KR20200019751A - 진공화 장치 및 진공화 방법 - Google Patents

진공화 장치 및 진공화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200019751A
KR20200019751A KR1020207002984A KR20207002984A KR20200019751A KR 20200019751 A KR20200019751 A KR 20200019751A KR 1020207002984 A KR1020207002984 A KR 1020207002984A KR 20207002984 A KR20207002984 A KR 20207002984A KR 20200019751 A KR20200019751 A KR 20200019751A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum
evacuation
vacuuming
vacuum chamber
grooves
Prior art date
Application number
KR1020207002984A
Other languages
English (en)
Inventor
유안근 유
지준 후오
빈 자오
후이 푸
싱싱 왕
Original Assignee
상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 filed Critical 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20200019751A publication Critical patent/KR20200019751A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판의 본딩을 위한 진공 환경을 제공하기 위한 진공화 장치 및 진공화 방법이 제공된다. 상기 진공화 장치는 진공 챔버(14), 본딩 고정구(13) 및 진공화 시스템을 포함한다. 상기 본딩 고정구(13)는 상기 진공 챔버(14) 내에 배치되며, 흡입에 의해 상기 기판을 유지하기 위해 복수의 홈(7)이 제공된 기판 테이블(6)을 포함한다. 상기 진공화 시스템은 상기 진공 챔버(14) 및 상기 홈(7) 모두와 연 통하여 배치된다. 상기 진공화 시스템에 의해 진공화하는 동안, 상기 홈(7)의 진공 값은 상기 진공 챔버(14)의 진공값보다 작거나 같다. 상기 장치 및 방법에서, 상기 진공화 시스템은, 상기 홈(7)의 진공값이 항상 상기 진공 챔버 (14)의 진공값 보다 작거나 같도록, 상기 기판 테이블(6)의 상기 홈(7) 및 상기 진공 챔버(14)를 진공화하는데 사용된다. 결과적으로, 상기 기판은 뒤틀림없이 상기 기판 테이블(6) 상에 견고하게 유지되어 기판 본딩의 품질을 향상시킨다.

Description

진공화 장치 및 진공화 방법
본 발명은 반도체 기술, 특히 진공화 장치 및 진공화 방법에 관한 것이다.
현재의 반도체 공정은 종종 2 개의 웨이퍼, 2 개의 유리판, 또는 1 개의 웨이퍼 및 1 개의 유리판과 같이 2 개의 동일하거나 상이한 물질을 결합하기 위한 소위 본딩 기술을 수반하며, 설명의 편의상 이를 총칭하여 이하에서 기판으로 지칭한다. 기판 본딩은 3 차원 반도체 장치의 제조에서 전단 및 후단 공정 모두에 중요하다.
현재의 기판 본딩 공정은 본질적으로 서로 본딩될 2 개의 기판의 표면을 처리하고, 기판을 서로 정렬시키고 최종적으로 기판을 함께 본딩하는 단계를 포함한다. 최종 본딩 단계는 본질적으로, 챔버 내에 정렬된 2 개의 기판이 상부에 로딩된 고정구를 배치하는 단계; 챔버를 닫고 배출기를 활성화시켜 챔버로부터 공기를 제거하는 단계; 고정구 상에 로딩된 2 개의 기판을 가열, 가압 및 냉각하기 위한 공정 파라미터를 설정하는 단계; 기판을 예상대로 처리한 후 챔버 내의 진공을 깨는 단계; 및 챔버를 개방하고 본딩된 기판을 갖는 고정구를 챔버로부터 꺼내는 단계를 포함한다.
도 1에 도시 된 바와 같이, 본딩 전에, 서로 정렬된 상부 및 하부 기판(1, 2)이 본딩 고정구(0) 상에 로딩될 수 있고, 상부 및 하부 기판(1, 2)은 스페이서(3)에 의해 서로 분리되고 클램핑 블록(4)에 의해 서로에 대해 고정되고, 클램핑 블록(4)은 고정구의 프레임(5) 상에 배열되고, 챔버(9)는 서로 정렬된 기판을 가진 본딩 고정구(0)를 수용하도록 구성되고, 챔버(9)는 배기관(8)을 구비할 수 있다. 실제로, 상부 기판(2)은 상부 기판(2)의 자체 중력으로 인한 하향 휨을 버틸 정도로 충분한 두께와 강성을 가질 수 있으며, 이는 하부 기판(1)과의 조기 접촉을 야기할 수 있다. 하부 기판(1)은 기판 테이블(6) 상에 배치될 수 있고, 접착층을 하부 기판(1)의 상면 상에 수동으로 적용할 수 있으며, 상기 접착층은 배기 후에 고정구를 가열하여 적절한 본딩 상태로 가열되고 그리고 나서 가압 공정에 의해 상호 접촉되는 2 개의 기판을 본딩한다. 그러나, 실제로, 고정구의 진공 채널(7)에서 불충분한 공기 유량으로 인해 하부 기판(1)의 상면과 하면 사이에 압력 차가 발생하여 하부 기판(1)에 상향력(F)을 발생시킬 수 있다. 이러한 힘의 작용으로, 도 2에 도시 된 바와 같이, 하부 기판(1)은 상측으로 휘어지게 되어 그 위에 코팅 된 접착제가 상부 기판(2)과 접촉하게 된다. 그러나, 2 개의 기판이 스페이서에 의해 서로 분리되고, 하부 기판(1)에 적용된 접착제는 얇기 때문에, 두 기판 사이의 갭은 결국 휨으로 인한 기판의 수직 변위를 수용할 수 있다. 결과적으로, 진공화 과정 시 2 개의 기판이 서로 접촉하지 않게 될 것이다.
그럼에도 불구하고, 반도체 시장이 계속 성장함에 따라, 효율이 떨어지는 종래의 수동 접착제 적용 방법은 점차 현대의 기계 기반 방법으로 대체되고 있다. 그러나, 이러한 현대적인 방법에 의해 생성된 접착층은 종래의 접근법에서 보다 약 4배 내지 5 배 더 두꺼워서, 본딩을 위한 고정구 상에 로딩된 2 개의 기판 사이의 간격이 현저히 감소되어, 진공화 과정 시 원치 않게 기판이 쉽게 조기 본딩된다. 진공화 과정 시. 이러한 조기 본딩의 결과, 본딩된 기판 사이에 기포가 존재하여 수율이 크게 감소될 수 있다. 본딩될 기판의 조기 본딩을 방지하기 위해 현재 채택된 관행은 두 기판을 더 두꺼운 스페이서로 분리함으로써 두 기판 사이에 충분한 갭을 생성하여 하부 기판이 휘어지더라도 하부 기판에 적용된 접착제가 상부 기판에 접촉하지 않도록 하는 것이다. 이 접근법은 하부 기판의 휨으로 인한 조기 본딩 문제를 해결할 수 있지만, 기판 사이에 더 두꺼운 스페이서를 삽입함으로써 서로 더 멀리 떨어지게 된 기판의 정렬 정확도가 훼손될 수 있다. 더욱이, 기판 간 거리가 확장되면, 기판이 본딩되도록 스페이서를 인출할 때 한 기판이 나머지 다른 기판에 대한 오프셋을 가지게 될 수 있다. 또한, 이러한 오프셋은 진공화가 완료된 후 휘어진 하부 기판이 원래의 평평한 형상을 복원하는 동안에도 발생할 수 있으며, 이는 불량률을 증가시킨다.
따라서, 기판을 본딩하는 공정에서 진공화하는 동안 기판이 조기 본딩 되지 않는 진공화 장치 및 방법이 필요하다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 목적은 기판의 휨을 유발하지 않으면서 기판 본딩시 진공화를 가능케하는 진공화 장치 및 진공화 방법을 제공하는 것이다.
이를 위해, 상기 제공된 진공화 장치는 기판 본딩을 위한 진공 환경을 제공하고, 진공 챔버, 본딩 고정구 및 진공화 시스템을 포함한다.
상기 본딩 고정구는 상기 진공 챔버 내에 배치되고, 상기 본딩 고정구는 복수의 홈이 제공된 기판 테이블을 포함하며, 상기 복수의 홈은 상기 기판 테이블상의 흡입에 의해 상기 기판이 유지되도록 진공화 될 수 있다.
상기 진공화 시스템은 상기 진공 챔버와 상기 복수의 홈 모두를 진공화하도록 구성되어, 상기 진공 시스템에 의해 진공화하는 동안 상기 기판이 휘지 않도록 구성된다.
선택적으로, 상기 진공화 시스템에 의한 진공화 동안, 상기 복수의 홈에서의 진공값은 상기 진공 챔버에서의 진공값 이하가 되도록 구성된다.
선택적으로, 상기 진공화 시스템은 상기 진공 챔버를 진공화하기 위한 제 1 진공화 회로 및 상기 복수의 홈을 진공화하기 위한 제 2 진공화 회로를 포함하고, 상기 제 1 진공화 회로는 상기 진공 챔버와 연통하고, 상기 제 2 진공 회로는 상기 복수의 홈과 연통될 수 있다.
선택적으로, 상기 제 1 진공화 회로는 제 1 압력 센서, 1 차 진공관 및 2 차 진공관을 포함하고, 상기 1 차 진공관은 상기 2 차 진공관에 병렬로 연결되며, 상기 제 1 압력 센서는 제 1 진공화 회로 및/또는 제 2 진공화 회로를 모니터링 하도록 구성되고, 상기 제 1 차 진공관은 상기 진공 챔버의 가스 흐름 배출을 하도록 구성되고, 상기 2 차 진공관은 상기 진공 챔버의 분자 흐름 배출을 하도록 구성될 수 있다.
선택적으로, 상기 1 차 진공관에는 제 1 진공 펌프가 제공되며, 상기 1 차 진공관은 상기 진공 챔버와 연통하는 제 1 단 및 상기 제 1 진공 펌프와 연통하는 제 2 단을 가질 수 있다.
선택적으로, 상기 2 차 진공관에는 제 2 진공 펌프가 제공되며, 상기 2 차 진공관은 상기 제 1 진공 펌프와 직렬로 또는 병렬로 배치될 수 있다.
선택적으로, 상기 제 1 진공화 회로는 상기 1 차 진공관 및/또는 상기 2 차 진공관의 개폐를 제어하기 위한 제 1 밸브를 더 포함할 수 있다.
선택적으로, 상기 제 1 진공 펌프는 건식 펌프일 수 있다.
선택적으로, 상기 제 2 진공 펌프는 분자 펌프일 수 있다.
선택적으로, 상기 제 2 진공화 회로는 제 3 진공 펌프 및 제 2 압력 센서를 포함하고, 상기 제 2 압력 센서는 상기 제 2 진공화 회로를 모니터링 하도록 구성될 수 있다.
선택적으로, 상기 제 2 진공화 회로는 상기 제 2 진공화 회로의 개폐를 제어하기 위한 제 2 밸브를 더 포함할 수 있다.
선택적으로, 상기 제 3 진공 펌프는 건식 펌프일 수 있다.
선택적으로, 상기 제 2 진공화 회로는 제 3 진공 펌프 및 제 2 압력 센서를 포함하고, 상기 제 2 압력 센서는 상기 제 2 진공화 회로를 모니터링 하도록 구성되고, 상기 제 1 진공화 회로는 상기 제 2 진공화 회로에 연결되어 상기 제 2 진공화 회로의 동작 효율을 보상할 수 있다.
선택적으로, 상기 제 3 진공 펌프는 에어 펌프일 수 있다.
선택적으로, 상기 제 2 진공화 회로는 상기 제 1 진공화 회로와 상기 제 2 진공화 회로 사이의 연결 또는 분리를 제어하기 위한 제 3 밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 또한 위한 진공 환경을 제공하기 위한 진공화 장치에서 사용되는 진공화 방법을 제공한다. 상기 진공화 장치는 본딩 고정구, 진공 챔버 및 진공화 시스템을 포함한다. 상기 본딩 고정구는 표면 상에 복수의 홈을 구비한다. 상기 진공화 방법은,
S1) 상기 기판이 로딩된 상기 본딩 고정구를 상기 진공 챔버 내에 배치하는 단계; 및
S2) 상기 진공화 시스템에 의해 상기 진공 챔버 및 상기 복수의 홈을 진공화하여 상기 복수의 홈에서의 진공 값이 상기 진공 챔버에서의 진공 값 이하가 되도록 하는 단계를 포함한다.
선택적으로, 상기 단계 S2)는,
S21) 상기 복수의 홈을 진공화하기 위해 상기 진공화 시스템을 활성화시키고, 상기 복수의 홈의 진공 값이 제 1 사전 설정값에 도달하면, 상기 진공화 시스템에 의해 상기 복수의 홈의 진공화를 정지 또는 유지하는 단계; 및
S22) 상기 진공 챔버를 진공화하기 위해 상기 진공 시스템을 활성화시키고, 상기 진공 챔버 내의 진공 값이 제 2 사전 설정값에 도달하면 상기 진공 챔버의 진공화를 완료하는 단계를 포함할 수 있으며,
상기 제 1 사전 설정값은 상기 제 2 사전 설정값보다 작거나 같다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 또한 위한 진공 환경을 제공하기 위한 진공화 장치에서 사용되는 진공화 방법을 제공한다. 상기 진공화 장치는 본딩 고정구, 진공 챔버 및 진공화 시스템을 포함한다. 상기 본딩 고정구는 표면 상에 복수의 홈을 구비한다. 상기 진공화 방법은,
S1) 상기 기판이 로딩된 상기 본딩 고정구를 사익 진공 챔버 내에 배치하는 단계;
S2) 상기 복수의 홈을 진공화하기 위해 상기 진공화 시스템을 활성화시키고, 상기 복수의 홈의 진공 값이 제 1 사전 설정값에 도달하면, 상기 진공화 시스템에 의한 상기 복수의 홈의 진공화를 정지시키는 단계;
S3) 상기 진공화 시스템을 활성화하여 상기 진공 챔버를 진공화하고, 사익 진공 챔버 내의 진공값이 상기 복수의 홈에서의 진공 값에 가까워지면 상기 진공화 시스템에 의한 상기 진공 챔버의 진공화를 정지시키는 단계; 및
S4) 상기 진공 챔버 내의 진공값이 상기 기판의 본딩 요건을 충족할 때까지 단계 S2) 및 S3)을 반복하는 단계를 포함한다.
선택적으로, 상기 진공화 방법은, S5) 상기 진공 시스템에 의해 상기 진공 챔버 및 상기 복수의 홈 모두를 진공화하고 제 2 사전 설정값에 도달하면 상기 진공화를 완료하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제공된 진공화 장치 및 방법에서, 진공화 시스템은 기판 테이블의 홈 및 진공 챔버로 부터 공기를 배출시켜 홈의 진공값이 항상 진공 챔버의 진공값 이하가 되도록 한다. 결과적으로, 기판은 기판 테이블 상에 단단히 유지되고 뒤틀림 또는 상대 변위가 발생하지 않을 것이다. 이는 기판 정렬 및 수율을 향상시켜 기판 본딩 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 의해, 최적의 스페이서 두께가 보장될 수 있고, 두꺼운 스페이서로 인한 정렬 정확도의 훼손 위험이 회피될 수 있다.
도 1은 진공화 이전의 종래의 본딩 고정구를 개략적으로 도시한다.
도 2는 진공화 후의 종래의 본딩 고정구를 개략적으로 도시한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 진공화 장치의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 진공화 장치의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 진공 챔버 및 홈에서 시간에 따른 진공 값의 전개를 도시한다.
본 발명의 핵심 개념은 진공 챔버 및 본딩 고정구상의 기판 테이블에 형성된 홈으로부터 공기를 배출하여 기판의 본딩을 위한 진공 환경을 제공하는 것으로서, 진공화 과정을 통틀어 홈 내의 진공값은 항상 진공 챔버 내의 진공값 이상이다. 이러한 방식으로, 기판이 기판 테이블 상에 견고하게 유지될 수 있어서, 기판이 휘지 않아 보다 우수한 기판 본딩 품질이 가능하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에서 제안하는 진공화 장치 및 방법의 구체적인 실시예를 설명한다. 본 발명의 특징 및 장점은 다음의 상세한 설명 및 첨부된 청구 범위로부터 더욱 명백해질 것이다. 첨부된 도면은 실시 예를 설명함에 있어 편의성과 명확성을 용이하게 하기 위한 것으로서, 반드시 축척대로 제시된 것은 아니라 매우 단순화된 형태로 제공됨에 유의한다.
실시예 1
도 3을 참조하면, 본 실시예에서, 진공 챔버(14), 본딩 고정구(13) 및 진공화 시스템(제 1 진공 회로(00) 및 제 2 진공 회로(01)를 포함)을 포함하는 진공화 장치가 제공된다. 진공화 시스템은 진공 챔버(14)로부터 공기를 배출시켜 그 내부에 진공을 생성하도록 구성된다. 진공 챔버(14)에는, 지지 테이블(11) 및 지지 테이블(11) 위에 배치된 가압 테이블(12)이 배치되고, 본딩 고정구(13)는 진공 챔버(14)에 배치된 지지 테이블(11) 상에 배치된다.
본딩 고정구(13)는 도 1 및 도 2에 도시된 본딩 고정구(0)로서 구현되어 기판 테이블(6), 프레임(5), 클램핑 블록(4) 및 스페이서(3)를 포함할 수 있다. 기판 적재시, 하부 기판(1)이 홈(7)이 제공된 기판 테이블(6) 상에 배치되고, 상부 기판(2)은 스페이서(3)에 의해 하부 기판(1)과 상호 분리된 상태로 하부 기판(1) 상에 일정 거리 떨어져 배치된다. 홈(7)은 흡입력에 의해 기판을 유지하고 기판의 상호 정렬을 용이하게 하도록 형성된다.
진공 챔버(14) 및 홈(7)은 모두 진공화 시스템과 연통된다. 진공화 시스템에 의한 진공화 동작시, 홈(7)의 진공 값은 항상 진공 챔버(14)의 진공 값보다 작거나 동일하게 유지되어 기판이 기판 테이블 상에 단단히 가압되고 휘어지지 않게 함으로써, 기판의 조기 본딩을 방지하고 양호한 본딩 품질을 보장한다.
구체적으로, 진공화 시스템은 진공 챔버(14)를 진공화하기 위한 제 1 진공화 회로(00) 및 홈(7)을 진공화하기 위한 제 2 진공화 회로(01)를 포함할 수 있다. 제 1 진공화 회로(00)는 진공 챔버(14)와 연통할 수 있고, 제 2 진공화 회로(01)는 홈(7)과 연통될 수 있다.
제 1 진공화 회로(00)는 제 1 진공 펌프(22), 제 2 진공 펌프(21), 제 1 압력 센서(20), 1 차 진공관 및 2 차 진공관을 포함할 수 있다. 일차 진공관은 일단에서 진공 챔버(14)와 타단에서 제 1 진공 펌프(22)와 연통하여 배치될 수 있다. 2 차 진공관은 1 차 진공관에 병렬로 연결될 수 있다. 제 2 진공 펌프(21)는 2 차 진공관 내에 직렬로 배치될 수 있고, 제 1 압력 센서(20)는 1 차 진공관과 연통하여 배치될 수 있다. 1 차 진공관은 진공 챔버(14)의 가스 흐름 배출을 위해 구성될 수 있고, 2 차 진공관은 진공 챔버(14)의 분자 흐름 배출을 위해 구성될 수 있다. 제 1 진공 펌프(22) 및 제 2 진공 펌프(21)는 직렬 또는 병렬로 배치될 수 있다.
또한, 제 1 진공화 회로는 제 1 밸브(23)를 더 포함할 수 있고, 제 1 밸브(23)는 1 차 진공관 내에 직렬로 배치되고 제 1 진공화 회로의 개폐를 제어하도록 구성된다.
제 1 진공 펌프(22)에 의해 달성될 수 있는 최대 진공값은 90 내지 110 Pa일 수 있고 제 2 진공 펌프(21)에 의해 달성될 수 있는 최대 진공값은 0.5 내지 1 Pa일 수 있다. 즉, 제 1 진공 펌프(22)가 최대 출력에서 동작하고 제 2 진공 펌프가 유휴 상태인 경우, 제 1 압력 센서(20)의 판독값은 90 내지 110 Pa의 범위에 있을 것이다. 또한 제 2 진공 펌프(21)가 최대 출력에서 동작할 경우, 제 1 압력 센서(20)의 판독값은 0.5 내지 1 Pa의 범위에 있을 것이다. 본 출원에서, 낮은 진공값은 더 희박한 공기와 더 높은 진공도에 상응한다는 것을 유의해야 한다.
또한, 제 1, 제 2 및 제 3 진공 펌프(22, 21 및 16)의 최대 달성 가능한 진공값은 상기 제공된 범위로 제한되지 않으며, 실제 설계 요건에 기초하여 당업자에 의해 적절히 선택될 수 있음에 유의한다.
또한, 제 2 진공화 회로(01)는 제 3 진공 펌프(16), 제 2 압력 센서(15), 제 2 밸브(17) 및 제 2 진공관을 포함할 수 있다. 제 2 진공관은 일단이 제 3 진공 펌프(16)와 연통되고 타단이 홈(7)과 연통되어 배치될 수 있다. 제 2 압력 센서(15)는 제 2 진공관과 연통될 수 있다. 제 2 밸브(17)는 제 2 진공화 회로(01)의 개폐를 제어하기 위해 제 2 진공관 내에 직렬로 배치될 수 있다.
바람직하게는, 제 3 진공 펌프(16)는 90 Pa 내지 110 Pa 범위의 최대 진공값을 달성할 수 있다.
본 실시 예에서, 제 1 및 제 3 진공 펌프(22, 16)는 건식 펌프로서 구현될 수 있고 제 2 진공 펌프(21)는 분자 펌프로서 구현될 수 있다.
상기 진공화 장치에 기초하여, 본 실시예에서는 또한 기판 본딩을 위한 진공 환경을 제공하기 위한 진공화 방법이 제공된다. 진공화 장치는 본딩 고정구, 진공 챔버 및 진공화 시스템을 포함한다. 본딩 고정구의 표면에는 홈이 제공된다. 상기 진공화 방법은,
S1) 기판이 로딩된 본딩 고정구(13)를 진공 챔버(14) 내에 배치하는 단계; 및
S2) 진공화 시스템에 의해 진공 챔버(14) 및 홈(7)으로부터 공기를 배출시켜 홈(7)의 진공값이 진공 챔버(14)의 진공 값 이하가 되도록 하는 단계를 포함한다.
또한, 단계 S2)는
S21) 진공 시스템을 동작시켜 복수의 홈(7)을 진공화하고, 홈(7)의 진공값이 제 1 사전 설정값에 도달하면, 진공화 시스템에 의해 복수의 홈(7)의 진공을 정지 또는 유지하는 단계; 및
S22) 진공 챔버(14)를 진공화하기 위해 진공화 시스템을 활성화하고, 진공 챔버(14)의 진공 값이 제 2 사전 설정값에 도달하면 진공 챔버(14)의 진공화를 완료하는 단계를 포함할 수 있다.
홈(7)의 압력이 항상 진공 챔버(14)의 압력보다 작거나 같도록 제 1 사전 설정값을 제 2 사전 설정값 이하로 할 수 있다. 결과적으로, 기판이 휘지 않도록 기판을 기판 테이블 상에 견고하게 유지될 수 있다. 이 방법은 단순히 제 1 진공화 회로(00)의 활성화 이전에 제 2 진공화 회로(01)를 활성화시킴으로써 이루어진다. 제 1 및 제 2 사전 설정값은 실제 공정 요건에 기초하여 당업자에 의해 구체적으로 설정될 수 있다.
실시예 2
도 4를 참조하면, 본 실시 예에서는, 건식 펌프로서 구현되는 실시예 1의 제 3 진공 펌프(16) 대신에, 크기, 차지하는 공간 및 비용이 절감된 에어 펌프 또는 다른 저전력 진공 펌프를 제 3 진공 펌프(18)로 사용한다는 점에서 실시예 1과 다른 진공화 장치가 제공된다. 또한, 제 1 진공화 회로(00)와 제 2 진공화 회로(01)를 상호 연통시키기 위해 제 3 밸브(19)가 추가된다. 제 3 밸브(19)는 제 1 진공화 회로(00)와 제 2 진공화 회로(01) 사이의 연결/분리를 제어할 수 있도록 구성될 수 있다. 제 3 밸브(19)는 1 차 진공관과 연통하는 제 1 단을 가질 수 있고, 제 3 밸브(19)는 제 2 진공관과 연통하는 제 2 단을 구비할 수 있다.
제 3 진공 펌프(18)는 2400 내지 2600 Pa의 범위의 최대 진공값을 달성할 수 있다. 따라서, 진공화 능력은 전술한 건식 펌프 및 분자 펌프의 진공 성능보다 분명히 작다. 또한, 제 1 밸브(23), 제 2 밸브(17) 및 제 3 밸브(19) 각각은 솔레노이드 밸브로 구현될 수 있다.
상기 진공화 장치에 기초하여, 본 실시예에서는 또한 진공화 방법을 제공하는 바, 상기 진공화 방법은,
S1) 기판이 로딩된 본딩 고정구(13)를 진공 챔버(14) 내에 배치하는 단계;
S2) 진공화 시스템을 동작시켜 복수의 홈(7)을 진공화하고, 홈(7)의 진공값이 제 1 사전 설정값에 도달하면 진공화 시스템에 의해 복수의 홈(7)의 진공화를 정지시키는 단계;
S3) 진공 챔버(14)를 진공화하기 위해 진공화 시스템을 활성화시키고, 진공 챔버(14)의 진공 값이 홈(7)의 진공값에 가까워지면 진공화 시스템에 의해 진공 챔버(14)의 진공화를 정지시키는 단계; 및
S4) 진공 챔버(14) 내의 진공값이 기판의 본딩 요건을 충족할 때까지 단계 S2 및 S3을 반복하는 단계를 포함한다.
상기 방법은,
S5) 진공화 시스템에 의해 진공 챔버(14)와 복수의 홈(7) 모두를 진공화하고 제 2 사전 설정값에 도달하면 진공화를 완료하는 단계를 더 포함할 수 있다.
진공 챔버(14)와 홈(7)을 진공화하는 동안, 홈(7)의 진공값은 항상 진공 챔버(14)의 진공값보다 작거나 같고, 홈(7)과 진공 챔버(14) 사이에 절대 밀봉이 부재하므로 홈(7)에 대한 진공화 시스템의 진공화 동작이 중단되면, 홈(7)의 진공값이 점차 상승할 수 있다. 진공 챔버(14)에 대한 진공화 동작은 홈(7)에서의 진공값의 실시간 값에 기초하여 결정된 시간 동안 지속될 수 있다.
진공화가 완료된 후, 가압 테이블(12)은 상부 기판을 하부 기판에 본딩하기 위해 지지 테이블(11)상의 본딩 고정구(13)에 압력을 가할 수 있다.
제 1 및 제 2 사전 설정값은 당업자에 의해 실제 설계 요건에 기초하여 결정될 수 있으며 특정 값으로 제한되지 않는다.
바람직하게는, 단계 S3에서, 진공 챔버(14) 내의 진공값이 100 Pa를 초과하여 증가할 경우, 진공 챔버(14) 및 홈(7)을 배기시키기 위해 추가적으로 건식 펌프(22)를 제 2 진공 펌프와 교대로 활성화할 수 있다. 진공 챔버(14)의 진공값이 100 Pa 보다 작거나 같으면, 제 2 진공 펌프(21)는 진공 챔버(14)와 홈(7)을 배기시키는데 사용될 수 있다. 진공 챔버(14)의 진공 값이 100 Pa보다 작거나 같을 때, 그 내부의 공기는 희박하여 기판의 어떠한 휨도 거의 허용하지 않을 것이다. 따라서, 제 2 진공 펌프(21)에 의해 진공 챔버(14)와 홈(7)을 진공화 동안, 제 3 밸브(19)는 "온" 상태로 남아 있을 수 있다.
제 3 진공 펌프(18)는 주로 1 bar의 압력으로부터 급격히 감소하도록 구성되어, 단계 S2 및 단계 S3의 반복을 줄이고 진공화에 필요한 전체 시간을 단축시킨다.
본 실시예에 따른 진공화 방법을 설명하기 위해 보다 구체적인 예를 아래에 제공한다.
제 1 단계에서, 서로 정렬된 기판이 로딩된 본딩 고정구(13)는 진공 챔버(14) 내에 배치되고 진공 챔버(14)는 폐쇄된다. 이어서, 제 2 진공화 회로(01)는 제 3 밸브(19)가 폐쇄된 상태에서 활성화되고, 이어서 제 2 압력 센서(15), 제 2 밸브(17) 및 제 3 진공 펌프(18)가 활성화된다. 제 2 압력 센서(15)의 판독값이 소정의 진공값 P1에 도달함을 나타내면(제 3 진공 펌프(18)에 의해 달성될 수 있는 최저 진공 값은 약 2500 Pa이다), 제 3 진공 펌프(18)는 셧다운되고(즉, 제 2 진공화 회로(01)는 비활성화 된다), 제 1 진공화 회로(00)가 동작하기 시작한다.
제 1 진공화 회로(00)는 2 개의 진공화 단계, 즉 제 1 진공 펌프(건식 펌프)(22)에 의해 제공되는 1 차 진공화 단계 및 제 2 진공 펌프(21)에 의해 제공되는 2 차 진공화 단계로 구성된다. 건식 펌프(22)는 약 100 Pa의 최대 진공값을 달성할 수 있고, 제 2 진공 펌프(21)는 1 Pa 이하의 최대 진공값을 달성할 수 있다.
제 2 단계에서, 제 1 진공화 회로(00)의 1 차 진공화 단계에서 사용되는 건식 펌프(22)가 활성화된다. 결과적으로, 제 2 진공화 회로(01)의 진공값 P1은 (진공 챔버(14)로부터 홈(7)으로의 공기의 확산으로 인해) 대략 4200 Pa로 다시 상승할 것이다. 제 1 압력 센서(20)의 미리 설정된 값이 약 5000 Pa (> 4200 Pa)이기 때문에, 제 1 진공화 회로(00)가 닫히고 제 3 밸브(19)가 개방되어 건식 펌프(22)가 약 10 초 동안 홈(7)을 배기시켜, 진공값은 약 300 Pa로 떨어진다. 이후, 제 3 밸브(19)는 다시 닫히고 제 1 진공화 회로(00)는 열린다. 결과적으로, 제 2 진공화 회로(01)(즉, 홈(7))의 진공 값은 약 2500 Pa까지 다시 상승할 것이다. 이 시점에서, 제 1 진공화 회로(00)는 닫히고 제 3 밸브(19)는 다른 시간 동안 개방된다. 이 과정은 10 회 반복되며, 여기서 건식 펌프(22)는 홈(7)과 진공 챔버(14)를 교대로 배기시켜 기판 본딩에 적합한 진공 환경이 조성될 수 있다. 도 5에 도시 된 바와 같이, 제 1 진공화 회로(00)(즉, 진공 챔버(14))의 진공 값은 제 2 진공화 회로(01)의 진공값보다 높게 유지되어 휨 발생을 방지한다.
제 3 단계에서, 두 회로의 진공 값이 건식 펌프 (22)의 진공값 한계인 약 100 Pa에 도달하면, 2 차 진공화 단계에서 기능하는 제 2 진공 펌프(21)가 활성화되어 진공 챔버(14) 내의 희박한 공기에 분자 흐름 배출을 수행한다. 결과적으로, 진공 챔버(14)의 진공값은 1 Pa 아래로 더 떨어질 수 있고, 기판은 이 과정 전체에 걸쳐 전혀 휘지 않을 것이다.
요약하면, 본 발명에서 제공된 진공화 장치 및 방법에서, 진공화 시스템은 기판 테이블의 홈 및 진공 챔버로부터 공기를 배출시켜 홈의 진공 값이 항상 진공 챔버의 진공 값보다 작거나 같게 된다. 결과적으로, 기판은 기판 테이블 상에 단단히 유지되고 뒤틀림 또는 상대 변위가 발생하지 않을 것이다. 이는 기판 정렬 및 수율을 향상시켜 기판 본딩 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 의해, 최적의 스페이서 두께가 보장될 수 있고, 두꺼운 스페이서로 인한 정렬 정확도 훼손의 위험이 회피될 수 있다.
본 명세서에 개시된 실시예는 시간순으로 설명되며, 각 실시 예의 설명은 다른 실시 예와의 차이점에 초점을 둔다. 동일하거나 유사한 부분에 대해 실시 예들 사이를 참조할 수 있다. 시스템 실시 예들은 방법 실시 예들에 대응하기 때문에, 이들은 비교적 간략하게 설명되고, 시스템 실시 예들의 세부 사항들에 대해서는 방법 실시 예들을 참조할 수 있다.
상기 설명은 단지 본 발명의 몇몇 바람직한 실시예의 설명일 뿐이며 그 범위는 제한되지 않는다. 상기 교시에 기초하여 당업자에 의해 이루어진 임의의 및 모든 변경 및 수정은 첨부된 청구 범위에 정의된 범위 내에 속한다.
1: 하부 기판 2: 상부 기판
3: 스페이서 4: 클램핑 블록
5: 고정구 6: 기판 테이블
7: 홈 8: 배기관
9: 진공 챔버 11: 지지 테이블
12: 가압 테이블 13: 본딩 고정구
14: 진공 챔버 15: 제 2 압력 센서
16: 제 3 진공 펌프 17: 제 2 밸브
18: 제 3 진공 펌프 00: 제 1 진공화 회로
01: 제 2 진공화 회로 20: 제 1 압력 센서
21: 제 2 진공 펌프 22: 제 1 진공 펌프
23: 제 1 밸브 19: 제 2 밸브
도 5의 23: 진공 챔버의 진공값 프로파일
도 5의 24: 홈의 진공값 프로파일

Claims (19)

  1. 기판 본딩을 위한 진공 환경을 제공하기 위해 사용되는 진공화 장치는,
    진공 챔버;
    본딩 고정구; 및
    진공화 시스템을 포함하되,
    상기 본딩 고정구는 상기 진공 챔버 내에 배치되고, 상기 본딩 고정구는 복수의 홈이 제공된 기판 테이블을 포함하며, 상기 복수의 홈은 상기 기판 테이블상의 흡입에 의해 상기 기판이 유지되도록 진공화 될 수 있으며,
    상기 진공 시스템은 상기 진공 챔버와 상기 복수의 홈 모두를 진공화하도록 구성되어, 상기 진공 시스템에 의해 진공화하는 동안 상기 기판이 휘지 않도록 하는, 진공화 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공화 시스템에 의한 진공화 동안, 상기 복수의 홈에서의 진공값은 상기 진공 챔버에서의 진공값 이하가 되도록 구성되는, 진공화 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공화 시스템은 상기 진공 챔버를 진공화하기 위한 제 1 진공화 회로 및 상기 복수의 홈을 진공화하기 위한 제 2 진공화 회로를 포함하고, 상기 제 1 진공화 회로는 상기 진공 챔버와 연통하고, 상기 제 2 진공 회로는 상기 복수의 홈과 연통되는, 진공화 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 진공화 회로는 제 1 압력 센서, 1 차 진공관 및 2 차 진공관을 포함하고, 상기 1 차 진공관은 상기 2 차 진공관에 병렬로 연결되며, 상기 제 1 압력 센서는 제 1 진공화 회로 및/또는 제 2 진공화 회로를 모니터링 하도록 구성되고, 상기 제 1 차 진공관은 상기 진공 챔버의 가스 흐름 배출을 하도록 구성되고, 상기 2 차 진공관은 상기 진공 챔버의 분자 흐름 배출을 하도록 구성된, 진공화 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 1 차 진공관에는 제 1 진공 펌프가 제공되며, 상기 1 차 진공관은 상기 진공 챔버와 연통하는 제 1 단 및 상기 제 1 진공 펌프와 연통하는 제 2 단을 갖는, 진공화 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 2 차 진공관에는 제 2 진공 펌프가 제공되며, 상기 2 차 진공관은 상기 제 1 진공 펌프와 직렬로 또는 병렬로 배치되는, 진공화 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 진공화 회로는 상기 1 차 진공관 및/또는 상기 2 차 진공관의 개폐를 제어하기 위한 제 1 밸브를 더 포함하는, 진공화 장치.
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 진공 펌프는 건식 펌프인, 진공화 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 진공 펌프는 분자 펌프인, 진공화 장치.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 진공화 회로는 제 3 진공 펌프 및 제 2 압력 센서를 포함하고, 상기 제 2 압력 센서는 상기 제 2 진공화 회로를 모니터링 하도록 구성되는, 진공화 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 진공화 회로는 상기 제 2 진공화 회로의 개폐를 제어하기 위한 제 2 밸브를 더 포함하는, 진공화 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 3 진공 펌프는 건식 펌프인, 진공화 장치.
  13. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 진공화 회로는 제 3 진공 펌프 및 제 2 압력 센서를 포함하고, 상기 제 2 압력 센서는 상기 제 2 진공화 회로를 모니터링 하도록 구성되고, 상기 제 1 진공화 회로는 상기 제 2 진공화 회로에 연결되어 상기 제 2 진공화 회로의 동작 효율을 보상하는, 진공화 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 3 진공 펌프는 에어 펌프인, 진공화 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 진공화 회로는 상기 제 1 진공화 회로와 상기 제 2 진공화 회로 사이의 연결 또는 분리를 제어하기 위한 제 3 밸브를 더 포함하는, 진공화 장치.
  16. 기판의 본딩을 위한 진공 환경을 제공하기 위해 사용되는 진공화 장치의 진공화 방법으로서, 상기 진공화 장치는 본딩 고정구, 진공 챔버 및 진공화 시스템을 포함하고, 상기 본딩 고정구는 표면 상에 복수의 홈을 구비하는 진공화 방법에 있어서,
    S1) 상기 기판이 로딩된 상기 본딩 고정구를 상기 진공 챔버 내에 배치하는 단계; 및
    S2) 상기 진공화 시스템에 의해 상기 진공 챔버 및 상기 복수의 홈을 진공화하여 상기 복수의 홈에서의 진공 값이 상기 진공 챔버에서의 진공 값 이하가 되도록 하는 단계를 포함하는, 진공화 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 단계 S2)는,
    S21) 상기 복수의 홈을 진공화하기 위해 상기 진공화 시스템을 활성화시키고, 상기 복수의 홈의 진공 값이 제 1 사전 설정값에 도달하면, 상기 진공화 시스템에 의해 상기 복수의 홈의 진공화를 정지 또는 유지하는 단계; 및
    S22) 상기 진공 챔버를 진공화하기 위해 상기 진공 시스템을 활성화시키고, 상기 진공 챔버 내의 진공 값이 제 2 사전 설정값에 도달하면 상기 진공 챔버의 진공화를 완료하는 단계를 포함하되,
    상기 제 1 사전 설정값은 상기 제 2 사전 설정값보다 작거나 같은, 진공화 방법.
  18. 기판의 본딩을 위한 진공 환경을 제공하는데 사용되는 진공화 장치의 진공화 방법으로서, 상기 진공화 장치는 본딩 고정구, 진공 챔버 및 진공화 시스템을 포함하고, 상기 본딩 고정구는 표면 상에 복수의 홈을 구비하는 진공화 방법에 있어서,
    S1) 상기 기판이 로딩된 상기 본딩 고정구를 사익 진공 챔버 내에 배치하는 단계;
    S2) 상기 복수의 홈을 진공화하기 위해 상기 진공화 시스템을 활성화시키고, 상기 복수의 홈의 진공 값이 제 1 사전 설정값에 도달하면, 상기 진공화 시스템에 의한 상기 복수의 홈의 진공화를 정지시키는 단계;
    S3) 상기 진공화 시스템을 활성화하여 상기 진공 챔버를 진공화하고, 사익 진공 챔버 내의 진공값이 상기 복수의 홈에서의 진공 값에 가까워지면 상기 진공화 시스템에 의한 상기 진공 챔버의 진공화를 정지시키는 단계; 및
    S4) 상기 진공 챔버 내의 진공값이 상기 기판의 본딩 요건을 충족할 때까지 단계 S2) 및 S3)을 반복하는 단계를 포함하는, 진공화 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    S5) 상기 진공 시스템에 의해 상기 진공 챔버 및 상기 복수의 홈 모두를 진공화하고 제 2 사전 설정값에 도달하면 상기 진공화를 완료하는 단계를 더 포함하는, 진공화 방법.
KR1020207002984A 2017-06-30 2018-06-19 진공화 장치 및 진공화 방법 KR20200019751A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710526081.2 2017-06-30
CN201710526081.2A CN108735586B (zh) 2017-06-30 2017-06-30 一种抽真空装置及抽真空方法
PCT/CN2018/091877 WO2019001311A1 (zh) 2017-06-30 2018-06-19 一种抽真空装置及抽真空方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200019751A true KR20200019751A (ko) 2020-02-24

Family

ID=63940366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207002984A KR20200019751A (ko) 2017-06-30 2018-06-19 진공화 장치 및 진공화 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11664228B2 (ko)
JP (1) JP6975264B2 (ko)
KR (1) KR20200019751A (ko)
CN (1) CN108735586B (ko)
SG (1) SG11201913131SA (ko)
TW (1) TWI692829B (ko)
WO (1) WO2019001311A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108735586B (zh) * 2017-06-30 2021-05-28 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种抽真空装置及抽真空方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4671204A (en) * 1986-05-16 1987-06-09 Varian Associates, Inc. Low compliance seal for gas-enhanced wafer cooling in vacuum
US5300175A (en) * 1993-01-04 1994-04-05 Motorola, Inc. Method for mounting a wafer to a submount
JP4598641B2 (ja) * 2000-11-30 2010-12-15 富士通株式会社 貼り合せ基板製造システム
US7275577B2 (en) * 2002-11-16 2007-10-02 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Substrate bonding machine for liquid crystal display device
TWI257515B (en) * 2002-11-16 2006-07-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Substrate bonding apparatus for liquid crystal display device
CN2619363Y (zh) * 2003-04-25 2004-06-02 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种在硅片上制作真空微腔的预键合装置
JP2005317727A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Hitachi Chem Co Ltd 静電チャック
CN100376945C (zh) * 2004-06-11 2008-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 基板贴合装置和基板贴合制程
JP4811719B2 (ja) * 2006-04-19 2011-11-09 株式会社島津製作所 液晶注入装置
US7450213B2 (en) * 2006-06-29 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. Methods of manufacturing liquid crystal display devices
US7765682B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-03 Adp Engineering Co., Ltd. Apparatus for attaching substrates
JP2010167338A (ja) * 2009-01-20 2010-08-05 Renesas Electronics Corp 真空処理装置及び真空処理方法
JP5126091B2 (ja) * 2009-02-02 2013-01-23 ウシオ電機株式会社 ワークステージ及び該ワークステージを使用した露光装置
CN101826452B (zh) * 2010-03-30 2011-09-07 东莞宏威数码机械有限公司 基片上载装置
US8802464B2 (en) * 2011-07-21 2014-08-12 Lg Display Co., Ltd. Method of forming process substrate using thin glass substrate and method of fabricating flat display device using the same
JP2014072321A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 板状体保持機構、基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法
JP5860431B2 (ja) * 2013-04-25 2016-02-16 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
KR101494757B1 (ko) * 2013-07-23 2015-02-25 에이피시스템 주식회사 기판 지지 모듈 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP5705937B2 (ja) * 2013-09-13 2015-04-22 信越エンジニアリング株式会社 貼合デバイスの製造装置及び製造方法
CN104538333A (zh) * 2014-12-16 2015-04-22 瑞德兴阳新能源技术有限公司 一种消除晶圆片翘曲的托盘
CN204315534U (zh) 2014-12-16 2015-05-06 瑞德兴阳新能源技术有限公司 一种消除晶圆片翘曲的托盘
CN106340485A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 上海微电子装备有限公司 晶圆键合夹紧装置及对准机和键合机、翘曲基片吸附方法
CN205810778U (zh) * 2016-07-14 2016-12-14 吴振维 吸附装置
CN108735586B (zh) 2017-06-30 2021-05-28 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种抽真空装置及抽真空方法
JP2020150027A (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 キオクシア株式会社 基板の分離方法、半導体記憶装置の製造方法、および基板分離装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019001311A1 (zh) 2019-01-03
SG11201913131SA (en) 2020-01-30
US11664228B2 (en) 2023-05-30
TWI692829B (zh) 2020-05-01
CN108735586B (zh) 2021-05-28
JP6975264B2 (ja) 2021-12-01
TW201906052A (zh) 2019-02-01
US20200168459A1 (en) 2020-05-28
CN108735586A (zh) 2018-11-02
JP2020526023A (ja) 2020-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5781412B2 (ja) ラミネート方法
JP3098003B2 (ja) 太陽電池におけるラミネート装置
JP5649125B2 (ja) テープ貼付装置
US9023163B2 (en) Method for laminating essentially plate-shaped work pieces
JP5897045B2 (ja) 太陽電池モジュールの製造方法、及びラミネータ装置
JP2009260317A (ja) ウェーハをキャリアに付加しかつ／またはキャリアから分離させるためのデバイスおよび方法
JP2008153337A (ja) 貼り合せ基板の分離方法、貼り合せ基板の分離装置及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR20120016299A (ko) 반도체 소자의 제조 장치
KR102493257B1 (ko) 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치
KR20200019751A (ko) 진공화 장치 및 진공화 방법
JP6412804B2 (ja) 接合方法および接合システム
WO2013147319A1 (ja) ラミネート装置
CN110218003B (zh) 一种真空玻璃抽气装置及方法
CN116759315A (zh) 高深宽比的玻璃通孔的填充方法，以及半导体芯片
JP4773938B2 (ja) 太陽電池モジュールのラミネート装置。
JP4248890B2 (ja) 基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法
JP2006049441A (ja) 接着剤注入装置および接着剤注入方法
SG189240A1 (en) Device and method for processing of wafers
KR101547917B1 (ko) 반도체 패키지 공정용 복합장치
JP6446450B2 (ja) チップをウェハに対し集積する方法及びその装置
CN110332097B (zh) 一种真空玻璃抽气方法及抽气装置
JP7546403B2 (ja) 接合装置および接合方法
JP2011001445A (ja) 三次元半導体積層基板への絶縁性接着剤の注入方法および注入装置
TW201643978A (zh) 降壓方法及其降壓設備
KR101557141B1 (ko) 개선된 기판 흡착용 에어 배관 장치, 및 이를 구비한 기판 흡착 스테이지, 흡착 방법, 및 코팅 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application