KR20140017315A - Apparatus fdr drying substrates - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a device for manufacturing a substrate and more specifically, to a device for drying the substrate. The device for drying the substrate comprises a housing which provides a space which performs a cleaning process, a substrate support member which is provided inside the housing and supports the substrate, a fluid supply member which supplies process fluid to the housing, a first blocking member which is positioned between the fluid supply member and the substrate support member and blocks the spray of the process fluid to the substrate, a second blocking member which is separated from the first blocking member between the first blocking member and the fluid supply member, and an exhaust member which exhausts the process fluid from the housing. A part of process fluid moves to a space between the first blocking member and the second blocking member. A part of remaining process fluid moves to a space between the second blocking member and the housing connected to the fluid supply member.

Description

기판 건조 장치 {APPARATUS FDR DRYING SUBSTRATES}Substrate Drying Equipment {APPARATUS FDR DRYING SUBSTRATES}

본 발명은 반도체 기판 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 건조하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor substrate manufacturing apparatus, and more particularly, to an apparatus for drying a substrate.

일반적으로 반도체 소자는, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에 대해 사진 공정(photo process), 식각 공정(etching process), 이온 주입 공정(ion implantation process) 그리고 증착 공정(Deposition process) 등과 같은 다양한 공정을 통해 형성된다.Generally, a semiconductor device is formed through various processes such as a photo process, an etching process, an ion implantation process, and a deposition process for a substrate such as a silicon wafer .

그리고, 각각의 공정을 수행하는 과정에서 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등의 다양한 이물질이 발생하게 된다. 이러한 이물질들은 기판에 결함(defect)을 일으켜 반도체소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용하므로, 반도체소자의 제조공정에는 이러한 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 필수적으로 수반된다.In addition, various foreign substances, such as particles, organic contaminants, and metal impurities, are generated in the process of performing each process. Since these foreign matters cause defects on the substrate and directly affect the performance and yield of the semiconductor device, a cleaning process for removing such foreign matters is essential in the manufacturing process of the semiconductor device.

세정 공정은 약액(chemical)으로 기판상에 오염물질을 제거하는 약액 처리 공정, 순수(pure water)로 기판 상에 잔류하는 약액을 제거하는 세척 공정(wet cleaning process), 그리고 건조 유체를 공급하여 기판 표면에 잔류하는 순수를 건조하는 위한 건조 공정(drying process)을 포함한다.The cleaning process includes a chemical treatment process for removing contaminants on a substrate by a chemical, a wet cleaning process for removing a chemical solution remaining on the substrate by pure water, And a drying process for drying the pure water remaining on the surface.

과거에는 순수가 남아 있는 기판 상으로 가열된 질소가스를 공급하여 건조 공정을 수행하였다. 그러나 기판 상에 형성된 패턴의 선폭이 좁아지고 종횡비가 커짐에 따라 패턴 사이에 순수의 제거가 잘 이루어지지 않는다. 이를 위해 최근에는 순수에 비해 휘발성이 크고 표면장력이 낮은 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol)과 같은 액상의 유기용제로 기판 상에서 순수를 치환하고, 이후에 가열된 질소 가스를 공급하여 기판을 건조하고 있다. In the past, a drying process was performed by supplying heated nitrogen gas onto a substrate where pure water remained. However, as the line width of the pattern formed on the substrate is narrowed and the aspect ratio is increased, the removal of pure water between the patterns is not performed well. To this end, recently, pure water is substituted on a substrate with a liquid organic solvent such as isopropyl alcohol, which is more volatile and has a lower surface tension than pure water, and then heated nitrogen gas is supplied to dry the substrate.

그러나 비극성인 유기용제와 극성인 순수가 혼합이 잘 이루어지지 않으므로, 순수를 액상의 유기용제로 치환하기 위해서는 장시간 동안 많은 양의 액상의 유기용제를 공급하여야 한다.However, since the nonpolar organic solvent and the polar pure water are not mixed well, in order to replace the pure water with the liquid organic solvent, a large amount of the organic solvent must be supplied for a long time.

종래의 건조공정은 기판 상의 순수를 비교적 표면장력이 작은 이소프로필 알코올 등의 유기용제로 치환한 뒤 이를 증발시키는 방식으로 이루어져왔다. The conventional drying process has been made by replacing the pure water on the substrate with an organic solvent such as isopropyl alcohol having a relatively low surface tension and then evaporating it.

그러나, 이러한 건조방식은 유기용제를 이용하더라도 선폭 30nm 이하의 미세한 회로패턴을 가지는 반도체소자에 대해서는 여전히 도괴현상(pattern collapse)을 유발하기 때문에, 최근 이러한 문제점을 극복할 수 있는 초임계 건조 공정(supercritical drying process)가 기존의 건조공정을 대체해 나가고 있는 추세이다.However, such a drying method still causes a pattern collapse for semiconductor devices having a fine circuit pattern having a line width of 30 nm or less, even when using an organic solvent, and thus, a supercritical drying process (supercritical) that can overcome this problem in recent years. The drying process is replacing the existing drying process.

본 발명의 일 과제는, 초임계 유체를 이용하여 기판의 패턴면은 물론 비패턴면을 균일하게 건조시키는 것이다.One object of the present invention is to uniformly dry the pattern surface of the substrate as well as the non-pattern surface using a supercritical fluid.

본 발명의 다른 과제는, 초임계 공정에서 기판의 리닝(leaning)현상을 방지하는 것이다.Another object of the present invention is to prevent the phenomenon of lining of the substrate in the supercritical process.

본 발명의 또 다른 과제는, 본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Another object of the present invention, the problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, the objects that are not mentioned are those having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs from the specification and the accompanying drawings. Will be clearly understood to him.

본 발명은 기판 건조 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate drying apparatus.

본 발명의 일 측면에 따르면, 세정 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징의 내부에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 상기 하우징으로 공정 유체를 공급하는 유체 공급 부재, 상기 유체 공급 부재와 상기 기판 지지 부재 사이에 배치되어 상기 공정 유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 제1 차단 부재, 상기 제1 차단 부재와 상기 유체 공급 부재 사이에 상기 제1 차단 부재와 이격되게 배치되는 제2 차단 부재 및 상기 하우징으로부터 상기 공정 유체를 배기하는 배기 부재를 포함하되, 상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재는 상기 공정 유체의 일부가 상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재 사이의 공간으로 이동되고, 나머지 일부가 상기 제2 차단 부재와 상기 유체 공급 부재가 연결된 상기 하우징 사이의 공간으로 이동되도록 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, a housing for providing a space in which a cleaning process is performed, a substrate support member provided inside the housing to support a substrate, a fluid supply member for supplying a process fluid to the housing, the fluid supply member And a first blocking member disposed between the substrate support member and the first blocking member spaced apart from the first blocking member and the fluid supply member to block the process fluid from being directly injected onto the substrate. A second blocking member and an exhaust member for exhausting the process fluid from the housing, wherein the first blocking member and the second blocking member comprise a portion of the process fluid between the first blocking member and the second blocking member. A space between the second blocking member and the housing to which the fluid supply member is connected; It may be provided to be moved to.

상기 유체 공급 부재는 상기 하우징의 하면에 제공되는 하부 유체 공급 부재를 포함하되, 상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재는 상기 기판 지지 부재와 상기 하부 유체 공급 부재 사이에 배치될 수 있다.The fluid supply member may include a lower fluid supply member provided on a lower surface of the housing, and the first blocking member and the second blocking member may be disposed between the substrate support member and the lower fluid supply member.

상기 유체 공급 부재는 상기 하우징의 상면에 제공되어 상기 공정 유체를 분사하는 상부 유체 공급 부재를 더 포함할 수 있다.The fluid supply member may further include an upper fluid supply member provided on an upper surface of the housing to inject the process fluid.

상기 제2 차단 부재는 중앙부에 상기 공정 유체가 통과하는 홀이 제공되고, 상기 제1 차단 부재는 상부에서 바라볼 때 상기 홀과 중첩되게 제공될 수 있다.The second blocking member may be provided with a hole through which the process fluid passes, and the first blocking member may be provided to overlap the hole when viewed from the top.

상기 제1 차단 부재의 반경은 상기 기판의 반경보다 크게 제공될 수 있다.The radius of the first blocking member may be provided larger than the radius of the substrate.

상기 제1 차단 부재는 상기 제2 차단 부재와 중첩된 영역에서 상기 공정 유체가 통과할 수 있는 홀을 가지지 않도록 제공될 수 있다.The first blocking member may be provided so as not to have a hole through which the process fluid may pass in an area overlapping with the second blocking member.

상기 제2 차단 부재는 중앙부에 리세스가 형성되고, 상기 제1 차단 부재는 상기 리세스 내에 위치할 수 있다.The second blocking member may have a recess formed in a central portion thereof, and the first blocking member may be located in the recess.

상기 상기 리세스는 상기 제2 차단 부재의 중심에서 멀어질수록 상향 경사되도록 형성되어, 상기 공정 유체를 상부로 이동되도록 유도할 수 있다.The recess may be inclined upward as the distance from the center of the second blocking member is increased, thereby inducing the process fluid to move upward.

상기 공정 유체는 초임계 유체(supercritical fluid)로 제공될 수 있다.The process fluid may be provided as a supercritical fluid.

상기 기판 지지 부재는 상기 기판의 저면 가장자리 영역을 지지하도록 제공될 수 있다.The substrate support member may be provided to support a bottom edge region of the substrate.

본 발명에 의하면, 기판의 상면과 하면의 양면으로 초임계 유체를 분사하여 기판의 전체영역을 건조시킬 수 있다.According to the present invention, the supercritical fluid can be injected onto both the upper and lower surfaces of the substrate to dry the entire region of the substrate.

본 발명에 의하면, 차단 부재가 초임계 유체가 기판에 직접 분사되는 것을 차단하여 초임계 유체에 의해 기판에 리닝현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention, the blocking member prevents the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate, thereby preventing the occurrence of lining on the substrate by the supercritical fluid.

본 발명에 의하면, 차단 부재가 초임계 유체의 이동경로를 복수개로 분리하여 하우징 내부에 초임계 유체의 압력을 분산시키고, 초임계 유체를 기판에 방사형으로 분사함으로써 기판을 균일하게 건조시킬 수 있다.According to the present invention, the blocking member can separate a plurality of moving paths of the supercritical fluid, disperse the pressure of the supercritical fluid inside the housing, and uniformly dry the substrate by spraying the supercritical fluid radially onto the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.
도 2는 기판 세정 장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1 공정 챔버의 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2 공정 챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 5는 기판 세정 방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 6은 기판 건조 방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 7 내지 도 11은 도 6의 기판 건조 방법의 동작도이다.1 is a graph relating to the phase change of carbon dioxide.
2 is a plan view of one embodiment of a substrate cleaning apparatus.
3 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber of FIG. 2.
5 is a flow chart of one embodiment of a substrate cleaning method.
6 is a flow chart of one embodiment of a substrate drying method.
7 to 11 is an operation of the substrate drying method of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 세정 장치(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the substrate cleaning apparatus 100 according to the present invention will be described.

기판 세정 장치(100)는 초임계 유체를 공정 유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계 공정을 수행할 수 있다.The substrate cleaning apparatus 100 may perform a supercritical process for treating the substrate S by using the supercritical fluid as the process fluid.

여기서, 기판(S)은 반도체 소자나 평판 디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘 웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다. Here, the substrate S is a comprehensive concept including a semiconductor device, a flat panel display (FPD), and other substrates used for manufacturing an article having a circuit pattern formed on a thin film. Examples of such a substrate S include various wafers, including silicon wafers, glass substrates, organic substrates, and the like.

초임계 유체란 임계온도와 임계압력을 초과한 초임계 상태에 도달하면 형성되는 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 상(phase)를 의미한다. 초임계 유체는 분자밀도는 액체에 가깝고, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가지며, 이에 따라 확산력, 침투력, 용해력이 매우 뛰어나 화학반응에 유리하고, 표면장력이 거의 없어 미세구조에 계면장력을 가하지 아니하는 특성을 가진다. Supercritical fluid refers to a phase having both the properties of a gas and a liquid that are formed when a critical temperature and a supercritical state exceeding a critical pressure are reached. Supercritical fluids have molecular densities close to liquids and viscosities close to gases, which are very effective in chemical reactions due to their excellent diffusivity, penetration, and solubility, and do not apply interfacial tension to microstructures because they have little surface tension. Has characteristics.

초임계 공정은 이러한 초임계 유체의 특성을 이용하여 수행되는데, 그 대표적인 예로는, 초임계 건조공정과 초임계 식각공정이 있다. 이하에서는 초임계 공정에 관하여 초임계 건조공정을 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판 세정 장치(100)는 초임계 건조공정 이외의 다른 초임계 공정을 수행할 수 있다. Supercritical processes are carried out using the properties of these supercritical fluids. Representative examples include supercritical drying processes and supercritical etching processes. Hereinafter, the supercritical process will be described based on the supercritical drying process. However, since this is only for ease of description, the substrate cleaning apparatus 100 may perform a supercritical process other than the supercritical drying process.

초임계 건조공정은 초임계 유체로 기판(S)의 회로패턴에 잔류하는 유기용제를 용해하여 기판(S)을 건조시키는 방식으로 수행될 수 있으며, 건조효율이 우수할 뿐 아니라 도괴현상을 방지할 수 있는 장점이 있다. 초임계 건조공정에 이용되는 초임계 유체로는 유기용제와 혼화성(混和性)이 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 초임계 이산화탄소(scCO2: supercritical carbon dioxide)가 초임계 유체로 사용될 수 있다.The supercritical drying process may be performed by dissolving the organic solvent remaining in the circuit pattern of the substrate S as a supercritical fluid to dry the substrate S, which is excellent in drying efficiency and prevents collapse. There are advantages to it. As the supercritical fluid used in the supercritical drying process, a material miscible with an organic solvent may be used. For example, supercritical carbon dioxide (scCO2) may be used as the supercritical fluid.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.1 is a graph relating to the phase change of carbon dioxide.

이산화탄소는 임계온도가 31.1℃이고, 임계압력이 7.38Mpa로 비교적 낮아 초임계 상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 상변화를 제어하기 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다. 또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지니며, 초임계 이산화탄소는 물이나 기타 유기용제와 비교하여 10~100배 가량 확산계수(diffusion coefficient)가 높아 침투가 빨라 유기용제의 치환이 빠르고, 표면장력이 거의 없어 미세한 회로패턴을 가지는 기판(S)의 건조에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성되는 것을 재활용할 수 있는 동시에 초임계 건조공정에 사용한 후 이를 기체로 전환시켜 유기용제를 분리하여 재사용하는 것이 가능해 환경오염의 측면에서도 부담이 적다.Carbon dioxide has a critical temperature of 31.1 ℃, the critical pressure of 7.38Mpa is relatively low, making it easy to supercritical state, easy to control the phase change by adjusting the temperature and pressure, and low cost. In addition, carbon dioxide is non-toxic and harmless to humans, has non-flammable and inert properties, and supercritical carbon dioxide has a diffusion coefficient of 10 to 100 times higher than water or other organic solvents, resulting in rapid penetration. The substitution of the solvent is quick, and there is little surface tension, which has advantageous properties for use in drying the substrate S having a fine circuit pattern. In addition, carbon dioxide can be recycled as a by-product of various chemical reactions, and can be used in a supercritical drying process, and then converted into a gas so that organic solvents can be separated and reused.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 세정 장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 초임계 건조공정을 포함하여 세정공정을 수행할 수 있다.Hereinafter, an embodiment of the substrate cleaning apparatus 100 according to the present invention will be described. The substrate cleaning apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may perform a cleaning process including a supercritical drying process.

도 2는 기판 세정 장치의 일 실시예의 평면도이다.2 is a plan view of one embodiment of a substrate cleaning apparatus.

도 2를 참조하면, 기판 세정 장치(100)는 인덱스 모듈(1000) 및 공정 모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate cleaning apparatus 100 includes an index module 1000 and a process module 2000.

인덱스 모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정 모듈(2000)로 기판(S)을 반송하고, 공정모듈(2000)은 초임계 건조공정을 수행할 수 있다. The index module 1000 may receive the substrate S from the outside and return the substrate S to the process module 2000, and the process module 2000 may perform a supercritical drying process.

인덱스 모듈(1000)은 설비 전 방단부 모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 이송 프레임(1200)을 포함한다. The index module 1000 is an equipment front end module (EFEM) and includes a load port 1100 and a transfer frame 1200.

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.In the load port 1100, a container C in which the substrate S is accommodated is placed. As the container C, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C may be carried in or out of the load port 1100 from the outside by an overhead transfer (OHT).

이송 프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정 모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송 프레임(1200)은 인덱스 로봇(1210) 및 인덱스 레일(1220)을 포함한다. 인덱스 로봇(1210)은 인덱스 레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The transfer frame 1200 conveys the substrate S between the container C placed on the load port 1100 and the process module 2000. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220. The index robot 1210 may move on the index rail 1220 and carry the substrate S. FIG.

공정 모듈(2000)은 실제로 공정을 수행하는 모듈로서, 버퍼 챔버(2100), 이송 챔버(2200), 제1 공정 챔버(3000) 및 제2 공정 챔버(4000)를 포함한다.The process module 2000 is a module that actually performs a process and includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 3000, and a second process chamber 4000.

버퍼 챔버(2100)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 챔버(2100)에는 기판(S)이 놓이는 버퍼 슬롯이 제공될 수 있다. 예를 들어, 인덱스 로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼 슬롯에 놓을 수 있고, 이송 챔버(2200)의 이송 로봇(2210)은 버퍼슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1 공정 챔버(3000)나 제2 공정 챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼 챔버(2100)에는 복수의 버퍼 슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다. The buffer chamber 2100 provides a space in which the substrate S, which is transferred between the index module 1000 and the process module 2000, temporarily stays. The buffer chamber 2100 may be provided with a buffer slot in which the substrate S is placed. For example, the index robot 1210 may withdraw the substrate S from the container C and place it in the buffer slot, and the transfer robot 2210 of the transfer chamber 2200 may place the substrate S placed in the buffer slot. The drawing may be transferred to the first process chamber 3000 or the second process chamber 4000. A plurality of buffer slots may be provided in the buffer chamber 2100 so that a plurality of substrates S may be placed.

이송 챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼 챔버(2100), 제1 공정 챔버(3000) 및 제2 공정 챔버(4000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송 챔버(2200)는 이송 로봇(2210) 및 이송 레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송 로봇(2210)은 이송 레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 transfers the substrate S between the buffer chamber 2100, the first process chamber 3000, and the second process chamber 4000 disposed around the transfer chamber 2200. The transfer chamber 2200 may include a transfer robot 2210 and a transfer rail 2220. The transfer robot 2210 may transfer the substrate S while moving on the transfer rail 2220.

제1 공정 챔버(3000)와 제2 공정 챔버(4000)는 세정 공정을 수행할 수 있다. 이때, 세정 공정은 제1 공정 챔버(3000)와 제2 공정 챔버(4000)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1 공정 챔버(3000)에서는 세정 공정 중 케미컬 공정, 린스 공정 및 유기용제 공정이 수행되고, 뒤이어 제2 공정 챔버(4000)에서는 초임계 건조 공정이 수행될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may perform a cleaning process. In this case, the cleaning process may be sequentially performed in the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000. For example, a chemical process, a rinse process, and an organic solvent process may be performed during the cleaning process in the first process chamber 3000, followed by a supercritical drying process in the second process chamber 4000.

이러한 제1 공정 챔버(3000)와 제2 공정 챔버(4000)는 이송 챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 제1 공정 챔버(3000)와 제2 공정 챔버(4000)는 이송 챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 are disposed on the side of the transfer chamber 2200. For example, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may be disposed to face each other on the other side of the transfer chamber 2200.

또한, 공정 모듈(2000)에는 제1 공정 챔버(3000)와 제2 공정 챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정 챔버들(3000, 4000)은 이송 챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. In addition, a plurality of first process chambers 3000 and second process chambers 4000 may be provided in the process module 2000. The plurality of process chambers 3000 and 4000 may be arranged in a line on the side of the transfer chamber 2200, stacked up and down, or a combination thereof.

물론, 제1 공정 챔버(3000)와 제2 공정 챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않고, 기판 세정 장치(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.Of course, the arrangement of the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 is not limited to the above-described example, and may be appropriately changed in consideration of various factors such as the footprint and process efficiency of the substrate cleaning apparatus 100. have.

이하에서는 제1 공정 챔버에 관하여 설명한다.Hereinafter, the first process chamber will be described.

도 3은 도 2의 제1 공정 챔버의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG. 2.

제1 공정 챔버(3000)는 케미컬 공정, 린스 공정 및 유기용제 공정을 수행할 수 있다. 물론, 제1 공정 챔버(3000)는 이들 공정 중 일부의 공정만을 선택적으로 수행할 수도 있다. 여기서, 케미컬 공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 린스 공정은 가판에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 유기용제 공정은 기판(S)에 유기용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 표면장력이 낮은 유기용제로 치환하는 공정이다. The first process chamber 3000 may perform a chemical process, a rinse process, and an organic solvent process. Of course, the first process chamber 3000 may selectively perform only some of these processes. Here, the chemical process is a process of removing foreign substances on the substrate S by providing a cleaner on the substrate S, and the rinsing process is a process of washing the detergent remaining on the substrate S by providing a rinse agent on the substrate. The organic solvent step is a step of providing an organic solvent to the substrate S to replace the rinse agent remaining between the circuit patterns of the substrate S with an organic solvent having a low surface tension.

도 3을 참조하면, 제1 공정 챔버(3000)는 지지 부재(3100), 노즐 부재(3200) 및 회수 부재(3300)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the first process chamber 3000 includes a support member 3100, a nozzle member 3200, and a recovery member 3300.

지지 부재(3100)는 기판(S)을 지지하고, 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지 부재(3100)는 지지 플레이트(3110), 지지 핀(3111), 처킹 핀(3112), 회전 축(3120) 및 회전 구동기(3130)를 포함할 수 있다. The support member 3100 may support the substrate S and rotate the supported substrate S. FIG. The support member 3100 may include a support plate 3110, a support pin 3111, a chucking pin 3112, a rotation shaft 3120, and a rotation driver 3130.

지지 플레이트(3110)는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가지며, 지지 플레이트(3110)의 상면에는 지지 핀(3111)과 처킹 핀(3112)이 형성된다. 지지 핀(3111)은 기판(S)을 지지하고, 처킹 핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. The support plate 3110 has an upper surface of the same or similar shape as the substrate S, and a support pin 3111 and a chucking pin 3112 are formed on the upper surface of the support plate 3110. The support pin 3111 may support the substrate S, and the chucking pin 3112 may fix the supported substrate S.

지지 플레이트(3110)의 하부에는 회전 축(3120)이 연결된다. 회전 축(3120)은 회전 구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지 플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지 플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 이때, 처킹 핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The rotating shaft 3120 is connected to the lower portion of the support plate 3110. The rotation shaft 3120 receives the rotational force from the rotation driver 3130 to rotate the support plate 3110. Accordingly, the substrate S mounted on the support plate 3110 may rotate. In this case, the chucking pins 3112 may prevent the substrate S from leaving the home position.

노즐 부재(3200)는 기판(S)에 약제를 분사한다. 노즐 부재(3200)는 노즐(3210), 노즐 바(3220), 노즐 축(3230) 및 노즐 축 구동기(3240)를 포함한다.The nozzle member 3200 injects a chemical onto the substrate S. The nozzle member 3200 includes a nozzle 3210, a nozzle bar 3220, a nozzle shaft 3230, and a nozzle shaft driver 3240.

노즐(3210)은 지지 플레이트(3110)에 안착된 기판(S)에 약제를 분사한다. 약제는 세정제, 린스제 또는 유기용제일 수 있다. 여기서, 세정제로는 과산화수소(H2O2)용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF)용액 등이 사용될 수 있다. 또, 린스제로는 순수가 사용될 수 있다. 또, 유기용제로는 이소프로필알코올을 비롯하여 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether)의 용액이나 가스가 사용될 수 있다.The nozzle 3210 injects a medicament onto the substrate S mounted on the support plate 3110. The agent may be a detergent, a rinse agent or an organic solvent. Here, the cleaning agent may be a solution in which ammonia (NH 4 OH), hydrochloric acid (HCl) or sulfuric acid (H 2 SO 4) is mixed with hydrogen peroxide (H 2 O 2) solution or hydrogen peroxide solution, or a hydrofluoric acid (HF) solution. In addition, pure water may be used as a rinse agent. As the organic solvent, isopropyl alcohol, ethyl glycol, 1-propanol, tetra hydraulic franc, 4-hydroxyl, 4-methyl, 2-pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol or dimethylether Gas can be used.

이러한 노즐(3210)은 노즐 바(3220)의 일단 저면에 형성된다. 노즐 바(3220)는 노즐 축(3230)에 결합되며, 노즐 축(3230)은 승강 또는 회전할 수 있도록 제공된다. 노즐 축 구동기(3240)는 노즐 축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다. The nozzle 3210 is formed at one bottom of the nozzle bar 3220. The nozzle bar 3220 is coupled to the nozzle shaft 3230, and the nozzle shaft 3230 is provided to be able to lift or rotate. The nozzle shaft driver 3240 may adjust the position of the nozzle 3210 by lifting or rotating the nozzle shaft 3230.

회수 부재(3300)는 기판(S)에 공급된 약제를 회수한다. 노즐 부재(3200)에 의해 기판(S)에 약제가 공급되면, 지지 부재(3100)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 약제가 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 약제가 비산하는데, 비산하는 약제는 회수 부재(3300)에 의해 회수될 수 있다. The recovery member 3300 recovers the medicine supplied to the substrate S. When the medicine is supplied to the substrate S by the nozzle member 3200, the support member 3100 may rotate the substrate S to uniformly supply the medicine to all regions of the substrate S. When the substrate S rotates, the medicament scatters from the substrate S, and the medicament scattering may be recovered by the recovery member 3300.

회수 부재(3300)는 회수통(3310), 회수 라인(3320), 승강바(3330) 및 승강 구동기(3340)를 포함할 수 있다. The recovery member 3300 may include a recovery container 3310, a recovery line 3320, a lifting bar 3330, and a lifting driver 3340.

회수통(3310)은 지지 플레이트(3110)를 감싸는 환형 링 형상으로 제공된다. 회수통(3310)은 복수일 수 있는데, 복수의 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 차례로 지지 플레이트(3110)로부터 멀어지는 링 형상으로 제공되며, 지지 플레이트(3110)로부터 먼 거리에 있는 회수통(3310)일수록 그 높이가 높도록 제공된다. 이에 따라 회수통(3310) 사이의 공간에 기판(S)으로부터 비산되는 약제가 유입되는 회수구(3311)가 형성된다. The recovery container 3310 is provided in an annular ring shape surrounding the support plate 3110. The recovery container 3310 may be plural, and the plurality of recovery container 3310 may be provided in a ring shape, which is sequentially away from the support plate 3110 when viewed from the top, and is located at a distance from the support plate 3110. 3310) is provided so that the height is higher. As a result, a recovery port 3311 through which the chemicals scattered from the substrate S flows into the space between the recovery containers 3310 is formed.

회수통(3310)의 하면에는 회수 라인(3320)이 형성된다. 회수 라인(3320)은 회수통(3310)으로 회수된 약제를 재생하는 약제재생시스템(미도시)로 공급한다.A recovery line 3320 is formed on the bottom surface of the recovery container 3310. The recovery line 3320 is supplied to a medicine regeneration system (not shown) for regenerating the medicine recovered in the recovery container 3310.

승강바(3330)는 회수통(3310)에 연결되어 승강 구동기(3340)로부터 동력을 전달받아 회수통(3310)을 상하로 이동시킨다. 승강바(3330)는 회수통(3310)이 복수인 경우 최외곽에 배치된 회수통(3310)에 연결될 수 있다. 승강 구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 회수통(3310)을 승강시켜 복수의 회수구(3311) 중 비산하는 약제가 유입되는 회수구(3311)를 조절할 수 있다.The lifting bar 3330 is connected to the recovery container 3310 to receive power from the lifting driver 3340 to move the recovery container 3310 up and down. The lifting bar 3330 may be connected to the recovery container 3310 disposed at the outermost part when the recovery container 3310 is plural. The lift driver 3340 may adjust the recovery port 3311 through which the chemicals scattered among the plurality of recovery ports 3311 are lifted by elevating the recovery container 3310 through the lifting bar 3330.

이하에서는 제2 공정 챔버(4000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the second process chamber 4000 will be described.

제2 공정 챔버(4000)는 초임계 유체를 이용하여 초임계 건조공정을 수행할 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이, 제2 공정 챔버(4000)에서 수행되는 공정은 초임계 건조공정 이외에 다른 초임계 공정일 수도 있으며, 나아가, 제2 공정 챔버(4000)는 초임계 유체 대신 다른 공정유체를 이용하여 공정을 수행할 수도 있을 것이다.The second process chamber 4000 may perform a supercritical drying process using a supercritical fluid. Of course, as described above, the process performed in the second process chamber 4000 may be another supercritical process in addition to the supercritical drying process, and furthermore, the second process chamber 4000 may use another process fluid instead of the supercritical fluid. May be used to carry out the process.

이하에서는 제2 공정 챔버의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the second process chamber will be described.

도 4는 도 2의 제2 공정 챔버의 일 실시예의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber of FIG. 2.

도 4를 참조하면, 제2 공정 챔버(4000)는 하우징(4100), 승강 부재(4200), 기판 지지 부재(4300), 가열 부재(4400), 유체 공급 부재(4500), 제1 차단 부재(4610), 제2 차단 부재(4620) 및 배기 부재(4700)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the second process chamber 4000 may include a housing 4100, a lifting member 4200, a substrate support member 4300, a heating member 4400, a fluid supply member 4500, and a first blocking member ( 4610, a second blocking member 4620, and an exhaust member 4700.

하우징(4100)은 초임계 건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The housing 4100 provides a space in which the supercritical drying process is performed. The housing 4100 is provided of a material that can withstand high pressures above the critical pressure.

하우징(4100)은 상부 하우징(4110)과 상부 하우징(4110)의 하부에 배치되는 하부 하우징(4120)을 구비하여 상하부로 구분되는 구조로 제공될 수 있다. The housing 4100 may include a top housing 4110 and a bottom housing 4120 disposed below the top housing 4110, and may be provided in a top and bottom structure.

상부 하우징(4110)은 고정되어 설치되며, 하부 하우징(4120)은 승강할 수 있다. 하부 하우징(4120)이 하강하여 상부 하우징(4110)으로부터 이격되면 제2 공정 챔버(4000)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 제2 공정 챔버(4000)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2 공정 챔버(4000)로 반입되는 기판(S)은 제1 공정 챔버(3000)에서 유기용제 공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부 하우징(4120)이 상승하여 상부 하우징(4110)에 밀착되면 제2 공정 챔버(4000)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계 건조공정이 수행될 수 있다. 물론, 상술한 예와 달리 하우징(4100)에서 하부 하우징(4120)이 고정되어 설치되고, 상부 하우징(4110)이 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The upper housing 4110 is fixedly installed and the lower housing 4120 may be elevated. When the lower housing 4120 descends and is spaced apart from the upper housing 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is opened, and the substrate S is carried into the inner space of the second process chamber 4000 or the inner space. Can be exported from. Here, the substrate S loaded into the second process chamber 4000 may be in a state in which the organic solvent remains after the organic solvent process in the first process chamber 3000. In addition, when the lower housing 4120 is raised to be in close contact with the upper housing 4110, the inner space of the second process chamber 4000 may be sealed, and a supercritical drying process may be performed therein. Of course, unlike the above example, the lower housing 4120 may be fixedly installed in the housing 4100, and the upper housing 4110 may be provided in a structure in which the upper housing 4110 is elevated.

승강 부재(4200)는 하부 하우징(4120)을 승강시킨다. 승강 부재(4200)는 승강 실린더(4210) 및 승강 로드(4220)를 포함할 수 있다. 승강 실린더(4210)는 하부 하우징(4120)에 결합되어 상하방향의 구동력, 즉 승강력(乘降力)을 발생시킨다. 승강 실린더(4210)는 초임계 건조공정이 수행되는 동안 제2 공정 챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상부 하우징(4110)과 하부 하우징(4120)을 밀착시켜 제2 공정 챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강 실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상부 하우징(4110)에 결합된다. 이러한 구조에 따라 승강 실린더(4210)에서 구동력이 발생하면, 승강 실린더(4210)와 승강 로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강 실린더(4210)에 결합된 하부 하우징(4120)이 승강될 수 있다. 또한 승강 실린더(4210)에 의해 하부 하우징(4120)이 승강하는 동안 승강 로드(4220)는 상부 하우징(4110)과 하부 하우징(4120)이 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강방향을 안내하여, 상부 하우징(4110)과 하부 하우징(4120)이 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The lifting member 4200 lifts the lower housing 4120. The lifting member 4200 may include a lifting cylinder 4210 and a lifting rod 4220. The lifting cylinder 4210 is coupled to the lower housing 4120 to generate driving force in the vertical direction, that is, lifting force. The elevating cylinder 4210 overcomes the high pressure above the critical pressure in the second process chamber 4000 while the supercritical drying process is performed, and the upper housing 4110 and the lower housing 4120 are in close contact with each other to form the second process chamber 4000. ) Generates a driving force that can be sealed. One end of the elevating rod 4220 is inserted into the elevating cylinder 4210 and extended vertically, and the other end thereof is coupled to the upper housing 4110. According to this structure, when a driving force is generated in the elevating cylinder 4210, the elevating cylinder 4210 and the elevating rod 4220 may be relatively elevated to lower the lower housing 4120 coupled to the elevating cylinder 4210. In addition, the lifting rod 4220 prevents the upper housing 4110 and the lower housing 4120 from moving in the horizontal direction while the lower housing 4120 is lifted and lowered by the lifting cylinder 4210, and guides the lifting direction. The housing 4110 and the lower housing 4120 may be prevented from being separated from each other in place.

다른 실시예에 의하면 하우징(4100)은 일측에 개구가 형성되는 단일한 하우징(4100)으로 제공될 수 있다. 하우징(4100)은 도어(미도시)를 더 포함한다. 도어(미도시)는 상하방향으로 승강하여 개구를 개폐하고, 하우징을 밀폐할 수 있다.According to another embodiment, the housing 4100 may be provided as a single housing 4100 having an opening formed at one side thereof. The housing 4100 further includes a door (not shown). The door (not shown) may be lifted in the vertical direction to open and close the opening and seal the housing.

기판 지지 부재(4300)는 상부 하우징(4110)과 하부 하우징(4120)의 사이에 기판(S)을 지지한다. 기판 지지 부재(4300)는 상부 하우징(4110)의 하면에 설치되어 수직하방으로 연장되고, 그 하단에서 수평방향으로 수직하게 절곡되는 구조로 제공될 수 있다. 이에 따라 기판 지지 부재(4300)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 이처럼 기판 지지 부재(4300)가 기판(S)의 가장자리 영역에 접촉하여 기판(S)을 지지하므로 기판(S) 상면 전체영역과 하면의 대부분의 영역에 대해서 초임계 건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다. 또, 기판 지지 부재(4300)는 고정되어 설치되는 상부 하우징(4110)에 설치되므로 하부 하우징(4120)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. The substrate supporting member 4300 supports the substrate S between the upper housing 4110 and the lower housing 4120. The substrate support member 4300 may be provided on a lower surface of the upper housing 4110 and extend vertically downward, and be bent in a horizontal direction at the lower end thereof. Accordingly, the substrate support member 4300 may support the edge region of the substrate S. FIG. As such, since the substrate support member 4300 contacts the edge region of the substrate S to support the substrate S, a supercritical drying process may be performed on the entire region of the upper surface of the substrate S and most of the regions of the lower surface of the substrate S. Here, the upper surface of the substrate S may be a patterned surface, and the lower surface of the substrate S may be a non-patterned surface. In addition, since the substrate support member 4300 is installed in the upper housing 4110 that is fixedly installed, the substrate support member 4300 may support the substrate S relatively stably while the lower housing 4120 is elevated.

이처럼 기판 지지 부재(4300)가 설치되는 상부 하우징(4110)에는 수평 조정 부재(4111)이 설치될 수 있다. 수평 조정 부재(4111)는 상부 하우징(4110)의 수평도(水平度)을 조정한다. 상부 하우징(4110)의 수평도가 조정되면 그에 따라 상부 하우징(4111)에 설치된 기판 지지 부재(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계 건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평 조정 부재(4111)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 물론, 상부 하우징(4110)이 승강되고 하부 하우징(4120)이 고정되어 설치되거나 기판 지지 부재(4300)가 하부 하우징(4120)에 설치되는 경우에는 수평 조정 부재(4111)는 하부 하우징(4120)에 설치될 수도 있을 것이다.As such, the horizontal adjustment member 4111 may be installed in the upper housing 4110 where the substrate support member 4300 is installed. The horizontal adjustment member 4111 adjusts the horizontality of the upper housing 4110. When the level of the upper housing 4110 is adjusted, the level of the substrate S seated on the substrate supporting member 4300 installed in the upper housing 4111 may be adjusted accordingly. In the supercritical drying process, when the substrate S is inclined, the organic solvent remaining on the substrate S flows through the inclined surface, and a specific portion of the substrate S is not dried or is overdried to damage the substrate S. Can be. The horizontal adjusting member 4111 can prevent the problem by leveling the substrate S. FIG. Of course, when the upper housing 4110 is elevated and the lower housing 4120 is fixedly installed or the substrate supporting member 4300 is installed in the lower housing 4120, the horizontal adjusting member 4111 is attached to the lower housing 4120. It may be installed.

가열 부재(4400)는 제2 공정 챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열 부재(4400)는 제2 공정 챔버(4000) 내부에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계 유체가 되도록 할 수 있다. 가열 부재(4400)는 상부 하우징(4110) 및 하부 하우징(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 이러한 가열 부재(4400)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 4400 heats the interior of the second process chamber 4000. The heating member 4400 may heat the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 above a critical temperature to maintain the supercritical fluid or to become a supercritical fluid when the liquid is liquefied. The heating member 4400 may be embedded in a wall of at least one of the upper housing 4110 and the lower housing 4120. The heating member 4400 may be provided as, for example, a heater that generates heat by receiving power from the outside.

유체 공급 부재(4500)는 제2 공정 챔버(4000)로 초임계 유체를 공급한다. 유체 공급 부재(4500)는 초임계 유체를 공급하는 공급 라인(4550)에 연결될 수 있다. 이때, 유체 공급 부재(4500)에는 공급 라인(4550)으로부터 공급되는 초임계 유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The fluid supply member 4500 supplies the supercritical fluid to the second process chamber 4000. The fluid supply member 4500 may be connected to a supply line 4550 for supplying a supercritical fluid. In this case, the fluid supply member 4500 may be provided with a valve for adjusting the flow rate of the supercritical fluid supplied from the supply line 4550.

유체 공급 부재(4500)는 하우징 상면에 연결된 상부 유체 공급 부재(4510) 및 하우징 하면에 연결된 하부 유체 공급 부재(4520)를 포함할 수 있다. 상부 유체 공급 부재(4510)는 상부 하우징(4110)에 형성되어 기판 지지 부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 상면으로 초임계 유체를 공급한다. 하부 유체 공급 부재(4520)는 하부 하우징(4120)에 형성되어 기판 지지 부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 하면으로 초임계 유체를 공급한다. The fluid supply member 4500 may include an upper fluid supply member 4510 connected to the upper surface of the housing and a lower fluid supply member 4520 connected to the lower surface of the housing. The upper fluid supply member 4510 is formed in the upper housing 4110 to supply the supercritical fluid to the upper surface of the substrate S supported by the substrate support member 4300. The lower fluid supply member 4520 is formed in the lower housing 4120 to supply the supercritical fluid to the lower surface of the substrate S supported by the substrate support member 4300.

유체 공급 부재(4500)는 기판(S)의 중앙영역으로 초임계 유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 상부 유체 공급 부재(4510)는 기판 지지 부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직상방에 위치할 수 있다. 또, 하부 유체 공급 부재(4520)는 기판 지지 부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직하방에 위치할 수 있다. 이에 따라 유체 공급 부재(4500)로 분사되는 초임계 유체가 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)의 전 영역에 균일하게 제공될 수 있을 것이다.The fluid supply member 4500 may inject a supercritical fluid into the central region of the substrate S. FIG. For example, the upper fluid supply member 4510 may be located vertically above the center of the substrate S supported by the substrate support member 4300. In addition, the lower fluid supply member 4520 may be located vertically downward from the center of the substrate S supported by the substrate support member 4300. Accordingly, the supercritical fluid injected into the fluid supply member 4500 may reach the center region of the substrate S and spread to the edge region to be uniformly provided to the entire region of the substrate S. FIG.

이러한 상부 유체 공급 부재(4510) 및 하부 유체 공급 부재(4520)에서는 먼저 하부 유체 공급 부재(4520)가 초임계 유체를 공급하고, 나중에 상부 유체 공급 부재(4510)가 초임계 유체를 공급할 수 있다. 초임계 건조공정은 초기에 제2 공정 챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에 제2 공정 챔버(4000)의 내부로 공급되는 초임계 유체는 액화될 수 있다. 따라서, 초임계 건조공정의 초기에 상부 유체 공급 부재(4510)로 초임계 유체가 공급되는 경우에는 초임계 유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 상부 유체 공급 부재(4510)는 하부 유체 공급 부재(4520)를 통해 제2 공정 챔버(4000)로 초임계 유체가 공급되어 제2 공정 챔버(4000)의 내부압력이 임계압력에 도달하면 초임계 유체의 공급을 시작하여, 공급되는 초임계 유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. In the upper fluid supply member 4510 and the lower fluid supply member 4520, the lower fluid supply member 4520 may supply a supercritical fluid first, and later the upper fluid supply member 4510 may supply a supercritical fluid. Since the supercritical drying process may be initially performed while the inside of the second process chamber 4000 is less than the critical pressure, the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 may be liquefied. Therefore, when the supercritical fluid is supplied to the upper fluid supply member 4510 at the beginning of the supercritical drying process, the supercritical fluid may be liquefied and fall to the substrate S by gravity to damage the substrate S. . When the upper fluid supply member 4510 is supplied with the supercritical fluid to the second process chamber 4000 through the lower fluid supply member 4520, and the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches a critical pressure, the supercritical fluid is supplied. By starting the supply of, the supercritical fluid supplied can be prevented from liquefying and falling to the substrate S.

차단 부재(4600)는 제1 차단 부재(4610)와 제2 차단 부재(4620)을 포함한다. 제1 차단 부재(4610)는 유체 공급 부재(4500)를 통해 공급되는 초임계 유체가 기판(S)에 바로 분사되는 것을 차단한다. 제1 차단 부재(4610)는 제1 차단 플레이트(4611)와 제1 지지대(4612)를 포함할 수 있다.The blocking member 4600 includes a first blocking member 4610 and a second blocking member 4620. The first blocking member 4610 prevents the supercritical fluid supplied through the fluid supply member 4500 from being directly injected onto the substrate S. The first blocking member 4610 may include a first blocking plate 4611 and a first support 4612.

제1 차단 플레이트(4611)는 유체 공급 부재(4500)와 기판 지지 부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 사이에 배치된다. 예를 들어, 제1 차단 플레이트(4611)는 하부 유체 공급 부재(4520)와 기판 지지 부재(4300)의 사이에 배치되어, 기판(S)의 하방에 위치할 수 있다. 이러한 제1 차단 플레이트(4611)는 하부 유체 공급 부재(4520)를 통해 공급되는 초임계 유체가 기판(S)의 하면에 직접적으로 분사되는 것을 방지할 수 있다. The first blocking plate 4611 is disposed between the fluid supply member 4500 and the substrate S supported by the substrate support member 4300. For example, the first blocking plate 4611 may be disposed between the lower fluid supply member 4520 and the substrate support member 4300, and positioned below the substrate S. The first blocking plate 4611 may prevent the supercritical fluid supplied through the lower fluid supply member 4520 from being injected directly onto the bottom surface of the substrate S. FIG.

이러한 제1 차단 플레이트(4611)는 그 반경이 기판(S)과 유사하거나 더 크게 제공될 수 있다. 이러한 경우에는 제1 차단 플레이트(4611)가 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 완벽히 차단할 수 있을 것이다. 한편, 제1 차단 플레이트(4611)는 그 반경이 기판(S)보다 작게 제공될 수도 있다. 이 경우에는 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하면서도 초임계 유체의 유속을 최소한으로 저하시켜 기판(S)에 초임계 유체가 비교적 쉽게 도달하여 기판(S)에 대한 초임계 건조공정이 효과적으로 진행될 수 있을 것이다.The first blocking plate 4611 may be provided with a radius similar to or larger than that of the substrate S. FIG. In this case, the first blocking plate 4611 may completely block the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate S. On the other hand, the radius of the first blocking plate 4611 may be provided smaller than the substrate (S). In this case, while the supercritical fluid is directly prevented from being injected directly onto the substrate S, the flow rate of the supercritical fluid is reduced to a minimum, so that the supercritical fluid reaches the substrate S relatively easily so that the supercritical drying on the substrate S is performed. The process will be able to proceed effectively.

제1 지지대(4612)는 제1 차단 플레이트(4611)를 지지한다. 즉, 제1 차단 플레이트(4611)는 제1 지지대(4612)의 일단에 놓여질 수 있다. 이러한 제1 지지대(4612)는 하우징(4100)의 하면으로부터 연직상방으로 연장될 수 있다. 제1 지지대(4612)와 제1 차단 플레이트(4611)는 별도의 결합없이 단순히 제1 차단 플레이트(4611)가 중력에 의해 제1 지지대(4612)에 놓여지도록 설치될 수 있다. 제1 지지대(4612)와 제1 차단 플레이트(4611)가 너트나 볼트 등의 결합수단에 의해 결합되는 경우에는, 침투력이 뛰어난 초임계 유체가 그 사이에 침투한 뒤 오염물질을 발생시킬 수 있다. 물론, 제1 지지대(4612)와 제1 차단 플레이트(4611)는 일체로 제공될 수도 있을 것이다.The first support 4612 supports the first blocking plate 4611. That is, the first blocking plate 4611 may be placed at one end of the first support 4612. The first support 4612 may extend vertically upward from the lower surface of the housing 4100. The first support 4612 and the first blocking plate 4611 may be installed such that the first blocking plate 4611 is placed on the first support 4612 by gravity without additional coupling. When the first support 4612 and the first blocking plate 4611 are coupled by a coupling means such as a nut or a bolt, a supercritical fluid having excellent penetration force may penetrate therebetween to generate contaminants. Of course, the first support 4612 and the first blocking plate 4611 may be integrally provided.

제2 차단 부재(4620)는 제1 차단 부재(4610)을 우회하는 초임계 유체의 이동경로를 복수개로 유도한다. 제2 차단 부재(4620)는 제2 차단 플레이트(4621)와 제2 지지대(4622)를 포함할 수 있다.The second blocking member 4620 induces a plurality of movement paths of the supercritical fluid bypassing the first blocking member 4610. The second blocking member 4620 may include a second blocking plate 4641 and a second support 4462.

제2 차단 플레이트(4621)는 유체 공급 부재(4500)와 제2 차단 부재(4620)의 사이에 배치된다. 이러한 제2 차단 플레이트(4621)는 반경이 제1 차단 플레이트(4611)보다 크게 제공되고, 중앙부에는 제2 차단 부재(4620)의 반경보다 반경이 작은 홀이 제공된다. 또한 제2 차단 플레이트(4621)는 중앙부에 리세스가 형성된다. 제1 차단 플레이트(4611)는 제2 차단 플레이트(4621)의 리세스 내에 위치할 수 있다. 유체 공급 부재(4500)에서 공급된 초임계 유체가 제2 차단 플레이트(4621) 중앙부의 홀을 통하여 제1 차단 플레이트(4611)로 직접 이동되나, 제1 차단 플레이트(4611)를 통과하지 못하고 우회하게 된다. 이후 제1 차단 플레이트(4611)를 우회하는 초임계 유체가 그중 일부는 제2 차단 플레이트(4621)의 상측으로, 나머지 일부는 제2 차단 플레이트(4621)의 하측으로 이동할 수 있다. 이러한 경우 제2 차단 플레이트(4621)의 상측으로 이동하는 초임계 유체는 제2 차단 플레이트(4621)의 리세스 가장자리의 경사면을 따라 상측으로 이동된다. 제2 차단 플레이트(4621)의 하측으로 이동하는 초임계 유체는 하우징 내벽을 따라 상승하여 제2 차단 플레이트(4621)의 상측으로 이동하는 초임계 유체보다 더 상측으로 이동될 수 있다. 제2 차단 플레이트(4621)를 통해 초임계 유체의 이동경로를 복수개로 유도함으로써, 초임계 유체의 압력이 분산되고 이로써 기판(S)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 이동경로가 분리된 초임계 유체가 기판(S)에 방사형으로 균일하게 분사됨으로써, 기판(S) 전체 영역이 균일하게 건조될 수 있다.The second blocking plate 4641 is disposed between the fluid supply member 4500 and the second blocking member 4620. The second blocking plate 4641 has a radius larger than that of the first blocking plate 4611, and a hole having a smaller radius than the radius of the second blocking member 4620 is provided at the center thereof. In addition, a recess is formed in the center of the second blocking plate 4641. The first blocking plate 4611 may be located in a recess of the second blocking plate 4641. The supercritical fluid supplied from the fluid supply member 4500 is moved directly to the first blocking plate 4611 through the hole in the center of the second blocking plate 4462, but does not pass through the first blocking plate 4611 and bypasses it. do. Thereafter, a supercritical fluid bypassing the first blocking plate 4611 may move to some of the upper portion of the second blocking plate 4641 and the other of the supercritical fluid below the second blocking plate 4641. In this case, the supercritical fluid moving upward of the second blocking plate 4462 is moved upward along the inclined surface of the recess edge of the second blocking plate 4462. The supercritical fluid moving downward of the second blocking plate 4641 may move upwards than the supercritical fluid moving along the inner wall of the housing and moving upward of the second blocking plate 4462. By guiding a plurality of motion paths of the supercritical fluid through the second blocking plate 4641, the pressure of the supercritical fluid is dispersed, thereby preventing damage to the substrate S. In addition, since the supercritical fluid in which the movement path is separated is radially uniformly sprayed onto the substrate S, the entire region of the substrate S may be uniformly dried.

제2 지지대(4622)는 제2 차단 플레이트(4621)를 지지한다. 즉, 제2 차단 플레이트(4621)는 제2 지지대(4622)의 일단에 놓여질 수 있다. 이러한 제2 지지대(4622)는 하우징(4100)의 하면으로부터 연직상방으로 연장될 수 있다. 제2 지지대(4622)를 통해 제2 차단 플레이트(4621)가 하우징(4100) 하면과 제1 차단 플레이트(4611)로부터 일정한 간격으로 이격되어 초임계 유체가 이동할 수 있는 공간이 마련된다. 제2 지지대(4622)와 제2 차단 플레이트(4621)는 별도의 결합없이 단순히 제2 차단 플레이트(4621)가 중력에 의해 제2 지지대(4622)에 놓여지도록 설치될 수 있다. 제2 지지대(4622)와 제2 차단 플레이트(4610)가 너트나 볼트 등의 결합수단에 의해 결합되는 경우에는, 침투력이 뛰어난 초임계 유체가 그 사이에 침투한 뒤 오염물질을 발생시킬 수 있다. 물론, 제2 지지대(4622)와 제2 차단 플레이트(4621)는 일체로 제공될 수도 있을 것이다.The second support 4462 supports the second blocking plate 4641. That is, the second blocking plate 4462 may be placed at one end of the second support 4462. The second support 4462 may extend vertically above the lower surface of the housing 4100. The second blocking plate 4462 is spaced apart from the lower surface of the housing 4100 and the first blocking plate 4611 at a predetermined interval through the second support 4462, thereby providing a space in which the supercritical fluid can move. The second support plate 4462 and the second blocking plate 4462 may be installed such that the second blocking plate 4462 is simply placed on the second support 4462 by gravity without additional coupling. When the second support 4462 and the second blocking plate 4610 are coupled by a coupling means such as a nut or a bolt, a supercritical fluid having excellent penetration force may penetrate therebetween to generate contaminants. Of course, the second support 4462 and the second blocking plate 4462 may be integrally provided.

초임계 건조공정의 초기에 하부 유체 공급 부재(4520)를 통해 초임계 유체가 공급되는 경우에는, 하우징(4500)의 내부기압이 낮은 상태이므로 공급되는 초임계 유체가 빠른 속도로 분사될 수 있다. 이처럼 빠른 속도로 분사되는 초임계 유체가 기판(S)에 직접적으로 도달하게 되면, 초임계 유체의 물리적인 압력에 의해 초임계 유체가 기판(S) 중 직접 분사되는 부분이 휘어 리닝현상이 발생할 수 있다. 또한, 초임계 유체의 분사력에 의해 기판(S)이 요동하여 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 흘러 기판(S)의 회로패턴에 손상이 발생할 수도 있다. When the supercritical fluid is supplied through the lower fluid supply member 4520 at the beginning of the supercritical drying process, since the internal air pressure of the housing 4500 is low, the supercritical fluid supplied may be injected at a high speed. When the supercritical fluid sprayed at such a high speed reaches the substrate S directly, the supercritical fluid may be directly sprayed in the substrate S due to the physical pressure of the supercritical fluid, thereby causing a lining phenomenon. have. In addition, the substrate S may be shaken due to the injection force of the supercritical fluid, and the organic solvent remaining on the substrate S may flow to damage the circuit pattern of the substrate S.

따라서, 하부 유체 공급 부재(4520)와 기판 지지 부재(4300)의 사이에 배치된 제1 차단 플레이트(4611)는 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하여 초임계 유체의 물리적 힘에 의해 기판(S)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한 제2 차단 플레이트(4621)는 초임계 유체의 이동경로를 복수로 하여 초임계 유체의 압력을 낮추고, 초임계 유체를 기판(S)전체 영역에 균일하게 제공함으로써 초임계 건조공정이 효과적으로 진행될 수 있다.Accordingly, the first blocking plate 4611 disposed between the lower fluid supply member 4520 and the substrate support member 4300 blocks the supercritical fluid from being directly injected into the substrate S, thereby causing the physical force of the supercritical fluid. This can prevent damage to the substrate S. In addition, the second blocking plate 4641 may reduce the pressure of the supercritical fluid by providing a plurality of paths of the supercritical fluid, and uniformly provide the supercritical fluid to the entire region of the substrate S, thereby effectively performing the supercritical drying process. have.

물론, 차단 플레이트(4611, 4621)의 위치가 하부 유체 공급 부재(4520)와 기판 지지 부재(4300)의 사이로 한정되는 것은 아니다. Of course, the positions of the blocking plates 4611 and 4621 are not limited between the lower fluid supply member 4520 and the substrate support member 4300.

다만, 차단 플레이트(4611, 4621)들이 유체 공급 부재(4500)에서 분사되는 초임계 유체가 기판(S)에 도달하는 경로 상에 배치되는 경우에는 초임계 유체가 기판(S)에 도달하는 효율이 저하되므로, 차단 플레이트(4611, 4621)들을 배치하는 위치는 초임계 유체에 의해 기판(S)이 손상되는 정도와 초임계 유체가 기판(S)에 전달되어 기판(S)이 건조되는 정도를 고려하여 설치할 수 있다. However, when the blocking plates 4611 and 4621 are disposed on the path where the supercritical fluid injected from the fluid supply member 4500 reaches the substrate S, the efficiency of the supercritical fluid reaching the substrate S may be reduced. Since the lowering positions of the blocking plates 4611 and 4621 are taken into consideration, the degree to which the substrate S is damaged by the supercritical fluid and the degree to which the supercritical fluid is transferred to the substrate S and the substrate S is dried are considered. Can be installed.

특히, 제2 공정 챔버(4000)에 복수의 유체 공급 부재(4500)가 제공되는 경우에는 초임계 건조공정의 초기에 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 부재(4500)에서 분사되는 초임계 유체가 직접 기판(S)에 분사되는 이동경로 상에 차단 플레이트(4611, 4621)들을 배치하는 것이 유리할 수 있다. In particular, when the plurality of fluid supply members 4500 are provided in the second process chamber 4000, the supercritical fluid injected from the fluid supply member 4500 which supplies the supercritical fluid at the beginning of the supercritical drying process is directly It may be advantageous to arrange the blocking plates 4611 and 4621 on the movement path sprayed onto the substrate S. FIG.

배기 부재(4700)는 제2 공정 챔버(4000)로부터 초임계 유체를 배기한다. 배기 부재(4700)는 초임계 유체를 배기하는 배기 라인(4750)에 연결될 수 있다. 이때, 배기 부재(4700)에는 배기 라인(4750)으로 배기하는 초임계 유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. 배기 라인(4750)을 통해 배기되는 초임계 유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계 유체 재생 시스템(미도시)로 공급될 수 있다. The exhaust member 4700 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. Exhaust member 4700 may be connected to exhaust line 4750 for exhausting the supercritical fluid. At this time, the exhaust member 4700 may be provided with a valve for adjusting the flow rate of the supercritical fluid to be exhausted to the exhaust line (4750). Supercritical fluid exhausted through exhaust line 4750 may be released into the atmosphere or supplied to a supercritical fluid regeneration system (not shown).

배기 부재(4700)는 하부 하우징(4120)에 형성될 수 있다. 초임계 건조공정의 후기에는 제2 공정 챔버(4000)로부터 초임계 유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 강압되어 초임계 유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계 유체는 중력에 의해 하부 하우징(4120)에 형성된 배기 부재(4700)를 통해 배출될 수 있다.The exhaust member 4700 may be formed in the lower housing 4120. In the later stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid is exhausted from the second process chamber 4000, and the internal pressure of the supercritical fluid is forced to be below the critical pressure to liquefy the supercritical fluid. The liquefied supercritical fluid may be discharged through the exhaust member 4700 formed in the lower housing 4120 by gravity.

이상에서는 본 발명에 따른 기판 세정 장치(100)가 기판(S)에 초임계 유체를 공급하여 기판을 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판 세정 장치(100)가 반드시 이러한 초임계 공정을 수행하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판 세정 장치(100)의 제2 공정 챔버(4000)는 유체 공급 부재(4500)로 초임계 유체를 대신 다른 공정 유체를 공급하여 기판(S)을 처리할 수도 있을 것이다. 이러한 경우에는, 공정 유체로 초임계 유체 대신 유기용제나 그 밖의 다양한 성분의 가스, 플라즈마 가스, 불활성 가스 등이 사용될 수 있을 것이다. Although the substrate cleaning apparatus 100 according to the present invention has been described as supplying a supercritical fluid to the substrate S to process the substrate, the substrate cleaning apparatus 100 according to the present invention necessarily performs such a supercritical process. It is not limited to doing. Therefore, the second process chamber 4000 of the substrate cleaning apparatus 100 may process the substrate S by supplying another process fluid instead of the supercritical fluid to the fluid supply member 4500. In this case, an organic solvent or gas of various components, plasma gas, inert gas, or the like may be used as the process fluid instead of the supercritical fluid.

또한, 기판 세정 장치(100)는 그 구성요소를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 가열 부재(4400)를 제어하여 하우징(4100)의 내부온도를 조절할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어기는 노즐 부재(2320), 공급 라인(4550)이나 배기 라인(4750)에 설치된 밸브를 제어하여 약제나 초임계 유체의 유량을 조절할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 승강 부재(4200)나 가압 부재(4800)를 제어하여 하우징(4100)을 개방하거나 밀폐할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 상부 유체 공급 부재(4110)과 하부 유체 공급 부재(4120) 중 어느 하나가 먼저 초임계 유체를 공급하기 시작한 뒤 제2 공정 챔버(4000)의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면, 다른 하나가 초임계 유체를 공급하기 시작하도록 제어할 수도 있다.In addition, the substrate cleaning apparatus 100 may further include a controller for controlling the components thereof. For example, the controller may control the heating member 4400 to adjust the internal temperature of the housing 4100. For another example, the controller may control a valve installed in the nozzle member 2320, the supply line 4550 or the exhaust line 4750 to adjust the flow rate of the drug or supercritical fluid. In another example, the controller may control the lifting member 4200 or the pressing member 4800 to open or close the housing 4100. As another example, the controller may be configured such that any one of the upper fluid supply member 4110 and the lower fluid supply member 4120 first starts supplying the supercritical fluid, and then the internal pressure of the second process chamber 4000 is preset. Once reached, the other may be controlled to begin supplying the supercritical fluid.

이러한 제어기는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다. Such a controller may be implemented in a computer or similar device using hardware, software or a combination thereof.

하드웨어적으로 제어기는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors), 마이크로콘트롤러(micro-controllers), 마이크로프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어기능을 수행하는 전기적인 장치로 구현될 수 있다.In terms of hardware, controllers include application specific integrated circuits (ASICs), digital signal processors (DSPs), digital signal processing devices (DSPDs), programmable logic devices (PLDs), field programmable gate arrays (FPGAs), processors, and microcontrollers. It can be implemented as micro-controllers, microprocessors or electrical devices that perform similar control functions.

또 소프트웨어적으로 제어기는 하나 이상의 프로그램 언어로 쓰여진 소프트웨어코드 또는 소프트웨어어플리케이션에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어부에 의해 실행될 있다. 또 소프트웨어는 서버 등의 외부기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신됨으로써 설치될 수 있다.In software, the controller may be implemented by software code or software application written in one or more programming languages. The software is executed by a hardware-implemented control unit. The software may be installed by being transmitted from an external device such as a server in the hardware configuration described above.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 건조 방법에 관하여 상술한 기판 세정 장치(100)를 이용하여 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판 건조 방법은 상술한 기판 세정 장치(100) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.Hereinafter, the substrate drying method according to the present invention will be described using the substrate cleaning apparatus 100 described above. However, since this is only for ease of description, the substrate drying method may be performed using the same or similar other device in addition to the substrate cleaning apparatus 100 described above. In addition, the substrate cleaning method according to the present invention may be stored in a computer-readable recording medium in the form of code or a program for performing the same.

이하에서는 기판 세정 방법의 일 실시예에 관하여 설명한다. 기판 세정 방법의 일 실시예는 세정공정 전반에 관한 것이다.Hereinafter, an embodiment of the substrate cleaning method will be described. One embodiment of a substrate cleaning method relates to the overall cleaning process.

도 5는 기판 세정 방법의 일 실시예의 순서도이다.5 is a flow chart of one embodiment of a substrate cleaning method.

기판 세정 방법의 일 실시예는 제1 공정 챔버(3000)로 기판(S)을 반입하는 단계(S110), 케미컬 공정을 수행하는 단계(S120), 린스 공정을 수행하는 단계(S130), 유기용제 공정을 수행하는 단계(S140), 제2 공정 챔버(4000)로 기판(S)을 반입하는 단계(S150), 초임계 건조공정을 수행하는 단계(S160) 및 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 기판(S)을 수납하는 단계(S170)를 포함한다. 한편, 상술한 단계는 반드시 설명된 순서로 실행되어야만 하는 것은 아니며, 나중에 설명된 단계가 먼저 설명된 단계에 앞서 수행될 수도 있다. 이는 후술할 기판 세정 방법의 다른 실시예에서도 마찬가지이다. 이하에서는 각 단계에 관하여 설명한다.One embodiment of the substrate cleaning method is a step (S110) of carrying the substrate (S) into the first process chamber 3000, performing a chemical process (S120), performing a rinse process (S130), an organic solvent Performing the process (S140), the step (S150) of loading the substrate (S) into the second process chamber 4000, performing the supercritical drying process (S160) and the container placed in the load port (1100) And storing the substrate S in C) (S170). On the other hand, the above-described steps are not necessarily executed in the order described, the steps described later may be performed before the steps described first. The same holds true for other embodiments of the substrate cleaning method to be described later. Each step will be described below.

제1 공정 챔버(3000)로 기판(S)을 반입한다(S110). 먼저 오버헤드트랜스퍼 등의 반송장치 등이 기판(S)이 수납된 용기(C)를 로드포트(1100)에 놓는다. 용기(C)가 놓이면 인덱스 로봇(1210)이 용기(C)로부터 기판(S)을 인출하여 이를 버퍼 슬롯에 적재한다. 버퍼 슬롯에 적재된 기판(S)은 이송 로봇(2210)에 의해 인출되어 제1 공정 챔버(3000)로 반입되며, 지지 플레이트(3110)에 안착된다.The substrate S is loaded into the first process chamber 3000 (S110). First, a conveying device such as an overhead transferr or the like places the container C in which the substrate S is stored in the load port 1100. When the container C is placed, the index robot 1210 pulls out the substrate S from the container C and loads it in the buffer slot. The substrate S loaded in the buffer slot is taken out by the transfer robot 2210 and brought into the first process chamber 3000 and seated on the support plate 3110.

제1 공정 챔버(3000)에 기판(S)이 반입되면, 케미컬 공정을 수행한다(S120). 지지 플레이트(3110)에 기판(S)이 놓이면, 노즐 축 구동기(3240)에 의해 노즐 축(3230)이 이동 및 회전하여 노즐(3210)이 기판(S)의 상부에 위치하게 된다. 노즐(3210)은 기판(S)의 상면으로 세정제를 분사한다. 세정제가 분사되면 기판(S)으로부터 이물질이 제거된다. 이때, 회전 구동기(3130)는 회전 축(3120)을 회전시켜 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 기판(S)이 회전되면, 세정제가 기판(S)에 균일하게 공급되고, 또한 기판(S)으로부터 비산된다. 비산되는 세정제는 회수통(3310)으로 유입되고, 회수 라인(3320)을 통해 유체재생시스템(미도시)로 보내어진다. 이때, 승강 구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 복수의 회수통(3310) 중 어느 하나로 비산되는 세정제가 유입되도록 회수통(3310)을 승강시킨다.When the substrate S is loaded into the first process chamber 3000, a chemical process is performed (S120). When the substrate S is placed on the support plate 3110, the nozzle shaft 3230 is moved and rotated by the nozzle shaft driver 3240, such that the nozzle 3210 is positioned above the substrate S. The nozzle 3210 sprays a cleaner on the upper surface of the substrate S. When the cleaning agent is sprayed, the foreign matter is removed from the substrate (S). At this time, the rotation driver 3130 may rotate the rotating shaft 3120 to rotate the substrate (S). When the substrate S is rotated, the cleaning agent is uniformly supplied to the substrate S and scattered from the substrate S. FIG. Flushing detergent flows into recovery vessel 3310 and is sent to recovery fluid system (not shown) via recovery line 3320. At this time, the lift driver 3340 raises and lowers the recovery container 3310 such that a cleaning agent scattered into one of the plurality of recovery containers 3310 is introduced through the lifting bar 3330.

기판(S) 상의 이물질이 충분히 제거되면, 린스 공정을 수행한다(S130). 케미컬 공정이 종료되면, 기판(S)에는 이물질이 제거되고, 세정제가 잔류하게 된다. 복수의 노즐(3210) 중 세정제를 분사한 노즐(3210)은 기판(S)의 상부로부터 이탈하고, 다른 노즐(3210)이 기판(S)의 상부로 이동하여 기판(S)의 상면으로 린스제를 분사한다. 기판(S)에 린스제가 공급되면, 기판(S)에 잔류하는 세정제가 세척된다. 린스 공정 중에도 기판(S)의 회전과 약제의 회수가 이루어질 수 있다. 승강 구동기(3340)는 세정제를 회수한 회수통(3310)과 다른 회수통(3310)으로 린스제가 유입되도록 회수통(3310)의 높이를 조절한다.When the foreign substance on the substrate S is sufficiently removed, a rinse process is performed (S130). When the chemical process is completed, foreign matter is removed from the substrate S, and the cleaning agent remains. Of the plurality of nozzles 3210, the nozzles 3210 sprayed with the cleaner are separated from the upper portion of the substrate S, and another nozzle 3210 moves to the upper portion of the substrate S to rinse the upper surface of the substrate S. Spray it. When the rinse agent is supplied to the substrate S, the cleaning agent remaining on the substrate S is washed. Even during the rinse process, the substrate S may be rotated and the drug may be recovered. The lift driver 3340 adjusts the height of the recovery container 3310 such that the rinsing agent flows into the recovery container 3310 and the other recovery container 3310 from which the cleaning agent is collected.

기판(S)이 충분히 세척되면, 유기용제 공정을 수행한다(S140). 린스공정이 종료되면, 또 다른 노즐(3210)이 기판(S)의 상부로 이동하여 유기용제를 분사한다. 유기용제가 공급되면, 기판(S) 상의 린스제가 유기용제로 치환된다. 한편, 유기용제 공정 중에는 기판(S)을 회전시키지 않거나 저속으로 회전시킬 수 있다. 기판(S) 상에서 유기용제가 바로 증발하게 되면, 유기용제의 표면장력에 의해 회로패턴에 계면장력이 작용하여 회로패턴이 도괴될 수 있기 때문이다.When the substrate S is sufficiently washed, an organic solvent process is performed (S140). When the rinsing process is completed, another nozzle 3210 moves to the upper portion of the substrate S to spray the organic solvent. When the organic solvent is supplied, the rinse agent on the substrate S is replaced with the organic solvent. On the other hand, during the organic solvent process, the substrate S may not be rotated or may be rotated at a low speed. This is because when the organic solvent is directly evaporated on the substrate S, the interfacial tension acts on the circuit pattern by the surface tension of the organic solvent, thereby causing the circuit pattern to collapse.

제1 공정 챔버(3000)에서 유기용제 공정이 종료되면, 제2 공정 챔버(4000)로 기판(S)을 반입하고(S150), 제2 공정 챔버(4000)가 초임계 건조공정을 수행한다. 단계 S150과 단계 S160에 대해서는 후술할 기판 세정 방법의 다른 실시예에서 상세하게 설명하도록 한다. When the organic solvent process is finished in the first process chamber 3000, the substrate S is loaded into the second process chamber 4000 (S150), and the second process chamber 4000 performs a supercritical drying process. Step S150 and step S160 will be described in detail in another embodiment of the substrate cleaning method to be described later.

초임계 건조공정이 종료되면, 기판(S)을 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 수납한다(S170). 제2 공정 챔버(4000)가 개방되면, 이송 로봇(2210)이 기판(S)을 인출한다. 기판(S)은 버퍼 챔버(2100)로 이동하고, 인덱스 로봇(1110)에 의해 버퍼 챔버(2100)로부터 인출되어 용기(C)에 수납될 수 있다.When the supercritical drying process is completed, the substrate S is stored in the container C placed in the load port 1100 (S170). When the second process chamber 4000 is opened, the transfer robot 2210 pulls out the substrate S. The substrate S may move to the buffer chamber 2100, may be withdrawn from the buffer chamber 2100 by the index robot 1110, and may be stored in the container C.

이하에서는 기판 건조 방법의 일 실시예에 관하여 설명한다. 기판 건조 방법의 일 실시예는 제2 공정 챔버가 초임계 건조공정을 수행하는 방법에 관한 것이다.Hereinafter, an embodiment of the substrate drying method will be described. One embodiment of a substrate drying method relates to a method in which a second process chamber performs a supercritical drying process.

도 6은 기판 건조 방법의 일 실시예의 순서도이다.6 is a flow chart of one embodiment of a substrate drying method.

기판 건조 방법의 일 실시예는 제2 공정 챔버(4000)에 기판(S)을 반입하는 단계(S210), 하우징(4100)을 밀폐하는 단계(S220), 하부유체 공급 부재(4520)로 초임계 유체를 공급하는 단계(S230), 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하는 단계(S240), 초임계 유체의 이동경로를 분리하는 단계(S250), 상부유체 공급 부재(4510)로 초임계 유체를 공급하는 단계(S260), 초임계 유체를 배기하는 단계(S270), 하우징(4100)을 개방하는 단계(S280) 및 제2 공정 챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출하는 단계(S290)를 포함한다. 이하에서는 각 단계에 관하여 설명한다.One embodiment of the substrate drying method is a step of loading the substrate (S) into the second process chamber 4000 (S210), sealing the housing 4100 (S220), the lower fluid supply member 4520 supercritical Supplying a fluid (S230), blocking the supercritical fluid is directly injected to the substrate (S240), separating the movement path of the supercritical fluid (S250), the upper fluid supply member 4510 Supplying the supercritical fluid (S260), exhausting the supercritical fluid (S270), opening the housing (4100) (S280), and carrying out the substrate (S) from the second process chamber (4000). Step S290 is included. Each step will be described below.

도 7 내지 도 11은 도 6의 기판 건조 방법의 동작도이다.7 to 11 is an operation of the substrate drying method of FIG.

제2 공정 챔버(4000)에 기판(S)을 반입한다(S210). 이송 로봇(2210)이 제2 공정 챔버(4000)의 기판 지지 부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. 이송 로봇(2210)은 제1 공정 챔버(3000)로부터 유기용제가 잔류하는 상태로 기판(S)을 인출하여 이를 기판 지지 부재(4300)에 안착시킬 수 있다.The substrate S is loaded into the second process chamber 4000 (S210). The transfer robot 2210 places the substrate S on the substrate support member 4300 of the second process chamber 4000. The transfer robot 2210 may withdraw the substrate S in a state in which the organic solvent remains from the first process chamber 3000 and mount the substrate S on the substrate support member 4300.

도 7을 참조하면, 상하부구조의 제2 공정 챔버(4000)인 경우에는, 하우징(4100)은 상부 하우징(4110)과 하부 하우징(4120)이 분리되어 개방된 상태이며, 이송 로봇(2210)은 그 기판 지지 부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. Referring to FIG. 7, in the case of the second process chamber 4000 having the upper and lower structures, the housing 4100 is in an open state in which the upper housing 4110 and the lower housing 4120 are separated and the transfer robot 2210 is opened. The substrate S is placed on the substrate supporting member 4300.

다른 실시예에 의하면, 도어(미도시)가 수평방향으로 움직이는 슬라이드 구조의 제2 공정 챔버(4000)의 경우에는 도어(미도시)가 개구로부터 이격되어 있는 상태에서 이송 로봇(2210)이 기판 지지 부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. 기판(S)이 안착되면, 도어(미도시)가 하우징(4100)의 내부로 이동하여 기판(S)이 제2 공정 챔버(4000)로 반입될 수 있다. 도어 플레이트(미도시)가 도어 구동기(미도시)에 의해 이동하는 구조의 제2 공정 챔버(4000)의 경우에는 이송 로봇(2210)이 하우징(4100) 내로 이동하여 기판 지지 부재(4300)에 기판(S)을 안착시킬 수 있다. According to another embodiment, in the case of the second process chamber 4000 of the slide structure in which the door (not shown) moves horizontally, the transfer robot 2210 supports the substrate while the door (not shown) is spaced apart from the opening. The substrate S is placed on the member 4300. When the substrate S is seated, a door (not shown) may move into the housing 4100, and the substrate S may be carried into the second process chamber 4000. In the case of the second process chamber 4000 in which the door plate (not shown) is moved by the door driver (not shown), the transfer robot 2210 moves into the housing 4100 and the substrate is supported by the substrate support member 4300. (S) can be seated.

기판(S)이 반입되면, 하우징(4100)을 밀폐한다(S220). When the substrate S is loaded, the housing 4100 is sealed (S220).

도 8을 참조하면, 상하부구조의 제2 공정 챔버(4000)인 경우에는, 승강 부재(4200)가 하부 하우징(4120)을 상승시켜 상부 하우징(4110)과 하부 하우징(4120)을 밀착시켜 하우징(4100), 즉 제2 공정 챔버(4000)를 밀폐할 수 있다.Referring to FIG. 8, in the case of the second process chamber 4000 having the upper and lower structures, the elevating member 4200 raises the lower housing 4120 to closely contact the upper housing 4110 and the lower housing 4120. 4100, that is, the second process chamber 4000 may be sealed.

다른 실시예에 의하면, 슬라이드 구조의 제2 공정 챔버(4000)의 경우에는 가압 부재(미도시)이 도어(미도시)를 수평 이동시켜 개구와 밀착시켜 하우징(4100)을 밀폐한다. 또는 도어 구동기(미도시)가 도어 플레이트(미도시)가 개구를 닫도록 한다.According to another embodiment, in the case of the second process chamber 4000 having the slide structure, the pressing member (not shown) moves the door (not shown) horizontally to closely contact the opening to seal the housing 4100. Or a door driver (not shown) causes the door plate (not shown) to close the opening.

제2 공정 챔버(4000)가 밀폐되면, 하부 유체 공급 부재(4520)로 초임계 유체를 공급한다(S230). 초임계 유체가 처음으로 유입될 때에는 하우징(4100) 내부의 압력이 아직 임계압력 이하인 상태이므로, 초임계 유체가 액화될 수 있다. 기판(S)의 상부로 초임계 유체가 공급되는 경우에는 초임계 유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)의 상부로 낙하할 수 있으며, 이에 따라 기판(S)에 손상이 생길 수 있다. 따라서, 먼저 하부 유체 공급 부재(4520)를 통해 초임계 유체를 공급하고, 나중에 상부 유체 공급 부재(4510)를 통해 초임계 유체를 공급할 수 있다. 한편, 이러한 과정에서 가열 부재(4300)는 하우징(4100)의 내부를 가열할 수 있다. When the second process chamber 4000 is closed, the supercritical fluid is supplied to the lower fluid supply member 4520 (S230). When the supercritical fluid is introduced for the first time, since the pressure inside the housing 4100 is still below the critical pressure, the supercritical fluid may be liquefied. When the supercritical fluid is supplied to the upper portion of the substrate S, the supercritical fluid may be liquefied and fall to the upper portion of the substrate S by gravity, thereby causing damage to the substrate S. Therefore, the supercritical fluid can be supplied first through the lower fluid supply member 4520, and the supercritical fluid can be supplied through the upper fluid supply member 4510 later. Meanwhile, in this process, the heating member 4300 may heat the inside of the housing 4100.

초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단한다(S240). 다시 도 8을 참조하면, 하부 유체 공급 부재(4520)와 기판 지지 부재(4300)의 사이에 배치된 제1 차단 플레이트(4611)는 하부 유체 공급 부재(4520)를 통해 분사되는 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 기판(S)에 초임계 유체의 물리력이 전달되지 않으므로, 기판(S)에 리닝이 발생하지 않는다. 하부 유체 공급 부재(4520)에서 연직상방으로 분사된 초임계 유체는 제1 차단 플레이트(4611)에 부딪힌 후 수평방향으로 이동하여 제1 차단 플레이트(4611)를 우회하여 기판(S)에 제공될 수 있다. The supercritical fluid is directly blocked from being injected onto the substrate S (S240). Referring back to FIG. 8, the first blocking plate 4611 disposed between the lower fluid supply member 4520 and the substrate support member 4300 may have a supercritical fluid sprayed through the lower fluid supply member 4520. It can block the injection directly to (S). Accordingly, since the physical force of the supercritical fluid is not transmitted to the substrate S, no lining occurs in the substrate S. The supercritical fluid injected vertically from the lower fluid supply member 4520 may be provided to the substrate S by hitting the first blocking plate 4611 and moving horizontally to bypass the first blocking plate 4611. have.

제1 차단 플레이트(4611)를 우회하는 초임계 유체는 제2 차단 플레이트(4621)로 인해 이동경로가 복수개로 유도된다.The supercritical fluid bypassing the first blocking plate 4611 leads to a plurality of movement paths due to the second blocking plate 4641.

도 9를 참조하면, 제1 차단 플레이트(4611)를 우회하는 초임계 유체는 하우징의 가장자리 영역에 위치한 제2 차단 플레이트(4621)와 만난다. 제2 차단 플레이트(4621)로 인해 초임계 유체 중 일부는 제1 차단 플레이트(4611)와 제2 차단 플레이트(4621)사이의 공간으로, 나머지 일부는 제2 차단 플레이트(4621)와 하우징 바닥면 사이의 공간으로 분리되어 이동된다. 제1 차단 플레이트(4611)와 제2 차단 플레이트(4621)사이의 공간으로 이동되는 초임계 유체는 제2 차단 플레이트(4621)의 리세스 가장자리 영역의 경사면을 따라 상측으로 이동된다. 제2 차단 플레이트(4621)와 하우징 바닥면 사이의 공간으로 이동되는 초임계 유체는 하우징 내벽을 따라 상측으로 이동된다. 제2 차단 플레이트(4621)로 인해 초임계 유체의 이동경로가 분리됨으로써, 초임계 유체의 압력이 낮아지게 된다. 이로 인해 기판이 초임계 유체의 초기 가압으로 인한 기판의 손상을 방지할 수 있다. 또한 이동경로가 분리된 초임계 유체가 기판(S)에 방사형으로 균일하게 분사됨으로써, 기판(S) 전체 영역이 균일하게 건조될 수 있다.Referring to FIG. 9, the supercritical fluid bypassing the first blocking plate 4611 meets with a second blocking plate 4641 located at the edge region of the housing. Due to the second blocking plate 4462, some of the supercritical fluid is a space between the first blocking plate 4611 and the second blocking plate 4462, and the other part is between the second blocking plate 4462 and the bottom of the housing. It is separated into space and moved. The supercritical fluid moved into the space between the first blocking plate 4611 and the second blocking plate 4641 is moved upward along the inclined surface of the recessed edge region of the second blocking plate 4641. The supercritical fluid moved into the space between the second blocking plate 4462 and the housing bottom surface is moved upwardly along the inner wall of the housing. The second blocking plate 4462 separates the movement path of the supercritical fluid, thereby lowering the pressure of the supercritical fluid. This can prevent the substrate from being damaged by the initial pressurization of the supercritical fluid. In addition, since the supercritical fluid in which the movement path is separated is radially uniformly sprayed onto the substrate S, the entire region of the substrate S may be uniformly dried.

도 10을 참조하면, 상부 유체 공급 부재(4510)로 초임계 유체를 공급한다(S260). 하부 유체 공급 부재(4510)를 통해 초임계 유체가 지속적으로 유입되면, 하우징(4100) 내부압력이 임계압력 이상으로 상승하고, 가열 부재(4200)에 의해 하우징(4100) 내부가 가열되면, 하우징(4100) 내부온도가 임계온도 이상으로 상승하여, 하우징(4100) 내부에 초임계 분위기가 형성될 수 있다. 상부 유체 공급 부재(4510)는 하우징(4100) 내부가 초임계 상태가 된 때에 초임계 유체의 공급을 시작할 수 있다. 즉, 제어기는 하우징(4100)의 내부압력이 임계압력 이상이 된 때에 상부 유체 공급 부재(4510)를 통해 초임계 유체를 공급할 수 있다. Referring to FIG. 10, the supercritical fluid is supplied to the upper fluid supply member 4510 (S260). When the supercritical fluid continuously flows through the lower fluid supply member 4510, the internal pressure of the housing 4100 rises above the critical pressure, and when the inside of the housing 4100 is heated by the heating member 4200, the housing ( As the internal temperature rises above the critical temperature, a supercritical atmosphere may be formed in the housing 4100. The upper fluid supply member 4510 may start supplying the supercritical fluid when the inside of the housing 4100 becomes the supercritical state. That is, the controller may supply the supercritical fluid through the upper fluid supply member 4510 when the internal pressure of the housing 4100 is greater than or equal to the threshold pressure.

이때, 상부 유체 공급 부재(4510)로 분사되는 초임계 유체는 차단 부재(4600)에 의해 차단되지 않을 수 있다. 하우징(4100) 내부가 이미 임계압력을 초과한 고압상태이므로, 유체 공급 부재(4500)로 공급되는 초임계 유체의 유속은 하우징(4100) 내에서 급격히 저하되므로, 기판(S)에 도달할 때에는 리닝현상을 유발시킬 정도의 속도를 상실하게 된다. In this case, the supercritical fluid injected into the upper fluid supply member 4510 may not be blocked by the blocking member 4600. Since the inside of the housing 4100 is a high pressure state already exceeding the critical pressure, the flow rate of the supercritical fluid supplied to the fluid supply member 4500 is sharply lowered in the housing 4100, so when the substrate S is reached, the lining You lose the speed that is causing the phenomenon.

한편, 상부 유체 공급 부재(4510)로 분사되는 초임계 유체는 제1 차단 부재(4610)에 의해 차단되지 않으므로, 기판(S)의 상면은 보다 더 잘 건조될 수 있다. 일반적으로 기판(S)의 상면이 패턴면이 되므로 상부 유체 공급 부재(4510)와 기판 지지 부재(4300)의 사이에는 제1 차단 부재(4610)를 배치하지 않아 기판(S)에 초임계 유체가 잘 전달되도록 하여 기판(S)의 회로패턴 사이의 유기용제가 효과적으로 건조되도록 할 수 있다. 물론, 공정환경을 종합적으로 고려하여 상부 유체 공급 부재(4510)와 기판 지지 부재(4300) 사이에 제1 차단 부재(4610)를 배치하여 기판(S)의 상면으로 분사되는 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하는 것도 가능하다.Meanwhile, since the supercritical fluid injected into the upper fluid supply member 4510 is not blocked by the first blocking member 4610, the upper surface of the substrate S may be dried better. In general, since the upper surface of the substrate S is a pattern surface, the first blocking member 4610 is not disposed between the upper fluid supply member 4510 and the substrate support member 4300, so that the supercritical fluid is applied to the substrate S. In order to ensure good transfer, the organic solvent between the circuit patterns of the substrate S may be effectively dried. Of course, the supercritical fluid sprayed on the upper surface of the substrate S by disposing the first blocking member 4610 between the upper fluid supply member 4510 and the substrate supporting member 4300 in consideration of the process environment is a substrate ( It is also possible to block the injection directly into S).

초임계 유체에 의해 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 용해되어 기판(S)이 충분히 건조되면, 초임계 유체를 배기한다(S270). 배기 부재(4700)가 초임계 유체를 제2 공정 챔버(4000)로부터 배기한다. 한편, 상술한 초임계 유체의 공급 및 배기는 제어기가 각 공급 라인(4550) 및 배기 라인(4750)을 제어하여 그 유량을 조절함으로써 수행될 수 있다. 배기되는 초임계 유체는 배기 라인(4750)을 통해 대기 중으로 방출되거나 초임계 유체 재생시스템(미도시)로 제공될 수 있다.When the organic solvent remaining in the substrate S is dissolved by the supercritical fluid and the substrate S is sufficiently dried, the supercritical fluid is exhausted (S270). The exhaust member 4700 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. On the other hand, the supply and exhaust of the above-mentioned supercritical fluid may be performed by the controller controlling each supply line 4550 and the exhaust line 4750 to adjust the flow rate. The supercritical fluid being exhausted may be released into the atmosphere via an exhaust line 4750 or provided to a supercritical fluid regeneration system (not shown).

배기를 통해 제2 공정 챔버(4000)의 내부압력이 충분히 낮아지면, 예를 들어 상압이 되면, 하우징(4100)을 개방한다(S280). 도 11을 참조하면, 승강부재(4200)가 하부 하우징(4120)을 하강시켜 하우징(4100)을 개방한다.When the internal pressure of the second process chamber 4000 is sufficiently lowered through the exhaust, for example, when the internal pressure is normal, the housing 4100 is opened (S280). Referring to FIG. 11, the elevating member 4200 lowers the lower housing 4120 to open the housing 4100.

다른 실시예에 의하면, 도어(미도시)가 수평방향으로 움직이는 슬라이드 구조의 제2 공정 챔버(4000)의 경우에는 가압 부재(미도시)가 도어(미도시)를 개구로부터 이격시켜 하우징(4100)을 개방할 수 있다. 또 도어 플레이트(미도시)가 도어 구동기(미도시)에 의해 이동하는 구조의 제2 공정 챔버(4000)의 경우에는 도어 구동기(미도시)가 도어 플레이트(미도시)를 이동시켜 하우징(4100)을 개방한다.According to another embodiment, in the case of the second process chamber 4000 of the slide structure in which the door (not shown) moves in the horizontal direction, the pressing member (not shown) spaces the door (not shown) from the opening 4100. Can be opened. In the second process chamber 4000 in which the door plate (not shown) is moved by the door driver (not shown), the door driver (not shown) moves the door plate (not shown) to move the housing 4100. To open.

제2 공정 챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출한다(S290). 하우징(4100)이 개방되면 이송 로봇(2210)이 제2 공정 챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출한다.The substrate S is carried out from the second process chamber 4000 (S290). When the housing 4100 is opened, the transfer robot 2210 carries out the substrate S from the second process chamber 4000.

이상에서 언급된 본 발명의 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여 기재된 것이므로, 본 발명이 상술한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. The above-described embodiments of the present invention are described in order to facilitate understanding of the present invention to those skilled in the art, so the present invention is not limited to the above embodiments.

따라서, 본 발명은 상술한 실시예 및 그 구성요소를 선택적으로 조합하거나 공지의 기술을 더해 구현될 수 있으며, 나아가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 수정, 치환 및 변경이 가해진 수정예, 변형예를 모두 포함한다.Therefore, it is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. For example, the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. All of the modifications are included.

또한, 본 발명의 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 발명은 모두 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.In addition, the scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all inventions within the scope of the claims should be construed as being included in the scope of the present invention.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100: 기판 세정 장치 3000: 제1 공정 챔버 4000: 제2 공정 챔버
4100: 하우징 4200: 승강 부재 4300: 기판 지지 부재
4400: 가열 부재 4500: 유체 공급 부재 4610: 제1 차단 부재
4620: 제2 차단 부재 4700: 배기 부재DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Substrate cleaning apparatus 3000 First process chamber 4000 Second process chamber
4100 housing 4200 elevating member 4300 substrate supporting member
4400 heating member 4500 fluid supply member 4610 first blocking member
4620: second blocking member 4700: exhaust member

Claims (2)

세정 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징의 내부에 제공되어 기판을 지지하는 기판 지지 부재;
상기 하우징으로 공정 유체를 공급하는 유체 공급 부재;
상기 유체 공급 부재와 상기 기판 지지 부재 사이에 배치되어, 상기 공정 유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 제1 차단 부재;
상기 제1 차단 부재와 상기 유체 공급 부재 사이에 상기 제1 차단 부재와 이격되게 배치된 제2 차단 부재; 및
상기 하우징으로부터 상기 공정 유체를 배기하는 배기 부재;를 포함하되,
상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재는 상기 공정 유체의 일부가 상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재 사이의 공간으로 이동되고, 나머지 일부가 상기 제2 차단 부재와 상기 유체 공급 부재가 연결된 상기 하우징 사이의 공간으로 이동되도록 제공되는 기판 건조 장치.A housing providing a space in which the cleaning process is performed;
A substrate support member provided in the housing to support a substrate;
A fluid supply member for supplying a process fluid to the housing;
A first blocking member disposed between the fluid supply member and the substrate support member to block the process fluid from being directly injected onto the substrate;
A second blocking member spaced apart from the first blocking member between the first blocking member and the fluid supply member; And
An exhaust member for exhausting the process fluid from the housing;
In the first blocking member and the second blocking member, a part of the process fluid is moved to a space between the first blocking member and the second blocking member, and the other part of the first blocking member and the second blocking member A substrate drying apparatus provided to be moved to a space between the connected housings. 제1항에 있어서,
상기 유체 공급 부재는,
상기 하우징의 하면에 제공되는 하부 유체 공급 부재;를 포함하되,
상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재는, 상기 기판 지지 부재와 상기 하부 유체 공급 부재 사이에 배치되는 기판 건조 장치.The method of claim 1,
The fluid supply member
Including a lower fluid supply member provided on a lower surface of the housing,
And the first blocking member and the second blocking member are disposed between the substrate supporting member and the lower fluid supply member.
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