KR20190111832A - 기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190111832A
KR20190111832A KR1020190033044A KR20190033044A KR20190111832A KR 20190111832 A KR20190111832 A KR 20190111832A KR 1020190033044 A KR1020190033044 A KR 1020190033044A KR 20190033044 A KR20190033044 A KR 20190033044A KR 20190111832 A KR20190111832 A KR 20190111832A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heat
heating element
heating
heating apparatus
Prior art date
Application number
KR1020190033044A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102435774B1 (ko
Inventor
사토시 오이카와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20190111832A publication Critical patent/KR20190111832A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102435774B1 publication Critical patent/KR102435774B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

본 발명은, 이러한 저온 고압 하의 프로세스에 있어서도, 기판을 아래쪽에서 충분히 가열하여 보온할 수 있는 기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판을 대략 수평으로 지지 가능한 기판 지지 부재와,
상기 기판 지지 부재의 아래쪽에 설치되고, 상기 기판과 대략 평행하게 설치되고, 미리 정해진 평면 형상을 갖는 가열 수단과,
상기 가열 수단의 외주부로부터 아래쪽으로 연장되는 측면부를 갖는다.

Description

기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치{SUBSTRATE HEATING APPARATUS AND SUBSTRTE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은, 기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 상단이 개구되어 있는 가열로 본체와, 가열로 본체 내부에 설치되어 있는 가열 수단과, 가열로 본체 내에 수용되어 있고, 단일한 관으로 이루어진 반응관을 구비한 열처리 장치로서, 가열 수단이, 반응관 주위를 둘러싸도록 배치된 선형 발열 소자와, 반응관 상부의 직경이 좁아진 부분 주위에 배치된 스파이럴형 발열 소자와, 반응관의 직선 본체부 상부에 배치된 지그재그형 발열 소자와, 반응관의 직선 본체부 하부에 배치된 평평한 스파이럴형 발열 소자와, 반응관 내부의 피처리 기판 지지 부재 하부에 배치된 면형 발열체로 이루어진 구성을 갖는 열처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
이러한 특허문헌 1에서는, 면형 발열체의 하부에 열반사체를 더 배치하고, 면형 발열체가 아래쪽으로 발생시키는 열을 위쪽으로 반사하여, 열이 아래쪽으로 산일(散逸)되지 않도록 하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-119510호 공보
그러나, 최근, 복잡한 패턴이 형성된 기판의 휨을 방지한다는 관점에서, 프로세스의 저온화가 진행되고 있다. 또한, 가열로 내에 공급하는 처리 가스와 기판과의 접촉 횟수를 많게 하여, 스루풋을 향상시킨다는 관점에서, 프로세스의 고압화도 진행되고 있다. 이러한 저온 고압화의 프로세스 환경에서는, 면형 발열체의 발열량도 작게 억제되기 때문에, 열반사체로 충분히 열을 반사할 수 없어, 반응관의 아래쪽으로부터 열이 방출되기 쉬워진다. 그 때문에, 아래쪽의 가열이 불충분해지기 쉬워, 균일한 가열이 곤란해진다고 하는 문제가 있었다.
그래서, 본 발명은, 이러한 저온 고압 하의 프로세스에 있어서도, 기판을 아래쪽에서 충분히 가열하여 보온할 수 있는 기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 따른 기판 가열 장치는, 기판을 대략 수평하게 지지 가능한 기판 지지 부재와,
상기 기판 지지 부재의 아래쪽에 설치되고, 상기 기판과 대략 평행하게 설치되고, 미리 정해진 평면 형상을 갖는 가열 수단과,
상기 가열 수단의 외주부로부터 아래쪽으로 연장되는 측면부를 갖는다.
본 발명에 따르면, 기판을 아래쪽에서 충분하게 가열 및 보온할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 기판 가열 장치 및 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터의 일례를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터의 일례를 나타낸 도면이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태의 설명을 행한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 기판 가열 장치 및 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 본 실시형태에 따른 기판 가열 장치는, 기판을 가열 처리하는 여러 가지 기판 처리 장치에 적용 가능하지만, 본 실시형태에 있어서는, 기판을 수평한 상태에서 세로 방향(수직 방향)으로 미리 정해진 간격을 두고 적재 지지하고, 복수 장의 기판을 가열 처리하는 세로형 열처리 장치(1)에 적용한 예를 들어 설명한다. 즉, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 세로형 열처리 장치(1)로서 구성한 예를 들어 설명한다.
도 1에 있어서, 세로형 열처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼(W)(이하, 단순히 「웨이퍼(W)」라고 부름) 등의 기판을 수용하여 미리 정해진 처리, 예컨대 CVD 처리를 행하기 위한 세로형의 열처리로(20)를 구비한다. 열처리로(20)는, 하부가 로구(31)로서 개구된 세로로 긴 처리 용기인 반응관(30)과, 이 반응관(30)의 로구(31)를 개폐하는 승강 가능한 덮개체(40)와, 반응관(30) 주위에 설치되고, 반응관(로)(30) 내부를 미리 정해진 온도 예컨대 300∼1200℃로 가열 제어 가능한 발열 저항체를 포함하는 측면 히터(50)를 구비한다. 반응관(30)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 웨이퍼 보트(60)가 설치되고, 웨이퍼 보트(60)의 아래쪽에는, 웨이퍼(W)를 아래쪽으로부터 가열 및 보온하기 위한 가열 수단으로서, 하부 히터(70)가 설치되어 있다. 웨이퍼 보트(60)는, 웨이퍼(W) 등의 기판을 지지하기 위한 기판 지지 부재이며, 복수 장의 웨이퍼(W)를 대략 수평한 상태에서, 세로 방향(수직 방향)으로 미리 정해진 간격을 두고 배열하여, 지지할 수 있다. 또한, 열처리로(20)의 외부에는, 기판 가열 장치를 포함하는 기판 처리 장치 전체의 동작을 제어하는 제어부(110)가 설치된다.
또한, 웨이퍼 보트(60) 및 하부 히터(70)가 본 실시형태에 따른 기판 가열 장치를 구성한다. 그 밖의 구성 요소는, 기판 처리 장치의 구성 요소가 된다.
반응관(30)은, 예컨대 석영 유리나 탄화규소 등의 세라믹으로 이루어진 단관식 반응관이며, 웨이퍼(W)를 수용하여 기판 처리를 행하기 위한 처리 용기이다. 반응관(30)의 하단부에는 외향의 플랜지부(32)가 형성되고, 이 플랜지부(32)는, 플랜지 유지 부재(81)를 통해 베이스 플레이트(80)의 하부에 유지되어 있다. 이 경우, 베이스 플레이트(80)를 반응관(30)이 아래쪽에서 관통하고, 또한, 베이스 플레이트(80) 상에 측면 히터(50)가 설치되어 있다.
반응관(30)의 플랜지부(32)에는 반응관(30) 내에 처리 가스나 퍼지용 불활성 가스를 도입하는 복수의 가스 도입관(90)이 설치되고, 이들 가스 도입관(90)에는 가스 공급계의 배관이 접속되어 있다. 또한, 반응관(30)의 정상부는 직경이 점차 축소되고, 이 정상부에는 배기구(10)가 형성되어 있으며, 이 배기구(10)에는 반응관(30) 내부를 감압 제어 가능한 진공 펌프나 압력 제어 밸브 등을 갖는 배기계의 배관이 접속되어 있다(도시 생략).
열처리로(20)의 아래쪽은, 덮개체(40) 상에 배치된 후술하는 웨이퍼 보트(60)를 열처리로(즉 반응관(30))(20) 내에 반입(로드)하거나, 열처리로(20)에서 반출(언로드)하거나, 혹은 웨이퍼 보트(60)로의 웨이퍼(W)의 이송을 행하기 위한 작업 영역(로딩 영역)(12)으로 되어 있다. 이 작업 영역(12)에는 웨이퍼 보트(60)의 반입, 반출을 행하도록 덮개체(40)를 승강시키기 위한 승강 기구(13)가 설치되어 있다.
덮개체(40)는, 예컨대 SUS제의 덮개로 이루어지고, 복수의 완충 기구(14)를 통해 유지판(15) 상에 유지되어 있으며, 이 유지판(15)이 승강 기구(13)에 연결되어 있다. 덮개체(40)는 로구(31)의 개구단에 접촉하여 로구(31)를 밀폐한다. 덮개체(40)의 하부 중앙부에는 웨이퍼 보트(60)를 회전시키기 위한 예컨대, 질화규소 등의 세라믹스에 의해 형성된 회전축부(101)를 갖는 회전 도입 기구(100)가 설치되어 있다.
웨이퍼 보트(60)는, 예컨대 석영제이며, 대구경 예컨대 직경 300 ㎜의 다수 예컨대 20∼150장 정도의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 상하 방향으로 간격을 두고 다단으로 지지하는 보트 본체(62)와, 이 보트 본체(62)를 지지하는 1개의 레그부(61)를 가지며, 이들 보트 본체(62)와 레그부(61)가 일체로 형성되어 있다. 그리고 웨이퍼 보트(60)의 1개의 레그부(61)는, 웨이퍼(W)를 둘레 방향으로 회전시키기 위한 회전축부(101)에 연결되어 있다.
보트 본체(62)는, 상부판(63), 바닥판(64), 및 이 상부판(63)과 바닥판(64)을 고착 접합하기 위한 복수의 지주(65)로 이루어져 있다. 바닥판(64)의 중앙부에, 레그부(61)가 고착되어 있다. 그리고, 이 지주(65)에는, 기판(웨이퍼(W))을 수평으로 유지하기 위한 홈(66)이 형성되어 있고, 이 홈(66)에 웨이퍼(W)의 주연부가 지지되도록 되어 있다.
레그부(61)는, 하단부에, 반경 방향 바깥쪽으로 돌출되는 하방 플랜지(61a)를 갖는다. 즉, 레그부(61)의 하방부는 바깥쪽으로 돌출되는 하방 플랜지(61a)로 이루어지고, 레그부(61)는 하방 플랜지(61a)를 통해 회전축부(101)에 연결되어 있다. 이 경우, 하방 플랜지(61a)와 회전축부(101)는, 예컨대, 도시하지 않은 하방 플랜지(61a)에 매립된 연결핀에 의해 연결되어 있다.
회전 도입 기구(100)는, 전술한 바와 같이, 회전축부(101)와, 덮개체(40)의 하부 중앙부에 일체적으로 설치되어 회전축부(101)를 회전 가능하게 지지하는 통 형상의 하우징(102)을 갖는다. 하우징(102)의 아래쪽에는, 회전통체(103)가 설치되어 있다. 회전통체(103) 내에는, 도시하지 않은 회전축이, 회전통체(103)와 일체가 되어 수용되어 있고, 회전통체(103) 내에 도시하지 않은 베어링을 통해 회전 가능하게 설치되어 있다. 회전통체(103)에는, 회전 구동 수단인 모터가 도시하지 않은 벨트를 통해 연결되고, 이것에 의해 회전축이 회전 구동되도록 구성된다.
덮개체(40)는 레그부(61)의 하방 플랜지(61a)를 둘러쌈과 더불어, 위쪽으로 돌출되는 포위링(41)을 갖고 있다. 이 포위링(41)은 덮개체(40)와 일체로 형성되며, 포위링(41)과 하방 플랜지(61a) 사이에, 수직 방향을 따라 연장되는 간극이 형성되어 있다. 포위링(41)과 하방 플랜지(61a) 사이의 간극은, 예컨대 0.2 ㎜∼2.0 ㎜의 크기를 가지며, 또한 포위링(41)의 높이는 10 ㎜∼40 ㎜로 되어 있다.
또한, 덮개체(40)의 포위링(41)과 하방 플랜지(61a) 사이의 간극으로부터, 회전축부(101) 측으로 부식성을 갖는 처리 가스가 침입하는 것을 방지하기 위해, 예컨대 질소 가스(N2)와 같은 불활성 가스를 도입 가능한 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 필요에 따라, 프로세스 중에, 덮개체(40)의 포위링(41)과 하방 플랜지(61a) 사이의 간극으로부터, 반응관(30) 내로 불활성 가스가 도입되는 것이 가능하다.
측면 히터(50)는, 반응관(30)을 외측면으로부터 가열할 수 있는 한, 여러 가지 구성으로 되어도 좋다. 측면 히터(50)는, 예컨대, 선형 발열 소자를 반응관(30)의 측면부를 둘러싸도록 반응관(30)의 길이 방향을 따라 복수 개 배치하여 구성되어도 좋다. 이 경우, 구체적으로는, 선형 발열 소자가 수 센티 정도의 간격으로, 다수 배치된다. 선형 발열 소자는, 반응관(30)의 길이 방향으로 직선 상에 배치하여도 좋고, U자형으로 굴곡시킨 선형 발열 소자를 복수, 반응관(30)을 둘러싸도록 배치하여도 좋다.
선형 발열 소자는, 고순도의 선형의 가요성이 있는 저항 발열체, 예컨대 선직경 10 ㎛ 전후의 카본 파이버 다발을 복수 이용하여 짜 넣음으로써 형성된 카본 와이어를, 직선 관형의 석영 튜브와 같은 외경(外徑) 십수 ㎜의 세라믹 튜브 내에 배치하고, 세라믹 튜브의 단부를, 외부로의 전력 공급용 단자가 접속할 수 있도록 밀봉하여 구성한 것이어도 좋다. 이러한 선형 발열 소자는, 열용량이 작기 때문에, 동적인 온도 특성이 우수하고, 급속 승온 및 강온이 가능하며 또한 그 제어도 용이하다고 하는 특징을 갖고 있다.
측면 히터(50)는, 제어부(110)에 의해 제어되어 전력이 공급되고, 구동된다. 이 때에, 이 측면 히터(50) 전체에 동일한 전력을 공급하여 제어하여도 좋고, 이 측면 히터(50)를 복수의 그룹으로 나누어, 각각의 그룹에 상이한 전력을 공급하여 복수의 그룹으로 나누어 발열량을 제어할 수도 있다. 또한, 이들 복수의 측면 히터(50)를 직렬로 접속하고, 전원 장치에 접속하여 구동하여도 좋으며, 병렬로 접속하여 구동하여도 좋다.
덮개체(40) 상에는, 보온 공간(79)을 갖는 로구 보온 수단인 하부 히터(70)가 고정되어 설치된다. 하부 히터(70)는, 웨이퍼 보트(60)의 아래쪽에 설치되고, 웨이퍼(W)를 아래쪽에서 가열하여, 보온하기 위한 수단이다. 하부 히터(70)는, 덮개체(40)의 상면 상에 둘레 방향으로 적절한 간격으로 세워진 복수의 지주(75)와, 이들 지주(75)의 상단부에 수평하게 놓여져 설치된 평면형의 면형 발열체(71)와, 면형 발열체(71)의 외주단으로부터 아래쪽으로 연장되는 측면부(72)를 구비한다. 하부 히터(70)는, 면형 발열체(71)에서의 발열이, 측방 및 하방으로부터 방출되어 버리지 않도록, 면형 발열체(71)의 외주 단부로부터 아래쪽으로 연장되는 측면부(72)를 구비하여, 면형 발열체(71)의 발열을 효율적으로 보온하고, 웨이퍼(W)를 아래쪽에서 확실히 가열하고, 보온하는 역할을 수행한다.
또한, 하부 히터(70)는, 필요에 따라, 면형 발열체(71)의 아래쪽에 미리 정해진 간격으로 지주(75)에 놓여져 설치된 복수 예컨대 2장의 열반사체(76)를 구비하여도 좋다. 지주(75) 및 열반사체(76)는, 예컨대 석영제로 되어 있다. 면형 발열체(71) 및 열반사체(76)에는 웨이퍼 보트(60)의 하방 플랜지(61a)를 포함하는 레그부(61)가 관통하는 관통 구멍(77)이 형성되어 있다. 또한, 면형 발열체(71)에 전기를 공급하는 케이블을 도통하기 위한 도통관(78)이, 유지판(15)으로부터 덮개체(40)를 기밀하게 관통한 상태로 설치되어 있다. 또한, 하부 히터(70)의 구성의 상세에 대해서는 후술한다.
덮개체(40) 상에는, 레그부(61)를 바깥쪽에서 둘러싸는 원통 차폐체(42)가 설치되어 있다. 이 원통 차폐체(42)는 레그부(61) 중, 특히 하방 플랜지(61a)를 바깥쪽에서 포위하고, 반응관(30) 내로 가스 도입관(90)으로부터 도입되는 처리 가스가, 덮개체(40)의 포위링(41)과 레그부(61)의 하방 플랜지(61a) 사이의 간극으로부터 회전축부(101)로 침입하는 것을 방지하는 것이다.
또한, 이 원통 차폐체(42)는 포위링(41)의 외주에 형성된 경사면에 의해 간단히 위치 결정되도록 형성되어 있다. 즉, 포위링(41)의 최외경은 원통 차폐체(42)의 내경보다 약간 작게 되도록 설정되어 있다.
다음에, 하부 히터(70)의 구성에 대해서 보다 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터의 일례를 나타낸 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 하부 히터(70)는, 면형 발열체(71)와, 측면부(72)를 갖는다. 또한, 면형 발열체(71)는, 예컨대, 내부에 선형 저항 발열체(73)를 갖는다. 또한, 도 2에 있어서는, 면형 발열체(71)의 내부에 선형 저항 발열체(73)가 설치되어 있는 예를 들어 설명하지만, 이것은 일례이며, 다른 형태의 발열체, 가열 수단으로서 구성되어도 좋다.
전술한 바와 같이, 하부 히터(70)는, 반응관(30) 내에 배치되어 있는 웨이퍼 보트(60)의 바닥판(64)으로부터 아래쪽을 향해 열이 산일되고, 웨이퍼 보트(60)의 하부에서 온도 저하가 생기는 것을 방지하기 위해 배치된다. 그 때문에, 하부 히터(70)는, 원반형의 면형 발열체(71), 혹은 발열 소자를 웨이퍼 보트(60)의 바닥판(64)의 평면을 따라 배치한 복수의 발열체를 구비하고, 그 중앙부에는 개구부를 갖고 있으며, 그 내부에 웨이퍼 보트(60)를 지지하는 레그부(61)가 삽입 관통되도록 되어 있다. 또한, 면형 발열체(71)는, 용도에 따른 미리 정해진 평면 형상을 가지며 구성되지만, 처리 용기의 형상, 웨이퍼(W)의 평면 형상에 따라 적절하게 변경 가능하고, 예컨대, 다각형의 평면 형상을 가져도 좋다.
그러나, 이러한 면형 발열체(71)를 설치하는 것만으로는, 프로세스 온도가 700∼800℃와 같은 레벨의 고온의 경우는 문제없지만, 최근 행해지고 있는 500∼650℃와 같은 레벨의 프로세스 온도에서는, 웨이퍼 보트(60)의 아래쪽의 가열 및 보온이 불충분해질 우려가 있다. 이러한 저온 프로세스는, 웨이퍼(W)의 휨을 방지하기 위해 실시되고 있다. 즉, 종래보다도 웨이퍼(W)에 형성되는 패턴이 복잡해지고, 열처리시에 휨이 발생하며, 열처리 후에 웨이퍼(W)의 휨이 원래 상태로 되돌아갔을 때에, 웨이퍼(W)가 파손되는 경우가 늘었기 때문에, 이것을 방지하기 위해 행해지고 있다.
종래 행해지고 있던 700∼800℃와 같은 레벨의 고온 프로세스의 경우, 면형 발열체(71)가 충분히 발열하여, 빛을 발생시킨다. 면형 발열체(71)의 발열은, 위쪽뿐만 아니라 아래쪽으로도 발산되기 때문에, 예컨대 면형 발열체(71)의 아래쪽에 열반사체(76)를 설치하도록 하면, 면형 발열체(71)의 빛 및 열을 위쪽으로 반사시킬 수 있어, 위쪽에 충분한 열을 부여할 수 있다. 그러나, 500∼650℃와 같은 레벨이 낮은 온도에서는, 면형 발열체(71)가 빛을 발생시키지 않고, 투명한 상태로 발열하는 상태가 된다. 그렇게 하면, 가령 아래쪽에 열반사체(76)를 설치했다고 해도, 반사할 수 있는 정도의 빛, 열을 열반사체(76)가 받지 않아, 위쪽으로의 열공급이 감소되고, 하부 히터로서의 효과가 현저히 저하될 우려가 있다.
그래서, 본 실시형태에 따른 기판 가열 장치에 있어서는, 면형 발열체(71)의 외주부로부터 아래쪽으로 연장되는 측면부를 설치하고, 면형 발열체(71)로부터의 발열이 하방 및 측방으로 산일되지 않도록 하여, 면형 발열체(71)의 아래쪽에 보온 공간(79)을 형성한다.
구체적으로는, 도 2에 도시된 바와 같이, 면형 발열체(71)의 외주단으로부터 측면부(72)가 아래쪽으로 연장되고, 면형 발열체(71)의 아래쪽에 대략 원통형의 보온 공간(79)을 형성한다. 이것에 의해, 면형 발열체(71)의 위쪽으로의 발열은 그대로 웨이퍼(W)의 가열에 기여하게 함과 더불어, 면형 발열체(71)의 아래쪽으로의 발열은 보온 공간(79) 내에 유지하고, 웨이퍼 보트(60)의 아래쪽 공간의 온도 저하를 방지할 수 있다. 즉, 면형 발열체(71)의 웨이퍼(W)로의 직접적인 발열은 차폐 없이 그대로 웨이퍼(W)(정확하게는 웨이퍼 보트(60)의 바닥판(64))에 효율적으로 도달하게 하고, 면형 발열체(71)의 웨이퍼(W)와 반대측의 발열에 대해서는, 측면부(72)에 의해 측방으로의 산일을 방지하며, 둘러싼 보온 공간(79) 내에 열을 유지하여, 축열할 수 있다. 이것에 의해, 면형 발열체(71)의 상면 및 하면에서의 발열을 매우 효율적으로 가열 및 보온에 이용할 수 있어, 가열 효율 및 보온 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 측면부(72)의 형상은, 균일한 보온의 관점에서, 면형 발열체(71)의 외주의 전체에 걸쳐 동일한 길이를 갖는 것이 바람직하다. 즉, 예컨대, 면형 발열체(71)가 원형인 경우에는, 전체 둘레에 걸쳐 아래쪽으로 동일한 길이만큼 연장되어, 원통형을 구성하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 전체 둘레에 걸쳐, 보온 공간(79)을 균일하게 보온할 수 있기 때문이다.
또한, 측면부(72)의 길이는, 용도에 따라 적절하게 정할 수 있지만, 하단이 덮개체(40)에 접촉하지 않는 범위에서, 가능하면 길게 형성하는 것이 바람직하다. 보온 공간(79)이 밀폐 공간에 가까워질수록, 보온 공간(79) 내에서의 보온 효과는 높아지기 때문이다.
전술한 바와 같이, 덮개체(40)의 포위링(41)과 웨이퍼 보트(60)의 레그부(61)의 하방 플랜지(61a) 사이의 간극으로부터 질소 등의 불활성 가스를 공급하는 경우에는, 불활성 가스의 반응관(30) 내로의 공급 경로를 확보해야 하기 때문에, 측면부(72)의 하단은, 덮개체(40)와 이격시키도록 한다. 그리고, 불활성 가스의 반응관(30) 내로의 공급에 지장이 없는 범위에서, 측면부(72)의 길이를 가능한 한 길게 하고, 덮개체(40)의 상면과 측면부(72)의 하단과의 거리를 짧게 하여, 보온 공간(79)의 밀폐도 및 보온 효과를 높이는 것이 바람직하다.
한편, 불활성 가스를 덮개체(40)의 포위링(41)과 웨이퍼 보트(60)의 레그부(61)의 하방 플랜지(61a) 사이의 간극으로부터 공급하지 않는 경우에는, 측면부(72)의 길이를 덮개체(40)의 상면에 접촉할 때까지 연장시켜도 좋다.
이와 같이, 측면부(72)의 형상 및 길이는, 용도에 따라 여러 가지 구성으로 할 수 있다.
또한, 측면부(72)는, 예컨대, 석영, 불투명 석영, 탄화규소 등, 보온성이 높은 재료로 구성할 수 있다.
마찬가지로, 면형 발열체(71)도, 여러 가지 구성으로 할 수 있다. 구체적으로는, 면형 발열체(71)는, 예컨대, 선형 저항 발열체(73)를 평면 상에 밀접하게 배치하여 마치 평면이 균일하게 발열하도록 한 것이어도 좋다. 선형 저항 발열체(73)를 이용하는 경우에는, 금속 불순물이 적은 선형의 저항 발열체를 세라믹 예컨대 석영 내에 봉입되어 구성되는 것이며, 이 예에서는 예컨대 두께 8 ㎜ 정도의 석영제의 원판형체(석영 플레이트) 내에 고순도의 탄소 소재로 이루어진 카본 와이어 등의 발열선을 스파이럴형, 혹은 지그재그형으로 배치하여 구성할 수 있다. 또한 서로 인접한 발열선 사이에 석영을 개재시켜도 좋고, 이 경우 석영으로 이루어진 스파이럴형 구획벽 사이에 발열선이 배선되게 된다. 면형 발열체(71)는, 보온 효과를 크게 하기 위해 웨이퍼(W)와 동일하거나 그것보다도 큰 사이즈인 것이 바람직하다. 또한, 면형 발열체(71)의 평면 형상은, 미리 정해진 평면 형상을 갖는 한, 원형에 한정되지 않고, 용도에 따라 여러 가지 형상으로 구성할 수 있는 것은 전술한 바와 같다. 또한, 면형 발열체(71)는, 웨이퍼(W)와 대략 평행하게 설치되는 것이 바람직하다. 웨이퍼(W)와 평행하게 설치되면, 웨이퍼(W)의 면내를 균일하게 가열할 수 있기 때문이다. 또한, 면형 발열체(71)도, 석영, 불투명 석영, 탄화규소 등, 보온성이 높은 재료로 구성할 수 있다.
전술한 복수의 발열체를 이용하여 면형 발열체(71)를 구성하는 경우에는, 블록형 발열체 등과 같은 임의의 형상의 발열체를, 웨이퍼 보트(60)의 바닥판(64)의 평면을 따라, 가열한 온도가 균일해지도록 배치함으로써 실현할 수 있다.
또한, 면형 발열체(71)와 측면부(72)는, 처음부터 일체 성형하여도 좋고, 면형 발열체(71)와 측면부(72)를 따로따로 제작하고, 나중에 용접에 의해 일체화하여도 좋다. 하부 히터(70)의 제조 방법은, 용도에 따라 여러 가지 방법을 채용할 수 있다.
면형 발열체(71)를 설치하는 경우에는, 면형 발열체(71)의 주연부의 하면측에는 예컨대 둘레 방향으로 3등분한 부위에 석영으로 이루어진 지주(75)를 설치하고, 이들 지주(75)를 덮개체(40)에 고정하여 설치하여도 좋다. 이 경우, 3개의 지주(75) 중의 1개의 지주가 관형체의 도통관(78)으로서 구성되고, 히터선의 양단부가 예컨대 면형 발열체(71)의 주연부의 한곳에 모여, 이 히터선에 접속된 한 쌍의 급전로 부재, 예컨대 히터선과 동일한 재질의 급전선을 가는 석영관 내에 통과시키고, 이 석영관을 도통관(78) 내부를 더 통과시킴으로써, 급전선이 덮개체 밖에 배선되어도 좋다. 따라서 이 급전선에 외부의 전원부를 접속함으로써 히터선이 발열하게 된다. 또한 나머지 2개의 지주(75)는 관형체여도 좋고 로드체여도 좋으며, 덮개체(40)의 상면에 지지된다.
면형 발열체(71)의 아래쪽에는, 간극을 통해 이 면형 발열체(71)와 평행하며, 이것도 중앙에 개구부를 갖는 열반사체(76)를 배치하는 것이 바람직하다. 이 열반사체(76)는, 면형 발열체(71)가 발생시키는 열을 반사하여 아래쪽으로 산일되지 않도록 하고 있다. 또한, 이 열반사체(76)는, 1장이어도 좋고 복수 장이어도 좋다. 면형 발열체(71)와 이 열반사체(76)는, 거의 같은 형상으로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 열반사체(76)는, 판형 또는 핀형의 형상을 갖는다.
면형 발열체(71) 및 열반사체(76)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 지주(75)를 통해 반응관 하부의 덮개체(40)에 고정되어 있다. 열반사체(76)는, 예컨대, 불투명 석영이나, 탄화규소 등으로 구성할 수 있다. 열반사체(76)를, 불투명 석영, 탄화규소 등의 열용량이 큰 재료로 구성함으로써, 축열 효과, 보온 효과를 갖게 할 수 있다. 이와 같이, 열반사체(76)는, 면형 발열체(71)의 발열을 위쪽으로 반사함과 더불어, 스스로가 열을 축적하는 축열 효과도 갖는다. 그런 의미에서, 열반사체(76)는, 열반사 수단뿐만 아니라, 보온 수단으로서도 기능한다.
또한, 제어부(110)가 하부 히터(70) 및 측면 히터(50)의 각각의 발열량을 제어하고, 반응관(30) 내의 온도 분포를 균일화하도록 제어를 행하여도 좋다.
도 3은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터의 일례를 나타낸 도면이다. 제2 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터(70a)는, 면형 발열체(71a)와, 측면부(72a)가 양쪽 모두 발열체로서 구성되어 있는 점에서, 제1 실시형태에 따른 기판 가열 장치와 상이하다.
도 3에 도시된 바와 같이, 면형 발열체(71a)와 측면부(72a)에는, 공통의 선형 저항 발열체(73a)가 설치되어 있다. 이와 같이, 측면부(72a)에도 가열 기구를 설치하고, 가열부 또는 발열체로서 구성하여도 좋다. 측면부(72a)에도 발열 기능을 갖게 함으로써, 가열 효과 및 보온 효과를 보다 높일 수 있다.
또한, 선형 저항 발열체(73a)는 면형 발열체(71a)와 측면부(72a)에서 공통으로 하여도 좋기 때문에, 구성 및 온도 제어를 복잡화시키지 않고, 웨이퍼 보트(60)의 아래쪽의 가열 효과 및 보온 효과를 높일 수 있다.
측면부(72a)에 가열 기구를 설치하는 경우에는, 면형 발열체(71a)와 동일하게 구성하면 된다. 그 구체적인 내용에 대해서는, 제1 실시형태의 면형 발열체(71a)의 내용과 동일하므로, 그 설명을 생략한다.
제2 실시형태에 따른 기판 가열 장치에 의하면, 구조 및 온도 제어를 복잡화시키지 않고, 웨이퍼 보트(60)의 아래쪽의 가열 효율 및 보온 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터의 일례를 나타낸 도면이다. 제3 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터(70b)는, 면형 발열체(71b)와, 측면부(72b)가 양쪽 모두 발열체로서 구성되어 있는 점에서 제2 실시형태에 따른 기판 가열 장치와 동일하지만, 면형 발열체(71b)와 측면부(72b)가 서로 독립된 발열체로서 구성되어 있는 점에서, 제2 실시형태에 따른 기판 가열 장치의 하부 히터(70a)와 상이하다.
제3 실시형태에 따른 기판 가열 장치는, 면형 발열체(71b)가 선형 저항 발열체(73b)를 구비하고, 측면부(72b)가 선형 저항 발열체(74)를 구비한다. 그리고, 제어부(110)도, 면형 발열체(71b)와 측면부(72b)를 독립적으로 온도 제어 가능하게 구성되어 있다.
이와 같이, 수평으로 설치된 면형 발열체(71b)와, 수직면에 설치된 측면부(72b)를, 독립적으로 온도 제어하여도 좋다. 예컨대, 면형 발열체(71b)에서는 보다 큰 발열을 시켜 웨이퍼(W)를 아래쪽에서 가열하는 능력이 커지도록 설정하고, 측면부(72b)에서는 면형 발열체(71b)보다도 작은 발열량으로서 균일한 보온 효과를 확실하게 얻는 제어를 행하도록 하여도 좋다.
제3 실시형태에 따른 기판 가열 장치에 의하면, 가열 효율 및 보온 효율을 높이면서, 프로세스, 용도에 따라 보다 유연한 온도 제어를 행할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 가열 장치는, 용도에 따라 여러 가지 구성으로 할 수 있다. 또한, 어느 기판 가열 장치나, 세로형 열처리 장치를 비롯한 여러 가지 기판 처리 장치에 적용할 수 있다.
다음에, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 가열 장치를 이용한 기판 처리 장치의 동작에 대해서 설명한다. 이하의 실시형태에서는, 기판 처리 장치를, 도 1에서 설명한 세로형 열처리 장치(1)로서 구성한 예에 대해서 설명한다. 기판 가열 장치로서는, 제1 내지 제3 실시형태에 따른 어느 기판 가열 장치를 적용하는 것도 가능하지만, 설명을 쉽게 하기 위해, 제1 실시형태에 따른 기판 가열 장치를 세로형 열처리 장치(1)에 내장한 예에 대해서 설명한다.
우선 작업 영역(12) 내에서, 덮개체(40) 상에 배치된 웨이퍼 보트(60) 내에 웨이퍼(W)를 이송한다. 웨이퍼 보트(60) 내에 웨이퍼(W)를 이송한 후, 승강 기구(13)에 의해 덮개체(40)를 상승시킨다. 그리고, 덮개체(40)를 로구(31)의 개구단에 접촉시켜, 로구(31)를 밀폐한다.
다음에, 측면 히터(50)에 의해 반응관(30)이 바깥쪽에서 가열되고, 반응관(30)의 내부에서는, 하부 히터(70)에 의해 웨이퍼(W)가 아래쪽에서 가열된다. 반응관(30)의 하부, 특히 베이스 플레이트(80)보다 아래쪽은, 측면 히터(50)도 설치되어 있지 않아, 온도가 저하되기 쉽기 때문에, 웨이퍼 보트(60)의 아래쪽에 설치된 하부 히터(70)에 의해, 아래쪽에서 웨이퍼(W)를 가열한다. 500∼650℃와 같은 저온 프로세스에서는, 700∼800℃와 같은 고온 프로세스와 비교하여, 면형 발열체(71)가 그다지 빛을 발생시키지 않아, 열반사체(76)로부터의 위쪽으로의 열의 반사는 적어진다. 따라서, 단순히 면형 발열체(71) 및 열반사체(76)를 단순히 웨이퍼 보트(60)의 아래쪽에 설치하는 것만으로는, 측면 및 아래쪽으로부터의 열의 산일이 커져, 충분한 보온 효과를 얻을 수 없다. 그러나, 본 실시형태에 따른 기판 가열 장치는, 면형 발열체(71)의 주연부로부터 아래쪽으로 연장되는 측면부(72)가 설치되고, 면형 발열체(71) 및 측면부(72)로 둘러싸인 보온 공간(79)이 형성되어 있기 때문에, 면형 발열체(71)의 발열을 보온 공간(79) 내에 축열할 수 있다.
또한, 가스 도입관(90)으로부터 처리 가스가 반응관(30) 내로 공급되고, 웨이퍼(W)에 대하여 필요한 열처리가 행해진다.
그동안, 회전축(103)이 회전한다. 이 회전축(103)의 회전에 의해, 회전축부(101)가 회전하고, 웨이퍼 보트(60)가 천천히 회전한다.
또한, 필요에 따라, 불활성 가스(예컨대 N2 가스)가 하우징(102)과 회전축(103) 사이의 간극(도시하지 않음)으로 공급되고, 불활성 가스는 레그부(61)의 하방 플랜지(61a)와 덮개체(40)의 포위링(41) 사이의 간극을 통해 수직 방향으로 흐르게 하여, 반응관(30) 내, 보다 상세하게는 보온 공간(79) 내로 공급된다.
이와 같이, 웨이퍼(W)의 열처리 중, 레그부(61)의 하방 플랜지(61a)와 덮개체(40)의 포위링(41) 사이의 간극을 거쳐 불활성 가스가 반응관(30) 내로 공급되기 때문에, 반응관(30) 내의 처리 가스가 반대로 간극을 통해 회전축부(101) 측으로 유입되는 일은 없다. 이 때문에, 회전축부(101)가 처리 가스에 의해 부식되는 것을 확실히 방지할 수 있다.
이와 같이, 불활성 가스가 보온 공간(79)을 경유하여 반응관(30) 내에 공급되는 경우여도, 측면부(72)의 하단과 덮개체(40)의 상면 사이에 간극을 형성해 두면, 불활성 가스의 흐름을 방해하는 일도 없다. 본 실시형태에 따른 기판 가열 장치는, 그러한 열처리 중의 불활성 가스의 공급에도 아무런 문제없이 대응할 수 있다.
또한, 포위링(41)의 주위에 설치되어 있는 원통 차폐체(42)도, 반응관(30) 내의 처리 가스가 하방 플랜지(61a)와 포위링(41) 사이의 간극 내로의 침입을 방지하기 위해 설치되어 있다.
본 실시형태에 따른 기판 가열 장치는, 이러한 부식 방지를 위한 구조 및 기능과도 공존시킬 수 있고, 부식 방지와 반응관(30)의 하부의 효율적인 보온이라는 2개의 기능을 겸비하는 것이 가능하다.
또한, 면형 발열체(71)의 아래쪽에 설치되어 있는 열반사체(76)는, 보온의 관점에서 설치하는 것이 바람직하지만, 필수는 아니며, 필요에 따라 설치하도록 하여도 좋다. 즉, 면형 발열체(71)와 측면부(72)에 의해 형성된 보온 공간(79)에서 충분한 보온이 가능한 경우에는, 열반사체(76)는 반드시 설치할 필요는 없다.
또한, 웨이퍼(W)의 열처리가 종료되면, 덮개체(40)를 하강시켜, 열처리를 마친 웨이퍼(W)를 언로드하고, 기판 처리를 종료한다.
이상, 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 가열 장치 및 기판 처리 장치에 의하면, 반응관(30) 하부의 가열 및 보온 효율을 높일 수 있어, 저온 프로세스에도 충분히 대응할 수 있는 보온 효과를 얻을 수 있다. 최근, 저온화와 함께, 반응관(30) 내부를 고압 하로 유지하는 저온 고압 하에 있어서의 프로세스가 행해지고 있지만, 이러한 프로세스에도 충분히 대응할 수 있다. 또한, 고압 하의 프로세스는, 처리 가스의 분자가 웨이퍼(W)와 충돌하는 횟수를 증가시켜, 스루풋을 향상시키기 위해서 행해지고 있는 것으로, 종래, 0.1∼0.2 Torr와 같은 레벨로 행해지고 있던 프로세스를, 2∼2.5 Torr와 같은 10배 이상의 압력 하에서 행하는 요청이 있다. 본 실시형태에 따른 기판 가열 장치 및 기판 처리 장치에 의하면, 이러한 프로세스에도 충분히 대응할 수 있으며, 웨이퍼 보트(60)의 상하 방향에 있어서 균일한 열처리를 행할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 상세히 설명하였지만, 본 발명은, 전술한 실시형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하는 일없이, 전술한 실시형태에 여러 가지 변형 및 치환을 가할 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판을 수평하게 지지 가능한 기판 지지 부재와,
    상기 기판 지지 부재의 아래쪽에 설치되고, 상기 기판과 평행하게 설치되고, 미리 정해진 평면 형상을 갖는 가열 수단과,
    상기 가열 수단의 외주부로부터 아래쪽으로 연장되는 측면부를 갖는 기판 가열 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열 수단의 상기 미리 정해진 평면 형상은 원형이며,
    상기 측면부는, 전체 둘레에 걸쳐 동일한 길이를 갖는 원통 형상인 것인 기판 가열 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 측면부는, 불투명 석영 또는 탄화규소로 이루어진 것인 기판 가열 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 측면부는, 가열 기구를 갖는 것인 기판 가열 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가열 수단과 상기 측면부의 상기 가열 기구는, 독립적으로 온도 제어가 가능한 것인 기판 가열 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가열 수단 및 상기 측면부로 둘러싸인 공간 내에는, 불투명 석영 또는 탄화규소로 이루어진 보온 수단이 설치되어 있는 것인 기판 가열 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보온 수단은, 복수 장의 판형 또는 핀형의 형상을 갖는 부재로 이루어진 것인 기판 가열 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판 지지 부재는, 복수 장의 기판을 수평 상태로 수직 방향으로 미리 정해진 간격을 두고 배열 지지 가능한 구조를 갖는 것인 기판 가열 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 기재된 기판 가열 장치와,
    상기 기판 지지 부재, 상기 가열 수단 및 상기 측면부를 덮는 반응관과,
    상기 반응관 주위에 설치되고, 상기 반응관을 가열하는 제2 가열 수단을 갖는 기판 처리 장치.
KR1020190033044A 2018-03-23 2019-03-22 기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치 KR102435774B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-057017 2018-03-23
JP2018057017A JP6952633B2 (ja) 2018-03-23 2018-03-23 基板加熱装置及びこれを用いた基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190111832A true KR20190111832A (ko) 2019-10-02
KR102435774B1 KR102435774B1 (ko) 2022-08-23

Family

ID=67983727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190033044A KR102435774B1 (ko) 2018-03-23 2019-03-22 기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11094566B2 (ko)
JP (1) JP6952633B2 (ko)
KR (1) KR102435774B1 (ko)
CN (1) CN110299308B (ko)
TW (1) TWI780314B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11024523B2 (en) * 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI823442B (zh) * 2018-10-28 2023-11-21 美商應用材料股份有限公司 具有退火迷你環境的處理腔室
CN113517192B (zh) * 2021-07-14 2023-10-20 长江存储科技有限责任公司 晶圆处理方法和制造半导体器件的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02218117A (ja) * 1989-02-17 1990-08-30 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
KR20010101717A (ko) * 1999-11-30 2001-11-14 히가시 데쓰로 열처리장치 및 열처리방법
JP2002025995A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2004119510A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
KR20060053275A (ko) * 2004-10-15 2006-05-19 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 박막 형성 장치의 세정 방법, 박막 형성 장치 및 프로그램

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5886864A (en) * 1996-12-02 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Substrate support member for uniform heating of a substrate
JP3833439B2 (ja) 2000-05-02 2006-10-11 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 大型基板用多段加熱炉、及び両面加熱式遠赤外線パネルヒーター、並びに該加熱炉内の給排気方法
JP4468555B2 (ja) * 2000-07-24 2010-05-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置および熱処理方法
KR100720775B1 (ko) 2000-07-25 2007-05-22 동경 엘렉트론 주식회사 열처리조건의 결정방법
JP3912208B2 (ja) * 2002-02-28 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP4144268B2 (ja) * 2002-06-28 2008-09-03 信越半導体株式会社 縦型熱処理装置
JP4994724B2 (ja) * 2006-07-07 2012-08-08 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP2012253222A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 抵抗加熱式ヒータの寿命予測方法及び熱処理装置
JP2013093461A (ja) * 2011-10-26 2013-05-16 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
JP5933399B2 (ja) * 2012-09-07 2016-06-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US9698074B2 (en) * 2013-09-16 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Heated substrate support with temperature profile control
CN105914163B (zh) * 2015-02-25 2020-03-24 株式会社国际电气 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及加热部
JP6685216B2 (ja) * 2016-01-26 2020-04-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
JP6704837B2 (ja) * 2016-10-31 2020-06-03 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02218117A (ja) * 1989-02-17 1990-08-30 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
KR20010101717A (ko) * 1999-11-30 2001-11-14 히가시 데쓰로 열처리장치 및 열처리방법
JP2002025995A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2004119510A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
KR20060053275A (ko) * 2004-10-15 2006-05-19 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 박막 형성 장치의 세정 방법, 박막 형성 장치 및 프로그램

Also Published As

Publication number Publication date
US11094566B2 (en) 2021-08-17
TW201941274A (zh) 2019-10-16
CN110299308A (zh) 2019-10-01
JP2019169636A (ja) 2019-10-03
JP6952633B2 (ja) 2021-10-20
TWI780314B (zh) 2022-10-11
US20190295867A1 (en) 2019-09-26
KR102435774B1 (ko) 2022-08-23
CN110299308B (zh) 2023-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11049742B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and thermocouple support
KR20200030449A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20200038851A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20190111832A (ko) 기판 가열 장치 및 이것을 이용한 기판 처리 장치
US6369361B2 (en) Thermal processing apparatus
JP3598032B2 (ja) 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット
US6737613B2 (en) Heat treatment apparatus and method for processing substrates
CN100375208C (zh) 热处理装置
KR102500917B1 (ko) 열처리 장치
US6727194B2 (en) Wafer batch processing system and method
WO2012011488A1 (ja) 載置台構造及び処理装置
JP2014183247A (ja) 基板処理装置
JP2002043226A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP2010199493A (ja) 基板処理装置
CN210378972U (zh) 热处理装置
KR100350612B1 (ko) 이중수직형열처리로(爐)
WO2004027845A1 (ja) 熱処理装置
JP2645359B2 (ja) 熱処理装置
JP2001148351A (ja) 縦型加熱装置
JP4493823B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP3240187B2 (ja) 熱処理方法及びそれに用いる縦型熱処理装置
JP2006080256A (ja) 基板処理装置
TW202424258A (zh) 熱處理裝置
KR20050076797A (ko) 열처리 장치
JPH0378226A (ja) 縦型熱処理炉

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant