CN108735586A - 一种抽真空装置及抽真空方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种抽真空装置及抽真空方法，用于为基片键合提供真空环境，所述抽真空装置包括：真空腔、键合夹具、以及抽真空系统；所述键合夹具位于所述真空腔内，所述键合夹具包括一基片台，所述基片台上具有用于吸附基片的凹槽；所述真空腔和所述凹槽均与所述抽真空系统连通；在所述抽真空系统抽真空的过程中，使所述凹槽中的真空值小于等于所述真空腔的真空值。在本发明提供的抽真空装置及抽真空方法中，利用抽真空系统对基片台上的凹槽和真空腔抽真空，并使凹槽的真空值始终小于等于真空腔的真空值，从而使位于基片台上的基片始终牢牢地贴合在基片台上，不发生翘曲现象，从而提高了基片键合的质量。

Description

一种抽真空装置及抽真空方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种抽真空装置及抽真空方法。
背景技术
在目前的半导体工艺中，常常会出现将两种相同或不同材料结合在一起的技术。这种技术称为键合技术。一般需要键合两片晶圆、两片玻璃或者一片玻璃与一片晶圆，为了方便描述，将需要键合的晶圆、玻璃等统称为基片。基片键合是半导体器件三维加工的一个重要的工艺，在器件制造的前道工艺和后道工艺中均有应用。
当前基片键合工艺的主要步骤包括基片表面的处理，基片的对准，以及最终的基片键合。而最终的基片键合的主要流程为：将完成基片对准的键合夹具放置到键合机的键合腔内；关闭键合腔，并开启真空单元将键合腔内抽成真空状态；设定键合工艺需求，键合夹具上两基片进行加热、加压、冷却工艺过程；在键合工艺过程完成后，释放键合腔内真空，打开键合腔，取出键合夹具，此时基片键合完成。
如图1所示，在基片键合之前，上基片1和下基片2放置在键合夹具0上，上基片1和下基片2通过间隔片3隔开，两基片通过压紧块4锁紧，压紧块4设置在夹具框架5上，完成基片对准的键合夹具0放置在真空腔9中，真空腔9具有一抽真空管道8。在实际的应用中，一般选用厚度较厚，刚性较强的材料作为上基片，这样可以防止上基片1由于重力作用与下基片2提前接触。下基片1放置在基片台6上，下基片1上表面通过手动滚胶方式，覆盖了一层键合胶，在键合机抽完真空后夹具进行升温，达到理想的键合胶粘接条件后，通过加压工艺，使两基片紧密的粘接在一起。但在实际的运用中，键合机抽真空时，键合夹具凹槽7中的空气抽速比较慢，下基片1上下表面会产生压力差，发生翘曲，容易与上基片2发生粘胶现象，如图2所示。但由于两基片间通过间隔片隔开，并且下基片1上键合胶厚度较薄，最终两基片间的预留距离能抵消基片翘曲发生的纵向位移，在抽真空过程中，两基片基本不会发生粘胶现象。
但随着半导体市场的发展，传统的手动滚胶方式由于生产效率过低，现已渐渐由机器印胶方式所替代，而机器印胶方式生产的基片键合胶的厚度大约是传统滚胶方式的4～5倍，这大大缩短了键合夹具两基片间的有效距离，在抽真空过程中，基片很容易发生粘胶现象。而基片提前发生粘胶，会造成基片键合完成后，基片间会残留气泡，严重影响产品良率。现有防止两基片在键合前粘胶的方法是：把两基片间的间隔片加厚，保留足够的间隙，即使下基片翘曲，也不会与上基片接触，防止了粘胶。虽然这种方法能解决因下基片翘曲而发生的粘胶问题，但加大间隔片的厚度首先会使两基片距离增大，夹具在对准过程中对准精度下降。而且键合过程中间隔片在撤离时，由于基片距离过大，键合时可能会出现偏移现象。另外，抽完真空后，下基片从发生翘曲至恢复平整，也会使两基片出现偏移现象，产品不合格率增加。
为了解决这个问题，本发明设计了一种解决基片键合在抽真空过程中的抽真空装置和抽真空方法，从而在根源上解决基片的粘胶问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种抽真空装置及抽真空方法，以解决基片键合在抽真空过程中，基片翘曲发生翘曲的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种抽真空装置，用于为基片键合提供真空环境，包括：真空腔、键合夹具、以及抽真空系统；
所述键合夹具位于所述真空腔内，所述键合夹具包括一基片台，所述基片台上具有用于吸附基片的凹槽；
所述抽真空系统分别对所述真空腔和所述凹槽抽真空，使得所述基片在所述抽真空系抽真空的过程中不发生翘曲。
可选的，在所述抽真空系统抽真空的过程中，使所述凹槽中的真空值小于等于所述真空腔的真空值。
可选的，所述抽真空系统包括：用于对所述真空腔抽真空的第一抽真空回路和用于对所述凹槽抽真空的第二抽真空回路，所述第一抽真空回路与所述真空腔连通，所述第二抽真空回路与所述凹槽连通。
可选的，所述第一抽真空回路包括：第一压力传感器、一级抽真空管路以及二级抽真空管路，所述一级抽真空管路与所述二级抽真空管路并联，所述第一压力传感器可以监测所述第一抽真空回路和/或所述第二抽真空回路，所述一级抽真空管路对所述真空腔进行气体流抽排，所述二级抽真空管路对所述真空腔进行分子流抽排。
可选的，所述一级抽真空管路上具有第一真空泵，所述一级抽真空管路的一端与所述真空腔连通，另一端与所述第一真空泵连通。
可选的，所述二级抽真空管路具有第二真空泵，所述第二真空泵与所述第一真空泵串联或并联。
可选的，所述第一抽真空回路还包括：第一阀门，用于控制所述一级抽真空管路和/或所述二级抽真空管路的开关。
可选的，所述第一真空泵为干泵。
可选的，所述第二真空泵为分子泵。
可选的，所述第二抽真空回路包括：第三真空泵、第二压力传感器，所述第二压力传感器监测所述第二抽真空回路。
可选的，所述第二抽真空回路还包括第二阀门，所述第二阀门用于控制所述第二抽真空回路的通断。
可选的，所述第三真空泵为干泵。
可选的，所述第二抽真空回路包括：第三真空泵、第二压力传感器，所述第二压力传感器监测所述第二抽真空回路，所述第一抽真空回路与所述第二抽真空回路相连以补偿第一抽真空回路的工作效率。
可选的，所述第三真空泵可以是气泵。
可选的，所述第二抽真空回路还包括第三阀门，所述第三阀门控制所述第一抽真空回路与所述第二抽真空回路之间的断开和联通。
为了解决上述问题本发明还提供一种抽真空装置的抽真空方法，用于为基片键合提供真空环境，所述抽真空装置包括键合夹具、真空腔、抽真空系统，所述键和夹具表面具有凹槽，包括以下步骤：
S1，所述键合夹具承载基片至所述真空腔中；
S2，使所述抽真空系统对所述真空腔和所述凹槽进行抽真空，并使所述凹槽中的真空值小于等于所述真空腔的真空值。
可选的，所述S2包括：
S21，开启所述抽真空系统，对所述凹槽进行抽真空，当凹槽的真空值达到第一设定值后，关闭或维持所述抽真空系统对所述凹槽的抽真空工作；
S22，开启所述抽真空系统，对所述真空腔进行抽真空，当所述真空腔的真空值达到第二设定值，完成对所述真空腔的抽真空；
其中，所述第一设定值小于等于所述第二设定值。
为了解决上述问题本发明又提供一种抽真空装置的抽真空方法，用于为基片键合提供真空环境，所述抽真空装置包括键合夹具、真空腔、抽真空系统，包括以下步骤：
S1，所述键合夹具承载基片至所述真空腔中；
S2，开启所述抽真空系统，对凹槽进行抽真空，当凹槽的真空度达到第一设定值后，关闭所述抽真空系统对所述凹槽的抽真空工作；
S3，开启所述抽真空系统对所述真空腔抽真空，当所述真空腔真空值接近所述凹槽的真空值时，关闭所述抽真空系统对所述真空腔的抽真空工作；
S4，重复步骤S2、S3，直至真空腔真空值达到基片键合的要求。
可选的，还包括：S5，所述抽真空系统同时对所述真空腔和所述凹槽抽真空，达到第二设定值，完成抽真空工作。
在本发明提供的抽真空装置及抽真空方法中，利用抽真空系统对基片台上的凹槽和真空腔抽真空，并使凹槽的真空值始终小于等于真空腔的真空值，从而使位于基片台上的基片始终牢牢地贴合在基片台上，不发生翘曲现象，防止了基片出现相对偏移现象，提高了基片的对准定位精度和产品良率，从而提高了基片键合的质量。另外，本发明提供的技术方案保证了最佳的间隔片厚度，防止因增加间隔片厚度造成的对准精度的下降的风险。
附图说明
图1是键合夹具在抽真空前的示意图；
图2是键合夹具在抽真空后的示意图；
图3是本发明实施例一中抽真空装置的示意图；
图4是本发明实施例二中抽真空装置的示意图；
图5是本发明实施例二中真空腔的真空值和凹槽的真空值随时间的变化曲线。
图中1～图2中：1-下基片；2-上基片；3-间隔片；4-压紧块；5-夹具框架；6-基片台；7-凹槽；8-真空管道；9-真空腔；
图中3～图4中：11-支撑台；12-挤压台；13-键合夹具；14-真空腔；15-第二压力传感器；16-第三真空泵；17-第二阀门；18-第三真空泵；01-第二抽真空回路；00-第一抽真空回路；20-第一压力传感器；21-第二真空泵；22-第一真空泵；23-第一阀门；19-第二阀门；
图5中：23-真空腔的真空值曲线；24-凹槽的真空值曲线。
具体实施方式
本发明的核心思想在于，在基片键合的抽真空过程中，对用于提供真空环境的真空腔和键合夹具上基片台的凹槽进行抽真空，并在抽真空的过程中始终保持凹槽的真空值小于等于真空腔的真空值，从而使基片牢牢的压在基片台上，不会发生翘曲现象，从而提高基片键合的质量。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的抽真空装置及抽真空方法作进一步详细说明。根据权利要求书和下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一
参阅图3，本实施例提供一种抽真空装置，包括：真空腔14、键合夹具13、以及抽真空系统(包括第一抽真空回路00和第二抽真空回路01)；所述抽真空系统用于将真空腔14抽成真空环境。在真空腔14中具有支撑台11和位于支撑台11上方的挤压台12，键合夹具13位于真空腔14内的支撑台11上。
键合夹具13可以是如图1～图2中的键合夹具0，包括：基片台6、夹具框架5、压紧块4以及间隔片3，在装夹基片时，将下基片1放置在具有凹槽7的基片台6上，上基片2位于下基片1上方，并通过间隔片3隔开一定距离。其中，凹槽7用于吸附基片以及上下基片的对准。
真空腔14和凹槽7均与抽真空系统连通；在抽真空系统抽真空的过程中，始终保持凹槽7中的真空值小于等于真空腔14的真空值，从而使基片牢牢的压在基片台上，不会发生翘曲现象，从而提高基片键合的质量。
具体的，所述抽真空系统包括：用于对真空腔14抽真空的第一抽真空回路00和用于对凹槽7抽真空的第二抽真空回路01，第一抽真空回00路与真空腔14连通，第二抽真空回路01与凹槽7连通。
其中，第一抽真空回路00包括：第一真空泵22、第二真空泵21、第一压力传感器20、一级抽真空管路以及二级抽真空管路，一级抽真空管路的一端与真空腔14连通，一级抽真空管路的另一端与第一真空泵22连通，二级抽真空管路与一级抽真空管路并联，第二真空泵21串联在二级抽真空管路中，所述第一压力传感器20与一级抽真空管路连通。其中，一级抽真空管路对真空腔14进行气体流抽排，二级抽真空管路对真空腔14进行分子流抽排。第一真空泵22和第二真空泵21串联或并联。
进一步，第一抽真空回路还包括：第一阀门23，第一阀门23串联于一级抽真空管路中，用于控制所述第一抽真空回路的通断。
其中，第一真空泵22的最大抽真空值的范围为90Pa～110Pa，第二真空泵21的最大抽真空值的范围为0.5Pa～1Pa。也就是说，当第一真空泵22的输出功率最大时，第一压力传感器20的值的范围为90Pa～110Pa，第二真空泵21输出功率最大时，第一压力传感器20的值的范围为0.5Pa～1Pa。需要说明的是，在本案中的真空值越小，真空度越高，真空腔内的气体越稀薄。
需要说明的是第一真空泵22、第二真空泵21以及第三真空泵16的最大抽真空值的范围并不限于90Pa～110Pa，本领域技术人员可以根据具体设计要求而具体选择相应的真空泵。
进一步，第二抽真空回路02包括：第三真空泵16、第二压力传感器15、第二阀门17以及第二抽真空管路，第二抽真空管路的一端与第三真空泵16连通，第二抽真空管路的另一端与凹槽7连通，第二压力传感器15与第二抽真空管路连通。第二阀门17串联于第二抽真空管路中，用于控制第二抽真空回路的通断。
较佳的，第三真空泵16的最大抽真空值范围为90Pa～110Pa。
在本实施例中，第一真空泵22和第三真空泵16均为干泵，第二真空泵21为分子泵。
基于上述抽真空装置，本实施例还提供一种抽真空方法，用于为基片键合提供真空环境，所述抽真空装置包括键合夹具、真空腔、抽真空系统，所述键和夹具表面具有凹槽，所述抽真空方法包括以下步骤：
S1，键合夹具13承载基片至所述真空腔14中；
S2，使抽真空系统对真空腔14和凹槽7进行抽真空，并使凹槽7中的真空值小于等于真空腔14的真空值。
进一步，所述S2包括：
S21，开启抽真空系统，对凹槽7进行抽真空，当凹槽7的真空值达到第一设定值后，关闭或维持抽真空系统对凹槽7的抽真空工作；
S22，开启抽真空系统，对真空腔14进行抽真空，当真空腔14的真空值达到第二设定值，完成对真空腔14的抽真空；
其中，第一设定值小于等于所述第二设定值，以使凹槽7中的气压始终小于等于真空腔14中的气压，所以使基片牢牢地吸附在基片板上，不发生翘曲。此方法较简单，只要第二抽真空回路01先于第一抽真空回路00回路工作即可。对于第一设定值和第二设定值的具体数值，本领域技术人员可以根据实际应用情况自行设定。
实施例二
参阅图4，本实施例提供一种抽真空装置，与实施例一不同的是实施例一中的第三真空泵16为干泵，而本实施例中的第三真空泵18为气泵或其他功率较小的真空泵，从而减小体积，占用空间也减小，费用降低；并增加了第三阀门19，并通过第三阀门19将第一抽真空回路00和第二抽真空回路01连通，第三阀门19能控制第一抽真空回路00和第二抽真空回路01的通断。第三阀门19的第一端与一级抽真空管路连通，第三阀门19的第二端与第二抽真空管路连通。
其中，第三真空泵18的最大抽真空值范围为2400Pa～2600Pa。可见其抽真空能力明显低于干泵和分子泵。进一步，第一阀门23、第二阀门17、以及第三阀门19均可以是电磁阀。
基于上述抽真空装置，本实施例还提供一种抽真空方法，包括以下步骤：
S1，键合夹具13承载基片至真空腔14中；
S2，开启抽真空系统，对凹槽7进行抽真空，当凹槽7的真空度达到第一设定值后，关闭抽真空系统对凹槽7的抽真空工作；
S3，开启所述抽真空系统对所述真空腔14抽真空，当所述真空腔14真空值接近凹槽7的真空值时，关闭所述抽真空系统对真空腔14的抽真空工作；
S4，重复步骤S2、S3，直至真空腔14真空值达到基片键合的要求。
进一步，还包括：
S5，所述抽真空系统同时对真空腔14和凹槽7抽真空，达到第二设定值，完成抽真空工作。
在对真空腔14和凹槽7抽真空的过程中，由于凹槽7的真空值始终低于或等于真空腔14的真空值，而凹槽7与真空腔14之间又不是绝对密封的，所以，在关闭抽真空系统对凹槽7的抽真空工作后，凹槽7的真空值会回升，在对真空腔14抽真空的时，可根据凹槽7实时的真空值来控制对真空腔14抽真空的时间。
基片键合的抽真空完成，接下来利用挤压台12挤压位于支撑台11上的键合夹具13，使上基片与下基片键合在一起。
其中，第一设定值和第二设定值根据具体的设计要求而定，并非一确定值，本领域技术人员可以根据设计要求而具体设定。
较佳的，在S3中，当真空腔14的真空值在100Pa以上时，利用干泵22交替的对真空腔14和凹槽7进行抽真空，当真空腔14的真空值在小于等于或等于100Pa时，利用第二真空泵21对真空腔14和凹槽7进行抽真空。当真空腔14的真空值在小于等于或等于100Pa时，真空腔内的气体已经非常稀薄，基片基本不会发生翘曲，所以，当利用第二真空泵21对真空腔14和凹槽7进行抽真空时，第三阀门19可始终打开。
其中，第三真空泵18的主要作用是使1bar的大气压能迅速降下来，减少S3的交替次数，从而减小抽真空时间。
下面，通过一个更为具体的实施方案来介绍本实施例提供的抽真空方法，具体如下：
第一步：将完成基片对准的键合夹具13放置到真空腔14中，并关闭真空腔14，首先第二抽真空回路01工作，第三阀门19处于关闭状态，第二压力传感器15、第二阀门17和第三真空泵18开始工作，第二压力传感器15达到设定的真空值P1后(第三真空泵18能达到的抽真空值约为2500Pa)，关闭第三真空泵18(也就是说第二抽真空回路01停止工作)，第一抽真空回路00开始工作。
其中，第一抽真空回路00分两级抽真空，干泵22控制一级抽真空，第二真空泵21控制二级抽真空，干泵22能达到的抽真空值约为100Pa，第二真空泵21能达到的抽真空值小于等于1Pa。
第二步：第一抽真空回路00中，干泵22进行一级抽真空工作，此时第二抽真空回路01真空值P1会回升至4200Pa左右(真空腔14内气体会渗透进凹槽7中)，设置第一压力传感器20达到设定值约为5000Pa(＞4200Pa)，关闭第一抽真空回路00，第三阀门19打开，利用干泵22对凹槽7抽真空10s左右，达到真空值约300Pa；关闭第三阀门19，第一抽真空回路00打开，此时第二抽真空回路01的真空值(也就是凹槽7的真空值)会再次回升至2500Pa左右；接着关闭第一抽真空回路00，第三阀门19打开，之后，重复以上步骤10次左右，即可达到基片键合的真空要求。如图5所示，可以看到第一抽真空回路00的真空值(也就是真空腔14的真空值)一直大于第二抽真空回路01的真空值，防止了基片的翘曲。
第三步：待两回路真空值达到干泵22能达到的真空值极限100Pa左右，打开第二真空泵21进行二级抽真空，此时空气稀薄，为分子流状态，真空腔14真空值一直能抽到1Pa以下，也不会发生夹具的翘曲。
综上所述，在本发明提供的抽真空装置及抽真空方法中，利用抽真空系统对基片台上的凹槽和真空腔抽真空，并使凹槽的真空值始终小于等于真空腔的真空值，从而使位于基片台上的基片始终牢牢地贴合在基片台上，不发生翘曲现象，防止了基片出现相对偏移现象，提高了基片的对准定位精度和产品良率，从而提高了基片键合的质量。另外，本发明提供的技术方案保证了最佳的间隔片厚度，防止因增加间隔片厚度造成的对准精度的下降的风险。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (19)

1.一种抽真空装置，用于为基片键合提供真空环境，其特征在于，包括：真空腔、键合夹具、以及抽真空系统；
所述键合夹具位于所述真空腔内，所述键合夹具包括一基片台，所述基片台上具有用于吸附基片的凹槽；
所述抽真空系统分别对所述真空腔和所述凹槽抽真空，使得所述基片在所述抽真空系抽真空的过程中不发生翘曲。
2.如权利要求1所述的抽真空装置，其特征在于，在所述抽真空系统抽真空的过程中，使所述凹槽中的真空值小于等于所述真空腔的真空值。
3.如权利要求1所述的抽真空装置，其特征在于，所述抽真空系统包括：用于对所述真空腔抽真空的第一抽真空回路和用于对所述凹槽抽真空的第二抽真空回路，所述第一抽真空回路与所述真空腔连通，所述第二抽真空回路与所述凹槽连通。
4.如权利要求3所述的抽真空装置，其特征在于，所述第一抽真空回路包括：第一压力传感器、一级抽真空管路以及二级抽真空管路，所述一级抽真空管路与所述二级抽真空管路并联，所述第一压力传感器可以监测所述第一抽真空回路和/或所述第二抽真空回路，所述一级抽真空管路对所述真空腔进行气体流抽排，所述二级抽真空管路对所述真空腔进行分子流抽排。
5.如权利要求4所述的抽真空装置，其特征在于，所述一级抽真空管路上具有第一真空泵，所述一级抽真空管路的一端与所述真空腔连通，另一端与所述第一真空泵连通。
6.如权利要求4所述的抽真空装置，其特征在于，所述二级抽真空管路具有第二真空泵，所述第二真空泵与所述第一真空泵串联或并联。
7.如权利要求4所述的抽真空装置，其特征在于，所述第一抽真空回路还包括：第一阀门，用于控制所述一级抽真空管路和/或所述二级抽真空管路的开关。
8.如权利要求5或6所述的抽真空装置，其特征在于，所述第一真空泵为干泵。
9.如权利要求6所述的抽真空装置，其特征在于，所述第二真空泵为分子泵。
10.如权利要求3所述的抽真空装置，其特征在于，所述第二抽真空回路包括：第三真空泵、第二压力传感器，所述第二压力传感器监测所述第二抽真空回路。
11.如权利要求10所述的抽真空装置，其特征在于，所述第二抽真空回路还包括第二阀门，所述第二阀门用于控制所述第二抽真空回路的通断。
12.如权利要求10所述的抽真空装置，其特征在于，所述第三真空泵为干泵。
13.如权利要求3所述的抽真空装置，其特征在于，所述第二抽真空回路包括：第三真空泵、第二压力传感器，所述第二压力传感器监测所述第二抽真空回路，所述第一抽真空回路与所述第二抽真空回路相连以补偿第一抽真空回路的工作效率。
14.如权利要求13所述的抽真空装置，其特征在于，所述第三真空泵可以是气泵。
15.如权利要求13所述的抽真空装置，其特征在于，所述第二抽真空回路还包括第三阀门，所述第三阀门控制所述第一抽真空回路与所述第二抽真空回路之间的断开和联通。
16.一种抽真空装置的抽真空方法，用于为基片键合提供真空环境，所述抽真空装置包括键合夹具、真空腔、抽真空系统，所述键和夹具表面具有凹槽，其特征在于，包括以下步骤：
S1，所述键合夹具承载基片至所述真空腔中；
S2，使所述抽真空系统对所述真空腔和所述凹槽进行抽真空，并使所述凹槽中的真空值小于等于所述真空腔的真空值。
17.如权利要求16所述的抽真空方法，其特征在于，所述S2包括：
S21，开启所述抽真空系统，对所述凹槽进行抽真空，当凹槽的真空值达到第一设定值后，关闭或维持所述抽真空系统对所述凹槽的抽真空工作；
S22，开启所述抽真空系统，对所述真空腔进行抽真空，当所述真空腔的真空值达到第二设定值，完成对所述真空腔的抽真空；
其中，所述第一设定值小于等于所述第二设定值。
18.一种抽真空装置的抽真空方法，用于为基片键合提供真空环境，所述抽真空装置包括键合夹具、真空腔、抽真空系统，其特征在于，包括以下步骤：
S1，所述键合夹具承载基片至所述真空腔中；
S2，开启所述抽真空系统，对凹槽进行抽真空，当凹槽的真空度达到第一设定值后，关闭所述抽真空系统对所述凹槽的抽真空工作；
S3，开启所述抽真空系统对所述真空腔抽真空，当所述真空腔真空值接近所述凹槽的真空值时，关闭所述抽真空系统对所述真空腔的抽真空工作；
S4，重复步骤S2、S3，直至真空腔真空值达到基片键合的要求。
19.如权利要求18所述的抽真空方法，其特征在于，还包括：
S5，所述抽真空系统同时对所述真空腔和所述凹槽抽真空，达到第二设定值，完成抽真空工作。
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