JP7061935B2 - 制御装置、成膜装置、制御方法、成膜方法、および制御プログラム - Google Patents

制御装置、成膜装置、制御方法、成膜方法、および制御プログラム Download PDF

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Description

本開示は、制御装置、成膜装置、制御方法、成膜方法、および制御プログラムに関する。
特許文献１は、芳香族アルキル、脂環状又は脂肪族のジイソシアネートモノマーと、芳香族アルキル、脂環状又は脂肪族のジアミンモノマーの真空蒸着重合によるポリユリア膜の製造方法を開示する。特許文献１では、ジイソシアネートモノマーおよびジアミンモノマーとして、基材からの脱離に必要な活性化エネルギーの差が１０ｋＪ以下の関係にあるものが用いられている。特許文献１に開示された技術によれば、透明性、耐光性及び量産性に優れたポリユリア膜の成膜方法が提供される。
国際公開第２００８／１２９９２５号
本開示は、複数種類の原料からの膜の生成を容易に制御することができる技術を提供する。
本開示の一態様による制御装置は、被処理体に膜を生成するために用いられる複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータおよび被処理体について設定された所定の飽和蒸気圧の値を取得する取得部と、飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて複数種類の原料のうち、ある温度において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を選択する選択部と、選択された原料についての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて選択された原料についての所定の飽和蒸気圧の値に対応する温度を算出する算出部と、被処理体の温度を算出された温度に制御する制御部とを備える。
本開示によれば、複数種類の原料からの膜の生成を容易に制御することができる。
図１は、本開示の一実施形態による成膜装置の構成の一例を示す断面図である。 図２は、本開示の一実施形態による制御方法の一例を説明する図である。 図３は、本開示の一実施形態による制御装置の構成の一例を示すブロック図である。 図４は、本開示の一実施形態による制御装置に含まれる飽和蒸気圧曲線データの一例を示す図である。 図５は、本開示の一実施形態による制御装置に含まれる飽和蒸気圧設定値の一例を示す図である。 図６は、本開示の一実施形態による制御装置に含まれる選択部の動作の一例を説明する図である。 図７は、本開示の一実施形態による制御装置に含まれる算出部の動作の一例を説明する図である。 図８は、本開示の一実施形態によるに係る制御方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。 図９は、本開示の一実施形態によるに係る成膜方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１０は、本開示の一実施形態の変形例による制御装置の構成の一例を示すブロック図である。 図１１は、本開示の一実施形態の変形例による制御方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１２は、本開示の一実施形態による制御方法の第１の実施例を説明する図である。 図１３は、本開示の一実施形態による制御方法の第２の実施例を説明する図である。 図１４は、本開示の一実施形態による制御方法の第３の実施例を説明する図である。 図１５は、制御装置の機能を実現するコンピュータの一例を示すハードウェア構成図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する制御装置、成膜装置、制御方法、成膜方法、および制御プログラムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
＜成膜装置＞
まず、図１を参照して本開示の一実施形態による成膜装置１の構成の一例を説明する。図１は、本開示の一実施形態による成膜装置１の構成の一例を示す断面図である。成膜装置１は、被処理体Ｗに膜を生成する装置である。成膜装置１は、例えば、化学真空蒸着（ＣＶＤ）装置である。被処理体Ｗは、例えば、半導体装置の基板であるウェハである。
以下の説明においては、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料が、二種類の原料、例えば、第１の原料としての原料Ａおよび第２の原料としての原料Ｂ、である場合を説明する。例えば、被処理体Ｗにポリ尿素の膜を生成する場合には、原料Ａおよび原料Ｂは、例えば、ジイソシアナートおよびジアミンである。成膜装置１において、被処理体Ｗの表面においてジイソシアナートおよびジアミンを蒸着重合させることによって、被処理体Ｗの表面にポリ尿素の膜を生成する。
成膜装置１は、チャンバー１０と、第１の原料供給源１１ａと、第２の原料供給源１１ｂと、第１の気化器１２ａと、第２の気化器１２ｂと、第１の供給管１３ａと、第２の供給管１３ｂと、排気装置１４と、排気管１５と、捕獲装置１６とを備える。
チャンバー１０は、真空雰囲気を区画する内壁を有する真空容器である。ここで、真空雰囲気は、例えば、中真空（１００～０．１Ｐａ）である。チャンバー１０には、被処理体Ｗが搬入される。チャンバー１０は、チャンバー１０の内部における真空雰囲気の温度を調節する機構を有する。例えば、チャンバー１０は、チャンバー１０の内壁を加熱するヒーターを有する。
第１の原料供給源１１ａは、第１の原料としての原料Ａの液体を収容する。第１の原料供給源１１ａは、液体の状態における原料Ａを第１の気化器１２ａに供給する。
第２の原料供給源１１ｂは、第２の原料としての原料Ｂの液体を収容する。第２の原料供給源１１ｂは、液体の状態における原料Ｂを第２の気化器１２ｂに供給する。
第１の気化器１２ａは、第１の原料供給源１１ａから供給される原料Ａの液体を気化する。第１の気化器１２ａは、例えば、第１の原料供給源１１ａから供給される原料Ａの液体を加熱するヒーターを有する。
第２の気化器１２ｂは、第２の原料供給源１１ｂから供給される原料Ｂの液体を気化する。第２の気化器１２ｂは、例えば、第２の原料供給源１１ｂから供給される原料Ｂの液体を加熱するヒーターを有する。
第１の供給管１３ａは、第１の原料供給源１１ａおよび第１の気化器１２ａをチャンバー１０に接続する。第１の供給管１３ａは、第１の気化器１２ａによって生成された原料Ａの気体をチャンバー１０へ供給する。第１の供給管１３ａは、第１の供給管１３ａ内を流動する原料Ａの気体の温度を調節する機構、例えば、第１の供給管１３ａを加熱するヒーターを有する。
第２の供給管１３ｂは、第２の原料供給源１１ｂおよび第２の気化器１２ｂをチャンバー１０に接続する。第２の供給管１３ｂは、第２の気化器１２ｂによって生成された原料Ｂの気体をチャンバー１０へ供給する。第２の供給管１３ｂは、第２の供給管１３ｂ内を流動する原料Ｂの気体の温度を調節する機構、例えば、第２の供給管１３ｂを加熱するヒーターを有する。
排気装置１４は、チャンバー１０の内部に真空雰囲気を形成するためにチャンバー１０内を排気する。排気装置１４は、チャンバー１０内を排気する真空ポンプおよびチャンバー１０の内圧を計測する真空計を含む。
排気管１５は、排気装置１４をチャンバー１０に接続する。排気管１５は、例えば、チャンバー１０内に供給されたが被処理体Ｗに膜を生成するために利用されなかった原料Ａの未反応の気体および原料Ｂの未反応の気体を排気する。また、排気管１５は、例えば、チャンバー１０内で発生したパーティクルを排気する。チャンバー１０内で発生したパーティクルは、例えば、チャンバー１０内に供給されたが被処理体Ｗに膜を生成するために利用されなかった原料Ａおよび原料Ｂの反応生成物を含む。
捕獲装置１６は、チャンバー１０内で発生したパーティクルを捕獲する。捕獲装置１６は、チャンバー１０内で発生したパーティクルを捕獲する機能を有する材料で形成された部材（以下、「パーティクル捕獲機能部材」と称する）を含む。例えば、捕獲装置１６は、金属製のメッシュ等を含む網目状の部材を含む。捕獲装置１６は、パーティクル捕獲機能部材の温度を調節する機構、例えば、水冷等によりパーティクル捕獲機能部材を冷却する機構を有する。捕獲装置１６は、チャンバー１０と排気装置１４との間における排気管１５に設けられる。
チャンバー１０は、載置台１７とシャワーヘッド１８とを備える。
載置台１７は、チャンバー１０の内部に搬入された被処理体Ｗを上面に載置する。載置台１７は、例えば、チャンバー１０の下部に設けられる。載置台１７は、上面に載置された被処理体Ｗの温度を調節する機構、例えば、上面に載置された被処理体Ｗを加熱するヒーターを有する。
シャワーヘッド１８は、第１の供給管１３ａを通じて供給される原料Ａの気体および第２の供給管１３ｂを通じて供給される原料Ｂの気体をチャンバー１０の内部に吐出する。シャワーヘッド１８は、例えば、チャンバー１０の上部に設けられる。シャワーヘッド１８は、第１の供給管１３ａを通じて供給される原料Ａの気体をチャンバー１０の内部に吐出する第１の吐出孔および第２の供給管１３ｂを通じて供給される原料Ｂの気体をチャンバー１０の内部に吐出する第２の吐出孔を下面に有する。
成膜装置１は、チャンバー１０の内部が真空雰囲気である状態において、載置台１７の上面に載置された被処理体Ｗに対して原料Ａの気体および原料Ｂの気体を供給することによって、被処理体Ｗの表面において原料Ａおよび原料Ｂを反応させる。その結果、成膜装置１は、被処理体Ｗの表面に膜を生成する。
成膜装置１は、制御装置１００をさらに備える。制御装置１００は、被処理体Ｗの温度を制御する。制御装置１００は、チャンバー１０の温度、排気管１５の温度、および捕獲装置１６の温度の少なくとも一つをさらに制御してもよい。制御装置１００は、成膜装置１における制御装置１００以外の部分と有線または無線により接続される。制御装置１００の構成の一例については後述する。
＜制御方法＞
従来は、被処理体Ｗに膜を生成する際に、チャンバー１０内における原料Ａの蒸気圧（分圧）および原料Ｂの蒸気圧（分圧）の差が低減されるように、チャンバー１０に供給される原料Ａおよび原料Ｂの各々の流量を精度よく制御する。しかしながら、原料Ａおよび原料Ｂの各々の流量を精度よく制御するため、原料Ａおよび原料Ｂからの膜の生成を容易に制御することができなかった。本実施形態においては、原料Ａおよび原料Ｂからの膜の生成を容易に制御することができる技術を提供する。
成膜装置１において、原料Ａおよび原料Ｂを用いることによって被処理体Ｗに膜を生成する速度（以下「成膜速度」と称する）は、膜を生成するために用いられる原料Ａおよび原料Ｂの種類および被処理体Ｗの温度等に依存する。本実施形態においては、原料Ａおよび原料Ｂのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料Ａの飽和蒸気圧曲線に基づいて、被処理体Ｗの温度を制御する。具体的には、原料Ａの飽和蒸気圧曲線についての所定の飽和蒸気圧の値に対応する温度に被処理体Ｗの温度を制御する。
本実施形態においては、原料Ａおよび原料Ｂのうち、原料Ａの飽和蒸気圧曲線に基づいて被処理体Ｗの温度を制御する場合であっても、ある一定の範囲の成膜速度で被処理体Ｗに膜を生成することができることを見出した。ここで、ある一定の範囲の成膜速度は、例えば、１ｎｍ／分～１０００ｎｍ／分である。本実施形態においては、原料Ａの蒸気圧（分圧）が所定の飽和蒸気圧であるように、原料Ａの流量を制御する。一方、本実施形態においては、ある温度においてより高い飽和蒸気圧を有する原料Ｂの流量の公差を増加させることができる。よって、本実施形態においては、原料Ａおよび原料Ｂからの膜の生成を容易に制御することができる。
次に、図２を参照して、本開示の一実施形態による制御方法の一例を説明する。図２は、本開示の一実施形態による制御方法の一例を説明する図である。本開示の一実施形態による制御方法は、成膜装置１に含まれる制御装置１００によって実行される。
図２は、原料Ａの飽和蒸気圧曲線および原料Ｂの飽和蒸気圧曲線を示す。図２において、横軸および縦軸は、それぞれ、被処理体Ｗの絶対温度Ｔの逆数および原料Ａまたは原料Ｂの飽和蒸気圧Ｐの対数を表す。図２においては、原料Ａまたは原料Ｂの飽和蒸気圧曲線は、原料Ａまたは原料Ｂの飽和蒸気圧Ｐの対数ｌｏｇＰおよび被処理体Ｗの絶対温度Ｔの逆数（１／Ｔ）によって表される。原料Ａまたは原料Ｂの飽和蒸気圧Ｐの対数ｌｏｇＰおよび被処理体Ｗの絶対温度Ｔの逆数（１／Ｔ）は、概ね線形の関係を有する。
図２において、原料Ａの飽和蒸気圧曲線は、ｌｏｇＰ＝Ｓ（Ａ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ａ）で表される直線Ａによって近似される。Ｓ（Ａ）およびＩ（Ａ）は、それぞれ、直線Ａの傾きおよび切片である。原料Ｂの飽和蒸気圧曲線は、ｌｏｇＰ＝Ｓ（Ｂ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ｂ）で表される直線Ｂによって近似される。Ｓ（Ｂ）およびＩ（Ｂ）は、それぞれ、直線Ｂの傾きおよび切片である。図２に示すように、原料Ａは、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である。原料Ｂは、ある温度においてより高い飽和蒸気圧を有する原料である。
図２に示す所定の飽和蒸気圧の値Ｐ１は、被処理体Ｗに膜を生成するために被処理体Ｗについて設定された所定の飽和蒸気圧の値である。図２に示す温度Ｔ１は、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ａについての所定の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する被処理体Ｗの絶対温度である。
制御装置１００は、原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてのＳ（Ａ）およびＩ（Ａ）、原料Ｂについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてのＳ（Ｂ）およびＩ（Ｂ）、および、被処理体Ｗについて設定された所定の飽和蒸気圧の値Ｐ１を取得する。
制御装置１００は、Ｓ（Ａ）、Ｉ（Ａ）、Ｓ（Ｂ）、およびＩ（Ｂ）に基づいて、原料Ａおよび原料Ｂのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ａを選択する。
制御装置１００は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータＳ（Ａ）およびＩ（Ａ）に基づいて、選択された原料Ａについての所定の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する温度Ｔ１を算出する。
制御装置１００は、被処理体Ｗの温度が、算出された温度Ｔ１となるように載置台１７内のヒーター等を制御する。このように、制御装置１００は、原料Ａおよび原料Ｂのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ａの飽和蒸気圧曲線に基づいて、被処理体Ｗの温度を、原料Ａについての所定の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する温度Ｔ１となるように制御する。
＜制御装置＞
次に、図３を参照して、本開示の一実施形態による制御装置１００の構成の一例を説明する。図３は、本開示の一実施形態による制御装置１００の構成の一例を示すブロック図である。制御装置１００は、例えば、コンピュータである。制御装置１００は、記憶部１１０と、制御部１２０とを備える。
記憶部１１０は、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory)またはフラッシュメモリのような半導体メモリ素子、あるいは、ハードディスクまたは光ディスクのような記憶装置によって実現される。記憶部１１０には、飽和蒸気圧曲線データ１１１および飽和蒸気圧設定値１１２等のデータが格納される。
飽和蒸気圧曲線データ１１１は、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータである。ここで、図４を参照して、本開示の一実施形態による制御装置１００に含まれる飽和蒸気圧曲線データ１１１の一例を説明する。図４は、本開示の一実施形態による制御装置１００に含まれる飽和蒸気圧曲線データ１１１の一例を示す図である。
図４に示す例においては、飽和蒸気圧曲線データ１１１は、「膜識別情報」、「原料識別情報」、「蒸気圧曲線データ１」、および「蒸気圧曲線データ２」のような項目を含む。飽和蒸気圧曲線データ１１１において、「膜識別情報」、「原料識別情報」、「蒸気圧曲線データ１」、および「蒸気圧曲線データ２」の項目に記憶される情報は、互いに関連付けられている。
「膜識別情報」は、被処理体Ｗに生成される膜を識別するための識別情報である。図４に示す例において、「膜識別情報」の項目には、例えば、「膜Ｆ」のような情報が記憶される。「膜Ｆ」のような情報は、被処理体Ｗに生成される膜を識別することができる限り特に限定されないが、例えば、ポリ尿素またはポリイミドのような膜の種類の情報である。「膜Ｆ」のような情報は、例えば、ユーザによって決定された膜を示す記号または番号であってもよい。
「原料識別情報」は、被処理体Ｗに生成される膜を生成するために用いられる原料を識別するための識別情報である。図４に示す例において、「原料識別情報」の項目には、例えば、「原料Ａ」または「原料Ｂ」のような情報が記憶される。「原料Ａ」または「原料Ｂ」のような情報は、被処理体Ｗに生成される膜を生成するために用いられる原料を識別することができる限り特に限定されないが、例えば、膜を生成するために用いられる原料の化合物名である。例えば、「膜Ｆ」がポリ尿素である場合には、「原料Ａ」および「原料Ｂ」は、例えば、それぞれ、１，３－ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサンおよび１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサンである。「原料Ａ」または「原料Ｂ」のような情報は、例えば、ユーザによって決定された原料を示す記号または番号であってもよい。
「蒸気圧曲線データ１」および「蒸気圧曲線データ２」は、被処理体Ｗに生成される膜を生成するために用いられる原料についての飽和蒸気圧曲線を特定するためのデータである。例えば、飽和蒸気圧曲線が、原料の飽和蒸気圧の対数および被処理体Ｗの絶対温度の逆数によって表される直線によって近似される場合には、「蒸気圧曲線データ１」および「蒸気圧曲線データ２」の項目には、それぞれ、直線の傾きおよび直線の切片が記憶される。
図４に示す例において、例えば、「原料識別情報」が「原料Ａ」である場合には、「蒸気圧曲線データ１」および「蒸気圧曲線データ２」の項目には、それぞれ、「Ｓ（Ａ）」および「Ｉ（Ａ）」である。例えば、「原料識別情報」が「原料Ｂ」である場合には、「蒸気圧曲線データ１」および「蒸気圧曲線データ２」の項目には、それぞれ、「Ｓ（Ｂ）」および「Ｉ（Ｂ）」である。「Ｓ（Ａ）」、「Ｉ（Ａ）」、「Ｓ（Ｂ）」、および「Ｉ（Ｂ）」の各々は、数値である。「Ｓ（Ａ）」、「Ｉ（Ａ）」、「Ｓ（Ｂ）」、および「Ｉ（Ｂ）」の各々は、予め実験によって決定されたものであってもよい。
図４に示す例においては、飽和蒸気圧曲線データ１１１は、「膜Ｆ」を生成するために用いられる「原料Ａ」および「原料Ｂ」についての飽和蒸気圧曲線のデータ「Ｓ（Ａ）」、「Ｉ（Ａ）」、「Ｓ（Ｂ）」、および「Ｉ（Ｂ）」を記憶する。飽和蒸気圧曲線データ１１１は、例えば、「膜Ｆ」を生成するために用いられる「原料Ａ」および「原料Ｂ」と異なる二種類の原料（「原料Ｃ」および「原料Ｄ」）についての飽和蒸気圧曲線のデータを記憶する。飽和蒸気圧曲線データ１１１は、例えば、「膜Ｆ」を生成するために用いられる三種類以上の原料（「原料Ｘ」、「原料Ｙ」、および「原料Ｚ」）についての飽和蒸気圧曲線のデータを記憶する。
飽和蒸気圧設定値１１２は、少なくとも被処理体Ｗについて設定された所定の飽和蒸気圧の値を含む。飽和蒸気圧設定値１１２は、チャンバー１０および排気管１５の少なくとも一方について設定された飽和蒸気圧の値を含むものであってもよい。飽和蒸気圧設定値１１２は、捕獲装置１６について設定された飽和蒸気圧の値を含むものであってもよい。
ここで、図５を参照して、本開示の一実施形態による制御装置１００に含まれる飽和蒸気圧設定値１１２の一例を説明する。図５は、本開示の一実施形態による制御装置１００に含まれる飽和蒸気圧設定値１１２の一例を示す図である。図５に示す例において、飽和蒸気圧設定値１１２は、「温度制御対象」および「飽和蒸気圧設定値」のような項目を含む。飽和蒸気圧設定値１１２において、「温度制御対象」および「飽和蒸気圧設定値」の項目に記憶される情報は、互いに関連付けられている。
「温度制御対象」は、制御装置１００によって温度が制御される対象を識別するための識別情報である。制御装置１００によって温度が制御される対象は、例えば、成膜装置１において用いられる対象または成膜装置１を構成する部材である。図５に示す例において、「温度制御対象」の項目には、例えば、「被処理体」、「チャンバー」、「排気管」、または「捕獲装置」のような情報が記憶される。
「飽和蒸気圧設定値」は、制御装置１００によって温度が制御される対象付近の真空雰囲気の予め設定された目標の飽和蒸気圧の値である。図５に示す例において、「飽和蒸気圧設定値」の項目に、例えば、「Ｐ１」、「Ｐ２」、または「Ｐ３」のような情報が記憶される。「Ｐ１」、「Ｐ２」、または「Ｐ３」の各々は、数値である。
図５に示す例においては、飽和蒸気圧設定値１１２は、「被処理体」について設定された第１の飽和蒸気圧の値「Ｐ１」を記憶する。また、飽和蒸気圧設定値１１２は、「チャンバー」および「排気管」の両方について設定された第２の飽和蒸気圧の値「Ｐ２」、および「捕獲装置」について設定された第３の飽和蒸気圧の値「Ｐ３」を記憶する。なお、第２の飽和蒸気圧の値「Ｐ２」は、「チャンバー」および「排気管」の一方について設定されたものであってもよい。
第２の飽和蒸気圧の値「Ｐ２」は、第１の飽和蒸気圧の値「Ｐ１」よりも高い。第３の飽和蒸気圧の値「Ｐ３」は、第１の飽和蒸気圧の値「Ｐ１」よりも低い。第１の飽和蒸気圧の値「Ｐ１」は、例えば、１０ｍＴｏｒｒ（１．３３３２Ｐａ）より高くかつ１Ｔｏｒｒ（１３３．３２Ｐａ）未満である。第１の飽和蒸気圧の値「Ｐ１」は、例えば、０．１Ｔｏｒｒ（１３．３３２Ｐａ）である。第２の飽和蒸気圧の値「Ｐ２」は、例えば、１Ｔｏｒｒ（１３３．３２Ｐａ）以上である。第２の飽和蒸気圧の値「Ｐ２」は、例えば、１Ｔｏｒｒ（１３３．３２Ｐａ）である。第３の飽和蒸気圧の値「Ｐ３」は、例えば、１０ｍＴｏｒｒ（１．３３３２Ｐａ）以下である。第３の飽和蒸気圧の値「Ｐ３」は、例えば、１０ｍＴｏｒｒ（１．３３３２Ｐａ）である。
図３に示すように、制御部１２０は、受付部１２１と、取得部１２２と、選択部１２３と、算出部１２４と、制御部１２５とを備える。制御部１２０の内部構成は、図３に示す構成に限定されず、後述する処理を行う構成である限り他の構成であってもよい。制御部１２０に含まれる複数の処理部の間の接続関係は、図３に示す接続関係に限定されず、他の接続関係であってもよい。
受付部１２１は、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる原料Ａおよび原料Ｂを識別するための識別情報をユーザから受け付ける。受付部１２１は、ユーザから受け付けた識別情報を取得部１２２へ出力する。
取得部１２２は、飽和蒸気圧曲線データ１１１に記憶された情報の中から、原料Ａおよび原料Ｂについての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。具体的には、取得部１２２は、「原料識別情報」の項目に記憶される「原料Ａ」の情報についての「蒸気圧曲線データ１」および「蒸気圧曲線データ２」の項目に記憶される「Ｓ（Ａ）」および「Ｉ（Ａ）」の情報を取得する。取得部１２２は、「原料識別情報」の項目に記憶される「原料Ｂ」の情報についての「蒸気圧曲線データ１」および「蒸気圧曲線データ２」の項目に記憶される「Ｓ（Ｂ）」および「Ｉ（Ｂ）」の情報を取得する。
取得部１２２は、原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータ「Ｓ（Ａ）」および「Ｉ（Ａ）」の情報、および、原料Ｂについての飽和蒸気圧曲線のデータ「Ｓ（Ｂ）」および「Ｉ（Ｂ）」の情報を選択部１２３および算出部１２４へ出力する。
取得部１２２は、飽和蒸気圧設定値１１２に記憶された情報の中から、被処理体Ｗについて設定された第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１を取得する。具体的には、取得部１２２は、「温度制御対象」の項目に記憶される「被処理体」の情報についての「飽和蒸気圧設定値」の項目に記憶される「Ｐ１」の情報を取得する。
また、取得部１２２は、チャンバー１０および排気管１５の両方について設定された第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２を取得する。具体的には、取得部１２２は、「温度制御対象」の項目に記憶される「チャンバー」および「排気管」の情報についての「飽和蒸気圧設定値」の項目に記憶される「Ｐ２」の情報を取得する。
また、取得部１２２は、捕獲装置１６について設定された第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３を取得する。具体的には、取得部１２２は、「温度制御対象」の項目に記憶される「捕獲装置」の情報についての「飽和蒸気圧設定値」の項目に記憶される「Ｐ３」の情報を取得する。
取得部１２２は、第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１、第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２、および第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３の情報を算出部１２４へ出力する。
選択部１２３は、原料Ａおよび原料Ｂの飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料Ａおよび原料Ｂのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ａを選択する。
ここで、図６を参照して、本開示の一実施形態による制御装置１００に含まれる選択部１２３の動作の一例を説明する。図６は、本開示の一実施形態による制御装置１００に含まれる選択部１２３の動作の一例を説明する図である。
選択部１２３は、原料Ａの飽和蒸気圧曲線のデータＳ（Ａ），Ｉ（Ａ）およびｌｏｇＰ＝Ｓ（Ａ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ａ）で表される直線Ａの式に基づいて、ある温度Ｔ０における原料Ａの飽和蒸気圧ＰＡの対数ｌｏｇＰＡを算出する。すなわち、選択部１２３は、Ｓ（Ａ），Ｉ（Ａ）およびｌｏｇＰ＝Ｓ（Ａ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ａ）の式に基づいて、ｌｏｇＰＡ＝Ｓ（Ａ）×（１／Ｔ０）＋Ｉ（Ａ）を算出する。選択部１２３は、ある温度Ｔ０における原料Ａの飽和蒸気圧ＰＡを算出する。
選択部１２３は、原料Ｂの飽和蒸気圧曲線のデータＳ（Ｂ），Ｉ（Ｂ）およびｌｏｇＰ＝Ｓ（Ｂ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ｂ）で表される直線Ｂの式に基づいて、ある温度Ｔ０における原料Ｂの飽和蒸気圧の対数ｌｏｇＰＢを算出する。すなわち、選択部１２３は、Ｓ（Ｂ），Ｉ（Ｂ）およびｌｏｇＰ＝Ｓ（Ｂ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ｂ）の式に基づいて、ｌｏｇＰＢ＝Ｓ（Ｂ）×（１／Ｔ０）＋Ｉ（Ｂ）を算出する。選択部１２３は、ある温度Ｔ０における原料Ｂの飽和蒸気圧ＰＢを算出する。
ここで、温度Ｔ０は、特に限定されるものではないが、例えば、５０℃（３２３Ｋ）から１５０℃（４３２Ｋ）までの範囲における温度である。選択部１２３は、ある温度Ｔ０における原料Ａの飽和蒸気圧ＰＡおよびある温度Ｔ０における原料Ｂの飽和蒸気圧ＰＢを比較する。図６に示すように、選択部１２３は、ある温度Ｔ０における原料Ａの飽和蒸気圧ＰＡがある温度Ｔ０における原料Ｂの飽和蒸気圧ＰＢよりも低いことを判定する。その結果、選択部１２３は、原料Ａおよび原料Ｂのうち、ある温度Ｔ０においてより低い飽和蒸気圧ＰＡを有する原料である原料Ａを選択する。
選択部１２３は、ある温度Ｔ０においてより低い飽和蒸気圧ＰＡを有する原料である原料Ａの選択の結果を算出部１２４へ出力する。
算出部１２４は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、選択された原料Ａについての第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する第１の温度Ｔ１を算出する。
また、算出部１２４は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、選択された原料Ａについての第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２に対応する第２の温度Ｔ２を算出する。
また、算出部１２４は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、選択された原料Ａについての第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３に対応する第３の温度Ｔ３を算出する。
ここで、図７を参照して、本開示の一実施形態による制御装置１００に含まれる算出部１２４の動作の一例を説明する。図７は、本開示の一実施形態による制御装置１００に含まれる算出部１２４の動作の一例を説明する図である。
算出部１２４は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータＳ（Ａ）およびＩ（Ａ）、第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１、および直線Ａの式に基づいて、選択された原料Ａについての第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する第１の温度Ｔ１を算出する。すなわち、算出部１２４は、Ｓ（Ａ）およびＩ（Ａ）、Ｐ１、およびｌｏｇＰ＝Ｓ（Ａ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ａ）の式に基づいて、Ｔ１＝Ｓ（Ａ）／（ｌｏｇＰ１－Ｉ（Ａ））を算出する。
また、算出部１２４は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータＳ（Ａ）およびＩ（Ａ）、第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２、および直線Ａの式に基づいて、選択された原料Ａについての第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２に対応する第２の温度Ｔ２を算出する。すなわち、算出部１２４は、Ｓ（Ａ）およびＩ（Ａ）、Ｐ２、およびｌｏｇＰ＝Ｓ（Ａ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ａ）の式に基づいて、Ｔ２＝Ｓ（Ａ）／（ｌｏｇＰ２－Ｉ（Ａ））を算出する。
また、算出部１２４は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータＳ（Ａ）およびＩ（Ａ）、第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３、および直線Ａの式に基づいて、選択された原料Ａについての第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３に対応する第３の温度Ｔ３を算出する。すなわち、算出部１２４は、Ｓ（Ａ）およびＩ（Ａ）、Ｐ３、およびｌｏｇＰ＝Ｓ（Ａ）×（１／Ｔ）＋Ｉ（Ａ）の式に基づいて、Ｔ３＝Ｓ（Ａ）／（ｌｏｇＰ３－Ｉ（Ａ））を算出する。
図７に示すように、第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２が第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１よりも高いため、第２の温度Ｔ２は、第１の温度Ｔ１よりも高い。第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３が第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１よりも低いため、第３の温度Ｔ３は、第１の温度Ｔ１よりも低い。
制御部１２５は、被処理体Ｗの温度を第１の温度Ｔ１に制御する。制御部１２５は、チャンバー１０および排気管１５の両方の温度を第２の温度Ｔ２に制御する。制御部１２５は、捕獲装置１６の温度を第３の温度Ｔ３に制御する。なお、制御部１２５は、チャンバー１０および排気管１５の一方の温度を第２の温度Ｔ２に制御してもよい。
このように、本開示の一実施形態による制御装置１００は、取得部１２２と、選択部１２３と、算出部１２４と、制御部１２５とを備える。取得部１２２は、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる原料Ａおよび原料Ｂについての飽和蒸気圧曲線のデータおよび被処理体Ｗについて設定された所定の飽和蒸気圧の値Ｐ１を取得する。選択部１２３は、飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて原料Ａおよび原料Ｂのうち、ある温度Ｔ０においてより低い飽和蒸気圧を有する原料Ａを選択する。算出部１２４は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて選択された原料Ａについての所定の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する温度Ｔ１を算出する。制御部１２５は、被処理体Ｗの温度を算出された温度Ｔ１に制御する。
制御装置１００においては、被処理体Ｗの温度を選択された原料Ａについての所定の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する温度Ｔ１に制御することによって、ある一定の範囲の成膜速度で被処理体Ｗに膜を生成することができる。これにより、制御装置１００においては、原料Ａの蒸気圧（分圧）が所定の飽和蒸気圧Ｐ１であるように原料Ａの流量を制御するが、ある温度Ｔ０においてより高い飽和蒸気圧を有する原料Ｂの流量の公差を増加させることができる。よって、原料Ａおよび原料Ｂからの膜の生成を容易に制御することができる制御装置１００を提供することができる。
本開示の一実施形態による成膜装置１は、チャンバー１０と、第１の原料供給源１１ａおよび第２の原料供給源１１ｂと、第１の供給管１３ａおよび第２の供給管１３ｂと、排気管１５と、制御装置１００とを備える。チャンバー１０には、被処理体Ｗが搬入される。第１の原料供給源１１ａおよび第２の原料供給源１１ｂは、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる原料Ａおよび原料Ｂをそれぞれ収容する。第１の供給管１３ａおよび第２の供給管１３ｂは、チャンバー１０へ原料Ａおよび原料Ｂをそれぞれ供給する。排気管１５は、チャンバー１０に接続される。これにより、原料Ａおよび原料Ｂからの膜の生成を容易に制御することができる成膜装置１を提供することができる。
本開示の一実施形態による制御装置１００において、取得部１２２は、第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１と第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１よりも高い第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２とを取得する。第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１は、被処理体Ｗについて設定されたものである。第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２は、被処理体Ｗが搬入されるチャンバー１０およびチャンバー１０に接続される排気管１５の少なくとも一方について設定されたものである。算出部１２４は、選択された原料Ａについての第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する第１の温度Ｔ１および第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２に対応する第２の温度Ｔ２を算出する。制御部１２５は、被処理体Ｗの温度を第１の温度Ｔ１に制御し、チャンバー１０および排気管１５の少なくとも一方の温度を第２の温度Ｔ２に制御する。
これにより、被処理体Ｗにおける膜の成膜速度をある一定の範囲において得ると共にチャンバー１０および排気管１５の少なくとも一方における膜の成膜速度を低減することができる。よって、ある一定の範囲の成膜速度で被処理体Ｗに膜を生成すると共にチャンバー１０および排気管１５の少なくとも一方における膜の生成を抑制することができる。
本開示の一実施形態による制御装置１００において、取得部１２２は、第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１と第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１よりも低い第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３とを取得する。第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１は、被処理体Ｗについて設定されたものである。第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３は、被処理体Ｗが搬入されるチャンバー１０内で発生したパーティクルを捕獲する捕獲装置１６について設定されたものである。算出部１２４は、選択された原料Ａについての第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する第１の温度Ｔ１および第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３に対応する第３の温度Ｔ３を算出する。制御部１２５は、被処理体Ｗの温度を第１の温度Ｔ１に制御し、捕獲装置１６の温度を第３の温度Ｔ３に制御する。
これにより、被処理体Ｗにおける膜の成膜速度をある一定の範囲において得ると共に捕獲装置１６における膜の成膜速度を増加させることができる。よって、ある一定の範囲の成膜速度で被処理体Ｗに膜を生成すると共に捕獲装置１６における膜を生成する原料Ａおよび原料Ｂからの生成物の生成（未反応の原料Ａおよび原料Ｂの捕獲）を促進させることができる。
本開示の一実施形態による制御装置１００において、原料Ａおよび原料Ｂは、ある温度Ｔ０においてより低い飽和蒸気圧を有する原料Ａおよびある温度Ｔ０においてより低い飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する原料Ｂを含む。
これにより、原料Ａの蒸気圧（分圧）が所定の飽和蒸気圧であるように原料Ａの流量を制御するが、ある温度Ｔ０においてより高い飽和蒸気圧を有する原料Ｂの流量の公差をより確実に増加させることができる。よって、原料Ａおよび原料Ｂからの膜の生成をより容易に制御することができる。
＜制御方法の処理手順＞
次に、図８を参照して、本開示の一実施形態による制御方法の処理手順の一例を説明する。図８は、本開示の一実施形態による制御方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。
ステップＳ１０１において、制御装置１００は、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる原料としての原料Ａおよび原料Ｂを識別する情報をユーザから受け付ける。
ステップＳ１０２において、制御装置１００は、原料Ａおよび原料Ｂを識別する情報に基づいて、飽和蒸気圧曲線データ１１１から原料Ａおよび原料Ｂについての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。また、ステップＳ１０２において、制御装置１００は、飽和蒸気圧設定値１１２から第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１、第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２、および第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３を取得する。第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１、第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２、および第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３は、それぞれ、被処理体Ｗ、チャンバー１０および排気管１５、および捕獲装置１６について設定されたものである。第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１、第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２、および第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３は、Ｐ２＞Ｐ１＞Ｐ３の関係を満たす。
ステップＳ１０３において、制御装置１００は、原料Ａおよび原料Ｂの飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料Ａおよび原料Ｂのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ａを選択する。
ステップＳ１０４において、制御装置１００は、選択された原料Ａについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、第１の温度Ｔ１、第２の温度Ｔ２、および第３の温度Ｔ３を算出する。第１の温度Ｔ１は、選択された原料Ａについての第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する温度である。第２の温度Ｔ２は、選択された原料Ａについての第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２に対応する温度である。第３の温度Ｔ３は、選択された原料Ａについての第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３に対応する温度である。第１の温度Ｔ１、第２の温度Ｔ２、および第３の温度Ｔ３は、Ｔ２＞Ｔ１＞Ｔ３の関係を満たす。
ステップＳ１０５において、制御装置１００は、被処理体Ｗの温度、チャンバー１０および排気管１５の温度、および捕獲装置１６の温度を、それぞれ、第１の温度Ｔ１、第２の温度Ｔ２、および第３の温度Ｔ３に制御する。
＜成膜方法の処理手順＞
次に、図９を参照して、本開示の一実施形態による成膜方法の処理手順の一例を説明する。図９は、本開示の一実施形態による成膜方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。
ステップＳ２０１において、成膜装置１は、チャンバー１０に被処理体Ｗを搬入する。
ステップＳ２０２において、成膜装置１は、制御装置１００を用いることによって、被処理体Ｗの温度、チャンバー１０および排気管１５の温度、および捕獲装置１６の温度を制御する。ステップＳ２０２における処理は、図８に示すステップＳ１０１～１０５における処理と同一である。
ステップＳ２０３において、成膜装置１は、原料の気体Ａおよび原料の気体Ｂをチャンバー１０に供給することで原料Ａおよび原料Ｂから被処理体Ｗに膜を生成する。
＜原料Ａおよび原料Ｂ＞
原料Ａおよび原料Ｂは、被処理体Ｗに生成される膜に依存して選択される。原料Ａおよび原料Ｂは、例えば、それぞれ独立に、脂肪族化合物、脂環式化合物、芳香族アルキル化合物、または芳香族化合物である。
被処理体に生成される膜は、原料Ａおよび原料Ｂから生成されたポリマーまたは非ポリマーである。ポリマーは、原料Ａおよび原料Ｂが重合することによって得られる１０，０００以上の分子量を有する化合物である。非ポリマーは、ポリマー以外の原料Ａおよび原料Ｂから生成された化合物である。例えば、原料Ａおよび原料Ｂが、それぞれ、二官能性化合物である場合には、被処理体Ｗに生成される膜は、共重合反応によって生成されるポリマーである。例えば、原料Ａおよび原料Ｂが、それぞれ、一官能性化合物である場合には、被処理体Ｗに生成される膜は、二分子反応によって生成される非ポリマー（ダイマー）である。例えば、原料Ａおよび原料Ｂの一方が二官能性化合物であると共に他方が一官能性化合物である場合には、被処理体Ｗに生成される膜は、三分子反応によって生成される非ポリマー（トリマー）である。
例えば、ある温度Ｔ０においてより低い飽和蒸気圧を有する原料Ａおよびある温度Ｔ０においてより高い飽和蒸気圧を有する原料Ｂは、それぞれ、二官能性化合物および一官能性化合物である。この場合には、チャンバー１０への原料Ａの流量に対して十分な流量で原料Ｂをチャンバー１０に供給する。この場合には、二官能性化合物の末端の無い非ポリマー（トリマー）を得ることができる。よって、均一な膜特性を有する非ポリマー（トリマー）の膜を得ることができる。
被処理体Ｗに生成される膜が２－アミノエタノール結合（－ＮＨ－ＣＨ２－ＣＨ（ＯＨ）－）を有するポリマーまたは非ポリマーである場合には、原料Ａおよび原料Ｂは、例えば、エポキシドおよびアミンである。被処理体Ｗに生成される膜がウレタン結合（－ＮＨ－ＣＯ－Ｏ－）を有するポリマー（ポリウレタン）または非ポリマーである場合には、原料Ａおよび原料Ｂは、例えば、イソシアナートおよびアルコールである。被処理体Ｗに生成される膜が尿素結合（－ＮＨ－ＣＯ－ＮＨ－）を有するポリマー（ポリ尿素）または非ポリマーである場合には、原料Ａおよび原料Ｂは、例えば、イソシアナートおよびアミンである。被処理体Ｗに生成される膜がアミド結合（－ＮＨ－ＣＯ－）を有するポリマー（ポリアミド）または非ポリマーである場合には、原料Ａおよび原料Ｂは、例えば、ハロゲン化アシルおよびアミンである。被処理体Ｗに生成される膜がイミド結合（－ＣＯ－Ｎ（－）－ＣＯ－）を有するポリマー（ポリイミド）または非ポリマーである場合には、原料Ａおよび原料Ｂは、例えば、カルボン酸無水物およびアミンである。
被処理体Ｗに生成される膜がポリウレタンである場合には、ポリウレタンを所定の温度以上に加熱することによってイソシアナートおよびアルコールに解重合させることができる。被処理体Ｗに生成される膜がポリ尿素である場合には、ポリ尿素を所定の温度以上に加熱することによってイソシアナートおよびアミンに解重合させることができる。
被処理体Ｗに生成される膜が尿素結合を有するポリマー（ポリ尿素）または非ポリマーの例を説明する。原料Ａとしてのイソシアナートおよび原料Ｂとしてのジアミンを選択することによって、尿素結合を有するポリマー（ポリ尿素）または非ポリマーである様々な膜を生成させることができる。
例えば、原料Ａとしてのジイソシアナートおよび原料Ｂとしてのジアミン（例えば、第１級アミン）を用いることで、直鎖のポリ尿素を生成させることができる。ジイソシアナートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアナート（ＭＤＩ）および１，１２－ジアミノドデカン（ＤＡＤ）の組み合わせである。ジイソシアナートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、１，３－ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）および１，１２－ジアミノドデカン（ＤＡＤ）の組み合わせである。ジイソシアナートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、１，３－ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）および１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＡ）の組み合わせである。ジイソシアナートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、１，３－ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）およびヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤＡ）の組み合わせである。ジイソシアナートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、ｍ－キシリレンジイソシアナート（ＸＤＩ）およびｍ－キシリレンジアミン（ＸＤＡ）の組み合わせである。ジイソシアナートおよびジアミンの組み合わせは、例えば、ｍ－キシリレンジイソシアナート（ＸＤＩ）およびベンジルアミン（ＢＡ）の組み合わせである。
例えば、原料Ａとしてのジイソシアナートおよび原料Ｂとしてのトリアミン（例えば、第１級アミン）またはテトラアミン（例えば、第２級アミン）を用いることで、架橋性ポリ尿素を生成させることができる。原料Ａとしてのモノイソシアナートおよび原料Ｂとしてのジアミン（例えば、第１級アミン）を用いることで、尿素結合を有するトリマーを生成させることができる。原料Ａとしてのモノイソシアナートおよび原料Ｂとしてのモノアミン（例えば、第１級アミン）を用いることで、尿素結合を有するダイマーを生成させることができる。
被処理体Ｗに生成される膜がイミド結合を有するポリマー（ポリイミド）の例を説明する。例えば、ポリイミドを生成させる原料Ａおよび原料Ｂの組み合わせは、例えば、ピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）および４，４’－オキシジアニリン（４４ＯＤＡ）の組み合わせである。ポリイミドを生成させる原料Ａおよび原料Ｂの組み合わせは、例えば、ピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）およびヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤＡ）の組み合わせである。
原料Ａおよび原料Ｂは、好ましくは、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ａ、および、ある温度において原料Ａの飽和蒸気圧よりもある温度において少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ｂである。例えば、原料Ａおよび原料Ｂは、それぞれ、１，３－ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）および１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＡ）である。例えば、原料Ａおよび原料Ｂは、それぞれ、ｍ－キシリレンジイソシアナート（ＸＤＩ）およびベンジルアミン（ＢＡ）である。
上記の実施形態においては被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料が、二種類の原料（原料Ａおよび原料Ｂ）である場合を説明したが、複数種類の原料は、三種類以上の原料であってもよい。例えば、複数種類の原料が、二種類の二官能性化合物および一種類の一官能性化合物からなる三種類の原料である場合には、被処理体Ｗに生成される膜は、共重合反応によって生成されるポリマーである。
複数種類の原料が三種類以上の原料である場合には、成膜装置１は、原料の種類の数に従って複数の原料供給源、複数の気化器、および、複数の供給管を備える。受付部１２１は、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料を識別するための識別情報をユーザから受け付ける。取得部１２２は、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。選択部１２３は、飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて複数種類の原料のうち、ある温度において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を選択する。複数種類の原料は、好ましくは、ある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料およびある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する少なくとも一つの原料を含む。
＜変形例＞
次に、図１０を参照して、本開示の一実施形態の変形例による制御装置１０１の構成の一例を説明する。図１０は、本開示の一実施形態の変形例による制御装置１０１の構成の一例を示すブロック図である。図１０に示す制御装置１０１は、図３に示す制御装置１００に含まれる記憶部１１０および制御部１２０に加えて通知部１３０をさらに備える。なお、図１０に示す制御装置１０１に含まれる処理部の機能のうち、図３に示す制御装置１００に含まれる処理部の機能と同様の機能の説明を省略することにする。
制御装置１００の受付部１２１は、上述したように、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる原料Ａおよび原料Ｂを識別するための識別情報をユーザから受け付ける。一方、制御装置１０１の受付部１２１は、被処理体Ｗに生成される膜を識別するための識別情報をユーザから受け付ける。例えば、受付部１２１は、「膜Ｆ」を識別するための識別情報を受け付ける。
制御装置１００の取得部１２２は、上述したように、原料Ａおよび原料Ｂについての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。一方、制御装置１０１の取得部１２２は、飽和蒸気圧曲線データ１１１に記憶された情報の中から、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料を識別するための識別情報および複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。例えば、取得部１２２は、「膜識別情報」の項目に記憶される「膜Ｆ」の情報についての「原料識別情報」、「蒸気圧曲線データ１」、および「蒸気圧曲線データ２」の項目に記憶される情報の全てを取得する。図４に示す例においては、取得部１２２は、「原料Ａ」についての「Ｓ（Ａ）」および「Ｉ（Ａ）」、・・・「原料Ｚ」についての「Ｓ（Ｚ）」および「Ｉ（Ｚ）」を取得する。制御装置１０１の取得部１２２は、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料を識別するための識別情報および複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータを選択部１２３および算出部１２４へ出力する。
制御装置１００の選択部１２３は、上述したように、原料Ａおよび原料Ｂの飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料Ａおよび原料Ｂのうち、ある温度Ｔ０においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ａを選択する。一方、制御装置１０１の選択部１２３は、複数種類の原料の飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、複数種類の原料のうち、ある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を選択する。図４に示す例においては、例えば、制御装置１０１の選択部１２３は、「膜Ｆ」を生成するための複数種類の原料である「原料Ａ」・・・「原料Ｚ」のうち、ある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料である「原料Ａ」を選択する。以下、ある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を「最低飽和蒸気圧原料」と称する。
また、制御装置１０１の選択部１２３は、複数種類の原料の飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、複数種類の原料のうち、ある温度Ｔ０において最低飽和蒸気圧原料の飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する原料を選択する。以下、ある温度Ｔ０において最低飽和蒸気圧原料の飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する原料を「高飽和蒸気圧原料」と称することがある。このような高飽和蒸気圧原料は、最低飽和蒸気圧原料と反応するものである。図４に示す例においては、例えば、「膜Ｆ」を生成するための複数種類の原料「原料Ａ」・・・「原料Ｚ」のうち、「原料Ａ」と反応すると共にある温度Ｔ０において「原料Ａ」の飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する「原料Ｂ」が選択される。
制御装置１０１の選択部１２３は、最低飽和蒸気圧原料を識別するための識別情報および高飽和蒸気圧原料を識別するための識別情報を通知部１３０へ出力する。
制御装置１０１の算出部１２４は、制御装置１００の算出部１２４と同様の機能を有する。制御装置１０１の制御部１２５は、制御装置１００の制御部１２５と同様の機能を有する。
制御装置１０１に含まれる通知部１３０は、制御装置１０１の選択部１２３から識別情報が出力されると、膜を生成するための複数種類の原料として最低飽和蒸気圧原料および高飽和蒸気圧原料をユーザに通知する。通知部１３０は、例えば、最低飽和蒸気圧原料および高飽和蒸気圧原料を表示する表示装置、例えば液晶ディスプレイ、によって実現される。図４に示す例においては、例えば、通知部１３０は、「膜Ｆ」を生成するための複数種類の原料として最低飽和蒸気圧原料としての「原料Ａ」および高飽和蒸気圧原料としての「原料Ｂ」をユーザに通知する。
このように、本開示の一実施形態の変形例による制御装置１０１において、取得部１２２は、被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料を識別するための識別情報および複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。選択部１２３は、飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて複数種類の膜の原料のうち、ある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料およびその原料と反応すると共にある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する少なくとも一つの原料を選択する。通知部１３０は、温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料およびその原料と反応すると共にある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する少なくとも一つの原料をユーザに通知する。
これにより、温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料の流量を制御するが、ある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する少なくとも一つの原料の流量の公差をより確実に増加させることができる。よって、膜の生成をより容易に制御することができる複数種類の原料をユーザに通知することができる。
次に、図１１を参照して、本開示の一実施形態の変形例による制御方法の処理手順の一例を説明する。図１１は、本開示の一実施形態の変形例による制御方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。
ステップＳ３０１において、制御装置１０１は、被処理体Ｗに生成する膜を識別する情報をユーザから受け付ける。
ステップＳ３０２において、制御装置１０１は、膜を識別する情報に基づいて、飽和蒸気圧曲線データ１１１から膜を生成するための複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。また、ステップＳ３０２において、制御装置１０１は、飽和蒸気圧設定値１１２から第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１、第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２、および第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３を取得する。
ステップＳ３０３において、制御装置１０１は、膜を生成するための複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、膜を生成するための複数種類の原料のうち、ある温度において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を選択する。
ステップＳ３０４において、制御装置１０１は、膜を生成するための複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、膜を生成するため複数種類の原料を決定すると共に膜を生成するため複数種類の原料をユーザに通知する。制御装置１０１は、ある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料およびある温度Ｔ０において最も低い飽和蒸気圧を有する原料の飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する原料を選択すると共にユーザに通知する。
ステップＳ３０５において、制御装置１０１は、選択された原料についての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、第１の温度Ｔ１、第２の温度Ｔ２、および第３の温度Ｔ３を算出する。第１の温度Ｔ１は、選択された原料についての第１の飽和蒸気圧の値Ｐ１に対応する温度である。第２の温度Ｔ２は、選択された原料についての第２の飽和蒸気圧の値Ｐ２に対応する温度である。第３の温度Ｔ３は、選択された原料についての第３の飽和蒸気圧の値Ｐ３に対応する温度である。第１の温度Ｔ１、第２の温度Ｔ２、および第３の温度Ｔ３は、Ｔ２＞Ｔ１＞Ｔ３の関係を満たす。
ステップＳ３０６において、制御装置１０１は、被処理体Ｗの温度、チャンバー１０および排気管１５の温度、および捕獲装置１６の温度を、それぞれ、第１の温度Ｔ１、第２の温度Ｔ２、および第３の温度Ｔ３に制御する。
＜実施例１＞
次に、図１２を参照して、本開示の一実施形態による制御方法の第１の実施例を説明する。図１２は、本開示の一実施形態による制御方法の第１の実施例を説明する図である。
第１の実施例においては、図１に示すような成膜装置１を用いて被処理体Ｗとしてのウェハにポリ尿素の膜を生成した。図１２に示すように、ポリ尿素を生成するための原料として１，３－ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）および１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＡ）を用いた。
制御装置１００は、原料Ｈ６ＸＤＩについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてｌｏｇ１０（飽和蒸気圧［Ｔｏｒｒ］）＝－３４５９．７×（１／（絶対温度［Ｋ］））＋８．８８８の直線の傾き－３４５９．７および切片８．８８８を取得した。同様に、制御装置１００は、原料Ｈ６ＸＤＡについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてｌｏｇ１０（飽和蒸気圧［Ｔｏｒｒ］）＝－３５３４．２×（１／（絶対温度［Ｋ］））＋１０．１７１の直線の傾き－３５３４．２および切片１０．１７１を取得した。また、制御装置１００は、ウェハについて設定された所定の飽和蒸気圧の値０．１Ｔｏｒｒを取得した。
次に、制御装置１００は、原料Ｈ６ＸＤＩおよび原料Ｈ６ＸＤＡについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料Ｈ６ＸＤＩおよび原料Ｈ６ＸＤＡのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料Ｈ６ＸＤＩを選択した。なお、原料Ｈ６ＸＤＡは、ある温度において原料Ｈ６ＸＤＩの飽和蒸気圧の約１０倍程度の飽和蒸気圧を有する。
次に、制御装置１００は、選択された原料Ｈ６ＸＤＩについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて選択された原料Ｈ６ＸＤＩについての所定の飽和蒸気圧の値０．１Ｔｏｒｒに対応する温度３５０Ｋ（７７℃）を算出した。次に、制御装置１００は、ウェハの温度を算出された温度７７℃に制御した。ウェハにポリ尿素を生成する成膜速度は、ウェハの温度７７℃において１７３ｎｍ／分であった。
＜実施例２＞
次に、図１３を参照して、本開示の一実施形態による制御方法の第２の実施例を説明する。図１３は、本開示の一実施形態による制御方法の第２の実施例を説明する図である。
第２の実施例においては、図１に示すような成膜装置１を用いて被処理体Ｗとしてのウェハにポリ尿素の膜を生成した。図１３に示すように、ポリ尿素を生成するための原料としてｍ－キシリレンジイソシアナート（ＸＤＩ）およびｍ－キシリレンジアミン（ＸＤＡ）を用いた。
制御装置１００は、原料ＸＤＩについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてｌｏｇ１０（飽和蒸気圧［Ｔｏｒｒ］）＝－３８８２×（１／（絶対温度[Ｋ]））＋９．９９４７の直線の傾き－３８８２および切片９．９９４７を取得した。同様に、制御装置１００は、原料ＸＤＡについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてｌｏｇ１０（飽和蒸気圧［Ｔｏｒｒ］）＝－３３７６×（１／（絶対温度［Ｋ］））＋９．１７の直線の傾き－３３７６および切片９．１７を取得した。また、制御装置１００は、ウェハについて設定された所定の飽和蒸気圧の値０．１Ｔｏｒｒを取得した。
次に、制御装置１００は、原料ＸＤＩおよび原料ＸＤＡについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料ＸＤＩおよび原料ＸＤＡのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料ＸＤＩを選択した。なお、原料ＸＤＡは、ある温度において原料ＸＤＩの飽和蒸気圧の数倍程度の飽和蒸気圧を有する。
次に、制御装置１００は、選択された原料ＸＤＩについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて選択された原料ＸＤＩについての所定の飽和蒸気圧の値０．１Ｔｏｒｒに対応する温度３５３Ｋ（８０℃）を算出した。次に、制御装置１００は、ウェハの温度を算出された温度８０℃に制御した。ウェハにポリ尿素を生成する成膜速度は、ウェハの温度８０℃において６９０ｎｍ／分であった。
＜実施例３＞
次に、図１４を参照して、本開示の一実施形態による制御方法の第３の実施例を説明する。図１４は、本開示の一実施形態による制御方法の第３の実施例を説明する図である。
第３の実施例においては、図１に示すような成膜装置１を用いて被処理体Ｗとしてのウェハにポリ尿素の膜を生成した。図１４に示すように、ポリ尿素を生成するための原料としてｍ－キシリレンジイソシアナート（ＸＤＩ）およびベンジルアミン（ＢＡ）を用いた。
制御装置１００は、原料ＸＤＩについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてｌｏｇ１０（飽和蒸気圧［Ｔｏｒｒ］）＝－３８５６．８×（１／（絶対温度［Ｋ］））＋９．９２８８の直線の傾き－３８５６．８および切片９．９２８８を取得した。同様に、制御装置１００は、原料ＢＡについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてｌｏｇ１０（飽和蒸気圧［Ｔｏｒｒ］）＝－２３２５．９×（１／（絶対温度［Ｋ］））＋７．６３４６の直線の傾き－２３２５．９および切片７．６３４６を取得した。また、制御装置１００は、ウェハについて設定された所定の飽和蒸気圧の値０．１Ｔｏｒｒを取得した。
次に、制御装置１００は、原料ＸＤＩおよび原料ＢＡについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料ＸＤＩおよび原料ＢＡのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料ＸＤＩを選択した。なお、原料ＢＡは、ある温度において原料ＸＤＩの飽和蒸気圧の約１００倍程度の飽和蒸気圧を有する。
次に、制御装置１００は、選択された原料ＸＤＩについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて選択された原料ＸＤＩについての所定の飽和蒸気圧の値０．１Ｔｏｒｒに対応する温度３５３Ｋ（８０℃）を算出した。次に、制御装置１００は、ウェハの温度を算出された温度８０℃に制御した。ウェハにポリ尿素を生成する成膜速度は、ウェハの温度８０℃において３２ｎｍ／分であった。
＜ハードウェア構成＞
上述してきた制御装置１００，１０１は、例えば、図１５に示すような構成を備えたコンピュータ１０００によって実現される。図１５は、制御装置１００，１０１の機能を実現するコンピュータの一例を示すハードウェア構成図である。コンピュータ１０００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１００、ＲＡＭ１２００、ＲＯＭ（Read Only Memory）１３００、およびＨＤＤ（Hard Disk Drive）１４００を含む。また、コンピュータ１０００は、通信インターフェイス（Ｉ／Ｆ）１５００、入出力インターフェイス（Ｉ／Ｆ）１６００、およびメディアインターフェイス（Ｉ／Ｆ）１７００を含む。
ＣＰＵ１１００は、ＲＯＭ１３００またはＨＤＤ１４００に格納されたプログラムに基づいて動作することで各部の制御を行う。ＲＯＭ１３００は、コンピュータ１０００の起動時にＣＰＵ１１００によって実行されるブートプログラム、コンピュータ１０００のハードウェアに依存するプログラムなどを格納する。
ＨＤＤ１４００は、ＣＰＵ１１００によって実行されるプログラム、および、そのようなプログラムによって使用されるデータなどを格納する。通信インターフェイス１５００は、ネットワークＮを介して他の機器からデータを受信すると共にＣＰＵ１１００へ送信し、ネットワークＮを介してＣＰＵ１１００によって生成されたデータを他の機器へ送信する。
ＣＰＵ１１００は、入出力インターフェイス１６００を介して、ディスプレイまたはプリンタのような出力装置、および、キーボードまたはマウスのような入力装置を制御する。ＣＰＵ１１００は、入出力インターフェイス１６００を介して、入力装置からデータを取得する。ＣＰＵ１１００は、入出力インターフェイス１６００を介して生成したデータを出力装置へ出力する。
メディアインターフェイス１７００は、記録媒体１８００に格納されたプログラムまたはデータを読み取り、ＲＡＭ１２００を介してＣＰＵ１１００に提供する。ＣＰＵ１１００は、そのようなプログラムを、メディアインターフェイス１７００を介して記録媒体１８００からＲＡＭ１２００上にロードし、ロードしたプログラムを実行する。記録媒体１８００は、例えばＤＶＤ（Digital Versatile Disc）またはＰＤ（Phase change rewritable Disk）のような光学記録媒体、ＭＯ（Magneto-Optical disk）のような光磁気記録媒体、テープ媒体、磁気記録媒体、または半導体メモリなどである。
例えば、コンピュータ１０００が制御装置１００，１０１として機能する場合、コンピュータ１０００のＣＰＵ１１００は、ＲＡＭ１２００上にロードされたプログラムを実行することにより、制御装置１００，１０１の機能を実現する。コンピュータ１０００のＣＰＵ１１００は、そのようなプログラムを記録媒体１８００から読み取って実行するが、他の例として、他の装置からネットワークＮを介してそのようなプログラムを取得してもよい。
また、上記実施形態において説明した各処理のうち、自動的に行われるものとして説明した処理の全部または一部を手動的に行うこともできる。この他、上記文書中や図面中で示した処理手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。例えば、各図に示した各種情報は、図示した情報に限られない。
また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。
また、上述してきた各実施形態に記載された各処理は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
また、上述してきた「部（section、module、unit）」は、「手段」または「回路」などに読み替えることができる。例えば、取得部は、取得手段または取得回路に読み替えることができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 成膜装置
１０ チャンバー
１１ａ 第１の原料供給源
１１ｂ 第２の原料供給源
１２ａ 第１の気化器
１２ｂ 第２の気化器
１３ａ 第１の供給管
１３ｂ 第２の供給管
１４ 排気装置
１５ 排気管
１６ 捕獲装置
１７ 載置台
１８ シャワーヘッド
１００，１０１ 制御装置
１１０ 記憶部
１１１ 飽和蒸気圧曲線データ
１１２ 飽和蒸気圧設定値
１２０ 制御部
１２１ 受付部
１２２ 取得部
１２３ 選択部
１２４ 算出部
１２５ 制御部
１３０ 通知部
Ｗ 被処理体

Claims (8)

  1. 被処理体に膜を生成するために用いられる複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータおよび前記被処理体に膜を生成するために前記被処理体について設定された所定の飽和蒸気圧の値を取得する取得部と、
    前記飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて前記複数種類の原料のうち、ある温度において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を選択する選択部と、
    前記選択された原料についての前記飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて前記選択された原料についての前記所定の飽和蒸気圧の値に対応する温度を算出する算出部と、
    前記被処理体の温度を前記算出された温度に制御する制御部と
    を備える、制御装置。
  2. 前記取得部は、前記被処理体について設定された第１の飽和蒸気圧の値と前記被処理体が搬入されるチャンバーおよび前記チャンバーに接続される排気管の少なくとも一方について設定された、前記第１の飽和蒸気圧の値よりも高い第２の飽和蒸気圧の値とを取得し、
    前記算出部は、前記選択された原料についての前記第１の飽和蒸気圧の値に対応する第１の温度および前記第２の飽和蒸気圧の値に対応する第２の温度を算出し、
    前記制御部は、前記被処理体の温度を前記第１の温度に制御し、前記チャンバーおよび前記排気管の少なくとも一方の温度を前記第２の温度に制御する、
    請求項１に記載の制御装置。
  3. 前記取得部は、前記被処理体について設定された第１の飽和蒸気圧の値と前記被処理体が搬入されるチャンバー内で発生したパーティクルを捕獲する捕獲装置について設定された、前記第１の飽和蒸気圧の値よりも低い第３の飽和蒸気圧の値とを取得し、
    前記算出部は、前記選択された原料についての前記第１の飽和蒸気圧の値に対応する第１の温度および前記第３の飽和蒸気圧の値に対応する第３の温度を算出し、
    前記制御部は、前記被処理体の温度を前記第１の温度に制御し、前記捕獲装置の温度を前記第３の温度に制御する、
    請求項１または２に記載の制御装置。
  4. 前記複数種類の原料は、前記ある温度において最も低い飽和蒸気圧を有する原料および前記ある温度において前記最も低い飽和蒸気圧よりも少なくとも１０倍高い飽和蒸気圧を有する少なくとも一つの原料を含む、
    請求項１から３のいずれか一項に記載の制御装置。
  5. 被処理体が搬入されるチャンバーと、
    前記被処理体に膜を生成するために用いられる複数種類の原料をそれぞれ収容する複数の原料供給源と、
    前記チャンバーへ前記複数種類の原料をそれぞれ供給する複数の供給管と、
    前記チャンバーに接続される排気管と、
    請求項１から４のいずれか一項に記載の制御装置と
    を備える、成膜装置。
  6. 被処理体に膜を生成するために用いられる複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータおよび前記被処理体に膜を生成するために前記被処理体について設定された所定の飽和蒸気圧の値を取得することと、
    前記飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて前記複数種類の原料のうち、ある温度において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を選択することと、
    前記選択された原料についての前記飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて前記選択された原料についての前記所定の飽和蒸気圧の値に対応する温度を算出することと、
    前記被処理体の温度を前記算出された温度に制御することと
    を含む、制御方法。
  7. 請求項６に記載の制御方法と、
    前記複数種類の原料を用いて前記被処理体に前記膜を生成することと
    を含む、成膜方法。
  8. 被処理体に膜を生成するために用いられる複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータおよび前記被処理体に膜を生成するために前記被処理体について設定された所定の飽和蒸気圧の値を取得することと、
    前記飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて前記複数種類の原料のうち、ある温度において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を選択することと、
    前記選択された原料についての前記飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて前記選択された原料についての前記所定の飽和蒸気圧の値に対応する温度を算出することと、
    前記被処理体の温度を前記算出された温度に制御することと
    を含む処理をコンピュータに実行させる制御プログラム。
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