KR20120015208A - Substrate Cleaning Apparatus and Method - Google Patents

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KR20120015208A
KR20120015208A KR1020100077531A KR20100077531A KR20120015208A KR 20120015208 A KR20120015208 A KR 20120015208A KR 1020100077531 A KR1020100077531 A KR 1020100077531A KR 20100077531 A KR20100077531 A KR 20100077531A KR 20120015208 A KR20120015208 A KR 20120015208A
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정영주
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Abstract

본 발명은 기판 세장 장치 및 방법을 제공한다. 기판 세정 장치는 기판 지지 부재가 기판을 지지 및 회전시키고, 세정액 공급부재가 기판의 상면으로 세정액을 공급하여 기판을 세정한다. 제1유체 공급부재는 기판의 저면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급하고, 제2유체 공급부재는 기판의 상면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제2유체를 공급한다. 제2유체 공급노즐에는 제2유체를 분사하는 분사구가 형성되며, 분사구는 제2유체 공급노즐의 길이방향을 따라 상이한 유량의 제2유체를 분사한다.The present invention provides a substrate elongation apparatus and method. In the substrate cleaning apparatus, the substrate support member supports and rotates the substrate, and the cleaning liquid supply member supplies the cleaning liquid to the upper surface of the substrate to clean the substrate. The first fluid supply member supplies a first fluid heated to a temperature higher than room temperature to the bottom surface of the substrate, and the second fluid supply member supplies a second fluid heated to a temperature higher than room temperature to the upper surface of the substrate. An injection hole for injecting a second fluid is formed in the second fluid supply nozzle, and the injection hole injects a second fluid having a different flow rate along the longitudinal direction of the second fluid supply nozzle.

Description

기판 세정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE}Substrate cleaning apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE}

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 웨이퍼 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 유리 기판 등과 같은 기판에 대해 세정 또는 건조 등과 같은 공정을 수행하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of performing a process such as cleaning or drying on a substrate such as a wafer used in the manufacture of semiconductor devices or a glass substrate used in the manufacture of a flat panel display.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 화학기상증착 공정 (chemical vapor deposition process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.In general, the photoresist coating process, the developing process, the etching process, the chemical vapor deposition process (chemical vapor deposition) are used to process glass substrates or wafers in flat panel display device manufacturing or semiconductor manufacturing processes. Various processes such as deposition process and ashing process are performed.

또한, 각각의 공정을 수행하는 과정에서 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다. In addition, in order to remove various contaminants adhering to the substrate during each process, a wet cleaning process using chemical or deionized water and a chemical or pure water remaining on the surface of the substrate may be used. A drying process is carried out for drying.

일반적으로 건조 공정은 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol)가 같은 유기용제를 이용하여 기판을 건조시키는 장치가 사용되고 있다. 유기용제를 이용하여 기판을 건조하는 경우, 유기용제의 증발로 인한 응축 냉각으로 기판 표면 온도가 급격히 저하되기 때문에, 기판을 소정 온도로 유지하기 위한 공정이 요구된다. 그러나, 기판은 회전시, 가장자리영역의 선속도가 중심영역의 선속도보다 크게 형성되므로, 기판의 가장자리영역에서 중심영역보다 회전에 의한 열손실이 많이 발생한다. 이는 기판의 중심영역과 가장자리영역의 온도차를 발생시켜 기판의 건조불량의 요인이 된다. In general, in the drying process, an apparatus for drying a substrate using an organic solvent having the same isopropyl alcohol is used. When the substrate is dried using the organic solvent, the surface temperature of the substrate is drastically lowered due to the condensation cooling caused by the evaporation of the organic solvent, so that a process for maintaining the substrate at a predetermined temperature is required. However, since the linear velocity of the edge region is greater than the linear velocity of the center region during rotation of the substrate, more heat loss occurs due to rotation than the central region in the edge region of the substrate. This causes a temperature difference between the center region and the edge region of the substrate, which causes the drying failure of the substrate.

본 발명은 기판의 건조 효율을 향상시킬 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate cleaning apparatus and method capable of improving the drying efficiency of a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 전체면을 균일하게 건조할 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate cleaning apparatus and method capable of uniformly drying the entire surface of the substrate.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 세정 장치를 제공한다. 기판 세정 장치는 기판을 지지하며, 회전가능한 기판 지지 부재; 상기 기판의 상면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부재; 상기 기판의 저면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급하는 제1유체 공급부재; 상기 기판의 상면으로 제2유체를 공급하는 제2유체 공급부재를 포함하되, 상기 제2유체 공급부재는 상기 제2유체를 분사하는 분사구가 형성된 제2유체 공급노즐; 상기 제2유체 공급노즐과 연결되며, 상기 제2유체를 공급하는 제2유체 공급라인; 상기 제2유체 공급라인에 설치되며, 상기 제2유체를 상온보다 높은 온도로 가열하는 가열기를 포함하며, 상기 분사구에서 분사되는 상기 제2유체의 유량이 상기 제2유체 공급노즐의 길이방향을 따라 상이하다.The present invention provides a substrate cleaning apparatus. The substrate cleaning apparatus supports a substrate, and includes a rotatable substrate support member; A cleaning liquid supply member supplying a cleaning liquid to an upper surface of the substrate; A first fluid supply member supplying a first fluid heated to a temperature higher than room temperature to a bottom surface of the substrate; A second fluid supply member for supplying a second fluid to an upper surface of the substrate, wherein the second fluid supply member comprises: a second fluid supply nozzle having a spray hole for ejecting the second fluid; A second fluid supply line connected to the second fluid supply nozzle and supplying the second fluid; It is installed in the second fluid supply line, and includes a heater for heating the second fluid to a temperature higher than room temperature, the flow rate of the second fluid injected from the injection port along the longitudinal direction of the second fluid supply nozzle It is different.

상기 분사구는 상기 제2유체 공급노즐의 길이방향을 따라 서로 이격하여 형성된 복수개의 분사홀들로 제공되되, 상기 제2유체 공급노즐의 일단과 인접한 영역에 형성된 상기 분사홀들간의 간격은 상기 제2유체 공급노즐의 타단과 인접한 영역에 형성된 상기 분사홀들간의 간격과 상이하다. 상기 분사홀들간의 간격은 상기 제2유체 공급노즐의 일단에서 타단으로 갈수록 점차 작아진다.The injection hole is provided as a plurality of injection holes spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second fluid supply nozzle, the interval between the injection holes formed in an area adjacent to one end of the second fluid supply nozzle is the second It is different from the spacing between the injection holes formed in the region adjacent to the other end of the fluid supply nozzle. The spacing between the injection holes becomes smaller gradually from one end of the second fluid supply nozzle to the other end.

상기 분사구는 상기 제2유체 공급노즐의 길이방향을 따라 서로 이격하여 형성된 복수개의 분사홀들로 제공되되,상기 제2유체 공급노즐의 일단과 인접한 영역에 형성된 상기 분사홀의 크기는 상기 제2유체 공급노즐의 타단과 인접한 영역에 형성된 상기 분사홀의 크기와 상이하다. 상기 분사홀의 크기는 상기 제2유체 공급노즐의 일단에서 타단으로 갈수록 점차 커진다.The injection hole is provided as a plurality of injection holes spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second fluid supply nozzle, the size of the injection hole formed in an area adjacent to one end of the second fluid supply nozzle is the second fluid supply It is different from the size of the injection hole formed in the region adjacent to the other end of the nozzle. The size of the injection hole is gradually increased from one end of the second fluid supply nozzle to the other end.

상기 분사구는 그 길이방향이 상기 제2유체 공급노즐의 길이방향과 나란한 슬릿홀로 제공되되, 상기 제2유체 공급노즐의 일측과 인접한 상기 슬릿홀 영역의 폭과 상기 제2유체 공급노즐의 타측과 인접한 상기 슬릿홀 영역의 폭은 서로 상이하다.The injection port is provided with a slit hole whose longitudinal direction is parallel to the longitudinal direction of the second fluid supply nozzle, the width of the slit hole area adjacent to one side of the second fluid supply nozzle and the other side of the second fluid supply nozzle The widths of the slit hole regions are different from each other.

상기 제2유체 공급노즐의 내부에는 상기 분사구와 연결되는 버퍼공간이 상기 제2유체 공급노즐의 길이방향을 따라 형성되고, 상기 제2유체 공급라인은 상기 버퍼공간으로 상기 제2유체를 공급하는 복수개의 공급라인들을 포함하며, 상기 제2유체 공급부재는 상기 공급라인들에 각각 설치되며, 상기 공급라인을 통해 공급되는 상기 제2유체의 유량을 조절하는 유량조절밸브들; 및 각각의 상기 공급라인에서 공급되는 상기 제2유체의 유량이 서로 상이하도록 상기 유량조절밸브들을 제어하는 밸브 제어부를 더 포함한다.A buffer space connected to the injection hole is formed in the second fluid supply nozzle along a length direction of the second fluid supply nozzle, and the second fluid supply line supplies a plurality of second fluids to the buffer space. A plurality of supply lines, wherein the second fluid supply members are respectively installed in the supply lines, and flow control valves for adjusting a flow rate of the second fluid supplied through the supply lines; And a valve control unit controlling the flow regulating valves such that the flow rates of the second fluids supplied from the respective supply lines are different from each other.

상기 제2유체 공급노즐은 상기 제2유체 공급노즐의 길이방향을 따라 상기 버퍼공간을 복수개의 공간으로 구획하는 적어도 하나의 차단판을 가지되, 각각의 상기 공급라인들은 서로 다른 상기 공간들에 상기 제2유체를 공급하며, 상기 밸브 제어부는 상기 제2유체 공급노즐의 일단에서 타단으로 갈수록 상기 공간들에 공급되는 상기 제2유체의 유량이 증가하도록 상기 유량조절밸브를 제어한다. The second fluid supply nozzle has at least one blocking plate partitioning the buffer space into a plurality of spaces along a length direction of the second fluid supply nozzle, wherein each of the supply lines is connected to the different spaces. The second fluid is supplied, and the valve controller controls the flow control valve so that the flow rate of the second fluid supplied to the spaces increases from one end of the second fluid supply nozzle to the other end.

상기 제2유체 공급노즐의 길이는 상기 기판의 반경보다 크거나 같다.The length of the second fluid supply nozzle is greater than or equal to the radius of the substrate.

또한, 본 발명은 기판 세정 방법을 제공한다. 기판 세정 방법은 기판을 로딩시키는 로딩단계; 상기 기판에 세정액을 공급하여 상기 기판을 세정하는 세정단계; 및 상기 기판의 저면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급하고, 상기 기판의 상면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제2유체를 공급하여 세정이 완료된 상기 기판을 건조하는 건조 단계를 포함하되, 상기 기판으로 공급되는 상기 제2유체의 유량은 상기 기판의 영역에 따라 상이하다.The present invention also provides a substrate cleaning method. The substrate cleaning method includes a loading step of loading a substrate; A cleaning step of cleaning the substrate by supplying a cleaning liquid to the substrate; And a drying step of supplying a first fluid heated to a temperature higher than room temperature to a bottom surface of the substrate, and supplying a second fluid heated to a temperature higher than room temperature to an upper surface of the substrate to dry the substrate on which cleaning is completed. However, the flow rate of the second fluid supplied to the substrate is different depending on the area of the substrate.

상기 기판의 가장자리영역으로 공급되는 상기 제2유체의 유량은 상기 기판의 중심영역으로 공급되는 상기 제2유체의 유량보다 많다.The flow rate of the second fluid supplied to the edge region of the substrate is greater than the flow rate of the second fluid supplied to the central region of the substrate.

상기 기판의 중심영역과 가장자리영역에는 상기 제2유체가 동시에 공급된다.The second fluid is simultaneously supplied to the center region and the edge region of the substrate.

상기 제2유체는 액상의 유기용제이다.The second fluid is a liquid organic solvent.

본 발명에 의하면, 건조공정이 진행되는 동안 기판의 온도는 설정온도 이상으로 유지되므로 기판의 건조 효율이 향상된다.According to the present invention, the drying efficiency of the substrate is improved because the temperature of the substrate is maintained above the set temperature during the drying process.

또한, 본 발명에 의하면, 기판의 전체면이 균일하게 설정온도 이상으로 유지되므로, 기판의 전체면이 균일하게 건조된다.Moreover, according to this invention, since the whole surface of a board | substrate is uniformly maintained above set temperature, the whole surface of a board | substrate is dried uniformly.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2유체 공급부재를 간략하게 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 제2유체 분사노즐의 저면을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6은 도 5의 기판 세정 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 7은 제1건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 8은 제2건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2유체 공급부재를 간략하게 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 9의 제2유체 분사노즐의 저면을 나타내는 도면이다.
도 11은 도 9의 제2유체 분사노즐을 통해 제2유체가 공급되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제2유체 공급부재를 간략하게 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 12의 제2유체 분사노즐의 저면을 나타내는 도면이다.
도 14는 도 12의 제2유체 분사노즐을 통해 제2유체가 공급되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2유체 공급부재를 나타내는 도면이다.
도 16은 도 15의 제2유체 분사노즐의 저면을 나타내는 도면이다.
도 17은 도 15의 제2유체 분사노즐을 통해 제2유체가 공급되는 과정을 나타내는 도면이다.1 is a plan view schematically showing the substrate processing equipment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate processing apparatus.
3 is a cross-sectional view briefly showing a second fluid supply member according to an embodiment of the present invention.
4 is a view illustrating the bottom of the second fluid jet nozzle of FIG. 3.
5 is a flowchart illustrating a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention.
6 is a view briefly illustrating a substrate cleaning step of FIG. 5.
7 is a view briefly showing the first drying step.
8 is a view briefly showing a second drying step.
9 is a sectional view schematically showing a second fluid supply member according to another embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a view illustrating the bottom of the second fluid jet nozzle of FIG. 9. FIG.
FIG. 11 is a view illustrating a process of supplying a second fluid through the second fluid injection nozzle of FIG. 9.
12 is a sectional view schematically showing a second fluid supply member according to another embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a view illustrating the bottom of the second fluid jet nozzle of FIG. 12.
14 is a view illustrating a process of supplying a second fluid through the second fluid injection nozzle of FIG. 12.
15 is a view showing a second fluid supply member according to another embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a view illustrating a bottom surface of the second fluid jet nozzle of FIG. 15.
17 is a view illustrating a process of supplying a second fluid through the second fluid injection nozzle of FIG. 15.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and the like of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing the substrate processing equipment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하며, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 of the present invention has an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. . The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is observed. The direction is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint conditions of the process processing module 20. The carrier 18 is formed with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W in a state in which the substrates W are disposed horizontally with respect to the ground. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 이송 챔버(240), 버퍼 유닛(220), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 간에 대칭이 되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a transfer chamber 240, a buffer unit 220, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed at both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 240. One side of the transfer chamber 240 is provided with a plurality of process chambers 260. Some of the process chambers 260 are disposed along the length of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B on one side of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the second direction 14. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 공정 챔버(260)와 캐리어(18) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the process chamber 260 and the carrier 18 before the substrate W is transported. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed therein, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 이는 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(144c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 18 seated in the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b, which is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when conveying the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and some of the index arms 144c are transferred from the carrier 18 to the process processing module 20. ) Can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment while the index robot 144 loads and unloads the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 이는 가이드 레일(242) 상에서 제 1 방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 암(244c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 carries the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242, which is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. Body 244b is coupled to base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 세정 장치(300)가 제공된다. 기판 세정 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 세정 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 세정 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 세정 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate cleaning apparatus 300 that performs a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate cleaning apparatus 300 may have a different structure according to the type of cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate cleaning apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups so that the substrate cleaning apparatuses 300 in the process chamber 260 belonging to the same group are the same as each other and the substrate cleaning apparatuses in the process chamber 260 belonging to different groups. The structures of 300 may be provided differently from each other. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, one side of the transfer chamber 240 is provided with a first group of process chambers 260, and the other side of the transfer chamber 240 has a second group of processes. Chambers 260 may be provided. Optionally, the first group of process chambers 260 may be provided in the lower layer on both sides of the transfer chamber 240, and the second group of process chambers 260 may be provided in the upper layer. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to types of chemicals used or types of cleaning methods. Alternatively, the first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be provided to sequentially perform the process on one substrate (W).

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 세정 장치(300)의 일 예를 설명한다. Below, an example of the substrate cleaning apparatus 300 which wash | cleans the board | substrate W using a process liquid is demonstrated.

도 2는 기판 세정 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate cleaning apparatus.

도 2를 참조하면, 기판 세정 장치(300)는 기판 지지부재(310), 하우징(320), 세정액 공급부재(340), 제1유체 공급부재(350), 제2유체 공급부재(360), 그리고 건조가스 공급부재(370)를 포함한다. 기판 지지부재(310)는 기판(W)을 지지 및 회전시키고, 하우징(320)은 기판(W)으로부터 비산되는 처리액을 모은다. 세정액 공급부재(340)는 기판(W)의 상면으로 세정액을 공급하여 기판(W)을 세정하고, 제1유체 공급부재(350)는 기판(W)의 저면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급하고, 제2유체 공급부재(360)는 기판의 상면으로 제2유체를 공급한다. 건조가스 공급부재(370)는 기판(W)의 상면으로 건조가스를 공급한다. 이하 각 구성에 대해 상세하게 설명하도록 한다.Referring to FIG. 2, the substrate cleaning apparatus 300 includes a substrate support member 310, a housing 320, a cleaning liquid supply member 340, a first fluid supply member 350, a second fluid supply member 360, And a dry gas supply member 370. The substrate supporting member 310 supports and rotates the substrate W, and the housing 320 collects the processing liquid scattered from the substrate W. The cleaning liquid supply member 340 supplies the cleaning liquid to the upper surface of the substrate W to clean the substrate W, and the first fluid supply member 350 is heated to a lower surface of the substrate W at a temperature higher than room temperature. One fluid is supplied, and the second fluid supply member 360 supplies the second fluid to the upper surface of the substrate. The dry gas supply member 370 supplies the dry gas to the upper surface of the substrate W. Hereinafter, each configuration will be described in detail.

기판 지지부재(310)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지부재(310)는 스핀헤드(311), 지지 핀(312), 척 핀(313), 그리고 지지축(314)을 가진다. 스핀헤드(311)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀헤드(311)의 저면에는 모터(315)에 의해 회전가능한 지지축(314)이 고정결합된다.The substrate support member 310 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The substrate support member 310 has a spin head 311, a support pin 312, a chuck pin 313, and a support shaft 314. Spinhead 311 has a top surface that is generally provided in a circular shape when viewed from the top. A support shaft 314 rotatable by the motor 315 is fixed to the bottom of the spin head 311.

지지 핀(312)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(312)은 스핀헤드(311)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀헤드(311)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(312)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(312)은 스핀헤드(311)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 저면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 312 are provided. The support pins 312 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the spin head 311 and protrude upward from the spin head 311. The support pins 312 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 312 supports the bottom edge of the substrate W such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the spin head 311 by a predetermined distance.

척 핀(313)은 복수 개 제공된다. 척 핀(313)은 스핀헤드(311)의 중심에서 지지 핀(312)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(313)은 스핀헤드(311)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(313)은 스핀 헤드(311)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(313)은 스핀 헤드(311)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 스핀헤드(311)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(311)에 로딩 또는 언로딩시 척 핀(313)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(313)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(313)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of chuck pins 313 are provided. The chuck pin 313 is disposed farther from the support pin 312 at the center of the spin head 311. The chuck pin 313 is provided to protrude upward from the spin head 311. The chuck pin 313 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the home position when the spin head 311 is rotated. The chuck pin 313 is provided to enable linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the spin head 311. The standby position is a position far from the center of the spin head 311 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded to the spin head 311, the chuck pins 313 are positioned at the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pins 313 are positioned at the support position. In the support position the chuck pin 313 is in contact with the side of the substrate (W).

하우징(320)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부 회수통(321), 중간 회수통(322), 그리고 외부 회수통(323)을 가진다. 각각의 회수통(321,322,323)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(321)은 스핀 헤드(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(322)은 내부 회수통(321)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(323)은 중간 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(321)의 내측 공간(321a), 내부 회수통(321)과 중간 회수통(322)의 사이 공간(322a) 그리고 중간 회수통(322)과 외부 회수통(323)의 사이 공간(323a)은 각각 내부 회수통(321), 중간 회수통(322), 그리고 외부 회수통(323)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(321,322,323)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(324, 325,326)이 연결된다. 각각의 회수라인(324,325,326)은 각각의 회수통(321,322,323)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The housing 320 has a space in which a substrate treatment process is performed, and an upper portion thereof is opened. The housing 320 has an inner recovery container 321, an intermediate recovery container 322, and an external recovery container 323. Each recovery container 321, 322, 323 recovers different treatment liquids from the treatment liquids used in the process. The inner recovery container 321 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 311, and the intermediate recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 321, and the outer recovery container 323 is provided. ) Is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate recovery container 322. The inner space 321a of the inner recovery container 321, the space 322a between the internal recovery container 321 and the intermediate recovery container 322, and the space between the intermediate recovery container 322 and the external recovery container 323 ( 323a functions as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery container 321, the intermediate recovery container 322, and the external recovery container 323, respectively. Each recovery container 321, 322, 323 is connected to a recovery line 324, 325, 326 extending vertically below the bottom surface thereof. Each recovery line 324, 325, 326 discharges the treatment liquid introduced through each recovery container 321, 322, 323. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

승강 유닛(330)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(311)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(330)은 브라켓(331), 이동 축(332), 그리고 구동기(333)를 가진다. 브라켓(331)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(331)에는 구동기(333)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(332)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(311)에 로딩되거나, 스핀 헤드(311)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(311)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(321, 322, 323)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강 유닛(330)은 스핀 헤드(311)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 330 linearly moves the housing 320 in the vertical direction. As the housing 320 is moved up and down, the relative height of the housing 320 relative to the spin head 311 is changed. The lifting unit 330 has a bracket 331, a moving shaft 332, and a driver 333. The bracket 331 is fixedly installed on the outer wall of the housing 320, and the movement shaft 332 which is moved up and down by the driver 333 is fixedly coupled to the bracket 331. The housing 320 is lowered so that the spin head 311 protrudes above the housing 320 when the substrate W is loaded into the spin head 311 or unloaded from the spin head 311. In addition, when the process is in progress, the height of the housing 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery containers 321, 322, and 323 according to the type of processing liquid supplied to the substrate W. FIG. Optionally, the lifting unit 330 may move the spin head 311 in the vertical direction.

세정액 공급부재(340)는 하우징(320)의 일측에 배치된다. 세정액 공급부재(340)는 기판(W) 상면으로 세정액을 공급하여 기판(W)을 세정한다. 세정액 공급부재(340)는 세정액 분사 노즐(341), 세정액 분사노즐 이동부(342), 그리고 세정액 공급부(346)를 포함한다.The cleaning liquid supply member 340 is disposed at one side of the housing 320. The cleaning solution supply member 340 supplies the cleaning solution to the upper surface of the substrate W to clean the substrate W. The cleaning solution supply member 340 includes a cleaning solution injection nozzle 341, a cleaning solution injection nozzle moving unit 342, and a cleaning solution supply unit 346.

세정액 분사노즐(341)은 기판(W)의 상면으로 세정액을 분사한다. 세정액 분사노즐(341)의 저면에는 세정액이 분사되는 분사구가 형성된다. The cleaning liquid jet nozzle 341 ejects the cleaning liquid to the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. On the bottom of the cleaning liquid jet nozzle 341, a jet port through which the cleaning liquid is injected is formed.

세정액 분사노즐 이동부(342)는 하우징(320)의 외측과 기판(W) 상부 사이 구간에서 세정액 분사노즐(341)을 이동시킨다. 세정액 분사노즐 이동부(342)는 지지로드(343), 지지축(344), 그리고 구동기(345)를 포함한다. The cleaning liquid spray nozzle moving unit 342 moves the cleaning liquid spray nozzle 341 in a section between the outer side of the housing 320 and the upper portion of the substrate (W). The cleaning liquid injection nozzle moving part 342 includes a support rod 343, a support shaft 344, and a driver 345.

지지로드(343)는 로드 형상으로 제공되며, 세정액 분사노즐(341)을 지지한다. 지지로드(343)는 수평방향으로 배치되며, 그 일단에 세정액 분사노즐(341)이 결합한다. The support rod 343 is provided in a rod shape and supports the cleaning liquid injection nozzle 341. The support rod 343 is disposed in the horizontal direction, and the cleaning liquid injection nozzle 341 is coupled to one end thereof.

지지축(344)은 지지로드(343)의 하부에서 상하방향으로 배치된다. 지지축(344)은 상단이 지지로(343)드의 타단과 결합하며, 지지로드(343)를 지지한다. 지지축(344)의 하단에는 구동기(345)가 제공된다. 구동기(345)는 지지축(344)의 길이방향과 나란한 축을 중심으로 지지축(344)을 회전시킨다.The support shaft 344 is disposed in the vertical direction at the bottom of the support rod 343. The support shaft 344 has an upper end coupled with the other end of the support passage 343 and supports the support rod 343. At the bottom of the support shaft 344 is provided a driver 345. The driver 345 rotates the support shaft 344 about an axis parallel to the longitudinal direction of the support shaft 344.

세정액 공급부(346)는 세정액 분사노즐(341)에 세정액을 공급한다. 세정액 공급부(346)는 세정액 저장부(347), 세정액 공급라인(348), 그리고 밸브(349)를 포함한다. 세정액 공급라인(348)은 세정액 저장부(347)와 세정액 분사노즐(341)을 연결한다. 세정액 저장부(347)에 저장된 세정액은 세정액 공급라인(348)을 통해 세정액 분사노즐(341)로 공급된다. 밸브(349)는 세정액 공급라인(348)상에 설치되며, 세정액 공급라인(348)을 개폐한다.The cleaning liquid supply unit 346 supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid injection nozzle 341. The cleaning solution supply unit 346 includes a cleaning solution storage unit 347, a cleaning solution supply line 348, and a valve 349. The cleaning solution supply line 348 connects the cleaning solution storage unit 347 and the cleaning solution injection nozzle 341. The cleaning liquid stored in the cleaning liquid storage unit 347 is supplied to the cleaning liquid injection nozzle 341 through the cleaning liquid supply line 348. The valve 349 is installed on the cleaning liquid supply line 348 and opens and closes the cleaning liquid supply line 348.

상술한 세정액 공급부재(340)의 구조에 의하여, 세정액 분사노즐(341)은 회전하는 기판(W)으로 세정액을 공급한다. 실시예에 의하면, 세정액 분사노즐(341)은 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 사이 구간 또는 기판(W)의 일측 가장자리영역과 타측 가장자리영역 사이구간을 스윙이동하며 세정액을 공급할 수 있다.By the structure of the cleaning liquid supply member 340 described above, the cleaning liquid jet nozzle 341 supplies the cleaning liquid to the rotating substrate W. FIG. According to the embodiment, the cleaning liquid injection nozzle 341 may supply the cleaning liquid by swinging the section between the center region and the edge region of the substrate W or the section between one edge region and the other edge region of the substrate W.

제1유체 공급부재(350)는 기판(W)의 저면으로 제1유체를 공급한다. 제1유체 공급부재(350)는 제1유체 분사노즐(351), 제1유체 공급라인(352), 제1유체 저장부(353), 히터(354), 그리고 밸브(355)를 포함한다.The first fluid supply member 350 supplies the first fluid to the bottom surface of the substrate (W). The first fluid supply member 350 includes a first fluid injection nozzle 351, a first fluid supply line 352, a first fluid storage unit 353, a heater 354, and a valve 355.

제1유체 분사노즐(351)은 스핀 헤드(311)의 상면 중앙부에 제공된다. 제1유체 분사노즐(351)의 상면에는 제1유체를 분사하는 분사구가 형성된다. 제1유체는 회전되는 기판(W)의 저면 중심영역으로 공급되며, 기판(W)의 회전력에 의해 기판(W)의 가장자리영역으로 분산된다. 실시예에 의하면, 제1유체로는 순수가 사용될 수 있다.The first fluid injection nozzle 351 is provided at the center of the upper surface of the spin head 311. An injection hole for injecting the first fluid is formed on the upper surface of the first fluid injection nozzle 351. The first fluid is supplied to the bottom center region of the substrate W to be rotated, and is distributed to the edge region of the substrate W by the rotational force of the substrate W. According to an embodiment, pure water may be used as the first fluid.

제1유체 공급라인(352)은 제1유체 분사노즐(351)과 제1유체 저장부(353)를 연결한다. 제1유체 저장부(353)에 저장된 제1유체는 제1유체 공급라인(352)을 통해 제1유체 분사노즐(351)로 공급된다. 제1유체 공급라인(352)에는 히터(354)와 유량조절밸브(355)가 설치된다. 히터(354)는 제1유체 공급라인(352)을 통해 공급되는 제1유체를 상온보다 높은 온도로 가열한다. 실시예에 의하면, 히터(354)는 제1유체를 55℃이상 80℃이하의 온도로 가열한다. 유량조절밸브(355)는 히터(354)와 제1유체 저장부(353) 사이 구간에서 제1유체 공급라인(352)에 설치되며, 제1유체 공급라인(352)을 통해 공급되는 제1유체의 유량을 조절한다.The first fluid supply line 352 connects the first fluid injection nozzle 351 and the first fluid storage unit 353. The first fluid stored in the first fluid storage unit 353 is supplied to the first fluid injection nozzle 351 through the first fluid supply line 352. The first fluid supply line 352 is provided with a heater 354 and a flow control valve 355. The heater 354 heats the first fluid supplied through the first fluid supply line 352 to a temperature higher than room temperature. According to the embodiment, the heater 354 heats the first fluid to a temperature of 55 ° C. or higher and 80 ° C. or lower. The flow control valve 355 is installed in the first fluid supply line 352 in the section between the heater 354 and the first fluid storage unit 353, the first fluid supplied through the first fluid supply line 352 Adjust the flow rate.

건조가스 공급부재(370)는 기판(W)의 상면으로 건조가스를 공급한다. 건조가스 공급부재(37)는 건조가스 분사노즐(371), 건조가스 저장부(372), 건조가스 공급라인(373), 그리고 유량조절밸브(374)를 포함한다.The dry gas supply member 370 supplies the dry gas to the upper surface of the substrate W. The dry gas supply member 37 includes a dry gas injection nozzle 371, a dry gas storage unit 372, a dry gas supply line 373, and a flow control valve 374.

건조가스 분사노즐(371)의 저면에는 건조가스가 분사되는 분사구가 형성된다. 건조가스 분사노즐(371)은 분사노즐 이동부(미도시)에 의해 이동하며 건조가스를 분사할 수 있다. 분사노즐 이동부는 상술한 세정액 분사노즐 이동부(342)와 동일한 구조로 제공될 수 있다. 분사노즐 이동부에 의하여, 건조가스 분사노즐(371)은 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 또는, 기판(W)의 일측 가장자리영역과 타측 가장자리영역을 스윙이동하며, 건조가스를 공급할 수 있다. The bottom surface of the dry gas injection nozzle 371 is formed with an injection port through which dry gas is injected. The dry gas injection nozzle 371 may be moved by an injection nozzle moving unit (not shown) to inject dry gas. The injection nozzle moving unit may be provided in the same structure as the cleaning liquid injection nozzle moving unit 342 described above. By the injection nozzle moving unit, the dry gas injection nozzle 371 may swing the center region and the edge region of the substrate W or the one edge region and the other edge region of the substrate W, and supply dry gas. .

건조가스 공급라인(373)은 건조가스 분사노즐(371)과 건조가스 저장부(372)를 연결한다. 건조가스 저장부(372)에 저장된 건조가스는 건조가스 공급라인(372)을 통해 건조가스 분사노즐(371)로 공급된다. 건조가스 공급라인(373)에는 유량조절밸브(374)가 설치된다. 유량조절밸브(374)는 건조가스 공급라인(373)을 통해 공급되는 건조가스의 유량을 조절한다. 실시예에 의하면, 건조가스는 질소가스(N2)가 사용될 수 있다.The dry gas supply line 373 connects the dry gas injection nozzle 371 and the dry gas storage unit 372. The dry gas stored in the dry gas storage unit 372 is supplied to the dry gas injection nozzle 371 through the dry gas supply line 372. The dry gas supply line 373 is provided with a flow control valve 374. The flow control valve 374 adjusts the flow rate of the dry gas supplied through the dry gas supply line 373. According to an embodiment, nitrogen gas (N 2 ) may be used as the dry gas.

제2유체 공급부재(360)는 기판(W)의 상면으로 제2유체를 공급한다. The second fluid supply member 360 supplies the second fluid to the upper surface of the substrate W.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2유체 공급부재를 간략하게 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 3의 제2유체 분사노즐의 저면을 나타내는 도면이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a second fluid supply member according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view illustrating a bottom surface of the second fluid injection nozzle of FIG. 3.

도 2 내지 4를 참조하면, 제2유체 공급부재(360)는 제2유체 분사노즐(361), 분사노즐 이동부(364), 제2유체 공급부(365)를 포함한다.2 to 4, the second fluid supply member 360 includes a second fluid jet nozzle 361, a jet nozzle moving part 364, and a second fluid supply part 365.

제2유체 분사노즐(361)은 그 길이가 높이 및 폭보다 상대적으로 긴 직육면체 형상의 블럭으로 제공된다. 실시예에 의하면, 제2유체 분사노즐(361)의 길이는 기판(W)의 반경보다 크거나 같게 제공될 수 있다. 제 제2유체 분사노즐(361)의 내부에는 버퍼공간(362)이 형성된다. 버퍼공간(362)은 제2유체 분사노즐(361)의 길이방향을 따라 형성된다. 버퍼공간(362)은 제2유체 분사노즐(361)에 공급된 제2유체가 분사구(363)로 공급되기 전, 일시적으로 머무르는 공간으로 제공된다. The second fluid jet nozzle 361 is provided as a block having a rectangular parallelepiped whose length is relatively longer than the height and width. According to an embodiment, the length of the second fluid jet nozzle 361 may be provided to be equal to or greater than the radius of the substrate (W). A buffer space 362 is formed inside the second fluid jet nozzle 361. The buffer space 362 is formed along the longitudinal direction of the second fluid jet nozzle 361. The buffer space 362 is provided as a space where the second fluid supplied to the second fluid jet nozzle 361 temporarily stays before being supplied to the jet port 363.

제2유체 분사노즐(361)의 저면에는 분사구(363)가 형성된다. 분사구(363)는 버퍼공간(362)과 연결되며, 버퍼공간(362)으로부터 제2유체를 공급받아 기판(W)으로 공급한다. 실시예에 의하면, 분사구(363)는 복수개의 분사홀들로 제공된다. 분사홀(363)들은 제2유체 분사노즐(361)의 길이방향을 따라 서로 이격하여 형성된다. 분사홀(363)들은 그 크기가 다양하게 제공된다. 실시예에 의하면, 제2유체 공급노즐(361)의 일단(361b)과 인접한 영역에 형성된 분사홀(363a)의 크기(d1)는 제2유체 공급노즐(361)의 타단(361c)과 인접한 영역에 형성된 분사홀(363b)의 크기(d2)와 상이하게 제공될 수 있다. 이에 의해, 제2유체 공급노즐(361)의 일단(361b)과 인접한 영역에서 공급되는 제2유체의 유량과 제2유체 공급노즐(361)의 타단(361c)과 인접한 영역에서 공급되는 제2유체의 유량이 상이하다. 다른 실시예에 의하면, 분사홀(363)들은 제2유체 공급노즐(361)의 일단(361b)에서 타단(361c)으로 갈수록 그 크기가 점점 커지게 제공될 수 있다. 이에 의해, 제2유체 공급노즐(361)의 일단(361b)에서 타단(361c)으로 갈수록 공급되는 제2유체의 유량이 점점 증가한다. 실시예에 의하면, 분사홀(363)들은 인접한 분사홀과 일정한 간격(g1=g2)을 유지하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 분사홀(363)들은 그 크기가 상대적으로 크게 제공되는 분사홀(363b)들간의 간격(g2)이 작게 제공되는 분사홀(363a)들간의 간격(g1)보다 작게 형성될 수 있다. 이에 의해, 상대적으로 작은 크기의 분사홀(363a)들이 형성된 제2유체 분사노즐(361)의 영역보다 큰 크기의 분사홀(363b)들이 형성된 영역에서 더 많은 유량의 제2유체가 공급될 수 있다.An injection hole 363 is formed at the bottom of the second fluid injection nozzle 361. The injection hole 363 is connected to the buffer space 362, and receives the second fluid from the buffer space 362 and supplies it to the substrate (W). According to the embodiment, the injection hole 363 is provided with a plurality of injection holes. The injection holes 363 are spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second fluid injection nozzle 361. The injection holes 363 are provided in various sizes. According to the embodiment, the size d1 of the injection hole 363a formed in the area adjacent to one end 361b of the second fluid supply nozzle 361 is an area adjacent to the other end 361c of the second fluid supply nozzle 361. It may be provided differently from the size (d2) of the injection hole (363b) formed in. As a result, the flow rate of the second fluid supplied from the region adjacent to one end 361b of the second fluid supply nozzle 361 and the second fluid supplied from the region adjacent to the other end 361c of the second fluid supply nozzle 361. The flow rate of is different. According to another embodiment, the injection holes 363 may be provided to increase in size from one end 361b to the other end 361c of the second fluid supply nozzle 361. As a result, the flow rate of the second fluid supplied from one end 361b of the second fluid supply nozzle 361 to the other end 361c gradually increases. According to the embodiment, the injection holes 363 may be formed by maintaining a predetermined distance (g1 = g2) from the adjacent injection holes. Alternatively, the injection holes 363 may be formed to be smaller than the interval g1 between the injection holes 363a provided with a smaller gap g2 between the injection holes 363b. As a result, the second fluid having a higher flow rate may be supplied in the region in which the injection holes 363b having a larger size are formed than the region of the second fluid injection nozzle 361 in which the injection holes 363a having a relatively small size are formed. .

유체 공급구(361a)는 제2유체 공급라인(367)과 버퍼공간(362)을 연결한다. 제2유체 공급라인(367)을 통해 공급된 제2유체는 유체 공급구(361a)를 거쳐 버퍼공간(362)으로 공급된다. 유체 공급구(361a)는 보조 공급라인(367b, 367c)의 수에 대응하여 복수개 형성될 수 있다.The fluid supply port 361a connects the second fluid supply line 367 and the buffer space 362. The second fluid supplied through the second fluid supply line 367 is supplied to the buffer space 362 through the fluid supply port 361a. A plurality of fluid supply ports 361a may be formed corresponding to the number of auxiliary supply lines 367b and 367c.

분사노즐 이동부(364)는 하우징(320)의 외측과 스핀 헤드(311) 상부 사이 구간에서 제2유체 분사노즐(361)을 이동시킨다. 분사노즐 이동부(364)는 지지로드(364a), 지지축(364b), 그리고 구동기(364c)를 포함한다.The injection nozzle moving part 364 moves the second fluid injection nozzle 361 in the section between the outer side of the housing 320 and the upper spin head 311. The injection nozzle moving part 364 includes a support rod 364a, a support shaft 364b, and a driver 364c.

지지로드(364a)는 로드(rod) 형상으로 제공되며, 제2유체 분사노즐(361)을 지지한다. 지지로드(364a)는 수평방향으로 배치되며, 일단에 제2유체 분사노즐(361)이 결합된다. The support rod 364a is provided in a rod shape and supports the second fluid injection nozzle 361. The support rod 364a is disposed in the horizontal direction, and the second fluid injection nozzle 361 is coupled to one end.

지지축(364b)은 지지로드(364a)의 하부에서 상하방향으로 배치된다. 지지축(364b)은 상단이 지지로드(364a)의 타단과 결합하며, 지지로드(364a)를 지지한다. 지지축(364b)의 하단에는 구동기(364c)가 제공된다. 구동기(364c)는 지지축(364b)의 길이방향과 나란한 축을 중심으로 지지축(364b)을 회전시킨다. 또한, 구동기(364)는 제2유체 분사노즐(361)과 스핀 헤드(311)의 상대거리가 변경되도록 지지축(364b)을 상하방향으로 승강시킬 수 있다.The support shaft 364b is disposed in the vertical direction at the bottom of the support rod 364a. The support shaft 364b has an upper end coupled with the other end of the support rod 364a and supports the support rod 364a. At the lower end of the support shaft 364b, a driver 364c is provided. The driver 364c rotates the support shaft 364b about an axis parallel to the longitudinal direction of the support shaft 364b. In addition, the driver 364 may raise and lower the support shaft 364b in a vertical direction so that the relative distance between the second fluid injection nozzle 361 and the spin head 311 is changed.

제2유체 공급라인(365)은 제2유체 저장부(366)와 제2유체 분사노즐(361)을 연결한다. 제2유체 저장부(366)에 저장된 제2유체는 제2유체 공급라인(367)을 통해 유체 공급구(361a)로 공급된다. 실시예에 의하면, 제2유체 공급라인(367)은 복수개의 공급라인(367a 내지 367c)들을 포함할 수 있다. 주 공급라인(367a)은 일단이 제2유체 저장부(366)와 연결되고, 타단이 분기되어 복수개의 보조 공급라인(367b, 367c)들과 연결된다. 주 공급라인(367a)에는 히터(368)와 유량조절 밸브(369a)가 설치된다. 히터(368)는 제2유체를 상온보다 높은 온도로 가열한다. 실시예에 의하면, 히터(368)는 제2유체를 55℃ 이상 80℃ 이하의 온도로 가열한다. 유량조절밸브(369a)는 히터(368)와 제2유체 저장부(366) 사이 구간에 설치되며, 주 공급라인(367a)을 통해 공급되는 제2유체의 유량을 조절한다.The second fluid supply line 365 connects the second fluid storage part 366 and the second fluid injection nozzle 361. The second fluid stored in the second fluid storage 366 is supplied to the fluid supply port 361a through the second fluid supply line 367. According to an embodiment, the second fluid supply line 367 may include a plurality of supply lines 367a to 367c. One end of the main supply line 367a is connected to the second fluid storage unit 366, and the other end of the main supply line 367a is connected to the plurality of auxiliary supply lines 367b and 367c. The main supply line 367a is provided with a heater 368 and a flow control valve 369a. The heater 368 heats the second fluid to a temperature higher than room temperature. According to the embodiment, the heater 368 heats the second fluid to a temperature of 55 ° C. or higher and 80 ° C. or lower. The flow control valve 369a is installed in the section between the heater 368 and the second fluid storage 366, and controls the flow rate of the second fluid supplied through the main supply line 367a.

보조 공급라인(367b, 367c)들은 주 공급라인(367a)과 유체 공급구(361a)를 연결한다. 실시예에 의하면, 보조 공급라인(367a, 367b)은 두 개가 제공된다. 제1보조 공급라인(367b)은 일단이 주 공급라인(367a)의 분기된 타단 중 어느 하나와 연결되고, 타단이 제2유체 분사노즐(361)과 연결된다. 제2보조 공급라인(367c)은 일단이 주 공급라(367a)인의 분기된 타단 중 다른 하나와 연결되고, 타단이 제2유체 분사노즐(361)과 연결된다. 제1 및 제2보조 공급라인(367b, 367c)은 제2유체 분사노즐(361)의 길이방향을 따라 서로 이격된 위치에서 제2유체 분사노즐(361)과 연결된다. 각각의 보조 공급라인(367b, 36c)들에는 유량조절밸브(369b, 369c)가 설치된다. 유량조절밸브(369b, 369c)는 각각의 보조 공급라인(367b, 367c)들을 통해 공급되는 제2유체의 유량을 조절한다. 이에 의해, 제2유체 분사노즐(361)에 공급되는 제2유체의 유량이 버퍼공간(362)의 영역에 따라 상이할 수 있다.The auxiliary supply lines 367b and 367c connect the main supply line 367a and the fluid supply port 361a. According to an embodiment, two auxiliary supply lines 367a and 367b are provided. One end of the first auxiliary supply line 367b is connected to one of the other branches of the main supply line 367a, and the other end is connected to the second fluid injection nozzle 361. One end of the second auxiliary supply line 367c is connected to the other of the other branched ends of the main supply line 367a, and the other end thereof is connected to the second fluid injection nozzle 361. The first and second auxiliary supply lines 367b and 367c are connected to the second fluid injection nozzle 361 at positions spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second fluid injection nozzle 361. Each of the auxiliary supply lines 367b and 36c is provided with flow control valves 369b and 369c. Flow control valves 369b and 369c regulate the flow rate of the second fluid supplied through the respective auxiliary supply lines 367b and 367c. As a result, the flow rate of the second fluid supplied to the second fluid injection nozzle 361 may be different depending on the area of the buffer space 362.

실시예에 의하면, 제2유체로는 유기용제가 사용될 수 있다. 유기용제의 공급으로, 세정공정 이후 패턴과 패턴 사이에 잔류하는 DHF, 초순수, 그리고 물은 유기용제로 치환된다. 치환된 유기용제는 표면장력이 낮아 건조단계에서 건조가스에 의해 용이하게 건조될 수 있다. 유기용제로는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol 이하, IPA라고 함)이 사용될 수 있다.
According to an embodiment, an organic solvent may be used as the second fluid. By supplying the organic solvent, DHF, ultrapure water, and water remaining between the pattern and the pattern after the cleaning process are replaced with the organic solvent. The substituted organic solvent may have a low surface tension and may be easily dried by a drying gas in a drying step. As the organic solvent, isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA) may be used.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판 세정 장치를 이용하여 기판을 세정하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.A method of cleaning a substrate using the substrate cleaning apparatus according to the present invention having the configuration as described above is as follows.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 기판 세정 방법은 기판 로딩 단계(S10), 기판 세정 단계(S20), 기판 건조 단계(S30), 그리고, 기판 언로딩 단계(S40)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the substrate cleaning method includes a substrate loading step S10, a substrate cleaning step S20, a substrate drying step S30, and a substrate unloading step S40.

기판 로딩 단계(S10)는 기판을 스핀 헤드에 로딩하고, 기판 세정단계(S20)는 기판에 세정액을 공급하여 기판을 세정한다. 기판 건조 단계(S30)는 세정이 완료된 기판으로 건조유체를 공급하여 기판을 건조하고, 기판 언로딩 단계(S40)는 건조가 완료된 기판을 스핀 헤드로부터 언로딩한다.The substrate loading step S10 loads the substrate onto the spin head, and the substrate cleaning step S20 cleans the substrate by supplying a cleaning liquid to the substrate. The substrate drying step (S30) supplies a drying fluid to the cleaned substrate, and the substrate is dried, and the substrate unloading step (S40) unloads the dried substrate from the spin head.

도 6은 도 5의 기판 세정 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.6 is a view briefly illustrating a substrate cleaning step of FIG. 5.

도 6을 참조하면, 지지핀(312)이 기판(W)의 저면을 지지하고, 척킹핀(313)이 기판(W)의 측부를 지지한 상태에서 스핀 헤드(311)가 회전된다. 세정액 분사노즐(341)은 회전하는 기판(W)의 상면으로 세정액을 공급한다. 공급된 세정액은 기판(W)의 회전력에 의해 상면의 중심영역으로부터 가장자리영역으로 확산된다. 세정액은 기판(W)에 잔류하는 유기 오염물질, 자연 산화막 그리고 산화막 내에 포함되어 있는 금속 오염물질을 제거한다. 실시예에 의하면, 세정액 공급노즐(341)은 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 사이 구간 또는 기판(W)의 일측 가장자리영역과 타측 가장자리영역 사이를 이동하며 세정액을 공급할 수 있다.Referring to FIG. 6, the spin head 311 is rotated while the support pin 312 supports the bottom of the substrate W and the chucking pin 313 supports the side of the substrate W. Referring to FIG. The cleaning liquid jet nozzle 341 supplies the cleaning liquid to the upper surface of the rotating substrate W. As shown in FIG. The supplied cleaning liquid diffuses from the center region of the upper surface to the edge region by the rotational force of the substrate W. The cleaning liquid removes organic contaminants remaining on the substrate W, natural oxide films, and metal contaminants contained in the oxide films. According to the embodiment, the cleaning liquid supply nozzle 341 may supply the cleaning liquid while moving between the center region and the edge region of the substrate W or between one edge region and the other edge region of the substrate W.

다시 도 5를 참조하면, 기판 세정 단계(S20)가 완료되면, 기판 건조 단계(S30)가 수행된다. 기판 건조 단계(S30)는 상온보다 높은 온도로 가열된 가열유체를 공급하는 제1건조 단계(S31)와 기판으로 건조가스를 분사하는 제2건조 단계(S32)가 순차적으로 진행된다.Referring back to FIG. 5, when the substrate cleaning step S20 is completed, the substrate drying step S30 is performed. Substrate drying step (S30) is a first drying step (S31) for supplying a heating fluid heated to a temperature higher than room temperature and the second drying step (S32) for injecting a dry gas to the substrate proceeds sequentially.

도 7은 제1건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.7 is a view briefly showing the first drying step.

도 7을 참조하면, 제1건조 단계(S31)는 기판(W)의 저면으로 제1유체를 공급하고, 기판(W)의 상면으로 제2유체를 공급한다. 제1유체는 제1유체 공급라인(352)을 통해 제1유체 분사노즐(351)로 공급되는 동안 히터(354)에 의해 가열된다. 가열된 제1유체는 제1유체 분사노즐(351)을 통해 기판(W)의 저면 중앙부로 공급되고, 기판(W)의 회전력에 의해 가장자리영역으로 확산된다. 가열된 제1유체의 공급으로 기판(W)의 온도는 설정온도 이상으로 상승한다. Referring to FIG. 7, in the first drying step S31, the first fluid is supplied to the bottom surface of the substrate W, and the second fluid is supplied to the top surface of the substrate W. Referring to FIG. The first fluid is heated by the heater 354 while being supplied to the first fluid injection nozzle 351 through the first fluid supply line 352. The heated first fluid is supplied to the center portion of the bottom surface of the substrate W through the first fluid injection nozzle 351 and is diffused to the edge region by the rotational force of the substrate W. The temperature of the substrate W rises above the set temperature by the supply of the heated first fluid.

제2유체는 제2유체 공급라인(367)을 통해 제2유체 분사노즐(361)로 공급되는 동안 히터(368)에 의해 가열된다. 가열된 제2유체는 제2유체 분사노즐(361)을 통해 기판(W)의 상면으로 공급된다. 기판(W)으로 공급되는 제2유체의 유량은 기판(W)의 영역에 따라 상이하다. 실시예에 의하면, 제2유체 분사노즐(361)은 상대적으로 반경이 작은 분사홀이 형성된 영역(361b)이 기판(W)의 중심영역 상부에 위치되고, 상대적으로 반경이 큰 분사홀이 형성된 영역(361c)이 기판(W)의 가장자리영역 상부에 위치되어, 제2유체를 기판(W)으로 공급한다. 이에 의해, 제2유체는 기판(W)의 중심영역으로부터 가장자리영역으로 동시에 공급되며, 기판(W)의 중심영역보다 가장자리영역으로 더 많은 유량의 제2유체가 공급된다.The second fluid is heated by the heater 368 while being supplied to the second fluid injection nozzle 361 via the second fluid supply line 367. The heated second fluid is supplied to the upper surface of the substrate W through the second fluid injection nozzle 361. The flow rate of the second fluid supplied to the substrate W is different depending on the region of the substrate W. According to the embodiment, in the second fluid jet nozzle 361, a region 361b having a relatively small radius injection hole is located above the center area of the substrate W, and a region having a relatively large radius spray hole is formed. 361c is positioned above the edge region of the substrate W to supply the second fluid to the substrate W. As shown in FIG. As a result, the second fluid is simultaneously supplied from the center region of the substrate W to the edge region, and the second fluid having a higher flow rate is supplied to the edge region than the center region of the substrate W.

회전하는 기판(W)은 영역에 따라 선속도가 다르기 때문에, 기판(W)의 영역에 따라 열손실의 차이가 발생한다. 특히, 기판(W)의 가장자리영역은 중심영역에 비하여 큰 선속도를 가지기 때문에, 기판(W)의 중심영역에 비하여 열손실이 크게 발생한다. 이러한 열손실의 차이는 기판(W)의 전체면이 균일하게 가열되는 것을 방해하는 요인이 된다.Since the rotating speed of the substrate W varies depending on the area, a difference in heat loss occurs depending on the area of the substrate W. FIG. In particular, since the edge region of the substrate W has a larger linear velocity than that of the center region, heat loss is greater than that of the center region of the substrate W. FIG. This difference in heat loss becomes a factor that prevents the entire surface of the substrate W from being heated uniformly.

그러나, 본 발명은 기판(W)의 영역에 따라 공급되는 제2유체의 유량을 달리 조절하므로, 선속도 차이에 다른 기판(W)의 불균일한 가열을 방지할 수 있다. 구체적으로, 기판W()의 중심영역에 비하여 상대적으로 선속도가 큰 가장자리영역으로 더 많은 양의 가열된 제2유체를 공급하여, 선속도 차이로 인한 열손실을 보상할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 전체면이 균일하게 가열될 수 있다.  However, according to the present invention, since the flow rate of the second fluid supplied according to the region of the substrate W is adjusted differently, non-uniform heating of the substrate W different from the linear velocity difference can be prevented. Specifically, by supplying a larger amount of the heated second fluid to the edge region having a higher linear velocity than the central region of the substrate W (), it is possible to compensate for heat loss due to the linear velocity difference. Thereby, the whole surface of the board | substrate W can be heated uniformly.

기판(W)의 상면으로 공급된 제2유체는 기판(W)을 가열함과 동시에, 기판(W)의 상면에 잔류하는 세정액의 부착력을 약화시키고, 상면에 부착된 세정액과 치환되어 상면에 잔류한다. 상면에 잔류하는 제2유체는 가열에 의해 상온보다 높은 온도를 유지되므로, 증발이 용이하게 일어난다. 이는 제2유체의 증발시 응축 냉각에 의한 기판(W)의 온도 저하를 최소화한다. The second fluid supplied to the upper surface of the substrate W heats the substrate W, weakens the adhesive force of the cleaning liquid remaining on the upper surface of the substrate W, and is substituted with the cleaning liquid attached to the upper surface to remain on the upper surface. do. Since the second fluid remaining on the upper surface is maintained at a temperature higher than the normal temperature by heating, evaporation occurs easily. This minimizes the temperature drop of the substrate W due to condensation cooling upon evaporation of the second fluid.

도 8은 제2건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.8 is a view briefly showing a second drying step.

도 8을 참조하면, 제1건조 단계 후, 기판(W)으로 제1유체 및 제2유체의 공급이 중단되고, 기판(W)의 상면으로 건조가스가 공급된다. 건조가스는 건조가스 공급라인(373)을 통해 건조가스 공급노즐(371)로 공급되어 기판(W)의 상면으로 분사된다. 분사된 건조가스는 기판(W)의 회전에 의하여 기판(W)의 중심영역으로부터 가장자리영역으로 확산된다. 건조가스는 기판(W)의 패턴들 사이에 잔류하는 제2유체를 휘발시켜 기판(W)으로부터 제2유체를 제거한다. Referring to FIG. 8, after the first drying step, the supply of the first fluid and the second fluid to the substrate W is stopped, and the dry gas is supplied to the upper surface of the substrate W. FIG. The dry gas is supplied to the dry gas supply nozzle 371 through the dry gas supply line 373 and sprayed onto the upper surface of the substrate W. The injected dry gas is diffused from the center region of the substrate W to the edge region by the rotation of the substrate W. FIG. The dry gas volatilizes the second fluid remaining between the patterns of the substrate (W) to remove the second fluid from the substrate (W).

상기 기판(W)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(wafer)를 예를 들어 설명하였으나, 기판은 평판표시(Flat panel display) 패널에 사용되는 유리 기판과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.
Although the substrate W has been described using a wafer used for manufacturing a semiconductor chip as an example, the substrate may be another type of substrate, such as a glass substrate used for a flat panel display panel.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2유체 공급부재를 간략하게 나타내는 단면도이고, 도 10은 도 9의 제2유체 분사노즐의 저면을 나타내는 도면이다.9 is a cross-sectional view schematically illustrating a second fluid supply member according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view illustrating a bottom surface of the second fluid injection nozzle of FIG. 9.

도 9 및 도 10을 참조하면, 분사홀(363)들은 제2유체 분사노즐(361)의 길이방향을 따라 서로 이격하여 형성된다. 분사홀(363)들은 그 크기가 일정하게 제공된다. 실시예에 의하면, 제2유체 분사노즐(361)의 일단(361b)과 인접한 영역에 형성된 분사홀(363b)간의 간격(g1)이 제2유체 분사노즐(361)의 타단(361c)과 인접한 영역에 형성된 분사홀(363c)간의 간격(g2)보다 넓게 제공될 수 있다(g1>g2). 인접한 분사홀(363)들의 간격이 제2유체 공급노즐(361)의 일단에서 타단으로 갈수록 점차 좁아지게 형성될 수 있다. 9 and 10, the injection holes 363 are spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second fluid injection nozzle 361. The injection holes 363 are provided with a constant size. According to the embodiment, the area g1 between the injection holes 363b formed in the area adjacent to one end 361b of the second fluid injection nozzle 361 is adjacent to the other end 361c of the second fluid injection nozzle 361. It may be provided wider than the interval g2 between the injection holes 363c formed in (g1> g2). An interval between adjacent injection holes 363 may be gradually narrowed from one end of the second fluid supply nozzle 361 to the other end.

도 11은 도 9의 제2유체 분사노즐을 통해 제2유체가 공급되는 과정을 나타내는 도면이다.FIG. 11 is a view illustrating a process of supplying a second fluid through the second fluid injection nozzle of FIG. 9.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 제2유체 분사노즐(361)의 일단(361b)으로부터 타단(361c)으로 갈수록 기판(W)으로 공급되는 제2유체줄기들간의 간격이 점차 좁아진다. 이에 의하여, 기판(W)의 중심영역에 비하여 가장자리영역으로 많은 양의 제2유체가 공급될 수 있다.
9 to 11, the interval between the second fluid stems supplied to the substrate W gradually decreases from one end 361b to the other end 361c of the second fluid injection nozzle 361. As a result, a larger amount of the second fluid may be supplied to the edge region than the center region of the substrate W.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제2유체 공급부재를 간략하게 나타내는 단면도이고, 도 13은 도 12의 제2유체 분사노즐의 저면을 나타내는 도면이다.12 is a cross-sectional view schematically illustrating a second fluid supply member according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a view illustrating a bottom surface of the second fluid injection nozzle of FIG. 12.

도 12 및 도 13을 참조하면, 분사구(363)는 제2유체 분사노즐(361)의 길이방향과 나란한 슬릿홀로 제공된다. 실시예에 의하면, 슬릿홀(363)은 그 길이방향에 수직한 방향의 폭(w1, w2)이 영역에 따라 상이하게 형성된다. 제2유체 공급노즐(361)의 일측(361b)과 인접한 슬릿홀 영역(363b)의 폭(w1)은 제2유체 공급노즐(361)의 타측(361c)과 인접한 슬릿홀 영역(363c)의 폭(w2)보다 좁게 형성된다. 슬릿홀(363)은 그 폭이 제2유체 공급노즐(361)의 일단(361b)에서 타단(361c)으로 갈수록 점차 넓어지게 형성될 수 있다.12 and 13, the injection hole 363 is provided as a slit hole parallel to the longitudinal direction of the second fluid injection nozzle 361. According to the embodiment, the slit holes 363 are formed with different widths w1 and w2 in the direction perpendicular to the longitudinal direction depending on the area. The width w1 of the slit hole region 363b adjacent to one side 361b of the second fluid supply nozzle 361 is the width of the slit hole region 363c adjacent to the other side 361c of the second fluid supply nozzle 361. It is formed narrower than (w2). The slit hole 363 may be formed such that its width gradually widens from one end 361b of the second fluid supply nozzle 361 to the other end 361c.

도 14는 도 12의 제2유체 분사노즐을 통해 제2유체가 공급되는 과정을 나타내는 도면이다.14 is a view illustrating a process of supplying a second fluid through the second fluid injection nozzle of FIG. 12.

도 14를 참조하면, 제2유체 분사노즐(361)의 일단(361b)에서부터 타단(361c)으로 제2유체가 연속적으로 공급된다. 그리고, 제2유체 분사노즐(361)의 일단(361b)에서부터 타단(361c)으로 갈수록 공급되는 제2유체의 유량이 점점 증가한다. 이에 의해, 기판(W)의 중심영역에 비하여 가장자리영역으로 많은 양의 제2유체가 공급될 수 있다.
Referring to FIG. 14, a second fluid is continuously supplied from one end 361b of the second fluid injection nozzle 361 to the other end 361c. Then, the flow rate of the second fluid supplied gradually increases from one end 361b to the other end 361c of the second fluid injection nozzle 361. As a result, a larger amount of the second fluid can be supplied to the edge region than the center region of the substrate W.

도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2유체 공급부재를 나타내는 도면이고, 도 16은 도 15의 제2유체 분사노즐의 저면을 나타내는 도면이다.15 is a view showing a second fluid supply member according to another embodiment of the present invention, Figure 16 is a view showing the bottom surface of the second fluid injection nozzle of FIG.

도 15 및 도 16을 참조하면, 버퍼공간(362a, 363b)에는 차단판(364)이 제공된다. 차단판(364)은 제2유체 분사노즐(361)의 길이방향을 따라 버퍼공간(362a, 363b)을 복수개의 공간으로 구획한다. 실시예에 의하면, 버퍼공간(362a, 363b)에는 한 개의 차단판(364)이 제공되며, 버퍼공간(362a, 363b)은 제1공간(362a) 및 제2공간(363b)으로 구획된다. 제1공간(362a)에는 제1공급라인(367b)으로부터 제2유체가 공급되고, 제2공간(362b)에는 제2공급라인(367c)으로부터 제2유체가 공급된다. 제1공급라인(367b)에는 제1유량조절밸브(369b)가 설치되고, 제2공급라인(367c)에는 제2유량조절밸브(369c)가 설치된다. 제1 및 제2 유량조절밸브(369b, 369c)는 각각 제1 및 제2 공급라인(367b, 367c)을 통해 공급되는 제2유체의 유량을 조절한다. 제1 및 제2 유량조절밸브(369b, 369c)는 밸브 제어부(369d)에 의하여 조절된다. 밸브 제어부(369d)는 제1 및 제2공급라인(367b, 367c)을 통해 공급되는 제2유체의 유량이 서로 상이하도록 제1 및 제2 유량조절밸브(369b, 369c)를 제어한다. 실시예에 의하면, 밸브 제어부(369d)는 제2공급라인(367c)을 통해 공급되는 제2유체의 유량이 제1공급라인(367b)을 통해 공급되는 제2유체의 유량보다 많도록 제1 및 제2 유량조절밸브(369b, 369c)를 제어한다. 이에 의하여, 제1공간(362a)보다 제2공간(362b)으로 더 많은 양의 유체가 공급되며, 제1공간(362a)과 연결되는 분사홀(363b)을 통해 공급되는 제2유체의 유량보다 제2공간(362b)과 연결되는 분사홀(363c)을 통해 공급되는 제2유체의 유량이 더 많다. 이에 의해, 도 17과 같이, 기판(W)의 중심영역에 비하여 가장자리영역으로 많은 양의 제2유체가 공급될 수 있다.15 and 16, a blocking plate 364 is provided in the buffer spaces 362a and 363b. The blocking plate 364 divides the buffer spaces 362a and 363b into a plurality of spaces along the length direction of the second fluid jet nozzle 361. According to the embodiment, one blocking plate 364 is provided in the buffer spaces 362a and 363b, and the buffer spaces 362a and 363b are divided into a first space 362a and a second space 363b. The second fluid is supplied from the first supply line 367b to the first space 362a, and the second fluid is supplied from the second supply line 367c to the second space 362b. A first flow rate control valve 369b is installed in the first supply line 367b and a second flow rate control valve 369c is installed in the second supply line 367c. The first and second flow control valves 369b and 369c adjust the flow rates of the second fluid supplied through the first and second supply lines 367b and 367c, respectively. The first and second flow control valves 369b and 369c are controlled by the valve control unit 369d. The valve control unit 369d controls the first and second flow control valves 369b and 369c such that the flow rates of the second fluid supplied through the first and second supply lines 367b and 367c are different from each other. According to the embodiment, the valve control unit 369d is configured such that the flow rate of the second fluid supplied through the second supply line 367c is greater than the flow rate of the second fluid supplied through the first supply line 367b. The second flow control valves 369b and 369c are controlled. As a result, a larger amount of fluid is supplied to the second space 362b than the first space 362a, and is larger than the flow rate of the second fluid supplied through the injection hole 363b connected to the first space 362a. The flow rate of the second fluid supplied through the injection hole 363c connected to the second space 362b is greater. As a result, as shown in FIG. 17, a larger amount of the second fluid may be supplied to the edge region than the center region of the substrate W. As shown in FIG.

이와 달리, 차단판이 복수개 제공되어 버퍼공간이 적어도 세 개 이상의 공간으로 구획될 수 있으며, 적어도 세 개 이상의 공급라인들로부터 서로 다른 공간들로 제2유체가 공급될 수 있다. 이 경우, 밸브 제어부는 제2유체 공급노즐의 일단에서 타단으로 갈수록 각각의 공간으로 공급되는 제2유체의 유량이 증가하도록 유량조절밸브들을 제어할 수 있다. Alternatively, a plurality of blocking plates may be provided to partition the buffer space into at least three spaces, and the second fluid may be supplied to different spaces from the at least three supply lines. In this case, the valve control unit may control the flow control valves so that the flow rate of the second fluid supplied to each space increases from one end of the second fluid supply nozzle to the other end.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. Furthermore, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiments of the invention, and the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

310: 기판 지지 부재 320: 하우징
340: 세정액 공급부재 350: 제1유체 공급부재
360: 제2유체 공급부재 361: 제2유체 공급노즐
363: 분사구 370: 건조가스 공급부재310: substrate support member 320: housing
340: cleaning liquid supply member 350: first fluid supply member
360: second fluid supply member 361: second fluid supply nozzle
363: injection hole 370: dry gas supply member

Claims (2)

기판을 지지하며, 회전가능한 기판 지지 부재;
상기 기판의 상면으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부재;
상기 기판의 저면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급하는 제1유체 공급부재;
상기 기판의 상면으로 제2유체를 공급하는 제2유체 공급부재를 포함하되,
상기 제2유체 공급부재는
상기 제2유체를 분사하는 분사구가 형성된 제2유체 공급노즐;
상기 제2유체 공급노즐과 연결되며, 상기 제2유체를 공급하는 제2유체 공급라인;
상기 제2유체 공급라인에 설치되며, 상기 제2유체를 상온보다 높은 온도로 가열하는 가열기를 포함하며,
상기 분사구에서 분사되는 상기 제2유체의 유량이 상기 제2유체 공급노즐의 길이방향을 따라 상이한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.A substrate supporting member rotatably supporting a substrate;
A cleaning liquid supply member supplying a cleaning liquid to an upper surface of the substrate;
A first fluid supply member supplying a first fluid heated to a temperature higher than room temperature to a bottom surface of the substrate;
A second fluid supply member for supplying a second fluid to the upper surface of the substrate,
The second fluid supply member is
A second fluid supply nozzle having an injection hole for injecting the second fluid;
A second fluid supply line connected to the second fluid supply nozzle and supplying the second fluid;
Installed in the second fluid supply line, includes a heater for heating the second fluid to a temperature higher than room temperature,
And a flow rate of the second fluid injected from the injection hole is different along a length direction of the second fluid supply nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 분사구는
상기 제2유체 공급노즐의 길이방향을 따라 서로 이격하여 형성된 복수개의 분사홀들로 제공되되,
상기 제2유체 공급노즐의 일단과 인접한 영역에 형성된 상기 분사홀들간의 간격은 상기 제2유체 공급노즐의 타단과 인접한 영역에 형성된 상기 분사홀들간의 간격과 상이한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The method of claim 1,
The injection hole
Is provided as a plurality of injection holes spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second fluid supply nozzle,
Wherein the spacing between the injection holes formed in the area adjacent to one end of the second fluid supply nozzle is different from the spacing between the injection holes formed in the area adjacent to the other end of the second fluid supply nozzle.
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