KR20190142239A - 기판 처리 장치 및 처리액 재이용 방법 - Google Patents

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KR20190142239A
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히데아키 사토
준이치 기타노
고우조우 가나가와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 처리액의 폐기량을 삭감할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시에 따른 기판 처리 장치는, 처리조와, 저류부와, 제거부와, 혼합부와, 복귀로를 구비한다. 처리조는, 약액과 실리콘을 포함하는 처리액에 기판을 침지시켜 상기 기판의 에칭 처리를 행한다. 저류부는, 처리조로부터 배출된 처리액을 회수하여 저류한다. 제거부는, 처리조로부터 배출된 처리액의 일부를 회수하고, 회수한 처리액으로부터 실리콘을 제거한다. 혼합부는, 저류부에 저류된 처리액과, 제거부에 의해 실리콘이 제거된 처리액을 혼합한다. 복귀로는, 혼합부에 의해 혼합된 처리액을 처리조로 되돌린다.

Description

기판 처리 장치 및 처리액 재이용 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING LIQUID REUSE METHOD}
본 개시는, 기판 처리 장치 및 처리액 재이용 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리액에 침지시킴으로써, 기판을 에칭하는 기술이 알려져 있다. 예컨대, 특허문헌 1에는, 인산 수용액에 기판을 침지시킴으로써, 기판의 표면에 형성된 질화막을 에칭하는 기술이 개시되어 있다.
인산 수용액을 이용하여 기판의 에칭 처리를 반복하여 행하면, 인산 수용액 중의 실리콘 농도가 증가하고, 실리콘 산화막과 실리콘 질화막과의 선택비가 변화되어 버려, 기판의 에칭 처리를 양호하게 행할 수 없게 된다. 이 때문에, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 처리조에 저류되어 있는 처리액의 일부를 폐기하고, 폐기한 양에 상당하는 양의 인산 수용액을 처리조에 보충함으로써, 처리조 내의 처리액의 실리콘 농도를 원하는 농도로 조정하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2013-93478호 공보
본 개시는, 처리액의 폐기량을 삭감할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 처리조와, 저류부와, 제거부와, 혼합부와, 복귀로를 구비한다. 처리조는, 약액과 실리콘을 포함하는 처리액에 기판을 침지시켜 상기 기판의 에칭 처리를 행한다. 저류부는, 처리조로부터 배출된 처리액을 회수하여 저류한다. 제거부는, 처리조로부터 배출된 처리액의 일부를 회수하고, 회수한 처리액으로부터 실리콘을 제거한다. 혼합부는, 저류부에 저류된 처리액과, 제거부에 의해 실리콘이 제거된 처리액을 혼합한다. 복귀로는, 혼합부에 의해 혼합된 처리액을 처리조로 되돌린다.
본 개시에 따르면, 처리액의 폐기량을 삭감할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 실시형태에 따른 에칭용 처리조의 구성을 나타낸 도면이다.
도 3은 실시형태에 따른 재생 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 실시형태에 따른 재생 처리의 일례를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시형태에 있어서의 제1 변형례에 따른 재생 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 6은 실시형태에 있어서의 제2 변형례에 따른 재생 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 7은 실시형태에 있어서의 제2 변형례에 따른 재생 처리의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시형태에 있어서의 제3 변형례에 따른 재생 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 9는 실시형태에 있어서의 제4 변형례에 따른 재생 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 10은 실시형태에 있어서의 제4 변형례에 따른 재생 처리의 일례를 나타낸 도면이다.
이하에, 본 개시에 따른 기판 처리 장치 및 처리액 재이용 방법을 실시하기 위한 형태(이하, 「실시형태」라고 기재함)에 대해서 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 이 실시형태에 의해 본 개시에 따른 기판 처리 장치 및 처리액 재이용 방법이 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시형태는, 처리 내용을 모순되게 하지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략된다.
기판 상에 형성된 질화막(SiN)과 산화막(SiO2) 중, 질화막만을 선택적으로 에칭하는 처리가 알려져 있다.
실리콘 질화막의 에칭 처리에서는, 약액에 실리콘(Si) 함유 화합물(이하, 단순히 「실리콘」이라고 부르는 경우가 있음)을 첨가한 처리액이 이용된다. 약액은, 예컨대, 인산(H3PO4) 수용액이다. 처리액의 실리콘 농도의 조정은, 예컨대, 인산 수용액에 더미 기판을 침지시켜 더미 기판 중의 실리콘을 인산 수용액에 용해시킴으로써 행해진다.
처리액의 실리콘 농도는, 에칭 처리를 반복하여 행함으로써 증가하는 것이 알려져 있다. 처리액의 실리콘 농도가 증가하면, 실리콘 산화막과 실리콘 질화막과의 선택비가 변화되어 버려, 기판의 에칭 처리를 양호하게 행할 수 없게 된다. 이 때문에, 처리조에 저류되어 있는 처리액의 일부를 폐기하고, 폐기한 양에 상당하는 는 양의 인산 수용액을 처리조에 보충함으로써, 처리조 내의 처리액의 농도를 조정하는 처리가 필요에 따라 행해진다.
그러나, 처리액의 소비량을 삭감하기 위해서는, 처리액을 가능한 한 폐기하지 않는 것이 바람직하다. 그래서, 처리액의 폐기량을 삭감하는 것이 기대되고 있다.
[기판 처리 장치의 구성]
우선, 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성에 대해서 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타낸 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 캐리어 반입출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(100)를 갖는다.
캐리어 반입출부(2)는, 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 나란히 수용한 캐리어(9)의 반입, 및 반출을 행한다.
캐리어 반입출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 설치되어 있다.
캐리어 반입출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)로 반송한다. 즉, 캐리어 반입출부(2)는, 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수 장의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 캐리어 스톡(12)이나, 캐리어 배치대(14)로 반송한다.
캐리어 스톡(12)은, 로트 처리부(6)에서 처리하기 전의 복수 장의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 일시적으로 보관한다.
캐리어 배치대(14)로 반송되고, 로트 처리부(6)에서 처리되기 전의 복수 장의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)로부터는, 후술하는 기판 반송 기구(15)에 의해 복수 장의 기판(8)이 반출된다.
또한, 캐리어 배치대(14)에 배치되고, 기판(8)을 수용하지 않은 캐리어(9)에는, 기판 반송 기구(15)로부터, 로트 처리부(6)에서 처리된 후의 복수 장의 기판(8)이 반입된다.
캐리어 반입출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치되고, 로트 처리부(6)에서 처리된 후의 복수 장의 기판(8)을 수용하는 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나, 캐리어 스테이지(10)로 반송한다.
캐리어 스톡(13)은, 로트 처리부(6)에서 처리한 후의 복수 장의 기판(8)을 일시적으로 보관한다. 캐리어 스테이지(10)로 반송된 캐리어(9)는, 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)에는, 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 설치되어 있다. 로트 형성부(3)는, 기판 반송 기구(15)에 의한 복수 장(예컨대, 25장)의 기판(8)의 반송을 예컨대 2회 행함으로써, 복수 장(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어진 로트를 형성한다.
로트 형성부(3)는, 기판 반송 기구(15)를 이용하여, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 로트 배치부(4)로 복수 장의 기판(8)을 반송하고, 복수 장의 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치함으로써, 로트를 형성한다.
로트를 형성하는 복수 장의 기판(8)은, 로트 처리부(6)에 의해 동시에 처리된다. 로트를 형성할 때에는, 복수 장의 기판(8)의 패턴 형성면이 서로 대향하도록 로트를 형성하여도 좋고, 또한, 복수 장의 기판(8)의 패턴 형성면이 전부 한쪽을 향하도록 로트를 형성하여도 좋다.
또한, 로트 형성부(3)는, 로트 처리부(6)에서 처리가 행해지고, 로트 배치부(4)에 배치된 로트로부터, 기판 반송 기구(15)를 이용하여 복수 장의 기판(8)을 캐리어(9)로 반송한다.
기판 반송 기구(15)는, 복수 장의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전의 복수 장의 기판(8)을 지지하는 처리전 기판 지지부(도시하지 않음)와, 처리 후의 복수 장의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부(도시하지 않음)의 2종류를 갖고 있다. 이것에 의해, 처리 전의 복수 장의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 복수 장의 기판(8) 등에 전착되는 것을 방지할 수 있다.
기판 반송 기구(15)는, 복수 장의 기판(8)의 반송 도중에, 복수 장의 기판(8)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세, 및 수직 자세에서 수평 자세로 변경한다. 수평 자세란, 기판(8)을 눕힌 상태를 말하며, 수직 자세란, 기판(8)을 기립시킨 상태를 말한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에서 일시적으로 배치(대기)한다.
로트 배치부(4)에는, 반입측 로트 배치대(17)와, 반출측 로트 배치대(18)가 설치되어 있다.
반입측 로트 배치대(17)에는, 처리 전의 로트가 배치된다. 반출측 로트 배치대(18)에는, 처리 후의 로트가 배치된다.
반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에 있어서, 1 로트분의 복수 장의 기판(8)은, 수직 자세로 전후로 나란히 배치된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나, 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.
로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 설치되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따라 배치한 레일(20)과, 로트를 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)를 갖는다.
이동체(21)에는, 수직 자세로 전후로 늘어선 복수 장의 기판(8)으로 형성되는 로트를 유지하는 기판 유지체(22)가 설치되어 있다.
로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 수취한 로트를 로트 처리부(6)로 전달한다.
또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 수취한 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다.
또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 전후로 늘어선 복수 장의 기판(8)으로 형성된 로트에 에칭이나, 세정이나, 건조 등의 처리를 행한다.
로트 처리부(6)에는, 로트를 에칭 처리하는 에칭 처리 장치(23)와, 로트를 세정 처리하는 세정 처리 장치(24)와, 기판 유지체(22)를 세정 처리하는 기판 유지체 세정 처리 장치(25)와, 로트를 건조 처리하는 건조 처리 장치(26)가 나란히 설치되어 있다. 또한, 에칭 처리 장치(23)의 대수는, 1대에 한정되지 않고, 2대 이상이어도 좋다.
에칭 처리 장치(23)는, 에칭용 처리조(27)와, 린스용 처리조(28)와, 기판 유지부(29, 30)를 갖는다.
에칭용 처리조(27)에는, 에칭용 처리액이 저류된다. 린스용 처리조(28)에는, 린스용 처리액(순수 등)이 저류된다. 에칭용 처리조(27)의 상세한 내용에 대해서는후술한다.
기판 유지부(29, 30)는, 로트를 형성하는 복수 장의 기판(8)을 수직 자세로 전후로 나란히 유지한다.
에칭 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 유지부(29)로 수취하고, 기판 유지부(29)를 강하시킴으로써 로트를 처리조(27)의 처리액에 침지시켜 에칭 처리를 행한다.
그 후, 에칭 처리 장치(23)는, 기판 유지부(29)를 상승시킴으로써 로트를 처리조(27)로부터 꺼내어, 기판 유지부(29)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다.
그리고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 유지부(30)로 수취하고, 기판 유지부(30)를 강하시킴으로써 로트를 처리조(28)의 린스용 처리액에 침지시켜 린스 처리를 행한다.
그 후, 에칭 처리 장치(23)는, 기판 유지부(30)를 상승시킴으로써 로트를 처리조(28)로부터 꺼내어, 기판 유지부(30)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 로트를 전달한다.
세정 처리 장치(24)는, 세정용 처리조(31)와, 린스용 처리조(32)와, 기판 유지부(33, 34)를 갖는다.
세정용 처리조(31)에는, 세정용 처리액(SC1 등)이 저류된다. 린스용 처리조(32)에는, 린스용 처리액(순수 등)이 저류된다. 기판 유지부(33, 34)는, 1 로트분의 복수 장의 기판(8)을 수직 자세로 전후로 나란히 유지한다.
건조 처리 장치(26)는, 처리조(35)와, 처리조(35)에 대하여 승강하는 기판 유지부(36)를 갖는다.
처리조(35)에는, 건조용 처리 가스(IPA(이소프로필알코올) 등)가 공급된다. 기판 유지부(36)는, 1 로트분의 복수 장의 기판(8)을 수직 자세로 전후로 나란히 유지한다.
건조 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 유지부(36)로 수취하고, 기판 유지부(36)를 강하시킴으로써 로트를 처리조(35)에 반입하여, 처리조(35)에 공급한 건조용 처리 가스로 로트의 건조 처리를 행한다. 그리고, 건조 처리 장치(26)는, 기판 유지부(36)를 상승시켜, 기판 유지부(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에, 건조 처리를 행한 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(25)는, 처리조(37)를 가지며, 처리조(37)에 세정용 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
제어부(100)는, 기판 처리 장치(1)의 각부(캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6))의 동작을 제어한다. 제어부(100)는, 스위치 등으로부터의 신호에 기초하여, 기판 처리 장치(1)의 각부의 동작을 제어한다.
제어부(100)는, 예컨대 컴퓨터로 이루어지고, 예컨대, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 제어부(100)는, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(38)를 갖는다. 기억 매체(38)에는, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다.
제어부(100)는, CPU가 기억 매체(38)에 기억된 프로그램을, ROM을 작업 영역으로서 사용하여 실행함으로써 기판 처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)에 기억되어 있던 것으로서, 다른 기억 매체로부터 제어부(100)의 기억 매체(38)에 인스톨된 것이어도 좋다.
컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)로는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 광자기 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
[처리조의 구성]
다음에, 에칭용 처리조(27)의 구성에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 에칭용 처리조(27)의 구성을 나타낸 도면이다.
에칭용 처리조(27)는, 약액과 실리콘을 포함하는 처리액에 기판(8)을 침지시킴으로써, 기판(8) 상에 형성된 질화막(SiN)과 산화막(SiO2), 질화막만을 선택적으로 에칭하는 처리를 행한다. 약액은, 예컨대, 인산 수용액이다.
처리조(27)는, 내부조(45)와, 외부조(46)를 구비한다. 또한, 처리조(27)는, 순환부(50)와, 순수 공급부(80)를 구비한다.
내부조(45)는, 위쪽이 개방되어 있고, 내부에 처리액을 저류한다. 로트(복수의 기판(8))는, 이러한 내부조(45)에 침지된다.
외부조(46)는, 위쪽이 개방되어 있고, 내부조(45)의 상부 주위에 배치된다. 외부조(46)에는, 내부조(45)로부터 오버 플로한 처리액이 유입된다.
외부조(46)에는, 순수 공급부(80)로부터 순수가 공급된다. 순수 공급부(80)는, 가열에 의해 처리액으로부터 증발된 수분을 보급하기 위해서, 순수(DIW: Deionized Water)를 외부조(46)에 공급한다.
또한, 외부조(46)에는, 처리조(27)로부터 회수되고, 또한, 후술하는 재생 장치(7)에 의해 재생된 처리액이 공급된다. 재생 장치(7)는, 처리조(27)로부터 회수로(71)를 통해 회수된 처리액의 실리콘 농도를 미리 정해진 소망의 농도로 조정한 후에, 조정 후의 처리액을 복귀로(77)를 통해 처리조(27)로 되돌린다. 재생 장치(7)의 구성에 대해서는 후술한다.
순환부(50)는, 내부조(45)와 외부조(46) 사이에서 처리액을 순환시킨다. 순환부(50)는, 순환로(51)와, 처리액 공급 노즐(52)과, 펌프(53)와, 히터(54)와, 필터(55)와, 전환 밸브(56)를 구비한다.
순환로(51)는, 외부조(46)와 내부조(45)를 접속한다. 순환로(51)의 일단은, 외부조(46)에 접속되고, 순환로(51)의 타단은, 내부조(45)의 내부에 배치된 처리액 공급 노즐(52)에 접속된다.
펌프(53), 히터(54) 및 필터(55)는, 순환로(51)에 설치된다. 펌프(53)는, 외부조(46) 내의 처리액을 순환로(51)로 송출한다. 히터(54)는, 순환로(51)를 흐르는 처리액을, 에칭 처리에 알맞은 온도로 가열한다. 예컨대, 히터(54)는, 처리액이 비등 상태가 되는 온도로 처리액을 가열한다. 필터(55)는, 순환로(51)를 흐르는 처리액으로부터 불순물을 제거한다. 전환 밸브(56)는, 처리액의 유출처를 순환로(51)와 후술하는 회수로(71) 사이에서 전환한다. 펌프(53), 히터(54), 필터(55) 및 전환 밸브(56)는, 상류측에서부터 이 순서로 설치된다.
순환부(50)는, 처리액을 외부조(46)로부터 순환로(51) 경유로 내부조(45) 내로 보낸다. 내부조(45) 내로 보내진 처리액은, 내부조(45)로부터 오버 플로함으로써, 다시 외부조(46)로 유출된다. 이와 같이 하여, 처리액은, 내부조(45)와 외부조(46) 사이를 순환한다.
순수 공급부(80)는, 순수 공급원(81)과, 순수 복귀로(82)와, 유량 조정기(83)를 구비한다. 순수 공급원(81)은, 순수를 저류하는 탱크이다. 순수 복귀로(82)는, 순수 공급원(81)과 외부조(46)를 접속하고, 순수 공급원(81)으로부터 외부조(46)에 순수를 공급한다. 유량 조정기(83)는, 예컨대 개폐 밸브, 유량 제어 밸브, 유량계 등을 포함하여 구성되고, 순수 공급원(81)으로부터 외부조(46)로 공급되는 순수의 유량을 조정한다.
펌프(53) 및 히터(54)는, 제어부(100)에 의해 제어된다. 또한, 유량 조정기(83)를 구성하는 개폐 밸브나, 유량 제어 밸브는, 제어부(100)에 의해 제어된다.
[재생 장치의 구성]
다음에, 재생 장치(7)의 구성에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 재생 장치(7)의 구성을 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 재생 장치(7)는, 회수로(71)와, 저류부(72)와, 제거부(73)와, 제1 공급부(74)와, 제2 공급부(75)와, 혼합부(76)와, 복귀로(77)를 구비한다.
회수로(71)는, 처리조(27)에서 사용된 처리액을 회수하기 위한 유로이다. 회수로(71)의 일단은, 예컨대 순환부(50)의 전환 밸브(56)에 접속된다(도 2 참조). 또한, 이것에 한정되지 않고, 회수로(71)의 일단은, 내부조(45) 또는 외부조(46)에 접속되어도 좋다. 회수로(71)의 타단은, 저류부(72)에 접속된다. 회수로(71)의 중간부에는, 개폐 밸브(711)가 설치된다.
저류부(72)는, 처리조(27)로부터 배출된 처리액을 회수로(71) 경유로 회수하여 저류하는 용기이다. 저류부(72)는, 히터(721)를 구비하고 있고, 저류된 처리액을 소정의 온도로 가열한다. 예컨대, 히터(721)는, 저류부(72)에 저류된 처리액을 실리콘의 석출 온도를 초과하는 온도로 가열한다. 이것에 의해, 처리액의 온도 저하에 따른 저류부(72) 내에서의 실리콘 석출을 억제할 수 있다.
저류부(72)는, 제1 접속로(722)를 통해 제거부(73)에 접속된다. 제1 접속로(722)에는, 도시하지 않은 펌프가 설치되어 있고, 저류부(72)에 저류된 처리액의 일부는, 도시하지 않은 펌프에 의해 제1 접속로(722)를 통해 제거부(73)에 공급된다. 또한, 저류부(72)는, 제2 접속로(723)를 통해 제1 공급부(74)에 접속된다. 제2 접속로(723)에는, 도시하지 않은 펌프가 설치되어 있고, 저류부(72)에 저류된 처리액의 일부는, 도시하지 않은 펌프에 의해 제1 공급부(74)에 공급된다.
제거부(73)는, 처리조(27)로부터 배출된 처리액의 일부를 회수하고, 회수한 처리액으로부터 처리액에 포함되는 실리콘 중의 일부를 제거하는 실리콘 제거 처리를 행한다. 실시형태에 있어서, 제거부(73)는, 처리조(27)로부터 배출된 처리액의 일부를 저류부(72) 및 제1 접속로(722)를 통해 회수한다.
제거부(73)의 구성으로는, 어느 공지 기술을 이용하여도 상관없다. 일례로서, 제거부(73)는, 순환로와, 순환로를 흐르는 처리액을 가열하는 히터와, 순환로를 흐르는 처리액으로부터 실리콘을 제거하는 필터를 구비한다. 상기한 바와 같이 구성된 제거부(73)는, 처리액을 히터로 가열하면서 순환로 내를 순환시켜 필터에 반복하여 통과시킴으로써, 처리액으로부터 실리콘을 제거한다. 제거부(73)는, 예컨대 처리 시간을 조정함으로써, 제거 처리 후의 처리액의 실리콘 농도를 조정하는 것이 가능하다.
제거부(73)는, 처리액의 실리콘 농도를 적어도 처리조(27)에 있어서의 처리액의 실리콘 농도의 초기값보다도 낮은 농도까지 감소시킨다. 또한, 제거부(73)는, 처리액에 포함되는 실리콘 중의 일부를 제거한다. 즉, 제거부(73)는, 처리액 중의 실리콘을 완전히는 제거하지 않는다.
제거부(73)는, 제3 접속로(731)를 통해 제2 공급부(75)에 접속된다. 제3 접속로(731)에는, 도시하지 않은 펌프가 설치되어 있고, 제거 처리 후의 처리액은, 도시하지 않은 펌프에 의해 제2 공급부(75)에 공급된다.
제1 공급부(74)는, 저류부(72)에 저류된 처리액 중 제1 양의 처리액을 혼합부(76)에 공급한다. 예컨대, 제1 공급부(74)는, 제1 양의 처리액을 저류 가능한 용기이며, 제2 접속로(723)를 통해 저류부(72)로부터 공급되는 처리액을 제1 양만큼 저류하면, 저류한 제1 양의 처리액을 제4 접속로(741)를 통해 혼합부(76)에 공급한다.
제2 공급부(75)는, 제거부(73)에 의해 실리콘이 제거된 처리액 중 제2 양의 처리액을 혼합부(76)에 공급한다. 예컨대, 제2 공급부(75)는, 제2 양의 처리액을 저류 가능한 탱크이며, 제3 접속로(731)를 통해 제거부(73)로부터 공급되는 처리액을 제2 양만큼 저류하면, 저류한 제2 양의 처리액을 제5 접속로(751)를 통해 혼합부(76)에 공급한다.
또한, 제1 공급부(74)는, 예컨대 제4 접속로(741)를 개폐하는 개폐 밸브여도 좋다. 이 경우, 제어부(100)가, 미리 정해진 시간만큼 제1 공급부(74)로서의 개폐 밸브를 개방함으로써, 혼합부(76)에 대하여 미리 정해진 일정량의 처리액을 공급할 수 있다. 혹은, 제어부(100)는, 제4 접속로(741)에 설치된 유량계의 계측 결과에 기초하여 일정량의 처리액이 혼합부(76)에 공급되었다고 판정한 경우에, 제1 공급부(74)로서의 개폐 밸브를 폐쇄하여도 좋다. 마찬가지로, 제2 공급부(75)도, 제5 접속로(751)를 개폐하는 개폐 밸브여도 좋다. 이 경우, 제어부(100)가, 미리 정해진 시간만큼 제2 공급부(75)로서의 개폐 밸브를 개방함으로써, 혼합부(76)에 대하여 미리 정해진 일정량의 처리액을 공급할 수 있다. 혹은, 제어부(100)는, 제5 접속로(751)에 설치된 유량계의 계측 결과에 기초하여 일정량의 처리액이 혼합부(76)에 공급되었다고 판정한 경우에, 제2 공급부(75)로서의 개폐 밸브를 폐쇄하여도 좋다.
혼합부(76)는, 저류부(72)에 저류된 처리액과, 제거부(73)에 의해 실리콘이 제거된 처리액을 혼합하는 용기이다. 구체적으로는, 혼합부(76)는, 제4 접속로(741)를 통해 제1 공급부(74)로부터 공급되는 처리액과, 제5 접속로(751)를 통해 제2 공급부(75)로부터 공급되는 처리액을 혼합한다. 혼합부(76)는, 히터(761)를 구비하고 있고, 저류된 처리액을 소정의 온도로 가열한다. 예컨대, 히터(761)는, 혼합부(76)에 저류된 처리액을, 처리조(27)가 구비하는 히터(54)(도 2 참조)에 의한 가열 온도와 동일한 온도로 가열한다. 이것에 의해, 처리액의 온도 저하에 따른 혼합부(76) 내에서의 실리콘 석출을 억제할 수 있다. 또한, 혼합부(76)에서 혼합된 처리액을 복귀로(77)를 통해 처리조(27)에 공급했을 때에, 처리조(27) 내의 처리액의 온도가, 복귀로(77)로부터 공급되는 처리액에 의해 저하되는 것을 억제할 수 있다.
복귀로(77)는, 혼합부(76)에 의해 혼합된 처리액을 처리조(27)로 복귀하는 유로이다. 복귀로(77)의 일단은, 혼합부(76)에 접속되고, 복귀로(77)의 타단은, 예컨대 처리조(27)의 외부조(46)에 접속된다. 복귀로(77)의 중간부에는, 개폐 밸브(771)가 설치된다.
[처리액의 재생 처리]
다음에, 재생 장치(7)에 의한 처리액의 재생 처리의 내용에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 실시형태에 따른 재생 처리의 일례를 나타낸 도면이다. 도 4에서는, 일례로서, 처리조(27)에서 사용되는 처리액의 실리콘 농도의 초기값이 75 ppm인 경우에 대해서 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 처리액은, 에칭 처리에 사용됨으로써, 실리콘 농도가 상승한다. 여기서는, 처리액의 실리콘 농도가 75 ppm에서 100 ppm으로 상승하는 것으로 한다. 제어부(100)는, 예컨대, 실험이나 시뮬레이션 등에 의해 얻어지는, 기판(8)의 처리 장수나 처리 시간과 실리콘 농도와의 관계식으로부터, 상승 후의 실리콘 농도의 값(여기서는, 100 ppm)을 산출할 수 있다. 또한, 제어부(100)는, 처리조(27) 또는 재생 장치(7)(회수로(71), 저류부(72), 제1 접속로(722) 및 제거부(73) 중 적어도 어느 하나)에 설치된 농도계로부터 상승 후의 실리콘 농도의 값을 취득하여도 좋다.
실리콘 농도가 100 ppm으로 상승한 처리액은, 회수로(71)(도 3 참조)를 통해 저류부(72)에 공급되고, 저류부(72)에 일시적으로 저류된다. 또한, 저류부(72)에 저류된 실리콘 농도 100 ppm의 처리액의 일부는, 제1 접속로(722)(도 3 참조)를 통해 제거부(73)에 공급되고, 제거부(73)에서 실리콘이 제거된다. 이것에 의해, 처리액의 실리콘 농도는, 75 ppm보다도 낮은 농도로 감소한다. 여기서는, 제거부(73)에서 처리액의 실리콘 농도가 100 ppm에서 50 ppm으로 감소하는 것으로 한다.
저류부(72)에 저류된 실리콘 농도 100 ppm의 처리액과, 제거부(73)에 의해 실리콘이 제거된 실리콘 농도 50 ppm의 처리액은, 제1 공급부(74) 및 제2 공급부(75)에 의해, 미리 정해진 비율로 혼합부(76)에 공급된다. 이것에 의해, 원하는 실리콘 농도, 여기서는, 처리조(27)에 있어서의 처리액의 초기 농도와 동일한 75 ppm으로 조정된 처리액이 생성된다. 그리고, 혼합부(76)에서 실리콘 농도가 75 ppm으로 조정된 처리액은, 복귀로(77)(도 3 참조)를 통해 다시 처리조(27)에 공급된다.
이와 같이, 실시형태에 따른 재생 장치(7)에 의하면, 처리조(27)로부터 처리액을 회수하고, 회수한 처리액의 실리콘 농도를 감소시켜 원하는 실리콘 농도로 조정한 후에, 처리조(27)로 되돌리는 것으로 하였다. 이것에 의해, 처리조(27) 내의 처리액의 일부를 폐기하고, 폐기한 양에 상당하는 양의 새로운 처리액을 처리조(27)에 보충함으로써, 처리조(27) 내의 처리액의 농도를 조정하는 수법과 비교하여, 처리액의 폐기량을 삭감할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 재생 장치(7)는, 예컨대 처리액으로부터 실리콘을 완전히 제거하여 실리콘 농도를 0 ppm으로 한 후, 처리액에 실리콘을 첨가하여 실리콘 농도를 원하는 농도로 상승시키는 수법과 비교하여, 처리액을 단시간에 재생할 수 있다. 또한, 처리액에 실리콘을 첨가하기 위한 기구가 필요 없게 되기 때문에, 설비의 삭감에 기여할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 재생 장치(7)는, 처리조(27)로부터 배출된 처리액의 일부를 제거부(73)에 공급하는 것으로 하고, 혼합부(76)에서, 처리조(27)로부터 회수한 처리액과, 제거부(73)에 의해 실리콘이 제거된 처리액을 혼합시키는 것으로 하였다. 이것에 의해, 처리조(27)로부터 회수한 처리액 전부에 대해서 제거부(73)에 의한 실리콘 제거 처리를 행하는 경우와 비교하여, 처리액을 단시간에 재생할 수 있다.
[변형례]
다음에, 전술한 재생 장치(7)의 변형례에 대해서 설명한다. 도 5는 실시형태에 있어서의 제1 변형례에 따른 재생 장치(7)의 구성을 나타낸 도면이다.
전술한 실시형태에서는, 회수로(71)의 타단이 저류부(72)에 접속되어 있고, 저류부(72)에 저류된 처리액의 일부가 제1 접속로(722)를 통해 제거부(73)에 공급되는 경우의 예에 대해서 설명하였다. 이것에 한정되지 않고, 도 5에 도시된 바와 같이, 회수로(71)의 타단은, 제거부(73)에 접속되어도 좋다. 이 경우, 회수로(71)는, 예컨대, 타단이 저류부(72)에 접속되는 분기로(712)를 구비하고 있어도 좋다. 이것에 의해, 회수로(71)로부터 회수한 처리액을 저류부(72) 및 제거부(73)에 병행하여 공급할 수 있다. 또한, 분기로(712)에는, 분기로(712)를 개폐하는 개폐 밸브(714)가 설치된다. 또한, 회수로(71) 중, 분기로(712)와의 접속부(713)보다도 하류측에는, 회수로(71)를 개폐하는 개폐 밸브(715)가 설치된다.
그 밖에, 재생 장치(7)는, 처리조(27)로부터 회수한 처리액을 저류부(72)로 공급하는 제1 회수로와, 처리조(27)로부터 회수한 처리액을 제거부(73)로 공급하는 제2 회수로를, 각각 독립적으로 구비하고 있어도 좋다.
다음에, 제2 변형례에 대해서 설명한다. 도 6은 실시형태에 있어서의 제2 변형례에 따른 재생 장치(7)의 구성을 나타낸 도면이다. 전술한 실시형태에서는, 기판 처리 장치(1)가 하나의 처리조(27)를 구비하는 경우의 예에 대해서 설명하였지만, 기판 처리 장치(1)는, 복수의 처리조(27)를 구비하고 있어도 좋다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제2 변형례에 따른 재생 장치(7)는, 복수(여기서는, 3개)의 처리조(27)에 대하여, 하나의 저류부(72)와, 하나의 제거부(73)와, 복수(여기서는, 3개)의 제1 공급부(74) 및 제2 공급부(75)와, 복수(여기서는, 3개)의 혼합부(76)를 구비한다.
저류부(72)는. 복수의 회수로(71)를 통해 복수의 처리조(27)에 접속되어 있고, 복수의 처리조(27)에서 사용된 처리액이 복수의 회수로(71)를 통해 저류부(72)에 공급된다. 또한, 저류부(72)는, 복수의 제2 접속로(723)를 통해 복수의 제1 공급부(74)에 접속되어 있고, 저류부(72)에 저류된 처리액은, 복수의 제2 접속로(723)를 통해 복수의 제1 공급부(74)에 공급된다.
처리조(27)에 저류된 처리액의 일부는, 제1 접속로(722)를 통해 제거부(73)에 공급된다. 제거부(73)는, 복수의 제3 접속로(731)를 통해 복수의 제2 공급부(75)에 접속되어 있고, 제거부(73)에 의해 실리콘이 제거된 처리액은, 복수의 제3 접속로(731)를 통해 복수의 제2 공급부(75)에 공급된다.
복수의 제1 공급부(74), 복수의 제2 공급부(75) 및 복수의 혼합부(76)는, 복수의 처리조(27)의 각각에 대응하여 설치된다. 각 제1 공급부(74)는, 제4 접속로(741)를 통해 동일한 처리조(27)에 대응하는 혼합부(76)에 접속되고, 각 제2 공급부(75)는, 제5 접속로(751)를 통해 동일한 처리조(27)에 대응하는 혼합부(76)에 접속된다. 각 혼합부(76)는, 제4 접속로(741)로부터 공급되는 처리액과 제5 접속로(751)로부터 공급되는 처리액을 혼합하고, 혼합된 처리액을 복귀로(77)를 통해 대응하는 처리조(27)에 공급한다.
제1 공급부(74) 및 제2 공급부(75)에 의해 혼합부(76)에 공급되는 처리액의 비율은, 혼합부(76)에서 혼합된 후의 처리액의 실리콘 농도가, 대응하는 처리조(27)에서 실시되는 에칭 처리에 알맞은 실리콘 농도가 되도록 설정된다. 이것에 의해, 각 혼합부(76)는, 대응하는 처리조(27)에 대하여, 그 처리조(27)에서 실시되는 에칭 처리에 알맞은 실리콘 농도로 조정된 처리액을 공급할 수 있다.
이 점에 대해서 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 실시형태에 있어서의 제2 변형례에 따른 재생 처리의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7에서는, 도 6에 도시된 3개의 처리조(27)를 각각 처리조(27A∼27C)라고 기재한다. 또한, 각 처리조(27A∼27C)에 대응하는 제1 공급부(74), 제2 공급부(75) 및 혼합부(76)를 각각 제1 공급부(74A)∼제1 공급부(74C), 제2 공급부(75A∼75C) 및 혼합부(76A∼76C)라고 기재한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 여기서는, 처리조(27A∼27C)에서 사용되는 처리액의 실리콘 농도 및 처리조(27A∼27C)로부터 회수되는 처리액의 실리콘 농도는, 처리조(27A∼27C)마다 상이한 것으로 한다. 구체적으로는, 실리콘 농도가 75 ppm인 처리액이 처리조(27A)에서 사용되고, 실리콘 농도가 100 ppm인 처리액이 처리조(27A)로부터 회수된다. 또한, 실리콘 농도가 110 ppm인 처리액이 처리조(27B)에서 사용되고, 실리콘 농도가 150 ppm인 처리액이 처리조(27B)로부터 회수된다. 또한, 실리콘 농도가 80 ppm인 처리액이 처리조(27C)에서 사용되고, 실리콘 농도가 90 ppm인 처리액이 처리조(27C)로부터 회수된다.
제2 변형례에 있어서 저류부(72)(도 6 참조)에는, 처리조(27A)로부터 회수된 실리콘 농도 100 ppm의 처리액, 처리조(27B)로부터 회수된 실리콘 농도 150 ppm의 처리액, 처리조(27C)로부터 회수된 실리콘 농도 90 ppm의 처리액이 저류된다. 이 결과, 저류부(72)에는, 실리콘 농도 120 ppm의 처리액이 저류되는 것으로 한다. 또한, 제2 변형례에 있어서 제거부(73)(도 6 참조)는, 실리콘 농도 120 ppm의 처리액으로부터 일부의 실리콘을 제거함으로써, 처리액의 실리콘 농도를 50 ppm으로 감소시키는 것으로 한다.
또한, 제어부(100)는, 예컨대 저류부(72)에 설치된 농도계로부터 저류부(72)에 저류된 처리액의 실리콘 농도를 취득할 수 있다. 또한, 제어부(100)는, 미리 행해지는 실험이나 시뮬레이션 등에 의해, 저류부(72)에 저류된 처리액의 실리콘 농도를 미리 취득해 두는 것도 가능하다. 또한, 제어부(100)는, 제거부(73)에 의한 실리콘 제거 처리 후의 처리액의 실리콘 농도가 항상 일정한 값(여기서는, 50 ppm)이 되도록, 저류부(72)에 저류된 처리액의 실리콘 농도에 기초하여 제거부(73)를 제어하여도 좋다. 예컨대, 제어부(100)는, 저류부(72)에 저류된 처리액의 실리콘 농도를 농도계로부터 취득하고, 취득한 실리콘 농도에 기초하여, 제거부(73)에 있어서의 실리콘 제거 처리의 처리 시간 등을 변경하여도 좋다.
도 7에 도시된 바와 같이, 처리조(27A)에 대응하는 제1 공급부(74A) 및 제2 공급부(75A)는, 혼합부(76A)에서 혼합된 후의 처리액의 실리콘 농도가 75 ppm이 되도록, 혼합부(76A)에 공급하는 처리액의 비율이 조정된다. 예컨대, 제1 공급부(74A)는, 실리콘 농도 120 ppm의 처리액을 「X1」ℓ(리터) 공급하고, 제2 공급부(75A)는, 실리콘 농도 50 ppm의 처리액을 「Y1」ℓ(리터) 공급하도록 조정된다. 이것에 의해, 실리콘 농도 75 ppm의 처리액이 혼합부(76A)에서 생성되고, 생성된 실리콘 농도 75 ppm의 처리액은, 복귀로(77)(도 6 참조)를 통해 처리조(27A)에 공급된다.
또한, 처리조(27B)에 대응하는 제1 공급부(74B) 및 제2 공급부(75B)는, 혼합부(76B)에서 혼합된 후의 처리액의 실리콘 농도가 110 ppm이 되도록, 혼합부(76B)에 공급하는 처리액의 비율이 조정된다. 예컨대, 제1 공급부(74B)는, 실리콘 농도 120 ppm의 처리액을 「X2」ℓ(리터) 공급하고, 제2 공급부(75B)는, 실리콘 농도 50 ppm의 처리액을 「Y2」ℓ(리터) 공급하도록 조정된다. 이것에 의해, 실리콘 농도 110 ppm의 처리액이 혼합부(76B)에서 생성되고, 생성된 실리콘 농도 110 ppm의 처리액은, 복귀로(77)(도 6 참조)를 통해 처리조(27B)에 공급된다.
또한, 처리조(27C)에 대응하는 제1 공급부(74C) 및 제2 공급부(75C)는, 혼합부(76C)에서 혼합된 후의 처리액의 실리콘 농도가 80 ppm이 되도록, 혼합부(76C)에 공급하는 처리액의 비율이 조정된다. 예컨대, 제1 공급부(74C)는, 실리콘 농도 120 ppm의 처리액을 「X3」ℓ(리터) 공급하고, 제2 공급부(75C)는, 실리콘 농도 50 ppm의 처리액을 「Y3」ℓ 공급하도록 조정된다. 이것에 의해, 혼합부(76C)에서 실리콘 농도 80 ppm의 처리액이 생성되고, 생성된 실리콘 농도 80 ppm의 처리액은, 복귀로(77)(도 6 참조)를 통해 처리조(27C)에 공급된다.
또한, 제1 공급부(74A∼74C) 및 제2 공급부(75A∼75C)에 의한 혼합부(76A∼76C)에 대한 처리액의 공급량은, 실험이나 시뮬레이션 등에 의해 결정된 고정량으로 미리 조정되어도 좋다. 또한, 농도계에 의해 계측된 저류부(72) 내의 실리콘 농도에 따라 변경되어도 좋다.
다음에, 제3 변형례에 대해서 설명한다. 도 8은 실시형태에 있어서의 제3 변형례에 따른 재생 장치(7)의 구성을 나타낸 도면이다.
전술한 실시형태에서는, 재생 장치(7)가, 복수의 처리조(27)에 대하여 하나의 제거부(73)를 구비하는 경우의 예에 대해서 설명하였다. 이것에 한정되지 않고, 재생 장치(7)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 처리조(27)에 대응하는 복수의 제거부(73)를 구비하고 있어도 좋다. 각 제거부(73)는, 제1 접속로(722)를 통해 단일한 저류부(72)에 접속된다. 또한, 각 제거부(73)는, 복수의 제2 공급부(75) 중, 동일한 처리조(27)에 대응하는 제2 공급부(75)에 제3 접속로(7310를 통해 접속된다.
각 제거부(73)에 의한 실리콘 제거 처리의 처리 조건(예컨대, 처리 시간 등)은, 대응하는 처리조(27)에서 사용되는 처리액의 실리콘 농도, 저류부(72)에 저류된 처리액의 실리콘 농도 등에 기초하여 결정된다.
이와 같이, 재생 장치(7)는, 복수의 처리조(27)에 대응하는 복수의 제거부(73)를 구비하고 있어도 좋다.
다음에, 제4 변형례에 대해서 설명한다. 도 9는 실시형태에 있어서의 제4 변형례에 따른 재생 장치(7)의 구성을 나타낸 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 재생 장치(7)는, 하나의 처리조(27)에 대응하는 복수의 제거부(73)를 구비하고 있어도 좋다. 각 제거부(73)는, 제1 접속로(722) 및 개폐 밸브(724)를 통해 단일한 저류부(72)에 접속된다. 또한, 각 제거부(73)는, 제3 접속로(731)를 통해 단일한 제2 공급부(75)에 접속된다.
도 10은 실시형태에 있어서의 제4 변형례에 따른 재생 처리의 일례를 나타낸 도면이다. 여기서는, 도 9에 도시된 복수의 제거부(73)를 각각 제거부(73A∼73C)로 기재하여 구별한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 단일한 처리조(27)로부터는, 실리콘 농도 150 ppm의 처리액, 실리콘 농도 120 ppm 및 실리콘 농도 100 ppm의 처리액 중 어느 하나가 회수되는 것으로 한다.
복수의 제거부(73A∼73C) 중, 제거부(73A)는, 실리콘 농도 150 ppm의 처리액으로부터 일부의 실리콘을 제거하여 실리콘 농도 50 ppm의 처리액을 생성하도록 처리 조건이 미리 정해져 있다. 제거부(73B)는, 실리콘 농도 120 ppm의 처리액으로부터 일부의 실리콘을 제거하여 실리콘 농도 50 ppm의 처리액을 생성하도록 처리 조건이 미리 정해져 있다. 실리콘 농도 100 ppm의 처리액으로부터 일부의 실리콘을 제거하여 실리콘 농도 50 ppm의 처리액을 생성하도록 제거부(73C)의 처리 조건이 미리 정해져 있다.
제어부(100)는, 처리조(27)로부터 회수되는 처리액의 실리콘 농도가 150 ppm인 경우, 제거부(73A)에 대응하는 개폐 밸브(724)를 개방함으로써, 실리콘 농도 150 ppm의 처리액을 제거부(73A)에 공급한다. 이것에 의해, 처리액의 실리콘 농도를 150 ppm에서 50 ppm으로 감소시킬 수 있다. 또한, 제어부(100)는, 처리조(27)로부터 회수되는 처리액의 실리콘 농도가 120 ppm인 경우, 제거부(73B)에 대응하는 개폐 밸브(724)를 개방함으로써, 실리콘 농도 120 ppm의 처리액을 제거부(73B)에 공급한다. 이것에 의해, 처리액의 실리콘 농도를 120 ppm에서 50 ppm으로 감소시킬 수 있다. 또한, 제어부(100)는, 처리조(27)로부터 회수되는 처리액의 실리콘 농도가 100 ppm인 경우, 제거부(73C)에 대응하는 개폐 밸브(724)를 개방함으로써, 실리콘 농도 100 ppm의 처리액을 제거부(73C)에 공급한다. 이것에 의해, 처리액의 실리콘 농도를 100 ppm에서 50 ppm으로 감소시킬 수 있다.
또한, 재생 장치(7)는, 2 이상의 제거부(73A), 2 이상의 제거부(73B) 및 2 이상의 제거부(73C)를 구비하고 있어도 좋다. 이것에 의해, 예컨대, 하나의 제거부(73A)를 이용하여 실리콘 제거 처리를 행하고 있는 동안, 다른 제거부(73A)에 트랩된 실리콘을 제거하는 메인터넌스 작업을 행할 수 있다.
전술한 바와 같이, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 처리조(27)와, 저류부(72)와, 제거부(73)와, 혼합부(76)와, 복귀로(77)를 구비한다. 처리조(27)는, 약액(일례로서, 인산 수용액)과 실리콘을 포함하는 처리액에 기판(8)을 침지시켜 상기 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 저류부(72)는, 처리조(27)로부터 배출된 처리액을 회수하여 저류한다. 제거부(73)는, 처리조(27)로부터 배출된 처리액의 일부를 회수하고, 회수한 처리액으로부터 실리콘을 제거한다. 혼합부(76)는, 저류부(72)에 저류된 처리액과, 제거부(73)에 의해 실리콘이 제거된 처리액을 혼합한다. 복귀로(77)는, 혼합부(76)에 의해 혼합된 처리액을 처리조(27)로 되돌린다.
이것에 의해, 처리조(27) 내의 처리액의 일부를 폐기하고, 폐기한 양에 상당하는 양의 새로운 처리액을 처리조(27)에 보충함으로써, 처리조(27) 내의 처리액의 농도를 조정하는 수법과 비교하여, 처리액의 폐기량을 삭감할 수 있다. 또한, 처리조(27)로부터 회수한 처리액의 전부에 대해서 제거부(73)에 의한 실리콘 제거 처리를 행하는 경우와 비교하여, 처리액을 단시간에 재생할 수 있다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 공급부(74)와, 제2 공급부(75)를 구비하고 있어도 좋다. 제1 공급부(74)는, 저류부(72)에 저류된 처리액 중 제1 양의 처리액을 혼합부(76)에 공급한다. 제2 공급부(75)는, 제거부(73)에 의해 실리콘이 제거된 처리액 중 제2 양의 처리액을 혼합부(76)에 공급한다.
이것에 의해, 저류부(72)에 저류된 처리액과, 제거부(73)에 의해 실리콘이 제거된 처리액을, 제1 공급부(74) 및 제2 공급부(75)에 의해 미리 정해진 비율로 혼합부(76)에 공급할 수 있다.
제1 공급부(74) 및 제2 공급부(75)는, 처리조(27)에서 사용되는 처리액의 실리콘 농도의 초기값에 기초하여 제1 양 및 제2 양이 설정되어도 좋다.
이것에 의해, 처리조(27)로부터 회수된 처리액의 실리콘 농도를, 처리조(27)에서 실시되는 에칭 처리에 알맞은 실리콘 농도로 조정한 후에, 처리조(27)로 되돌릴 수 있다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 복수의 처리조(27)와, 복수의 처리조(27)로부터 배출된 처리액을 회수하여 저류하는 저류부(72)와, 복수의 처리조(27)에 대응하는 복수의 제1 공급부(74) 및 복수의 제2 공급부(75)를 구비하고 있어도 좋다. 또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 복수의 처리조(27)에 대응하고, 동일한 처리조(27)에 대응하는 제1 공급부(74) 및 제2 공급부(75)에 접속되는 복수의 혼합부(76)를 구비하고 있어도 좋다.
이것에 의해, 복수의 처리조(27)로부터 회수한 처리액을, 각 처리조(27)에 알맞은 실리콘 농도로 조정한 후에 각 처리조(27)로 되돌릴 수 있다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 상이한 복수의 실리콘 농도에 대응하는 복수의 제거부(73)를 구비하고 있어도 좋다.
상이한 복수의 실리콘 농도에 대응하는 복수의 제거부(73)를 미리 준비해 둠으로써, 예컨대, 상이한 실리콘 농도의 처리액을 이용한 복수 종류의 에칭 처리가 행해지는 경우에도, 제거부(73)의 처리 조건을 하나하나 변경할 필요가 없다.
제거부(73)는, 회수한 처리액으로부터 처리액에 포함되는 실리콘 중의 일부를 제거한다.
이것에 의해, 처리조(27)로부터 회수한 처리액 전부에 대해서 제거부(73)에 의한 실리콘 제거 처리를 행하는 경우와 비교하여, 처리액을 단시간에 재생할 수 있다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 가열부(일례로서, 히터(54))와, 제2 가열부(일례로서, 히터(721))를 구비하고 있어도 좋다. 제1 가열부는, 처리조(27)에서 처리액을 가열한다. 제2 가열부는, 저류부(72)에서 처리액을 가열한다.
이것에 의해, 처리액의 온도 저하에 따른 저류부(72) 내에서의 실리콘 석출을 억제할 수 있다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제3 가열부(일례로서, 히터(761))를 구비하고 있어도 좋다. 제3 가열부는, 혼합부(76)에서 처리액을 가열한다.
이것에 의해, 처리액의 온도 저하에 따른 혼합부(76) 내에서의 실리콘 석출을 억제할 수 있다. 또한, 혼합부(76)에서 혼합된 처리액을 복귀로(77)를 통해 처리조(27)에 공급했을 때에, 처리조(27) 내의 처리액 온도가, 복귀로(77)로부터 공급되는 처리액에 의해 저하되는 것을 억제할 수 있다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (9)

  1. 약액과 실리콘을 포함하는 처리액에 기판을 침지시켜 상기 기판의 에칭 처리를 행하는 처리조와,
    상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액을 회수하여 저류하는 저류부와,
    상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액의 일부를 회수하고, 회수한 상기 처리액으로부터 실리콘을 제거하는 제거부와,
    상기 저류부에 저류된 상기 처리액과, 상기 제거부에 의해 실리콘이 제거된 상기 처리액을 혼합하는 혼합부와,
    상기 혼합부에 의해 혼합된 상기 처리액을 상기 처리조로 되돌리는 복귀로
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 저류부에 저류된 상기 처리액 중 제1 양의 처리액을 상기 혼합부에 공급하는 제1 공급부와,
    상기 제거부에 의해 실리콘이 제거된 상기 처리액 중 제2 양의 처리액을 상기 혼합부에 공급하는 제2 공급부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부는,
    상기 처리액의 실리콘 농도의 초기값에 기초하여 상기 제1 양 및 상기 제2 양이 설정되는 것인, 기판 처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    복수의 상기 처리조와,
    복수의 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액을 회수하여 저류하는 상기 저류부와,
    복수의 상기 처리조에 대응하는 복수의 상기 제1 공급부 및 복수의 상기 제2 공급부와,
    복수의 상기 처리조에 대응하고, 동일한 상기 처리조에 대응하는 상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부에 접속되는 복수의 상기 혼합부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상이한 복수의 실리콘 농도에 대응하는 복수의 상기 제거부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제거부는, 회수한 상기 처리액으로부터 상기 처리액에 포함되는, 실리콘 중의 일부를 제거하는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리조에서 상기 처리액을 가열하는 제1 가열부와,
    상기 저류부에서 상기 처리액을 가열하는 제2 가열부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 혼합부에서 상기 처리액을 가열하는 제3 가열부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  9. 약액과 실리콘을 포함하는 처리액에 기판을 침지시켜 상기 기판의 에칭 처리를 행하는 처리조로부터 배출된 상기 처리액을 회수하여 저류하는 저류 공정과,
    상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액의 일부를 회수하고, 회수한 상기 처리액으로부터 실리콘을 제거하는 제거 공정과,
    상기 저류 공정에서 저류한 상기 처리액과, 상기 제거 공정에서 실리콘이 제거된 상기 처리액을 혼합하는 혼합 공정과,
    상기 혼합 공정에서 혼합된 상기 처리액을 상기 처리조로 되돌리는 복귀 공정
    을 포함하는, 처리액 재이용 방법.
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