KR20190128091A - 무선 주파수(rf) 스퍼터링을 사용하는 자기 터널 접합(mtj) 디바이스용 유전체 캡슐화 층 - Google Patents

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Abstract

자기 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 기술을 위한 자기 디바이스는, 수직으로 자화된 자기 터널 접합부(p-MTJ, 11a, 11b)를 포함하는데, 각각은 하부 전극(10a)과 상부 전극(14a, 14b) 사이에 형성되는 측벽(11s1, 11s2)을 구비한다. B, Ge, 그 합금 또는 화합물을 포함하는 제1 유전체 층(12), 및/또는 Si 또는 금속의 산화물, 질화물, 탄화물, 산질화물, 또는 탄질화물이, 바람직하게는 RF 스퍼터링에 의해 측벽 상에 형성되어, p-MTJ와의 열적으로 안정적인 계면을 확립한다. 바람직하게는 MgO, SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, 또는 SiCYNZ(y + z > 0)을 포함하는 금속 산화물, 질화물, 탄화물, 산질화물, 또는 탄질화물의 제2 유전체 층(13)이 제1 층 상에 형성되어, p-MTJ 사이의 개구를 충전한다.

Description

무선 주파수(RF) 스퍼터링을 사용하는 자기 터널 접합(MTJ) 디바이스용 유전체 캡슐화 층
관련 특허 출원
본 출원은 다음의 것: 공동 양수인에게 양도되며, 참조에 의해 그들 전체가 본원에 통합되는; 미국 특허 제9,230,571호; 및 2017년 3월 20일자로 출원된 대리인 번호 HT16-014인 미국 일련 번호 제15/463,113호에 관련된다.
기술 분야
본 개시는 자기 랜덤 액세스 메모리(magnetic random access memory; MRAM), 스핀 토크 MRAM, 및 다른 스핀트로닉 디바이스(spintronic device)에서의 자기 터널 접합부(Magnetic Tunnel Junction; MTJ)에 관한 것으로, 특히, 인접한 MTJ를 분리하는 절연성 유전체 층의 퇴적을 포함하는 프로세싱 단계 동안, 그리고 상보형 금속 산화물 반도체(Complementary Metal Oxide Semiconductor; CMOS) 제조에서 공통인 대략 400 ℃의 고온 어닐링 동안, MTJ 측벽을 보호하는 것에 관한 것이다.
MTJ는 MRAM, 스핀 토크 MRAM, 및 다른 스핀트로닉 디바이스에서의 핵심 컴포넌트이며 터널링 자기 저항(tunneling magnetoresistance; TMR) 효과를 제공하는 두 자기 층 사이에 형성되는 금속 산화물과 같은 터널 장벽 층을 갖는 스택을 포함한다. MTJ 엘리먼트가 종종 CMOS 디바이스에 통합되기 때문에, MTJ는, 반도체 목적을 위한 CMOS 유닛의 품질을 향상시키기 위해 일반적으로 적용되는 최대 수 시간 동안 대략 400 ℃의 어닐링 온도를 견디기 위해 열적으로 안정적이어야 한다.
자유 층(free layer; FL) 및 기준 층(reference layer; RL)이 수직 자기 이방성(perpendicular magnetic anisotropy; PMA)을 갖는 수직으로 자화된 MTJ(perpendicularly magnetized MTJ; p-MTJ)는, 평면 내 이방성을 활용하는 그들의 대응부(counterpart)보다 선호되는데, 그 이유는, p-MTJ가 동일한 열적 안정성에 대한 더 낮은 기록 전류, 및 더 나은 스케일러빌러티(scalability)에서 이점을 갖기 때문이다. p-MTJ는, 스핀 토크(STT) MRAM을 포함하는 내장형 자기 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 애플리케이션에서, 그리고 독립형 MRAM 애플리케이션에서 사용하기 위한 주요한 신흥 기술이다. 메모리 비트의 기록을 위해 스핀 토크를 사용하는 STT-MRAM은, C. Slonezewski에 의한 ["Current driven excitation of magnetic multilayers", J. Magn. Magn. Mater. V 159, L1-L7 (1996)]에서 설명되어 있으며, SRAM, DRAM, 및 플래시와 같은 현존하는 반도체 메모리 기술과 경쟁이 치열하다.
P-MTJ는, 두 개의 자기 층 사이에 절연성 터널 장벽이 끼워져 있는 일반적인 구조체를 가지고 있다. 자기 층 중 하나는 기준 층으로 칭해지고, 평면 외 방향(out-of-plane direction)으로, 예를 들면, (+y) 방향으로 고정되는 자화(magnetization)를 갖는다. 자유 층으로 칭해지는 제2 자기 층은, 역시 "평면 외"에 있는 자화를 가지지만, 그러나, 평행한 또는 P 상태의 (+y) 방향으로부터, 반평행한 또는 AP 상태의 (-y) 방향으로 전환될 수도 있고, 또는 그 반대의 경우도 가능할 수도 있다. 전류가 평면 방향에 수직으로 p-MTJ를 통과하는 경우, P 상태(Rp)와 AP 상태(Rap) 사이의 저항에서의 차이는, DRR 또는 자기저항(magnetoresistive; MR) 비율로 또한 알려져 있는 수학식 (Rap-Rp)/Rp에 의해 특성 묘사될 수 있다. p-MTJ 디바이스가 큰 DRR 값을 갖는 것이 중요한데, 이 속성이 메모리 비트에 대한 읽기 마진, 또는 P 상태(0 비트)와 AP 상태(1 비트) 사이를 구분하는 것의 용이성에 직접적으로 관련되기 때문이다.
스핀 토크(STT)-MRAM 기반의 기술은, 불휘발성 메모리 애플리케이션에 대해 바람직하다. 그러나, 고속의 임베디드형 SRAM 기술(high speed embedded SRAM technology)과 경쟁하기 위해서는, p-MTJ는, 낮은 기록 전류에서 고속(100 ns 미만)으로 기록될 수 있는 단일의 비트를 갖는 고밀도 어레이로 제조되어야만 한다. 낮은 기록 전류의 목표를 달성하기 위해서는, 자유 층의 총 볼륨이 감소되어야만 하는데. 이것은 p-MTJ의 물리적 치수를 감소시키는 것에 의해 가장 쉽게 달성된다. 그러나, 물리적 치수가 감소함에 따라, p-MTJ 디바이스의 "에지" 또는 측벽 영역을 통한 전류 컨덕턴스의 효과가 더욱 뚜렷하게 된다. p-MTJ는, 에칭 및 퇴적 프로세스에 의해 유도되며 400 ℃에서 어닐링의 CMOS 프로세스 요건에 의해 악화되는, 화학적 및 물리적 둘 모두의 측벽 손상에 매우 취약하다. 따라서, 이들 에지 영역은, 에칭, 캡슐화(encapsulation), 및 어닐링 프로세스로부터의 결정 구조 손상이, 자유 층 보자력(free layer coercivity)(He), DRR, 및 저항 영역 제품(RA)을 포함하는 p-MTJ 속성(property)에 크게 영향을 미칠 수도 있기 때문에, 특히 중요하다.
통상적으로, 유전체 층을 사용한 캡슐화는, STT-MRAM 어레이에서 p-MTJ 디바이스를 서로 분리하기 위해 사용된다. 유전체 층은, 반응성 가스, 라디칼, 이온, 또는 p-MTJ 측벽을 공격하고 그 내부의 자기 층을 손상시키는 경향이 있는 다른 여기된 종을 수반하는 화학적 증착(chemical vapor deposition; CVD), 플라즈마 강화 CVD(plasma enhanced CVD; PECVD), 원자 층 퇴적(atomic layer deposition; ALD), 또는 반응성 dc 스퍼터링 물리적적 증착(physical vapor deposition; PVD) 방법을 사용하여 퇴적된다. 측벽 손상은 디바이스 성능에서의 감소, 주요 메트릭(key metric)의 바람직하지 않은 더 큰 분포로 변환되는 비트 사이의 실질적인 불균일성, 더 낮은 디바이스 수율로 이어진다. 예를 들면, 산화물 유전체 층 퇴적 동안, 또는 디바이스 성능의 저하로 또한 귀결되는 하나 이상의 p-MTJ 층과의 유전체 층의 혼합 동안 p-MTJ 측벽을 통한 산소 확산을 방지하기 위해서는, 캡슐화 층이 p-MTJ 측벽과 열역학적으로 안정적인 계면을 형성하는 것이 중요하다.
비록 이온 충격에 의해, 그리고 유전체 층 퇴적 동안 대기에 대한 노출에 의해 야기되는 측벽 손상을 제거하기 위한 방법이 이용 가능하지만, 그 방법은 일반적으로 시간 소모적이며 비용이 많이 든다. 또한, 몇몇 p-MTJ 측벽 손상은 복구하기에 너무 광범위할 수도 있다. p-MTJ 측벽을 따른 병렬 전도(conduction)를 방지하기 위해 캡슐화 프로세스를 향상시키고, p-MTJ와의 열역학적으로 안정적인 계면을 형성하고 DRR을 증가시킬 캡슐화 층을 퇴적하는 것에 의해 디바이스에 대한 손상을 방지할 필요성이 존재한다.
본 개시의 하나의 목적은, 메모리 디바이스 제조에서의 캡슐화, 및 어닐링 프로세스 동안 측벽 손상에 대한 p-MTJ의 내성을 실질적으로 향상시키고, 그에 의해, DRR 및 디바이스 수율을 향상시키는 것이다.
본 개시의 제2 목적은, 라인 백엔드(back end of line; BEOL) CMOS 프로세스와 호환되기 위해 최대 400 ℃의 열 안정성을 가능하게 하는 p-MTJ 디바이스를 캡슐화하는 더 나은 방법을 제공하는 것이다.
본 개시의 하나의 실시형태에 따르면, 이들 목적은 2 단계 캡슐화 프로세스를 통해 달성되는데, 2 단계 캡슐화 프로세스에서, 제1 단계는, 제1 유전체 재료가 불활성 가스를 사용하여 RF 스퍼터링되는 PVD 방법에 의해 p-MTJ 측벽 상에 제1 유전체 층을 퇴적하는 것을 포함한다. 주요 피쳐는, 반응성 종이 p-MTJ 측벽을 공격하지 않도록 불활성 프로세스 가스를 사용하여 플라즈마 내의 이온화된 종을 타겟 캐소드 주위의 영역으로 국한시키는 조건을 가지고 RF 스퍼터링 프로세스가 활용된다는 것이다. 제1 단계 동안, p-MTJ 측벽은 전체적으로 피복되고 제1 유전체 층과 열역학적으로 안정적인 계면을 형성한다. 제1 유전체 층은, p-MTJ 측벽과 접촉하는 하부 층(lower layer) 및 상부 표면(top surface)을 갖는 상부 층(upper layer)을 갖는 이중층 구성(bilayer configuration)을 가질 수도 있다. 그 후, 반응성 가스, 플라즈마, 또는 라디칼이 제1 유전체 층에 충돌할 수도 있지만 그러나 p-MTJ 측벽에 도달하지 않을 수도 있는 PVD, PECVD 또는 CVD 프로세스에 의해 제1 유전체 층의 상부 표면 상에 제2 유전체 층이 퇴적된다. 제2 유전체 층은, 바람직하게는, 인접한 p-MTJ 사이의 개구가 완전히 충전되는 것을 보장하기 위해 제1 유전체 층보다 더 두껍다.
하나의 실시형태에 따르면, 제1 유전체 층은, SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO 중 하나, 상기 언급된 재료의 임의의 조합인데, 여기서 y + z > 0이다. 다른 실시형태에서, 제1 유전체 층은 BX 또는 GeX를 포함할 수도 있는데, 여기서 X는 O, N, B, C, Ge, Si, Al, P, Ga, In, Tl, Mg, Hf, Zr, Nb, V, Ti, Cr, Mo, W, Sr, 또는 Zn이다. 제1 유전체 층이 이중층 구성을 갖는 실시형태에서, B/BX, Ge/GeX 스택이 형성될 수도 있거나, 또는 하부 층은 B, Ge, BX 또는 GeX 중 하나일 수도 있고, 한편, 상부 층은 SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO 중 하나이다. 삼중층(trilayer) 구성에서, SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO로 제조되는 상부 층은, B/BX 또는 Ge/GeX 스택을 갖는 하부 층 상에 형성된다.
제2 유전체 층은 통상적으로 최대 2000 옹스트롬의 두께를 갖는 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 질화물, 금속 산질화물, 또는 금속 탄질화물이며, SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO을 포함할 수 있는데, 여기서 y + z > 0이다. 제2 유전체 층은 또한, p-MTJ를 서로 전기적으로 절연시키는 절연 층으로서 역할을 한다.
MRAM, STT-MRAM, 임베디드형 플래시, 또는 스핀 토크 발진기(spin torque oscillator; STO)일 수도 있는 완성된 메모리 구조체에서, 기판 상에 복수의 행 및 열로 형성되는 p-MTJ 엘리먼트의 어레이가 존재한다. MRAM 또는 STT-MRAM 애플리케이션에서, 기판은, 각각의 p-MTJ의 하부 표면(bottom surface)이 제1 전도성 라인과 접촉하도록 복수의 제1 전도성 라인이 존재하는 하부 전극 층을 포함한다. 각각의 p-MTJ는 제1 유전체 층에 의해 보호적으로 피복되는 측벽을 가지며, 한편 제2 유전체 층은 절연 층이다. 각각의 p-MTJ가 제1 전도성 라인과 제2 전도성 라인 사이에 형성되도록 복수의 제2 전도성 라인을 포함하는 상부 전극 층이 p-MTJ 엘리먼트의 어레이 상에 형성된다.
STO 디바이스에서, 기판은 하부 전극으로서 역할을 하는 메인 폴 층(main pole layer)일 수도 있고, 상부 전극은, 예를 들면, 트레일링 실드(trailing shield)일 수도 있다. 본원에서 설명되는 방법에 의해 형성되는 캡슐화 층은, 공기 베어링 표면(air-bearing surface; ABS)으로부터 멀어지게 향하는 층의 STO 스택의 측면 상에 형성된다.
도 1은, 본 개시의 한 실시형태에 따른, 인접한 p-MTJ 측벽과 열역학적으로 안정적인 계면을 형성하는 캡슐화 층을 갖는 메모리 구조체를 묘사하는 단면도이다.
도 2는, 본 개시의 한 실시형태에 따른, 층의 p-MTJ 스택으로부터 복수의 p-MTJ를 형성하는 패턴화 단계를 도시하는 단면도이다.
도 3 및 도 4는, 본 개시의 한 실시형태에 따른, p-MTJ 측벽 상에 제1 유전체 층을 형성하는 RF 스퍼터링을 포함하는 PVD 프로세스의 단면도이다.
도 5 및 도 6은, 본 개시의 한 실시형태에 따른, 도 4의 제1 유전체 층 상에 상부 유전체 층이 퇴적되어 이중층 구성을 갖는 제1 유전체 층을 형성하는 프로세스의 단면도이다.
도 7은 제1 유전체 층이 삼중층 구성을 갖는 본 개시의 한 실시형태의 단면도이다.
도 8은, 본 개시의 한 실시형태에 따른, 캡슐화 층을 제공하기 위해 제1 유전체 층 상에 형성되는 제2 유전체 층을 묘사하는 단면도이다.
도 9는, p-MTJ 상에 평면 상부 표면을 형성하기 위해 화학적 기계적 연마 프로세스가 사용된 이후의 도 8의 부분적으로 형성된 메모리 구조체를 묘사하는 단면도이다.
도 10은, 캡슐화 층에 의해 보호되고 본 개시의 한 실시형태에 따라 형성되는 복수의 p-MTJ를 갖는 완성된 MRAM 어레이의 탑 다운 뷰(top-down view)를 도시한다.
도 11은, 본 개시의 한 실시형태에 따라 형성되는 캡슐화 층에 의해 측벽이 보호되는 STO 디바이스의 단면도이다.
도 12는, 종래 기술의 방법에 따라 그리고 본 개시의 한 실시형태에 따른 방법에 의해 형성되는 캡슐화 층을 갖는 p-MTJ 디바이스에 대한 DRR 대 병렬 상태 저항의 플롯이다.
본 개시는 향상된 p-MTJ 캡슐화 층 및, 그것을 형성 방법에 관한 것으로, 그 방법에서, 캡슐화 층과 p-MTJ 측벽 사이에, 대략 400 ℃의 고온에서 안정적인 계면이 확립된다. p-MTJ 엘리먼트는, MRAM, e-플래시(e-flash), 스핀 토크 MRAM, 및 스핀 토크 발진기(STO)와 같은 다른 스핀트로닉 디바이스를 포함하지만 그러나 이들로 제한되지는 않는 다양한 메모리 디바이스에서 형성될 수도 있다. 도면에서, 층의 두께는 z 축방향에 있고, 각각의 p-MTJ 층의 평면 또는 상부 표면은 x 축 및 y 축방향으로 배치된다. 용어 "유전체" 및 "절연"은, "패시베이션" 및 "캡슐화"와 마찬가지로, 상호 교환 가능하게 사용될 수도 있다.
앞서 언급된 바와 같이, 더 높은 성능을 제공하기 위해, 현재, 많은 메모리 디바이스가 CMOS 플랫폼에 통합된다. 그러나, 종래의 방법에 의해 유전체 층이 p-MTJ 측벽 상에 직접적으로 퇴적되고, 결과적으로 나타나는 디바이스가 CMOS 프로세싱에 필요한 대략 400 ℃의 온도에서 어닐링될 때, 실질적으로 더 많은 결함 및 저하된 디바이스 성능이 관찰된다. 따라서, 메모리 애플리케이션에서 더 높은 성능 및 수율을 제공하기 위해, p-MTJ 엘리먼트를 보호하는 수단을 구현하도록 자극받았다.
관련된 미국 출원 번호 제15/463,113호에서, p-MTJ 사이의 절연 층으로서 역할을 하는 유전체 층의 후속하는 퇴적 동안의 손상으로부터 p-MTJ 측벽을 보호함에 있어서, 반응성 산소 및 질소 종의 부재 상태에서 B, C, 및 Ge와 같은 패시베이션 층 재료의 퇴적이 얼마나 효과적인지를 개시하였다. 이제, 다양한 캡슐화 층 재료가 p-MTJ 측벽 상에 형성되는 것을 가능하게 하고, 그에 의해, 측벽과의 열역학적으로 안정적인 계면을 제공하고 p-MTJ 무결성을 향상시키는 프로세스를 발견하였다.
도 1을 참조하면, 측벽(11s1 및 11s2)을 각각 구비하며, 제1 유전체 층(12)에 의해 보호되는 p-MTJ(11a) 및 p-MTJ(11b)를 포함하는 복수의 p-MTJ를 메모리 디바이스가 포함하는 본 개시의 제1 실시형태가 도시된다. P-MTJ(11a)는 하부 전극(10a)과 상부 전극(14a) 사이에 형성되고, 한편 p-MTJ(11b)는 하부 전극(10a)과 상부 전극(14b) 사이에 형성된다. 제2 유전체 층(13)이 제1 유전체 층 상에 형성되고 인접한 p-MTJ 엘리먼트 사이의 갭을 충전한다. 제1 및 제2 유전체 층의 스택은 캡슐화 층인 것으로 간주된다. 하부 전극은 x 축을 따라 연장되는 라인이고, 상부 전극은 MRAM 또는 STT-MRAM 실시형태에서 y 축방향으로 연장되는 라인이다. 하부 및 상부 전극은, 우수한 전기 전도성 및 산화에 대한 내성을 보장하기 위해, 통상적으로 하나 이상의 금속 또는 합금을 포함한다. 제2 유전체 층 상부 표면(13t)의 상당 부분 상에는 절연 층(15)이 형성되어 있다. 절연 층 내에는, 14a, 14b를 포함하는 복수의 상부 전극을 포함하는 상부 전극 층이 있다. 상부 전극의 각각은, p-MTJ 상부 표면(11t1, 및 11t2)의 폭보다 더 큰 폭(w1)을 가질 수도 있다는 것을 유의한다. 다시 말하면, 각각의 상부 전극의 상당한 부분은 p-MTJ 층(11a 또는 11b) 상에 오버레이되고, 바깥쪽 부분(outer portion)은 제1 유전체 층에 근접한 제2 유전체 층 상부 표면(13t) 상에 형성된다. 하부 전극 상부 표면(10t)의 일부는 p-MTJ(11a, 11b)의 하부 표면과 일치한다.
기판 상의 메모리 어레이에서 통상적으로 수백만 개의 p-MTJ가 행과 열로 정렬되고, 각각의 p-MTJ는 하부 전극과 상부 전극 사이에 형성된다는 것이 이해되어야 한다. 그러나, 도면을 단순화하기 위해, 도 1에서 도시되는 p-MTJ의 수는 두 개로 제한된다. p-MTJ는 다양한 구성을 가질 수도 있지만, 그러나 11a, 11b를 포함하는 각각의 p-MTJ는, 예를 들면, 씨드 층인 최하부 층(bottommost layer)(도시되지 않음) 상의 기준 층(RL)/터널 장벽/자유 층(FL) 또는 FL/터널 장벽/RL 스택에서 RL과 FL 사이에 형성되는 적어도 터널 장벽을 구비한다. 바람직하게는, 제1 유전체 층(12)은 실질적으로 균일한 두께를 가지며, p-MTJ 측벽(11s1 및 11s2), 및 묘사되지 않은 다른 MTJ 측벽과 접촉할 뿐만 아니라, 또한, p-MTJ에 의해 피복되지 않는 하부 전극(10a)의 상부 표면(10t)의 일부와 접한다.
하나의 실시형태에 따르면, 제1 유전체 층(12)은 3 내지 400 옹스트롬의 두께를 갖는 단일의 D 층인데, 여기서 D는 SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO 중 하나이거나, 또는 상기 언급된 재료의 임의의 조합인데, 여기서 y + z > 0이다. 예를 들면, MgO 또는 다른 금속 산화물이 SiNZ와 같은 질화물과 함께 퇴적되는 실시형태에서, 산화물(MgO)의 함량은 질화물 매트릭스에서 0.1에서부터 10 중량%까지이다. 비록, 이론에 의해 구속되지는 않지만, MgO는 퇴적 동안 SiNZ로부터 적어도 부분적으로 분리되어, p-MTJ 측벽과의 계면에서, 실리콘 질화물과의 계면보다 더욱 안정적인 얇은 산화물 층을 형성하는 것으로 여겨진다. 그러나, 본 개시는, 제1 유전체 층이, 기술 분야에서 사용되는 다른 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 질화물, 금속 산질화물, 또는 금속 탄질화물을 포함할 수도 있다는 것을 예상한다. 바람직하게는, 후속하는 프로세스 동안 격자 구조체에서 결정 사이의 반응성 재료의 확산을 방지하기 위해, 제1 유전체 층은 결정질이 아니라 비정질이다(amorphous).
다른 실시형태에서, 제1 유전체 층(12)은, B, Ge, BX 또는 GeX를 포함하는 그러나 이들로 제한되지는 않는 B 및 Ge 중 하나를 포함하는 단일의 층인데, 여기서 X는 O, N, B, C, Ge, Si, Al, P, Ga, In, Tl, Mg, Hf, Zr, Nb, V, Ti, Cr, Mo, W, Sr, 및 Zn 중 하나이고, 여기서 X는 합금 내의 다른 원소와 동일하지 않다. p-MTJ 측벽(11s1, 11s2) 상에 연속적인 막을 제공하기 위해서는 제1 유전체 층이 적어도 3 옹스트롬 두께인 것이 중요하다.
도 6에서 도시되는 중간 구조체에서 묘사되는 제2 실시형태에서, 제1 유전체 층(12)은, 하부 층(12-1)이 p-MTJ 측벽(11s1, 11s2)과 접촉하고, 제2 유전체 층(13)이 후속하여 퇴적될 상부 표면을 상부 층(12-2)이 갖는 이중층 구성을 갖는다. 통상적으로, 제2 유전체 층이 퇴적되기 이전에 제1 유전체 층 위에 그리고 인접한 p-MTJ(11a, 11b) 사이에 개구(50b)가 존재한다. 몇몇 실시형태에서, 하부 층(12-1)은 B 또는 Ge이고, 상부 층(12-2)은 BX 또는 GeX 중 하나이다. 다른 실시형태에서, 하부 층은 B, Ge, BX, 또는 GeX 조성을 가지고, 한편, 상부 층은 앞서 설명되는 D 층이다. 이중층 구성은 3 옹스트롬의 최소 두께를 가지고, 한편, 제1 유전체 층(12)에 대한 최대 두께는 400 옹스트롬이다.
도 7의 제3 실시형태에 따르면, 제1 유전체 층은 B/BX/D 또는 Ge/GeXD에 의해 표현되는 삼중층 구성을 갖는데, 여기서 B 또는 Ge는, p-MTJ 측벽(11s1, 11s2)과 접촉하는 하부 층(12-1)이고, BX 또는 GeX는 하부 층 상에 중간 층(12-2)을 형성한다. 상부 층(12-3)은 D 층 조성을 가지며, 제2 유전체 층은 그 상에 후속하여 퇴적된다. 제1 유전체 층(12)의 총 두께는 3 내지 400 옹스트롬의 범위 내에 있다. 개구(50c)는 제1 유전체 층 위에 그리고 인접한 p-MTJ 사이에 형성된다.
도 1로 되돌아가서, 제2 유전체 층(13)은, 통상적으로, SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO(여기서 y + z > 0), 또는 상기 언급된 재료의 임의의 조합과 같은 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 질화물, 금속 산질화물 또는 금속 탄질화물이다. 제2 유전체 층은 최대 약 2000 옹스트롬의 두께를 가지며 통상적으로 제1 유전체 층보다 더 두껍다. 하기에서 설명되는 바와 같이, 제2 유전체 층은 일반적으로 제1 유전체 층보다 더 빠른 퇴적률을 가지며, 제1 유전체 층이 형성된 이후 남아있는 인접한 p-MTJ 사이의 개구를 충전하는 것에 의존한다. 유전체 층(12, 13)의 퇴적 동안 p-MTJ 측벽이 반응성 가스에 노출되는 것을 방지하기 위해, PVD RF 스퍼터링 방법이 활용되어 제1 유전체 층을 퇴적한다. 그러나, PVD RF 스퍼터링 방법은, PECVD 또는 CVD 방법과 비교하여, 퇴적률이 상대적으로 느리다. 따라서, 스루풋을 향상시키기 위해, 제1 유전체 층 두께는, 프로세스 시간을 최소화하기 위해, 약 400 옹스트롬의 최대 값으로 제한된다.
본 개시의 주요 피쳐는, p-MTJ 측벽 상에 유전체 층(12, 13)을 포함하는 캡슐화 층을 형성하기 위한 프로세스 시퀀스이다. 먼저, 복수의 p-MTJ를 제조하는 방법이 설명된다. 도 2에서, 층의 p-MTJ 스택은, 하부 전극(10a)을 포함하는 하부 전극 층 상에 형성된다. MTJ 스택 내의 모든 층은, 다수의 타겟을 갖는 초고진공 DC 마그네트론 스퍼터 챔버, 및 Mg 층으로부터의 MgO와 같은 터널 장벽을 형성하고, 그에 의해, TMR 효과를 제공하기 위한 적어도 하나의 산화 챔버를 포함하는 Anelva C-7100 스퍼터 퇴적 시스템과 같은 스퍼터링 시스템의 DC 스퍼터링 챔버에서 퇴적될 수도 있다. 통상적으로, 다양한 층에 대한 스퍼터 퇴적 프로세스는 Ar과 같은 불활성 가스 및 5×10-8 내지 5×10-9 torr 사이의 기본 압력을 수반한다.
포토레지스트 층이 층의 MTJ 스택 상에 형성되고, 널리 공지된 포토리소그래피 기술에 의해 패턴화되어, 폭(w)을 각각 갖는 포토레지스트 아일랜드(island)(30a, 30b)를 포함하는 복수의 아일랜드를 제공한다. 후속하여, 포토레지스트 아일랜드에 의해 보호되지 않는 층의 p-MTJ 스택의 영역을 제거하기 위해, 종래의 반응성 이온 에칭(reactive ion etch; RIE) 또는 이온 빔 에칭(ion beam etch; IBE) 프로세스가 수행된다. 포토리소그래피 프로세스는, 각각의 아일랜드가 에칭 마스크로서 역할을 하도록 행 및 열로 배치되는 포토레지스트 아일랜드의 어레이를 산출하고, RIE 또는 IBE 프로세스는 각각의 에칭 마스크 아래에서 p-MTJ를 생성한다는 것을 유의한다. 따라서, 아일랜드(30a, 30b) 아래에서, 측벽(11s1 및 11s2)을 각각 갖는 p-MTJ(11a 및 11b)가 형성되고, MTJ의 각각의 측면 상에는, 하부 전극 상부 표면(10t)의 일부를 노출시키는 개구(50)가 존재한다. 각각의 p-MTJ는 평면(22-22)에서 상부 표면을 갖는다. 예시적인 실시형태에서, RIE 또는 IBE 프로세스는, 상부 표면(10t)에서 각각의 MTJ의 하부가 w보다 더 큰 폭을 갖도록 수직이 아닌 측벽(11s1 및 11s2)을 형성한다. 그러나, 에칭 조건에 따라, 상부 및 하부 p-MTJ 표면에서 폭(w)이 확립되도록 실질적으로 수직인 MTJ 측벽이 생성될 수도 있다.
도 3을 참조하면, 포토레지스트 아일랜드(30a, 30b)를 제거하기 위해 종래의 프로세스가 사용된다. 그 다음, p-MTJ(11a) 및 p-MTJ(11b)를 포함하는 p-MTJ의 어레이 상에 제1 유전체 층을 배치하기 위해 제1 퇴적 단계가 수행된다. 유전체 재료 종(24)은, RF 마그네트론 소스를 사용하는 무선 주파수(radio frequency; RF) 스퍼터링 퇴적을 포함하는 PVD 프로세스에서 형성되는 것이 중요하다. 종(24)은 z 축과 관련하여 0 도보다 더 큰 각도에서 지향되고, 그에 의해, p-MTJ 측벽(11s1, 11s2) 상에서 결과적으로 나타나는 제1 유전체 층(12)의 적절한 커버리지를 보장한다. 스퍼터링 프로세스를 위해 Ar, Kr, Ne 또는 Xe와 같은 불활성 가스가 사용되며, 플라즈마로부터의 이온화된 종이 타겟 캐소드로 국한되도록 PVD RF 스퍼터링 조건이 활용된다. 바람직한 실시형태에서, RF 전력은, D 층 조성을 가질 수도 있는, 또는 앞서 설명되는 바와 같은 B, Ge, BX, 또는 GeX 중 하나인 제1 유전체 층의 퇴적 동안 실온에서 0.05 내지 20 mTorr의 불활성 가스 압력에서, 300 내지 1500 와트의 범위 내에서 유지된다.
대안적인 실시형태에서, 제1 유전체 층(12)으로서 BX 또는 GeX 층의 퇴적은, 관련된 미국 출원 제15/463,113호에 설명되는 바와 같은 두 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들면, B 또는 Ge 층은, 제1 단계에서 p-MTJ 측벽(11s1, 11s2) 상에 퇴적되는 PVD RF 스퍼터일 수도 있다. 그 다음, X 층은 제2 단계에서 B 층 상에 퇴적되는 PVD RF 스퍼터이고, 소정의 조건 하에서 B 또는 Ge 층을 효과적으로 다시 스퍼터하여 단일의 BX 또는 GeX 층을 산출한다. 또한, 초기에 RF 스퍼터 퇴적 B 또는 Ge 층은, 자연 산화와 같은 산화, 또는 질화에 노출되어, BO 또는 GeO, 또는 BN 또는 GeN 제1 유전체 층을 각각 형성할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 인접한 p-MTJ 사이의 각각의 개구(50)(도 2)는, 제1 유전체 층(12)이 퇴적된 이후 개구(50a)로 사이즈가 축소된다. 바람직하게는, p-MTJ(11a) 및 p-MTJ(11b)의 상부 표면(11t1, 11t2) 상에, 그리고 측벽(11s1, 11s2) 상에, 각각, 적어도 3 옹스트롬의 실질적으로 균일한 두께가 존재한다. PVD RF 스퍼터링 프로세스의 결과로서, p-MTJ 측벽과 제1 유전체 층 사이의 계면은, 도 1의 제1 유전체 층(12)이 단일의 층인 제1 실시형태에서 종(24)에 의한 측벽 또는 상부 표면에 대한 실질적인 어떠한 공격 또는 손상도 없이 열역학적으로 안정적이다.
본 개시는 또한, 제1 유전체 층이 B/BX 또는 Ge/GX 구성, 또는 B/D, BX/D, Ge/D, 또는 GeX/D 구성을 갖는 실시형태를 예상한다. 따라서, 300 와트에서부터 1500 와트까지의 RF 전력 및 0.05 내지 20 mTorr의 불활성 가스 압력을 수반하는 상기 언급된 PVD RF 스퍼터 퇴적 프로세스는 반복될 수도 있다. 특히, 제1 PVD RF 스퍼터링 단계는 B, Ge, BX, 또는 GeX 층의 퇴적을 포함한다. 그 다음, 제2 PVD RF 스퍼터링 단계가, B, Ge, BX, 또는 GeX 층 상에 D 층을 퇴적하기 위해 사용된다.
도 5를 참조하면, 제2 퇴적 단계가 수행되고, 제1 유전체 층(12)을 위한 이중층 스택을 형성하기 위해 하부 층(12-1) 상에 상부 층(12-2)을 형성하는 동안 반응성 종(25)을 수반한다. 제2 퇴적 단계는, 반응성 종(24)을 수반하는 제1 퇴적에서와 동일한 PVD RF 스퍼터링 조건을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 본 개시의 제2 실시형태에 따른 제2 퇴적 단계 동안, BX 층이 B 층 상에 퇴적되거나, GeX 층이 Ge 층 상에 퇴적되거나, 또는 D 층이 B, BX, Ge 또는 GeX 층 상에 퇴적된다.
도 6에서, 상부 층(12-2)은 제2 퇴적 단계의 생성물로서 하부 층(12-1)의 상부 표면 상에서 도시된다. 여기서, 도 1의 제1 유전체 층(12)은 이중층 스택(12-1/12-2)을 포함한다. 상부 층 위에, 그리고 인접한 p-MTJ(11a, 11b) 사이에 개구(50b)가 형성된다.
도 7에서 묘사되는 제3 실시형태에 따르면, 도 6의 중간 구조체에 대해, 미리 정의된 PVD RF 스퍼터링 조건을 사용하는 제3 퇴적 단계가 수행된다. 결과적으로, 다른 중간 구조체가 삼중 층 구성을 갖는 제1 유전체 층(12)과 함께 생성되는데, 여기서 상부 층(12-3)은 이중층 스택(12-1/12-2) 상에 형성된다. 예를 들면, 상부 층은 D 층일 수도 있고, 한편, 12-1은 B 또는 Ge이고, 중간 층(12-2)은 BX 또는 GeX이다.
도 8에서 도시되는 하나의 실시형태에 따르면, 제2 유전체 층(13)은, PVD, PECVD 또는 CVD 방법에 의해 제1 유전체 층(12) 상에 퇴적되어, 도 4 실시형태의 개구(50a), 또는 도 6 실시형태의 개구(50b), 또는 도 7의 실시형태의 개구(50c)를 충전한다. PVD, PECVD 또는 CVD 방법은, 퇴적률을 향상시키고 프로세스 시간을 감소시키기 위해 200 ℃ 내지 400 ℃ 범위 내의 온도를 포함할 수도 있다. 제2 유전체 층은, 바람직하게는, 평면(22-22) 위에서 0보다 실질적으로 더 큰 최소 두께(h)를 갖는다. 제2 유전체 층은 Al2O3 또는 SiO2와 같은 산화물일 수도 있지만, 그러나 D 층 재료 중 하나와 같은 다른 산화물, 질화물, 산질화물 또는 탄질화물이 활용될 수도 있다.
도 9에서, 부분적으로 형성된 메모리 디바이스가 평면(22-22)을 따라 제2 유전체 층 상부 표면(13t), 제1 유전체 층 상부 표면(12t), 및 p-MTJ(11a) 및 p-MTJ(11b) 각각의 상부 표면(11t1 및 11t2)을 포함하는 상부 표면을 구비하도록 제2 유전체 층(13)의 상부 부분을 제거하기 위해 널리 공지된 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polish; CMP) 프로세스가 수행된다. 평면(22-22)은 하부 전극 상부 표면(10t)에 평행하다. 몇몇 실시형태에서, 최상부 p-MTJ 층(도시되지 않음)은, 11t1 또는 11t2인 상부 표면을 갖는 MnPt, Ta, TaN, Ti, TiN 또는 W와 같은 하드 마스크이다. 다른 실시형태에서, 최상부 p-MTJ 층은, 예를 들면, Ru와 같은, 또는 Ru/Ta/Ru 구성을 갖는 캐핑 층(capping layer)이다.
도 1로 되돌아가서, 기술 분야에서 널리 공지되어 있는 단계의 후속하는 시퀀스가 이어지며, 도 9의 평면(22-22) 상에서의 절연 층(15)의 퇴적, 및 절연 층 내에 상부 전극(14a, 14b)을 갖는 상부 전극 층을 형성하기 위해 사용되는 포토레지스트 패턴화 및 에칭 프로세스를 포함한다. 상부 전극(14a)은 p-MTJ(11a)의 상부 표면에 접하고, 상부 전극(14b)은 p-MTJ(11b)의 상부 표면과 접촉한다. 앞서 언급된 바와 같이, 상부 전극 층은 통상적으로, 예를 들면, 평행 라인의 어레이로 형성되는 복수의 상부 전극을 포함하지만, 그러나, 예시적인 실시형태에서는 단지 두 개의 상부 전극만이 도시되어 있다. 절연 층은 실리콘 산화물 또는 알루미나, 또는 인접한 전도성 라인을 전기적으로 분리하기 위해 기술 분야에서 사용되는 다른 유전체 재료일 수도 있다.
도 10을 참조하면, 도 1의 메모리 구조체의 탑 다운 뷰가 묘사되어 있다. 평면(20-20)은 도 1의 단면도가 취해진 위치를 나타낸다. 추가적인 두 개의 p-MTJ(11c 및 11d)가 제2 하부 전극(10b)과 상부 전극(14a, 14b) 사이에서 각각 도시되는 예시적인 실시형태에서, 상부 전극의 폭(w1)은, 바람직하게는, p-MTJ(11a-11d)의 폭(w)보다 더 크다. 또한 y 축방향에서의 하부 전극(10a, 10b)의 길이(b)는 p-MTJ의 길이(c)보다 통상적으로 더 크다. p-MTJ는, 원 또는 타원일 수도 있는 실질적으로 원형 형상을 갖는다. 다른 실시형태에서, p-MTJ는 정사각형 또는 직사각형과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다.
도 11에서, 앞서 설명되는 유전체 층(12, 13)을 포함하는 캡슐화 층이 STO 디바이스에서 보호 코팅으로서 활용될 수도 있는 본 개시의 다른 실시형태가 도시되어 있다. 메인 폴 층(17)과 트레일링 실드(18) 사이에 STO 디바이스(40)가 형성된다. 이 경우, 직류(100 % 듀티 사이클) 또는 펄스식 전류(I)가 소스(35)로부터 리드(36)를 통해 메인 폴(17)로 흐르고, 그 다음, 리드(37)를 통해 빠져나가기 이전에 STO(40) 및 트레일링 실드(18)를 통과한다. 펄스식 전류는, 0.1 ns "온" 및 후속하는 수분의 1 나노초(a fraction of a nanosecond) 내지 수 나노초의 오프 기간의 스케일에 있을 수도 있다. STO(40)는, 씨드 층의 하부 표면이 메인 폴과 접촉하고 캐핑 층의 상부 표면이 트레일링 실드와 접촉하도록 씨드 층(41), 스핀 분극(SP) 층(42), 비자성 스페이서(43), 발진 층(oscillation layer; OL)(44), 및 캐핑 층(45)이 메인 폴 상에서 순차적으로 형성되는 하부 스핀 밸브 구성을 가질 수도 있다. 층(41, 43) 중 하나 또는 둘 모두는, SP 층에서 수직 자기 이방성(PMA)(46)을 유도하기 위한 금속 산화물일 수도 있다. z 축은 중간 이동 방향이며 다운 트랙 방향(down-track direction)이다.
기록 프로세스 동안, 자속(magnetic flux)(8)은 ABS(33-33)를 통과하고 자성 매체(7) 및 연질의 기저층(soft underlayer)(6)을 통과하고, 자속(8a)은 트레일링 실드(18)를 통해 기록 헤드로 재입력된다. 수천 Oe의 갭 필드(8b) 및 STO 양단의 dc 바이어스 하에서, 기록 프로세스는, 매체 비트(9)에 rf 필드(49)를 부여하는 소정의 진폭 및 주파수를 갖는 큰 각도 발진(47)을 OL에서 야기하기 위해 충분한 크기(임계 전류 밀도)를 가지고 SP 층(42)으로부터 OL(44)로 전달되는 스핀 분극 전류에 의해 지원 받는다. rf 필드와 자기장(8)의 결합 효과는, 비트에서의 자화(5)가, 자기장(8)만이 인가되는 경우보다 더 낮은 자기장을 사용하여 스위칭되는 것을 가능하게 한다.
STO 디바이스(40)는 p-MTJ인 것으로 간주되는데, 이 경우, SP 층(42)은 기준 층으로서 역할을 하고, 비자성 스페이서(43)는 터널 장벽이며, OL 층(44)은 실질적으로 자유 층이다. 층(41-45)의 조성은 관련된 미국 특허 제9,230,571호에 상세하게 설명되어 있다. 본 개시의 주요 피쳐는, 캡슐화 층(12)이 메인 폴의 트레일링 측(17t) 상에 그리고 STO(40)의 측벽(40s) 상에 형성되고, 그에 의해, 메인 폴 층(17)과 트레일링 실드(18) 사이에 형성되는 절연 층(13)의 퇴적 동안 측벽을 보호한다는 것이다. 결과적으로, STO 측벽이 유전체 층의 퇴적에서 사용되는 반응성 가스에 의한 손상에 취약한 종래 기술과는 달리, STO 디바이스는 후속하는 제조 단계 동안 구조적 무결성을 유지한다.
도 12를 참조하면, 본 개시의 실시형태에 따라 p-MTJ 측벽 상에 캡슐화 층을 구현하는 것에 의해 달성되는 향상된 성능을 입증하기 위해 실험이 수행되었다. CoFeB/MgO/CoFeB 기준 층/터널 장벽/자유 층 스택을 갖는 일련의 p-MTJ는 원형 형상을 가지면서 제조되었는데(도 10에서 w = c), 직경(w)은 대략 30 nm에서부터 450 nm까지 변경되었다. 병렬 상태 저항은, 가장 큰 p-MTJ 사이즈의 경우 약 102 옴에서부터 가장 작은 사이즈의 경우 대략 104 옴까지 변경되었다. 샘플의 제1 세트는, 종래의 프로세스를 사용하여 p-MTJ의 제1 그룹 상에 제1 비교 캡슐화 층을 퇴적시키는 것에 의해 준비되었다. 방법은, PECVD 프로세스를 사용하여 200 옹스트롬의 두께를 갖는 제1 Si3N4 유전체 층의 퇴적을 포함하였다. 그 후, 제1 층과 동일한 프로세스 조건을 사용하여 제1 Si3N4 유전체 층 상에 2000 옹스트롬의 두께를 갖는 제2 Si3N4 유전체 층을 퇴적시키기 위해, PECVD가 사용되었다. 결과는 곡선(60)으로 도시된다.
다른 종래의 프로세스를 사용하여 p-MTJ의 제2 그룹 상에 제2 비교 캡슐화 층이 퇴적되었다. 이 경우, Ar 및 N2 플라즈마를 포함하는 PVD DC 스퍼터링을 사용하여 p-MTJ 측벽 상에 200 옹스트롬 두께의 Si3N4 층이 퇴적되었다. 그 후, 상기에서 설명되는 바와 동일한 PECVD 프로세스에 의해, 2000 옹스트롬의 두께를 갖는 제2 Si3N4 유전체 층이 퇴적되었다. 결과는 곡선(61)에서 묘사된다.
본 개시의 실시형태에 따라 p-MTJ의 제3 그룹 상에 캡슐화 층을 퇴적시키는 것에 의해, 샘플의 제3 세트가 준비되었다. 특히, Si3N4/MgO(2 중량%) 조성 및 200 옹스트롬의 두께를 갖는 제1 유전체 층이, RF 전력, 및 Ar 유량(flow rate)을 포함하는 프로세스에 의해 단일의 타겟으로부터 PVD RF 스퍼터 퇴적되었다. 그 후, 샘플의 앞선 두 세트에서 제2 Si3N4 층을 퇴적시키기 위해 사용되는 PECVD 프로세스에 의해, Si3N4 조성 및 2000 옹스트롬의 두께를 갖는 제2 유전체 층이 형성되었다. 결과는 곡선(62)에서 도시되는데, 여기서, 포인트 62a는 가장 작은 p-MTJ 사이즈를 나타내고, 포인트 62b는 샘플의 제3 세트에서 가장 큰 p-MTJ 사이즈이다. 따라서, 세 개의 샘플 세트의 각각에 대해 복수의 상이한 p-MTJ 사이즈가 제조되었고, 각각의 p-MTJ 상에 캡슐화 층이 형성되었다. 모든 샘플을 시간의 동일한 기간 동안 400 ℃에서 어닐링되었다.
Accretech UF300A 프로브를 사용하여 각각의 샘플에 대해 25 ℃에서 TMR 비(dR/R)가 측정되었다. 도 12에서 y 축 상의 DRR은 AR/R의 관점에서 도시되는데, 이 경우, 0.8은 대안적으로 80 %로 표현되고, 1.2는 120 %와 등가이고, 등등일 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 특히, 본원에서 개시되는 PVD RF 스퍼터링 방법에 의해 퇴적되는 캡슐화 층이 p-MTJ를 보호하기 위해 사용될 때 사이즈가 100 nm 이하로 감소함에 따라, 각각의 p-MTJ 사이즈에 대해 DRR이 실질적으로 증가된다.
본 개시가 본 개시의 바람직한 실시형태를 참조하여 특별히 도시되고 설명되었지만, 본 개시의 취지 및 범위로부터 벗어나지 않으면서, 형태 및 상세에서의 다양한 변경이 이루어질 수도 있다는 것이 기술 분야의 숙련된 자에 의해 이해될 것이다.

Claims (24)

  1. 자기 디바이스로서,
    (a) 자신의 상부 표면(top surface)으로부터 하부 표면(bottom surface) - 상기 하부 표면은 하부 전극(bottom electrode)과 접촉하고 상기 상부 표면은 상기 하부 표면에 평행한 제1 평면에 있는 상부 전극(top electrode)과 접촉함 - 까지 연장되는 측벽을 각각 구비하는 복수의 수직으로 자화된 자기 터널 접합부(perpendicularly magnetized magnetic tunnel junction; p-MTJ);
    (b) 각각의 p-MTJ의 상기 상부 표면으로부터 상기 하부 표면까지의 상기 측벽과 인접하며, 상기 제1 평면에서 상부 표면을 갖는 캡슐화 층(encapsulation layer)
    을 포함하고, 상기 캡슐화 층은,
    (1) 상기 p-MTJ 측벽과 접촉하는 B 또는 Ge를 포함하는 하부 층(lower layer) 및 SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO(y + z > 0) 중 하나 이상인 상부 층(upper layer)을 갖는 제1 유전체 층; 및
    (2) 상기 제1 유전체 층의 상부 표면 상에 형성되며, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 산질화물, 또는 금속 시아노질화물(metal cyanonitride), 또는 이들의 조합 중 하나인 조성을 갖는 제2 유전체 층
    을 포함하는 것인, 자기 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    각각의 p-MTJ는 MRAM, 스핀 토크(spin torque; STT) MRAM, e-플래시(e-flash), 또는 스핀 토크 발진기(spin torque oscillator; STO) 구조체의 일부인 것인, 자기 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은 약 3 옹스트롬에서부터 400 옹스트롬까지의 두께를 갖는 이중층 구성(bilayer configuration)을 갖는 것인, 자기 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층에서의 상기 하부 층은 B, BX, Ge, 또는 GeX 중 하나이고, X는 N, O, B, C, Ge, Al, P, Ga, In, Tl, Mg, Hf, Zr, Nb, V, Ti, Cr, Mo, W, Sr, 또는 Zn 중 하나인 것인, 자기 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층에서의 상기 하부 층은 B 또는 Ge이고, 상기 제1 유전체 층은 상기 하부 층과 상기 상부 층 사이의 중간 층을 더 포함하고, 상기 중간 층은 BX 또는 GeX 구성을 가지며, X는 N, O, B, C, Ge, Al, P, Ga, In, Tl, Mg, Hf, Zr, Nb, V, Ti, Cr, Mo, W, Sr, 또는 Zn 중 하나인 것인, 자기 디바이스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은 약 3 옹스트롬에서부터 400 옹스트롬까지의 두께를 갖는 것인, 자기 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 유전체 층은, SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO, 또는 이들의 조합 중 하나이고, y + z > 0인 것인, 자기 디바이스.
  8. 자기 디바이스로서,
    (a) 자신의 상부 표면으로부터 하부 표면 - 상기 하부 표면은 하부 전극과 접촉하고 상기 상부 표면은 상기 하부 표면에 평행한 제1 평면에 있는 상부 전극과 접촉함 - 까지 연장되는 측벽을 각각 구비하는 복수의 수직으로 자화된 자기 터널 접합부(p-MTJ);
    (b) 각각의 p-MTJ의 상기 상부 표면으로부터 상기 하부 표면까지의 상기 측벽과 인접하며, 상기 제1 평면에서 상부 표면을 갖는 캡슐화 층
    을 포함하고, 상기 캡슐화 층은,
    (1) 금속 질화물 매트릭스(matrix)에서 0.1 내지 10 중량%의 금속 산화물을 포함하는 제1 유전체 층; 및
    (2) 상기 제1 유전체 층의 상부 표면 상에 형성되며, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 산질화물, 또는 금속 시아노질화물, 또는 이들의 조합 중 하나인 조성을 갖는 제2 유전체 층
    을 포함하는 것인, 자기 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    각각의 p-MTJ는 MRAM, 스핀 토크(STT)-MRAM, 또는 스핀 토크 발진기(STO) 구조체의 일부인 것인, 자기 디바이스.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은 실리콘 질화물 매트릭스에서 형성되는 MgO를 포함하는 것인, 자기 디바이스.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은 약 3 옹스트롬에서부터 400 옹스트롬까지의 두께를 갖는 것인, 자기 디바이스.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제2 유전체 층은, SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO, 또는 이들의 조합 중 하나이고, y + z > 0인 것인, 자기 디바이스.
  13. 자기 디바이스를 형성하는 방법으로서,
    (a) 기판의 상부 표면 상의 개구에 의해 분리되는 복수의 수직으로 자화된 자기 터널 접합부(p-MTJ)들 - 각각의 p-MTJ는 그 상부 표면으로부터 상기 기판 상부 표면까지 연장되는 측벽을 가지며, 각각의 p-MTJ 상부 표면은 제1 평면에 있음 - 를 제공하는 단계;
    (b) RF 스퍼터링을 포함하는 물리적 증착(physical vapor deposition; PVD) 프로세스를 사용하는 것에 의해 각각의 p-MTJ 측벽 상에 제1 유전체 층을 퇴적하는 단계; 및
    (c) 상기 제1 유전체 층 상에 제2 유전체 층 - 상기 제2 유전체 층은 상기 p-MTJ들 사이의 개구를 충전하고 상기 제1 평면 위에서 0보다 실질적으로 더 큰 두께를 가짐 - 을 퇴적하는 단계
    를 포함하는, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    (a) 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polish; CMP) 프로세스를 수행하여 상기 복수의 p-MTJ들의 각각 상의 상기 상부 표면과 동일 평면에 있는 상기 제2 유전체 층 상의 상부 표면을 형성하는 단계; 및
    (b) 약 400 ℃의 온도에서 어닐 프로세스(anneal process)를 수행하는 단계
    를 더 포함하는, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 기판은 MRAM 또는 스핀 토크 MRAM의 하부 전극이거나, 또는 스핀 토크 발진기의 메인 폴 층(main pole layer)인 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은 약 3 옹스트롬에서부터 400 옹스트롬까지의 두께를 갖는 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은 B, Ge, BX 또는 GeX이고, X는 N, O, B, C, Ge, Si, Al, P, Ga, In, Tl, Mg, Hf, Zr, Nb, V, Ti, Cr, Mo, W, Sr, 및 Zn 중 하나인 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층을 PVD RF 스퍼터링하는 것은,
    B, BX, Ge, 또는 GeX 중 하나인 하부 층을 퇴적하기 위한 제1 PVD RF 스퍼터링 단계 - X는 N, O, B, C, Ge, Si, Al, P, Ga, In, Tl, Mg, Hf, Zr, Nb, V, Ti, Cr, Mo, W, Sr, 및 Zn 중 하나임 - ; 및
    그런 다음, 상기 하부 층 상에 상부 층 - 상기 상부 층은 SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO, 또는 이들의 조합이고, y + z > 0임 - 을 퇴적하기 위한 제2 PVD RF 스퍼터링 단계
    를 포함하는 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층을 PVD RF 스퍼터링하는 것은,
    B, 또는 Ge인 하부 층을 퇴적하기 위한 제1 PVD RF 스퍼터링 단계;
    BX 또는 GeX - X는 N, O, B, C, Ge, Si, Al, P, Ga, In, Tl, Mg, Hf, Zr, Nb, V, Ti, Cr, Mo, W, Sr, 및 Zn 중 하나임 - 의 중간 층을 퇴적하기 위한 제2 PVD RF 스퍼터링 단계; 및
    상기 중간 층 상에 상부 층 - 상기 상부 층은, SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO, 또는 이들의 조합이고, y + z > 0임 - 을 퇴적하기 위한 제3 PVD RF 스퍼터링 단계
    를 포함하는 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 제2 유전체 층은 화학적 증착(chemical vapor deposition; CVD), 물리적 증착(PVD), 또는 플라즈마 강화 CVD(plasma enhanced CVD; PECVD) 프로세스에 의해 퇴적되는 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 PVD RF 스퍼터 퇴적은 300 와트 내지 1500 와트의 RF 전력, 0.05 mTorr와 20 mTorr 사이의 불활성 가스 압력, 및 Ar, Kr, Xe, 및 Ne 중 하나인 불활성 가스를 포함하는 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  22. 제13항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은 SiOYNZ, AlOYNZ, TiOYNZ, SiCYNZ, 또는 MgO, 또는 이들의 조합이고, y + z > 0이며, 상기 제2 유전체 층은 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 산질화물 또는 금속 시아노질화물, 또는 이들의 조합인 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은, 금속 질화물 매트릭스에서 형성되는 금속 산화물을 포함하는 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1 유전체 층은, 실리콘 질화물 매트릭스에서 0.1 중량%에서부터 10 중량%까지의 MgO를 포함하는 조성을 갖는 것인, 자기 디바이스를 형성하는 방법.
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