KR20160133802A - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus incudes a bowl having a processing space therein, a support plate disposed in the processing space and supporting a substrate, a nozzle unit for supplying a treatment liquid onto the substrate supported by the support plate, a support plate driver for rotating the support plate, a bowl driver for rotating the bowl, and a controller for controlling the bowl driver and the support plate driver. So, substrate processing efficiency can be improved.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and method for treating a substrate}[0001] DESCRIPTION [0002] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE [0003]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate.

일반적으로 반도체 제조 공정은 다양한 공정 과정을 거친다. 이러한 공정에는 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 사진공정, 기판을 세정하는 세정 공정 등이 있다. Generally, semiconductor manufacturing processes are subjected to various process steps. Such processes include a photolithography process for forming a desired pattern on a wafer, a cleaning process for cleaning the substrate, and the like.

사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 처리 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.The photolithography process is usually carried out at a spinner local facility where exposure equipment is connected and the application process, the exposure process, and the development process are successively processed. The spinner apparatus sequentially or selectively performs the HMDS (hexamethyl disilazane) process, the coating process, the baking process, and the developing process.

기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.The cleaning of the substrate is performed by a chemical treatment process for removing metal foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate by using a chemical, a rinsing process for removing chemicals remaining on the substrate using pure water, and an organic solvent or nitrogen And drying the substrate using gas or the like.

일반적으로 사진 공정과 세정 공정 중에서 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리 한 뒤 처리액을 회수하는 공정이 포함된다. 처리액의 회수는 기판의 주위를 감싸며 제공되는 컵을 통해서 이루어진다. Generally, a step of supplying a treatment liquid onto a substrate in a photolithography process and a cleaning process to treat the substrate and recovering the treatment liquid is included. The recovery of the treatment liquid is carried out through a cup provided around the periphery of the substrate.

한국 공개 특허공보 2001-0095230에는 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기술을 개시하고 있다. 기판 상에 처리액은 기판의 회전으로 주위로 비산되며, 기판을 감싸며 제공되는 컵으로 비산된 후 컵의 아래로 흘러내린 뒤 회수되는 기술을 개시하고 있다. Korean Patent Laid-Open Publication No. 2001-0095230 discloses a technique of treating a substrate by supplying a treatment liquid onto a substrate. The process liquid on the substrate is scattered around by the rotation of the substrate, is wrapped by the cup provided to surround the substrate, flows down the cup, and then is recovered.

그러나, 이러한 처리액의 회수는 컵을 통해서 재비산되는 처리액이 일부 생길 수 있으며, 재비산되는 처리액은 기화되거나 흄으로 재생성되어 처리 공간에 남아 있어, 이 후 기판 처리 공정에 영향을 미치어 기판 처리 공정에 불량을 야기하는 문제점이 있다. However, the recovery of such a treatment liquid may result in a part of the treatment liquid being re-dispersed through the cup, and the treatment liquid which is re-dispersed may be regenerated as vaporized or fumed to remain in the treatment space, There is a problem that the substrate processing process is defective.

본 발명은 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving efficiency in a substrate processing process.

본 발명은 기판 상에 처리액을 효과적으로 회수할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively recovering a processing solution on a substrate.

또한, 본 발명은 기판 상에 처리액의 회수 시 처리 공간으로 비산되는 처리액을 최소화하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method for minimizing a processing liquid scattered into a processing space upon recovery of a processing liquid on a substrate.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 바울과 상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지판과 상기 지지판에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐 유닛과 상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기와 상기 바울을 회전시키는 바울 구동기와 그리고 상기 바울 구동기 및 상기 지지판 구동기를 제어하는 제어기를 가질 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a pawl having a processing space therein, a support plate disposed in the processing space and supporting the substrate, a nozzle unit supplying the processing solution onto the substrate supported by the support plate, A support plate driver for rotating the support plate, a pawl driver for rotating the pawl, and a controller for controlling the pawl driver and the support plate driver.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 바울과 상기 지지판의 회전 방향이 동일하도록 상기 바울 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어 할 수 있다. According to an embodiment, the controller can control the pawl driver and the support plate driver so that the direction of rotation of the pawl and the support plate are the same.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 바울의 회전속도가 상기 지지판의 회전속도에 종속되도록 상기 바울 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어 할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the pawl driver and the support plate driver such that the rotation speed of the pawl is dependent on the rotation speed of the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 지지판의 회전속도가 상기 바울의 회전속도보다 느리도록 상기 바울 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어 할 수 있다.According to an embodiment, the controller can control the pawl driver and the support plate driver such that the rotation speed of the support plate is slower than the rotation speed of the pawl.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 노즐 유닛에서 상기 지지판에 놓인 기판을 향해 상기 처리액을 토출 시 상기 바울과 상기 지지판이 회전하도록 상기 바울 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다. According to an embodiment, the controller can control the pawl driver and the support plate driver such that the pawl and the support plate rotate when the treatment liquid is discharged from the nozzle unit toward the substrate placed on the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 바울의 회전속도와 상기 지지판의 회전속도 간에 관계가 일정비율로 유지되도록 상기 바울 구동기 및 상기 지지판 구동기를 제어 할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the controller can control the pawl driver and the support plate driver so that the relationship between the rotation speed of the pawl and the rotation speed of the support plate is maintained at a predetermined ratio.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 지지판 구동기로부터 상기 지지판의 회전속도를 전달받는 전달부와 상기 전달부에서 전달받은 상기 지지판의 회전속도을 통해서 상기 바울의 회전속도를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the controller may include a transfer unit for receiving the rotation speed of the support plate from the support plate driver, and a controller for controlling the rotation speed of the polygon through the rotation speed of the support plate received from the transfer unit .

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다.The present invention provides a method of treating a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 방법은 지지판에 놓은 기판과 상기 지지판을 감싸며 제공되는 바울을 각각 회전시키면서 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되 상기 바울의 회전은 상기 지지판의 회전에 종속될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing method includes processing a substrate by supplying a process liquid to a top surface of the substrate while rotating a substrate placed on a support plate and a pawl provided around the support plate, And can be dependent on the rotation of the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 바울의 회전속도는 상기 지지판의 회전속도보다 빠를 수 있다. According to an embodiment, the rotation speed of the pawl may be faster than the rotation speed of the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 바울의 회전방향은 상기 지지판의 회전방향과 동일한 방향일 수 있다.According to an embodiment, the rotation direction of the pawl may be the same as the rotation direction of the support plate.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리액이 상기 기판에 공급 시 상기 바울과 상기 지지판이 각각 회전을 시작할 수 있다. According to one embodiment, when the treatment liquid is supplied to the substrate, the pawl and the support plate can start to rotate, respectively.

일 실시 예에 의하면, 상기 바울의 회전속도와 상기 지지판의 회전속도 간에 관계가 일정비율로 유지될 수 있다. According to an embodiment, the relationship between the rotational speed of the pawl and the rotational speed of the support plate can be maintained at a predetermined ratio.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 공급된 처리액을 회수 시 바울과 지지판이 종속적으로 회전하여 기판 상에 처리액을 효과적으로 수행할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, when recovering the treatment liquid supplied on the substrate, the treatment liquid can be effectively performed on the substrate by the pawl and the support plate being rotated depending on them.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 공급된 처리액을 회수 시 바울과 지지판의 종속적으로 회전하여 처리 공간 내에 비산되는 처리액을 최소화 시킬 수 있다. Further, according to the embodiment of the present invention, it is possible to minimize the treatment liquid scattered in the treatment space by rotating the treatment liquid supplied on the substrate depending on the pawl and the support plate upon recovery.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 기판 상에 처리액을 효과적으로 회수하여 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the efficiency of the substrate processing process can be improved by effectively recovering the treatment liquid on the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 제어부를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4와 도 5는 도 1의 지지판과 바울의 회전 방향을 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치에 바울과 지지판의 회전 시점을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 2의 바울이 미회전시 처리액의 이동 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울의 회전 시 처리액의 이동 경로를개략적으로 보여주는 도면이다. 1 is a plan view schematically showing an example of a substrate processing apparatus provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG.
FIG. 3 is a schematic view of the control unit of FIG. 2. FIG.
4 and 5 are plan views showing the rotation direction of the support plate and the pawl of Fig.
6 is a cross-sectional view showing the turning point of the pawl and the support plate in the substrate processing apparatus of Fig.
FIG. 7 is a schematic view showing a movement path of the treatment liquid when the pawl of FIG. 2 is not rotated. FIG.
FIG. 8 is a schematic view illustrating a movement path of a processing solution during a rotation of a pawl according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing an example of a substrate processing apparatus provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 130 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate is transported from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244c used when transporting the substrate from the process chamber 260 to the buffer unit 220 They may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 처리하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 바울(320), 지지 유닛(340), 바울 구동기(350), 승강 유닛(360), 노즐 유닛(380) 그리고 제어기(400)를 가진다.An example of the substrate processing apparatus 300 for processing the substrate W by using the process liquid will be described below. 2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 has a pawl 320, a support unit 340, a pawl driver 350, a lift unit 360, a nozzle unit 380, and a controller 400.

바울(320)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 바울(320)은 그 상부가 개방된다. 바울(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(미도시)이 연결된다. 각각의 회수라인은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The pole 320 provides a space in which the substrate processing process is performed. The upper portion of the pawl 320 is opened. The pawl 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery bottle 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 340 and the intermediate recovery bottle 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery bottle 322. The outer recovery bottle 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. A recovery line (not shown) extending vertically downward from the bottom surface is connected to each of the recovery bottles 322, 324 and 326. Each of the recovery lines discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

지지 유닛(340)은 바울(320) 내에 배치된다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 지지축(348) 그리고 지지판 구동기(349)을 포함한다.The support unit 340 is disposed within the pawl 320. The support unit 340 supports the substrate and rotates the substrate during the process. The support unit 340 includes a support plate 342, a support pin 344, a chuck pin 346, a support shaft 348 and a support plate driver 349.

지지판(342)은 기판을 지지한다. 지지판(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 지지판(342)의 저면에는 지지판 구동기(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 지지판(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(344)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(334)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. The support plate 342 supports the substrate. The support plate 342 has an upper surface that is provided generally in a circular shape when viewed from above. A support shaft 348 rotatable by a support plate driver 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the support plate 342. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the support plate 342 and protrude upward from the support plate 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the rear edge of the substrate such that the substrate is spaced a distance from the top surface of the support plate 342.

척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지 핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 지지판(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 지지판(342)이 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 지지 유닛(340)이 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the support plate 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the support plate 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate such that the substrate is not laterally displaced in place when the support plate 342 is rotated. The chuck pin 346 is provided to be movable linearly between the standby position and the support position along the radial direction of the support plate 342. The standby position is a position away from the center of the support plate 342 relative to the support position. When the substrate is loaded or unloaded by the supporting unit 340, the chuck pin 346 is placed in the standby position and the chuck pin 346 is placed in the supporting position when the substrate is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate.

지지판 구동기(349)는 지지판(342)을 회전시킨다. 지지판 구동기(349)는 지지판(342)을 동일한 방향으로 회전 시킨다. 일 예로 지지판 구동기(349)는 지지판(342)을 시계방향으로 회전 시킬 수 있다. 지지판 구동기(349)는 지지축(348)과 고정 결합된다. 지지판 구동기(349)는 바울(320)의 하부의 위치한다. 일 예로 지지판 구동기(349)는 모터가 제공된 구동기 일 수 있다.The support plate driver 349 rotates the support plate 342. The support plate driver 349 rotates the support plate 342 in the same direction. For example, the support plate driver 349 may rotate the support plate 342 in a clockwise direction. The support plate driver 349 is fixedly coupled to the support shaft 348. The support plate driver 349 is located below the pawl 320. For example, the support plate driver 349 may be a driver provided with a motor.

바울 구동기(350)는 바울(320)을 회전시킨다. 바울 구동기(350)는 바울(320)의 하부에 위치한다. 바울 구동기(350)는 바울(320)과 고정 결합된다. 바울 구동기(350)는 지지판 구동기(349 하부에 위치한다. 바울 구동기(350)는 바울(320)을 동일한 방향으로 회전시킬 수 있다. 일 예로 바울 구동기(350)는 바울(320)을 시계방향으로 회전 시킬 수 있다. 일 예로 바울 구동기(350)는 모터가 제공된 구동기 일 수 있다. The pawl driver 350 rotates the pawl 320. The pawl driver 350 is located at the bottom of the pawl 320. The pawl driver 350 is fixedly coupled to the pawl 320. The pawl driver 350 is positioned below the pawl driver 349. The pawl driver 350 may rotate the pawl 320 in the same direction as the pawl driver 350. The pawl driver 350 may, for example, rotate the pawl 320 clockwise The pawl driver 350 may be a driver provided with a motor.

승강 유닛(360)은 바울(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 바울(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 바울(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 바울(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)가 바울(320)의 상부로 돌출되도록 바울(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 바울(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 바울(320) 대신 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the pawl 320 linearly in the vertical direction. As the pawl 320 is moved up and down, the relative height of the pawl 320 with respect to the supporting unit 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the pawl 320 and a moving shaft 364 which is vertically moved by the actuator 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The pawl 320 is lowered so that the support unit 340 protrudes to the upper portion of the pawl 320 when the substrate W is placed on the support unit 340 or is lifted from the support unit 340. [ In addition, when the process is performed, the height of the pawl 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W. For example, while processing the substrate with the first processing solution, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate with the second processing solution and the third processing solution, the substrate is separated from the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324, and between the intermediate recovery cylinder 324 and the outside And may be located at a height corresponding to the space 326a of the recovery cylinder 326. [ The elevating unit 360 may move the supporting unit 340 in the vertical direction instead of the pawl 320. [

노즐 유닛(380)은 기판 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 노즐 유닛(380)은 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐 지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 바울(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 바울(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 노즐 유닛(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 노즐 유닛(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 노즐 유닛(380)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The nozzle unit 380 supplies the processing liquid to the substrate W during the substrate processing step. The nozzle unit 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by a driver 388 to a process position and a standby position. The process position is that the nozzle 384 is located at the vertically upper portion of the pawl 320 and the standby position is the position at which the nozzle 384 is away from the vertical upper portion of the pawl 320. One or a plurality of nozzle units 380 may be provided. If a plurality of nozzle units 380 are provided, the chemical, rinsing liquid, or organic solvent may be provided through different nozzle units 380. The rinsing liquid may be pure, and the organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or an isopropyl alcohol liquid.

도 3은 도 2의 제어부를 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하, 이를 참조하면, 제어기(400)는 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. 제어기(400)는 전달부(410)와 제어부(430)를 포함한다. 전달부(410)는 지지판 구동기(349)로부터 지지판(342)의 회전속도를 전달받는다. 제어부(430)는 전달부(410)에서 전달받은 지지판(342)의 회전속도를 통해서 바울(320)의 회전속도를 제어한다. 제어기(400)는 전달부(410)와 제어부(430)를 통해서 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. FIG. 3 is a schematic view of the control unit of FIG. 2. FIG. Hereinafter, referring to this, the controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349. The controller 400 includes a transmitter 410 and a controller 430. The transfer unit 410 receives the rotation speed of the support plate 342 from the support plate driver 349. The control unit 430 controls the rotation speed of the pawl 320 through the rotation speed of the support plate 342 transmitted from the transmission unit 410. The controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349 through the transmission unit 410 and the control unit 430. [

제어기(400)는 바울(350)과 지지판(342)의 회전 방향이 동일하도록 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. 일 예로 도 4와 같이 제어기(400)는 바울(350)과 지지판(342)이 각각 시계“‡항으로 회전하도록 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. 다른 예로 도 5와 같이 제어기(400)는 바울(350)과 지지판(342)이 각각 시계 반대 방향으로 회전하도록 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. The controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349 such that the direction of rotation of the pawl 350 and the support plate 342 is the same. For example, as shown in FIG. 4, the controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349 such that the pawl 350 and the support plate 342 rotate clockwise. As another example, as shown in FIG. 5, the controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349 such that the pawl 350 and the support plate 342 rotate counterclockwise, respectively.

제어기(400)는 바울(350)의 회전 속도와 지지판(342)의 회전 속도가 종속 되도록 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. 일 예로 제어기(400)는 바울(350)의 회전속도가 지지판(342)의 회전보다 느리도록 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. The controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349 such that the rotation speed of the pawl 350 and the rotation speed of the support plate 342 are dependent. For example, the controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349 such that the rotation speed of the pawl 350 is slower than the rotation of the support plate 342.

제어기(400)는 바울(350)과 지지판(342)의 회전 시점을 노즐 유닛(380)에서 지지판(342)에 놓은 기판을 향애 처리액을 토출 시 바울(350)과 지지판(342)을 회전하도록 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. The controller 400 controls the rotation of the pawl 350 and the support plate 342 so as to rotate the pawl 350 and the support plate 342 And controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349.

제어기(400)는 바울(350)의 회전속도와 지지판(342)의 회전속도 간에 관계가 일정 비율로 유지되도록 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. 일 예로 제어기(400)는 바울(350)의 회전 속도와 지지판(342)의 회전속도가 1.5~2:1의 비율을 유지하도록 바울 구동기(350)와 지지판 구동기(349)를 제어한다. 상술한 실시 예의 바울(350)의 회전속도와 지지판(342)의 회전속도 비율과 달리 바울(350)의 회전 속도가 빠르도록 하며, 바울(350)의 회전속도와 지지판(342)의 회전속도가 일정비율을 유지하도록 하는 비율로 제공될 수 있다. The controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349 so that the relationship between the rotation speed of the pawl 350 and the rotation speed of the support plate 342 is maintained at a constant ratio. For example, the controller 400 controls the pawl driver 350 and the support plate driver 349 such that the rotation speed of the pawl 350 and the rotation speed of the support plate 342 are maintained at a ratio of 1.5 to 2: 1. The rotation speed of the pawl 350 is set to be faster than the ratio of the rotation speed of the pawl 350 and the rotation speed of the support plate 342 in the above embodiment and the rotation speed of the pawl 350 and the rotation speed of the support plate 342 And may be provided at a rate to maintain a constant rate.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판을 처리하는 방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention will be described.

외부에서 이송된 기판은 지지판(342)에 놓인다. 기판이 지지판(342)에 놓인 후 노즐(384)에서 기판의 상면으로 처리액을 공급한다. 기판의 상면에 공급된 처리액은 기판을 처리하는 공정을 수행한다. 노즐(384)에서 처리액을 기판의 상면에 공급 시 도 6과 같이 지지판(342)과 바울(350)은 각각 회전한다. The externally transferred substrate is placed on the support plate 342. After the substrate is placed on the support plate 342, the processing liquid is supplied from the nozzle 384 to the upper surface of the substrate. The process liquid supplied to the upper surface of the substrate performs a process of processing the substrate. When the treatment liquid is supplied from the nozzle 384 to the upper surface of the substrate, the support plate 342 and the pawl 350 rotate as shown in Fig.

지지판(342)과 바울(350)의 회전으로 기판의 상면에 처리액은 바울(350)로 비산되면 비산된 처리액은 바울(350)의 아래로 흘러내려 회수된다. When the treatment liquid is scattered on the upper surface of the substrate by the rotation of the support plate 342 and the pawl 350 and then scattered by the pawl 350, the scattered treatment liquid flows down below the pawl 350 and is recovered.

기판을 처리액으로 처리하는 과정에서 바울(350)의 회전은 지지판(342)의 회전에 종속된다. 일 예로 바울(350)의 회전방향은 지지판(342)의 회전방향과 동일한 방향으로 회전한다. 일 예로 바울(350)과 지지판(342)의 회전방향은 동일한 시계방향으로 회전할 수 있다. 또한, 바울(350)의 회전속도는 지지판(342)의 회전속도보다 빠르다. 바울(350)의 회전속도와 지지판(342)의 회전속도 간에 관계는 일정한 비율을 유지한다. The rotation of the pawl 350 in the process of treating the substrate with the process liquid is subject to the rotation of the support plate 342. For example, the rotation direction of the pawl 350 rotates in the same direction as the rotation direction of the support plate 342. For example, the rotation direction of the pawl 350 and the support plate 342 may rotate in the same clockwise direction. In addition, the rotation speed of the pawl 350 is faster than the rotation speed of the support plate 342. The relationship between the rotation speed of the pawl 350 and the rotation speed of the support plate 342 maintains a constant ratio.

이하에서는 바울(350)의 회전이 지지판(342)과 종속되어 처리액의 회수가 원할한 효과를 설명한다. 도 7은 도 2의 바울이 미회전시 처리액의 이동 경로를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울의 회전 시 처리액의 이동 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다. Hereinafter, the rotation of the pawl 350 is dependent on the support plate 342 to explain the desired effect of recovering the treatment liquid. FIG. 7 is a view schematically showing the movement path of the processing liquid when the pawl of FIG. 2 is not rotated, and FIG. 8 is a view schematically showing a movement path of the processing liquid when the pawl is rotated according to an embodiment of the present invention.

이하, 도 7과 도 8을 참조하면, 바울(350)의 미회전하고, 지지판(342)만을 회전시키는 경우 도 7과 같이 처리액은 지지판(342)의 회전에 의해서 바울(350)에 비산되나, 바울(350)에서 재비산되어 처리액은 기판의 상면 또는 처리 공간으로 돌아간다. 처리액은 재비산이 흄이나 이물질이 되어 후속 기판 처리에 영향을 주어 기판 처리 공정에 불량을 야기할 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8, when the pawl 350 is not rotated and only the support plate 342 is rotated, the process liquid is scattered by the rotation of the support plate 342 to the pawl 350 as shown in FIG. 7 , And is then re-scattered in the pawl 350 to return the treatment liquid to the upper surface of the substrate or the treatment space. The treatment liquid may become a fume or foreign matter due to re-scattering, which may affect the subsequent substrate treatment and cause a defect in the substrate treatment process.

이러한 현상은 바울(350)의 회전속도가 지지판(342)보다 느린 경우에도 동일하다. This phenomenon is the same even when the rotation speed of the pawl 350 is slower than that of the support plate 342. [

도 8과 같이 바울(350)의 지지판(342)과 종속적으로 회전하는 경우, 처리액은 지지판(342)의 회전에 의해서 바울(350)에 비산되며, 바울(350)의 회전속도에서 의해서 처리액은 기판의 상면 또는 처리 공간으로 재비산되지 않고 바울(350)의 아래로 흘러내려 회수된다. The processing liquid is scattered on the pawl 350 by the rotation of the supporting plate 342 and the processing liquid is sprayed on the pawl 350 by the rotation speed of the pawl 350, Is returned to the lower side of the pawl 350 without being re-scattered to the upper surface or the processing space of the substrate.

즉, 바울(350)이 지지판(342)과 종속적으로 회전하여, 처리액이 바울(350)에서 재비산되어 기판의 상면이나 처리액으로 비산되는 것을 최소화하는 효과가 있다. 또한, 기판 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있으며, 처리액의 회수율을 높이는 효과가 있다. That is, the pawl 350 is rotated depending on the support plate 342, thereby minimizing scattering of the processing liquid on the upper surface of the substrate and the processing liquid. Further, the efficiency of the substrate processing step can be improved, and the recovery rate of the processing solution can be increased.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

300: 기판 처리 장치 320: 바울
340: 지지 유닛 342: 지지판
349: 지지판 구동기 350: 바울 구동기
360: 승강 유닛 380: 노즐 유닛
400: 제어기 410: 전달부
430: 제어부300: substrate processing apparatus 320:
340: support unit 342:
349: Support Plate Actuator 350: Paul Actuator
360: lift unit 380: nozzle unit
400: controller 410:
430:

Claims (12)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 바울과;
상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지판과;
상기 지지판에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐 유닛과;
상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기와;
상기 바울을 회전시키는 바울 구동기와; 그리고
상기 바울 구동기 및 상기 지지판 구동기를 제어하는 제어기를 가지는 기판 처리 장치. An apparatus for processing a substrate,
Paul having a processing space therein;
A support plate positioned within the processing space and supporting the substrate;
A nozzle unit for supplying the treatment liquid onto the substrate supported by the support plate;
A support plate driver for rotating the support plate;
A pawl actuator for rotating the pawl; And
And a controller for controlling the pawl driver and the support plate driver. 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 바울과 상기 지지판의 회전 방향이 동일하도록 상기 바울 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the controller controls the bar driver and the support plate driver such that the rotation direction of the bar and the support plate is the same. 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 바울의 회전속도가 상기 지지판의 회전속도에 종속되도록 상기 바울 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the controller controls the bar driver and the support plate driver such that the rotation speed of the bar is dependent on the rotation speed of the support plate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는 상기 지지판의 회전속도가 상기 바울의 회전속도보다 느리도록 상기 바울 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the controller controls the bar driver and the support plate driver such that the rotation speed of the support plate is slower than the rotation speed of the bar. 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 노즐 유닛에서 상기 지지판에 놓인 기판을 향해 상기 처리액을 토출 시 상기 바울과 상기 지지판이 회전하도록 상기 바울 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the controller controls the bar driver and the support plate driver such that the bar and the support plate rotate when the treatment liquid is ejected from the nozzle unit toward the substrate placed on the support plate. 제5항에 있어서,
상기 제어기는 상기 바울의 회전속도와 상기 지지판의 회전속도 간에 관계가 일정비율로 유지되도록 상기 바울 구동기 및 상기 지지판 구동기를 제어하는 기판 처리 장치. 6. The method of claim 5,
Wherein the controller controls the bar driver and the support plate driver such that a relationship between the rotation speed of the bar and the rotation speed of the support plate is maintained at a predetermined ratio. 제3항에 있어서,
상기 제어기는 상기 지지판 구동기로부터 상기 지지판의 회전속도를 전달받는 전달부와;
상기 전달부에서 전달받은 상기 지지판의 회전속도을 통해서 상기 바울의 회전속도를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치. The method of claim 3,
The controller includes: a transfer unit that receives the rotation speed of the support plate from the support plate driver;
And a control unit for controlling the rotation speed of the pawl through a rotation speed of the support plate received from the transfer unit. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
지지판에 놓은 기판과 상기 지지판을 감싸며 제공되는 바울을 각각 회전시키면서 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되,
상기 바울의 회전은 상기 지지판의 회전에 종속되는 기판 처리 방법. A method of processing a substrate,
The substrate is processed by supplying a treatment liquid to the upper surface of the substrate while rotating the substrate placed on the support plate and the pawl provided around the support plate,
Wherein the rotation of the pawl is subject to rotation of the support plate. 제8항에 있어서,
상기 바울의 회전속도는 상기 지지판의 회전속도보다 빠른 기판 처리 방법. 9. The method of claim 8,
Wherein the rotation speed of the pawl is faster than the rotation speed of the support plate. 제8항에 있어서,
상기 바울의 회전방향은 상기 지지판의 회전방향과 동일한 방향인 기판 처리 방법. 9. The method of claim 8,
Wherein the rotation direction of the pawl is the same as the rotation direction of the support plate. 제8항에 있어서,
상기 처리액이 상기 기판에 공급 시 상기 바울과 상기 지지판이 각각 회전을 시작하는 기판 처리 방법. 9. The method of claim 8,
Wherein when the treatment liquid is supplied to the substrate, the pawl and the support plate start to rotate respectively. 제8항에 있어서,
상기 바울의 회전속도와 상기 지지판의 회전속도 간에 관계가 일정비율로 유지되는 기판 처리 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the relationship between the rotation speed of the pawl and the rotation speed of the support plate is maintained at a constant ratio.
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