KR20190101952A - 적색 발광 인광체를 갖는 복합 재료 - Google Patents

적색 발광 인광체를 갖는 복합 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR20190101952A
KR20190101952A KR1020197006982A KR20197006982A KR20190101952A KR 20190101952 A KR20190101952 A KR 20190101952A KR 1020197006982 A KR1020197006982 A KR 1020197006982A KR 20197006982 A KR20197006982 A KR 20197006982A KR 20190101952 A KR20190101952 A KR 20190101952A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lighting device
thermally conductive
hydroxide
phosphate
oxide
Prior art date
Application number
KR1020197006982A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102463480B1 (ko
Inventor
디감버 구루다스 포로브
제임스 에드워드 머피
플로렌시오 가르시아
메간 마리 브루스터
Original Assignee
제네럴 일렉트릭 컴퍼니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 filed Critical 제네럴 일렉트릭 컴퍼니
Publication of KR20190101952A publication Critical patent/KR20190101952A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102463480B1 publication Critical patent/KR102463480B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/16—Halogen-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/32—Phosphorus-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/615—Halogenides
    • C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617—Silicates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 바인더 물질의 적어도 일부 중에 분산된 화학식(I)의 인광체 및 열전도성 물질을 포함하는 복합 재료에 방사선 커플링된 발광 다이오드(LED) 광원을 포함하는 조명 장치를 제공한다. 열전도성 물질은 산화인듐, 산화주석, 산화인듐주석, 산화칼슘, 산화바륨, 산화스트론튬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화스트론튬, 수산화아연, 인산알루미늄, 인산마그네슘, 인산칼슘, 인산바륨, 인산스트론튬, 다이아몬드, 그라핀, 폴리에틸렌 나노섬유, 탄소 나노튜브, 은 금속 나노입자, 구리 금속 나노입자, 금 금속 나노입자, 알루미늄 금속 나노입자, 질화붕소, 질화규소, 알칼리 금속 할라이드, 플루오르화칼슘, 플루오르화마그네슘, 화학식(II)의 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함한다.

Description

적색 발광 인광체를 갖는 복합 재료
연방 정부 지원 연구 개발에 관한 진술
본 발명은 미국 에너지부가 부여한 계약 번호 DE-EE0003251 하에 연방 정부 지원에 의해 이루어진 것이다. 연방 정부는 본 발명에서 특정 권리를 갖는다.
기술 분야
본 발명은 적색 발광 인광체를 갖는 복합 재료에 관한 것이다.
Mn4 +에 의해 활성화된 착물 플루오라이드 물질을 기초로 한 적색 발광 인광체, 예컨대 US 7,358,542, US 7,497,973, 및 US 7,648,649에 기술된 것들은, 현행 형광 램프, 백열 램프 및 할로겐 램프에 의해 생성되는 것과 동등한, 청색 LED로부터의 따스한 백색 광(흑체 궤적 상에서 CCT ＜ 5000K, 연색 평가 지수(color rendering index)(CRI ＞ 80)을 달성하기 위해서, 황색/녹색 발광 인광체, 예컨대 YAG:Ce 또는 다른 가넷(garnet) 조성물과의 조합으로 사용될 수 있다. 이러한 재료는 청색 광을 강하게 흡수하고 LDR(little deep red)/NIR(near infrared) 방출로 약 610-635 나노미터(nm)를 효율적으로 발광한다. 그러므로, 발광 효율은 눈 감도가 불량한 LDR에서 유의적인 방출을 갖는 적색 인광체와 비교하여 최대화된다. 양자 효율은 청색(440-460 nm) 여기 하에 85%를 초과할 수 있다.
Mn4 + 활성화된 (또는 도핑된) 플루오라이드 호스트를 사용하는 조명 시스템의 효율 및 CRI가 매우 높지만, 한가지 잠재적인 한계는 제조 및 사용 조건 하에, 예를 들면 고온 및 고습 하에, 열화(degradation)에 대한 그의 감수성에 있다. US 8,252,613에 기술되어 있는 바와 같이, 합성후 처리 단계를 이용하여 그러한 열화를 감소시키는 것이 가능하다. 그러나, 그 재료의 안정성을 개선하는 다른 방법을 개발하는 것도 바람직하다.
요약하건대, 하나의 양태에서, 조명 장치는 바인더 물질의 적어도 일부 중에 분산된 하기 화학식(I)의 인광체 및 열전도성 물질을 포함하는 복합 재료에 방사선 커플링된 발광 다이오드(LED) 광원을 포함하며, 여기서
열전도성 물질은 산화인듐, 산화주석, 산화인듐주석, 산화칼슘, 산화바륨, 산화스트론튬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화스트론튬, 수산화아연, 인산알루미늄, 인산마그네슘, 인산칼슘, 인산바륨, 인산스트론튬, 다이아몬드, 그라핀, 폴리에틸렌 나노섬유, 탄소 나노튜브, 은 금속 나노입자, 구리 금속 나노입자, 금 금속 나노입자, 알루미늄 금속 나노입자, 질화붕소, 질화규소, 알칼리 금속 할라이드, 플루오르화칼슘, 플루오르화마그네슘, 하기 화학식(II)의 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하고;
Ax[(M,Mn)Fy] (I)
Ax[MFy] (II)
상기 식 중에서, A는 독립적으로 각 경우 Li, Na, K, Rb, Cs, 또는 이들의 조합이고, M은 독립적으로 각 경우 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, 또는 이들의 조합이며, x는 독립적으로 각 경우 [(M,Mn)Fy] 이온 및 [MFy] 이온 상의 전하의 절대값이고, y는 5, 6 또는 7이다.
하나의 양태에서, 조명 장치는 복합 재료에 방사선 커플링된 LED 광원을 포함한다. 그 복합 재료는 제1 바인더 물질의 적어도 일부 중에 분산된 화학식(I)의 인광체를 포함하는 인광체 층, 및 인광체 층 상에 배치된 제2 바인더 물질 중에 분산된 열전도성 물질을 포함하는 열전도성 층을 포함한다. 열전도성 물질은 산화인듐, 산화주석, 산화인듐주석, 산화칼슘, 산화바륨, 산화스트론튬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화스트론튬, 수산화아연, 인산알루미늄, 인산마그네슘, 인산칼슘, 인산바륨, 인산스트론튬, 다이아몬드, 그라핀, 폴리에틸렌 나노섬유, 탄소 나노튜브, 은 금속 나노입자, 구리 금속 나노입자, 금 금속 나노입자, 알루미늄 금속 나노입자, 질화붕소, 질화규소, 알칼리 금속 할라이드, 플루오르화칼슘, 플루오르화마그네슘, 화학식(II)의 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함한다.
본 발명의 이러한 특색, 양태 및 이점, 그리고 다른 특색, 양태 및 이점은, 도면 전반에 걸쳐 유사 번호가 유사 부분을 나타내는 첨부 도면을 참고하여 후술하는 상세한 설명을 독해할 때, 보다 잘 이해할 수 있을 것이다. 여기서, 도면의 간단한 설명을 기술하면 다음과 같다.
도 1은 본 개시내용의 한 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적 단면도이다.
도 2는 본 개시내용의 또다른 실시양태에 조명 장치의 개략적 단면도이다.
후술하는 명세서 및 청구범위에서, 단수형 "부정관사" 및 "정관사"는, 내용이 명백히 달리 지시하지 않는 한, 복수형 지시대상을 포함한다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "또는"라는 용어는, 내용이 명백히 달리 지시하지 않는 한, 배제된다는 것을 의미하지 않으며, 언급된 성분들 중 적어도 하나가 존재한다는 것을 언급하고, 언급된 성분들의 조합이 존재할 수 있는 사례를 포함한다.
명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐 본원에서 사용되는 바와 같이, 근사 언어는 이것이 관련되어 있는 기본 기능에서의 변화를 결과적으로 초래하는 일 없이 허용 가능하게 다양할 수 있는 임의의 정량적 표현을 수식하는데 적용될 수 있다. 따라서, 용어 또는 용어들, 예컨대 "약" 또는 "실질적으로"에 의해 수식된 값은 특정된 정확한 값에 국한되는 것이 아니다. 일부 사례에서, 상기 근사 언어는 그 값을 측정하는 기구의 정밀성에 상응할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, "인광체", "인광체 조성물" 및 "인광체 물질"이라는 용어는 단일 인광체뿐만 아니라 2 이상 인광체의 블렌드를 둘 다 표시하는데 사용될 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같이, "램프", "조명 장치" 및 "조명 시스템"이라는 용어는 에너지가 인가될 때 광 방출을 생성하는 하나 이상의 발광 부재, 예를 들면 인광체 물질 및 발광 다이오드에 의해 발생될 수 있는 가시 및 자외 광의 임의의 공급원을 언급한 것이다.
본원에서 사용된 바와 같이, "층"이라는 용어는 연속적 또는 불연속적 방식으로 아래 표면의 적어도 일부 상에 배치된 물질을 언급한 것이다. 추가로, "층"이라는 용어는 배치된 물질의 균일한 두께를 반드시 의미하는 것이 아니며, 그 배치된 물질은 균일한 두께 또는 가변적인 두께를 가질 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같이, "상에 배치된"이라는 용어은, 달리 특별하게 지시되어 있지 않은 한, 서로 직접 접촉하게 배치되거나, 중간 사이에 개입 층 또는 피처를 가짐으로써 서로 간접 접촉하게 배치된 층들 또는 물질들을 언급한 것이다.
도 1을 참조하면, 조명 장치, 예를 들면 램프(10)의 구성의 비제한적인 예가 한 실시양태에 따라 도시되어 있다. 램프(10)는 발광 다이오드(LED) 광원, 예를 들면 LED 칩(12) 및 LED 칩(12)에 전기적으로 부착된 리드(14)를 포함한다. 리드(14)는 보다 두꺼운 리드 프레임(들)(16)에 의해 지지된 얇은 와이어를 포함할 수 있거나, 리드(14)는 자가 지지된 전극을 포함할 수 있으며, 리드 프레임은 생략될 수 있다. 리드(14)는 LED 칩(12)에 전류를 제공하고 이로써 그 LED 칩(12)이 방사선을 방출하도록 한다.
상기 광원은 방출된 방사선이 인광체로 유도될 때 백색 광을 생성할 수 있는 임의의 청색 또는 UV 광원일 수 있다. LED 칩(10)은 NUV 또는 청색 발광 LED일 수 있다. LED 칩(10)은 임의의 적합한 III-V, II-VI 또는 IV-IV 반도체 층을 기초로 하고 약 250 내지 550 나노미터(nm)의 방출 파장을 갖는 반도체 다이오드를 포함할 수 있다. 특히, LED 칩(10)은 GaN, ZnSe 또는 SiC를 포함하는 하나 이상의 반도체 층을 함유할 수 있다. 예를 들면, LED 칩(10)은 약 250 nm 초과 내지 약 550 nm 미만의 방출 파장을 갖는 화학식 IniGajAlkN(식 중, 0≤i; 0≤j; 0≤k; 및 i+j+k=1)에 의해 표시되는 질화물 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 한 실시양태에서, LED 칩(10)은 약 400 nm 내지 약 500 nm의 피크 방출 파장을 갖는 청색 발광 LED 칩이다.
본원에서 논의된 개시내용의 예시적인 구조에 대한 일반적인 논의가 LED 기반 광원, 보다 구체적으로 무기 LED 기반 광원에 대하여 안내되어 있지만, LED 칩은, 달리 특별하게 언급되어 있지 않은 한, 유기 LED 기반 광원 또는 임의의 다른 광원에 의해 대체될 수 있다는 점, 및 LED 칩에 대한 임의의 언급은 단지 적당한 광원을 대표하는 것에 불과하다는 점을 유의해야 한다.
LED 칩(12)은 케이싱(18) 내에 캡슐화될 수 있으며, 그 케이싱은 LED 칩(12) 및 캡슐화제 물질(20)을 둘러싸고 있다. 케이싱(18)은, 예를 들면 유리 또는 플라스틱일 수 있다. LED 칩(12)은 그 캡슐화제 물질(20) 중에 실질적으로 중앙에 위치할 수 있다. 캡슐화제 물질(20)은 에폭시, 플라스틱, 저온 유리, 중합체, 또는 해당 기술 분야에 공지되어 있는 바와 같은 임의의 다른 적합한 캡슐화 물질일 수 있다. 특정 실시양태에서, 캡슐화제 물질(20)은 에폭시 또는 중합체 물질, 예컨대 실리콘이다. 케이싱(18) 및 캡슐화제 물질(20) 둘 다는 이들 부재를 통해 투과될 수 있는 LDE 칩(12), (하기 기술된) 화학식(I)의 인광체, (하기 기술된) 임의의 추가 발광 물질 또는 이들의 조합으로부터 방출된 광의 파장에 대하여 투명성을 갖거나 또는 실질적인 투과성을 가져야 한다.
대안으로, 램프(10)는 케이싱(18) 없이 캡슐화제 물질(20)만을 포함할 수 있다. LED 칩(12)은 지지될 수 있는데, 예를 들면 리드 프레임(16), 자가 지지 전극, 케이싱(10)의 저부, 또는 리드 프레임(16) 상에 장착된 페디스탈(pedestal)(도시되어 있지 않음) 중 하나 이상을 사용하여 지지될 수 있다. 일부 실시양태에서, LED 칩(12)은 반사 컵(도시되어 있지 않음)에서 장착된다. 그 반사 컵은 반사성 물질, 예컨대 알루미나, 티타니아, 또는 해당 기술 분야에 공지된 다른 유전체 물질로부터 제조될 수 있거나, 그것에 의해 코팅될 수 있다.
램프(10)에서, LED 칩(12)은 복합 재료에 방사선 커플링된다. 그 복합 재료는 바인더 물질의 적어도 일부 중에 분산된 화학식(I)의 인광체 및 열전도성 물질을 포함한다. "방사선 커플링되는"이라는 용어는 하나의 부재로부터 방출된 방사선이 다른 부재로 투과되도록 부재들이 서로 결합되어 있다는 것을 의미한다. 도 1에 예시되어 있는 바와 같이, 복합 재료의 층(22)이 LED 칩(12)의 표면(11)의 적어도 일부 상에 배치된다. 층(22)은 적합한 방법을 이용하여 LED 칩(12)의 표면(11)의 일부 상에 배치될 수 있다. 비제한적인 예에서, 화학식(I)의 인광체의 입자 및 열전도성 물질이 불균일하게 또는 균일하게 현탁되어 있는 실리콘 슬러리가 형성될 수 있으며, 슬러리의 층이 LED 칩(12)의 표면(11)의 적어도 일부 상에 배치될 수 있다. 그 예시된 실시양태는 램프(10)에서 복합 재료 및 LED 칩의 가능한 위치의 예에 불과하다.
일부 다른 실시양태에서, 복합 재료는, LED 칩(12) 상에 직접 배치되는 대신에, 램프(10)의 케이싱(18)의 내부 표면(17) 상에 코팅될 수 있다. 복합 재료는 케이싱(18)의 내부 표면(17)의 전체 또는 내부 표면(17)의 하나 이상의 부분 상에 코팅될 수 있다. 예를 들면, 참조 번호(19)에 의해 지시된 내부 표면(17)의 일부가 복합 재료에 의해 코팅될 수 있다. 이러한 내부 표면(17)의 부분(19)은 LED 칩(12)으로부터의 광의 바람직한 양이 그 선택된 부분을 통과하도록 선택될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 복합 재료는 케이싱(18) 이외에 하나 이상의 적합한 위치에서 위치할 수 있다.
도 2를 참조하면, 일부 실시양태에서, 램프(30)는 LED 칩(12)의 표면(11)의 적어도 일부 상에 배치된 인광체 층(24) 및 이 인광체 층(24) 상에 배치된 열전도성 물질을 포함하는 열전도성 층(26)을 포함하는 복합 재료를 포함한다. 인광체 층(24)은 제1 바인더 물질의 적어도 일부 중에 분산되어 있는 본원에서 설명된 바와 같은 화학식(I)의 인광체를 포함한다. 열전도성 층(26)은 제2 바인더 물질의 적어도 일부 중에 분산되어 있는 (본원에서 설명되어 있는 바와 같은) 열전도성 물질을 포함한다. 제1 바인더 물질 및 제2 바인더 물질은 이하에 기술된 바와 같은 적합한 바인더 물질을 포함한다. 일부 실시양태에서, 제1 바인더 물질 및 제2 바인더 물질은 동일하다. 인광체 층(24) 및 열전도성 층(26)은 개별 슬러리, 즉 제1 바인더 물질 중에 분산된 화학식(I)의 인광체의 입자를 갖는 제1 슬러리와 제2 바인더 물질 중에 분산된 열전도성 물질을 갖는 제2 슬러리를 각각 사용하여 배치될 수 있다.
제1 바인더 및/또는 제2 바인더 물질에 적합한 물질로는 LED 칩(12), 화학식(I)의 인광체, (이하 기술된) 추가 발광 물질 또는 이들의 조합에 의해 방출된 광에 광학적으로 투명하고, 화학식(I)의 인광체, 열전도성 물질 및 조명 장치내 임의의 주위 물질 또는 층과 화학적으로 및 광학적으로 상용성을 갖는 물질이 포함될 수 있다. 본원에서 기술된 바와 같이 조명 장치에서 사용하기 위한 제1 바인더 및/또는 제2 바인더 물질에 있어서, 그 물질의 예로는 에폭시; 아미노실리콘(AMS), 폴리페닐메틸실록산, 폴리페닐알킬실록산, 폴리디페닐실록산, 폴리디알킬실록산, 실세스퀴녹산, 플루오르화 실리콘, 및 비닐 및 히드라이드 치환된 실리콘(이들에 국한되는 것은 아님)을 포함하는 실리콘 및 실리콘 유도체; 저온 유리; 또는 이들의 조합이 포함될 수 있다.
화학식(I)의 인광체는 착물 플루오라이드이다. 하나의 실시양태에서, 화학식(I)의 인광체는 망간(Mn4 +) 도핑된 착물 플루오라이드이다. 착물 플루오라이드는 리간드로서 작용하는 플루오라이드 이온에 의해 둘러싸여 있으며, 그리고 필요한 경우 카운터 이온(A)에 의해 전하-보정되어 있는 하나 배위결합 중심을 함유하는 호스트 격자를 갖는다. 예를 들면, K2[SiF6]에서, 배위결합 중심은 Si이고, 카운터 이온은 K이다. 착물 플루오라이드는 일반적으로 단순 바이너리 플루오라이드들의 조합으로서 표시된다. (경우에 따라서는 단순성을 위해 생략된) 착물 플루오라이드에 대한 화학식에서 대괄호는 그 특정 착물 플루오라이드에 존재하는 착물 이온이 단순 플루오라이드 이온과 다른 새로운 화학 종이다는 것을 나타낸다. 화학식(I)의 인광체에서, Mn4 + 도펀트 또는 활성화제는 추가 배위결합 중심으로서 작용하며, 이는 배위결합 중심, 예를 들면 Si의 일부를 치환하고 발광 중심을 형성한다. 화학식(I)의 망간 도핑된 인광체:A2[(M,Mn)F6]는 또한 A2[MF6]:Mn4 +로서 표시될 수 있다. (카운터 이온을 포함하는) 호스트 격자는 활성화제 이온의 여기 및 방출 특성을 추가로 변경할 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "화학식(I)의 인광체" 및 "망간 도핑된 인광체"라는 용어는 명세서 전반에 걸쳐 상호 교환 가능하게 사용될 수 있다.
화학식(I)에서 카운터 이온 A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 또는 이들의 조합이고, y는 6이다. 특정 실시양태에서, A는 Na, K, Rb, 또는 이들의 조합이다. 화학식(I)에서 배위결합 중심 M은 Si, Ge, Ti, Zr, Hf, Sn, Al, Ga, In, Sc, Y, Bi, La, Gd, Nb, Ta, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으루부터 선택된 원소이다. 특정 실시양태에서, M은 Si, Ge, Ti, 또는 이들의 조합이다. 일부 실시양태에서, A는 K이고, M은 Si이다. 화학식(I)의 인광체의 예로는 K2[SiF6]:Mn4 +, K2[TiF6]:Mn4 +, K2[SnF6]:Mn4 +, Cs2[TiF6]:Mn4+, Rb2[TiF6]:Mn4 +, Cs2[SiF6]:Mn4 +, Rb2[SiF6]:Mn4 +, Na2[TiF6]:Mn4 +, Na2[ZrF6]:Mn4+, K3[ZrF7]:Mn4 +, K3[BiF6]:Mn4 +, K3[YF6]:Mn4 +, K3[LaF6]:Mn4 +, K3[GdF6]:Mn4+, K2[NbF7]:Mn4 + 및 K2[TaF7]:Mn4 +가 포함된다. 특정 실시양태에서, 화학식(I)의 인광체는 K2[SiF6]:Mn4 +이다.
본원에서 기술된 바와 같은 조명 장치에서 사용될 수 있는 다른 망간 도핑된 인광체로는 다음의 것들이 포함된다:
(A) A2[MF5]:Mn4 +, 여기서 A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 및 이들의 조합으로부터 선택되고; M은 Al, Ga, In, 및 이들의 조합으로부터 선택된다.
(B) A3[MF6]:Mn4 +, 여기서 A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 및 이들의 조합으로부터 선택되고; M은 Al, Ga, In, 및 이들의 조합으로부터 선택된다.
(C) Zn2[MF7]:Mn4 +, 여기서 M은 Al, Ga, In, 및 이들의 조합으로부터 선택된다.
(D) A[In2F7]:Mn4 +, 여기서 A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 및 이들의 조합으로부터 선택된다.
(E) E[MF6]:Mn4 +, 여기서 E는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, 및 이들의 조합으로부터 선택되고; M은 Ge, Si, Sn, Ti, Zr, 및 이들의 조합으로부터 선택된다.
(F) Ba0 . 65Zr0 .35F2.70:Mn4 +.
(G) A3[ZrF7]:Mn4 +, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 및 이들의 조합으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 망간 도핑된 인광체, 예를 들면 화학식(I)의 인광체는 미국 특허 번호 8,252,613에 기술된 바와 같이 색상 안정한 망간 도핑된 인광체를 얻기 위해서 성능 및 색상 안정성 특성의 향상을 위해 후처리될 수 있다. 이 후처리 공정은 망간 도핑된 인광체(예를 들면, 화학식(I)의 인광체)를 상승된 온도에서 가스 형태의 불소 함유 산화제와 접촉시키는 단계를 포함한다.
본원에서 기술된 바와 같은 화학식(I)의 인광체 내의 망간의 양은 약 1.2 몰%(mol%)(약 0.3 중량%(wt%)) 내지 약 16.5 몰%(약 4 중량%)의 범위일 수 있다. 일부 실시양태에서, 망간의 양은 약 2 몰%(약 0.5 중량%) 내지 13.4 몰%(약 3.3 중량%)의 범위, 또는 약 2 몰% 내지 12.2 몰%(약 3 중량%)의 범위, 또는 약 2 몰% 내지 약 11.2 몰%(약 2.76 중량%)의 범위, 또는 약 2 몰% 내지 약 10 몰%(약 2.5 중량%)의 범위, 또는 약 2 몰% 내지 5.5 몰%(약 1.4 중량%)의 범위, 또는 약 2 몰% 내지 약 3.0 몰%(약 0.75 중량%)의 범위일 수 있다.
복합 재료의 층(22)(도 1) 및/또는 인광체 층(24)(도 2)에 사용하기 위한 화학식(I)의 인광체는 약 10 마이크론 내지 약 80 마이크론의 범위에 있는 D50 입자 크기를 지닌 입자 크기 분포를 가질 수 있다. 일부 실시양태에서, 보다 작은 입자 크기, 예를 들면 약 30 마이크론 미만의 D50 입자 크기를 갖는 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 일부 실시양태에서, 화학식(I)의 인광체는 약 10 마이크론 내지 약 20 마이크론의 범위에 있는 D50 입자 크기를 갖는다. 특정 실시양태에서, 화학식(I)의 인광체는 약 12 마이크론 내지 약 18 마이크론의 범위에 있는 D50 입자 크기를 갖는다.
본원에서 기술된 바와 같이 조명 장치에 사용하기 위한 열전도성 물질은 산화인듐, 산화주석, 산화인듐주석, 산화칼슘, 산화바륨, 산화스트론튬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화스트론튬, 수산화아연, 인산알루미늄, 인산마그네슘, 인산칼슘, 인산바륨, 인산스트론튬, 다이아몬드, 그라핀, 폴리에틸렌 나노섬유, 탄소 나노튜브, 은 금속 나노입자, 구리 금속 나노입자, 금 금속 나노입자, 알루미늄 금속 나노입자, 질화붕소, 질화규소, 알칼리 금속 할라이드, 플루오르화칼슘, 플루오르화마그네슘, 하기 화학식(II)의 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하고;
Ax[MFy] (II)
상기 화학식(II)의 화합물에서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 또는 이들의 조합이고, 상기 화학식(II)의 화합물에서, M은 Si, Ge, Ti, Zr, Hf, Sn, Al, Ga, In, Sc, Y, Bi, La, Gd. Nb, Ta, 또는 이들의 조합이다. 일부 실시양태에서, A는 Na, K, Rb 또는 이들의 조합이다. 일부 실시양태에서, M은 Si, Ge, Ti 또는 이들의 조합이다.
일부 실시양태에서, 열전도성 물질은 5 w/mㆍK 초과의 열전도도를 갖는 물질을 포함한다. 일부 실시양태에서, 열전도성 물질은 망간을 함유하지 않는다.
알칼리 금속 할라이드는 Na, K, Rb, Cs 또는 이들의 조합의 플루오라이드, 클로라이드 또는 브로마이드를 포함할 수 있다. 알칼리 금속 할라이드의 적합한 예로는 KF, KHF2, KCl, KBr, NaF, NaHF2, RbF, RbHF2, CsF, CsHF2, 또는 이들의 조합이 포함된다. 일부 실시양태에서, 화학식(II)의 화합물에서, A는 K, Na 또는 이들의 조합을 포함한다. 특정 실시양태에서, A는 K이고 M은 Si이다. 화학식(II)의 화합물의 적합한 예로는 K2SiF6, K2TiF6, K2ZrF6, K2SnF6, K3ZrF7, K3LnF6, K3YF6, K2NbF7, K2TaF7, Na2SiF6, Na2TiF6, Na2SnF6, Na2ZrF6, LiKSiF6, RbKLiAlF6 또는 이들의 조합이 포함되지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
화학식(I)의 인광체, 열전도성 물질 또는 둘 다는 본원에서 기술된 바와 같이 제1 바인더 물질, 제2 바인더 물질 또는 바인더 물질 중에 균일하게 또는 불균일하게 분산될 수 있다. 열전도성 물질은 복합 재료의 총량을 기준으로 1 중량% 초과의 범위에 있는 양으로 존재할 수 있다. 일부 실시양태에서, 열전도성 물질은 복합 재료의 총량을 기준으로 약 1 중량% 내지 약 50 중량%의 범위에 있는 양으로 존재한다. 일부 실시양태에서, 열전도성 물질은 복합 재료의 총량을 기준으로 약 5 중량% 내지 약 30 중량%의 범위에 있는 양으로 존재한다. 일부 실시양태에서, 열전도성 물질은 복합 재료의 총량을 기준으로 약 10 중량% 내지 약 20 중량%의 범위에 있는 양으로 존재한다.
열전도성 물질은 미세 입자 크기 분포, 예를 들면 마이크론 이하의 크기 또는 더 작은 크기를 가질 수 있다. 열전도성 물질의 미세 입자는 LED 칩(12), 화학식(I)의 인광체, 임의의 추가 발광 물질 또는 이들의 조합에 의해 방출된 광의 바람직한 못한 산란을 피할 수 있다. 일부 실시양태에서, 열전도성 물질은 1 마이크론 미만의 평균 입자 크기를 갖는다. 일부 실시양태에서, 열전도성 입자는 약 0.01 마이크론 내지 약 0.5 마이크론 범위의 평균 입자 크기를 갖는다.
임의의 이론에 의해 한정하고자 하는 것은 아니지만, 복합 재료 내에 화학식(I)의 인광체와 함께 상기 기술된 바와 같은 열전도성 물질이 존재하는 것은 조명 장치의 제조 또는 작동 동안, 예를 들면 고온 하에 화학식(I)의 인광체의 열화를 감소 또는 방지하는데 도움을 줄 수 있다.
화학식(I)의 인광체 이외에도, 조명 장치(10)는 하나 이상의 추가 발광 물질, 예를 들면 무기 인광체, 양자 도트(QD) 물질, 전자발광 중합체, 및 인광성 염료를 추가로 포함할 수 있다. 방사선, 예를 들어 녹색, 청색, 황색, 적색, 주황색 또는 다른 색상의 방사선을 방출하는 추가 발광 물질이 2500-10000K의 범위에 있는 보정된 색상 온도(CCT) 및 50-99 범위에 있는 CRI를 지닌 백색 광과 같은 결과로 얻어지는 광을 주문화하는데 사용될 수 있다. 특정 실시양태에서, 추가 발광 물질로는 녹색 발광 인광체, 예컨대 Ce3+ 도핑된 가넷 인광체가 포함된다.
복합 재료가 바인더 물질 중에 분산된 화학식(I)의 인광체 및 열전도성 물질을 포함하는 실시양태에서, 추가 발광 물질이 화학식(I)의 인광체 및 열전도성 물질과 함께 복합 재료에 첨가될 수 있다. 예를 들면, 화학식(I)의 인광체는 복합 재료에서 하나 이상의 추가 발광 물질, 예컨대 녹색, 청색, 황색, 주황색 또는 적색 발광 인광체 또는 QD 물질과 블렌딩되어 백색 광을 산출할 수 있게 된다. 일부 다른 사례에서, 추가 발광 물질은 조명 장치 내에 별도로 배치될 수 있으며, 예를 들면 본원에서 기술된 바와 같이 램프(10) 내에, LED 칩(12)이 추가 발광 물질에 방사선 커플링되도록, 배치될 수 있다. 추가 발광 물질이 본원에서 설명된 바와 같이 별도로 임의의 바인더 물질 중에 분산될 수 있으며, 층이 조명 장치 내에서 적합한 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 복합 재료를 포함하는 층(22)이 도 1에서 예시된 바와 같이 LED 칩(12)의 표면(11) 상에 배치될 때, 추가 발광 물질(도 1에는 도시되어 있지 않음)이 층(22) 상에 배치될 수 있거나, 층(22)과 LED 칩(12)의 표면(11) 사이에 배치될 수 있다.
일부 사례에서, 도 2에 예시되어 있는 바와 같이, 추가 발광 물질이 화학식(I)의 인광체와 함께 인광체 층(24) 내에 첨가될 수 있거나, 또는 열전도성 물질과 함께 열전도성 층(26) 내에 첨가될 수 있다. 일부 다른 사례에서, 추가 발광 물질(도 2에 도시되어 있지 않음)을 포함하는 층이 인광체 층(24)과 표면(11) 사이에 또는 인광체 층(24)과 열전도성 층(26) 사이에 위치한 LED 칩(12)의 표면(11) 상에 배치될 수 있다.
조명 장치(10)에서 사용하기에 적합한 추가 발광 물질의 예로는 다음의 것들이 포함되지만, 이에 국한되는 것은 아니다:
((Sr1-z(Ca,Ba,Mg,Zn)z)1-(x+w)(Li,Na,K,Rb)wCex)3(Al1-ySiy)O4 +y+3(x-w)F1-y-3(x-w), 0＜x≤0.10, 0≤y≤0.5, 0≤z≤0.5, 0≤w≤x;
(Ca,Ce)3Sc2Si3O12(CaSiG);
(Sr,Ca,Ba)3Al1-xSixO4+xF1-x:Ce3+(SASOF));
(Ba,Sr,Ca)5(PO4)3(Cl,F,Br,OH):Eu2+,Mn2+;
(Ba,Sr,Ca)BPO5:Eu2+,Mn2+;
(Sr,Ca)10(PO4)6 *νB2O3:Eu2+(여기서, 0＜ν≤1);
Sr2Si3O8 *2SrCl2:Eu2+;
(Ca,Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+;
BaAl8O13:Eu2+;
2SrO*0.84P2O5 *0.16B2O3:Eu2+;
(Ba,Sr,Ca)MgAl10O17:Eu2+,Mn2+;
(Ba,Sr,Ca)Al2O4:Eu2+;
(Y,Gd,Lu,Sc,La)BO3:Ce3+,Tb3+;
ZnS:Cu+,Cl-;
ZnS:Cu+,Al3+;
ZnS:Ag+,Cl-;
ZnS:Ag+,Al3+;
(Ba,Sr,Ca)2Si1-ξO4-2ξ:Eu2+(여기서, -0.2≤ξ≤0.2);
(Ba,Sr,Ca)2(Mg,Zn)Si2O7:Eu2+;
(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4:Eu2+;
(Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3(Al,Ga)5-αO12-3/2α:Ce3+(여기서, 0≤α≤0.5);
(Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2:Eu2+,Mn2+;
Na2Gd2B2O7:Ce3+,Tb3+;
(Sr,Ca,Ba,Mg,Zn)2P2O7:Eu2+,Mn2+;
(Gd,Y,Lu,La)2O3:Eu3+,Bi3+;
(Gd,Y,Lu,La)2O2S:Eu3 +,Bi3 +;
(Gd,Y,Lu,La)VO4:Eu3+,Bi3+;
(Ca,Sr)S:Eu2+,Ce3+;
SrY2S4:Eu2+;
CaLa2S4:Ce3+;
(Ba,Sr,Ca)MgP2O7:Eu2+,Mn2+;
(Y,Lu)2WO6:Eu3+,Mo6+;
(Ba,Sr,Ca)βSiγNμ:Eu2+(여기서, 2β+4γ=3μ);
(Ba,Sr,Ca)2Si5-xAlxN8-xOx:Eu2+(여기서, 0≤x≤2);
Ca3(SiO4)Cl2:Eu2+;
(Lu,Sc,Y,Tb)2-u- vCevCa1 + uLiwMg2 - wPw(Si,Ge)3 - wO12 -u/2(여기서, 0.5≤u≤1, 0＜v≤0.1, 및 0≤w≤0.2);
(Y,Lu,Gd)2-ΦCaΦSi4N6+ΦC1-Φ:Ce3+(여기서, 0≤φ≤0.5);
(Lu,Ca,Li,Mg,Y), Eu2+ 및/또는 Ce3+에 의해 도핑된 α-SiAlON;
(Ca,Sr,Ba)SiO2N2:Eu2+,Ce3+;
β-SiAlON:Eu2+, 3.5MgO*0.5MgF2 *GeO2:Mn4+;
(Sr,Ca,Ba)AlSiN3:Eu2+;
(Sr,Ca,Ba)3SiO5:Eu2+;
Ca1-c-fCecEufAl1+cSi1-cN3(여기서, 0≤c≤0.2, 0≤f≤0.2);
Ca1-h-rCehEurAl1-h(Mg,Zn)hSiN3(여기서, 0≤h≤0.2, 0≤r≤0.2);
Ca1-2s-tCes(Li,Na)sEutAlSiN3(여기서, 0≤s≤0.2, 0≤t≤0.2, s+t>0); 및
Ca1 -σ-χ- ΦCeσ(Li,Na)χEuΦAl1 +σ- χSi1 -σ+ χN3(여기서, 0≤σ≤0.2, 0≤χ≤0.4, 0≤Φ≤0.2).
일부 실시양태에서, 추가 발광 물질은 녹색 발광 양자 도트(QD) 물질을 포함한다. 녹색 발광 QD 물질은 II-VI군 화합물, III-V군 화합물, IV-IV군 화합물, IV군 화합물, I-III-VI2군 화합물, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. II-VI군 화합물의 예로는 CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe, HgS, HgSe, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, 또는 이들의 조합이 포함되지만, 이에 국한되는 것은 아니다. III-V군 화합물은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GalnNP, GalnNAs, GalnPAs, InAlNP, InAlNAs, InAlPAs, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. IV군 화합물의 예로는 Si, Ge, SiC, 및 SiGe가 포함된다. I-III-VI2군 칼코피라이트(chalcopyrite) 유형 화합물의 예로는 CuInS2, CuInSe2, CuGaS2, CuGaSe2, AgInS2, AgInSe2, AgGaS2, AgGaSe2 및 이들의 조합이 포함된다.
추가 발광 물질로서 사용하기 위한 QD 물질은 코어, 코어 상에 코팅된 하나 이상의 쉘, 및 하나 이상의 리간드, 바람직하게는 유기 중합체 리간드를 포함하는 외부 코팅을 포함하고 있는 코어/쉘 QD일 수 있다. 코어-쉘 QD를 제조하기 위한 물질의 예로는 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, (다이아몬드를 포함하는) C, P, Co, Au, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, MnS, MnSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, (Al,Ga,In)2 (S,Se,Te)3, Al2CO, 및 이들 물질 중 2 이상으로 된 적당한 조합이 포함되지만, 이에 국한되는 것은 아니다. 예시적인 코어-쉘 QD로는 CdSe/ZnS, CdSe/CdS, CdSe/CdS/ZnS, CdSeZn/CdS/ZnS, CdSeZn/ZnS, InP/ZnS, PbSe/PbS, PbSe/PbS, CdTe/CdS, 및 CdTe/ZnS가 포함되지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
QD 물질은 전형적으로 표면에 공역되거나, 표면과 협력되거나, 표면과 회합되거나 또는 표면에 부착되는 리간드를 포함한다. 특히, QD는 상승된 온도, 고 강도 광, 외부 가스, 및 수분을 포함하는 환경 조건으로부터 QD를 보호하고, 응집을 제어하며, 그리고 호스트 바인더 물질 중의 QD의 분산을 허용하는 리간드를 포함하는 코팅 층을 포함할 수 있다.
전자발광 중합체의 예로는 폴리플루오렌, 바람직하게는 폴리(9,9-디옥틸 플루오렌) 및 이의 공중합체, 예컨대 폴리(9,9'-디옥틸플루오렌-코-비스-N,N'-(4-부틸페닐)디페닐아민)(F8-TFB); 폴리(비닐카르바졸); 및 폴리페닐렌비닐렌 및 이의 유도체가 포함될 수 있다. 인광성 염료로서 사용하기 위한 물질로는 트리스(1-페닐이소퀴놀린)이리듐(III)(적색 염료), 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(녹색 염료), 이리듐(III) 비스(2-(4,6-디플루오로페닐)피리디네이토-N,C2)(청색 염료)가 포함될 수 있지만, 이에 국한되는 것은 아니다. ADS(American Dyes Source, Inc.)로부터의 상업적으로 이용가능한 형광성 및 인광성 금속 착물이 또한 사용될 수 있다. ADS 녹색 염료로는 ADS060GE, ADS061GE, ADS063GE, ADS066GE, ADS078GE, 및 ADS090GE가 포함된다. ADS 청색 염료로는 ADS064BE, ADS065BE, 및 ADS070BE가 포함된다. ADS 적색 염료로는 ADS067RE, ADS068RE, ADS069RE, ADS075RE, ADS076RE, ADS067RE, 및 ADS077RE가 포함된다.
개별 발광 물질, 예를 들면 화학식(I)의 인광체 및 추가 발광 물질의 각각의 비율은 결과로 얻어지는 소정의 광 출력의 특징에 따라 다양할 수 있다. 조명 장치에서 개별 발광 물질의 상대 비율은, 조명 장치에서 개별 발광 물질들의 방출이 블렌딩되어 사용될 때, 선결정된 x 및 y 값의 가시 광이 CIE(International Commission on Illumination)에 의해 창작된 색도도 상에서 생성되도록, 조정될 수 있다. 특정 실시양태에서, 조명 장치는 백색 광을 방출한다. 일부 실시양태에서, 결과로 얻어지는 백색 광은 약 0.20 내지 약 0.55 범위에 있는 x 값, 및 약 0.20 내지 약 0.55 범위에 있는 y 값을 보유할 수 있다. 본원에서 기술된 바와 같이 조명 장치에서 각 발광 물질의 정확한 동일성 및 양은 최종 사용자의 수요에 따라 달라질 수 있다.
예시되어 있지 않지만, 도 1 및 도 2의 램프(10 및 30)는 또한 산란 입자를 포함할 수 있으며, 그 산란 입자는 캡슐화제 물질(20) 중에 매립될 수 있다. 산란 입자는, 예를 들면 알루미나(Al2O3), 티타니아(TiO2), 지르코니아(ZrO2), 산화아연(ZnO) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 산란 입자는 캡슐화제 물질(20)의 총량의 약 0.2 중량% 이하의 양으로 존재할 수 있다. 일부 실시양태에서, 산란 입자는 캡슐화제 물질(20)의 총량의 약 0.1 중량% 이하의 양으로 존재할 수 있다. 산란 입자는, 미미한 양의 흡수와 함께, LED 칩, 화학식(I)의 인광체, 추가 발광 물질 또는 이들의 조합으로부터 방출된 간섭 광을 효과적으로 산란시키도록, 평균 입자 크기, 예를 들면 1 마이크론 이하의 평균 입자 크기를 가질 수 있다. 일부 실시양태에서, 산란 입자는 약 1 마이크론 내지 약 10 마이크론 범위에 있는 평균 입자 크기를 갖는다.
상기 기술된 복합 재료는 LED 이외의 추가 적용예에서 사용될 수 있다. 예를 들면, 그 복합 재료가 형광 램프에서, 음극선관에서, 플라즈마 디스플레이 장치에서 또는 액정 디스플레이(LCD)에서 사용될 수 있다. 복합 재료는 또한 신틸레이터에서, 전자기 열량계에서, 감마선 카메라에서, 컴퓨팅 토모그래피 스캐너에서 또는 레이저에서도 사용될 수 있다. 이들 용도는 단지 예시적인 것만을 의미할 뿐 배제된다는 것을 의미하지 않는다.
조명 장치의 비제한적인 예로는 발광 다이오드(LED)에 의한 여기 장치, 예컨대 형광 램프, 음극선관, 플라즈마 디스플레이 장치, 액정 디스플레이(LCD), 자외선(UV) 여기 장치, 예컨대 크로마틱(chromatic) 램프, 역광 장치, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 스크린, 제논 여기 램프, 및 UV 여기 표시 시스템이 포함된다. 이들 장치의 목록은 단지 예시적인 것에 불과할 뿐 배제된다는 것을 의미하지 않는다. 일부 양태에서, 역광 장치도 본원에서 기술된 바와 같이 조명 장치를 포함한다. 역광 장치는 표면 장입 장치(SMD) 구조를 포함할 수 있다. 역광 장치의 예로는 텔레비젼, 컴퓨터, 모니터, 스마트폰, 태블릿 컴퓨터 및 본원에서 기술된 바와 같은 LED 광원을 포함하는 디스플레이를 갖는 다른 휴대용 장치가 포함되지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
본 발명의 특정한 특색만이 본원에서 예시 및 기술되어 있긴 하지만, 수 많은 변형예 및 변경예가 당업자에 의해 실시될 수 있을 것이다. 그러므로, 부가된 청구범위는 본 발명의 진정한 기술사상 내에 속함에 따라 그러한 모든 변형예 및 변경예를 포괄하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 바인더 물질의 적어도 일부 중에 분산된 하기 화학식(I)의 인광체 및 열전도성 물질을 포함하는 복합 재료에 방사선 커플링된 발광 다이오드(LED) 광원을 포함하는 조명 장치로서,
    열전도성 물질은 산화인듐, 산화주석, 산화인듐주석, 산화칼슘, 산화바륨, 산화스트론튬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화스트론튬, 수산화아연, 인산알루미늄, 인산마그네슘, 인산칼슘, 인산바륨, 인산스트론튬, 다이아몬드, 그라핀, 폴리에틸렌 나노섬유, 탄소 나노튜브, 은 금속 나노입자, 구리 금속 나노입자, 금 금속 나노입자, 알루미늄 금속 나노입자, 질화붕소, 질화규소, 알칼리 금속 할라이드, 플루오르화칼슘, 플루오르화마그네슘, 하기 화학식(II)의 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 조명 장치:
    Ax[(M,Mn)Fy] (I)
    Ax[MFy] (II)
    상기 식 중에서, A는 독립적으로 각 경우 Li, Na, K, Rb, Cs, 또는 이들의 조합이고, M은 독립적으로 각 경우 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, 또는 이들의 조합이며, x는 독립적으로 각 경우 [(M,Mn)Fy] 이온 및 [MFy] 이온 상의 전하의 절대값이고, y는 5, 6 또는 7이다.
  2. 제1항에 있어서, 열전도성 물질은 1 마이크론 미만의 평균 입자 크기를 갖는 것인 조명 장치.
  3. 제1항에 있어서, 열전도성 물질은 약 0.01 마이크론 내지 약 0.5 마이크론의 범위에 있는 평균 입자 크기를 갖는 것인 조명 장치.
  4. 제1항에 있어서, 열전도성 물질은 복합 재료의 총량을 기준으로 약 1 중량% 내지 약 50 중량%의 범위로 존재하는 것인 조명 장치.
  5. 제1항에 있어서, 열전도성 물질은 복합 재료의 양을 기준으로 약 10 중량% 내지 약 20 중량%의 범위로 존재하는 것인 조명 장치.
  6. 제1항에 있어서, 열전도성 물질은 망간을 함유하지 않은 것인 조명 장치.
  7. 제1항에 있어서, 알칼리 금속 할라이드는 플루오르화칼륨, 염화칼륨, 브롬화칼륨 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 조명 장치.
  8. 제1항에 있어서, A는 K이고 M은 Si인 조명 장치.
  9. 제1항에 있어서, 바인더 물질은 실리콘 또는 실리콘 유도체, 에폭시 또는 저온 유리를 포함하는 것인 조명 장치.
  10. 제1항에 따른 조명 장치를 포함하는 역광 장치.
  11. 복합 재료에 방사선 커플링된 LED 광원을 포함하는 조명 장치로서,
    복합 재료는
    제1 바인더 물질의 적어도 일부 중에 분산된 하기 화학식(I)의 인광체를 포함하는 인광체 층; 및
    인광체 층 상에 배치된 제2 바인더 물질 중에 분산된 열전도성 물질을 포함하는 열전도성 층
    을 포함하고,
    열전도성 물질은 산화인듐, 산화주석, 산화인듐주석, 산화칼슘, 산화바륨, 산화스트론튬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화바륨, 수산화스트론튬, 수산화아연, 인산알루미늄, 인산마그네슘, 인산칼슘, 인산바륨, 인산스트론튬, 다이아몬드, 그라핀, 폴리에틸렌 나노섬유, 탄소 나노튜브, 은 금속 나노입자, 구리 금속 나노입자, 금 금속 나노입자, 알루미늄 금속 나노입자, 질화붕소, 질화규소, 알칼리 금속 할라이드, 플루오르화칼슘, 플루오르화마그네슘, 하기 화학식(II)의 화합물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 조명 장치:
    Ax[(M,Mn)Fy] (I)
    Ax[MFy] (II)
    상기 식 중에서, A는 독립적으로 각 경우 Li, Na, K, Rb, Cs, 또는 이들의 조합이고, M은 독립적으로 각 경우 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, 또는 이들의 조합이며, x는 독립적으로 각 경우 [(M,Mn)Fy] 이온 및 [MFy] 이온 상의 전하의 절대값이고, y는 5, 6 또는 7이다.
  12. 제11항에 있어서, 열전도성 물질은 1 마이크론 미만의 평균 입자 크기를 갖는 것인 조명 장치.
  13. 제11항에 있어서, 열전도성 물질은 약 0.01 마이크론 내지 약 0.5 마이크론의 범위에 있는 평균 입자 크기를 갖는 것인 조명 장치.
  14. 제11항에 있어서, 열전도성 물질은 복합 재료의 양을 기준으로 약 1 중량% 내지 약 50 중량%의 범위로 존재하는 것인 조명 장치.
  15. 제11항에 있어서, 열전도성 물질은 복합 재료의 양을 기준으로 약 10 중량% 내지 약 20 중량%의 범위로 존재하는 것인 조명 장치.
  16. 제11항에 있어서, 열전도성 물질은 망간을 함유하지 않은 것인 조명 장치.
  17. 제11항에 있어서, 알칼리 금속 할라이드는 플루오르화칼륨, 염화칼륨, 브롬화칼륨 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 조명 장치.
  18. 제11항에 있어서, A는 K이고 M은 Si인 조명 장치.
  19. 제11항에 있어서, 제1 바인더 물질 및 제2 바인더 물질은 실리콘 또는 실리콘 유도체, 에폭시 또는 저온 유리를 포함하는 것인 조명 장치.
  20. 제11항에 따른 조명 장치를 포함하는 역광 장치.
KR1020197006982A 2016-08-08 2017-09-15 적색 발광 인광체를 갖는 복합 재료 KR102463480B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/231,026 2016-08-08
US15/231,026 US10193030B2 (en) 2016-08-08 2016-08-08 Composite materials having red emitting phosphors
PCT/US2017/051705 WO2018032021A1 (en) 2016-08-08 2017-09-15 Composite materials having red emitting phosphors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190101952A true KR20190101952A (ko) 2019-09-02
KR102463480B1 KR102463480B1 (ko) 2022-11-04

Family

ID=60186342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197006982A KR102463480B1 (ko) 2016-08-08 2017-09-15 적색 발광 인광체를 갖는 복합 재료

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10193030B2 (ko)
EP (1) EP3497182B1 (ko)
JP (1) JP7361602B2 (ko)
KR (1) KR102463480B1 (ko)
CN (1) CN109804048A (ko)
CA (1) CA3032757C (ko)
MX (1) MX2019001611A (ko)
MY (1) MY192181A (ko)
WO (1) WO2018032021A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114477989B (zh) * 2020-11-11 2023-05-16 中国科学院福建物质结构研究所 一种石墨烯改性的绿光透明陶瓷材料及其制备方法和应用
CN114899179A (zh) * 2022-04-25 2022-08-12 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150028365A1 (en) * 2013-07-24 2015-01-29 Juanita N. Kurtin Highly refractive, transparent thermal conductors for better heat dissipation and light extraction in white leds

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60033692T2 (de) 1999-12-07 2007-11-08 William Marsh Rice University, Houston Orientierte, in eine Polymer-Matrix eingebettete Nanofasern
KR100480768B1 (ko) 1999-12-23 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 전도성 발광물질을 이용한 저전압 구동용 적색 형광체 및그 제조방법
US7160619B2 (en) 2003-10-14 2007-01-09 Advanced Energy Technology Inc. Heat spreader for emissive display device
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7648649B2 (en) 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
EP1862035B1 (en) 2005-03-14 2013-05-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same
TWI413274B (zh) 2005-03-18 2013-10-21 Mitsubishi Chem Corp 發光裝置，白色發光裝置，照明裝置及影像顯示裝置
US7745818B2 (en) * 2005-04-08 2010-06-29 Nichia Corporation Light emitting device with silicone resin layer formed by screen printing
CN1919967A (zh) * 2005-08-26 2007-02-28 明达光电(厦门)有限公司 鸡尾酒荧光粉
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
CN101025966A (zh) * 2006-02-15 2007-08-29 株式会社理光 双层可记录光学记录介质
CN100552993C (zh) * 2006-09-22 2009-10-21 亿光电子工业股份有限公司 高导热发光二极管封装结构
WO2008082609A2 (en) 2006-12-27 2008-07-10 David Bruce Geohegan Transparent conductive nano-composites
JP2009169204A (ja) 2008-01-18 2009-07-30 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US8329060B2 (en) 2008-10-22 2012-12-11 General Electric Company Blue-green and green phosphors for lighting applications
US8203161B2 (en) * 2009-11-23 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
US8541933B2 (en) 2010-01-12 2013-09-24 GE Lighting Solutions, LLC Transparent thermally conductive polymer composites for light source thermal management
US8384105B2 (en) * 2010-03-19 2013-02-26 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation
CN102234410B (zh) * 2010-04-28 2013-12-25 上海合复新材料科技有限公司 导热型热固性模塑复合材料及其用途
US8593062B2 (en) 2010-04-29 2013-11-26 General Electric Company Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them
DE102010028776A1 (de) 2010-05-07 2011-11-10 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US8057706B1 (en) 2010-07-27 2011-11-15 General Electric Company Moisture-resistant phosphor and associated method
US8835199B2 (en) 2010-07-28 2014-09-16 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration
DE102010034913B4 (de) 2010-08-20 2023-03-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements
KR101535463B1 (ko) 2010-11-30 2015-07-10 삼성전자주식회사 엘이디 램프
JP5733743B2 (ja) * 2010-12-15 2015-06-10 日東電工株式会社 光半導体装置
US8252613B1 (en) 2011-03-23 2012-08-28 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
JP2012243618A (ja) 2011-05-20 2012-12-10 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
CN102304284A (zh) * 2011-08-22 2012-01-04 金发科技股份有限公司 一种导热树脂组合物及其制备方法
CN102513947B (zh) * 2011-09-20 2014-01-08 宁波鼎鑫砂轮制造有限公司 重负荷磨削树脂砂轮的制造方法
CN104040712A (zh) * 2011-12-22 2014-09-10 日东电工株式会社 半导体装置、光学半导体装置及散热构件
JP6297505B2 (ja) * 2012-02-16 2018-03-20 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 半導体ｌｅｄ用のコーティングされた狭帯域赤色発光フルオロケイ酸塩
JP5966501B2 (ja) 2012-03-28 2016-08-10 日亜化学工業株式会社 波長変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置
JP6069890B2 (ja) 2012-05-29 2017-02-01 日亜化学工業株式会社 波長変換用無機成形体及び発光装置
DE102012210083A1 (de) 2012-06-15 2013-12-19 Osram Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
TWI497781B (zh) 2012-07-19 2015-08-21 Univ Nat Cheng Kung 具提升散熱效果之發光二極體裝置及其製備方法
JP2014041993A (ja) 2012-07-24 2014-03-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
TWI460265B (zh) 2012-11-12 2014-11-11 Ritedia Corp 導熱複合材料及其衍生之發光二極體
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
JP2014145012A (ja) 2013-01-28 2014-08-14 Mitsubishi Chemicals Corp 樹脂組成物、波長変換部材、発光装置、ｌｅｄ照明器具、及び光学部材
US9698314B2 (en) 2013-03-15 2017-07-04 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
JP2016519850A (ja) 2013-04-08 2016-07-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． Ｌｅｄモジュールの製造方法
JP6175952B2 (ja) 2013-07-19 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9399732B2 (en) 2013-08-22 2016-07-26 General Electric Company Processes for preparing color stable manganese-doped phosphors
US20150123153A1 (en) 2013-11-06 2015-05-07 General Electric Company Led package with red-emitting phosphors
KR102434076B1 (ko) 2013-12-13 2022-08-19 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 색안정성 망간 도핑된 복합 플루오라이드 인광체의 제조 방법
JP6094532B2 (ja) * 2013-12-27 2017-03-15 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体の製造方法
CN105849226A (zh) 2013-12-30 2016-08-10 通用电气公司 耐水分的磷光体组合物及相关方法
EP3110856A4 (en) * 2014-02-27 2017-11-01 Reliance Industries Limited Process for preparing thermally conductive oriented uhmwpe products and products obtained therefrom
US9512356B2 (en) 2014-05-01 2016-12-06 General Electric Company Process for preparing red-emitting phosphors
US9546318B2 (en) 2014-05-01 2017-01-17 General Electric Company Process for preparing red-emitting phosphors
JP2015216139A (ja) 2014-05-07 2015-12-03 株式会社小糸製作所 発光モジュール
US9385282B2 (en) 2014-06-12 2016-07-05 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US10563121B2 (en) 2014-06-12 2020-02-18 Current Lighting Solutions, Llc Red-emitting phosphors and associated devices
US9567516B2 (en) 2014-06-12 2017-02-14 General Electric Company Red-emitting phosphors and associated devices
US9371481B2 (en) 2014-06-12 2016-06-21 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9929319B2 (en) 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
US9512357B2 (en) 2014-07-22 2016-12-06 General Electric Company Red-emitting phosphors, associated processes and devices
KR102273653B1 (ko) * 2014-08-29 2021-07-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2016092271A (ja) 2014-11-06 2016-05-23 シャープ株式会社 蛍光体シートおよび照明装置
BR112017008966A2 (pt) 2014-11-21 2017-12-26 Gen Electric ?processo para a síntese de um fósforo, fósforo, aparelhos de iluminação e dispositivo de luz de fundo?
US9982190B2 (en) 2015-02-20 2018-05-29 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
TWI696726B (zh) 2015-03-05 2020-06-21 美商通用電機股份有限公司 發紅光磷光體、彼之製法及含彼之裝置
CN118291130A (zh) 2015-05-18 2024-07-05 卡任特照明解决方案有限责任公司 用于制备mn掺杂的氟化物磷光体的方法
CN107771207B (zh) 2015-06-01 2022-01-18 卡任特照明解决方案有限责任公司 颜色稳定红色发射磷光体
CN105255479B (zh) * 2015-09-28 2017-06-20 上海皇广光电科技有限公司 一种胶体量子点荧光粉复合薄膜制备方法
JP2017095568A (ja) 2015-11-20 2017-06-01 三菱化学株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置
EP3380581B1 (en) 2015-11-26 2020-07-15 General Electric Company Processes for synthesizing red-emitting phosphors and related red-emitting phosphors
JPWO2017094618A1 (ja) 2015-11-30 2018-09-13 東レ株式会社 樹脂組成物、そのシート状成型物、ならびにそれを用いた発光装置およびその製造方法
CN106929015B (zh) 2015-12-29 2020-05-12 有研稀土新材料股份有限公司 红色荧光粉、其制备方法及包含该红色荧光粉的发光器件
US9605199B1 (en) * 2016-03-31 2017-03-28 General Electric Company Oxy-bromide phosphors and uses thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150028365A1 (en) * 2013-07-24 2015-01-29 Juanita N. Kurtin Highly refractive, transparent thermal conductors for better heat dissipation and light extraction in white leds

Also Published As

Publication number Publication date
CA3032757C (en) 2021-06-08
CN109804048A (zh) 2019-05-24
US20180040782A1 (en) 2018-02-08
JP7361602B2 (ja) 2023-10-16
JP2019526929A (ja) 2019-09-19
MX2019001611A (es) 2019-09-26
WO2018032021A1 (en) 2018-02-15
CA3032757A1 (en) 2018-02-15
KR102463480B1 (ko) 2022-11-04
MY192181A (en) 2022-08-04
US10193030B2 (en) 2019-01-29
EP3497182B1 (en) 2020-03-25
EP3497182A1 (en) 2019-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10158052B2 (en) LED based device with wide color gamut
US10230022B2 (en) Lighting apparatus including color stable red emitting phosphors and quantum dots
US9868898B2 (en) Processes for preparing color stable red-emitting phosphors
US8502441B2 (en) Light emitting device having a coated nano-crystalline phosphor and method for producing the same
US11149195B2 (en) Coated red line emitting phosphors
TWI798246B (zh) 經塗覆之摻雜錳的磷光體
KR102463480B1 (ko) 적색 발광 인광체를 갖는 복합 재료
TWI732041B (zh) 具有發射紅光磷光體之複合材料
US10072206B2 (en) Processes for preparing color stable red-emitting phosphors
TW201915144A (zh) 用於製備顏色穩定之紅色發光磷光體之方法
US9938457B1 (en) Methods for fabricating devices containing red line emitting phosphors
TW202403016A (zh) 磷光體組合物及其裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant