KR20200009397A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate includes: a substrate support unit having a support plate supporting a substrate and a rotation driving member rotating the support plate; an upper fluid supply unit supplying processing liquid to an upper surface of the substrate; a bottom fluid supply unit supplying fluid between the support plate and the substrate; and a controller. The bottom fluid supply unit includes: a body inserted into the substrate support unit; and a purge gas supply member supplying purge gas to a space between the substrate and the support plate. The controller can control the purge gas supply member so that a supply flow rate per unit time is adjusted. Therefore, the present invention can efficiently clean the bottom of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}Apparatus and method for treating substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판을 회전시키면서 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a liquid to the substrate while rotating the substrate and a substrate processing method using the same.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed. In addition, before and after these processes are performed, a cleaning process for cleaning particles remaining on the substrate is performed.

세정 공정은 스핀 헤드에 지지된 기판의 양면으로 세정액을 공급하여 이루어진다. 기판의 저면은 기판을 지지하는 지지판과 기판 사이에 위치한 저면 유체 공급 유닛이 공급하는 처리 유체에 의해 세정된다.The cleaning process is performed by supplying the cleaning liquid to both surfaces of the substrate supported by the spin head. The bottom of the substrate is cleaned by the processing fluid supplied by the bottom fluid supply unit located between the support plate supporting the substrate and the substrate.

도 1 및 도 2를 참조하면, 저면 유체 공급 유닛(4)은 복수개의 유체 공급 노즐(9)을 포함한다. 복수개의 유체 공급 노즐(9)들은 저면 유체 공급 유닛(4)의 바디에 결합되며, 위를 향하는 토출단을 갖는다. 각각의 유체 공급 노즐(9)들은 기판의 중심으로 액을 토출하기 위해 서로 인접하게 위치된다.1 and 2, the bottom fluid supply unit 4 comprises a plurality of fluid supply nozzles 9. The plurality of fluid supply nozzles 9 are coupled to the body of the bottom fluid supply unit 4 and have a discharge end directed upward. Each of the fluid supply nozzles 9 is located adjacent to each other to discharge the liquid to the center of the substrate.

저면 유체 공급 유닛(4)은 고정되어 있다. 기판을 지지하는 지지판(2)은 회전하여 기판(W)을 회전시킨다. 지지판(2)이 회전하기 위해 저면 유체 공급 유닛(4)과 지지판(2) 사이의 이격 공간(3)에는 베어링(5)이 설치된다. 지지판(2)이 회전하면서, 베어링(5)과 지지판(2) 및 저면 유체 공급 유닛(4)의 마찰하여 파티클(Particle)이 발생한다. 발생한 파티클(Particle)이 저면 유체 공급 유닛(4)과 지지판(2) 사이의 이격 공간(3)을 따라 역류하여 기판(W)의 저면을 오염시키는 것을 방지하기 위해 이격 공간(3)에는 질소가스가 공급된다. 질소가스는 공급라인(7)을 따라 공급관(6)을 통해 이격 공간(3)으로 공급된다. The bottom fluid supply unit 4 is fixed. The support plate 2 supporting the substrate rotates to rotate the substrate W. As shown in FIG. A bearing 5 is installed in the spaced space 3 between the bottom fluid supply unit 4 and the support plate 2 so that the support plate 2 rotates. As the support plate 2 rotates, particles are generated by friction between the bearing 5, the support plate 2, and the bottom fluid supply unit 4. In order to prevent the generated particles from flowing back along the separation space 3 between the bottom fluid supply unit 4 and the support plate 2 to contaminate the bottom surface of the substrate W, nitrogen gas may be contained in the separation space 3. Is supplied. Nitrogen gas is supplied to the spaced space 3 through the supply pipe 6 along the supply line 7.

도 3은 기판 건조 단계를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 건조 단계에는 건조 효율을 높이기 위해 지지판(2)을 고속으로 회전시키고, 이에 기판(W)은 고속으로 회전된다. 이 경우 지지판(2)과 기판(W)의 사이 공간(8)의 기류에 변화가 생긴다. 구체적으로, 지지판(2)과 기판(W)의 고속 회전으로 생기는 원심력으로 사이 공간(8)에 잔류하던 가스 등은 사이 공간(8)의 외부로 퍼져나간다. 이에 지지판(2)과 기판(W)의 사이 공간(8)에는 음압이 발생한다. 이러한 음압의 크기는 지지판(2)과 기판(W)이 고속으로 회전할수록 커진다. 따라서, 건조 단계에는 파티클(Particle)이 이격 공간(3)을 따라 기판(W)과 지지판(2)의 사이 공간(8)으로 역류하고 기판(W)이 오염될 위험이 더 커진다.3 is a view showing a substrate drying step. Referring to FIG. 3, in the drying step, the support plate 2 is rotated at high speed in order to increase the drying efficiency, and thus the substrate W is rotated at high speed. In this case, a change occurs in the airflow of the space 8 between the support plate 2 and the substrate W. FIG. Specifically, the gas or the like remaining in the interspace 8 due to the centrifugal force generated by the high speed rotation of the support plate 2 and the substrate W spreads out of the interspace 8. As a result, a negative pressure is generated in the space 8 between the support plate 2 and the substrate W. FIG. The magnitude of this sound pressure increases as the support plate 2 and the substrate W rotate at high speed. Therefore, in the drying step, there is a greater risk of particles flowing back along the separation space 3 into the space 8 between the substrate W and the support plate 2 and the substrate W being contaminated.

본 발명은 기판 저면을 효율적으로 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of efficiently cleaning the bottom surface of a substrate.

또한, 본 발명은 공정 단계에 따라 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of controlling the supply flow rate of the purge gas per unit time according to the process step.

또한, 본 발명은 기판에 파티클이 재부착되는 것을 최소화하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method for minimizing particle reattachment to a substrate.

또한, 본 발명은 파티클의 역류를 방지하기 위해 공급되는 퍼지가스의 소비량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method that can reduce the consumption of the purge gas supplied to prevent the back flow of particles.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지판과 상기 지지판을 회전 시키는 회전구동부재를 가지는 기판 지지 유닛과; 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 상부 유체 공급 유닛과; 상기 지지판과 상기 기판 사이로 유체를 공급하는 저면 유체 공급 유닛과; 그리고 제어기를 포함하되, 상기 저면 유체 공급 유닛은, 상기 기판 지지 유닛에 삽입된 바디와; 상기 기판과 상기 지지판 사이 공간으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급 부재를 포함하고, 상기 제어기는 공정 진행 중에 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량이 변경되도록 상기 퍼지가스 공급 부재를 제어할 수 있다.Embodiments of the present invention provide an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus includes: a substrate support unit having a support plate for supporting a substrate and a rotation driving member for rotating the support plate; An upper fluid supply unit supplying a processing liquid to an upper surface of the substrate; A bottom fluid supply unit for supplying a fluid between the support plate and the substrate; And a controller, wherein the bottom fluid supply unit comprises: a body inserted into the substrate support unit; And a purge gas supply member supplying a purge gas to a space between the substrate and the support plate, and the controller may control the purge gas supply member to change a supply flow rate per unit time of the purge gas during a process.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 처리액을 기판의 상면에 공급하는 액 공급 단계와 상기 기판을 건조하는 건조 단계 동안에 상기 퍼지가스가 공급되도록 하고, 상기 액 공급 단계와 상기 건조 단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 상이하게 조절할 수 있다.In an embodiment, the controller may be configured to supply the purge gas during a liquid supplying step of supplying the processing liquid to an upper surface of the substrate and a drying step of drying the substrate, and in the liquid supplying step and the drying step. The supply flow rate per unit time of the purge gas can be adjusted differently.

일 실시예에 의하면, 상기 액 공급 단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량은, 상기 건조 단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량 보다 적을 수 있다.According to one embodiment, the supply flow rate per unit time of the purge gas in the liquid supply step, may be less than the supply flow rate per unit time of the purge gas in the drying step.

일 실시예에 의하면, 상기 기판을 건조하는 건조 단계는 제1건조시기 및 상기 제1건조시기 이후에 진행되는 제2건조시기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 제1건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량으로 조절하고, 상기 제2건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제2유량으로 조절하되, 상기 제1유량과 상기 제2유량은 서로 상이할 수 있다.According to one embodiment, the drying step of drying the substrate includes a first drying time and a second drying time that proceeds after the first drying time, the controller, the first drying time of the purge gas The supply flow rate per unit time is adjusted to the first flow rate, and in the second drying time, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to the second flow rate, but the first flow rate and the second flow rate may be different from each other.

일 실시예에 의하면, 상기 제2유량은 상기 제1유량보다 작을 수 있다.In example embodiments, the second flow rate may be smaller than the first flow rate.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 회전구동부재를 더 제어하고, 상기 제1건조시기에는 상기 지지판의 회전속도를 제1회전속도가 되도록 상기 회전구동부재를 제어하고, 상기 제2건조시기에는 상기 지지판의 회전속도를 제1회전속도보다 작은 제2회전속도가 되도록 상기 회전구동부재를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller further controls the rotation driving member, and controls the rotation driving member such that the rotation speed of the support plate becomes the first rotation speed during the first drying period, and the second drying timing. The rotation driving member may be controlled such that the rotation speed of the support plate becomes a second rotation speed smaller than the first rotation speed.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 단계에는 상기 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 액 공급 단계 유량으로 조절하고, 상기 기판을 건조하는 건조 단계에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 건조 단계 유량으로 조절하되, 상기 건조 단계는 제1건조시기와 제2건조시기를 포함하고, 상기 건조 단계 유량은 제1유량과 제2유량을 포함하고, 상기 제1건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량으로 조절하고, 상기 제2건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제2유량으로 조절하고, 상기 제2유량은 상기 제1유량보다 작고, 상기 액 공급 단계 유량과 상기 제2유량은 동일할 수 있다.According to one embodiment, the controller, in the liquid supply step of supplying the processing liquid to the substrate, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to the liquid supply stage flow rate, the drying step of drying the substrate the purge gas The supply flow rate per unit time of is adjusted to the drying step flow rate, wherein the drying step includes a first drying time and a second drying time, the drying step flow rate includes a first flow rate and a second flow rate, the first drying In the timing, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to the first flow rate, and in the second drying period, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to the second flow rate, and the second flow rate is greater than the first flow rate. Small, the liquid supply stage flow rate and the second flow rate may be the same.

일 실시예에 의하면, 기판을 지지하는 지지판과 상기 지지판을 회전 시키는 회전구동부재를 가지는 기판 지지 유닛과; 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 상부 유체 공급 유닛과; 상기 지지판과 상기 기판 사이로 유체를 공급하는 저면 유체 공급 유닛과; 그리고 제어기를 포함하되, 상기 저면 유체 공급 유닛은, 상기 기판 지지 유닛에 삽입된 바디와; 상기 기판과 상기 지지판 사이 공간으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급 부재를 포함하고, 상기 제어기는 상기 퍼지 가스를 계속적으로 공급하도록 상기 퍼지 가스 공급 부재를 제어할 수 있다.According to one embodiment, the substrate support unit having a support plate for supporting a substrate and a rotation drive member for rotating the support plate; An upper fluid supply unit supplying a processing liquid to an upper surface of the substrate; A bottom fluid supply unit for supplying a fluid between the support plate and the substrate; And a controller, wherein the bottom fluid supply unit comprises: a body inserted into the substrate support unit; And a purge gas supply member supplying a purge gas to a space between the substrate and the support plate, and the controller may control the purge gas supply member to continuously supply the purge gas.

일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 지지판의 회전 속도에 따라 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 조절할 수 있다.According to one embodiment, the controller may adjust the supply flow rate per unit time of the purge gas according to the rotational speed of the support plate.

일 실시예에 의하면, 상기 지지판의 회전 속도가 커질수록 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량도 커질 수 있다.According to an embodiment, as the rotation speed of the support plate increases, the supply flow rate per unit time of the purge gas may also increase.

일 실시예에 의하면, 상기 바디는 고정되고, 상기 지지판은 상기 회전구동부재에 의해 회전되고, 상기 바디와 상기 지지판 사이에는 베어링이 제공될 수 있다.According to one embodiment, the body is fixed, the support plate is rotated by the rotary drive member, a bearing may be provided between the body and the support plate.

일 실시예에 의하면, 상기 저면 유체 공급 유닛은 상기 기판의 저면에 건조 가스를 공급하는 건조 가스 노즐을 더 포함하고, 상기 건조 가스는 상기 기판의 저면을 건조하는 공정 중에 공급되고, 상기 퍼지가스는 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정 및 상기 기판의 저면을 건조하는 공정 중에 계속적으로 공급될 수 있다.According to one embodiment, the bottom fluid supply unit further comprises a dry gas nozzle for supplying a dry gas to the bottom of the substrate, the dry gas is supplied during the process of drying the bottom of the substrate, the purge gas is It may be continuously supplied during the process of supplying the treatment liquid to the substrate and the process of drying the bottom surface of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 퍼지가스 공급 부재는, 상기 바디와 상기 지지판의 이격 공간에 상기 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급 라인을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the purge gas supply member may further include a purge gas supply line for supplying the purge gas to the space between the body and the support plate.

일 실시예에 의하면, 상기 퍼지가스 공급 라인에는 유량조절밸브가 설치되고, 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량은 상기 유량조절밸브의 개방율에 따라 조절될 수 있다.According to one embodiment, the flow control valve is installed in the purge gas supply line, the supply flow rate per unit time of the purge gas may be adjusted according to the opening rate of the flow control valve.

일 실시예에 의하면, 상기 처리액은 케미칼 또는 린스액이고, 상기 퍼지가스는 비활성 가스 또는 에어일 수 있다.In some embodiments, the treatment liquid may be a chemical or rinse liquid, and the purge gas may be an inert gas or air.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 단계와; 상기 기판을 건조하는 건조단계를 포함하되, 상기 액 공급 단계와 상기 건조단계 동안에 상기 기판의 하부에 퍼지가스를 공급하고, 상기 액 공급 단계와 상기 건조단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량이 변경될 수 있다.The present invention also provides an apparatus for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, a substrate processing method includes a liquid supplying step of supplying a processing liquid to a substrate; Including a drying step of drying the substrate, the purge gas is supplied to the lower portion of the substrate during the liquid supply step and the drying step, the supply flow rate per unit time of the purge gas in the liquid supply step and the drying step is changed Can be.

일 실시예에 의하면, 상기 액 공급 단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량은, 상기 건조단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량보다 적을 수 있다.According to one embodiment, the supply flow rate per unit time of the purge gas in the liquid supply step, may be less than the supply flow rate per unit time of the purge gas in the drying step.

일 실시예에 의하면, 상기 건조단계는 제1건조시기와 제2건조시기를 포함하고, 상기 제1건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량으로 공급하고, 상기 제2건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제2유량으로 공급하고, 상기 제1유량과 상기 제2유량은 서로 상이할 수 있다.According to an embodiment, the drying step includes a first drying time and a second drying time, and in the first drying time, the supply flow rate of the purge gas per unit time is supplied at a first flow rate, and the second drying time is The supply flow rate of the purge gas per unit time is supplied as a second flow rate, and the first flow rate and the second flow rate may be different from each other.

일 실시예에 의하면, 상기 제2유량은 상기 제1유량보다 작을 수 있다.In example embodiments, the second flow rate may be smaller than the first flow rate.

일 실시예에 의하면, 상기 제1건조시기에는 상기 기판을 제1회전속도로 회전시키고, 상기 제2건조시기에는 상기 기판을 상기 제1회전속도보다 작은 제2회전속도로 회전시킬 수 있다.In example embodiments, the substrate may be rotated at a first rotational speed during the first drying period, and the substrate may be rotated at a second rotational speed smaller than the first rotational speed during the second drying period.

일 실시예에 의하면, 상기 액 공급 단계에는 상기 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 액 공급 단계 유량으로 공급하고, 상기 건조 단계에는 상기 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 건조 단계 유량으로 공급하고, 상기 건조 단계는 제1건조시기와 제2건조시기를 포함하고, 상기 건조 단계 유량은 제1유량과 제2유량을 포함하고, 상기 제1건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량으로 공급하고, 상기 제2건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제2유량으로 공급하고, 상기 제2유량은 상기 제1유량보다 작고, 상기 액 공급 단계 유량과 상기 제2유량은 동일할 수 있다.According to an embodiment, the liquid supply step supplies a supply flow rate per unit time of the purge gas at a liquid supply step flow rate, and in the drying step, a supply flow rate per unit time of the purge gas is supplied at a drying step flow rate, and the drying is performed. The step includes a first drying time and a second drying time, wherein the drying step flow rate includes a first flow rate and a second flow rate, and in the first drying time, the supply flow rate per unit time of the purge gas is the first flow rate. And supplying a supply flow rate per unit time of the purge gas as a second flow rate at the second drying time, wherein the second flow rate is smaller than the first flow rate, and the liquid supply step flow rate and the second flow rate are the same. Can be.

일 실시예에 의하면, 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 단계와; 상기 기판을 건조하는 건조단계를 포함하되, 상기 액 공급 단계와 상기 건조단계 동안에 상기 기판의 하부에 퍼지가스를 계속적으로 공급할 수 있다.According to one embodiment, a liquid supply step of supplying a processing liquid to the substrate; Including a drying step of drying the substrate, it is possible to continuously supply a purge gas to the lower portion of the substrate during the liquid supply step and the drying step.

일 실시예에 의하면, 상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 변화시킬 수 있다.According to one embodiment, the supply flow rate per unit time of the purge gas can be changed according to the rotational speed of the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 기판의 회전속도가 커질수록 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량도 커질 수 있다.According to one embodiment, as the rotation speed of the substrate increases, the supply flow rate per unit time of the purge gas may also increase.

일 실시예에 의하면, 상기 건조 단계에는 상기 기판의 저면에 건조 가스를 공급하고, 상기 퍼지가스는 상기 액 공급 단계 및 상기 건조 단계 중에 계속적으로 공급될 수 있다.In example embodiments, the drying step may supply a dry gas to a bottom surface of the substrate, and the purge gas may be continuously supplied during the liquid supplying step and the drying step.

일 실시예에 의하면, 상기 처리액은 케미칼 또는 린스액이고, 상기 퍼지가스는 비활성 가스 또는 에어일 수 있다.In some embodiments, the treatment liquid may be a chemical or rinse liquid, and the purge gas may be an inert gas or air.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 저면을 효율적으로 세정할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the bottom surface of the substrate can be efficiently cleaned.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계에 따라 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 조절할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the supply flow rate per unit time of the purge gas can be adjusted according to the substrate processing step.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 건조 단계에서 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량이 커지게 되므로, 기판에 파티클이 재부착되는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, the supply flow rate of the purge gas per unit time in the drying step is increased, it is possible to minimize the re-attach the particles to the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 회전속도에 따라 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량이 조절되므로, 파티클 재부착 방지에 많은 퍼지가스가 소요되는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, since the supply flow rate of the purge gas per unit time is adjusted according to the rotational speed of the substrate, it is possible to minimize the large purge gas is required to prevent particle reattachment.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 저면 유체 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 저면 유체 공급 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 3은 일반적인 기판 건조 단계에서의 기류 흐름을 보여주는 도면이다.
도 4은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6는 본 발명의 저면 유체 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 저면 유체 공급 유닛에서 퍼지가스 기류 흐름을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 5의 기판 처리 장치에서 퍼지가스의 기류 흐름을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 개략적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 10은 기판 처리 장치에서 기판의 회전속도를 제어하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 11은 퍼지가스 공급 부재에서 퍼지가스의 단위시간 당 공급 유량을 제어하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 12는 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량과 기판의 회전속도 관계의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 13은 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량과 기판의 회전 속도 관계의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 개략적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 15는 기판 처리 장치에서 기판의 회전속도를 제어하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 16은 퍼지가스 공급 부재에서 퍼지가스의 단위시간 당 공급 유량을 제어하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a general bottom fluid supply unit.
2 is a cross-sectional view showing the bottom fluid supply unit of FIG.
3 is a view showing the air flow in a typical substrate drying step.
4 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view showing one embodiment of the bottom fluid supply unit of the present invention.
7 is a view showing a purge gas airflow flow in the bottom fluid supply unit of FIG.
FIG. 8 is a view illustrating an airflow flow of purge gas in the substrate processing apparatus of FIG. 5.
9 is a flowchart schematically illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
10 is a view illustrating an embodiment of controlling a rotation speed of a substrate in a substrate processing apparatus.
11 is a view showing an embodiment of controlling the supply flow rate per unit time of the purge gas in the purge gas supply member.
12 is a view showing an example of the relationship between the supply flow rate of the purge gas per unit time and the rotational speed of the substrate.
13 is a view showing an example of the relationship between the supply flow rate of the purge gas per unit time and the rotational speed of the substrate.
14 is a flow chart schematically illustrating a substrate processing method according to another embodiment of the present invention.
15 is a view showing another embodiment of controlling the rotational speed of the substrate in the substrate processing apparatus.
16 is a view showing another embodiment of controlling the supply flow rate per unit time of the purge gas in the purge gas supply member.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and the like of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

이하, 도 4 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 14.

도 4은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 4 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the substrate processing facility 1 has an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, perpendicular to the first direction 12. The direction is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 130 is formed with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W in a state in which the substrates W are disposed horizontally with respect to the ground. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. One side of the transfer chamber 240 is provided with a plurality of process chambers 260. Some of the process chambers 260 are disposed along the length of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B on one side of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in parallel with the second direction 14 in the longitudinal direction thereof. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and provided to move forward and backward with respect to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when the substrate W is transferred from the process processing module 20 to the carrier 130, and some of the index arms 144c are transferred from the carrier 130 to the process processing module 20. ) Can be used to return. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment while the index robot 144 loads and unloads the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. Body 244b is coupled to base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be capable of moving forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 for performing a liquid processing process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure according to the type of cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing apparatuses 300 in the process chamber 260 belonging to the same group are the same, and the substrate processing provided in the process chamber 260 belonging to the different group. The structures of the apparatus 300 may be provided differently from each other.

기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시예에는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 세정 공정에 한정되지 않으며, 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양하게 적용 가능하다. The substrate processing apparatus 300 liquid-processes the board | substrate W. FIG. In this embodiment, the liquid treatment step of the substrate is described as a washing step. The liquid treatment process is not limited to the cleaning process, and can be variously applied, such as photographing, ashing, and etching.

도 5는 도 4의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 기판 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 상부 유체 공급 유닛(380), 저면 유체 공급 유닛(400) 그리고 제어기(600)를 포함한다. 5 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 4. Referring to FIG. 5, the substrate processing apparatus 300 may include a processing container 320, a substrate supporting unit 340, a lifting unit 360, an upper fluid supply unit 380, a bottom fluid supply unit 400, and a controller ( 600).

처리 용기(320)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing container 320 provides a processing space in which a substrate is processed. The processing container 320 has a cylindrical shape with an open top. The processing container 320 has an inner recovery container 322 and an outer recovery container 326. Each recovery container 322, 326 recovers different treatment liquids from among treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 340, and the outer recovery container 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 326. The inner space 322a and the inner recovery bin 322 of the inner recovery bin 322 function as a first inlet 322a into which the processing liquid flows into the internal recovery bin 322. The space 326a between the internal recovery container 322 and the external recovery container 326 functions as a second inlet 326a through which the processing liquid flows into the external recovery container 326. In one example, each of the inlets 322a and 326a may be located at different heights from each other. Recovery lines 322b and 326b are connected below the bottom of each recovery container 322 and 326. The treatment liquids flowing into the respective recovery vessels 322 and 326 may be provided to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b and reused.

기판 지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재를 가진다. 지지판(342)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. The substrate support unit 340 supports the substrate W in the processing space. The substrate support unit 340 supports and rotates the substrate W during the process. The substrate support unit 340 has a support plate 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a rotation drive member. The support plate 342 is provided in a generally circular plate shape and has an upper surface and a bottom surface. The lower surface has a smaller diameter than the upper surface. The top and bottom surfaces are positioned such that their central axes coincide with each other.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. The support pin 344 is provided in plurality. The support pins 344 are disposed to be spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the support plate 342 and protrude upward from the support plate 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combining with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the support plate 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(342)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pins 346 are disposed farther from the support pins 344 in the center of the support plate 342. The chuck pins 346 are provided to protrude upward from the top surface of the support plate 342. The chuck pins 346 support the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from its position when the support plate 342 is rotated. The chuck pins 346 are provided to enable linear movement between the outer position and the inner position along the radial direction of the support plate 342. The outer position is a position far from the center of the support plate 342 relative to the inner position. When the substrate W is loaded or unloaded from the support plate 342, the chuck pins 346 are positioned at an outer position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pins 346 are positioned at an inner position. The inner position is a position where the sides of the chuck pins 346 and the substrate W contact each other, and the outer position is a position where the chuck pins 346 and the substrate W are spaced apart from each other.

회전 구동 부재(348,349)는 지지판(342)을 회전시킨다. 지지판(342)은 회전 구동 부재(348,349)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지축(348) 및 구동부(349)를 포함한다. 지지축(348)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(348)의 상단은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(348)은 지지판(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(349)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(348)은 구동부(349)에 의해 회전되고, 지지판(342)은 지지축(348)과 함께 회전 가능하다. Rotation drive members 348 and 349 rotate support plate 342. The support plate 342 is rotatable about the magnetic center axis by the rotation driving members 348 and 349. The rotation drive members 348 and 349 include a support shaft 348 and a driver 349. The support shaft 348 has a cylindrical shape facing the third direction 16. The upper end of the support shaft 348 is fixedly coupled to the bottom of the support plate 342. In one example, the support shaft 348 may be fixedly coupled to the bottom center of the support plate 342. The driving unit 349 provides a driving force to rotate the support shaft 348. The support shaft 348 is rotated by the driving unit 349, and the support plate 342 is rotatable with the support shaft 348.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(342)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 지지판(342)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(342)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,326)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지판(342)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the processing container 320 in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 relative to the support plate 342 is changed. The lifting unit 360 lowers the processing container 320 so that the supporting plate 342 protrudes to the upper portion of the processing container 320 when the substrate W is loaded or unloaded on the supporting plate 342. In addition, when the process is in progress, the height of the processing container 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery containers 322 and 326 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. The elevating unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 320, and the moving shaft 364 that is moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. Optionally, the lifting unit 360 may move the supporting plate 342 in the vertical direction.

상부 유체 공급 유닛(380)은 기판(W)의 상면으로 처리액을 공급한다. 기판의 상면은 패턴이 형성된 패턴면일 수 있다. 상면 액 공급 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 상면 액 공급 유닛(380)은 이동 부재(381) 및 노즐(390)을 포함한다. The upper fluid supply unit 380 supplies the processing liquid to the upper surface of the substrate W. The upper surface of the substrate may be a pattern surface on which a pattern is formed. The top liquid supply unit 380 is provided in plurality, and each of them may supply different kinds of treatment liquids. The upper liquid supply unit 380 includes a moving member 381 and a nozzle 390.

이동 부재(381)는 노즐(390)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(390)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(390)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(390)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(390)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다.The moving member 381 moves the nozzle 390 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the nozzle 390 is opposed to the substrate W supported by the substrate support unit 340, and the standby position is defined as a position where the nozzle 390 is out of the process position. In one example, the process location includes a pretreatment location and a post-treatment location. The pretreatment position is a position at which the nozzle 390 supplies the treatment liquid to the first supply position, and the post treatment position is provided at a position at which the nozzle 390 supplies the treatment liquid to the second supply position. The first supply position may be a position closer to the center of the substrate W than the second supply position, and the second supply position may be a position including an end portion of the substrate. Optionally, the second supply position may be an area adjacent the end of the substrate.

이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동기(388)를 포함한다. 지지축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 노즐(390)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(390)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(390)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다. 예컨대, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다.The moving member 381 includes a support shaft 386, an arm 382, and a driver 388. The support shaft 386 is located at one side of the processing vessel 320. The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction is directed to the third direction. The support shaft 386 is provided to be rotatable by the driver 388. The support shaft 386 is provided to enable the lifting movement. Arm 382 is coupled to the top of support shaft 386. Arm 382 extends vertically from support shaft 386. The nozzle 390 is fixedly coupled to the end of the arm 382. As the support shaft 386 is rotated, the nozzle 390 is swingable with the arm 382. The nozzle 390 may swing and move to a process position and a standby position. Optionally, arm 382 may be provided to enable forward and backward movement in the longitudinal direction thereof. The path through which the nozzle 390 moves when viewed from the top may coincide with the central axis of the substrate W at the process position. For example, the treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent. The chemical may be a liquid having acid or base properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF) and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The rinse liquid may be pure water (H 2 0). The organic solvent may be an isopropyl alcohol (IPA) liquid.

저면 유체 공급 유닛(400)은 기판(W)의 저면을 세정 및 건조 처리한다. 저면 유체 공급 유닛(400)은 기판(W)의 저면으로 액을 공급한다. 기판(W)의 저면은 패턴이 형성되는 면과 반대되는 비패턴면일 수 있다. 저면 유체 공급 유닛(400)은 상부 유체 공급 유닛(380)과 동시에 액을 공급할 수 있다. 저면 유체 공급 유닛(400)은 회전되지 않게 고정될 수 있다.The bottom fluid supply unit 400 cleans and dries the bottom of the substrate W. FIG. The bottom fluid supply unit 400 supplies liquid to the bottom of the substrate W. The bottom surface of the substrate W may be an unpatterned surface opposite to the surface on which the pattern is formed. The bottom fluid supply unit 400 may supply a liquid at the same time as the upper fluid supply unit 380. The bottom fluid supply unit 400 may be fixed not to rotate.

도 6는 본 발명의 저면 유체 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 단면도이다. 6 is a cross-sectional view showing one embodiment of the bottom fluid supply unit of the present invention.

도 6을 참조하면, 저면 유체 공급 유닛(400)과 지지판(342)의 사이에는 베어링(350)이 제공될 수 있다. 베어링(350)은 지지판(342)이 회전 운동을 할 때 마찰 저항을 작게 하여 지지판(342)의 회전을 원활하게 한다. 베어링(350)과 접촉하는 접촉면 사이에는 마찰을 줄이기 위해 윤활유가 제공될 수 있다.Referring to FIG. 6, a bearing 350 may be provided between the bottom fluid supply unit 400 and the support plate 342. The bearing 350 smoothly rotates the support plate 342 by reducing the frictional resistance when the support plate 342 rotates. Lubricant may be provided between the contact surfaces in contact with the bearing 350 to reduce friction.

저면 유체 공급 유닛(400)은 바디(410), 액 토출 노즐(430), 건조 가스 노즐(470), 그리고 퍼지가스 공급 부재(480)를 포함한다.The bottom fluid supply unit 400 includes a body 410, a liquid discharge nozzle 430, a dry gas nozzle 470, and a purge gas supply member 480.

바디(410)는 지지판(342)과 이에 지지된 기판(W) 사이에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 바디(410)는 지지판(342)의 중심과 일치하도록 위치될 수 있다. 바디(410)는 지지판(342)과 독립되게 위치된다. 바디(410)는 지지판(342)의 회전에 영향을 받지 않도록 위치된다. 바디(410)는 지지판(342)의 중앙 영역에서 지지판(342)과 이격되도록, 지지판(342) 내에 삽입되게 위치될 수 있다. 바디(410)는 각각이 상면(412) 및 저면을 가지는 원형의 판 형상으로 제공된다. 바디(410)의 상면(412)은 중심으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공된다. 바디(410)의 저면은 상면에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 바디(410)의 저면은 지지판(342)보다 작은 직경을 가진다. 따라서 바디(410)의 상면(412) 및 저면을 잇는 측면은 바디(410)의 중심으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 바디(410)의 상면(412)은 지지판(342)으로부터 위로 돌출되게 위치된다.The body 410 is positioned between the support plate 342 and the substrate W supported thereon. When viewed from the top, the body 410 may be positioned to coincide with the center of the support plate 342. Body 410 is positioned independent of support plate 342. The body 410 is positioned so as not to be affected by the rotation of the support plate 342. The body 410 may be positioned to be inserted into the support plate 342 to be spaced apart from the support plate 342 in the central region of the support plate 342. The body 410 is provided in a circular plate shape, each having an upper surface 412 and a lower surface. The upper surface 412 of the body 410 is provided to be inclined downward as it moves away from the center. The bottom surface of the body 410 is provided to have a larger diameter than the top surface. The bottom of the body 410 has a diameter smaller than the support plate 342. Accordingly, the side surfaces connecting the upper surface 412 and the lower surface of the body 410 are provided to face in a downwardly inclined direction as they move away from the center of the body 410. The top surface 412 of the body 410 is positioned to protrude upward from the support plate 342.

액 토출 노즐(430)은 기판(W)의 저면으로 처리액을 공급한다. 액 토출 노즐(430)로부터 토출된 처리액은 기판(W)의 저면을 세정 처리한다. 액 토출 노즐(430)은 위를 향하는 액 토출단을 가진다. 예컨대, 액 토출단은 수직 위를 향하도록 제공될 수 있다. 액 토출 노즐(430)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 액을 토출할 수 있다. 액 토출 노즐들(430)은 바디(410)에 고정 결합된다. 액 토출 노즐들(430)은 바디(410)의 중심으로부터 이격되게 위치된다. 액 토출 노즐들(430)은 바디(410)의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 액 토출 노즐(430)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 액 토출 노즐들(430)로부터 토출되는 처리액은 케미칼 및 린스액을 포함할 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 선택적으로 액 토출단은 위로 갈수록 기판(W)의 중심으로부터 멀어지게 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다.The liquid discharge nozzle 430 supplies the processing liquid to the bottom surface of the substrate W. FIG. The processing liquid discharged from the liquid discharge nozzle 430 cleans the bottom surface of the substrate W. FIG. The liquid discharge nozzle 430 has a liquid discharge end facing upward. For example, the liquid discharge end may be provided to face vertically up. The liquid discharge nozzles 430 may be provided in plural numbers, and each of the liquid discharge nozzles 430 may discharge different kinds of liquids. The liquid discharge nozzles 430 are fixedly coupled to the body 410. The liquid discharge nozzles 430 are positioned to be spaced apart from the center of the body 410. The liquid discharge nozzles 430 are arranged to surround the center of the body 410. Each liquid discharge nozzle 430 may be arranged to have an annular ring shape in combination with each other. The processing liquid discharged from the liquid discharge nozzles 430 may include a chemical and a rinse liquid. The chemical may be a liquid having acid or base properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF) and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The rinse liquid may be pure water (H 2 0). Optionally, the liquid discharge end may be provided to face upwardly inclined away from the center of the substrate W as it goes upward.

건조 가스 노즐(470)은 건조 가스를 토출한다. 가스 노즐(470)은 바디(410)의 상면(412)에 고정 결합된다. 가스 노즐(470)은 바디(410)의 중심축 상에 위치된다. 건조 가스 노즐(470)에는 상부 토출 라인(472)이 제공된다. The dry gas nozzle 470 discharges dry gas. The gas nozzle 470 is fixedly coupled to the upper surface 412 of the body 410. The gas nozzle 470 is located on the central axis of the body 410. The dry gas nozzle 470 is provided with an upper discharge line 472.

상부 토출 라인(472)은 가스 노즐(470)의 상단에 형성된 상부 토출단을 포함한다. 상부 토출단은 수직 위를 향하도록 제공될 수 있다. 상부 토출 라인(472)로부터 토출되는 가스는 기판(W)의 저면으로 공급된다. 상부 토출 라인(472)로부터 토출된 가스는 기판(W)의 저면을 건조 처리한다. 예컨대, 건조 가스는 비활성 가스 또는 에어일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.The upper discharge line 472 includes an upper discharge end formed at an upper end of the gas nozzle 470. The upper discharge end may be provided to face vertically. Gas discharged from the upper discharge line 472 is supplied to the bottom surface of the substrate (W). The gas discharged from the upper discharge line 472 dries the bottom surface of the substrate W. As shown in FIG. For example, the dry gas can be an inert gas or air. The inert gas may be nitrogen gas (N 2 ).

퍼지 가스 공급 부재(480)는 퍼지 가스를 토출한다. 퍼지가스는 베어링(350)이 지지판(342) 또는 바디(410)와 마찰로 발생하는 파티클이 바디(410)와 지지판(342) 사이의 이격 공간(510)을 통해 기판(W)과 지지판 사이의 사이 공간(520)으로 역류하는 것을 방지한다. 퍼지 가스 공급 부재(480)는 가스 공급기(481), 유량조절기(483), 퍼지가스 공급관(485)을 포함할 수 있다.The purge gas supply member 480 discharges the purge gas. The purge gas is formed between the substrate W and the support plate through the space 510 between the body 410 and the support plate 342 in which particles generated by friction with the support plate 342 or the body 410. Prevent backflow into the interspace 520. The purge gas supply member 480 may include a gas supply 481, a flow regulator 483, and a purge gas supply pipe 485.

가스 공급기(481)는 퍼지 가스를 저장한다. 예컨대, 퍼지 가스는 비활성 가스 또는 에어일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.The gas supplier 481 stores the purge gas. For example, the purge gas may be an inert gas or air. The inert gas may be nitrogen gas (N2).

유량조절기(483)는 가스 공급기(481)와 연결된다. 유량조절기(483)는 퍼지 가스의 단위시간당 공급 유량을 조절한다. 예컨대, 유량조절기(483)는 제어기(600)가 발생시킨 신호에 근거하여 퍼지가스 공급라인(487)에 흐르는 퍼지가스의 단위시간 당 공급 유량을 조절할 수 있다. 유량조절기(483)는 유량조절밸브(489)를 포함할 수 있다. 유량조절밸브(489)는 퍼지가스 공급라인(487) 상에 설치될 수 있다. 퍼지가스 공급라인(487)에 흐르는 퍼지가스의 단위시간 당 공급 유량은 유량조절밸브(489)의 개방율에 따라 조절될 수 있다. 퍼지가스의 단위시간 당 공급 유량을 조절하는 방법은 다양한 방법으로 조절될 수 있다. 예컨대, 퍼지가스의 단위시간 당 공급 유량은 지지판의 회전속도에 따라 조절될 수 있다.The flow regulator 483 is connected to the gas supplier 481. The flow regulator 483 regulates the supply flow rate per unit time of the purge gas. For example, the flow controller 483 may adjust the supply flow rate per unit time of the purge gas flowing through the purge gas supply line 487 based on the signal generated by the controller 600. The flow regulator 483 may include a flow control valve 489. The flow control valve 489 may be installed on the purge gas supply line 487. The supply flow rate per unit time of the purge gas flowing in the purge gas supply line 487 may be adjusted according to the opening ratio of the flow control valve 489. The method of controlling the supply flow rate per unit time of the purge gas may be adjusted in various ways. For example, the supply flow rate per unit time of the purge gas may be adjusted according to the rotational speed of the support plate.

퍼지가스 공급관(485)은 지지판(342)과 바디(410) 사이의 이격 공간(510)에 퍼지가스를 공급한다. 퍼지가스 공급관(485)은 퍼지가스 공급라인(487)과 연결된다. 퍼지가스 공급관(485)은 베어링(350)보다 상부에 위치될 수 있다. 퍼지가스 공급관(485)은 원통의 형상으로 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 예컨대, 퍼지가스가 스프레이 방식으로 분사되도록 스프레이 분사 노즐의 형상으로 제공될 수 있다.The purge gas supply pipe 485 supplies the purge gas to the spaced space 510 between the support plate 342 and the body 410. The purge gas supply pipe 485 is connected to the purge gas supply line 487. The purge gas supply pipe 485 may be located above the bearing 350. The purge gas supply pipe 485 may be provided in the shape of a cylinder. However, the present invention is not limited thereto and may be provided in various shapes. For example, the purge gas may be provided in the shape of a spray injection nozzle so as to be sprayed in a spray manner.

제어기(600)는 퍼지가스 공급 부재(480)를 제어한다. 제어기(500)는 퍼지가스 공급 부재(480)의 유량조절기(483)와 연결되어 퍼지가스 공급라인(487)에 흐르는 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 조절한다. 예컨대, 제어기(600)는 기판 처리 단계에 기초하여 신호를 발생시키고, 이를 유량조절기(483)에 전달할 수 있다. 또한, 제어기(600)는 지지판(342)의 회전속도에 기초하여 신호를 발생시키고, 이를 유량조절기(483)에 전달할 수 있다. 그러나, 제어기(600)가 발생시키는 신호는 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 방식으로 신호를 발생시킬 수 있다. 유량조절기(483)는 제어기(600)가 전달한 신호에 근거하여 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 조절할 수 있다.The controller 600 controls the purge gas supply member 480. The controller 500 is connected to the flow regulator 483 of the purge gas supply member 480 to adjust the supply flow rate per unit time of the purge gas flowing through the purge gas supply line 487. For example, the controller 600 can generate a signal based on the substrate processing step and pass it to the flow regulator 483. In addition, the controller 600 may generate a signal based on the rotational speed of the support plate 342 and transmit the signal to the flow regulator 483. However, the signal generated by the controller 600 is not limited thereto and may generate the signal in various ways. The flow controller 483 may adjust the supply flow rate per unit time of the purge gas based on the signal transmitted from the controller 600.

도 7은 도 6의 저면 유체 공급 유닛에서 퍼지가스 기류 흐름을 보여주는 도면이고, 도 8은 도 5의 기판 처리 장치에서 퍼지가스의 기류 흐름을 보여주는 도면이다.FIG. 7 is a view showing a purge gas airflow flow in the bottom fluid supply unit of FIG. 6, and FIG. 8 is a view showing the airflow flow of the purge gas in the substrate processing apparatus of FIG. 5.

도 7 및 도 8을 참조하면, 퍼지가스 공급관(485)에서 토출되는 퍼지가스는 바디(410)와 지지판(342) 사이의 이격 공간(510)으로 공급된다. 이격 공간(510)으로 공급된 퍼지 가스는 이격 공간(510) 따라 흘러 기판(W)과 지지판(342)의 사이 공간(520)을 통해 외부로 배기된다. 이격 공간(510)으로 공급되는 퍼지가스는 지지판(342)과 바디(410) 사이에 제공되는 베어링(350)의 위치보다 상부에서 공급될 수 있다. 이에 베어링(350)의 마찰로 발생되는 파티클(Particle)이 이격 공간(510)을 통해 역류하여 사이 공간(520)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 7 and 8, the purge gas discharged from the purge gas supply pipe 485 is supplied to the separation space 510 between the body 410 and the support plate 342. The purge gas supplied to the separation space 510 flows along the separation space 510 and is exhausted to the outside through the space 520 between the substrate W and the support plate 342. The purge gas supplied to the separation space 510 may be supplied above the position of the bearing 350 provided between the support plate 342 and the body 410. Accordingly, particles generated by friction of the bearing 350 may be prevented from flowing back into the interspace 520 through the separation space 510.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 개략적으로 보여주는 플로우 차트이다.9 is a flowchart schematically illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 기판 처리 방법은 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 단계(S10)와 기판을 건조하는 건조단계(S20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, the substrate processing method may include a liquid supplying step S10 of supplying a processing liquid to a substrate and a drying step S20 of drying the substrate.

액 공급 단계(S10)에서는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리한다. 액 공급 단계(S10)에서는 기판의 상면 또는 저면에 처리액을 공급할 수 있다. 기판에 공급되는 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다.In the liquid supply step S10, the processing liquid is supplied to the substrate to process the substrate. In the liquid supply step S10, the processing liquid may be supplied to the upper or lower surface of the substrate. The treatment liquid supplied to the substrate may be a chemical, a rinse liquid, and an organic solvent. The chemical may be a liquid having acid or base properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (P 2 O 5 ), hydrofluoric acid (HF) and ammonium hydroxide (NH 4 OH). The rinse liquid may be pure water (H 2 0). The organic solvent may be an isopropyl alcohol (IPA) liquid.

건조 단계(S20)에서는 기판에 잔류하는 처리액을 건조한다. 건조 단계(S20)에서는 기판을 고속으로 회전시킨다. 기판의 고속 회전으로 발생된 원심력에 의해 기판의 상면 또는 저면에 잔류하는 처리액이 기판에서 탈리된다. 또한 건조 단계(S20)에서는 기판의 저면에 건조 가스를 공급할 수 있다. 건조 가스는 비활성가스 또는 에어일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스 (N2) 일 수 있다. 기판의 저면에 건조 가스를 공급하여 기판 저면에 잔류하는 처리액을 효율적으로 건조할 수 있다.In the drying step (S20), the treatment liquid remaining on the substrate is dried. In the drying step S20, the substrate is rotated at high speed. By the centrifugal force generated by the high speed rotation of the substrate, the treatment liquid remaining on the upper or lower surface of the substrate is detached from the substrate. In addition, in the drying step S20, a drying gas may be supplied to the bottom surface of the substrate. The dry gas may be an inert gas or air. The inert gas can be nitrogen gas (N 2 ). A drying gas can be supplied to the bottom of the substrate to efficiently dry the treatment liquid remaining on the bottom of the substrate.

건조 단계(S20)는 제1건조시기(S201)과 제2건조시기(S202)를 포함할 수 있다. 제2건조시기(S202)는 제1건조시기(S201) 이후에 수행될 수 있다. The drying step S20 may include a first drying time S201 and a second drying time S202. The second drying time S202 may be performed after the first drying time S201.

도 10은 기판 처리 장치에서 기판의 회전속도를 제어하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.10 is a view illustrating an embodiment of controlling a rotation speed of a substrate in a substrate processing apparatus.

액 공급 단계(S10)에서는 액 공급 단계 회전속도(V10)으로 기판을 회전시킨다. 회전된 기판에 처리액이 공급되면, 원심력에 의해 공급된 처리액이 기판의 전체 영역에 균일하게 공급된다.In the liquid supply step S10, the substrate is rotated at the liquid supply step rotational speed V10. When the processing liquid is supplied to the rotated substrate, the processing liquid supplied by the centrifugal force is uniformly supplied to the entire area of the substrate.

건조 단계(S20)에서 기판의 회전속도는 액 공급 단계(S10)에서 기판의 회전속도와 서로 상이할 수 있다. 액 공급 단계 회전속도(V10)는 건조 단계 회전 속도(V20)보다 작을 수 있다.The rotational speed of the substrate in the drying step (S20) may be different from the rotational speed of the substrate in the liquid supply step (S10). The liquid supply stage rotation speed V10 may be smaller than the drying stage rotation speed V20.

또한, 건조 단계(S20)에서 기판의 회전 속도는 제1회전속도(V201), 제2회전속도(V202)를 포함할 수 있다. 제1회전속도(V201)와 제2회전속도(V202)는 서로 상이할 수 있다. 제2회전속도(V202)는 제1회전속도(V201)보다 작을 수 있다. 제2회전속도(V202)는 0 rad/s 일 수 있다. 즉, 제2회전속도(V202)로 회전하는 기판은 정지된 상태일 수 있다. 제1건조시기(S201)에는 제1회전속도(V201)로 기판이 회전하고, 제2건조시기(S202)에는 제2회전속도(V202)로 기판이 회전할 수 있다.In addition, in the drying step S20, the rotation speed of the substrate may include a first rotation speed V201 and a second rotation speed V202. The first rotational speed V201 and the second rotational speed V202 may be different from each other. The second rotational speed V202 may be smaller than the first rotational speed V201. The second rotational speed V202 may be 0 rad / s. That is, the substrate rotating at the second rotational speed V202 may be in a stopped state. The substrate may be rotated at the first rotational speed V201 in the first drying period S201, and the substrate may be rotated at the second rotational speed V202 in the second drying period S202.

제1건조시기(S201)에서는 기판을 상대적으로 고속회전시켜 기판을 건조할 수 있다. 이에 기판 건조 효율을 높일 수 있다. 제2건조시기(S202)에서는 기판의 회전을 멈출 수 있다. 이에 제2건조시기(S202)가 종료된 이후, 건조된 기판을 지지판(342)에서 언로딩하고, 다시 액 처리 단계(S10)를 진행하기 위해 액 처리 단계를 수행하지 않은 기판이 지지판(342)에 로딩될 수 있다.In the first drying period S201, the substrate may be dried by relatively rotating the substrate at a high speed. This can increase the substrate drying efficiency. In the second drying period S202, the rotation of the substrate may be stopped. Thus, after the second drying period (S202) is finished, the substrate is unloaded from the support plate 342, and the substrate not performing the liquid treatment step to proceed to the liquid treatment step (S10) is the support plate 342 Can be loaded into.

도 11은 퍼지가스 공급 부재에서 퍼지가스의 단위시간 당 공급 유량을 제어하는 일 실시예를 보여주는 도면이다.11 is a view showing an embodiment of controlling the supply flow rate per unit time of the purge gas in the purge gas supply member.

도 6 및 도 10을 참조하면, 액 공급 단계(S10)와 건조단계(S20)에서의 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량은 액 공급 단계 유량(Q10)과 건조 단계 유량(Q20)으로 제어된다. 액 공급 단계 유량(Q10)은 건조 단계 유량(Q20)과 상이하게 제어될 수 있다. 액 공급 단계 유량(Q10)은 건조 단계 유량(Q20)보다 작을 수 있다. 다시 말해, 건조 단계(S20)에서 액 공급 단계 유량(Q20)보다 큰 건조 단계 유량(Q20)으로 퍼지 가스가 공급된다. 6 and 10, the supply flow rate per unit time of the purge gas in the liquid supply step S10 and the drying step S20 is controlled by the liquid supply step flow rate Q10 and the drying step flow rate Q20. The liquid supply stage flow rate Q10 may be controlled differently from the drying stage flow rate Q20. The liquid supply stage flow rate Q10 may be smaller than the drying stage flow rate Q20. In other words, the purge gas is supplied at the drying step flow rate Q20 larger than the liquid supply step flow rate Q20 in the drying step S20.

건조 단계(S20)에서는 고속으로 기판이 회전하여 기판과 지지판(342)의 사이 공간(520)의 가스 또는 공기가 사이 공간(520)의 외부로 빠르게 퍼져나간다. 그러나, 건조 단계(S20)에서 고 유량의 건조 단계 유량(Q20)이 공급됨으로써, 사이 공간(520)에 음압이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 상술한 베어링(350)이 지지판(342)과 바디(410)와 접촉하여 발생하는 파티클(Particle)이 바디(410)와 지지판(342) 사이의 이격 공간(520)을 통해 역류되는 것을 최소화할 수 있다. 이에 역류된 파티클(Particle)이 기판의 저면에 재부착되어 오염되는 것을 최소화 할 수 있다.In the drying step S20, the substrate is rotated at a high speed so that gas or air in the space 520 between the substrate and the support plate 342 is quickly spread out of the space 520. However, by supplying a high flow rate of the drying step Q20 in the drying step S20, it is possible to prevent the negative pressure from occurring in the interspace 520. Accordingly, it is possible to minimize backflow of the particles generated by contacting the bearing 350 with the support plate 342 and the body 410 through the separation space 520 between the body 410 and the support plate 342. Can be. Particles reversed to the reattach to the bottom of the substrate can be minimized to be contaminated.

또한 퍼지가스를 제1건조시기(S201)에는 제1유량(Q201)으로 공급하고, 제2건조시기(S202)에는 제2유량(Q202)으로 공급할 수 있다. 제1유량(Q201)과 제2유량(Q202)은 서로 상이할 수 있다. 제2유량(Q202)은 제1유량(Q201)보다 작을 수 있다. 즉, 제2건조시기(S202)에서는 제1건조시기(S201)보다 상대적으로 적은 퍼지가스를 공급한다. 또한 제2유량(Q202)은 액 공급 단계 유량(Q10)과 동일할 수 있다.In addition, the purge gas may be supplied to the first drying time S201 at the first flow rate Q201 and to the second drying time S202 at the second flow rate Q202. The first flow rate Q201 and the second flow rate Q202 may be different from each other. The second flow rate Q202 may be smaller than the first flow rate Q201. That is, the second drying period (S202) is supplied with a purge gas relatively less than the first drying period (S201). In addition, the second flow rate Q202 may be the same as the liquid supply step flow rate Q10.

제2건조시기(S202)에서 기판의 회전속도가 감소하거나 또는 정지하면, 기판과 지지판(342)의 사이 공간(520)에 발생하는 음압도 감소하거나 사라진다. 이 경우 제2건조시기(S202)에서 제1건조시기(S201)와 동일하게 고 유량의 퍼지가스를 공급하게 되면, 지지판(342)의 외측영역에 퍼지가스에 의한 상승기류가 발생할 수 있다. 이러한 상승기류로 인해 기판의 상면에 파티클이 재부착될 수 있다. 이에 기판의 상면이 오염될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제2건조시기(S202)에서 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량(Q201)보다 작은 제2유량(Q202)으로 변화하여 지지판(342)의 외측영역에 상승기류가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.When the rotational speed of the substrate decreases or stops in the second drying period S202, the sound pressure generated in the space 520 between the substrate and the support plate 342 also decreases or disappears. In this case, when the purge gas with a high flow rate is supplied in the second drying period S202 in the same manner as the first drying period S201, an upward airflow by the purge gas may occur in the outer region of the support plate 342. This upward airflow can cause particles to reattach to the top surface of the substrate. This may contaminate the upper surface of the substrate. According to one embodiment of the present invention, in the second drying time (S202), the supply flow rate of the purge gas per unit time is changed to the second flow rate (Q202) less than the first flow rate (Q201) to the outer region of the support plate 342 The occurrence of upward airflow can be minimized.

또한, 기판이 회전하지 않고 정지된 상태에서도 퍼지가스가 공급될 수 있다. 액 공급 단계(S10)와 건조단계(S20)를 진행하는 동안 또는 기판 처리 공정을 진행하지 않는 동안에도 계속적으로 퍼지가스는 공급될 수 있다. 퍼지가스가 지지판(342)과 바디(410) 사이의 이격 공간(510)과 지지판(342)과 기판의 사이 공간(520)에 게속적으로 공급되기 때문에 이격 공간(510)을 통해 파티클이 역류되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the purge gas may be supplied even when the substrate is not rotated and is stopped. The purge gas may be continuously supplied while the liquid supply step S10 and the drying step S20 are performed or the substrate treating process is not performed. Since the purge gas is continuously supplied to the space 510 between the support plate 342 and the body 410 and the space 520 between the support plate 342 and the substrate, particles are flowed back through the space 510. Can be prevented.

퍼지가스의 단위시간당 공급 유량은 기판의 회전 속도에 따라 변화될 수 있다. 예컨대, 기판의 회전속도가 커질수록 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량도 커질 수 있다. 또한, 기판의 회전속도가 작아질수록 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량도 작아질 수 있다.The supply flow rate of the purge gas per unit time may vary depending on the rotational speed of the substrate. For example, as the rotation speed of the substrate increases, the supply flow rate of the purge gas per unit time may also increase. In addition, as the rotation speed of the substrate decreases, the supply flow rate of the purge gas per unit time may also decrease.

도 12 및 도 13은 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량과 기판의 회전속도 관계의 일 예를 보여주는 도면이다.12 and 13 are views showing an example of the relationship between the supply flow rate of the purge gas per unit time and the rotational speed of the substrate.

도 12를 참조하면, 액 공급 단계(S10)와 건조 단계(S20)에서 기판(W)의 회전속도를 비교해보면, 액 공급 단계 회전속도(V10)는 건조 단계 회전속도(V20)보다 작을 수 있다. 이에 대응하여 액 공급 단계 유량(Q10)은 건조 단계 유량(Q20)보다 작을 수 있다.Referring to FIG. 12, when comparing the rotation speeds of the substrate W in the liquid supplying step S10 and the drying step S20, the liquid supplying step rotational speed V10 may be smaller than the drying step rotating speed V20. . Correspondingly, the liquid supply stage flow rate Q10 may be smaller than the drying stage flow rate Q20.

도 13을 참조하면, 제1건조시기(S201)와 제2건조시기(S202)의 기판(W)의 회전속도를 비교해보면, 제1건조시기(S201)에서의 제1회전속도(V201)는 제2건조시기(S202)의 제2회전속도(V202)보다 클 수 있다. 이에 대응하여 제1건조시기(S201)에서의 제1유량(Q201)은 제2건조시기(S202)에서의 제2유량(Q202)보다 클 수 있다.Referring to FIG. 13, when comparing the rotational speeds of the substrate W in the first drying period S201 and the second drying period S202, the first rotational speed V201 in the first drying period S201 is determined. It may be greater than the second rotational speed V202 of the second drying time (S202). Correspondingly, the first flow rate Q201 at the first drying time S201 may be greater than the second flow rate Q202 at the second drying time S202.

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 개략적으로 보여주는 플로우 차트이다.14 is a flow chart schematically illustrating a substrate processing method according to another embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 기판 처리 방법은 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 단계(S10)와 기판을 건조하는 건조단계(S20)를 포함하고, 건조단계(S20)는 제1건조시기(S201)와 제2건조시기(S202)를 포함할 수 있다. 액 공급 단계(S10)와 제1건조시기(S201)사이에 제1공정조건조절단계(C10)를 포함할 수 있다. 제1건조시기(S201)와 제2건조시기(S202)사이에 제2공정조건조절단계(C20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14, the substrate processing method includes a liquid supplying step S10 for supplying a processing liquid to a substrate and a drying step S20 for drying the substrate, and the drying step S20 includes a first drying time S201. And may include a second drying time (S202). It may include a first process condition adjusting step (C10) between the liquid supply step (S10) and the first drying time (S201). A second process condition adjusting step C20 may be included between the first drying time S201 and the second drying time S202.

제1공정조건조절단계(C10)와 제2공정조건조절단계(C20)에는 기판의 회전속도와 퍼지가스의 단위시간당 공급량이 변화할 수 있다.In the first process condition adjusting step C10 and the second process condition adjusting step C20, the rotational speed of the substrate and the supply amount of the purge gas per unit time may be changed.

도 15는 기판 처리 장치에서 기판의 회전속도를 제어하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다.15 is a view showing another embodiment of controlling the rotational speed of the substrate in the substrate processing apparatus.

도 13을 참조하면, 제1공정조건조절단계(C10)에서는 기판의 회전속도가 액 공급단계 회전속도(V10)에서 제1회전속도(V201)로 순차적으로 증가할 수 있다. 제2공정조건조절단계(C20)에서 기판의 회전속도가 제1회전속도(V201)에서 제2회전속도(V202)로 순차적으로 감소할 수 있다. 제1공정조건조절단계(C10)와 제2공정조건조절단계(C20)가 수행되는 시간은 기판 처리 공정 조건에 따라 다양하게 변화할 수 있다.Referring to FIG. 13, in the first process condition adjusting step C10, the rotation speed of the substrate may be sequentially increased from the liquid supply step rotation speed V10 to the first rotation speed V201. In the second process condition adjusting step C20, the rotation speed of the substrate may be sequentially decreased from the first rotation speed V201 to the second rotation speed V202. The time at which the first process condition adjusting step C10 and the second process condition adjusting step C20 are performed may vary according to substrate processing process conditions.

도 16은 퍼지가스 공급 부재에서 퍼지가스의 단위시간 당 공급 유량을 제어하는 다른 실시예를 보여주는 도면이다.16 is a view showing another embodiment of controlling the supply flow rate per unit time of the purge gas in the purge gas supply member.

도 16을 참조하면, 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량은 기판의 회전속도에 따라 변화할 수 있다. 예컨대, 기판의 회전속도가 커질수록 퍼지가스의 단위시간당 공급유량도 커질 수 있다. 또한, 기판의 회전속도가 작아질수록 퍼지가스의 단위시간당 공급유량도 작아질 수 있다.Referring to FIG. 16, the supply flow rate of the purge gas per unit time may vary according to the rotational speed of the substrate. For example, as the rotation speed of the substrate increases, the supply flow rate of the purge gas per unit time may also increase. In addition, as the rotation speed of the substrate decreases, the supply flow rate per unit time of the purge gas may also decrease.

예컨대, 도 13 및 도 14를 참조하면, 제1공정조건조절단계(C10)에는 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량이 액 공급단계 유량(Q10)에서 제1유량(Q202)으로 순차적으로 증가할 수 있다. 제2공정조건조절단계(C20)에는 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량이 제1유량(Q201)에서 제2유량(Q202)으로 순차적으로 감소할 수 있다.For example, referring to FIGS. 13 and 14, in the first process condition adjusting step C10, the supply flow rate per unit time of the purge gas may sequentially increase from the liquid supply step flow rate Q10 to the first flow rate Q202. . In the second process condition adjusting step C20, the supply flow rate of the purge gas per unit time may be sequentially decreased from the first flow rate Q201 to the second flow rate Q202.

기판의 회전속도가 클수록 발생하는 원심력의 크기도 커지면서, 사이 공간(510)에 잔류하는 가스 또는 공기가 빠르게 사이 공간(510)의 외부로 퍼져나갈 수 있다. 반대로, 기판의 회전속도가 작을수록 발생하는 원심력의 크기도 작아지면서, 사이 공간(510)에 잔류하는 가스 또는 공기가 느리게 사이 공간(510)의 외부로 퍼져나갈 수 있다. 즉, 기판과 지지판(342)의 사이 공간(510)에 발생하는 음압의 크기는 기판의 회전속도에 비례한다. As the rotation speed of the substrate increases, the magnitude of the centrifugal force generated increases, and the gas or air remaining in the interspace 510 may quickly spread out of the interspace 510. On the contrary, the smaller the rotation speed of the substrate is, the smaller the magnitude of the centrifugal force generated, and the gas or air remaining in the interspace 510 may slowly spread out of the interspace 510. That is, the magnitude of the sound pressure generated in the space 510 between the substrate and the support plate 342 is proportional to the rotational speed of the substrate.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판의 회전속도에 따라 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 조절한다. 이에 파티클의 역류를 방지하는데 많은 퍼지가스가 소요되는 것을 막을 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the supply flow rate of the purge gas per unit time is adjusted according to the rotational speed of the substrate. This can prevent the large purge gas is required to prevent the backflow of the particles.

또한, 발생하는 음압의 크기에 비해 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량이 과도하게 크면, 지지판(342)의 외측영역에 상승기류가 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판의 회전속도에 따라 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량이 조절되기 때문에, 지지판(342)의 외측영역에 퍼지가스에 의한 상승기류가 발생하는 것을 막을 수 있다. In addition, if the supply flow rate per unit time of the purge gas is excessively large compared to the magnitude of the negative pressure generated, rising air flow may occur in the outer region of the support plate 342. However, according to another embodiment of the present invention, since the flow rate of the purge gas per unit time is adjusted according to the rotational speed of the substrate, it is possible to prevent the rise of the air flow by the purge gas in the outer region of the support plate 342. .

상술한 예에서는, 지지판(342)과 바디(410) 사이의 이격 공간(510)으로 퍼지가스를 공급하고, 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 제어하는 것을 예를 들어 설명하였다. 그러나, 이와 달리 지지판(342)과 기판의 사이 공간(520)으로 곧바로 퍼지가스를 추가로 공급하는 별도의 퍼지가스 공급라인이 설치될 수 있다. 이에, 건조 단계(S20)에서 기판이 고속으로 회전하게 되면, 음압이 발생하지 않도록 사이 공간(520)으로 보충적인 퍼지가스를 공급할 수 있다. In the above-described example, the purge gas is supplied to the separation space 510 between the support plate 342 and the body 410, and the flow rate of the purge gas per unit time has been described as an example. However, alternatively, a separate purge gas supply line for additionally supplying purge gas directly to the space 520 between the support plate 342 and the substrate may be installed. Thus, when the substrate is rotated at a high speed in the drying step (S20), the supplementary purge gas may be supplied to the interspace 520 so that a negative pressure does not occur.

400: 저면 유체 공급 유닛 410: 바디
430: 액 토출 노즐 470: 건조 가스 노즐
480: 퍼지가스 공급 부재 600: 제어기400: bottom fluid supply unit 410: body
430: liquid discharge nozzle 470: dry gas nozzle
480: purge gas supply member 600: controller

Claims (26)

기판 처리 장치에 있어서,
기판을 지지하는 지지판과 상기 지지판을 회전 시키는 회전구동부재를 가지는 기판 지지 유닛과;
상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 상부 유체 공급 유닛과;
상기 지지판과 상기 기판 사이로 유체를 공급하는 저면 유체 공급 유닛과; 그리고
제어기를 포함하되,
상기 저면 유체 공급 유닛은,
상기 기판 지지 유닛에 삽입된 바디와;
상기 기판과 상기 지지판의 사이 공간으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급 부재를 포함하고,
상기 제어기는 공정 진행 중에 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량이 변경되도록 상기 퍼지가스 공급 부재를 제어하는 기판 처리 장치. In the substrate processing apparatus,
A substrate support unit having a support plate for supporting a substrate and a rotation driving member for rotating the support plate;
An upper fluid supply unit supplying a processing liquid to an upper surface of the substrate;
A bottom fluid supply unit for supplying a fluid between the support plate and the substrate; And
Including a controller,
The bottom fluid supply unit,
A body inserted into the substrate support unit;
It includes a purge gas supply member for supplying a purge gas to the space between the substrate and the support plate,
And the controller controls the purge gas supply member to change the supply flow rate of the purge gas per unit time during the process. 제1항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 처리액을 기판의 상면에 공급하는 액 공급 단계와 상기 기판을 건조하는 건조 단계 동안에 상기 퍼지가스가 공급되도록 하고,
상기 액 공급 단계와 상기 건조 단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 상이하게 조절하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller,
The purge gas is supplied during a liquid supplying step of supplying the treatment liquid to an upper surface of the substrate and a drying step of drying the substrate,
Substrate processing apparatus for differently adjusting the supply flow rate per unit time of the purge gas in the liquid supply step and the drying step. 제2항에 있어서,
상기 액 공급 단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량은,
상기 건조 단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량 보다 적은 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The supply flow rate per unit time of the purge gas in the liquid supply step,
Substrate processing apparatus less than the supply flow rate per unit time of the purge gas in the drying step. 제1항에 있어서,
상기 기판을 건조하는 건조 단계는 제1건조시기 및 상기 제1건조시기 이후에 진행되는 제2건조시기를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 제1건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량으로 조절하고,
상기 제2건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제2유량으로 조절하되,
상기 제1유량과 상기 제2유량은 서로 상이한 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The drying step of drying the substrate includes a first drying timing and a second drying timing proceeding after the first drying timing,
The controller,
In the first drying period, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to the first flow rate,
In the second drying period, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to a second flow rate,
And said first flow rate and said second flow rate are different from each other. 제4항에 있어서,
상기 제2유량은 상기 제1유량보다 작은 기판 처리 장치.The method of claim 4, wherein
And said second flow rate is less than said first flow rate. 제5항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 회전구동부재를 더 제어하고,
상기 제1건조시기에는 상기 지지판의 회전속도를 제1회전속도가 되도록 상기 회전구동부재를 제어하고,
상기 제2건조시기에는 상기 지지판의 회전속도를 제1회전속도보다 작은 제2회전속도가 되도록 상기 회전구동부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The controller,
Further controlling the rotary drive member,
The rotation driving member is controlled so that the rotation speed of the support plate becomes the first rotation speed during the first drying period.
And the rotation driving member to control the rotation driving member so that the rotation speed of the support plate becomes a second rotation speed smaller than the first rotation speed during the second drying time. 제1항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 단계에는 상기 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 액 공급 단계 유량으로 조절하고,
상기 기판을 건조하는 건조 단계에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 건조 단계 유량으로 조절하되,
상기 건조 단계는 제1건조시기와 제2건조시기를 포함하고,
상기 건조 단계 유량은 제1유량과 제2유량을 포함하고,
상기 제1건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량으로 조절하고,
상기 제2건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제2유량으로 조절하고,
상기 제2유량은 상기 제1유량보다 작고,
상기 액 공급 단계 유량과 상기 제2유량은 동일한 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller,
In the liquid supplying step of supplying the processing liquid to the substrate, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to the liquid supplying step flow rate,
In the drying step of drying the substrate, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to the drying step flow rate,
The drying step includes a first drying time and a second drying time,
The drying step flow rate includes a first flow rate and a second flow rate,
In the first drying period, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to the first flow rate,
In the second drying time, the supply flow rate per unit time of the purge gas is adjusted to a second flow rate,
The second flow rate is less than the first flow rate,
And said second flow rate is the same. 기판 처리 장치에 있어서,
기판을 지지하는 지지판과 상기 지지판을 회전 시키는 회전구동부재를 가지는 기판 지지 유닛과;
상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 상부 유체 공급 유닛과;
상기 지지판과 상기 기판 사이로 유체를 공급하는 저면 유체 공급 유닛과; 그리고
제어기를 포함하되,
상기 저면 유체 공급 유닛은,
상기 기판 지지 유닛에 삽입된 바디와;
상기 기판과 상기 지지판의 사이 공간으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급 부재를 포함하고,
상기 제어기는 상기 퍼지 가스를 계속적으로 공급하도록 상기 퍼지 가스 공급 부재를 제어하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
A substrate support unit having a support plate for supporting a substrate and a rotation driving member for rotating the support plate;
An upper fluid supply unit supplying a processing liquid to an upper surface of the substrate;
A bottom fluid supply unit for supplying a fluid between the support plate and the substrate; And
Including a controller,
The bottom fluid supply unit,
A body inserted into the substrate support unit;
It includes a purge gas supply member for supplying a purge gas to the space between the substrate and the support plate,
And the controller controls the purge gas supply member to continuously supply the purge gas. 제8항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 지지판의 회전 속도에 따라 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 조절하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The controller,
The substrate processing apparatus for adjusting the supply flow rate of the purge gas per unit time in accordance with the rotational speed of the support plate. 제9항에 있어서,
상기 지지판의 회전 속도가 커질수록 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량도 커지는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The substrate processing apparatus of which the supply flow volume per unit time of the said purge gas becomes large, so that the rotation speed of the said support plate becomes large. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바디는 고정되고,
상기 지지판은 상기 회전구동부재에 의해 회전되고,
상기 바디와 상기 지지판 사이에는 베어링이 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 10,
The body is fixed,
The support plate is rotated by the rotary drive member,
Substrate processing apparatus provided with a bearing between the body and the support plate. 제11항에 있어서,
상기 저면 유체 공급 유닛은 상기 기판의 저면에 건조 가스를 공급하는 건조 가스 노즐을 더 포함하고,
상기 건조 가스는 상기 기판의 저면을 건조하는 공정 중에 공급되고,
상기 퍼지가스는 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정 및 상기 기판의 저면을 건조하는 공정 중에 계속적으로 공급되는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The bottom fluid supply unit further includes a dry gas nozzle for supplying a dry gas to the bottom of the substrate,
The drying gas is supplied during a process of drying the bottom of the substrate,
And the purge gas is continuously supplied during the process of supplying the processing liquid to the substrate and the process of drying the bottom surface of the substrate. 제12항에 있어서,
상기 퍼지가스 공급 부재는,
상기 바디와 상기 지지판의 이격 공간에 상기 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 12,
The purge gas supply member,
And a purge gas supply line for supplying the purge gas to a space between the body and the support plate. 제13항에 있어서,
상기 퍼지가스 공급 라인에는 유량조절밸브가 설치되고,
상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량은 상기 유량조절밸브의 개방율에 따라 조절되는 기판 처리 장치.The method of claim 13,
The purge gas supply line is installed with a flow control valve,
Substrate processing apparatus for supplying the flow rate per unit time of the purge gas is adjusted according to the opening ratio of the flow control valve. 제14항에 있어서,
상기 처리액은 케미칼 또는 린스액이고,
상기 퍼지가스는 비활성 가스 또는 에어인 기판 처리 장치.The method of claim 14,
The treatment liquid is a chemical or rinse liquid,
The purge gas is an inert gas or air substrate processing apparatus. 기판 처리 방법에 있어서,
기판에 처리액을 공급하는 액 공급 단계와;
상기 기판을 건조하는 건조단계를 포함하되,
상기 액 공급 단계와 상기 건조단계 동안에 상기 기판의 하부에 퍼지가스를 공급하고,
상기 액 공급 단계와 상기 건조단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량이 변경되는 기판 처리 방법.In the substrate processing method,
A liquid supply step of supplying a processing liquid to the substrate;
Including a drying step of drying the substrate,
Supplying purge gas to the lower part of the substrate during the liquid supplying step and the drying step,
The substrate processing method of changing the supply flow rate per unit time of the purge gas in the liquid supply step and the drying step. 제16항에 있어서,
상기 액 공급 단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량은,
상기 건조단계에서 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량보다 적은 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The supply flow rate per unit time of the purge gas in the liquid supply step,
The substrate processing method of less than the supply flow rate per unit time of the purge gas in the drying step. 제16항에 있어서,
상기 건조단계는 제1건조시기와 제2건조시기를 포함하고,
상기 제1건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량으로 공급하고,
상기 제2건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제2유량으로 공급하고,
상기 제1유량과 상기 제2유량은 서로 상이한 기판 처리 방법.The method of claim 16,
The drying step includes a first drying time and a second drying time,
In the first drying period, the supply flow rate per unit time of the purge gas is supplied at a first flow rate,
In the second drying time, the supply flow rate of the purge gas per unit time is supplied as a second flow rate,
And said first flow rate and said second flow rate are different from each other. 제18항에 있어서,
상기 제2유량은 상기 제1유량보다 작은 기판 처리 방법.The method of claim 18,
And said second flow rate is less than said first flow rate. 제18항에 있어서,
상기 제1건조시기에는 상기 기판을 제1회전속도로 회전시키고,
상기 제2건조시기에는 상기 기판을 상기 제1회전속도보다 작은 제2회전속도로 회전시키는 기판 처리 방법.The method of claim 18,
At the first drying time, the substrate is rotated at a first rotational speed,
And a substrate processing method for rotating the substrate at a second rotational speed less than the first rotational speed during the second drying time. 제16항에 있어서,
상기 액 공급 단계에는 상기 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 액 공급 단계 유량으로 공급하고,
상기 건조 단계에는 상기 퍼지가스의 단위 시간당 공급 유량을 건조 단계 유량으로 공급하고,
상기 건조 단계는 제1건조시기와 제2건조시기를 포함하고,
상기 건조 단계 유량은 제1유량과 제2유량을 포함하고,
상기 제1건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제1유량으로 공급하고,
상기 제2건조시기에는 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 제2유량으로 공급하고,
상기 제2유량은 상기 제1유량보다 작고,
상기 액 공급 단계 유량과 상기 제2유량은 동일한 기판 처리 방법.The method of claim 16,
In the liquid supplying step, the supply flow rate per unit time of the purge gas is supplied as the liquid supplying step flow rate,
In the drying step, the supply flow rate per unit time of the purge gas is supplied to the drying step flow rate,
The drying step includes a first drying time and a second drying time,
The drying step flow rate includes a first flow rate and a second flow rate,
In the first drying period, the supply flow rate per unit time of the purge gas is supplied at a first flow rate,
In the second drying time, the supply flow rate of the purge gas per unit time is supplied as a second flow rate,
The second flow rate is less than the first flow rate,
And said second flow rate is the same. 기판 처리 방법에 있어서,
기판에 처리액을 공급하는 액 공급 단계와;
상기 기판을 건조하는 건조단계를 포함하되,
상기 액 공급 단계와 상기 건조단계 동안에 상기 기판의 하부에 퍼지가스를 계속적으로 공급하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method,
A liquid supply step of supplying a processing liquid to the substrate;
Including a drying step of drying the substrate,
And purge gas is continuously supplied to the lower portion of the substrate during the liquid supplying step and the drying step. 제22항에 있어서,
상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량을 변화시키는 기판 처리 방법.The method of claim 22,
The substrate processing method of changing the supply flow rate per unit time of the purge gas in accordance with the rotational speed of the substrate. 제23항에 있어서,
상기 기판의 회전속도가 커질수록 상기 퍼지가스의 단위시간당 공급 유량도 커지는 기판 처리 방법.The method of claim 23, wherein
The substrate processing method of the supply flow rate per unit time of the purge gas increases as the rotation speed of the substrate increases. 제16항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 건조 단계에는 상기 기판의 저면에 건조 가스를 공급하고,
상기 퍼지가스는 상기 액 공급 단계 및 상기 건조 단계 중에 계속적으로 공급되는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 16 to 24,
In the drying step, a drying gas is supplied to the bottom surface of the substrate,
And the purge gas is continuously supplied during the liquid supplying step and the drying step. 제25항에 있어서,
상기 처리액은 케미칼 또는 린스액이고,
상기 퍼지가스는 비활성 가스 또는 에어인 기판 처리 방법.The method of claim 25,
The treatment liquid is a chemical or rinse liquid,
The purge gas is an inert gas or air substrate processing method.
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