KR20200050215A - 자외선 경화형 네가티브 감광성 수지 조성물 - Google Patents

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KR20200050215A
KR20200050215A KR1020180132960A KR20180132960A KR20200050215A KR 20200050215 A KR20200050215 A KR 20200050215A KR 1020180132960 A KR1020180132960 A KR 1020180132960A KR 20180132960 A KR20180132960 A KR 20180132960A KR 20200050215 A KR20200050215 A KR 20200050215A
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photosensitive resin
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triazine
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박진규
서광범
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주식회사 아이에스엠
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Abstract

자외선 경화 공정에서 충분한 라디칼 경화도를 확보하여 후속 공정의 저온 경화 조건에서도 완성된 경화도를 확보할 수 있어 내화학성 및 접착력이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 자외선 경화형 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.

Description

자외선 경화형 네가티브 감광성 수지 조성물 {COMPOSITION OF LOW TEMPERATURE CURE NEGATIVE PHOTOSENSITVE RESIN}
본 발명은 자외선 경화형 네가티브 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자외선 경화 공정에서 충분한 라디칼 경화도를 확보하여 후속 공정의 저온 경화 조건에서도 완성된 경화도를 확보할 수 있어 내화학성 및 접착력이 우수한 패턴을 형성할 수 있는 자외선 경화형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 액정(Liquid Crystal)을 이용하여 영상을 표시하는 평판 표시장치의 하나로써, 다른 디스플레이 장치에 비해 얇고 가벼우며, 낮은 구동전압 및 낮은 소비전력을 갖는 장점이 있어, 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되고 있으며, 특히, 이동 통신 단말기 등의 소형 전자제품에 사용비율이 점차 확대되고 있는 실정이다.
이와 같은 액정표시장치는 영상을 표시하기 위한 액정표시패널이 자체적으로 발광하지 못하는 비발광성 소자이기 때문에 별도의 광을 제공하기 위한 라이트 어셈블리를 필요로 한다.
라이트 어셈블리는 광을 발생하는 하나 이상의 램프 및 상기 램프로부터 발생된 광을 가이드하여 상기 액정표시패널 방향으로 출사하는 도광판을 포함한다. 이때, 상기 램프로부터 발생된 광은 Snell의 법칙에 따라 상기 도광판의 내부에서 전반사되다가 상기 도광판의 하면에 형성된 반사 패턴과 하부에 배치되는 반사판에 의해 산란 및 반사되어 상기 액정표시패널 방향으로 출사 된다.
이러한 디스플레이 및 반도체 소자 제조 분야에 있어서, 감광성 수지 조성물은 절연막, 보호막 등의 광경화 패턴을 형성하기 위해 사용된다. 구체적으로, 감광성 수지 조성물을 포토리소그래피 공정에 의거 선택적으로 노광 및 현상하여 원하는 광경화 패턴을 형성하는데, 종래 네거티브 포토레지스트 조성들은 230℃ 이상의 높은 경화 온도를 필요로 한다.
따라서 최근 디스플레이 및 반도체 소자 제조 공정상 필요에 의해 저온에서의 공정에서 충분한 경화도를 구현, 형성되는 패턴의 내화학성, 신뢰성(접착력) 및 경사각(Taper Angle)의 조절 구현이 가능할 수 있도록 한 감광성 수지 조성물에 대한 연구 및 개발이 요구되는 실정이다.
일본 공개특허공보 제2011-191749호 국제공개공보 제WO2014-05058호
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 출원의 발명자들은 심도 있는 연구와 다양한 실험을 거듭한 끝에, 이후 설명하는 바와 같이, 본 발명은 상기 기술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 자외선 경화 시 95% 이상의 경화도를 확보하여, 후속 공정의 저온 및 짧은 경화 시간 공정에서도 충분한 경화도를 확보할 수 있어 우수한 패턴을 형성할 수 있고 내화학성 및 접착력(신뢰성)이 우수한 자외선 경화형 네거티브 감광성 수지 조성물로서 아크릴 작용기를 자체적으로 함유하는 폴리에스터 수지를 포함하는 저온 자외선 경화형 네가티브형 감광성 조성물을 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 자외선 경화형 네가티브형 감광성 조성물은,
하기 화학식 1로 표시되는 반복단위로 포함하는 고분자 수지; 및
적어도 2가 이상의 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체;를 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물,
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 1 내지 20인 알킬기, 알킬사이클릭, 알킬 헤테로사이클릭, 알킬 헤테로 바이사이클릭 또는 알릴사이클릭이며, 구조 내에 할로겐 또는 실리콘을 포함할 수 있다.
R2는 아크릴 또는 알릴기이다.
R3는 부재 또는 O, N, F 또는 S인 헤테로 원소이다.
Z는 산 2가 이상의 무수물 잔기이고 Y는 산 무수물 잔기이다.
n/m은 0/100 ~ 100/0의 비율이다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 상기 다관능성 단량체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
R4는 수소원자 또는 탄소원자수 1 내지 10알킬기이고, R5는 메틸기 또는 카르보닐기이고, R6는 탄소원자수 1 내지 50 알킬렌기 또는 에테르기이며, X는 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬렌기 또는 알킬렌옥사이드기이고, n은 1 내지 2인 정수이다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 전체 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 고분자 수지는 5 내지 45 중량부, 상기 다관능성 단량체는 5 내지 50 중량부로 포함할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 상기 고분자 수지는 평균 분자량(Mw)이 2,000 내지 50,000 범위일 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 상기 고분자 수지는 1.0 내지 5.0 범위의 분산도(polydispersity index, PDI)를 갖을 수 있다.
또한, 본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 적어도 하나의 광개시제;
수산기를 포함하는 수지 또는 단량체;
에폭시 함유 화합물;
열경화보조제; 및
적어도 하나의 광산발생제;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 상기 광산발생제는 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 상기 광개시제는, 전체 조성물 100 중량부에 대해, 0.1 내지 10 중량부 및 상기 수산기를 포함하는 수지 또는 단량체는 1 내지 40 중량부, 상기 광산발생제는 0.1 내지 10 중량부로 포함할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 상기 광개시제는 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-tert-부틸아세토페논 등의 아세토페논류나, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, p,p'-비스디메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류나, 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤질디메틸케탈, 티오크산텐, 2-클로로티오크산텐, 2,4-디에틸티오크산텐, 2-메틸티오크산텐, 2-이소프로필티오크산텐 등의 설퍼화합물이나, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논 등의 안트라퀴논류나, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 쿠멘퍼옥사이드, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)-이미다졸릴 이량체, p-메톡시트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트라아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페놀)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1온, 키토옥심에스터 및 알파키토옥심에스터 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 상기 수산기를 포함하는 수지는 o-치환 노볼락수지, m-치환 노볼락수지, p-치환 노볼락수지 또는 소정 비율로 m-치환 / p-치환된 노볼락수지, 히드록시스티렌 수지를 포함하고,
상기 수산기를 포함하는 단량체는 2,2',3,4,4'-펜타하이드록시벤조페논, 2,2',3,4,4',5-헥사하이드록시벤조페논, 2,2',3,4,4'-펜타하이드록시디페닐프로판, 2,2',3,4,4',5-헥사하이드록시디페닐프로판, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시아세토페논, 2,3,4-트리하이드록시페닐헥실케톤, 2,4,4'-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시-2'-메틸벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 비스페놀-A, 4,4`-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]-에틸리덴]비스페놀, 4,4`,4``-트리히드록시페닐메탄, 4,4`,4``-에틸리덴트리스(2-메틸페놀), 비스(4-히드록시페닐)메틸페닐메탄, 1,1,4-트리스(4-히드록시페닐)시클로헥산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 상기 조성물은 첨가제로 계면활성제, 접착보조제, 안정제로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 네거티브형 감광성 수지 조성물을 포함하는 유기 절연막 및 상기 네거티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 패턴을 포함하는 기판을 제공한다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 기판은 반도체 소자, LCD용 소자, OLED용 소자, 태양전지용 소자, 플렉시블 디스플레이용 소자, 터치스크린 제조용 소자 또는 나노임프린트 리소그래피용 소자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 저온 경화형 네거티브 감광성 수지 조성물은 자외선 경화 시 95% 이상의 경화도를 확보하여, 후속 공정의 저온 및 짧은 경화 시간 공정에서도 충분한 경화도를 확보할 수 있으므로 우수한 패턴을 형성할 수 있고 내화학성 및 접착력(신뢰성)이 우수한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 자외선 경화형 네거티브 감광성 수지 조성물에 의한 홀 패턴의 SEM 사진이다.
도 2는 실시예 에 따른 수지 조성물에 의한 경사각 SEM 사진이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다. 다만, 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 이는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시 예에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
상술한 바와 같이, 종래에는 최근 디스플레이 및 반도체 소자 제조 공정상 필요에 의해 저온에서의 공정에서 충분한 경화도를 구현 및 형성되는 패턴의 내화학성, 신뢰성(접착력) 및 경사각(Taper Angle)의 조절 구현이 어려운 문제가 있었다.
이에 본 발명에서는 자외선 경화 공정에서 충분한 라디칼 경화도를 확보하여 후속 공정의 저온 경화 조건에서도 완벽한 경화도를 확보할 수 있도록 하여 전술한 문제점의 해결을 모색하였다.
즉, 본 발명에 따른 저온 경화형 네거티브 감광성 수지 조성물은 자체적으로 알칼리 가용성을 지니고 있으며 자외선 경화 시 95% 이상의 경화도를 구현할 수 있는 조성물로서 자체적으로 내화학성을 가질 수 있는 플루오렌 주쇄, 이중결합과 카르복실산을 포함하는 플루오렌계 폴리에스터 수지를 포함한다.
본 발명에 따른 저온 경화형 네거티브 감광성 조성물은, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위로 포함하는 고분자 수지 및 적어도 2가 이상의 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체;를 포함할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 감광성 조성물에 대해서 보다 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 본 발명에 따르면, 상기 고분자 수지는, 플우로렌 주쇄, 이중결합과 카르복실산을 포함하는 플루오렌계 폴리에스터 수지일 수 있다.
구체적으로, 이러한 감광성 고분자 수지는, 하기 화학식 1로 표현되는 플루오렌계 폴리에스터 수지이며, 경화 패턴의 내화학성을 향상시킬 수 있는 화학적인 구조로서 플루오렌 주쇄를 가지고 있다. 특히, 자외선 조사 시 조성물의 높은 경화도를 구현하기 위하여 수지 자체에 라디칼 반응 속도를 조절할 수 있는 불포화 결합을 가지고 있고, 네가티브 감광성 조성물에 사용될 수 있도록 알칼리가용성 작용기인 카르복실산기를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00005
상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 1내지 20인 알킬기, 알킬사이클릭, 알킬 헤테로사이클릭, 알킬 헤테로 바이사이클릭, 알릴사이클릭이며 구조내에 할로겐, 실리콘을 포함할 수 있다.
R2는 아크릴 또는 알릴기이다.
R3는 부재 또는 O, N, F 또는 S인 헤테로 원소이다.
Z는 산 2가의 무수물 잔기이고 Y는 산 무수물의 잔기이다.
m,n은 구조단위의 몰비를 나타내고 n/m은 0/100 ~ 100/0의 비율이다.
여기서, 본 발명에 따르면, 상기 고분자 수지의 산가 범위는 50 내지 150이고, 바람직하게는 60 내지 130이다. 이 때, 상기 수지가 상기 산가 범위 미만에서는 현상이 잘 되지 않고, 상기 산가 범위 초과에서는 용해가 지나치게 잘되어 패턴현상이 어려울 수 있으므로 상기의 범위가 적합하다.
또, 본 발명에 따르면, 상기 고분자 수지의 평균 분자량은 2,000 내지 50,000인 것이 바람직하다. 이 때, 상기 평균 분자량이 2,000 미만인 경우에는 현상속도가 빨라 패턴형성이 불가능하며 원하는 잔막율을 얻지 못하는 단점이 있고, 평균 분자량이 50,000을 초과하는 경우에는 현상액에 의한 현상이 불가능할 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 고분자 수지의 분산도는 1.0 내지 5.0인 것이 바람직하다. 평균 분산도가 5.0을 초과하는 경우에는 해상도가 떨어지는 문제점이 발생될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 고분자 수지는 전체 조성물 100 중량부에 대해서, 5 내지 45중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 수지의 함량이 상기 범위 미만에서는 박막 형성에 어려움이 있을 수 있고, 상기 범위 초과에서는 패턴 형성 공정에 필요한 점도 범위를 벗어날 수 있으므로 상기의 범위가 적합하다.
다음으로, 상기 다관능성 단량체는 2가의 에틸렌성 불포화 결합 단량체 및 3가 이상의 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체일 수 있다. 이때, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 화합물은 일반적으로 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중 결합을 가지는 가교성 단위체이다.
[화학식 2]
Figure pat00006
상기 화학식 2는 2가의 에킬렌성 불포화 결합 단량체로서, R4는 수소원자 또는 탄소원자수 1내지 10알킬기이고, R5는 메틸기 또는 카르보닐기이고, R6는 탄소원자수 1내지 50 알킬렌기 또는 에테르기이며, X는 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬렌기 또는 알킬렌옥사이드기이고, n은 적어도 2인 정수이다.
또한, 상기 화학식 2 이외에 3가 이상의 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체를 포함할 수 있다.
이러한 2가 이상의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 다관능성 화합물은 예를 들어, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 부틸렌글리콜디메타크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리아크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리메타크릴레이트, 테트라메틸롤프로판테트라아크릴레이트, 테트라메틸롤프로판테트라메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트 등일 수 있으며 1종 이상이 선택될 수 있다.
여기서, 본 발명에 따르면, 상기 다관능성 화합물은, 전체 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 화합물을 5 내지 50중량부로 포함할 수 있고, 바람직하게는 10 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 이 때, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 다관능성 화합물의 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 감광성 수지와의 낮은 경화도로 인하여 패턴 구현이 어렵다는 문제점이 있으며, 40 중량부를 초과할 경우에는 형성된 패턴의 경도 및 해상도 저하의 문제점이 발생할 수 있으므로 상기의 범위가 적합하다.
또한, 본 발에 따르면, 경우에 따라서 복수의 광개시제, 수산기를 포함하는 수지 또는 단량체, 에폭시 함유 화합물, 열경화보조제 및 복수의 광산발생제를 추가로 포함할 수 있다.
여기서, 상기 광개시제는 가시광선, 자외선, 원자외선 등에 의해 상기 가교성 단위체의 중합을 개시하는 작용을 한다. 상기 광중합 개시제로는, 예를 들어, 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-tert-부틸아세토페논 등의 아세토페논류나, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, p,p'-비스디메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류나, 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인에테르류나, 벤질디메틸케탈, 티오크산텐, 2-클로로티오크산텐, 2,4-디에틸티오크산텐, 2-메틸티오크산텐, 2-이소프로필티오크산텐 등의 설퍼화합물이나, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논 등의 안트라퀴논류나, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 쿠멘퍼옥사이드 등의 유기과산화물이나, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸 등의 티올(thiol) 화합물이나, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)-이미다졸릴 이량체 등의 이미다졸릴 화합물이나, p-메톡시트리아진 등의 트리아진 화합물이나, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트라아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페놀)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로메틸기를 가지는 트리아진 화합물, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1온 등의 아미노케톤 화합물인 것이며 키토옥심에스터 및 알파키토옥심에스터 화합물을 사용할 수 있다.
여기서, 본 발명의 상기 광개시제는, 전체 조성물 100 중량부에 대해서, 0.1 내지 10중량부로 포함할 수 있고, 바람직하게는 0.5 내지 7 중량부로 포함될 수 있다. 이 때, 상기 광중합 개시제의 함량이 0.5 중량부 미만에서는 경화가 충분히 일어날 수 없고, 7 중량부를 초과하는 경우에는 경화 후 용해도로 인한 석출이 발생할 수 있으므로 상기의 범위가 적합하다.
본 발명에 따른 상기 수산기를 포함하는 수지 또는 단량체는 조성물의 현상성을 조절하는 작용을 한다. 본 발명에 따르면, 상기 수산기를 포함하는 수지로는, 예를 들어 o-치환 노볼락수지, m-치환 노볼락수지, p-치환 노볼락수지 또는 특정 비율로 m-치환/p-치환된 노볼락수지, 히드록시스티렌 수지를 사용할 수 있다. 수산기를 포함하는 단량체로는 2,2',3,4,4'-펜타하이드록시벤조페논, 2,2',3,4,4',5-헥사하이드록시벤조페논, 2,2',3,4,4'-펜타하이드록시디페닐프로판, 2,2',3,4,4',5-헥사하이드록시디페닐프로판, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시아세토페논, 2,3,4-트리하이드록시페닐헥실케톤, 2,4,4'-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시-2'-메틸벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 비스페놀-A, 4,4`-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]-에틸리덴]비스페놀, 4,4`,4``-트리히드록시페닐메탄, 4,4`,4``-에틸리덴트리스(2-메틸페놀), 비스(4-히드록시페닐)메틸페닐메탄, 1,1,4-트리스(4-히드록시페닐)시클로헥산 등의 발라스트가 사용될 수 있다.
여기서, 상기 수산기를 포함하는 수지 또는 단량체는 전체 조성물 100 중량부에 대해서, 1 내지 40 중량부 사용될 수 있다.
상기 에폭시 함유 화합물로서 단량체 및 올리고머는 후속 열경화 공정 시 경화도를 증가시키는 작용을 할 수 있다. 본 발명에 따르면, 상기 에폭시 함유 단량체 및 올리고머는, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 단량체 및 올리고머, 비스페놀 F형 에폭시 단량체 및 올리고머, 페놀노볼락형 에폭시 올리고머, 크레졸 노볼락형 에폭시올리고머 등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 상기 열경화보조제는, 예를 들어, 트리글리시딜 이소시아누레이트, 트리스-(2-카르복시에틸)이소시아누레이트, 디시안아미드등의 이소시아누레이트계 또는 멜라린계 유도체가 사용될 수 있다.
상기 광산발생제는 활성광선 또는 방사선을 조사하여 산을 발생시키는 화합물로서, 예를 들어 디아조늄염계, 포스포늄염계, 술포늄염계, 요오드늄염계, 이미드술포네이트계, 옥심술포네이트계, 디아조디술폰계, 디술폰계, 오르소-니트로벤질술토네이트계 및 트리아진계 화합물 중 어느 하나를 단독으로 사용하거나 이중 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 광산발생제는 막 형성에 악영향을 주지 않는다면 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들어, 250nm 내지 400nm의 파장에서 적당한 광흡수도와 400nm 이상 가시광선 영역에서 유기절연막 재료의 투명도를 유지할 수 있는 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 바람직하게는 하기 화학식 3 또는 4로 표현되는 광산발생제들을 사용할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00007
[화학식 4]
Figure pat00008
여기서, 상기 광산발생제는, 고분자 수지 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 10 중량부로 포함할 있고, 바람직하게는 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 이때, 광산발생제의 함량이 0.1 중량부 미만이면 산발생이 어려우며 10 중량부를 초과할 경우 조성물에서의 용해성 저하로 석출의 우려가 있으므로 상기의 범위가 적합하다.
또한, 본 발명은 첨가제로 계면활성제, 접착보조제, 안정제 등을 추가로 포함할 수 있다.
이러한 첨가제 중 대표적으로 포함되는 접착력 증진제는 기판과의 접착력을 향상시키는 작용을 갖는 성분으로, 예를 들면, 카르복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 관능기를 갖는 실란 커플링제가 바람직하다. 구체적으로는 트리메톡시실릴젠조산, γ-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 중 선택된 1종 또는 그 이상을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 접착력 증진제는, 상기 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.01 내지 10 중량부로 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 기판에 대한 코팅성과 도포성, 균일성 및 얼룩 제거를 향상시키는 작용을 갖는 성분으로, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 비이온계 계면활성제로 이루어진 것 중 선택된 1종 또는 그 이상을 혼용하여 사용할 수 있다. 이 때, 본 발명에 따르면, 상기 계면활성제는, 상기 고분자 수지 100 중량부를 기준으로 0.01 내지 10 중량부로 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조되는 유기절연막을 제공하는 바, 상기 유기절연막을 형성하기 위한 도포 방법은 특별히 제한되는 것은 아니며 당 기술분야에 공지된 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 스핀코팅(Spin coating), 딥코팅(dip coating), 롤코팅(roll coating), 스크린코팅(screen coating), 분무코팅(spray coating), 흐름코팅(flow coating), 스크린프린팅(screen pringing), 잉크젯(ink jet), 드롭캐스팅(drop casting) 등의 코팅법을 이용할 수 있다.
여기서, 상기 유기절연막에 도포된 막 두께는 도포 방법, 조성물의 고형분 농도, 점도 등에 따라 달라지지만, 통상적으로, 건조 후 막 두께가 0.5㎛ 내지 100㎛이 되도록 도포할 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
이후에 선굽기 단계에서 진공, 적외선 또는 열을 가하여 용매를 휘발시킨 다음, 선택적 노광 공정은 엑시머 레이저, 원자외선, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 또는 g-선(파장 436nm), i-선(파장 365nm), h-선(파장 405nm) 또는 이들의 혼합 광선을 사용하여 조사한다. 이 때, 노광은 접촉식, 근접식, 투영식 등의 노광법을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 조성물은 알칼리 수용액을 현상액으로 사용할 수 있는데, 이는 유기용매보다 환경친화적이고 경제적이다. 상기 알칼리 현상액의 예로서는, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 등의 수산화 4급 암모늄의 수용액 또는 암모니아, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민 등의 아민계 수용액을 들 수 있으며, 바람직하게는 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액이 사용될 수 있다.
본 발명을 다음의 구체적인 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 여기서, 하기 표 1의 함량 단위로 표시되는 '부'는 중량부를 의미한다.
[합성예]
<합성예 1>
하기의 화학식 5로 표시되는 바인더 수지를 하기와 같은 방법으로 제조하였다.
먼저, 교반기, 온도계, 질소치환장치 및 환류 냉각기를 구비한 플라스크 내에 용매 프로필렌글라이콜 모노에틸아세테이트 160g을 넣고, 9,9-Bis (4-glycidyloxyphenyl) fluorine 100g, 염화백금산 0.1g을 넣고 90℃로 온도를 높였다. 이 용액에 10-undecenoic acid 79,7g을 넣은 후 반응 용액을 110℃까지 승온 한 후 16시간 반응시켰다.
상기 반응액의 온도를 80℃까지 냉각한 후 [5,5'-biisobenzofuran]-1,1',3,3'-tetraone 31.8g을 넣은 후 반응액의 온도를 105℃까지 승온 하였다. 이 후 4시간 반응 후 3a,4,7,7a-tetrahydroisobenzofuran-1,3-dione 16.5g을 투입하여 4시간 추가 반응하였다.
<화학식 5>
Figure pat00009
상기 고분자 수지의 평균 분자량은 3,000 내지 5,000이었다.
<합성예 2>
상기 합성예 1에서 [5,5'-biisobenzofuran]-1,1',3,3'-tetraone을 45g, 3a,4,7,7a-tetrahydroisobenzofuran-1,3-dione 8.25g을 투입한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법을 사용하여 평균 분자량이 5,000 내지 7,000인 고분자 수지를 수득하였다.
[실시예]
<실시예 1~8>
상기 합성예 1 내지 2에 의해 제조된 고분자 수지와 함께 하기 표 1에 따른 함량을 갖는 2가의 에틸렌성 불포화 결합 단량체 및 3가 이상의 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체, 광개시제, 수산기를 포함하는 수지 또는 단량체, 에폭시 함유 단량체 및 올리고머, 열경화 보조제, 광산발생제를 사용하고 유기용매는 PGMEA, 기타 첨가제로서 계면활성제는 BYK333, 접착조제는 KBM303으로 고정하여 조성하였다.
구분 폴리 머수지 에틸렌성 불포화
결합 화합물 		광중합
개시제 		수산기 포함
화합물 		에폭시함유 화합물 열경화보조제 광산
발생제
1 성분 합성예 1 Dodecandimethacrylate(Bimax사) Igarcure TPO
(BASF사)		 Novolak resin(NTR4020G, Ashahi organic chemical 사) YDF175
(국도화학)		 MW30M(SANWA chemical) 화학식3
함량 40부 15부 7부 10부 5부 5부 1부
2 성분 합성예 1 Dodecandimethacrylate(Bimax사) Igarcure TPO
(BASF사)		 Novolak resin(NTR4020G, Ashahi organic chemical 사) YDF175
(국도화학)		 MW30M(SANWA chemical) 화학식3
함량 10부 5부 3부 40부 5부 15부 3부
3 성분 합성예 1 M500(미원스페셜티케미칼) Igarcure TPO
(BASF사)		 Novolak resin(NTR4020G, Ashahi organic chemical 사) YDF175
(국도화학)		 MW30M(SANWA chemical) 화학식3
함량 40부 15부 7부 10부 5부 5부 1부
4 성분 합성예 1 M500(미원스페셜티케미칼) Igarcure TPO
(BASF사)		 Novolak resin(NTR4020G, Ashahi organic chemical 사) YDF175
(국도화학)		 MW30M(SANWA chemical) 화학식3
함량 10부 5부 3부 40부 5부 15부 3부
5 성분 합성예 2 Dodecandimethacrylate(Bimax사) Igarcure TPO
(BASF사)		 Novolak resin(NTR4020G, Ashahi organic chemical 사) YDF175
(국도화학)		 MW30M(SANWA chemical) 화학식3
함량 40부 15부 7부 10부 5부 5부 1부
6 성분 합성예 2 Dodecandimethacrylate(Bimax사) Igarcure TPO
(BASF사)		 Novolak resin(NTR4020G, Ashahi organic chemical 사) YDF175
(국도화학)		 MW30M(SANWA chemical) 화학식3
함량 10부 5부 3부 40부 5부 15부 3부
7 성분 합성예 2 M500(미원스페셜티케미칼) Igarcure TPO
(BASF사)		 Novolak resin(NTR4020G, Ashahi organic chemical 사) YDF175
(국도화학)		 MW30M(SANWA chemical) 화학식3
함량 40부 15부 7부 10부 5부 5부 1부
8 성분 합성예 2 M500(미원스페셜티케미칼) Igarcure TPO
(BASF사)		 Novolak resin(NTR4020G, Ashahi organic chemical 사) YDF175
(국도화학)		 MW30M(SANWA chemical) 화학식3
함량 10부 5부 3부 40부 5부 15부 3부
[비교예]
분자량 10,000, 산가 120의 아크릴 수지 35g, 에틸렌성 불포화 결합 화합물(DPHA) 화합물 17g, 광개시제 TPO 5g을 유기용매 PGMEA에 대하여 35중량부가 되도록 용해시키고, 상기 용액에 계면활성제(BYK333) 0.03g, 접착조제(KBM303) 0.02g을 첨가하여 혼합하였다.
[실험예]
상기 실시예 1 내지 실시예 8 및 비교예로 조성된 수지 조성물을 상온에서 1시간 동안 교반시킨 후 0.2㎛ 필터로 여과시켜 네가티브 조성물을 만들고, 이를 통하여 형성된 유기절연막의 물성을 평가하여 하기 표 2에 나타내었다.
실험 과정을 설명하면, 상기 감광성 조성물 각각을 스핀코터에 800~900rpm으로 15초 동안 도포한 후 핫플레이트에서 80℃에서 100초 동안 건조하였다. 소정의 마스크를 이용해, 광원으로서 초고압수은램프를 이용해서 노광한 후 90℃에서 10분간 베이크를 수행하였다. TMAH 2.38% 현상액에 25℃에서 90초간 스핀 현상한 후 수세하였다. 이 후, 90℃에서 30분간 베이크해서 하기 도 1에 나타난 바와 같은 패턴을 얻었다. 이러한 패턴에 대해서 하기와 같은 평가를 진행하였다.
(1) 경화도
상기 평가에서 얻어진 막을 FT-IR을 측정하여 경화 전/후의 이중결합 피크 면적을 산출하여 경화도를 측정하였다.
(2) 밀착성
JIS D 0202의 시험방법에 따라, 도막에 격자모양으로 크로스컷을 넣고, 이어서 셀로판테이크에 의해 필링테스트를 행하고, 격자모양의 박리 상태를 관찰하여 평가하였다. 전혀 박리가 없을 경우 Ｏ, 박리가 인정된 것을 Х 로 하였다.
(3) 테이퍼각(taper angle)
상기 평가에서 현상 후 20미크론 마스크 패턴과 동일 치수의 감도가 형성된 패턴 기판을 전자현미경을 통하여 패턴의 테이퍼각을 측정하였다.
(4) 내화학성
식각액 BOE (NH4F 15% + HF 0.9%)에 25℃에서 3분 침지 시킨 후 패턴 유실이 없을 경우 Ｏ, 패턴 들뜸이나 유실이 있을 경우 Х 로 표시하였다.
실시예 경화도(%) 밀착성 테이퍼각(도) 내화학성
1 98 Ｏ 66 Ｏ
2 99 Ｏ 105 Ｏ
3 95 Х 55 Х
4 96 Х 75 Х
5 98 Ｏ 70 Ｏ
6 99 Ｏ 98 Ｏ
7 95 Х 57 Х
8 96 Х 72 Х
비교예 92 Х 45 Х
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 비교예와 비교하여 동일한 조건에서, 실시예 1 내지 8의 경우에 자외선 경화 시 95% 이상의 경화도를 확보하여 후속 공정의 저온 및 짧은 경화 시간 공정에서도 충분한 경화도를 확보할 수 있으므로, 도 2에 나타난 바와 같이, 조성물을 달리하여 조절이 가능한 테이퍼각을 갖는 우수한 패턴을 형성할 수 있고 내화학성 및 접착력(신뢰성)이 우수한 자외선 경화형 네거티브 감광성 수지 조성물의 확보가 가능한 것을 확인할 수 있었다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예 및 실험예를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위로 포함하는 고분자 수지; 및
    적어도 2가의 불포화 결합을 갖는 다관능성 단량체;를 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물,
    <화학식 1>
    Figure pat00010


    상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 1 내지 20인 알킬기, 알킬사이클릭, 알킬 헤테로사이클릭, 알킬 헤테로 바이사이클릭 또는 알릴사이클릭이며, 구조 내에 할로겐 또는 실리콘을 포함할 수 있다.
    R2는 아크릴 또는 알릴기이다.
    R3는 부재 또는 O, N, F 또는 S인 헤테로 원소이다.
    Z는 적어도 산 2가의 무수물 잔기이고 Y는 산 무수물 잔기이다.
    n/m은 0/100 ~ 100/0의 비율이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다관능성 단량체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물,
    <화학식 2>
    Figure pat00011

    R4는 수소원자 또는 탄소원자수 1 내지 10알킬기이고, R5는 메틸기 또는 카르보닐기이고, R6는 탄소원자수 1 내지 50 알킬렌기 또는 에테르기이며, X는 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬렌기 또는 알킬렌옥사이드기이고, n 은 적어도 2인 정수이다.
  3. 제 1 항에 있어서,
    전체 조성물 100 중량부에 대해서, 상기 고분자 수지는 5 내지 45 중량부 및 상기 다관능성 단량체는 5 내지 50 중량부로 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 수지는 평균 분자량(Mw)이 2,000 내지 50,000 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 수지는 1.0 내지 5.0 범위의 분산도(polydispersity index, PDI)를 갖는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 광개시제;
    수산기를 포함하는 수지 또는 단량체;
    에폭시 함유 화합물;
    열경화보조제; 및
    적어도 하나의 광산발생제;를 포함하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 광산발생제는 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물,
    <화학식 3>
    Figure pat00012

    <화학식 4>
    Figure pat00013
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 광개시제는, 전체 조성물 100 중량부에 대해, 0.1 내지 10 중량부 및 상기 수산기를 포함하는 수지 또는 단량체는 1 내지 40 중량부, 광산발생제는 0.1 내지 10 중량부로 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 광개시제는 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-tert-부틸아세토페논 등의 아세토페논류나, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, p,p'-비스디메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류나, 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤질디메틸케탈, 티오크산텐, 2-클로로티오크산텐, 2,4-디에틸티오크산텐, 2-메틸티오크산텐, 2-이소프로필티오크산텐 등의 설퍼화합물이나, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논 등의 안트라퀴논류나, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 쿠멘퍼옥사이드, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)-이미다졸릴 이량체, p-메톡시트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트라아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페놀)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1온, 키토옥심에스터 및 알파키토옥심에스터 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 수산기를 포함하는 수지는 o-치환 노볼락수지, m-치환 노볼락수지, p-치환 노볼락수지 또는 소정 비율로 m-치환/p-치환된 노볼락수지, 히드록시스티렌 수지를 포함하고,
    상기 수산기를 포함하는 단량체는 2,2',3,4,4'-펜타하이드록시벤조페논, 2,2',3,4,4',5-헥사하이드록시벤조페논, 2,2',3,4,4'-펜타하이드록시디페닐프로판, 2,2',3,4,4',5-헥사하이드록시디페닐프로판, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시아세토페논, 2,3,4-트리하이드록시페닐헥실케톤, 2,4,4'-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시-2'-메틸벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 비스페놀-A, 4,4`-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]-에틸리덴]비스페놀, 4,4`,4``-트리히드록시페닐메탄, 4,4`,4``-에틸리덴트리스(2-메틸페놀), 비스(4-히드록시페닐)메틸페닐메탄, 1,1,4-트리스(4-히드록시페닐)시클로헥산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물은 첨가제로 계면활성제, 접착보조제, 안정제로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 수지 조성물.
  12. 제 1 항에 따른 네거티브형 감광성 수지 조성물을 포함하는 유기 절연막.
  13. 제 1 항에 따른 네거티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성되는 패턴을 포함하는 기판.
  14. 제 13 항에 따른 기판은 반도체 소자, LCD용 소자, OLED용 소자, 태양전지용 소자, 플렉시블 디스플레이용 소자, 터치스크린 제조용 소자 또는 나노임프린트 리소그래피용 소자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 기판.
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JP2011191749A (ja) 2010-02-16 2011-09-29 Asahi Kasei E-Materials Corp ネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、並びに半導体装置
WO2014005058A1 (en) 2012-06-28 2014-01-03 Aubrey Group, Inc. Novel auto-aspirating syringe

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