KR20190143808A - 제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 성막 방법 및 기록 매체 - Google Patents

제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 성막 방법 및 기록 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20190143808A
KR20190143808A KR1020190068361A KR20190068361A KR20190143808A KR 20190143808 A KR20190143808 A KR 20190143808A KR 1020190068361 A KR1020190068361 A KR 1020190068361A KR 20190068361 A KR20190068361 A KR 20190068361A KR 20190143808 A KR20190143808 A KR 20190143808A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vapor pressure
raw material
saturated vapor
temperature
value
Prior art date
Application number
KR1020190068361A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102452269B1 (ko
Inventor
다츠야 야마구치
슈지 노자와
마코토 후지카와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190143808A publication Critical patent/KR20190143808A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102452269B1 publication Critical patent/KR102452269B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

복수 종류의 원료로부터의 막의 생성을 용이하게 제어한다.
제어 장치는 취득부와 선택부와 산출부와 제어부를 구비한다. 취득부는, 피처리체에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터, 및 피처리체에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값을 취득한다. 선택부는, 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 복수 종류의 원료 중, 어느 온도에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택한다. 산출부는, 선택된 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값에 대응하는 온도를 산출한다. 제어부는 피처리체의 온도를, 산출된 온도로 제어한다.

Description

제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 성막 방법 및 기록 매체{CONTROL DEVICE, FILM FORMING APPARATUS, CONTROL METHOD, FILM FORMING METHOD, AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는 제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 성막 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
특허문헌 1은, 방향족 알킬, 지환상 또는 지방족의 디이소시아네이트 모노머와, 방향족 알킬, 지환상 또는 지방족의 디아민 모노머의 진공 증착 중합에 의한 폴리우레아막의 제조 방법을 개시한다. 특허문헌 1에서는 디이소시아네이트 모노머 및 디아민 모노머로서, 기재로부터의 탈리에 필요한 활성화 에너지의 차가 10kJ 이하의 관계에 있는 것이 이용되고 있다. 특허문헌 1에 개시된 기술에 의하면, 투명성, 내광성 및 양산성이 우수한 폴리우레아막의 성막 방법이 제공된다.
국제 공개 제2008/129925호
본 개시는, 복수 종류의 원료로부터의 막의 생성을 용이하게 제어할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 제어 장치는, 피처리체에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터, 및 피처리체에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값을 취득하는 취득부와, 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 복수 종류의 원료 중, 어느 온도에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택하는 선택부와, 선택된 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값에 대응하는 온도를 산출하는 산출부와, 피처리체의 온도를, 산출된 온도로 제어하는 제어부를 구비한다.
본 개시에 의하면, 복수 종류의 원료로부터의 막의 생성을 용이하게 제어할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 의한 성막 장치의 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치의 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치에 포함되는 포화 증기압 곡선 데이터의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치에 포함되는 포화 증기압 설정값의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치에 포함되는 선택부의 동작의 일례를 설명하는 도면이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치에 포함되는 산출부의 동작의 일례를 설명하는 도면이다.
도 8은 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 처리 수순의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 9는 본 개시의 일 실시 형태에 의한 성막 방법의 처리 수순의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 10은 본 개시의 일 실시 형태의 변형예에 의한 제어 장치의 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 11은 본 개시의 일 실시 형태의 변형예에 의한 제어 방법의 처리 수순의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 12는 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제1 실시예를 설명하는 도면이다.
도 13은 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제2 실시예를 설명하는 도면이다.
도 14는 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제3 실시예를 설명하는 도면이다.
도 15는 제어 장치의 기능을 실현하는 컴퓨터의 일례를 도시하는 하드웨어 구성도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 성막 방법 및 기록 매체의 실시 형태를 상세히 설명한다. 또한 이하에 기재하는 실시 형태에 의하여 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수의 관계, 각 요소의 비율 등은 현실과 상이한 경우가 있다. 또한 도면의 상호 간에 있어서도, 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.
<성막 장치>
먼저, 도 1을 참조하여 본 개시의 일 실시 형태에 의한 성막 장치(1)의 구성의 일례를 설명한다. 도 1은, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 성막 장치(1)의 구성의 일례를 도시하는 단면도이다. 성막 장치(1)는, 피처리체 W에 막을 생성하는 장치이다. 성막 장치(1)는, 예를 들어 화학 진공 증착(CVD) 장치이다. 피처리체 W는, 예를 들어 반도체 장치의 기판인 웨이퍼이다.
이하의 설명에 있어서는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료가 2종류의 원료, 예를 들어 제1 원료로서의 원료 A 및 제2 원료로서의 원료 B인 경우를 설명한다. 예를 들어 피처리체 W에 폴리요소의 막을 생성하는 경우에는 원료 A 및 원료 B는, 예를 들어 디이소시아네이트 및 디아민이다. 성막 장치(1)에 있어서, 피처리체 W의 표면에 있어서 디이소시아네이트 및 디아민을 증착 중합시킴으로써 피처리체 W의 표면에 폴리요소의 막을 생성한다.
성막 장치(1)는 챔버(10)와 제1 원료 공급원(11a)과 제2 원료 공급원(11b)과 제1 기화기(12a)와 제2 기화기(12b)와 제1 공급관(13a)과 제2 공급관(13b)과 배기 장치(14)와 배기관(15)과 포획 장치(16)를 구비한다.
챔버(10)는, 진공 분위기를 구획하는 내벽을 갖는 진공 용기이다. 여기서 진공 분위기는, 예를 들어 중진공(100 내지 0.1㎩)이다. 챔버(10)에는 피처리체 W가 반입된다. 챔버(10)는, 챔버(10)의 내부에 있어서의 진공 분위기의 온도를 조절하는 기구를 갖는다. 예를 들어 챔버(10)는, 챔버(10)의 내벽을 가열하는 히터를 갖는다.
제1 원료 공급원(11a)은 제1 원료로서의 원료 A의 액체를 수용한다. 제1 원료 공급원(11a)은, 액체 상태에 있어서의 원료 A를 제1 기화기(12a)에 공급한다.
제2 원료 공급원(11b)은 제2 원료로서의 원료 B의 액체를 수용한다. 제2 원료 공급원(11b)은, 액체 상태에 있어서의 원료 B를 제2 기화기(12b)에 공급한다.
제1 기화기(12a)는 제1 원료 공급원(11a)으로부터 공급되는 원료 A의 액체를 기화한다. 제1 기화기(12a)는, 예를 들어 제1 원료 공급원(11a)으로부터 공급되는 원료 A의 액체를 가열하는 히터를 갖는다.
제2 기화기(12b)는 제2 원료 공급원(11b)으로부터 공급되는 원료 B의 액체를 기화한다. 제2 기화기(12b)는, 예를 들어 제2 원료 공급원(11b)으로부터 공급되는 원료 B의 액체를 가열하는 히터를 갖는다.
제1 공급관(13a)은 제1 원료 공급원(11a) 및 제1 기화기(12a)를 챔버(10)에 접속한다. 제1 공급관(13a)은 제1 기화기(12a)에 의하여 생성된 원료 A의 기체를 챔버(10)에 공급한다. 제1 공급관(13a)은, 제1 공급관(13a) 내를 유동하는 원료 A의 기체의 온도를 조절하는 기구, 예를 들어 제1 공급관(13a)을 가열하는 히터를 갖는다.
제2 공급관(13b)은 제2 원료 공급원(11b) 및 제2 기화기(12b)를 챔버(10)에 접속한다. 제2 공급관(13b)은 제2 기화기(12b)에 의하여 생성된 원료 B의 기체를 챔버(10)에 공급한다. 제2 공급관(13b)은, 제2 공급관(13b) 내를 유동하는 원료 B의 기체의 온도를 조절하는 기구, 예를 들어 제2 공급관(13b)을 가열하는 히터를 갖는다.
배기 장치(14)는 챔버(10)의 내부에 진공 분위기를 형성하기 위하여 챔버(10) 내를 배기한다. 배기 장치(14)는, 챔버(10) 내를 배기하는 진공 펌프, 및 챔버(10)의 내압을 계측하는 진공계를 포함한다.
배기관(15)은 배기 장치(14)를 챔버(10)에 접속한다. 배기관(15)은, 예를 들어 챔버(10) 내에 공급되었지만 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되지 않은 원료 A의 미반응된 기체 및 원료 B의 미반응된 기체를 배기한다. 또한 배기관(15)은, 예를 들어 챔버(10) 내에서 발생한 파티클을 배기한다. 챔버(10) 내에서 발생한 파티클은, 예를 들어 챔버(10) 내에 공급되었지만 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되지 않은 원료 A 및 원료 B의 반응 생성물을 포함한다.
포획 장치(16)는 챔버(10) 내에서 발생한 파티클을 포획한다. 포획 장치(16)는, 챔버(10) 내에서 발생한 파티클을 포획하는 기능을 갖는 재료로 형성된 부재(이하, 「파티클 포획 기능 부재」라 칭함)를 포함한다. 예를 들어 포획 장치(16)는, 금속제의 메쉬 등을 포함하는 그물눈형의 부재를 포함한다. 포획 장치(16)는, 파티클 포획 기능 부재의 온도를 조절하는 기구, 예를 들어 수랭 등에 의하여 파티클 포획 기능 부재를 냉각하는 기구를 갖는다. 포획 장치(16)는, 챔버(10)와 배기 장치(14) 사이에 있어서의 배기관(15)에 마련된다.
챔버(10)는 적재대(17)와 샤워 헤드(18)를 구비한다.
적재대(17)는 챔버(10)의 내부에 반입된 피처리체 W를 상면에 적재한다. 적재대(17)는, 예를 들어 챔버(10)의 하부에 마련된다. 적재대(17)는, 상면에 적재된 피처리체 W의 온도를 조절하는 기구, 예를 들어 상면에 적재된 피처리체 W를 가열하는 히터를 갖는다.
샤워 헤드(18)는 제1 공급관(13a)을 통하여 공급되는 원료 A의 기체, 및 제2 공급관(13b)을 통하여 공급되는 원료 B의 기체를 챔버(10)의 내부로 토출한다. 샤워 헤드(18)는, 예를 들어 챔버(10)의 상부에 마련된다. 샤워 헤드(18)는, 제1 공급관(13a)을 통하여 공급되는 원료 A의 기체를 챔버(10)의 내부로 토출하는 제1 토출 구멍, 및 제2 공급관(13b)을 통하여 공급되는 원료 B의 기체를 챔버(10)의 내부로 토출하는 제2 토출 구멍을 하면에 갖는다.
성막 장치(1)는, 챔버(10)의 내부가 진공 분위기인 상태에 있어서, 적재대(17)의 상면에 적재된 피처리체 W에 대하여 원료 A의 기체 및 원료 B의 기체를 공급함으로써 피처리체 W의 표면에 있어서 원료 A 및 원료 B를 반응시킨다. 그 결과, 성막 장치(1)는 피처리체 W의 표면에 막을 생성한다.
성막 장치(1)는 제어 장치(100)를 더 구비한다. 제어 장치(100)는 피처리체 W의 온도를 제어한다. 제어 장치(100)는 챔버(10)의 온도, 배기관(15)의 온도, 및 포획 장치(16)의 온도 중 적어도 하나를 더 제어해도 된다. 제어 장치(100)는, 성막 장치(1)에 있어서의 제어 장치(100) 이외의 부분과 유선 또는 무선에 의하여 접속된다. 제어 장치(100)의 구성의 일례에 대해서는 후술한다.
<제어 방법>
종래에는 피처리체 W에 막을 생성할 때에, 챔버(10) 내에 있어서의 원료 A의 증기압(분압) 및 원료 B의 증기압(분압)의 차가 저감되도록, 챔버(10)에 공급되는 원료 A 및 원료 B의 각각의 유량을 고정밀도로 제어한다. 그러나 원료 A 및 원료 B의 각각의 유량을 고정밀도로 제어하기 때문에 원료 A 및 원료 B로부터의 막의 생성을 용이하게 제어하지 못하였다. 본 실시 형태에 있어서는, 원료 A 및 원료 B로부터의 막의 생성을 용이하게 제어할 수 있는 기술을 제공한다.
성막 장치(1)에 있어서, 원료 A 및 원료 B를 이용함으로써 피처리체 W에 막을 생성하는 속도(이하, 「성막 속도」라 칭함)는, 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료 A 및 원료 B의 종류, 그리고 피처리체 W의 온도 등에 의존한다. 본 실시 형태에 있어서는 원료 A 및 원료 B 중, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료 A의 포화 증기압 곡선에 기초하여 피처리체 W의 온도를 제어한다. 구체적으로는, 원료 A의 포화 증기압 곡선에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값에 대응하는 온도로 피처리체 W의 온도를 제어한다.
본 실시 형태에 있어서는 원료 A 및 원료 B 중, 원료 A의 포화 증기압 곡선에 기초하여 피처리체 W의 온도를 제어하는 경우에도 어느 일정한 범위의 성막 속도로 피처리체 W에 막을 생성할 수 있음을 알아내었다. 여기서 어느 일정한 범위의 성막 속도는, 예를 들어 1㎚/분 내지 1000㎚/분이다. 본 실시 형태에 있어서는, 원료 A의 증기압(분압)이 미리 결정된 포화 증기압이도록 원료 A의 유량을 제어한다. 한편, 본 실시 형태에 있어서는, 어느 온도에 있어서 보다 높은 포화 증기압을 갖는 원료 B의 유량의 공차를 증가시킬 수 있다. 따라서 본 실시 형태에 있어서는, 원료 A 및 원료 B로부터의 막의 생성을 용이하게 제어할 수 있다.
다음으로, 도 2를 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 일례를 설명한다. 도 2는, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 일례를 설명하는 도면이다. 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법은, 성막 장치(1)에 포함되는 제어 장치(100)에 의하여 실행된다.
도 2는, 원료 A의 포화 증기압 곡선 및 원료 B의 포화 증기압 곡선을 나타낸다. 도 2에 있어서, 횡축 및 종축은 각각, 피처리체 W의 절대 온도 T의 역수, 및 원료 A 또는 원료 B의 포화 증기압 P의 대수를 나타낸다. 도 2에 있어서는, 원료 A 또는 원료 B의 포화 증기압 곡선은, 원료 A 또는 원료 B의 포화 증기압 P의 대수 logP, 및 피처리체 W의 절대 온도 T의 역수(1/T)에 의하여 나타난다. 원료 A 또는 원료 B의 포화 증기압 P의 대수 logP, 및 피처리체 W의 절대 온도 T의 역수(1/T)는, 대략 선형의 관계를 갖는다.
도 2에 있어서, 원료 A의 포화 증기압 곡선은, logP=S(A)×(1/T)+I(A)로 나타나는 직선 A에 의하여 근사된다. S(A) 및 I(A)는 각각 직선 A의 기울기 및 절편이다. 원료 B의 포화 증기압 곡선은, logP=S(B)×(1/T)+I(B)로 나타나는 직선 B에 의하여 근사된다. S(B) 및 I(B)는 각각 직선 B의 기울기 및 절편이다. 도 2에 나타낸 바와 같이 원료 A는, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료이다. 원료 B는, 어느 온도에 있어서 보다 높은 포화 증기압을 갖는 원료이다.
도 2에 나타내는 미리 결정된 포화 증기압의 값 P1은, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 피처리체 W에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값이다. 도 2에 나타내는 온도 T1은, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 A에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 피처리체 W의 절대 온도이다.
제어 장치(100)는, 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터로서의 S(A) 및 I(A), 원료 B에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터로서의 S(B) 및 I(B), 그리고 피처리체 W에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값 P1을 취득한다.
제어 장치(100)는 S(A), I(A), S(B) 및 I(B)에 기초하여 원료 A 및 원료 B 중, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 A를 선택한다.
제어 장치(100)는 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터 S(A) 및 I(A)에 기초하여, 선택된 원료 A에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 온도 T1을 산출한다.
제어 장치(100)는 피처리체 W의 온도가, 산출된 온도 T1로 되도록 적재대(17) 내의 히터 등을 제어한다. 이와 같이 제어 장치(100)는 원료 A 및 원료 B 중, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 A의 포화 증기압 곡선에 기초하여 피처리체 W의 온도를, 원료 A에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 온도 T1로 되도록 제어한다.
<제어 장치>
다음으로, 도 3을 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)의 구성의 일례를 설명한다. 도 3은, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)의 구성의 일례를 도시하는 블록도이다. 제어 장치(100)는, 예를 들어 컴퓨터이다. 제어 장치(100)는 기억부(110)와 제어부(120)를 구비한다.
기억부(110)는, 예를 들어 RAM(Random Access Memory) 또는 플래시 메모리와 같은 반도체 메모리 소자, 혹은 하드 디스크 또는 광 디스크와 같은 기억 장치에 의하여 실현된다. 기억부(110)에는 포화 증기압 곡선 데이터(111) 및 포화 증기압 설정값(112) 등의 데이터가 저장된다.
포화 증기압 곡선 데이터(111)는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터이다. 여기서 도 4를 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 포함되는 포화 증기압 곡선 데이터(111)의 일례를 설명한다. 도 4는, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 포함되는 포화 증기압 곡선 데이터(111)의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4에 나타내는 예에 있어서는, 포화 증기압 곡선 데이터(111)는 「막 식별 정보」, 「원료 식별 정보」, 「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」와 같은 항목을 포함한다. 포화 증기압 곡선 데이터(111)에 있어서, 「막 식별 정보」, 「원료 식별 정보」, 「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」의 항목에 기억되는 정보는 서로 관련지어져 있다.
「막 식별 정보」는, 피처리체 W에 생성되는 막을 식별하기 위한 식별 정보이다. 도 4에 나타내는 예에 있어서, 「막 식별 정보」의 항목에는, 예를 들어 「막 F」와 같은 정보가 기억된다. 「막 F」와 같은 정보는, 피처리체 W에 생성되는 막을 식별하는 것이 가능한 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리요소 또는 폴리이미드와 같은 막의 종류 정보이다. 「막 F」와 같은 정보는, 예를 들어 유저에 의하여 결정된 막을 나타내는 기호 또는 번호여도 된다.
「원료 식별 정보」는, 피처리체 W에 생성되는 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료를 식별하기 위한 식별 정보이다. 도 4에 나타내는 예에 있어서, 「원료 식별 정보」의 항목에는, 예를 들어 「원료 A」 또는 「원료 B」와 같은 정보가 기억된다. 「원료 A」 또는 「원료 B」와 같은 정보는, 피처리체 W에 생성되는 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료를 식별하는 것이 가능한 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료의 화합물명이다. 예를 들어 「막 F」가 폴리요소인 경우에는 「원료 A」 및 「원료 B」는, 예를 들어 각각 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산 및 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산이다. 「원료 A」 또는 「원료 B」와 같은 정보는, 예를 들어 유저에 의하여 결정된 원료를 나타내는 기호 또는 번호여도 된다.
「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」는, 피처리체 W에 생성되는 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료에 대한 포화 증기압 곡선을 특정하기 위한 데이터이다. 예를 들어 포화 증기압 곡선이, 원료의 포화 증기압의 대수 및 피처리체 W의 절대 온도의 역수에 의하여 나타나는 직선에 의하여 근사되는 경우에는, 「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」의 항목에는 각각 직선의 기울기 및 직선의 절편이 기억된다.
도 4에 나타내는 예에 있어서, 예를 들어 「원료 식별 정보」가 「원료 A」인 경우에는, 「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」의 항목에는 각각 「S(A)」 및 「I(A)」이다. 예를 들어 「원료 식별 정보」가 「원료 B」인 경우에는, 「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」의 항목에는 각각 「S(B)」 및 「I(B)」이다. 「S(A)」, 「I(A)」, 「S(B)」 및 「I(B)」의 각각은 수치이다. 「S(A)」, 「I(A)」, 「S(B)」 및 「I(B)」의 각각은, 미리 실험에 의하여 결정된 것이어도 된다.
도 4에 나타내는 예에 있어서는, 포화 증기압 곡선 데이터(111)는, 「막 F」를 생성하기 위하여 이용되는 「원료 A」 및 「원료 B」에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터 「S(A)」, 「I(A)」, 「S(B)」 및 「I(B)」를 기억한다. 포화 증기압 곡선 데이터(111)는, 예를 들어 「막 F」를 생성하기 위하여 이용되는 「원료 A」 및 「원료 B」와 상이한 2종류의 원료(「원료 C」 및 「원료 D」)에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 기억한다. 포화 증기압 곡선 데이터(111)는, 예를 들어 「막 F」를 생성하기 위하여 이용되는 3종류 이상의 원료(「원료 X」, 「원료 Y」 및 「원료 Z」)에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 기억한다.
포화 증기압 설정값(112)은, 적어도 피처리체 W에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값을 포함한다. 포화 증기압 설정값(112)은, 챔버(10) 및 배기관(15) 중 적어도 한쪽에 대하여 설정된 포화 증기압의 값을 포함하는 것이어도 된다. 포화 증기압 설정값(112)은, 포획 장치(16)에 대하여 설정된 포화 증기압의 값을 포함하는 것이어도 된다.
여기서 도 5를 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 포함되는 포화 증기압 설정값(112)의 일례를 설명한다. 도 5는, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 포함되는 포화 증기압 설정값(112)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 5에 나타내는 예에 있어서, 포화 증기압 설정값(112)은 「온도 제어 대상」 및 「포화 증기압 설정값」과 같은 항목을 포함한다. 포화 증기압 설정값(112)에 있어서, 「온도 제어 대상」 및 「포화 증기압 설정값」의 항목에 기억되는 정보는 서로 관련지어져 있다.
「온도 제어 대상」은, 제어 장치(100)에 의하여 온도가 제어되는 대상을 식별하기 위한 식별 정보이다. 제어 장치(100)에 의하여 온도가 제어되는 대상은, 예를 들어 성막 장치(1)에 있어서 이용되는 대상, 또는 성막 장치(1)를 구성하는 부재이다. 도 5에 나타내는 예에 있어서, 「온도 제어 대상」의 항목에는, 예를 들어 「피처리체」, 「챔버」, 「배기관」, 또는 「포획 장치」와 같은 정보가 기억된다.
「포화 증기압 설정값」은, 제어 장치(100)에 의하여 온도가 제어되는 대상 부근의 진공 분위기의, 미리 설정된 목표의 포화 증기압의 값이다. 도 5에 나타내는 예에 있어서, 「포화 증기압 설정값」의 항목에, 예를 들어 「P1」, 「P2」, 또는 「P3」과 같은 정보가 기억된다. 「P1」, 「P2」, 또는 「P3」의 각각은 수치이다.
도 5에 나타내는 예에 있어서는, 포화 증기압 설정값(112)은, 「피처리체」에 대하여 설정된 제1 포화 증기압의 값 「P1」을 기억한다. 또한 포화 증기압 설정값(112)은, 「챔버」 및 「배기관」의 양쪽에 대하여 설정된 제2 포화 증기압의 값 「P2」, 및 「포획 장치」에 대하여 설정된 제3 포화 증기압의 값 「P3」을 기억한다. 또한 제2 포화 증기압의 값 「P2」는, 「챔버」 및 「배기관」 중 한쪽에 대하여 설정된 것이어도 된다.
제2 포화 증기압의 값 「P2」는 제1 포화 증기압의 값 「P1」보다도 높다. 제3 포화 증기압의 값 「P3」은 제1 포화 증기압의 값 「P1」보다도 낮다. 제1 포화 증기압의 값 「P1」은, 예를 들어 10mTorr(1.3332㎩)보다 높고 또한 1Torr(133.32㎩) 미만이다. 제1 포화 증기압의 값 「P1」은, 예를 들어 0.1Torr(13.332㎩)이다. 제2 포화 증기압의 값 「P2」는, 예를 들어 1Torr(133.32㎩) 이상이다. 제2 포화 증기압의 값 「P2」는, 예를 들어 1Torr(133.32㎩)이다. 제3 포화 증기압의 값 「P3」은, 예를 들어 10mTorr(1.3332㎩) 이하이다. 제3 포화 증기압의 값 「P3」은, 예를 들어 10mTorr(1.3332㎩)이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제어부(120)는 접수부(121)와 취득부(122)와 선택부(123)와 산출부(124)와 제어부(125)를 구비한다. 제어부(120)의 내부 구성은, 도 3에 도시하는 구성에 한정되지 않으며, 후술하는 처리를 행하는 구성인 한 다른 구성이어도 된다. 제어부(120)에 포함되는 복수의 처리부 간의 접속 관계는, 도 3에 도시하는 접속 관계에 한정되지 않으며, 다른 접속 관계여도 된다.
접수부(121)는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료 A 및 원료 B를 식별하기 위한 식별 정보를 유저로부터 접수한다. 접수부(121)는 유저로부터 접수한 식별 정보를 취득부(122)에 출력한다.
취득부(122)는, 포화 증기압 곡선 데이터(111)에 기억된 정보 중에서, 원료 A 및 원료 B에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 취득한다. 구체적으로는 취득부(122)는, 「원료 식별 정보」의 항목에 기억되는 「원료 A」의 정보에 대한 「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」의 항목에 기억되는 「S(A)」 및 「I(A)」의 정보를 취득한다. 취득부(122)는, 「원료 식별 정보」의 항목에 기억되는 「원료 B」의 정보에 대한 「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」의 항목에 기억되는 「S(B)」 및 「I(B)」의 정보를 취득한다.
취득부(122)는, 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터 「S(A)」 및 「I(A)」의 정보, 그리고 원료 B에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터 「S(B)」 및 「I(B)」의 정보를 선택부(123) 및 산출부(124)에 출력한다.
취득부(122)는, 포화 증기압 설정값(112)에 기억된 정보 중에서, 피처리체 W에 대하여 설정된 제1 포화 증기압의 값을 취득한다. 구체적으로는 취득부(122)는, 「온도 제어 대상」의 항목에 기억되는 「피처리체」의 정보에 대한 「포화 증기압 설정값」의 항목에 기억되는 「P1」의 정보를 취득한다.
또한 취득부(122)는, 챔버(10) 및 배기관(15)의 양쪽에 대하여 설정된 제2 포화 증기압의 값을 취득한다. 구체적으로는 취득부(122)는, 「온도 제어 대상」의 항목에 기억되는 「챔버」 및 「배기관」의 정보에 대한 「포화 증기압 설정값」의 항목에 기억되는 「P2」의 정보를 취득한다.
또한 취득부(122)는, 포획 장치(16)에 대하여 설정된 제3 포화 증기압의 값을 취득한다. 구체적으로는 취득부(122)는, 「온도 제어 대상」의 항목에 기억되는 「포획 장치」의 정보에 대한 「포화 증기압 설정값」의 항목에 기억되는 「P3」의 정보를 취득한다.
취득부(122)는 제1 포화 증기압의 값 P1, 제2 포화 증기압의 값 P2, 및 제3 포화 증기압의 값 P3의 정보를 산출부(124)에 출력한다.
선택부(123)는 원료 A 및 원료 B의 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 원료 A 및 원료 B 중, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 A를 선택한다.
여기서 도 6을 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 포함되는 선택부(123)의 동작의 일례를 설명한다. 도 6은, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 포함되는 선택부(123)의 동작의 일례를 설명하는 도면이다.
선택부(123)는, 원료 A의 포화 증기압 곡선의 데이터 S(A), I(A), 및 logP=S(A)×(1/T)+I(A)로 나타나는 직선 A의 식에 기초하여, 어느 온도 T0에 있어서의 원료 A의 포화 증기압 PA의 대수 logPA를 산출한다. 즉, 선택부(123)는, S(A), I(A), 및 logP=S(A)×(1/T)+I(A)의 식에 기초하여, logPA=S(A)×(1/T0)+I(A)를 산출한다. 선택부(123)는, 어느 온도 T0에 있어서의 원료 A의 포화 증기압 PA를 산출한다.
선택부(123)는, 원료 B의 포화 증기압 곡선의 데이터 S(B), I(B), 및 logP=S(B)×(1/T)+I(B)로 나타나는 직선 B의 식에 기초하여, 어느 온도 T0에 있어서의 원료 B의 포화 증기압의 대수 logPB를 산출한다. 즉, 선택부(123)는, S(B), I(B), 및 logP=S(B)×(1/T)+I(B)의 식에 기초하여, logPB=S(B)×(1/T0)+I(B)를 산출한다. 선택부(123)는, 어느 온도 T0에 있어서의 원료 B의 포화 증기압 PB를 산출한다.
여기서 온도 T0은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 50℃(323K)로부터 150℃(432K)까지의 범위에 있어서의 온도이다. 선택부(123)는, 어느 온도 T0에 있어서의 원료 A의 포화 증기압 PA, 및 어느 온도 T0에 있어서의 원료 B의 포화 증기압 PB를 비교한다. 도 6에 나타낸 바와 같이 선택부(123)는, 어느 온도 T0에 있어서의 원료 A의 포화 증기압 PA가, 어느 온도 T0에 있어서의 원료 B의 포화 증기압 PB보다도 낮은지를 판정한다. 그 결과, 선택부(123)는 원료 A 및 원료 B 중, 어느 온도 T0에 있어서 보다 낮은 포화 증기압 PA를 갖는 원료인 원료 A를 선택한다.
선택부(123)는, 어느 온도 T0에 있어서 보다 낮은 포화 증기압 PA를 갖는 원료인 원료 A의 선택의 결과를 산출부(124)에 출력한다.
산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료 A에 대한 제1 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 제1 온도 T1을 산출한다.
또한 산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료 A에 대한 제2 포화 증기압의 값 P2에 대응하는 제2 온도 T2를 산출한다.
또한 산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료 A에 대한 제3 포화 증기압의 값 P3에 대응하는 제3 온도 T3을 산출한다.
여기서 도 7을 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 포함되는 산출부(124)의 동작의 일례를 설명한다. 도 7은, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 포함되는 산출부(124)의 동작의 일례를 설명하는 도면이다.
산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터 S(A) 및 I(A), 제1 포화 증기압의 값 P1, 및 직선 A의 식에 기초하여, 선택된 원료 A에 대한 제1 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 제1 온도 T1을 산출한다. 즉, 산출부(124)는, S(A) 및 I(A), P1, 및 logP=S(A)×(1/T)+I(A)의 식에 기초하여, T1=S(A)/(logP1-I(A))를 산출한다.
또한 산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터 S(A) 및 I(A), 제2 포화 증기압의 값 P2, 및 직선 A의 식에 기초하여, 선택된 원료 A에 대한 제2 포화 증기압의 값 P2에 대응하는 제2 온도 T2를 산출한다. 즉, 산출부(124)는, S(A) 및 I(A), P2, 및 logP=S(A)×(1/T)+I(A)의 식에 기초하여, T2=S(A)/(logP2-I(A))를 산출한다.
또한 산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터 S(A) 및 I(A), 제3 포화 증기압의 값 P3, 및 직선 A의 식에 기초하여, 선택된 원료 A에 대한 제3 포화 증기압의 값 P3에 대응하는 제3 온도 T3을 산출한다. 즉, 산출부(124)는, S(A) 및 I(A), P3, 및 logP=S(A)×(1/T)+I(A)의 식에 기초하여, T3=S(A)/(logP3-I(A))를 산출한다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제2 포화 증기압의 값 P2가 제1 포화 증기압의 값 P1보다도 높기 때문에 제2 온도 T2는 제1 온도 T1보다도 높다. 제3 포화 증기압의 값 P3이 제1 포화 증기압의 값 P1보다도 낮기 때문에 제3 온도 T3은 제1 온도 T1보다도 낮다.
제어부(125)는 피처리체 W의 온도를 제1 온도 T1로 제어한다. 제어부(125)는 챔버(10) 및 배기관(15)의 양쪽의 온도를 제2 온도 T2로 제어한다. 제어부(125)는 포획 장치(16)의 온도를 제3 온도 T3으로 제어한다. 또한 제어부(125)는 챔버(10) 및 배기관(15) 중 한쪽의 온도를 제2 온도 T2로 제어해도 된다.
이와 같이, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)는 취득부(122)와 선택부(123)와 산출부(124)와 제어부(125)를 구비한다. 취득부(122)는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료 A 및 원료 B에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터, 및 피처리체 W에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값 P1을 취득한다. 선택부(123)는 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 원료 A 및 원료 B 중, 어느 온도 T0에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료 A를 선택한다. 산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료 A에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 온도 T1을 산출한다. 제어부(125)는 피처리체 W의 온도를, 산출된 온도 T1로 제어한다.
제어 장치(100)에 있어서는, 피처리체 W의 온도를, 선택된 원료 A에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 온도 T1로 제어함으로써, 어느 일정한 범위의 성막 속도로 피처리체 W에 막을 생성할 수 있다. 이것에 의하여, 제어 장치(100)에 있어서는, 원료 A의 증기압(분압)이 미리 결정된 포화 증기압 P1이도록 원료 A의 유량을 제어하지만, 어느 온도 T0에 있어서 보다 높은 포화 증기압을 갖는 원료 B의 유량의 공차를 증가시킬 수 있다. 따라서 원료 A 및 원료 B로부터의 막의 생성을 용이하게 제어할 수 있는 제어 장치(100)를 제공할 수 있다.
본 개시의 일 실시 형태에 의한 성막 장치(1)는, 챔버(10)와, 제1 원료 공급원(11a) 및 제2 원료 공급원(11b)과, 제1 공급관(13a) 및 제2 공급관(13b)과, 배기관(15)과, 제어 장치(100)를 구비한다. 챔버(10)에는 피처리체 W가 반입된다. 제1 원료 공급원(11a) 및 제2 원료 공급원(11b)은, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료 A 및 원료 B를 각각 수용한다. 제1 공급관(13a) 및 제2 공급관(13b)은 챔버(10)에 원료 A 및 원료 B를 각각 공급한다. 배기관(15)은 챔버(10)에 접속된다. 이것에 의하여, 원료 A 및 원료 B로부터의 막의 생성을 용이하게 제어할 수 있는 성막 장치(1)를 제공할 수 있다.
본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 있어서, 취득부(122)는, 제1 포화 증기압의 값 P1과, 제1 포화 증기압의 값 P1보다도 높은 제2 포화 증기압의 값 P2를 취득한다. 제1 포화 증기압의 값 P1은, 피처리체 W에 대하여 설정된 것이다. 제2 포화 증기압의 값 P2는, 피처리체 W가 반입되는 챔버(10), 및 챔버(10)에 접속되는 배기관(15) 중 적어도 한쪽에 대하여 설정된 것이다. 산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 제1 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 제1 온도 T1, 및 제2 포화 증기압의 값 P2에 대응하는 제2 온도 T2를 산출한다. 제어부(125)는 피처리체 W의 온도를 제1 온도 T1로 제어하고, 챔버(10) 및 배기관(15) 중 적어도 한쪽의 온도를 제2 온도 T2로 제어한다.
이것에 의하여, 피처리체 W에 있어서의 막의 성막 속도를 어느 일정한 범위에 있어서 얻음과 함께, 챔버(10) 및 배기관(15) 중 적어도 한쪽에 있어서의 막의 성막 속도를 저감시킬 수 있다. 따라서 어느 일정한 범위의 성막 속도로 피처리체 W에 막을 생성함과 함께, 챔버(10) 및 배기관(15) 중 적어도 한쪽에 있어서의 막의 생성을 억제할 수 있다.
본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 있어서, 취득부(122)는, 제1 포화 증기압의 값 P1과, 제1 포화 증기압의 값 P1보다도 낮은 제3 포화 증기압의 값 P3을 취득한다. 제1 포화 증기압의 값 P1은, 피처리체 W에 대하여 설정된 것이다. 제3 포화 증기압의 값 P3은, 피처리체 W가 반입되는 챔버(10) 내에서 발생한 파티클을 포획하는 포획 장치(16)에 대하여 설정된 것이다. 산출부(124)는, 선택된 원료 A에 대한 제1 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 제1 온도 T1, 및 제3 포화 증기압의 값 P3에 대응하는 제3 온도 T3을 산출한다. 제어부(125)는 피처리체 W의 온도를 제1 온도 T1로 제어하고, 포획 장치(16)의 온도를 제3 온도 T3으로 제어한다.
이것에 의하여, 피처리체 W에 있어서의 막의 성막 속도를 어느 일정한 범위에 있어서 얻음과 함께, 포획 장치(16)에 있어서의 막의 성막 속도를 증가시킬 수 있다. 따라서 어느 일정한 범위의 성막 속도로 피처리체 W에 막을 생성함과 함께, 포획 장치(16)에 있어서의 막을 생성하는 원료 A 및 원료 B로부터의 생성물의 생성(미반응된 원료 A 및 원료 B의 포획)을 촉진시킬 수 있다.
본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 장치(100)에 있어서, 원료 A 및 원료 B는, 어느 온도 T0에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료, 및 어느 온도 T0에 있어서 보다 낮은 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 원료이다.
이것에 의하여, 원료 A의 증기압(분압)이 미리 결정된 포화 증기압이도록 원료 A의 유량을 제어하지만, 어느 온도 T0에 있어서 보다 높은 포화 증기압을 갖는 원료 B의 유량의 공차를 보다 확실히 증가시킬 수 있다. 따라서 원료 A 및 원료 B로부터의 막의 생성을 보다 용이하게 제어할 수 있다.
<제어 방법의 처리 수순>
다음으로, 도 8을 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 처리 수순의 일례를 설명한다. 도 8은, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 처리 수순의 일례를 도시하는 흐름도이다.
스텝 S101에 있어서, 제어 장치(100)는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료로서의 원료 A 및 원료 B를 식별하는 정보를 유저로부터 접수한다.
스텝 S102에 있어서, 제어 장치(100)는, 원료 A 및 원료 B를 식별하는 정보에 기초하여 포화 증기압 곡선 데이터(111)로부터 원료 A 및 원료 B에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 취득한다. 또한 스텝 S102에 있어서, 제어 장치(100)는 포화 증기압 설정값(112)으로부터 제1 포화 증기압의 값 P1, 제2 포화 증기압의 값 P2, 및 제3 포화 증기압의 값 P3을 취득한다. 제1 포화 증기압의 값 P1, 제2 포화 증기압의 값 P2, 및 제3 포화 증기압의 값 P3은 각각, 피처리체 W, 챔버(10) 및 배기관(15), 그리고 포획 장치(16)에 대하여 설정된 것이다. 제1 포화 증기압의 값 P1, 제2 포화 증기압의 값 P2, 및 제3 포화 증기압의 값 P3은 P2>P1>P3의 관계를 만족시킨다.
스텝 S103에 있어서, 제어 장치(100)는 원료 A 및 원료 B의 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 원료 A 및 원료 B 중, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 A를 선택한다.
스텝 S104에 있어서, 제어 장치(100)는, 선택된 원료 A에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 제1 온도 T1, 제2 온도 T2 및 제3 온도 T3을 산출한다. 제1 온도 T1은, 선택된 원료 A에 대한 제1 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 온도이다. 제2 온도 T2는, 선택된 원료 A에 대한 제2 포화 증기압의 값 P2에 대응하는 온도이다. 제3 온도 T3은, 선택된 원료 A에 대한 제3 포화 증기압의 값 P3에 대응하는 온도이다. 제1 온도 T1, 제2 온도 T2 및 제3 온도 T3은 T2>T1>T3의 관계를 만족시킨다.
스텝 S105에 있어서, 제어 장치(100)는 피처리체 W의 온도, 챔버(10) 및 배기관(15)의 온도, 그리고 포획 장치(16)의 온도를 각각 제1 온도 T1, 제2 온도 T2 및 제3 온도 T3으로 제어한다.
<성막 방법의 처리 수순>
다음으로, 도 9를 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 성막 방법의 처리 수순의 일례를 설명한다. 도 9는, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 성막 방법의 처리 수순의 일례를 도시하는 흐름도이다.
스텝 S201에 있어서, 성막 장치(1)는 챔버(10)에 피처리체 W를 반입한다.
스텝 S202에 있어서, 성막 장치(1)는 제어 장치(100)를 이용함으로써 피처리체 W의 온도, 챔버(10) 및 배기관(15)의 온도, 그리고 포획 장치(16)의 온도를 제어한다. 스텝 S202에 있어서의 처리는, 도 8에 도시하는 스텝 S101 내지 105에 있어서의 처리와 동일하다.
스텝 S203에 있어서, 성막 장치(1)는 원료 A의 기체 및 원료 B의 기체를 챔버(10)에 공급함으로써 원료 A 및 원료 B로부터 피처리체 W에 막을 생성한다.
<원료 A 및 원료 B>
원료 A 및 원료 B는, 피처리체 W에 생성되는 막에 의존하여 선택된다. 원료 A 및 원료 B는, 예를 들어 각각 독립적으로 지방족 화합물, 지환식 화합물, 방향족 알킬 화합물, 또는 방향족 화합물이다.
피처리체에 생성되는 막은, 원료 A 및 원료 B로부터 생성된 폴리머 또는 비폴리머이다. 폴리머는, 원료 A 및 원료 B가 중합됨으로써 얻어지는, 10,000 이상의 분자량을 갖는 화합물이다. 비폴리머는 폴리머 이외의 원료 A 및 원료 B로부터 생성된 화합물이다. 예를 들어 원료 A 및 원료 B가 각각 2관능성 화합물인 경우에는, 피처리체 W에 생성되는 막은 공중합 반응에 의하여 생성되는 폴리머이다. 예를 들어 원료 A 및 원료 B가 각각 1관능성 화합물인 경우에는, 피처리체 W에 생성되는 막은 2분자 반응에 의하여 생성되는 비폴리머(다이머)이다. 예를 들어 원료 A 및 원료 B 중 한쪽이 2관능성 화합물임과 함께 다른 쪽이 1관능성 화합물인 경우에는, 피처리체 W에 생성되는 막은 3분자 반응에 의하여 생성되는 비폴리머(트리머)이다.
예를 들어 어느 온도 T0에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료 A, 및 어느 온도 T0에 있어서 보다 높은 포화 증기압을 갖는 원료 B는, 각각 2관능성 화합물 및 1관능성 화합물이다. 이 경우에는 챔버(10)로의 원료 A의 유량에 비하여 충분한 유량으로 원료 B를 챔버(10)에 공급한다. 이 경우에는, 2관능성 화합물의 말단이 없는 비폴리머(트리머)를 얻을 수 있다. 따라서 균일한 막 특성을 갖는 비폴리머(트리머)의 막을 얻을 수 있다.
피처리체 W에 생성되는 막이, 2-아미노에탄올 결합(-NH-CH2-CH(OH)-)을 갖는 폴리머 또는 비폴리머인 경우에는, 원료 A 및 원료 B는, 예를 들어 에폭시드 및 아민이다. 피처리체 W에 생성되는 막이, 우레탄 결합(-NH-CO-O-)을 갖는 폴리머(폴리우레탄) 또는 비폴리머인 경우에는, 원료 A 및 원료 B는, 예를 들어 이소시아네이트 및 알코올이다. 피처리체 W에 생성되는 막이, 요소 결합(-NH-CO-NH-)을 갖는 폴리머(폴리요소) 또는 비폴리머인 경우에는, 원료 A 및 원료 B는, 예를 들어 이소시아네이트 및 아민이다. 피처리체 W에 생성되는 막이, 아미드 결합(-NH-CO-)을 갖는 폴리머(폴리아미드) 또는 비폴리머인 경우에는, 원료 A 및 원료 B는, 예를 들어 할로겐화아실 및 아민이다. 피처리체 W에 생성되는 막이, 이미드 결합(-CO-N(-)-CO-)을 갖는 폴리머(폴리이미드) 또는 비폴리머인 경우에는, 원료 A 및 원료 B는, 예를 들어 카르복실산 무수물 및 아민이다.
피처리체 W에 생성되는 막이 폴리우레탄인 경우에는, 폴리우레탄을 미리 결정된 온도 이상으로 가열함으로써 이소시아네이트 및 알코올로 해중합시킬 수 있다. 피처리체 W에 생성되는 막이 폴리요소인 경우에는, 폴리요소를 미리 결정된 온도 이상으로 가열함으로써 이소시아네이트 및 아민으로 해중합시킬 수 있다.
피처리체 W에 생성되는 막이, 요소 결합을 갖는 폴리머(폴리요소) 또는 비폴리머인 예를 설명한다. 원료 A로서의 이소시아네이트 및 원료 B로서의 디아민을 선택함으로써, 요소 결합을 갖는 폴리머(폴리요소) 또는 비폴리머인 다양한 막을 생성시킬 수 있다.
예를 들어 원료 A로서의 디이소시아네이트 및 원료 B로서의 디아민(예를 들어 제1급 아민)을 이용함으로써 직쇄의 폴리요소를 생성시킬 수 있다. 디이소시아네이트 및 디아민의 조합은, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트(MDI) 및 1,12-디아미노도데칸(DAD)의 조합이다. 디이소시아네이트 및 디아민의 조합은, 예를 들어 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산(H6XDI) 및 1,12-디아미노도데칸(DAD)의 조합이다. 디이소시아네이트 및 디아민의 조합은, 예를 들어 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산(H6XDI) 및 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산(H6XDA)의 조합이다. 디이소시아네이트 및 디아민의 조합은, 예를 들어 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산(H6XDI) 및 헥사메틸렌디아민(HMDA)의 조합이다. 디이소시아네이트 및 디아민의 조합은, 예를 들어 m-크실릴렌디이소시아네이트(XDI) 및 m-크실릴렌디아민(XDA)의 조합이다. 디이소시아네이트 및 디아민의 조합은, 예를 들어 m-크실릴렌디이소시아네이트(XDI) 및 벤질아민(BA)의 조합이다.
예를 들어 원료 A로서의 디이소시아네이트, 및 원료 B로서의 트리아민(예를 들어 제1급 아민) 또는 테트라아민(예를 들어 제2급 아민)을 이용함으로써, 가교성 폴리요소를 생성시킬 수 있다. 원료 A로서의 모노이소시아네이트 및 원료 B로서의 디아민(예를 들어 제1급 아민)을 이용함으로써, 요소 결합을 갖는 트리머를 생성시킬 수 있다. 원료 A로서의 모노이소시아네이트 및 원료 B로서의 모노아민(예를 들어 제1급 아민)을 이용함으로써, 요소 결합을 갖는 다이머를 생성시킬 수 있다.
피처리체 W에 생성되는 막이, 이미드 결합을 갖는 폴리머(폴리이미드)인 예를 설명한다. 예를 들어 폴리이미드를 생성시키는 원료 A 및 원료 B의 조합은, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물(PMDA) 및 4,4'-옥시디아닐린(44ODA)의 조합이다. 폴리이미드를 생성시키는 원료 A 및 원료 B의 조합은, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물(PMDA) 및 헥사메틸렌디아민(HMDA)의 조합이다.
원료 A 및 원료 B는, 바람직하게는 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료, 및 어느 온도에 있어서 원료 A의 포화 증기압보다도 어느 온도에 있어서 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료이다. 예를 들어 원료 A 및 원료 B는 각각 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산(H6XDI) 및 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산(H6XDA)이다. 예를 들어 원료 A 및 원료 B는 각각 m-크실릴렌디이소시아네이트(XDI) 및 벤질아민(BA)이다.
상기 실시 형태에 있어서는 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료가 2종류의 원료(원료 A 및 원료 B)인 경우를 설명하였지만, 복수 종류의 원료는 3종류 이상의 원료여도 된다. 예를 들어 복수 종류의 원료가 2종류의 2관능성 화합물 및 1종의 1관능성 화합물로 이루어지는 3종류의 원료인 경우에는, 피처리체 W에 생성되는 막은 공중합 반응에 의하여 생성되는 폴리머이다.
복수 종류의 원료가 3종류 이상의 원료인 경우에는, 성막 장치(1)는 원료의 종류의 수에 따라 복수의 원료 공급원, 복수의 기화기 및 복수의 공급관을 구비한다. 접수부(121)는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료를 식별하기 위한 식별 정보를 유저로부터 접수한다. 취득부(122)는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 취득한다. 선택부(123)는, 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 복수 종류의 원료 중, 어느 온도에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택한다. 복수 종류의 원료는, 바람직하게는 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료, 및 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 적어도 하나의 원료를 포함한다.
<변형예>
다음으로, 도 10을 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태의 변형예에 의한 제어 장치(101)의 구성의 일례를 설명한다. 도 10은, 본 개시의 일 실시 형태의 변형예에 의한 제어 장치(101)의 구성의 일례를 도시하는 블록도이다. 도 10에 도시하는 제어 장치(101)는, 도 3에 도시하는 제어 장치(100)에 포함되는 기억부(110) 및 제어부(120)에 더하여 통지부(130)를 더 구비한다. 또한 도 10에 도시하는 제어 장치(101)에 포함되는 처리부의 기능 중, 도 3에 도시하는 제어 장치(100)에 포함되는 처리부의 기능과 마찬가지의 기능의 설명을 생략하는 것으로 한다.
제어 장치(100)의 접수부(121)는, 전술한 바와 같이, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 원료 A 및 원료 B를 식별하기 위한 식별 정보를 유저로부터 접수한다. 한편, 제어 장치(101)의 접수부(121)는, 피처리체 W에 생성되는 막을 식별하기 위한 식별 정보를 유저로부터 접수한다. 예를 들어 접수부(121)는, 「막 F」를 식별하기 위한 식별 정보를 접수한다.
제어 장치(100)의 취득부(122)는, 전술한 바와 같이, 원료 A 및 원료 B에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 취득한다. 한편, 제어 장치(101)의 취득부(122)는, 포화 증기압 곡선 데이터(111)에 기억된 정보 중에서, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료를 식별하기 위한 식별 정보, 및 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 취득한다. 예를 들어 취득부(122)는, 「막 식별 정보」의 항목에 기억되는 「막 F」의 정보에 대한 「원료 식별 정보」, 「제1 증기압 곡선 데이터」 및 「제2 증기압 곡선 데이터」의 항목에 기억되는 정보 모두를 취득한다. 도 4에 나타내는 예에 있어서는, 취득부(122)는, 「원료 A」에 대한 「S(A)」 및 「I(A)」, … 「원료 Z」에 대한 「S(Z)」 및 「I(Z)」를 취득한다. 제어 장치(101)의 취득부(122)는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료를 식별하기 위한 식별 정보, 및 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 선택부(123) 및 산출부(124)에 출력한다.
제어 장치(100)의 선택부(123)는, 전술한 바와 같이, 원료 A 및 원료 B의 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 원료 A 및 원료 B 중, 어느 온도 T0에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 A를 선택한다. 한편, 제어 장치(101)의 선택부(123)는 복수 종류의 원료의 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 복수 종류의 원료 중, 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택한다. 도 4에 나타내는 예에 있어서는, 예를 들어 제어 장치(101)의 선택부(123)는, 「막 F」를 생성하기 위한 복수 종류의 원료인 「원료 A」 … 「원료 Z」 중, 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 「원료 A」를 선택한다. 이하, 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 「최저 포화 증기압 원료」라 칭한다.
또한 제어 장치(101)의 선택부(123)는 복수 종류의 원료의 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 복수 종류의 원료 중, 어느 온도 T0에 있어서 최저 포화 증기압 원료의 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택한다. 이하, 어느 온도 T0에 있어서 최저 포화 증기압 원료의 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 원료를 「비교적 고포화 증기압 원료」라 칭하는 경우가 있다. 이와 같은 비교적 고포화 증기압 원료는 최저 포화 증기압 원료와 반응하는 것이다. 도 4에 나타내는 예에 있어서는, 예를 들어 「막 F」를 생성하기 위한 복수 종류의 원료 「원료 A」 … 「원료 Z」 중, 「원료 A」와 반응함과 함께, 어느 온도 T0에 있어서 「원료 A」의 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 「원료 B」가 선택된다.
제어 장치(101)의 선택부(123)는, 최저 포화 증기압 원료를 식별하기 위한 식별 정보, 및 비교적 고포화 증기압 원료를 식별하기 위한 식별 정보를 통지부(130)에 출력한다.
제어 장치(101)의 산출부(124)는 제어 장치(100)의 산출부(124)과 마찬가지의 기능을 갖는다. 제어 장치(101)의 제어부(125)는 제어 장치(100)의 제어부(125)과 마찬가지의 기능을 갖는다.
제어 장치(101)에 포함되는 통지부(130)는, 제어 장치(101)의 선택부(123)로부터 식별 정보가 출력되면, 막을 생성하기 위한 복수 종류의 원료로서 최저 포화 증기압 원료 및 비교적 고포화 증기압 원료를 유저에게 통지한다. 통지부(130)는, 예를 들어 최저 포화 증기압 원료 및 비교적 고포화 증기압 원료를 표시하는 표시 장치, 예를 들어 액정 디스플레이에 의하여 실현된다. 도 4에 나타내는 예에 있어서는, 예를 들어 통지부(130)는, 「막 F」를 생성하기 위한 복수 종류의 원료로서, 최저 포화 증기압 원료로서의 「원료 A」 및 비교적 고포화 증기압 원료로서의 「원료 B」를 유저에게 통지한다.
이와 같이, 본 개시의 일 실시 형태의 변형예에 의한 제어 장치(101)에 있어서, 취득부(122)는, 피처리체 W에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료를 식별하기 위한 식별 정보, 및 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 취득한다. 선택부(123)는, 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 복수 종류의 막의 원료 중, 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료, 및 그 원료와 반응함과 함께, 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 적어도 하나의 원료를 선택한다. 통지부(130)는, 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료, 및 그 원료와 반응함과 함께, 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 적어도 하나의 원료의 정보를 유저에게 통지한다.
이것에 의하여, 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료의 유량을 제어하지만, 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 적어도 하나의 원료의 유량의 공차를 보다 확실히 증가시킬 수 있다. 따라서 막의 생성을 보다 용이하게 제어할 수 있는 복수 종류의 원료를 유저에게 통지할 수 있다.
다음으로, 도 11을 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태의 변형예에 의한 제어 방법의 처리 수순의 일례를 설명한다. 도 11은, 본 개시의 일 실시 형태의 변형예에 의한 제어 방법의 처리 수순의 일례를 도시하는 흐름도이다.
스텝 S301에 있어서, 제어 장치(101)는, 피처리체 W에 생성하는 막을 식별하는 정보를 유저로부터 접수한다.
스텝 S302에 있어서, 제어 장치(101)는, 막을 식별하는 정보에 기초하여, 포화 증기압 곡선 데이터(111)로부터 막을 생성하기 위한 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터를 취득한다. 또한 스텝 S302에 있어서, 제어 장치(101)는 포화 증기압 설정값(112)으로부터 제1 포화 증기압의 값 P1, 제2 포화 증기압의 값 P2, 및 제3 포화 증기압의 값 P3을 취득한다.
스텝 S303에 있어서, 제어 장치(101)는, 막을 생성하기 위한 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 막을 생성하기 위한 복수 종류의 원료 중, 어느 온도에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택한다.
스텝 S304에 있어서, 제어 장치(101)는, 막을 생성하기 위한 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 막을 생성하기 위한 복수 종류의 원료를 결정함과 함께, 막을 생성하기 위한 복수 종류의 원료를 유저에게 통지한다. 제어 장치(101)는, 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료, 및 어느 온도 T0에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료의 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택함과 함께, 유저에게 통지한다.
스텝 S305에 있어서, 제어 장치(101)는, 선택된 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 제1 온도 T1, 제2 온도 T2 및 제3 온도 T3을 산출한다. 제1 온도 T1은, 선택된 원료에 대한 제1 포화 증기압의 값 P1에 대응하는 온도이다. 제2 온도 T2는, 선택된 원료에 대한 제2 포화 증기압의 값 P2에 대응하는 온도이다. 제3 온도 T3은, 선택된 원료에 대한 제3 포화 증기압의 값 P3에 대응하는 온도이다. 제1 온도 T1, 제2 온도 T2 및 제3 온도 T3은 T2>T1>T3의 관계를 만족시킨다.
스텝 S306에 있어서, 제어 장치(101)는 피처리체 W의 온도, 챔버(10) 및 배기관(15)의 온도, 그리고 포획 장치(16)의 온도를 각각 제1 온도 T1, 제2 온도 T2 및 제3 온도 T3으로 제어한다.
<제1 실시예>
다음으로, 도 12를 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제1 실시예를 설명한다. 도 12는, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제1 실시예를 설명하는 도면이다.
제1 실시예에 있어서는, 도 1에 도시한 바와 같은 성막 장치(1)를 이용하여 피처리체 W로서의 웨이퍼에 폴리요소의 막을 생성하였다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 폴리요소를 생성하기 위한 원료로서 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산(H6XDI) 및 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산(H6XDA)을 이용하였다.
제어 장치(100)는, 원료 H6XDI에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터로서 log10(포화 증기압[Torr])=-3459.7×(1/(절대 온도[K]))+8.888의 직선의 기울기-3459.7 및 절편 8.888을 취득하였다. 마찬가지로 제어 장치(100)는, 원료 H6XDA에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터로서 log10(포화 증기압[Torr])=-3534.2×(1/(절대 온도[K]))+10.171의 직선의 기울기-3534.2 및 절편 10.171을 취득하였다. 또한 제어 장치(100)는, 웨이퍼에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값 0.1Torr를 취득하였다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 원료 H6XDI 및 원료 H6XDA에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 원료 H6XDI 및 원료 H6XDA 중, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 H6XDI를 선택하였다. 또한 원료 H6XDA는, 어느 온도에 있어서 원료 H6XDI의 포화 증기압의 약 10배 정도의 높은 포화 증기압을 갖는다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 선택된 원료 H6XDI에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료 H6XDI에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값 0.1Torr에 대응하는 온도 350K(77℃)을 산출하였다. 다음으로, 제어 장치(100)는 웨이퍼의 온도를, 산출된 온도 77℃로 제어하였다. 웨이퍼에 폴리요소를 생성하는 성막 속도는 웨이퍼의 온도 77℃에 있어서 173㎚/분이었다.
<제2 실시예>
다음으로, 도 13을 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제2 실시예를 설명한다. 도 13은, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제2 실시예를 설명하는 도면이다.
제2 실시예에 있어서는, 도 1에 도시한 바와 같은 성막 장치(1)를 이용하여 피처리체 W로서의 웨이퍼에 폴리요소의 막을 생성하였다. 도 13에 나타낸 바와 같이, 폴리요소의 막을 생성하기 위한 원료로서 m-크실릴렌디이소시아네이트(XDI) 및 m-크실릴렌디아민(XDA)을 이용하였다.
제어 장치(100)는, 원료 XDI에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터로서 log10(포화 증기압[Torr])=-3882×(1/(절대 온도[K]))+9.9947의 직선의 기울기-3882 및 절편 9.9947을 취득하였다. 마찬가지로 제어 장치(100)는, 원료 XDA에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터로서 log10(포화 증기압[Torr])=-3376×(1/(절대 온도[K]))+9.17의 직선의 기울기-3376 및 절편 9.17을 취득하였다. 또한 제어 장치(100)는, 웨이퍼에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값 0.1Torr를 취득하였다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 원료 XDI 및 원료 XDA에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 원료 XDI 및 원료 XDA 중, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 XDI를 선택하였다. 또한 원료 XDA는, 어느 온도에 있어서 원료 XDI의 포화 증기압의 수 배 정도의 높은 포화 증기압을 갖는다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 선택된 원료 XDI에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료 XDI에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값 0.1Torr에 대응하는 온도 353K(80℃)을 산출하였다. 다음으로, 제어 장치(100)는 웨이퍼의 온도를, 산출된 온도 80℃로 제어하였다. 웨이퍼에 폴리요소를 생성하는 성막 속도는 웨이퍼의 온도 80℃에 있어서 690㎚/분이었다.
<제3 실시예>
다음으로, 도 14를 참조하여, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제3 실시예를 설명한다. 도 14는, 본 개시의 일 실시 형태에 의한 제어 방법의 제3 실시예를 설명하는 도면이다.
제3 실시예에 있어서는, 도 1에 도시한 바와 같은 성막 장치(1)를 이용하여 피처리체 W로서의 웨이퍼에 폴리요소의 막을 생성하였다. 도 14에 나타낸 바와 같이, 폴리요소를 생성하기 위한 원료로서 m-크실릴렌디이소시아네이트(XDI) 및 벤질아민(BA)을 이용하였다.
제어 장치(100)는, 원료 XDI에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터로서 log10(포화 증기압[Torr])=-3856.8×(1/(절대 온도[K]))+9.9288의 직선의 기울기-3856.8 및 절편 9.9288을 취득하였다. 마찬가지로 제어 장치(100)는, 원료 BA에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터로서 log10(포화 증기압[Torr])=-2325.9×(1/(절대 온도[K]))+7.6346의 직선의 기울기-2325.9 및 절편 7.6346을 취득하였다. 또한 제어 장치(100)는, 웨이퍼에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값 0.1Torr를 취득하였다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 원료 XDI 및 원료 BA에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 원료 XDI 및 원료 BA 중, 어느 온도에 있어서 보다 낮은 포화 증기압을 갖는 원료인 원료 XDI를 선택하였다. 또한 원료 BA는, 어느 온도에 있어서 원료 XDI의 포화 증기압의 약 100배 정도의 높은 포화 증기압을 갖는다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 선택된 원료 XDI에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 선택된 원료 XDI에 대한 미리 결정된 포화 증기압의 값 0.1Torr에 대응하는 온도 353K(80℃)을 산출하였다. 다음으로, 제어 장치(100)는 웨이퍼의 온도를, 산출된 온도 80℃로 제어하였다. 웨이퍼에 폴리요소를 생성하는 성막 속도는 웨이퍼의 온도 80℃에 있어서 32㎚/분이었다.
<하드웨어 구성>
전술한 제어 장치(100, 101)는, 예를 들어 도 15에 도시한 바와 같은 구성을 구비한 컴퓨터(1000)에 의하여 실현된다. 도 15는, 제어 장치(100, 101)의 기능을 실현하는 컴퓨터의 일례를 도시하는 하드웨어 구성도이다. 컴퓨터(1000)는 CPU(Central Processing Unit)(1100), RAM(1200), ROM(Read Only Memory)(1300) 및 HDD(Hard Disk Drive)(1400)를 포함한다. 또한 컴퓨터(1000)는 통신 인터페이스(I/F)(1500), 입출력 인터페이스(I/F)(1600) 및 미디어 인터페이스(I/F)(1700)를 포함한다.
CPU(1100)는, ROM(1300) 또는 HDD(1400)에 저장된 프로그램에 기초하여 동작함으로써 각 부의 제어를 행한다. ROM(1300)은, 컴퓨터(1000)의 기동 시에 CPU(1100)에 의하여 실행되는 부팅 프로그램, 컴퓨터(1000)의 하드웨어에 의존하는 프로그램 등을 저장한다.
HDD(1400)는, CPU(1100)에 의하여 실행되는 프로그램, 및 그와 같은 프로그램에 의하여 사용되는 데이터 등을 저장한다. 통신 인터페이스(1500)는 네트워크 N을 통하여 다른 기기로부터 데이터를 수신함과 함께 CPU(1100)에 송신하고, 네트워크 N을 통하여, CPU(1100)에 의하여 생성된 데이터를 다른 기기에 송신한다.
CPU(1100)는 입출력 인터페이스(1600)를 통하여 디스플레이 또는 프린터와 같은 출력 장치, 및 키보드 또는 마우스와 같은 입력 장치를 제어한다. CPU(1100)는 입출력 인터페이스(1600)를 통하여 입력 장치로부터 데이터를 취득한다. CPU(1100)는 입출력 인터페이스(1600)를 통하여, 생성한 데이터를 출력 장치에 출력한다.
미디어 인터페이스(1700)는 기록 매체(1800)에 저장된 프로그램 또는 데이터를 판독하여, RAM(1200)을 통하여 CPU(1100)에 제공한다. CPU(1100)는 그와 같은 프로그램을 미디어 인터페이스(1700)를 통하여 기록 매체(1800)로부터 RAM(1200) 상에 로드하고, 로드한 프로그램을 실행한다. 기록 매체(1800)는, 예를 들어 DVD(Digital Versatile Disc) 또는 PD(Phase change rewritable Disk)와 같은 광학 기록 매체, MO(Magneto-Optical disk)와 같은 광 자기 기록 매체, 테이프 매체, 자기 기록 매체, 또는 반도체 메모리 등이다.
예를 들어 컴퓨터(1000)가 제어 장치(100, 101)로서 기능하는 경우, 컴퓨터(1000)의 CPU(1100)는, RAM(1200) 상에 로드된 프로그램을 실행함으로써 제어 장치(100, 101)의 기능을 실현한다. 컴퓨터(1000)의 CPU(1100)는 그와 같은 프로그램을 기록 매체(1800)로부터 판독하여 실행하지만, 다른 예로서, 다른 장치로부터 네트워크 N을 통하여 그와 같은 프로그램을 취득해도 된다.
또한 상기 실시 형태에 있어서 설명한 각 처리 중, 자동적으로 행해지는 것으로서 설명한 처리의 전부 또는 일부를 수동적으로 행할 수도 있다. 이 외에, 상기 문서 중이나 도면 중에서 나타낸 처리 수순, 구체적 명칭, 각종 데이터나 파라미터를 포함하는 정보에 대해서는, 특기하는 경우를 제외하고 임의로 변경할 수 있다. 예를 들어 각 도면에 나타낸 각종 정보는 도시한 정보에 한정되지 않는다.
또한 도시한 각 장치의 각 구성 요소는 기능 개념적인 것이며, 물리적으로 도시된 바와 같이 구성되어 있을 것을 반드시 요하지는 않는다. 즉, 각 장치의 분산·통합의 구체적 형태는 도시한 것에 한정되지 않으며, 그 전부 또는 일부를 각종 부하나 사용 상황 등에 따라 임의의 단위로 기능적 또는 물리적으로 분산·통합하여 구성할 수 있다.
또한 전술한 각 실시 형태에 기재된 각 처리는, 처리 내용을 모순되게 하지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다.
또한 전술한 「부(section, module, unit)」는 「수단」 또는 「회로」 등으로 대체할 수 있다. 예를 들어 취득부는 취득 수단 또는 취득 회로로 대체할 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기한 실시 형태는 실로 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한 상기 실시 형태는, 첨부된 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1: 성막 장치
10: 챔버
11a: 제1 원료 공급원
11b: 제2 원료 공급원
12a: 제1 기화기
12b: 제2 기화기
13a: 제1 공급관
13b: 제2 공급관
14: 배기 장치
15: 배기관
16: 포획 장치
17: 적재대
18: 샤워 헤드
100, 101: 제어 장치
110: 기억부
111: 포화 증기압 곡선 데이터
112: 포화 증기압 설정값
120: 제어부
121: 접수부
122: 취득부
123: 선택부
124: 산출부
125: 제어부
130: 통지부
W: 피처리체

Claims (8)

  1. 피처리체에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터, 및 상기 피처리체에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값을 취득하는 취득부와,
    상기 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 상기 복수 종류의 원료 중, 어느 온도에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택하는 선택부와,
    상기 선택된 원료에 대한 상기 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 상기 선택된 원료에 대한 상기 미리 결정된 포화 증기압의 값에 대응하는 온도를 산출하는 산출부와,
    상기 피처리체의 온도를 상기 산출된 온도로 제어하는 제어부
    를 포함하는 제어 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 취득부는, 상기 피처리체에 대하여 설정된 제1 포화 증기압의 값과, 상기 피처리체가 반입되는 챔버, 및 상기 챔버에 접속되는 배기관 중 적어도 한쪽에 대하여 설정된, 상기 제1 포화 증기압의 값보다도 높은 제2 포화 증기압의 값을 취득하고,
    상기 산출부는, 상기 선택된 원료에 대한 상기 제1 포화 증기압의 값에 대응하는 제1 온도, 및 상기 제2 포화 증기압의 값에 대응하는 제2 온도를 산출하고,
    상기 제어부는 상기 피처리체의 온도를 상기 제1 온도로 제어하고, 상기 챔버 및 상기 배기관 중 적어도 한쪽의 온도를 상기 제2 온도로 제어하는,
    제어 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 취득부는, 상기 피처리체에 대하여 설정된 제1 포화 증기압의 값과, 상기 피처리체가 반입되는 챔버 내에서 발생한 파티클을 포획하는 포획 장치에 대하여 설정된, 상기 제1 포화 증기압의 값보다도 낮은 제3 포화 증기압의 값을 취득하고,
    상기 산출부는, 상기 선택된 원료에 대한 상기 제1 포화 증기압의 값에 대응하는 제1 온도, 및 상기 제3 포화 증기압의 값에 대응하는 제3 온도를 산출하고,
    상기 제어부는 상기 피처리체의 온도를 상기 제1 온도로 제어하고, 상기 포획 장치의 온도를 상기 제3 온도로 제어하는,
    제어 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수 종류의 원료는, 상기 어느 온도에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료, 및 상기 어느 온도에 있어서 상기 가장 낮은 포화 증기압보다도 적어도 10배 높은 포화 증기압을 갖는 적어도 하나의 원료를 포함하는,
    제어 장치.
  5. 피처리체가 반입되는 챔버와,
    상기 피처리체에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료를 각각 수용하는 복수의 원료 공급원과,
    상기 챔버에 상기 복수 종류의 원료를 각각 공급하는 복수의 공급관과,
    상기 챔버에 접속되는 배기관과,
    제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 제어 장치
    를 포함하는, 성막 장치.
  6. 피처리체에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터, 및 상기 피처리체에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값을 취득하는 것과,
    상기 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 상기 복수 종류의 원료 중, 어느 온도에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택하는 것과,
    상기 선택된 원료에 대한 상기 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 상기 선택된 원료에 대한 상기 미리 결정된 포화 증기압의 값에 대응하는 온도를 산출하는 것과,
    상기 피처리체의 온도를 상기 산출된 온도로 제어하는 것
    을 포함하는, 제어 방법.
  7. 제6항에 기재된 제어 방법과,
    상기 복수 종류의 원료를 이용하여 상기 피처리체에 상기 막을 생성하는 것
    을 포함하는, 성막 방법.
  8. 피처리체에 막을 생성하기 위하여 이용되는 복수 종류의 원료에 대한 포화 증기압 곡선의 데이터, 및 상기 피처리체에 대하여 설정된 미리 결정된 포화 증기압의 값을 취득하는 것과,
    상기 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여 상기 복수 종류의 원료 중, 어느 온도에 있어서 가장 낮은 포화 증기압을 갖는 원료를 선택하는 것과,
    상기 선택된 원료에 대한 상기 포화 증기압 곡선의 데이터에 기초하여, 상기 선택된 원료에 대한 상기 미리 결정된 포화 증기압의 값에 대응하는 온도를 산출하는 것과,
    상기 피처리체의 온도를 상기 산출된 온도로 제어하는 것
    을 포함하는 처리를 컴퓨터에 실행시키는, 제어 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
KR1020190068361A 2018-06-21 2019-06-11 제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 성막 방법 및 기록 매체 KR102452269B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-117920 2018-06-21
JP2018117920A JP7061935B2 (ja) 2018-06-21 2018-06-21 制御装置、成膜装置、制御方法、成膜方法、および制御プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190143808A true KR20190143808A (ko) 2019-12-31
KR102452269B1 KR102452269B1 (ko) 2022-10-07

Family

ID=68980483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190068361A KR102452269B1 (ko) 2018-06-21 2019-06-11 제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 성막 방법 및 기록 매체

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20190390347A1 (ko)
JP (1) JP7061935B2 (ko)
KR (1) KR102452269B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09278805A (ja) * 1996-04-12 1997-10-28 Ulvac Japan Ltd 蒸着重合方法
WO2008129925A1 (ja) 2007-04-16 2008-10-30 Ulvac, Inc. ポリユリア膜及びその成膜方法
KR20100094408A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2012140647A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toyota Motor Corp 成膜基材の製造方法
KR20170044026A (ko) * 2015-10-09 2017-04-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유기막들의 기상 퇴적

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4506953B2 (ja) * 2004-05-28 2010-07-21 日本電気株式会社 共重合高分子膜およびその作製方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09278805A (ja) * 1996-04-12 1997-10-28 Ulvac Japan Ltd 蒸着重合方法
WO2008129925A1 (ja) 2007-04-16 2008-10-30 Ulvac, Inc. ポリユリア膜及びその成膜方法
KR20100094408A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2012140647A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toyota Motor Corp 成膜基材の製造方法
KR20170044026A (ko) * 2015-10-09 2017-04-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유기막들의 기상 퇴적

Also Published As

Publication number Publication date
US20190390347A1 (en) 2019-12-26
JP7061935B2 (ja) 2022-05-02
KR102452269B1 (ko) 2022-10-07
JP2019218616A (ja) 2019-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9159548B2 (en) Semiconductor processing system including vaporizer and method for using same
KR101578260B1 (ko) 성막 장치
JP5277161B2 (ja) ポリユリア膜及びその成膜方法
CN102160156B (zh) 聚合膜的成膜方法和成膜装置
JP7067424B2 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
KR102452269B1 (ko) 제어 장치, 성막 장치, 제어 방법, 성막 방법 및 기록 매체
US20200312672A1 (en) Composition for film deposition and film deposition apparatus
JP2010278167A (ja) 半導体製造装置
JP2019212776A5 (ja) 半導体装置の製造方法、成膜用組成物および成膜装置
US20140038424A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
KR102364144B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
JP6881273B2 (ja) 成膜装置
KR20160013998A (ko) 폴리이미드 전구체의 제조 방법 및 폴리이미드의 제조 방법
JPH0612131A (ja) 熱分離プロセスにおける濃度の制御
JP2011063865A (ja) ポリ尿素膜およびその成膜方法
KR102308100B1 (ko) 탈기용 다공성 필터의 제조방법
JP2023524100A (ja) 水晶マイクロバランス濃度モニタ
JP2013038169A (ja) 薄膜製造方法および薄膜製造装置
JPH09278805A (ja) 蒸着重合方法
TW202003613A (zh) 成膜用組成物及成膜裝置
JP4516808B2 (ja) ポリ尿素膜の形成方法及びポリ尿素膜形成装置
US20200203150A1 (en) Composition for film deposition and film deposition apparatus
JP4190368B2 (ja) Ｂ，ｂ’，ｂ”−トリアルキル−ｎ，ｎ’，ｎ”−トリアルキルボラジンの製造方法
JP2007217451A (ja) 有機高分子膜及びその形成方法
JP2024523573A (ja) キャニスターの温度制御方法及び原料供給装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant