KR20190138699A - 신호 분배 장치 - Google Patents

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제임스 보스윅
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퀘리타우, 인크.
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Abstract

스트레스 신호를 복수의 테스트 대상 디바이스(DUT)에 분배하기 위한 신호 분배 장치가 개시된다. 분배 장치는 분배될 스트레스 전압 신호를 수신하는 단일 입력, 스트레스 전압 신호를 복수의 DUT에 분배하는 복수의 출력, 및 복수의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로를 포함한다. 각각의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로는 복수의 DUT의 일 DUT를 복수의 출력 중 하나를 통해 단일 입력에 연결하고, 적어도 하나의 조합된 스위칭 및 전류 제한 요소를 포함한다.

Description

신호 분배 장치
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2017 년 5 월 3 일자로 출원된 동시 계류중인 미국특허가출원 제62/500,659호에 기초한 우선권을 주장하며, 그 전문이 모든 목적을 위해 본원에 참조로 포함된다.
발명의 분야
본 발명은 일반적으로 전기 측정 장비에 관한 것으로, 특히 스트레스 신호를 테스트 중인 복수의 디바이스(DUT)에 분배하기 위한 신호 분배 장치에 관한 것이다.
반도체 신뢰성 테스트는 종종 고장 시간에 관한 정보를 수집하기 위해 공통 전압 스트레스 신호를 복수의 디바이스에 공급하는 것을 필요로한다. 비용 효율적이고 공간 효율적인 솔루션을 제공하기 위해, 반도체 신뢰성 테스트 장비 공급 업체는 종종 공통 스트레스 신호를 제공하기 위해 복수의 DUT에 연결된 단일 전압 소스(예: 프로그램 가능 전력 공급원)를 갖도록 시스템을 구성한다. 도 1은 전형적인 전압 스트레스 시스템(100)의 단순화된 블록도를 도시한다. 가장 기본적인 형태에서, 복수의 DUT(102)는 모두 단일 전압원(104)에 직접 연결되고, 도 1에 도시된 바와 같이 병렬로 스트레스를 받는다. 그러나, 이 구성은 DUT(102)가 고장날 때 문제가 되는데, 왜냐하면, 단일 전압원(104)으로부터 분리할 수 있는 방법이 없고 고장난 DUT(102)를 통해 전류가 계속 흘러, 매우 낮은 저항에 고장나고, 과도한 전류 부하를 단일 전압원(104)에 지울 수 있고, 및/또는 고장난 DUT(102)를 과열시킬 수 있기 때문이다.
상기 구성에 대한 개선이 도 2에 도시되어 있어 살펴보면, 변형된 전압 스트레스 시스템(200)이 단일 전압원(104)과 복수의 DUT(102) 사이에 직렬로 스위치(202)를 포함한다. 이에 따라, 고장이 시스템에 의해(가령, 고장난 DUT와 일렬로 연결된 전류계를 사용함으로써) 고장난 DUT(102)를 제거할 수 있어서, 고장난 DUT(102)는 단일 전원 공급원에 계속 과부하되지 않고 과열되지 않는다. 그러나, 이 방식 역시 여전히 문제가 되는데, 왜냐하면, 고장의 검출과 고장 DUT 로의 스트레스 신호의 스위치 오프 사이의 시간이 아직 고장나지 않은 다른 DUT를 방해하기에 충분히 길 수 있기 때문이다. 또한, 고장 사고는 DUT가 고장 났을 때 전류의 증가로 인해 단일 전압원(104) 출력에서 교란을 야기할 수 있고, 이는 다른 DUT에서 조기 고장을 일으킬 수 있다.
전술한 문제를 피하기 위해, 추가의 수정된 전압 스트레스 시스템(300)이 도 3에 도시되어 있으며, 도 3에 도시된 바와 같이 전압원(104), 스위치(202) 및 DUT(102)의 신호 경로에 전류 제한기(302)를 포함한다. 이 전류 제한기는 DUT 고장, 그 검출 및 그에 따른 스트레스 신호로부터의 후속 제거 사이의 기간 동안 고장 DUT(102)가 전압원(104)에 과부하를 걸리게 하는 것을 방지한다. 전류 제한기(302)는 단순히 고정된 값의 저항기일 수도 있고, 또는, 비선형 임피던스를 제공하기 위해 능동 소자를 사용하는 보다 복잡한 회로 일 수도 있으며, 이는 특정 전류 레벨에서 활성화(제한)된다.
상기 제시된 구성의 유형은 "SWITCHING APPARATUS WITH CURRENT LIMITING CIRCUIT"라는 제목의 Bessho 등의 미국 특허 제5,880,540호에 기술되어 있다. 그러나, 이 구성은 여전히 여러 가지 이유로 문제가 있다. 첫째, 전류 제한 회로 및 스위치를 추가하면 솔루션에 상당한 크기 및 비용 요건이 추가된다. 또한, DUT에서의 전압은 종종 인라인 전류 제한기를 통한 전압 강하로 인해 알려지지 않으며, 마지막으로 스위치(102)를 사용하여 스트레스 신호로부터 DUT를 제거하면, 고장난 DUT 로의 전류 흐름의 갑작스런 제거로 인해 과도 신호(또는 "글리치"(glitches))가 나머지 DUT에 제시될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 스트레스 신호를 복수의 테스트 대상 디바이스(DUT)에 분배하기 위한 신호 분배 장치가 개시된다. 분배 장치는 분배될 스트레스 전압 신호를 수신하는 단일 입력, 스트레스 전압 신호를 복수의 DUT에 분배하는 복수의 출력, 및 복수의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로를 포함한다. 각각의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로는 복수의 DUT의 일 DUT를 복수의 출력 중 하나를 통해 단일 입력에 연결하고, 적어도 하나의 결합된 스위칭 및 전류 제한 요소를 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 스트레스 전압 신호를 복수의 테스트 대상 디바이스(DUT)에 분배하는 방법이 개시된다. 분배될 스트레스 전압 신호는 단일 입력에서 수신되고, 복수의 출력을 통해 복수의 DUT에 분배된다. 복수의 DUT의 일 DUT는 복수의 출력의 일 출력을 통해, 및 복수의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로 중 일 통합 전류 제한기 및 스위치 회로를 통해, 단일 입력에 연결되며, 각각의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로는 적어도 하나의 조합된 스위칭 및 전류 제한 요소를 포함한다.
도 1은 복수의 DUT에 스트레스 신호를 공유하기 위한 신호 분배 장치를 도시한다.
도 2는 공유 스트레스 신호를 각각의 DUT에 개별적으로 스위치 오프할 수 있는 능력을 갖도록, 복수의 DUT에 스트레스 신호를 공유하기 위한 신호 분배 장치를 도시한다.
도 3은 공유된 스트레스 신호를 끄고 각 DUT에 대한 전류를 개별적으로 제한할 수 있는 능력을 갖도록, 복수의 DUT에 스트레스 신호를 분배하기 위한 신호 분배 장치를 도시한다.
도 4는 통합 전류 제한기 및 스위치 회로에 결합된 스위칭 및 전류 제한 능력을 갖도록 복수의 DUT에 스트레스 신호를 분배하기 위한 신호 분배 장치를 도시한다.
도 5는 DUT를 전압 스트레스 소스에 연결하는 개별 통합 전류 제한기 및 스위치 회로의 간략화된 개략도이다.
도 6은 통합 전류 제한기 및 스위치 간의 전압강하가 측정에 영향을 미치지 않으면서 DUT 전압을 측정하는 기능을 갖도록, 스트레스 신호를 복수의 DUT에 분배하기 위한 신호 분배 장치를 도시한다.
도 7은 공유 스트레스 신호를 복수의 DUT에 제공하는 방법의 흐름도이다.
본 발명은 일반적으로 전기 측정 장비에 관한 것이다. 본 명세서의 실시예는 단일 입력에서 수신된 스트레스 신호를 복수의 출력을 통해 테스트중인 복수의 디바이스에 분배하는데 사용하기 위한 신호 분배 회로를 설명한다.
도 4는 각각의 DUT(102)를 단일 전압원(104)에 연결하는 각각의 전류 제한기 및 스위치(402)가 통합 회로(전류 제한 및 스위칭 기능을 제공하기 위해 요소들을 공유하는 통합 전류 제한기 및 스위치 회로라고 지칭됨)에 통합되는 실시예를 포함하는 개선된 전압 스트레스 신뢰성 시스템(400)을 도시하는 간략화된 블록도이다. 이 구성은 종래 기술에 비해 많은 장점을 제공한다. 예를 들어, 이 구성은 여러 기능(예: 더 작은 인쇄 회로 기판 필요)을 위한 구성 요소들을 사용하여 시스템의 물리적 공간을 크게 절약할 수 있다. 일반적인 방법은 전류 제한기능과 스위칭 기능을 모두 제공하기 위해 트랜지스터(들)를 사용하는 것이다. 이 회로에 대한 자세한 내용은 다음 섹션에서 설명한다.
이 구성의 다른 장점은 다중 기능을 위한 구성요소를 사용함으로써 제공되는 비용 절감이다. 스위치와 전류 제한기를 별개의 회로로 제공하면 일반적으로 2 배 많은 부품이 필요하므로, 이 구성으로 비용을 크게 줄일 수 있다. 마지막으로, 이 구성은 다음 단락에서 추가로 설명되는 다양한 실시예에서 과도 신호의 억제와 같은 다른 이점을 제공할 수 있다.
도 5는 상술한 통합 전류 제한기 및 스위치 회로(402)의 실시예를 도시하는 전압 스트레스 신뢰성 시스템(500)의 일부를 도시한 단순화된 회로도이다. 이 도면에서, 한 쌍의 트랜지스터(502)는 전류 제한 및 스위칭 기능을 제공한다. 도 5에 도시된 실시예에서, 트랜지스터 쌍(502)은 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)이지만, 다른 실시예는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 또는 접합 전계 효과 트랜지스터(JFET)를 포함하지만 이에 제한되지 않는 다른 유형의 트랜지스터를 포함할 수 있다. 한 쌍의 트랜지스터(502)는 양방향 전류 제한 및 스위칭을 제공하는 방식으로 연결되며, 일부 실시예에서, 일 방향의 전류 흐름(즉, 단방향 전류 제한 및 스위칭)만이 필요한 경우, 회로는 단지 하나의 트랜지스터만 포함하도록 단순화된다.
한 쌍의 트랜지스터(502)는 바이어싱 회로의 사용과 관련하여 전류 제한 및 스위칭 기능을 제공한다. 도시된 실시예에서, PV(photovoltaic Isolator)(506)는 트랜지스터(502)에 바이어싱 전압을 제공하여, 이들을 온 또는 오프 상태로 스위칭한다. 전형적으로, 기준 레벨 참조(예를 들어, 1.8V, 3.3V, 또는 5V 로직 레벨) 제어 신호(512)는 PVI(506)의 입력에 연결될 것이고, 제어 신호(512)의 활성화에 따라 PVI 출력 상에 절연된(isolated) 전압이 생성될 것이다. 스위칭되는 전압 스트레스 신호 및/또는 제한되는 전류가 고전압 신호(예를 들어, -1000V 내지 + 1000V) 일 수 있고 로우 레벨 논리 신호를 통해 직접 제어될 수 없기 때문에, 절연된 전압이 필요하다.
PVI(506)의 출력이 한 쌍의 트랜지스터(502)에 연결되어, PVI(506)가 제어 신호(512)를 통해 인에이블될 때 트랜지스터(502)가 제어된 채널(가령, MOSFET의 드레인-소스)를 통해 전류를 전도(스위치 온)할 것이고, PVI(506)가 제어 신호를 통해 디스에이블될 때 상당한 전류를 전도하지 않을 것이다(스위치 오프). 또한, PVI 출력은 비활성화된 상태에서 낮은 임피던스를 제공하므로, MOSFET 트랜지스터의 게이트 소스 단자에 트래핑되어 규정되지 않은 상태로 유지될 수 있는 모든 전하를 소산시킨다. 이러한 방식으로, PVI(506)와 결합된 트랜지스터(502)는 필요한 스위칭 기능을 제공한다.
도 5에 도시된 실시예의 전류 제한기능은 한 쌍의 트랜지스터(502)의 바이어스 단자(도시된 실시예에서, 게이트 및 소스 단자) 사이에 연결된 직렬 전류 제한 저항기(504)와 함께, 스위칭 기능을 또한 제공하는 한 쌍의 트랜지스터(502)에 의해 제공된다. 전류 제한 기능은 한 쌍의 트랜지스터(502)가 스위치 온된 경우(트랜지스터가 스위치 오프되는 경우 전류가 흐르지 않아서 제한이 적용되지 않음)에 동작하며, 직렬 전류 제한 저항기(504) 양단에 발생된 전압을 이용하여, PVI(506)의 바이어스에 반작용한다. 각각의 트랜지스터는 임계 전압을 가지며, 임계 전압 위에서는 트랜지스터가 상당한 전류를 전도하고, 그 아래에서는 트랜지스터가 상당한 전류를 전도하지 않는다. 실제로, 이것은 이 레벨 아래에서 전류 흐름이 완전히 정지되는 이산 레벨은 아니지만, 트랜지스터의 지수적 전류/전압 특성과 결합된 저항기의 선형 전류/전압 특성으로 인해, 각 트랜지스터가 상당한 전류를 전도하는 작은 범위가 나타나고(전류 제한이 아님), 실제적으로 추가 전류가 흐르지 않는 과정으로 넘어간다(전류 제한). 따라서, 통합 전류 제한기 및 스위치 회로에 직렬 전류 제한 저항기(504)을 포함함으로써, 스위칭 기능을 또한 제공하는 동일한 트랜지스터에 의해 전류 제한 기능이 제공될 수 있다.
각각의 트랜지스터는 제조 편차로 인해 상이한 임계 전압을 가지며, 따라서 주어진 전류 제한 저항기 값에 대해 상이한 전류 제한 레벨을 갖는다. 일부 실시예들에서, 전류 제한이 용이하게 조정 가능한 것이 바람직하다면(예를 들어, 시스템에서 다른 전류 제한 회로의 실질적으로 동일한 전류 제한 레벨로 설정되는 경우) 가변 저항기가 전류 제한 저항기(504)로 사용된다. 일부 실시예들에서, 가변 저항기는 사용자가 전류 제한기를 바람직한 레벨로 튜닝할 수 있게 하는 조정 기능을 갖는 기계적 전위차계이다. 다른 실시예에서, 가변 저항기는 디지털 인터페이스를 통해 컴퓨터, 마이크로컨트롤러 또는 프로그래밍 능력을 갖는 다른 디지털 회로에 대한 디지털 인터페이스를 통해 프로그래밍을 가능하게 하는 디지털 전위차계이다. 일부 실시예에서, 프로그래밍은 영구적(예를 들어, 초기 조립 동안 설정됨), 반영구적(예를 들어, 특정 절차를 통해 현장에서 조정가능), 또는 일시적(예를 들어, 프로그래밍 디지털 회로상에서 실행되는 소프트웨어가 테스팅 요건에 따라 전류를 동적으로 변화시킬 수 있음)일 수 있다.
도 6은 각각의 DUT의 전압 측정의 추가 기능이 포함되는 실시예를 포함하는 개선된 전압 스트레스 신뢰성 시스템(600)을 도시하는 간략화된 블록도이다. 이 전압 측정 기능은 각각의 통합 전류 제한 및 스위칭 회로(402)와 직렬로 연결된 전압 측정 스위치(602), 스위치 제어 회로(606) 및 전압 측정 회로(604)의 네트워크를 통해 구현된다. 각 전압 측정 스위치(602)는 개별적으로 스위칭되어, 각각의 DUT(102)의 전압은 다른 DUT 전압과 독립적으로 측정될 수 있다. 스위치 제어 회로(606)는 각 DUT(102)의 전압이 전압 측정 회로(604)로 측정될 수 있도록 각각의 전압 측정 스위치(602)를 인에이블 또는 디스에이블하는 기능을 수행한다. 일부 실시예에서, 이 스위칭 기능은 통합된 멀티플렉서 회로 또는 기기에 의해 제공되며 또는 다른 실시예에서, 이는 다수의 입력을 단일 출력에 연결할 수 있도록 배열된 개별 스위치(기계적 릴레이, 리드(reed) 릴레이 또는 솔리드스테이트 릴레이)의 어레이로 구성된다.
전압 측정 회로(604)는 전압을 측정하고 이를 디지털 표현으로 변환하는 회로이다. 일부 실시예에서, 디지털 표현은 통신 버스를 통해 호스트 컴퓨터로 전송된다. 통신 버스는 일반적으로 표준 인터페이스다(예: 이더넷, USB, RS-422/485, RS-23, SPI 및/또는 I2C). 일부 실시예에서, 전압 측정 회로는 모든 필요한 회로가 하우징에 통합된 디지털 멀티 미터(DMM)와 같은 상용 기기(off-the-shelf instrument)이다. 다른 실시예들에서, 전압 측정 회로는 필요한 전압 측정 기능을 제공하도록 구성된 개별 구성요소들의 배열이다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 전압 측정 회로는 아날로그-디지털 변환기(ADC), 자동 범위 조정 회로 및 통신 인터페이스 회로를 포함한다.
전압 측정 기능의 추가는 각각의 DUT(102)에서 전압을 측정하고 잠재적으로 전압 에러를 정정하는 기능을 제공한다. 이상적인 경우에, 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)는 정상 동작 조건 동안(즉, DUT가 고장나지 않는 테스트 부분 동안) 전압 강하(또는 부담)를 갖지 않을 것이다. . 그러나, 일부 경우에, 전류 제한기능이 결합되지 않은 경우에도 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)의 전압 강하가 상당할 수 있다. 예를 들어, DUT(102)가 1mA(고장 전 전류)를 끌어 내고 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)의 유효 저항이 10 옴인 경우, 10mV의 부담 전압이 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)에 걸쳐 존재할 것이다. 스트레스 전압 조건에 따라, 이는 상당한 양의 오류(예: 1 % 이상)를 나타낼 수 있다. 따라서, 도 6에 도시된 바와 같이 추가 전압 측정 스위칭 회로를 사용하여 DUT 전압을 알 수 있는 것이 바람직하다.
통합 전류 제한 및 스위치 회로(402) 이후의 DUT(102)의 전압 측정은 여러 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, DUT 전압 측정은 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)에 걸친 전압 강하를 보상(또는 부분적으로 보상)하기 위해 사용될 수 있다. 이는 테스트 동안 모든 DUT 전압을 측정하고 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)의 모든 전압 강하의 평균을 보상하는 레벨로 전압 공급원(104)을 설정함으로써 수행될 수 있다. 예를 들어, 테스트 중에 3 개의 DUT가 연결되고 전압 공급원의 출력으로부터 (예를 들어, 통합 전류 제한 및 스위치의 전압 강하로 인해) 9mV, 10mV 및 11mV의 개별 전압 오차가 있는 경우, 전압 오차의 대부분을 보상하기 위해 전압 공급이 10mV(전압 오차의 평균)만큼 증가될 수 있다(즉, 본 예에서 전압 오차는 최대 11mV로부터 1mV로 감소할 것임).
전압 측정 기능의 다른 용도는 DUT(102)의 고장 여부를 검출하는 것이다. 전형적으로 테스트 동안, DUT(102)의 전류는, DUT의 다른 노드를 통한 전류를 측정함으로써 또는 전류 측정 회로(예를 들어, 전류계)를 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)와 직렬로 연결함으로써, 주기적으로 측정될 것이다. 이 현재 측정 데이터는 DUT의 상태를 평가하는 데 사용된다. 그러나, DUT(102)에 대한 전류 측정은 일반적으로 DUT와 직렬로 전류 측정 회로를 일시적으로 삽입해야하므로 복잡한 공정이며, 과도 신호를 발생시키지 않거나 DUT에 적용된 스트레스 조건을 방해하지 않도록 주의해야한다. 또한 전류 측정에는 종종 디바이스 전류를 감지하기 위해 많은 전류 범위를 스위칭해야 하고, 이는 상당한 시간이 걸린다. 도 6에 표시된 전압 측정 기능을 추가하면 특정 테스트에서 디바이스 고장에 일반적으로 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)의 전류 제한기능과 관련된 전류 증가가 수반되므로 빠르고 쉽게 디바이스 고장을 감지할 수 있다. 전압 측정 기능을 사용함으로써, 시스템이 테스트 동안 연결된 모든 DUT(102)를 빠르고 깨끗하게 스캔하고, 관련 전류 제한 회로를 활성화했는지를 검출할 수 있다. 연관된 전류 제한 회로를 트리거링한 DUT의 경우, 실험은 특정 조치를 취하도록 구성될 수 있다(예: 추가 스트레스로부터 DUT 제거, 고장난 DUT에 대한 심층적인 특성 분석 수행, 및/또는 실험 중단).
전압 또는 전류 측정을 통해 고장난 것으로 검출된 DUT(102)에 대해, 통합 전류 제한기 및 스위치 회로(402)는 스트레스로부터 디바이스를 제거하는 동안 추가적인 이점을 제공한다. 위에서 설명되고 도 1, 2, 3에 도시된 전형적인 병렬 테스트 시스템은 전압 공급원으로부터 DUT(102)를 분리하기 위해 사용되는 스위치(202)를 위한 기계적 또는 리드 릴레이를 사용할 것이다. 이러한 유형의 릴레이에는 "핫 스위칭"을 바람직하지 않게 하는 한계가 있다. 핫 스위칭은 연결되거나 연결이 끊어진 단자에 전압이 존재하거나 있을 때 릴레이의 활성화 또는 비활성화를 나타내는 산업 용어다.
기계적 또는 리드 릴레이의 경우, 핫 스위칭은 두 가지 이유로 반도체 신뢰성 테스트에 문제가 있다. 첫째, 핫 스위칭은 일반적으로 연결된 DUT 및 동일한 전압 공급 장치에 연결된 다른 장치에 과도 신호가 인가된다. 이는 릴레이의 연결 또는 연결 끊기의 급격성에 기인하고(릴레이 접점이 연결되거나 연결 해제될 때 짧은 순간에서 열린 상태 또는 짧은 순간으로의 전환이 거의 순간적으로 발생함), 일 상태로부터 다른 상태로 전환할 때 릴레이의 접점들이 여러번 연결 및 분리되는 릴레이 "바운스"에 악화되며, 이는 야기되는 과도 신호를 연장 및 악화시킬 것이다. 과도 신호가 연결이 끊어진 DUT에 손상을 가할 수 있고, 및/또는 아직 고장 나지 않은 다른 DUT에 인가될 수 있어, 조기 고장을 유발하거나 고장 시간을 변경하는 손상을 일으킬 수 있기 때문에 테스트에 유해하다.
핫 스위칭이 문제가 되는 또 다른 이유는 릴레이 자체의 손상이다. 기계식 및/또는 리드 릴레이의 경우, 핫 스위칭은 접점 상태가 전환될 때 접점이 서로 물리적으로 가깝기 때문에 발생하는 아크로 인해 접점이 손상될 수 있다. 이는 또한 위에서 설명한 릴레이 바운스에 의해 악화되며 접점 저항 변경(또는 보다 높은 접점 저항), 접점 고착 및 궁극적으로 릴레이 고장으로 이어질 수 있다. 일반적으로 릴레이 공급 업체는 가능한 스위칭주기 수로 수명을 지정하며, 예를 들어 핫 스위칭 조건과 비-핫 스위칭의 경우 100 배 정도(two orders of magnitude) 수명을 줄인다.
상기 이유로, 반도체 신뢰성 테스터는 종종 스위칭될 릴레이들에 걸친 전압을 제거하기 위해 스트레스 전압을 변경함으로써(예를 들어, 접지에 연결된 DUT가 0V를 갖도록 스트레스 전압 공급원을 0V로 설정) 핫 스위칭 릴레이를 피하도록 설계된다. 그러나 테스트 중에 스트레스 전압 제거는 고장나지 않은 DUT의 스트레스 중단으로 인해 바람직하지 않다. 경우에 따라 이러한 DUT는 스트레스 전압의 재인가 동안 회복 또는 손상과 같은 영향으로 인해 스트레스 제거의 영향을 받는 테스트 고장 시간을 가질 것이고, 이는 실험 결과를 저하시키거나 무효화할 수 있다.
통합 전류 제한기 및 스위치 회로(402)는 스위칭 소자의 특성 및 바이어싱 회로의 배열로 인한 상기 문제점을 극복한다. 먼저, 스위칭 소자로서 트랜지스터를 사용하면 트랜지스터에 이동 접촉이 없기 때문에 아크 및/또는 바운스로 인한 문제를 제거할 수 있다. 둘째, 통합 전류 제한기 및 스위치 회로(402)에서 스위칭의 전이 시간은 추가 회로 요소의 사용을 통해 더 길어지고 제어될 수 있다. 이것은 시스템이 통합 전류 제한기 및 스위치 회로(402)를 턴 오프(또는 온)시켜 특정 DUT 또는 다른 DUT에 과도 신호 인가없이 스트레스 전압이 여전히 인가되는 동안 특정 DUT(102)를 분리(또는 연결)할 수 있게 한다. 일부 실시예에서, 통합 전류 제한기 및 스위치 회로(402)에서의 스위칭의 전이 시간은 도 5에 도시된 바와 같이 바이어싱 회로에 연결된 저항기(508) 및 커패시터(510)(RC) 네트워크를 통해 제어된다. RC 네트워크에서 저항기(508) 및/또는 커패시터(510)의 값을 조정함으로써, 과도 신호가 DUT(들)에 인가되는 것을 방지하기 위한 최적 길이로 스위칭 시간이 연장되거나 단축될 수 있다.
일부 실시예들에서, 전이 시간은 제어 신호를 통해 PVI의 입력으로 제어되며, 전이 동안 미리 결정된 시간주기에 걸쳐 인가되는 지속적으로 변화하는 신호를 포함할 수 있다. 예를 들어, 적분기 회로의 출력은 스텝 신호를 적분기 회로의 입력에 제공하는 제어 신호에 응답하여 지속적으로 변화하는 신호를 바이어싱 PVI의 입력에 제공할 수 있다. 다른 실시예에서, 별개의 전압 세트가 전이 동안 미리 결정된 시간주기에 걸쳐 인가된다. 예를 들어, 디지털-아날로그 변환기(DAC)의 출력은 바이어싱 PVI의 입력에 인가되고, 램프 속도에 따라 가변적인 스위칭 시간으로 나타나는 시간 제어 램프 신호를 생성하도록 램핑될 수 있다. 일부 실시예에서, PVI의 입력에 연결된 DAC의 출력은 또한 직렬 전류 제한 저항기(504)와 함께 통합 전류 제한 및 스위치 회로(402)의 전류 제한 레벨을 제어하는데 사용될 수 있다.
도 7은 스트레스 전압 신호를 복수의 DUT에 분배하는 방법(700)의 흐름도이다. 단계(702)에서, 분배될 스트레스 전압 신호는 단일 입력에서 수신된다. 단계(704)에서, 스트레스 전압 신호는 복수의 출력을 통해 복수의 DUT에 분배된다. 마지막으로, 단계(706)에서, 복수의 DUT 중 일 DUT가 복수의 출력 중 일 출력을 통해 그리고 통합 전류 제한기 및 스위치 회로를 통해 단일 입력에 연결된다.
본 발명의 몇몇 실시예만이 상세하게 설명되었지만, 본 명세서의 개시에 기초하여 많은 변형이 가능하다는 것이 이해되어야한다. 특징 및 요소가 특정 조합으로 상술되었지만, 각각의 특징 또는 요소는 다른 특징 및 요소없이 또는 다른 특징 및 요소와 함께 또는 다른 특징 및 요소없이 다양한 조합으로 사용될 수 있다. 전술한 모든 것을 고려하면, 본 실시예는 예시적이고 제한적이지 않으며 본 발명은 본 명세서에 제공된 세부 사항으로 제한되지 않고 첨부된 청구 범위의 범위 및 등가물 내에서 수정될 수 있음이 명백해야한다.

Claims (16)

  1. 복수의 테스트 대상 디바이스(DUT)에 스트레스 전압 신호를 인가하기 위한 신호 분배 장치에 있어서, 상기 신호 분배 장치는,
    분배될 스트레스 전압 신호를 수신하는 단일 입력;
    스트레스 전압 신호를 복수의 DUT에 분배하는 복수의 출력; 및
    복수의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로 - 각각의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로는 복수의 DUT 중 일 DUT를 복수의 출력 중 일 출력을 통해 단일 입력에 연결하고, 적어도 하나의 조합된 스위칭 및 전류 제한 요소를 포함함 - 를 포함하는, 신호 분배 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 조합된 스위칭 및 전류 제한 요소는 DUT 내외로 향하는 바이폴라 전류를 제한하고 스위칭하기 위한 한 쌍의 트랜지스터 인 신호 분배 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 한 쌍의 트랜지스터에 연결된 바이어싱 회로를 더 포함하고,
    상기 바이어싱 회로는 상기한 쌍의 트랜지스터를 온 또는 오프 상태로 바이어싱하기 위한 광기전 아이솔레이터(photovoltaic isolator)를 포함하는 신호 분배 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 시간 제어된 바이어싱 신호를 상기 한 쌍의 트랜지스터에 제공하기 위해 상기 광기전 아이솔레이터의 출력에 연결된 저항기 및 커패시터 네트워크를 더 포함하는 신호 분배 장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 통합 전류 제한기 및 스위치 회로 각각은 상기 한 쌍의 트랜지스터의 바이어싱을 방지하고 상기 한 쌍의 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 제한하기 위해 상기 한 쌍의 트랜지스터에 연결된 2 개의 직렬 저항기를 포함하는 신호 분배 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 2 개의 직렬 저항기는 상기 통합 전류 제한기 및 스위치 회로의 전류 제한 레벨을 조정하기 위한 조정 가능한 저항기인 신호 분배 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 2 개의 조정 가능한 저항기는 기계적 전위차계인 신호 분배 장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 2 개의 조정 가능한 저항기는 디지털 전위차계인 신호 분배 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 조합된 스위칭 및 전류 제한 요소는 단방향 전류를 제한 및 스위칭하기 위한 단일 트랜지스터인 신호 분배 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 각 DUT의 전압을 측정하기 위한 선택 가능한 전압 측정 회로를 더 포함하고, 상기 선택 가능한 전압 측정 회로는:
    복수의 출력 중 하나씩에 각각 연결된 복수의 전압 측정 스위치;
    복수의 전압 측정 스위치의 스위칭을 제어하는 스위치 제어 회로; 및
    복수의 전압 측정 스위치 각각에 연결된 전압 측정 회로를 포함하는, 신호 분배 장치.
  11. 스트레스 전압 신호를 복수의 테스트 대상 디바이스(DUT)에 분배하는 방법으로서, 상기 방법은,
    단일 입력에서 분배될 스트레스 전압 신호를 수신하는 단계;
    복수의 출력을 통해 상기 스트레스 전압 신호를 상기 복수의 DUT에 분배하는 단계; 및
    복수의 DUT 중 일 DUT를 상기 복수의 출력 중 일 출력을 통해, 및 복수의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로 중 일 통합 전류 제한기 및 스위치 회로를 통해 단일 입력에 연결하는 단계 - 각각의 통합 전류 제한기 및 스위치 회로는 적어도 하나의 조합된 스위칭 및 전류 제한 요소를 포함함 - 를 포함하는, 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 조합된 스위칭 및 전류 제한 요소는 DUT 내외로 향하는 바이폴라 전류를 제한 및 스위칭하기 위한 한 쌍의 트랜지스터인 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 바이어싱 회로를 상기 한 쌍의 트랜지스터에 연결하는 단계를 더 포함하고,
    상기 바이어싱 회로는 상기 한 쌍의 트랜지스터를 온 또는 오프 상태로 바이어싱하기 위한 광기전 아이솔레이터를 포함하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 시간 제어된 바이어싱 신호를 상기 한 쌍의 트랜지스터에 제공하기 위해 저항기 및 커패시터 네트워크를 상기 광기전 아이솔레이터의 출력에 연결하는 단계를 더 포함하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 한 쌍의 트랜지스터의 바이어싱을 방지하고 한 쌍의 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 제한하기 위해 2 개의 직렬 저항기를 한 쌍의 트랜지스터에 연결하는 단계를 더 포함하는 방법.
  16. 제 11 항에 있어서, 선택 가능한 전압 측정 회로를 사용하여 각 DUT의 전압을 측정하는 단계를 더 포함하고, 상기 선택 가능한 전압 측정 회로는:
    복수의 출력 중 하나씩에 각각 연결된 복수의 전압 측정 스위치;
    복수의 전압 측정 스위치의 스위칭을 제어하는 스위치 제어 회로; 및
    복수의 전압 측정 스위치 각각에 연결된 전압 측정 회로를 포함하는, 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10725105B2 (en) * 2017-09-29 2020-07-28 Keithley Instruments, Llc Current leakage and charge injection mitigating solid state switch
US20210181252A1 (en) * 2019-12-16 2021-06-17 Celerint, Llc Method for semiconductor device interface circuitry functionality and compliance testing
US11162989B2 (en) * 2020-02-12 2021-11-02 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Measurement device
CN112798927A (zh) * 2020-12-24 2021-05-14 武汉大学 一种限幅器芯片大信号指标的测试系统及方法
CN115902567B (zh) * 2023-02-15 2023-06-13 苏州联讯仪器股份有限公司 一种高压晶体管测试电路及系统

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2024462B (en) * 1978-05-08 1983-03-30 Bendix Corp Integrated closed loop engine control system
JPH0721526B2 (ja) * 1987-08-18 1995-03-08 ソニ−・テクトロニクス株式会社 素子測定装置
JPS6480123A (en) * 1987-09-22 1989-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Signal switching circuit
US5391984A (en) * 1991-11-01 1995-02-21 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method and apparatus for testing integrated circuit devices
JP3558425B2 (ja) * 1995-09-01 2004-08-25 アジレント・テクノロジーズ・インク 信号切換装置およびスイッチ回路
US6211627B1 (en) * 1997-07-29 2001-04-03 Michael Callahan Lighting systems
TW457767B (en) * 1999-09-27 2001-10-01 Matsushita Electric Works Ltd Photo response semiconductor switch having short circuit load protection
JP2001119283A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体リレー
US6329785B1 (en) * 2000-02-29 2001-12-11 Gas Research Institute Pulse width modulated controlled induction motor
US6608445B2 (en) * 2001-12-12 2003-08-19 Honeywell International Inc. Efficient solid state switching and control system for retractable aircraft landing lights
JP4218386B2 (ja) * 2003-03-25 2009-02-04 株式会社ジェイテクト Ｄ級アンプ出力回路及び磁気軸受制御装置
US7151389B2 (en) 2004-03-05 2006-12-19 Qualitau, Inc. Dual channel source measurement unit for semiconductor device testing
US7457092B2 (en) * 2005-12-07 2008-11-25 Alpha & Omega Semiconductor, Lld. Current limited bilateral MOSFET switch with reduced switch resistance and lower manufacturing cost
KR100929605B1 (ko) * 2007-01-26 2009-12-03 가부시키가이샤 어드밴티스트 전류 제한부 전압 발생기 및 반도체 시험 장치
CN101629979B (zh) * 2008-07-15 2011-07-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试装置
US8120356B2 (en) * 2009-06-11 2012-02-21 International Business Machines Corporation Measurement methodology and array structure for statistical stress and test of reliabilty structures
JP5312227B2 (ja) * 2009-06-29 2013-10-09 株式会社日本マイクロニクス プローブカード及び検査装置
US9035626B2 (en) * 2010-08-18 2015-05-19 Volterra Semiconductor Corporation Switching circuits for extracting power from an electric power source and associated methods
US10082535B2 (en) * 2011-03-21 2018-09-25 Ridgetop Group, Inc. Programmable test structure for characterization of integrated circuit fabrication processes
US9529372B2 (en) * 2012-11-06 2016-12-27 Volterra Semiconductor Corporation Fault-rejecting mixer and applications
CN103809114B (zh) * 2014-01-21 2017-01-04 清华大学 一种模块化多电平换流器换流阀的功率对冲试验装置
US9398647B2 (en) * 2014-12-08 2016-07-19 Phoseon Technology, Inc. Automatic power controller

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E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination