KR20190106478A - Producing method of mask and mother plate using therefor - Google Patents

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KR20190106478A
KR20190106478A KR1020180028025A KR20180028025A KR20190106478A KR 20190106478 A KR20190106478 A KR 20190106478A KR 1020180028025 A KR1020180028025 A KR 1020180028025A KR 20180028025 A KR20180028025 A KR 20180028025A KR 20190106478 A KR20190106478 A KR 20190106478A
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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a mask and a mother plate used therefor. The method for manufacturing a mask according to the present invention, which is configured to manufacture a mask by electroforming, comprises the following steps of: (a) providing a conductive substrate; (b) forming a barrier film on one surface of the conductive substrate; (c) manufacturing a mother plate by forming a patterned insulation part on the surface of the barrier film; (d) using the mother plate as a cathode body and forming a plating film from the surface of the barrier film exposed by electroforming; (e) heat-treating the plating film; and (f) separating the plating film from the mother plate, wherein the plating film is made of the same material as the conductive substrate or is made of a material having the same or similar thermal behavior.

Description

마스크의 제조 방법 및 이에 사용되는 모판{PRODUCING METHOD OF MASK AND MOTHER PLATE USING THEREFOR}PROCESSING METHOD OF MASK AND MOTHER PLATE USING THEREFOR}

본 발명은 마스크의 제조 방법 및 이에 사용되는 모판에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a mask and a mother plate used therein.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, studies on electroforming methods have been underway in thin plate manufacturing. The electroplating method is to immerse the positive electrode and the negative electrode in the electrolyte, and to apply the power to electrodeposit the metal thin plate on the surface of the negative electrode, it is possible to manufacture the ultra-thin plate, it is a method that can be expected to mass production.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.Meanwhile, as a technology of forming pixels in an OLED manufacturing process, a fine metal mask (FMM) method of depositing an organic material at a desired position by closely attaching a thin metal mask to a substrate is mainly used.

기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 마스크 하나에는 디스플레이 하나에 대응하는 셀이 여러개 구비될 수 있다. 또한, 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 마스크의 전체 부분이 평평하게 되도록 인장력을 조절하는 것은 매우 어려운 작업이다. 특히, 각 셀들을 모두 평평하게 하면서, 크기가 수 내지 수십 ㎛에 불과한 마스크 패턴을 정렬하기 위해서는, 마스크의 각 측에 가하는 인장력을 미세하게 조절하면서, 정렬 상태를 실시간으로 확인하는 고도의 작업이 요구된다.In the conventional OLED manufacturing process, the mask is manufactured in a stick form, a plate form, and the like, and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. Each mask may include a plurality of cells corresponding to one display. In addition, in order to manufacture a large area OLED, several masks may be fixed to the OLED pixel deposition frame. In the process of fixing to the frame, each mask is tensioned to be flat. Adjusting the tension to make the entire part of the mask flat is a very difficult task. In particular, in order to align the mask pattern having a size of only a few to several tens of micrometers while flattening each cell, a high-level operation of checking the alignment in real time while finely adjusting the tension applied to each side of the mask is required. do.

그럼에도 불구하고, 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점이 있었다.Nevertheless, in the process of fixing several masks in one frame, there is a problem in that the alignment between the mask cells and the mask cells is not good. In addition, in the process of welding and fixing the mask to the frame, the thickness of the mask film is too thin and the large area has a problem that the mask is struck or warped by load.

초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.In the case of ultra-high-definition OLED, QHD image quality is 500 ~ 600 pixel per inch (PPI), and the pixel size is about 30 ~ 50㎛, and 4K UHD, 8K UHD high definition is higher than 860 PPI, ~ 1600 PPI, etc. It has a resolution of. As such, considering the pixel size of the ultra-high-definition OLED, the alignment error between each cell should be reduced to several μm, and the error beyond this may lead to product failure, resulting in very low yield. Therefore, there is a need for development of a technique for preventing deformation, such as knocking or twisting of a mask and making alignment clear, a technique for fixing a mask to a frame, and the like.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 열처리를 통해 낮은 열팽창계수를 가지는 마스크를 제조할 수 있고, 마스크와 모판의 열팽창계수 차이를 줄일 수 있는 마스크의 제조 방법 및 이에 사용되는 모판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been made in order to solve the above problems of the prior art, it is possible to manufacture a mask having a low coefficient of thermal expansion through heat treatment, and to manufacture a mask that can reduce the difference in coefficient of thermal expansion between the mask and the mother plate It is an object of the present invention to provide a method and a base plate used therein.

본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서, (a) 전도성 기재를 제공하는 단계; (b) 전도성 기재의 일면 상에 배리어막을 형성하는 단계; (c) 배리어막의 표면 상에 패턴화된 절연부를 형성하여 모판(Mother Plate)을 제조하는 단계; (d) 모판을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 노출된 배리어막의 표면으로부터 도금막을 형성하는 단계; (e) 도금막을 열처리하는 단계; 및 (f) 모판으로부터 도금막을 분리하는 단계를 포함하고, 도금막은 전도성 기재와 동일한 재질이거나, 열적 거동이 동일 또는 유사한 재질인, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a method of manufacturing a mask by electroforming, comprising: (a) providing a conductive substrate; (b) forming a barrier film on one surface of the conductive substrate; (c) forming a patterned insulating portion on the surface of the barrier film to manufacture a mother plate; (d) using a mother plate as a cathode body and forming a plated film from the surface of the barrier film exposed by electroforming; (e) heat-treating the plating film; And (f) separating the plated film from the mother plate, wherein the plated film is achieved by a method of manufacturing a mask, which is of the same material as the conductive substrate or of the same or similar thermal behavior.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조시 사용되는 모판(Mother Plate)으로서, 전도성 기재; 전도성 기재의 일면 상에 형성된 배리어막; 및 배리어막의 일면 상에 형성되고, 패턴화된 절연부를 포함하고, 전도성 기재는 마스크와 동일한 재질이거나, 열적 거동이 동일 또는 유사한 재질인, 모판에 의해 달성된다.In addition, the above object of the present invention, the mother plate used in the manufacture of the mask by electroforming (Electroforming), comprising: a conductive substrate; A barrier film formed on one surface of the conductive substrate; And a patterned insulating portion formed on one surface of the barrier film, wherein the conductive substrate is achieved by a mother plate, which is the same material as the mask or the same or similar thermal behavior.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 열처리를 통해 낮은 열팽창계수를 가지는 마스크를 제조할 수 있고, 마스크와 모판의 열팽창계수 차이를 줄일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, it is possible to manufacture a mask having a low coefficient of thermal expansion through heat treatment, there is an effect that can reduce the difference in the coefficient of thermal expansion of the mask and the mother plate.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 마스크를 프레임에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 마스크를 인장하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 형태 및 마스크를 트레이 상에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 모판 및 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이를 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 순차적으로 셀 영역에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착한 후 공정 영역의 온도를 하강시키는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional mask for OLED pixel deposition.
2 is a schematic diagram illustrating a process of adhering a conventional mask to a frame.
3 is a schematic diagram showing that alignment errors between cells occur in the process of tensioning a conventional mask.
4 is a front and side cross-sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a front and side cross-sectional view showing a frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a frame according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic view showing the shape of a mask according to an embodiment of the present invention and a state in which a mask is attached on a tray.
9 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the mother plate and mask according to an embodiment of the present invention.
10 is a schematic diagram illustrating a state in which a tray is loaded onto a frame according to an embodiment of the present invention to correspond to a mask cell area of the frame.
11 is a schematic diagram illustrating a process of adhering a mask to a cell region of a frame according to an embodiment of the present invention.
12 is a schematic diagram illustrating a process of sequentially bonding a mask to a cell region according to an embodiment of the present invention.
13 is a schematic diagram illustrating a process of lowering a temperature of a process region after attaching a mask to a cell region of a frame according to an embodiment of the present invention.
14 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus using a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention with respect to one embodiment. In addition, it is to be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is defined only by the appended claims, along with the full range of equivalents to which such claims are entitled. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크(10)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a conventional mask for depositing OLED pixels 10.

도 1을 참조하면, 종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)으로 제조될 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 마스크(10)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 마스크(100)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, the conventional mask 10 may be manufactured in a stick type or a plate type. The mask 10 shown in FIG. 1A is a stick type mask, and both sides of the stick may be welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. The mask 100 illustrated in FIG. 1B is a plate-type mask and may be used in a large area pixel forming process.

마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 셀(C)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(P)이 나타난다. 일 예로, 셀(C)에는 70 X 140의 해상도를 가지도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 즉, 수많은 화소 패턴(P)들은 군집을 이루어 셀(C) 하나를 구성하며, 복수의 셀(C)들이 마스크(10)에 형성될 수 있다.A plurality of display cells C are provided in the body (or mask film 11) of the mask 10. One cell C corresponds to one display such as a smartphone. In the cell C, a pixel pattern P is formed to correspond to each pixel of the display. When the cell C is enlarged, a plurality of pixel patterns P corresponding to R, G, and B appear. For example, the pixel pattern P is formed in the cell C to have a resolution of 70 × 140. That is, a large number of pixel patterns P may be clustered to form one cell C, and a plurality of cells C may be formed in the mask 10.

도 2는 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 3은 종래의 마스크(10)를 인장(F1~F2)하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시된 6개의 셀(C: C1~C6)을 구비하는 스틱 마스크(10)를 예로 들어 설명한다.2 is a schematic diagram illustrating a process of adhering the mask 10 to the frame 20. 3 is a schematic view showing that alignment errors between cells occur in the process of tensioning the mask 10 (F1 to F2). A stick mask 10 having six cells C: C1 to C6 shown in FIG. 1A will be described as an example.

도 2의 (a)를 참조하면, 먼저, 스틱 마스크(10)를 평평하게 펴야한다. 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 당김에 따라 스틱 마스크(10)가 펴지게 된다. 그 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다. 프레임(20)은 하나의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수 있고, 복수의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수도 있다.Referring to FIG. 2A, first, the stick mask 10 should be flattened. The stick mask 10 is unfolded by applying tensile forces F1 to F2 in the major axis direction of the stick mask 10. In this state, the stick mask 10 is loaded onto the frame 20 having a rectangular frame shape. The cells C1 to C6 of the stick mask 10 are positioned in the empty area of the frame 20 of the frame 20. The frame 20 may be large enough so that the cells C1 to C6 of one stick mask 10 are located in an empty area inside the frame, and the cells C1 to C6 of the plurality of stick masks 10 are framed. It may also be large enough to fit inside the empty area.

도 2의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 2의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.Referring to (b) of FIG. 2, after aligning while finely adjusting the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10, a part of the side surface of the stick mask 10 is welded (W). Accordingly, the stick mask 10 and the frame 20 are interconnected. 2 (c) shows the side surface of the stick mask 10 and the frame connected to each other.

도 3을 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C3)들의 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수(일 예로, 6개)의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다.Referring to FIG. 3, in spite of finely adjusting the tensile force F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10, there is a problem in that the alignment of the mask cells C1 to C3 is not good. For example, the distances D1 to D1 ″ and D2 to D2 ″ may be different from each other or the patterns P may be skewed between the patterns P of the cells C1 to C3. The stick mask 10 is a large area including a plurality of (eg, six) cells C1 to C6, and has a very thin thickness of several tens of micrometers, so that it is easily struck or warped by a load. In addition, it is very difficult to check the alignment between the cells C1 to C6 in real time through a microscope while adjusting the tensile forces F1 to F2 to flatten the cells C1 to C6.

따라서, 인장력(F1~F2)의 미세한 오차는 스틱 마스크(10) 각 셀(C1~C3)들이 늘어나거나, 펴지는 정도에 오차를 발생시킬 수 있고, 그에 따라 마스크 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상이해지게 되는 문제점을 발생시킨다. 물론, 완벽하게 오차가 0이 되도록 정렬하는 것은 어려운 것이지만, 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Therefore, the minute error of the tensile force (F1 ~ F2) may cause an error in the extent that each cell (C1 ~ C3) of the stick mask 10 is extended or unfolded, and thus the distance (D1) between the mask pattern (P) ~ D1 ", D2-D2") cause a problem that becomes different. Of course, it is difficult to align perfectly so that the error is 0, but in order that the mask pattern P having a size of several to several tens of micrometers does not adversely affect the pixel process of the ultra-high definition OLED, the alignment error does not exceed 3 micrometers. It is preferable not to. This alignment error between adjacent cells is referred to as pixel position accuracy (PPA).

이에 더하여, 대략 6~20개 정도의 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition, between the plurality of stick masks 10 and the plurality of cells C of the stick masks 10 while connecting the plurality of stick masks 10 of about 6 to 20 to each of the frames 20, respectively. It is also very difficult to clarify the alignment between ~ C6), and the process time due to alignment is inevitably increased, which is a significant reason for reducing productivity.

한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 작용할 수 있다. 즉, 인장력(F1~F2)에 의해 팽팽히 늘어났던 스틱 마스크(10)가 프레임(20)에 연결된 후에 프레임(20)에 장력(tension)을 작용할 수 있다. 보통 이 장력이 크지 않아서 프레임(20)에 큰 영향을 미치지 않을 수 있으나, 프레임(20)의 크기가 소형화되고 강성이 낮아지는 경우에는 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있다. 그리하면 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, after fixing the stick mask 10 to the frame 20, the tensile force (F1 ~ F2) applied to the stick mask 10 can act inversely to the frame 20. That is, after the stick mask 10 is stretched by the tension force (F1 ~ F2) is connected to the frame 20 may be applied to the tension (tension) to the frame 20. In general, the tension may not be large, and thus may not have a large influence on the frame 20. However, when the size of the frame 20 is reduced in size and the rigidity is reduced, the tension may slightly change the frame 20. Thus, a problem may arise in that the alignment state is changed between the plurality of cells C to C6.

이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다. 마스크(100)가 프레임(200)에 연결될 때 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않으므로, 마스크(100)가 프레임(200)에 연결된 후 프레임(200)이 변형될 정도의 장력을 가하지 않을 수 있다. 그리고, 마스크(100)를 프레임(200)에 일체로 연결하는 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 이점을 가진다.Thus, the present invention proposes a frame 200 and a frame integrated mask that allow the mask 100 to form an integrated structure with the frame 200. The mask 100 integrally formed in the frame 200 may be prevented from being deformed or warped, and may be clearly aligned with the frame 200. Since the mask 100 does not apply any tensile force to the mask 100 when the mask 100 is connected to the frame 200, the tension may not be applied to the frame 200 after the mask 100 is connected to the frame 200. . In addition, the manufacturing time for integrally connecting the mask 100 to the frame 200 may be significantly reduced, and the yield may be significantly increased.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 4의 (a)] 및 측단면도[도 4의 (b)]이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도[도 5의 (a)] 및 측단면도[도 5의 (b)]이다.4 is a front view (FIG. 4 (a)) and a side cross-sectional view (FIG. 4 (b)) showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is according to an embodiment of the present invention It is a front view (FIG. 5 (a)) and a side cross-sectional view (FIG. 5 (b)) which show a frame.

도 4 및 도 5를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 접착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 접착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 접착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.4 and 5, the frame integrated mask may include a plurality of masks 100 and one frame 200. In other words, the plurality of masks 100 are bonded to the frame 200 one by one. Hereinafter, for convenience of description, the rectangular mask 100 will be described as an example, but the masks 100 may be in the form of a stick mask having protrusions clamped at both sides before being bonded to the frame 200, and the frame 200. The protrusions can be removed after they have been adhered to.

각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다. 얇은 두께로 형성할 수 있도록, 마스크(100)는 전주도금(electroforming)으로 형성될 수 있다. 마스크(100)는 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃인 인바(invar), 약 1.0 X 10-7/℃ 인 슈퍼 인바(super invar) 재질일 수 있다. 이 재질의 마스크(100)는 열팽창계수가 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 이 외에, 최근에 온도 변화값이 크지 않은 범위에서 화소 증착 공정을 수행하는 기술들이 개발되는 것을 고려하면, 마스크(100)는 이보다 열팽창계수가 약간 큰 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크의 두께는 약 2㎛ 내지 50㎛ 정도로 형성될 수 있다.A plurality of mask patterns P may be formed in each mask 100, and one cell C may be formed in one mask 100. One mask cell C may correspond to one display such as a smartphone. In order to form a thin thickness, the mask 100 may be formed by electroforming. The mask 100 may be an invar having a thermal expansion coefficient of about 1.0 × 10 −6 / ° C. and a super invar material having about 1.0 × 10 −7 / ° C. Since the mask 100 of this material has a very low coefficient of thermal expansion, there is little possibility that the pattern shape of the mask is deformed by thermal energy, and thus, the mask 100 may be used as a fine metal mask (FMM) or a shadow mask in high resolution OLED manufacturing. In addition, in consideration of the recent development of techniques for performing the pixel deposition process in a range where the temperature change is not large, the mask 100 has a slightly larger thermal expansion coefficient than that of nickel (Ni) and nickel-cobalt (Ni-Co). It may be a material such as). The thickness of the mask may be formed to about 2 to 50㎛.

프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 접착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 최외곽 테두리를 포함해 제1 방향(예를 들어, 가로 방향), 제2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 형성되는 여러 모서리를 포함할 수 있다. 이러한 여러 모서리들은 프레임(200) 상에 마스크(100)가 접착될 구역을 구획할 수 있다.The frame 200 is formed to bond the plurality of masks 100. The frame 200 may include various edges formed in a first direction (eg, a horizontal direction) and a second direction (eg, a vertical direction) including an outermost edge. These various corners may define the area to which the mask 100 is to be bonded on the frame 200.

프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다. 즉, 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함할 수 있다. 프레임(200)은 인바, 슈퍼인바, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 이 재질들은 프레임(200)의 구성요소인 테두리 프레임부(210), 마스크 셀 시트부(220)에 모두 적용될 수 있다.The frame 200 may include an edge frame portion 210 having a substantially rectangular shape and a rectangular frame shape. The inside of the frame frame 210 may be hollow. That is, the frame frame 210 may include a hollow region (R). The frame 200 may be made of a metal material such as Invar, Super Invar, Aluminum, Titanium, etc., and may be made of Inbar, Super Invar, Nickel, or Nickel-Cobalt having the same thermal expansion coefficient as a mask in consideration of thermal deformation. Preferably, the materials may be applied to both the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 which are components of the frame 200.

이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 마스크(100)와 마찬가지로 전주도금으로 형성되거나, 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트(sheet)에 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결할 수 있다. 또는, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 연결한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 마스크 셀 시트부(220)에 먼저 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결한 것을 주로 상정하여 설명한다.In addition, the frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR and may include a mask cell sheet portion 220 connected to the edge frame portion 210. Like the mask 100, the mask cell sheet part 220 may be formed by electroplating, or may be formed using another film forming process. In addition, the mask cell sheet part 220 may be connected to the edge frame part 210 after forming a plurality of mask cell areas CR through laser scribing or etching on a flat sheet. Alternatively, the mask cell sheet unit 220 may form a plurality of mask cell regions CR through laser scribing, etching, etc. after connecting the planar sheet to the edge frame unit 210. In the present specification, first, a plurality of mask cell regions CR are formed in the mask cell sheet part 220, and then the connection to the edge frame part 210 is mainly assumed.

마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.The mask cell sheet part 220 may include at least one of the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225. The edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 refer to respective portions partitioned from the same sheet, which are integrally formed with each other.

테두리 시트부(221)가 실질적으로 테두리 프레임부(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 테두리 시트부(221)는 테두리 프레임부(210)와 대응하는 대략 사각 형상, 사각틀 형상을 가질 수 있다.The edge sheet portion 221 may be substantially connected to the edge frame portion 210. Accordingly, the edge sheet part 221 may have a substantially rectangular shape and a rectangular frame shape corresponding to the edge frame part 210.

또한, 제1 그리드 시트부(223)는 제1 방향(가로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제1 그리드 시트부(223)를 포함하는 경우, 각각의 제1 그리드 시트부(223)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, the first grid sheet part 223 may extend in a first direction (horizontal direction). The first grid sheet part 223 may be formed in a straight line shape and both ends thereof may be connected to the edge sheet part 221. When the mask cell sheet portion 220 includes the plurality of first grid sheet portions 223, each of the first grid sheet portions 223 may be equally spaced apart.

또한, 이에 더하여, 제2 그리드 시트부(225)가 제2 방향(세로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제2 그리드 시트부(225)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)와 제2 그리드 시트부(225)는 서로 수직 교차될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제2 그리드 시트부(225)를 포함하는 경우, 각각의 제2 그리드 시트부(225)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, in addition, the second grid sheet part 225 may be formed to extend in a second direction (vertical direction). The second grid sheet part 225 may be formed in a straight line shape and both ends thereof may be connected to the edge sheet part 221. The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 may vertically cross each other. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of second grid sheet portions 225, each of the second grid sheet portions 225 preferably has an equal interval.

한편, 제1 그리드 시트부(223)들 간의 간격과, 제2 그리드 시트부(225)들 간의 간격은 마스크 셀(C)의 크기에 따라서 동일하거나 상이할 수 있다.Meanwhile, the spacing between the first grid sheet portions 223 and the spacing between the second grid sheet portions 225 may be the same or different according to the size of the mask cell C. FIG.

제1 그리드 시트부(223) 및 제2 그리드 시트부(225)는 박막 형태의 얇은 두께를 가지지만, 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 직사각형, 평행사변형과 같은 사각형 형상, 삼각형 형상 등일 수 있고, 변, 모서리 부분이 일부 라운딩 될 수도 있다. 단면 형상은 레이저 스크라이빙, 에칭 등의 과정에서 조절 가능하다.The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 have a thin thickness in the form of a thin film, but the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction may be a rectangle, a square shape such as a parallelogram, a triangular shape, or the like. The edges, edges, and corners may be partially rounded. The cross-sectional shape is adjustable in the process of laser scribing, etching and the like.

테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 테두리 프레임부(210)는 프레임(200)의 전체 강성을 담당하기 때문에 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the edge frame portion 210 may be thicker than the thickness of the mask cell sheet portion 220. The edge frame part 210 may be formed to a thickness of several mm to several cm because it is responsible for the overall rigidity of the frame 200.

마스크 셀 시트부(220)의 경우는, 실질적으로 두꺼운 시트를 제조하는 공정이 어렵고, 너무 두꺼우면 OLED 화소 증착 공정에서 유기물 소스(600)[도 14 참조]가 마스크(100)를 통과하는 경로를 막는 문제를 발생시킬 수 있다. 반대로, 두께가 너무 얇아지면 마스크(100)를 지지할 정도의 강성 확보가 어려울 수 있다. 이에 따라, 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 것이 바람직하다. 마스크 셀 시트부(220)의 두께는, 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 형성될 수 있다. 그리고, 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.In the case of the mask cell sheet portion 220, a process of manufacturing a substantially thick sheet is difficult, and if the thickness is too thick, a path through which the organic source 600 (see FIG. 14) passes through the mask 100 in the OLED pixel deposition process. This can cause problems. On the contrary, if the thickness is too thin, it may be difficult to secure rigidity enough to support the mask 100. Accordingly, the mask cell sheet part 220 is thinner than the thickness of the edge frame part 210, but preferably thicker than the mask 100. The mask cell sheet part 220 may have a thickness of about 0.1 mm to about 1 mm. In addition, the widths of the first and second grid sheet parts 223 and 225 may be formed to about 1 to 5 mm.

평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. 다른 관점에서, 마스크 셀 영역(CR)이라 함은, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R)에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외한, 빈 영역을 의미할 수 있다.A plurality of mask cell areas CR: CR11 to CR56 may be provided except for an area occupied by the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 in the planar sheet. In another aspect, the mask cell region CR is an area occupied by the edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 in the hollow region R of the edge frame portion 210. Except for, it may mean an empty area.

이 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)의 셀(C)이 대응됨에 따라, 실질적으로 마스크 패턴(P)을 통해 OLED의 화소가 증착되는 통로로 이용될 수 있게 된다. 전술하였듯이 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)을 구성하는 마스크 패턴(P)들이 형성될 수 있다. 또는, 하나의 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있으나, 마스크(100)의 명확한 정렬을 위해서는 대면적 마스크(100)를 지양할 필요가 있고, 하나의 셀(C)을 구비하는 소면적 마스크(100)가 바람직하다. 또는, 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR)에 복수의 셀(C)을 가지는 하나의 마스크(100)가 대응할 수도 있다. 이 경우, 명확한 정렬을 위해서는 2-3개 정도의 소수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)를 대응하는 것을 고려할 수 있다.As the cell C of the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, the mask C may be used as a passage through which the pixels of the OLED are deposited through the mask pattern P. FIG. As described above, one mask cell C corresponds to one display such as a smartphone. Mask patterns P constituting one cell C may be formed in one mask 100. Alternatively, one mask 100 may include a plurality of cells C, and each cell C may correspond to each cell region CR of the frame 200. It is necessary to avoid the large area mask 100, and the small area mask 100 provided with one cell C is preferable. Alternatively, one mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one cell region CR of the frame 200. In this case, for clear alignment, it may be considered to correspond to the mask 100 having a small number of cells C of about 2-3.

프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 접착될 수 있다. 각각의 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미[셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응]를 포함할 수 있다. 더미는 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.The frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR, and each mask 100 may be bonded such that one mask cell C corresponds to the mask cell region CR. Each mask 100 may include a mask cell C in which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy (corresponding to a portion of the mask film 110 except for the cell C) around the mask cell C. have. The dummy may include only the mask layer 110 or the mask layer 110 in which a predetermined dummy pattern having a similar shape to the mask pattern P is formed. The mask cell C may correspond to the mask cell region CR of the frame 200, and part or all of the dummy may be attached to the frame 200 (mask cell sheet portion 220). Accordingly, the mask 100 and the frame 200 may form an integrated structure.

한편, 다른 실시예에 따르면, 프레임은 테두리 프레임부(210)에 마스크 셀 시트부(220)를 접착하여 제조하지 않고, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R) 부분에 테두리 프레임부(210)와 일체인 그리드 프레임[그리드 시트부(223, 225)에 대응]을 곧바로 형성한 프레임을 사용할 수도 있다. 이러한 형태의 프레임도 적어도 하나의 마스크 셀 영역(CR)을 포함하며, 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응시켜 프레임 일체형 마스크를 제조할 수 있게 된다.On the other hand, according to another embodiment, the frame is not manufactured by bonding the mask cell sheet portion 220 to the edge frame portion 210, the edge frame portion 210 in the hollow region (R) portion of the edge frame portion 210 ), A frame in which a grid frame (corresponding to the grid sheet portions 223 and 225) which is integral with one another can be used immediately. The frame of this type also includes at least one mask cell region CR, and the mask integrated region may be manufactured by corresponding the mask 100 to the mask cell region CR.

이하에서는, 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing the frame integrated mask will be described.

먼저, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임(200)을 제공할 수 있다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임(200)의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.First, the frame 200 described above with reference to FIGS. 4 and 5 may be provided. 6 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 6의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)를 제공한다. 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함한 사각 틀 형상일 수 있다.Referring to FIG. 6A, an edge frame unit 210 is provided. The edge frame portion 210 may have a rectangular frame shape including the hollow area R.

다음으로, 도 6의 (b)를 참조하면, 마스크 셀 시트부(220)를 제조한다. 마스크 셀 시트부(220)는 전주도금 또는 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 평면의 시트를 제조한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분을 제거함에 따라 제조할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)가 존재할 수 있다.Next, referring to FIG. 6B, a mask cell sheet part 220 is manufactured. The mask cell sheet unit 220 may be manufactured by fabricating a planar sheet using pre-plating or other film forming process, and then removing the mask cell region CR through laser scribing or etching. have. In the present specification, a description will be given of an example in which a mask cell region CR: CR11 to CR56 of 6 × 5 is formed. There may be five first grid sheet portions 223 and four second grid sheet portions 225.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220)의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220)를 평평하게 편 상태로 테두리 시트부(221)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 6의 (b)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220)를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220)를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, the mask cell sheet part 220 may correspond to the edge frame part 210. In the corresponding process, all sides of the mask cell sheet part 220 are stretched (F1 to F4) to flatten the mask cell sheet part 220 to the edge sheet part 221 to the border frame part 210. It can respond. On one side, the mask cell sheet portion 220 may be grasped and tensioned at several points (for example, 1 to 3 points in FIG. 6B). On the other hand, the mask cell sheet portion 220 may be stretched (F1, F2) not in all sides but in some lateral directions.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220)의 테두리 시트부(221)를 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220)와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220)를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet part 220 corresponds to the edge frame part 210, the edge cell part 221 of the mask cell sheet part 220 may be welded (W) and bonded. It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet portion 220 can be firmly adhered to the edge frame portion 220. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the edge frame portion 210 as much as possible to reduce the excited space between the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 as much as possible to increase the adhesion. The weld (W) portion may be generated in a line or spot form, and may have the same material as the mask cell sheet portion 220 and integrate the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220. It can be a medium to connect to.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프레임의 제조 과정을 나타내는 개략도이다. 도 6의 실시예는 마스크 셀 영역(CR)을 구비한 마스크 셀 시트부(220)를 먼저 제조하고 테두리 프레임부(210)에 접착하였으나, 도 7의 실시예는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 접착한 후에, 마스크 셀 영역(CR) 부분을 형성한다.7 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a frame according to another embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 6, the mask cell sheet part 220 having the mask cell area CR is first manufactured and adhered to the edge frame part 210. However, the embodiment of FIG. After adhesion to 210, a mask cell region CR is formed.

먼저, 도 6의 (a)처럼, 중공 영역(R)을 포함한 테두리 프레임부(210)를 제공한다.First, as shown in FIG. 6A, the edge frame part 210 including the hollow area R is provided.

다음으로, 도 7의 (a)를 참조하면, 테두리 프레임부(210)에 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]를 대응할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')는 아직 마스크 셀 영역(CR)이 형성되지 않은 평면 상태이다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220')의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220')를 평평하게 편 상태로 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 7의 (a)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220')를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220')를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, referring to FIG. 7A, a flat sheet (a flat mask cell sheet portion 220 ′) may correspond to the edge frame portion 210. The mask cell sheet portion 220 ′ is in a planar state in which the mask cell region CR is not yet formed. In the corresponding process, all sides of the mask cell sheet part 220 'may be stretched (F1 to F4) to correspond to the edge frame part 210 in a state where the mask cell sheet part 220' is flattened. On one side, the mask cell sheet portion 220 'may be grasped and tensioned at various points (for example, 1 to 3 points in FIG. 7A). On the other hand, the mask cell sheet portion 220 'may be stretched (F1, F2) not in all sides but in some lateral direction.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220')를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220')의 테두리 부분을 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220')가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220') 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220')와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220')를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet portion 220 ′ corresponds to the edge frame portion 210, the edge portion of the mask cell sheet portion 220 ′ may be welded (W) and bonded. It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet portion 220 ′ can be firmly adhered to the edge frame portion 220. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the edge frame portion 210 as much as possible to reduce the excited space between the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 'as much as possible to increase the adhesion. The weld (W) portion may be generated in a line or spot shape, and may have the same material as the mask cell sheet portion 220 ′ and have an edge frame portion 210 and a mask cell sheet portion 220 ′. It can be a medium to connect the integrally.

다음으로, 도 7의 (b)를 참조하면, 평면의 시트[평면의 마스크 셀 시트부(220')]에 마스크 셀 영역(CR)을 형성한다. 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분의 시트를 제거함에 따라 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 마스크 셀 영역(CR)을 형성하게 되면, 테두리 프레임부(210)와 용접(W)된 부분이 테두리 시트부(221)가 되고, 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)를 구비하는 마스크 셀 시트부(220)가 구성될 수 있다.Next, referring to FIG. 7B, a mask cell region CR is formed in a planar sheet (planar mask cell sheet portion 220 ′). The mask cell region CR may be formed by removing the sheet of the mask cell region CR through laser scribing or etching. In the present specification, a description will be given of an example in which a mask cell region CR: CR11 to CR56 of 6 × 5 is formed. When the mask cell region CR is formed, the portion welded to the edge frame portion 210 becomes the edge sheet portion 221, and five first grid sheet portions 223 and four second grids are formed. The mask cell sheet part 220 having the sheet part 225 may be configured.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)의 형태[도 8의 (a)] 및 마스크(100)를 트레이(50) 상에 부착한 상태의 평면도[도 8의 (b)]와 측단면도[도 8의 (c)]를 나타낸다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 모판 및 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다. 도 10는 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이(50)를 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응시키는 상태의 평면도[도 10의 (a)] 및 측단면도[도 10의 (b)]를 나타낸다. 이하에서는, 본 발명의 실시예에 따라, 제조된 프레임(200)에 마스크(100)를 접착하는 일련의 과정에 대해서 설명한다.8 is a plan view (FIG. 8A) of the mask 100 and a state in which the mask 100 is attached on the tray 50 according to an embodiment of the present invention (FIG. 8B). And a side cross-sectional view (Fig. 8 (c)). 9 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a mother plate and a mask according to an embodiment of the present invention. FIG. 10 is a plan view of a state in which the tray 100 is loaded on the frame 200 and the mask 100 corresponds to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention. a)] and a side sectional view (FIG. 10 (b)). Hereinafter, according to an embodiment of the present invention, a series of processes for bonding the mask 100 to the manufactured frame 200 will be described.

다음으로, 도 8의 (a)를 참조하면, 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크(100)를 제공할 수 있다. 전주도금 방식으로 인바, 슈퍼 인바 재질의 마스크(100)를 제조할 수 있고, 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있음은 상술한 바 있다. 도 9를 통해 마스크(100)의 제조 과정을 더 설명한다.Next, referring to FIG. 8A, a mask 100 having a plurality of mask patterns P may be provided. As described above, it is possible to manufacture a mask 100 made of Invar and Super Invar using a pre-plating method, and one cell C may be formed in the mask 100. 9, the manufacturing process of the mask 100 will be further described.

먼저, 모판(mother plate; 40)을 준비한다. 전주 도금에서 음극체(cathode)로 사용하는 모판(40)은 전도성 재질을 사용한다. 즉, 모판(40)의 기재(41)는 전도성 재질일 수 있다.First, prepare a mother plate (40). The base plate 40 used as a cathode in electroplating is made of a conductive material. That is, the base 41 of the mother plate 40 may be a conductive material.

본 발명은 기재(41)를 마스크(100)와 동일한 재질을 사용하는 것을 특징으로 한다. 기재(41)는 인바, 수퍼 인바, 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 재질일 수 있다. 또한, 본 발명은 마스크(100)의 열팽창계수를 낮춤과 동시에 마스크(100) 및 마스크 패턴(P)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해, 모판(40)으로부터 분리 전에 열처리(H)를 수행하는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the base material 41 is made of the same material as the mask 100. The substrate 41 may be made of Inba, Super Inva, Nickel (Ni), and Nickel-Cobalt (Ni-Co). In addition, the present invention, in order to lower the coefficient of thermal expansion of the mask 100 and to prevent deformation due to the heat of the mask 100 and the mask pattern (P), to perform the heat treatment (H) before separation from the base plate 40 It features.

일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 약간의 변형이 생길 수 있다. 만약, 마스크(100)와 모판(40)을 분리한 후, 마스크 패턴(P)을 가지는 마스크(100)에 열처리를 수행한다면 마스크 패턴(P)에 일부 변형이 생길 수도 있다. 따라서, 모판(40)과 마스크(100)가 접착된 상태에서 열처리를 수행하면, 모판(40)의 절연부가 차지하는 공간 부분에 형성된 마스크 패턴(PP)의 형태가 일정하게 유지되고, 열처리로 인한 미세한 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다.In general, the Invar thin plate produced by electroplating has a higher coefficient of thermal expansion as compared to the Invar thin plate produced by rolling. Thus, by performing heat treatment on the Invar thin plate, the coefficient of thermal expansion can be lowered. In this heat treatment, slight deformation may occur in the Invar thin plate. If the mask 100 and the mother plate 40 are separated and then heat-treated to the mask 100 having the mask pattern P, some deformation may occur in the mask pattern P. FIG. Therefore, when the heat treatment is performed in a state in which the base plate 40 and the mask 100 are bonded to each other, the shape of the mask pattern PP formed in the space portion occupied by the insulating portion of the base plate 40 is kept constant and minute There is an advantage that can prevent deformation.

기재(41)와 마스크(100)가 동일한 재질인 이유는 동일/유사하게 열적 거동을 함으로써 열처리(H) 공정에 따른 변형을 최소화, 또는 변형이 없도록 하고자 함이다. 기재(41)에 마스크(100)가 부착되어 있는 상태에서는 마스크(100)의 변형은 거의 없지만 내부응력이 발생(존재)할 수 있다. 이 경우, 마스크(100)를 기재(41)부터 분리(peel off)하면 내부응력에 따라 마스크(100)에 변형이 발생할 수 있다. 기재(41)와 마스크(100)가 동일한 재질, 또는 열적 거동이 동일/유사하다면 열처리(H) 후에도 존재하는 내부응력이 최소화 될 수 있게 된다.The reason that the substrate 41 and the mask 100 are the same material is to minimize or prevent deformation due to the heat treatment (H) process by performing the same / similar thermal behavior. In the state where the mask 100 is attached to the base material 41, the deformation of the mask 100 is hardly occurred, but internal stress may occur (exist). In this case, when the mask 100 is peeled off from the base 41, deformation may occur in the mask 100 according to internal stress. If the substrate 41 and the mask 100 are the same material or have the same / similar thermal behavior, internal stress existing even after the heat treatment H may be minimized.

도금 인바 마스크(100)의 열팽창 계수(CTE) 감소를 위해 열처리 공정(H)을 수행할 수 있는데, 열처리 공정 후 변형량을 최소(~zero)로 하기 위해 전주 도금 마스크(100)와 동일한 소재를 기재(41)로 사용한다. 바람직하게, 인바 plate를 도금용 기재(41)으로 사용할 수 있다.The heat treatment process (H) may be performed to reduce the coefficient of thermal expansion (CTE) of the plated invar mask 100. The same material as the electroplating mask 100 is described in order to minimize the deformation after the heat treatment process. Use as (41). Preferably, the Invar plate may be used as the base material 41 for plating.

마스크 제조 과정은, 1) 기재(41)를 준비하는 단계, 2) 배리어막(42)을 형성하는 단계, 3) 절연부 패턴을 형성하는 단계, 4) 전주 도금으로 마스크(100)를 형성하는 단계, 5) 열처리(H) 하는 단계, 6) 마스크(100)를 모판(40)으로부터 분리하는 단계로 구성될 수 있다.The mask manufacturing process includes: 1) preparing a base material 41, 2) forming a barrier layer 42, 3) forming an insulating part pattern, and 4) forming a mask 100 by electroplating. Step 5) heat treatment (H), and 6) separating the mask 100 from the mother plate 40.

한편, 동일한 재질의 마스크(100)와 기재(41)가 접촉된 상태에서 열처리(H)를 하게 되면 열처리 과정에서 상호 반응을 일으켜 불순물이 마스크(100)에 생길 수 있다. 따라서, 배리어막(42)을 전도성 기재(41) 상에 형성하여, 마스크(100)와 기재(41)가 서로 반응하는 것을 막을 수 있다. 또한, 배리어막(42)은 열처리(H) 이후에 마스크(100)가 모판(40)으로부터 분리가 용이하게 되도록 하는 중간막 역할도 할 수 있다.On the other hand, when the heat treatment (H) in the state in which the mask 100 and the base material 41 of the same material is in contact with each other may cause an interaction in the heat treatment process, impurities may be generated in the mask 100. Therefore, the barrier film 42 can be formed on the conductive substrate 41 to prevent the mask 100 and the substrate 41 from reacting with each other. In addition, the barrier layer 42 may also serve as an intermediate layer to facilitate the separation of the mask 100 from the mother plate 40 after the heat treatment (H).

배리어막(42)은 전도성을 가지는 질화티탄(TiN), 텅스텐카바이드(WC), 티타늄텅스텐(WTi), 그래핀(graphene) 등의 재질을 포함할 수도 있고, 크롬 산화물, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 재질을 포함할 수도 있다. 특히, Cr2O3를 포함하는 배리어막(42)을 사용하는 것이 바람직하다. 배리어막(42)은 증착 등의 박막 형성 공정을 제한없이 사용하여 형성할 수 있다. Cr2O3를 포함하는 배리어막(42)을 형성하기 위해서는, 기재(41) 상에 Cr을 도금, 증착 등을 수행하고, 산화막을 형성할 수 있다. 산화막은 Cr 표면에 자연적으로 형성되나 필요 시 N2, O2, 에어 등의 분위기에서 인위적으로 형성할 수도 있다.The barrier layer 42 may include conductive titanium nitride (TiN), tungsten carbide (WC), titanium tungsten (WTi), graphene, or the like, and may include chromium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, It may also contain a material such as silicon nitride. In particular, it is preferable to use the barrier film 42 containing Cr 2 O 3 . The barrier film 42 can be formed using any thin film forming process such as vapor deposition without limitation. In order to form the barrier film 42 including Cr 2 O 3 , Cr may be plated, deposited, or the like on the substrate 41 to form an oxide film. The oxide film is naturally formed on the surface of Cr, but may be artificially formed in an atmosphere such as N 2 , O 2 , or air if necessary.

비교예로, Si 재질의 기판에서 인바 도금 후, 마스크를 분리하면 ~0.1%의 길이가 변화할 수 있다(도금 조건에 따라 상이). 그리고, Si 재질의 기판 상에 도금된 인바를 550 ℃, 30 min 열처리 후 분리하면 ~0.2%의 길이가 변화할 수 있다(열처리 조건에 따라 상이). 길이 변화량이 발생하는 것 자체는 패터닝 시 Photomask의 사이즈 변경을 통해 해결 가능하나 변화량이 크면 편차도 같이 커지기 때문에 문제가 발생할 수 있다. 예를 들어, 150 mm 마스크[하나의 셀(C)을 포함하는 마스크]에서 길이가 0.1% 감소하면 150 um 길이 감소할 수 있고, 공정에 따른 편차가 10%라고 하면 ±15 um의 편차 발생할 수 있다.As a comparative example, if the mask is removed after Invar plating on a substrate made of Si, the length of ˜0.1% may change (depending on the plating conditions). In addition, when the invar plated on the Si material is separated after heat treatment at 550 ° C. for 30 min, the length of ˜0.2% may change (depending on the heat treatment conditions). The change of length itself can be solved by changing the size of the photomask during patterning. However, if the change amount is large, the deviation can be large. For example, in a 150 mm mask (a mask containing one cell C), a 0.1% reduction in length can reduce the length to 150 um, while a 10% deviation in the process can result in a deviation of ± 15 um. have.

하지만, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임 일체형 마스크 켄셉에서는 마스크(100) 자체의 PPA가 맞아야 하므로 공정 편차에 따른 길이 변화(PPA) 편차가 사양 (±1~2 um)을 만족해야 한다. 따라서, 길이변화율 자체를 10~20 um 이내로 조절할 필요가 있다. 이는 열처리 후 온도 하강 시 마스크(100)와 기재(41)간의 열팽창 계수(CTE) 차이에 의한 길이변화에 기인한다. 따라서, 도금 인바 마스크(100)의 열처리 공정 후 변형량을 최소로 하기 위해 전주 도금 마스크(100)와 동일한 소재를 기재(41)로 사용하는 것이다.However, since the PPA of the mask 100 itself must be matched in the frame integrated mask ketchup described above with reference to FIGS. 4 and 5, the variation in length (PPA) according to the process deviation must satisfy the specification (± 1 to 2 um). Therefore, it is necessary to adjust the length change rate itself within 10 ~ 20um. This is due to the change in length due to the difference in the coefficient of thermal expansion (CTE) between the mask 100 and the substrate 41 during the temperature drop after the heat treatment. Therefore, in order to minimize the amount of deformation after the heat treatment process of the plating inva mask 100, the same material as that of the electroplating mask 100 is used as the base 41.

다시, 도 9를 참조하면, 전도성 기재(41) 및 배리어막(42)을 포함하는 모판(40)을 준비한다. 모판(40) 상에는 포토레지스트 등의 패턴화된 절연부가 형성될 수 있고, 절연부는 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.Referring back to FIG. 9, a mother plate 40 including a conductive substrate 41 and a barrier layer 42 is prepared. A patterned insulator such as a photoresist may be formed on the mother plate 40, and the insulator may have an inverse taper shape.

절연부가 절연 특성을 가지므로, 전주 도금 공정시에 절연부에서는 전기장이 형성되지 않거나, 도금이 수행되기 어려운 정도의 미약한 전기장만이 형성된다. 따라서, 모판(40)에서 마스크(100)가 생성되지 않는, 절연부에 대응하는 부분은 마스크(100)의 패턴(P)을 구성할 수 있다.도금막(100)의 패턴, 홀(Hole) 등을 구성한다.Since the insulator has an insulating property, no electric field is formed in the insulator during the electroplating process, or only a weak electric field of a degree to which plating is difficult to be formed is formed. Accordingly, the portion of the mother plate 40 corresponding to the insulating portion, in which the mask 100 is not generated, may constitute the pattern P of the mask 100. The pattern of the plating film 100, hole And so forth.

마스크 패턴(P)의 폭은 40㎛보다 작게 형성될 수 있고, 마스크(100)의 두께는 약 2~50㎛로 형성될 수 있다. 프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다.The width of the mask pattern P may be smaller than 40 μm, and the thickness of the mask 100 may be about 2 to 50 μm. Since the frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56, the mask 100 having mask cells C11 to C56 corresponding to the mask cell regions CR11 to CR56, respectively. ) Can also be provided in plurality.

마스크(100)를 모판(40)으로부터 분리하기 전에 열처리(H)를 수행할 수 있다. 열처리(H)는 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다. 열처리(H) 후에 마스크(100)는 열팽창계수가 낮아질 수 있고, 모판(40)과 마스크(100)가 동일한 재질이므로, 열팽창계수 차이에 의한 길이 변화 차이가 줄어들 수 있다.The heat treatment H may be performed before the mask 100 is separated from the mother plate 40. Heat treatment (H) may be carried out at a temperature of 300 ℃ to 800 ℃. After the heat treatment H, the mask 100 may have a low thermal expansion coefficient, and since the mother plate 40 and the mask 100 are made of the same material, the difference in length change due to the difference in thermal expansion coefficient may be reduced.

다음으로, 도 8의 (b)를 참조하면, 마스크(100)를 트레이(tray; 50) 상에 부착할 수 있다. 모판 상에서 전착된 마스크(100)를 떼어내어 트레이(50) 상에 부착할 수 있다. 트레이(50)는 마스크(100)를 평평하게 부착할 수 있도록, 평판 형상인 것이 바람직하다. 마스크(100)가 전체적으로 평평하게 부착될 수 있도록 트레이(50)의 크기는 마스크(100)보다 큰 평판 형상일 수 있다.Next, referring to FIG. 8B, the mask 100 may be attached onto a tray 50. The electrodeposited mask 100 may be detached from the mother plate and attached to the tray 50. The tray 50 is preferably flat in shape so that the mask 100 can be attached flat. The tray 50 may have a flat plate shape larger than that of the mask 100 so that the mask 100 may be flatly attached to the entire surface.

트레이(50)의 일면 상에서 마스크(100)가 구김, 주름없이 평평하게 펼쳐져 부착되도록 정전기력, 자기력, 진공 등을 이용할 수 있다. 정전기력을 이용하는 방법은 대전체를 트레이(50) 일면에 문질러서 정전기를 유도하는 방법이다. 또한, 정전기력을 이용하는 방법은 트레이(50)의 상부면 또는 하부면 상에 배치한 투명전극에 전압을 인가하고, 마스크(100)에도 전압을 인가하면 정전기가 유도되어 마스크(100)가 평평하게 펼쳐지면서 소정의 부착력을 가지고 트레이(50)의 일면에 부착되는 방법이다. 자기력을 이용하는 방법은 마스크(100)가 배치된 트레이(50) 면의 반대면에서 복수의 자석을 이용하여 자기력으로 마스크(100)를 잡아 이동하면서 펼치는 방법이다. 진공을 이용하는 방법은 트레이(50)에 배치된 마스크(100)의 일단에서 타단까지 진공 장치를 이용하여 마스크(100)를 잡아 이동하면서 펼치는 방법이다. An electrostatic force, magnetic force, vacuum, or the like may be used so that the mask 100 is unfolded and attached flat without wrinkles or wrinkles on one surface of the tray 50. The method of using the electrostatic force is a method of inducing static electricity by rubbing the whole surface of the tray 50. In addition, in the method using the electrostatic force, a voltage is applied to the transparent electrode disposed on the upper or lower surface of the tray 50, and when a voltage is applied to the mask 100, static electricity is induced to unfold the mask 100. It is a method of attaching to one surface of the tray 50 while having a predetermined adhesive force. The magnetic force is a method of unfolding while grasping and moving the mask 100 by magnetic force using a plurality of magnets on the opposite side of the tray 50 on which the mask 100 is disposed. The method of using the vacuum is a method of unfolding while grasping and moving the mask 100 using a vacuum device from one end to the other end of the mask 100 disposed on the tray 50.

트레이(50)는 레이저 광(L)이 투과할 수 있는 재질일 수 있다. 트레이(50)는 글래스(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 알루미나(Al2O3) 등의 레이저 광이 투과하는 재질을 포함하여, 트레이(50) 상부에서 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접(LW) 방식으로 마스크(100)를 프레임(200)에 접착시킬 수 있게 된다.The tray 50 may be made of a material through which the laser light L may pass. The tray 50 may include a material through which laser light, such as glass, quartz, sapphire, alumina (Al 2 O 3 ), may be transmitted, and the laser L may be disposed on the tray 50. Irradiation enables the mask 100 to adhere to the frame 200 by laser welding (LW).

다음으로, 도 10의 (a) 및 (b)를 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 마스크(100)가 상부에 부착된 트레이(50)를 뒤집고, 트레이(50)를 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 트레이(50)의 위치를 제어하면서, 현미경을 통해 마스크(100)가 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는지 살펴볼 수 있다. 트레이(50)가 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩되면, 마스크(100)는 트레이(50)와 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 사이에 배치되면서, 트레이(50)에 의해 압착될 수 있다.Next, referring to FIGS. 10A and 10B, the mask 100 may correspond to one mask cell region CR of the frame 200. The mask 100 is turned over by turning the tray 50 having the mask 100 attached thereon and loading the tray 50 onto the frame 200 (or the mask cell sheet 220). CR). While controlling the position of the tray 50, the microscope 100 may check whether the mask 100 corresponds to the mask cell region CR. When the tray 50 is loaded onto the frame 200 (or the mask cell sheet unit 220), the mask 100 is the tray 50 and the frame 200 (or the mask cell sheet unit 220). While being disposed therebetween, it may be compressed by the tray 50.

한편, 하부 지지체(70)를 프레임(200) 하부에 더 배치할 수도 있다. 하부 지지체(70)는 프레임 테두리부(210)의 중공 영역(R) 내에 들어갈 정도의 크기를 가지고 평판 형상일 수 있다. 또한, 하부 지지체(70)의 상부면에는 마스크 셀 시트부(220)의 형상에 대응하는 소정의 지지홈(미도시)이 형성될 수도 있다. 이 경우 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 지지홈에 끼워지게 되어, 마스크 셀 시트부(220)가 더욱 잘 고정될 수 있다.Meanwhile, the lower supporter 70 may be further disposed below the frame 200. The lower supporter 70 may have a size enough to fit into the hollow region R of the frame rim 210 and may have a flat plate shape. In addition, a predetermined support groove (not shown) corresponding to the shape of the mask cell sheet part 220 may be formed on the upper surface of the lower supporter 70. In this case, the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 are fitted into the support groove, so that the mask cell sheet part 220 may be more securely fixed.

하부 지지체(70)는 마스크(100)가 접촉하는 마스크 셀 영역(CR)의 반대면을 압착할 수 있다. 즉, 하부 지지체(70)는 마스크 셀 시트부(220)를 상부 방향으로 지지하여 마스크(100)의 접착과정에서 마스크 셀 시트부(220)가 하부 방향으로 처지는 것을 방지할 수 있다. 이와 동시에, 하부 지지체(70)와 트레이(50)가 상호 반대되는 방향으로 마스크(100)의 테두리 및 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]를 압착하게 되므로, 마스크(100)의 정렬 상태가 흐트러지지 않고 유지될 수 있게 된다.The lower supporter 70 may compress the opposite surface of the mask cell region CR that the mask 100 contacts. That is, the lower supporter 70 may support the mask cell sheet part 220 in the upper direction to prevent the mask cell sheet part 220 from sagging in the lower direction during the bonding process of the mask 100. At the same time, the edge of the mask 100 and the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) are pressed in a direction in which the lower support 70 and the tray 50 are opposite to each other, so that the mask 100 is pressed. The alignment state of the can be maintained without being disturbed.

본 발명은 트레이(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 트레이(50)를 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, the mask 100 is attached to the mask cell region CR of the frame 200 by simply attaching the mask 100 to the tray 50 and loading the tray 50 onto the frame 200. Since the process is completed, no tensile force is applied to the mask 100 in this process.

프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 접착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 접착을 수행해야 한다. 그리하여, 마스크(100)에 가해진 인장력이 반대로 프레임(200)에 장력(tension)으로 작용하여 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]을 변형시키는 것을 방지할 수 있게 된다.Since the mask cell sheet portion 220 of the frame 200 has a thin thickness, when the mask cell sheet portion 220 is bonded to the mask cell sheet portion 220 while the tensile force is applied to the mask 100, the tensile force remaining in the mask 100 is masked. The cell sheet 220 and the mask cell region CR may act on the cell sheet 220 and may be modified. Therefore, adhesion of the mask 100 to the mask cell sheet part 220 should be performed without applying a tensile force to the mask 100. Thus, it is possible to prevent the tensile force applied to the mask 100 from acting as a tension on the frame 200 to deform the frame 200 (or the mask cell sheet part 220).

다만, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않고 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 접착시켜 프레임 일체형 마스크를 제조하고, 이 프레임 일체형 마스크를 화소 증착 공정에 사용할 때 한가지 문제가 발생할 수 있다. 약 25~45℃ 정도에서 수행되는 화소 증착 공정에서 마스크(100)가 소정 길이만큼 열팽창 하는 것이다. 인바 재질의 마스크(100)라고 하더라도, 화소 증착 공정 분위기를 형성하기 위한 10℃ 정도의 온도 상승에 따라 약 1~3 ppm 만큼의 길이가 변할 수 있다. 예를 들어, 마스크(100)의 총 길이가 500 mm 경우, 약 5~15㎛만큼의 길이가 늘어날 수 있다. 그러면, 마스크(100)가 자중에 의해 쳐지거나, 프레임(200)에서 고정된 상태에서 늘어나 뒤틀리는 등의 변형을 일으키면서 패턴(P)들의 정렬 오차가 커지는 문제점이 발생하게 된다.However, there is one problem when the frame integrated mask is manufactured by attaching the mask 100 to the frame 200 (or the mask cell sheet 220) without applying a tensile force, and using the frame integrated mask in a pixel deposition process. May occur. In the pixel deposition process performed at about 25 to 45 ° C., the mask 100 thermally expands by a predetermined length. Even in the mask 100 made of Invar, the length may be changed by about 1 to 3 ppm according to a temperature rise of about 10 ° C. for forming the pixel deposition process atmosphere. For example, when the total length of the mask 100 is 500 mm, a length of about 5 to 15 μm may be increased. Then, a problem arises in that the alignment error of the patterns P is increased while causing the deformation of the mask 100 by its own weight or by being stretched and twisted in a fixed state in the frame 200.

따라서, 본 발명은 상온이 아닌 이보다 높은 온도 상에서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로, 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고 접착할 수 있다. 본 명세서에서는 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에 마스크(100)를 프레임(200)에 대응하고 접착한다고 표현한다.Accordingly, the present invention may correspond to and adhere to the mask cell region CR of the frame 200 without applying a tensile force to the mask 100 at a temperature higher than the normal temperature. In the present specification, after raising the temperature of the process region to the first temperature (ET), the mask 100 is expressed to correspond to and adhere to the frame 200.

"공정 영역"이라 함은 마스크(100), 프레임(200) 등의 구성 요소들이 위치하고, 마스크(100)의 접착 공정 등이 수행되는 공간을 의미할 수 있다. 공정 영역은 폐쇄된 챔버 내에 공간일 수도 있고, 개방된 공간일 수도 있다. 또한, "제1 온도"라 함은 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 공정에 사용할 때, 화소 증착 공정 온도보다는 높거나 같은 온도를 의미할 수 있다. 화소 증착 공정 온도가 약 25~45℃인 것을 고려하면, 제1 온도는 약 25℃ 내지 60℃일 수 있다. 공정 영역의 온도 상승은, 챔버에 가열 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 가열 수단을 설치하는 방법 등으로 수행할 수 있다.The “process area” may refer to a space in which components such as the mask 100 and the frame 200 are located and an adhesion process of the mask 100 is performed. The process region may be a space in a closed chamber or may be an open space. In addition, “first temperature” may mean a temperature higher than or equal to the pixel deposition process temperature when the frame-integrated mask is used in the OLED pixel deposition process. Considering that the pixel deposition process temperature is about 25 to 45 ° C, the first temperature may be about 25 ° C to 60 ° C. The temperature rise of the process region may be performed by providing a heating means in the chamber, or installing a heating means around the process region.

다시, 도 10을 참조하면, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응한 후에, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수 있다. 또는, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수도 있다. 도면에는 하나의 마스크(100)만을 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킨 것이 도시되어 있지만, 마스크 셀 영역(CR)마다 마스크(100)들을 대응시킨 후에 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수도 있다.Referring back to FIG. 10, after the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, the temperature of the process region including the frame 200 may be raised to the first temperature (ET). Alternatively, the mask 100 may correspond to the mask cell region CR after the temperature ET of the process region including the frame 200 is raised to the first temperature. Although only one mask 100 corresponds to one mask cell region CR in the drawing, the temperature of the process region is increased to the first temperature after the masks 100 correspond to each mask cell region CR. (ET).

종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀(C1~C6, ...)들을 포함하는 마스크(10)의 길이가 1m이고, 1m 전체에서 10㎛의 PPA 오차가 발생한다고 가정하면, 본 발명의 마스크(100)는 상대적인 길이의 감축[셀(C) 개수 감축에 대응]에 따라 위 오차 범위를 1/n 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 마스크(100)의 길이가 100mm라면, 종래 마스크(10)의 1m에서 1/10로 감축된 길이를 가지므로, 100mm 길이의 전체에서 1㎛의 PPA 오차가 발생하게 되며, 정렬 오차가 현저히 감소하게 되는 효과가 있다.Since the mask 10 of FIG. 1 includes six cells C1 to C6, the mask 10 has a long length, whereas the mask 100 of the present invention has a short length including one cell C. The degree of misalignment of the pixel position accuracy (PPA) can be reduced. For example, assuming that the length of the mask 10 including the plurality of cells C1 to C6, ... is 1 m, and a PPA error of 10 µm occurs in the entire 1 m, the mask 100 of the present invention According to the reduction of the relative length (corresponding to the reduction of the number of cells (C)) may be 1 / n of the above error range. For example, if the length of the mask 100 of the present invention is 100mm, it has a length reduced by 1/10 at 1m of the conventional mask 10, the PPA error of 1㎛ occurs in the entire 100mm length As a result, the alignment error is significantly reduced.

한편, 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고, 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응하여도 정렬 오차가 최소화되는 범위 내에서라면, 마스크(100)는 프레임(200)의 복수의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 또는, 복수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)가 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 이 경우에도, 정렬에 따른 공정 시간과 생산성을 고려하여, 마스크(100)는 가급적 적은 수의 셀(C)을 구비하는 것이 바람직하다.On the other hand, if the mask 100 is provided with a plurality of cells (C), each cell (C) corresponding to each cell region (CR) of the frame 200 is within a range that the alignment error is minimized, The mask 100 may correspond to the plurality of mask cell regions CR of the frame 200. Alternatively, the mask 100 having the plurality of cells C may correspond to one mask cell region CR. Also in this case, in consideration of the process time and productivity according to the alignment, it is preferable that the mask 100 has as few cells as possible.

본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 2 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.In the case of the present invention, since only one cell C of the mask 100 needs to be corresponded and the alignment state checked, the plurality of cells C: C1 to C6 must be simultaneously associated and the alignment state must be confirmed. Compared with the conventional method (see FIG. 2), the manufacturing time can be significantly reduced.

즉, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 6개의 마스크(100)에 포함되는 각각의 셀(C11~C16)을 각각 하나의 셀 영역(CR11~CR16)에 대응시키고 각각 정렬 상태를 확인하는 6번의 과정을 통해, 6개의 셀(C1~C6)을 동시에 대응시키고 6개 셀(C1~C6)의 정렬 상태를 동시에 모두 확인해야 하는 종래의 방법보다 훨씬 시간이 단축될 수 있다.That is, in the method of manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, each cell C11 to C16 included in the six masks 100 corresponds to one cell region CR11 to CR16, respectively, and checks the alignment state. Through the process, the time can be much shorter than the conventional method of simultaneously matching six cells C1 to C6 and simultaneously confirming the alignment of the six cells C1 to C6.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 30개의 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 30개의 마스크(100)를 각각 대응시키고 정렬하는 30번의 과정에서의 제품 수득률이, 6개의 셀(C1~C6)을 각각 포함하는 5개의 마스크(10)[도 2의 (a) 참조]를 프레임(20)에 대응시키고 정렬하는 5번의 과정에서의 종래의 제품 수득률보다 훨씬 높게 나타날 수 있다. 한번에 6개씩의 셀(C)이 대응하는 영역에 6개의 셀(C1~C6)을 정렬하는 종래의 방법이 훨씬 번거롭고 어려운 작업이므로 제품 수율이 낮게 나타나는 것이다.In addition, in the method of manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, the product yield in 30 steps of matching and aligning 30 masks 100 with 30 cell areas CR: CR11 to CR56, respectively, results in six cells (C1). 5 masks 10 (see FIG. 2 (a)) each comprising ˜C6) may appear much higher than the conventional product yield in five steps of matching and aligning the frame 20. Since the conventional method of aligning six cells C1 to C6 in a region corresponding to six cells C at a time is much more cumbersome and difficult, the product yield is low.

한편, 마스크(100)를 프레임(200)에 대응한 후, 프레임(200)에 소정의 접착제를 개재하여 마스크(100)를 임시로 고정할 수도 있다. 이후에, 마스크(100)의 접착 단계를 진행할 수 있다.Meanwhile, after the mask 100 corresponds to the frame 200, the mask 100 may be temporarily fixed to the frame 200 through a predetermined adhesive. Thereafter, the bonding step of the mask 100 may be performed.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응하여 접착하는 과정을 나타내는 측단면도[도 11의 (a)] 및 E의 확대 측단면도[도 11의 (b)]이다. 도 11의 (c)는 도 11의 (b)의 비교예를 나타낸다.11 is an enlarged side cross-sectional view (FIG. 11A) and E showing a process of bonding the mask 100 corresponding to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention. Fig. 11B. (C) of FIG. 11 shows the comparative example of (b) of FIG.

다음으로, 도 11을 참조하면, 마스크(100)의 테두리의 일부 또는 전부를 프레임(200)에 접착할 수 있다. 접착은 용접으로 수행될 수 있고, 바람직하게는 레이저 용접(LW)으로 수행될 수 있다. 레이저 용접(LW)된 부분은 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다. Next, referring to FIG. 11, some or all of the edges of the mask 100 may be attached to the frame 200. The adhesion can be carried out by welding, preferably by laser welding (LW). The laser welded portion LW may be integrally connected with the same material as that of the mask 100 / frame 200.

트레이(50)의 상부에서 레이저(L)를 마스크(100)의 테두리 부분[또는, 더미]의 상부에 조사하면, 레이저(L)가 트레이(50)를 투과하여 마스크(100)의 일부를 용융시킬 수 있다. 그리하여, 마스크(100)가 프레임(200)과 레이저 용접(LW)될 수 있다. 레이저 용접(LW)은 프레임(200)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 마스크(100)와 프레임(200) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 레이저 용접(LW) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크(100)와 동일한 재질을 가지고 마스크(100)와 프레임(200)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.When the laser L is irradiated to the upper portion of the edge portion (or the dummy) of the mask 100 from the upper portion of the tray 50, the laser L passes through the tray 50 to melt a portion of the mask 100. You can. Thus, the mask 100 may be laser welded (LW) with the frame 200. Laser welding (LW) should be performed as close as possible to the edge of the frame 200 as possible to reduce the excited space between the mask 100 and the frame 200 as much as possible to increase the adhesion. The laser welding (LW) part may be generated in the form of a line or a spot, and may be a medium for integrally connecting the mask 100 and the frame 200 with the same material as the mask 100. have.

한편, 도 11의 (c)를 참조하면, 마스크(100')의 상부 및 하부를 압착하지 않은 채로 레이저 용접(LW')을 수행하는 경우, 레이저가 조사된 부분의 마스크(100')가 랜덤한 방향으로 용융될 수 있다. 그러면, 균일하지 않은 두께로 레이저 용접(LW')이 수행되며, 마스크(100')의 표면에 구김 또는 주름진 형태의 용접 비드(101')가 형성되어 결국 마스크 패턴(P) 및 셀(C)들간의 정렬 상태가 틀어질 수 있게 된다.Meanwhile, referring to FIG. 11C, when the laser welding LW 'is performed without compressing the upper and lower portions of the mask 100', the mask 100 'of the portion to which the laser is irradiated is randomized. Can melt in one direction. Then, the laser welding LW 'is performed with a non-uniform thickness, and a weld bead 101' having a wrinkled or wrinkled shape is formed on the surface of the mask 100 ', and thus the mask pattern P and the cell C are eventually formed. The alignment between them can be misaligned.

따라서, 본 발명은 트레이(50)와 하부 지지체(70)가 마스크(100)를 압착하므로, 레이저 용접(LW) 시에 용접 비드(bead; 101')가 형성되는 것을 방지할 수 있다. 트레이(50)와 하부 지지체(70)가 평평한 형태로 마스크(100)를 압착하므로, 레이저 용접(LW) 시에 레이저(L)가 조사된 부분의 마스크(100)가 균일하게 용융되어, 균일한 두께로 레이저 용접(LW)이 수행될 수 있다. 이에 따라, 접착 과정에서 마스크 패턴(P) 및 셀(C)들간의 정렬 상태를 유지할 수 있게 된다.Therefore, according to the present invention, since the tray 50 and the lower supporter 70 compress the mask 100, it is possible to prevent the welding bead 101 ′ from being formed during laser welding LW. Since the tray 50 and the lower supporter 70 press the mask 100 in a flat form, the mask 100 of the portion to which the laser L is irradiated during the laser welding LW is uniformly melted and uniformly Laser welding LW can be performed by thickness. Accordingly, the alignment between the mask pattern P and the cells C may be maintained during the bonding process.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 순차적으로 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 접착하는 과정을 나타내는 평면도[도 12의 (a)] 및 측단면도[도 12의 (b)] 이다.12 is a plan view (FIG. 12A) and a side cross-sectional view (FIG. 12 (A)) illustrating a process of sequentially adhering the mask 100 according to an embodiment of the present invention to the cell regions CR11 to CR56. b)].

도 12를 참조하면, 마스크 셀 영역(CR11)에 마스크(100)를 대응하여 접착한 후, 이에 이웃하는 마스크 셀 영역(CR12)에 마스크(100)를 대응하여 접착할 수 있다. 도 12에는 2개의 마스크(100)만 접착한 것이 도시되어 있으나, 모든 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응하여 접착할 수 있다.Referring to FIG. 12, the mask 100 may be adhered to the mask cell region CR11 correspondingly, and then the mask 100 may be adhered to the mask cell region CR12 adjacent thereto. Although only two masks 100 are bonded to each other in FIG. 12, the masks 100 may be correspondingly attached to all mask cell regions CR.

제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 상면에 두 개의 이웃하는 마스크(100)의 일 테두리가 각각 접착(LW)된 형태가 나타난다. 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 폭, 두께는 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있고, 제품 생산성 향상을 위해, 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]와 마스크(100)의 테두리가 겹치는 폭을 약 0.1~2.5mm 정도로 최대한 감축시킬 필요가 있다.One edges of two neighboring masks 100 are adhered to each other on the upper surface of the first grid sheet unit 223 (or the second grid sheet unit 225). The width and thickness of the first grid sheet portion 223 (or the second grid sheet portion 225) may be formed to about 1 to 5 mm, and to improve product productivity, the first grid sheet portion 223 [ Alternatively, it is necessary to reduce the width where the edges of the second grid sheet part 225 and the mask 100 overlap with each other as much as about 0.1 to 2.5 mm.

마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220) 상에 용접(LW)을 수행하므로, 마스크 셀 시트부(220)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]에는 장력이 가해지지 않는다.Since welding LW is performed on the mask cell sheet portion 220 without applying a tensile force to the mask 100, the mask cell sheet portion 220 (or the edge sheet portion 221, the first and second grid sheets) is applied. (223, 225) is not applied to the tension.

하나의 마스크(100)를 프레임(200)에 접착한 후, 나머지 마스크(100)들을 나머지 마스크 셀(C)에 순차적으로 대응시키고, 프레임(200)에 접착하는 과정을 반복할 수 있다. 이미 프레임(200)에 접착된 마스크(100)가 기준 위치를 제시할 수 있으므로, 나머지 마스크(100)들을 셀 영역(CR)에 순차적으로 대응시키고 정렬 상태를 확인하는 과정에서의 시간이 현저하게 감축될 수 있는 이점이 있다. 그리고, 하나의 마스크 셀 영역에 접착된 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크 셀 영역에 접착된 마스크(100) 사이의 PPA(pixel position accuracy)가 3㎛를 초과하지 않게 되어, 정렬이 명확한 초고화질 OLED 화소 형성용 마스크를 제공할 수 있는 이점이 있다.After attaching one mask 100 to the frame 200, the remaining masks 100 may be sequentially corresponded to the remaining mask cells C, and the process of adhering to the frame 200 may be repeated. Since the mask 100 already adhered to the frame 200 may present a reference position, the time required to sequentially correspond the remaining masks 100 to the cell region CR and check the alignment state is significantly reduced. There is an advantage that can be. In addition, the pixel position accuracy (PPA) between the mask 100 adhered to one mask cell region and the mask 100 adhered to the mask cell region adjacent thereto does not exceed 3 μm, so that the alignment is very high. There is an advantage that a mask for forming an OLED pixel can be provided.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착한 후 공정 영역의 온도를 하강(LT)시키는 과정을 나타내는 개략도이다.FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a process of lowering the temperature (LT) of the process region after attaching the mask 100 to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

다음으로, 도 13을 참조하면, 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강(LT)시킬 수 있다. "제2 온도"라 함은 제1 온도보다 낮은 온도를 의미할 수 있다. 제1 온도가 약 25℃ 내지 60℃인 것을 고려하면, 제2 온도는 제1 온도보다 낮은 것을 전제로 약 20℃ 내지 30℃일 수 있고, 바람직하게, 제2 온도는 상온일 수 있다. 공정 영역의 온도 하강은, 챔버에 냉각 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 냉각 수단을 설치하는 방법, 상온으로 자연 냉각하는 방법 등으로 수행할 수 있다.Next, referring to FIG. 13, the temperature of the process region may be lowered to the second temperature LT. The “second temperature” may mean a temperature lower than the first temperature. Considering that the first temperature is about 25 ° C. to 60 ° C., the second temperature may be about 20 ° C. to 30 ° C. provided that it is lower than the first temperature, and preferably, the second temperature may be room temperature. The temperature drop in the process region may be performed by providing a cooling means in the chamber, installing a cooling means around the process region, naturally cooling to room temperature, or the like.

공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되면, 마스크(100)는 소정 길이만큼 열수축 할 수 있다. 마스크(100)는 모든 측면 방향을 따라 등방성으로 열수축 할 수 있다. 다만, 마스크(100)는 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 용접(LW)으로 고정 연결되어 있으므로, 마스크(100)의 열수축은 주변의 마스크 셀 시트부(220)에 자체적으로 장력(TS)을 인가하게 된다. 마스크(100)의 자체적인 장력(TS) 인가에 의해 마스크(100)는 더욱 팽팽하게 프레임(200) 상에 접착될 수 있다.When the temperature of the process region is lowered to the second temperature LT, the mask 100 may heat shrink by a predetermined length. The mask 100 may be thermally contracted isotropically along all lateral directions. However, since the mask 100 is fixedly connected to the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) by welding (LW), the thermal contraction of the mask 100 may be performed on the peripheral mask cell sheet part 220. The tension TS is applied by itself. By applying a tension (TS) of the mask 100, the mask 100 may be more tightly bonded onto the frame 200.

또한, 각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 접착된 후에 공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되므로, 모든 마스크(100)들이 동시에 열수축을 일으키게 되어 프레임(200)이 변형되거나 패턴(P)들이 정렬 오차가 커지는 문제가 방지될 수 있다. 더 설명하면, 장력(TS)이 마스크 셀 시트부(220)에 인가된다고 해도, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 장력(TS)을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력(TS)과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력(TS)이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력(TS)에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.In addition, since each of the masks 100 is bonded onto the corresponding mask cell region CR, the temperature of the process region is lowered to the second temperature (LT), so that all of the masks 100 cause thermal contraction at the same time. The problem that the 200 is deformed or the patterns P are large in alignment error can be prevented. In more detail, even when the tension TS is applied to the mask cell sheet part 220, since the plurality of masks 100 apply the tension TS in opposite directions, the force is canceled to the mask cell sheet part. Deformation does not occur at 220. For example, the first grid sheet portion 223 between the mask 100 attached to the CR11 cell region and the mask 100 attached to the CR12 cell region may move in the right direction of the mask 100 attached to the CR11 cell region. The tension TS acting and the tension TS acting in the left direction of the mask 100 attached to the CR12 cell region may be canceled. Therefore, the deformation is minimized in the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) due to the tension TS, thereby minimizing the alignment error of the mask 100 (or the mask pattern P). There is this.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.14 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus 1000 using frame-integrated masks 100 and 200 according to an embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 14, the OLED pixel deposition apparatus 1000 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a coolant line 350 is disposed, and an organic material source 600 from a lower portion of the magnet plate 300. And a deposition source supply unit (500) for supplying ().

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as glass on which the organic source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500. In the target substrate 900, the frame-integrated masks 100 and 200 (or FMMs) for allowing the organic material 600 to be deposited pixel by pixel may be closely attached or very close to each other. The magnet 310 may generate a magnetic field and may be in close contact with the target substrate 900 by the magnetic field.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may supply the organic source 600 while reciprocating the left and right paths, and the organic source 600 supplied from the deposition source supply unit 500 may have patterns P formed in the frame integrated masks 100 and 200. ) May be deposited on one side of the target substrate 900. The deposited organic source 600 passing through the pattern P of the frame-integrated masks 100 and 200 can act as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다.In order to prevent non-uniform deposition of the pixel 700 by the shadow effect, the pattern of the frame-integrated masks 100 and 200 may be formed to be inclined S (or formed into a tapered shape S). . Since the organic sources 600 passing through the pattern in a diagonal direction along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700, the pixel 700 may be uniformly deposited as a whole.

마스크(100)는 화소 증착 공정 온도보다 높은 제1 온도 상에서 프레임(200)에 접착 고정되므로, 화소 증착을 위한 공정 온도로 상승시킨다고 하더라도, 마스크 패턴(P)의 위치에는 영향이 거의 없게 되며, 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크(100) 사이의 PPA는 3㎛를 초과하지 않도록 유지될 수 있다.Since the mask 100 is adhesively fixed to the frame 200 at a first temperature higher than the pixel deposition process temperature, even if the mask 100 is raised to the process temperature for pixel deposition, the position of the mask pattern P is hardly affected. The PPA between the 100 and the neighboring mask 100 may be maintained not to exceed 3 μm.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and various modifications made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Modifications and variations are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

40: 모판
41: 기재
42: 배리어막
50: 트레이(tray)
70: 하부 지지체
100: 마스크
110: 마스크 막
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
1000: OLED 화소 증착 장치
C: 셀, 마스크 셀
CR: 마스크 셀 영역
ET: 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승
H: 열처리
L: 레이저
LT: 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강
LW: 레이저 용접
R: 테두리 프레임부의 중공 영역
P: 마스크 패턴
TS: 장력
W: 용접40: bed
41: description
42: barrier film
50: tray
70: lower support
100: mask
110: mask film
200: frame
210: border frame portion
220: mask cell sheet portion
221: border sheet portion
223: first grid sheet portion
225: second grid sheet portion
1000: OLED pixel deposition device
C: cell, mask cell
CR: mask cell area
ET: raise the temperature of the process region to the first temperature
H: heat treatment
L: laser
LT: lower the temperature in the process area to the second temperature
LW: laser welding
R: Hollow area of the border frame portion
P: mask pattern
TS: tension
W: welding

Claims (2)

전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조하는 방법으로서,
(a) 전도성 기재를 제공하는 단계;
(b) 전도성 기재의 일면 상에 배리어막을 형성하는 단계;
(c) 배리어막의 표면 상에 패턴화된 절연부를 형성하여 모판(Mother Plate)을 제조하는 단계;
(d) 모판을 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 노출된 배리어막의 표면으로부터 도금막을 형성하는 단계;
(e) 도금막을 열처리하는 단계; 및
(f) 모판으로부터 도금막을 분리하는 단계
를 포함하고, 도금막은 전도성 기재와 동일한 재질이거나, 열적 거동이 동일 또는 유사한 재질인, 마스크의 제조 방법.As a method of manufacturing a mask by electroforming,
(a) providing a conductive substrate;
(b) forming a barrier film on one surface of the conductive substrate;
(c) forming a patterned insulating portion on the surface of the barrier film to manufacture a mother plate;
(d) using a mother plate as a cathode body and forming a plated film from the surface of the barrier film exposed by electroforming;
(e) heat-treating the plating film; And
(f) separating the plating film from the mother plate
It includes, the plated film is the same material as the conductive substrate, or the thermal behavior is the same or similar material, the manufacturing method of the mask. 전주 도금(Electroforming)으로 마스크를 제조시 사용되는 모판(Mother Plate)으로서,
전도성 기재;
전도성 기재의 일면 상에 형성된 배리어막; 및
배리어막의 일면 상에 형성되고, 패턴화된 절연부
를 포함하고, 전도성 기재는 마스크와 동일한 재질이거나, 열적 거동이 동일 또는 유사한 재질인, 모판.As a mother plate used when manufacturing a mask by electroforming,
Conductive substrates;
A barrier film formed on one surface of the conductive substrate; And
An insulating portion formed on one surface of the barrier film and patterned
Wherein the conductive substrate is the same material as the mask or the thermal behavior is the same or similar material.
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