KR101089817B1 - 웨이퍼 에지 제거 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 웨이퍼 에지 제거 장치는, 챔버(chamber) 내에 구비되며, 상면에 웨이퍼(Wafer)가 로딩(loading)되는 로딩 척; 및 로딩 척과 이격되어 구비되며, 로딩 척의 상부에 로딩된 웨이퍼의 에지 부분과 접촉하여 웨이퍼의 에지 부분을 제거하기 위한 케미컬(chemical) 물질을 공급하는 에지 제거부를 갖는 에지 제거 유닛;을 포함한다. 본 발명에 따르면, 보다 간단한 구조로 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 정확하게 수직으로 제거할 수 있어 EBR(Edge Bevel Removal) 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 또한 케미컬 물질이 제거 대상인 웨이퍼의 에지 부분에만 접촉되는 구조를 가짐으로써 웨이퍼의 내측으로 케미컬 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
웨이퍼, EBR, 에지, 스펀지, 도금

Description

웨이퍼 에지 제거 장치{Apparatus to remove edge bevel of wafer}
본 발명은, 웨이퍼 에지 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 보다 간단한 구조로 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 정확하게 수직으로 제거할 수 있어 웨이퍼의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 에지 제거 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체를 구성하는 실리콘 기판, 즉 웨이퍼 상에 금속배선을 형성하기 위해 웨이퍼의 전면에 금속막을 형성하여 이 금속막을 패터닝(patterning)하게 된다. 이때, 웨이퍼의 전면에 형성되는 금속막은 알루미늄(Aluminium) 또는 구리(Copper)에 의해 형성되는 것이 일반적이다.
이 중, 구리 재질의 금속막은 알루미늄 재질의 금속막에 비해 녹는점이 높을 뿐만 아니라 큰 저항력을 가지며, 이로 인해 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 구리 재질의 금속막이 형성된 웨이퍼는 비저항이 낮아 신호 전달 속도가 증가되는 이점을 구비한다. 따라서, 웨이퍼 상에 형성되는 금속막은 알루미 늄보다는 구리가 적용되는 것이 일반적이다.
한편, 구리 재질을 이용하여 웨이퍼 상에 금속막을 형성하는 작업이 도금 장치에서 실행된 후, 웨이퍼는 도금 장치로부터 EBR(edge bevel removal) 공정(구리 금속막이 도금되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 제거하는 공정)이 진행되는 웨이퍼 에지 제거 장치로 이동될 수 있다. 여기서, 웨이퍼 에지 장치는 일반적으로 웨이퍼에 대한 세정 작업이 진행되는 세정 장치 내에 마련된다.
도 1은 종래의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 제거 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
이에 도시된 바와 같이, 종래의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 제거 장치(1)는, 웨이퍼(W)에 대한 작업 공간을 형성하는 챔버(10)와, 챔버(10) 내에 마련되며 상면에 웨이퍼(W)가 로딩되는 스핀 척(20, Spin Chuck)과, 스핀 척(20)에 로딩된 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 제거하기 위한 케미컬(chemical) 물질을 분사하는 분사 노즐(30)을 포함한다.
이러한 구성에 의해, 웨이퍼(W)가 스핀 척(20)에 로딩된 상태로 회전할 때, 분사 노즐(30)은 회전하는 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)으로 케미컬 물질을 분사하여, 도금 작업이 수행되지 않은 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 제거한다.
그런데, 이러한 종래의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 제거 장치(1)에 있어서는, 웨이퍼(W)가 스핀 척(20)에 로딩된 상태로 회전할 때 분사 노즐(30)로부터 케미컬 물질이 분사됨으로써 전술한 EBR 공정이 이루어지게 되는데, 이때 웨이퍼(W)의 회전 동작에 의해 케미컬 물질이 웨이퍼(W)의 안쪽으로 침투할 수 있어 웨 이퍼(W)의 신뢰성을 저하시킬 수 있으며, 또한 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)이 수직으로 제거되지 못하고 곡면 형태 등으로 제거됨으로써 웨이퍼(W)의 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생될 수 있다.
또한, 분사 노즐(30)로부터 분사되는 케미컬 물질의 분사량 조절이 쉽지 않아 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)의 제거가 균일하게 이루어지지 않을 수 있으며, 또한 스핀 척(20)의 회전 동작과 분사 노즐(30)의 분사 동작이 동시에 진행되는 복잡한 구조를 갖는다는 단점이 있다.
이에, 구리 재질의 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 간단하면서도 정확한 형상으로 제거할 수 있는 새로운 구조의 웨이퍼 에지 제거 장치의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은, 보다 간단한 구조로 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 정확하게 제거함으로써 EBR(Edge Bevel Removal) 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 수직 방향으로 제거할 수 있어, 웨이퍼의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 케미컬 물질이 제거 대상인 웨이퍼의 에지 부분에만 접촉되는 구조를 가짐으로써 웨이퍼의 내측으로 케미컬 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 에지 제거 장치는, 챔버(chamber) 내에 구비되며, 상면에 웨이퍼(Wafer)가 로딩(loading)되는 로딩 척; 및 상기 로딩 척과 이격되어 구비되며, 상기 로딩 척의 상부에 로딩된 상기 웨이퍼의 에지 부분과 접촉하여 상기 웨이퍼의 에지 부분을 제거하기 위한 케미컬(chemical) 물질을 공급하는 에지 제거부를 갖는 에지 제거 유닛;을 포함하며, 이러한 간단한 구성에 의해, 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 정확하게 제거할 수 있어 웨이퍼의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 에지 제거 유닛은, 상기 에지 제거부가 결합되며, 상기 에지 제거부를 승하강 구동시킴으로써 상기 웨이퍼 방향으로 상기 에지 제거부를 접근시키거나 이격시키는 유닛 구동부를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 유닛 구동부는, 외부의 구동부와 연결되며, 상기 구동부의 구동력에 의해 상기 로딩 척 방향으로 하강 또는 반대 방향으로 상승 구동되는 구동축; 및 상기 구동축의 일단부에 결합되며, 상기 로딩척을 향하는 일면의 테두리 영역에는 상기 에지 제거부가 마련되는 제거부 결합몸체를 포함할 수 있으며, 이러한 구성에 의해 에지 제거부의 승강을 조절할 수 있다.
상기 에지 제거부는, 상기 제거부 결합몸체의 일면의 테두리 영역에 결합될 수 있도록 링(ring) 형상을 가지며, 이러한 형상에 의해 웨이퍼의 에지 부분에 국한되어 접촉될 수 있다.
상기 에지 제거부는 상기 케미컬 물질이 흡착 가능한 스펀지로 마련되는 것이 바람직하다.
상기 에지 제거부가 금속막이 미형성된 상기 웨이퍼의 에지 부분에만 접촉될 수 있도록 상기 금속막의 직경과 상기 에지 제거부의 내경은 대응되며, 따라서 에지 제거부의 케미컬 물질이 금속막이 형성된 웨이퍼 영역에 묻는 것을 방지할 수 있다.
상기 에지 제거부가 상기 웨이퍼 에지 부분과 접촉될 때 상기 웨이퍼의 에지 부분이 수직으로 제거될 수 있도록, 상기 에지 제거부의 내측벽은 수직 방향의 평평한 형상을 가질 수 있다.
상기 에지 제거 유닛은, 상기 유닛 구동부에 의한 상기 에지 제거부의 승강 속도를 감지하는 속도 감지 센서; 상기 웨이퍼의 에지 부분에 대한 상기 에지 제거부의 압력 상태를 감지하는 압력 감지 센서; 및 상기 속도 감지 센서 또는 상기 압력 감지 센서의 정보에 기초하여 상기 유닛 구동부의 구동력 또는 상기 웨이퍼의 에지 부분에 대한 상기 에지 제거부의 접촉 시간을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 로딩 척과 상기 에지 제거부는 상호 접근 또는 이격되는 방향으로 구동 가능하며, 이러한 구동에 의해 로딩 척 상의 웨이퍼에 대한 에지 제거부의 에지 제거 공정이 간단하면서도 정확하게 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 보다 간단한 구조로 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 정확하게 제거함으로써 EBR(Edge Bevel Removal) 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼의 에지 부분을 수직 방향으로 제거할 수 있어, 웨이퍼의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 케미컬 물질이 제거 대상인 웨이퍼의 에지 부분에만 접촉되는 구조를 가짐으로써 웨이퍼의 내측으로 케미컬 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 적용에 관하여 상세히 설명한다. 이하의 설명은 특허 청구 가능한 본 발명의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 본 발명에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다.
다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
한편, 이하에서 상술할 본 발명의 웨이퍼 에지 제거 장치는 독립적인 장치일 수도 있으나, 세정 공정이 진행되는 세정 장치로 적용될 수 있을 것이다. 즉, 후술할 본 발명의 구성 이외에 세정을 위한 다수의 공정이 챔버 내에 마련되어 웨이퍼 에지 제거 공정 및 세정 공정 등이 동일 챔버 내에서 진행될 수도 있을 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 제거 장치의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이되 각 구성이 상호 다른 각도로 도시된 도면이고, 도 3은 도 2의 정면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 에지 제거 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 제거 장치(100)는, 기본 골격을 이루며 웨이퍼(W)에 대한 에지 제거 공정, 즉 EBR(edge bevel removal) 공정이 진행되는 내부 공간을 형성하는 챔버(110, Chamber)와, 챔버(110)의 내측에 마련되며 작업 대상물인 웨이퍼(W)가 그 상면에 로딩되는 로딩 척(120, Load Chuck)과, 로딩 척(120)의 상부에 마련되며, 로딩 척(120)에 안착된 웨이퍼(W)의 에지 부분(E, 도 3 참조, 후술할 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)에 해당함)과의 접촉에 의해 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 제거하는 케미컬(chemical) 물질을 제공함으로써 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 제거하는 에지 제거 유닛(130)을 포함한다.
여기서, 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 제거하는 케미컬 물질은, 황산, 과산화수소 및 DIW(De-ionized Water) 등의 소정 비율로 혼합된 화학 물질로서, 도금 공정이 이루어지지 않은 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 확실하게 제거할 수 있다.
먼저, 각 구성에 대해 설명하기 전에, 도 3을 참조하여 웨이퍼(W)의 구조에 대해 개략적으로 설명하면, 웨이퍼(W)는, 베어 웨이퍼(W1, bare wafer)와, 베어 웨이퍼(W1)의 상면에 배치되는 구리 시드층(W2)과, 구리 시드층(W2)의 상면에 형성되는 구리층(W3)을 구비한다. 여기서, 도시하지는 않았지만, 베어 웨이퍼(W1)와 구리 시드층(W2) 사이에는 옥사이드층(oxide layer)과 같은 다수의 층이 개재된다.
한편, 전술한 도금 공정에 의해 구리층(W3)은 구리 시드층(W2)의 상면 전 영역에 형성되는 것이 아니라, 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)에서는 구리층(W3)이 형성되지 않음을 알 수 있다. 따라서, 구리층(W3)이 형성되지 않은 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)을 수직으로 정확히 제거해야 하는데, 이러한 제거 작업은 후술할 구성들의 상호 작동에 의해 신뢰성 있게 수행될 수 있다.
먼저, 챔버(110)는 중공의 내부 공간을 형성하며, 도시하지는 않았지만 웨이퍼(W)의 출입을 위한 출입구가 마련되어 있다. 이러한 챔버(110)는 소정의 작업 시 외부와 분리된 환경을 가져야 하기 때문에, 외부의 대기와 완전히 밀폐된 구조를 갖는다.
로딩 척(120)은, 웨이퍼(W)가 로딩되는 부분으로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면 중 일부 영역만이 접촉될 수 있는 구조로 마련된다. 이는, 웨이퍼(W)와의 접촉 면적을 최소화함으로써 웨이퍼(W) 상에 손상(damage) 등이 생기는 것을 방지하기 위함이다.
이러한 로딩 척(120)은 챔버(110) 내부에서 고정 결합될 수도 있지만, 웨이퍼(W)를 로딩한 상태로 승하강 이동할 수 있을 뿐만 아니라 제자리에서 회전 가능하게 마련될 수도 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 로딩 과정이 용이하게 이루어질 수 있을 뿐만 아니라 세정 공정에 의해 웨이퍼(W)에 고착된 파티클 등을 제거할 때 제자리에서 회전함으로써 파티클 제거 작업이 신뢰성 있게 진행될 수 있도록 한다.
한편, 에지 제거 유닛(130)은, 웨이퍼(W)의 에지 부분(E), 보다 정확하게는 구리층(W3)이 형성되지 않은 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)과 접촉되어 그 부분을 실질적으로 제거하는 에지 제거부(131)와, 에지 제거부(131)를 승하강 구동시킴으로써 웨이퍼(W) 방향으로 에지 제거부(131)를 접근 또는 이격시키는 유닛 구동부(140)를 포함한다.
먼저, 유닛 구동부(140)는, 도 2에 개략적으로 도시된 바와 같이, 로딩 척(120)의 축과 동일축에 마련되며 외부의 구동부(미도시)에 의해 승하강 구동되는 구동축(141)과, 구동축(141)의 하단에 결합되며 웨이퍼(W)를 향하는 하면의 테두리 부분에 전술한 에지 제거부(131)가 결합되는 제거부 결합몸체(145)를 포함할 수 있 다.
한편, 에지 제거부(131)는, 유닛 구동부(140)의 구동 시 하강하여 구리층(W3)이 형성되지 않은 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)에 접촉됨으로써 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 제거하는 부분이다. 즉, 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)에 대해 에지 제거부(131)가 수직 방향으로 접촉됨으로써 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)이 제거될 수 있다.
본 실시예의 에지 제거부(131)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제거부 결합몸체(145)의 하면의 외측 영역에 결합되도록 링(ring) 형상으로 마련된다.
여기서, 에지 제거부(131)는, 구리층(W3)이 형성되지 않은 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)을 제거하는 것이기 때문에, 링 형상의 에지 제거부의 내경(D1)과, 구리층(W3)의 외경(D2)은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 실질적으로 동일하여야 한다. 또한 에지 제거부(131)가 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)을 수직으로 제거할 수 있도록, 에지 제거부(131)의 내측벽은 수직 방향으로 마련된다.
이러한 구조의 에지 제거부(131)는, 케미컬 물질의 흡수가 원활하게 진행될 수 있으면서도 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)과 접촉 시 에지 부분(E)에 소정의 가압력을 행사할 수 있도록 소정 크기의 경도를 갖는 스펀지로 마련된다.
따라서, 스펀지 형태의 에지 제거부(131)에 케미컬 물질을 흡수시킨 후, 유닛 구동부(140)의 구동에 의해 구리층(W3)이 형성되지 않은 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)과 에지 제거부(131)를 상호 접촉시키면, 에지 제거부(131)로부터 구리층(W3)이 형성되지 않은 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)으로 케미컬 물질이 공 급되고, 이러한 케미컬 물질과 구리 시드층(W2)이 화학적으로 작용하여 에지 부분(E)이 제거될 수 있다.
이때, 에지 제거부(131)는 그 형상을 거의 유지한 상태로 구리층(W3)이 형성되지 않은 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)과 접촉되기 때문에, 에지 제거부(131)로부터 공급되는 케미컬 물질은 제거되어야 할 구리층(W3)이 형성되지 않은 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)에만 공급될 수 있으며, 따라서 케미컬 물질이 웨이퍼(W)의 내측으로 침투하는 등의 현상이 발생되는 것을 차단할 수 있다. 즉, 스펀지 형태의 에지 제거부(131)는 웨이퍼(W)의 EBR 공정을 정확하게 수행할 수 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 본 실시예의 에지 제거 유닛(130)은, 전술한 구성 이외에도, 구동축(141)의 승하강 속도를 감지하는 속도 감지 센서(미도시)와, 구리 시드층(W2)에 대한 에지 제거부(131)의 압력 상태를 감지하는 압력 감지 센서(미도시)와, 속도 감지 센서 및 압력 감지 센서의 정보에 기초하여 유닛 구동부(140)의 구동력 및 구리 시드층(W2)에 대한 에지 제거부(131)의 접촉 시간을 제어하는 제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
속도 감지 센서는, 구동축(141)의 승하강 속도를 감지하고 감지된 정보를 제어부로 전송한다. 제어부는, 획득된 정보를 토대로, 에지 제거부(131)와 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)의 상호 접촉이 최적화된 상태에서 진행되도록 유닛 구동부(140)의 구동을 제어하며, 이로 인해 EBR 공정의 신속성 및 신뢰성이 확보될 수 있도록 한다.
압력 감지 센서는, 에지 제거부(131)와 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)이 상호 접촉 상태를 유지할 때 압력을 감지한 후 감지된 정보를 제어부로 전송한다. 제어부는 획득된 정보에 기초하여, 에지 제거부(131)와 웨이퍼(W)의 에지 부분의 상호 접촉 시의 압력 상태를 최적으로 유지할 수 있도록 유닛 구동부(140)의 구동을 제어하며, 이로 인해 EBR 공정의 정확성 및 효율성이 확보될 수 있다.
이하에서는, 이러한 구성을 갖는 웨이퍼 에지 제거 장치(100)의 개략적인 공정에 대해 설명하기로 한다.
우선, 도금 공정 등이 완료된 웨이퍼(W)를 챔버(110) 내의 로딩 척(120)의 상부로 로딩시킨다. 로딩 척(120)에 로딩된 웨이퍼(W)의 표면에는 이전 공정에 의해 발생 가능한 파티클 등이 잔존할 수 있는데, 이는 세정 공정 등을 통해 제거할 수 있다.
이후, 도금 공정 시 구리의 금속막이 형성되지 않은 웨이퍼(W)의 에지 부분(E), 보다 정확하게는 구리층(W3)이 형성되지 않는 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)을 제거해야 한다. 이를 위해, 에지 제거 유닛(130)의 유닛 구동부(140)를 구동시켜 에지 제거부(131)를 하강시키고, 이러한 동작에 의해 구리층(W3)이 형성되지 않는 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)과 에지 제거부(131)가 상호 접촉되도록 한다. 접촉 시, 에지 제거부(131)로부터 구리층(W3)이 형성되지 않는 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)으로 EBR 공정을 위한 케미컬 물질이 공급되고 구리 시드층(W2)의 에지 부분(E)이 수직으로 제거된다.
이후, 유닛 구동부(140)를 구동시켜 에지 제거부(131)를 웨이퍼(W)로부터 이격시키고, EBR 공정이 완료된 웨이퍼(W)를 다음 공정으로 이송시킨다.
이와 같이, 본 실시예에 의하면, 도금 공정이 이루어지지 않은 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 간단한 방법에 의해 제거하되, 수직 방향으로 제거할 수 있어 EBR 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 종래에는 웨이퍼(W)가 회전될 때 케미컬 물질이 웨이퍼(W)의 에지 부분으로 분사됨으로써 웨이퍼(W)의 내측 부분으로 케미컬 물질이 침투할 우려가 있었는데, 본 실시예에서는 에지 제거부(131)가 수직 방향으로 하강하여 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)과 접촉됨으로써 웨이퍼(W)의 에지 부분(E)을 제거하는 것이기 때문에 웨이퍼(W)의 내측 부분으로 케미컬 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 스펀지로 마련되는 에지 제거부(131)에 케미컬 물질이 흡수되는 구조를 갖는데, 이러한 구조는 종래의 분사 구조에 비해 케미컬 물질의 사용량을 줄임으로써 비용을 점감시킬 수 있는 장점이 있다.
전술한 실시예에서는, 로딩 척에 웨이퍼가 로딩된 상태에서 에지 제거부가 유닛 구동부의 구동에 의해 하강한다고 상술하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 에지 제거부는 고정되어 있고 웨이퍼가 로딩된 로딩 척이 상승할 수도 있으며, 또는 로딩 척 및 에지 제거부가 상호 접근되는 방향으로 상승 또는 하강할 수도 있음은 물론이다.
한편, 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
도 1은 종래의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 제거 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 제거 장치의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이되 각 구성이 상호 다른 각도로 도시된 도면이다.
도 3은 도 2의 정면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 에지 제거 유닛의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 웨이퍼 에지 제거 장치 110 : 챔버
120 : 로딩 척 130 : 에지 제거 유닛
131 : 에지 제거부 140 : 유닛 구동부
W : 웨이퍼
E : 구리층이 형성되지 않은 구리 시드층의 에지 부분

Claims (7)

  1. 챔버(chamber) 내에 구비되며, 상면에 웨이퍼(Wafer)가 로딩(loading)되는 로딩 척; 및
    상기 로딩 척과 이격되어 구비되며, 상기 로딩 척의 상부에 로딩된 상기 웨이퍼의 에지 부분과 접촉하여 상기 웨이퍼의 에지 부분을 제거하기 위한 케미컬(chemical) 물질을 공급하는 에지 제거부를 갖는 에지 제거 유닛;
    을 포함하며,
    상기 에지 제거부는 상기 케미컬 물질이 흡착 가능한 스펀지로 마련되는 웨이퍼 에지 제거 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에지 제거 유닛은,
    상기 에지 제거부가 결합되며, 상기 에지 제거부를 승하강 구동시킴으로써 상기 웨이퍼 방향으로 상기 에지 제거부를 접근시키거나 이격시키는 유닛 구동부를 더 포함하는 웨이퍼 에지 제거 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유닛 구동부는,
    외부의 구동부와 연결되며, 상기 구동부의 구동력에 의해 상기 로딩 척 방 향으로 하강 또는 반대 방향으로 상승 구동되는 구동축; 및
    상기 구동축의 일단부에 결합되며, 상기 로딩척을 향하는 일면의 테두리 영역에는 상기 에지 제거부가 마련되는 제거부 결합몸체를 포함하는 웨이퍼 에지 제거 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 에지 제거부는, 상기 제거부 결합몸체의 일면의 테두리 영역에 결합될 수 있도록 링(ring) 형상으로 마련되는 웨이퍼 에지 제거 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 에지 제거부가 상기 웨이퍼 에지 부분과 접촉될 때 상기 웨이퍼의 에지 부분이 수직으로 제거될 수 있도록, 상기 에지 제거부의 내측벽은 수직 방향의 평평한 형상을 갖는 웨이퍼 에지 제거 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 에지 제거 유닛은,
    상기 유닛 구동부에 의한 상기 에지 제거부의 승강 속도를 감지하는 속도 감지 센서;
    상기 웨이퍼의 에지 부분에 대한 상기 에지 제거부의 압력 상태를 감지하는 압력 감지 센서; 및
    상기 속도 감지 센서 또는 상기 압력 감지 센서의 정보에 기초하여 상기 유닛 구동부의 구동력 또는 상기 웨이퍼의 에지 부분에 대한 상기 에지 제거부의 접촉 시간을 제어하는 제어부를 더 포함하는 웨이퍼 에지 제거 장치.
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KR20200009359A (ko) 2018-07-18 2020-01-30 오성종 반도체 웨이퍼의 도금장치

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