CN102160156B - 聚合膜的成膜方法和成膜装置 - Google Patents

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Abstract

将在原料形成面上以规定图案形成有用于形成聚合膜的多种原料的第1基板(16)、和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板(15)以原料形成面和成膜面相对的方式在处理容器(2)内相对向配置，使处理容器2内为真空环境，将第1基板(16)加热至上述多种原料(17、18)蒸发的第1温度使其蒸发，并且将第2基板(15)加热至多种原料发生聚合反应的第2温度，使从第1基板(16)蒸发的多种原料(17、18)在第2基板(15)的成膜面反应，在成膜面形成规定的聚合膜。

Description

聚合膜的成膜方法和成膜装置
技术领域
本发明涉及一种通过蒸镀法形成聚酰亚胺等的聚合膜的聚合膜的成膜方法和成膜装置。
背景技术
作为实现电子机器的高性能化和小型化的技术，在一个半导体封装中搭载多个半导体芯片的系统级封装(System in Package；SiP)变得很重要。在该技术中，过去，将半导体芯片平面排列使用的二维构装为主流，但是近来，从电子机器的更加小型化的观点出发，将半导体芯片沿垂直方向叠层构装的三维构装受到关注(例如非专利文献1(EricBeyne，Proceedings of the International Interconnect TechnologyConference 2006，pp.1-5))。
对于三维构装而言，从高密度叠层半导体芯片的观点出发，半导体芯片之间的绝缘技术非常重要。这种绝缘技术中考虑使用聚酰亚胺所代表的聚合膜。
然而，这样的芯片间的绝缘需要极高的绝缘性，但在采用作为一般的聚合膜形成方法的使用溶剂涂布的方法形成的聚合膜的情况下，溶剂脱落的通路成为漏电部位，绝缘性不充分。另外，溶剂脱落的通路也同时成为水分侵入的通路，耐水性也不充分。
作为形成不产生这样问题的高性能聚合膜的技术，提出了将2种以上的原料单体分别充填于不同的容器中，将其加热使之蒸发，气态的原料单体供应到保持真空的腔室里并在基板上蒸镀聚合膜的技术(专利文献1(日本特开平5-171415号公报)、非专利文献2(HighPerform.Polym.5(1993)229-237)等)。
在这样的技术中，由于需要加热储存原料单体的容器使其蒸发，并维持在气态通过配管供应至腔室内，因此用加热器控制配管温度，并且用高温质量流量控制器控制流量，进行原料单体的供应。
但是，根据原料需要将配管温度保持在200℃附近，存在配管或阀门的耐热性不充分的问题。另外，由加热器加热时产生温度的不均匀，原料的供应也变得不稳定。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种在通过蒸镀形成聚合膜时，加热并供应原料时不发生上述问题的聚合膜的成膜方法和成膜装置。
在本发明的第1个观点中，提供一种聚合膜的成膜方法，其包括将在原料形成面上以规定图案固态形成有用于形成上述聚合膜的多种原料的第1基板和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板以上述原料形成面和上述成膜面相对的方式在处理容器内相对向配置的工序；接着，使上述第1基板和上述第2基板这样配置的上述处理容器内为真空环境并设定为规定真空度的工序；和接着，在上述规定的真空度下，将上述第1基板加热至上述原料形成面上的上述多种原料蒸发的第1温度，并且将上述第2基板加热至在上述成膜面上上述多种原料发生聚合反应的第2温度的工序，通过使从上述第1基板蒸发的多种原料在上述第2基板的上述成膜面上反应，在上述成膜面上形成上述聚合膜。
在上述第1个观点的成膜方法中，上述多种原料能够在上述第1基板的上述原料形成面上通过涂布、印刷、光刻的任一种方式形成。另外，上述多种原料能够以用于得到上述聚合膜的化学计量组成蒸发的方式在上述第1基板的上述原料形成面上形成。另外，上述多种原料能够设为包括第1原料和第2原料的物质，此时，上述第1原料和第2原料能够在上述第1基板的原料形成面上形成为相间的方格状。
上述第1基板和第2基板优选使用分别不同的加热机构加热，作为上述加热机构，优选使用具有感应加热线圈的加热机构。
上述第1基板的上述原料形成面能够构成为由热传导调节部件所形成，上述热传导调节部件用于调节热传导，以使在上述第1基板被加热到上述第1温度时各原料达到最适温度。
作为上述第1观点的成膜方法的典型例子，可以列举作为上述多种原料，使用均苯四甲酸酐(PMDA)和4，4’-二氨基二苯醚(ODA)，作为聚合膜，形成聚酰亚胺膜。此时，上述第1温度可以为200～260℃，上述第2温度可以为180～230℃。
在本发明的第2观点中，提供一种聚合膜的成膜装置，其具备内部能够保持真空的处理容器；用于使上述处理容器内为真空环境并设定为规定真空度的排气机构；基板支持部件，用于将在原料形成面上以规定图案固态形成有用于形成上述聚合膜的多种原料的第1基板和具有应该形成聚合膜的成膜面第2基板以上述原料形成面和上述成膜面相对的方式在上述处理容器内相对向配置；在上述规定的真空度下将上述第1基板加热至上述原料形成面上的上述多种原料蒸发的第1温度的第1加热机构；和在上述规定的真空度下将上述第2基板加热至在上述成膜面上上述多种原料发生聚合反应的第2温度的第2加热机构，通过使从上述第1基板蒸发的多种原料在上述第2基板的上述成膜面上反应，在上述成膜面上形成上述聚合膜。
在上述第2个观点的成膜装置中，上述第1和第2加热机构能够采用分别独立地快速加热上述第1基板、上述第2基板的装置，具体而言，作为上述第1和第2加热机构，优选使用具有感应加热线圈的加热机构。此时，上述基板支持部件能够采用具备分别支持上述第1基板和上述第2基板、并且通过感应加热将热分别传送至上述第1基板和上述第2基板的一对热传导部件的装置。
在上述第2个观点的成膜装置中，能够采用上述多种原料在上述第1基板的上述原料形成面上通过涂布、印刷、光刻的任一种方式形成的装置。另外，上述多种原料能够以用于得到上述聚合膜的化学计量组成蒸发的方式在上述第1基板的上述原料形成面上形成。
上述第1基板的上述原料形成面能够构成为由热传导调节部件形成，上述热传导调节部件用于调节热传导，以使在上述第1基板被加热到上述第1温度时各原料达到最适温度。
上述基板支持部件能够构成为支持多对第1基板和第2基板对，由上述第1加热机构和上述第2加热机构将各对的第1基板和第2基板分别加热至第1温度和第2温度。
在本发明的第3个观点中，提供一种存储介质，其为用于存储在电脑上运行并控制成膜装置的程序的存储介质，上述程序在实际运行时，由电脑控制成膜装置，以实施上述第1个观点的成膜方法。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的聚合膜的成膜装置的剖面图。
图2是表示图1的装置中使用的感应加热线圈的平面图。
图3是用于说明实施本发明的实施方式所涉及的聚合膜的成膜方法时的工序的流程图。
图4是用于说明按照本发明的实施方式所涉及的方法形成聚合膜时的状态的模式图。
图5是表示本发明的第2实施方式所涉及的聚合膜的成膜装置的剖面图。
图6是表示图5的装置使用的感应加热线圈的侧视图。
图7是用于说明用于使原料形成基板上的第1原料和第2原料的加热温度不同的方法的图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的聚合膜的成膜装置的剖面图。
该成膜装置1具有腔室2，在腔室2的侧壁上设有搬运出入口3和排气口4。搬运出入口3可以由闸阀5开合。另外，排气口4与排气管6连接，排气管6与压力调整阀8和真空泵7连接，从而可以通过在真空泵7的运转下控制压力调整阀8的开度而将腔室2内调整到规定的真空度。另外，通过从图中未表示的供应体系向腔室2内导入Ar气体等不活泼气体，就可以调整腔室2内的压力。另外，也可以设有供应用于清洁腔室2内部的清洁气体的清洁气体供应体系。
腔室2的上壁和底壁上分别设有感应加热线圈9a和9b。感应加热线圈9a和9b如图2所示呈漩涡状，分别与线圈电源10a和10b连接。这些线圈电源10a和10b与控制部11连接，受该控制部11的控制。这样，通过由控制部11控制线圈电源10a和10b的输出，就可以控制由感应加热线圈9a和9b加热的温度。另外，腔室壁上设有图中未表示的挂壁加热器，腔室壁的温度能够被控制在规定温度。
感应加热线圈9a的下方和感应加热线圈9b的上方设有屏蔽这些感应加热线圈的屏蔽部件12a和12b，屏蔽部件12a和12b由安装部件13安装于腔室2上。
在腔室2的内部，隔着屏蔽部件12a，与感应加热线圈9a相对向地设有上部热传导板14a，另外，隔着屏蔽部件12b，与感应加热线圈9b相对向地设有下部热传导板14b。
在上部热传导板14a上，应该形成聚合膜的被成膜基板15由适当的支持部件以成膜面向下的方式被支持，在下部热传导板14b上载置着原料形成基板16，原料形成基板16在上面形成有用于形成聚合膜的原料。
原料形成基板16上，用于形成聚合膜的第1原料17和第2原料18通过涂布、印刷、光刻等形成规定图案，例如相间的方格状等。第1和第2原料17和18是用于形成聚合膜的单体原料，当所要得到的聚合膜为聚酰亚胺时，作为这些原料可以列举均苯四甲酸酐(PMDA)和4，4’-二氨基二苯醚(ODA)。
这样，通过向感应加热线圈9b通电，下部热传导板14b被感应加热，由该导热将原料形成基板16加热到第1温度，由此，第1原料17和第2原料18蒸发。另外，通过向感应加热线圈9a通电，上部热传导板14a被感应加热，由该导热将被成膜基板15加热至第2温度，在被成膜基板15的表面上，蒸发的第1原料17和第2原料18在被成膜基板15表面反应，形成聚合膜。即，感应加热线圈9b作为使原料蒸发的第1加热机构发挥作用，感应加热线圈9a作为使聚合反应发生的第2加热机构发挥作用。
控制部11，除了控制向感应加热线圈9a、9b的通电以外，还进行排气的控制、气体供应控制、闸阀的开关控制、基板的搬运控制等，具备进行实际控制的控制器(电脑)、由操作员进行用于控制的输入操作的键盘和显示器等组成的用户界面、和能够安装存储有处理菜单等用于控制的信息的存储介质的存储部。
接着，参照图3的流程图，说明由这样构成的成膜装置1形成聚合膜的方法。以下的方法按照控制部11的存储部内安装的存储介质中所存储的处理菜单进行。
首先，打开闸阀5，将被成膜基板15和原料形成基板16从搬运出入口3搬入到腔室2内，被成膜基板15安装于上部热传导板14a，原料形成基板16安装于下部热传导板14b(步骤1)。
接着，关闭闸阀5使腔室2内为密闭空间，由真空泵7将腔室2内抽真空，根据需要，通过由图中未表示的气体导入装置向腔室2内导入不活泼气体，将腔室2内调整至规定的真空度(步骤2)。
在该状态下，向感应加热线圈9b通电，感应加热下部热传导板14b，由该导热将原料形成基板16加热至第1温度，并且，向感应加热线圈9a通电，感应加热上部热传导板14a，由该导热将被成膜基板15加热至第2温度(步骤3)。
第1温度被设定为适合使原料形成基板16上形成的第1原料17和第2原料18蒸发的温度，第2温度被设定为在被成膜基板15上适合第1原料17和第2原料18聚合的温度。因此，如图4所示，从被加热至第1温度T1的原料形成基板16的表面(原料形成面)上蒸发第1原料17，例如PMDA，和第2原料18，例如ODA，在被加热至第2温度T2的被成膜基板15的表面(成膜面)，这些第1原料17和第2原料18发生聚合反应。因此，通过使这样的加热持续一定时间，在被成膜板15的表面上就形成规定厚度的聚合膜20，例如，聚酰亚胺膜(步骤4)。
另外，作为原料使用PMDA和ODA、作为聚合膜形成聚酰亚胺膜时，第1温度可以设为200～260℃，第2温度可以设为180～230℃。此时，设想原料形成基板16的原料形成面实际上达到第1温度，被成膜基板15的成膜面实际上达到第2温度。
在原料形成基板16上形成的第1原料17和第2原料18的比例，通过将其设定为在第1温度下蒸发时能够获得想要得到的聚合膜的化学计量组成的比例，就能够得到所需组成的聚合膜20。另外，第1原料17和第2原料18以能够得到所需膜厚的聚合膜的量形成，也可以在原料全部蒸发的时刻停止处理。原料形成基板16可以在成膜后再次形成第1和第2原料17、18。
这样形成聚合膜20后，阻断向感应加热线圈9a、9b的通电，停止加热(步骤5)，打开闸阀5，将形成了聚合膜20的被成膜基板15和原料蒸发后的原料形成基板16搬出(步骤6)。
也可以在规定次数的成膜完毕后，通过挂壁加热器(图中未表示)持续加热腔室2的壁面，通过清洁气体进行腔室2内的清洁。
根据本实施方式，在原料形成基板16上，将用于形成聚合膜的第1原料17和第2原料18通过涂布、印刷、光刻等固态地形成规定图案，通过感应加热将该原料形成基板16加热至第1温度使这些原料蒸发，蒸镀在通过感应加热加热至发生聚合反应的第2温度的被成膜基板15表面上，在其上发生聚合反应，因此，可以不产生加热原料所形成的高温气体供应到配管时的耐热性问题，或由加热器加热时的温度不均匀造成的原料供应的不稳定性问题，能够用极为简便的方法稳定形成聚合膜。另外，由于通过感应加热能够使原料形成基板16和被成膜基板15骤冷骤热至独立的温度，所以能够避免在规定温度之外的温度下供应原料的危险，或聚合温度受限的危险。
接着，对本实施方式中具体的实施例进行说明。
在图1表示的成膜装置中，作为感应加热线圈9a、9b，使用饼式的线圈，作为上部热传导板14a和下部热传导板14b，使用直径210nm、厚2mm的石墨板，并设有图中未表示的Ar气体供应体系、清洁气体供应体系和挂壁加热器。
作为被成膜基板15，使用200mm Si晶片，作为原料形成基板16，使用的是在200mm Si晶片的表面上以印刷方式将作为第1原料17的PMDA、作为第2原料18的ODA分别以5μm见方隔开1μm的间隔，形成为相间的方格状的晶片。
使用以上这样的成膜装置，按照以下的流程进行成膜。
首先，在感应加热线圈9a、9b不通电的状态下，将被成膜基板15配置于上部热传导板14a，将原料形成基板16配置于下部热传导板14b。接着，在将腔室2内真空排气后，将腔室2内的压力调整至133Pa。
在该状态下，由控制部11持续控制向感应加热线圈9b的通电，感应加热下部热传导板14b，将原料形成基板16的温度控制在220℃，并且，持续控制向感应加热线圈9a的通电，感应加热上部热传导板14a，将被成膜基板15的温度控制在200℃。由此，PMDA和ODA从原料形成基板16蒸发，在被成膜基板15的表面上发生聚合反应，形成聚酰亚胺膜。
这里，通过持续5分钟上述温度下的加热，可以得到厚度1000nm的聚酰亚胺膜。
这样，在形成了作为聚合膜的聚酰亚胺膜后，停止向感应加热线圈9a、9b的通电，用Ar气清扫腔室2内并恢复至大气压后，将形成了聚酰亚胺膜的被成膜基板15和原料形成基板16从腔室2中搬出。
规定次数的成膜后，由挂壁加热器将腔室2壁部的温度控制在500℃，将来自清洁气体供应体系的作为清洁气体的O2、O3、N2O等氧源供应到腔室2内，进行腔室2内的清洁。如果此时腔室2内仍旧配置着石墨板(上部和下部热传导板14a、14b)，则石墨板就会燃烧分解，所以要事先从腔室2内取出石墨板。
另外，在上述第1实施方式中，感应加热线圈9a、9b位于腔室2内的处理空间的外部，但不限于此，也可以位于处理空间的内部。
接着，对本发明的第2实施方式进行说明。
这里，说明对多枚基板进行成膜处理的批量式装置。图5是表示本发明的第2实施方式涉及的聚合膜的成膜装置的剖面图。
该成膜装置31具有腔室32，在腔室32的侧壁上具有多个搬运出入口(图未显示)和一个排气口34。搬运出入口用于将多个基板分别搬运出入，能够通过闸阀(图未显示)开闭。另外，排气口34与排气管36连接，排气管36连接有压力调整阀38和真空泵37，通过在真空泵37的运转下控制压力调整阀38的开度，可以将腔室32内调整到规定的真空度。另外，通过从图中未表示的气体供应体系中向腔室32内导入Ar等不活泼气体，可以调整腔室32内的压力。另外，也可以设有供应用于清洁腔室32内的清洁气体的清洁气体供应体系。
在腔室32内，5枚热传导板44a、44b、44c、44d、44e呈水平且沿垂直方向叠层设置。在这些热传导板的外周，分别设有感应加热线圈39a、39b、39c、39d、39e。在感应加热线圈39a、39b、39c、39d、39e上，别接连接线圈电源40a、40b、40c、40d、40e，这些线圈电源40a、40b、40c、40d、40e连接于控制部41，受该控制部41的控制。这样，就可以通过由控制部41控制线圈电源40a、40b、40c、40d、40e的输出，来控制感应加热线圈39a、39b、39c、39d、39e的加热温度。另外，在腔室壁上设有未图示的挂壁加热器，可以将腔室壁的温度控制在规定温度。另外，控制部41与第1实施方式11同样构成，可以进行同样的控制。
另外，感应加热线圈39a，如图6所示，以围绕热传导板44a外周的方式设置。另外，感应加热线圈39b、39c、39d、39e也与感应加热线圈39a相同构成。
在最上部的热传导板44a的下面，以成膜面向下的方式，支持应该形成聚合膜的被成膜基板15。其下方的热传导板44b上，其上下面分别支持形成有用于形成聚合膜的原料的原料形成基板16。另外，在其下方的热传导板44c上，其上下面分别支持应该形成聚合膜的被成膜基板15。另外，在其下方的热传导板44d上，其上下面分别支持形成有用于形成聚合膜的原料的原料形成基板16。另外，最下部的热传导板44e的上面以成膜面向上的方式支持应该形成聚合膜的被成膜基板15。另外，在原料形成基板16上，如上所述，用于形成聚合膜的第1原料17和第2原料18通过涂布、印刷、光刻等形成为规定图案，例如相间的方格状等。
通过如上配置被成膜基板15和原料形成基板16，在热传导板44a和44b之间、热传导板44b和44c之间、热传导板44c和44d之间、热传导板44d和44e之间，能够将被成膜基板15和原料形成基板16以成膜面和原料形成面相对向的方式配置。因此，通过向感应加热线圈39b、39d通电而感应加热热传导板44b和44d，由其导热将原料形成基板16加热至第1温度，并通过向感应加热线圈39a、39c、39e通电而感应加热热传导板44a、44c、44e，由其导热将被成膜基板15加热至第2温度，使得从原料形成基板16蒸发的第1原料17和第2原料18到达相对向的被成膜基板15的成膜面，在成膜面上这些原料反应，能够形成聚合膜。即，感应加热线圈39b、39d作为使原料蒸发的第1加热机构发挥作用，感应加热线圈39a、39c、39e作为使聚合反应发生的第2加热机构发挥作用。
与第1实施方式相同，第1原料17和第2原料是用于形成聚合膜的单体原料，当想要得到的聚合膜为聚酰亚胺膜时，作为这些原料，可以列举苯四甲酸酐(PMDA)和4，4’-二氨基二苯醚(ODA)。
在该第2实施方式中，能够和第1实施方式基本相同地形成聚合膜，但由于能够1次对4枚被成膜基板15形成聚合膜，所以比第1实施方式的效率高。
在该实施方式中，作为具体的实施例，作为热传导板44a～44e，使用直径210mm、厚度2mm的石墨板，设有图中未表示的Ar气体供应体系、清洁气体供应体系、挂壁加热器，作为被成膜基板15，使用200mm Si晶片，作为原料形成基板16，使用的是在200mm Si晶片的表面以印刷方式将作为第1原料17的PMDA、作为第2原料18的ODA分别以5μm见方隔开1μm的间隔而形成为相间的方格状的晶片，进行成膜。将此时的腔室32内的压力调整至133Pa，将原料基板16的温度控制在220℃，并且将被成膜基板15的温度控制在200℃。通过持续5分钟这样的加热，得到了厚度5nm的聚酰亚胺膜。
另外，在上述第2实施方式中，感应加热线圈39a～39e存在于腔室32的处理空间内，但也可以存在于腔室32的处理空间的外部。另外，表示了一次对4枚被成膜基板15形成聚合膜的例子，但不限于此，通过适当调整热传导板的枚数，能够对任意枚数的被成膜基板15形成聚合膜。
根据本发明的实施方式，将在原料形成面上以规定图案固态形成有用于形成聚合膜的多种原料的第1基板和具有应该形成聚合膜的成膜面第2基板以上述原料形成面和上述成膜面相对的方式在处理容器内相对向设置，将上述第1基板和上述第2基板分别独立加热到所需温度，使从上述第1基板蒸发的多种原料在上述第2基板的上述成膜面反应，在上述成膜面形成规定的聚合膜，因此，可以不发生加热原料形成的高温气体供应到配管时的耐热性问题，或由加热器加热时温度不均匀造成的原料供应不稳定性的问题，能够以极简便的方法稳定地形成聚合膜。另外，通过利用感应加热这样的可以骤冷骤热的加热机构在独立的温度下加热原料形成基板和被成膜基板，能够避免在所希望的温度以外的温度下供应原料的危险，或聚合温度受限的危险。
另外，本发明不限于上述实施方式，可以有多种变形。例如，成膜装置不限于使用上述第1和第2实施方式中所使用的装置，也可以是其他的装置结构。另外，为了分别独立加热被成膜基板和原料形成基板，使用局部可以骤冷骤热的感应加热线圈，但不限于此，也可以使用加热灯加热等其他的加热方式。
而且，在上述实施方式中，给出了使用第1原料和第2原料形成聚合膜的例子，但也可以使用3种以上的原料形成聚合膜。另外，在上述实施方式中，表示了使用作为原料单体的PMDA和ODA形成聚酰亚胺膜的例子，但并不限于此，可以适用于使用苝四羧酸二酐(PTCDA)和2，3-二氨基萘(DAN)的聚酰亚胺的成膜、使用4，4’-二苯基甲烷异氰酸酯(MDI)和4，4’-亚甲基双苯胺(MDA)的聚尿素(PU)膜的成膜、使用2，3-二氨基萘(DAN)和α-溴代肉桂醛(BCA)的作为∏共轭导电性高分子的聚甲亚胺膜的成膜等由多种单体原料形成聚合膜的各种情况。
另外，虽然在上述实施中表示了将第1原料和第2原料加热到相同温度的情况，但并不限于此，例如，如图7所示，在原料形成基板16上设置陶瓷等绝热性较大的热传导调整夹具51，其上形成第1原料17和第2原料18，通过将第1原料17和第2原料18上的热传导调整夹具51的高度分别调整为h1和h2来调整热传导，也能够使第1原料和第2原料的加热温度不同。
产业上的可利用性
本发明相关的聚合膜的成膜方法可以适用于半导体领域所用的三维构装的绝缘膜等所使用的高性能的聚合膜的成膜。

Claims (18)

1.一种聚合膜的成膜方法，其特征在于，包括：
将在原料形成面上以规定图案固态形成有用于形成所述聚合膜的多种原料的第1基板和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板以所述原料形成面和所述成膜面相对的方式在处理容器内相对向配置的工序；
接着，使所述第1基板和所述第2基板这样配置的所述处理容器内为真空环境并设定为规定真空度的工序；和
接着，在所述规定的真空度下，将所述第1基板加热至所述原料形成面上的所述多种原料蒸发的第1温度，并且将所述第2基板加热至在所述成膜面上所述多种原料发生聚合反应的第2温度的工序，
通过使从所述第1基板蒸发的多种原料在所述第2基板的所述成膜面上反应，在所述成膜面上形成所述聚合膜。
2.如权利要求1所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于：
所述多种原料在所述第1基板的所述原料形成面上通过涂布、印刷、光刻的任一种方式形成。
3.如权利要求1所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于：
所述多种原料以用于得到所述聚合膜的化学计量组成蒸发的方式在所述第1基板的所述原料形成面上形成。
4.如权利要求1所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于：
所述多种原料包括第1原料和第2原料。
5.如权利要求4所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于：
所述第1原料和第2原料在所述第1基板的原料形成面上形成为相间的方格状。
6.如权利要求1所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于： 
所述第1基板和所述第2基板分别使用不同的加热机构加热。
7.如权利要求6所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于：
所述加热机构具有感应加热线圈。
8.如权利要求1所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于：
所述第1基板的所述原料形成面由热传导调节部件形成，所述热传导调节部件用于调节热传导，以使在所述第1基板被加热到所述第1温度时各原料达到最适温度。
9.如权利要求1所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于：
作为所述多种原料，使用均苯四甲酸酐(PMDA)和4，4’-二氨基二苯醚(ODA)，形成作为聚合膜的聚酰亚胺膜。
10.如权利要求9所述的聚合膜的成膜方法，其特征在于：
所述第1温度为200～260℃，所述第2温度为180～230℃。
11.一种聚合膜的成膜装置，其特征在于，具备：
内部能够保持真空的处理容器；
用于使所述处理容器内为真空环境并设定为规定真空度的排气机构；
基板支持部件，用于将在原料形成面上以规定图案固态形成有用于形成所述聚合膜的多种原料的第1基板和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板以所述原料形成面和所述成膜面相对的方式在所述处理容器内相对向配置；
在所述规定的真空度下将所述第1基板加热至所述原料形成面上的所述多种原料蒸发的第1温度的第1加热机构；和
在所述规定的真空度下将所述第2基板加热至在所述成膜面上所述多种原料发生聚合反应的第2温度的第2加热机构，
通过使从所述第1基板蒸发的多种原料在所述第2基板的所述成膜面上反应，在所述成膜面上形成所述聚合膜。 
12.如权利要求11所述的聚合膜的成膜装置，其特征在于：
所述第1和第2加热机构分别独立地快速加热所述第1基板和所述第2基板。
13.如权利要求12所述的聚合膜的成膜装置，其特征在于：
所述第1和第2加热机构具有感应加热线圈。
14.如权利要求13所述的聚合膜的成膜装置，其特征在于：
所述基板支持部件具备分别支持所述第1基板和所述第2基板、并且通过感应加热将热分别传送至所述第1基板和所述第2基板的一对热传导部件。
15.如权利要求11所述的聚合膜的成膜装置，其特征在于：
所述多种原料在所述第1基板的所述原料形成面上通过涂布、印刷、光刻的任一种方式形成。
16.如权利要求11所述的聚合膜的成膜装置，其特征在于：
所述多种原料以用于得到所述聚合膜的化学计量组成蒸发的方式在所述第1基板的所述原料形成面上形成。
17.如权利要求11所述的聚合膜的成膜装置，其特征在于：
所述第1基板的所述原料形成面由热传导调节部件形成，所述热传导调节部件用于调节热传导，以使在所述第1基板被加热到所述第1温度时各原料达到最适温度。
18.如权利要求11所述的聚合膜的成膜装置，其特征在于：
所述基板支持部件支持多对第1基板和第2基板对，由所述第1加热机构和所述第2加热机构将各对的第1基板和第2基板分别加热至第1温度和第2温度。 
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