(50N) 내의 노출된 핀(52) 안으로 주입될 수도 있다. 그 다음, 마스크는 제거될 수도 있다. n형 불순물은 앞서 논의된 n형 불순물 중 임의의 것일 수도 있고, p형 불순물은 앞서 논의된 p형 불순물 중 임의의 것일 수도 있다. 약하게 도핑된 소스/드레인 영역은 대략 1015 cm-3에서부터 대략 1016 cm-3까지의 불순물 농도를 가질 수도 있다. 주입된 불순물을 활성화시키기 위해 어닐이 사용될 수도 있다. 불순물은 일정 각도로 핀(52)에 주입될 수도 있고, 어닐 동안 확산을 경험할 수도 있다. 결과적으로, LDD 영역(78)은 게이트 씰 스페이서(76)(및 어쩌면 더미 게이트(72) 및 더미 게이트 유전체(70)의 에지 부분) 아래로 연장된다.
게다가, 게이트 스페이서(80)는, 더미 게이트(72) 및 마스크(74)의 측벽을 따라 게이트 씰 스페이서(76) 상에 형성된다. 게이트 스페이서(80)는, 절연성 재료를 컨포멀하게(conformally) 퇴적하고 후속하여 절연성 재료를 이방성으로 에칭하는 것에 의해 형성될 수도 있다. 게이트 스페이서(80)의 절연성 재료는, 실리콘 질화물, 실리콘 탄질화물, 이들의 조합, 또는 등등일 수도 있다.
도 8의 A 및 도 8의 B에서, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은 핀(52)에 형성되어 각각의 채널 영역(58)에 응력을 가하고, 그에 의해, 성능을 향상시킨다. 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은, 각각의 더미 게이트(72)(및 옵션 사항으로 더미 게이트 유전체(70))가 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 각각의 이웃하는 쌍 사이에 배치되도록, 핀(52) 내에 형성된다. 몇몇 실시형태에서, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은 핀(52) 안으로 연장될 수도 있고, 또한, 핀(52)을 관통할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 게이트 스페이서(80)는, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)이 결과적으로 나타나는 FinFET의 후속하여 형성된 게이트를 단락시키지 않도록, 적절한 측방향 거리만큼 에피택셜 소스/드레인 영역(82)을 더미 게이트(72)로부터 분리시키기 위해 사용된다.
영역(50N), 예를 들면, NMOS 영역 내의 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은, 영역(50P), 예를 들면, PMOS 영역을 마스킹하는 것, 및 영역(50N) 내의 핀(52)의 소스/드레인 영역을 에칭하여 핀(52) 내에 리세스를 형성하는 것에 의해 형성될 수도 있다. 그 다음, 영역(50N) 내의 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은 리세스 내에서 에피택셜하게 성장된다. 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은, 예컨대 n형 FinFET에 적절한, 임의의 허용 가능한 재료를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 핀(52)이 실리콘인 경우, 영역(50N) 내의 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은, Si, SiC, SiCP, SiP, 또는 등등과 같은, 채널 영역(58) 내에 인장 변형을 가하는 재료를 포함할 수도 있다. 영역(50N) 내의 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은, 핀(52)의 각각의 표면으로부터 상승되는 표면을 가질 수도 있고 패싯(facet)을 가질 수도 있다.
영역(50P), 예를 들면, PMOS 영역 내의 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은, 영역(50N), 예를 들면, NMOS 영역을 마스킹하는 것, 및 영역(50P) 내의 핀(52)의 소스/드레인 영역을 에칭하여 핀(52) 내에 리세스를 형성하는 것에 형성될 수도 있다. 그 다음, 영역(50P) 내의 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은 리세스 내에서 에피택셜하게 성장된다. 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은, 예컨대 p형 FinFET에 적절한 임의의 허용 가능한 재료를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 핀(52)이 실리콘인 경우, 영역(50P) 내의 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은, SiGe, SiGeB, Ge, GeSn, 또는 등등과 같은, 채널 영역(58)에 압축 변형을 가하는 재료를 포함할 수도 있다. 영역(50P) 내의 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은 또한, 핀(52)의 각각의 표면으로부터 상승되는 표면을 가질 수도 있고 패싯을 가질 수도 있다.
에피택셜 소스/드레인 영역(82) 및/또는 핀(52)은, 약하게 도핑된 소스/드레인 영역을 형성하기 위한 앞서 논의된 프로세스와 마찬가지로, 도펀트가 주입되어 소스/드레인 영역을 형성할 수도 있고, 어닐이 후속된다. 소스/드레인 영역은 대략 1019 cm-3와 대략 1021 cm-3 사이의 불순물 농도를 가질 수도 있다. 소스/드레인 영역에 대한 n형 및/또는 p형 불순물은, 앞서 논의된 불순물 중 임의의 것일 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은 에피택셜 성장 동안 인 시츄 도핑될 수도 있다.
영역(50N) 및 영역(50P) 내에 에피택셜 소스/드레인 영역(82)을 형성하기 위해 사용되는 에피택시 프로세스의 결과로서, 에피택셜 소스/드레인 영역의 상면은, 핀(52)의 측벽을 넘어 측방향 외측으로 확장하는 패싯을 구비한다. 예시된 실시형태에서, 이들 패싯은 동일한 FinFET의 인접하는 에피택셜 소스/드레인 영역(82)으로 하여금 병합하게 한다. 다른 실시형태에서, 인접한 에피택셜 소스/드레인 영역(82)은 에피택시 프로세스가 완료된 후 분리된 상태로 남는다.
도 9의 A 및 도 9의 B에서, 차등 CESL(84)이 중간 구조체 위에 퇴적된다. 일반적으로, 예를 들면, 접촉부 또는 비아를 형성할 때 에칭 프로세스를 저지시키기 위한 메커니즘을 에칭 저지층이 제공할 수 있다. 에칭 저지층은, 인접한 층 또는 컴포넌트와는 상이한 에칭 선택도를 갖는 유전체 재료로 형성될 수도 있다. 차등 CESL(84)은 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 표면, 게이트 스페이서(80)의 측벽 및 최상면, 마스크(74)의 최상면, 및 STI 영역(56)의 최상면 상에 형성된다. 차등 CESL(84)은, 수평 부분(84H), 수직 부분(84V), 및 분지 부분(basin portion)(84B)을 구비한다. 수평 부분(84H)은, 각각의 수평 컴포넌트를 구비하는 지지 표면(supporting surface) 상에 형성된다. 수평 컴포넌트를 갖는 지지 표면은, 하기에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 차등 CESL(84)의 형성 동안 방향성 플라즈마 활성화에 의해 활성화될 수 있다. 수직 부분(84V)은, 유의미한 수평 컴포넌트를 구비하지 않는(예를 들면, 그 결과, 그들 표면은 방향성 플라즈마 활성화에 의해 활성화되지 않음) 지지 표면 상에 형성된다. 수평 부분(84H)은, (예를 들면, 각각의 지지 표면에 수직인 방향에서의) 수직 부분(84V)의 두께보다 두꺼운 두께를 (예를 들면, 각각의 지지 표면에 수직인 방향에서) 갖는다. 분지 부분(84B)은 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 패싯화된 상면(faceted upper surface)의 접합부에 형성되고, 수평 부분(84H) 및 수직 부분(84V)보다 두꺼운 두께를 갖는다.
수평 부분(84H)은, 각각의 수평 부분이 상부에 형성되는 지지 표면에 수직인 방향에서 두께(TH)를 갖는다. 수직 부분(84V)은, 각각의 수평 부분이 상부에 형성되는 지지 표면에 수직인 방향에서 두께(TV)를 갖는다. 분지 부분(84B)은, 각각의 수평 부분이 상부에 형성되는 지지 표면에 수직인 방향에서 두께(TB)를 갖는다. 이들 두께의 각각은 하기에서 추가로 논의된다.
차등 CESL(84)은, 실리콘 질화물, 실리콘 탄소 질화물, 탄소 질화물, 등등, 또는 이들의 조합과 같은 유전체 재료로부터 형성될 수도 있다. 차등 CESL(84)은, 플라즈마 강화 원자 층 퇴적(plasma-enhanced atomic layer deposition; PEALD) 프로세스, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 프로세스, 또는 등등과 같은 방향성 플라즈마 활성화를 포함하는 퇴적 프로세스에 의해 퇴적될 수도 있다.
도 10 내지 도 12는, 몇몇 실시형태에 따른, 차등 CESL(84)을 형성하기 위한 예시적인 PEALD 프로세스의 중간 단계의 단면도이다. 도 13은 형성 후의 차등 CESL(84)을 도시하는 단면도이다. 도 10 내지 도 13은 도 9의 A의 영역(10)을 예시한다. 비록 차등 CESL의 맥락에서 설명되지만, 예시된 PEALD 프로세스는, 임의의 층, 예컨대 에칭 저지층이 아닌 층을 형성하기 위해 사용될 수 있다는 것이 인식되어야 한다. 게다가, 비록 예시적인 PEALD 프로세스가 실리콘 질화물의 차등층을 형성하기 위해 사용되지만, 다른 재료층이 형성될 수도 있다는 것이 인식되어야 한다.
도 10에서, PEALD 프로세스에서 제1 프리커서(precursor) 재료에 대한 노출에 의해 중간 구조체 상에 일분자층(monolayer)이 형성된다. 중간 구조체는, 퇴적될 재료에 따라, 제1 프리커서, 예컨대 디클로로실란(dichlorosilane; DCS) 또는 다른 프리커서에 노출된다. 예시된 예에서, DCS 프리커서가 사용되어 DCS 프리커서에 노출되는 중간 구조체의 외부 표면을 따라 SiH3의 일분자층을 형성한다. 외부 표면은 마스크(74)의 최상면, 게이트 스페이서(80)의 측벽 및 최상면, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 최상면, 및 STI 영역(56)의 최상면을 포함한다(도 9의 B 참조). 다른 예에서, 상이한 재료의 일분자층을 형성하는 상이한 프리커서가 사용될 수도 있다. 제1 프리커서에 대한 노출에 후속하여, 제1 프리커서는, 중간 구조체를 제1 프리커서에 노출시키기 위해 사용되는 툴 챔버로부터 제거될 수도 있다.
도 11에서, 방향성 플라즈마 활성화(86)가 일분자층에 대해 수행된다. 방향성 또는 이방성의 플라즈마 활성화는, 후속하는 프리커서와의 증가된 반응을 위해, 일분자층의 일부를 활성화한다. 수평 컴포넌트를 구비하는 중간 구조체의 각각의 상면 상의 일분자층의 부분은 방향성 플라즈마 활성화(86)에 의해 활성화되고, 반면 수평 컴포넌트를 구비하지 않는 각각의 표면 상의 일분자층의 부분은 방향성 플라즈마 활성화(86)에 의해 활성화되지 않을 수도 있다. 표면의 활성화는, 표면의 증가된 수평 컴포넌트에 기초하여 증가될 수도 있다. 예를 들면, 수평 컴포넌트가 없는 또는 거의 없는 표면은 어떠한 활성화도 가지지 않을 수 있거나 활성화가 거의 없을 수 있고, 반면, 더 큰 수평 컴포넌트를 갖는 표면은 더 큰 활성화를 가질 수 있다.
예시된 예에서, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 상면은, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 각각의 상면이 수평 컴포넌트 및 수직 컴포넌트를 가지도록 패싯화된다(도 9의 B 참조). 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 이들 상면 상의 일분자층은 방향성 플라즈마 활성화(86)에 의해 활성화된다. 게이트 스페이서(80)의 측벽은 작은 수평 컴포넌트를 가지면서(또는 수평 컴포넌트 없이) 주로 수직이며, 그러므로, 방향성 플라즈마 활성화(86)에 의해 유의미하게 활성화되지 않는다.
방향성 플라즈마 활성화(86) 동안, 아르곤 방향성 플라즈마는, 수평 컴포넌트를 구비하는 중간 구조체의 상면 상의 일분자층의 부분을 활성화하여, 그들 부분 내의 SiH3을 활성화된 SiH2*로 수정한다. 몇몇 예에서, 일분자층을 활성화시키기 위해 구현되는 플라즈마 프로세스는 마이크로파 원격 플라즈마일 수 있지만, 직접 플라즈마와 같은 다른 플라즈마 소스가 구현될 수도 있다. 플라즈마에 대한 아르곤 가스의 유량(flow rate)은 대략 1,000 sccm에서부터 대략 9,000 sccm까지의 범위 내에 있을 수 있다. 플라즈마 프로세스의 압력은 대략 0.5 Torr에서부터 대략 25 Torr까지의 범위 내에 있을 수 있다. 하기에서 추가로 논의되는 바와 같이, 압력은 차등 CESL(84)의 수평 부분(84H)과 수직 부분(84V) 사이의 두께에서의 소망되는 차이에 따라 변경될 수도 있다. 플라즈마 프로세스의 온도는 대략 200 ℃에서부터 대략 650 ℃까지의 범위 내에 있을 수 있다. 플라즈마 프로세스의 플라즈마 생성기의 전력은 대략 50 W에서부터 대략 4,000 W까지의 범위 내에 있을 수 있다. 플라즈마 생성기의 주파수는 대략 13.56 MHz에서부터 대략 2.45 GHz까지의 범위 내에 있을 수 있다. 플라즈마 프로세스의 기판 홀더는 편향될 수 있다. 플라즈마 프로세스에 대한 중간 구조체의 노출의 지속 기간은 0.1 초에서부터 120 초까지의 범위 내에 있을 수 있다. 다른 예에서, 상이한 플라즈마 프로세스, 조건, 및/또는 가스(예컨대 불활성 가스, 질소 가스, 또는 등등)와 같은 상이한 플라즈마가 일분자층의 부분을 활성화하기 위해 사용될 수도 있다. 방향성 플라즈마 활성화(86)를 사용하여 일분자층의 부분을 활성화하는 것에 의해, 많은 반응 사이트가 일분자층의 활성화된 부분 상에서 생성되어, PEALD 프로세스에서 후속하는 프리커서와 반응한다. 방향성 플라즈마 활성화(86)는 인 시츄로, 예를 들면, 제1 프리커서, 및 후속하여, 제2 프리커서에 중간 구조체를 노출시키기 위해 사용되는 동일한 툴 챔버에서 수행될 수도 있다.
도 12에서, 형성되는 층은 PEALD 프로세스에서 제2 프리커서에 노출되는 것에 의해 중간 구조체 상에 있다. 중간 구조체는, 예를 들면, 퇴적될 재료에 따라, 암모니아(NH3) 플라즈마 또는 다른 프리커서와 같은 제2 프리커서에 노출된다. 제2 프리커서는, 활성화되지 않은 일분자층의 부분보다 많이, 일분자층의 활성화된 부분과 반응한다. 예를 들면, 방향성 플라즈마 활성화(86)로부터 일분자층의 활성화된 부분 상에 형성되는 증가된 반응 사이트에 기인하여, 비활성화된 부분에 있는 일분자층과 제2 프리커서 사이보다, 활성화된 부분에 있는 일분자층과 제2 프리커서 사이에서 더 많은 반응이 발생할 것이다. 이것은, 활성화가 일반적으로 발생하지 않는, 유의미한 수평 컴포넌트를 구비하지 않는 수직면 상에서 보다, 활성화가 발생하는, 수평 컴포넌트를 구비하는 상면 상에서, 차등 CESL(84)로 하여금 더 큰 레이트에서 퇴적되게 한다.
예시된 예에서, 암모니아(NH3) 플라즈마 프리커서가 사용되어, 대부분의, 또는 몇몇 경우에, 모든 활성화된 SiH2* 및 활성화되지 않은 SiH3의 일부(예를 들면, 활성화된 SiH2* 미만)와 반응하여 실리콘 질화물(예를 들면, SiNH2)을 형성한다. 예를 들면, 암모니아(NH3) 프리커서 가스는 플라즈마 프로세스에서 대략 50 sccm에서부터 대략 1,000 sccm까지의 범위 내의 유량에서 흐를 수 있다. 그러므로, 예시된 예에서, 유의미한 수평 컴포넌트를 갖지 않는 수직면 상에서 보다, 수평 컴포넌트를 구비하는 상면 상에서 더 많은 SiNH2가 퇴적된다. 다른 예에서, 상이한 프리커서가 사용될 수도 있는데, 이것은 상이한 재료의 층을 형성할 수도 있다. 제2 프리커서에 대한 노출에 후속하여, 제2 프리커서는 중간 구조체를 제2 프리커서에 노출시키기 위해 사용되는 툴 챔버로부터 제거될 수도 있다.
도 10 내지 도 12는, 예를 들면, 단일의 층을 형성하기 위한 PEALD 프로세스의 단일의 사이클을 예시한다. 설명되는 프로세싱은 차등 CESL(84)의 소망되는 두께에 의존하여, 임의의 횟수만큼 반복될 수도 있다.
도 13은 상기에서 설명되는 PEALD 프로세스를 사용하여 형성되는 차등 CESL(84)의 양태를 예시한다. 차등 CESL(84)은, 수평 컴포넌트를 구비하는 기저의 상면 상에서 수평 부분(84H)을 포함하고, 유의미한 수평 컴포넌트를 가지지 않는 지지 수직면 상에서 수직 부분(84V)을 포함한다. 수평 부분(84H)은, 각각의 수평 부분이 상부에 형성되는 지지 표면에 수직인 방향에서 두께(TH)를 갖는다. 수직 부분(84V)은, 각각의 수평 부분이 상부에 형성되는 지지 표면에 수직인 방향에서 두께(TV)를 갖는다. 분지 부분(84B)은, 각각의 수평 부분이 상부에 형성되는 지지 표면에 수직인 방향에서 두께(TB)(도 9의 B 참조)를 갖는다. 수평 부분(84H)의 두께(TH)는 두껍고, 수직 부분(84V)의 두께(TV)보다 두껍다. 몇몇 예에서, 수평 부분(84H)의 두께(TH)는 수직 부분(84V)의 두께(TV)보다 적어도 2 nm 더 크다. 예를 들면, 수평 부분(84H)의 두께(TH)는 대략 2.2 nm에서부터 대략 12 nm까지일 수 있고(예컨대, 대략 4 nm), 수직 부분(84V)의 두께(TV)는 대략 2 nm에서부터 대략 9 nm까지일 수 있다(예컨대 대략 2 nm로). 몇몇 예에서, 수직 부분(84V)의 두께(TV)에 대한 수평 부분(84H)의 두께(TH)의 비율은 적어도 1.1이고, 2 이상일 수도 있다. 수직 부분(84V)의 두께(TV)를 감소시키는 것에 의해, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)과 후속하여 형성된 트랜지스터 게이트 사이의 기생 용량은 감소될 수도 있다. 분지 부분(84B)의 두께(TB)는 크고, 수직 부분(84V)의 두께(TV) 및 수평 부분(84H)의 두께(TH)보다 두껍다. 몇몇 예에서, 분지 부분(84B)의 두께(TB)는 수평 부분(84H)의 두께(TH)보다 적어도 0.5 nm 더 두껍다. 예를 들면, 분지 부분(84B)의 두께(TB)는 대략 2.7 nm에서부터 대략 14 nm까지일 수 있다.
차등 CESL(84)의 각각의 수직 부분(84V)이 상부에 형성되는 이웃하는 게이트 스페이서(80)의 대향하는 측벽 표면 사이에서 제1 치수(D1)가 예시된다. 차등 CESL(84)의 수직 부분(84V)의 대향하는 표면 사이에서 제2 치수(D2)가 예시된다. 일반적으로, 제1 치수(D1)는, 제2 치수(D2)에, 수직 부분(84V)의 두께(TV)의 2 배를 더한 것과 동일하다. 몇몇 실시형태에서, 제2 치수(D2)는 대략 2 nm에서부터 대략 10 nm까지의 범위 내에 있다.
도 14는 방향성 플라즈마 활성화(86) 동안 차등 CESL(84)의 두께(들)와 프로세싱 압력 사이의 관계를 예시한다. 두께(TH 및 TV) 사이의 차이(도 14 참조)는 프로세싱 압력의 함수로 플롯된다. 도시되는 바와 같이, 두께에서의 차이는, 압력이 증가함에 따라, 급격하게 감소한다. 두께(TH)가 두께(TV)보다 적어도 2 nm 더 큰 실시형태에서, 프로세싱 압력은 5 Torr 미만이 되도록 제어될 수도 있다.
도 15의 A 및 도 15의 B에서, 제1 ILD(88)는 차등 CESL(84) 위에 퇴적된다. 제1 ILD(88)는 유전체 재료로 형성될 수도 있고, CVD, 플라즈마 강화 CVD(plasma-enhanced CVD; PECVD) 또는 FCVD와 같은 임의의 적절한 방법에 의해 퇴적될 수도 있다. 유전체 재료는, 포스포 실리케이트 유리(Phospho-Silicate Glass; PSG), 보로 실리케이트 유리(Boro-Silicate Glass; BSG), 붕소 도핑된 포스포 실리케이트 유리(Boron-Doped Phospho-Silicate Glass; BPSG), 도핑되지 않은 실리케이트 유리(undoped Silicate Glass; USG), 또는 등등을 포함할 수도 있다. 임의의 허용 가능한 프로세스에 의해 형성되는 다른 절연 재료가 사용될 수도 있다. 형성 후, 제1 ILD(88)는, 예컨대, 자외선 경화 프로세스에 의해 경화될 수도 있다. 차등 CESL(84)의 수직 부분(84V)의 두께(TV)가 감소되기 때문에, 이웃하는 게이트 스페이서(80) 사이의 제1 ILD(88)의 폭은 증가될 수도 있다. 증가된 폭은, 자외선 경화 프로세스의 균일성을 증가시키는 것을 도울 수도 있는데, 이것은 제1 ILD(88)에서의 보이드(void)의 형성을 방지하는 것을 도울 수도 있다. 게다가, 이웃하는 게이트 스페이서(80) 사이에서 제1 ILD(88)의 폭을 증가시키는 것에 의해, 소스/드레인 접촉부를 에칭하기 위한 프로세싱 윈도우가 증가될 수도 있다.
도 16의 A 및 도 16의 B에서, 제1 ILD(88) 및 차등 CESL(84)의 최상면을 마스크(74) 또는 더미 게이트(72)의 최상면과 수평이 되게 하기 위해 CMP와 같은 평탄화 프로세스가 수행될 수도 있다. 평탄화 프로세스는 또한, 더미 게이트(72) 상의 마스크(74), 및 마스크(74)의 측벽을 따르는 게이트 씰 스페이서(76) 및 게이트 스페이서(80)의 부분을 제거할 수도 있다. 평탄화 프로세스 후, 더미 게이트(72), 게이트 씰 스페이서(76), 게이트 스페이서(80), 차등 CESL(84), 및 제1 ILD(88)의 최상면은 수평이다. 따라서, 더미 게이트(72)의 최상면은 제1 ILD(88)를 통해 노출된다. 평탄화 프로세스는, 차등 CESL(84)의 나머지 수평 부분(84H)이 에피택셜 소스/드레인 영역(82) 및 STI 영역(56) 위에 놓이도록, 더미 게이트(72) 위에 놓이는 차등 CESL(84)의 수평 부분(84H)을 제거할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 마스크(74)는 남아 있을 수도 있는데, 이 경우 평탄화 프로세스는 제1 ILD(88)의 최상면을, 마스크(74)의 최상면과 수평이 되게 한다.
도 17의 A 및 도 17의 B에서, 더미 게이트(72), 및, 존재하는 경우, 마스크(74)는, 에칭 단계(들)에서 제거되고, 그 결과 리세스(90)가 형성된다. 리세스(90) 내의 더미 게이트 유전체(70)도 또한 제거될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 더미 게이트(72)만이 제거되고 더미 게이트 유전체(70)는 남아 있고 리세스(90)에 의해 노출된다. 몇몇 실시형태에서, 더미 게이트 유전체(70)는 다이의 제1 영역(예를 들면, 코어 로직 영역)의 리세스(90)로부터 제거되고 다이의 제2 영역(예를 들면, 입력/출력 영역)의 리세스(90)에 남아 있다. 몇몇 실시형태에서, 더미 게이트(72)는 이방성 건식 에칭 프로세스에 의해 제거된다. 예를 들면, 에칭 프로세스는, 제1 ILD(88) 또는 게이트 스페이서(80)를 에칭하지 않고 더미 게이트(72)를 선택적으로 에칭하는 반응 가스(들)를 사용하는 건식 에칭 프로세스를 포함할 수도 있다. 각각의 리세스(90)는 각각의 핀(52)의 채널 영역(58)을 노출시킨다. 각 채널 영역(58)은, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 이웃하는 쌍 사이에 배치된다. 제거 동안, 더미 게이트 유전체(70)는 더미 게이트(72)가 에칭될 때 에칭 저지층으로서 사용될 수도 있다. 그 다음, 더미 게이트 유전체(70)는 더미 게이트(72)의 제거 후, 옵션 사항으로, 제거될 수도 있다.
도 18의 A 및 도 18의 B에서, 게이트 유전체(92) 및 게이트 전극(94)은 대체 게이트(replacement gate)를 위해 형성된다. 도 18c는 도 18의 A의 영역(12)의 상세도를 예시한다. 게이트 유전체(92)는, 리세스(90)에서, 예컨대 핀(52)의 최상면 및 측벽 상에 그리고 게이트 씰 스페이서(76)/게이트 스페이서(80)의 측벽 상에 컨포멀하게 퇴적된다. 게이트 유전체(92)는 또한 제1 ILD(88)의 최상면 상에 형성될 수도 있다. 몇몇 실시형태에 따르면, 게이트 유전체(92)는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 이들의 다중층을 포함한다. 몇몇 실시형태에서, 게이트 유전체(92)는 고유전율(high-k) 유전체 재료를 포함하고, 이들 실시형태에서, 게이트 유전체(92)는 대략 7.0보다 큰 k 값을 가질 수도 있고, Hf, Al, Zr, La, Mg, Ba, Ti, Pb, 및 이들의 조합의 실리케이트 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다. 게이트 유전체(92)의 형성 방법은, 분자 빔 퇴적(Molecular-Beam Deposition; MBD), 원자 층 퇴적(atomic layer deposition; ALD), PECVD, 및 등등을 포함할 수도 있다. 더미 게이트 유전체(70)가 리세스(90) 내에 남아 있는 실시형태에서, 게이트 유전체(92)는 더미 게이트 유전체(70)의 재료(예를 들면, SiO2)를 포함한다.
게이트 전극(94)은 각각의 게이트 유전체(92) 위에 퇴적되고, 리세스(90)의 나머지 부분을 충전한다. 게이트 전극(94)은, TiN, TiO, TaN, TaC, Co, Ru, Al, W, 이들의 조합, 또는 이들의 다중층과 같은 금속 함유 재료를 포함할 수도 있다. 게이트 전극(94)은, 임의의 수의 라이너층(liner layer)(94A), 임의의 수의 일 함수 튜닝층(work function tuning layer)(94B), 및 충전 재료(94C)를 포함할 수도 있다(도 18c 참조). 게이트 전극(94)의 충전 후, CMP와 같은 평탄화 프로세스가 수행되어, 게이트 유전체(92)의 잉여 부분 및 게이트 전극(94)의 재료를 제거할 수도 있는데, 잉여 부분은 제1 ILD(88)의 최상면 위에 있다. 따라서, 게이트 유전체(92) 및 게이트 전극(94)의 재료의 나머지 부분은, 결과적으로 나타나는 FinFET의 대체 게이트를 형성한다. 게이트 전극(94) 및 게이트 유전체(92)는 일괄적으로 "게이트 스택"으로 지칭될 수도 있다. 게이트 스택은 핀(52)의 채널 영역(58)의 측벽을 따라 연장된다.
영역(50N) 및 영역(50P)에서의 게이트 유전체(92)의 형성은, 각각의 영역의 게이트 유전체(92)가 동일한 재료로부터 형성되도록 동시에 발생할 수도 있고, 게이트 전극(94)의 형성은, 각각의 영역의 게이트 전극(94)이 동일한 재료로부터 형성되도록 동시에 발생할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 각각의 영역에서의 게이트 유전체(92)는 별개의 프로세스에 의해 형성될 수도 있고, 그 결과, 게이트 유전체(92)는 상이한 재료일 수도 있고, 및/또는 각각의 영역에서의 게이트 전극(94)은 별개의 프로세스에 의해 형성될 수도 있고, 그 결과, 게이트 전극(94)은 상이한 재료일 수도 있다. 상이한 프로세스를 사용하는 경우 적절한 영역을 마스킹하고 노출시키기 위해 다양한 마스킹 단계가 사용될 수도 있다.
도 19의 A 및 도 19의 B에서, 게이트 마스크(96)는 게이트 스택 위에 형성된다. 몇몇 실시형태에 따르면, 게이트 스택에는, 예를 들면, 게이트 스페이서(80)의 대향하는 부분 사이에서 리세스가 각각의 게이트 스택 바로 위에 형성되도록, 리세스가 형성된다. 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 또는 등등과 같은 유전체 재료의 하나 이상의 층이 리세스 내에 충전된다. 평탄화 프로세스는 제1 ILD(88) 위로 연장되는 유전체 재료의 잉여의 부분을 제거하기 위해 수행된다. 리세스 내의 유전체 재료의 나머지 부분은 게이트 마스크(96)를 형성한다. 후속하여 형성된 게이트 접촉부는, 게이트 마스크(96)를 관통하여, 리세스가 형성된 게이트 전극(94)의 최상면과 접촉할 것이다.
도 20의 A 및 도 20의 B에서, 소스/드레인 접촉 개구부(102)는 제1 ILD(88)를 통해 형성된다. 개구부는 허용 가능한 포토리소그래피 및 에칭 기술을 사용하여 형성될 수도 있다. 차등 CESL(84)은 제1 ILD(88)와 높은 에칭 선택도를 가지며, 소스/드레인 접촉 개구부(102)의 에칭을 저지시킨다. 리세스는 에칭에 의해 차등 CESL(84)에서 형성될 수도 있지만, 그러나 리세스는 차등 CESL(84)을 완전히 관통하여 연장되지는 않는다. 리세스는 대략 3 nm 미만일 수도 있는 깊이(D3)를 갖는다. 에피택셜 소스/드레인 영역(82)을 노출시키는 개구부가 차등 CESL(84)에서 후속하여 형성될 것이지만, 그러나 차등 CESL(84)이 개구부되기 전에 몇몇 중간 단계가 수행된다.
도 21의 A 및 도 21의 B에서, 접촉 스페이서층(104)이 중간 구조체 위에 그리고 소스/드레인 접촉 개구부(102) 내에 형성된다. 접촉 스페이서층(104)은 차등 CESL(84) 위에 있고, 특히, 소스/드레인 접촉 개구부(102)의 에칭 동안 차등 CESL(84)에 형성되는 임의의 리세스를 충전한다. 접촉 스페이서층(104)은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 또는 등등과 같은 유전체 재료로부터 형성될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 차등 CESL(84) 및 접촉 스페이서층(104)은, 실리콘 질화물과 같은 동일한 유전체 재료로부터 형성된다. 접촉 스페이서층(104)은 ALD와 같은 퇴적 프로세스에 의해 형성될 수도 있다.
도 22의 A 및 도 22의 B에서, 소스/드레인 접촉 개구부(102)에서 접촉 스페이서층(104)의 나머지 수직 부분을 남겨 두면서, 접촉 스페이서층(104)의 수평 부분을 제거하기 위해 에칭 프로세스가 수행된다. 에칭은 습식 또는 건식 에칭에 의한 것일 수도 있다. 접촉 스페이서층(104)의 나머지 수직 부분은, 후속하여 형성된 소스/드레인 접촉부에 대한 추가적인 장벽층으로서 작용하는 접촉 스페이서(106)이다. 접촉 스페이서(106)는 또한, 후속한 프로세싱(이하에서 추가로 논의됨) 동안 제1 ILD(88)를 보호한다.
게다가, 차등 CESL(84)이 개구부되어 에피택셜 소스/드레인 영역(82)을 노출시킨다. 차등 CESL(84) 및 접촉 스페이서층(104)이 동일한 유전체 재료로부터 형성되는 실시형태에서, 접촉 스페이서층(104)의 수평 부분을 제거하기 위한 에칭 프로세스는 차등 CESL(84)을 통해 소스/드레인 접촉 개구부(102)를 연장시키도록 계속될 수도 있다. 다른 실시형태에서, 차등 CESL(84)을 통해 소스/드레인 접촉 개구부(102)를 연장시키기 위해 별개의 에칭 프로세스가 수행될 수도 있다. 여전히 다른 실시형태에서, 에칭 프로세스의 조합이 사용될 수도 있는데, 예를 들면, 접촉 스페이서층(104)의 수평 부분을 제거하기 위한 에칭 프로세스는 차등 CESL(84)을 부분적으로 통해 소스/드레인 접촉 개구부(102)를 연장시키도록 계속될 수도 있고, 차등 CESL(84)을 통해 소스/드레인 접촉 개구부(102)를 연장시키는 것을 완료하기 위해 다른 에칭 프로세스가 수행될 수도 있다.
차등 CESL(84)을 통해 소스/드레인 접촉 개구부(102)를 연장시킬 때, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 어떤 에칭이 발생한다. 따라서, 소스/드레인 접촉 개구부(102)는 거리(D4)만큼 에피택셜 소스/드레인 영역(82) 안으로 연장될 수도 있다. 차등 CESL(84)의 수평 부분(84H)의 두께(TH)가 크기 때문에, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 에칭의 양은 감소될 수도 있고, 따라서, 거리(D4)는 작을 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 거리(D4)는 대략 3 nm 미만이다. 다시 말하면, 에칭 동안 에피택셜 소스/드레인 영역(82)에 의해 받은 높이 손실의 양은 감소될 수도 있다. 게다가, 차등 CESL(84)이 개구부된 후, 차등 CESL(84)의 분지 부분(84B)이 남을 수도 있다. 분지 부분(84B)은, 그들이 차등 CESL(84)의 수평 부분(84H)보다 두꺼운 두께를 가지기 때문에, 남아 있으며, 따라서 차등 CESL(84)을 개구부하기 위한 에칭 프로세스에 의해 완전히 제거되지 않을 수도 있다. 분지 부분(84B)의 두께는, 차등 CESL(84)이 개구부된 후, 두께(TB,R)로 감소된다. 몇몇 실시형태에서, 감소된 두께(TB,R)는 대략 6 nm에서부터 대략 7.5 nm까지의 범위 내에 있을 수 있다.
도 23의 A 및 도 23의 B에서, 제1 소스/드레인 접촉부(108)가 소스/드레인 접촉 개구부(102) 내에 형성된다. 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 각각 상에 실리사이드가 형성될 수도 있다. 실리사이드는, 소스/드레인 접촉 개구부(102) 내에 티타늄, 코발트, 또는 니켈과 같은 전도성 재료를 퇴적하는 것, 및 어닐을 수행하는 것에 의해 형성될 수도 있다. 접촉 스페이서(106)는, 제1 ILD(88)로부터 전도성 재료를 물리적으로 분리하여, 어닐 프로세스 동안 제1 ILD(88)를 보호하고, 그에 의해, 제1 ILD(88)의 소비를 감소시킨다. 실리사이드는 에피택셜 소스/드레인 영역(82)에 물리적으로 그리고 전기적으로 커플링된다. 소스/드레인 접촉 개구부(102)에는, 라이너, 예컨대 확산 장벽층, 접착층, 또는 등등, 및 도전성 재료가 형성된다. 라이너는 티타늄, 티타늄 질화물, 탄탈룸, 탄탈룸 질화물, 또는 등등을 포함할 수도 있고, 접촉 스페이서(106)를 따라 형성된다. 도전성 재료는, 구리, 구리 합금, 은, 금, 텅스텐, 코발트, 알루미늄, 니켈, 또는 등등일 수도 있다. CMP와 같은 평탄화 프로세스는 제1 ILD(88)의 최상면으로부터 잉여의 재료를 제거하기 위해 수행될 수도 있다. 나머지 라이너 및 도전성 재료는 제1 소스/드레인 접촉부(108)를 형성한다. 특히, 제1 소스/드레인 접촉부(108)는 차등 CESL(84)의 나머지 분지 부분(84B)을 물리적으로 커플링한다. 제1 소스/드레인 접촉부(108)가 형성된 후, 제1 소스/드레인 접촉부(108)의 상부는 접촉 스페이서(106)에 의해 둘러싸이고, 제1 소스/드레인 접촉부(108)의 하부(lower portion)은 차등 CESL(84)에 의해 둘러싸여진다. 제1 소스/드레인 접촉부(108)는, 대략 8 nm에서부터 대략 20 nm까지의 범위 내에 있을 수 있는 높이(H1)로 형성된다. 제1 소스/드레인 접촉부(108)는, 단면 A-A(도 1 참조)를 따라, 대략 3 nm에서부터 대략 17 nm까지의 범위 내에 있을 수 있는 폭(W1,A)으로 형성되고, 단면 B-B(도 1 참조)을 따라, 대략 28 nm에서부터 대략 300 nm까지의 범위 내에 있을 수 있는 폭(W1,B)으로 형성된다. 폭(W1,B)은 폭(W1,A)보다 넓을 수도 있다.
도 24의 A 및 도 24의 B에서, 제2 ILD(110)는 제1 ILD(88), 게이트 마스크(96), 및 제1 소스/드레인 접촉부(108) 위에 퇴적된다. 몇몇 실시형태에서, 제2 ILD(110)는, 유동 가능 CVD 방법에 의해 형성되는 유동 가능 막이다. 몇몇 실시형태에서, 제2 ILD(110)는 PSG, BSG, BPSG, USG, 또는 등등과 같은 유전체 재료로 형성되고, CVD 및 PECVD와 같은 임의의 적절한 방법에 의해 퇴적될 수도 있다.
게다가, 몇몇 실시형태에 따라, 게이트 접촉부(112) 및 제2 소스/드레인 접촉부(114)가 제2 ILD(110) 및 제1 ILD(88)를 통해 형성된다. 제2 소스/드레인 접촉부(114)를 위한 개구부가 제2 ILD(110)를 통해 형성되고, 게이트 접촉부(112)를 위한 개구부가 제2 ILD(110) 및 게이트 마스크(96)를 통해 형성된다. 개구부는 허용 가능한 포토리소그래피 및 에칭 기술을 사용하여 형성될 수도 있다. 개구부에는, 라이너, 예컨대 확산 장벽층, 접착층, 또는 등등, 및 도전성 재료가 형성된다. 라이너는 티타늄, 티타늄 질화물, 탄탈룸, 탄탈룸 질화물, 또는 등등을 포함할 수도 있다. 도전성 재료는, 구리, 구리 합금, 은, 금, 텅스텐, 코발트, 알루미늄, 니켈, 또는 등등일 수도 있다. CMP와 같은 평탄화 프로세스는 제2 ILD(110)의 표면으로부터 잉여의 재료를 제거하기 위해 수행될 수도 있다. 나머지 라이너 및 도전성 재료는 개구부 내에서 게이트 접촉부(112) 및 제2 소스/드레인 접촉부(114)를 형성한다. 게이트 접촉부(112)는 게이트 전극(94)에 물리적으로 그리고 전기적으로 커플링되고, 제2 소스/드레인 접촉부(114)는 제1 소스/드레인 접촉부(108)에 물리적으로 그리고 전기적으로 커플링된다. 게이트 접촉부(112) 및 제2 소스/드레인 접촉부(114)는 상이한 프로세스에서 형성될 수도 있거나, 또는 동일한 프로세스에서 형성될 수도 있다. 비록 동일한 단면에서 형성되는 것으로 도시되지만, 게이트 접촉부(112) 및 제2 소스/드레인 접촉부(114)의 각각은 상이한 단면에서 형성될 수도 있다는 것이 인식되어야 하는데, 이것은 접촉의 단락을 방지할 수도 있다. 제2 소스/드레인 접촉부(114)는 대략 6 nm에서부터 대략 30 nm까지의 범위 내에 있을 수 있는 높이(H2)로 형성된다. 제2 소스/드레인 접촉부(114)는, 단면 A-A(도 1 참조)를 따라, 대략 6 nm에서부터 대략 20 nm까지의 범위 내에 있을 수 있는 폭(W2,A)으로 형성되고, 단면 B-B(도 1 참조)을 따라, 대략 6 nm에서부터 대략 50 nm까지의 범위 내에 있을 수 있는 폭(W2,B)으로 형성된다. 폭(W2,B)은 폭(W2,A)보다 넓을 수도 있다.
실시형태는 이점을 달성할 수도 있다. 방향성 플라즈마 활성화(86)를 사용하여 PEALD를 수행하는 것은, 차등 CESL(84)이, 수직 부분(84V)보다 두꺼운 두께(TH)를 갖는 수평 부분(84H)을 가지고 형성되는 것을 허용한다. 더 두꺼운 두께(TH)를 갖는 수평 부분(84H)을 갖는 차등 CESL(84)을 형성하는 것에 의해, 접촉 스페이서(106)는 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 더 적은 에칭을 사용하여 형성될 수도 있다. 따라서, 에피택셜 소스/드레인 영역(82)의 높이 손실이 감소될 수도 있어서, 더 큰 임계 치수의 제1 소스/드레인 접촉부(108)가 형성되는 것을 허용할 수도 있다. 에피택셜 소스/드레인 영역(82)과 게이트 전극(94) 사이의 기생 커패시턴스는 또한 접촉 스페이서(106)의 존재에 의해 감소될 수도 있다. 게다가, 접촉 스페이서(106)는 제1 소스/드레인 접촉부(108)에 대한 실리사이드화(silicidation) 동안 제1 ILD(88)를 보호할 수도 있다. 최종적으로, 에피택셜 소스/드레인 영역(82) 위의 제1 ILD(88)의 양은 증가될 수도 있고, 그에 의해, 소스/드레인 접촉 개구부(102)를 에칭하기 위한 프로세싱 윈도우를 증가시킬 수도 있다.
한 실시형태에서, 방법은 다음을 포함한다: 소스/드레인 영역 위의 제1 부분 및 게이트 스택을 따르는 제2 부분을 갖는 차등 접촉 에칭 저지층(CESL)을 형성하는 것 - 소스/드레인 영역은 기판 내에 있고, 게이트 스택은 소스/드레인 영역에 근접하게 기판 위에 있고, 제1 부분의 제1 두께는 제2 부분의 제2 두께보다 두꺼우며, 차등 CESL을 형성하는 것은 방향성 플라즈마 활성화를 수행하는 것을 포함함 - ; 차등 CESL 위에 제1 층간 유전체(ILD)를 퇴적하는 것; 제1 ILD 내에 소스/드레인 접촉 개구부를 형성하는 것; 소스/드레인 접촉 개구부의 측벽들을 따라 접촉 스페이서를 형성하는 것; 접촉 스페이서를 형성한 후, 차등 CESL을 관통하여 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시키는 것; 및 연장된 소스/드레인 접촉 개구부 내에 제1 소스/드레인 접촉부 - 제1 소스/드레인 접촉부는 소스/드레인 영역과 물리적으로 그리고 전기적으로 커플링되고, 접촉 스페이서는 제1 소스/드레인 접촉부를 제1 ILD로부터 물리적으로 분리함 - 을 형성하는 것.
방법의 몇몇 실시형태에서, 접촉 스페이서를 형성하는 것은 다음을 포함한다: 소스/드레인 접촉 개구부 내에 접촉 스페이서층을 퇴적하는 것; 및 접촉 스페이서를 형성하는 접촉 스페이서층의 수직 부분들을 남겨 두면서, 접촉 스페이서층의 수평 부분들을 제거하는 것. 방법의 몇몇 실시형태에서, 접촉 스페이서층의 수평 부분들은 제1 에칭 프로세스로 제거되고, 소스/드레인 접촉 개구부는 제1 에칭 프로세스로 차등 CESL을 관통하여 연장된다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 접촉 스페이서층의 수평 부분은 제1 에칭 프로세스로 제거되고, 소스/드레인 접촉 개구부는 제2 에칭 프로세스로 차등 CESL을 관통하여 연장되되, 제2 에칭 프로세스는 제1 에칭 프로세스와는 상이하다. 몇몇 실시형태에서, 방법은: 제1 소스/드레인 접촉부를 어닐링하여 제1 소스/드레인 접촉부와 소스/드레인 영역 사이에 실리사이드를 형성하는 것을 더 포함하는데, 접촉 스페이서는 어닐링 동안 실리사이드를 제1 ILD로부터 물리적으로 분리한다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 소스/드레인 영역은 차등 CESL을 관통하여 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시키기 전에 제1 높이를 가지며, 소스/드레인 영역은, 차등 CESL을 관통하여 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시킨 후 제2 높이를 가지는데, 제1 높이와 제2 높이 사이의 차이는 대략 3 nm 미만이다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 소스/드레인 영역은 패싯화된 상면들을 가지며, 차등 CESL은 패싯화된 상면들의 접합부 내의 제3 부분을 가지는데, 제3 부분의 제3 두께는 제1 두께 및 제2 두께보다 두껍다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 것은, 차등 CESL의 제3 부분 상에 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 것을 포함한다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 차등 CESL을 형성하는 것은: 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스로 소스/드레인 영역 위에 그리고 게이트 스택을 따라 실리콘 질화물을 퇴적하는 것을 포함하되, 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스는 소스/드레인 영역 위에서의 제1 퇴적률(deposition rate) 및 게이트 스택을 따른 제2 퇴적률을 가지며, 제1 퇴적률은 제2 퇴적률보다 크다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 차등 CESL을 형성하는 것은 다음을 포함한다: 제1 노출에서, 소스/드레인 영역의 표면을 제1 프리커서에 노출시키는 것; 제1 노출 후, 방향성 플라즈마 활성화로 소스/드레인 영역의 표면을 활성화하는 것; 및 소스/드레인 영역의 표면을 활성화시킨 후, 제2 노출에서, 제2 프리커서에 소스/드레인 영역의 활성화된 표면을 노출시키는 것.
한 실시형태에서, 방법은 다음을 포함한다: 기판 위에 게이트 스페이서를 형성하는 것; 게이트 스페이서에 인접하게 기판 내에 소스/드레인 영역을 형성하는 것; 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스 - 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스는 소스/드레인 영역 위에서의 제1 퇴적률 및 게이트 스페이서의 측벽을 따른 제2 퇴적률을 가지며, 제1 퇴적률은 제2 퇴적률보다 큼 - 로 게이트 스페이서의 측벽을 따라 그리고 소스/드레인 영역 위에 차등 접촉 에칭 저지층(CESL)을 퇴적하는 것; 차등 CESL 위에 제1 층간 유전체(ILD)를 퇴적하는 것; 제1 ILD 내에 소스/드레인 접촉 개구부 - 소스/드레인 접촉 개구부는 차등 CESL에서 저지됨 - 를 에칭하는 것; 소스/드레인 접촉 개구부의 측벽들을 따라 접촉 스페이서를 형성하는 것; 및 접촉 스페이서를 형성한 후, 소스/드레인 영역과 물리적으로 커플링되도록 차등 CESL 관통하여 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 것.
방법의 몇몇 실시형태에서, 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스는 다음을 포함한다: 제1 노출에서, 소스/드레인 영역의 표면 및 게이트 스페이서의 표면을 제1 프리커서에 노출시키는 것; 제1 노출 후, 방향성 플라즈마 활성화로 소스/드레인 영역의 표면을 활성화하는 것 - 게이트 스페이서의 표면은 활성화되지 않은 채로 남아 있음 - ; 및 소스/드레인 영역의 표면 및 게이트 스페이서의 표면의 활성화 후, 제2 노출에서, 소스/드레인 영역의 활성화된 표면 및 게이트 스페이서의 활성화되지 않은 표면을 제2 프리커서에 노출시키는 것. 방법의 몇몇 실시형태에서, 제2 노출 동안, 게이트 스페이서의 활성화되지 않은 표면에서 보다 소스/드레인 영역의 활성화된 표면에서 더 많은 반응들이 발생한다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 제1 프리커서는 디클로로실란이고, 제2 프리커서는 암모니아이다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 소스/드레인 영역의 표면을 활성화시키는 것은: 소스/드레인 영역의 수평면들을 향해 아르곤 방향성 플라즈마를 생성하는 것을 포함하되, 아르곤 방향성 플라즈마는 5 Torr 미만의 압력으로 생성된다. 방법의 몇몇 실시형태에서, 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스 후, 소스/드레인 영역 위의 차등 CESL의 두께는, 게이트 스페이서를 따른 차등 CESL의 두께보다 적어도 2 nm 더 크다.
한 실시형태에서, 디바이스는 다음을 포함한다: 기판으로부터 연장되는 제1 핀; 제1 핀 내의 소스/드레인 영역; 소스/드레인 영역에 인접해 있고 제1 핀 위에 있는 게이트 스택; 게이트 스택을 따르는 제1 부분을 갖고 소스/드레인 영역 위의 제2 부분 - 제1 부분의 제1 두께는 제2 부분의 제2 두께보다 작음 - 을 구비하는 차등 접촉 에칭 저지층(CESL); 차등 CESL 위의 제1 층간 유전체(ILD); 제1 ILD를 관통하여 그리고 차등 CESL를 부분적으로만 관통하여 연장되는 접촉 스페이서; 및 제1 ILD를 관통하여 그리고 차등 CESL를 완전히 관통하여 연장되는 소스/드레인 접촉부.
디바이스의 몇몇 실시형태에서, 소스/드레인 접촉부의 상부는 접촉 스페이서에 의해 둘러싸이고, 소스/드레인 접촉부의 하부은 차등 CESL에 의해 둘러싸인다. 디바이스의 몇몇 실시형태에서, 제2 부분의 제2 두께는 제1 부분의 제1 두께보다 적어도 2 nm 더 작다. 몇몇 실시형태에서, 디바이스는: 기판으로부터 연장되는 제2 핀을 더 포함하되, 소스/드레인 영역은 제2 핀 내에 있고, 소스/드레인 영역은 패싯화된 상면들을 가지며, 차등 CESL은 패싯화된 상면들의 접합부 내의 제3 부분을 갖고, 차등 CESL의 제3 부분은 소스/드레인 영역과 소스/드레인 접촉부 사이에 배치된다.
전술한 내용은, 기술 분야의 숙련된 자가 본 개시의 양태를 더 잘 이해할 수도 있도록 하는 여러가지 실시형태의 피처를 개설한다(outline). 기술 분야의 숙련된 자는, 그들이 동일한 목적을 수행하기 위해 및/또는 본원에서 소개되는 실시형태의 동일한 이점을 달성하기 위해 다른 프로세스 및 구조체를 설계 또는 수정하기 위한 기초로서 본 개시를 쉽게 사용할 수도 있다는 것을 인식해야 한다. 기술 분야의 숙련된 자는 또한, 그러한 등가적 구성이 본 개시의 취지와 범위를 벗어나지 않는다는 것, 및 그들이 본 개시의 취지와 범위를 벗어나지 않으면서 본원에서 다양한 변경, 대체, 및 수정을 가할 수도 있다는 것을 인식해야 한다.
실시예들
실시예 1. 방법에 있어서,
소스/드레인 영역 위의 제1 부분 및 게이트 스택을 따르는 제2 부분을 갖는 차등(differential) 접촉 에칭 저지층(contact etch stop layer; CESL)을 형성하는 단계로서, 상기 소스/드레인 영역은 기판 내에 있고, 상기 게이트 스택은 상기 소스/드레인 영역에 근접하게 상기 기판 위에 있고, 상기 제1 부분의 제1 두께는 상기 제2 부분의 제2 두께보다 두꺼우며, 상기 차등 CESL을 형성하는 단계는 방향성 플라즈마 활성화(directional plasma activation)를 수행하는 단계를 포함하는 것인, 상기 차등 접촉 에칭 저지층을 형성하는 단계;
상기 차등 CESL 위에 제1 층간 유전체(interlayer dielectric; ILD)를 퇴적하는 단계;
제1 ILD 내에 소스/드레인 접촉 개구부를 형성하는 단계;
상기 소스/드레인 접촉 개구부의 측벽들을 따라 접촉 스페이서를 형성하는 단계;
상기 접촉 스페이서를 형성한 후, 상기 차등 CESL을 관통하여 상기 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시키는 단계; 및
상기 연장된 소스/드레인 접촉 개구부 내에 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 단계로서, 상기 제1 소스/드레인 접촉부는 상기 소스/드레인 영역과 물리적으로 그리고 전기적으로 커플링되고, 상기 접촉 스페이서는 상기 제1 소스/드레인 접촉부를 상기 제1 ILD로부터 물리적으로 분리하는 것인, 상기 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
실시예 2. 실시예 1에 있어서, 상기 접촉 스페이서를 형성하는 단계는,
상기 소스/드레인 접촉 개구부 내에 접촉 스페이서층을 퇴적하는 단계; 및
상기 접촉 스페이서를 형성하는 상기 접촉 스페이서층의 수직 부분들을 남겨 두면서, 상기 접촉 스페이서층의 수평 부분들을 제거하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
실시예 3. 실시예 2에 있어서, 상기 접촉 스페이서층의 수평 부분들은 제1 에칭 프로세스로 제거되고, 상기 소스/드레인 접촉 개구부는 상기 제1 에칭 프로세스로 상기 차등 CESL을 관통하여 연장되는 것인, 방법.
실시예 4. 실시예 2에 있어서, 상기 접촉 스페이서층의 수평 부분들은 상기 제1 에칭 프로세스로 제거되고, 상기 소스/드레인 접촉 개구부는 상기 제2 에칭 프로세스로 상기 차등 CESL을 관통하여 연장되며, 상기 제2 에칭 프로세스는 상기 제1 에칭 프로세스와는 상이한 것인, 방법.
실시예 5. 실시예 1에 있어서,
상기 제1 소스/드레인 접촉부와 상기 소스/드레인 영역 사이에 실리사이드를 형성하기 위해 상기 제1 소스/드레인 접촉부를 어닐링하는 단계를 더 포함하고, 상기 접촉 스페이서는 어닐링 동안 상기 실리사이드를 상기 제1 ILD로부터 물리적으로 분리하는 것인, 방법.
실시예 6. 실시예 1에 있어서, 상기 소스/드레인 영역은 상기 차등 CESL을 관통하여 상기 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시키기 전에 제1 높이를 갖고, 상기 소스/드레인 영역은 상기 차등 CESL을 관통하여 상기 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시킨 후 제2 높이를 가지며, 상기 제1 높이와 상기 제2 높이 사이의 차이는 3 nm 미만인 것인, 방법.
실시예 7. 실시예 1에 있어서, 상기 소스/드레인 영역은 패싯화된(faceted) 상면들을 갖고, 상기 차등 CESL은 상기 패싯화된 상면들의 접합부(junction) 내의 제3 부분을 가지며, 상기 제3 부분의 제3 두께는 상기 제1 두께 및 상기 제2 두께보다 두꺼운 것인, 방법.
실시예 8. 실시예 7에 있어서, 상기 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 단계는, 상기 차등 CESL의 제3 부분 상에 상기 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
실시예 9. 실시예 1에 있어서, 상기 차등 CESL을 형성하는 단계는,
플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스(plasma-enhanced atomic layer deposition process)로 상기 소스/드레인 영역 위에 그리고 상기 게이트 스택을 따라 실리콘 질화물을 퇴적하는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스는 상기 소스/드레인 영역 위에서의 제1 퇴적률(deposition rate) 및 상기 게이트 스택을 따른 제2 퇴적률을 가지며, 상기 제1 퇴적률은 제2 퇴적률보다 큰 것인, 방법.
실시예 10. 실시예 9에 있어서, 상기 차등 CESL을 형성하는 단계는,
제1 노출에서, 상기 소스/드레인 영역의 표면을 제1 프리커서(precursor)에 노출시키는 단계;
상기 제1 노출 후, 상기 방향성 플라즈마 활성화로 상기 소스/드레인 영역의 표면을 활성화하는 단계; 및
상기 소스/드레인 영역의 표면을 활성화한 후, 제2 노출에서, 상기 소스/드레인 영역의 활성화된 표면을 제2 프리커서에 노출시키는 단계를 포함하는 것인, 방법.
실시예 11. 방법에 있어서,
기판 위에 게이트 스페이서를 형성하는 단계;
상기 게이트 스페이서에 인접하게 상기 기판 내에 소스/드레인 영역을 형성하는 단계;
플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스로 상기 게이트 스페이서의 측벽을 따라 그리고 상기 소스/드레인 영역 위에 차등 접촉 에칭 저지층(CESL)을 퇴적하는 단계로서, 상기 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스는 상기 소스/드레인 영역 위에서의 제1 퇴적률 및 상기 게이트 스페이서의 측벽을 따른 제2 퇴적률을 가지며, 상기 제1 퇴적률은 상기 제2 퇴적률보다 큰 것인, 상기 차등 접촉 에칭 저지층(CESL)을 퇴적하는 단계;
상기 차등 CESL 위에 제1 층간 유전체(ILD)를 퇴적하는 단계;
상기 제1 ILD 내에 소스/드레인 접촉 개구부 - 상기 소스/드레인 접촉 개구부는 상기 차등 CESL에서 저지됨 - 를 에칭하는 단계;
상기 소스/드레인 접촉 개구부의 측벽들을 따라 접촉 스페이서를 형성하는 단계; 및
상기 접촉 스페이서를 형성한 후, 상기 소스/드레인 영역과 물리적으로 커플링되도록 상기 차등 CESL 관통하여 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
실시예 12. 실시예 11에 있어서, 상기 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스는,
제1 노출에서, 상기 소스/드레인 영역의 표면 및 상기 게이트 스페이서의 표면을 제1 프리커서에 노출시키는 것;
상기 제1 노출 후, 방향성 플라즈마 활성화로 상기 소스/드레인 영역의 표면을 활성화하는 것 - 상기 게이트 스페이서의 표면은 활성화되지 않은 채로 남아 있음 - ; 및
상기 소스/드레인 영역의 표면 및 상기 게이트 스페이서의 표면의 활성화 후, 제2 노출에서, 상기 소스/드레인 영역의 활성화된 표면 및 상기 게이트 스페이서의 활성화되지 않은 표면을 제2 프리커서에 노출시키는 것을 포함하는 것인, 방법.
실시예 13. 실시예 12에 있어서, 상기 제2 노출 동안, 상기 게이트 스페이서의 활성화되지 않은 표면에서 보다 상기 소스/드레인 영역의 활성화된 표면에서 더 많은 반응들이 발생하는 것인, 방법.
실시예 14. 실시예 12에 있어서, 상기 제1 프리커서는 디클로로실란(dichlorosilane)이고, 상기 제2 프리커서는 암모니아인 것인, 방법.
실시예 15. 실시예 12에 있어서, 상기 소스/드레인 영역의 표면을 활성화하는 것은,
상기 소스/드레인 영역의 수평면들을 향해 아르곤 방향성 플라즈마를 생성하는 것을 포함하고, 상기 아르곤 방향성 플라즈마는 5 Torr 미만의 압력으로 생성되는 것인, 방법.
실시예 16. 실시예 15에 있어서, 상기 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스 후, 상기 소스/드레인 영역 위의 상기 차등 CESL의 두께는, 상기 게이트 스페이서를 따른 상기 차등 CESL의 두께보다 적어도 2 nm 더 큰 것인, 방법.
실시예 17. 디바이스에 있어서,
기판으로부터 연장되는 제1 핀(fin);
상기 제1 핀 내의 소스/드레인 영역;
상기 소스/드레인 영역에 인접해 있고 상기 제1 핀 위에 있는 게이트 스택;
상기 게이트 스택을 따르는 제1 부분을 갖고 상기 소스/드레인 영역 위의 제2 부분을 갖는 차등 접촉 에칭 저지층(CESL) - 상기 제1 부분의 제1 두께는 상기 제2 부분의 제2 두께보다 작음 - ;
상기 차등 CESL 위의 제1 층간 유전체(ILD);
상기 제1 ILD를 관통하여 그리고 상기 차등 CESL를 부분적으로만 관통하여 연장되는 접촉 스페이서; 및
상기 제1 ILD를 관통하여 그리고 상기 차등 CESL를 완전히 관통하여 연장되는 소스/드레인 접촉부를 포함하는, 디바이스.
실시예 18. 실시예 17에 있어서, 상기 소스/드레인 접촉부의 상부는 상기 접촉 스페이서에 의해 둘러싸이고, 상기 소스/드레인 접촉부의 하부는 상기 차등 CESL에 의해 둘러싸이는 것인, 디바이스.
실시예 19. 실시예 17에 있어서, 상기 제2 부분의 제2 두께는 상기 제1 부분의 제1 두께보다 적어도 2 nm 더 작은 것인, 디바이스.
실시예 20. 실시예 17에 있어서,
상기 기판으로부터 연장되는 제2 핀 - 상기 소스/드레인 영역은 상기 제2 핀 내에 있음 - 을 더 포함하고,
상기 소스/드레인 영역은 패싯화된 상면들을 가지며, 상기 차등 CESL은 상기 패싯화된 상면들의 접합부 내의 제3 부분을 갖고, 상기 차등 CESL의 제3 부분은 상기 소스/드레인 영역과 상기 소스/드레인 접촉부 사이에 배치되는 것인, 디바이스.

Claims (10)

  1. 방법에 있어서,
    소스/드레인 영역 위의 제1 부분 및 게이트 스택을 따르는 제2 부분을 갖는 차등(differential) 접촉 에칭 저지층(contact etch stop layer; CESL)을 형성하는 단계로서, 상기 소스/드레인 영역은 기판 내에 있고, 상기 게이트 스택은 상기 소스/드레인 영역에 근접하게 상기 기판 위에 있고, 상기 제1 부분의 제1 두께는 상기 제2 부분의 제2 두께보다 두꺼우며, 상기 차등 CESL을 형성하는 단계는 방향성 플라즈마 활성화(directional plasma activation)를 수행하는 단계를 포함하는 것인, 상기 차등 접촉 에칭 저지층을 형성하는 단계;
    상기 차등 CESL 위에 제1 층간 유전체(interlayer dielectric; ILD)를 퇴적하는 단계;
    제1 ILD 내에 소스/드레인 접촉 개구부를 형성하는 단계;
    상기 소스/드레인 접촉 개구부의 측벽들을 따라 접촉 스페이서를 형성하는 단계;
    상기 접촉 스페이서를 형성한 후, 상기 차등 CESL을 관통하여 상기 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시키는 단계; 및
    상기 연장된 소스/드레인 접촉 개구부 내에 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 단계로서, 상기 제1 소스/드레인 접촉부는 상기 소스/드레인 영역과 물리적으로 그리고 전기적으로 커플링되고, 상기 접촉 스페이서는 상기 제1 소스/드레인 접촉부를 상기 제1 ILD로부터 물리적으로 분리하는 것인, 상기 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접촉 스페이서를 형성하는 단계는,
    상기 소스/드레인 접촉 개구부 내에 접촉 스페이서층을 퇴적하는 단계; 및
    상기 접촉 스페이서를 형성하는 상기 접촉 스페이서층의 수직 부분들을 남겨 두면서, 상기 접촉 스페이서층의 수평 부분들을 제거하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 소스/드레인 접촉부와 상기 소스/드레인 영역 사이에 실리사이드를 형성하기 위해 상기 제1 소스/드레인 접촉부를 어닐링하는 단계를 더 포함하고, 상기 접촉 스페이서는 어닐링 동안 상기 실리사이드를 상기 제1 ILD로부터 물리적으로 분리하는 것인, 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소스/드레인 영역은 상기 차등 CESL을 관통하여 상기 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시키기 전에 제1 높이를 갖고, 상기 소스/드레인 영역은 상기 차등 CESL을 관통하여 상기 소스/드레인 접촉 개구부를 연장시킨 후 제2 높이를 가지며, 상기 제1 높이와 상기 제2 높이 사이의 차이는 3 nm 미만인 것인, 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소스/드레인 영역은 패싯화된(faceted) 상면들을 갖고, 상기 차등 CESL은 상기 패싯화된 상면들의 접합부(junction) 내의 제3 부분을 가지며, 상기 제3 부분의 제3 두께는 상기 제1 두께 및 상기 제2 두께보다 두꺼운 것인, 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 차등 CESL을 형성하는 단계는,
    플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스(plasma-enhanced atomic layer deposition process)로 상기 소스/드레인 영역 위에 그리고 상기 게이트 스택을 따라 실리콘 질화물을 퇴적하는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스는 상기 소스/드레인 영역 위에서의 제1 퇴적률(deposition rate) 및 상기 게이트 스택을 따른 제2 퇴적률을 가지며, 상기 제1 퇴적률은 제2 퇴적률보다 큰 것인, 방법.
  7. 방법에 있어서,
    기판 위에 게이트 스페이서를 형성하는 단계;
    상기 게이트 스페이서에 인접하게 상기 기판 내에 소스/드레인 영역을 형성하는 단계;
    플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스로 상기 게이트 스페이서의 측벽을 따라 그리고 상기 소스/드레인 영역 위에 차등 접촉 에칭 저지층(CESL)을 퇴적하는 단계로서, 상기 플라즈마 강화 원자 층 퇴적 프로세스는 상기 소스/드레인 영역 위에서의 제1 퇴적률 및 상기 게이트 스페이서의 측벽을 따른 제2 퇴적률을 가지며, 상기 제1 퇴적률은 상기 제2 퇴적률보다 큰 것인, 상기 차등 접촉 에칭 저지층(CESL)을 퇴적하는 단계;
    상기 차등 CESL 위에 제1 층간 유전체(ILD)를 퇴적하는 단계;
    상기 제1 ILD 내에 소스/드레인 접촉 개구부 - 상기 소스/드레인 접촉 개구부는 상기 차등 CESL에서 저지됨 - 를 에칭하는 단계;
    상기 소스/드레인 접촉 개구부의 측벽들을 따라 접촉 스페이서를 형성하는 단계; 및
    상기 접촉 스페이서를 형성한 후, 상기 소스/드레인 영역과 물리적으로 커플링되도록 상기 차등 CESL 관통하여 제1 소스/드레인 접촉부를 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  8. 디바이스에 있어서,
    기판으로부터 연장되는 제1 핀(fin);
    상기 제1 핀 내의 소스/드레인 영역;
    상기 소스/드레인 영역에 인접해 있고 상기 제1 핀 위에 있는 게이트 스택;
    상기 게이트 스택을 따르는 제1 부분을 갖고 상기 소스/드레인 영역 위의 제2 부분을 갖는 차등 접촉 에칭 저지층(CESL) - 상기 제1 부분의 제1 두께는 상기 제2 부분의 제2 두께보다 작음 - ;
    상기 차등 CESL 위의 제1 층간 유전체(ILD);
    상기 제1 ILD를 관통하여 그리고 상기 차등 CESL를 부분적으로만 관통하여 연장되는 접촉 스페이서; 및
    상기 제1 ILD를 관통하여 그리고 상기 차등 CESL를 완전히 관통하여 연장되는 소스/드레인 접촉부를 포함하는, 디바이스.
  9. 제8항에 있어서, 상기 소스/드레인 접촉부의 상부는 상기 접촉 스페이서에 의해 둘러싸이고, 상기 소스/드레인 접촉부의 하부는 상기 차등 CESL에 의해 둘러싸이는 것인, 디바이스.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 기판으로부터 연장되는 제2 핀 - 상기 소스/드레인 영역은 상기 제2 핀 내에 있음 - 을 더 포함하고,
    상기 소스/드레인 영역은 패싯화된 상면들을 가지며, 상기 차등 CESL은 상기 패싯화된 상면들의 접합부 내의 제3 부분을 갖고, 상기 차등 CESL의 제3 부분은 상기 소스/드레인 영역과 상기 소스/드레인 접촉부 사이에 배치되는 것인, 디바이스.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10943818B2 (en) * 2018-10-31 2021-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method
KR20220083437A (ko) 2020-12-11 2022-06-20 삼성전자주식회사 집적회로 소자
US11798943B2 (en) * 2021-02-18 2023-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Transistor source/drain contacts and methods of forming the same
US11764215B2 (en) * 2021-03-31 2023-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacture
US11728218B2 (en) * 2021-04-16 2023-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and method
US20230260832A1 (en) * 2022-02-17 2023-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor Devices and Methods
US20230268223A1 (en) * 2022-02-24 2023-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacture

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060007176A (ko) * 2004-07-19 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
US20150364559A1 (en) * 2010-10-21 2015-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit having a contact etch stop layer
KR20160028938A (ko) * 2014-09-04 2016-03-14 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR20180079161A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
KR20180117018A (ko) * 2017-04-18 2018-10-26 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 접촉 플러그 및 이를 형성하는 방법

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7615426B2 (en) 2005-02-22 2009-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. PMOS transistor with discontinuous CESL and method of fabrication
KR101033222B1 (ko) 2007-06-29 2011-05-06 주식회사 하이닉스반도체 전하트랩층을 갖는 불휘발성 메모리소자의 제조방법
KR20090012573A (ko) 2007-07-30 2009-02-04 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8545936B2 (en) 2008-03-28 2013-10-01 Asm International N.V. Methods for forming carbon nanotubes
US8716132B2 (en) 2009-02-13 2014-05-06 Tokyo Electron Limited Radiation-assisted selective deposition of metal-containing cap layers
US20100314690A1 (en) 2009-06-15 2010-12-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sidewall-Free CESL for Enlarging ILD Gap-Fill Window
US8293658B2 (en) 2010-02-17 2012-10-23 Asm America, Inc. Reactive site deactivation against vapor deposition
US9236267B2 (en) 2012-02-09 2016-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cut-mask patterning process for fin-like field effect transistor (FinFET) device
US8722546B2 (en) 2012-06-11 2014-05-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon-containing dielectric film by cyclic deposition with side wall coverage control
KR102003959B1 (ko) 2012-07-31 2019-07-25 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법
EP2696369B1 (en) 2012-08-10 2021-01-13 IMEC vzw Methods for manufacturing a field-effect semiconductor device
US9105490B2 (en) 2012-09-27 2015-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Contact structure of semiconductor device
US9236300B2 (en) 2012-11-30 2016-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Contact plugs in SRAM cells and the method of forming the same
US8921191B2 (en) * 2013-02-05 2014-12-30 GlobalFoundries, Inc. Integrated circuits including FINFET devices with lower contact resistance and reduced parasitic capacitance and methods for fabricating the same
KR102154112B1 (ko) 2013-08-01 2020-09-09 삼성전자주식회사 금속 배선들을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9136106B2 (en) 2013-12-19 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit patterning
US9406804B2 (en) 2014-04-11 2016-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs with contact-all-around
US9443769B2 (en) 2014-04-21 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wrap-around contact
US10170332B2 (en) 2014-06-30 2019-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET thermal protection methods and related structures
KR102342328B1 (ko) 2014-07-03 2021-12-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 선택적인 증착을 위한 방법 및 장치
US9299803B2 (en) 2014-07-16 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for semiconductor device fabrication
US9831183B2 (en) 2014-08-07 2017-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Contact structure and method of forming
US20160064275A1 (en) 2014-08-27 2016-03-03 Applied Materials, Inc. Selective Deposition With Alcohol Selective Reduction And Protection
US9190489B1 (en) 2014-09-08 2015-11-17 Lam Research Corporation Sacrificial pre-metal dielectric for self-aligned contact scheme
US10062564B2 (en) 2014-12-15 2018-08-28 Tokyo Electron Limited Method of selective gas phase film deposition on a substrate by modifying the surface using hydrogen plasma
US9947753B2 (en) 2015-05-15 2018-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
US9397003B1 (en) * 2015-05-27 2016-07-19 Globalfoundries Inc. Method for forming source/drain contacts during CMOS integration using confined epitaxial growth techniques
US9559184B2 (en) 2015-06-15 2017-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Devices including gate spacer with gap or void and methods of forming the same
US10896852B2 (en) 2015-09-17 2021-01-19 Intel Corporation Methods for doping a sub-fin region of a semiconductor fin structure and devices containing the same
TWI672815B (zh) 2015-10-14 2019-09-21 聯華電子股份有限公司 金氧半導體電晶體與形成閘極佈局圖的方法
US9520482B1 (en) 2015-11-13 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of cutting metal gate
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9761483B1 (en) 2016-03-07 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same
TWI612674B (zh) 2016-03-24 2018-01-21 台灣積體電路製造股份有限公司 鰭式場效電晶體及其製造方法
US9548366B1 (en) 2016-04-04 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self aligned contact scheme
CN107492572B (zh) 2016-06-13 2022-05-17 联华电子股份有限公司 半导体晶体管元件及其制作方法
KR102616489B1 (ko) 2016-10-11 2023-12-20 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
US10522359B2 (en) 2016-11-29 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET device and method of forming
US9812363B1 (en) 2016-11-29 2017-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET device and method of forming same
US10763104B2 (en) * 2017-09-28 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming differential etch stop layer using directional plasma to activate surface on device structure
US10418453B2 (en) * 2017-11-22 2019-09-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Forming metal contacts on metal gates
US11031286B2 (en) * 2018-03-01 2021-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Conductive feature formation and structure
US10943818B2 (en) * 2018-10-31 2021-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060007176A (ko) * 2004-07-19 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
US20150364559A1 (en) * 2010-10-21 2015-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit having a contact etch stop layer
KR20160028938A (ko) * 2014-09-04 2016-03-14 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR20180079161A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
KR20180117018A (ko) * 2017-04-18 2018-10-26 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 접촉 플러그 및 이를 형성하는 방법

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