KR20200009359A - 반도체 웨이퍼의 도금장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 도금장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200009359A
KR20200009359A KR1020180083613A KR20180083613A KR20200009359A KR 20200009359 A KR20200009359 A KR 20200009359A KR 1020180083613 A KR1020180083613 A KR 1020180083613A KR 20180083613 A KR20180083613 A KR 20180083613A KR 20200009359 A KR20200009359 A KR 20200009359A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plating
wafer
link
frame
cylinder
Prior art date
Application number
KR1020180083613A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102158908B1 (ko
Inventor
오성종
Original Assignee
오성종
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오성종 filed Critical 오성종
Priority to KR1020180083613A priority Critical patent/KR102158908B1/ko
Publication of KR20200009359A publication Critical patent/KR20200009359A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102158908B1 publication Critical patent/KR102158908B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C25D17/08—Supporting racks, i.e. not for suspending
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에서 웨이퍼(wafer)의 표면에 금속막을 형성하는 도금장치에 관한 기술로서, 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩유닛의 구조가 매우 간단하고, 안정된 작동과정으로 정확도를 높이므로, 도금시 불량률을 줄이는 한편 도금공정의 신뢰성을 높이는 반도체 웨이퍼의 도금장치에 관한 기술이다.
이러한 본 발명의 주요 구성은, 지면 위에 사각의 틀형태로 설치되는 프레임; 상기 프레임의 내부에 설치되고, 도금액이 수용되는 도금조; 상기 프레임의 일측 상부에 설치되는 실린더; 상기 실린더 아래에 위치하도록 프레임에 설치되는 브라켓; 상기 브라켓에 제1링크와 제2링크로 연결 설치되는 하우징; 상기 하우징의 한쪽 측면에 설치되는 기어박스; 및 상기 기어박스에 샤프트로 결합 설치되고, 전원이 인가되는 한편 웨이퍼를 진공 흡착하는 로딩유닛;을 포함하여 구현된다.

Description

반도체 웨이퍼의 도금장치 {Plating apparatus for semiconductor wafer}
본 발명은 반도체 제조공정에서 웨이퍼(wafer)의 표면에 금속막을 형성하는 도금장치에 관한 기술로서, 보다 상세하게 설명하면 전원이 인가되는 동판에 웨이퍼를 진공 흡착한 다음, 모터와 실린더 및 링크의 구동으로 웨이퍼를 도금조로 이송하여 도금을 수행하고, 다시 웨이터를 처음 위치로 반송하도록 구성됨으로써, 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩유닛의 구조가 매우 간단하고, 안정된 작동과정으로 정확도를 높이므로, 도금시 불량률을 줄이는 한편 도금공정의 신뢰성을 높이는 반도체 웨이퍼의 도금장치에 관한 기술이다.
일반적으로, 반도체 소자를 구성하는 회로 패턴이 미세화되고, 반도체 소자의 동작이 고속화됨에 따라 구리 배선의 적용이 점차 증가하고 있다. 메모리(memory) 반도체 소자 또는 비메모리 반도체 소자에 구리 배선이 채용됨에 따라 반도체 소자가 집적되는 웨이퍼(wafer) 상에 구리를 전기 도금하는 장비 및 방법이 개발되고 있다.
여기서, 웨이퍼 상에 구리를 전기 도금하여 형성된 금속막은 알루미늄 재질의 금속막에 비해 녹는점이 높을 뿐만 아니라 큰 저항력을 가지며, 이로 인해 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 또한 구리 재질의 금속막이 형성된 웨이퍼는 비저항이 낮아 신호 전달속도가 증가되는 장점이 있다.
종래 웨이퍼 상에 구리를 전기 도금하여 금속막을 형성하는 도금장비의 대표적인 선행기술로서, 대한민국 등록특허 제10-1204666호(웨이퍼 구리 도금 장비 및 방법)가 제시된 바 있다.
상기 선행기술은 전해질이 담길 용기와, 상기 용기의 상측을 닫고 전해질에 대면되게 웨이퍼를 도입하는 천정부, 웨이퍼에 대면되게 도입되는 구리 애노드(anode), 및 용기의 내부 공간을 상부공간 및 하부공간으로 분리하게 도입되고, 용기 내에 공급되는 전해질이 용기 내에서 차올라 웨이퍼의 중앙부에서부터 접촉하게 중앙부부터 열어주는 조리개부를 포함하는 기술이다.
이러한 선행기술은 전기 도금시 발생되는 결함을 억제할 수 있고, 도금장비의 용기 내에서 웨이퍼의 표면을 세정할 수 있으므로, 결함을 보다 유효하게 억제할 수 있으며, 또한 세정액과 전해질의 혼입에 따른 전해질의 열화 및 이에 따른 도금 불량을 줄이는 효과를 제공한다.
또한 종래 웨이퍼의 표면을 도금액에 침전하여 금속막을 형성하는 도금시스템의 대표적인 선행기술로서, 대한민국 등록특허 제10-0817762호(웨이퍼 자동 도금시스템)가 제시된 바 있다.
상기 선행기술은 로딩장치에서 웨이퍼를 반송장치로 인출하여 도금액이 환류되는 도금부의 도금조로 이송해 침적 도금하고, 도금된 웨이퍼를 정수된 물로 세정하며, 세정된 웨이퍼를 건조시키는 웨이퍼 자동 도금시스템에 있어서, 상기 웨이퍼를 도금부의 도금액에 침적하여 도금한 후, 웨이퍼 표면에 묻은 도금액을 바로 고압의 분사가스로 제거하는 도금 및 도금액제거장치와; 도금 및 도금액이 제거된 웨이퍼를 흡착 및 회전시켜 물로 세정한 후, 세정된 웨이퍼 표면에 묻은 물을 바로 고속 회전으로 탈수하여 건조시키는 세정 및 건조장치를 포함하여 구성이다.
이러한 선행기술은 작은 공간에 추가로 소요되는 비용없이 웨이퍼가 도금시 상하로 유동되어 보다 완전한 도금이 수행되고, 도금액의 회수장치를 별도로 설치하지 않고 도금장치에서 회수를 한번에 처리할 수 있는 효과를 제공한다.
그러나, 상기 선행기술들은 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩장치의 구조가 매우 복잡하고, 이로 인해 제작비용이 과다하게 소요되는 한편 작동과정이 불안정하여 정확도가 저하됨에 따라 도금시 불량률이 높아지고, 또한 신뢰성이 떨어지는 문제점들이 있다.
대한민국 등록특허 제10-0817762호. 대한민국 등록특허 제10-1089817호. 대한민국 등록특허 제10-1204666호. 대한민국 등록특허 제10-1723991호. 대한민국 등록특허 제10-1781893호. 대한민국 등록특허 제10-1786789호.
본 발명은 종래 웨이퍼 도금장비의 선행기술에서 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩장치의 구조가 매우 복잡하고, 제작비용이 과다하게 소요되는 한편 도금시 불량률이 높아지는 문제점들을 개선하고자 안출된 기술로서, 전원이 인가되는 동판에 웨이퍼를 진공 흡착한 다음, 모터와 실린더 및 링크의 구동으로 웨이퍼를 도금조로 이송하여 도금을 수행하고, 다시 웨이터를 처음 위치로 반송하도록 구성된 반도체 웨이퍼의 도금장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩유닛의 구조가 매우 간단하고, 제작비용이 저렴하게 소요될 뿐만 아니라 안정된 작동과정으로 정확도를 높이므로, 도금시 불량률을 줄이는 한편 도금공정의 신뢰성을 높이는 반도체 웨이퍼의 도금장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기와 같은 소기의 목적을 실현하고자,
지면 위에 사각의 틀형태로 설치되는 프레임; 상기 프레임의 내부에 설치되고, 도금액이 수용되는 도금조; 상기 프레임의 일측 상부에 설치되는 실린더; 상기 실린더 아래에 위치하도록 프레임에 설치되는 브라켓; 상기 브라켓에 제1링크와 제2링크로 연결 설치되는 하우징; 상기 하우징의 한쪽 측면에 설치되는 기어박스; 및 상기 기어박스에 샤프트로 결합 설치되고, 전원이 인가되는 한편 웨이퍼를 진공 흡착하는 로딩유닛;을 포함하여 구현된다.
또한 본 발명의 실시예로서, 도금조는 중앙부에 도금탱크가 배치되는 한편 도금탱크의 상부에 홀더가 구성되고, 상기 도금탱크는 외부에서 전원(+)이 인가되는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 실시예로서, 브라켓과 하우징은 전면과 후면에 각각 한쌍으로 제1링크와 제2링크가 회전가능케 연결 설치되며, 상기 제1링크는 상단부가 외측으로 연장 형성되고, 그 단부에 실린더의 피스톤 로드가 회전가능케 결합 설치된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예는 전원이 인가되는 동판에 웨이퍼를 진공 흡착한 다음, 모터와 실린더 및 링크의 구동으로 웨이퍼를 도금조로 이송하여 도금을 수행하고, 다시 웨이터를 처음 위치로 반송하도록 구성됨으로써, 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩유닛의 구조가 매우 간단하고, 제작비용이 저렴하게 소요되는 효과가 있다.
또한 본 발명의 실시예는 전원이 인가되는 동판에 웨이퍼를 진공 흡착한 다음, 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩유닛의 안정된 작동과정으로 정확도를 높이므로, 도금시 불량률을 줄이는 한편 도금공정의 신뢰성을 높이는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에서 설치상태를 나타낸 정면도.
도 2와 도 3은 본 발명에서 작동상태를 나타낸 정면도.
도 4는 본 발명에서 로딩유닛의 설치상태를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명에서 로딩유닛의 작동상태를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에서 로딩휠을 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명에서 로딩휠을 나타낸 평면도.
도 8은 본 발명에서 동판을 나타낸 단면도.
도 9는 본 발명에서 동판을 나타낸 평면도.
도 10은 본 발명에서 로딩유닛의 설치상태를 나타낸 요부 단면도.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 주요 구성을 살펴보면, 지면 위에 사각의 틀형태로 설치되는 프레임(10); 상기 프레임(10)의 내부에 설치되고, 도금액이 수용되는 도금조(20); 상기 프레임(10)의 일측 상부에 설치되는 실린더(30); 상기 실린더(30) 아래에 위치하도록 프레임(10)에 설치되는 브라켓(40); 상기 브라켓(40)에 제1링크(51)와 제2링크(52)로 연결 설치되는 하우징(50); 상기 하우징(50)의 한쪽 측면에 설치되는 기어박스(60); 및 상기 기어박스(60)에 샤프트(71)로 결합 설치되고, 전원이 인가되는 한편 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 로딩유닛(70);을 포함하여 이루어진다.
상기 실시예의 주요 구성에서 프레임(10)은 지면 위에 설치되는 구조물로서, 상기 프레임(10)은 도면에서 도 1 내지 도 3과 같이, 지면 위에 사각의 틀형태로 설치되고, 스테인리스 또는 알루미늄 재질의 사각관으로 제작되며, 지면 위에 소정의 높이로 구성된다.
또한 상기 실시예의 주요 구성에서 도금조(20)는 전해질 도금액이 수용되는 기능으로서, 상기 도금조(20)는 프레임(10)의 내부 아래에 설치되고, 중앙부에 도금탱크(21)가 배치되는 한편 도금탱크(21)의 상부에 홀더(22)가 구성된다.
상기에서 도금탱크(21)는 외부에서 전원(+)이 인가되고, 별도의 탱크(23)에서 펌프로 펌핑된 도금액이 수용되어 상부의 홀더(22)를 통해 도금조(20) 안으로 계속 흘러넘치며, 또한 도금조(20) 안으로 수용된 도금액은 탱크(23)로 유입되어 지속적으로 순환된다.
또한 상기 실시예의 주요 구성에서 실린더(30)는 웨이퍼(W)를 이송 또는 반송하는 기능으로서, 상기 실린더(30)는 도면에서 도 1 내지 도 3과 같이, 프레임(10)의 일측 상부에 상하 수직 방향으로 설치되며, 공지된 기술의 공압 또는 유압장치를 통해 작동한다.
상기에서 실린더(30)는 피스톤 로드가 상하 수직 방향으로 신축 작동하고, 상부가 프레임(10)의 외측부에 회전가능케 설치되며, 후술하는 제1링크(51)를 회전 작동시켜 웨이퍼(W)를 이송 또는 반송하게 된다.
또한 상기 실시예의 주요 구성에서 브라켓(40)은 후술하는 제1링크(51)와 제2링크(52)가 회전가능케 설치되는 기능으로서, 상기 브라켓(40)은 실린더(30) 아래에 위치하도록 프레임(10)의 측면부에 부착 설치되고, 제1링크(51)와 제2링크(52)의 상단부가 전면과 후면에 한쌍으로 회전가능케 결합 설치된다.
상기에서 제1링크(51)와 제2링크(52)는 브라켓(40)의 전면과 후면에 한쌍으로 구성되며, 상기 제1링크(51)는 제2링크(52)의 외측에 위치하고, 제2링크(52) 보다 낮은 높이로 배치되는 한편 제2링크(52)와 소정의 거리로 이격되어 설치된다.
한편 제1링크(51)는 상단부가 외측으로 연장 형성되고, 그 단부에 실린더(30)의 피스톤 로드가 회전가능케 결합 설치되며, 상기 실린더(30)의 구동으로 피스톤 로드가 상승 또는 하강 작동하면, 브라켓(40)에서 회전 작동하게 된다.
또한 상기 실시예의 주요 구성에서 하우징(50)은 실린더(30)와 제1링크(51) 및 제2링크(52)의 구동으로 이송 작동하는 기능으로서, 상기 하우징(50)은 도면에서 도 1 내지 도 3과 같이, 프레임(10)의 내부에 배치되고, 제1링크(51)와 제2링크(52)의 하단부가 회전가능케 결합 설치된다.
상기에서 하우징(50)은 전면과 후면에 각각 제1링크(51)와 제2링크(52)의 하단부가 이격되어 회전가능케 설치되고, 실린더(30)의 구동으로 브라켓(40)에서 제1링크(51)와 제2링크(52)가 회전 작동하면, 프레임(10)의 내측 또는 외측으로 이송 작동하게 된다.
또한 상기 실시예의 주요 구성에서 기어박스(60)는 모터의 구동으로 후술하는 로딩유닛(70)을 회전 작동시키는 기능으로서, 상기 기어박스(60)는 하우징(50)의 한쪽 측면에 배치되고, 핸들을 통하여 하우징(50)에서 상하로 이송가능케 설치된다.
상기에서 기어박스(60)는 후방에 모터가 부착 설치되고, 후술하는 로딩유닛(70)의 샤프트(71)가 끼워져 결합 설치되며, 모터의 구동으로 작동하여 로딩유닛(70)을 정역 방향으로 회전시키게 된다.
또한 상기 실시예의 주요 구성에서 로딩유닛(70)은 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 한편 웨이퍼(W)에 전원(-)을 인가하여 구리 금속막을 도금하는 기능으로서, 상기 로딩유닛(70)은 도면에서 도 1 내지 도 3과 같이, 기어박스(60)에 샤프트(71)로 결합 설치되고, 별도로 설치되는 진공펌프를 통해 샤프트(71)의 중공홀(71a)로 공기를 흡입하여 웨이퍼(W)를 흡착하게 된다.
상기에서 로딩유닛(70)은 도면에서 도 4 및 도 5와 같이, 중공홀(71a)이 형성된 샤프트(71); 상기 샤프트(71)의 상부에 결합 설치되고, 상부에 다수의 흡입로(73a)가 형성된 로딩휠(73); 상기 로딩휠(73)의 상부에 배치되고, 다수개의 흡입공(74a)이 형성되는 한편 가장자리 둘레에 패킹(74b)이 끼워져 설치되는 동판(74); 및 상기 로딩휠(73)에 하부가 끼워져 설치되는 한편 상단부가 동판(74)에 끼워져 결합 설치되고, 외부에서 전원(-)이 인가되는 전극봉(75);을 포함하여 구성된다.
상기에서 샤프트(71)는 중공홀(71a)이 관통 형성되고, 상기 중공홀(71a)과 별도로 설치되는 진공펌프가 호스로 연결 설치되어 중공홀(71a)에서 진공펌프로 공기가 흡입되며, 또한 외부에서 전원(-)이 공급되는 도전링(71b)이 끼워져 결합 설치된다.
한편 상기에서 로딩휠(73)은 합성수지(플라스틱)와 같은 절연재질로 구성되고, 허브(72)와 체결볼트를 통해 샤프트(71)의 상부에 결합 설치되며, 또한 도면에서 도 6 및 도 7과 같이, 상부에 다수의 흡입로(73a)가 연결되어 형성되고, 전극봉(75)이 끼워지는 다수개의 홀이 저면부 둘레에 일정한 간격으로 형성된다.
또한 상기에서 동판(74)은 로딩휠(73)의 상부에 놓여 배치되고, 전극봉(75)을 통해 전원(-)이 인가되는 한편 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 기능으로서, 도면에서 도 8 및 도 9와 같이, 다수개의 흡입공(74a)이 일정한 간격으로 관통 형성되며, 가장자리 둘레에 패킹(74b)이 끼워져 설치되는 한편 가장자리 내측 둘레에 일정한 간격으로 다수개의 전극홀(74c)이 형성된다.
상기에서 전극봉(75)은 도전링(71b)에서 전극(75a)(75b)을 통해 전원(-)이 공급되고, 하부가 로딩휠(73)의 홀에 끼워져 설치되는 한편 상단부의 로드가 동판(74)의 전극홀(74c)에 끼워져 하부에 체결됨으로써, 동판(74)이 로딩휠(73)의 상부에 고정되는 한편 동판(74)에 전원(-)을 인가하게 된다.
한편 전극봉(75)과 전극(75a)(75b)을 보호하는 기능으로서, 로딩휠(73)의 가장자리 둘레에 원통형태의 커버(76)를 설치하여 도금액과 작업 환경으로부터 전극봉(75)과 전극(75a)(75b)을 감싸 보호한다.
로딩유닛(70)의 작동과정을 살펴보면, 우선 도면에서 도 1과 같이, 로딩유닛(70)은 최초 기어박스(60)의 상부에 수직으로 배치되고, 이러한 상태에서 로딩장치를 통해 웨이퍼(W)가 이송되어 동판(74) 위에 놓이며, 이때 진공펌프가 작동하여 샤프트(71)의 중공홀(71a)을 통해 공기를 흡입한다.
상기에서 진공펌프가 작동하면, 샤프트(71)의 중공홀(71a)과 로딩휠(73)의 흡입로(73a) 및 동판(74)의 흡입공(74a)을 통해 공기가 진공 흡입되므로, 웨이퍼(W)가 패킹(74b)에 밀착되면서 동판(74) 위에 진공 흡착된다.
다음은, 도면에서 도 2 및 도 3과 같이, 모터의 구동으로 기어박스(60)가 작동하여 웨이퍼(W)가 흡착된 로딩유닛(70)을 기어박스(60)의 하부로 회전시켜 배치하고, 이와 동시에 실린더(30)가 작동하여 제1링크(51)와 제2링크(52)를 통해 하우징(50)을 아래 및 외측 방향으로 이동시킴으로써, 로딩유닛(70)에 흡착된 웨이퍼(W)가 도금탱크(21)의 홀더(22) 위에 배치된다.
상기에서 웨이퍼(W)가 도금탱크(21)의 홀더(22) 위에 배치되면, 도금탱크(21)에서 홀더(22)를 통해 도금조(20)로 흘러넘치는 도금액에 웨이퍼(W)가 침전되고, 동판(74)에 전원(-)이 인가되는 한편 도금탱크(21)에 전원(+)이 인가됨에 따라 웨이퍼(W)에 구리 도금이 수행된다.
웨이퍼(W)에 도금이 완료되면, 실린더(30)와 기어박스(60)가 역방향으로 작동하여 웨이퍼(W)가 흡착된 로딩유닛(70)이 최초 위치로 복귀하고, 이와 동시에 진공펌프가 정지하여 흡착력이 상실된 다음, 로딩장치에서 동판(74) 위에 놓인 웨이퍼(W)를 인출하여 다음공정으로 이송하게 된다.
이러한 구성으로 이루어진 본 발명의 실시예는 전원이 인가되는 동판에 웨이퍼를 진공 흡착한 다음, 모터와 실린더 및 링크의 구동으로 웨이퍼를 도금조로 이송하여 도금을 수행하고, 다시 웨이터를 처음 위치로 반송하도록 구성됨으로써, 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩유닛의 구조가 매우 간단하고, 제작비용이 저렴하게 소요된다.
또한 본 발명의 실시예는 전원이 인가되는 동판에 웨이퍼를 진공 흡착한 다음, 웨이퍼를 이송 또는 반송하는 로딩유닛의 안정된 작동과정으로 정확도를 높이므로, 도금시 불량률을 줄이는 한편 도금공정의 신뢰성을 높이게 된다.
상기에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참고로 설명 하였으며, 상기의 실시예에 한정되지 아니하고, 상기의 실시예를 통해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경으로 실시할 수 있는 것이다.
10: 프레임 20: 도금조
30: 실린더 40: 브라켓
50: 하우징 51: 제1링크
52: 제2링크 60: 기어박스
70: 로딩유닛 71: 샤프트
72: 허브 73: 로딩휠
74: 동판 75: 전극봉
76: 커버

Claims (4)

  1. 지면 위에 사각의 틀형태로 설치되는 프레임(10);
    상기 프레임(10)의 내부에 설치되고, 도금액이 수용되는 도금조(20);
    상기 프레임(10)의 일측 상부에 설치되는 실린더(30);
    상기 실린더(30) 아래에 위치하도록 프레임(10)에 설치되는 브라켓(40);
    상기 브라켓(40)에 제1링크(51)와 제2링크(52)로 연결 설치되는 하우징(50);
    상기 하우징(50)의 한쪽 측면에 설치되는 기어박스(60); 및
    상기 기어박스(60)에 샤프트(71)로 결합 설치되고, 전원이 인가되는 한편 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 로딩유닛(70);을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 도금장치.
  2. 제1항에 있어서,
    도금조(20)는,
    중앙부에 도금탱크(21)가 배치되는 한편 도금탱크(21)의 상부에 홀더(22)가 구성되고, 상기 도금탱크(21)는 외부에서 전원(+)이 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 도금장치.
  3. 제1항에 있어서,
    브라켓(40)과 하우징(50)은,
    전면과 후면에 각각 한쌍으로 제1링크(51)와 제2링크(52)가 회전가능케 연결 설치되며, 상기 제1링크(51)는 상단부가 외측으로 연장 형성되고, 그 단부에 실린더(30)의 피스톤 로드가 회전가능케 결합 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 도금장치.
  4. 제1항에 있어서,
    로딩유닛(70)은,
    모터의 구동으로 기어박스(60)가 작동하여 정역 방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 도금장치.
KR1020180083613A 2018-07-18 2018-07-18 반도체 웨이퍼의 도금장치 KR102158908B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180083613A KR102158908B1 (ko) 2018-07-18 2018-07-18 반도체 웨이퍼의 도금장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180083613A KR102158908B1 (ko) 2018-07-18 2018-07-18 반도체 웨이퍼의 도금장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200009359A true KR20200009359A (ko) 2020-01-30
KR102158908B1 KR102158908B1 (ko) 2020-09-22

Family

ID=69321544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180083613A KR102158908B1 (ko) 2018-07-18 2018-07-18 반도체 웨이퍼의 도금장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102158908B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102404458B1 (ko) * 2020-12-23 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치 및 도금 처리 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040054463A (ko) * 2002-12-19 2004-06-25 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 도금장치 및 도금방법
JP3859583B2 (ja) * 2002-11-18 2006-12-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置
KR100817762B1 (ko) 2007-05-02 2008-03-31 주식회사 대성엔지니어링 웨이퍼 자동 도금시스템
JP4574644B2 (ja) * 2002-11-15 2010-11-04 株式会社荏原製作所 めっき処理ユニット
KR101089817B1 (ko) 2009-12-10 2011-12-08 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 에지 제거 장치
KR101204666B1 (ko) 2010-04-16 2012-11-26 에스케이하이닉스 주식회사 웨이퍼 구리 도금 장비 및 방법
KR101723991B1 (ko) 2015-10-15 2017-04-07 주식회사 티케이씨 웨이퍼 도금장치
KR101781893B1 (ko) 2016-06-10 2017-09-26 (주)에이엘피엔지니어링 웨이퍼 로딩장치
KR101786789B1 (ko) 2017-06-20 2017-10-17 (주) 에스에스피 웨이퍼 스테이지용 진공흡착 플레이트

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4574644B2 (ja) * 2002-11-15 2010-11-04 株式会社荏原製作所 めっき処理ユニット
JP3859583B2 (ja) * 2002-11-18 2006-12-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置
KR20040054463A (ko) * 2002-12-19 2004-06-25 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 도금장치 및 도금방법
KR100544911B1 (ko) * 2002-12-19 2006-01-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 도금장치 및 도금방법
KR100817762B1 (ko) 2007-05-02 2008-03-31 주식회사 대성엔지니어링 웨이퍼 자동 도금시스템
KR101089817B1 (ko) 2009-12-10 2011-12-08 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 에지 제거 장치
KR101204666B1 (ko) 2010-04-16 2012-11-26 에스케이하이닉스 주식회사 웨이퍼 구리 도금 장비 및 방법
KR101723991B1 (ko) 2015-10-15 2017-04-07 주식회사 티케이씨 웨이퍼 도금장치
KR101781893B1 (ko) 2016-06-10 2017-09-26 (주)에이엘피엔지니어링 웨이퍼 로딩장치
KR101786789B1 (ko) 2017-06-20 2017-10-17 (주) 에스에스피 웨이퍼 스테이지용 진공흡착 플레이트

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102404458B1 (ko) * 2020-12-23 2022-06-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치 및 도금 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102158908B1 (ko) 2020-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4108941B2 (ja) 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法
US5672212A (en) Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers
JP4664320B2 (ja) めっき方法
JP4425801B2 (ja) 基板処理装置
JP3979847B2 (ja) めっき装置
KR100802122B1 (ko) 도금 장치 및 도금액 제거 방법
KR101551995B1 (ko) 액 처리 장치
TW201812096A (zh) 鍍覆裝置
CN107665841B (zh) 基板处理系统
KR102565317B1 (ko) 기판 세정 방법
JP2020176311A (ja) 洗浄装置、めっき装置、洗浄方法、乾燥装置
KR20200009359A (ko) 반도체 웨이퍼의 도금장치
JP2002363794A (ja) 基板ホルダ及びめっき装置
CN112735983B (zh) 一种单晶圆载体清洗高度集成装置
KR100817762B1 (ko) 웨이퍼 자동 도금시스템
JPH02310393A (ja) 半導体基板鍍金装置
JP2003247098A (ja) めっき装置
CN111640692B (zh) 一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置
JP2018125499A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP3289469B2 (ja) 基板の洗浄装置と洗浄方法
JP2006117966A (ja) めっき装置及びめっき方法
JP2002363793A (ja) 基板ホルダ及びめっき装置
JP2894867B2 (ja) 電子部品の半田めっき装置
JP2005146334A (ja) めっき方法及びめっき装置
CN220984479U (zh) 清洗装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant