KR20190129010A - 지지체 부착 접착 시트 - Google Patents

Abstract

[과제] 보이드의 발생을 억제할 수 있으며, 또한, 부품 매립성도 양호한 지지체 부착 접착 시트; 상기 지지체 부착 접착 시트를 사용하는 회로 기판의 제공.
[해결 수단] 제1 몇 및 제2 면을 갖는 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 제1 면과 접합하고 있는 지지체를 포함하는 지지체 부착 접착 시트로서, 수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)가 150㎚ 이상이며, 수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력이 1.1N 이상 1.5N 이하인, 지지체 부착 접착 시트.

Description

지지체 부착 접착 시트{ADHESIVE SHEET WITH SUPPORT BODY}

본 발명은, 지지체 부착 접착 시트; 상기 지지체 부착 접착 시트를 사용하는 회로 기판에 관한 것이다.

프린트 배선판의 제조 기술로서, 절연층과 도체층을 교호로 포개어 쌓는 빌드업 방식에 의한 제조방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조방법에 있어서, 절연층은, 예를 들면, 수지 조성물층/지지체의 층 구성을 갖는 접착 시트를 사용하여 수지 조성물층을 회로 기판 위에 적층한 후, 수지 조성물층을 경화시킴으로써 형성할 수 있다(특허문헌 1).

일본 공개특허공보 특개2016-20480호

접착 시트를 사용하여 프린트 배선판의 절연층을 효율적으로 형성하는 방법으로서, 진공 라미네이트 장치에 의해 회로 기판에 절연층을 형성하는 방법이 제안되어 있다.

본 발명자들은, 오늘날의 소형화 요구에 부응하기 위해, 콘덴서 등의 부품을 내장시킨 부품 내장 회로 기판에 절연층을 형성하는 것을 검토하였다. 진공 라미네이트 장치를 사용하여 부품 내장 회로 기판에 절연층을 형성함에 있어서, 부품 내장 회로 기판의 부품이 배치되는 오목부에 수지 조성물층을 매립하는 경우가 있다. 그러나, 예를 들면, 무기 충전재를 많이 함유한 수지 조성물에 있어서는, 수지 조성물층의 유동성(부품 매립성)이 낮아, 회로 기판과 수지 조성물층 사이에 간극이 발생하기 쉽다는 지견을 얻었다. 따라서, 오목부에 배치되는 부품을 충분히 매립하기 위해 수지 조성물층의 유동성(부품 매립성)을 향상시키는 것이 요구되며, 이를 위해 수지 조성물층의 용융 점도를 낮게 하는 연구가 요구된다.

한편, 수지 조성물층을, 부품이 배치되는 오목부로의 충분한 매립을 위해 용융 점도를 낮게 한 경우, 수지 조성물층 표면의 택력이 크게 향상되어, 라미네이트 작업 시에 회로 기판과 수지 조성물층이 붙어 버리는 것을 알 수 있었다. 예를 들면, 가압 이전의 공정에서 회로 기판과 수지 조성물층을 포개면, 그 접촉 부위에서 부착이 발생한다. 이 부착이 발생하면, 회로 기판과 수지 조성물층 사이에 에어가 들어가고, 그 에어가 빠져 나올 수 없어져 보이드의 원인이 될 수 있다. 이와 같이, 수지 조성물층의 부품 매립성의 향상과, 수지 조성물층의 보이드 발생의 억제는 트레이드오프 관계에 있으며, 이 트레이드오프의 해소는 아직 개선의 여지가 크다.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 보이드의 발생을 억제할 수 있고, 또한, 부품 매립성도 양호한 지지체 부착 접착 시트; 상기 지지체 부착 접착 시트를 사용하는 회로 기판을 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명자들은, 상기 과제에 관해 예의 검토한 결과, 지지체와 접합하고 있는 면과 반대측 면의 산술 평균 거칠기(Ra2) 및 택력이 특정한 범위에 있는 수지 조성물층을 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.

[1] 제1 면 및 제2 면을 갖는 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 제1 면과 접합하고 있는 지지체를 포함하는 지지체 부착 접착 시트로서,

수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)가 150㎚ 이상이며,

수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력이 1.1N 이상 1.5N 이하인, 지지체 부착 접착 시트.

[2] 진공 라미네이트 장치를 사용하여 절연층을 형성하기 위해 사용되는, [1]에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[3] 진공 라미네이트 장치에서의 진공도가, 0.01hPa 이상 4hPa 이하인, [2]에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[4] 전자 부품을 매립하기 위한 절연층을 형성하기 위해 사용되는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[5] 회로 기판 위에 절연층을 형성하기 위해 사용되는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[6] 수지 조성물층의 60 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가, 2,000poise 이하인, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[7] 수지 조성물층이 수지 조성물을 함유하고, 수지 조성물이 무기 충전재를 함유하고, 무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 70질량% 이상인, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[8] 수지 조성물층이 수지 조성물을 함유하고, 수지 조성물이 액상 에폭시 수지 및 고체상 에폭시 수지를 함유하는, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[9] 제1 면 및 제2 면을 갖는 보호 필름을 추가로 포함하고, 상기 보호 필름의 제1 면이 수지 조성물층의 제2 면과 접합하고 있는, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[10] 보호 필름의 제1 면의 산술 평균 거칠기가 150㎚ 이상인, [9]에 기재된 지지체 부착 접착 시트.

[11] [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 지지체 부착 접착 시트의 수지 조성물층의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판.

본 발명에 의하면, 보이드의 발생을 억제할 수 있고, 또한, 부품 매립성도 양호한 지지체 부착 접착 시트; 상기 지지체 부착 접착 시트를 사용하는 회로 기판을 제공할 수 있다.

도 1은, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 3은, 회로 기판의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 4는, 캐비티를 제공한 회로 기판의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 5는, 캐비티를 제공한 회로 기판에 가부착 재료를 적층한 모양의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 6은, 캐비티를 개재하여 노출된 가부착 재료의 점착면에 전자 부품을 가부착하는 모양의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 7은, 진공 라미네이트 장치를 사용하여 지지체 부착 접착 시트의 수지 조성물층을 회로 기판에 접합하도록 적층하는 모양의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 8은, 전자 부품이 수지 조성물층에 매립되는 모양의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 9는, 가부착 재료를 박리한 모양의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.

이하, 실시 형태 및 예시물을 나타내어, 본 발명에 관해서 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 열거하는 실시 형태 및 예시물로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 특허 청구의 범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.

[지지체 부착 접착 시트]

본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 제1 면 및 제2 면을 갖는 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 제1 면과 접합하고 있는 지지체를 포함하는 지지체 부착 접착 시트로서, 수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)가 150㎚ 이상이며, 수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력이 1.1N 이상 1.5N 이하이다.

도 1에, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트의 일례의 개략 단면도를 도시한다. 본 발명의 지지체 부착 접착 시트(1)는, 지지체(3)와, 제1 면(2a) 및 제2 면(2b)을 갖는 수지 조성물층(2)을 포함한다. 제1 면(2a)과 제2 면(2b)은, 수지 조성물층(2)의 두께 방향에 있어서 서로 반대측에 있다. 따라서, 제1 면(2a)을 뒷면으로 보면, 제2 면(2b)은 앞면이다. 또한, 지지체(3)는, 수지 조성물층(2)의 제1 면(2a)과 접합하고 있다. 도 2에 일례를 도시하는 바와 같이, 지지체 부착 접착 시트(1)는, 제1 면(4a) 및 제2 면(4b)을 갖는 보호 필름(4)을 포함하고 있어도 좋다. 제1 면(4a)과 제2 면(4b)은, 보호 필름(4)의 두께 방향에 있어서 서로 반대측에 있다. 또한, 보호 필름(4)의 제1 면(4a)이 수지 조성물층(2)의 제2 면(2b)과 접합하도록 제공되어 있다. 지지체 부착 접착 시트(1)는, 통상, 롤상으로 권취됨으로써, 롤상 지지체 부착 접착 시트로서 보관, 운반할 수 있다.

지지체 부착 접착 시트(1)는, 하기의 조건 (I) 및 (II)를 충족시킨다. 본 발명자는, 회로 기판의 제조시에, 조건 (I) 및 (II)를 충족시키는 수지 조성물층을 포함하는 지지체 부착 접착 시트를 사용함으로써, 보이드의 발생이 억제되고, 또한, 부품 매립성도 양호해지는 것을 밝혀내었다.

(I) 수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)가 150㎚ 이상.

(II) 수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력이 1.1N 이상 1.5N 이하.

조건 (I)은, 수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)가 150㎚ 이상인 것에 관한 것이다. 지지체 부착 접착 시트가 조건 (I)을 충족시킴으로써, 수지 조성물층과 회로 기판 사이에 에어를 배출할 수 있는 통로가 형성되기 쉽기 때문에, 특히 진공 라미네이트 시에 수지 조성물층의 제2 면의 표면 요철을 개재하여 에어 배출을 할 수 있으며, 그 결과 보이드의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.

수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)는 150㎚ 이상이며, 바람직하게는 200㎚ 이상, 보다 바람직하게는 250㎚ 이상이다. 상한값은, 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 2,000㎚ 이하, 보다 바람직하게는 1,500㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 1,200㎚ 이하이다. 산술 평균 거칠기(Ra2)는, 수지 조성물층의 제2 면을 회로 기판에 적층하기 전 15분 이내에 측정한 값이며, 예를 들면 보호 필름을 박리한 후 15분 이내에 측정한 값이다. 산술 평균 거칠기(Ra2)는, 비접촉형 표면 거칠기계를 사용하여 측정할 수 있다. 비접촉형 표면 거칠기계의 구체예로서는, 비코인스트루먼트사 제조의 「WYKO NT3300」을 들 수 있다. 산술 평균 거칠기(Ra2)는, 예를 들면, 비접촉형 표면 거칠기계를 사용하여 VSI 모드, 50배 렌즈에 의해 측정 범위를 121㎛×92㎛로 하여 측정할 수 있다.

수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기를 150㎚ 이상으로 조정하는 방법으로서는, 예를 들면, 표면 요철을 갖는 형, 예를 들면 지지체나 보호 필름을 사용하여, 수지 조성물층에 표면 요철을 전사하는 방법을 들 수 있다. 표면 요철을 갖는 면의 산술 평균 거칠기는, 수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기와 같다. 상세하게는, 지지체의 수지 조성물층의 제1 면과 접합하고 있는 측의 면과는 반대측의 면에 상기 표면 요철이 형성되어 있으며, 상기 지지체에 형성된 표면 요철을 수지 조성물층의 제2 면에 전사하는 방법; 보호 필름의 제1 면에 상기 표면 요철이 형성되어 있으며, 상기 보호 필름의 제1 면에 형성된 표면 요철을 수지 조성물층의 제2 면에 전사하는 방법이다. 지지체 및 보호 필름에 관해서는 후술한다.

조건 (II)는, 수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력이 1.1N 이상 1.5N 이하인 것에 관한 것이다. 상기한 바와 같이, 택력은, 통상, 최저 용융 점도가 저하되면 상승한다. 본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 부품 매립성을 양호하게 하기 위해 최저 용융 점도를 낮게 하는 것이 요구되며, 수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력이 1.1N 이상으로 커진다. 이것에 의해, 일반적으로는 보이드가 발생하기 쉽지만, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 조건 (I)을 충족시키기 때문에, 회로 기판과 수지 조성물층 사이에 보이드가 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 택력이 지나치게 커지면 보이드의 발생을 억제할 수 없지만, 수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력을 1.5N 이하로 함으로써, 보이드의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.

수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력으로서는, 1.1N 이상이며, 바람직하게는 1.15N 이상, 보다 바람직하게는 1.2N 이상이다. 상한값은, 1.5N 이하이며, 바람직하게는 1.45N 이하, 보다 바람직하게는 1.4N 이하이다. 80℃에서의 택력은, 프로브택테스터를 사용하여 측정할 수 있다. 프로브택테스터의 구체예로서는, 테스터산교사 제조의「TE-6002」를 들 수 있다. 80℃에서의 택력은, 예를 들면, 프로브택테스터를 사용하여 직경 5㎜의 글래스프로브로 하중 1kgf/㎠, 접촉 속도 0.5㎜/초, 인장 속도 0.5㎜/초, 유지 시간 10초의 측정 조건으로 측정할 수 있다.

수지 조성물층의 최저 용융 점도로서는, 바람직하게는 2,000poise 이하, 보다 바람직하게는 1,500poise 이하, 더욱 바람직하게는 1,000poise 이하이다. 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 10poise 이상 등으로 할 수 있다. 여기서, 용어「최저 용융 점도」는 60 내지 200℃에서의 최저 용융 점도를 가리킨다. 최저 용융 점도는, 동적 점탄성 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다. 동적 점탄성 측정 장치의 구체예로서는, 유·비·엠사 제조의「Rheosol-G3000」을 들 수 있다. 최저 용융 점도는, 예를 들면, 동적 점탄성 측정 장치를 사용하여, 시료 1g에 관해서, 직경 18㎜의 패러렐 플레이트를 사용하여, 개시 온도 60℃로부터 200℃까지를 승온 속도 5℃/분으로 승온시키고, 측정 온도 간격 2.5℃, 진동수 1Hz, 휘어짐 1deg의 측정 조건으로 측정할 수 있다.

수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력을 1.1N 이상 1.5N 이하로 조정하는 방법으로서는, 예를 들면, 액상 에폭시 수지 및 고체상 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물로 수지 조성물층을 형성하는 방법; 지지체 부착 접착 시트를 제작함에 있어서, 수지 조성물을 용제에 용해한 수지 바니쉬를 지지체 위에 도포한 후의 건조 조건을 조정하는 방법 등을 들 수 있다.

<수지 조성물층>

수지 조성물층은, 수지 조성물로 형성된 층이기 때문에 수지 조성물을 함유한다. 수지 조성물이 함유하는 성분으로서는, 예를 들면, 열경화성 수지를 들 수 있다. 열경화성 수지로서는, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용되는 임의의 열경화성 수지를 사용할 수 있으며, 이 중에서도 에폭시 수지 및 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 따라서, 일 실시 형태에 있어서, 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지 및 (B) 경화제를 함유한다. 수지 조성물은, 필요에 따라, 추가로 (C) 무기 충전재, (D) 열가소성 수지, (E) 경화 촉진제, (F) 난연제 및 (G) 기타 첨가제를 함유하고 있어도 좋다. 이하, 본 발명의 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 관해서 상세하게 설명한다.

-(A) 에폭시 수지-

(A) 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하,「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하,「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다)가 있다. 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 함유하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 함유하고 있어도 좋지만, 조건 (II)를 충족시키는 수지 조성물층을 형성하는 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 함유하는 것이 바람직하다. 고체상 에폭시 수지는, 온도 20℃에서 결정상인 결정성 에폭시 수지를 함유하는 개념이다. 수지 조성물이 고체상 에폭시 수지로서 결정성 에폭시 수지를 함유하는 경우, 수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력을 소정의 범위 내로 하는 관점에서, 결정성 에폭시 수지에 더하여, 그 이외의 고체상 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하며, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의「HP4032」,「HP4032D」,「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「828US」,「jER828EL」,「825」,「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「jER807」,「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「630」,「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세켐텍스사 제조의「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「세록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ZX1658」,「ZX1658GS」(사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하며, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하며, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의「HP-4700」,「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의「HP-7200」,「HP-7200HH」,「HP-7200H」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의「EXA-7311」,「EXA-7311-G3」,「EXA-7311-G4」,「EXA-7311-G4S」,「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼가야쿠사 제조의「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼가야쿠사 제조의「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼가야쿠사 제조의「NC3000H」,「NC3000」,「NC3000L」,「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YX4000H」,「YX4000」,「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카가스케미칼사 제조의「PG-100」,「CG-500」; 미쯔비시케미칼사 제조의「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(A) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 이들의 양비(고체상 에폭시 수지:액상 에폭시 수지)는, 질량비로, 바람직하게는 1:0.3 내지 1:10, 보다 바람직하게는 1:0.35 내지 1:5, 특히 바람직하게는 1:0.4 내지 1:3이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비가 이러한 범위에 있음으로써, 수지 조성물층이 조건 (II)를 충족시키기 쉬워지고, 따라서, 부품 매립성이 양호해진다.

(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 50 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80 내지 2,000g/eq., 보다 더 바람직하게는 110 내지 1,000g/eq.이다. 이러한 범위가 됨으로써, 수지 조성물층의 경화물의 가교 밀도가 충분해져, 표면 거칠기가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 함유하는 수지의 질량이다. 이 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.

(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다.

수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.

(A) 에폭시 수지의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 특히 바람직하게는 20질량% 이하이다. 또한, 본 발명에 있어서, 수지 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 별도 명시가 없는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때의 값이다.

-(B) 경화제-

(B) 경화제는 통상, (A) 에폭시 수지와 반응하여 수지 조성물을 경화시키는 기능을 가진다.

(B) 경화제로서는, 예를 들면, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 카르보디이미드계 경화제, 아민계 경화제, 산 무수물계 경화제 등을 들 수 있다. (B) 경화제로서는, 활성 에스테르계 경화제, 페놀계 경화제가 바람직하다. (B) 경화제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 병용해도 좋다.

활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 이 중에서도, 활성 에스테르계 경화제로서는, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 상기 활성 에스테르계 경화제는, 카르복실산 화합물 및/또는 티오카르복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카르복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하며, 카르복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다.

카르복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플루오로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.

활성 에스테르계 경화제의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 함유하는 활성 에스테르계 경화제, 나프탈렌 구조를 함유하는 활성 에스테르계 경화제, 페놀노볼락의 아세틸화물을 함유하는 활성 에스테르계 경화제, 페놀노볼락의 벤조일화물을 함유하는 활성 에스테르계 경화제를 들 수 있다. 이 중에서도, 나프탈렌 구조를 함유하는 활성 에스테르계 경화제, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 함유하는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어지는 2가의 구조 단위를 나타낸다.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 함유하는 활성 에스테르계 경화제로서,「EXB9451」,「EXB9460」,「ESB9460S」,「HPC-8000-65T」,「HPC-8000H-65TM」,「EXB-8000L-65TM」,「EXB-8150-65T」,「EXB-8500-65T」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 함유하는 활성 에스테르계 경화제로서「EXB9416-70BK」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 함유하는 활성 에스테르계 경화제로서「DC808」(미쯔비시케미칼사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 함유하는 활성 에스테르계 경화제로서「YLH1026」(미쯔비시케미칼사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서「DC808」(미쯔비시케미칼사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서「YLH1026」(미쯔비시케미칼사 제조),「YLH1030」(미쯔비시케미칼사 제조),「YLH1048」(미즈비시케미칼사 제조) 등을 들 수 있다.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하며, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와가세이사 제조의「MEH-7700」,「MEH-7810」,「MEH-7851」; 니혼가야쿠사 제조의「NHN」,「CBN」,「GPH」; 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「SN170」,「SN180」,「SN190」,「SN475」,「SN485」,「SN495」,「SN-495V」,「SN375」; DIC사 제조의「TD-2090」,「LA-7052」,「LA-7054」,「LA-1356」,「LA-3018-50P」,「EXB-9500」 등을 들 수 있다.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와코훈시사 제조의「HFB2006M」, 시코쿠가세이고교사 제조의「P-d」,「F-a」를 들 수 있다.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐렌프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자재팬사 제조의「PT30」및「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지),「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지),「BA230」,「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다.

카르보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛세이보케미칼사 제조의「V-03」,「V-07」등을 들 수 있다.

아민계 경화제로서는, 1분자 내 중에 1개 이상의 아미노기를 갖는 경화제를 들 수 있으며, 예를 들면, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 나타내는 관점에서, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 경화제는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하며, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 경화제의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 디페닐디아미노설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아미노, m-크실리렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. 아민계 경화제는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 니혼가야쿠사 제조의「KAYABOND C-200S」,「KAYABOND C-100」,「카야하드 A-A」,「카야하드 A-B」,「카야하드 A-S」, 미쯔비시케미칼사 제조의「에피큐어 W」등을 들 수 있다.

산 무수물계 경화제로서는, 1분자 내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제를 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 비페놀테트라카르복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카르복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 중합체형의 산 무수물 등을 들 수 있다.

상기한 것 중에서도, (B) 경화제로서는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 페놀계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하며, 활성 에스테르계 경화제 또는 페놀계 경화제인 것이 보다 바람직하다.

(A) 에폭시 수지와 (B) 경화제의 양비는, [(A) 성분의 에폭시기의 합계수]:[(B) 성분의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.01 내지 1:3의 범위가 바람직하며, 1:0.05 내지 1:2가 보다 바람직하며, 1:0.1 내지 1:1이 더욱 바람직하다. 여기서, 「(A) 성분의 에폭시기의 합계수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. 또한,「(B) 성분의 반응기의 합계수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (B) 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. (A) 에폭시 수지와 (B) 경화제의 양비를 이러한 범위 내로 함으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있으며, 또한 통상적으로는, 수지 조성물층의 경화물의 내열성이 보다 향상된다.

(B) 경화제의 함유량은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이며, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다.

-(C) 무기 충전재-

무기 충전재의 재료의 예로서는, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 클레이, 운모 분말, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카가 특히 바람직하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는, 구상 실리카가 바람직하다. (C) 무기 충전재는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(C) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 신닛테츠스미킨마테리알즈사 제조의「SP60-05」,「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의「YC100C」,「YA050C」,「YA050C-MJE」,「YA010C」; 덴카사 제조의「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의「실필NSS-3N」,「실필NSS-4N」,「실필NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의「SC2500SQ」,「SO-C4」,「SO-C2」,「SO-C1」 등을 들 수 있다.

(C) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이며, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이하이다.

(C) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 이의 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100㎎, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병으로 칭량하여 담고, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 프로셀 방식으로 (C) 무기 충전재의 체적 기준 입자 직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자 직경 분포로부터 메디안 직경으로서 평균 입자 직경을 산출하였다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들면 호리바세사쿠쇼사 제조「LA-960」등을 들 수 있다.

(C) 무기 충전재의 비표면적은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 3㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 5㎡/g 이상이다. 상한에 특별한 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은, BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻어진다.

(C) 무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 불소 함유 실란커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란커플링제), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량부는, 0.2 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하며, 0.2 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하며, 0.3 내지 2질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02㎎/㎡ 이상이 바람직하며, 0.1㎎/㎡ 이상이 보다 바람직하며, 0.2㎎/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니쉬의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1㎎/㎡ 이하가 바람직하며, 0.8㎎/㎡ 이하가 보다 바람직하며, 0.5㎎/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.

무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바세사쿠쇼사 제조「EMIA-320V」등을 사용할 수 있다.

(C) 무기 충전재의 함유량은, 택력을 저하시키는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 70질량% 이상, 보다 바람직하게는 71질량% 이상, 더욱 바람직하게는 72질량% 이상이며, 부품 매립성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 85질량% 이하, 더욱 바람직하게는 80질량% 이하이다.

-(D) 열가소성 수지-

(D) 성분으로서의 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 및 표면 거칠기가 작고 도체층과의 밀착성이 특히 우수한 절연층을 얻는 관점에서, 페녹시 수지가 바람직하다. 또한, (D) 열가소성 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세트페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종류 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다.

페녹시 수지의 구체예로서는, 미쯔비시케미칼사 제조의「1256」및「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YX6954」(비스페놀아세트페논 골격 함유 페녹시 수지); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「FX280」및「FX293」; 미쯔비시케미칼사 제조의「YL7500BH30」,「YX6954BH30」,「YX7553」,「YX7553BH30」,「YL7769BH30」,「YL6794」,「YL7213」,「YL7290」및「YL7482」,「YL7482BH30」 등을 들 수 있다.

폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들면, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있으며, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키가가쿠고교사 제조의「덴카부티랄 4000-2」,「덴카부티랄 5000-A」,「덴카부티랄 6000-C」,「덴카부티랄 6000-EP」; 세키스이가가쿠고교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들면 BX-5Z), KS 시리즈(예를 들면 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신니혼리카사 제조의「리카코트 SN20」및「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보세키사 제조의「바이로맥스 HR11NN」및「바이로맥스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치가세이사 제조의「KS9100」,「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모가가쿠사 제조의「PES5003P」등을 들 수 있다.

폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, 미쯔비시가스가가쿠사 제조의 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지「OPE-2St 1200」등을 들 수 있다.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이어드밴스트폴리머즈사 제조의 폴리설폰「P1700」,「P9500」등을 들 수 있다.

(D) 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 8,000 이상, 보다 바람직하게는 10,000 이상, 특히 바람직하게는 20,000 이상이며, 바람직하게는 70,000 이하, 보다 바람직하게는 60,000 이하, 특히 바람직하게는 50,000 이하이다.

(D) 열가소성 수지의 함유량은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이며, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하이다.

-(E) 경화 촉진제-

경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하며, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있으며, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있으며, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있으며, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 미쯔비시케미칼사 제조의「P200-H50」등을 들 수 있다.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5-7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있으며, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.4]-데카-5-엔이 바람직하다.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다.

(E) 경화 촉진제의 함유량은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.02질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.03질량% 이상이며, 바람직하게는 0.3질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.2질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이하이다.

-(F) 난연제-

일 실시 형태에 있어서, 수지 조성물은, (F) 난연제를 함유할 수 있다. 난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.

난연제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 산코사 제조의「HCA-HQ」, 다이하치가가쿠고교사 제조의「PX-200」등을 들 수 있다. 난연제로서는 가수 분해하기 어려운 것이 바람직하며, 예를 들면, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드 등이 바람직하다.

(F) 난연제의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1질량% 이상이며, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하이다.

-(G) 기타 첨가제-

수지 조성물은, 상기한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 추가로 기타 첨가제를 함유하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 유기 충전재; 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다. 이들 첨가제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

수지 조성물층의 두께는, 부품 매립성 향상의 관점에서, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 15㎛ 이상이다. 택력을 억제한다는 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 40㎛ 이하, 30㎛ 이하이다. 적합한 일 실시 형태에 있어서, 수지 조성물층의 두께는 10 내지 40㎛의 범위이다.

<지지체>

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있으며, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박이 바람직하다.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어지는 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하,「PET」라고 약칭하는 경우가 있다), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하,「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있다) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하,「PC」라고 약칭하는 경우가 있다) 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하며, 염가의 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있으며, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어지는 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어지는 박을 사용해도 좋다.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리가 가해져 있어도 좋다.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의「SK-1」,「AL-5」,「AL-7」, 토레사 제조의「루미라 T60」, 테이진사 제조의「퓨렉스」, 유니티카사 제조의「유니필」등을 들 수 있다.

지지체의 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 75㎛의 범위가 바람직하며, 10 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 적합한 일 실시 형태에 있어서, 지지체의 두께는, 20 내지 50㎛의 범위이다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.

수지 조성물층과 접합하지 않는 지지체 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 바람직하게는 150㎚ 이상, 보다 바람직하게는 200㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 250㎚ 이상이다. 상한값은, 바람직하게는 2,000㎚ 이하, 보다 바람직하게는 1,500㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 1,200㎚ 이하이다. 산술 평균 거칠기는, 수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)에서 설명한 것과 동일한 방법으로 측정하는 것이 가능하다.

<보호 필름>

보호 필름에 의하면, 수지 조성물층의 제2 면을 물리적 데미지로부터 지키고, 또한 먼지 등의 이물 부착을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는, 상기 조건 (I)을 충족시키는 수지 조성물층을 형성하기 위해, 보호 필름의 제1 면의 산술 평균 거칠기가 특정한 범위에 있는 보호 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 수지 조성물층에 보호 필름의 제1 면의 표면 요철을 전사함으로써, 수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기가 조건 (I)을 충족시키도록 조정하는 것이 바람직하다.

수지 조성물층과 접합하는 보호 필름의 표면, 즉, 보호 필름의 제1 면의 산술 평균 거칠기는, 바람직하게는 150㎚ 이상, 보다 바람직하게는 200㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 250㎚ 이상이다. 상한값은, 바람직하게는 2,000㎚ 이하, 보다 바람직하게는 1,500㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 1,200㎚ 이하이다. 산술 평균 거칠기는, 수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra)에서 설명한 것과 동일한 방법으로 측정하는 것이 가능하다.

보호 필름으로서 플라스틱 재료로 이루어지는 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 지지체에 관해서 설명한 것과 같은 재료를 사용할 수 있다. 또한, 보호 필름으로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 지지체에 관해서 설명한 것과 같은 금속박을 사용할 수 있다.

보호 필름의 시판품으로서는, 예를 들면, 오시에프텍스사 제조의「MA430」,「MA411」(이축 연신 폴리프로필렌 필름) 등을 들 수 있다.

보호 필름의 두께는, 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상이다. 보호 필름의 두께의 상한은, 바람직하게는 75㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하이다. 적합한 일 실시 형태에 있어서, 보호 필름의 두께는 10 내지 30㎛의 범위이다. 또한, 이형층 부착 보호 필름을 사용하는 경우, 이형층 부착 보호 필름의 전체 두께가 상기 범위에 있는 것이 적합하다.

<지지체 부착 접착 시트의 제조방법>

본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 예를 들면, 하기 공정 (i)을 포함하는 제조방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 지지체 부착 접착 시트는, 하기 공정 (ii)를 추가로 포함하고 있어도 좋다.

(i) 지지체와 접합하도록 수지 조성물층을 제공하는 공정

(ii) 수지 조성물층의 제1 면과 접합하도록 보호 필름을 제공하는 공정

공정 (i)에 있어서, 수지 조성물층은, 공지의 방법으로 수지 조성물층의 제2 면과 지지체를 접합하도록 제공할 수 있다. 예를 들면, 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이 코터 등의 도포 장치를 사용하여 지지체 표면에 도포하고, 수지 바니쉬를 건조시켜 수지 조성물층을 제공할 수 있다.

수지 바니쉬의 조제에 사용하는 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 사이클로헥산온 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

수지 바니쉬의 건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 건조 방법에 의해 실시하면 좋다. 상기 조건 (II)를 충족시키는 관점에서 수지 조성물층 중의 잔류 용제량이 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니쉬 중의 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30 내지 60질량%의 용제를 함유하는 수지 바니쉬를 사용하는 경우, 50 내지 150℃에서 3 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 제공할 수 있다.

공정 (ii)에 있어서, 수지 조성물층의 제1 면과 접합하도록 보호 필름을 제공한다.

공정 (ii)는, 롤이나 프레스 압착 등으로 보호 필름의 제1 면을 수지 조성물층에 라미네이트 처리함으로써 실시하면 좋다. 라미네이트 처리의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 후술하는 프린트 배선판의 제조방법에 관해서 설명하는 조건과 같이 하면 좋다.

상기 지지체 부착 접착 시트의 제조방법은, 롤상으로 권취된 지지체로부터 지지체를 연속적으로 반송(搬送)하고, 수지 바니쉬의 도포 및 건조에 의해 지지체 위에 수지 조성물층을 형성한 후, 수지 조성물층과 접합하도록 보호 필름(롤상으로 권취된 보호 필름을 이용할 수 있다)을 제공함으로써, 연속적으로 실시할 수 있다.

얻어진 지지체 부착 접착 시트를 롤상으로 권취함으로써, 롤상 지지체 부착 접착 시트를 제조할 수 있다.

<지지체 부착 접착 시트의 용도>

본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 보이드의 발생을 억제할 수 있으며, 또한, 부품 매립성도 양호하다. 따라서, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 진공 라미네이트 장치를 사용하여 절연층을 형성하기 위해 사용되는 지지체 부착 접착 시트로서 적합하게 사용할 수 있다. 이 때, 진공 라미네이트 장치에서의 진공도는, 바람직하게는 0.01hPa 이상, 보다 바람직하게는 0.1hPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.3hPa 이상이며, 바람직하게는 4hPa 이하, 보다 바람직하게는 3hPa 이하, 더욱 바람직하게는 1hPa 이하이다. 본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 전자 부품을 매립하기 위한 절연층을 형성하기 위해 사용되는 지지체 부착 접착 시트로서도 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 전자 부품이 내장되어 있는 부품 내장 회로 기판에서 전자 부품을 매립하기 위한 절연층을 형성하기 위해 사용되는 지지체 부착 접착 시트나, 전자 부품을 봉지하기 위한 절연층을 형성하기 위해 사용되는 지지체 부착 접착 시트로서도 적합하게 사용할 수 있다. 전자 부품으로서는, 예를 들면, 콘덴서, 인덕터, 저항 등의 수동 부품, 반도체 칩 등의 능동 부품을 들 수 있다.

또한, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 회로 기판 위에 절연층을 형성하기 위해 사용되는 지지체 부착 접착 시트로서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 다층 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위해 사용되는 지지체 부착 접착 시트, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위해 사용되는 지지체 부착 접착 시트로서 적합하게 사용할 수 있다.

[회로 기판]

본 발명의 회로 기판은, 본 발명의 지지체 부착 수지 시트의 수지 조성물층의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함한다. 본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 회로 기판의 제조에 적합하게 사용된다. 특히, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트는, 수지 조성물층을 회로 기판 등에 라미네이트할 때에 보이드의 발생을 억제할 수 있고, 또한, 부품 매립성도 양호하기 때문에, 부품 내장 회로 기판의 제조에 적합하게 사용된다.

<부품 내장 회로 기판의 제조방법>

본 발명의 부품 내장 회로 기판의 제조방법은,

(1) 제1 및 제2 주면을 가지며, 상기 제1 및 제2 주면 사이를 관통하는 캐비티가 형성된 회로 기판과, 상기 회로 기판의 제2 주면과 접합하고 있는 가부착 재료와, 상기 회로 기판의 캐비티의 내부에서 상기 가부착 재료에 의해 가부착된 전자 부품을 포함하는, 전자 부품이 가부착된 회로 기판에, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트를, 상기 수지 조성물층의 제2 면이 회로 기판의 제1 주면과 접합하도록, 진공 라미네이트 장치를 사용하여 적층하는 적층 공정과,

(2) 회로 기판의 제2 주면으로부터 가부착 재료를 박리하는 박리 공정을 이러한 순서로 포함한다.

각 공정의 설명에 앞서, 본 발명의 지지체 부착 접착 시트를 사용하는「전자 부품이 가부착된 회로 기판」에 관해서 설명한다.

-전자 부품이 가부착된 회로 기판-

전자 부품이 가부착된 회로 기판(이하,「전자 부품 가부착 회로 기판」,「캐비티 기판」이라고도 한다)은, 제1 및 제2 주면을 가지며, 상기 제1 및 제2 주면 사이를 관통하는 캐비티가 형성된 회로 기판과, 상기 회로 기판의 제2 주면과 접합하고 있는 가부착 재료와, 상기 회로 기판의 캐비티의 내부에서 상기 가부착 재료에 의해 가부착된 전자 부품을 포함한다.

전자 부품 가부착 회로 기판은, 부품 내장 회로 기판의 제조시에, 종래 공지의 임의의 수순에 따라 준비할 수 있다. 이하, 도 3 내지 도 6을 참조하여, 전자 부품 가부착 회로 기판을 준비하는 수순의 일례를 설명하지만, 하기 수순으로 한정되는 것은 아니다.

우선, 도 3에 일례를 도시하는 바와 같이 회로 기판(10)을 준비한다. 「회로 기판」이란, 제1 및 제2 주면을 가지며, 상기 제1 및 제2 주면의 한쪽 또는 양쪽에 패턴 가공된 회로 배선을 갖는 판상의 기판을 말한다. 제1 주면 및 제2 주면은 서로 반대측에 있다. 도 3에 있어서는, 회로 기판(10)의 단면을 모식적으로 도시하고 있으며, 회로 기판(10)은, 기판(20)과, 비아 배선, 표면 배선 등의 회로 배선(30)을 포함한다. 이하의 설명에 있어서는, 편의적으로, 회로 기판의 제1 주면이란, 도시하는 회로 기판의 상측 주면을 나타내고, 회로 기판의 제2 주면이란, 도시하는 회로 기판의 하측 주면을 나타내는 것으로 한다.

기판(20)으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있으며, 유리 에폭시 기판이 바람직하다. 또한 프린트 배선판을 제조할 때에, 절연층 및/또는 도체층이 추가로 형성되어야 하는 중간 제조물의 내층 회로 기판도 본 발명에서 말하는「회로 기판」에 포함된다.

기판(20)의 두께는, 부품 내장 회로 기판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 400㎛ 미만, 보다 바람직하게는 350㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 300㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 250㎛ 이하, 특히 바람직하게는 200㎛ 이하, 180㎛ 이하, 170㎛ 이하, 160㎛ 이하, 또는 150㎛ 이하이다. 기판(20)의 두께의 하한은, 반송시의 취급성 향상의 관점에서, 바람직하게는 50㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이상이다.

회로 배선(30)의 치수는, 원하는 특성에 따라 결정하면 좋다. 예를 들면, 표면 배선의 두께는, 부품 내장 회로 기판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 40㎛ 이하, 보다 바람직하게는 35㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 30㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 25㎛ 이하, 특히 바람직하게는 20㎛ 이하, 19㎛ 이하, 또는 18㎛ 이하이다. 표면 배선의 두께의 하한은, 통상, 1㎛ 이상, 3㎛ 이상, 5㎛ 이상 등이다.

도 4에 일례를 도시하는 바와 같이 전자 부품을 수용하기 위한 캐비티(오목부)를 회로 기판에 제공한다. 도 4에 모식적으로 도시하는 바와 같이, 기판(20)의 소정의 위치에, 회로 기판의 제1 및 제2 주면 사이를 관통하는 캐비티(20a)를 제공한다. 캐비티(20a)는, 기판(20)의 특성을 고려하여, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마, 에칭 매체 등을 사용하는 공지의 방법에 의해 형성할 수 있다.

도 4에는, 1개의 캐비티(20a)만을 도시하고 있지만, 캐비티(20a)는, 서로 소정의 간격을 두고 복수로 제공할 수 있다. 캐비티(20a) 간의 피치는, 캐비티(20a) 자체의 개구 치수에도 따르지만, 부품 내장 회로 기판의 소형화의 관점에서, 바람직하게는 10㎜ 이하, 보다 바람직하게는 9㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 8㎜ 이하, 보다 더 바람직하게는 7㎜ 이하, 특히 바람직하게는 6㎜ 이하이다. 하한은, 통상, 1㎜ 이상, 2㎜ 이상 등이다. 캐비티(20a) 간의 각 피치는, 회로 기판에 걸쳐 동일할 필요는 없으며, 상이해도 좋다.

캐비티(20a)의 개구 형상은 특별히 제한되지 않으며, 직사각형, 원형, 대략 직사각형, 대략 원형 등의 임의의 형상으로 하면 좋다. 캐비티(20a)의 개구 형상 및 개수 치수는, 회로 기판에 걸쳐 동일할 필요는 없으며, 상이해도 좋다.

도 5에 일례를 도시하는 바와 같이, 캐비티(20a)를 제공한 회로 기판(10)의 제2 주면에 가부착 재료(40)를 적층한다. 가부착 재료(40)로서는, 전자 부품을 가부착하기에 충분한 점착성을 나타내는 점착면을 갖는 한 특별히 제한되지 않으며, 부품 내장 회로 기판의 제조시에 종래 공지의 임의의 가부착 재료를 사용하면 좋다. 도 5에 모식적으로 도시하는 양태에서는, 필름상의 가부착 재료(40)를, 상기 가부착 재료(40)의 점착면이 회로 기판의 제2 주면과 접합하도록 적층하고 있다. 이것에 의해, 캐비티(20a)를 개재하여 가부착 재료(40)의 점착면이 노출되게 된다.

필름상 가부착 재료로서는, 예를 들면, 아리사와세사쿠쇼사 제조의「PFDKE-1525TT」(점착제 부착 폴리이미드 필름), 후루카와덴키고교사 제조의 UC 시리즈(웨이퍼 다이싱용 UV 테이프) 등을 들 수 있다.

도 6에 일례를 도시하는 바와 같이, 캐비티(20a)를 개재하여 노출된 가부착 재료(40)의 점착면에 전자 부품(50)을 가부착하고, 전자 부품이 가부착된 회로 기판(10A)을 제작한다. 도 6에 모식적으로 도시하는 양태에서는, 캐비티(20a)를 개재하여 노출된 가부착 재료(40)의 점착면에 전자 부품(50)을 가부착하고 있다.

전자 부품(50)으로서는, 원하는 특성에 따라 적절한 전기 부품을 선택하면 좋으며, 예를 들면, 콘덴서, 인덕터, 저항 등의 수동 부품, 반도체 칩 등의 능동 부품을 들 수 있다. 모든 캐비티에 동일한 전자 부품(50)을 사용해도 좋고, 캐비티별로 상이한 전자 부품(50)을 사용해도 좋다.

-(1) 공정-

(1) 공정에서는, 도 7에 일례를 도시하는 바와 같이, 전자 부품이 가부착된 회로 기판(10A)에 본 발명의 지지체 부착 접착 시트(1)를 적층한다. 상세하게는, 전자 부품이 가부착된 회로 기판(10A)에, 지지체 부착 접착 시트(1)를, 수지 조성물층(2)이 회로 기판(10A)의 제1 주면과 접합하도록 진공 라미네이트 장치를 사용하여 적층한다. 여기서, 지지체 부착 접착 시트(1)가 도시되지 않은 보호 필름을 구비하는 구성인 경우, 보호 필름을 박리한 후, 회로 기판에 대한 적층을 행한다.

진공 라미네이트 장치를 사용한, 지지체 부착 접착 시트(1)의 전자 부품 가부착 회로 기판(10A)에 대한 적층은, 예를 들면, 감압 조건하, 지지체(3)측으로부터, 지지체 부착 접착 시트(1)를 전자 부품 가부착 회로 기판(10A)에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 지지체 부착 접착 시트(1)를 전자 부품 가부착 회로 기판(10A)에 가열 압착하는 부재(도시하지 않음; 이하,「가열 압착 부재」라고도 한다)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 지지체 부착 접착 시트(1)에 직접 프레스하지 않고, 전자 부품 가부착 회로 기판(10A)의 회로 배선(30)이나 캐비티(20a)에 기인하는 요철에 지지체 부착 접착 시트(1)가 충분히 추수하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.

가열 압착 온도는, 바람직하게는 80 내지 160℃, 보다 바람직하게는 100 내지 140℃의 범위이며, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29 내지 1.47MPa의 범위이며, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30 내지 300초간의 범위이다. 진공 라미네이트 장치의 진공도는, 바람직하게는 0.01hPa 이상, 보다 바람직하게는 0.1hPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.3hPa 이상이며, 바람직하게는 4hPa 이하, 보다 바람직하게는 3hPa 이하, 더욱 바람직하게는 1hPa 이하이다.

진공 라미네이트 장치는, 시판 진공 라미네이트 장치를 사용함으로써 행할 수 있다. 시판 진공 라미네이터 장치로서는, 예를 들면, 메이키세사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코·마테리알즈사 제조의 배큠 어플리케이터, 닛코·마테리알즈사 제조의 2스테이지 빌드업 라미네이터「CVP700」등을 들 수 있다.

(1) 공정 후, 지지체 부착 접착 시트(1)를 적층한 회로 기판을 가열 처리하는 가열 처리 공정을 행해도 좋다. 상기 공정에 있어서의 가열 온도는, 바람직하게는 155℃ 이하, 보다 바람직하게는 150℃ 이하, 더욱 바람직하게는 145℃ 이하, 보다 더 바람직하게는 140℃ 이하이다. 가열 온도의 하한은, 바람직하게는 110℃ 이상, 보다 바람직하게는 115℃ 이상, 더욱 바람직하게는 120℃ 이상, 보다 더 바람직하게는 125℃ 이상이다.

가열 처리 공정에 있어서의 가열 시간은, 가열 온도에도 따르지만, 바람직하게는 10분간 이상, 보다 바람직하게는 15분간 이상, 더욱 바람직하게는 20분간 이상이다. 가열 시간의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 통상, 60분간 이하로 할 수 있다.

가열 처리 공정에서의 지지체 부착 접착 시트(1)의 가열 처리는, 대기압하(상압하)에서 행하는 것이 바람직하다.

가열 처리 공정에서의 지지체 부착 접착 시트(1)의 가열 처리는, 지지체(3)를 박리하기 전에 실시해도 좋고, 지지체(3)를 박리한 후에 실시해도 좋다.

또한, (1) 공정 후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체(3)측으로부터 프레스함으로써, 적층된 지지체 부착 접착 시트(1)의 평활화 처리를 행하는 평활화 공정을 행하는 것이 바람직하다. 평활화 공정의 프레스 조건은, 상기 진공 라미네이트 장치를 사용한 적층의 가열 압착 조건과 같은 조건으로 할 수 있다.

(1) 공정을 거친 후, 도 8에 일례를 도시하는 바와 같이, 수지 조성물층(2)은 캐비티(20a) 내에 충전되고, 캐비티(20a) 내에 가부착되어 있던 전자 부품(50)은 수지 조성물층(2)에 매립된다.

-(2) 공정-

(2) 공정은, 도 9에 일례를 도시하는 바와 같이, 회로 기판의 제2 주면으로부터 가부착 재료(40)를 박리하여, 회로 기판의 제2 주면을 노출시킨다.

가부착 재료(40)의 박리는, 가부착 재료(40)의 종류에 따라, 종래 공지의 방법에 따라 행하면 좋다. 예를 들면, 가부착 재료(40)로서, 아리사와세사쿠쇼사 제조의「PFDKE-1525TT」(점착제 부착 폴리이미드 필름)를 사용하는 경우, 실온까지 냉각시킴으로써 가부착 재료(40)를 박리할 수 있다. 또한, 후루카와덴키고교사 제조의 UC 시리즈 등의 웨이퍼 다이싱용 UV 테이프를 사용하는 경우, 가부착 재료(40)를 UV 조사한 후, 가부착 재료(40)를 박리할 수 있다. UV 조사량 등의 조건은, 부품 내장 회로 기판의 제조시에 통상 채용되는 공지의 조건으로 할 수 있다.

-기타 공정-

본 발명의 부품 내장 회로 기판을 제조할 때에는, (3) 수지 조성물층을 열경화시켜 절연층을 형성하는 공정, (4) 절연층에 구멍을 뚫는 공정, (5) 절연층의 표면을 조화(粗化) 처리하는 공정, (6) 조화된 절연층 표면에 도체층을 형성하는 공정을 추가로 포함해도 좋다. 또한, (1) 공정 후, (2) 공정을 행하기 전에 (3) 공정을 행해도 좋고, (2) 공정 후, 회로 기판의 제2 주면에, 지지체 부착 접착 시트를 적층하는 공정을 추가로 포함하고 있어도 좋다.

(3) 공정에서의 수지 조성물층을 열경화시키는 조건은, 수지 조성물층에 사용하는 수지 조성물의 조성 등에 따라서도 상이하지만, 경화 온도는 120 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150 내지 210℃의 범위, 보다 바람직하게는 170 내지 190℃의 범위), 경화 시간은 5 내지 90분간의 범위(바람직하게는 10 내지 75분간, 보다 바람직하게는 15 내지 60분간)로 할 수 있다.

열경화시키기 전에, 지지체 부착 접착 시트(1)를 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들면, 열경화에 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 지지체 부착 접착 시트(1)를 5분간 이상(바람직하게는 5 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다. 예비 가열을 행하는 경우, 이러한 예비 가열도 경화 공정에 포함되는 것으로 한다.

(4) 공정은, 절연층에 구멍을 뚫는 공정이며, 이것에 의해 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. (4) 공정은, 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시하면 좋다. 홀의 치수나 형상은, 부품 내장 회로 기판의 디자인에 따라 적절히 결정하면 좋다.

(5) 공정은, 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 통상, 이 (5) 공정에서 스미어의 제거도 행해진다. 조화 처리의 수순, 조건은 특별히 한정되지 않으며, 부품 내장 회로 기판의 절연층을 형성할 때에 통상 사용되는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 절연층의 조화 처리는, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다. 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면 활성제 용액 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 알칼리 용액이며, 상기 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 스웰링·딥·세큐리간스 P, 스웰링·딥·세큐리간스 SBU 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1 내지 20분간 침지함으로서 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5초간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다. 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 에를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10 내지 30분간 침지시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에 있어서의 과망간산염의 농도는 5 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 에를 들면, 아토텍재팬사 제조의 콘센트레이트·콤팩트 P, 도징솔류션·세큐리간스 P 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 중화액으로서는, 산성 수용액이 바람직하며, 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 리덕션솔류션·세큐리간트 P를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30 내지 80℃의 중화액에 5 내지 30분간 침지시킴으로서 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 대상물을, 40 내지 70℃의 중화액에 5 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.

(6) 공정은, 조화된 절연층 표면에 도체층(회로 배선)을 형성하는 공정이다.

도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시 형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들면, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 이 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금층이 바람직하며, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하며, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다.

도체층은, 단층 구조라도, 상이한 종류의 금속 또는 합금으로 이루어지는 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층한 복수 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.

도체층의 두께는, 원하는 부품 내장 회로 기판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3 내지 35㎛, 바람직하게는 5 내지 30㎛이다.

일 실시 형태에 있어서, 도체층은 도금에 의해 형성하면 좋다. 예를 들면, 세미어디티브법, 풀어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있으며, 제조의 간편성의 관점에서, 세미어디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 이하, 도체층을 세미어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다.

우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하고, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.

[반도체 장치]

본 발명의 반도체 장치는 상기 방법으로 제조된 회로 기판을 포함한다.

이러한 반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(에를 들면, 자동이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 양을 나타내는「부」는 특별히 언급하지 않는 한 질량부를 의미한다.

<조제예 1: 수지 바니쉬(조성물 1)의 조제>

비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 165g/eq., 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 10부, 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 185g/eq., 미쯔비시케미칼사 제조「YX4000HK」) 1O부, 및 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 271g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000L」) 10부를, 솔벤트나프타 30부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각시킨 후, 거기에, 페녹시 수지(미쯔비시케미칼사 제조「YX7482BH30」, 고형분 30질량%의 메틸에틸케톤(MEK) 용액) 10부, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 151, DIC사 제조「LS-3018-50P」, 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 8부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조「EXB-8500-65T」, 활성기 당량 약 223, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액) 10부, 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 2질량%의 MEK 용액) 4부, 난연제(산코사 제조「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 1㎛) 2부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교사 제조「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조「SC2050SQ」, 평균 입자 직경 0.5㎛, 비표면적 5.9㎡/g, 단위 표면적당 카본량 0.38㎎/㎡) 130부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬(조성물 1)를 조제하였다.

<조제예 2: 수지 바니쉬(조성물 2)의 조제>

조제예 1에 있어서,

1) 비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 165g/eq., 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품)의 양을 10부에서 5부로 변경하고,

2) 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 185g/eq., 미쯔비시케미칼사 제조「YX4000HK」)의 양을 10부에서 5부로 변경하고,

3) 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 271g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000L」)의 양을 10부에서 15부로 변경하고,

4) 또한, 수지 바니쉬의 재료에 사이클로헥사디메탄올형 에폭시 수지(에폭시 당량 130g/eq., 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1658GS」) 5부를 추가하였다.

이상의 사항 이외에는 조제예 1과 같이 하여 수지 바니쉬(조성물 2)를 얻었다.

<조제예 3: 수지 바니쉬(조성물 3)의 조제>

조제예 1에 있어서,

1) 비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 165g/eq., 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 10부를, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지(에폭시 당량 130g/eq., 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1658GS」) 10부로 변경하고,

2) 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 271g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000L」) 10부를, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 291g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000H」) 10부로 변경하였다.

이상의 사항 이외에는 조제예 1과 같이 하여 수지 바니쉬(조성물 3)를 얻었다.

<조제예 4: 수지 바니쉬(조성물 4)의 조제>

조제예 1에 있어서,

1) 비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 165g/eq., 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품)의 양을 10부에서 20부로 변경하고,

2) 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 271g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000L」) 10부를, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 291g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000H」) 10부로 변경하고,

3) 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 185g/eq., 미쯔비시케미칼사 제조「YX4000HK」) 10부를 사용하지 않았다.

이상의 사항 이외에는 조제예 1과 같이 하여 수지 바니쉬(조성물 4)를 얻었다.

<조제예 5: 수지 바니쉬(조성물 5)의 조제)

조제예 1에 있어서,

1) 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 185g/eq., 미쯔비시케미칼사 제조「YX4000HK」)의 양을 10부에서 15부로 변경하고,

2) 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 271g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000L」) 10부를, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 291g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000H」) 5부로 변경하였다.

이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬(조성물 5)를 얻었다.

<조제예 6: 수지 바니쉬(조성물 6)의 조제>

조제예 1에 있어서,

1) 비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 165g/eq., 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품)의 양을 10부에서 5부로 변경하고,

2) 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 271g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000L」) 10부를, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 291g/eq., 니혼가야쿠사 세조「NC3000H」) 25부로 변경하고,

3) 비크실레놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 185g/eq., 미쯔비시케미칼사 제조「YX4000HK」) 10부를 사용하지 않았다.

이상의 사항 이외에는 조제예 1과 같이 하여 수지 바니쉬(조성물 6)를 얻었다.

<조제예 7: 수지 바니쉬(조성물 7)의 조제>

조제예 1에 있어서,

1) 비스페놀형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 165g/eq., 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품)의 양을 10부에서 20부로 변경하고,

2) 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 271g/eq., 니혼가야쿠사 제조「NC3000L」) 10부를 사용하지 않았다.

이상의 사항 이외에는 조제예 1과 같이 하여 수지 바니쉬(조성물 7)를 얻었다.

조성물 1 내지 7의 조제에 사용한 성분과 그 배합량(질량부)을 하기 표에 기재하였다.

<실시예 1: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

지지체로서, 비실리콘계 이형제(린텍사 제조「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(토레사 제조「루미라 T6AM」, 두께 38㎛) 이형면에, 다이코터로 수지 바니쉬(조성물 1)를 도포하고, 80 내지 110℃(평균 100℃)에서 3분간 건조시켜, 수지 조성물층을 형성하였다. 수지 조성물층의 두께는 20㎛이었다. 이어서, 수지 조성물층과 접합하도록 보호 필름을 제공하였다. 보호 필름으로서는, 폴리프로필렌 필름(오시에프텍스사 제조「이축 연신 폴리프로필렌 필름」,「MA430」, 두께 20㎛, 산술 평균 거칠기 1,000㎚)을 사용하였다.

<실시예 2: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

실시예 1에 있어서, 보호 필름으로서, 폴리프로필렌 필름(오시에프텍스사 제조「이축 연신 폴리프로필렌 필름, 제품명: MA411」, 두께 15㎛)의 조화면(산술 평균 거칠기 250㎚)을, 수지 조성물층과 접합하도록 제공하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 지지체 부착 접착 시트를 제작하였다.

<실시예 3: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

실시예 1에 있어서, 조성물 1을 조성물 2로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 지지체 부착 접착 시트를 제작하였다.

<실시예 4: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

실시예 1에 있어서, 조성물 1을 조성물 3으로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 지지체 부착 접착 시트를 제작하였다.

<실시예 5: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

실시예 1에 있어서, 조성물 1을 조성물 4로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 지지체 부착 접착 시트를 제작하였다.

<실시예 6: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

실시예 1에 있어서, 조성물 1을 조성물 5로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 지지체 부착 접착 시트를 제작하였다.

<비교예 1: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

실시예 1에 있어서, 조성물 1을 조성물 6으로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 지지체 부착 접착 시트를 제작하였다.

<비교예 2: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

실시예 1에 있어서, 보호 필름으로서 폴리프로필렌 필름(오시에프텍스사 제조「이축 연신 폴리프로필렌 필름, 제품명: MA411」, 두께 15㎛)의 평활면(산술 평균 거칠기 50㎚)을, 수지 조성물층과 접합하도록 제공하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 지지체 부착 접착 시트를 제작하였다.

<비교예 3: 지지체 부착 접착 시트의 제작>

실시예 1에 있어서, 조성물 1을 조성물 7로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 지지체 부착 접착 시트를 제작하였다.

<수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)의 측정>

실시예 및 비교예에서 얻어진 지지체 부착 접착 시트로부터 보호 필름을 박리하였다. 보호 필름을 박리 후 15분 이내에, 수지 조성물층 표면의 산술 평균 거칠기를, 비접촉형 표면 거칠기계(비코인스트루먼트사 제조「WYKO NT3300」)를 사용하여, VSI 모드, 50배 렌즈에 의해 측정 범위를 121㎛×92㎛로 하여 얻어지는 수치에 의해 구하였다. 각 샘플에 관해서, 무작위로 선택한 10점의 평균값을 구함으로써 측정하였다.

<수지 조성물층의 최저 용융 점도의 측정>

지지체 부착 접착 시트의 수지 조성물층에 관해서, 동적 점탄성 측정 장치(유·비·엠사 제조「Rheosol-G3000」)를 사용하여 최저 용융 점도를 측정하였다. 수지 조성물층으로부터 채취한 시료 수지 조성물 1g에 관해서, 직경 18㎜의 패러렐 플레이트를 사용하여, 개시 온도 60℃로부터 200℃까지 승온 속도 5℃/분으로 승온하고, 측정 온도 간격 2.5℃, 진동수 1Hz, 뒤틀림 1deg의 측정 조건으로 동적 점탄성률을 측정하고, 최저 용융 점도(포이즈)를 측정하였다.

<수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력의 측정>

실시예 및 비교예에서 얻어진 지지체 부착 접착 시트로부터 보호 필름을 박리하고, 수지 조성물층에 관해서, 프로브택테스터(테스터산교사 제조,「TE-6002」)를 사용하여, 직경 5㎜의 글래스프로브로 하중 1kgf/㎠, 접촉 속도 0.5㎜/초, 인장 속도 0.5㎜/초, 유지 시간 10초, 온도 80℃에서의 택력을 측정하였다.

<부품 매립성의 평가>

실시예 및 비교예에서 얻어진 지지체 부착 접착 시트를 사용하여, 이하의 수순에 따라 전자 부품 가부착 회로 기판을 제작하여 매립성을 평가하였다.

(1) 전자 부품 가부착 회로 기판(캐비티 기판)의 준비

유리포 기재 BT 레진 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판 두께 0.15㎜, 미쯔비시가스가가쿠사 제조「HL832NSF LCA」) 255㎜×340㎜ 사이즈의 전면에, 0.7㎜×1.1㎜의 캐비티를 3㎜ 피치로 형성하였다. 이어서, 양면을 마이크로에칭제(멕사 제조「CZ8101」)로 1㎛ 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 행하고, 추가로 방청 처리(멕사 제조「CL8300」)를 가하고, 190℃에서 30분간 건조시켰다.

(2) 전자 부품 가부착 회로 기판의 제작

(1)에서 얻어진 기판의 편면에, 두께가 25㎛인 점착제 부착 폴리이미드 필름(폴리이미드, 두께 38㎛, 아리사와세사쿠쇼사 제조,「PFDKE-1525TT」)을 뱃치식 진공 가압 라미네이터(닛코·마테리알즈사 제조 2스테이지 빌드업 라미네이터「CVP700」)를 사용하여, 점착제가 기판과 접합하도록 배치하고, 편면에 적층하였다. 적층은 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 80℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착시킴으로써 실시하였다, 이어서, 적층 세라믹 콘덴서 부품(1005 = 1㎜×0.5㎜ 사이즈, 두께 0.14㎜)을 캐비티 내에 1개씩 가부착하고, 전자 부품 가부착 회로 기판(캐비티 기판)을 제작하였다.

(3) 부품 매립성의 평가

시험 뱃치식 진공 가압 라미네이터(닛코·마테리알즈사 제조 2스테이지 빌드업 라미네이터「CVP700」)를 사용하여, 실시예 및 비교예에서 제작한 지지체 부착 접착 시트로부터 보호 필름을 박리하여 노출된 수지 조성물층을, (2)에서 제작한 전자 부품 가부착 회로 기판(캐비티 기판)의 점착제 부착 폴리이미드 필름 배치면과는 반대측의 면과 접합하도록 적층하였다. 적층은, 보호 필름의 박리 후 15분 이내에 행하고, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후(적층시의 진공도 0.5hPa), 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 이어서, 적층된 지지체 부착 접착 시트를, 대기압하, 100℃, 압력 0.5MPa로 60초간 열프레스하여 평활화하였다. 실온으로까지 냉각시킨 전자 부품 가부착 회로 기판으로부터 점착제 폴리이미드 필름을 박리함으로써 평가용 기판 A를 제작하였다. 평가용 기판 A의 폴리이미드 필름을 박리한 면에서, 캐비티 내의 수지 흐름을 광학 현미경(150배)으로 관찰하였다. 이 관찰을 10의 캐비티에 관해서 행하고, 하기 기준에 의해 부품 매립성을 평가하였다.

○: 모든 캐비티에 있어서, 적층 세라믹 콘덴서 부품의 외주부가 수지 조성물층으로 덮여 있다.

×: 캐비티 중 1개라도, 간극이 발생하고 있거나 또는 적층 세라믹 콘덴서 부품의 외주부에 수지 조성물층이 매립되어 있지 않은 것이 있다.

<보이드의 평가>

평가용 기판 A에 있어서, 캐비티부 이외를 광학 현미경(150배)으로 관찰하여, 수지 조성물층과 전자 부품 가부착 회로 기판 사이의 보이드의 유무를 평가하고, 이하의 기준으로 평가하였다.

○: 보이드가 존재하지 않는다.

×: 보이드가 존재한다.

1 지지체 부착 접착 시트
2 수지 조성물층
2a 수지 조성물층의 제1 면
2b 수지 조성물층의 제2 면
3 지지체
4 보호 필름
4a 보호 필름의 제1 면
4b 보호 필름의 제2 면
10 회로 기판
10A 전자 부품 가부착 회로 기판
20 기판
20a 캐비티
30 회로 배선
40 가부착 재료
50 전자 부품

Claims (11)

1. 제1 면 및 제2 면을 갖는 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 제1 면과 접합하고 있는 지지체를 포함하는 지지체 부착 접착 시트로서,
   수지 조성물층의 제2 면의 산술 평균 거칠기(Ra2)가 150㎚ 이상이며,
   수지 조성물층의 제2 면의 80℃에서의 택력이 1.1N 이상 1.5N 이하인, 지지체 부착 접착 시트.
2. 제1항에 있어서, 진공 라미네이트 장치를 사용하여 절연층을 형성하기 위해 사용되는, 지지체 부착 접착 시트.
3. 제2항에 있어서, 진공 라미네이트 장치에서의 진공도가, 0.01hPa 이상 4hPa 이하인, 지지체 부착 접착 시트.
4. 제1항에 있어서, 전자 부품을 매립하기 위한 절연층을 형성하기 위해 사용되는, 지지체 부착 접착 시트.
5. 제1항에 있어서, 회로 기판 위에 절연층을 형성하기 위해 사용되는, 지지체 부착 접착 시트.
6. 제1항에 있어서, 수지 조성물층의 60 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가, 2,000poise 이하인, 지지체 부착 접착 시트.
7. 제1항에 있어서, 수지 조성물층이 수지 조성물을 함유하고, 수지 조성물이 무기 충전재를 함유하고, 무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 70질량% 이상인, 지지체 부착 접착 시트.
8. 제1항에 있어서, 수지 조성물층이 수지 조성물을 함유하고, 수지 조성물이 액상 에폭시 수지 및 고체상 에폭시 수지를 함유하는, 지지체 부착 접착 시트.
9. 제1항에 있어서, 제1 면 및 제2 면을 갖는 보호 필름을 추가로 포함하고, 상기 보호 필름의 제1 면이 수지 조성물층의 제2 면과 접합하고 있는, 지지체 부착 접착 시트.
10. 제9항에 있어서, 보호 필름의 제1 면의 산술 평균 거칠기가 150㎚ 이상인, 지지체 부착 접착 시트.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 지지체 부착 접착 시트의 수지 조성물층의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 회로 기판.

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