KR20120015210A

KR20120015210A - Substrate Cleaning Apparatus and Method

Info

Publication number: KR20120015210A
Application number: KR1020100077533A
Authority: KR
Inventors: 정영주; 권주경
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2010-08-11
Filing date: 2010-08-11
Publication date: 2012-02-21

Abstract

본 발명은 기판 세정 장치 및 방법을 제공한다. 기판 세정 장치는 기판 지지 부재가 기판을 지지 및 회전가능하게 제공되며, 세정액 공급 부재는 기판으로 세정액을 공급한다. 그리고, 유기용제 공급 부재는 기판으로 유기 용제를 공급하며, 제1유체 공급부재는 기판으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급한다. 기판 가열 부재는 열을 공급하여 기판의 가장자리영역을 가열한다.The present invention provides a substrate cleaning apparatus and method. In the substrate cleaning apparatus, a substrate support member is provided to support and rotate the substrate, and the cleaning liquid supply member supplies the cleaning liquid to the substrate. The organic solvent supply member supplies the organic solvent to the substrate, and the first fluid supply member supplies the first fluid heated to a temperature higher than room temperature to the substrate. The substrate heating member supplies heat to heat the edge region of the substrate.

Description

Substrate cleaning apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE}

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 웨이퍼 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 유리 기판 등과 같은 기판에 대해 세정 또는 건조 등과 같은 공정을 수행하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of performing a process such as cleaning or drying on a substrate such as a wafer used in the manufacture of semiconductor devices or a glass substrate used in the manufacture of a flat panel display.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 화학기상증착 공정 (chemical vapor deposition process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다.In general, the photoresist coating process, the developing process, the etching process, the chemical vapor deposition process (chemical vapor deposition) are used to process glass substrates or wafers in flat panel display device manufacturing or semiconductor manufacturing processes. Various processes such as deposition process and ashing process are performed.

또한, 각각의 공정을 수행하는 과정에서 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다. In addition, in order to remove various contaminants adhering to the substrate during each process, a wet cleaning process using chemical or deionized water and a chemical or pure water remaining on the surface of the substrate may be used. A drying process is carried out for drying.

일반적으로 건조 공정은 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol)가 같은 유기용제를 이용하여 기판을 건조시키는 장치가 사용되고 있다. 유기용제를 이용하여 기판을 건조하는 경우, 유기용제의 증발로 인한 응축 냉각으로 기판 표면 온도가 급격히 저하되기 때문에, 기판을 소정 온도로 유지하기 위한 공정이 요구된다. 그러나, 기판은 회전시, 가장자리영역의 선속도가 중심영역의 선속도보다 크게 형성되므로, 기판의 가장자리영역에서 중심영역보다 회전에 의한 열손실이 많이 발생한다. 이는 기판의 중심영역과 가장자리영역의 온도차를 발생시켜 기판의 건조불량의 요인이 된다. In general, in the drying process, an apparatus for drying a substrate using an organic solvent having the same isopropyl alcohol is used. When the substrate is dried using the organic solvent, the surface temperature of the substrate is drastically lowered due to the condensation cooling caused by the evaporation of the organic solvent, so that a process for maintaining the substrate at a predetermined temperature is required. However, since the linear velocity of the edge region is greater than the linear velocity of the center region during rotation of the substrate, more heat loss occurs due to rotation than the central region in the edge region of the substrate. This causes a temperature difference between the center region and the edge region of the substrate, which causes the drying failure of the substrate.

본 발명은 기판의 건조 효율을 향상시킬 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate cleaning apparatus and method capable of improving the drying efficiency of a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 전체면을 균일하게 건조할 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate cleaning apparatus and method capable of uniformly drying the entire surface of the substrate.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 세정 장치를 제공한다. 기판 세정 장치는 기판을 지지하며, 회전가능한 기판 지지 부재; 상기 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재; 상기 기판으로 유기 용제를 공급하는 유기용제 공급 부재; 상기 기판으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급하는 제1유체 공급 부재; 및 상기 기판의 가장자리영역을 가열하는 기판 가열 부재를 더 포함한다.The present invention provides a substrate cleaning apparatus. The substrate cleaning apparatus supports a substrate, and includes a rotatable substrate support member; A cleaning liquid supply member supplying a cleaning liquid to the substrate; An organic solvent supply member supplying an organic solvent to the substrate; A first fluid supply member supplying the first fluid heated to a temperature higher than room temperature to the substrate; And a substrate heating member for heating the edge region of the substrate.

상기 기판 가열 부재는 열이 발생되는 가열 플레이트; 상기 가열 플레이트를 지지하는 지지아암; 및 상기 지지아암을 승강시키는 지지아암 구동기를 포함한다.The substrate heating member includes a heating plate for generating heat; A support arm for supporting the heating plate; And a support arm driver for elevating the support arm.

상기 가열 플레이트는 링 형상으로 제공되며, 그 외주면이 상기 기판의 외주면에 상응하거나 그보다 큰 반경을 가지고, 내주면이 상기 기판의 외주면보다 작은 반경을 가진다.The heating plate is provided in a ring shape, the outer circumferential surface thereof has a radius corresponding to or greater than the outer circumferential surface of the substrate, and the inner circumferential surface has a radius smaller than the outer circumferential surface of the substrate.

상기 가열 플레이트는 동심을 가지는 링 형상의 제1플레이트와 제2플레이트를 포함하되, 상기 제2플레이트는 상기 제1플레이트보다 큰 반경을 가지고, 상기 제1플레이트의 외측에 위치되며, 그 발열량이 상기 제1플레이트의 발열량보다 크다.The heating plate includes a concentric ring-shaped first plate and a second plate, wherein the second plate has a radius larger than that of the first plate, and is located outside the first plate, and the amount of heat generated is It is larger than the calorific value of the first plate.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은 기판을 로딩시키는 로딩단계; 상기 기판에 세정액을 공급하여 상기 기판을 세정하는 세정단계; 및 세정이 완료된 상기 기판을 건조하는 건조단계를 포함하되, 상기 건조단계는 상기 기판의 저면에 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급하고, 상기 기판의 상면에 유기용제를 공급하며, 동시에 상기 기판의 가장자리영역에 열을 공급한다.The present invention also provides a substrate processing method. The substrate processing method includes a loading step of loading a substrate; A cleaning step of cleaning the substrate by supplying a cleaning liquid to the substrate; And a drying step of drying the substrate having been cleaned, wherein the drying step supplies a first fluid heated at a temperature higher than room temperature to the bottom of the substrate, and supplies an organic solvent to the top of the substrate, Heat is supplied to the edge region of the substrate.

상기 열 공급은 상기 기판의 원주 방향을 따라 상기 기판의 가장자리영역에 동시에 공급된다. The heat supply is simultaneously supplied to an edge region of the substrate along the circumferential direction of the substrate.

상기 열 공급은 상기 기판의 반경방향을 따라 공급되는 열량이 상이하다. 상기 기판의 가장자리영역은 상기 기판의 외주면에 인접한 제1영역과 상기 제1영역의 내측에 위치되는 제2영역을 가지며, 상기 제1영역에 공급되는 상기 열량은 상기 제2영역에 공급되는 상기 열량보다 많다.The heat supply is different in the amount of heat supplied along the radial direction of the substrate. An edge region of the substrate has a first region adjacent to an outer circumferential surface of the substrate and a second region located inside the first region, wherein the amount of heat supplied to the first region is the amount of heat supplied to the second region. More.

상기 유기용제 공급노즐은 상기 기판의 중심영역과 가장자리영역을 스캔 이동하며 상기 유기용제를 공급하며, 상기 열은 상기 유기용제 공급노즐의 이동경로 상부에서 공급된다.The organic solvent supply nozzle scans the center region and the edge region of the substrate and supplies the organic solvent, and the heat is supplied above the movement path of the organic solvent supply nozzle.

상기 유기용제 공급노즐은 고정 위치되어 상기 기판의 중심영역으로 상기 유기용제를 공급하고, 상기 열은 상기 유기용제 공급노즐의 하단에 상응하는 높이에서 공급된다.The organic solvent supply nozzle is fixedly positioned to supply the organic solvent to the center region of the substrate, and the heat is supplied at a height corresponding to the lower end of the organic solvent supply nozzle.

본 발명에 의하면, 건조공정이 진행되는 동안 기판의 온도는 설정온도 이상으로 유지되므로 기판의 건조 효율이 향상된다.According to the present invention, the drying efficiency of the substrate is improved because the temperature of the substrate is maintained above the set temperature during the drying process.

또한, 본 발명에 의하면, 기판의 전체면이 균일하게 설정온도 이상으로 유지되므로, 기판의 전체면이 균일하게 건조된다.Moreover, according to this invention, since the whole surface of a board | substrate is uniformly maintained above set temperature, the whole surface of a board | substrate is dried uniformly.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 가열 부재의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 5는 도 4의 기판 세정 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 6은 제1건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 8은 제2건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9의 가열 플레이트를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing the substrate processing equipment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate processing apparatus.
3 is a plan view illustrating a part of the substrate heating member of FIG. 2.
4 is a flowchart illustrating a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention.
5 is a view briefly illustrating a substrate cleaning step of FIG. 4.
6 is a view briefly showing a first drying step.
7 is a view briefly showing a first drying step according to another embodiment of the present invention.
8 is a view briefly showing a second drying step.
9 is a view briefly showing a substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
10 is a plan view illustrating the heating plate of FIG. 9.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and the like of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing the substrate processing equipment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하며, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 of the present invention has an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. . The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, and when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is observed. The direction is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint conditions of the process processing module 20. The carrier 18 is formed with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W in a state in which the substrates W are disposed horizontally with respect to the ground. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 이송 챔버(240), 버퍼 유닛(220), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 간에 대칭이 되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a transfer chamber 240, a buffer unit 220, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed at both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 240. One side of the transfer chamber 240 is provided with a plurality of process chambers 260. Some of the process chambers 260 are disposed along the length of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B on one side of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the second direction 14. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 공정 챔버(260)와 캐리어(18) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the process chamber 260 and the carrier 18 before the substrate W is transported. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed therein, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 이는 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(144c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 18 seated in the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided with its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b, which is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when conveying the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and some of the index arms 144c are transferred from the carrier 18 to the process processing module 20. ) Can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment while the index robot 144 loads and unloads the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 이는 가이드 레일(242) 상에서 제 1 방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 암(244c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 carries the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242, which is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. Body 244b is coupled to base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 세정 장치(300)가 제공된다. 기판 세정 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 세정 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 세정 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 세정 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 공정 챔버(260)와 제 2 그룹의 공정 챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate cleaning apparatus 300 that performs a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate cleaning apparatus 300 may have a different structure according to the type of cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate cleaning apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups so that the substrate cleaning apparatuses 300 in the process chamber 260 belonging to the same group are the same as each other and the substrate cleaning apparatuses in the process chamber 260 belonging to different groups. The structures of 300 may be provided differently from each other. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, one side of the transfer chamber 240 is provided with a first group of process chambers 260, and the other side of the transfer chamber 240 has a second group of processes. Chambers 260 may be provided. Optionally, the first group of process chambers 260 may be provided in the lower layer on both sides of the transfer chamber 240, and the second group of process chambers 260 may be provided in the upper layer. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to types of chemicals used or types of cleaning methods. Alternatively, the first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be provided to sequentially perform the process on one substrate (W).

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 세정 장치(300)의 일 예를 설명한다. Below, an example of the substrate cleaning apparatus 300 which wash | cleans the board | substrate W using a process liquid is demonstrated.

도 2는 기판 세정 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate cleaning apparatus.

도 2를 참조하면, 기판 세정 장치(300)는 기판 지지부재(310), 하우징(320), 세정액 공급부재(340), 제1유체 공급부재(350), 유기용제 공급부재(360), 건조가스 공급부재(370), 그리고 기판 가열부재(380)를 포함한다. 기판 지지부재(310)는 기판(W)을 지지 및 회전시키고, 하우징(320)은 기판(W)으로부터 비산되는 처리액을 모은다. 세정액 공급부재(340)는 기판(W)의 상면으로 세정액을 공급하여 기판(W)을 세정하고, 제1유체 공급부재(350)는 기판(W)의 저면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 제1유체를 공급하고, 유기용제 공급부재(360)는 기판의 상면으로 유기용제를 공급한다. 건조가스 공급부재(370)는 기판(W)의 상면으로 건조가스를 공급하고, 기판 가열부재(380)은 기판의 가장자리영역을 가열한다. 이하 각 구성에 대해 상세하게 설명하도록 한다.2, the substrate cleaning apparatus 300 includes a substrate support member 310, a housing 320, a cleaning liquid supply member 340, a first fluid supply member 350, an organic solvent supply member 360, and drying. And a gas supply member 370 and a substrate heating member 380. The substrate supporting member 310 supports and rotates the substrate W, and the housing 320 collects the processing liquid scattered from the substrate W. The cleaning liquid supply member 340 supplies the cleaning liquid to the upper surface of the substrate W to clean the substrate W, and the first fluid supply member 350 is heated to a lower surface of the substrate W at a temperature higher than room temperature. One fluid is supplied, and the organic solvent supply member 360 supplies the organic solvent to the upper surface of the substrate. The dry gas supply member 370 supplies the dry gas to the upper surface of the substrate W, and the substrate heating member 380 heats the edge region of the substrate. Hereinafter, each configuration will be described in detail.

기판 지지부재(310)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지부재(310)는 스핀헤드(311), 지지 핀(312), 척 핀(313), 그리고 지지축(314)을 가진다. 스핀헤드(311)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀헤드(311)의 저면에는 모터(315)에 의해 회전가능한 지지축(314)이 고정결합된다.The substrate support member 310 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The substrate support member 310 has a spin head 311, a support pin 312, a chuck pin 313, and a support shaft 314. Spinhead 311 has a top surface that is generally provided in a circular shape when viewed from the top. A support shaft 314 rotatable by the motor 315 is fixed to the bottom of the spin head 311.

지지 핀(312)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(312)은 스핀헤드(311)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀헤드(311)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(312)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(312)은 스핀헤드(311)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 저면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 312 are provided. The support pins 312 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the spin head 311 and protrude upward from the spin head 311. The support pins 312 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 312 supports the bottom edge of the substrate W such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the spin head 311 by a predetermined distance.

척 핀(313)은 복수 개 제공된다. 척 핀(313)은 스핀헤드(311)의 중심에서 지지 핀(312)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(313)은 스핀헤드(311)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(313)은 스핀 헤드(311)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(313)은 스핀 헤드(311)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 스핀헤드(311)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(311)에 로딩 또는 언로딩시 척 핀(313)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(313)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(313)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of chuck pins 313 are provided. The chuck pin 313 is disposed farther from the support pin 312 at the center of the spin head 311. The chuck pin 313 is provided to protrude upward from the spin head 311. The chuck pin 313 supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from the home position when the spin head 311 is rotated. The chuck pin 313 is provided to enable linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the spin head 311. The standby position is a position far from the center of the spin head 311 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded to the spin head 311, the chuck pins 313 are positioned at the standby position, and when the process is performed on the substrate W, the chuck pins 313 are positioned at the support position. In the support position the chuck pin 313 is in contact with the side of the substrate (W).

하우징(320)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부 회수통(321), 중간 회수통(322), 그리고 외부 회수통(323)을 가진다. 각각의 회수통(321,322,323)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(321)은 스핀 헤드(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(322)은 내부 회수통(321)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(323)은 중간 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(321)의 내측 공간(321a), 내부 회수통(321)과 중간 회수통(322)의 사이 공간(322a) 그리고 중간 회수통(322)과 외부 회수통(323)의 사이 공간(323a)은 각각 내부 회수통(321), 중간 회수통(322), 그리고 외부 회수통(323)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(321,322,323)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(324, 325,326)이 연결된다. 각각의 회수라인(324,325,326)은 각각의 회수통(321,322,323)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The housing 320 has a space in which a substrate treatment process is performed, and an upper portion thereof is opened. The housing 320 has an inner recovery container 321, an intermediate recovery container 322, and an external recovery container 323. Each recovery container 321, 322, 323 recovers different treatment liquids from the treatment liquids used in the process. The inner recovery container 321 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 311, and the intermediate recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 321, and the outer recovery container 323 is provided. ) Is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate recovery container 322. The inner space 321a of the inner recovery container 321, the space 322a between the internal recovery container 321 and the intermediate recovery container 322, and the space between the intermediate recovery container 322 and the external recovery container 323 ( 323a functions as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery container 321, the intermediate recovery container 322, and the external recovery container 323, respectively. Each recovery container 321, 322, 323 is connected to a recovery line 324, 325, 326 extending vertically below the bottom surface thereof. Each recovery line 324, 325, 326 discharges the treatment liquid introduced through each recovery container 321, 322, 323. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).

승강 유닛(330)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(311)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(330)은 브라켓(331), 이동 축(332), 그리고 구동기(333)를 가진다. 브라켓(331)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(331)에는 구동기(333)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(332)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(311)에 로딩되거나, 스핀 헤드(311)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(311)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(321, 322, 323)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강 유닛(330)은 스핀 헤드(311)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 330 linearly moves the housing 320 in the vertical direction. As the housing 320 is moved up and down, the relative height of the housing 320 relative to the spin head 311 is changed. The lifting unit 330 has a bracket 331, a moving shaft 332, and a driver 333. The bracket 331 is fixedly installed on the outer wall of the housing 320, and the movement shaft 332 which is moved up and down by the driver 333 is fixedly coupled to the bracket 331. The housing 320 is lowered so that the spin head 311 protrudes above the housing 320 when the substrate W is loaded into the spin head 311 or unloaded from the spin head 311. In addition, when the process is in progress, the height of the housing 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery containers 321, 322, and 323 according to the type of processing liquid supplied to the substrate W. FIG. Optionally, the lifting unit 330 may move the spin head 311 in the vertical direction.

세정액 공급부재(340)는 하우징(320)의 일측에 배치된다. 세정액 공급부재(340)는 기판(W) 상면으로 세정액을 공급하여 기판(W)을 세정한다. 세정액 공급부재(340)는 세정액 분사 노즐(341), 세정액 분사노즐 이동부(342), 그리고 세정액 공급부(346)를 포함한다.The cleaning liquid supply member 340 is disposed at one side of the housing 320. The cleaning solution supply member 340 supplies the cleaning solution to the upper surface of the substrate W to clean the substrate W. The cleaning solution supply member 340 includes a cleaning solution injection nozzle 341, a cleaning solution injection nozzle moving unit 342, and a cleaning solution supply unit 346.

세정액 분사노즐(341)은 기판(W)의 상면으로 세정액을 분사한다. 세정액 분사노즐(341)의 저면에는 세정액이 분사되는 분사구가 형성된다. The cleaning liquid jet nozzle 341 ejects the cleaning liquid to the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. On the bottom of the cleaning liquid jet nozzle 341, a jet port through which the cleaning liquid is injected is formed.

세정액 분사노즐 이동부(342)는 하우징(320)의 외측과 기판(W) 상부 사이 구간에서 세정액 분사노즐(341)을 이동시킨다. 세정액 분사노즐 이동부(342)는 지지로드(343), 지지축(344), 그리고 구동기(345)를 포함한다. The cleaning liquid spray nozzle moving unit 342 moves the cleaning liquid spray nozzle 341 in a section between the outer side of the housing 320 and the upper portion of the substrate (W). The cleaning liquid injection nozzle moving part 342 includes a support rod 343, a support shaft 344, and a driver 345.

지지로드(343)는 로드 형상으로 제공되며, 세정액 분사노즐(341)을 지지한다. 지지로드(343)는 수평방향으로 배치되며, 그 일단에 세정액 분사노즐(341)이 결합한다. The support rod 343 is provided in a rod shape and supports the cleaning liquid injection nozzle 341. The support rod 343 is disposed in the horizontal direction, and the cleaning liquid injection nozzle 341 is coupled to one end thereof.

지지축(344)은 지지로드(343)의 하부에서 상하방향으로 배치된다. 지지축(344)은 상단이 지지로(343)드의 타단과 결합하며, 지지로드(343)를 지지한다. 지지축(344)의 하단에는 구동기(345)가 제공된다. 구동기(345)는 지지축(344)의 길이방향과 나란한 축을 중심으로 지지축(344)을 회전시킨다. 또한, 구동기(345)는 세정액 분사노즐(341)과 기판(W)간의 상대 높이가 변경되도록 지지로드(343)을 상하방향으로 이동시킬 수 있다. The support shaft 344 is disposed in the vertical direction at the bottom of the support rod 343. The support shaft 344 has an upper end coupled with the other end of the support passage 343 and supports the support rod 343. At the bottom of the support shaft 344 is provided a driver 345. The driver 345 rotates the support shaft 344 about an axis parallel to the longitudinal direction of the support shaft 344. In addition, the driver 345 may move the support rod 343 in the vertical direction so that the relative height between the cleaning liquid jet nozzle 341 and the substrate W is changed.

세정액 공급부(346)는 세정액 분사노즐(341)에 세정액을 공급한다. 세정액 공급부(346)는 세정액 저장부(347), 세정액 공급라인(348), 그리고 밸브(349)를 포함한다. 세정액 공급라인(348)은 세정액 저장부(347)와 세정액 분사노즐(341)을 연결한다. 세정액 저장부(347)에 저장된 세정액은 세정액 공급라인(348)을 통해 세정액 분사노즐(341)로 공급된다. 밸브(349)는 세정액 공급라인(348)상에 설치되며, 세정액 공급라인(348)을 개폐한다.The cleaning liquid supply unit 346 supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid injection nozzle 341. The cleaning solution supply unit 346 includes a cleaning solution storage unit 347, a cleaning solution supply line 348, and a valve 349. The cleaning solution supply line 348 connects the cleaning solution storage unit 347 and the cleaning solution injection nozzle 341. The cleaning liquid stored in the cleaning liquid storage unit 347 is supplied to the cleaning liquid injection nozzle 341 through the cleaning liquid supply line 348. The valve 349 is installed on the cleaning liquid supply line 348 and opens and closes the cleaning liquid supply line 348.

상술한 세정액 공급부재(340)의 구조에 의하여, 세정액 분사노즐(341)은 회전하는 기판(W)으로 세정액을 공급한다. 실시예에 의하면, 세정액 분사노즐(341)은 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 사이 구간 또는 기판(W)의 일측 가장자리영역과 타측 가장자리영역 사이구간을 스윙이동하며 세정액을 공급할 수 있다.By the structure of the cleaning liquid supply member 340 described above, the cleaning liquid jet nozzle 341 supplies the cleaning liquid to the rotating substrate W. FIG. According to the embodiment, the cleaning liquid injection nozzle 341 may supply the cleaning liquid by swinging the section between the center region and the edge region of the substrate W or the section between one edge region and the other edge region of the substrate W.

제1유체 공급부재(350)는 기판(W)의 저면으로 제1유체를 공급한다. 제1유체 공급부재(350)는 제1유체 분사노즐(351), 제1유체 공급라인(352), 제1유체 저장부(353), 히터(354), 그리고 밸브(355)를 포함한다.The first fluid supply member 350 supplies the first fluid to the bottom surface of the substrate (W). The first fluid supply member 350 includes a first fluid injection nozzle 351, a first fluid supply line 352, a first fluid storage unit 353, a heater 354, and a valve 355.

제1유체 분사노즐(351)은 스핀 헤드(311)의 상면 중앙부에 제공된다. 제1유체 분사노즐(351)의 상면에는 제1유체를 분사하는 분사구가 형성된다. 제1유체는 회전되는 기판(W)의 저면 중심영역으로 공급되며, 기판(W)의 회전력에 의해 기판(W)의 가장자리영역으로 분산된다. 실시예에 의하면, 제1유체로는 순수가 사용될 수 있다.The first fluid injection nozzle 351 is provided at the center of the upper surface of the spin head 311. An injection hole for injecting the first fluid is formed on the upper surface of the first fluid injection nozzle 351. The first fluid is supplied to the bottom center region of the substrate W to be rotated, and is distributed to the edge region of the substrate W by the rotational force of the substrate W. According to an embodiment, pure water may be used as the first fluid.

제1유체 공급라인(352)은 제1유체 분사노즐(351)과 제1유체 저장부(353)를 연결한다. 제1유체 저장부(353)에 저장된 제1유체는 제1유체 공급라인(352)을 통해 제1유체 분사노즐(351)로 공급된다. 제1유체 공급라인(352)에는 히터(354)와 유량조절밸브(355)가 설치된다. 히터(354)는 제1유체 공급라인(352)을 통해 공급되는 제1유체를 상온보다 높은 온도로 가열한다. 실시예에 의하면, 히터(354)는 제1유체를 55℃이상 80℃이하의 온도로 가열한다. 유량조절밸브(355)는 히터(354)와 제1유체 저장부(353) 사이 구간에서 제1유체 공급라인(352)에 설치되며, 제1유체 공급라인(352)을 통해 공급되는 제1유체의 유량을 조절한다.The first fluid supply line 352 connects the first fluid injection nozzle 351 and the first fluid storage unit 353. The first fluid stored in the first fluid storage unit 353 is supplied to the first fluid injection nozzle 351 through the first fluid supply line 352. The first fluid supply line 352 is provided with a heater 354 and a flow control valve 355. The heater 354 heats the first fluid supplied through the first fluid supply line 352 to a temperature higher than room temperature. According to the embodiment, the heater 354 heats the first fluid to a temperature of 55 ° C. or higher and 80 ° C. or lower. The flow control valve 355 is installed in the first fluid supply line 352 in the section between the heater 354 and the first fluid storage unit 353, the first fluid supplied through the first fluid supply line 352 Adjust the flow rate.

유기용제 공급부재(360)는 기판(W)의 상면으로 상온보다 높은 온도로 가열된 액상의 유기용제를 공급한다. 유기용제 공급부재(360)는 유기용제 분사노즐(361), 유기용제 저장부(362), 유기용제 공급라인(363), 히터(364), 그리고 유량조절밸브(365)를 포함한다.The organic solvent supply member 360 supplies the liquid organic solvent heated to a temperature higher than the normal temperature to the upper surface of the substrate (W). The organic solvent supply member 360 includes an organic solvent injection nozzle 361, an organic solvent storage 362, an organic solvent supply line 363, a heater 364, and a flow control valve 365.

유기용제 분사노즐(361)의 저면에는 유기용제가 분사되는 분사구가 형성된다. 유기용제 분사노즐(361)은 분사노즐 이동부(미도시)에 의해 이동가능하다. 분사노즐 이동부는 상술한 세정액 분사노즐 이동부(342)와 동일한 구조로 제공될 수 있다. 분사노즐 이동부에 의하여, 유기용제 분사노즐(361)은 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 또는, 기판(W)의 일측 가장자리영역과 타측 가장자리영역을 스윙이동하며, 유기용제를 공급할 수 있다. 또한, 유기용제 분사노즐(361)은 기판(W)의 상부에 고정위치하여 유기용제를 공급할 수 있다.An injection hole through which the organic solvent is injected is formed at the bottom of the organic solvent injection nozzle 361. The organic solvent spray nozzle 361 is movable by a spray nozzle moving unit (not shown). The injection nozzle moving unit may be provided in the same structure as the cleaning liquid injection nozzle moving unit 342 described above. By the spray nozzle moving unit, the organic solvent spray nozzle 361 may swing the center region and the edge region of the substrate W or the one edge region and the other edge region of the substrate W to supply the organic solvent. . In addition, the organic solvent injection nozzle 361 may be fixed to the upper portion of the substrate (W) to supply the organic solvent.

유기용제 공급라인(363)은 유기용제 분사노즐(361)과 유기 용제 저장부(362)를 연결한다. 유기용제 저장부(362)에 저장된 유기용제는 유기용제 공급라인(363)을 통해 유기용제 분사노즐(361)로 공급된다. 유기용제 공급라인(363)에는 히터(364)와 유량조절밸브(365)가 설치된다. 히터(364)는 유기용제를 상온보다 높은 온도로 가열한다. 실시예에 의하면, 히터(364)는 유기용제를 55℃ 이상 80℃ 이하의 온도로 가열한다. 유량조절밸브(365)는 히터(364)와 유기용제 저장부(362) 사이 구간에 설치되며, 유기용제 공급라인(363)을 통해 공급되는 유기용제의 유량을 조절한다. The organic solvent supply line 363 connects the organic solvent injection nozzle 361 and the organic solvent storage 362. The organic solvent stored in the organic solvent storage 362 is supplied to the organic solvent injection nozzle 361 through the organic solvent supply line 363. The organic solvent supply line 363 is provided with a heater 364 and a flow control valve 365. The heater 364 heats the organic solvent to a temperature higher than room temperature. According to the Example, the heater 364 heats the organic solvent to the temperature of 55 degreeC or more and 80 degrees C or less. The flow control valve 365 is installed in a section between the heater 364 and the organic solvent storage 362, and adjusts the flow rate of the organic solvent supplied through the organic solvent supply line 363.

유기용제의 공급으로, 세정공정 이후 패턴과 패턴 사이에 잔류하는 DHF, 초순수, 그리고 물은 유기용제로 치환된다. 치환된 유기용제는 표면장력이 낮아 건조단계에서 건조가스에 의해 용이하게 건조될 수 있다. 유기용제로는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol 이하, IPA라고 함)이 사용될 수 있다. 또한, 상온보다 높은 온도로 가열된 유기용제가 공급되므로, 유기용제의 증발이 용이하게 일어난다. 이는 유기용제의 증발시, 응축 냉각에 의한 기판의 온도 저하를 최소화한다. By supplying the organic solvent, DHF, ultrapure water, and water remaining between the pattern and the pattern after the cleaning process are replaced with the organic solvent. The substituted organic solvent may have a low surface tension and may be easily dried by a drying gas in a drying step. As the organic solvent, isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA) may be used. In addition, since the organic solvent heated to a temperature higher than room temperature is supplied, evaporation of the organic solvent occurs easily. This minimizes the temperature drop of the substrate due to condensation cooling upon evaporation of the organic solvent.

건조가스 공급부재(370)는 기판(W)의 상면으로 건조가스를 공급한다. 건조가스 공급부재(370)는 건조가스 분사노즐(371), 건조가스 저장부(372), 건조가스 공급라인(373), 그리고 유량조절밸브(374)를 포함한다.The dry gas supply member 370 supplies the dry gas to the upper surface of the substrate W. The dry gas supply member 370 includes a dry gas injection nozzle 371, a dry gas storage unit 372, a dry gas supply line 373, and a flow control valve 374.

건조가스 분사노즐(371)의 저면에는 건조가스가 분사되는 분사구가 형성된다. 건조가스 분사노즐(371)은 분사노즐 이동부(미도시)에 의해 이동하며 건조가스를 분사할 수 있다. 분사노즐 이동부는 상술한 세정액 분사노즐 이동부(342)와 동일한 구조로 제공될 수 있다. 분사노즐 이동부에 의하여, 건조가스 분사노즐(371)은 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 또는, 기판(W)의 일측 가장자리영역과 타측 가장자리영역을 스윙이동하며, 건조가스를 공급할 수 있다. The bottom surface of the dry gas injection nozzle 371 is formed with an injection port through which dry gas is injected. The dry gas injection nozzle 371 may be moved by an injection nozzle moving unit (not shown) to inject dry gas. The injection nozzle moving unit may be provided in the same structure as the cleaning liquid injection nozzle moving unit 342 described above. By the injection nozzle moving unit, the dry gas injection nozzle 371 may swing the center region and the edge region of the substrate W or the one edge region and the other edge region of the substrate W, and supply dry gas. .

기판 가열 부재(380)는 기판(W)의 가장자리영역을 가열한다. The substrate heating member 380 heats the edge region of the substrate W.

도 3은 도 2의 기판 가열 부재의 일부를 나타내는 평면도이다. 3 is a plan view illustrating a part of the substrate heating member of FIG. 2.

도 2 및 3을 참조하면, 기판 가열 부재(380)는 가열 플레이트(381), 지지아암(382), 가이드 레일(383), 그리고 구동기(384)를 포함한다.2 and 3, the substrate heating member 380 includes a heating plate 381, a support arm 382, a guide rail 383, and a driver 384.

가열 플레이트(381)는 기판(W)으로 공급되는 열을 발생시킨다. 가열 플레이트(381)는 링 형상의 플레이트로 제공된다. 가열 플레이트(381)의 외주면은 기판(W)의 반경에 상응하거나 그보다 큰 반경을 가지고, 내주면은 기판(W)보다 작은 반경을 가진다. 이에 의하여, 가열 플레이트(381)가 기판(W)의 상부에 위치되는 경우, 상부에서 바라볼 때 가열 플레이트(381)와 기판(W)의 가장자리영역은 중첩되며, 가열 플레이트(381)에서 발생된 열은 기판(W)의 가장자리영역으로 제공된다. 실시예에 의하면, 가열 플레이트(381)는 열 저항 히터가 제공될 수 있다. The heating plate 381 generates heat supplied to the substrate W. As shown in FIG. The heating plate 381 is provided as a ring-shaped plate. The outer circumferential surface of the heating plate 381 has a radius corresponding to or larger than the radius of the substrate W, and the inner circumferential surface has a radius smaller than the substrate W. FIG. As a result, when the heating plate 381 is positioned above the substrate W, the edge region of the heating plate 381 and the substrate W overlaps when viewed from the top, and is generated in the heating plate 381. The heat is provided to the edge region of the substrate (W). According to an embodiment, the heating plate 381 may be provided with a heat resistance heater.

지지아암(382)은 가열 플레이트(381)를 지지한다. 실시예에 의하면, 지지아암(382)은 지지부(382b)와 연결부(382c)를 가진다. 지지부(382b)는 가열 플레이트(381)의 상부에 위치되며, 가열 플레이트(381)를 지지한다. 지지부(382b)는 가열 플레이트(381)의 형상에 대응되는 형상으로 제공된다. 실시예에 의하면, 지지부(382b)는 링 형상의 플레이트로 제공된다. 상술한 구조에 의하며, 가열 플레이트(381)의 내측 공간(381a)과 지지부(382b)의 내측 공간(382a)은 서로 연결되며, 또한 서로 조합되어 지지부(382b)의 상부공간과 가열 플레이트(381)의 하부공간이 연결되는 공간을 형성한다. 연결부(382c)는 플레이트 형상으로 제공되며, 일단이 지지부(382b)의 외주면과 연결되고 타단이 가이드 레일(383)과 연결된다. 연결부(382c)는 구동기(384)의 구동에 의하여 가이드 레일(383)을 따라 승강한다. 연결부(382c)의 승강으로, 가열 플레이트(381)와 기판(W) 간의 상대 높이가 조절될 수 있다. The support arm 382 supports the heating plate 381. According to an embodiment, the support arm 382 has a support 382b and a connection 382c. The support 382b is positioned above the heating plate 381 and supports the heating plate 381. The support 382b is provided in a shape corresponding to the shape of the heating plate 381. According to an embodiment, the support 382b is provided as a ring-shaped plate. By the above-described structure, the inner space 381a of the heating plate 381 and the inner space 382a of the support 382b are connected to each other, and are also combined with each other so that the upper space of the support 382b and the heating plate 381 are combined. It forms a space that the lower space of the connection. The connecting portion 382c is provided in a plate shape, one end of which is connected to the outer circumferential surface of the support 382b and the other end of which is connected to the guide rail 383. The connection portion 382c moves up and down along the guide rail 383 by the driving of the driver 384. By elevating the connection portion 382c, the relative height between the heating plate 381 and the substrate W can be adjusted.

가이드 레일(383)은 하우징(120)의 일측에 위치하며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 가이드 레일(383)은 지지아암(382)이 승강하도록 지지아암(382)의 이동을 안내한다.
The guide rail 383 is located at one side of the housing 120, and the longitudinal direction thereof is disposed in parallel with the vertical direction. Guide rail 383 guides the movement of support arm 382 so that support arm 382 is elevated.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판 세정 장치를 이용하여 기판을 세정하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.A method of cleaning a substrate using the substrate cleaning apparatus according to the present invention having the configuration as described above is as follows.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판 세정 방법은 기판 로딩 단계(S10), 기판 세정 단계(S20), 기판 건조 단계(S30), 그리고, 기판 언로딩 단계(S40)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the substrate cleaning method includes a substrate loading step S10, a substrate cleaning step S20, a substrate drying step S30, and a substrate unloading step S40.

기판 로딩 단계(S10)는 기판을 스핀 헤드에 로딩하고, 기판 세정단계(S20)는 기판에 세정액을 공급하여 기판을 세정한다. 기판 건조 단계(S30)는 세정이 완료된 기판으로 건조유체를 공급하여 기판을 건조하고, 기판 언로딩 단계(S40)는 건조가 완료된 기판을 스핀 헤드로부터 언로딩한다.The substrate loading step S10 loads the substrate onto the spin head, and the substrate cleaning step S20 cleans the substrate by supplying a cleaning liquid to the substrate. The substrate drying step (S30) supplies a drying fluid to the cleaned substrate, and the substrate is dried, and the substrate unloading step (S40) unloads the dried substrate from the spin head.

도 5는 도 4의 기판 세정 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.5 is a view briefly illustrating a substrate cleaning step of FIG. 4.

도 5를 참조하면, 지지핀(312)이 기판(W)의 저면을 지지하고, 척킹핀(313)이 기판(W)의 측부를 지지한 상태에서 스핀 헤드(311)가 회전된다. 세정액 분사노즐(341)은 회전하는 기판(W)의 상면으로 세정액을 공급한다. 공급된 세정액은 기판(W)의 회전력에 의해 상면의 중심영역으로부터 가장자리영역으로 확산된다. 세정액은 기판(W)에 잔류하는 유기 오염물질, 자연 산화막 그리고 산화막 내에 포함되어 있는 금속 오염물질을 제거한다. 실시예에 의하면, 세정액 공급노즐(341)은 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 사이 구간 또는 기판(W)의 일측 가장자리영역과 타측 가장자리영역 사이를 이동하며 세정액을 공급할 수 있다.Referring to FIG. 5, the spin head 311 is rotated while the support pin 312 supports the bottom surface of the substrate W and the chucking pin 313 supports the side of the substrate W. Referring to FIG. The cleaning liquid jet nozzle 341 supplies the cleaning liquid to the upper surface of the rotating substrate W. As shown in FIG. The supplied cleaning liquid diffuses from the center region of the upper surface to the edge region by the rotational force of the substrate W. The cleaning liquid removes organic contaminants remaining on the substrate W, natural oxide films, and metal contaminants contained in the oxide films. According to the embodiment, the cleaning liquid supply nozzle 341 may supply the cleaning liquid while moving between the center region and the edge region of the substrate W or between one edge region and the other edge region of the substrate W.

다시 도 4를 참조하면, 기판 세정 단계(S20)가 완료되면, 기판 건조 단계(S30)가 수행된다. 기판 건조 단계(S30)는 상온보다 높은 온도로 가열된 가열유체를 공급하는 제1건조 단계(S31)와 기판으로 건조가스를 분사하는 제2건조 단계(S32)가 순차적으로 진행된다.Referring back to FIG. 4, when the substrate cleaning step S20 is completed, the substrate drying step S30 is performed. Substrate drying step (S30) is a first drying step (S31) for supplying a heating fluid heated to a temperature higher than room temperature and the second drying step (S32) for injecting a dry gas to the substrate proceeds sequentially.

도 6은 제1건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.6 is a view briefly showing a first drying step.

도 6을 참조하면, 제1건조 단계(S31)는 기판(W)의 저면으로 제1유체를 공급하고, 기판(W)의 상면으로 유기용제를 공급한다. 제1유체는 제1유체 공급라인(352)을 통해 제1유체 분사노즐(351)로 공급되는 동안 히터(354)에 의해 가열된다. 가열된 제1유체는 제1유체 분사노즐(351)을 통해 기판(W)의 저면 중앙부로 공급되고, 기판(W)의 회전력에 의해 가장자리영역으로 확산된다. 가열된 제1유체의 공급으로 기판(W)의 온도는 설정온도 이상으로 상승한다. Referring to FIG. 6, in the first drying step S31, the first fluid is supplied to the bottom surface of the substrate W, and the organic solvent is supplied to the top surface of the substrate W. FIG. The first fluid is heated by the heater 354 while being supplied to the first fluid injection nozzle 351 through the first fluid supply line 352. The heated first fluid is supplied to the center portion of the bottom surface of the substrate W through the first fluid injection nozzle 351 and is diffused to the edge region by the rotational force of the substrate W. The temperature of the substrate W rises above the set temperature by the supply of the heated first fluid.

유기용제는 유기용제 공급라인(363)을 통해 유기용제 분사노즐(361)로 공급되는 동안 히터(364)에 의해 가열된다. 가열된 유기용제는 유기용제 분사노즐(361)을 통해 기판(W)의 상면으로 공급된다. 실시예에 의하면, 유기용제 분사노즐(361)은 가열 플레이트(381)의 내측 공간(381a)과 지지부(382b)의 내측공간(382a)에 고정 위치하여 기판(W)의 중심영역으로 유기용제를 공급한다. 가열된 유기용제는 액상으로 기판(W)으로 공급되며, 기판(W)의 회전력에 의해 기판(W)의 가장자리영역으로 확산된다. 유기용제는 기판(W)의 가장자리영역으로 확산되는 동안 기판(W)의 패턴과 패턴 사이에 잔류하는 DHF, 초순수, 그리고 물과 치환된다.The organic solvent is heated by the heater 364 while being supplied to the organic solvent injection nozzle 361 through the organic solvent supply line 363. The heated organic solvent is supplied to the upper surface of the substrate W through the organic solvent injection nozzle 361. According to the embodiment, the organic solvent injection nozzle 361 is fixedly positioned in the inner space 381a of the heating plate 381 and the inner space 382a of the support 382b, and the organic solvent is applied to the center region of the substrate W. Supply. The heated organic solvent is supplied to the substrate W in a liquid phase, and is diffused to the edge region of the substrate W by the rotational force of the substrate W. The organic solvent is substituted with DHF, ultrapure water, and water remaining between the pattern and the pattern of the substrate W while being diffused into the edge region of the substrate W.

유기용제가 공급되는 동안, 가열 플레이트는(381) 기판(W)의 가장자리영역으로 열을 공급하여 기판(W)의 가장자리영역을 가열한다. 가열 플레이트(381)는 유기용제 공급노즐(361)의 하단에 상응하는 높이에 고정위치되어 기판(W)으로 열을 공급한다. 이와 달리, 가열 플레이트(381)는 유기용제 공급노즐(361)의 하단보다 낮은 높이에서 기판(W)으로 열을 공급할 수 있다. While the organic solvent is supplied, the heating plate 381 supplies heat to the edge region of the substrate W to heat the edge region of the substrate W. The heating plate 381 is fixedly positioned at a height corresponding to the lower end of the organic solvent supply nozzle 361 to supply heat to the substrate (W). Alternatively, the heating plate 381 may supply heat to the substrate W at a height lower than the lower end of the organic solvent supply nozzle 361.

가열된 제1유체 및 유기 용제가 공급되는 동안, 기판(W)은 회전되며, 회전되는 기판(W)의 각 영역은 선속도가 다르기 때문에, 기판(W)의 영역에 따라 열손실의 차이가 발생한다. 특히, 기판(W)의 가장자리영역은 중심영역에 비하여 큰 선속도를 가지므로, 기판(W)의 중심영역에 비하여 열손실이 크게 발생한다. 이러한 열손실의 차이는 기판(W)의 전체면이 균일하게 가열되는 것을 방해하는 요인이 된다.While the heated first fluid and the organic solvent are supplied, the substrate W is rotated, and since the linear velocity of each region of the rotated substrate W is different, the difference in heat loss varies depending on the region of the substrate W. Occurs. In particular, since the edge region of the substrate W has a larger linear velocity than the center region, heat loss is greater than that of the center region of the substrate W. FIG. This difference in heat loss becomes a factor that prevents the entire surface of the substrate W from being heated uniformly.

상기 기판(W)의 영역에 따른 열손실 및 그에 따른 기판(W)의 불균일한 가열을 방지하기 위하여, 본 발명의 가열 플레이트(381)는 기판(W)의 가장자리영역에서의 열손실을 보상한다. 가열 플레이트(381)가 회전하는 기판(W)의 가장자리영역으로 열을 공급하므로, 선속도 차이로 인한 기판(W) 가장자리영역의 열손실이 보상되며, 이에 의해 기판(W)의 전체면이 균일하게 가열될 수 있다.In order to prevent heat loss along the region of the substrate W and thus uneven heating of the substrate W, the heating plate 381 of the present invention compensates for heat loss in the edge region of the substrate W. . Since the heating plate 381 supplies heat to the edge region of the rotating substrate W, the heat loss of the edge region of the substrate W due to the difference in linear velocity is compensated, whereby the entire surface of the substrate W is uniform. Can be heated.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.7 is a view briefly showing a first drying step according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 도 6의 실시예와 달리, 유기용제 공급노즐(361)은 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 사이 구간 또는 기판(W)의 일측 가장자리영역과 타측 가장자리영역 사이를 스캔 이동하며 가열된 액상의 유기용제를 공급한다. Referring to FIG. 7, unlike the embodiment of FIG. 6, the organic solvent supply nozzle 361 scans a section between the center region and the edge region of the substrate W or between one edge region and the other edge region of the substrate W. FIG. It moves and supplies the heated organic solvent.

그리고, 가열 플레이트(381)는 유기용제 공급노즐(361)의 이동경로 상부에 고정 위치하여 기판(W)의 가장자리영역으로 열을 공급한다. The heating plate 381 is fixedly positioned above the movement path of the organic solvent supply nozzle 361 to supply heat to the edge region of the substrate W.

도 8은 제2건조 단계를 간략하게 나타내는 도면이다.8 is a view briefly showing a second drying step.

도 8을 참조하면, 제1건조 단계 후, 기판(W)으로 제1유체 및 유기용제의 공급이 중단되고, 기판(W)의 상면으로 건조가스가 공급된다. 건조가스는 건조가스 공급라인(373)을 통해 건조가스 공급노즐(371)로 공급되어 기판(W)의 상면으로 분사된다. 분사된 건조가스는 기판(W)의 회전에 의하여 기판(W)의 중심영역으로부터 가장자리영역으로 확산된다. 건조가스는 기판(W)의 패턴들 사이에 잔류하는 유기용제를 휘발시켜 기판(W)으로부터 유기용제를 제거한다. Referring to FIG. 8, after the first drying step, the supply of the first fluid and the organic solvent to the substrate W is stopped, and the dry gas is supplied to the upper surface of the substrate W. The dry gas is supplied to the dry gas supply nozzle 371 through the dry gas supply line 373 and sprayed onto the upper surface of the substrate W. The injected dry gas is diffused from the center region of the substrate W to the edge region by the rotation of the substrate W. FIG. The dry gas volatilizes the organic solvent remaining between the patterns of the substrate W to remove the organic solvent from the substrate W.

상기 기판(W)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(wafer)를 예를 들어 설명하였으나, 기판은 평판표시(Flat panel display) 패널에 사용되는 유리 기판과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.
Although the substrate W has been described using a wafer used for manufacturing a semiconductor chip as an example, the substrate may be another type of substrate, such as a glass substrate used for a flat panel display panel.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치를 간략하게 나타내는 도면이고, 도 10은 도 9의 가열 플레이트를 나타내는 평면도이다.FIG. 9 is a schematic view of a substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a plan view illustrating the heating plate of FIG. 9.

도 9 및 10을 참조하면, 가열 플레이트(381)는 링 형상의 복수개의 플레이트가 서로 조합되어 제공된다. 각각의 플레이트들은 발열량이 서로 상이하게 제공된다. 이에 의하여, 기판(W)의 반경방향을 따라 기판(W)의 가장자리영역으로 제공되는 열량이 서로 상이하다. 실시예에 의하면, 가열 플레이트(381)는 제1플레이트(381b)와 제2플레이트(382c)를 포함한다. 제1플레이트(381b)는 링 형상으로 제공되며, 외주면이 제1반경(r1)을 갖는다. 제1반경(r1)은 기판(W)의 외주면 반경보다 작은 크기로 제공된다. 제2플레이트(381c)는 링 형상으로 제공되며, 외주면이 제1반경(r1)보다 큰 제2반경(r2)을 갖는다. 제2반경(r2)은 기판(W)의 외주면 반경에 상응하거나, 그보다 큰 크기로 제공된다. 제2플레이트(381c)의 내주면은 제1플레이트(381b)의 외주면과 동일한 반경을 가진다. 제2플레이트(381c)는 제1플레이트(381b)와 동심을 가지며, 제1플레이트(381b)의 외측에 위치된다. 상술한 제1 및 제2 플레이트(381b, 381c)의 조합에 의하여, 가열 플레이트(381)는 전체적으로 링 형상으로 제공된다. 제2플레이트(381c)는 제1플레이트(381b)의 발열량보다 큰 발열량을 갖는다. 이에 의하여, 기판(W)의 외주면과 인접한 제1영역(W1)에는 제2플레이트(381c)에서 열이 공급되고, 제1영역(W1)의 내측에 위치하는 제2영역(W2)에는 제1플레이트(381b)에서 열이 공급된다. 제1영역(W1)과 제2영역(W2)은 모두 기판(W)의 가장자리영역에 해당한다. 제1영역(W1)은 제2영역(W2)의 외측에 위치되므로, 제2영역(W2)보다 큰 선속도를 가진다. 이에 의해, 제1영역(W1)은 회전에 의한 열손실이 제2영역(W2)보다 크게 발생한다. 그러나, 제2플레이트(381c)가 제1플레이트(381b)보다 큰 열량으로 제1영역(W1)에 열을 공급하므로, 상기 선속도 차이로 인한 열손실을 보상될 수 있다.9 and 10, the heating plate 381 is provided with a plurality of ring-shaped plates in combination with each other. Each of the plates is provided with different amounts of heat. As a result, the amount of heat provided to the edge region of the substrate W in the radial direction of the substrate W is different from each other. According to an embodiment, the heating plate 381 includes a first plate 381b and a second plate 382c. The first plate 381b is provided in a ring shape and has an outer circumferential surface thereof with a first radius r1. The first radius r1 is provided to be smaller than the radius of the outer circumferential surface of the substrate W. The second plate 381c is provided in a ring shape and has a second radius r2 whose outer circumferential surface is larger than the first radius r1. The second radius r2 is provided in a size corresponding to or larger than the radius of the outer circumferential surface of the substrate W. FIG. The inner circumferential surface of the second plate 381c has the same radius as the outer circumferential surface of the first plate 381b. The second plate 381c is concentric with the first plate 381b and is located outside the first plate 381b. By the combination of the above-mentioned first and second plates 381b and 381c, the heating plate 381 is provided in a ring shape as a whole. The second plate 381c has a calorific value greater than the calorific value of the first plate 381b. As a result, heat is supplied from the second plate 381c to the first region W1 adjacent to the outer circumferential surface of the substrate W, and the first region W2 is located inside the first region W1. Heat is supplied from the plate 381b. Both the first region W1 and the second region W2 correspond to edge regions of the substrate W. As shown in FIG. Since the first region W1 is located outside the second region W2, the first region W1 has a linear velocity greater than that of the second region W2. As a result, the heat loss due to rotation of the first region W1 is greater than that of the second region W2. However, since the second plate 381c supplies heat to the first region W1 with a larger amount of heat than the first plate 381b, heat loss due to the linear speed difference may be compensated.

상기 실시예에서 가열 플레이트(381)는 두 개의 플레이트(381b, 381c)가 서로 조합되어 제공되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 가열 플레이트는 세 개 이상의 플레이트가 조합되어 제공될 수 있다. 각각의 플레이트들은 발열량이 서로 상이하게 조절가능하다. 각각의 플레이트들은 기판의 각 영역의 선속도 차이를 고려하여 기판의 반경방향을 따라 상이한 크기의 열량을 기판으로 제공한다. 이에 의하여, 선속도 차이로 인한 기판의 각 영역에서의 열손실이 효과적으로 보상될 수 있다.
In the above embodiment, the heating plate 381 has been described in that two plates 381b and 381c are provided in combination with each other. Alternatively, the heating plate 381 may be provided in combination of three or more plates. Each of the plates is adjustable in the amount of heat generated differently from each other. Each of the plates provides the substrate with different amounts of heat along the radial direction of the substrate, taking into account the difference in linear velocity of each region of the substrate. Thereby, the heat loss in each area of the substrate due to the linear velocity difference can be effectively compensated.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. Furthermore, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiments of the invention, and the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

310: 기판 지지 부재 320: 하우징
340: 세정액 공급부재 350: 제1유체 공급부재
360: 유기용제 공급부재 361: 유기용제 분사노즐
370: 건조가스 공급부재 380: 기판 가열 부재
381: 가열 플레이트 382: 지지아암310: substrate support member 320: housing
340: cleaning liquid supply member 350: first fluid supply member
360: organic solvent supply member 361: organic solvent spray nozzle
370: dry gas supply member 380: substrate heating member
381: heating plate 382: support arm

Claims

A substrate supporting member rotatably supporting a substrate;
A cleaning liquid supply member supplying a cleaning liquid to the substrate;
An organic solvent supply member supplying an organic solvent to the substrate;
A first fluid supply member supplying the first fluid heated to a temperature higher than room temperature to the substrate; And
And a substrate heating member for heating the edge region of the substrate.

The method of claim 1,
The substrate heating member
A heating plate on which heat is generated;
A support arm for supporting the heating plate; And
And a support arm driver for raising and lowering the support arm.