KR20190120067A - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

패턴 결함의 발생을 최소화하는 임프린트 장치. 기판에 형성된 샷 영역 상에 몰드를 사용해서 임프린트재로 이루어지는 패턴을 형성하는 임프린트 장치는, 토출구를 통해 임프린트재를 토출하고, 기판 상에 임프린트재를 공급하도록 구성되는 공급 유닛과, 기판을 보유지지해서 이동하도록 구성되는 기판 스테이지와, 기판 스테이지를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함한다. 제어 유닛은 패턴이 형성된 샷 영역이 토출구의 바로 아래 부분을 피하도록 기판 스테이지를 이동시킨다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법{IMPRINT DEVICE, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE}

본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.

기판 상의 임프린트재에 몰드를 접촉시켜서 패턴을 형성하는 미세 가공 기술이 있다. 기판 상에 임프린트재를 공급하는 방법의 예는 잉크젯 방식을 포함한다. 이 방법에서는, 임프린트재를 토출하는 노즐을 통해 기판 상에 임프린트재의 액적이 적하한다. 적하 시, 액적은 주적과 부적(새틀라이트 액적)으로 분할되고, 새틀라이트 액적은 일부 경우에 원하는 적하 위치 이외의 영역에 부착한다. 패터닝된 영역에 새틀라이트 액적이 부착되면, 예를 들어 패턴 사이에 브리지가 형성됨으로써 패턴 결함이 발생할 수 있다.

일본 특허 공개 공보 제2017-147277호는, 임프린트재의 공급 경로에 직교하는 방향으로 기류를 형성하고, 임프린트재의 공급 시에 발생하는 새틀라이트 액적 등의 미스트를 임프린트 처리 전의 영역(미처리 영역)에 송출하는 것에 의해, 패턴 결함의 발생을 최소화하는 기술을 개시하고 있다.

그러나, 일본 특허 공개 공보 제2017-147277호의 기술에서는, 기류에 의해 송출되지 않는 크기의 새틀라이트 액적이 발생하는 경우에는, 패터닝된 영역에 새틀라이트 액적이 부착될 수 있다.

본 발명의 목적은 예를 들어 패턴 결함의 발생을 최소화하는데 유리한 임프린트 장치를 제공하는 것이다.

상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판에 형성된 샷 영역 상에 몰드를 사용해서 임프린트재로 이루어지는 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 토출구를 통해 상기 임프린트재를 토출하고, 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하도록 구성되는 공급 유닛과; 상기 기판을 보유지지 및 이동시키도록 구성되는 기판 스테이지와; 상기 기판 스테이지를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하며, 상기 제어 유닛은, 상기 패턴이 형성된 샷 영역이 상기 토출구의 바로 아래의 부분을 피하도록 상기 기판 스테이지를 이동시키는 임프린트 장치를 제공한다.

본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.

본 발명에 따르면, 예를 들어 패턴 결함의 발생을 최소화하는데 유리한 임프린트 장치를 제공하는 것이 가능하다.

도 1은 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2a는 몰드 스테이지, 공급 유닛 및 반송 유닛 사이의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 2b는 토출구를 도시하는 도면이다.
도 3은 기판 스테이지의 이동 경로를 설명하는 도면이다.
도 4a는 몰드 스테이지, 공급 유닛 및 기판 반송 유닛의 배치의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 4b는 토출구의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5f는 물품 제조 방법을 도시하는 도면이다.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는, 몰드(11)를 사용해서 기판(1) 위에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 임프린트 처리는, 기판 상의 임프린트재와 몰드를 접촉(임프린팅)시키고, 접촉 상태에서 임프린트재를 경화시키며, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 이형함으로써 기판 상에 임프린트재로 이루어지는 패턴을 형성하는 처리이다. 또한, 임프린트 처리는 기판(1) 위에 미경화 임프린트재를 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 임프린트재를 경화시키는 방법의 예는 광 조사를 이용하는 방법 및 다른 유형의 에너지(예를 들어, 열)를 이용하는 방법을 포함한다. 즉, 경화용 에너지의 예는 전자기파, 열 등을 포함한다. 전자기파로서는, 예를 들어 그 파장이 10 nm 이상 1 mm 이하인 전자기파가 선택되며, 적외선, 가시광선 또는 자외선 중 임의의 광이 사용될 수 있다.

본 실시형태에서는, 임프린트재로서, 자외선에 의해 경화할 수 있는 광경화성 수지를 사용하는 광경화법을 채용한다. 도 1에서는, 기판(1) 상의 임프린트재에 대하여 조사되는 자외선의 광축에 평행하게 Z축을 규정하고, Z축에 수직한 평면 내에 서로 직교하는 X축 및 Y축을 규정하고 있다.

임프린트재로서는, 경화 에너지에 의해 경화되는 경화성 조성물이 사용된다. 경화성 조성물은 광 조사 혹은 가열을 통해 경화하는 조성물이다. 광 조사에 의해 경화하는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등의 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.

임프린트재는, 액체 토출 헤드를 통해, 액적 형태, 혹은 복수의 액적이 연결되어 획득되는 섬 또는 막 형태로 기판(1) 상에 공급될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1m Pa·s 이상 100 mPa·s 이하일 수 있다.

기판(1)은, 유리, 세라믹, 금속, 반도체 또는 수지 등으로 구성되는 부재일 수 있다. 필요에 따라, 해당 부재의 표면에 해당 부재와 다른 재료로 이루어지는 층이 형성되어 있어도 된다. 기판(1)은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 플레이트 등이다. 기판(1)에는 복수의 샷 영역이 형성되어 있고, 임프린트 처리를 샷 영역마다 반복함으로써 기판(1)의 각각의 샷 영역 상에 패턴을 형성할 수 있다.

기판(1)은, 반송 핸드, 반입/반출구 등을 포함하는 반송 유닛(22)에 의해 임프린트 장치(100)의 외부로부터 반입되어, 척(2)에 의해 보유지지된다. 기판 스테이지(3)는 베이스 정반(4)에 적재되고, 기판(1)을 보유지지해서 이동한다. 기판 스테이지(3)는, 기판(1)을 X축 방향 및 Y축 방향의 미리정해진 위치에 위치결정한다.

몰드(11)는, 외주부가 직사각형이고, 기판(1)에 대면하는 면에, 미리정해진 요철 패턴이 3차원 형상으로 형성된 패턴부를 갖는다. 몰드(11)의 패턴부에 형성된 요철 패턴은 기판(1) 위에 도포된 임프린트재에 전사된다. 몰드(11)의 재료로서는, 예를 들어 석영 등의 자외선을 투과시키는 재료가 사용된다. 몰드(11)는 몰드 척(12)에 고정된다. 몰드 척(12)은 몰드 스테이지(13)에 적재된다. 몰드 스테이지(13)는, 몰드(11)의, Z축의 회전 방향의 기울기를 보정하는 기능을 갖는다. 몰드 척(12) 및 몰드 스테이지(13)는, 각각 광원(24)으로부터 콜리메이터 렌즈를 통해서 조사되는 광을 투과시키는 개구(도시하지 않음)를 갖는다. 또한, 몰드 척(12)(또는 몰드 스테이지(13))에는, 몰드(11)의 가압력을 검출하기 위한 로드셀이 배치된다.

가이드 바 플레이트(7)는 가이드 바(8)의 일단부를 고정한다. 가이드 바(8)는, 상판(6)을 관통하고, 타단부가 몰드 스테이지(13)에 고정된다. 몰드 승강 유닛(9)은, 가이드 바(8)를 Z축 방향으로 구동하여, 몰드 척(12)에 의해 보유지지된 몰드(11)를 기판(1) 상의 임프린트재에 접촉시키거나(가압하거나), 기판(1) 상의 임프린트재로부터 몰드(11)를 분리한다.

얼라인먼트 선반(14)은 지주(10)를 통해서 상판(6)에 현가된다. 얼라인먼트 선반(14)은 가이드 바(8)를 관통한다. 또한, 얼라인먼트 선반(14)에는, 예를 들어 사입사 상 어긋남 방식을 사용하여, 척(2)에 의해 보유지지된 기판(1)의 높이(평탄도)를 계측하기 위한 높이 계측계(도시하지 않음)가 배치된다.

몰드(11)의 얼라인먼트에 사용하는 TTM(스루-더-몰드(through-the-mold)) 얼라인먼트 스코프(23)는, 기판 스테이지(3) 상의 기준 마크와 몰드(11)에 설치된 얼라인먼트 마크를 관찰하기 위한 광학계 및 촬상계를 갖는다. TTM 얼라인먼트 스코프(23)는, 샷 영역마다, 기판(1) 상의 마크와 몰드(11)에 제공된 얼라인먼트 마크 사이의 상대 위치를 계측하고, 그 위치 어긋남을 보정하는, 이른바 다이-바이-다이 방식 얼라인먼트에 사용된다.

오프-액시스 얼라인먼트(OA) 스코프(21)는 얼라인먼트 선반(14)에 적재된다. OA 스코프(21)는, 기판(1) 상의 복수의 샷 영역에 제공된 얼라인먼트 마크를 계측해서 복수의 샷 영역의 위치를 결정하는, 글로벌 얼라인먼트 처리에 사용된다. TTM 얼라인먼트 스코프(23)를 통해 몰드(11)와 기판 스테이지(3) 사이의 위치 관계를 구하고, OA 스코프(21)를 통해 기판 스테이지(3)와 기판(1) 사이의 위치 관계를 구함으로써, 몰드(11)와 기판(1) 사이의 상대적인 정렬을 행할 수 있다.

스프레드 카메라(25)는, 스프레드 카메라(25)가 몰드(11)를 내려다보는 위치에 배치되고, 기판(1) 상의 임프린트재에 접촉하는 몰드(11)와 기판(1)을 동일한 화각에서 몰드(11)와 기판(1)을 중첩해서 관찰하다. 스프레드 카메라(25)는, 기판(1) 위에 공급된 임프린트재가 몰드(11)까지 충전되는 상태를 촬상함으로써 임프린트재가 몰드(11)에 충전되는 상태를 관찰하기 위해 사용된다.

계측 유닛(26)은 기판 스테이지(3)에 배치된다. 계측 유닛(26)은, 기판 스테이지(3)와 몰드(11)가 서로 상대적으로 이동하는 상태에서, 몰드 척(12)에 보유지지된 몰드(11)와 기판 스테이지(3) 사이의 거리를 복수회 계측한다. 계측 유닛(26)을 통해 계측된 몰드(11)와 기판 스테이지(3) 사이의 거리에 기초하여, 몰드(11)가 몰드 척(12)에 의해 정상적으로 보유지지되는지의 여부를 판정할 수 있다. 몰드(11)가 몰드 척(12)에 의해 정상적으로 보유지지되지 않는 경우, 몰드(11)는 의도하지 않게 낙하해서 파손되거나, 몰드(11)가 의도하지 않는 각도로 기판(1) 상의 임프린트재와 접촉해서 기판(1) 상에 형성되는 패턴의 정밀도가 저하된다. 이러한 경우에는, 임프린트 처리를 정지하고, 몰드(11)를 몰드 척(12)에 의해 정상적으로 보유지지하기 위한 복구 처리를 행해도 된다.

공급 유닛(20)은, 기판(1)을 향해서 임프린트재의 액적을 토출하도록 구성되는 토출구(노즐)를 포함하고, 기판(1) 상의 복수의 샷 영역의 각각에 임프린트재를 공급(도포)한다. 공급 유닛(20)은, 예를 들어 피에조 제트 시스템, 마이크로 솔레노이드 시스템 등을 채용하고, 기판(1) 위에 약 1pL(피코리터)의 미소한 용적의 임프린트재를 공급할 수 있다. 공급 유닛(20)에서의 토출구의 수는 한정되는 것이 아니라, 1개(단일 노즐) 또는 100개 초과이어도 된다(즉, 하나의 선형 노즐 열이 사용되거나 복수의 선형 노즐 열이 조립될 수 있다).

제어 유닛(200)은, CPU, 메모리 등을 포함하고, 임프린트 장치(100) 전체를 제어한다. 제어 유닛(200)은, 임프린트 장치(100)의 각 유닛을 제어해서 임프린트 처리를 행한다. 본 실시형태에서, 제어 유닛(200)은, 기판 스테이지(3)의 이동을 제어하고, 기판(1)이 기판 스테이지(3)에 의해 보유지지되고 나서 기판(1)이 임프린트 장치(100)로부터 반출될 때까지의 기판 스테이지(3)의 이동 경로를 결정한다.

잉크젯 방식 공급 유닛(20)이 임프린트재를 기판(1) 상의 샷 영역에 공급할 때, 또는 잉크젯 방식 공급 유닛(20)이 임프린트재를 기판(1) 상의 샷 영역에 공급하기 전 또는 후에, 임프린트재의 일부가 안개 상태의 미소 액적(미스터)을 형성하여 인접하는 샷 영역에 비산하는 경우가 있다. 이미 패턴이 형성된 샷 영역이 공급 유닛(20)의 토출구 바로 아래의 부분을 통과하면, 패턴이 그 미스트의 영향을 받아서 패턴 결함이 발생할 수 있다. 제어 유닛(200)은, 패턴이 형성된 샷 영역이, 토출구의 바로 아래의 부분을 피해서 통과하도록, 기판 스테이지(3)를 이동시킨다.

도 2a 및 도 2b는, 몰드 스테이지(13), 공급 유닛(20) 및 반송 유닛(22) 사이의 위치 관계를 도시하는 도면이다. 도 2a는, 몰드 스테이지(13), 공급 유닛(20) 및 반송 유닛(22)을 +Z 방향으로부터 본 도면이다. 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에서는, 공급 유닛(20)과 반송 유닛(22) 사이에 몰드 스테이지(13)가 배치된다. 기판(1)은, 반송 유닛(22)으로부터 반입되면, 기판 스테이지(3)의 척(2)에 의해 보유지지되고, 공급 유닛(20)의 바로 아래의 부분으로 이동된다. 도 2b는, 토출구(28)를 도시하는 도면이며, 공급 유닛(20)을 기판(1) 측인 -Z 방향에서 본 도면이다. 공급 유닛(20)은, 기판(1)과 대향하는 토출면(27)에 복수의 토출구(28)를 갖는다. 공급 유닛(20)은, 토출구(28)를 통해 임프린트재를 토출하고, 임프린트 처리가 대상이 되는 샷 영역에 임프린트재를 공급한다.

임프린트재가 공급된 기판(1)은, 기판 스테이지(3)를 사용하여, 몰드(11)의 바로 아래 부분으로 이동된다. 몰드(11)의 바로 아래 부분으로 기판(1)이 이동되면, 얼라인먼트가 행해지고, 대상 샷 영역에 임프린트 처리가 행해진다. 이 처리가 반복되고, 모든 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행해졌으면, 기판(1)은 반송 유닛(22)을 사용하여 장치로부터 반출된다.

도 3은 기판 스테이지(3)의 이동 경로를 설명하는 도면이다. 본 실시형태에서, 공급 유닛(20)이 얼라인먼트 선반(14)에 고정되고 기판 스테이지(3)가 이동할 때, 공급 유닛(20)의 토출구(28)와 기판(1) 사이의 상대적인 위치 관계가 변화한다. 도 3에서는, 설명의 간단화를 위하여, 기판(1) 상에서의 토출구(28)의 이동 궤적을 나타내고 있다. 상술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에서는, 공급 유닛(20)과 반송 유닛(22) 사이에 몰드 스테이지(13)가 배치된다. 이 때문에, 도 3에 도시한 바와 같이, 반송 유닛(22) 측에 위치하는 샷 영역으로부터 임프린트 처리를 행함으로써, 패턴이 형성된 샷 영역이 토출구(28)의 바로 아래 부분을 통과하지 않고, 샷 영역 모두의 임프린트 처리를 완료시키는 것이 가능하다. 또한, 반출 시에, 기판(1)을 최단 경로를 따라 이동시키면, 기판(1)은 공급 유닛(20)의 토출구(28)의 바로 아래 부분을 통과하지 않는다. 따라서, 제어 유닛(200)은, 도 3에 도시된 순서로 임프린트 처리가 행해지도록, 기판 스테이지(3)의 이동 경로를 결정하고, 기판 스테이지(3)를 이동시킨다. 또한, 제어 유닛(200)은, 반출 시에서도, 최단 경로를 반출 경로로서 결정하고, 기판 스테이지(3)를 이동시킨다.

제어 유닛(200)은, 기판(1) 상에 형성된 모든 샷 영역의 위치 정보와 공급 유닛(20)의 토출구(28)의 배치에 기초하여, 기판 스테이지(3)의 이동 경로 및 임프린트 처리를 행하는 샷 영역의 순서를 결정한다. 또한, 제어 유닛(200)은, 기판 스테이지(3)의 가속 구동 및 감속 구동을 고려해서 기판 스테이지(3)의 이동 경로를 결정한다.

제어 유닛(200)은 반송 유닛(22)의 배치를 고려해서 기판 스테이지(3)의 이동 경로를 결정해도 된다는 것에 유의해야 한다. 도 4a 및 도 4b는, 몰드 스테이지(13), 공급 유닛(20) 및 반송 유닛(22)의 배치의 다른 예를 도시하는 도면이다. 예를 들어, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 몰드 스테이지(13)와 반송 유닛(22) 사이에 공급 유닛(20)이 배치되고, 공급 유닛(20)은 도 4b에 도시한 바와 같은 토출구(28)를 갖고 있는 것으로 한다. 도 3에 도시하는 순서로 임프린트 처리를 행함으로써, 임프린트 처리 동안, 패턴이 형성된 샷 영역이 토출구(28)의 바로 아래의 부분을 피하는 것이 가능하다. 그러나, 반출시에 최단 경로를 따라 기판 스테이지(3)를 이동시키면, 패턴이 형성된 샷 영역이 토출구(28)의 바로 아래의 부분을 통과하게 된다. 이 경우, 제어 유닛(200)은, 기판 스테이지(3)를 최단 경로가 아니고 기판 스테이지(3)가 토출구(28)의 바로 아래의 부분을 통과하는 것을 피하는 경로를 통해 시켜도 된다.

또한, 예를 들어 기판(1)이 IC 칩으로서 사용하지 않는 영역 등의 패턴이 형성되지 않는 영역을 포함하는 경우에는, 패턴이 형성되지 않는 영역의 위치 정보에 기초하여, 기판 스테이지(3)의 이동 경로를 결정해도 된다. 또한, 제어 유닛(200)은, 얼라인먼트 시에서도, 패턴이 형성된 샷 영역이, 토출구(28)의 바로 아래에 배치되지 않도록, 기판 스테이지(3)의 이동 경로를 결정한다.

또한, 예를 들어 이상 발생 등에 의해, 임프린트 처리를 중단하는 경우에도, 제어 유닛(200)은 패턴이 형성된 샷 영역이 토출구(28)의 바로 아래의 부분을 통과하는 것을 피하도록 기판 스테이지(3)를 이동시킨다. 이 경우, 예를 들어 이미 패턴이 형성된 샷 영역의 위치 정보에 기초하여 이동 경로를 결정한다.

이와 같이, 패턴이 형성된 샷 영역의 경로가 토출구의 바로 아래의 부분을 피함으로써, 토출구를 통해 발생할 수 있는 임프린트재의 미스트가 패턴에 부착되는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다.

(물품 제조 방법에 따른 실시형태)

본 발명의 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스 및 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시형태의 물품 제조 방법은, 기판(1)에 도포된 임프린트재에 상기 임프린트 장치를 사용해서 패턴을 형성하는 단계(기판(1)에 임프린트 처리를 행하는 단계)와, 이러한 단계에서 패턴이 형성된 기판(1)을 가공하는 단계를 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 단계(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시형태의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.

임프린트 장치(100)를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM과 같은 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA 같은 반도체 소자 등을 포함한다. 몰드의 예는 임프린팅 몰드 등을 포함한다.

경화물로 이루어지는 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 혹은 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판(1)의 가공 단계에서 에칭, 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.

이어서 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다.

도 5a에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적 형상의 임프린트재(3z)가 기판(1) 위에 부여된 상태를 나타내고 있다.

도 5b에 도시하는 바와 같이, 임프린팅 몰드(4z)를, 그 요철 패턴이 형성된 측이 임프린트재(3z)에 대면하도록 기판(1) 상의 임프린트재(3z)에 대향하도록 배치한다.

도 5c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)을 몰드(4z)와 접촉시켜 압력을 가한다. 결과적으로, 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 몰드(4z)를 통해 경화 에너지로서 광을 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화한다.

도 5d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 몰드(4z)와 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)로 이루어지는 경화물로 형성되는 패턴이 형성된다. 이 경화물로 이루어지는 패턴은, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하고, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 몰드(4z)의 요철 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다.

도 5e에 도시된 바와 같이, 경화물로 이루어지는 패턴을 내에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 존재하지 않거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈(5z)이 제공된다.

도 5f에 도시하는 바와 같이, 경화물로 이루어지는 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는, 경화물로 이루어지는 패턴을 제거했지만, 경화물로 이루어지는 패턴을 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.

(다른 실시형태)

본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명했지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

본 출원은 그 전문이 본원에 참조로 통합되는 2018년 4월 13일에 출원된 일본 특허 출원 제2018-077549호의 이점을 주장한다.

Claims (8)

1. 기판에 형성된 샷 영역 상에 몰드를 사용해서 임프린트재로 이루어지는 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
   토출구를 통해 상기 임프린트재를 토출하고, 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하는 공급 유닛과;
   상기 기판을 보유지지 및 이동시키는 기판 스테이지와;
   상기 기판 스테이지를 제어하는 제어 유닛을 포함하며,
   상기 제어 유닛은, 상기 패턴이 형성된 샷 영역이 상기 토출구의 바로 아래의 부분을 피하도록 상기 기판 스테이지를 이동시키는 임프린트 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 기판에 형성된 상기 샷 영역의 위치 정보와 상기 토출구의 배치에 기초하여, 상기 기판 스테이지를 이동시키는 임프린트 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 패턴이 형성된 샷 영역의 위치 정보에 기초하여, 상기 기판 스테이지를 이동시키는 임프린트 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 기판 상의 패턴이 형성되지 않는 영역의 위치 정보에 기초하여, 상기 기판 스테이지를 이동시키는 임프린트 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 기판을 상기 임프린트 장치로부터 반출하기 위한 반송 유닛의 배치에 기초하여 상기 기판 스테이지의 반출 경로를 결정하는 임프린트 장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 기판이 상기 기판 스테이지에 의해 보유지지되고 나서 상기 기판이 상기 반송 유닛으로부터 반출될 때까지의 상기 기판 스테이지의 이동 경로를 결정하는 임프린트 장치.
7. 기판에 형성된 샷 영역 상에 몰드를 사용해서 임프린트재로 이루어지는 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
   토출구를 통해 상기 임프린트재를 토출하고, 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하는 단계와;
   상기 기판을 이동시킬 때에, 상기 패턴이 형성된 샷 영역이 상기 토출구의 바로 아래 부분을 피하도록 상기 기판을 이동시키는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
8. 기판에 형성된 샷 영역 상에 몰드를 사용해서 임프린트재로 이루어지는 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 사용하여 물품을 제조하는 방법이며,
   토출구를 통해 상기 임프린트재를 토출하고, 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 공급하는 단계와;
   상기 기판을 이동시킬 때에, 상기 패턴이 형성된 샷 영역이 상기 토출구의 바로 아래 부분을 피하도록 상기 기판을 이동시키는 단계와;
   상기 단계들에서 형성된 패턴을 갖는 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하는 물품 제조 방법.

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