CN204315534U - 一种消除晶圆片翘曲的托盘 - Google Patents

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张杨
张露
杨翠柏
张小宾
毛明明
潘旭
刘建庆
王智勇
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Abstract

本实用新型公开了一种消除晶圆片翘曲的托盘,包括基体和基座,基体一侧面上形成有多个凹坑,一个凹坑配置有一个基座;基座镶嵌在相应凹坑内,并与凹坑坑底之间保持有间隙,其整体高度低于凹坑深度;基座的上表面开设有多个吸气孔,晶圆片吸附在基座上后,其与基座组合的整体高度低于凹坑深度,基座内形成有连通多个吸气孔的抽真空通道,抽真空通道贯穿基座的下表面;凹坑的坑底上开设有抽气孔,基体内形成有连通抽气孔的抽真空通道,抽真空通道贯穿基体的另一侧面,能与外界抽真空装置相连。本实用新型能使晶圆片平贴紧在基座上,可以有效消除热失配与晶格失配导致的外延片翘曲问题,且片内温度均匀,有利于后续工艺流程。

Description

一种消除晶圆片翘曲的托盘
技术领域
本实用新型涉及半导体设备制造的技术领域,尤其是指一种消除晶圆片翘曲的托盘。
背景技术
能源是人类生存和发展的重要物质基础,也是当今国际政治、经济、军事、外交关注的焦点。随着人口的增加和工业化进程的加快,世界各国对能源的需求越来越大,能源短缺的状况会越来越明显。与此同时,化石能源开发利用带来的环境污染问题也日趋严重,给社会经济发展和人类健康带来了严重影响。提高能源使用效率,降低能耗,发展新能源产业异常重要。
为了提高能源利用效率,降低成本并进行大规模生产,半导体行业也由传统的2英寸向4英寸、6英寸、8英寸及更大尺寸迈进。然而,由于晶格失配和热失配会产生应力。应力是外延片发生翘曲,使其与基座接触不良,并且会产生位错,影响组分均匀性,甚至出现裂纹。随着衬底(晶圆片)尺寸变大,外延翘曲更加严重,降低成品率和稳定性,并影响后续芯片制备工艺。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺点,提供一种能够消除晶圆片翘曲现象的托盘,能使晶圆片始终平贴紧在其基座上。
为实现上述目的,本实用新型所提供的技术方案为:一种消除晶圆片翘曲的托盘,包括有基体和用于安装晶圆片的基座,其中,所述基体的一侧面上形成有多个凹坑,凹坑的数量与基座相一致,且一个凹坑配置有一个基座,基座的形状大小与凹坑相匹配;所述基座镶嵌在相应凹坑内,并与凹坑坑底之间保持有间隙,其整体高度低于凹坑深度;所述基座的上表面开设有多个吸气孔,用于吸附晶圆片,使其平贴紧在基座的上表面,所述晶圆片吸附在基座上后,其与基座组合的整体高度低于凹坑深度,所述基座内形成有连通上述多个吸气孔的抽真空通道,所述抽真空通道贯穿基座的下表面;所述凹坑的坑底上开设有抽气孔,所述基体内形成有连通抽气孔的抽真空通道,所述抽真空通道贯穿基体的另一侧面,能与外界抽真空装置相连。
所述基座上的多个吸气孔沿晶圆片的周向均布,形成有至少一圈与晶圆片同心的吸气孔组。
所述基座上的吸气孔组的圆心处设有一吸气孔,该吸气孔的孔径大于吸气孔组中的吸气孔孔径,且与基座内的抽真空通道连通。
所述基座的上表面形成有至少一个环形凹槽,且一圈吸气孔组位于一个环形凹槽内。
所述吸气孔位于基座上的一凹槽槽底。
所述基体为圆形的石墨基体或碳化硅基体。
所述基座为圆形的石墨基座或碳化硅基座。
所述基体上镀有碳化硅涂层或碳化钽涂层。
所述基座上镀有碳化硅涂层或碳化钽涂层。
本实用新型与现有技术相比,具有如下优点与有益效果:
通过均匀的真空抽气孔,使晶圆片平贴紧在基座上,能够保持温场、流场稳定可靠。消除各层材料热膨胀系数和晶格常数不同导致的缺陷、位错以及裂纹等问题,有利于后续工艺流程。同时,本设计可以用于高温、旋转等特殊使用环境。
附图说明
图1为本实用新型所述托盘的俯视图。
图2为本实用新型所述托盘拆除两个基座后的俯视图。
图3为本实用新型所述托盘拆除两个基座后的轴视图。
图4为本实用新型所述基座的斜视图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。
本实施例所述的能够消除晶圆片翘曲的托盘,其材质采用耐高温材料,通常为高纯石墨或碳化硅,且可以根据需要镀上涂层,如碳化硅、碳化钽等。
如图1至图4所示,所述托盘包括有呈圆形的基体1(基体形状可根据需要选择其它形状,如方形、多边形等)和用于安装晶圆片的呈圆形的基座2,其中,所述基体1的一侧面上形成有三个呈圆形的凹坑3,凹坑3的数量与基座2相一致,且一个凹坑3配置有一个基座2,基座2的形状大小与凹坑3相匹配。所述基座2镶嵌在相应凹坑3内,并与凹坑坑底之间保持有抽真空时供气流流经的间隙,其整体高度低于凹坑深度。所述基座2的上表面开设有多个沿晶圆片周向均布的吸气孔4,并形成有两圈与晶圆片同心的吸气孔组,且所述吸气孔组的圆心处设有一吸气孔7,该吸气孔7的孔径大于吸气孔组中的吸气孔4的孔径,所述基座2的上表面形成有两个环形凹槽6及一个圆形凹槽8,一圈吸气孔组位于一个环形凹槽6内,吸气孔7位于该个圆形凹槽8的槽底,通过上述两圈吸气孔组及吸气孔7吸附晶圆片,以使晶圆片能平贴紧在基座2的上表面,防止晶圆片翘曲,所述晶圆片吸附在基座2上后,其与基座2组合的整体高度低于凹坑深度。所述基座2内形成有连通上述多个吸气孔4及吸气孔7的抽真空通道,所述抽真空通道贯穿基座2的下表面。所述凹坑3的坑底中心开设有一抽气孔5,所述基体1内形成有连通抽气孔5的抽真空通道,所述抽真空通道贯穿基体1的另一侧面,能与外界抽真空装置相连。
综上所述,在采用以上方案后,本实用新型能使晶圆片平贴紧在基座上,在无论高温或者低温的情况下,均可以有效消除热失配与晶格失配导致的外延片翘曲问题,且片内温度均匀,有利于后续工艺流程,值得推广。
以上所述之实施例子只为本实用新型之较佳实施例,并非以此限制本实用新型的实施范围,故凡依本实用新型之形状、原理所作的变化,均应涵盖在本实用新型的保护范围内。

Claims (9)

1.一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:包括有基体(1)和用于安装晶圆片的基座(2),其中,所述基体(1)的一侧面上形成有多个凹坑(3),凹坑(3)的数量与基座(2)相一致,且一个凹坑(3)配置有一个基座(2),基座(2)的形状大小与凹坑(3)相匹配;所述基座(2)镶嵌在相应凹坑(3)内,并与凹坑坑底之间保持有间隙,其整体高度低于凹坑深度;所述基座(2)的上表面开设有多个吸气孔(4),用于吸附晶圆片,使其平贴紧在基座(2)的上表面,所述晶圆片吸附在基座(2)上后,其与基座(2)组合的整体高度低于凹坑深度,所述基座(2)内形成有连通上述多个吸气孔(4)的抽真空通道,所述抽真空通道贯穿基座(2)的下表面;所述凹坑(3)的坑底上开设有抽气孔(5),所述基体(1)内形成有连通抽气孔(5)的抽真空通道,所述抽真空通道贯穿基体(1)的另一侧面,能与外界抽真空装置相连。
2.根据权利要求1所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:所述基座(2)上的多个吸气孔(4)沿晶圆片的周向均布,形成有至少一圈与晶圆片同心的吸气孔组。
3.根据权利要求2所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:所述基座(2)上的吸气孔组的圆心处设有一吸气孔(7),该吸气孔(7)的孔径大于吸气孔组中的吸气孔孔径,且与基座(2)内的抽真空通道连通。
4.根据权利要求2所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:所述基座(2)的上表面形成有至少一个环形凹槽(6),且一圈吸气孔组位于一个环形凹槽(6)内。
5.根据权利要求3所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:所述吸气孔(7)位于基座(2)上的一凹槽槽底。
6.根据权利要求1所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:所述基体(1)为圆形的石墨基体或碳化硅基体。
7.根据权利要求1所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:所述基座(2)为圆形的石墨基座或碳化硅基座。
8.根据权利要求1或6所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:所述基体(1)上镀有碳化硅涂层或碳化钽涂层。
9.根据权利要求1或7所述的一种消除晶圆片翘曲的托盘,其特征在于:所述基座(2)上镀有碳化硅涂层或碳化钽涂层。
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