KR20200016623A - Mask set and method for changing mask of mask integrated frame - Google Patents

Mask set and method for changing mask of mask integrated frame Download PDF

Info

Publication number
KR20200016623A
KR20200016623A KR1020180091931A KR20180091931A KR20200016623A KR 20200016623 A KR20200016623 A KR 20200016623A KR 1020180091931 A KR1020180091931 A KR 1020180091931A KR 20180091931 A KR20180091931 A KR 20180091931A KR 20200016623 A KR20200016623 A KR 20200016623A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
frame
edge
cell
weld
Prior art date
Application number
KR1020180091931A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102440620B1 (en
Inventor
이유진
Original Assignee
주식회사 오럼머티리얼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 오럼머티리얼 filed Critical 주식회사 오럼머티리얼
Priority to KR1020180091931A priority Critical patent/KR102440620B1/en
Publication of KR20200016623A publication Critical patent/KR20200016623A/en
Priority to KR1020210124611A priority patent/KR102357803B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102440620B1 publication Critical patent/KR102440620B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L51/56
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H01L51/0011
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Abstract

The present invention relates to a mask set and a method for replacing a mask of a frame-integrated mask which can improve position precision. According to the present invention, the mask set (100-1, 100-2, 100-3, ...) is used in a frame-integrated mask in which a plurality of masks (100) and a frame (200) supporting the masks (100) are integrally formed. The mask set (100-1, 100-2, 100-3, ...) comprises a mask cell (C) having a plurality of mask patterns (P), and a plurality of masks (100-1, 100-2, 100-3) including a dummy (DM) around the mask cell (C). Each mask (100-1, 100-2, 100-3) has a plurality of welding portions (WP-1, WP-2, WP-3) formed at regular intervals on at least a portion of the dummy (DM). The positions where the welding portions (WP-1, WP-2, WP-3) are formed are different for each mask (100-1, 100-2, 100-3).

Description

마스크 세트 및 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법 {MASK SET AND METHOD FOR CHANGING MASK OF MASK INTEGRATED FRAME}MASK SET AND METHOD FOR CHANGING MASK OF MASK INTEGRATED FRAME}

본 발명은 마스크 세트 및 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마스크를 프레임과 일체를 이루도록 할 수 있고, 프레임으로부터 마스크를 분리하고 교체하는 과정에서 각 마스크 간의 얼라인(align)을 명확하게 할 수 있는 마스크 세트 및 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask replacement method of a mask set and a frame integrated mask. More specifically, a mask set and a mask replacement method of the frame-integrated mask can be made integral with the frame, and the alignment between the masks can be clarified in the process of separating and replacing the mask from the frame. It is about.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, studies on electroforming methods have been underway in thin plate manufacturing. The electroplating method is to immerse the positive electrode and the negative electrode in the electrolyte, and to apply the power to electrodeposit the metal thin plate on the surface of the negative electrode, it is possible to manufacture the ultra-thin plate, the mass production is expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.Meanwhile, as a technology of forming pixels in an OLED manufacturing process, a fine metal mask (FMM) method of depositing an organic material at a desired position by closely attaching a thin metal mask to a substrate is mainly used.

기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 마스크 하나에는 디스플레이 하나에 대응하는 셀이 여러개 구비될 수 있다. 또한, 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 마스크의 전체 부분이 평평하게 되도록 인장력을 조절하는 것은 매우 어려운 작업이다. 특히, 각 셀들을 모두 평평하게 하면서, 크기가 수 내지 수십 ㎛에 불과한 마스크 패턴을 정렬하기 위해서는, 마스크의 각 측에 가하는 인장력을 미세하게 조절하면서, 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 고도의 작업이 요구된다.In the conventional OLED manufacturing process, the mask is manufactured in the form of a stick, a plate, and the like, and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. Each mask may include a plurality of cells corresponding to one display. In addition, in order to manufacture a large area OLED, several masks may be fixed to the OLED pixel deposition frame. In the process of fixing to the frame, each mask is tensioned to be flat. Adjusting the tension to make the entire part of the mask flat is a very difficult task. In particular, in order to align the mask pattern having a size of only a few to several tens of micrometers while flattening each cell, a high-level operation of checking the alignment in real time while finely adjusting the tension applied to each side of the mask is required. do.

그럼에도 불구하고, 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점, 용접 과정에서 용접 부분에 발생하는 주름, 번짐(burr) 등에 의해 마스크 셀의 정렬이 엇갈리게 되는 문제점 등이 있었다.Nevertheless, in the process of fixing several masks in one frame, there is a problem in that the alignment between the mask cells and the mask cells is not good. In addition, the mask film is too thin and large in the process of welding and fixing the mask to the frame, which causes the mask to be squeezed or distorted due to the load, wrinkles, burrs, etc. generated in the welded part in the welding process. There was a problem of misalignment.

초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the case of ultra-high definition OLED, QHD image quality is 500 ~ 600 pixel per inch (PPI), and the pixel size is about 30 ~ 50㎛, and 4K UHD, 8K UHD high definition is higher than 860 PPI, ~ 1600 PPI, etc. It has a resolution of. As such, in consideration of the pixel size of the ultra-high-definition OLED, the alignment error between the cells must be reduced to several micrometers, and the error beyond this can lead to product failure, resulting in very low yield. Therefore, there is a need for development of a technique for preventing deformation, such as knocking or twisting of a mask and making alignment clear, a technique for fixing a mask to a frame, and the like.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크를 프레임에 접착할 때, 마스크에 변형이 생기는 것을 방지하여 위치정밀도를 향상시키는 마스크 세트 및 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, the mask of the mask set and the frame-integrated mask to improve the position accuracy by preventing deformation of the mask when the mask is bonded to the frame Its purpose is to provide a replacement method.

본 발명의 상기의 목적은, 복수의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크에 사용되는 마스크 세트로서, 마스크 세트는, 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하는 복수의 마스크를 포함하고, 각각의 마스크는 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며, 각각의 마스크마다 용접부가 형성된 위치가 상이한, 마스크 세트에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a mask set used in a frame-integrated mask in which a plurality of masks and a frame for supporting the mask are integrally formed, wherein the mask set includes a mask cell in which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell. And a plurality of masks including a plurality of masks, wherein each mask is formed by at least a portion of the dummy with a plurality of welds spaced apart from each other, and a position of the welds formed for each mask is different by a mask set.

각각의 마스크마다 용접부가 시프팅(shifting)된 위치에 형성될 수 있다.For each mask a weld may be formed at the shifted position.

마스크의 각각의 용접부에 소정 간격 이격된 주위에 주름 방지 패턴이 형성될 수 있다.An anti-wrinkle pattern may be formed around each weld portion of the mask at predetermined intervals.

각각의 마스크마다 주름 방지 패턴이 시프팅된 위치에 형성될 수 있다.An anti-wrinkle pattern may be formed at each shifted position for each mask.

주름 방지 패턴은, 용접부와 동심(同心)이고 용접부보다 큰 직경을 가지는 적어도 원주 상의 영역을 점유할 수 있다.The anti-wrinkle pattern may occupy at least a circumferential region that is concentric with the weld and has a larger diameter than the weld.

주름 방지 패턴과 마스크 패턴 사이에 상호 간격을 이루도록 형성되며, 마스크 패턴의 폭보다 큰 폭을 가지는 복수의 버퍼 패턴을 더 포함할 수 있다.A plurality of buffer patterns may be further formed between the anti-wrinkle pattern and the mask pattern and have a width greater than that of the mask pattern.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 복수의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크에서 마스크를 교체하는 방법으로서, (a) 복수의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임 상부의 적어도 일부분에 복수의 마스크가 접착된 프레임 일체형 마스크를 제공하는 단계; (b) 소정의 마스크 셀 영역 상에 접착된 제1 마스크를 프레임으로부터 분리하는 단계; (c) 제2 마스크를 소정의 마스크 셀 영역 상에 대응하고, 제2 마스크의 용접부에 레이저를 조사하여 프레임에 접착하는 단계를 포함하고, 각각의 제1 마스크와 제2 마스크는 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며, 각각의 제1 마스크와 제2 마스크는 용접부가 형성된 위치가 상이한, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a method of replacing a mask in a frame-integrated mask in which a plurality of masks and a frame for supporting the mask are integrally formed, comprising: (a) at least a portion of an upper portion of the frame having a plurality of mask cell regions; Providing a frame integrated mask having a plurality of masks bonded thereto; (b) detaching from the frame a first mask adhered to a predetermined mask cell area; (c) corresponding to the second mask on a predetermined mask cell area, and irradiating a welding portion of the second mask to a frame by irradiating a laser, wherein each of the first mask and the second mask includes a plurality of mask patterns; A formed mask cell, and a dummy around the mask cell, wherein a plurality of welds are formed at intervals on at least a part of the dummy, and each of the first mask and the second mask has a different position at which the weld is formed. Is achieved by a mask replacement method.

프레임은, 테두리 프레임부 및 복수의 마스크 셀 영역을 구비하고 테두리 프레임부에 연결되는 마스크 셀 시트부를 포함할 수 있다.The frame may include a mask cell sheet part having an edge frame portion and a plurality of mask cell regions and connected to the edge frame portion.

마스크 셀 시트부는, 제1 방향, 제1 방향에 수직인 제2 방향 중 적어도 하나의 방향을 따라 복수의 마스크 셀 영역을 구비할 수 있다.The mask cell sheet unit may include a plurality of mask cell regions in at least one of a first direction and a second direction perpendicular to the first direction.

마스크 셀 시트부는, 테두리 시트부; 제1 방향으로 연장 형성되고, 양단이 테두리 시트부에 연결되는 적어도 하나의 제1 그리드 시트부; 및 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장 형성되어 제1 그리드 시트부와 교차되고, 양단이 테두리 시트부에 연결되는 적어도 하나의 제2 그리드 시트부를 포함할 수 있다.The mask cell sheet portion includes an edge sheet portion; At least one first grid sheet portion extending in a first direction and connected at both ends to the edge sheet portion; And at least one second grid sheet portion extending in a second direction perpendicular to the first direction and intersecting with the first grid sheet portion, and both ends connected to the edge sheet portion.

각각의 마스크 셀 영역에 각각의 마스크가 대응될 수 있다.Each mask may correspond to each mask cell region.

(b) 단계에서, 제1 마스크의 적어도 일측 모서리의 외측 부분을 압착하고, 마스크의 일측 모서리에 외력을 가하여 제1 마스크를 프레임으로부터 분리할 수 있다.In step (b), the outer portion of at least one edge of the first mask may be compressed and an external force may be applied to one edge of the mask to separate the first mask from the frame.

(b) 단계에서, 제1 마스크 일측 모서리의 외측에 배치된 프레임의 상부면과 하부면을 압착할 수 있다.In the step (b), the upper and lower surfaces of the frame disposed on the outer side of one edge of the first mask may be compressed.

제1 마스크 일측 모서리에 대응하는 프레임의 모서리 상부면을 압착바로 누를 수 있다.The upper surface of the corner of the frame corresponding to the one side edge of the first mask may be pressed with the pressing bar.

프레임 형상에 대응하는 프레임 지지홈이 상부면에 형성된 지지체를 프레임의 하부에 배치할 수 있다.The support formed on the upper surface of the frame support groove corresponding to the frame shape may be disposed under the frame.

(b) 단계에서, 제1 마스크의 일측 모서리에 외력을 가하여 제1 마스크의 일측 모서리를 프레임으로부터 떼어낸 후, 제1 마스크의 일측에 대향하는 타측 모서리에 외력을 가하여 타측 모서리를 프레임으로부터 떼어내면서, 제1 마스크를 프레임으로부터 분리할 수 있다.In step (b), one side edge of the first mask is removed from the frame by applying external force to one edge of the first mask, and then the other edge is removed from the frame by applying external force to the other edge opposite to one side of the first mask. The first mask can be separated from the frame.

(c) 단계에서, 레이저가 조사된 제2 마스크의 용접부의 부분에 용접 비드(bead)가 형성되고, 용접 비드는 제2 마스크와 프레임이 일체로 연결되도록 매개할 수 있다.In step (c), a weld bead is formed on a portion of the welded portion of the second mask to which the laser is irradiated, and the weld bead may be mediated so that the second mask and the frame are integrally connected.

제2 마스크의 용접부의 위치는 제1 마스크의 용접부에서 시프팅(shifting)된 위치에 형성될 수 있다.The position of the welded portion of the second mask may be formed at a position shifted in the welded portion of the first mask.

마스크의 각각의 용접부에 소정 간격 이격된 주위에 주름 방지 패턴이 형성될 수 있다.An anti-wrinkle pattern may be formed around each weld portion of the mask at predetermined intervals.

제2 마스크의 주름 방지 패턴의 위치는 제1 마스크의 주름 방지 패턴부에서 시프팅된 위치에 형성될 수 있다.The position of the anti-wrinkle pattern of the second mask may be formed at a position shifted from the anti-wrinkle pattern portion of the first mask.

주름 방지 패턴은, 용접부와 동심(同心)이고 용접부보다 큰 직경을 가지는 적어도 원주 상의 영역을 점유할 수 있다.The anti-wrinkle pattern may occupy at least a circumferential region that is concentric with the weld and has a larger diameter than the weld.

주름 방지 패턴과 마스크 패턴 사이에 상호 간격을 이루도록 형성되며, 마스크 패턴의 폭보다 큰 폭을 가지는 복수의 버퍼 패턴을 더 포함할 수 있다.A plurality of buffer patterns may be further formed between the anti-wrinkle pattern and the mask pattern and have a width greater than that of the mask pattern.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크를 프레임에 접착할 때, 마스크에 변형이 생기는 것을 방지하여 위치정밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, when the mask is adhered to the frame, there is an effect that can prevent the deformation to occur in the mask to improve the position accuracy.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 마스크를 프레임에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 마스크를 인장하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 형태 및 마스크를 트레이 상에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 여러 실시예에 따른 마스크의 주름 방지 패턴을 나타내는 개략도이다.
도 13은 비교예에 따른 마스크를 트레이 상에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 14는 비교예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 16은 비교예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 17은 비교예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착하는 과정 및 마스크와 트레이의 계면 상태를 나타내는 개략도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착하는 과정 및 마스크와 트레이의 계면 상태를 나타내는 개략도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이를 나타내는 개략도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 순차적으로 셀 영역에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착한 후 공정 영역의 온도를 하강시키는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크에서 마스크를 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세트를 나타내는 개략도이다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크에서 마스크를 교체한 상태를 나타내는 개략도이다.
1 is a schematic view showing a conventional mask for OLED pixel deposition.
2 is a schematic diagram illustrating a process of adhering a conventional mask to a frame.
3 is a schematic view showing that alignment errors between cells occur in the process of tensioning a conventional mask.
4 is a front and side cross-sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a front and side cross-sectional view showing a frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a frame according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic view showing the shape of a mask according to an embodiment of the present invention and a state in which a mask is attached on a tray.
9 to 12 are schematic views illustrating a wrinkle prevention pattern of a mask according to various embodiments of the present disclosure.
It is a schematic diagram which shows the state which attached the mask which concerns on a comparative example on a tray.
14 is a schematic view showing a state in which a mask according to a comparative example is attached to a cell region of a frame.
15 is a schematic diagram illustrating a state in which a mask is adhered to a cell region of a frame according to an embodiment of the present invention.
16 is a schematic diagram illustrating a state in which a tray is loaded onto a frame according to a comparative example to correspond to a mask cell area of the frame.
17 is a schematic diagram illustrating a process of bonding a mask to a cell region of a frame by loading a tray on a frame according to a comparative example, and an interface state between the mask and the tray.
18 is a schematic diagram illustrating a process of bonding a mask to a cell region of a frame by loading a tray onto a frame according to an embodiment of the present invention, and an interface state between the mask and the tray.
19 is a schematic diagram illustrating a tray according to an embodiment of the present invention.
20 is a schematic diagram illustrating a state in which a tray is loaded onto a frame and a mask corresponds to a cell area of the frame according to an embodiment of the present invention.
21 is a schematic diagram illustrating a process of sequentially attaching a mask to a cell region according to an embodiment of the present invention.
22 is a schematic diagram illustrating a process of lowering a temperature of a process region after attaching a mask to a cell region of a frame according to an embodiment of the present invention.
23 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus using a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
24 is a schematic diagram illustrating a process of separating a mask from a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
25 is a schematic diagram illustrating a mask set according to an embodiment of the present invention.
26 is a schematic diagram illustrating a state in which a mask is replaced in a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It is to be understood that the various embodiments of the invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention with respect to one embodiment. In addition, it is to be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크(10)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a conventional mask for OLED pixel deposition 10.

도 1을 참조하면, 종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)으로 제조될 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 마스크(10)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 마스크(100)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, the mask 10 may be manufactured in a stick type or a plate type. The mask 10 shown in FIG. 1A is a stick type mask, and both sides of the stick may be welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. The mask 100 illustrated in FIG. 1B is a plate-type mask and may be used in a large area pixel forming process.

마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 셀(C)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(P)이 나타난다. 일 예로, 셀(C)에는 70 X 140의 해상도를 가지도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 즉, 수많은 화소 패턴(P)들은 군집을 이루어 셀(C) 하나를 구성하며, 복수의 셀(C)들이 마스크(10)에 형성될 수 있다.A plurality of display cells C are provided in the body (or mask film 11) of the mask 10. One cell C corresponds to one display such as a smartphone. In the cell C, a pixel pattern P is formed to correspond to each pixel of the display. When the cell C is enlarged, a plurality of pixel patterns P corresponding to R, G, and B appear. For example, the pixel pattern P is formed in the cell C to have a resolution of 70 × 140. That is, a large number of pixel patterns P may be clustered to form one cell C, and a plurality of cells C may be formed in the mask 10.

도 2는 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 3은 종래의 마스크(10)를 인장(F1~F2)하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시된 6개의 셀(C: C1~C6)을 구비하는 스틱 마스크(10)를 예로 들어 설명한다.2 is a schematic diagram illustrating a process of adhering the mask 10 to the frame 20. 3 is a schematic view showing that alignment errors between cells occur in the process of tensioning the mask 10 (F1 to F2). A stick mask 10 having six cells C: C1 to C6 shown in FIG. 1A will be described as an example.

도 2의 (a)를 참조하면, 먼저, 스틱 마스크(10)를 평평하게 펴야한다. 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 당김에 따라 스틱 마스크(10)가 펴지게 된다. 그 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다. 프레임(20)은 하나의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수 있고, 복수의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수도 있다.Referring to FIG. 2A, first, the stick mask 10 should be flattened. The stick mask 10 is unfolded as the tensile force F1 to F2 is applied in the major axis direction of the stick mask 10 and pulled. In this state, the stick mask 10 is loaded onto the frame 20 having a rectangular frame shape. The cells C1 to C6 of the stick mask 10 are positioned in the empty area of the frame 20 of the frame 20. The frame 20 may be large enough so that the cells C1 to C6 of one stick mask 10 are located in an empty area inside the frame, and the cells C1 to C6 of the plurality of stick masks 10 are framed. It may also be large enough to fit inside the empty area.

도 2의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 2의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.Referring to (b) of FIG. 2, after aligning while finely adjusting the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10, a part of the side surface of the stick mask 10 is welded (W). Accordingly, the stick mask 10 and the frame 20 are interconnected. 2 (c) shows the side surface of the stick mask 10 and the frame connected to each other.

도 3을 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C3)들의 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수(일 예로, 6개)의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다.Referring to FIG. 3, in spite of finely adjusting the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10, problems of misalignment of the mask cells C1 to C3 appear. For example, the distances D1 to D1 ″ and D2 to D2 ″ may be different from each other or the patterns P may be skewed between the patterns P of the cells C1 to C3. The stick mask 10 is a large area including a plurality of (eg, six) cells C1 to C6 and has a very thin thickness on the order of tens of micrometers, and thus is easily struck or warped by a load. In addition, it is very difficult to check the alignment between the cells C1 to C6 in real time through a microscope while adjusting the tensile forces F1 to F2 to flatten each of the cells C1 to C6.

따라서, 인장력(F1~F2)의 미세한 오차는 스틱 마스크(10) 각 셀(C1~C3)들이 늘어나거나, 펴지는 정도에 오차를 발생시킬 수 있고, 그에 따라 마스크 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상이해지게 되는 문제점을 발생시킨다. 물론, 완벽하게 오차가 0이 되도록 정렬하는 것은 어려운 것이지만, 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Therefore, the minute error of the tensile force (F1 ~ F2) may cause an error in the extent that the cells (C1 ~ C3) of the stick mask 10 is extended or unfolded, and thus the distance (D1) between the mask pattern (P) ~ D1 ", D2-D2") cause a problem that becomes different. Of course, it is difficult to perfectly align the error to 0, but in order that the mask pattern P having a size of several to several tens of micrometers does not adversely affect the pixel process of the ultra-high definition OLED, the alignment error does not exceed 3 micrometers. It is preferable not to. This alignment error between adjacent cells is referred to as pixel position accuracy (PPA).

이에 더하여, 대략 6~20개 정도의 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition, between the plurality of stick masks 10 and the plurality of cells C of the stick masks 10 while connecting the plurality of stick masks 10 of about 6 to 20 to each of the frames 20, respectively. It is also very difficult to clarify the alignment between ~ C6), and the process time due to alignment is inevitably increased, which is a significant reason for reducing productivity.

한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 작용할 수 있다. 즉, 인장력(F1~F2)에 의해 팽팽히 늘어났던 스틱 마스크(10)가 프레임(20)에 연결된 후에 프레임(20)에 장력(tension)을 작용할 수 있다. 보통 이 장력이 크지 않아서 프레임(20)에 큰 영향을 미치지 않을 수 있으나, 프레임(20)의 크기가 소형화되고 강성이 낮아지는 경우에는 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있다. 그리하면 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, after fixing the stick mask 10 to the frame 20, the tensile force (F1 ~ F2) applied to the stick mask 10 may act inversely to the frame 20. That is, the stick mask 10, which is stretched by the tension forces F1 to F2, may be tensioned to the frame 20 after being connected to the frame 20. In general, the tension may not be large and may not have a large influence on the frame 20. However, when the size of the frame 20 is miniaturized and the rigidity is low, the tension may slightly change the frame 20. Thus, a problem may arise in that the alignment state is changed between the plurality of cells C to C6.

이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다. 마스크(100)가 프레임(200)에 연결될 때 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않으므로, 마스크(100)가 프레임(200)에 연결된 후 프레임(200)이 변형될 정도의 장력을 가하지 않을 수 있다. 그리고, 마스크(100)를 프레임(200)에 일체로 연결하는 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 이점을 가진다.Accordingly, the present invention proposes a frame 200 and a frame integrated mask that allow the mask 100 to form an integrated structure with the frame 200. The mask 100 integrally formed in the frame 200 may be prevented from being deformed or warped, and may be clearly aligned with the frame 200. Since no tensile force is applied to the mask 100 when the mask 100 is connected to the frame 200, the tension may not be applied to the frame 200 after the mask 100 is connected to the frame 200. . In addition, the manufacturing time for integrally connecting the mask 100 to the frame 200 may be significantly reduced, and the yield may be significantly increased.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 4의 (a)] 및 측단면도[도 4의 (b)]이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도[도 5의 (a)] 및 측단면도[도 5의 (b)]이다.4 is a front view (FIG. 4 (a)) and a side cross-sectional view (FIG. 4 (b)) showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is according to an embodiment of the present invention It is a front view (FIG. 5 (a)) and a side cross-sectional view (FIG. 5 (b)) which show a frame.

도 4 및 도 5를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 접착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 접착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 접착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.4 and 5, the frame integrated mask may include a plurality of masks 100 and one frame 200. In other words, each of the plurality of masks 100 is bonded to the frame 200. Hereinafter, for convenience of description, the rectangular mask 100 will be described as an example, but the masks 100 may be in the form of a stick mask having protrusions clamped at both sides before being bonded to the frame 200, and the frame 200. The protrusions can be removed after they have been glued to them.

각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다. 얇은 두께로 형성할 수 있도록, 마스크(100)는 전주도금(electroforming)으로 형성될 수 있다. 마스크(100)는 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃인 인바(invar), 약 1.0 X 10-7/℃ 인 슈퍼 인바(super invar) 재질일 수 있다. 이 재질의 마스크(100)는 열팽창계수가 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 이 외에, 최근에 온도 변화값이 크지 않은 범위에서 화소 증착 공정을 수행하는 기술들이 개발되는 것을 고려하면, 마스크(100)는 이보다 열팽창계수가 약간 큰 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크의 두께는 약 2㎛ 내지 50㎛ 정도로 형성될 수 있다.A plurality of mask patterns P may be formed in each mask 100, and one cell C may be formed in one mask 100. One mask cell C may correspond to one display such as a smartphone. In order to form a thin thickness, the mask 100 may be formed by electroforming. The mask 100 may be an invar having a thermal expansion coefficient of about 1.0 × 10 −6 / ° C. and a super invar material having about 1.0 × 10 −7 / ° C. Since the mask 100 of this material has a very low coefficient of thermal expansion, there is little possibility that the pattern shape of the mask is deformed by thermal energy, and thus, the mask 100 may be used as a fine metal mask (FMM) or a shadow mask in high-resolution OLED manufacturing. In addition, in consideration of the recent development of techniques for performing the pixel deposition process in a range where the temperature change is not large, the mask 100 has a slightly larger thermal expansion coefficient than that of nickel (Ni) and nickel-cobalt (Ni-Co). It may be a material such as). The thickness of the mask may be formed to about 2 to 50㎛.

프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 접착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 최외곽 테두리를 포함해 제1 방향(예를 들어, 가로 방향), 제2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 형성되는 여러 모서리를 포함할 수 있다. 이러한 여러 모서리들은 프레임(200) 상에 마스크(100)가 접착될 구역을 구획할 수 있다.The frame 200 is formed to bond the plurality of masks 100. The frame 200 may include various edges formed in a first direction (eg, a horizontal direction) and a second direction (eg, a vertical direction) including an outermost edge. These various corners may define the area to which the mask 100 is to be bonded on the frame 200.

프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다. 즉, 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함할 수 있다. 프레임(200)은 인바, 슈퍼인바, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 이 재질들은 프레임(200)의 구성요소인 테두리 프레임부(210), 마스크 셀 시트부(220)에 모두 적용될 수 있다.The frame 200 may include an edge frame portion 210 having a substantially rectangular shape and a rectangular frame shape. The inside of the frame frame 210 may be hollow. That is, the frame frame 210 may include a hollow region (R). The frame 200 may be made of a metal material such as Invar, Super Invar, Aluminum, Titanium, etc., and may be made of Inbar, Super Invar, Nickel, or Nickel-Cobalt having the same thermal expansion coefficient as a mask in consideration of thermal deformation. Preferably, the materials may be applied to both the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 which are components of the frame 200.

이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 마스크(100)와 마찬가지로 전주도금으로 형성되거나, 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트(sheet)에 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결할 수 있다. 또는, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 연결한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 마스크 셀 시트부(220)에 먼저 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결한 것을 주로 상정하여 설명한다.In addition, the frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR and may include a mask cell sheet portion 220 connected to the edge frame portion 210. Like the mask 100, the mask cell sheet part 220 may be formed by electroplating or may be formed using another film forming process. In addition, the mask cell sheet part 220 may be connected to the edge frame part 210 after forming a plurality of mask cell areas CR through laser scribing, etching, etc. on a flat sheet. Alternatively, the mask cell sheet unit 220 may form a plurality of mask cell regions CR through laser scribing, etching, etc. after connecting the planar sheet to the edge frame unit 210. In the present specification, a plurality of mask cell regions CR are first formed in the mask cell sheet part 220, and then the main parts of the mask cell sheet part 220 are connected to the edge frame part 210.

마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.The mask cell sheet unit 220 may include at least one of the edge sheet unit 221 and the first and second grid sheet units 223 and 225. The edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 refer to respective portions partitioned from the same sheet, which are integrally formed with each other.

테두리 시트부(221)가 실질적으로 테두리 프레임부(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 테두리 시트부(221)는 테두리 프레임부(210)와 대응하는 대략 사각 형상, 사각틀 형상을 가질 수 있다.The edge sheet portion 221 may be substantially connected to the edge frame portion 210. Accordingly, the edge sheet part 221 may have a substantially rectangular shape and a rectangular frame shape corresponding to the edge frame part 210.

또한, 제1 그리드 시트부(223)는 제1 방향(가로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제1 그리드 시트부(223)를 포함하는 경우, 각각의 제1 그리드 시트부(223)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, the first grid sheet part 223 may extend in a first direction (horizontal direction). The first grid sheet part 223 may be formed in a straight line shape and both ends thereof may be connected to the edge sheet part 221. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of first grid sheet portions 223, each of the first grid sheet portions 223 may be equally spaced apart.

또한, 이에 더하여, 제2 그리드 시트부(225)가 제2 방향(세로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제2 그리드 시트부(225)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)와 제2 그리드 시트부(225)는 서로 수직 교차될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제2 그리드 시트부(225)를 포함하는 경우, 각각의 제2 그리드 시트부(225)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, in addition, the second grid sheet part 225 may be formed to extend in a second direction (vertical direction). The second grid sheet part 225 may be formed in a straight line shape and both ends thereof may be connected to the edge sheet part 221. The first grid sheet part 223 and the second grid sheet part 225 may vertically cross each other. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of second grid sheet portions 225, each of the second grid sheet portions 225 may be equally spaced apart.

한편, 제1 그리드 시트부(223)들 간의 간격과, 제2 그리드 시트부(225)들 간의 간격은 마스크 셀(C)의 크기에 따라서 동일하거나 상이할 수 있다.Meanwhile, the spacing between the first grid sheet portions 223 and the spacing between the second grid sheet portions 225 may be the same or different according to the size of the mask cell C. FIG.

제1 그리드 시트부(223) 및 제2 그리드 시트부(225)는 박막 형태의 얇은 두께를 가지지만, 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 직사각형, 평행사변형과 같은 사각형 형상, 삼각형 형상 등일 수 있고, 변, 모서리 부분이 일부 라운딩 될 수도 있다. 단면 형상은 레이저 스크라이빙, 에칭 등의 과정에서 조절 가능하다.The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 have a thin thickness in the form of a thin film, but the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction may be a rectangle, a square shape such as a parallelogram, a triangular shape, or the like. The edges, edges and corners may be partially rounded. The cross-sectional shape is adjustable in the process of laser scribing, etching and the like.

테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 테두리 프레임부(210)는 프레임(200)의 전체 강성을 담당하기 때문에 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the edge frame portion 210 may be thicker than the thickness of the mask cell sheet portion 220. The edge frame part 210 may be formed to a thickness of several mm to several cm because it is responsible for the overall rigidity of the frame 200.

마스크 셀 시트부(220)의 경우는, 실질적으로 두꺼운 시트를 제조하는 공정이 어렵고, 너무 두꺼우면 OLED 화소 증착 공정에서 유기물 소스(600)[도 23 참조]가 마스크(100)를 통과하는 경로를 막는 문제를 발생시킬 수 있다. 반대로, 두께가 너무 얇아지면 마스크(100)를 지지할 정도의 강성 확보가 어려울 수 있다. 이에 따라, 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 것이 바람직하다. 마스크 셀 시트부(220)의 두께는, 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 형성될 수 있다. 그리고, 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.In the case of the mask cell sheet portion 220, a process of manufacturing a substantially thick sheet is difficult, and if the thickness is too thick, a path through which the organic source 600 (see FIG. 23) passes through the mask 100 in the OLED pixel deposition process. This can cause problems. On the contrary, if the thickness is too thin, it may be difficult to secure rigidity enough to support the mask 100. Accordingly, the mask cell sheet portion 220 is thinner than the thickness of the edge frame portion 210, but preferably thicker than the mask 100. The mask cell sheet part 220 may have a thickness of about 0.1 mm to about 1 mm. In addition, the widths of the first and second grid sheet parts 223 and 225 may be formed to about 1 to 5 mm.

평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. 다른 관점에서, 마스크 셀 영역(CR)이라 함은, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R)에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외한, 빈 영역을 의미할 수 있다.A plurality of mask cell areas CR: CR11 to CR56 may be provided except for an area occupied by the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 in the planar sheet. In another aspect, the mask cell region CR is a region occupied by the edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 in the hollow region R of the edge frame portion 210. Except for, it may mean an empty area.

이 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)의 셀(C)이 대응됨에 따라, 실질적으로 마스크 패턴(P)을 통해 OLED의 화소가 증착되는 통로로 이용될 수 있게 된다. 전술하였듯이 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)을 구성하는 마스크 패턴(P)들이 형성될 수 있다. 또는, 하나의 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있으나, 마스크(100)의 명확한 정렬을 위해서는 대면적 마스크(100)를 지양할 필요가 있고, 하나의 셀(C)을 구비하는 소면적 마스크(100)가 바람직하다. 또는, 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR)에 복수의 셀(C)을 가지는 하나의 마스크(100)가 대응할 수도 있다. 이 경우, 명확한 정렬을 위해서는 2-3개 정도의 소수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)를 대응하는 것을 고려할 수 있다.As the cell C of the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, the mask C may be used as a passage through which the pixels of the OLED are deposited through the mask pattern P. FIG. As described above, one mask cell C corresponds to one display such as a smartphone. Mask patterns P that form one cell C may be formed in one mask 100. Alternatively, one mask 100 may include a plurality of cells C and each cell C may correspond to each cell region CR of the frame 200. It is necessary to avoid the large area mask 100, and the small area mask 100 provided with one cell C is preferable. Alternatively, one mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one cell region CR of the frame 200. In this case, for the sake of clear alignment, it may be considered to correspond to the mask 100 having a few cells C of about 2-3.

프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 접착될 수 있다. 각각의 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미[셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응]를 포함할 수 있다. 더미는 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.The frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR, and each mask 100 may be bonded such that one mask cell C corresponds to the mask cell region CR. Each mask 100 may include a mask cell C on which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy (corresponding to a portion of the mask film 110 except for the cell C) around the mask cell C. have. The dummy may include only the mask film 110 or the mask film 110 having a predetermined dummy pattern having a similar shape to the mask pattern P. FIG. The mask cell C may correspond to the mask cell region CR of the frame 200, and part or all of the dummy may be adhered to the frame 200 (mask cell sheet portion 220). Accordingly, the mask 100 and the frame 200 may form an integrated structure.

한편, 다른 실시예에 따르면, 프레임은 테두리 프레임부(210)에 마스크 셀 시트부(220)를 접착하여 제조하지 않고, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R) 부분에 테두리 프레임부(210)와 일체인 그리드 프레임[그리드 시트부(223, 225)에 대응]을 곧바로 형성한 프레임을 사용할 수도 있다. 이러한 형태의 프레임도 적어도 하나의 마스크 셀 영역(CR)을 포함하며, 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응시켜 프레임 일체형 마스크를 제조할 수 있게 된다.On the other hand, according to another embodiment, the frame is not manufactured by adhering the mask cell sheet portion 220 to the edge frame portion 210, the frame frame portion 210 in the hollow region (R) portion of the edge frame portion 210 ), A frame in which a grid frame (corresponding to the grid sheet portions 223 and 225) which is integral with the frame) is formed immediately. The frame of this type also includes at least one mask cell region CR, and the mask integrated region may be manufactured by corresponding the mask 100 to the mask cell region CR.

이하에서는, 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, the process of manufacturing a frame integrated mask is demonstrated.

먼저, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임(200)을 제공할 수 있다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임(200)의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.First, the frame 200 described above with reference to FIGS. 4 and 5 may be provided. 6 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 6의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)를 제공한다. 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함한 사각 틀 형상일 수 있다.Referring to FIG. 6A, an edge frame unit 210 is provided. The edge frame portion 210 may have a rectangular frame shape including the hollow area R.

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 마스크 셀 시트부(220)를 제조한다. 마스크 셀 시트부(220)는 전주도금 또는 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 평면의 시트를 제조한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분을 제거함에 따라 제조할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)가 존재할 수 있다.Next, referring to FIG. 6B, a mask cell sheet part 220 is manufactured. The mask cell sheet unit 220 may be manufactured by fabricating a flat sheet using pre-plating or other film forming process, and then removing the mask cell region CR through laser scribing or etching. have. In the present specification, a description is given taking an example of forming a 6 × 5 mask cell region (CR: CR11 to CR56). There may be five first grid sheet portions 223 and four second grid sheet portions 225.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220)의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220)를 평평하게 편 상태로 테두리 시트부(221)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 6의 (b)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220)를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220)를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, the mask cell sheet part 220 may correspond to the edge frame part 210. In the corresponding process, all the sides of the mask cell sheet part 220 are stretched (F1 to F4), and the edge sheet part 221 is connected to the edge frame part 210 while the mask cell sheet part 220 is flattened. It can respond. On one side, the mask cell sheet part 220 may be grasped and tensioned at various points (for example, 1 to 3 points in FIG. 6B). On the other hand, the mask cell sheet portion 220 may be stretched (F1, F2) not in all sides but in some lateral direction.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220)의 테두리 시트부(221)를 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220)와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220)를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet part 220 corresponds to the border frame part 210, the edge sheet part 221 of the mask cell sheet part 220 may be welded (W) and bonded. It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet portion 220 can be firmly adhered to the edge frame portion 220. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the edge frame portion 210 as much as possible to reduce the excited space between the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 as much as possible to increase the adhesion. The welding (W) portion may be generated in a line or spot form, and may have the same material as the mask cell sheet portion 220 and integrate the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220. It can be a medium to connect to.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다. 도 6의 실시예는 마스크 셀 영역(CR)을 구비한 마스크 셀 시트부(220)를 먼저 제조하고 테두리 프레임부(210)에 접착하였으나, 도 7의 실시예는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 접착한 후에, 마스크 셀 영역(CR) 부분을 형성한다.7 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 6, the mask cell sheet part 220 having the mask cell area CR is first manufactured and adhered to the edge frame part 210. However, the embodiment of FIG. After adhesion to 210, the mask cell region CR is formed.

먼저, 도 6의 (a)처럼, 중공 영역(R)을 포함한 테두리 프레임부(210)를 제공한다.First, as shown in FIG. 6A, the edge frame part 210 including the hollow area R is provided.

다음으로, 도 7의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)에 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]를 대응할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')는 아직 마스크 셀 영역(CR)이 형성되지 않은 평면 상태이다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220')의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220')를 평평하게 편 상태로 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 7의 (a)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220')를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220')를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, referring to FIG. 7A, the edge frame portion 210 may correspond to a planar sheet (the plane mask cell sheet portion 220 ′). The mask cell sheet portion 220 ′ is in a planar state in which the mask cell region CR is not yet formed. In the corresponding process, all sides of the mask cell sheet part 220 'may be stretched (F1 to F4) to correspond to the edge frame part 210 in a state where the mask cell sheet part 220' is flattened. On one side, the mask cell sheet portion 220 'may be grasped and tensioned at several points (for example, 1 to 3 points in FIG. 7A). On the other hand, the mask cell sheet portion 220 'may be stretched (F1, F2) not in all sides but in some lateral direction.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220')를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220')의 테두리 부분을 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220') 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220')와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220')를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet portion 220 'corresponds to the edge frame portion 210, the edge portion of the mask cell sheet portion 220' may be welded (W) and bonded. It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet portion 220 ′ can be firmly adhered to the edge frame portion 220. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the edge frame portion 210 as much as possible to reduce the excited space between the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 'as much as possible to increase the adhesion. The welded W portion may be formed in a line or spot shape, and may have the same material as that of the mask cell sheet portion 220 ′ and have an edge frame portion 210 and a mask cell sheet portion 220 ′. It can be a medium to connect the integrally.

다음으로, 도 7의 (b)를 참조하면, 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]에 마스크 셀 영역(CR)을 형성한다. 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분의 시트를 제거함에 따라 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 마스크 셀 영역(CR)을 형성하게 되면, 테두리 프레임부(210)와 용접(W)된 부분이 테두리 시트부(221)가 되고, 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)를 구비하는 마스크 셀 시트부(220)가 구성될 수 있다.Next, referring to FIG. 7B, a mask cell region CR is formed in a planar sheet (planar mask cell sheet portion 220 ′). The mask cell region CR may be formed by removing the sheet of the mask cell region CR through laser scribing or etching. In the present specification, a description is given taking an example of forming a 6 × 5 mask cell region (CR: CR11 to CR56). When the mask cell region CR is formed, a portion welded to the edge frame portion 210 becomes the edge sheet portion 221, and five first grid sheet portions 223 and four second grids are formed. The mask cell sheet part 220 having the sheet part 225 may be configured.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)의 형태 및 마스크(100)를 트레이(50) 상에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.8 is a schematic view showing the shape of the mask 100 and the state in which the mask 100 is attached on the tray 50 according to an embodiment of the present invention.

도 8의 (a)를 참조하면, 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크(100)를 제공할 수 있다. 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미(DM)를 포함할 수 있다. 더미(DM)는 셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응하고, 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 더미(DM)는 마스크(100)의 테두리에 대응하여 더미(DM)의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착될 수 있다. 전주도금 방식으로 인바, 슈퍼 인바 재질의 마스크(100)를 제조할 수 있다.Referring to FIG. 8A, a mask 100 having a plurality of mask patterns P may be provided. The mask 100 may include a mask cell C on which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy DM around the mask cell C. FIG. The dummy DM corresponds to a portion of the mask layer 110 except for the cell C, includes only the mask layer 110, or the mask layer 110 in which a predetermined dummy pattern having a shape similar to the mask pattern P is formed. It may include. In the dummy DM, a part or all of the dummy DM may be attached to the frame 200 (the mask cell sheet 220) in correspondence with the edge of the mask 100. It is possible to manufacture a mask 100 of the Invar, super Invar material by electroplating method.

전주도금에서 음극체(cathode)로 사용하는 모판(mother plate)은 전도성 재질을 사용한다. 전도성 재질로서, 메탈의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 모판(또는, 음극체)의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막[마스크(100)]의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.The mother plate used as a cathode in electroplating is made of a conductive material. As the conductive material, in the case of metal, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced during the metal manufacturing process, and in the case of the polycrystalline silicon substrate, inclusions or grain boundaries may exist, and the conductive polymer may be present. In the case of a base material, it is highly likely to contain an impurity, and strength. Acid resistance may be weak. Elements that interfere with the uniform formation of an electric field on the surface of the substrate (or negative electrode body), such as metal oxides, impurities, inclusions, grain boundaries, etc., are referred to as "defects." Due to the defect, a uniform electric field may not be applied to the negative electrode body of the above-described material, so that a part of the plating film (mask 100) may be unevenly formed.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막 및 도금막 패턴[마스크 패턴(P)]의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 현재 QHD 화질의 경우는 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질의 경우는 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. VR 기기에 직접 적용되는 마이크로 디스플레이, 또는 VR 기기에 끼워서 사용되는 마이크로 디스플레이는 약 2,000 PPI 이상급의 초고화질을 목표로 하고 있고, 화소의 크기는 약 5~10㎛ 정도에 이르게 된다. 이에 적용되는 FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수~수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다. 또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.Non-uniformity of the plating film and the plating film pattern (mask pattern P) may adversely affect the formation of the pixel in implementing a UHD-class or higher definition pixel. For example, QHD image quality is 500 ~ 600 pixel per inch (PPI), and the size of pixel is about 30 ~ 50㎛. For 4K UHD and 8K UHD high definition, it is higher than 860 PPI and ~ 1600 PPI. Have the same resolution. The micro display applied directly to the VR device, or the micro display used in the VR device, aims at an ultra high resolution of about 2,000 PPI or more, and the size of the pixel reaches about 5 to 10 μm. The pattern width of the FMM and shadow mask applied to this may be formed in a size of several to several tens of micrometers, preferably smaller than 30 micrometers, so that even a defect having a size of several micrometers occupies a large proportion in the pattern size of the mask. to be. In addition, an additional process for removing metal oxides, impurities, and the like may be performed to remove the defects in the cathode material of the material described above, and another defect such as etching of the anode material may be caused in this process. have.

따라서, 본 발명은 단결정 재질의 모판(또는, 음극체)를 사용할 수 있다. 특히, 단결정 실리콘 재질인 것이 바람직하다. 전도성을 가지도록, 단결정 실리콘 재질의 모판에는 1019/cm3이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 모판의 전체에 수행될 수도 있으며, 모판의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Therefore, in the present invention, a mother plate (or a negative electrode body) of a single crystal material can be used. In particular, it is preferable that it is a single crystal silicon material. In order to have conductivity, a high concentration doping of 10 19 / cm 3 or more may be performed on the single crystal silicon base plate. Doping may be performed on the entirety of the mother plate or only on the surface portion of the mother plate.

한편, 단결정 재질로는, Ti, Cu, Ag 등의 금속, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 등의 반도체, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등의 탄소계 재질, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3, SrTiO3 등을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조 등의 초전도체용 단결정 세라믹, 항공기 부품용 단결정 초내열합금 등이 사용될 수 있다. 금속, 탄소계 재질의 경우는 기본적으로 전도성 재질이다. 반도체 재질의 경우에는, 전도성을 가지도록 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 기타 재질의 경우에는 도핑을 수행하거나 산소 공공(oxygen vacancy) 등을 형성하여 전도성을 형성할 수 있다. 도핑은 모판의 전체에 수행될 수도 있으며, 모판의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.On the other hand, the single crystal material is a metal such as Ti, Cu, Ag, carbon-based materials such as semiconductors such as GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, graphite, graphene , such as CH 3 NH 3 PbCl 3, CH 3 NH 3 PbBr 3, CH3NH 3 PbI 3, SrTiO 3 , etc. page containing the perovskite single crystal ceramic, aircraft single crystal second heat-resistant alloy for components for a superconductor, such as (perovskite) structure Can be used. Metal and carbon-based materials are basically conductive materials. In the case of a semiconductor material, high concentration doping of 1019 or more may be performed to have conductivity. In the case of other materials, conductivity may be formed by performing doping or forming oxygen vacancies. Doping may be performed on the entirety of the mother plate or only on the surface portion of the mother plate.

단결정 재질의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막[마스크(100)]이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막을 통해 제조하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)는 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.Since there is no defect in the case of a single crystal material, there is an advantage that a uniform plating film (mask 100) can be generated due to the formation of a uniform electric field on the entire surface during electroplating. The frame integrated masks 100 and 200 manufactured through the uniform plating layer may further improve the image quality level of the OLED pixel. In addition, since an additional process of removing and eliminating defects does not have to be performed, there is an advantage in that process costs are reduced and productivity is improved.

또한, 실리콘 재질, 또는 산화(Oxidation), 질화(Nitridation)에 의해 표면에 절연막을 형성할 수 있는 단결정 재질이라면, 필요에 따라 모판의 표면을 산화, 질화하는 과정만으로 절연부를 형성할 수 있는 이점이 있다. 절연부는 포토레지스트를 사용하여 형성할 수도 있다. 절연부가 형성된 부분에서는 도금막[마스크(100)]의 전착이 방지되어, 도금막에 패턴[마스크 패턴(P)]을 형성하게 된다.In addition, if the silicon material or a single crystal material capable of forming an insulating film on the surface by oxidation and nitridation, there is an advantage that the insulating portion can be formed only by oxidizing and nitriding the surface of the mother plate as needed. have. The insulating portion may be formed using a photoresist. Electrodeposition of the plating film (mask 100) is prevented in the part in which the insulation part was formed, and a pattern (mask pattern P) is formed in a plating film.

한편, 본 발명의 모판의 재질은 음극체의 결함을 감축하는 범위 내에서라면 반드시 상술한 단결정 재질에 제한되지는 않음을 밝혀둔다.On the other hand, the material of the mother plate of the present invention is not limited to the above-described single crystal material as long as it is within the range for reducing the defect of the negative electrode body.

마스크 패턴(P)의 폭은 40㎛보다 작게 형성될 수 있고, 마스크(100)의 두께는 약 2~50㎛로 형성될 수 있다. 프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다.The width of the mask pattern P may be smaller than 40 μm, and the thickness of the mask 100 may be about 2 to 50 μm. Since the frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR11 to CR56, the mask 100 having mask cells C11 to C56 corresponding to the respective mask cell regions CR11 to CR56. ) Can also be provided in plurality.

마스크(100)는 프레임(200)에 레이저 용접에 의해 접착될 수 있다. 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(WP)에 조사될 수 있다. 용접부(WP)는 레이저(L0의 조사에 의해 용접 비드(WB)를 형성할 수 있는 타겟 영역을 의미할 수 있다. 용접부(WP)는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM) 부분에서 적어도 일부 영역에 해당할 수 있다. 이하에서는 복수의 용접부(WP)가 마스크(100)의 더미(DM) 영역에 일정한 간격을 가지고 배치되고, 용접부(WP)의 형태는 대략 원 형상인 것을 상정하여 설명하지만, 반드시 이에 제한되지는 않음을 밝혀둔다.The mask 100 may be attached to the frame 200 by laser welding. The laser L may be irradiated to the welding portion WP of the mask 100. The welding part WP may mean a target area in which the welding bead WB is formed by irradiation of the laser L0. The welding part WP is at least part of the edge or dummy DM of the mask 100. In the following description, it is assumed that a plurality of welds WP are disposed at regular intervals in the dummy DM region of the mask 100, and the shape of the welds WP is approximately circular. However, it is not necessarily limited thereto.

한편, 본 발명의 마스크(100)는 용접부(WP)의 주위에 주름 방지 패턴(150~170)이 형성된 것을 특징으로 한다. 주름 방지 패턴(150~170)은 용접부(WP)에 레이저(L)가 조사되어 용접 비드(WB)가 형성되는 과정에서 용접부(WP)의 주변이 뒤틀리거나, 수축되는 등으로 변형되는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다[도 14 및 도 15 참조].On the other hand, the mask 100 of the present invention is characterized in that the anti-wrinkle pattern (150 ~ 170) is formed around the weld (WP). The anti-wrinkle patterns 150 to 170 prevent the deformation of the periphery of the welded portion WP from being warped or shrunk during the process in which the laser L is irradiated onto the welded portion WP to form the weld bead WB. It is characterized in that (see Fig. 14 and 15).

주름 방지 패턴(150~170)은 마스크 패턴(P)과 유사하게 마스크(100)의 더미(DM)[또는, 테두리부]에 형성된 홀(hole)과 같고, 마스크 패턴(P)의 형성 과정에서 동일하게 형성될 수 있다. 일 예로, 마스크(100)의 전주도금 과정에서 마스크 패턴(P)과 같이 도금막(110)이 형성되지 않는 부분이거나, 마스크(100)의 전주도금 후에 패턴 형성 공정을 거쳐 형성된 부분일 수 있다.The anti-wrinkle patterns 150 to 170 are similar to the holes formed in the dummy DM (or the edge portion) of the mask 100 similarly to the mask pattern P, and are formed in the process of forming the mask pattern P. The same can be formed. For example, the plating layer 110 may not be formed in the pre-plating process of the mask 100, such as the mask pattern P, or may be a portion formed through the pattern forming process after the pre-plating of the mask 100.

주름 방지 패턴(150~170)은 용접부(WP)에 소정 간격 이격된 주위에 형성되되, 전체적으로 용접부(WP)를 둘러싸도록 배치되거나, 용접부(WP)의 양 측에 배치될 수 있다. 설명의 편의상, 도 8의 (a)에는 주름 방지 패턴(150~170)을 단순한 도형으로 도시하였으나, 다양한 실시예에 따른 구체적인 형상은 도 9 내지 도 12를 통해 후술한다.The anti-wrinkle patterns 150 to 170 may be formed around the weld WP at predetermined intervals, and may be disposed to surround the weld WP as a whole, or may be disposed at both sides of the weld WP. For convenience of description, the anti-wrinkle patterns 150 to 170 are illustrated in a simple figure in FIG. 8A, but specific shapes according to various embodiments will be described later with reference to FIGS. 9 through 12.

다음으로, 도 8의 (b) 및 (c)를 참조하면, 준비한 마스크(100)를 트레이(tray; 50') 상에 부착할 수 있다. 모판 상에서 전착된 마스크(100)를 떼어내어 트레이(50') 상에 부착할 수 있다. 트레이(50')의 일면 상에서 마스크(100)가 구김, 주름없이 평평하게 펼쳐져 부착되도록 정전기력, 자기력, 진공 등을 이용할 수 있다. 트레이(50')는 레이저 광(L)이 투과할 수 있는 글라스 재질일 수 있다.Next, referring to FIGS. 8B and 8C, the prepared mask 100 may be attached onto a tray 50 ′. The electrodeposited mask 100 on the mother plate may be removed and attached on the tray 50 '. On one surface of the tray 50 ′, an electrostatic force, a magnetic force, a vacuum, or the like may be used so that the mask 100 is unfolded and attached flat without wrinkles or wrinkles. The tray 50 ′ may be a glass material through which the laser light L may pass.

도 9 내지 도 12는 본 발명의 여러 실시예에 따른 마스크의 주름 방지 패턴(150~170)을 나타내는 개략도이다. 도 9 내지 도 12는 도 8의 D 부분을 확대한 부분이다. 이해의 편의상 마스크 패턴(P)을 포함하는 마스크 셀(C)을 우측 부분에 도시하였으나, 마스크 패턴(P)과 대비되는 주름 방지 패턴(150~170), 버퍼 패턴(190)의 패턴 크기, 패턴 배치 위치 등은 도 9 내지 도 12의 도시 사항에 한정되는 것이 아님을 밝혀둔다.9 to 12 are schematic views illustrating anti-wrinkle patterns 150 to 170 of masks according to various embodiments of the present disclosure. 9 to 12 are enlarged portions of part D of FIG. 8. Although the mask cell C including the mask pattern P is illustrated on the right side for convenience of understanding, the pattern size and pattern of the anti-wrinkle patterns 150 to 170 and the buffer pattern 190 in contrast to the mask pattern P are shown. Note that the arrangement position and the like are not limited to the illustration of FIGS. 9 to 12.

도 9 내지 도 12를 참조하면, 주름 방지 패턴(150~170)은 용접부(WP)에 소정 간격 이격된 주위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 주름 방지 패턴(150~170)은 용접부(WP)와 동심(同心; WPC)이고, 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 직경(R2, R3)을 가지는 가상의 원(AC)의 원주 상의 영역을 점유할 수 있다. 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 직경을 가지는 원주(R2, R3) 상의 영역을 점유하는 형태는, 원주 상에 단위 주름 방지 패턴이 배치되는 경우, 원주의 일부를 단위 주름 방지 패턴이 그 자체로 포함하는 경우 등으로 구현될 수 있다.9 to 12, the anti-wrinkle patterns 150 to 170 may be formed around the weld WP at predetermined intervals. According to an embodiment, the anti-wrinkle patterns 150 to 170 are concentric with the weld WP and have a virtual circle having diameters R2 and R3 larger than the diameter R1 of the weld WP. It may occupy an area on the circumference of (AC). The form occupying the area on the circumferences R2 and R3 having a diameter larger than the diameter R1 of the weld portion WP is, when the unit wrinkle prevention pattern is disposed on the circumference, the unit wrinkle prevention pattern is It may be implemented by including the case itself.

도 9를 참조하면, 제1 실시예에 따른 주름 방지 패턴(150)은 복수의 단위 주름 방지 패턴(151)을 포함할 수 있다. 마스크(100) 막에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키기 용이하도록, 복수의 단위 주름 방지 패턴(151)은 각진 모서리를 포함하는 형태보다는, 원형, 타원 등의 곡률을 가지는 형태인 것이 바람직하다.9, the anti-wrinkle pattern 150 according to the first embodiment may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns 151. In order to easily disperse stress, tension, and the like applied to the mask 100, the plurality of unit anti-wrinkle patterns 151 may have a curvature such as a circle or an ellipse rather than a shape including angled edges.

복수의 단위 주름 방지 패턴(151)은 상호 간격을 가지고 배치되며, 용접부(WP)와 동심(WPC)이고 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 직경(R2)을 가지는 가상의 원(AC)의 원주 상에 배치될 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(151)은 용접부(WP)의 주위에 1중으로 배치될 수 있지만 2중, 3중으로 배치될 수도 있다.The plurality of unit anti-wrinkle patterns 151 are disposed to be spaced apart from each other, and a virtual circle AC having a diameter R2 larger than the diameter R1 of the weld portion WP and the concentric portion WPC and the weld portion WP. It can be arranged on the circumference of the. The unit anti-wrinkle pattern 151 may be disposed in a single area around the weld portion WP, but may be disposed in a double or triple manner.

주름 방지 패턴(150)에 더하여, 복수의 버퍼 패턴(190)이 더 형성될 수 있다. 버퍼 패턴(190)은 주름 방지 패턴(150)과 마스크 패턴(P) 사이에 상호 간격을 가지고 형성될 수 있다. 버퍼 패턴(190)은 대략 더미(DM) 영역의 내측 테두리를 따라 배치될 수 있다.In addition to the anti-wrinkle pattern 150, a plurality of buffer patterns 190 may be further formed. The buffer pattern 190 may be formed with a mutual gap between the anti-wrinkle pattern 150 and the mask pattern P. FIG. The buffer pattern 190 may be disposed along an inner edge of the dummy DM area.

버퍼 패턴(190)은 용접부(WP)의 주변을 둘러싸는 것은 아니기 때문에, 보다 큰 범위에서 마스크(100) 막에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키는 역할을 한다. 이에 따라, 마스크 패턴(P)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있고, 주름 방지 패턴(150~170)보다도 큰 폭을 가질 수 있다. 버퍼 패턴(190)은 복수의 단위 버퍼 패턴(191, 192)을 포함하며, 단위 버퍼 패턴(191, 192)들도 각진 모서리를 포함하는 형태보다는, 원형, 타원 등의 곡률을 가지는 형태인 것이 바람직하다.Since the buffer pattern 190 does not surround the weld WP, the buffer pattern 190 distributes stress, tension, and the like applied to the mask 100 in a larger range. Accordingly, the width of the mask pattern P may be larger than that of the mask pattern P, and the width of the mask pattern P may be larger than that of the anti-wrinkle patterns 150 to 170. The buffer pattern 190 includes a plurality of unit buffer patterns 191 and 192, and the unit buffer patterns 191 and 192 may also have a curvature such as a circle or an ellipse rather than a shape including an angled corner. Do.

일 실시예에 따르면, 제1 단위 버퍼 패턴(191)들은 한 쌍의 주름 방지 패턴(150)의 중간을 지나는 수평 축 상에 배치될 수 있다. 그리고 제2 단위 버퍼 패턴(192)들은 제1 단위 버퍼 패턴(191)과 동일한 수평 축 상에 배치되고, 한 쌍의 제1 단위 버퍼 패턴(191)의 중간을 지나는 수평 축 상에 더 배치될 수 있다. 그러나, 배치 형태는 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.According to an embodiment, the first unit buffer patterns 191 may be disposed on a horizontal axis passing through the middle of the pair of anti-wrinkle patterns 150. The second unit buffer patterns 192 may be disposed on the same horizontal axis as the first unit buffer pattern 191, and may be further disposed on the horizontal axis passing through the middle of the pair of first unit buffer patterns 191. have. However, the arrangement form is not necessarily limited thereto.

도 10을 참조하면, 제2 실시예에 따른 주름 방지 패턴(160)은 복수의 단위 주름 방지 패턴(161)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, the anti-wrinkle pattern 160 according to the second embodiment may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns 161.

복수의 단위 주름 방지 패턴(161)은 상호 간격을 가지고 배치되며, 용접부(WP)와 동심(WPC)이고 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 직경(R2)을 가지는 가상의 원(AC)의 원주를 적어도 일부(162, 163) 포함하는 형상일 수 있다. 다시 말해, 하나의 단위 주름 방지 패턴(161)은 특정 용접부(WP1)와 동심(WPC)이고 특정 용접부(WP1)보다 큰 직경(R2)을 가지는 원주의 적어도 일부(162)와, 특정 용접부(WP1)에 이웃하는 용접부(WP2)와 동심(WPC)이고 이웃하는 용접부(WP2)보다 큰 직경(R2)을 가지는 원주의 적어도 일부(163)를 포함하는 형상일 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(161)은 원주의 적어도 일부(162, 163)에 더하여, 이들을 연결하는 모서리(164, 165)를 더 포함함에 따라 폐쇄 도형 형상을 가질 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(161)은 용접부(WP)와 일정 간격을 가지는 곡률 일부(162, 163)를 포함하므로, 용접부(WP)에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키기 용이한 이점이 있다.The plurality of unit anti-wrinkle patterns 161 are spaced apart from each other, and a virtual circle AC having a diameter R2 larger than the diameter R1 of the weld portion WP and the concentric portion WPC and the weld portion WP. It may be a shape including at least a portion (162, 163) of the circumference of the. In other words, one unit anti-wrinkle pattern 161 includes at least a portion 162 of the circumference having a diameter R2 concentric with the specific weld WP1 and larger than the specific weld WP1, and the specific weld WP1. It may have a shape including at least a portion 163 of the circumference of the weld portion (WP2) and concentric (WPC) adjacent to the () and having a diameter (R2) larger than the neighboring weld (WP2). The unit anti-wrinkle pattern 161 may have a closed figure shape in addition to at least a portion 162 and 163 of the circumference, and further include edges 164 and 165 connecting them. Since the unit anti-wrinkle pattern 161 includes portions of the curvature 162 and 163 having a predetermined distance from the weld WP, the unit wrinkle prevention pattern 161 may easily disperse the stress, tension, and the like applied to the weld WP.

도 11을 참조하면, 제3 실시예에 따른 주름 방지 패턴(160')은 복수의 단위 주름 방지 패턴(161')을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the anti-wrinkle pattern 160 ′ according to the third embodiment may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns 161 ′.

제3 실시예에 따른 주름 방지 패턴(160')은 제2 실시예에 따른 주름 방지 패턴(160)과 유사하게, 곡률 일부(162, 163)를 포함할 수 있다. 다만, 곡률 일부(162, 163) 및 이들을 연결하는 모서리(164, 165)에 더하여, 상호 대향하며 평행한 변(166)을 더 포함하는 폐쇄 도형 형상일 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(161)은 용접부(WP)와 일정 간격을 가지는 곡률 일부(162, 163)를 포함하므로, 용접부(WP)에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키기 용이한 이점이 있다. The anti-wrinkle pattern 160 ′ according to the third embodiment may include portions of curvature 162 and 163 similar to the anti-wrinkle pattern 160 according to the second embodiment. However, in addition to the curvature portions 162 and 163 and the corners 164 and 165 connecting the curvatures 162 and 163, the closed figure may further include mutually opposite and parallel sides 166. Since the unit anti-wrinkle pattern 161 includes portions of the curvature 162 and 163 having a predetermined distance from the weld WP, the unit wrinkle prevention pattern 161 may easily disperse the stress, tension, and the like applied to the weld WP.

도 12를 참조하면, 제4 실시예에 따른 주름 방지 패턴(170)은 복수의 단위 주름 방지 패턴(171)을 포함할 수 있다.12, the anti-wrinkle pattern 170 according to the fourth embodiment may include a plurality of unit anti-wrinkle patterns 171.

단위 주름 방지 패턴(171)은 용접부(WP)와 동심(WPC)이고 용접부(WP)의 직경(R1)보다 큰 제1 직경(R2)을 가지는 가상의 원주의 적어도 일부(172)와, 제1 직경(R1)보다 큰 제2 직경(R3)을 가지는 가상의 원주의 적어도 일부(173)를 포함하는 형상일 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(171)은 원주의 적어도 일부(172, 173)에 더하여, 이들을 연결하는 모서리(174, 175)를 더 포함함에 따라 폐쇄 도형 형상을 가질 수 있다.The unit anti-wrinkle pattern 171 is at least a portion 172 of a virtual circumference having a first diameter R2 that is concentric with the weld portion WP and is larger than the diameter R1 of the weld portion WP, and the first portion; It may have a shape including at least a portion 173 of an imaginary circumference having a second diameter R3 larger than the diameter R1. The unit anti-wrinkle pattern 171 may have a closed figure shape by further including edges 174 and 175 connecting them in addition to at least portions 172 and 173 of the circumference.

복수의 단위 주름 방지 패턴(171)은 상호 간격을 가지고, 하나의 용접부(WP)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 단위 주름 방지 패턴(171)은 용접부(WP)의 주위에 1중으로 배치될 수 있지만 2중, 3중으로 배치될 수도 있다. 단위 주름 방지 패턴(171)은 용접부(WP)와 일정 간격을 가지는 곡률 일부(172, 173)를 포함하고, 용접부(WP를 둘러싸도록 배치되므로, 용접부(WP)에 가해지는 스트레스, 장력 등을 분산시키기 용이한 이점이 있다.The plurality of unit anti-wrinkle patterns 171 may be spaced apart from each other and may be disposed to surround one weld part WP. The unit anti-wrinkle pattern 171 may be disposed in a single area around the weld portion WP, but may be disposed in a double or triple manner. The unit anti-wrinkle pattern 171 includes portions of curvature 172 and 173 having a predetermined distance from the weld WP, and is disposed to surround the weld WP, thereby distributing stress, tension, and the like applied to the weld WP. There is an advantage that is easy to make.

도 13은 비교예에 따른 마스크(100')의 형태[도 13의 (a)] 및 비교예에 따른 마스크(100')를 트레이(50') 상에 부착한 상태의 평면도[도 13의 (b)]와 측단면도[도 13의 (c)]를 나타낸다. 도 14는 비교예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착한 상태를 나타내는 측단면도[도 14의 (a)] 및 E의 확대 평면도[도 14의 (b)]이다.FIG. 13 is a plan view (FIG. 13A) of the mask 100 'according to the comparative example and a state in which the mask 100' according to the comparative example is attached on the tray 50 '(FIG. b)] and a side cross-sectional view (FIG. 13C). 14 is a side sectional view showing the state in which the mask 100 according to the comparative example is adhered to the cell region CR of the frame 200 (FIG. 14A) and an enlarged plan view of E (FIG. 14B). ]to be.

도 13의 (a)를 참조하면, 도 8에서 상술한 본 발명의 일 실시예의 마스크(100)와 대비되는, 비교예에 따른 마스크(100')는 마스크 셀(C)에 복수의 마스크 패턴(P)을 포함하고, 더미(DM)에는 별도의 패턴이 없는 형상이다. 이어서, 도 13의 (b) 및 (c)를 참조하면, 마스크(100')를 트레이(tray; 50') 상에 부착할 수 있다. 모판 상에서 전착된 마스크(100)를 떼어내어 트레이(50') 상에 부착할 수 있다.Referring to FIG. 13A, the mask 100 ′ according to the comparative example, which is contrasted with the mask 100 of the embodiment of the present invention described above with reference to FIG. 8, has a plurality of mask patterns (or masks) formed in the mask cell (C). It includes P) and the dummy DM has no shape. Subsequently, referring to FIGS. 13B and 13C, the mask 100 ′ may be attached onto a tray 50 ′. The electrodeposited mask 100 on the mother plate may be removed and attached on the tray 50 '.

도 14 의 (a)를 참조하면, 마스크(100)의 테두리의 일부 또는 전부를 프레임(200)[제1 그리드 시트부(223) 또는 제2 그리드 시트부(225)]에 접착할 수 있다. 접착은 용접으로 수행될 수 있고, 바람직하게는 레이저 용접으로 수행될 수 있다. 레이저 용접은 프레임(200)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 마스크(100)와 프레임(200) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다.Referring to FIG. 14A, some or all of the edges of the mask 100 may be adhered to the frame 200 (the first grid sheet portion 223 or the second grid sheet portion 225). The adhesion can be carried out by welding, preferably by laser welding. Laser welding should be performed as close to the edge of the frame 200 as possible to reduce the excitement space between the mask 100 and the frame 200 as much as possible to increase the adhesion.

마스크(100')의 상부에서 레이저(L)를 용접부(WP)에 조사하면 레이저(L)가 용접부(WP) 영역의 마스크(100') 일부를 용융시킬 수 있다. 마스크(100')의 일부가 용융되어 용접 비드(bead; WB)를 형성할 수 있다. 그리고, 용접 비드(WB)가 마스크(100') 및 프레임(200)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다. When the laser L is irradiated to the weld WP from the upper portion of the mask 100 ′, the laser L may melt a portion of the mask 100 ′ in the weld WP region. A portion of the mask 100 ′ may be melted to form a weld bead WB. The welding bead WB may be a medium for integrally connecting the mask 100 ′ and the frame 200.

이때, 용접 비드(WB)가 형성된 부분의 마스크(100')가 용융된 후 응고되는 과정에서 용접 비드(WB) 주변이 수축되는 텐션(T)이 가해질 수 있다. 이러한 수축되는 텐션(T)에 의해 용접 비드(WB) 주변에는 주름, 뒤틀림, 번짐 등과 같은 변형(105')이 발생할 수 있다. 또한, 용접 비드(WB)와 마스크 셀(C) 사이 공간에서의 주름, 뒤틀림 등의 변형(106')이 발생할 수 있다. 결국, 텐션(T)에 의해 변형(105', 106')이 발생하고, 이러한 변형(105', 106')에 의해, 결국 마스크 패턴(P) 및 셀(C)들간의 정렬 상태가 틀어지게 되는 문제가 발생할 수 있다.In this case, a tension T may be applied in which the periphery of the weld bead WB is contracted while the mask 100 ′ of the portion where the weld bead WB is formed is melted and solidified. Due to the contracted tension T, deformation 105 ′ such as wrinkles, distortions, and bleeds may occur around the weld bead WB. In addition, deformation 106 'such as wrinkles, warpage, etc. in the space between the weld bead WB and the mask cell C may occur. As a result, the deformations 105 'and 106' are generated by the tension T, and the deformations 105 'and 106' cause the alignment between the mask pattern P and the cells C to be distorted. Can cause problems.

본 발명의 마스크(100)는 주름 방지 패턴(150~170) 및 버퍼 패턴(190)이 형성됨에 따라 위 문제를 방지할 수 있다.The mask 100 of the present invention may prevent the above problem as the anti-wrinkle patterns 150 to 170 and the buffer pattern 190 are formed.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착한 상태를 나타내는 개략도이다.15 is a schematic diagram illustrating a state in which the mask 100 is adhered to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 15의 (a)를 참조하면, 마스크(100)의 상부에서 레이저(L)를 마스크(100)의 더미(DM)[또는, 테두리 영역]의 용접부(WP)에 조사할 수 있다. 마스크(100)의 일부가 용융되어 용접 비드(bead; WB)를 형성할 수 있다. 그리고, 용접 비드(WB)가 마스크(100) 및 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Referring to FIG. 15A, the laser L may be irradiated onto the weld WP of the dummy DM (or the edge region) of the mask 100 from the upper portion of the mask 100. A portion of the mask 100 may be melted to form a weld bead WB. The welding bead WB may be a medium for integrally connecting the mask 100 and the frame 200 (or the edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225). have.

이때, 용접 비드(WB)가 형성된 부분의 마스크(100)가 용융된 후 응고되는 과정에서 용접 비드(WB) 주변이 수축되는 텐션(T)이 가해질 수 있다. 용접 비드(WB) 주변에 가해지는 수축되는 텐션(T)은 주름 방지 패턴(150~170)들에 각각 분산될 수 있다. 텐션(T)이 복수의 주름 방지 패턴(150~170)에 분산되기 때문에 용접 비드(WB) 주변의 주름, 뒤틀림, 번짐 등과 같은 변형(105')이 없어질 수 있다.In this case, a tension T may be applied in which the periphery of the weld bead WB is contracted while the mask 100 of the portion where the weld bead WB is formed is melted and solidified. The contracted tension T applied around the welding bead WB may be dispersed in the anti-wrinkle patterns 150 to 170, respectively. Since the tension T is distributed in the plurality of anti-wrinkle patterns 150 to 170, deformations 105 ′ such as wrinkles, distortions, and bleeds around the weld bead WB may be eliminated.

또한, 용접 비드(WB)와 마스크 셀(C) 사이 공간에서 가해지는 수축되는 텐션(T)은 버퍼 패턴(190)들에 각각 분산될 수 있다. 텐션(T)이 복수의 버퍼 패턴(190)에 분산되기 때문에 용접 비드(WB)와 마스크 셀(C) 사이 공간의 주름, 뒤틀림 등과 같은 변형(106')이 없어질 수 있다.In addition, the contracted tension T applied in the space between the welding bead WB and the mask cell C may be distributed in the buffer patterns 190, respectively. Since the tension T is distributed in the plurality of buffer patterns 190, the deformation 106 ′ such as wrinkles, warpage, etc. of the space between the welding bead WB and the mask cell C may be eliminated.

위와 같이, 복수의 주름 방지 패턴(150~170) 및 버퍼 패턴(190)에 의해 변형(105', 106')이 없어지거나, 마스크 패턴(P)의 정렬에 거의 영향이 없는 수준에서만 변형되므로, 마스크(100)를 프레임(200)에 접착하는 과정에서 마스크 패턴(P) 및 셀(C)들간의 정렬 상태를 유지할 수 있게 된다.As described above, since the deformations 105 'and 106' are eliminated by the plurality of anti-wrinkle patterns 150 to 170 and the buffer pattern 190, or are deformed only at a level at which the alignment of the mask pattern P is hardly affected. In the process of adhering the mask 100 to the frame 200, the alignment state between the mask pattern P and the cells C may be maintained.

도 16은 비교예에 따른 트레이(50')를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100')를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응시키는 상태의 평면도[도 16의 (a)] 및 측단면도[도 16의 (b)]를 나타낸다. 도 17은 비교예에 따른 트레이(50')를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100')를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착하는 과정 및 마스크(100)와 트레이(50')의 계면 상태를 나타내는 측단면도 및 부분 확대 측단면도를 나타낸다.16 is a plan view of a state in which the tray 50 'according to the comparative example is loaded on the frame 200 so that the mask 100' corresponds to the cell region CR of the frame 200 (FIG. 16A). ] And a side cross-sectional view (FIG. 16B). 17 shows a process of bonding the mask 100 'to the cell region CR of the frame 200 by loading the tray 50' on the frame 200 according to the comparative example, and the mask 100 and the tray 50. A side cross-sectional view and a partially enlarged side cross-sectional view showing an interface state of ') are shown.

도 16의 (a) 및 (b)를 참조하면, 마스크(100')를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 마스크(100')가 상부에 부착된 트레이(50')를 뒤집고, 트레이(50')를 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100')를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 트레이(50')가 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩되면, 마스크(100')는 트레이(50')와 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 사이에 배치되면서, 트레이(50')에 의해 압착될 수 있다Referring to FIGS. 16A and 16B, the mask 100 ′ may correspond to one mask cell region CR of the frame 200. Reversing the tray 50 'with the mask 100' attached thereon and loading the tray 50 'onto the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220) is performed. It may correspond to the mask cell region CR. When the tray 50 'is loaded on the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220), the mask 100' is formed by the tray 50 'and the frame 200 (or the mask cell sheet portion ( 220), which may be compressed by the tray 50 '.

도 17을 참조하면, 마스크(100')에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접에 의해 마스크(100')를 프레임(200)에 접착할 수 있다. 레이저 용접된 마스크의 용접부(WP)에는 용접 비드(WB)가 생성되고, 용접 비드(WB)는 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 17, the mask 100 ′ may be irradiated with the laser L to bond the mask 100 ′ to the frame 200 by laser welding. The welding bead WB is generated in the welding portion WP of the laser welded mask, and the welding bead WB may be integrally connected with the same material as that of the mask 100 / frame 200.

한편, 트레이(50')에 의해 마스크(100')를 압착하는 것 외에도, 마스크(100)와 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]이 더욱 긴밀하게 맞닿도록, 트레이(50')의 상부에서 압착체(M)에 압착을 더 할 수 있다. 압착체(M)의 무게에 의한 하중 외에도 압착체(M)를 누르는 수단을 더 구비할 수 있다. 압착체(M)에는 레이저(L)가 통과하는 투과공(MH)이 형성될 수 있고, 레이저(L)는 투과공(MH)을 지난 후 투명한 트레이(50')를 통과하여 마스크(100)의 용접부(용접을 수행할 영역)에 조사될 수 있다.On the other hand, in addition to pressing the mask 100 'by the tray 50', the mask 100 and the frame 200 (or the edge sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223 and 225). ) Can be pressed against the pressing body M at the upper part of the tray 50 'so as to be in close contact with each other. In addition to the load by the weight of the press body (M) may further comprise a means for pressing the press body (M). A through hole (MH) through which the laser (L) passes may be formed in the compressed body (M), and the laser (L) passes through the transparent tray (50 ') after passing through the through hole (MH) and the mask (100). Can be irradiated to the weld portion (area to be welded).

하지만, 위와 같은 트레이(50') 및 압착체(M)의 하중에도 불구하고, 트레이(50')와 마스크(100)의 계면 상에는 미세한 에어갭(air gap; AG)이 존재할 수 있다. 글라스 재질의 트레이(50')는 표면 조도(Ra)가 약 20~30㎛이기 때문에 마이크로미터 스케일에서 트레이(50')의 표면을 살펴보면 미세한 굴곡이 있기 마련이다. 이에 따라, 마스크(100')를 압착해도 트레이(50')와 마스크(100')가 긴밀히 맞닿지 않는 부분이 있을 수 있고, 이 부분에서는 압착 하중이 잘 전달되지 않아 마스크(100')와 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]도 긴밀히 맞닿지 않게 될 수 있다.However, in spite of the load of the tray 50 'and the pressing body M as described above, a fine air gap AG may exist on the interface between the tray 50' and the mask 100. Since the glass 50 'of the glass tray 50 has a surface roughness Ra of about 20 to 30 μm, when the surface of the tray 50' is examined at a micrometer scale, there is a slight curvature. Accordingly, even when the mask 100 'is pressed, there may be a portion where the tray 50' and the mask 100 'are not in close contact with each other, and the compressive load is not transmitted well at this portion, so that the mask 100' and the frame are not. The 200 (or the edge sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223 and 225) may also be in intimate contact.

트레이(50')와 마스크(100')가 에어갭(AG)이 없이 긴밀히 맞닿는 부분에서는, 레이저(L1) 조사에 의해 마스크(100')와 프레임(200) 사이에서 용접 비드(WB)가 잘 생성되고, 마스크(100')와 프레임(200)을 일체로 연결하여, 결과적으로 용접이 잘 수행될 수 있다. 하지만, 트레이(50')와 마스크(100) 사이에 에어갭(AG)이 존재하여 긴밀히 맞닿지 않는 부분에서는, 레이저(L2) 조사에 의해 마스크(100)와 프레임(200) 사이에서 용접 비드(WB)가 잘 생성되지 않게 되고, 결과적으로 용접이 잘 수행되지 않는 문제점이 나타난다.In the part where the tray 50 'and the mask 100' are in close contact with each other without the air gap AG, the weld bead WB is well formed between the mask 100 'and the frame 200 by the laser L1 irradiation. Generated, the mask 100 'and the frame 200 are integrally connected, so that welding can be performed well. However, in the part where the air gap AG exists between the tray 50 'and the mask 100 and does not come in close contact with each other, the welding bead between the mask 100 and the frame 200 is irradiated by the laser L2. WB) is not generated well, and as a result, welding is not performed well.

따라서, 본 발명은 마스크(100)와 에어갭(AG) 없이 긴밀히 맞닿을 수 있는 트레이(50)를 제공하는 것을 특징으로 한다.Accordingly, the present invention is characterized by providing a tray 50 that can be in close contact with the mask 100 without an air gap AG.

도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이(50)를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착하는 과정 및 마스크(100)와 트레이(50)의 계면 상태의 측단면도 및 부분 확대 측단면도를 나타낸다. 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이(50)를 나타내는 평면도[도 19의 (a)] 및 배면도[도 19의 (b)]이다. 도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이(50)를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.18 shows a process of bonding the mask 100 to the cell region CR of the frame 200 by loading the tray 50 on the frame 200 according to an embodiment of the present invention, and the mask 100 and the tray. A side cross-sectional view and a partially enlarged side cross-sectional view of the interface state of (50) are shown. FIG. 19 is a plan view (FIG. 19A) and a rear view (FIG. 19B) showing a tray 50 according to an embodiment of the present invention. 20 is a schematic diagram illustrating a state in which the tray 100 is loaded on the frame 200 and the mask 100 corresponds to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 18 및 도 19를 참조하면, 트레이(tray; 50) 상에 마스크(100)가 부착될 수 있다. 모판 상에서 전착된 마스크(100)를 떼어내어 트레이(50) 상에 부착할 수 있다. 트레이(50)는 마스크(100)를 평평하게 부착할 수 있도록, 평판 형상인 것이 바람직하다. 마스크(100)가 전체적으로 평평하게 부착될 수 있도록 트레이(50)의 크기는 마스크(100)보다 큰 평판 형상일 수 있다.18 and 19, a mask 100 may be attached to a tray 50. The electrodeposited mask 100 may be detached from the mother plate and attached to the tray 50. The tray 50 is preferably flat in shape so that the mask 100 can be attached flat. The tray 50 may have a flat plate shape larger than that of the mask 100 so that the mask 100 may be flatly attached to the entire surface.

트레이(50)의 일면 상에서 마스크(100)가 구김, 주름없이 평평하게 펼쳐져 부착되도록 정전기력, 자기력, 진공 등을 이용할 수 있다. 정전기력을 이용하는 방법은 대전체를 트레이(50) 일면에 문질러서 정전기를 유도하는 방법이다. 또한, 정전기력을 이용하는 방법은 트레이(50)의 상부면 또는 하부면 상에 배치한 투명전극에 전압을 인가하고, 마스크(100)에도 전압을 인가하면 정전기가 유도되어 마스크(100)가 평평하게 펼쳐지면서 소정의 부착력을 가지고 트레이(50)의 일면에 부착되는 방법이다. 자기력을 이용하는 방법은 마스크(100)가 배치된 트레이(50) 면의 반대면에서 복수의 자석을 이용하여 자기력으로 마스크(100)를 잡아 이동하면서 펼치는 방법이다. 진공을 이용하는 방법은 트레이(50)에 배치된 마스크(100)의 일단에서 타단까지 진공 장치를 이용하여 마스크(100)를 잡아 이동하면서 펼치는 방법이다.An electrostatic force, magnetic force, vacuum, or the like may be used so that the mask 100 may be unfolded and attached flat without wrinkles or wrinkles on one surface of the tray 50. The method of using the electrostatic force is a method of inducing static electricity by rubbing the whole surface of the tray 50. In addition, in the method using the electrostatic force, a voltage is applied to the transparent electrode disposed on the upper or lower surface of the tray 50, and when a voltage is applied to the mask 100, the static electricity is induced to spread the mask 100 flat. It is a method of attaching to one surface of the tray 50 while having a predetermined adhesive force. The magnetic force is a method of unfolding while grasping and moving the mask 100 by magnetic force using a plurality of magnets on the opposite side of the tray 50 on which the mask 100 is disposed. The method of using the vacuum is a method of unfolding while grasping and moving the mask 100 using a vacuum device from one end to the other end of the mask 100 disposed on the tray 50.

특히, 본 발명의 트레이(50)는 마스크(100)와의 계면 사이에서 에어갭(AG)이 발생하지 않도록, 마스크(100)와 접촉하는 일면이 경면인 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 트레이(50)의 일면의 표면 조도(Ra)가 100nm 이하일 수 있다. 도 17에서 상술한 일반적인 글라스 재질의 트레이(50')는 표면 조도(Ra)가 약 20~30㎛이기 때문에, 에어갭(AG)의 존재가 ㎛ 스케일인 마스크 패턴(P)의 정렬 오차에 영향을 줄 정도이다. 하지만, 본 발명의 트레이(50)는 표면 조도(Ra)가 nm 스케일이기 때문에 에어갭(AG)이 없거나, 거의 없는 수준으로 마스크 패턴(P)의 정렬 오차에 영향을 주지 않게 된다.In particular, the tray 50 of the present invention is characterized in that one surface in contact with the mask 100 is specular so that no air gap AG is generated between the interface with the mask 100. Specifically, the surface roughness Ra of one surface of the tray 50 may be 100 nm or less. Since the surface roughness Ra of the general glass tray 50 ′ described above with reference to FIG. 17 is about 20 to 30 μm, the presence of the air gap AG affects the alignment error of the mask pattern P having a μm scale. It is enough to give. However, the tray 50 of the present invention does not affect the alignment error of the mask pattern P to a level where the surface roughness Ra is nm scale and there is no or little air gap AG.

표면 조도(Ra)가 100nm 이하인 트레이(50)를 구현하기 위해, 트레이(50)는 웨이퍼(wafer)를 사용할 수 있다. 웨이퍼(wafer)는 표면 조도(Ra)가 약 10nm 정도이고, 시중의 제품이 많고 표면처리 공정들이 많이 알려져 있으므로, 트레이(50)로 사용하기 적절하다. 이 외에도, 표면을 미세 경면 가공하여 표면 조도(Ra)가 100nm 이하를 만족할 수 있다면, 트레이(50)는 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al2O3) 등의 재질을 사용할 수도 있다. 이하에서는 웨이퍼를 트레이(50)로 사용하는 것을 상정하여 설명한다.In order to implement the tray 50 having the surface roughness Ra of 100 nm or less, the tray 50 may use a wafer. Since the wafer has a surface roughness Ra of about 10 nm, many products on the market, and many surface treatment processes are known, the wafer is suitable for use as the tray 50. In addition, if the surface roughness (Ra) can satisfy the surface roughness (Ra) of 100nm or less, the tray 50 is made of glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al 2 O 3 ) may be used. The following description assumes the use of the wafer as the tray 50.

도 18의 확대 부분을 참조하면, 표면 조도(Ra)가 50nm 이하인 트레이(50)와 마스크(100)의 계면 사이에는 에어갭(AG) 없이 긴밀하게 접촉된 것을 확인할 수 있다. 마스크(100)의 용접부(WP)에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접을 수행할 수 있다.Referring to the enlarged portion of FIG. 18, it can be seen that the surface roughness Ra is in intimate contact between the tray 50 having the 50 nm or less and the interface of the mask 100 without the air gap AG. Laser welding may be performed by irradiating the laser L on the welding portion WP of the mask 100.

한편, 웨이퍼 재질의 트레이(50)는 레이저(L) 광에 불투명할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 트레이(50)는, 트레이(50)의 상부에서 조사하는 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(WP)에까지 도달할 수 있도록, 트레이(50)에는 레이저 통과공(51)이 형성되는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the tray 50 of the wafer material may be opaque to the laser (L) light. As a result, the tray 50 of the present invention has a laser passing hole in the tray 50 so that the laser L irradiated from the upper portion of the tray 50 can reach the welded portion WP of the mask 100. 51) is formed.

도 19의 (a), (b)를 참조하면, 레이저 통과공(51)은 용접부(WP)의 위치 및 개수에 대응하도록 트레이(50)에 형성될 수 있다. 용접부(WP)는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM) 부분에서 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 이에 대응하도록 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다. 일 예로, 용접부(WP)는 마스크(100)의 양측(좌측/우측) 더미(DM) 부분에 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 트레이(50)이 양측(좌측/우측)에 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다.  Referring to (a) and (b) of FIG. 19, the laser through hole 51 may be formed in the tray 50 to correspond to the position and the number of welds WP. Since a plurality of welding portions WP are disposed along a predetermined interval at edges or dummy DM portions of the mask 100, a plurality of laser passing holes 51 may also be formed along the predetermined interval to correspond thereto. For example, since a plurality of welding portions WP are disposed at both sides (left / right) dummy DM portions of the mask 100 at predetermined intervals, the laser passing holes 51 also have trays 50 on both sides (left / left). The right side may be formed in plural along a predetermined interval.

레이저 통과공(51)은 반드시 용접부의 위치 및 개수에 대응될 필요는 없다. 예를 들어, 레이저 통과공(51) 중 일부에 대해서만 레이저(L)를 조사하여 용접을 수행할 수도 있다. 또한, 용접부에 대응되지 않는 레이저 통과공(51) 중 일부는 마스크(100)와 트레이(50)을 정렬할 때 얼라인 마크를 대신하여 사용할 수도 있다. 만약, 트레이(50)의 재질이 레이저(L) 광에 투명하다면 레이저 통과공(51)을 형성하지 않을 수도 있다.The laser through hole 51 does not necessarily correspond to the position and the number of welds. For example, welding may be performed by irradiating the laser L only to a part of the laser passing holes 51. In addition, some of the laser through holes 51 which do not correspond to the welding part may be used in place of the alignment mark when the mask 100 and the tray 50 are aligned. If the material of the tray 50 is transparent to the laser light, the laser through hole 51 may not be formed.

마스크(100)와 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]이 더욱 긴밀하게 맞닿도록, 트레이(50) 상에는 압착체(M)가 압착을 더 할 수 있다. 압착체(M)의 무게에 의한 하중 외에도 압착체(M)를 누르는 수단을 더 구비할 수 있다. 압착체(M)에는 레이저(L)가 통과하는 투과공(MH)이 형성될 수 있고, 투과공(MH)의 형성 영역은 트레이(50)의 레이저 통과공(51)의 형성 영역과 중첩될 수 있다. 레이저(L)는 투과공(MH)을 지난 후 트레이(50)의 레이저 통과공(51)을 통과하여 마스크(100)의 용접부(WP)에 조사될 수 있다. 레이저 용접은 프레임(200)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 마스크(100)와 프레임(200) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다.The pressing body M is placed on the tray 50 so that the mask 100 and the frame 200 (or the edge sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223 and 225) come into close contact with each other. You can add more compression. In addition to the load by the weight of the press body (M) may further comprise a means for pressing the press body (M). A through hole MH through which the laser L passes may be formed in the compressed body M, and a region where the through hole MH is formed may overlap with a region where the laser through hole 51 of the tray 50 is formed. Can be. The laser L may pass through the laser through hole 51 of the tray 50 after passing through the through hole MH, and may be irradiated to the weld WP of the mask 100. Laser welding should be performed as close to the edge of the frame 200 as possible to reduce the excitement space between the mask 100 and the frame 200 as much as possible to increase the adhesion.

트레이(50)와 마스크(100)가 에어갭(AG)이 없이 긴밀히 맞닿을 수 있고, 상부 압착체(M)와 트레이(50) 자체의 하중에 의한 압착이 더해져서 트레이(50)와 마스크(100), 마스크(100)와 프레임(200)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]이 더욱 긴밀히 맞닿을 수 있다. 이에 따라, 레이저(L) 조사에 의해 마스크(100)와 프레임(200) 사이에서 용접 비드(WB)가 잘 생성될 수 있다. 용접 비드(WB)는 마스크(100)의 일부가 용융된 부분으로 볼 수 있고, 스팟(spot) 또는 라인(line)의 형상을 가지며, 마스크(100)와 프레임(200)을 일체로 연결하도록 매개하여, 결과적으로 용접이 잘 수행될 수 있다.The tray 50 and the mask 100 can be brought into close contact with each other without the air gap AG, and the pressing process by the load of the upper pressing body M and the tray 50 itself is added to the tray 50 and the mask ( 100, the mask 100 and the frame 200 (or the edge sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223 and 225) may be in close contact with each other. Accordingly, the welding bead WB may be well generated between the mask 100 and the frame 200 by the laser L irradiation. The welding bead WB may be viewed as a part in which a part of the mask 100 is molten, has a spot or line shape, and is used to integrally connect the mask 100 and the frame 200. As a result, welding can be performed well.

다음으로, 도 20의 (a) 및 (b)를 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 마스크(100)가 상부에 부착된 트레이(50)를 뒤집고, 트레이(50)를 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 트레이(50)의 위치를 제어하면서, 현미경을 통해 마스크(100)가 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는지 살펴볼 수 있다. 트레이(50)가 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩되면, 마스크(100)는 트레이(50)와 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 사이에 배치되면서, 트레이(50)에 의해 압착될 수 있다.Next, referring to FIGS. 20A and 20B, the mask 100 may correspond to one mask cell region CR of the frame 200. The mask 100 is turned over by turning the tray 50 with the mask 100 attached thereon and loading the tray 50 onto the frame 200 (or the mask cell sheet part 220). CR). While controlling the position of the tray 50, the microscope 100 may check whether the mask 100 corresponds to the mask cell region CR. When the tray 50 is loaded on the frame 200 (or the mask cell sheet part 220), the mask 100 is the tray 50 and the frame 200 (or the mask cell sheet part 220). While being disposed therebetween, it may be compressed by the tray 50.

한편, 하부 지지체(70)를 프레임(200) 하부에 더 배치할 수도 있다. 하부 지지체(70)는 프레임 테두리부(210)의 중공 영역(R) 내에 들어갈 정도의 크기를 가지고 평판 형상일 수 있다. 또한, 하부 지지체(70)의 상부면에는 마스크 셀 시트부(220)의 형상에 대응하는 소정의 지지홈(미도시)이 형성될 수도 있다. 이 경우 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 지지홈에 끼워지게 되어, 마스크 셀 시트부(220)가 더욱 잘 고정될 수 있다.Meanwhile, the lower supporter 70 may be further disposed below the frame 200. The lower supporter 70 may have a size enough to fit into the hollow region R of the frame rim 210 and may have a flat plate shape. In addition, a predetermined support groove (not shown) corresponding to the shape of the mask cell sheet part 220 may be formed on the upper surface of the lower supporter 70. In this case, the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 are fitted into the support groove, so that the mask cell sheet part 220 may be more securely fixed.

하부 지지체(70)는 마스크(100)가 접촉하는 마스크 셀 영역(CR)의 반대면을 압착할 수 있다. 즉, 하부 지지체(70)는 마스크 셀 시트부(220)를 상부 방향으로 지지하여 마스크(100)의 접착과정에서 마스크 셀 시트부(220)가 하부 방향으로 처지는 것을 방지할 수 있다. 이와 동시에, 하부 지지체(70)와 트레이(50)가 상호 반대되는 방향으로 마스크(100)의 테두리 및 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]를 압착하게 되므로, 마스크(100)의 정렬 상태가 흐트러지지 않고 유지될 수 있게 된다.The lower supporter 70 may compress the opposite surface of the mask cell region CR that the mask 100 contacts. That is, the lower supporter 70 may support the mask cell sheet part 220 in the upper direction to prevent the mask cell sheet part 220 from sagging in the lower direction during the bonding process of the mask 100. At the same time, the edge of the mask 100 and the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) are pressed in a direction in which the lower support 70 and the tray 50 are opposite to each other, so that the mask 100 is pressed. The alignment state of the can be maintained without being disturbed.

본 발명은 트레이(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 트레이(50)를 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, the mask 100 is attached to the mask cell region CR of the frame 200 by simply attaching the mask 100 to the tray 50 and loading the tray 50 onto the frame 200. Since the process is completed, no tensile force is applied to the mask 100 in this process.

프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 접착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 접착을 수행해야 한다. 그리하여, 마스크(100)에 가해진 인장력이 반대로 프레임(200)에 장력(tension)으로 작용하여 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]을 변형시키는 것을 방지할 수 있게 된다.Since the mask cell sheet portion 220 of the frame 200 has a thin thickness, when the mask cell sheet portion 220 is bonded to the mask cell sheet portion 220 while the tensile force is applied to the mask 100, the tensile force remaining in the mask 100 is masked. The cell sheet 220 and the mask cell region CR may act on the cell sheet 220 and may be modified. Therefore, the mask 100 should be adhered to the mask cell sheet part 220 without applying a tensile force to the mask 100. Thus, it is possible to prevent the tensile force applied to the mask 100 from acting as a tension on the frame 200 to deform the frame 200 (or the mask cell sheet part 220).

다만, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않고 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 접착시켜 프레임 일체형 마스크를 제조하고, 이 프레임 일체형 마스크를 화소 증착 공정에 사용할 때 한가지 문제가 발생할 수 있다. 약 25~45℃ 정도에서 수행되는 화소 증착 공정에서 마스크(100)가 소정 길이만큼 열팽창 하는 것이다. 인바 재질의 마스크(100)라고 하더라도, 화소 증착 공정 분위기를 형성하기 위한 10℃ 정도의 온도 상승에 따라 약 1~3 ppm 만큼의 길이가 변할 수 있다. 예를 들어, 마스크(100)의 총 길이가 500 mm 경우, 약 5~15㎛만큼의 길이가 늘어날 수 있다. 그러면, 마스크(100)가 자중에 의해 쳐지거나, 프레임(200)에서 고정된 상태에서 늘어나 뒤틀리는 등의 변형을 일으키면서 패턴(P)들의 정렬 오차가 커지는 문제점이 발생하게 된다.However, there is one problem when the frame integrated mask is manufactured by adhering to the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) without applying a tensile force to the mask 100, and using the frame integrated mask in a pixel deposition process. May occur. In the pixel deposition process performed at about 25-45 ° C., the mask 100 thermally expands by a predetermined length. Even in the mask 100 made of Invar, a length of about 1 to 3 ppm may be changed according to a temperature rise of about 10 ° C. for forming a pixel deposition process atmosphere. For example, when the total length of the mask 100 is 500 mm, a length of about 5 to 15 μm may be increased. Then, a problem arises in that the alignment error of the patterns P becomes large while causing deformation such as the mask 100 is struck by its own weight or stretched and twisted while being fixed in the frame 200.

따라서, 본 발명은 상온이 아닌 이보다 높은 온도 상에서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로, 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고 접착할 수 있다. 본 명세서에서는 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에 마스크(100)를 프레임(200)에 대응하고 접착한다고 표현한다.Accordingly, the present invention may correspond to and adhere to the mask cell region CR of the frame 200 without applying a tensile force to the mask 100 at a temperature higher than the normal temperature. In the present specification, after the temperature of the process region is raised to the first temperature (ET), the mask 100 is expressed to correspond to and adhere to the frame 200.

"공정 영역"이라 함은 마스크(100), 프레임(200) 등의 구성 요소들이 위치하고, 마스크(100)의 접착 공정 등이 수행되는 공간을 의미할 수 있다. 공정 영역은 폐쇄된 챔버 내에 공간일 수도 있고, 개방된 공간일 수도 있다. 또한, "제1 온도"라 함은 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 공정에 사용할 때, 화소 증착 공정 온도보다는 높거나 같은 온도를 의미할 수 있다. 화소 증착 공정 온도가 약 25~45℃인 것을 고려하면, 제1 온도는 약 25℃ 내지 60℃일 수 있다. 공정 영역의 온도 상승은, 챔버에 가열 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 가열 수단을 설치하는 방법 등으로 수행할 수 있다.The “process area” may refer to a space in which components such as the mask 100 and the frame 200 are located and an adhesion process of the mask 100 is performed. The process region may be a space in a closed chamber or may be an open space. In addition, “first temperature” may mean a temperature that is higher than or equal to the pixel deposition process temperature when the frame integrated mask is used in the OLED pixel deposition process. Considering that the pixel deposition process temperature is about 25 ° C to 45 ° C, the first temperature may be about 25 ° C to 60 ° C. The temperature rise in the process region may be performed by providing a heating means in the chamber, or installing a heating means around the process region.

다시, 도 13을 참조하면, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응한 후에, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수 있다. 또는, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수도 있다. 도면에는 하나의 마스크(100)만을 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킨 것이 도시되어 있지만, 마스크 셀 영역(CR)마다 마스크(100)들을 대응시킨 후에 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수도 있다.Referring back to FIG. 13, after the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, the temperature of the process region including the frame 200 may be raised to the first temperature (ET). Alternatively, after the temperature ET of the process region including the frame 200 is raised to the first temperature, the mask 100 may correspond to the mask cell region CR. Although only one mask 100 corresponds to one mask cell region CR in the drawing, the temperature of the process region is increased to the first temperature after the masks 100 correspond to each mask cell region CR. (ET).

종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀(C1~C6, ...)들을 포함하는 마스크(10)의 길이가 1m이고, 1m 전체에서 10㎛의 PPA 오차가 발생한다고 가정하면, 본 발명의 마스크(100)는 상대적인 길이의 감축[셀(C) 개수 감축에 대응]에 따라 위 오차 범위를 1/n 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 마스크(100)의 길이가 100mm라면, 종래 마스크(10)의 1m에서 1/10로 감축된 길이를 가지므로, 100mm 길이의 전체에서 1㎛의 PPA 오차가 발생하게 되며, 정렬 오차가 현저히 감소하게 되는 효과가 있다.Since the mask 10 of FIG. 1 includes six cells C1 to C6, the mask 10 has a long length, whereas the mask 100 of the present invention has a short length including one cell C. The degree of distortion of the pixel position accuracy (PPA) can be reduced. For example, assuming that the length of the mask 10 including the plurality of cells C1 to C6, ... is 1 m, and a PPA error of 10 µm occurs in the entire 1 m, the mask 100 of the present invention May reduce the above error range by 1 / n according to the reduction of the relative length (corresponding to the reduction of the number of cells C). For example, if the length of the mask 100 of the present invention is 100mm, it has a length reduced to 1/10 at 1m of the conventional mask 10, the PPA error of 1㎛ occurs in the entire 100mm length As a result, the alignment error is significantly reduced.

한편, 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고, 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응하여도 정렬 오차가 최소화되는 범위 내에서라면, 마스크(100)는 프레임(200)의 복수의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 또는, 복수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)가 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 이 경우에도, 정렬에 따른 공정 시간과 생산성을 고려하여, 마스크(100)는 가급적 적은 수의 셀(C)을 구비하는 것이 바람직하다.On the other hand, if the mask 100 is provided with a plurality of cells (C), each cell (C) corresponding to each cell region (CR) of the frame 200 within the range that the alignment error is minimized, The mask 100 may correspond to the plurality of mask cell regions CR of the frame 200. Alternatively, the mask 100 having the plurality of cells C may correspond to one mask cell region CR. Also in this case, in consideration of the process time and productivity according to the alignment, the mask 100 preferably has as few cells C as possible.

본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 2 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.In the case of the present invention, since only one cell C of the mask 100 needs to be corresponded and the alignment state is confirmed, the plurality of cells C: C1 to C6 must be simultaneously associated and the alignment state must be confirmed. In comparison with the conventional method (see Fig. 2), the production time can be significantly reduced.

즉, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 6개의 마스크(100)에 포함되는 각각의 셀(C11~C16)을 각각 하나의 셀 영역(CR11~CR16)에 대응시키고 각각 정렬 상태를 확인하는 6번의 과정을 통해, 6개의 셀(C1~C6)을 동시에 대응시키고 6개 셀(C1~C6)의 정렬 상태를 동시에 모두 확인해야 하는 종래의 방법보다 훨씬 시간이 단축될 수 있다.That is, according to the method of manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, each cell C11 to C16 included in the six masks 100 corresponds to one cell region CR11 to CR16 and checks the alignment state. Through the process, the time can be much shorter than the conventional method of simultaneously matching six cells C1 to C6 and confirming the alignment of all six cells C1 to C6 at the same time.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 30개의 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 30개의 마스크(100)를 각각 대응시키고 정렬하는 30번의 과정에서의 제품 수득률이, 6개의 셀(C1~C6)을 각각 포함하는 5개의 마스크(10)[도 2의 (a) 참조]를 프레임(20)에 대응시키고 정렬하는 5번의 과정에서의 종래의 제품 수득률보다 훨씬 높게 나타날 수 있다. 한번에 6개씩의 셀(C)이 대응하는 영역에 6개의 셀(C1~C6)을 정렬하는 종래의 방법이 훨씬 번거롭고 어려운 작업이므로 제품 수율이 낮게 나타나는 것이다.In addition, in the method of manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, the product yield in 30 processes of matching and aligning 30 masks 100 with 30 cell areas CR: CR11 to CR56 respectively is 6 cells (C1). 5 masks 10 (see FIG. 2A), each comprising ˜C6), may appear much higher than the conventional product yield in 5 steps of matching and aligning the frame 20. Since the conventional method of aligning six cells C1 to C6 in a region corresponding to six cells C at a time is a much more cumbersome and difficult task, product yield is low.

한편, 마스크(100)를 프레임(200)에 대응한 후, 프레임(200)에 소정의 접착제를 개재하여 마스크(100)를 임시로 고정할 수도 있다. 이후에, 마스크(100)의 접착 단계를 진행할 수 있다.Meanwhile, after the mask 100 corresponds to the frame 200, the mask 100 may be temporarily fixed to the frame 200 through a predetermined adhesive. Thereafter, the bonding step of the mask 100 may be performed.

도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 순차적으로 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 접착하는 과정을 나타내는 평면도[도 21의 (a)] 및 측단면도[도 21의 (b)] 이다.FIG. 21 is a plan view (FIG. 21A) and a side cross-sectional view (FIG. 21 (A)] illustrating a process of bonding the mask 100 according to an embodiment of the present invention to the cell regions CR11 to CR56 sequentially. b)].

도 21을 참조하면, 마스크 셀 영역(CR11)에 마스크(100)를 대응하여 접착한 후, 이에 이웃하는 마스크 셀 영역(CR12)에 마스크(100)를 대응하여 접착할 수 있다. 도 21에는 2개의 마스크(100)만 접착한 것이 도시되어 있으나, 모든 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응하여 접착할 수 있다.Referring to FIG. 21, the mask 100 may be adhered to the mask cell region CR11 correspondingly, and then the mask 100 may be adhered to the mask cell region CR12 adjacent thereto. Although only two masks 100 are bonded to each other in FIG. 21, the masks 100 may be correspondingly attached to all mask cell regions CR.

제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 상면에 두 개의 이웃하는 마스크(100)의 일 테두리가 각각 접착[용접 비드(WB) 형성]된 형태가 나타난다. 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 폭, 두께는 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있고, 제품 생산성 향상을 위해, 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]와 마스크(100)의 테두리가 겹치는 폭을 약 0.1~2.5mm 정도로 최대한 감축시킬 필요가 있다.On the upper surface of the first grid sheet portion 223 (or the second grid sheet portion 225), one edge of two neighboring masks 100 is adhered to each other (forming a welding bead WB). The width and thickness of the first grid sheet portion 223 (or the second grid sheet portion 225) may be formed to about 1 to 5 mm, and to improve product productivity, the first grid sheet portion 223 [ Alternatively, it is necessary to reduce the width where the edges of the second grid sheet portion 225 and the mask 100 overlap with each other by about 0.1 to 2.5 mm.

마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220) 상에 용접(LW)을 수행하므로, 마스크 셀 시트부(220)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]에는 장력이 가해지지 않는다.Since welding LW is performed on the mask cell sheet portion 220 without applying a tensile force to the mask 100, the mask cell sheet portion 220 (or the edge sheet portion 221, the first and second grid sheets) is applied. (223, 225) is not applied to the tension.

하나의 마스크(100)를 프레임(200)에 접착한 후, 나머지 마스크(100)들을 나머지 마스크 셀(C)에 순차적으로 대응시키고, 프레임(200)에 접착하는 과정을 반복할 수 있다. 이미 프레임(200)에 접착된 마스크(100)가 기준 위치를 제시할 수 있으므로, 나머지 마스크(100)들을 셀 영역(CR)에 순차적으로 대응시키고 정렬 상태를 확인하는 과정에서의 시간이 현저하게 감축될 수 있는 이점이 있다. 그리고, 하나의 마스크 셀 영역에 접착된 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크 셀 영역에 접착된 마스크(100) 사이의 PPA(pixel position accuracy)가 3㎛를 초과하지 않게 되어, 정렬이 명확한 초고화질 OLED 화소 형성용 마스크를 제공할 수 있는 이점이 있다.After the one mask 100 is adhered to the frame 200, the remaining masks 100 may be sequentially corresponded to the remaining mask cells C, and the process of adhering to the frame 200 may be repeated. Since the mask 100 already bonded to the frame 200 may present a reference position, the time required to sequentially match the remaining masks 100 to the cell region CR and to confirm the alignment state is significantly reduced. There is an advantage that can be. In addition, the pixel position accuracy (PPA) between the mask 100 adhered to one mask cell region and the mask 100 adhered to the mask cell region adjacent thereto does not exceed 3 μm, and the alignment is very high. There is an advantage that a mask for forming an OLED pixel can be provided.

도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착한 후 공정 영역의 온도를 하강(LT)시키는 과정을 나타내는 개략도이다.22 is a schematic diagram illustrating a process of lowering the temperature (LT) of the process region after adhering the mask 100 according to an embodiment of the present invention to the cell region CR of the frame 200.

다음으로, 도 22를 참조하면, 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강(LT)시킬 수 있다. "제2 온도"라 함은 제1 온도보다 낮은 온도를 의미할 수 있다. 제1 온도가 약 25℃ 내지 60℃인 것을 고려하면, 제2 온도는 제1 온도보다 낮은 것을 전제로 약 20℃ 내지 30℃일 수 있고, 바람직하게, 제2 온도는 상온일 수 있다. 공정 영역의 온도 하강은, 챔버에 냉각 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 냉각 수단을 설치하는 방법, 상온으로 자연 냉각하는 방법 등으로 수행할 수 있다.Next, referring to FIG. 22, the temperature of the process region may be lowered to the second temperature LT. The “second temperature” may mean a temperature lower than the first temperature. Considering that the first temperature is about 25 ° C. to 60 ° C., the second temperature may be about 20 ° C. to 30 ° C. provided that it is lower than the first temperature, and preferably, the second temperature may be room temperature. The temperature drop in the process region can be performed by providing a cooling means in the chamber, installing a cooling means around the process region, naturally cooling to room temperature, or the like.

공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되면, 마스크(100)는 소정 길이만큼 열수축 할 수 있다. 마스크(100)는 모든 측면 방향을 따라 등방성으로 열수축 할 수 있다. 다만, 마스크(100)는 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 용접으로 고정 연결되어 있으므로, 마스크(100)의 열수축은 주변의 마스크 셀 시트부(220)에 자체적으로 장력(TS)을 인가하게 된다. 마스크(100)의 자체적인 장력(TS) 인가에 의해 마스크(100)는 더욱 팽팽하게 프레임(200) 상에 접착될 수 있다.When the temperature of the process region is lowered to the second temperature LT, the mask 100 may heat shrink by a predetermined length. The mask 100 may be thermally contracted isotropically along all lateral directions. However, since the mask 100 is fixedly connected to the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) by welding, the thermal contraction of the mask 100 is itself tensioned with the surrounding mask cell sheet part 220. (TS) is applied. By applying a tension (TS) of the mask 100, the mask 100 may be more tightly adhered to the frame 200.

또한, 각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 접착된 후에 공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되므로, 모든 마스크(100)들이 동시에 열수축을 일으키게 되어 프레임(200)이 변형되거나 패턴(P)들이 정렬 오차가 커지는 문제가 방지될 수 있다. 더 설명하면, 장력(TS)이 마스크 셀 시트부(220)에 인가된다고 해도, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 장력(TS)을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력(TS)과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력(TS)이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력(TS)에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.In addition, since each of the masks 100 is bonded onto the corresponding mask cell region CR, the temperature of the process region is lowered to the second temperature (LT), so that all the masks 100 simultaneously cause thermal contraction. The problem that the 200 is deformed or the patterns P are misaligned can be prevented. In more detail, even when the tension TS is applied to the mask cell sheet part 220, since the plurality of masks 100 apply the tension TS in opposite directions, the force is canceled to the mask cell sheet part. Deformation does not occur at 220. For example, the first grid sheet portion 223 between the mask 100 attached to the CR11 cell region and the mask 100 attached to the CR12 cell region may move in the right direction of the mask 100 attached to the CR11 cell region. The acting tension TS and the acting tension TS in the left direction of the mask 100 attached to the CR12 cell region may be offset. Therefore, the deformation is minimized in the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) due to the tension TS, thereby minimizing the alignment error of the mask 100 (or the mask pattern P). There is this.

도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.FIG. 23 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus 1000 using frame integrated masks 100 and 200 according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 23을 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 23, the OLED pixel deposition apparatus 1000 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a coolant line 350 is disposed, and an organic material source 600 from a lower portion of the magnet plate 300. And a deposition source supply unit (500) for supplying ().

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900, such as glass, on which the organic source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500. The frame integrated masks 100 and 200 (or FMMs) for allowing the organic material source 600 to be deposited pixel by pixel may be disposed on or close to the target substrate 900. The magnet 310 may generate a magnetic field and may be in close contact with the target substrate 900 by the magnetic field.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may supply the organic source 600 while reciprocating the left and right paths, and the organic source 600 supplied from the deposition source supply unit 500 may have patterns P formed in the frame integrated masks 100 and 200. Pass through) may be deposited on one side of the target substrate (900). The deposited organic source 600 passing through the pattern P of the frame-integrated masks 100 and 200 may serve as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent uneven deposition of the pixel 700 by the shadow effect, the pattern of the frame-integrated masks 100 and 200 may be formed to be inclined S (or formed into a tapered shape S). . Since the organic sources 600 passing through the pattern in the diagonal direction along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700, the pixel 700 may be uniformly deposited in overall thickness.

마스크(100)는 화소 증착 공정 온도보다 높은 제1 온도 상에서 프레임(200)에 접착 고정되므로, 화소 증착을 위한 공정 온도로 상승시킨다고 하더라도, 마스크 패턴(P)의 위치에는 영향이 거의 없게 되며, 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크(100) 사이의 PPA는 3㎛를 초과하지 않도록 유지될 수 있다.Since the mask 100 is adhesively fixed to the frame 200 at a first temperature higher than the pixel deposition process temperature, even if the mask 100 is raised to the process temperature for pixel deposition, the position of the mask pattern P is hardly affected. The PPA between the 100 and the neighboring mask 100 may be maintained not to exceed 3 μm.

도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크에서 마스크를 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 24의 (a)는 두 마스크 셀(C11, C12)에 대한 평면도, 도 24의 (b) 내지 (d)는 도 24의 (a) 단면도이다.24 is a schematic diagram illustrating a process of separating a mask from a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention. 24A is a plan view of two mask cells C11 and C12, and FIGS. 24B to 24D are cross-sectional views of FIG. 24A.

한편, 프레임(200)에 접착된 마스크(100)에 이물질이 개재된다거나, 마스크 패턴(P)에 손상이 발생하는 등과 같은 결함이 발생한 경우 마스크(100)를 교체할 필요가 있다. 또는, 마스크 패턴(P)의 일부 정렬이 명확하지 않게 마스크(100)가 프레임(200)에 접착된 경우에도 마스크(100)만을 교체하여 정렬을 명확하게 할 필요가 있다.Meanwhile, when a defect such as a foreign material is interposed in the mask 100 adhered to the frame 200 or a damage occurs in the mask pattern P, it is necessary to replace the mask 100. Alternatively, even when the mask 100 is bonded to the frame 200 so that some alignment of the mask pattern P is not clear, it is necessary to replace only the mask 100 to make the alignment clear.

종래[도 2 참조]에는 프레임(20)에 용접(W)된 스틱 마스크(10)에 물리적인 힘을 가하여 스틱 마스크(10)를 프레임(20)으로부터 분리하였다. 예를 들어, 펜치, 니퍼 등을 통해 스틱 마스크(10)를 프레임(20)으로부터 뜯어내는데, 이 과정에서 프레임(20)에 힘이 작용하여 프레임(20)에 미세한 변형을 일으킬 수 있다. ㎛ 수준에서의 미세한 변형도 스틱 마스크(10)들의 마스크 셀(C: C1~C6)들간에 정렬이 어긋나는 문제가 발생할 수 있다.In the related art (see FIG. 2), the stick mask 10 is separated from the frame 20 by applying a physical force to the stick mask 10 welded to the frame 20. For example, the stick mask 10 is removed from the frame 20 through a pliers, nippers, etc. In this process, a force may be applied to the frame 20 to cause fine deformation in the frame 20. Even fine deformation at a μm level may cause a misalignment between mask cells C: C1 to C6 of the stick masks 10.

본 발명은 프레임(200)으로부터 마스크(100)를 분리/교체하는 과정에서 프레임(200)이 변형되는 것을 방지하고, 마스크(100)를 프레임(200)에 다시 접착하는 과정에서 마스크(100)에 변형이 생기는 것을 방지하여 위치정밀도를 향상시킬 수 있는 마스크 세트(100-1, 100-2, 100-3) 및 마스크(100)의 교체 방법을 제안한다.The present invention prevents the frame 200 from being deformed in the process of separating / replacing the mask 100 from the frame 200, and in the process of re-attaching the mask 100 to the frame 200. The mask set 100-1, 100-2, 100-3 and replacement method of the mask 100 which can prevent a deformation | transformation and improve a position precision are proposed.

도 24의 (a) 및 (b)를 참조하면, 결함이 발생하여 교체하고자 하는 마스크(100a)가 접착된 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 준비한다. 마스크 셀(C11)을 포함하는 마스크(100a)를 분리하는 것을 상정한다. 마스크(100a)는 좌측 모서리(101a) 및 우측 모서리(102a)가 용접되어 용접 비드(WB)가 형성됨에 따라 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착된 상태인 것을 상정한다. 물론, 마스크(100)의 네 모서리 모두가 용접되어 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착된 상태일 수도 있으며, 이 경우는 네 모서리 중 하나의 모서리의 접착을 떼어낼 때 나머지 모서리들은 압착하는 것이 필요하다.Referring to FIGS. 24A and 24B, frame-integrated masks 100 and 200 to which a mask 100a to be replaced due to defects are prepared are prepared. It is assumed that the mask 100a including the mask cell C11 is separated. The mask 100a assumes that the left edge 101a and the right edge 102a are bonded to the frame 200 (mask cell sheet portion 220) as the weld bead WB is formed by welding. Of course, all four edges of the mask 100 may be welded and bonded to the frame 200 (mask cell sheet portion 220). In this case, the remaining edges of the four edges may be removed. The edges need to be squeezed.

마스크 셀(C11)을 포함하는 마스크(100a)의 일측 모서리(102a; 우측 모서리)를 프레임(200)으로부터 떼어낸 후에, 타측 모서리(101a; 좌측 모서리)를 프레임(200)으로부터 떼어낼 수 있다. 구체적으로, 마스크(100a)의 일측 모서리(102a)는, 마스크 셀 영역(CR11)의 우측 모서리인 제1 그리드 시트부(223a)에 접착된 상태일 수 있다. 그리하여 마스크(100a)의 일측 모서리(102a)에 외력(SP)을 가하여 떼어내려고 하면, 마스크(100a)와 프레임(200)[제1 그리드 시트부(223a)]의 접착력에 의해 제1 그리드 시트부(223a)의 부분에 변형이 발행하는 문제가 있다. 따라서, 프레임(200)[제1 그리드 시트부(223a)]을 단단하게 고정시킨 후에 마스크(100a)를 떼어낼 필요가 있다.After removing one side edge 102a (the right edge) of the mask 100a including the mask cell C11 from the frame 200, the other edge 101a (the left edge) may be removed from the frame 200. In detail, one edge 102a of the mask 100a may be in a state of being bonded to the first grid sheet portion 223a that is the right edge of the mask cell region CR11. Thus, when the external force SP is applied to and removed from one side edge 102a of the mask 100a, the first grid sheet portion is formed by the adhesive force between the mask 100a and the frame 200 (first grid sheet portion 223a). There is a problem that deformation is issued at part of 223a. Therefore, it is necessary to remove the mask 100a after fixing the frame 200 (first grid sheet portion 223a) firmly.

외력(SP)에 대해 프레임(200)을 단단하게 고정시키기 위해 외력(SP)이 직접적으로 작용하는 마스크(100a) 일측 모서리(102a)의 외측 부분을 압착할 수 있다. 즉, 마스크(100a)가 접착되어 있는 제1 그리드 시트부(223a) 및/또는 마스크(100a)의 우측에 이웃한 마스크(100b)의 좌측 모서리 부분(101b)을 압착할 수 있다. 제1 그리드 시트부(223a) 및/또는 마스크(100b)의 좌측 모서리 부분(101b)의 상부면과 하부면을 압착함에 따라, 이들을 외력(SP)에 대해서 단단하게 고정시킬 수 있다.In order to firmly fix the frame 200 with respect to the external force SP, an outer portion of one edge 102a of the mask 100a directly acting on the external force SP may be compressed. That is, the first grid sheet portion 223a to which the mask 100a is attached and / or the left edge portion 101b of the mask 100b adjacent to the right side of the mask 100a may be compressed. As the upper and lower surfaces of the left edge portion 101b of the first grid sheet portion 223a and / or the mask 100b are compressed, they can be firmly fixed to the external force SP.

상부에서는 압착바(260)를 통해 제1 그리드 시트부(223a)와 마스크(100b)의 좌측 모서리 부분(101b)의 상부면을 압착할 수 있다. 하부에서도 압착바(미도시)를 통해 제1 그리드 시트부(223a)와 마스크(100b)의 좌측 모서리 부분(101b)의 하부면을 압착할 수 있다. 도 24에서는 압착바(260)와 제1 그리드 시트부(223a), 마스크(100b)와 접촉하는 단부에 단차가 있는 것처럼 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의상 두께 및 폭이 과장되게 도시된 것이며, 실제로 마스크(100b)의 두께는 수㎛ 정도이고, 용접 비드(WB)의 부분도 거의 돌출되지 않고 마스크(100)에 포함된 상태이기 때문에, 압착바(260)의 단부는 편평한 것으로 이해될 수 있다.In the upper portion, the first grid sheet portion 223a and the upper surface of the left edge portion 101b of the mask 100b may be compressed through the pressing bar 260. The lower surface of the left edge portion 101b of the first grid sheet portion 223a and the mask 100b may be pressed through the pressing bar (not shown). In FIG. 24, although there is a step in the end contacting the crimping bar 260, the first grid sheet part 223a, and the mask 100b, the thickness and the width are exaggerated for convenience of description. Since the thickness of the mask 100b is about several micrometers, and the part of the welding bead WB hardly protrudes and is contained in the mask 100, the end of the crimping bar 260 may be understood to be flat.

한편, 하부에서는 압착바(미도시)를 사용하지 않고, 프레임(200)을 지지하는 지지체(250)를 사용할 수 있다. 지지체(250)는 도 20에서 상술한 하부 지지체(70)에 대응할 수 있다. 지지체(250)는 프레임(200)의 하부를 지지할 수 있다. 지지체(250)는 프레임(200)을 지지할 수 있도록 판 형상을 가질 수 있고, 대략 프레임(200)의 면적보다 동일하거나 작게 형성될 수 있다. 지지체(250)는 열팽창계수를 고려하여 프레임(200)과 동일한 재질을 사용하는 것이 바람직하나, 강성이 높은 재질을 사용할 수도 있다. 지지체(250)의 상부에는 프레임(200)의 형상에 대응하는 프레임 지지홈(251, 253)이 형성될 수 있다. 프레임 지지홈(251, 253)은 테두리 지지홈(251) 및 그리드 지지홈(253)을 포함한다. 테두리 지지홈(251)은 테두리 프레임부(210)와 테두리 시트부(221)에 대응하는 형상의 홈일 수 있다. 그리드 지지홈(253)은 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)에 대응하는, 제1 방향(x 방향), 제2 방향(y 방향)으로 형성될 수 있다. 그리드 지지홈(253)은 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 지지홈(251)에 연결될 수 있다. 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)와 마찬가지로, 각각의 그리드 지지홈(253)은 동등한 간격을 이룰 수 있다. 그리그 지지홈(253)의 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 제1, 2 그리드 시트부(223, 235) 대응하는 형상의 홈일 수 있다.On the other hand, the supporter 250 for supporting the frame 200 can be used without using a crimping bar (not shown). The support 250 may correspond to the lower support 70 described above with reference to FIG. 20. The supporter 250 may support the lower portion of the frame 200. The support member 250 may have a plate shape to support the frame 200, and may be formed to be substantially the same as or smaller than the area of the frame 200. The support member 250 preferably uses the same material as the frame 200 in consideration of the coefficient of thermal expansion, but may be a material having high rigidity. Frame support grooves 251 and 253 corresponding to the shape of the frame 200 may be formed on the support 250. The frame support grooves 251 and 253 include an edge support groove 251 and a grid support groove 253. The edge support groove 251 may be a groove having a shape corresponding to the edge frame portion 210 and the edge sheet portion 221. The grid support groove 253 may be formed in a first direction (x direction) and a second direction (y direction) corresponding to the first and second grid sheet portions 223 and 225. The grid support groove 253 is formed in a straight shape so that both ends may be connected to the edge support groove 251. Like the first and second grid sheet portions 223 and 225, the grid support grooves 253 may be equally spaced. The shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the grip support groove 253 may be a groove having a shape corresponding to the first and second grid sheet portions 223 and 235.

테두리 프레임부(210)와 테두리 시트부(221)의 두께가 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 두께보다 두꺼울 수 있으므로, 테두리 지지홈(251)은 그리드 지지홈(253)보다 깊은 두께로 형성될 수 있다.Since the thickness of the edge frame portion 210 and the edge sheet portion 221 may be thicker than the thicknesses of the first and second grid sheet portions 223 and 225, the edge supporting groove 251 is deeper than the grid supporting groove 253. It can be formed in thickness.

프레임(200)은 지지체(250)의 프레임 지지홈(251, 253)에 수용되어 안착 지지될 수 있다. 프레임(200)이 지지체(250)에 안착 지지된 상태에서 프레임(200)의 최상면, 즉, 마스크(100)가 접착되는 면은 지지체(250)의 최상면보다 동일하거나 높은 위치를 가질 수 있다. 그리하여, 지지체(250)가 마스크(100)에 영향을 주지 않고 프레임(200)만을 지지할 수 있게 된다.The frame 200 may be accommodated in the frame support grooves 251 and 253 of the support 250 to be seated and supported. The top surface of the frame 200, that is, the surface to which the mask 100 is bonded, may be the same or higher than the top surface of the support body 250 while the frame 200 is seated and supported by the support body 250. Thus, the support 250 can support only the frame 200 without affecting the mask 100.

다음으로, 도 24의 (c)를 참조하면, 마스크(100a)의 일측 모서리(102a)에 외력(SP)을 가하여 제1 그리드 시트부(223a)로부터 떼어낼 수 있다. 이때, 상부에서는 압착바(260)가 일측 모서리(102a)의 외측인 제1 그리드 시트부(223a)와 마스크(100b)의 좌측 모서리 부분(101b)의 상부면을 압착하고, 하부에서는 지지체(250)가 지지홈(251, 253)에 프레임(200)[제1 그리드 시트부(223a)]를 수용하여 안정적으로 지지하므로, 외력(SP)이 가해져도 프레임(200)[제1 그리드 시트부(223a)]이 변형되는 것을 방지할 수 있다.Next, referring to FIG. 24C, an external force SP may be applied to one edge 102a of the mask 100a to be detached from the first grid sheet part 223a. At this time, the pressing bar 260 compresses the upper surface of the first grid sheet portion 223a, which is the outer side of the one corner 102a, and the upper left corner 101b of the mask 100b at the upper portion, and the support 250 at the lower portion thereof. ) Receives the frame 200 (first grid sheet portion 223a) in the supporting grooves 251 and 253 and stably supports the frame 200 (first grid sheet portion) even when the external force SP is applied. 223a)] can be prevented from being deformed.

또한, 마스크(100a)의 타측 모서리(101a)와 테두리 시트부(221a)도 압착바(260')가 압착하고 있으므로, 외력(SP)에 의해 우측 모서리(102b)만 떼어질 수 있게 된다. 물론 타측 모서리(101a) 외에 상부 및 하부 모서리에도 압착바(미도시)가 압착을 가할 수 있다.In addition, since the pressing bar 260 ′ also compresses the other edge 101a and the edge sheet portion 221a of the mask 100a, only the right edge 102b can be peeled off by the external force SP. Of course, the pressing bar (not shown) may be applied to the upper and lower edges in addition to the other edge 101a.

다음으로, 도 24의 (d)를 참조하면, 마스크(100a)의 타측 모서리(101a)에 외력(SP)을 가하여 테두리 시트부(221a)로부터 떼어낼 수 있다. 이때, 상부에서는 압착바(260")가 타측 모서리(101a)의 외측인 테두리 시트부(221a)의 상부면을 압착하고, 하부에서는 지지체(250)가 지지홈(251, 253)에 프레임(200)[테두리 시트부(221a)]을 수용하여 안정적으로 지지하므로, 외력(SP)이 가해져도 프레임(200)[테두리 시트부(221a)]이 변형되는 것을 방지할 수 있다.Next, referring to FIG. 24D, an external force SP may be applied to the other edge 101a of the mask 100a to be removed from the edge sheet portion 221a. At this time, the pressing bar 260 "compresses the upper surface of the edge sheet portion 221a, which is the outer side of the other edge 101a, and the support 250 is supported by the support grooves 251 and 253 in the lower portion. ) (Border sheet portion 221a) is accommodated and supported stably, so that the frame 200 (border sheet portion 221a) can be prevented from being deformed even when the external force SP is applied.

마스크(100a)를 프레임(200)으로부터 분리한 후에, 새로운 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR11)에 대응하고 접착할 수 있다. 대응하고 접착하는 과정은 상술한 바와 같다.After removing the mask 100a from the frame 200, the new mask 100 may correspond to and adhere to the cell region CR11 of the frame 200. The corresponding and bonding process is as described above.

한편, 마스크(100a)를 프레임(200)으로부터 분리한 후에, 프레임(200) 상에는 레이저 용접 과정에서 발생한 번짐(burr), 용접 비드(WB)의 잔여물 등이 남아있을 수 있다[도 24의 (d)의 용접 비드(WB) 참조]. 이러한 번짐, 용접 비드(WB)의 잔여물 위에 새로운 마스크(100)를 대응시키고 용접으로 용접 비드(WB)를 다시 생성하게 되면 마스크(100)와 프레임(200)의 밀착성이 낮아져 용접 비드(WB)가 제대로 생성되지 않을 수 있다. 도 17에서 상술한 바와 같이, 잔존 물질에 의해 마스크(100)와 프레임(200)이 긴밀히 맞닿지 않고 에어갭일 존재할 수 있기 때문이다. 또한, 마스크(100)가 프레임(200)에 접착되는 과정에서 잔존 물질에 의해 마스크(100)가 변형되거나, 주름이 더 심하게 발생하는 등의 문제점이 나타날 수 있다.On the other hand, after removing the mask 100a from the frame 200, on the frame 200, a burr, a residue of the welding bead WB, etc., generated during the laser welding process may remain. see d) weld beads (WB)]. When the new mask 100 is corresponded to the bleeding and the residue of the welding bead WB, and the welding bead WB is regenerated by welding, the adhesion between the mask 100 and the frame 200 is lowered and the welding bead WB is May not be created correctly. As described above with reference to FIG. 17, the mask 100 and the frame 200 do not come into close contact with each other by the remaining material, and thus may exist as an air gap. In addition, the mask 100 may be deformed by the remaining material in the process of adhering the mask 100 to the frame 200, or the wrinkles may be more severely generated.

따라서, 본 발명은 마스크(100)를 교체하는 과정에서 각각 상이한 위치에 용접부(WP-1, WP-2, WP-3, ...)가 형성된 마스크 세트(100-1, 100-2, 100-3, ...)를 제공하는 것을 특징으로 한다. 이하에서는, 3종류의 마스크(100-1, 100-2, 100-3)를 포함하는 마스크 세트를 예로 들어 설명하나, 마스크 종류의 개수에는 제한이 없다. 또한, 이하에서는, 마스크(100)의 양측면에 용접부(WP)를 형성하고 레이저 용접을 수행하는 예를 상정하여 설명한다.Therefore, the present invention is a mask set (100-1, 100-2, 100) in which the weld (WP-1, WP-2, WP-3, ...) is formed in each different position in the process of replacing the mask 100 -3, ...). Hereinafter, a mask set including three types of masks 100-1, 100-2, and 100-3 will be described as an example, but the number of mask types is not limited. In addition, below, the example which forms the welding part WP in the both sides of the mask 100, and performs laser welding is demonstrated.

도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세트(100-1, 100-2, 100-3, ...)를 나타내는 개략도이다.25 is a schematic diagram illustrating a mask set 100-1, 100-2, 100-3,... According to an embodiment of the present invention.

도 25의 (a)를 참조하면, 제1 마스크(100-1)의 양측면 더미(DM)에는 용접부(WP-1)가 소정 간격을 이루며 형성될 수 있다. 제1 마스크(100-1)는 최초로 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착되는 마스크(100)로 이해될 수 있다. 프레임(200)의 복수의 셀 영역(CR)에는 제1 마스크(100-1)들이 제1, 2 방향을 따라 접착될 수 있다.Referring to FIG. 25A, weld portions WP-1 may be formed at both sides of the dummy DM at both sides of the first mask 100-1. The first mask 100-1 may be understood as a mask 100 that is first adhered to the cell region CR of the frame 200. The first masks 100-1 may be bonded to the cell regions CR of the frame 200 along the first and second directions.

다음으로, 도 25의 (b)를 참조하면, 제2 마스크(100-2)의 양측면 더미(DM)에는 용접부(WP-2)가 소정 간격을 이루며 형성될 수 있다. 제1 마스크(100-1)와 제2 마스크(100-2)의 용접부(WP-1, WP-2)들간의 간격은 동일한 것이 바람직하다. 다만, 제1 마스크(100-1)의 용접부(WP-1)가 형성된 위치와, 제2 마스크(100-2)의 용접부(WP-2)가 형성된 위치는 상이하다. 예를 들어, 용접부(WP-2)는 용접부(WP-1)의 위치에서 아래로 시프팅(shifting)된 위치에 형성될 수 있다. 용접부(WP-2)가 시프팅된 위치에 배치되도록 하기 위해, 제2 마스크(100-2)의 주름 방지 패턴(150, 160, 170)들도 제1 마스크(100-1)의 주름 방지 패턴(150, 160, 170)의 위치와 비교하여 아래로 시프팅 될 수 있다. 그리하여, 주름 방지 패턴(150, 160, 170)의 중심부에 위치하는 용접부(WP-2)가 시프팅 된 위치에 배치될 수 있다.Next, referring to FIG. 25B, the weld portions WP-2 may be formed at both sides of the dummy DM at both sides of the second mask 100-2. Preferably, the spacing between the weld portions WP-1 and WP-2 of the first mask 100-1 and the second mask 100-2 is the same. However, the position where the welded portion WP-1 of the first mask 100-1 is formed is different from the position where the welded portion WP-2 of the second mask 100-2 is formed. For example, the weld WP-2 may be formed at a position shifted downward from the position of the weld WP-1. In order to arrange the weld WP-2 in the shifted position, the anti-wrinkle patterns 150, 160, and 170 of the second mask 100-2 may also be anti-wrinkle patterns of the first mask 100-1. It may be shifted down compared to the position of 150, 160, 170. Thus, the weld WP-2 positioned at the center of the anti-wrinkle patterns 150, 160, and 170 may be disposed at the shifted position.

다음으로, 도 25의 (c)를 참조하면, 제3 마스크(100-3)의 양측면 더미(DM)에는 용접부(WP-3)가 소정 간격을 이루며 형성될 수 있다. 제1 마스크(100-1), 제2 마스크(100-2) 및 제3 마스크(100-3)의 용접부(WP-1, WP-2, WP-3)들간의 간격은 동일한 것이 바람직하다. 다만, 제1 마스크(100-1)의 용접부(WP-1), 제2 마스크(100-2)의 용접부(WP-2)가 형성된 위치와, 제3 마스크(100-3)의 용접부(WP-3)가 형성된 위치는 상이하다. 예를 들어, 용접부(WP-3)는 용접부(WP-2)의 위치에서 아래로 시프팅(shifting)된 위치에 형성될 수 있다. 용접부(WP-3)가 시프팅된 위치에 배치되도록 하기 위해, 제3 마스크(100-3)의 주름 방지 패턴(150, 160, 170)들도 제2 마스크(100-2)의 주름 방지 패턴(150, 160, 170)의 위치와 비교하여 아래로 시프팅 될 수 있다. 그리하여, 주름 방지 패턴(150, 160, 170)의 중심부에 위치하는 용접부(WP-3)가 시프팅 된 위치에 배치될 수 있다.Next, referring to FIG. 25C, the weld parts WP-3 may be formed at both sides of the dummy DM at both sides of the third mask 100-3. It is preferable that the spacing between the weld portions WP-1, WP-2, and WP-3 of the first mask 100-1, the second mask 100-2, and the third mask 100-3 be the same. However, the position where the welded portion WP-1 of the first mask 100-1 and the welded portion WP-2 of the second mask 100-2 are formed, and the welded portion WP of the third mask 100-3 is formed. The position at which -3) is formed is different. For example, the weld WP-3 may be formed at a position shifted downward from the position of the weld WP-2. In order to arrange the weld WP-3 in the shifted position, the anti-wrinkle patterns 150, 160, and 170 of the third mask 100-3 may also be anti-wrinkle patterns of the second mask 100-2. It may be shifted down compared to the position of 150, 160, 170. Thus, the weld WP-3 positioned at the center of the anti-wrinkle patterns 150, 160, and 170 may be disposed at the shifted position.

도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크에서 마스크를 교체한 상태를 나타내는 개략도이다. 도 26에서는 2개의 셀 영역(CR)에 접착된 마스크(100)들을 예로 들어 설명한다.26 is a schematic diagram illustrating a state in which a mask is replaced in a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention. In FIG. 26, the masks 100 adhered to the two cell regions CR will be described as an example.

도 26의 (a)는 제1 마스크(100-1)가 프레임(200)의 셀 영역(CR)들에 접착된 최초의 프레임 일체형 마스크의 형태를 나타낸다. 제1 마스크(100-1)의 용접부(WP-1)에 레이저가 조사됨에 따라 제1 마스크(100-1)들 프레임(200) 사이에 용접 비드(WB-1)가 형성되어 제1 마스크(100-1)와 프레임(200)이 일체로 연결될 수 있다. 이 프레임 일체형 마스크에서, 프레임(200)에 접착된 마스크(100)에 이물질이 개재된다거나, 마스크 패턴(P)에 손상이 발생하는 등과 같은 결함이 발생한 경우 마스크(100)를 교체해야 한다. 분리 과정은 도 24에서 상술한 바와 같다.FIG. 26A illustrates the first frame-integrated mask in which the first mask 100-1 is bonded to the cell regions CR of the frame 200. As the laser is irradiated to the welding portion WP-1 of the first mask 100-1, the welding bead WB-1 is formed between the frames of the first masks 100-1 and the first mask 100. 100-1) and the frame 200 may be integrally connected. In the frame integrated mask, when a defect such as foreign matter is interposed in the mask 100 adhered to the frame 200 or damage occurs in the mask pattern P, the mask 100 should be replaced. Separation process is as described above in FIG.

도 26의 (b)를 참조하면, 첫번째 셀 영역(CR11)에서 제1 마스크(100-1)를 분리하고, 제2 마스크(100-2)를 접착한 상태를 확인할 수 있다. 제2 마스크(100-2)의 용접부(WP-2)에 레이저가 조사됨에 따라 제2 마스크(100-2)와 프레임(200) 사이에 용접 비드(WB-2)가 형성되어 제2 마스크(100-2)와 프레임(200)이 일체로 연결될 수 있다. 이때, 제2 마스크(100-2)의 용접 비드(WB-2)가 형성된 위치는, 교체 전의 제1 마스크(100-1)의 용접 비드(WB-1)가 형성된 위치와는 상이하다. 따라서, 용접 비드(WB-2)는 프레임(200) 상에 잔존하는 용접 비드(WB-1) 또는 용접 비드(WB-1) 위치의 번짐(burr) 등의 영향을 받지 않고, 긴밀히 맞닿은 제2 마스크(100-2)와 프레임(200) 사이에서 안정적으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 26B, a state in which the first mask 100-1 is separated from the first cell region CR11 and the second mask 100-2 is adhered to each other is confirmed. As the laser is irradiated to the welding portion WP-2 of the second mask 100-2, a welding bead WB-2 is formed between the second mask 100-2 and the frame 200 to form a second mask ( 100-2) and the frame 200 may be integrally connected. At this time, the position where the weld bead WB-2 of the second mask 100-2 is formed is different from the position where the weld bead WB-1 of the first mask 100-1 before replacement is formed. Therefore, the welding bead WB-2 is not affected by the welding bead WB-1 or the burr of the welding bead WB-1 position remaining on the frame 200, and the second closely contacted. It may be stably formed between the mask 100-2 and the frame 200.

도 26의 (c)를 참조하면, 제2 마스크(100-2)의 교체가 필요한 상황이 발생하여, 첫번째 셀 영역(CR11)에서 제2 마스크(100-2)를 분리하고, 제3 마스크(100-3)를 접착한 상태를 확인할 수 있다. 제3 마스크(100-3)의 용접부(WP-3)에 레이저가 조사됨에 따라 제3 마스크(100-3)와 프레임(200) 사이에 용접 비드(WB-3)가 형성되어 제3 마스크(100-3)와 프레임(200)이 일체로 연결될 수 있다. 이때, 제3 마스크(100-3)의 용접 비드(WB-3)가 형성된 위치는, 교체 전의 제1 마스크(100-1) 및 제2 마스크(100-2)의 용접 비드(WB-1, WB-2)가 형성된 위치와는 상이하다. 따라서, 용접 비드(WB-3)는 프레임(200) 상에 잔존하는 용접 비드(WB-1, WB-2) 또는 용접 비드(WB-1, WB-2) 위치의 번짐(burr) 등의 영향을 받지 않고, 긴밀히 맞닿은 제3 마스크(100-3)와 프레임(200) 사이에서 안정적으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 26C, a situation in which the second mask 100-2 needs to be replaced occurs, the second mask 100-2 is separated from the first cell region CR11, and the third mask ( 100-3) can be confirmed. As the laser is irradiated to the welding portion WP-3 of the third mask 100-3, a welding bead WB-3 is formed between the third mask 100-3 and the frame 200 to form a third mask ( 100-3) and the frame 200 may be integrally connected. At this time, the position where the weld bead WB-3 of the third mask 100-3 is formed is the weld bead WB-1 of the first mask 100-1 and the second mask 100-2 before the replacement. It differs from the position where WB-2) was formed. Therefore, the weld bead WB-3 is affected by the spread of the weld bead WB-1 and WB-2 or the weld bead WB-1 and WB-2 remaining on the frame 200. It may be stably formed between the third mask 100-3 and the frame 200 in close contact with each other.

위와 같이, 본 발명은 마스크(100)를 교체하는 과정에서 각각 상이한 위치에 용접부(WP-1, WP-2, WP-3, ...)가 형성된 마스크 세트(100-1, 100-2, 100-3, ...)를 사용하여, 교체 전후의 마스크(100)들과 프레임(200) 사이에서 용접 비드(WB)를 안정적으로 형성할 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention provides a mask set 100-1, 100-2, in which welds WP-1, WP-2, WP-3, ... are formed at different positions in the process of replacing the mask 100, respectively. 100-3, ...), there is an advantage that the welding bead (WB) can be stably formed between the mask 100 and the frame 200 before and after replacement.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and various modifications made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Modifications and variations are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

50: 트레이(tray)
51: 레이저 통과공
70: 하부 지지체
100: 마스크
100-1, 100-2, 100-3, ...: 마스크 세트
110: 마스크 막
150, 160, 160', 170: 주름 방지 패턴
151, 161, 161', 171: 단위 주름 방지 패턴
190: 버퍼 패턴
191, 192: 단위 버퍼 패턴
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
1000: OLED 화소 증착 장치
C: 셀, 마스크 셀
CR: 마스크 셀 영역
DM: 더미, 마스크 더미
ET: 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승
L: 레이저
LT: 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강
M: 상부 압착체
R: 테두리 프레임부의 중공 영역
P: 마스크 패턴
TS: 장력
W: 용접
WB: 용접 비드
WP: 용접부
WPC: 용접부 중심점
50: tray
51: laser through hole
70: lower support
100: mask
100-1, 100-2, 100-3, ...: mask set
110: mask film
150, 160, 160 ', 170: anti wrinkle pattern
151, 161, 161 ', 171: unit anti wrinkle pattern
190: buffer pattern
191, 192: unit buffer pattern
200: frame
210: border frame portion
220: mask cell sheet portion
221: border sheet portion
223: first grid sheet portion
225: second grid sheet portion
1000: OLED pixel deposition device
C: cell, mask cell
CR: mask cell area
DM: Dummy, Mask Dummy
ET: raise the temperature of the process region to the first temperature
L: laser
LT: Lower the temperature of the process area to the second temperature
M: upper press
R: Hollow area of the border frame portion
P: mask pattern
TS: tension
W: welding
WB: welding bead
WP: weld
WPC: Weld Center Point

Claims (22)

복수의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크에 사용되는 마스크 세트로서,
마스크 세트는, 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하는 복수의 마스크를 포함하고,
각각의 마스크는 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며, 각각의 마스크마다 용접부가 형성된 위치가 상이한, 마스크 세트.
A mask set used for a frame-integrated mask in which a plurality of masks and a frame for supporting the mask are integrally formed,
The mask set includes a mask cell in which a plurality of mask patterns are formed, and a plurality of masks including a dummy around the mask cell,
Each mask is formed with a plurality of welds spaced apart in at least a portion of the dummy, each mask having a different position where the welds are formed.
제1항에 있어서,
각각의 마스크마다 용접부가 시프팅(shifting)된 위치에 형성되는, 마스크 세트.
The method of claim 1,
A mask set, in which a weld is formed at each shifted position for each mask.
제1항에 있어서,
마스크의 각각의 용접부에 소정 간격 이격된 주위에 주름 방지 패턴이 형성되는, 마스크 세트.
The method of claim 1,
A mask set, wherein an anti-wrinkle pattern is formed around each weld portion of the mask at predetermined intervals.
제3항에 있어서,
각각의 마스크마다 주름 방지 패턴이 시프팅된 위치에 형성되는, 마스크 세트.
The method of claim 3,
A mask set, wherein a wrinkle prevention pattern is formed at each shifted position in each mask.
제3항에 있어서,
주름 방지 패턴은, 용접부와 동심(同心)이고 용접부보다 큰 직경을 가지는 적어도 원주 상의 영역을 점유하는, 마스크 세트.
The method of claim 3,
The anti-wrinkle pattern is a mask set that occupies at least a circumferential region having a diameter concentric with the weld and having a larger diameter than the weld.
제3항에 있어서,
주름 방지 패턴과 마스크 패턴 사이에 상호 간격을 이루도록 형성되며, 마스크 패턴의 폭보다 큰 폭을 가지는 복수의 버퍼 패턴을 더 포함하는, 마스크 세트.
The method of claim 3,
And a plurality of buffer patterns formed to form a mutual gap between the anti-wrinkle pattern and the mask pattern, the buffer patterns having a width greater than that of the mask pattern.
복수의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크에서 마스크를 교체하는 방법으로서,
(a) 복수의 마스크 셀 영역을 구비한 프레임 상부의 적어도 일부분에 복수의 마스크가 접착된 프레임 일체형 마스크를 제공하는 단계;
(b) 소정의 마스크 셀 영역 상에 접착된 제1 마스크를 프레임으로부터 분리하는 단계;
(c) 제2 마스크를 소정의 마스크 셀 영역 상에 대응하고, 제2 마스크의 용접부에 레이저를 조사하여 프레임에 접착하는 단계
를 포함하고,
각각의 제1 마스크와 제2 마스크는 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며, 각각의 제1 마스크와 제2 마스크는 용접부가 형성된 위치가 상이한, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
A method of replacing a mask in a frame-integrated mask in which a plurality of masks and a frame supporting the mask are integrally formed,
(a) providing a frame integrated mask having a plurality of masks bonded to at least a portion of an upper portion of the frame having a plurality of mask cell regions;
(b) detaching from the frame a first mask adhered to a predetermined mask cell area;
(c) attaching the second mask to a predetermined mask cell area and irradiating a weld to the welding portion of the second mask to the frame;
Including,
Each of the first mask and the second mask includes a mask cell in which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, and a plurality of welds are formed on at least a part of the dummy at intervals, and each of the first mask and The mask replacement method of the frame-integrated mask, wherein the second mask is different in the position where the weld is formed.
제7항에 있어서,
프레임은, 테두리 프레임부 및 복수의 마스크 셀 영역을 구비하고 테두리 프레임부에 연결되는 마스크 셀 시트부를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 7, wherein
The frame includes a mask cell sheet portion having an edge frame portion and a plurality of mask cell regions and connected to the edge frame portion.
제8항에 있어서,
마스크 셀 시트부는, 제1 방향, 제1 방향에 수직인 제2 방향 중 적어도 하나의 방향을 따라 복수의 마스크 셀 영역을 구비하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 8,
The mask cell sheet method according to claim 1, further comprising a plurality of mask cell regions in at least one of a first direction and a second direction perpendicular to the first direction.
제8항에 있어서,
마스크 셀 시트부는,
테두리 시트부;
제1 방향으로 연장 형성되고, 양단이 테두리 시트부에 연결되는 적어도 하나의 제1 그리드 시트부; 및
제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장 형성되어 제1 그리드 시트부와 교차되고, 양단이 테두리 시트부에 연결되는 적어도 하나의 제2 그리드 시트부
를 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 8,
The mask cell sheet part,
Border sheet portion;
At least one first grid sheet portion extending in a first direction and connected at both ends to the edge sheet portion; And
At least one second grid sheet portion extending in a second direction perpendicular to the first direction and intersecting with the first grid sheet portion and having both ends connected to the edge sheet portion;
Including, the mask replacement method of the frame-integrated mask.
제7항에 있어서,
각각의 마스크 셀 영역에 각각의 마스크가 대응되는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 7, wherein
And a mask corresponding to each mask cell region.
제7항에 있어서,
(b) 단계에서, 제1 마스크의 적어도 일측 모서리의 외측 부분을 압착하고, 마스크의 일측 모서리에 외력을 가하여 제1 마스크를 프레임으로부터 분리하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 7, wherein
In step (b), the outer part of at least one edge of the first mask is pressed, and an external force is applied to one edge of the mask to separate the first mask from the frame.
제12항에 있어서,
(b) 단계에서, 제1 마스크 일측 모서리의 외측에 배치된 프레임의 상부면과 하부면을 압착하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 12,
In step (b), the upper surface and the lower surface of the frame disposed on the outside of the one side edge of the first mask, the mask replacement method of the frame-integrated mask.
제13항에 있어서,
제1 마스크 일측 모서리에 대응하는 프레임의 모서리 상부면을 압착바로 누르는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 13,
Method of replacing the mask of the frame-integrated mask by pressing the upper edge of the edge of the frame corresponding to the one side edge of the first mask.
제14항에 있어서,
프레임 형상에 대응하는 프레임 지지홈이 상부면에 형성된 지지체를 프레임의 하부에 배치하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 14,
A method of replacing a mask of a frame-integrated mask, wherein a support having a frame support groove corresponding to a frame shape is disposed on a lower portion of a frame.
제7항에 있어서,
(b) 단계에서, 제1 마스크의 일측 모서리에 외력을 가하여 제1 마스크의 일측 모서리를 프레임으로부터 떼어낸 후, 제1 마스크의 일측에 대향하는 타측 모서리에 외력을 가하여 타측 모서리를 프레임으로부터 떼어내면서, 제1 마스크를 프레임으로부터 분리하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 7, wherein
In step (b), one edge of the first mask is removed from the frame by applying external force to one edge of the first mask, and then the other edge is removed from the frame by applying external force to the other edge opposite to one side of the first mask. And a method of replacing the first mask from the frame.
제7항에 있어서,
(c) 단계에서, 레이저가 조사된 제2 마스크의 용접부의 부분에 용접 비드(bead)가 형성되고, 용접 비드는 제2 마스크와 프레임이 일체로 연결되도록 매개하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 7, wherein
In step (c), a weld bead is formed in a portion of the welded portion of the second mask to which the laser is irradiated, and the weld bead mediates the second mask and the frame to be integrally connected. .
제7항에 있어서,
제2 마스크의 용접부의 위치는 제1 마스크의 용접부에서 시프팅(shifting)된 위치에 형성되는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 7, wherein
The position of the welded portion of the second mask is formed at a shifted position in the welded portion of the first mask.
제7항에 있어서,
마스크의 각각의 용접부에 소정 간격 이격된 주위에 주름 방지 패턴이 형성되는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 7, wherein
A method of replacing a mask of a frame-integrated mask, wherein an anti-wrinkle pattern is formed around each weld portion of the mask at a predetermined interval.
제19항에 있어서,
제2 마스크의 주름 방지 패턴의 위치는 제1 마스크의 주름 방지 패턴부에서 시프팅된 위치에 형성되는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 19,
The position of the anti-wrinkle pattern of the second mask is formed at the position shifted in the anti-wrinkle pattern portion of the first mask, the mask replacement method of the frame-integrated mask.
제19항에 있어서,
주름 방지 패턴은, 용접부와 동심(同心)이고 용접부보다 큰 직경을 가지는 적어도 원주 상의 영역을 점유하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 19,
The anti-wrinkle pattern is a mask replacement method for a frame-integrated mask, which occupies at least a circumferential region concentric with the weld and having a diameter larger than the weld.
제19항에 있어서,
주름 방지 패턴과 마스크 패턴 사이에 상호 간격을 이루도록 형성되며, 마스크 패턴의 폭보다 큰 폭을 가지는 복수의 버퍼 패턴을 더 포함하는, 프레임 일체형 마스크의 마스크 교체 방법.
The method of claim 19,
And a plurality of buffer patterns formed to form a mutual gap between the anti-wrinkle pattern and the mask pattern, the buffer patterns having a width greater than the width of the mask pattern.
KR1020180091931A 2018-08-07 2018-08-07 Mask set and method for changing mask of mask integrated frame KR102440620B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180091931A KR102440620B1 (en) 2018-08-07 2018-08-07 Mask set and method for changing mask of mask integrated frame
KR1020210124611A KR102357803B1 (en) 2018-08-07 2021-09-17 Mask set and method for changing mask of mask integrated frame

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180091931A KR102440620B1 (en) 2018-08-07 2018-08-07 Mask set and method for changing mask of mask integrated frame

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210124611A Division KR102357803B1 (en) 2018-08-07 2021-09-17 Mask set and method for changing mask of mask integrated frame

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200016623A true KR20200016623A (en) 2020-02-17
KR102440620B1 KR102440620B1 (en) 2022-09-06

Family

ID=69670633

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180091931A KR102440620B1 (en) 2018-08-07 2018-08-07 Mask set and method for changing mask of mask integrated frame
KR1020210124611A KR102357803B1 (en) 2018-08-07 2021-09-17 Mask set and method for changing mask of mask integrated frame

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210124611A KR102357803B1 (en) 2018-08-07 2021-09-17 Mask set and method for changing mask of mask integrated frame

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102440620B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060114463A (en) * 2005-04-29 2006-11-07 엘지전자 주식회사 Apparatus mask for organic electro luminescence display device and method of fabricating thereof
KR20120120703A (en) * 2011-04-25 2012-11-02 삼성디스플레이 주식회사 Mask frame assembly for thin film deposition
KR20120125035A (en) * 2011-05-06 2012-11-14 삼성디스플레이 주식회사 Mask frame assembly for thin film deposition and the manufacturing method thereof
KR20130135531A (en) * 2012-06-01 2013-12-11 주식회사 아바코 Substrate separation device and for method for separating the substrate using thereof
KR20180087824A (en) * 2017-01-25 2018-08-02 주식회사 티지오테크 Frame integrated mask and producing method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060114463A (en) * 2005-04-29 2006-11-07 엘지전자 주식회사 Apparatus mask for organic electro luminescence display device and method of fabricating thereof
KR20120120703A (en) * 2011-04-25 2012-11-02 삼성디스플레이 주식회사 Mask frame assembly for thin film deposition
KR20120125035A (en) * 2011-05-06 2012-11-14 삼성디스플레이 주식회사 Mask frame assembly for thin film deposition and the manufacturing method thereof
KR20130135531A (en) * 2012-06-01 2013-12-11 주식회사 아바코 Substrate separation device and for method for separating the substrate using thereof
KR20180087824A (en) * 2017-01-25 2018-08-02 주식회사 티지오테크 Frame integrated mask and producing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR102357803B1 (en) 2022-02-08
KR102440620B1 (en) 2022-09-06
KR20210120940A (en) 2021-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102202529B1 (en) Producing method of mask integrated frame and mask changing method of mask integrated frame
KR102342736B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102337004B1 (en) Mask for forming oled picture element and producing method of mask integrated frame
KR102202531B1 (en) Mask integrated frame and producing method thereof
KR102241769B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102314853B1 (en) Mask for forming oled picture element and mask supporting tray
KR102283202B1 (en) Transfer system of mask and producing method of mask integrated frame
KR102236539B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102254375B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102314856B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR20190105977A (en) Producing method of mask integrated frame
KR102236540B1 (en) Transfer system of mask and producing method of mask integrated frame
KR102357803B1 (en) Mask set and method for changing mask of mask integrated frame
KR102241770B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102217813B1 (en) Mask for forming oled picture element and producing method thereof and producing method of mask integrated frame
KR102254374B1 (en) Producing method of mask integrated frame and mask for forming oled picture element
KR102371176B1 (en) Method for separating mask adhere to frame
KR102342735B1 (en) Producing method of mask integrated frame and tray used for supporting mask
KR20200006346A (en) Producing method of mask integrated frame and mask for forming oled picture element
KR20200004115A (en) Producing method of mask integrated frame
KR102283201B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102202528B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR101986530B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102152688B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR20190106478A (en) Producing method of mask and mother plate using therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2021101002412; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20210917

Effective date: 20220506

GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant